KR20210063349A - Euv 챔버 내로의 euv 타겟 물질의 도입을 제어하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

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디트마어 우베 헤르베르트 트레스
사이먼 로미오 에스토미 무시
벤자민 앤드류 샘스
오세구에라 알폰소 메디나
테오도로스 빌헬무스 드리센
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

EUV 챔버 내로의 EUV 타겟 물질의 도입을 제어하는 장치 및 방법이 개시되며, 여기서 EUV 물질의 디스펜서가 처음 시작되거나 조정되고 있을 때의 기간 동안과 같이, EUV 챔버 내에서 플라즈마 형성을 위해 EUV 타겟 물질이 필요하지 않을 때 EUV 타겟 물질은 EUV 챔버로 들어가는 것이 선택적으로 방지된다.

Description

EUV 챔버 내로의 EUV 타겟 물질의 도입을 제어하기 위한 장치 및 방법
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2018년 9월 26일에 출원되고 발명의 명칭이 "Apparatus for and Method of Controlling Introduction of EUV Target Material into an EUV Chamber"인 미국특허출원 제62/736.651호 및 2019년 9월 17일에 출원되고 발명의 명칭이 "Apparatus for and Method of Controlling Introduction of EUV Target Material into an EUV Chamber"인 미국특허출원 제62/901.340호에 대해 우선권을 주장하며, 양 출원은 본 명세서에서 그 전문이 인용 참조된다.
본 발명은 극자외(""EUV") 광원 및 그의 작동 방법에 관한 것이다. 이 광원은 소스 또는 타겟 물질로부터 플라즈마를 생성함으로써 EUV 광을 제공한다. 한 적용에서, EUV 광은 포토리소그래피 공정에서 집광되고 사용되어 반도체 집적 회로를 생산할 수 있다.
EUV 광의 패터닝된 빔은 실리콘 웨이퍼와 같은 레지스트-코팅된(resist-coated) 기판을 노광시키는데 사용되어 기판에 극히 작은 피처를 생성할 수 있다. EUV 광 (또한, 때로는 연질 x-선으로 지칭된다)은 일반적으로 약 5㎚ 내지 약 100㎚ 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선으로 규정된다. 포토리소그래피를 위한 하나의 관심 대상 특정 파장은 13.5㎚이다.
EUV 광을 생성하는 방법은 소스 물질을, EUV 범위 내의 방출선을 갖는 화학 원소를 갖는 플라즈마 상태로 변환시키는 것을 포함하고 있지만 반드시 이에 제한되지는 않는다. 이 원소는 크세논, 리튬 및 주석을 포함하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
하나의 이러한 방법에서, 흔히 레이저 생성 플라즈마("LPP")로 지칭되는 원하는 플라즈마는 레이저 빔으로, 예를 들어 액적, 스트림, 또는 와이어의 형태의 소스 물질을 조사함으로써 생성될 수 있다. 또 다른 방법에서, 흔히 방전 생성 플라즈마("DPP")로 지칭되는 요구되는 플라즈마는 적절한 방출선을 갖는 소스 물질을 한 쌍의 전극 사이에 위치시킴으로써 그리고 전극들 사이에 전기 방전을 일으키게 함으로써 생성될 수 있다.
액적을 생성시키는 하나의 기술은 주석과 같은, 때로는 소스 물질로도 지칭되는 타겟 물질을 용융시키는 것과, 그후 이를 약 0.1㎛ 내지 30㎛의 직경을 갖는 액적 생성기의 노즐 내의 오리피스와 같은, 액적 생성기 내의 비교적 작은 직경의 오리피스를 통하여 고압 하에서 강제로 밀어내어 유체 분출물(fluid jet)을 생성하는 것을 포함하고 있다. 대부분의 조건 하에서, 흔히 레일리-플라토 불안정성(Rayleigh-Plateau instability)으로 알려진 수력학적 불안정성으로 인하여 분출물은 액적들로 분해될 것이다. 이 액적들은 다양한 속도를 가질 수 있으며 서로 결합하여 더 큰 액적으로 합체될 수 있다.
액적 생성기가 빈번하게 멈추고 재시동하는 것과 함께 시동시 노즐 막힘 및 액적 불안정성을 포함하는 문제가 있을 수 있다. 따라서, 전형적으로 액적 생성기는 액적들을 연속적으로 생성하도록 구성되어 있다. 그러나 액적 생성기가 EUV 생성에 필요하지 않은 과잉의 액적을 생성하는 경우가 있다. 액적이 생성될 수 있지만 사용될 수 없는 시간은 액적 생성기가 시동되고 있거나 멈추고 있을 때를 포함한다. 이때의 액적 생성은 EUV 용기 벽에서의 주석의 증착 ("주석 라이팅(tin writing)")을 야기할 수 있다. 미사용 액적이 생성될 수 있는 또 다른 시기는 액적 생성기의 조정 동안이다. 소스 유휴 시간, 즉 타겟 물질을 변환시키기 위하여 사용된 레이저가 액적에 발사되고 있지 않은 동안에 액적은 생성될 수 있지만 사용될 수 없다. (예를 들어, 버스트(burst)들 사이, 로트(lot)들 사이 및 웨이퍼들 사이에) 플라즈마를 생성하지 않을 때 소스 작동 중에 사용되지 않은 액적이 생성될 수도 있다. 모든 것에서, 액적 생성기에 의해 생성된 액적의 대부분이 필요하지 않거나 플라즈마를 생성하기 위해 사용되지 않는다는 것이 가능하다는 상황이 있다.
이상적으로는, 사용하지 않은 액적은 용기를 가로지르며 임의의 백스플래쉬(backsplash)를 허용하지 않고 액적을 캐치하는 주석 캐처(tin catcher)로 불리는 리셉터클 내에 내려앉는다(land). 그러나 액적 생성기 시작 또는 정지 중에 액적은 주석 캐처 입구를 지나칠 수 있고 컬렉터와 같은 EUV 챔버의 광학계에 가까운 벽에 튀길 수 있으며, 따라서 컬렉터 성능 저하를 야기할 수 있다. 또한, 장시간의 작동 후 주석 캐처가 저하되어 상당한 백스플래쉬가 발생하는 것을 허용하며 뿐만 아니라 컬렉터 성능 저하에 기여한다. 따라서 대응책에도 불구하고 제어되지 않은 방식으로 EUV 챔버로 들어가도록 허용된 사용되지 않은 액적은 EUV 용기 내의 그리고 컬렉터의 표면을 오염시킬 가능성을 갖고 있다. 따라서 이 문제를 완화시킬 필요가 남아 있다.
다음 설명은 실시예의 기본적인 이해를 제공하기 위하여 하나 이상의 실시예의 단순화된 요약을 제공한다. 이 요약은 모든 고려되는 실시예의 광범위한 개요가 아니며, 모든 실시예의 핵심적인 또는 중요한 요소를 식별하거나 임의의 또는 모든 실시예의 범위를 설명하도록 의도된 것은 아니다. 이의 유일한 목적은 이후에 제시되는 더 상세한 설명에 대한 서곡으로서 하나 이상의 실시예의 일부 개념을 단순화된 형태로 제시하는 것이다.
실시예의 한 양태에 따르면, EUV 생성을 위하여 사용되지 않을 액적을 적어도 EUV 용기에 들어가는 것으로부터 방향전환시킴으로써 타겟 물질 오염 문제가 완화된다.
