KR20210059127A

KR20210059127A - 전자방출 소스 및 이를 포함하는 엑스레이장치

Info

Publication number: KR20210059127A
Application number: KR1020190145883A
Authority: KR
Inventors: 류제황; 여승준; 조종길; 장재규; 정재익; 아마르 프라사드 굽타
Original assignee: 주식회사 씨에이티빔텍
Priority date: 2019-11-14
Filing date: 2019-11-14
Publication date: 2021-05-25
Also published as: KR102264672B1

Abstract

개시된 본 발명에 의한 전자방출 소스는, 엑스레이 발생을 위한 전자를 방출하는 에미터부, 에미터부의 설치를 가이드하는 가이더부 및, 에미터부로부터 방출되는 전자를 추출하는 게이트부를 포함하며, 에미터부는 가이더부에 삽입되어 자세 고정되되, 전자가 방출되는 면이 비 평면 형상을 가진다. 이러한 구성에 의하면 에미터부의 비 평면 영역에서의 탄소나노튜브의 성장 유도에 유리하여, 전자 방출 효율 향상에 기여할 수 있다.

Description

전자방출 소스 및 이를 포함하는 엑스레이장치{ELECTRON EMISSION AND X-RAY APPARATUS HAVING THE SAME}

본 발명은 전자방출 소스 및 이를 포함하는 엑스레이장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 탄소나노튜브의 성장 유도에 따른 전자 방출 효율을 향상시킬 수 있는 전자방출 소스 및 이를 포함하는 엑스레이장치에 관한 것이다.

일반적으로 엑스레이는 진공관인 X선관(X-ray tube)을 구비하여, X선을 방출한다. 이러한 X선관의 음극은 텅스텐 필라멘트로 형성되며, 전류에 의해 가열되어 열 전자를 방출시킨다. 이에 대하여, 수만 볼트 이상의 고전압이 X선관의 양극에 인가되면, 음극에서 방출된 전자류가 고속으로 양극을 향해서 운동한다. 이때, 전자류가 양극의 텅스텐, 몰리브덴 등으로 만든 대항극에 충돌하였을 때 가지고 있는 에너지를 X선으로 방출한다.

한편, 근래에는 엑스레이의 전계 방출원으로 탄소나노튜브(CNT)의 성장을 이용한 엑스레이의 개발이 활발하게 진행 중이다. 탄소나노튜브(CNT)는 탄소로 이루어진 탄소 동소체(carbon allotrope)로서, 하나의 탄소 원자가 다른 탄소 원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 튜브형태를 이루고 있어 다양한 전기 전자 분야에서 응용되고 있다.

참고로, 탄소나노튜브(CNT)가 적용된 엑스레이는 촉매 금속층 상부에 레지스터를 이용하여 리소그라피 공정에 의해 원하는 패턴을 형성한 후, 그 패턴상에 전자방출 소스인 탄소나노튜브를 성장시킴으로써 원하는 위치에 원하는 모양의 전자방출 소스를 형성하는 제조방식이 일반적이다. 이러한 리소그래피 제조법은 제조가 단순함에 비해, 비경제적이며 탄소나노튜브(CNT)의 성장 제어가 용이하지 않은 단점을 가진다.

이에 따라, 근래에는 리소그래피 제조법의 단점을 극복할 수 있는 다양한 방식의 탄소나노튜브(CNT) 성장 제어 방법에 대한 연구가 지속적으로 이루어지고 있는 추세이다.

한국등록특허 제10-0851950호(2018.08.06)

본 발명의 목적은 비 평면 형상에 따른 탄소나노튜브의 성장 유도를 통해 전자 방출 효율을 향상시킬 수 있는 전자방출 소스를 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 목적이 달성된 전자방출 소스를 포함하는 엑스레이장치를 제공하기 위한 것이다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 전자방출 소스는, 엑스레이 발생을 위한 전자를 방출하는 에미터부, 상기 에미터부의 설치를 가이드하는 가이더부 및, 상기 에미터부로부터 방출되는 전자를 추출하는 게이트부를 포함하며, 상기 에미터부는 상기 가이더부에 면방향으로 삽입되며, 상기 전자가 방출되는 면이 비 평면 형상을 가진다.

