KR20210083439A - 도전성 여과막 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법 - Google Patents

도전성 여과막 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법 Download PDF

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Abstract

도전성 여과막 제조 장치가 개시된다.
본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 장치는 적층액 또는 도금액을 수용하는 저장 공간이 형성되는 수조부; 상기 저장 공간 내부에 배치되는 전극; 및 상기 전극과 일정간격 이격되고 여과막 지지체를 지지하는 지지체 고정부;을 포함할 수 있다.

Description

도전성 여과막 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법 {MANUFACTURING APPARATUS OF ELECTRO-CONDUCTIVE MEMBRANE AND METHOD USING THE SAME}
본 발명은 도전성 여과막 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전기 도금을 이용하여 도전성 여과막을 제조하는 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법에 관한 것이다.
수처리 공정에서 여과막을 통한 공정은 높인 분리 성능과, 수질 안정성, 유지 보수의 용이성, 및 운영의 용이성으로 인해 범용적으로 사용되고 있다.
여과막을 통한 탈수 과정에서 수질 내에 존재하는 이물질, 즉 오염 물질로 인해 막의 공극이 막히거나 막의 표면에 이물질이 적층되는 등의 막 오염 현상이 발생한다. 이러한 막 오염 현상에 의해 막 투과 효율이 저하되고 운전 비용이 증가하는 문제가 발생하고 있다.
안정적인 수처리 공정을 위해서는 이러한 막 오염 현상을 감소시키고 높은 막 투과 효율을 유지하는 것이 매우 중요하다.
기존의 수처리 공정에서는 역세척이나 화학 세정 등을 통해 저하된 막 투과 효율을 개선하는 방법을 사용하기도 하였다. 그러나 화학 세정 등 기존의 기술들은 여과막의 내화학성이나 내오염성을 저하시킬 수 있는 문제를 내재하고 있어 막이 오염된 후 투과 효율이 회복되더라도 유지 보수에 추가적인 공정을 필요로 한다.
또한, 종래의 여과막은 고분자 기반의 분리막으로 재료의 특성에 따라 내오염성 및 내화학성을 갖는다. 내오염성이 아무리 좋더라도 막 여과 공정이 지속됨에 따라 오염 물질과 막 표면 사이의 인력을 극복하는 것은 불가능하기 때문에 역세척과 같은 유지 보수 공법이 필요한다. 역세척이나 화학 세정을 위해서는 막 여과 공정을 중단한 상태에서 진행하여야 하기 때문에 공정 시간의 효율이 저하되는 문제가 발생한다.
이 배경기술 부분에 기재된 사항은 발명의 배경에 대한 이해를 증진하기 위하여 작성된 것으로서, 이 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이미 알려진 종래기술이 아닌 사항을 포함할 수 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 막 여과 공정에서 발생하는 막 오염 현상을 방지할 수 있는 도전성 여과막 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 장치는 적층액 또는 도금액을 수용하는 저장 공간이 형성되는 수조부; 상기 저장 공간 내부에 배치되는 전극; 및 상기 전극과 일정간격 이격되고 여과막 지지체를 지지하는 지지체 고정부;을 포함할 수 있다.
상기 전극은 원판 형상의 전극 몸체; 및 상기 전극 몸체에서 연장되는 전극 연장부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 장치는 상기 전극을 덮는 전극 고정대; 및 상기 전극 고정대를 상기 수조부에 설정된 높이로 고정하는 브라켓;을 더 포함할 수 있다.
상기 전극 고정대는 상기 전극 몸체의 상면을 덮는 몸체 덮개부; 및 상기 전극 연장부가 삽입되는 연장부 덮개부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 장치는 상기 수조부의 일측에 형성되는 유입구; 및 상기 수조부의 타측에 형성되는 배출구;를 더 포함할 수 있다.
상기 지지체 고정부는 상기 수조부의 개구된 하단에 구비되는 집전 덮개; 및상기 집전 덮개의 하단에 구비되는 여과막 고정대;를 포함할 수 있다.
상기 여과막 고정대는 상기 집전 덮개에 삽입되고, 상기 여과막 고정대와 상기 집전 덮개의 사이에 여과막이 개재될 수 있다.
여과막 고정대는 고정대 몸체; 및 상기 고정대 몸체의 하측에서 반경 방향 외측으로 연장되는 고정대 플랜지;를 포함할 수 있다.