본 발명의 한 양태에 따르면, 진공 챔버; 진공 챔버 내에 위치되며 진공 챔버 내에 주 초점을 갖는 광학 요소; 진공 챔버 내의 주 초점에서의 조사 부위로 타겟 물질의 스트림을 분배하기 위한 타겟 물질 디스펜서; 및 진공 챔부의 내부 또는 외부에 위치되며 타겟 물질 디스펜서에 의하여 분배된 타겟 물질의 선택된 부분이 진공 챔버로 들어가는 것으로부터 방향전환되도록 타겟 물질의 선택된 부분들을 선택 가능하게 방향전환시키기 위해 배열된 타겟 물질 다이버터를 포함하는 장치가 개시된다. 광학 요소는 컬렉터 미러일 수 있다. 타겟 물질 디스펜서는 노즐을 가질 수 있으며, 타겟 물질을 노즐에 의하여 방출된 액적의 스트림의 형태로 조사 부위에 제공하기 위한 것일 수 있다. 타겟 물질 다이버터는 노즐로부터의 스트림의 방출 지점과 조사 부위로의 스트림의 진입 지점 사이의 위치에서 스트림의 일부분을 방향전환시키도록 배열될 수 있다. 타겟 물질 다이버터는 스트림의 이동의 방향을 가로지르는 방향으로 가스의 분출물을 배출하도록 배열될 수 있다. 가스는 예를 들어 수소를 포함하는 다수의 가스 중 임의의 하나일 수 있으며, 분출물은 아음속 또는 초음속일 수 있다. 타겟 물질 다이버터는 스트림의 경로 내에 선택 가능하게 위치될 수 있는 디플렉터를 포함할 수 있다. 타겟 물질 다이버터는 전기 소스에 선택 가능하게 연결되며 전기 소스에 연결될 때 스트림 내의 액적에 전하를 배치시키도록 배열된 전도성 요소를 포함할 수 있다. 타겟 물질 다이버터는 부분적인 또는 완전한 제거에 의하여 선택된 액적을 방향전환시키도록 배열된 레이저를 포함할 수 있다. 타겟 물질 다이버터는 타겟 물질 디스펜서의 일부일 수 있다. 타겟 물질의 스트림은 부분적으로, 합체되지 않은 액적의 서브스트림일 수 있으며, 타겟 물질 다이버터는 서브스트림 내의 타겟 물질의 선택된 부분을 선택 가능하게 방향전환시키도록 배열될 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, EUV 타겟 물질을 유지하기 위한 리셉터클, 타겟 물질을 제1 경로를 따라 분배하기 위하여 리셉터클와 유체 연통하는 노즐, 및 타겟 물질의 선택된 부분이 제2 경로를 따라 방향전환되도록 노즐을 통하여 분배된 타겟 물질의 선택된 부분을 선택 가능하게 방향전환시키기 위해 노즐에 인접하게 배열된 타겟 물질 다이버터를 포함하는 장치가 개시된다. 타겟 물질 다이버터는 스트림의 이동 방향을 가로지르는 방향으로 가스의 분출물을 배출하도록 배열될 수 있다. 가스는 수소일 수 있다. 분출물은 아음속 또는 초음속일 수 있다. 타겟 물질 다이버터는 스트림의 경로 내에 선택 가능하게 위치될 수 있는 디플렉터를 포함할 수 있다. 타겟 물질 다이버터는 전기 소스에 선택 가능하게 연결되고 전기 소스에 연결될 때 스트림 내의 액적에 전하를 배치시키도록 배열된 전도성 요소를 포함할 수 있다. 타겟 물질 다이버터는 선택된 액적을 편향 또는 기화시키도록 배열된 레이저를 포함할 수 있다. 다이버터는 전하로 액적 흐름을 방향전환시키는 플레이트 또는 플레이트들로 구성될 수 있다. 액적이 간헐적으로(on and off) 방향전환 또는 천천히 멀어질 수(steered away) 있도록 플레이트 전하는 간헐적으로 또는 가변적으로 신속하게 제어될 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 타겟 물질 디플렉터를 인에이블시키는 단계, 스트림으로 타겟 물질을 분배하기 위해 타겟 물질 디스펜서를 가동 시작하는 단계 - 분배된 타겟 물질이 조사 영역으로 들어가지 않도록 분배된 타겟 물질은 디플렉터에 의하여 편향됨-, 및 분배된 타겟 물질이 진공 챔버로 들어가도록 타겟 물질 디플렉터를 디스에이블시키는 단계를 포함하는, 타겟 물질 디스펜서에 의한 조사 영역으로의 타겟 물질의 도입을 제어하기 위해 타겟 물질 디플렉터를 이용하는 방법이 개시된다. 타겟 물질 디플렉터를 인에블시키는 단계는 타겟 물질 디플렉터가 가스의 분출물을 타겟 물질의 이동 방향을 가로 지르는 방향으로 배출하게 하는 것을 포함할 수 있다. 가스는 수소일 수 있다. 분출물은 아음속 또는 초음속일 수 있다. 타겟 물질 디플렉터를 인에이블시키는 단계는 디플렉터를 타겟 물질의 경로 내로 이동시키는 것을 포함할 수 있다. 타겟 물질 디플렉터를 인에이블시키는 단계는 스트림 내의 액적 상에 전하를 배치하는 것을 포함할 수 있다. 타겟 물질 디플렉터를 인에이블시키는 단계는 액적을 기화시키는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 진공 챔버; 진공 챔버 내에 위치되며, 진공 챔버 내에 주 초점을 갖는 광학 요소; 타겟 물질의 스트림을 분배하기 위한 타겟 물질 디스펜서; 방향전환 구조체 및 출구 구멍을 규정하는 구조체를 포함하는 타겟 물질 구멍 시스템; 및 타겟 물질 디스펜서에 연결되며, 타겟 물질의 스트림이 조사 영역을 향하여 출구 개구를 통과하는 제1 위치 및 타겟 물질의 스트림이 조사 영역으로 들어가는 것으로부터 방향전환되도록 타겟 물질의 스트림이 방향전환 구조체를 통과하는 제2 위치를 갖도록 배열된 적어도 하나의 액추에이터를 포함하는 장치가 개시된다. 적어도 하나의 액추에이터는 압전 액추에이터를 포함할 수 있다. 타겟 물질 디스펜서는 노즐을 가질 수 있으며, 타겟 물질 구멍 시스템은 노즐로부터의 스트림의 방출 지점과 진공 챔버로의 스트림의 진입 지점 사이에 위치될 수 있다. 본 장치는 방향전환 구멍을 통과하는 타겟 물질을 수집하도록 배열된 타겟 물질 수집 리셉터클을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, EUV 타겟 물질의 소스; EUV 타겟 물질의 액적의 스트림을 분배하기 위하여 소스와 유체 연통하는 노즐; 출구 구멍 및 방향전환 구멍을 규정하는 구조체를 포함하는 타겟 물질 구멍 시스템; 및 스트림이 출구 구멍을 통하여 제1 경로를 따라 또는 방향전환 구멍을 통하여 제 2 경로를 따라 이동하도록 노즐을 조향하기 위해 배열된 타겟 물질 조향 시스템을 포함하는 장치가 개시된다. 타겟 물질 조정 시스템은 적어도 하나의 액추에이터를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 액추에이터는 압전 액추에이터를 포함할 수 있다. 타겟 물질 구멍 시스템은 노즐로부터의 스트림의 방출 지점과 조사 영역으로의 스트림의 진입 지점 사이에 위치될 수 있다. 본 장치는 방향전환 구멍을 통과하는 타겟 물질을 수집하도록 배열된 타겟 물질 수집 리셉터클을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 타겟 물질 디스펜서에 의한 조사 영역으로의 타겟 물질의 도입을 제어하기 위해 타겟 물질 디플렉터를 이용하는 방법이 개시되며, 본 방법은 출구 구멍 및 방향전환 구멍을 규정하는 구조체를 포함하는 타겟 물질 구멍 시스템을 제공하는 단계; 및 타겟 물질을 출구 구멍을 통하여 제1 경로를 따라 또는 방향전환 구멍을 통하여 제2 경로를 따라 지향시키도록 타겟 물질 디스펜서를 조정하는 단계를 포함한다. 타겟 물질 디스펜서를 조정하는 단계는 타겟 물질 디스펜서에 연결된 적어도 하나의 액추에이터를 제어하는 것을 포함할 수 있다. 타겟 물질 디스펜서를 조정하는 단계는 타겟 물질 디스펜서에 연결된 적어도 하나의 압전 액추에이터를 제어하는 것을 포함할 수 있다. 타겟 물질 디스펜서는 노즐을 포함할 수 있으며, 타겟 물질 구멍 시스템을 제공하는 단계는 노즐의 방출 지점과 조사 영역으로의 타겟 물질의 진입 지점 사이에 타겟 물질 구멍 시스템을 위치시키는 것을 포함할 수 있다. 본 방법은 타겟 물질 수집 리셉터클 내에 출구 구멍을 통과한 타겟 물질을 수집하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 추가 실시예, 특징 및 장점은 물론 다양한 실시예의 구조 및 작동이 첨부된 도면을 참조하여 아래에서 상세히 설명된다.
본 명세서에 포함되고 명세서의 일부를 형성하는 첨부 도면은 제한이 아닌 한 예로서 본 발명의 실시예의 방법 및 시스템을 도시하고 있다. 상세한 설명과 함께, 도면은 관련 기술(들)의 원리를 설명하고 당업자가 본 명세서에 제시된 방법 및 시스템을 만들고 사용할 수 있게 하는 역할을 더 수행한다. 도면에서 동일한 참조 번호는 동일하거나 기능적으로 유사한 요소를 나타낸다. 도면은 반드시 비례에 의한(to-scale) 것이 아니다.
도 1은 노광 디바이스와 연결된 EUV 광원의 간략화된 개략도이다.
도 1a는 LPP EUV 광 라디에이터를 갖는 EUV 광원을 포함하는 장치의 단순화된 개략도이다.
도 2는 EUV 광원을 위한 액적 생성 서브 시스템의 개략도이다.
도 3, 도 3a 및 도 3b는 오리피스를 빠져 나가는 스트림 내에 외란을 생성하기 위해 하나 이상의 전기-구동 가능한 요소(들)를 유체와 결합하기 위한 몇 가지 상이한 기술을 도시하고 있다.
도 4는 실시예의 한 양태에 따른 EUV 챔버 내로의 EUV 타겟 물질의 도입을 제어하기 위한 배열체의 비례에 의한 것이 아닌(not-to-scale) 도면이다.
도 5 및 도 5a 는 실시예의 한 양태에 따른 EUV 챔버 내로의 EUV 타겟 물질의 도입을 제어하기 위한 배열체의 비례에 의한 것이 아닌 도면이다.
도 6 및 도 6a 는 실시예의 한 양태에 따른 EUV 챔버 내로의 EUV 타겟 물질의 도입을 제어하기 위한 배열체의 비례에 의한 것이 아닌 도면이다.
도 7은 실시예의 한 양태에 따른 EUV 챔버 내로의 EUV 타겟 물질의 도입을 제어하기 위한 배열체의 비례에 의한 것이 아닌 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 실시예의 한 양태에 따른 EUV 챔버로의 EUV 타겟 물질의 도입을 제어하는 방법의 흐름도이다.
도 9 및 도 9a 는 실시예의 한 양태에 따른 EUV 챔버 내로의 EUV 타겟 물질의 도입을 제어하기 위한 배열체의 작동의 비례에 의한 것이 아닌 도면이다.
본 발명의 다양한 실시예의 구조 및 작동뿐만 아니라 본 발명의 추가 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조하여 아래에서 상세히 설명된다. 본 발명은 본 명세서 내에서 설명된 특정 실시예에 제한되지 않는다는 점이 주목된다. 이러한 실시예는 예시 목적으로만 본 명세서 내에 제시된다. 부가적인 실시예는 본 명세서에 포함된 교시를 기반으로 관련 기술 분야의 숙련된 자에게 명백할 것이다.