또한, 상기 에미터부는, 길이 방향으로 연장된 바(Bar) 형상을 가지며, 금속 재질로 마련되는 에미터 바 및, 상기 에미터 바의 상기 전자가 방출되는 방출면에 돌출 형성되어, 탄소나노튜브를 성장시키는 에미터 산을 포함할 수 있다.

또한, 상기 에미터 산은 첨단이 뾰족한 형상을 가지며, 상기 에미터 바의 길이방향으로 상호 나란하도록 단일 또는 복수개 마련될 수 있다.

또한, 상기 에미터 바는 복수개 마련되어, 상호 길이방향으로 중첩되어 이웃하도록 결합될 수 있다.

또한, 상기 에미터 산은 복수의 상기 에미터 바에 각각 복수개 돌출되되, 복수의 상기 에미터 바에 각각 돌출된 상기 에미터 산의 개수는 상호 같거나 다를 수 있다.

또한, 상기 가이더부는 상기 에미터부가 길이방향으로 삽입되도록 면방향으로 소정 깊이 형성된 삽입홈이 마련되는 플레이트 형상을 가질 수 있다.

또한, 상기 삽입홈은, 상기 가이더부의 외주로부터 중심을 향해 점차 폭이 좁아지는 확장영역 및 상기 확장영역으로부터 연결되어 상기 에미터부에 대응되는 폭을 가지는 고정 영역을 포함하며, 상기 에미터부는 상기 확장영역을 통해 삽입되어 상기 고정영역에서 삽입된 자세가 고정될 수 있다.

또한, 상기 게이트부는 상기 에미터부로부터 방출된 상기 전자를 추출하는 게이트 메쉬 및, 상기 에미터부와 마주하는 영역에 관통 형성된 게이트홀이 마련된 플레이트 형상을 가지고, 상기 에미터부가 삽입된 상기 가이더부에 적층될 수 있다.

또한, 상기 에미터부가 삽입된 상기 가이더부와 상기 게이트부 사이에 마련되며, 상기 에미터부와 마주하는 영역에 커버홀이 관통 형성되는 커버부 및, 상기 게이트부에 대한 상기 에미터부의 이격 간격을 조절하도록 상기 커버부와 상기 게이트부 사이에 마련되며, 상기 에미터부와 마주하는 영역에 스페이서홀이 관통 형성되는 스페이서부를 포함할 수 있다.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 엑스레이장치는, 진공의 내부 공간을 가지는 본체부, 전자를 방출하도록 상기 본체부의 내부에 마련되며, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항을 포함하는 전자방출 소스 및, 상기 전자방출 소스로부터 방출된 상기 전자와의 충돌에 의해 엑스레이를 발생시켜, 상기 본체부의 외부로 안내하는 애노드부를 포함한다.

또한, 상기 본체부의 하부에 상기 전자방출 소스가 마련되고, 상기 본체의 상부에 상기 전자방출 소스와 마주하도록 상기 애노드부가 마련될 수 있다.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의하면, 첫째, 에미터부로부터 전자가 방출되는 면을 비 평면 형상으로 마련함으로써, 비 평면 형상에 따른 탄소나노튜브 성장 유도에 유리하다. 특히, 에미터부가 뽀족한 첨단 형상으로 돌출되는 복수의 에미터 산을 포함함에 따라, 탄소나노튜브 성장 효율 향상에 기여할 수 있게 된다. .

둘째, 에미터 산이 마련된 에미터 바가 복수개 마련되어 상호 결합됨으로써, 엑스레이 발생 조건에 따라 에미터 바의 개수, 에미터 산의 개수 등을 조절에 따른 전자 방출 조건 변경이 용이해진다.

