KR20210081257A - 복합 필터 장치 및 밴드 패스 필터 - Google Patents

복합 필터 장치 및 밴드 패스 필터 Download PDF

Info

Publication number
KR20210081257A
KR20210081257A KR1020200176409A KR20200176409A KR20210081257A KR 20210081257 A KR20210081257 A KR 20210081257A KR 1020200176409 A KR1020200176409 A KR 1020200176409A KR 20200176409 A KR20200176409 A KR 20200176409A KR 20210081257 A KR20210081257 A KR 20210081257A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wiring electrode
filter
inductor
disposed
band
Prior art date
Application number
KR1020200176409A
Other languages
English (en)
Inventor
또모야 사또
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20210081257A publication Critical patent/KR20210081257A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/566—Electric coupling means therefor
    • H03H9/568—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/48—Coupling means therefor
    • H03H9/52—Electric coupling means
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/547—Notch filters, e.g. notch BAW or thin film resonator filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/60—Electric coupling means therefor
    • H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0078—Constructional details comprising spiral inductor on a substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Abstract

원하는 인덕턴스를 실현하면서, 필터의 통과 대역에 있어서의 삽입 손실을 억제하는 것이 가능한 복합 필터 장치 및 밴드 패스 필터를 제공한다.
공통 단자 T0에 접속되는 접속부(102)와, 접속부(102)와 제1 단자 T1 사이에 배치된 제1 필터(14)와, 접속부(102)와 제2 단자 T2 사이에 배치된 제2 필터(18)와, 제2 필터(18)와 접속부(102) 사이에 직렬로 접속되며, 소정의 방향으로 감긴 제1 배선 전극(114, 134)을 포함하고, 다층 기판의 내부의 층에 형성된 제1 인덕터 L1과, 공통 단자 T0과 접속부(102) 사이에 직렬로 접속되며, 소정의 방향으로 감긴 제2 배선 전극(122)을 포함하고, 다층 기판의 내부의 층에 형성된 제2 인덕터 L2를 구비하고, 제1 배선 전극(114, 134) 및 제2 배선 전극(122)은, 다층 기판을 평면으로 본 경우에, 적어도 일부가 겹치도록 배치되어 있는, 복합 필터 장치(12).

Description

복합 필터 장치 및 밴드 패스 필터{COMPOSITE FILTER DEVICE AND BAND PASS FILTER}
본 발명은, 복합 필터 장치 및 밴드 패스 필터에 관한 것이다.
근년에는, 무선 통신기 등에 있어서, 소정의 주파수 대역의 신호를 통과시키는 밴드 패스 필터 등의 각종의 필터를 구비하는 복합 필터 장치가 사용된다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 3개 이상의 탄성파 필터를 갖는 멀티플렉서이며, 각 탄성파 필터와 안테나 소자가 접속되는 안테나 단자 사이의 배선과 접지 사이에 발생하는 용량을 감소시킴으로써, 각 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하는 기술이 기재되어 있다.
일본 특허 제6489294호 공보
그러나, 인용 문헌 1의 기술에서는, 원하는 인덕턴스를 실현하기 위해, 필요에 따라서 인덕터를 구성하고 있는 배선 전극을 길게 할 필요가 있는 경우가 있다. 그렇게 하면, 배선 전극에 의한 부유 용량의 발생에 기인하여 통과 대역에 있어서의 삽입 손실이 악화되는 것이 생각된다.
그래서, 본 발명은, 원하는 인덕턴스를 실현하면서, 필터의 통과 대역에 있어서의 삽입 손실을 억제하는 것이 가능한 복합 필터 장치 및 밴드 패스 필터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 관한 복합 필터 장치는, 공통 단자에 접속되는 접속부와, 접속부와 제1 단자 사이에 배치된 제1 필터와, 접속부와 제2 단자 사이에 배치된 제2 필터와, 제2 필터와 접속부 사이에 직렬로 접속되며, 소정의 방향으로 감긴 제1 배선 전극을 포함하고, 다층 기판의 내부의 층에 형성된 제1 인덕터와, 공통 단자와 접속부 사이에 직렬로 접속되며, 소정의 방향으로 감긴 제2 배선 전극을 포함하고, 다층 기판의 내부의 층에 형성된 제2 인덕터를 구비하고, 제1 배선 전극 및 제2 배선 전극은, 다층 기판을 평면으로 본 경우에, 적어도 일부가 겹치도록 배치되어 있다.
본 발명에 따르면, 원하는 인덕턴스를 실현하면서, 필터의 통과 대역에 있어서의 삽입 손실을 억제하는 것이 가능한 복합 필터 장치 및 밴드 패스 필터를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 통신 장치의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 2는 다층 기판의 제1 층을 평면으로 본 경우에 있어서의, 동 실시 형태에 관한 복합 필터 장치의 배선 전극의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 3은 다층 기판의 제2 층을 평면으로 본 경우에 있어서의, 동 실시 형태에 관한 복합 필터 장치의 배선 전극의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 4는 다층 기판의 제3 층을 평면으로 본 경우에 있어서의, 동 실시 형태에 관한 복합 필터 장치의 배선 전극의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 5는 제1 층에 배치된 인덕터의 배선 전극과, 제2 층에 배치된 인덕터 L2의 배선 전극의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 6은 제2 층에 배치된 인덕터의 배선 전극과, 제3 층에 배치된 인덕터의 배선 전극의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 7은 실시예 1 및 비교예 1에 있어서의 밴드 엘리미네이션 필터의 통과 특성의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
도 8은 저지 대역 부근의 주파수 대역에 있어서의 실시예 1 및 비교예 1에 있어서의 밴드 엘리미네이션 필터의 통과 특성의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
도 9는 실시예 1 및 비교예 1에 있어서의 밴드 패스 필터의 통과 특성의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
도 10은 통과 대역 부근의 주파수 대역에 있어서의 실시예 1 및 비교예 1의 밴드 패스 필터의 통과 특성의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
도 11은 실시예 1 및 비교예 1에 있어서 주파수가 600㎒ 내지 1000㎒일 때에 있어서의, 공통 단자 T0으로부터 본 복합 필터 장치의 임피던스 특성을 나타내는 스미스차트이다.
도 12는 실시예 1 및 비교예 1에 있어서 주파수가 1700㎒ 내지 2700㎒일 때에 있어서의, 공통 단자 T0으로부터 본 복합 필터 장치의 임피던스 특성을 나타내는 스미스차트이다.