상기 고정대 몸체의 하단에는 배수 구멍이 형성될 수 있다.
상기 집전 덮개는 중앙이 개구된 원통 형상이고 상기 고정대 몸체가 삽입되는 집전 몸체; 상기 집전 몸체의 하단에서 반경 방향 외측으로 연장되는 집전 하측 플랜지; 및 상기 집전 몸체의 상단에서 반경 방향 내측으로 연장되는 집전 상측 플랜지;를 포함할 수 있다.
상기 적층액은 탄소나노튜브, 은나노와이어(silver nanowire), 금속나노입자(metal nanoparticle), 및 금속 콜로이드(metal colloids) 중 어느 하나로 이루어지거나, 이들의 혼합물일 수 있다.
상기 도금액은 니켈, 망간, 은, 금, 구리, 아연, 및 크롬 중 어느 하나로 이루어지거나, 이들의 혼합물일 수 있다.
상기 전극은 티타늄, 은, 백금, 및 유리상 탄소 중 어느 하나로 이루어지거나, 이들의 혼합물일 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 도전성 여과막 제조 방법은 상기 여과막 지지체를 상기 지지체 고정부에 삽입하는 단계; 상기 여과막 지지체가 삽입된 상기 지지체 고정부를 상기 수조부에 결합하는 단계; 상기 적층액을 상기 수조부의 저장 공간에 투입하는 단계; 및 상기 적층액을 상기 여과막 지지체에 여과하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 도전성 여과막 제조 방법은 상기 여과막 지지체에 전기 도금을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 실시예에 의한 도전성 여과막 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법에 의하면, 전기 도금을 이용하여 도전성 여과막을 제작함으로써, 막 여과 공정에서 막 오염 현상을 방지할 수 있다.
이 도면들은 본 발명의 예시적인 실시예를 설명하는데 참조하기 위함이므로, 본 발명의 기술적 사상을 첨부한 도면에 한정해서 해석하여서는 아니된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 장치의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 장치의 구성을 도시한 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 장치의 구성을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 장치의 지지체 고정부의 구성을 도시한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막을 통한 현탁액의 유량을 도시한 그래프이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도면에 도시된 바에 한정되지 않으며, 여러 부분 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 의한 도전성 여과막 제조 장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 장치의 구성을 도시한 사시도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 장치의 구성을 도시한 분해 사시도이다. 그리고 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 장치의 구성을 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 전도성 여과막 제조 장치는 수조부(10), 전극(20), 및 지지체 고정부(50)를 포함할 수 있다.
수조부(10)는 적층액 또는 도금액을 수용하는 저장 공간(11)이 내부에 형성되고, 일측에는 유입구(13)가 형성되고, 타측에는 유출구(15)가 형성된다. 유입구(13)를 통해 적층액 또는 도금액이 저장 공간(11)으로 유입되고, 유출구(15)를 통해 적층액 또는 도금액이 외부로 배출된다. 본 발명의 실시 예에서 수조부(10)는 대략 육면체로 형성되지만, 본 발명의 권리범위가 이에 한정 되는 것은 아니다. 수조부(10)의 하단은 개방된 고정홀(17)이 형성되어, 지지체 고정부(50)가 결합된다.
수조부(10)에 저장되는 적층액은 비전도성 여과막 지지체(80)에 전기 도금을 하기 위해 여과막 지지체(80)의 표면을 적층시키기 위한 금속 콜로이드 적층액이고, 도금액은 콜로이드 적층액의 표면 흡착 정도를 높이면서 전기 전도성을 향상시키기 위한 것이다. 여과막 지지체는 도전성 여과막을 제작하기 위한 것으로, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리아클릴로니트릴(PAN), 셀룰로스 아세테이트(CA), 폴리비닐리덴플로라이드(PVDF) 등 일 수 있다.
콜로이드 적층액은 여과막 지지체(80)의 공극의 크기보다 큰 입자들로 구성된 금속 용액으로, 탄소나노튜브(CNT), 은나노와이어(silver nanowire), 금속나노입자(metal nanoparticle), 및 금속 콜로이드(metal colloids) 중 어느 하나로 이루어지거나, 이들의 혼합물로 구성될 수 있다. 금속성 적층액은 여과막 지지체(80)의 막의 전기 전도성을 높이기 위한 것으로, 비전도성인 지지체 위해 전기 도금을 용이하게 하기 위한 것이다. 만약, 여과막 지지체(80)를 금속 재질로 사용하는 경우, 적층액을 사용하지 않고 전기 도금을 진행할 수도 있다.