셋째, 에미터부가 가이더부의 삽입홈에 삽입되는 간단한 설치로 인해 작업성을 향상시킴과 아울러, 정위치에 에미터부가 위치할 수 있어 엑스레이 발생 품질도 향상시킬 수 있게 된다.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 전자방출 소스를 포함하는 엑스레이장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 전자방출 소스를 개략적으로 확대 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 전자방출 소스를 개략적으로 분해 도시한 분해 사시도이다. 그리고,
도 4는 도 3에 도시된 에미터부를 개략적으로 확대 도시한 사시도이다.

이하, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 설명한다. 다만, 본 발명의 사상이 그와 같은 실시예에 제한되지 않고, 본 발명의 사상은 실시예를 이루는 구성요소의 부가, 변경 및 삭제 등에 의해서 다르게 제안될 수 있을 것이나, 이 또한 발명의 사상에 포함되는 것이다.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 전자방출 소스를 포함하는 엑스레이장치(1)를 개략적으로 도시한 사시도이다. 도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 엑스레이장치(1)는 본체부(10), 전자방출 소스(20) 및 애노드부(30)를 포함한다.

본체부(10)는 내부에 공간이 마련되는 원통형상을 가지며, 내부는 진공 상태이다. 이러한 본체부(10)의 일측에는 본체부(10)의 내부에서 외부로 방출되는 엑스레이의 출입구인 윈도우(11)가 마련된다. 윈도우(11)는 베릴륨 및 알루미늄 등의 금속재질 또는 형광물질이 도포된 유리재질로 형성될 수 있다.

윈도우(11)가 베릴륨 등의 금속 재질로 형성되는 경우에는, 소정 파장 이하의 엑스레이(L)만 방출되도록 필터링될 수 있다. 또한, 윈도우(11)가 형광물질이 도포된 유리재질로 형성되는 경우에는 윈도우(11)를 통하여 가시광선이 방출될 수 있다.

본체부(10)는 비금속성 재질로 형성될 수 있으며, 이 경우 후술할 전자방출 소스(20)에 인가되는 7만 볼트 이상의 고압 전류가 본체부(10)의 내벽을 따라 흐름을 방지하도록 절연성을 확보할 수 있다.

전자방출 소스(20)는 본체부(10)의 내부에서 전자를 방출한다. 여기서, 전자방출 소스(20)는 엑스레이를 발생시키기 위해 전자(E)를 방출하는 전자방출 모듈 내지 전자총을 포함하며, 본체부(10)의 하부에 마련된다. 이러한 전자방출 소스(20)의 구성은 보다 자세히 후술한다.

애노드부(30)는 전자방출 소스(20)으로부터 방출된 전자와 충돌하여 엑스레이와 같은 광을 발생시켜 본체부(10)의 외부로 안내한다. 애노드부(30)에서 발생하는 엑스레이를 포함하는 광은 애노드부(30)의 재질과 엑스레이장치(1)에 인가되는 전압의 크기에 따라서 달라질 수 있으며, 구체적으로 엑스레이, 가시광선, 적외선, 자외선 가운데 어느 하나가 될 수 있다.

애노드부(30)는 전자방출 소스(20)와 마주하도록 본체부(10)의 상부에 마련된다. 또한, 애노드부(30)는 전자와 충돌에 의해 엑스레이(L) 또는 광을 발생시켜 본체부(10)의 외부로 안내하기 위해 반사면(미도시)을 구비할 수 있다. 이러한 반사면을 구비하는 애노드부(30)의 구성은 본 발명의 요지가 아니므로, 자세한 설명은 생략한다.

참고로, 애노드부(30)의 반사면(미도시)은 애노드부(30)와 동일 재질로 형성되거나, 형광물질로 형성되어 엑스레이, 가시광선, 적외선, 자외선 중 적어도 어느 하나의 광을 발생시킨다. 아울러, 반사면(미도시)이 금속이 아닌 유리와 같은 재질로 형성될 경우, 전자와의 충돌에 의해 조명을 위한 광을 발생시키는 변형예도 가능하다.