도 13은 실시예 1 및 비교예 1에 있어서 주파수가 3300㎒ 내지 4200㎒일 때에 있어서의, 공통 단자 T0으로부터 본 복합 필터 장치의 임피던스 특성을 나타내는 스미스차트이다.
도 14는 실시예 1 및 비교예 1에 있어서 주파수가 600㎒ 내지 1000㎒일 때에 있어서의, 제2 단자 T2로부터 본 밴드 엘리미네이션 필터의 임피던스 특성을 나타내는 스미스차트이다.
도 15는 실시예 1 및 비교예 1에 있어서 주파수가 1700㎒ 내지 2700㎒일 때에 있어서의, 제2 단자 T2로부터 본 밴드 엘리미네이션 필터의 임피던스 특성을 나타내는 스미스차트이다.
도 16은 실시예 1 및 비교예 1에 있어서 주파수가 3300㎒ 내지 4200㎒일 때의, 제2 단자 T2로부터 본 밴드 엘리미네이션 필터의 임피던스 특성을 나타내는 스미스차트이다.
도 17은 제2 실시 형태에 관한 밴드 패스 필터의 구성을 도시하는 도면이다.
도 18은 제2 실시 형태에 관한 밴드 패스 필터를 구성하는 배선 전극의 배치를 도시하는 도면이다.
도 19는 제2 실시 형태에 관한 밴드 패스 필터를 구성하는 배선 전극의 배치를 도시하는 도면이다.
도 20은 제2 실시 형태에 관한 밴드 패스 필터를 구성하는 배선 전극의 배치를 도시하는 도면이다.
도 21은 제2 실시 형태에 대하여, 제1 층에 배치된 인덕터의 배선 전극과, 제3 층에 배치된 인덕터의 배선 전극의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 22는 제2 실시 형태에 대하여, 제2 층에 배치된 인덕터의 배선 전극과, 제3 층에 배치된 인덕터의 배선 전극의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 23은 통과 대역 부근의 주파수 대역에서의 실시예 2 및 비교예 2에 있어서의 밴드 패스 필터의 통과 특성의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
도 24는 실시예 2 및 비교예 2에 있어서의 밴드 패스 필터의 통과 특성의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부호를 부여한 것은, 동일 또는 마찬가지의 구성을 갖는다.
[제1 실시 형태]
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 통신 장치(1)의 구성예를 도시하는 도면이다. 본 실시 형태에 관한 통신 장치(1)는, 예를 들어 휴대 전화 등의 이동체 통신기에 탑재되어, 신호의 송신 및 수신을 행한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 통신 장치(1)는, 주로, 안테나(10)와, 복합 필터 장치(12)를 구비한다. 안테나(10)와, 복합 필터 장치(12)는, 공통 단자 T0을 통해 접속되어 있다.
안테나(10)는, 기지국과의 사이에서 무선 주파수(RF: Radio Frequency) 신호의 송신 및 수신을 행하거나, GPS(Global Positioning System) 위성으로부터의 신호를 수신하거나 한다.
복합 필터 장치(12)는, 안테나(10)로부터 송신되는 송신 신호 및 안테나(10)가 수신하는 수신 신호를 주파수에 기초하여 나누는 기능을 갖는다. 복합 필터 장치(12)는, 주로, 밴드 패스 필터(14)(제1 필터)와, 밴드 엘리미네이션 필터(18)(제2 필터)와, 인덕터 L1(제1 인덕터)과, 인덕터 L2(제2 인덕터)를 포함한다. 접속점(102)(접속부)은, 인덕터 L2를 통해, 공통 단자 T0에 접속되어 있다. 밴드 패스 필터(14)는, 접속점(102)과 제1 단자 T1 사이에 배치되어 있고, 밴드 엘리미네이션 필터(18)는, 접속점(102)과 제2 단자 T2 사이에 배치되어 있다. 또한, 밴드 엘리미네이션 필터(18)는, 인덕터 L1을 통해, 접속점(102)에 접속되어 있다. 밴드 패스 필터(14)는, 소정의 주파수의 신호를 통과시키고, 당해 소정의 주파수 이외의 주파수의 신호를 감쇠시키는 필터이다. 밴드 엘리미네이션 필터(18)는, 소정의 주파수의 신호를 감쇠시키고, 당해 소정의 주파수 이외의 신호를 통과시키는 필터이다. 밴드 엘리미네이션 필터(18)는, 예를 들어 저지 대역이 비교적 좁은 노치 필터여도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 밴드 패스 필터(14)가 통과시키는 주파수 대역인 통과 대역과, 밴드 엘리미네이션 필터(18)가 감쇠시키는 주파수 대역인 저지 대역은 겹쳐 있다. 예를 들어, 안테나(10)가 수신한 다양한 신호로부터 GPS의 수신 신호를 추출하고자 하는 경우, 밴드 패스 필터(14)의 통과 대역 및 밴드 엘리미네이션 필터(18)의 저지 대역은, GPS의 수신 신호의 주파수가 되도록 설정된다. 이에 의해, GPS의 수신 신호는 밴드 패스 필터(14)를 통과하고, 그 이외의 수신 신호는 밴드 엘리미네이션 필터(18)를 통과한다. 이와 같이, 복합 필터 장치(12)에 의하면, 다양한 주파수의 신호로부터 특정한 주파수의 신호를 추출할 수 있다. 또한, 추출되는 신호의 종류는 GPS에 한정되지 않는다.
본 실시 형태에 관한 복합 필터 장치(12)의 구성에 대하여, 보다 상세하게 설명한다. 밴드 패스 필터(14)는, 안테나(10)로부터 공통 단자 T0 및 접속점(102)을 경유하여 공급된 수신 신호를 제1 단자 T1로부터 출력한다. 밴드 엘리미네이션 필터(18)는, 안테나(10)로부터 공통 단자 T0 및 접속점(102)을 경유하여 공급된 수신 신호를 제2 단자 T2로부터 출력한다. 본 실시 형태에서는, 밴드 패스 필터(14)는, 수신 신호를 통과시키지만, 이것 대신에, 또는 이것에 더하여 송신 신호를 통과시켜도 된다.
밴드 패스 필터(14)는, 복수의 공진자가 직렬 암 및 병렬 암에 배치된 래더형 필터이다. 구체적으로는, 밴드 패스 필터(14)는, 주로, 7개의 직렬 암 공진자 S11 내지 S17과, 3개의 병렬 암 공진자 P11 내지 P13과, 인덕터 L3을 구비한다. 직렬 암 공진자, 병렬 암 공진자 및 인덕터의 수는 각각 일례이며, 이것에 한정되지 않는다.