이제 다양한 실시예가 도면을 참조하여 설명되며, 여기서 동일한 참조 번호는 전체에 걸쳐 동일한 요소를 지칭하기 위해 사용된다. 다음의 설명에서, 설명의 목적으로, 하나 이상의 실시예의 완전한 이해를 촉진하기 위하여 다수의 특정 세부 사항이 제시된다. 그러나 아래에 설명된 특정 설계 세부 사항을 채택하지 않고도 아래에 설명된 임의의 실시예가 실행될 수 있다는 것이 일부 또는 모든 경우에서 명백할 수 있다. 다른 예에서, 하나 이상의 실시예의 설명을 용이하게 하기 위하여 잘 알려진 구조 및 디바이스는 블록도 형태로 보여지고 있다. 다음의 제시는 모든 고려되는 실시예의 광범위한 개요가 아니며, 모든 실시예의 핵심 또는 중요한 요소를 식별하거나 임의의 또는 모든 실시예의 범위를 기술하도록 의도된 것이 아니다.
처음의 도 1을 참조하면, 전체적으로 10"으로 지정된 EUV 포토리소그래피 장치의 한 예의 선택된 부분의 간략화된 개략적인 단면도가 보여지고 있다. 장치(10")는, 예를 들어 레지스트 코팅된 웨이퍼와 같은 기판(11)을 EUV 광의 패터닝된 빔으로 노광시키기 위해 사용될 수 있다. 장치(10")에 대해, EUV 광을 이용하며 예를 들어 EUV 광의 빔으로 레티클과 같은 패터닝 광학계(13c)를 조명하여 패터닝된 빔을 생성하기 위한 이상의 광학계(13a, 13b) 및 패터닝된 빔을 기판(11) 상으로 투영하기 위한 하나 이상의 축소 투영 광학계(들)(13d, 13e)를 갖는 노광 디바이스(12") (예를 들어, 스테퍼, 스캐너, 스텝 앤 스캔(step and scan) 시스템, 다이렉트 라이팅 시스템, 접촉 및/또는 근접 마스크를 사용하는 디바이스 등과 같은 집적 회로 리소그래피 툴)가 제공될 수 있다. 기판(11)과 패터닝 수단(13c) 간에 제어된 상대 운동을 발생시키기 위하여 기계적 조립체 (보이지 않음)가 제공될 수 있다. 도 1에서 더 보여지는 바와 같이, 장치(10")는 챔버(26")에서 EUV 광을 방출하는 EUV 광 라디에이터(22)를 포함하는 EUV 광원(20")을 포함할 수 있으며, EUV 광은 광학계(24)에 의하여 경로를 따라 노광 디바이스(12") 내로 반사되어 기판(11)을 조사한다. 조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 전자기, 정전기 또는 다른 유형의 광학 구성 요소, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 유형의 광학 구성 요소를 포함할 수 있다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "광학계(optic)" 및 그 파생어는 입사 광을 반사 및/또는 전달 및/또는 작동시키는 하나 이상의 구성 요소를 포함하지만 반드시 이에 제한되지 않는 것으로 광범위하게 해석되는 것을 의미하며, 또한 광학계는 하나 이상의 렌즈, 윈도우, 필터, 웨지(wedges), 프리즘, 그리즘(grisms), 격자, 전송 섬유, 에탈론(etalons), 디퓨저, 호모지나이저(homogenizers), 검출기와 기타 기구 구성 요소, 조리개, 액시콘(axicons), 및 다층 미러, 근-수직 입사(near-normal incidence) 미러, 그레이징(grazing) 입사 미러, 정반사기, 확산 반사기 및 그들의 조합을 포함하는 미러를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 또한, 달리 명시되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "광학계" 또는 그 파생어는 EUV 출력 광 파장, 조사 레이저 파장, 계측에 적합한 파장 또는 임의의 다른 특정 파장에서와 같은 하나 이상의 특정 파장 범위(들) 내에서 단독으로 또는 유리하게 작동하는 구성 요소로 제한되는 것으로 의미되지 않는다.
도 1a는 LPP EUV 광 라디에이터를 갖는 EUV 광원(20)을 포함하는 장치(10")의 구체적인 예를 도시하고 있다. 보여지는 바와 같이, EUV 광원(20)은 광 펄스의 트레인을 발생시키고 광 펄스를 광원 챔버(26) 내로 전달하기 위한 시스템(21)을 포함할 수 있다. 장치(10)의 경우, 광 펄스는 시스템(21)으로부터 그리고 챔버(26) 내로의 하나 이상의 빔 경로를 따라 이동하여 조사 영역(48)에서 소스 물질을 조명할 수 있어 노광 디바이스(12) 내에서 기판 노광을 위한 EUV 광 출력을 생성한다.
도 1a에서 보여지는 시스템(21)에서의 사용을 위한 적합한 레이저는 펄스화된 레이저 디바이스, 예를 들어 9.3㎛ 또는 10.6㎛에서, 예를 들어 DC 또는 RF 여기로 방사선을 생성하고 비교적 높은 전력, 예를 들어 10㎾ 이상 및 높은 펄스 반복률, 예를 들어 50㎑ 이상에서 작동하는 펄스화된 가스 방전 CO2 레이저 디바이스를 포함할 수 있다. 하나의 특정 구현예에서, 레이저는 다수의 증폭 단계를 갖는 오실레이터-증폭기 구성 (예를 들어, 마스터 오실레이터/전력 증폭기(MOPA) 또는 전력 오실레이터/전력 증폭기(POPA))을 갖는 그리고 비교적 낮은 에너지와 높은 반복률을 갖는 Q-스위칭된 오실레이터에 의해 시작되는, 예를 들어 100㎑ 동작이 가능한 시드 펄스(seed pulse)를 갖는, 축류 RF-펌핑된 CO2 레이저일 수 있다. 오실레이터로부터, 레이저 펄스는 그후 조사 영역(48)에 도달하기 전에 증폭, 성형 및/또는 집속될 수 있다. 일부 실시예에서 연속적으로 펌핑된 CO2 증폭기가 레이저 시스템(21)을 위하여 사용될 수 있다. 대안적으로, 레이저는 액적이 광학 캐비티의 하나의 미러의 역할을 하는 소위 "자기-타겟팅(self-targeting)" 레이저 시스템으로서 구성될 수 있다.
적용에 따라, 다른 유형의 레이저, 예를 들어 높은 전력 및 높은 펄스 반복률에서 작동하는 엑시머 또는 분자 불소 레이저가 또한 적합할 수 있다. 다른 예는, 예를 들어 섬유, 로드(rod), 슬래브(slab) 또는 디스크형 능동 매질을 갖는 고체 상태 레이저를 포함하며, 하나 이상의 챔버, 예를 들어 오실레이터 챔버와 하나 이상의 증폭 챔버 (증폭 챔버들은 병렬 또는 직렬이다), 마스터 오실레이터/전력 오실레이터(MOPO) 배열체, 마스터 오실레이터/전력 링 증폭기(MOPRA) 배열체, 또는 하나 이상의 엑시머, 분자 불소 또는 CO2 증폭기 또는 오실레이터 챔버를 시드(seed)하는 고체 상태 레이저를 갖는 다른 레이저 구조(laser architectures)가 적합할 수 있다. 다른 디자인이 적합할 수 있다.
일부 예에서, 소스 물질은 먼저 프리-펄스(pre-pulse)에 의해 조사될 수 있으며 그 후 메인 펄스(main pulse)에 의해 조사될 수 있다. 프리-펄스 시드(seed) 및 메인 펄스 시드)는 단일 오실레이터 또는 2개의 개별 오실레이터에 의해 발생될 수 있다. 일부 설정에서, 하나 이상의 공통 증폭기가 프리-펄스 시드와 메인 펄스 시드 모두를 증폭시키기 위해 사용될 수 있다. 다른 배열체를 위하여, 프리-펄스 시드와 메인 펄스 시드를 증폭시키기 위해 별도의 증폭기가 사용될 수 있다.
도 1a는 또한 본 장치(10)가 레이저 소스 시스템(21)과 조사 부위(48) 사이에 빔을 확대, 조향(steering) 및/또는 집속하는 것과 같은 빔 조절을 위한 하나 이상의 광학계를 갖는 빔 조절 유닛(50)을 포함할 수 있다는 것을 보여주고 있다. 예를 들어, 하나 이상의 미러, 프리즘, 렌즈 등을 포함할 수 있는 조정 시스템이 제공되고 배열되어 레이저 초점을 챔버(26) 내의 상이한 위치들로 조향할 수 있다. 예를 들어, 조향 시스템은 제1 미러를 2차원으로 독립적으로 이동시킬 수 있는 팁-틸트(tip-tilt) 액추에이터 상에 장착된 제1 평면 미러 및 제2 미러를 2차원으로 독립적으로 이동시킬 수 있는 팁-틸트 액추에이터 상에 장착된 제2 평면 미러를 포함할 수 있다. 이러한 배열체로, 조향 시스템은 빔 전파의 방향 (빔 축)에 실질적으로 직교하는 방향으로 초점을 제어 가능하게 이동시킬 수 있다.
빔 조절 유닛(50)은 빔을 조사 부위(48)로 집속하고 빔 축을 따라 초점의 위치를 조정하기 위한 집속 조립체를 포함할 수 있다. 집속 조립체를 위하여, 빔 축을 따른 방향으로의 이동을 위하여 액추에이터에 연결되는, 집속 렌즈 또는 미러와 같은 광학계가 사용되어 초점을 빔 축을 따라 이동시킬 수 있다.
도 1a에서 더 보여지는 바와 같이, EUV 광원(20)은 또한 타겟 또는, 예를 들어 주석 액적과 같은 소스 물질을 챔버(26)의 내부로 그리고 조사 영역 또는 주 초점(48)으로 전달하는 소스 물질 전달 시스템(90)을 포함할 수 있으며, 여기서 액적은 시스템(21)으로부터의 광 펄스와 상호 작용하여 궁극적으로 플라즈마를 생성하고 EUV 방출을 발생시켜 노광 디바이스(12) 내에서 레지스트 코팅된 웨이퍼와 같은 기판을 노광시킬 것이다. 다양한 액적 디스펜서 구성 및 그의 상대적인 이점에 관한 보다 상세한 사항은, 예를 들어 2011년 1월 18일에 발행된, 발명의 명칭이 "Systems and Methods for Target Material Delivery in a Laser Produced Plasma EUV Light Source"인 미국 특허 제7,872,245호, 2008년 7월 29일에 발행된, 발명의 명칭이 "Method and Apparatus For EUV Plasma Source Target Delivery"인 미국 특허 제7,405,416호, 및 2008년 5월 13일에 발행된, 발명의 명칭이 "LPP EUV Plasma Source Material Target Delivery System"인 미국 특허 제7,372,056호에서 찾을 수 있으며, 이들 각각의 내용은 본 명세서에서 그 전문이 인용 참조된다.