도 2 및 도 3을 참고하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 전자방출 소스(20)가 확대 도시된다.

도 2 및 도 3의 도시와 같이, 전자방출 소스(20)는 에미터부(210), 가이더부(220), 게이트부(230), 커버부(240) 및 스페이서부(250)를 포함한다.

에미터부(210)는 엑스레이 발생을 위한 전자를 방출한다. 이를 위해, 에미터부(210)는 도 4의 도시와 같이, 에미터 바(211) 및 에미터 산(212)을 포함한다.

에미터 바(211)는 금속 재질의 바(Bar) 형상을 가지고 마련된다. 여기서, 에미터 바(211)는 후술할 가이더부(220)에 대해 직경 방향으로 삽입 가능하도록 마련된다. 또한, 에미터 바(211)는 상호 이웃하게 겹쳐지도록 복수개 마련된다. 이때, 복수의 에미터 바(211)는 접착제와 같은 접착수단에 의해 상호 결합될 수 있다.

참고로, 에미터 바(211)의 개수는 도시된 예로만 한정하지 않으며, 전자 방출 조건에 따라 다양하게 변형 가능함은 당연하다.

에미터 산(212)은 에미터 바(211)의 전자가 방출되는 면(이하, 방출면으로 지칭함)(213)에 상호 길이 방향으로 나란하도록 복수개가 돌출 형성된다. 이러한 에미터 산(212)은 에미터 바(211)의 방출면(213)이 비 평면 형상을 가지도록 방출면(213)으로부터 상술한 애노드부(30)를 향해 돌출 형성되게 된다.

에미터 산(212)은 도 4의 도시와 같이, 에미터 바(211)의 길이 방향으로 첨단이 뽀족한 형상을 가지도록 단일 또는 복수개가 돌출된다. 또한, 에미터 바(211)가 복수개 마련되어 상호 길이방향으로 중첩되도록 이웃함에 따라, 복수의 에미터 바(211)로부터 각각 돌출된 복수의 에미터 산(212) 또한, 이웃하는 에미터 바(211)의 에미터 산(212)과 중첩되도록 이웃함이 좋다.

그러나, 꼭 이에 한정하는 것은 아니며, 복수의 에미터 바(211)로부터 각각 돌출되는 복수의 에미터 산(212)의 형상, 개수 및 크기 등은 전자 방출 조건에 따라 다양하게 변형 가능함은 당연하다. 아울러, 도 4의 도시에서는 복수의 에미터 바(211)에 각각 돌출되는 복수의 에미터 산(212)의 개수가 상호 같은 것으로 예시하나, 꼭 이에 한정되지 않으며 에미터 산(212)의 개수가 상호 다를 수도 있다.

한편, 에미터 산(212)은 뽀족한 형상으로 인해, 에미터 산(212)에서 나노 소재인 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT)의 성장 유도에 유리하다. 이를 위해, 에미터 산(212)은 탄소나노튜브가 성장될 수 있는 금속, 탄소계열 물질로 구성될 수 있다. 참고로, 에미터 산(212)이 마련되는 에미터 바(211) 또한, 금속, 탄소계열 물질로 구성되어 에미터 산(212)과 일체로 형성될 수 있으나, 꼭 이에 한정되지 않음은 당연하다.

가이더부(220)는 에미터부(210)의 설치를 가이드한다. 이러한 가이더부(220)는 플레이트 형상을 가지며, 에미터부(210)가 삽입되도록 면방향으로 소정 깊이 형성된 삽입홈(221)이 마련된다.