직렬 암 공진자 S11 내지 S17 및 병렬 암 공진자 P11 내지 P13의 소자는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 탄성 표면파(SAW: Surface Acoustic Wave) 필터, 압전 박막 공진자 등의 필터, 또는 벌크 탄성파(BAW: Bulk Acoustic Wave) 필터 등이어도 된다. 이하에서 설명하는 공진자 S21 내지 S23, 직렬 암 공진자 S31 내지 S34, 병렬 암 공진자 P31 내지 P33에 있어서도 마찬가지이다.
7개의 직렬 암 공진자 S11 내지 S17은, 접속점(102)과 제1 단자 T1을 연결하는 직렬 암에 있어서, 접속점(102)으로부터 가까운 순으로 각각 직렬 접속되어 있다. 3개의 병렬 암 공진자 P11 내지 P13은, 접속점(102)으로부터 가까운 순으로 각각, 직렬 암으로부터 분기하도록 병렬로 접속되어 있다. 3개의 병렬 암 공진자 P11 내지 P13에서는, 일단이, 각각 직렬 암 공진자 S14와 직렬 암 공진자 S15의 접속점, 직렬 암 공진자 S15와 직렬 암 공진자 S16의 접속점, 직렬 암 공진자 S16과 직렬 암 공진자 S17의 접속점에 접속되고, 타단에 기준 전위(예를 들어 접지 전위)가 공급되고 있다.
인덕터 L3은, 직렬 암 공진자 S17과 제1 단자 T1 사이에 있어서, 직렬 암 공진자 S17에 직렬 접속되어 있다.
밴드 엘리미네이션 필터(18)는, 복수의 공진자가 직렬로 접속된 구성이다. 구체적으로는, 밴드 엘리미네이션 필터(18)는, 3개의 공진자 S21 내지 S23과, 인덕터 L4를 구비한다. 공진자 및 인덕터의 수는 일례이며, 이것에 한정되지 않는다.
공진자 S21 내지 S23은, 접속점(102)과 제2 단자 T2를 연결하는 선로에 있어서, 접속점(102)으로부터 가까운 순으로 인접하여 직렬 접속되어 있다. 인덕터 L4의 일단은, 공진자 S22와 공진자 S23의 접속점에 접속되고, 타단에는 기준 전위(예를 들어 접지 전위)가 공급되고 있다.
인덕터 L1(제1 인덕터)은, 접속점(102)과 공진자 S21 사이에 있어서, 접속점(102)에 직렬로 접속되어 있다. 또한, 인덕터 L2(제2 인덕터)는, 공통 단자 T0과 접속점(102) 사이에 있어서, 접속점(102)에 직렬 접속되어 있다.
본 실시 형태에서는, 밴드 패스 필터(14)의 통과 대역 및 그 대역폭과, 밴드 엘리미네이션 필터(18)의 저지 대역 및 그 대역폭이 대략 동일하다.
본 실시 형태에 관한 복합 필터 장치(12)에서는, 각종 공진자를 접속하는 배선 전극 및 인덕터를 형성하는 배선 전극은, 적층 구조를 갖는 다층 기판의 내부의 층에 배치되어 있다. 도 2 내지 도 4를 참조하여, 주로, 본 실시 형태에 관한 인덕터 L1 내지 L3을 구성하는 배선 전극의 배치에 대하여 상세하게 설명한다. 도 2 내지 도 4는 다층 기판을 평면으로 본 경우에 있어서의, 본 실시 형태에 관한 복합 필터 장치(12)의 배선 전극의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 2에 도시한 제1 층(110), 도 3에 도시한 제2 층(120), 및 도 4에 도시한 제3 층(130)은, 지면의 뒷쪽으로부터 앞쪽을 향하는 방향을 상방향이라 하였을 때, 위로부터 순서대로 적층되어 있다. 또한, 도시는 생략하지만, 제1 층(110)보다도 상측 및 제3 층(130)의 하측에는, 제1 층(110) 또는 제3 층(130)에 인접한 층이 적층되어 있는 것으로 한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제1 층(110)에는, 배선 전극(112), 배선 전극(114)(제1 배선 전극) 및 배선 전극(116)이 배치되어 있다. 여기서, 배선 전극(114)은 인덕터 L1의 일부를 구성하고 있다. 또한, 배선 전극(116)은, 인덕터 L3의 일부를 구성하고 있다. 배선 전극(112)의 단자 C1은, 제1 층(110)의 상측의 층에 배치된, 직렬 암 공진자 S11에 접속된 배선 전극에 접속되어 있다. 또한, 배선 전극(114)의 단자 E1은, 제1 층(110)의 상측의 층에 배치된, 공진자 S21에 접속된 배선 전극에 접속되어 있다. 또한, 배선 전극(116)의 단자 F1은, 제1 층(110)의 상측의 층에 배치된, 공진자 S22 및 S23에 접속된 배선 전극에 접속되어 있다. 여기서, 공진자 S22 및 S23에 접속된 당해 배선 전극은 접지되어 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제2 층(120)에는, 배선 전극(122)(제2 배선 전극), 배선 전극(124) 및 배선 전극(126)이 배치되어 있다. 배선 전극(122)은, 인덕터 L2의 일부를 구성하고 있다. 또한, 배선 전극(126)은, 인덕터 L3의 일부를 구성하고 있다. 배선 전극(122)의 단자 C2는, 제1 층(110)의 배선 전극(112)이 구비하는 단자 C1에 접속되어 있다. 또한, 배선 전극(124)의 단자 D2는, 제1 층(110)의 배선 전극(114)이 구비하는 단자 D1에 접속되어 있다. 또한, 배선 전극(126)의 단자 G2는, 제1 층(110)의 배선 전극(116)이 구비하는 단자 G1에 접속되어 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 제3 층(130)에는, 배선 전극(132), 배선 전극(134)(제1 배선 전극) 및 배선 전극(136)이 배치되어 있다. 배선 전극(134)은, 인덕터 L1의 일부를 구성하고 있다. 또한, 배선 전극(136)은, 인덕터 L3의 일부를 구성하고 있다. 배선 전극(132)의 단자 A2는, 제2 층(120)의 배선 전극(122)이 구비하는 단자 A1에 접속되어 있다. 또한, 배선 전극(132)의 단자 A2는, 제3 층(130)의 하측의 층에 배치된, 공통 단자 T0에 접속된 배선 전극에 접속되어 있다. 또한, 배선 전극(134)의 단자 B2는, 제2 층(120)의 배선 전극(122)이 구비하는 단자 B1에 접속되어 있다. 따라서, 인덕터 L1 및 인덕터 L2는, 단자 B1 및 단자 B2에 의해 접속되어 있다.