도금액은 여과막의 물리적, 화학적 안정성을 위해 전기 도금을 수행하여 막 표면을 전기 화학적 반응을 통해 안정화시키는 용액으로, 니켈(nickel), 망간(manganese), 은(silver), 금(gold), 구리(copper), 아연(zinc), 및 크롬(chromium) 중 어느 하나로 이루어지거나, 이들의 혼합물일 수 있다.
전극(20)은 여과막 지지체(80)의 금속 도금을 위한 것으로, 전극의 재질은 티타늄(titanium), 은(silver), 백금(platinum), 및 유리상 탄소(glassy carbon) 중 어느 하나로 이루어지거나, 이들의 혼합물일 수 있다. 금속 전극은 적층된 여과막 지지체(80) 위에서 환원 반응에 의한 전기 도금이 일어날 수 있도록 전극 쌍이 되는 산화 전극이다.
전극(20)은 원판 형상의 전극 몸체(21), 및 전극 몸체(21)에서 상측으로 연장되는 전극 연장부(23)를 포함한다.
전극(20)은 전극 고정대(30)를 통해 수조부(10)에 고정될 수 있다.
전극 고정대(30)는 전극 몸체(21)의 상측과 전극 연장부(23)를 덮어, 전극 몸체(21)의 특정면(예를 들어, 전극 몸체(21)의 하면)만이 여과막 지지체(80)와 마주하도록 하는 역할을 한다.
전극 고정대(30)는 전극 몸체(21)의 상면을 덮는 몸체 덮개부(31), 및 전극 연장부(23)가 삽입되어 감싸는 연장부 덮개부(33)를 포함한다. 몸체 덮개부(31)는 전극 몸체(21)와 대응하여 대략 원판 형상으로 형성되고, 연장부 덮개부(33)는 전극 연장부(23)가 삽입되도록 대략 상하 방향으로 긴 원통 형상으로 형성될 수 있다.
전극 고정대(30)의 연장부 덮개부(33)는 수조부(10)에 형성되는 결합홀(19)에 삽입된다. 수조부(10)의 결합홀(19)에 삽입된 연장부 덮개부(33)는 브라켓(40)을 통해 수조부(10)에 고정되어 결합될 수 있다. 즉, 브라켓(40)을 통해 연장부 덮개부(33)는 브라켓(40)을 통해 여과막 지지체(80)와 전극 몸체(21)와의 이격 거리가 조절될 수 있다.
지지체 고정부(50)는 전도성 여과막을 제조하기 위한 여과막 지지체(80)를 고정하기 위한 것이다.
여과막 지지체(80)의 재질은 PET, PAN, CA, PVDF 등으로 이루어질 수 있다. 여과막 지지체(80)는 정밀 여과(Microfiltration), 한외 여과(Ultrafiltration) 등 여러 가지 공극 크기를 갖는 여과막을 사용할 수 있고, 전기 도금을 통해 공극의 크기를 조절할 수 있다.
지지체 고정부(50)는 집전 덮개(70), 및 여과막 고정대(60)를 포함할 수 있다.
집전 덮개(70)는 중앙이 개구된 원통 형상으로 형성되는 집전 몸체(71), 집전 몸체(71)의 하단에서 반경 방향 외측으로 연장되는 집전 하측 플랜지(73), 및 집전 몸체(71)의 상단에서 반경 방향 내측으로 연장되는 집전 상측 플랜지(75)를 포함할 수 있다.
여과막 고정대(60)는 내부가 빈 원통 형상의 고정대 몸체(61), 고정대 몸체(61)의 하측에서 반경 방향 외측으로 연장되는 고정대 플랜지(63)를 포함할 수 있다. 고정대 몸체(61)의 하단에는 배수 구멍(65)이 형성되고, 배수 구멍(65)을 통해 여과체 지지체가 적층되고 남은 적층 용액이 배출된다.
집전 덮개(70)와 여과막 고정대(60)의 사이에는 여과막 지지체(80)가 고정된다. 구체적으로 설명하면, 여과막 고정대(60)의 고정대 몸체(61)가 집전 덮개(70)의 집전 몸체(71)의 개부된 내부로 삽입되면, 집전 하측 플랜지(73)의 하부면과 고정대 몸체(61)의 상면 사이에 여과막 지지체(80)가 위치한다.