기판 노광을 위하여 EUV 광 출력을 생성하기 위한 소스 물질은 주석, 리튬, 크세논 또는 이들의 조합을 포함하는 물질을 포함할 수 있지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. EUV 방출 요소, 예를 들어 주석, 리튬, 크세논 등은 액체 액적 및/또는 액체 액적 내에 함유된 고체 입자의 형태일 수 있다. 예를 들어, 원소 주석은 순수 주석으로서, 주석 화합물, 예를 들어 SnBr4, SnBr2, SnH4으로서, 주석 합금, 예를 들어 주석-갈륨 합금, 주석-인듐 합금, 주석-인듐-갈륨 합금으로서, 또는 이들의 조합으로서 사용될 수 있다. 사용되는 물질에 따라, 소스 물질은 실온 또는 실온에 가까운 온도를 포함하는 다양한 온도에서 (예를 들어, 주석 합금, SnBr4), 상승된 온도에서 (예를 들어, 순수 주석) 또는 실온 온도 아래의 온도에서 (예를 들어, SnH4) 조사 영역에 제공될 수 있으며, 일부 경우에, 물질은 비교적 휘발성, 예를 들어 SnBr4일 수 있다.
도 1a를 참조하여 계속하면, 장치(10)는 또한 EUV 컨트롤러(60)를 포함할 수 있으며, 이 컨트롤러는 또한 시스템(21) 내의 디바이스를 제어하기 위한 구동 레이저 제어 시스템(65)을 포함하여, 그에 의하여 챔버(26) 내로의 전달을 위한 및/또는 빔 조절 유닛(50) 내의 광학계의 이동을 제어하기 위한 광 펄스를 발생시킬 수 있다. 본 장치(10)는 또한, 예를 들어 조사 영역(48)에 대한 하나 이상의 액적의 위치를 나타내는 출력을 제공하는 하나 이상의 액적 이미저(imager)(70)를 포함할 수 있는 액적 위치 검출 시스템을 포함할 수 있다. 이미저(들)(70)는 이 출력을 액적 위치 검출 피드백 시스템(62)에 제공할 수 있으며, 이 시스템은 예를 들어 액적 위치 및 궤적을 계산할 수 있고, 이로부터 액적 오차가 예를 들어 액적 별로 또는 평균적으로 계산될 수 있다. 액적 오차는 그 후 컨트롤러(60)에 입력으로서 제공될 수 있으며, 컨트롤러는 예를 들어 위치, 방향 및/또는 타이밍 보정 신호를 시스템(21)에 제공하여 레이저 트리거 타이밍을 제어할 수 있고 및/또는 빔 조절 유닛(50) 내에서의 광학계의 이동을 제어, 예를 들어 챔버(26) 내의 조사 영역(48)으로 전달되고 있는 광 펄스의 위치 및/또는 굴절력(focal power)을 변경시킬 수 있다. 또한 EUV 광원(20)을 대하여, 소스 물질 전달 시스템(90)은 컨트롤러(60)로부터의 (일부 구현에서 위에서 설명된 액적 오차 또는 그로부터 유도된 일부 양을 포함할 수 있는) 신호에 응답하여 작동 가능한 제어 시스템을 가져 예를 들어, 방출 지점(release point), 초기 액적 스트림 방향, 액적 방출 타이밍 및/또는 액적 조절을 수정할 수 있어 원하는 조사 영역(48)에 도달하는 액적의 오차를 보정한다.
도 1a를 참조하여 계속하면, 본 장치(10)는 또한, 예를 들어 몰리브덴과 실리콘의 교번 층 그리고 일부 경우에 하나 이상의 고온 확산 베리어 층, 평활 층, 캡핑 층 및/또는 에칭 정지층으로 코팅된 구배 다층 코팅부(graded multi-layer coating)를 갖는 장축 회전 타원체(prolate spheroid) (즉, 그의 장축을 중심으로 회전되는 타원) 형태의 반사 표면을 갖는 근-수직 입사 컬렉터 미러와 같은 광학계(24")를 포함할 수 있다. 도 1a는 광학계(24")가 구멍을 갖고 형성되어 시스템(21)에 의해 발생된 광 펄스가 통과하고 조사 영역(48)에 도달하는 것을 허용할 수 있다는 것을 보여주고 있다. 보여지는 바와 같이, 광학계(24")는 예를 들어 조사 영역(48) 내에 또는 근처에 있는 제1 또는 주 초점(PF) 및 소위 중간 영역(IF 40)에 있는 제2 초점을 갖는 장축 회전 타원체일 수 있으며, 여기서 EUV 광은 EUV 광원(20)으로부터 출력될 수 있으며 EUV 광, 예를 들어 집적 회로 리소그래피 툴을 이용하는 노광 디바이스(12)로 입력될 수 있다. EUV 광을 이용하는 디바이스로의 후속 전달을 위해 광을 수집하고 중간 위치로 향하게 하기 위하여 장축 회전 타원체 미러 대신에 다른 광학계가 사용될 수 있다는 점이 인식되어야 한다.
수소, 헬륨, 아르곤 또는 이들의 조합과 같은 버퍼 가스가 챔버(26)로 도입, 보충 및/또는 이로부터 제거될 수 있다. 버퍼 가스는 플라즈마 방전 동안 챔버(26) 내에 존재할 수 있으며 플라즈마 생성 이온을 늦추도록 작용하여 광학계 열화를 감소시키고 및/또는 플라즈마 효율을 증가시킬 수 있다. 대안적으로, 자기장 및/또는 전기장 (보이지 않음)이 단독으로, 또는 버퍼 가스와 결합하여 사용되어 빠른 이온 손상을 줄일 수 있다.
도 2는 액적 생성 시스템을 보다 상세히 도시하고 있다. 소스 물질 전달 시스템(90)은 액적을 챔버(26) 내의 조사 부위/주 초점(48)으로 전달한다. 파형 발생기(230)는 액적 스트림으로의 속도 섭동을 유도하는 액적 생성기(90) 내의 전기-구동 가능한 요소에 구동 파형을 제공한다. 파형 발생기는 데이터 처리 모듈(252)로부터의 데이터를 기반으로 적어도 부분적으로 컨트롤러(250)의 제어 하에서 작동한다. 데이터 처리 모듈은 하나 이상의 검출기로부터 데이터를 수신한다. 보여지는 예에서, 검출기는 카메라(254) 및 포토다이오드(256)를 포함하고 있다. 액적은 하나 이상의 레이저(258)에 의해 조명된다. 이 전형적인 배열체에서, 검출기는 합체가 발생된 것으로 예상되는 스트림의 한 지점에서 액적을 검출하고/이미지화한다. 또한, 검출기와 레이저는 진공 챔버(26)의 외부에 배열되며 진공 챔버(26)의 벽 내의 윈도우를 통해 스트림을 본다.
도 3은 단순화된 액적 소스(92)의 구성 요소를 개략적인 형태로 도시하고 있다. 이 도면에서 보여지는 바와 같이, 액적 소스(92)는 압력 하에서 유체, 예를 들어 용융된 주석을 보유하는 저장조(reservoir)(94)를 포함할 수 있다. 또한 보여지는 바와 같이, 저장조(94)는 오리피스(98)를 갖고 형성되어 가압된 유체(96)가 오리피스를 통해 흐르는 것을 허용할 수 있으며, 이 오리피스는 이후에 복수의 액적(102a, 102b)으로 분해되는 연속적인 스트림(100)을 형성(establish)한다.
도 3은 액적 생성기(90)의 일부로서 액적 소스(92)에 대한 가능한 구성을 보여주고 있다. 액적 소스(92)는 유체(96)와 작동 가능하게 결합된 전기-구동 가능한 요소(104) 및 전기-구동 가능한 요소(104)를 구동하는 신호 발생기(106)를 갖는, 유체에 외란을 생성하는 서브-시스템을 더 포함하고 있다. 도 3a 및 도 3b는 하나 이상의 전기-구동 가능한 요소(들)가 액적을 생성하기 위해 유체와 작동 가능하게 연결될 수 있는 다양한 방식을 도시한다. 도 3a에서 시작하면, 약 0.2㎜ 내지 약 0.8㎜의 내부 직경 및 약 10㎜ 내지 약 50㎜의 길이를 갖는 튜브(110), 예를 들어 캐필러리(capillary)를 통해 압력 하에서 저장조(108)로부터 유체가 강제적으로 유동되어 튜브(110)의 오리피스(114)를 빠져나가는 연속적인 스트림(112)을 생성하고 그후 스트림이 액적(116a, 116b)들로 분해되는 배열체가 보여지고 있다. 본 특징은 다른 실시예에서 다른 치수를 가질 것이라는 점이 이해되어야 한다. 보여지는 바와 같이, 전기-구동 가능한 요소(118)는 튜브에 연결될 수 있다. 예를 들어, 전기-구동 가능한 요소는 튜브(110)에 연결되어 튜브(110)를 편향시키고 스트림(112)을 교란시킬 수 있다. 도 3b는 저장조(120), 튜브(l22) 및 한 쌍의 전기-구동 가능한 요소(124, 126)를 갖고 있는 유사한 배열체를 보여주고 있으며, 각 요소는 각각의 주파수에서 튜브(122)를 편향시키기 위해 튜브(122)에 연결되어 있다. 이 배열 및 다른 배열체는 2013년 8월 20일에 발행되고 그 전체가 여기에 참조로 포함된 미국 특허 제8,513,629호에 설명되어 있다.