배선 전극(134)의 단자 D3은, 제2 층(120)의 배선 전극(124)이 구비하는 단자 D2에 접속되어 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 제2 층(120)의 배선 전극(124)은 제1 층(110)의 배선 전극(114)에 접속되어 있다. 이 때문에, 제3 층(130)의 배선 전극(134)은, 제2 층(120)의 배선 전극(124)을 통해, 제1 층(110)의 배선 전극(114)에 접속되어 있다. 제2 층(120)은, 제1 층(110) 및 제3 층(130)에 의해 사이에 끼워져 있다. 인덕터 L2의 일부를 구성하는 제2 층(120)의 배선 전극(122)은, 인덕터 L1을 구성하는 제1 층(110)의 배선 전극(114) 및 제3 층(130)의 배선 전극(134)에 의해 사이에 끼워져 있다.
배선 전극(136)의 단자 H2는, 제2 층(120)의 배선 전극(126)이 구비하는 단자 H1에 접속되어 있다. 또한, 상술한 바와 같이 배선 전극(126)은, 제1 층(110)의 배선 전극(116)에 접속되어 있다. 따라서, 제1 층(110)의 배선 전극(116), 제2 층(120)의 배선 전극(126), 및 제3 층(130)의 배선 전극(136)은 일체로 되어 인덕터 L3의 일부를 구성하고 있다. 제3 층(130)의 배선 전극(136)이 구비하는 단자 I1은, 제3 층(130)의 하측의 층에 배치된 접지되는 배선 전극에 접속되어 있다.
다음에, 도 5 및 도 6을 참조하여, 인덕터 L1의 일부를 구성하는 배선 전극(114) 및 배선 전극(134)과, 인덕터 L2의 일부를 구성하는 배선 전극(122)의 위치 관계에 대하여 설명한다. 도 5는 제1 층(110)에 배치된 인덕터 L1의 배선 전극(114)과, 제2 층(120)에 배치된 인덕터 L2의 배선 전극(122)의 위치 관계를 도시하는 도면이다. 도 6은 제2 층(120)에 배치된 인덕터 L2의 배선 전극(122)과, 제3 층(130)에 배치된 인덕터 L1의 배선 전극(134)의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 5에는, 인덕터 L1의 배선 전극(114)에 있어서의 전류의 방향이 실선의 화살표로 나타내어져 있고, 인덕터 L2의 배선 전극(122)에 있어서의 전류의 방향이 파선의 화살표로 나타내어져 있다. 배선 전극(114) 및 배선 전극(122) 모두, 전류의 방향은, 반시계 방향으로 되어 있다. 즉, 배선 전극(114) 및 배선 전극(122)이 감겨 있는 방향은, 동일하다. 또한, 인덕터 L1의 배선 전극(114) 및 인덕터 L2의 배선 전극(122)은, 일부가 겹치도록 배치되어 있다. 겹쳐 있는 부분에 있어서, 배선 전극(114)과 배선 전극(122)에 있어서의 전류의 방향은 대략 동일하다. 이 때문에, 배선 전극(114)과 배선 전극(122)에 있어서 발생하는 자계가 서로 강하게 되어, 배선 전극(114)과 배선 전극(122)이 전자 결합하고 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 배선 전극(114)이 배치되어 있는 제1 층(110)과, 배선 전극(122)이 배치되어 있는 제2 층(120)이 인접하고 있다. 이 때문에, 배선 전극(114)과 배선 전극(122)이, 보다 강하게 전자 결합할 수 있다.
도 6에는, 인덕터 L2의 배선 전극(122)에 있어서의 전류의 방향이 파선의 화살표로 나타내어져 있고, 인덕터 L1의 배선 전극(134)에 있어서의 전류의 방향이 실선의 화살표로 나타내어져 있다. 배선 전극(122) 및 배선 전극(134) 모두, 전류의 방향은, 반시계 방향으로 되어 있고, 배선 전극(122) 및 배선 전극(134)이 감겨 있는 방향은 동일하다. 또한, 인덕터 L2의 배선 전극(122) 및 인덕터 L1의 배선 전극(134)은, 일부가 겹치도록 배치되어 있다. 또한, 겹쳐 있는 부분에 있어서, 배선 전극(122)과 배선 전극(134)에 있어서의 전류의 방향은 대략 동일하다. 이 때문에, 배선 전극(122)과 배선 전극(134)에 있어서 발생하는 자계가 서로 강하게 되어, 배선 전극(122)과 배선 전극(134)이 전자 결합한다.
또한, 본 실시 형태에서는, 배선 전극(122)이 배치되어 있는 제2 층(120)과, 배선 전극(134)이 배치되어 있는 제3 층(130)이 인접하고 있다. 이 때문에, 배선 전극(122)과 배선 전극(134)이, 보다 강하게 전자 결합할 수 있다.
도 7 및 도 8은 실시예 1 및 비교예 1에 있어서의 밴드 엘리미네이션 필터의 통과 특성의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다. 실시예 1에 관한 복합 필터 장치는, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한 복합 필터 장치(12)이다. 한편, 비교예 1에 관한 복합 필터 장치는, 인덕터 L1에 대응하는 인덕터의 배선 전극과 인덕터 L2에 대응하는 배선 전극이 겹치지 않도록, 이격되어 위치하도록 구성되어 있다. 즉, 비교예 1에서는, 인덕터 L1과 인덕터 L2에 대응하는 2개의 인덕터가 전자 결합하고 있지 않다. 또한, 밴드 엘리미네이션 필터의 통과 특성이란, 밴드 엘리미네이션 필터(18)에 더하여, 인덕터 L1(비교예 1에서는, 인덕터 L1에 대응하는 인덕터)을 포함하는 구성의 통과 특성이다.