삽입홈(221)은 외주로부터 중심을 향해 점차 폭이 좁아지는 확장영역(222) 및, 확장영역(222)으로부터 연결되어 에미터부(210)의 폭에 대응되는 폭을 가지는 고정영역(223)을 가진다. 즉, 삽입홈(221)은 확장영역(222)으로부터 고정영역(223)까지 Y자 형상으로 연결되게 된다. 이러한 삽입홈(221)의 형상으로 인해, 에미터부(210)는 확장영역(222)을 통해 삽입되어 고정영역(223)으로 진입함으로써, 고정영역(223)내에서 유동되지 않고 자세 고정된다.

한편, 가이더부(220)의 직경 방향으로 상호 이격된 위치에 한 쌍이 가이더 설치홀(224)이 마련됨으로써, 본체부(10)에 대한 가이더부(220)의 설치 위치가 가이드될 수 있다.

게이트부(230)는 에미터부(210)로부터 방출되는 전자를 추출한다. 이러한 게이트부(230)는 에미터부(210)로부터 방출되는 전자를 추출하는 게이트 메쉬(231) 및 에미터부(210)와 마주하는 영역에 관통 형성된 게이트홀(232)이 마련된다. 이때, 게이트 메쉬(231)는 금속성 재질로 마련될 수 있다.

게이트부(230)는 가이더부(220)와 마주하도록 적층된 플레이트 형상을 가지며, 가이더부(220)의 가이더 설치홀(224)과 대응되는 위치에 한 쌍의 게이트 설치홀(233)이 관통 형성된다. 또한, 게이트홀(232)은 에미터부(210)가 노출되도록 직경 방향으로 연장된 형상을 가지며, 이러한 게이트홀(232)을 통해 에미터부(210)의 에미터 산(212)이 노출된다.

커버부(240)는 에미터부(210)와 마주하는 영역에 커버홀(241)이 관통 형성되며, 에미터부(210)가 삽입된 가이더부(220)와 게이트부(230) 사이에 마련된다. 여기서, 커버부(240)는 가이더부(220)의 삽입홈(221)에 삽입된 에미터부(210)를 커버하되, 커버홀(241)을 통해 에미터 산(212)을 노출시킨다. 이러한 커버부(240)는 가이더부(220)의 상면에 밀착되도록 적층되어 삽입홈(221)에 삽입된 에미터부(210)의 에미터 바(211)를 커버한다. 동시에 커버부(240)는 커버홀(241)을 통해 에미터 산(212)을 노출시킴으로써, 전자 방출을 간섭하지 않도록 마련된다.

스페이서부(250)는 게이트부(230)에 대한 에미터부(210)의 이격 간격을 조절하도록, 커버부(240)와 게이트부(230)의 사이에 마련된다. 스페이서부(250)는 에미터부(210)와 마주하는 영역에 스페이서홀(251)이 관통 형성되어, 에미터부(210)의 에미터 산(212)을 노출시킨다.

한편, 스페이서부(250)의 바닥면에는 커버부(240)가 삽입될 수 있도록 단차지게 마련될 수 있다. 즉, 스페이서부(250)의 바닥면에는 커버부(240)가 삽입되며, 커버부(240)와 함께 스페이서부(250)는 가이더부(220)와 게이트부(230)의 사이에 개재되도록 적층될 수 있는 것이다.

또한, 커버부(240)와 스페이서부(250)에는 본체부(10)에 대한 설치 위치를 가이드하기 위해, 직경 방향으로 마주하도록 한 쌍의 커버 설치홀(242) 및 스페이서 설치홀(252)이 각각 관통 형성될 수 있다. 참고로, 가이더 설치홀(224), 커버 설치홀(242), 스페이서 설치홀(252) 및 가이더 설치홀(224)이 순차적으로 상호 연통함으로써, 하나의 설치홀을 형성하여 본체부(10)에 대한 전자방출 소스(20)의 설치 위치를 가이드할 수 있게 된다.

상기와 같은 구성을 가지는 전자방출 소스(20)의 전자 방출 동작을 도 2 내지 도 4를 참고하여 설명한다.