전체적인 액적 합체 공정은 노즐로부터의 거리의 함수로서 진전되는 일련의 다수의 서브-합체(subcoalescence) 단계 또는 체제(regimes)로 간주될 수 있다. 예를 들어, 제1 체제에서, 즉 타겟 물질이 오리피스 또는 노즐을 처음 빠져나갈 때, 타겟 물질은 속도-섭동된 층류 분출물(jet)의 형태이다. 제2 체제에서 유체 분출물은 다양한 속도들을 갖는 일련의 미세 액적들로 분해된다. 비과 시간으로 또는 노즐로부터의 거리에 의해 측정된 제3 체제에서, 미세 액적은 서로에 대해 다양한 속도를 갖는 중간 크기의 액적으로 합체되며, 이 액적은 서브-합체된 액적으로 지칭된다. 제4 체제에서, 서브-합체된 액적은 원하는 최종 크기를 갖는 액적으로 합체된다. 서브 합체 단계의 수는 달라질 수 있다. 노즐로부터 액적이 최종 합체 상태에 도달하는 지점까지의 거리가 합체 거리이다. 이상적으로, 액적들의 합체 거리는 가능한 한 짧다. 액적들이 더 큰 액적으로 합체되면, 이 액적들은 수소 흐름 및 이온 충돌과 같은 소스 조건에 덜 민감하다.
언급된 바와 같이, 액적 생성기에 의해 생성된 모든 액적이 EUV 광의 생성에 사용되도록 예정된 것은 아니다. EUV 용기로 들어가는 액적 중 일부는 변환되지 않을 것이다. 액적 생성기가 시동 중일 때, 액적 생성기의 조정 중에, 소스 유휴 시간 중에, 버스트(burst)들 간에, 로트(lot)들 간에 및 웨이퍼들 간에, 그리고 액적 생성기 정지 시에는 액적이 생성될 수 있지만 사용될 수는 없다. 이 미사용 액적의 생성 기간들은 상이한 시간 척도(timescale)를 갖는다. 예를 들어, 유휴 시간은 약 몇 시간의 기간 동안 계속될 수 있는 반면에, 버스트들 간의 시간은 밀리초 단위로 측정될 수 있다. 언급된 이유 때문에, 이러한 미사용 액적의 타겟 물질이 문제를 일으킬 수 있는 용기 내부 곳곳에 침전되는 것을 방지하기 위하여 조치가 취해져야 한다. 대부분의 경우, 선행 해결책은 타겟 물질을 컬렉터(collector)의 주 초점으로부터 방향전환시키고 이를 주석 캐처 내에서 캐치하는 것을 수반하였다. 그러나 본 발명은 사용되지 않은 타겟 물질을 적어도 EUV 용기에 들어가는 것으로부터 방향전환시키는 것을 제공한다.
과잉의 액적은 아래에서 더 상세하게 설명될 다수의 상이한 방법 중 임의의 또는 그 조합으로 용기에 들어가는 것이 방지될 수 있다. 예로서, 과잉의 액적의 스트림은 이 스트림을 측방향으로 경로로 이동시킬 가스의 횡방향 스트림에 영향을 받을 수 있으며, 이 경로 상에서 액적들은 용기에 들어가지 않을 것이나, 대신 용기의 외부에서 캐치될 것이다. 또한, 편향 플레이트가 과잉의 액적의 경로 내로 이동되어, 액적이 캐치될 수 있는 곳으로 액적을 편향시킬 수 있다. 과잉의 액적은 전기장을 사용하여 또는 액적이 플라즈마를 통해 날아가게 함으로써 하전될 수 있다. 용기에 들어가지 않을 액적만이 하전될 것이다. 하전은 타겟 물질 스트림 주변의 전도성 링으로 적용될 수 있다. 링이 하전되면, 이 링은 생성된 액적을 하전되게 한다. 하전된 링에 의해 생성된 전기장이 여전히 노즐과 접촉하고 있는 주석 분출물 상의 표면 전하를 끌어당기거나 밀어내고 있기 때문에 액적 생성기와 여전히 접촉하고 있는 유체 분출물로부터 분해되고 있는 미세 액적은 하전된다. 하전된 액적은 나중에 전기장에 의해 편향된다. 과잉의 액적은 또한 챔버에 들어가지 않도록 레이저를 사용하여 변환 (즉, 편향 또는 기화)될 수 있다.
어떤 배열체가 사용되든지, 액적 생성기 노즐의 가까이에서 (액적 생성기 노즐의 수 밀리미터 이내) 편향을 수행하는 것이 유리하며, 여기서 액적은 여전히 작고 더 큰 액적으로 합체되지 않는다. 이 작은 액적은 섭동에 더 영향을 받기 쉽다. 또한 작은 액적은 더 적은 스플래싱(splashing)을 야기하며, 따라서 이 액적을 캐치하기가 더 쉽다. 물리적 배열체에 따라, 타겟 경로로부터의 액적의 경로의 필요한 측방향 편향은 약 3㎜ 내지 약 80㎜ 범위 내이어야 한다.
본 명세서에서 설명된 것과 같은 배열체는 몇 가지 장점을 가지고 있다. 주석 라이팅(tin writing)이 없다. 현저히 더 적은 주석이 EUV 용기 내로 도입되며, 이는 용기 내의 주석 오염 경감을 위한 요구 조건을 크게 감소시킨다. 예를 들어, 챔버 내의 주석 캐처가 만족해야 하는 작동 요구 사항을 감소시킨다. 사실, 용기 내의 주석 캐처에 대한 필요성을 완전히 피할 수 있는 것이 가능하다.
이 배열체를 더 자세히 설명하면, 도 4는 액적(210)의 스트림을 배출하는 노즐(200)을 포함하는 액적 생성기(92)를 보여주고 있다. 설명과 이해의 편의를 위하여 액적들로 분해되기 전의 스트림의 일부분은 본 도면 및 후속 도면에서 보여지지 않는다. 액적(210)의 스트림은 액적 생성기(92)로부터 EUV 챔버 또는 용기(26)의 벽(28)에 있는 구멍을 통과한다. 챔버(26)의 내부와 액적 생성기(92) 내의 액적(210)에 의해 가로질러지는 환경 모두는 진공 상태에 있다는 것이 이해될 것이다.
노즐(200)에 의해 방출된 액적(210)이 챔버(26) 내의 조사 영역에 더 이상 도달하지 않는 것이 바람직하다면, 분출물(220)은 밸브(240)의 제어 하에서 화살표(230) 방향으로 가스의 스트림을 배출한다. 가스는, 예를 들어 수소일 수 있다. 분출물(220)은 아음속 또는 초음속일 수 있다. 액적이 챔버(26)의 내부 부분으로 더 이상 나아가게 하지 않도록 가스는 액적(210)을 편향되게 한다. 대신에, 액적은 편향된 액적(250)이 되며, 이 액적은 주석 캐처(260) 내에서 캐치되고 그후 드레인(270)을 통해 제거된 위치로 배수된다. 액적 생성기 그리고 액적 생성기 내부의 주석 캐처 모두는 반드시 용기, 즉 EUV 광이 PF에서 IF로 이동하는 원추형 체적 내부는 아니지만 진공 내에 있어야 한다.
도 5는 액적이 제어되지 않은 방식으로 챔버에 들어가는 것을 방지하기 위하여 편향 플레이트가 액적의 경로로 이동되는 대안적인 실시예를 보여주고 있다. 보다 구체적으로, 도 5에서 보여지는 바와 같이, 노즐(200)은 액적 생성기(92)를 빠져 와 챔버(26)로 들어가는 액적 스트림(210)을 방출한다. 액적(210)이 챔버(26)의 내부로 들어가는 것을 방지하는 것이 바람직할 때, 편향 플레이트(280)가 이동되어 도 5a에서 보여지는 바와 같이 액적(210)의 스트림을 차단한다. 이는 액적(210)을 편향되게 하고 위에서 설명된 바와 같이 주석 캐처(260)에 수집되게 한다. 또한, 뒤로 튄 주석을 캐치하기 위해 도 5에서 보여지는 위치에서 도 5a에서 보여지는 위치로 이동될 수 있는 액적 생성기 캐처(290)가 도 5 및 도 5a에서 보여진다. 액적 생성기 캐처(290)는 액적 생성기(92) 내의 히터 블록(보이지 않음)에 연결될 수 있다.
도 6 및 도 6a는 위의 예에서와 같이 기계적으로 편향되는 대신에 액적이 정전기적으로 편향되는 배열체를 보여주고 있다. 도 6에서 보여지는 바와 같이, 링(300)이 액적(210)의 스트림 주위에 위치되어 있다. 액적(210)이 챔버(26)의 내부에 도달하는 것이 바람직할 때, 링(300)은 어떠한 전하 소스에도 연결되지 않는다. 그러나 액적(210)이 챔버(26)의 내부에 도달하지 않는 것이 바람직할 때, 그러면 링(300)은 스위치(320)를 통해 전하 소스(310)에 연결된다. 이는 링(300)을 통과하는 액적(210)이 전하를 획득하게 한다. 그후, 액적(210)이 플레이트(330)에 의해 생성된 직립 전기장을 통과할 때, 액적은 위에서 제시된 바와 같이 리셉터클(260)을 향하여 편향된다. 플레이트(330)는 대안적으로 전하를 액적 상에 위치시킬 플라즈마를 생성하기 위해 사용될 수 있다. 언급된 바와 같이, 하전된 링에 의해 생성된 전기장이 유체 분출물 상의 표면 전하를 끌어당기거나 밀어내기 때문에 액적 생성기와 아직 전기적으로 접촉하고 있는 유체 분출물에서 분리되고 있는 미세 액적은 하전된다. 하전된 액적은 전기장에 의해 편향된다.