도 7에는, 0㎒ 내지 6000㎒의 주파수 대역에 있어서의 밴드 엘리미네이션 필터의 통과 특성이 도시되어 있다. 실시예 1의 시뮬레이션 결과는 실선, 비교예 1의 시뮬레이션 결과는 파선으로 나타내어져 있다. 또한, 도 8 내지 도 10에 있어서도 마찬가지로, 실시예 1의 시뮬레이션 결과는 실선, 비교예 1의 시뮬레이션 결과가 파선으로 나타내어져 있다. 도 7에 도시된 LB(Low Band)는 600 내지 1000㎒, MB(Middle Band)는 1700 내지 2000㎒, HB(High Band)는 2000 내지 2700㎒, UHB(Ultra High Band)는 3300 내지 4200㎒의 주파수 대역에 각각 대응하고 있다. 도 7을 참조하면, UHB를 포함하는 약 3000㎒ 이상의 주파수 대역에 있어서, 삽입 손실이 억제되어 있음을 알 수 있다.
실시예 1에서는, 상술한 바와 같이, 인덕터 L1과 인덕터 L2가 전자 결합하고 있다. 이 때문에, 실시예 1에서는, 인덕터 L1과 인덕터 L2가 전자 결합하고 있지 않은 비교예 1과 비교하여, 보다 짧은 배선 전극에 의해 원하는 인덕턴스를 실현할 수 있다. 배선 전극을 짧게 함으로써, 부유 용량을 저감할 수 있어, 인덕터의 자기 공진 주파수를 높일 수 있다. 부유 용량과 직렬 접속된 인덕터는, 저역 통과 필터로서 작용하기 때문에, 자기 공진 주파수가 높아지면, 차단 주파수도 높아진다. 이 때문에, 부유 용량을 저감함으로써, 원하는 인덕턴스를 실현하면서, 밴드 엘리미네이션 필터에 있어서의 UHB를 포함하는 고주파수 대역의 삽입 손실을 저감할 수 있다.
도 8은 실시예 1 및 비교예 1에 있어서의 저지 대역 부근의 주파수 대역에 있어서의 통과 특성의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다. 실시예 1에서는, 비교예 1과 마찬가지로, 저지 대역의 신호가 적절하게 감쇠되어 있음을 알 수 있다. 이와 같이, 실시예 1에서는, 엘리미네이션 필터의 신호를 감쇠하는 기능을 발휘하면서, 고주파수 대역에 있어서의 삽입 손실을 개선할 수 있다.
도 9는 실시예 1 및 비교예 1에 있어서의 밴드 패스 필터의 통과 특성의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다. 또한, 도 10은 통과 대역 부근의 주파수 대역에 있어서의 실시예 1 및 비교예 1의 밴드 패스 필터의 통과 특성의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다.
도 9 및 도 10에 도시한 바와 같이, 실시예 1 및 비교예 1에 있어서, 밴드 패스 필터의 통과 특성에는 큰 차이는 없고, 적절하게 통과 대역의 신호를 통과시킬 수 있다. 이와 같이, 실시예 1에서는, 밴드 패스 필터의 특성을 유지하면서, 밴드 엘리미네이션 필터에 있어서의 고주파수 대역의 삽입 손실을 저감할 수 있다.
다음에, 도 11 내지 도 16을 참조하여, 실시예 1 및 비교예 1에 있어서의 밴드 엘리미네이션 필터의 임피던스 특성에 대하여 설명한다. 또한, 여기에서는, 밴드 엘리미네이션 필터의 임피던스 특성이란, 밴드 엘리미네이션 필터(18)에 더하여, 인덕터 L1(비교예 1에서는, 인덕터 L1에 대응하는 인덕터) 및 인덕터 L2(비교예 1에서는, 인덕터 L2에 대응하는 인덕터)를 포함하는 구성의 임피던스 특성을 말하는 것으로 한다. 도 11 내지 도 13은, 실시예 1 및 비교예 1에 있어서의 공통 단자 T0으로부터 본 복합 필터 장치(12)의 임피던스 특성을 나타내는 스미스차트이다. 또한, 도 14 내지 도 16은, 실시예 1 및 비교예 1에 있어서의 제2 단자 T2로부터 본 밴드 엘리미네이션 필터의 임피던스 특성을 나타내는 스미스차트이다. 보다 상세하게는, 도 11 및 도 14에는 LB의 주파수 대역에 있어서의 스미스차트, 도 12 및 도 15에는 MB 및 HB의 주파수 대역에 있어서의 스미스차트, 도 13 및 도 16에는 UHB의 주파수 대역에 있어서의 스미스차트가 도시되어 있다. 어느 도면에 있어서도, 실시예 1에 대해서는 실선, 비교예 1에 대해서는 파선으로, 임피던스 특성이 도시되어 있다.
도 11, 도 12, 도 14 및 도 15를 참조하면, LB, MB 및 HB의 주파수 대역에 있어서, 실시예 1 및 비교예 1에서는 임피던스 특성에 큰 차이는 없음을 알 수 있다.
한편, 도 13 및 도 16을 참조하면, 실시예 1에서는, 비교예 1과 비교하여, 임피던스가 50Ω의 가까이에서 수렴되어 있고, 50Ω에 비교적 정합되어 있음을 알 수 있다. 이것은, 상술한 바와 같이, 인덕터 L1과 인덕터 L2가 전자 결합하여, 원하는 인덕턴스를 실현하기 위해 필요한 배선 전극의 길이를 짧게 할 수 있어, 부유 용량의 발생을 억제할 수 있었기 때문이다. 이와 같이, 본 실시 형태에 따르면, UHB를 포함하는 고주파수 대역에 있어서, 임피던스를 정합시켜, 통과 대역에 있어서의 삽입 손실을 향상시킬 수 있다.
[제2 실시 형태]
제2 실시 형태에서는 제1 실시 형태와 공통의 사항에 대한 기술을 생략하고, 다른 점에 대해서만 설명한다.
도 17은 제2 실시 형태에 관한 밴드 패스 필터(2)의 구성을 도시하는 도면이다. 제2 실시 형태에 관한 밴드 패스 필터(2)는, 입력 단자 T3과 출력 단자 T4를 접속하는 직렬 암에 배치된 복수의 직렬 암 공진자와, 병렬 암에 배치된 복수의 병렬 암 공진자를 구비한다. 보다 상세하게는, 제2 실시 형태에 관한 밴드 패스 필터(2)는, 4개의 직렬 암 공진자 S31 내지 S34와, 3개의 병렬 암 공진자 P31 내지 P33과, 인덕터 L5(제3 인덕터)와, 인덕터 L6(제4 인덕터)을 구비한다. 4개의 직렬 암 공진자 S31 내지 S34는, 입력 단자 T3과 출력 단자 T4를 접속하는 직렬 암에 있어서, 입력 단자 T3으로부터 순서대로 배치되어 있다. 또한, 3개의 병렬 암 공진자 P31 내지 P33은, 각각의 병렬 암에 배치되어 있고, 기준 전위(예를 들어 접지 전위)가 공급되고 있다. 또한, 밴드 패스 필터(2)가 구비하는 직렬 암 공진자, 병렬 암 공진자 및 인덕터의 수는 일례이며, 이것에 한정되는 것은 아니다.