그리고 집전 덮개(70)와 여과막 고정대(60)의 조립체인 지지체 고정부(50)를 수조부(10)의 하단에 형성된 고정홀(17)에 삽입한 후, 집전 하측 플랜지(73)와 고정대 플랜지(63)를 수조부(10)의 하단에 볼트 결합하여, 집전 덮개(70)와 여과막 고정대(60)가 수조부(10)에 결합되고, 여과막 지지체(80)는 집전 덮개(70)와 여과막 고정대(60) 사이에 안정적으로 고정된다.
접전 덮개는 여과막 지지체(80)에 전기를 공급하기 위한 집전기로서의 역할을 한다.
이하에서는, 상기한 바와 같은 본 발명의 실시 예에 따른 도전성 여과막 제조 장치를 통한 도전성 여과막 제조 방법에 대하여 구체적으로 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 여과막 지지체(80)를 지지체 고정부(50)에 삽입한다. 구체적으로, 여과막 지지체(80)를 여과막 고정대(60)의 고정대 몸체(61) 상면에 안착하고, 여과막 지지체(80)가 안착된 여과막 고정대(60)를 집전 덮개(70)의 집전 몸체(71)의 개구된 하부에 삽입한다.
그리고 여과막 지지체(80)가 삽입된 지지체 고정부(50)를 수조부(10)에 결합한다. 구체적으로, 여과막 고정대(60)의 고정대 플랜지(63)와 집전 덮개(70)의 집전 하측 플랜지(73)를 수조부(10)의 하단에 볼트 결합하여, 지지체 고정부(50)를 수조부(10)에 결합한다(S10).
금속성 적층액을 수조부(10) 내의 저장 공간(11)에 유입구(13)를 통해 투입한다(S20). 저장 공간(11)에 투입된 적층액은 펌프를 이용하여 여과막 고정대(60)의 하단에 형성된 배수 구멍(65)을 통해 여과막 지지체(80)에 여과된다(S30). 여과 과정을 통해 여과막 지지체(80)에 금속성 콜로이드가 적층된다. 적층된 여과막 지지체(80)의 콜로이드 표면과 여과막 지지체(80)의 공극 내부에 잔존하는 용매들을 건조시켜 불필요한 용매를 휘발시킨다(S40).
전극 고정대(30)와 브라켓(40)을 통해 전극을 수조부(10)의 저장 공간(11) 내에 설정된 위치에 위치시킨다. 유입구(13)를 통해 저장 공간(11)에 도금액을 투입하고(S50), 집전 덮개(70)와 전극에 전류를 공급하여 여과막 지지체(80)에 전기 도금을 수행한다(S50).
이와 같이, 비전도성의 여과막 지지체(80)의 표면 개질을 위하여 적층 공정과 전기 도금 공정을 통하여 전기 전도성을 갖는 금속형 전자 여과막을 제조할 수 있다.
전기 전도성을 갖는 전자 여과막은 전기가 공급되면, 전기 분해 반응이 일어나 환원 전극에서는 미세 수소 기포가 발생하고, 산화 전극에서는 미세 산소 기포가 발생한다.
이와 같이, 미세 기포를 이용하여 막 오염의 원인이 되는 오염 물질을 물리적으로 분리할 수 있기 때문에, 여과막이 오염되는 것이 방지되고 여과막의 높은 투과 효율을 유지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 도전성 여과막을 통한 현탁액의 유량을 도시한 그래프이다.
본 발명의 실시 예에서, 여과막 지지체(80)는 공극의 크기가 3.0um를 갖는 PES (Poly-ethersulfon)를 사용하였고, 적층액으로는 Silver nanowire(0.025%), 도금액으로는 AgNO3, succinimide, KOH, NaOH, KNO3 혼합물을 사용하였다. 그리고 사용된 현탁액은 미세조류(Chlorella species)로 수처리 공정에서 일반적으로 사용되는 녹조류이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 전기를 인가하지 않은 여과막의 경우 투과량이 시간에 지남에 따라 800LMH/bar에서 80LMH/bar로 급속하게 저하되는 것을 알 수 있다.