도 7은 챔버(26) 내에서 필요하지 않은 액적을 제거 또는 편향시키기 위해, 즉 이 액적의 전방 전파를 방해하기 위해 레이저 빔(400)이 사용되는 배열체를 보여주고 있다. 위에서와 같이, 리셉터클(260)은 드레인(270)을 통해 제거된 위치로 멀리 배출될 수 있는 절제 또는 편향의 생성물을 캐치하도록 위치될 수 있다. 과잉의 액적이 챔버로 들어가지 않도록 과잉의 액적은 또한 레이저를 사용하여 변환 (즉, 편향 또는 기화)될 수 있다. 이는 액적(210)을 편향되게 하고 위에서 설명된 바와 같이 주석 캐처(260)에 수집되게 한다.
도 8a는 액적 생성기 개시 프로토콜에서 과잉의 액적이 EUV 챔버(26)의 내부에 도달하는 것을 방지하는 공정을 보여주는 흐름도이다. 제1 단계(S500)에서 디플렉터가 활성화된다. 제2 단계(S510)에서 액적 생성이 시작된다. 그후, 액적 생성기의 작동이 안정적으로 되는 시간 간격 후에, 단계 S520에서 디플렉터가 비활성화된다. 물론, 액적 생성기(92)가 작동 중에 있는 동안 액적이 챔버(26)의 내부에 도달하는 것을 방지하는 것이 바람직하다면, 그러면 절차는 액적이 챔버(26) 내에서 필요한지 여부에 따라 디플렉터를 활성화시키고 디플렉터를 비활성화시킬 것이다.
도 8b는 액적 생성기 감압/재가압 프로토콜에서 과잉의 액적이 EUV 챔버(26)의 내부에 도달되는 것을 방지되는 공정을 보여주는 흐름도이다. 제1 단계(S550)에서 디플렉터가 활성화된다. 제2 단계(S560)에서, 액적 생성기가 감압된다. 그후, 나중에 단계 S570에서 액적 생성기가 재가압된다. 그 후, 액적 생성기의 작동이 안정적으로 되는 시간 간격 후에, 단계 S580에서 디플렉터는 비활성화된다.
위에서 언급된 바와 같이, 여전히 주석을 예로서 사용하는 대상 물질이 적절하게 취급되지 않는 한, 컬렉터에 주석을 "라이팅(writing)"하는 또는 저속의 주석을 컬렉터에 분사할 가능성이 있다. 이러한 발생은 일부 시스템 내에서 쉽게 감지될 수 없다. 다시 말해, 일부 시스템에서는 타겟 물질이 그 목적, 즉 주석 캐치(catch)를 위해 설계된 캐치 저장조에 안전하게 포획되었는지 여부 또는 주석이 컬렉터에 부딪히고 있는지 여부를 쉽게 확인할 수 없다. 오히려, 액적 생성기 내에서 타겟 물질 압력을 줄이는 것은 주석 스트림을 중단시킨다는 가정 하에 작동이 진행되며 일부 시스템 내의 카메라는 주석 스트림이 조사 에너지의 초점에 존재하는지 여부만을 결정할 수 있다.
따라서 액적 생성기에서 주석 스트림을 적극적으로 차단하는 능력을 갖는 것이 일부 적용에서 잠재적으로 유리하다. 이는, 예를 들어 압전 액추에이터와 같은 기계식 액추에이터의 사용을 통하여 달성될 수 있다. 차단부(cutoff)는 액추에이터가 주석 스트림을 전향시킨 후 주석 스트림을 물리적으로 차단하는 방식으로 위치될 수 있다. 액적 생성기 주석 캐치, 하나 이상의 동결 밸브, 플라즈마 캐필러리 세정 시스템 및 압전 조정 시스템과 같은 부가적인 조치와 함께 배치되면, 압력이 감소되기 전에 액적의 스트림을 중단시킬 수 있으며 압력이 다시 그의 공칭 값에 도달한 후 주석 스트림의 신속한 재개를 허용한다. 이는 매우 높은 정밀도로 몇 마이크로 초안에 완수될 수 있다.
도 9 및 도 9a는 실시예의 한 양태에 따른 이 개념을 구현하는 시스템을 보여주고 있다. 도 9에서, 액적 생성기 노즐과 캐필러리(600)는 타겟 물질의 액적의 스트림(610)을 생성하도록 배열되어 있다. 액적 생성기 노즐 및 캐필러리(600)가 스트림(610)을 향하는 방향은 압전 액추에이터일 수 있는 액추에이터(630 및 640)의 작동 상태에 의해 결정되며, 또한 스트림(610)을 조절, 조정 및 방향전환하기 위해 사용된다. 도 9에서 보여지는 작동 상태에서. 액추에이터(630 및 640)는 스트림(610)이 액적 생성기 출구 구멍(620)을 통하여 조사 영역으로 향하며 주석이 전반적으로 액적 생성기 주석 캐치(650)로 향하지 않는 위치에 있다. 액적 발생기 노즐 및 캐필러리(600) 내의 타겟 물질의 압력은 그의 공칭 작동 값 (전 압력(full pressure))에 있다. 액추에이터(630 및 640)는, 예를 들어 EUV 컨트롤러(60)(도 1a)로부터의 제어 신호(C)에 의해 제어될 수 있다.
그러나 주석이 조사 영역으로 도입되지 않는 것이 바람직하다면, 그러면 압전 액추에이터(630 및 640) 중 하나 또는 모두가 작동되어 액적 생성기 노즐 및 캐필러리(600)를 액적 생성기 출구 구멍(620)으로부터 멀리 향하게 할 수 있다. 이는 도 9a에서 보여지고 있다. 도시된 바와 같이, 액추에이터(630 및 640)가 작동되어 주석 스트림(610)을 액적 생성기 출구 구멍(620) 대신 액적 생성기 방향전환 구멍(660)으로 들어가게 한다. 액적 생성기 출구 구멍(620)으로 들어간 후, 주석은 수집된 주석의 덩어리(670)로서 액적 생성기 주석 캐치(650)에 축적된다. 액적 생성기 노즐 및 캐필러리(600) 내의 타겟 물질의 압력은 천천히 감소하도록 허용된다.
따라서, 방금 설명된 것과 같은 시스템에서, 플라즈마 생성을 위하여 주석이 필요하지 않을 때에의 조사 영역으로의 과잉의 주석의 도입이 회피되며, 따라서 이러한 불필요한 주석이 컬렉터의 표면을 포함한 챔버 내부의 표면을 오염시킬 것이라는 가능성을 줄인다. 동시에, 액적 생성기는 상대적인 준비의 상태에서 유지될 수 있으며, 액적 생성기는 이 상태에서 완전한 작동 상태로 빠르게 방향전환할 수 있다.
앞서 논의한 내용은 타겟 물질로서 주석을 사용하는 것에 관한 것이다. 물론, 다른 타겟 물질이 사용될 수 있다는 점과 주석이 단순히 예로서 사용되고 있다는 점은 당업자에게 명백할 것이다.
본 발명이 특정 기능들 및 그들 관계의 구현을 도시하고 있는 기능적 구성 요소(building blocks)의 도움으로 위에서 설명되었다. 이 기능적 구성 요소의 경계는 설명의 편의를 위해 본 명세서에서 임의로 규정되었다. 특정 기능들 및 그들의 관계가 적절히 수행되는 한 대안적인 경계가 규정될 수 있다.
특정 실시예의 앞선 설명은, 다른 이들이 과도한 실험 없이 그리고 본 발명의 전체적인 개념에서 벗어남이 없이 본 분야의 기술 내의 지식을 적용함으로써 다양한 적용을 위하여 이러한 특정 실시예를 용이하게 수정 및/또는 조정할 수 있도록 본 발명의 전반적인 특성을 완전히 밝힐 것이다. 따라서, 이러한 조정 및 수정은 본 명세서에 제시된 교시 및 지침을 기반으로, 개시된 실시예의 등가물의 의미 및 범위 내에 있도록 의도된다. 본 명세서 내의 문구 또는 전문 용어는 설명의 목적을 위한 것이지 제한하려는 것이 아니며 따라서 본 명세서의 전문 용어 또는 문구는 교시 및 지침에 비추어 당업자에 의하여 해석되어야 한다는 점이 이해되어야 한다. 본 발명의 폭 및 범위는 위에서 설명된 예시적인 실시예들 중 임의의 것에 의해서 제한되지 않아야 하며, 다음의 청구범위 및 그의 등가물에 따라서만 규정되어야 한다.
구현은 다음 항목을 이용하여 더 설명될 수 있다:
1. 본 발명의 장치는;
진공 챔버;
진공 챔버 내에 위치되며, 진공 챔버 내에 주 초점을 갖는 광학 요소;
진공 챔버 내의 주 초점에서의 조사 부위로 타겟 물질의 스트림을 분배하기 위하여 진공 챔버 외부에 위치된 타겟 물질 디스펜서; 및
타겟 물질 디스펜서에 의하여 분배된 타겟 물질의 선택된 부분이 진공 챔버로 들어가는 것으로부터 방향전환되도록 타겟 물질의 선택된 부분들을 선택 가능하게 방향전환시키기 위해 배열된 타겟 물질 다이버터를 포함한다.
2. 항목 1의 장치에서, 광학 요소는 컬렉터 미러이다.
3. 항목 1의 장치에서, 타겟 물질 디스펜서는 타겟 물질을 노즐에 의하여 방출된 액적의 스트림의 형태로 조사 부위에 제공하기 위한 노즐을 가진다.
4. 항목 1의 장치에서, 타겟 물질 다이버터는 노즐로부터의 스트림의 방출 지점과 조사 부위로의 스트림의 진입 지점 사이의 위치에서 스트림의 일부분을 방향전환시키도록 배열된다.
5. 항목 1의 장치에서, 타겟 물질 다이버터는 스트림의 이동의 방향을 가로지르는 방향으로 가스의 분출물을 배출하도록 배열된다.
6. 항목 5의 장치에서, 가스는 수소이다.