본 실시 형태에서는, 인덕터 L5는, 입력 단자 T3에 직렬 접속되어 있다. 또한, 인덕터 L6은, 직렬 암 공진자 S31에 병렬로 접속되어 있다. 인덕터 L5 및 인덕터 L6의 일부를 구성하는 배선 전극 등의 각종의 배선 전극은, 적층 구조를 갖는 다층 기판의 내부의 층에 배치되어 있다. 도 18 내지 도 20은, 제2 실시 형태에 관한 밴드 패스 필터(2)가 구비하는 배선 전극의 배치를 도시하는 도면이다. 도 18 내지 도 20에 있어서, 지면의 뒷쪽으로부터 앞쪽을 향하는 방향을 상방향으로 하면, 위로부터 순서대로, 도 18에 도시한 제1 층(210), 도 19에 도시한 제2 층(220) 및 도 20에 도시한 제3 층(230)이 차례대로 적층되어 있다. 또한, 제1 층(210)의 상측 및 제3 층(230)의 하측에는, 제1 층(210) 또는 제3 층(230)에 인접한 층이 배치되어 있는 것으로 한다.
도 18에 도시한 제1 층(210)에는, 배선 전극(212) 및 배선 전극(214)(제4 배선 전극)이 배치되어 있다. 배선 전극(214)은, 인덕터 L6의 일부를 구성하고 있다. 배선 전극(212)의 단자 W1은, 제1 층(210)의 상측의 층에 배치된, 입력 단자 T3에 접속된 배선 전극에 접속되어 있다. 또한, 배선 전극(214)의 단자 Y1은, 제1 층(210)의 상측의 층에 배치된, 도 17에 도시한 접촉점(202)에 접속된 배선 전극에 접속되어 있다.
도 19에 도시한 제2 층(220)에는, 배선 전극(222)(제4 배선 전극)이 배치되어 있다.
배선 전극(222)은, 인덕터 L6의 일부를 구성하고 있다. 배선 전극(222)의 단자 W2는, 제1 층(210)의 배선 전극(212)이 구비하는 단자 W1에 접속되어 있다. 또한, 배선 전극(222)의 단자 X2는, 제1 층(210)의 배선 전극(214)이 구비하는 단자 X1에 접속되어 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 제1 층(210)의 배선 전극(214) 및 제2 층(220)의 배선 전극(222)이 일체로 되어, 인덕터 L6의 일부를 구성하고 있다.
도 20에 도시한 제3 층(230)에는, 배선 전극(232)(제3 배선 전극)이 배치되어 있다.
배선 전극(232)은, 인덕터 L5의 일부를 구성하고 있다. 배선 전극(232)의 단자 V2는, 제2 층(220)의 배선 전극(222)이 구비하는 단자 V1에 접속되어 있다. 따라서, 인덕터 L5와 인덕터 L6은, 단자 V1 및 단자 V2에 의해 접속되어 있다. 또한, 제3 층(230)의 배선 전극(232)의 단자 U1은, 제3 층(230)의 하측의 층에 배치된, 입력 단자 T3에 접속된 배선 전극에 접속되어 있다.
도 21 및 도 22를 참조하여, 인덕터 L5의 배선 전극과 인덕터 L6의 배선 전극의 위치 관계에 대하여 설명한다. 도 21은 제1 층(210)에 배치된 인덕터 L6의 배선 전극(214)과, 제3 층(230)에 배치된 인덕터 L5의 배선 전극(232)의 다층 기판을 평면으로 본 경우에 있어서의 위치 관계를 도시하는 도면이다. 도 21에 있어서, 실선의 화살표는, 배선 전극(214)에 흐르는 전류의 방향을 나타내고 있다. 또한, 파선의 화살표는, 배선 전극(232)에 흐르는 전류의 방향을 나타내고 있다. 배선 전극(214) 및 배선 전극(232) 모두, 전류의 방향은 시계 방향이다. 따라서, 배선 전극(214)이 감겨 있는 방향과 배선 전극(232)이 감겨 있는 방향은, 일치하고 있다.
또한, 배선 전극(214) 및 배선 전극(232)은, 일부가 겹치도록 배치되어 있다. 또한, 겹쳐 있는 부분에서는, 배선 전극(214)에 흐르는 전류의 방향과, 배선 전극(232)에 흐르는 방향의 방향이, 대략 일치하고 있다. 이 때문에, 배선 전극(214)과 배선 전극(232)이 강하게 전자 결합하고 있다.
도 22는 제2 층(220)에 배치된 인덕터 L6의 배선 전극(222)과, 제3 층(230)에 배치된 인덕터 L5의 배선 전극(232)의 다층 기판을 평면으로 본 경우에 있어서의 위치 관계를 도시하는 도면이다. 도 22에 있어서, 실선의 화살표는, 배선 전극(222)에 흐르는 전류의 방향을 나타내고 있다. 또한, 파선의 화살표는, 배선 전극(232)에 흐르는 전류의 방향을 나타내고 있다. 배선 전극(222) 및 배선 전극(232) 모두, 전류의 방향은 시계 방향이다. 따라서, 배선 전극(222)이 감겨 있는 방향과 배선 전극(232)이 감겨 있는 방향은, 일치하고 있다.
또한, 배선 전극(222) 및 배선 전극(232)은 일부가 겹쳐 있다. 또한, 겹쳐 있는 부분에서는, 배선 전극(222)에 흐르는 전류의 방향과, 배선 전극(232)에 흐르는 방향의 방향이, 일치하고 있다. 이 때문에, 배선 전극(222)과 배선 전극(232)이 강하게 전자 결합하고 있다.