그러나 전기 전도성 여과막에 전기가 인가되어 미세 수소 기포가 발생되면, 전류를 인가하지 않은 경우와 비교하여 투과량이 증가하는 것을 알 수 있다. 즉, 시간이 지남에 따라 많은 양의 전기가 인가될수록 현탁액의 투과량이 크게 나타나는 것을 알 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
10: 수조부
11: 저장 공간
13: 유입구
15: 유출구
17: 고정홀
19: 결합홀
20: 전극
21: 전극 몸체
23: 전극 연장부
30: 전극 고정대
31: 몸체 덮개부
33: 연장부 덮개부
40: 브라켓
50: 지지체 고정부
60: 여과막 고정대
61: 고정대 몸체
63: 고정대 플랜지
65: 배수 구멍
70: 집전 덮개
71: 집전 몸체
73: 집전 하측 플랜지
75: 집전 상측 플랜지
80: 여과막 지지체

Claims (15)

  1. 적층액 또는 도금액을 수용하는 저장 공간이 형성되는 수조부;
    상기 저장 공간 내부에 배치되는 전극; 및
    상기 전극과 일정간격 이격되고 여과막 지지체를 지지하는 지지체 고정부;
    를 포함하는 도전성 여과막 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극은
    원판 형상의 전극 몸체; 및
    상기 전극 몸체에서 연장되는 전극 연장부;
    를 포함하는 도전성 여과막 제조 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 전극을 덮는 전극 고정대; 및
    상기 전극 고정대를 상기 수조부에 설정된 높이로 고정하는 브라켓;
    을 더 포함하는 도전성 여과막 제조 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 전극 고정대는
    상기 전극 몸체의 상면을 덮는 몸체 덮개부; 및
    상기 전극 연장부가 삽입되는 연장부 덮개부;
    를 포함하는 도전성 여과막 제조 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 수조부의 일측에 형성되는 유입구; 및
    상기 수조부의 타측에 형성되는 배출구;
    를 더 포함하는 도전성 여과막 제조 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 지지체 고정부는
    상기 수조부의 개구된 하단에 구비되는 집전 덮개; 및
    상기 집전 덮개의 하단에 구비되는 여과막 고정대;
    를 포함하는 도전성 여과막 제조 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 여과막 고정대는 상기 집전 덮개에 삽입되고, 상기 여과막 고정대와 상기 집전 덮개의 사이에 여과막이 개재되는 도전성 여과막 제조 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    여과막 고정대는
    고정대 몸체; 및
    상기 고정대 몸체의 하측에서 반경 방향 외측으로 연장되는 고정대 플랜지;
    를 포함하는 도전성 여과막 제조 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 고정대 몸체의 하단에는 배수 구멍이 형성되는 도전성 여과막 제조 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 집전 덮개는
    중앙이 개구된 원통 형상이고 상기 고정대 몸체가 삽입되는 집전 몸체;
    상기 집전 몸체의 하단에서 반경 방향 외측으로 연장되는 집전 하측 플랜지; 및
    상기 집전 몸체의 상단에서 반경 방향 내측으로 연장되는 집전 상측 플랜지;
    를 포함하는 도전성 여과막 제조 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 적층액은 탄소나노튜브, 은나노와이어(silver nanowire), 금속나노입자(metal nanoparticle), 및 금속 콜로이드(metal colloids) 중 어느 하나로 이루어지거나, 이들의 혼합물인 도전성 여과막 제조 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 도금액은 니켈, 망간, 은, 금, 구리, 아연, 및 크롬 중 어느 하나로 이루어지거나, 이들의 혼합물인 도전성 여과막 제조 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 전극은
    티타늄, 은, 백금, 및 유리상 탄소 중 어느 하나로 이루어지거나, 이들의 혼합물인 도전성 여과막 제조 장치.
  14. 제1항의 도전성 여과막 제조 장치를 이용한 도전성 여과막 제조 방법으로서,
    상기 여과막 지지체를 상기 지지체 고정부에 삽입하는 단계;
    상기 여과막 지지체가 삽입된 상기 지지체 고정부를 상기 수조부에 결합하는 단계;
    상기 적층액을 상기 수조부의 저장 공간에 투입하는 단계; 및
    상기 적층액을 상기 여과막 지지체에 여과하는 단계;
    를 포함하는 도전성 여과막 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 여과막 지지체에 전기 도금을 수행하는 단계;
    를 더 포함하는 도전성 여과막 제조 방법.
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