7. 항목 5의 장치에서, 분출물은 아음속이다.
8. 항목 5의 장치에서, 분출물은 초음속이다.
9. 항목 1의 장치에서, 타겟 물질 다이버터는 스트림의 경로 내에 선택 가능하게 위치될 수 있는 디플렉터를 포함한다.
10. 항목 1의 장치에서, 타겟 물질 다이버터는 전하의 소스에 선택 가능하게 연결되며 소스에 연결될 때 스트림 내의 액적에 전하를 배치시키도록 배열된 전도성 요소를 포함한다.
11. 항목 1의 장치에서, 타겟 물질 다이버터는 플라즈마를 포함하며, 스트림 내의 액적이 플라즈마를 통과할 때 스트림 내의 액적에 전하를 배치시키도록 배열된다.
12. 항목 1의 장치에서, 타겟 물질 다이버터는 선택된 액적을 기화시키도록 배열된 레이저를 포함한다.
13. 항목 1의 장치에서, 타겟 물질 다이버터는 선택된 액적을 편향시키도록 배열된 레이저를 포함한다.
14. 항목 1의 장치에서, 타겟 물질 다이버터는 타겟 물질 디스펜서의 일부이다.
15. 항목 1의 장치에서, 타겟 물질의 스트림은 부분적으로, 합체되지 않은 액적의 서브스트림이며, 타겟 물질 다이버터는 서브스트림 내의 타겟 물질의 선택된 부분을 선택 가능하게 방향전환시키도록 배열된다.
16. 본 발명의 장치는,
EUV 타겟 물질을 유지하기 위한 리셉터클;
타겟 물질을 제1 경로를 따라 분배하기 위하여 리셉터클과 유체 연통하는 노즐; 및
타겟 물질의 선택된 부분이 제2 경로를 따라 방향전환되도록 노즐을 통하여 분배된 타겟 물질의 선택된 부분을 선택 가능하게 방향전환시키기 위해 노즐에 인접하게 배열된 타겟 물질 다이버터를 포함한다.
17. 항목 16의 장치에서, 타겟 물질은 제1 경로를 따라 스트림으로 이동하며, 타겟 물질 다이버터는 스트림의 이동 방향을 가로지르는 방향으로 가스의 분출물을 배출하도록 배열된다.
18. 항목 17의 장치에서, 가스는 수소이다.
19. 항목 17의 장치에서, 분출물은 아음속이다.
20. 항목 17의 장치에서, 분출물은 초음속이다.
21. 항목 16의 장치에서, 타겟 물질 다이버터는 스트림의 경로 내에 선택 가능하게 위치될 수 있는 디플렉터를 포함한다.
22. 항목 16의 장치에서, 타겟 물질은 제1 경로를 따라 스트림으로 이동하며, 타겟 물질 다이버터는 전기 소스에 선택 가능하게 연결되고 전기 소스에 연결될 때 스트림 내의 액적에 전하를 배치시키도록 배열된 전도성 요소를 포함한다.
23. 항목 16의 장치에서, 타겟 물질 다이버터는 선택된 액적을 기화시키도록 배열된 레이저를 포함한다.
24. 항목 16의 장치에서, 타겟 물질 다이버터는 선택된 액적을 편향시키도록 배열된 레이저를 포함한다.
25. 타겟 물질 디스펜서에 의한 조사 영역으로의 타겟 물질의 도입을 제어하기 위해 타겟 물질 디플렉터를 이용하는 방법으로서, 본 방법은
타겟 물질 디플렉터를 인에이블(enabling) 시키는 단계;
스트림으로 타겟 물질을 분배하기 위해 타겟 물질 디스펜서를 가동 시작하는 단계 -분배된 타겟 물질이 조사 영역으로 들어가지 않도록 분배된 타겟 물질은 디플렉터에 의하여 편향됨-; 및
분배된 타겟 물질이 진공 챔버로 들어가도록 타겟 물질 디플렉터를 디스에이블(disabling)시키는 단계를 포함한다.
26. 항목 25의 방법에서, 타겟 물질 디플렉터를 인에블시키는 단계는 타겟 물질 디플렉터가 가스의 분출물을 타겟 물질의 이동 방향을 가로지르는 방향으로 배출하게 하는 것을 포함한다.
27. 항목 26의 방법에서, 가스는 수소이다.
28. 항목 26의 방법에서, 분출물은 아음속이다.
29. 항목 26의 방법에서, 분출물은 초음속이다.
30. 항목 25의 방법에서, 타겟 물질 디플렉터를 인에이블시키는 단계는 디플렉터를 타겟 물질의 경로 내로 이동시키는 것을 포함한다.
31. 항목 25의 방법에서, 타겟 물질 디플렉터를 인에이블시키는 단계는 스트림 내의 액적 상에 전하를 배치하는 것을 포함한다.
32. 항목 25의 방법에서, 타겟 물질 디플렉터를 인에이블시키는 단계는 액적을 기화시키기 위하여 레이저를 이용하는 것을 포함한다.
33. 항목 25의 방법에서, 타겟 물질 디플렉터를 인에이블시키는 단계는 액적을 편향시키기 위하여 레이저를 이용하는 것을 포함한다.
34. 본 발명의 장치는,
진공 챔버;
진공 챔버 내에 위치되며, 진공 챔버 내에 주 초점을 갖는 광학 요소;
타겟 물질의 스트림을 분배하기 위한 타겟 물질 디스펜서;
방향전환 구조체 및 출구 구멍을 규정하는 구조체를 포함하는 타겟 물질 구멍 시스템; 및
타겟 물질 디스펜서에 연결되며, 타겟 물질의 스트림이 조사 영역을 향하여 출구 개구를 통과하는 제1 위치 및 타겟 물질의 스트림이 조사 영역으로 들어가는 것으로부터 방향전환되도록 타겟 물질의 스트림이 방향전환 구조체를 통과하는 제2 위치를 갖도록 배열된 적어도 하나의 액추에이터를 포함한다.
35. 항목 34의 장치에서, 적어도 하나의 액추에이터는 압전 액추에이터를 포함한다.
36. 항목 34의 장치에서, 타겟 물질 디스펜서는 노즐을 가지며, 타겟 물질 구멍 시스템은 노즐로부터의 스트림의 방출 지점과 진공 챔버로의 스트림의 진입 지점 사이에 위치된다.
37. 항목 34의 장치는 방향전환 구멍을 통과하는 타겟 물질을 수집하도록 배열된 타겟 물질 수집 리셉터클을 더 포함한다.
38. 본 발명의 장치는,
EUV 타겟 물질의 소스;
EUV 타겟 물질의 액적의 스트림을 분배하기 위하여 소스와 유체 연통하는 노즐;
출구 구멍 및 방향전환 구멍을 규정하는 구조체를 포함하는 타겟 물질 구멍 시스템; 및
스트림이 출구 구멍을 통하여 제1 경로를 따라 방향전환 구멍을 통하여 제2 경로를 따라 이동하도록 노즐을 조향하기 위해 배열된 타겟 물질 조향 시스템을 포함한다.
39. 항목 38의 장치에서, 타겟 물질 조정 시스템은 적어도 하나의 액추에이터를 포함한다.
40. 항목 39의 장치에서, 적어도 하나의 액추에이터는 압전 액추에이터를 포함한다.
41. 항목 38의 장치에서, 타겟 물질 구멍 시스템은 노즐로부터의 스트림의 방출 지점과 조사 영역으로의 스트림의 진입 지점 사이에 위치된다.
42. 항목 38의 장치는 방향전환 구멍을 통과하는 타겟 물질을 수집하도록 배열된 타겟 물질 수집 리셉터클을 더 포함한다.
43. 타겟 물질 디스펜서에 의한 조사 영역으로의 타겟 물질의 도입을 제어하기 위해 타겟 물질 디플렉터를 이용하는 방법에 있어서,
출구 구멍 및 방향전환 구멍을 규정하는 구조체를 포함하는 타겟 물질 구멍 시스템을 제공하는 단계; 및
타겟 물질을 출구 구멍을 통하여 제1 경로를 따라 또는 방향전환 구멍을 통하여 제2 경로를 따라 지향시키도록 타겟 물질 디스펜서를 조정하는 단계를 포함한다.
44. 항목 43의 방법에서, 타겟 물질 디스펜서를 조정하는 단계는 타겟 물질 디스펜서에 연결된 적어도 하나의 액추에이터를 제어하는 것을 포함한다.
45. 항목 43의 방법에서, 타겟 물질 디스펜서를 조정하는 단계는 타겟 물질 디스펜서에 연결된 적어도 하나의 압전 액추에이터를 제어하는 것을 포함한다.
46. 항목 43의 방법에서, 타겟 물질 디스펜서는 노즐을 포함하며, 타겟 물질 구멍 시스템을 제공하는 것은 노즐의 방출 지점과 조사 영역으로의 타겟 물질의 진입 지점 사이에 타겟 물질 구멍 시스템을 위치시키는 것을 포함한다.
47. 항목 43의 방법은, 타겟 물질 수집 리셉터클 내에 출구 구멍을 통과한 타겟 물질을 수집하는 단계를 더 포함한다.