도 23 및 도 24는 실시예 2 및 비교예 2의 밴드 패스 필터의 통과 특성의 시뮬레이션 결과를 도시하는 도면이다. 실시예 2의 밴드 패스 필터는, 도 17 내지 도 22를 참조하여 설명한 밴드 패스 필터(2)이다. 한편, 비교예 2의 밴드 패스 필터는, 인덕터 L5가 구비하는 배선 전극과 인덕터 L6이 구비하는 배선 전극이 겹치지 않도록 구성되어 있다. 따라서, 비교예 2에서는, 인덕터 L5 및 인덕터 L6에 대응하는 2개의 인덕터가 전자 결합하고 있지 않다.
도 23에 도시한 바와 같이, 통과 대역에 있어서, 실시예 2에서는 비교예 2와 비교하여, 고주파수측의 삽입 손실이 억제되어 있다. 실시예 2에서는, 인덕터 L5와 인덕터 L6이 강하게 전자 결합하고 있다. 이 때문에, 원하는 인덕턴스를 실현하기 위해 필요한 배선 전극의 길이를 저감하여, 부유 용량의 발생을 억제할 수 있다. 이 결과, 인덕터의 자기 공진 주파수가 높아져, 통과 대역에 있어서의 통과 특성이 향상된 것으로 생각된다.
도 24에 도시한 바와 같이, 실시예 2 및 비교예 2에 있어서, 통과 대역의 외측의 주파수 대역에서는 밴드 패스 필터의 통과 특성에 큰 차이는 없고, 통과 대역의 신호를 적절하게 통과시킨다. 또한, 1900㎒ 정도의 극은 감쇠극이다.
이상 설명한 실시 형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이고, 본 발명을 한정하여 해석하기 위한 것은 아니다. 실시 형태가 구비하는 각 요소 및 그 배치, 재료, 조건, 형상, 사이즈 등은, 예시한 것에 한정되는 것은 아니고 적절히 변경할 수 있다.
또한, 다른 실시 형태에서 나타낸 구성끼리를 부분적으로 치환하거나 또는 조합하는 것이 가능하다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 평면으로 본 경우에 중첩되는 2개의 배선 전극이, 인접하는 층에 각각 배치되어 있다. 이에 한하지 않고, 평면으로 본 경우에 중첩되는 2개의 배선 전극은, 인접한 층에 배치되어 있지 않아도 된다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 인덕터 L2의 일부를 구성하는 배선 전극(122)이, 인덕터 L1을 구성하는 배선 전극(114) 및 배선 전극(134)에 의해 사이에 끼워져 있다. 이에 한하지 않고, 인덕터 L1의 적어도 일부를 구성하는 배선 전극이, 인덕터 L2의 적어도 일부를 구성하는 배선 전극에 의해 사이에 끼워져 있어도 된다. 또한, 실시 형태 2에 관한 밴드 패스 필터에 있어서도, 인덕터 L5의 적어도 일부를 구성하는 배선 전극이, 인덕터 L6의 적어도 일부를 구성하는 배선 전극 사이에 끼워져 있어도 된다. 혹은, 인덕터 L6의 적어도 일부를 구성하는 배선 전극이, 인덕터 L5의 적어도 일부를 구성하는 배선 전극 사이에 끼워져 있어도 된다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 인덕터 L1은, 밴드 엘리미네이션 필터(18)와 접속점(102) 사이에 직렬로 접속되어 있다. 이에 한하지 않고, 다층 기판을 평면으로 본 경우에 적어도 일부가 인덕터 L2의 배선 전극과 겹치는 배선 전극을 갖는 인덕터(즉, 인덕터 L1에 상당하는 인덕터)는, 밴드 엘리미네이션 필터(18)의 다른 필터(예를 들어, 밴드 패스 필터(14))와 접속점(102) 사이에 직렬로 접속되어 있어도 된다. 이 경우, 밴드 엘리미네이션 필터(18)와 접속점(102) 사이에는, 인덕터 L1이 직렬로 접속되어 있지 않아도 된다.
또한, 제2 실시 형태에서는, 인덕터 L6은, 입력 단자 T3에 가장 가까운 직렬 암 공진자 S31에 병렬로 접속되어 있다. 이에 한하지 않고, 다층 기판을 평면으로 본 경우에 적어도 일부가 인덕터 L5의 배선 전극과 겹치는 배선 전극을 갖는 인덕터(즉, 인덕터 L6에 상당하는 인덕터)는, 밴드 패스 필터가 구비하는 어느 직렬 암 공진자에 병렬로 접속되어 있어도 된다.
1: 통신 장치
2: 밴드 패스 필터
10: 안테나
12: 복합 필터 장치
14: 밴드 패스 필터
18: 밴드 엘리미네이션 필터
102: 접속점
110: 제1 층
112, 114, 116: 배선 전극
120: 제2 층
122, 124, 126: 배선 전극
130: 제3 층
132, 134, 136: 배선 전극
202: 접촉점
210: 제1 층
212, 214: 배선 전극
220: 제2 층
222: 배선 전극
230: 제3 층
232: 배선 전극
L1 내지 L6: 인덕터
P11 내지 P13: 병렬 암 공진자
P31 내지 P33: 병렬 암 공진자
S11 내지 S17: 직렬 암 공진자
S21 내지 S23: 공진자
S31 내지 S34: 직렬 암 공진자
T0: 공통 단자
T1: 제1 단자
T2: 제2 단자
T3: 입력 단자
T4: 출력 단자

Claims (9)

  1. 공통 단자에 접속되는 접속부와,
    상기 접속부와 제1 단자 사이에 배치된 제1 필터와,
    상기 접속부와 제2 단자 사이에 배치된 제2 필터와,
    상기 제2 필터와 상기 접속부 사이에 직렬로 접속되며, 소정의 방향으로 감긴 제1 배선 전극을 포함하고, 다층 기판의 내부의 층에 형성된 제1 인덕터와,
    상기 공통 단자와 상기 접속부 사이에 직렬로 접속되며, 상기 소정의 방향으로 감긴 제2 배선 전극을 포함하고, 상기 다층 기판의 내부의 층에 형성된 제2 인덕터를 구비하고,
    상기 제1 배선 전극 및 상기 제2 배선 전극은, 상기 다층 기판을 평면으로 본 경우에, 적어도 일부가 겹치도록 배치되어 있는 복합 필터 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다층 기판은, 상기 제1 배선 전극 및 상기 제2 배선 전극이 배치되는 복수의 층을 포함하고,
    상기 제1 배선 전극의 적어도 일부와 상기 제2 배선 전극의 적어도 일부는, 각각 인접한 층에 배치되어 있는 복합 필터 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 다층 기판은, 상기 제1 배선 전극 및 상기 제2 배선 전극이 배치되는 복수의 층을 포함하고,
    상기 제1 배선 전극의 적어도 일부는, 상기 제2 배선 전극이 배치되는 층을 사이에 두는 적어도 2개의 층에 배치되거나, 또는, 상기 제2 배선 전극의 적어도 일부는, 상기 제1 배선 전극이 배치되는 층을 사이에 두는 적어도 2개의 층에 배치되어 있는 복합 필터 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 필터 또는 상기 제2 필터 중 한쪽은, 소정의 주파수 대역의 신호를 통과시키는 밴드 패스 필터이고,
    상기 제1 필터 또는 상기 제2 필터 중 다른 쪽은, 상기 소정의 주파수 대역의 신호를 감쇠시키는 밴드 엘리미네이션 필터인 복합 필터 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 필터 또는 상기 제2 필터 중 한쪽은, 소정의 주파수 대역의 신호를 통과시키는 밴드 패스 필터이고,
    상기 제1 필터 또는 상기 제2 필터 중 다른 쪽은, 상기 소정의 주파수 대역의 신호를 감쇠시키는 밴드 엘리미네이션 필터인 복합 필터 장치
  6. 입력 단자와 출력 단자를 접속하는 직렬 암에 배치된 복수의 직렬 암 공진자와,