Claims (47)

  1. 진공 챔버;
    상기 진공 챔버 내에 위치되며, 상기 진공 챔버 내에 주 초점을 갖는 광학 요소;
    상기 진공 챔버 내의 상기 주 초점에서의 조사 부위로 타겟 물질의 스트림을 분배하기 위하여 상기 진공 챔버 외부에 위치된 타겟 물질 디스펜서; 및
    상기 타겟 물질 디스펜서에 의하여 분배된 타겟 물질의 선택된 부분이 상기 진공 챔버로 들어가는 것으로부터 방향전환되도록 타겟 물질의 선택된 부분을 선택 가능하게 방향전환시키도록 배열된 타겟 물질 다이버터를 포함하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광학 요소는 컬렉터 미러인 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 타겟 물질 디스펜서는 타겟 물질을 노즐에 의하여 방출된 액적의 스트림의 형태로 조사 부위에 제공하기 위한 노즐을 가지는 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 타겟 물질 다이버터는 노즐로부터의 상기 스트림의 방출 지점과 조사 부위로의 상기 스트림의 진입 지점 사이의 위치에서 상기 스트림의 일부분을 방향전환시키도록 배열된 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 타겟 물질 다이버터는 상기 스트림의 이동의 방향을 가로지르는 방향으로 가스의 분출물을 배출하도록 배열된 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 가스는 수소인 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 분출물은 아음속인 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 분출물은 초음속인 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 타겟 물질 다이버터는 상기 스트림의 경로 내에 선택 가능하게 위치될 수 있는 디플렉터를 포함하는 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 타겟 물질 다이버터는 전하의 소스에 선택 가능하게 연결되며 상기 소스에 연결될 때 상기 스트림 내의 액적에 전하를 배치시키도록 배열된 전도성 요소를 포함하는 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 타겟 물질 다이버터는 플라즈마를 포함하며, 상기 스트림 내의 액적이 플라즈마를 통과할 때 스트림 내의 액적에 전하를 배치시키도록 배열된 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 타겟 물질 다이버터는 선택된 액적을 기화시키도록 배열된 레이저를 포함하는 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 타겟 물질 다이버터는 선택된 액적을 편향시키도록 배열된 레이저를 포함하는 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 타겟 물질 다이버터는 타겟 물질 디스펜서의 일부인 장치.
  15. 제1항에 있어서, 타겟 물질의 상기 스트림은 부분적으로, 합체되지 않은 액적의 서브스트림이며, 상기 타겟 물질 다이버터는 상기 서브스트림 내의 타겟 물질의 선택된 부분을 선택 가능하게 방향전환시키도록 배열된 장치.
  16. EUV 타겟 물질을 유지하기 위한 리셉터클;
    타겟 물질을 제1 경로를 따라 분배하기 위하여 상기 리셉터클과 유체 연통하는 노즐; 및
    타겟 물질의 선택된 부분이 제2 경로를 따라 방향전환되도록 상기 노즐을 통하여 분배된 타겟 물질의 선택된 부분을 선택 가능하게 방향전환시키기 위해 상기 노즐에 인접하게 배열된 타겟 물질 다이버터를 포함하는 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 타겟 물질은 상기 제1 경로를 따라 스트림으로 이동하며, 상기 타겟 물질 다이버터는 상기 스트림의 이동 방향을 가로지르는 방향으로 가스의 분출물을 배출하도록 배열된 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 가스는 수소인 장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 분출물은 아음속인 장치.
  20. 제17항에 있어서, 상기 분출물은 초음속인 장치.
  21. 제16항에 있어서, 상기 타겟 물질 다이버터는 스트림의 경로 내에 선택 가능하게 위치될 수 있는 디플렉터를 포함하는 장치.
  22. 제16항에 있어서, 상기 타겟 물질은 상기 제1 경로를 따라 스트림으로 이동하며, 상기 타겟 물질 다이버터는 전기 소스에 선택 가능하게 연결되고 상기 전기 소스에 연결될 때 상기 스트림 내의 액적에 전하를 배치시키도록 배열된 전도성 요소를 포함하는 장치.
  23. 제16항에 있어서, 상기 타겟 물질 다이버터는 선택된 액적을 기화시키도록 배열된 레이저를 포함하는 장치.
  24. 제16항에 있어서, 상기 타겟 물질 다이버터는 선택된 액적을 편향시키도록 배열된 레이저를 포함하는 장치.
  25. 타겟 물질 디스펜서에 의한 조사 영역으로의 타겟 물질의 도입을 제어하기 위해 타겟 물질 디플렉터를 이용하는 방법에 있어서,
    상기 타겟 물질 디플렉터를 인에이블(enabling) 시키는 단계;
    스트림으로 타겟 물질을 분배하기 위해 상기 타겟 물질 디스펜서를 가동 시작하는 단계 - 상기 분배된 타겟 물질이 상기 조사 영역으로 들어가지 않도록 상기 분배된 타겟 물질은 상기 디플렉터에 의하여 편향됨-; 및
    상기 분배된 타겟 물질이 진공 챔버로 들어가도록 상기 타겟 물질 디플렉터를 디스에이블(disabling)시키는 단계를 포함하는 방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 타겟 물질 디플렉터를 인에블시키는 단계는 상기 타겟 물질 디플렉터가 가스의 분출물을 상기 타겟 물질의 이동 방향을 가로지르는 방향으로 배출하게 하는 것을 포함하는 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 가스는 수소인 방법.
  28. 제26항에 있어서, 상기 분출물은 아음속인 방법.
  29. 제26항에 있어서, 상기 분출물은 초음속인 방법.
  30. 제25항에 있어서, 상기 타겟 물질 디플렉터를 인에이블시키는 단계는 디플렉터를 상기 타겟 물질의 경로 내로 이동시키는 것을 포함하는 방법.
  31. 제25항에 있어서, 상기 타겟 물질 디플렉터를 인에이블시키는 단계는 상기 스트림 내의 액적 상에 전하를 배치하는 것을 포함하는 방법.
  32. 제25항에 있어서, 상기 타겟 물질 디플렉터를 인에이블시키는 단계는 액적을 기화시키기 위하여 레이저를 이용하는 것을 포함하는 방법.
  33. 제25항에 있어서, 상기 타겟 물질 디플렉터를 인에이블시키는 단계는 액적을 편향시키기 위하여 레이저를 이용하는 것을 포함하는 방법.
  34. 진공 챔버;
    상기 진공 챔버 내에 위치되며, 상기 진공 챔버 내에 주 초점을 갖는 광학 요소;
    타겟 물질의 스트림을 분배하기 위한 타겟 물질 디스펜서;
    방향전환 구조체 및 출구 구멍을 규정하는 구조체를 포함하는 타겟 물질 구멍 시스템; 및
    상기 타겟 물질 디스펜서에 연결되며, 타겟 물질의 스트림이 조사 영역을 향하여 상기 출구 개구를 통과하는 제1 위치 및 상기 타겟 물질의 스트림이 상기 조사 영역으로 들어가는 것으로부터 방향전환되도록 타겟 물질의 스트림이 상기 방향전환 구조체를 통과하는 제2 위치를 갖도록 배열된 적어도 하나의 액추에이터를 포함하는 장치.
  35. 제34항에 있어서, 상기 적어도 하나의 액추에이터는 압전 액추에이터를 포함하는 장치.
  36. 제34항에 있어서, 상기 타겟 물질 디스펜서는 노즐을 가지며, 상기 타겟 물질 구멍 시스템은 상기 노즐로부터의 스트림의 방출 지점과 상기 진공 챔버로의 스트림의 진입 지점 사이에 위치된 장치.
  37. 제34항에 있어서, 상기 방향전환 구멍을 통과하는 타겟 물질을 수집하도록 배열된 타겟 물질 수집 리셉터클을 더 포함하는 장치
  38. EUV 타겟 물질의 소스;
    상기 EUV 타겟 물질의 액적의 스트림을 분배하기 위하여 상기 소스와 유체 연통하는 노즐;
    출구 구멍과 방향전환 구멍을 규정하는 구조체를 포함하는 타겟 물질 구멍 시스템; 및
    상기 스트림이 상기 출구 구멍을 통하여 제1 경로를 따라 또는 상기 방향전환 구멍을 통하여 제2 경로를 따라 이동하도록 상기 노즐을 조향하도록 배열된 타겟 물질 조향 시스템을 포함하는 장치.
  39. 제38항에 있어서, 상기 타겟 물질 조정 시스템은 적어도 하나의 액추에이터를 포함하는 장치.
  40. 제39항에 있어서, 상기 적어도 하나의 액추에이터는 압전 액추에이터를 포함하는 장치.
  41. 제38항에 있어서, 상기 타겟 물질 구멍 시스템은 상기 노즐로부터의 상기 스트림의 방출 지점과 조사 영역으로의 상기 스트림의 진입 지점 사이에 위치된 장치.
  42. 제38항에 있어서, 상기 방향전환 구멍을 통과하는 타겟 물질을 수집하도록 배열된 타겟 물질 수집 리셉터클을 더 포함하는 장치.
  43. 타겟 물질 디스펜서에 의한 조사 영역으로의 타겟 물질의 도입을 제어하기 위해 타겟 물질 디플렉터를 이용하는 방법에 있어서,
    출구 구멍과 방향전환 구멍을 규정하는 구조체를 포함하는 타겟 물질 구멍 시스템을 제공하는 단계; 및
    타겟 물질을 상기 출구 구멍을 통하여 제1 경로를 따라 또는 상기 방향전환 구멍을 통하여 제2 경로를 따라 지향시키도록 상기 타겟 물질 디스펜서를 조정하는 단계를 포함하는 방법.
  44. 제43항에 있어서, 상기 타겟 물질 디스펜서를 조정하는 단계는 상기 타겟 물질 디스펜서에 연결된 적어도 하나의 액추에이터를 제어하는 것을 포함하는 방법.
  45. 제43항에 있어서, 상기 타겟 물질 디스펜서를 조정하는 단계는 상기 타겟 물질 디스펜서에 연결된 적어도 하나의 압전 액추에이터를 제어하는 것을 포함하는 방법.
  46. 제43항에 있어서, 상기 타겟 물질 디스펜서는 노즐을 포함하며, 타겟 물질 구멍 시스템을 제공하는 것은 상기 노즐의 방출 지점과 상기 조사 영역으로의 상기 타겟 물질의 진입 지점 사이에 상기 타겟 물질 구멍 시스템을 위치시키는 것을 포함하는 방법.
  47. 제43항에 있어서, 타겟 물질 수집 리셉터클 내에 상기 출구 구멍을 통과한 타겟 물질을 수집하는 단계를 더 포함하는 방법.
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