    병렬 암에 배치된 복수의 병렬 암 공진자와,
    상기 입력 단자 또는 상기 출력 단자에 접속되며, 소정의 방향으로 감긴 제3 배선 전극을 포함하고, 다층 기판의 내부의 층에 형성된 제3 인덕터와,
    상기 복수의 직렬 암 공진자의 하나에 병렬로 접속되며, 상기 소정의 방향으로 감긴 제4 배선 전극을 포함하고, 상기 다층 기판의 내부의 층에 형성된 제4 인덕터를 구비하고,
    상기 제3 배선 전극 및 상기 제4 배선 전극은, 상기 다층 기판을 평면으로 본 경우에, 적어도 일부가 겹치도록 배치되어 있는 밴드 패스 필터.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 다층 기판은, 복수의 층을 포함하고,
    상기 제3 배선 전극의 적어도 일부와 상기 제4 배선 전극의 적어도 일부는, 각각 인접한 층에 배치되어 있는 밴드 패스 필터.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 다층 기판은, 상기 제3 배선 전극 및 상기 제4 배선 전극이 배치되는 복수의 층을 포함하고,
    상기 제3 배선 전극의 적어도 일부는, 상기 제4 배선 전극이 배치되는 상기 층을 사이에 두는 적어도 2개의 층에 배치되거나, 또는, 상기 제4 배선 전극의 적어도 일부는, 상기 제3 배선 전극이 배치되는 상기 층을 사이에 두는 적어도 2개의 층에 배치되어 있는 밴드 패스 필터.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 다층 기판은, 상기 제3 배선 전극 및 상기 제4 배선 전극이 배치되는 복수의 층을 포함하고,
    상기 제3 배선 전극의 적어도 일부는, 상기 제4 배선 전극이 배치되는 상기 층을 사이에 두는 적어도 2개의 층에 배치되거나, 또는, 상기 제4 배선 전극의 적어도 일부는, 상기 제3 배선 전극이 배치되는 상기 층을 사이에 두는 적어도 2개의 층에 배치되어 있는 밴드 패스 필터.
KR1020200176409A 2019-12-23 2020-12-16 복합 필터 장치 및 밴드 패스 필터 KR20210081257A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019231795A JP2021100214A (ja) 2019-12-23 2019-12-23 複合フィルタ装置及びバンドパスフィルタ
JPJP-P-2019-231795 2019-12-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210081257A true KR20210081257A (ko) 2021-07-01

Family

ID=76438527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200176409A KR20210081257A (ko) 2019-12-23 2020-12-16 복합 필터 장치 및 밴드 패스 필터

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11881842B2 (ko)
JP (1) JP2021100214A (ko)
KR (1) KR20210081257A (ko)
CN (1) CN113098433B (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6489294B1 (ja) 2017-05-30 2019-03-27 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104662798B (zh) * 2012-09-25 2017-03-08 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置以及双工器
JP6724394B2 (ja) * 2016-02-02 2020-07-15 セイコーエプソン株式会社 発振モジュール、電子機器及び移動体
US10560069B2 (en) * 2017-06-26 2020-02-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave apparatus
JP6791184B2 (ja) * 2017-06-26 2020-11-25 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN109391242B (zh) 2017-08-03 2022-08-09 株式会社村田制作所 复合型滤波器装置、高频前端电路以及通信装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6489294B1 (ja) 2017-05-30 2019-03-27 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210194460A1 (en) 2021-06-24
US11881842B2 (en) 2024-01-23
JP2021100214A (ja) 2021-07-01
CN113098433A (zh) 2021-07-09
CN113098433B (zh) 2024-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5817795B2 (ja) 高周波モジュール
JP6414600B2 (ja) 分波装置
US9356576B2 (en) Filter device
US20160373147A1 (en) Branch circuit and branch cable
JP6183461B2 (ja) 高周波モジュール
US20140167877A1 (en) Filter module
US9979379B2 (en) Multiplexer, radio frequency front-end circuit, communication device, and multiplexer design method
WO2014168162A1 (ja) 高周波モジュール
US20210194452A1 (en) Multiplexer, and radio frequency front-end circuit and communication device that use the same
CN107210721B (zh) 可变滤波电路、高频模块电路、以及通信装置
JPWO2015104882A1 (ja) 高周波モジュール
JP2007259296A (ja) アンテナ共用器および携帯電話
JP7313792B2 (ja) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6183462B2 (ja) 高周波モジュール
JP2015154434A (ja) 分波器
KR102424038B1 (ko) 멀티플렉서
JP5804076B2 (ja) Ｌｃフィルタ回路及び高周波モジュール
EP2892151B1 (en) Filter device and duplexer
CN111697945A (zh) 多路复用器、高频模块以及通信装置
KR20210081257A (ko) 복합 필터 장치 및 밴드 패스 필터
KR102483800B1 (ko) 분파기
CN110247669B (zh) 复用器以及通信装置
KR102342504B1 (ko) 필터 장치 및 필터 모듈
CN112671369A (zh) 滤波器装置以及具备该滤波器装置的双工器和多工器
JP2013030904A (ja) 方向性結合器および無線通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
E902 Notification of reason for refusal