도 2 및 도 3과 같이, 가이더부(220)의 삽입홈(221)을 따라 에미터부(210)가 삽입된다. 이때, 에미터부(210)는 삽입홈(221)의 확장영역(222)을 통해 삽입이 용이하도록 가이드된 후, 고정영역(223)으로 진입하여 자세 고정된다. 또한, 에미터부(210)는 도 4의 도시와 같이, 복수의 에미터 바(211)가 상호 이웃하도록 결합된 형상을 가지며, 에미터 바(211)에는 복수의 에미터 산(212)이 마련됨으로써 비 평면 형상을 가진다.

삽입홈(221)에 에미터부(210)가 삽입되어 고정된 상태에서 커버부(240)가 가이더부(220)에 적층된다. 이때, 커버부(240)의 커버홀(241)을 통해 에미터부(210)의 에미터 산(212)이 노출된다. 이러한 커버부(240)의 상면에 스페이서부(250)가 적층되고, 스페이서부(250)의 상면에 게이트부(230)가 적층된다. 그로 인해, 게이트부(230)와 에미터부(210) 사이의 간격이 스페이서부(250)에 의해 조절될 수 있게 된다.

한편, 에미터부(210)의 에미터 산(212)은 커버홀(241), 스페이서홀(251) 및 게이트홀(232)을 통해 노출되며, 노출된 에미터 산(212)으로부터 탄소나노튜브가 성장되어 전자가 방출되게 된다.

에미터부(210)로부터 방출된 전자는 도 1과 같이, 애노드부(30)와 충돌되어 엑스레이를 발생시키며, 발생된 엑스레이는 본체부의 윈도우(11)를 통해 외부로 안내되게 된다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

1: 엑스레이 장치
10: 본체부
20: 전자방출 소스
30: 애노드부
210: 에미터부
211: 에미터 바
212: 에미터 산
220: 가이더부
221: 삽입홈
230: 게이트부
231: 게이트 메쉬
232: 게이트홀
240: 커버부
241: 커버홀
250: 스페이서부
251: 스페이서홀

Claims

엑스레이 발생을 위한 전자를 방출하는 에미터부;
상기 에미터부의 설치를 가이드하는 가이더부; 및
상기 에미터부로부터 방출되는 전자를 추출하는 게이트부;
를 포함하며,
상기 에미터부는 상기 가이더부에 삽입되어 자세 고정되되, 상기 전자가 방출되는 면이 비 평면 형상을 가지는 전자방출 소스.
제1항에 있어서,
상기 에미터부는,
길이 방향으로 연장된 바(Bar) 형상을 가지며, 금속 재질로 마련되는 에미터 바; 및
상기 에미터 바의 상기 전자가 방출되는 방출면에 돌출 형성되어, 탄소나노튜브를 성장시키는 에미터 산;
을 포함하는 전자방출 소스.
제2항에 있어서,
상기 에미터 산은 첨단이 뾰족한 형상을 가지며, 상기 에미터 바의 길이방향으로 상호 나란하도록 단일 또는 복수개 마련되는 전자방출 소스.
제2항에 있어서,
상기 에미터 바는 복수개 마련되어, 상호 길이방향으로 중첩되어 이웃하도록 결합되는 전자방출 소스.
제4에 있어서,
상기 에미터 산은 복수의 상기 에미터 바에 각각 복수개 돌출되되, 복수의 상기 에미터 바에 각각 돌출된 상기 에미터 산의 개수는 상호 같거나 다른 전자방출 소스.
제1항에 있어서,
상기 가이더부는 상기 에미터부가 길이방향으로 삽입되도록 면방향으로 소정 깊이 형성된 삽입홈이 마련되는 플레이트 형상을 가지는 전자방출 소스.
제6항에 있어서,
상기 삽입홈은, 상기 가이더부의 외주로부터 중심을 향해 점차 폭이 좁아지는 확장영역 및 상기 확장영역으로부터 연결되어 상기 에미터부에 대응되는 폭을 가지는 고정 영역을 포함하며,
상기 에미터부는 상기 확장영역을 통해 삽입되어 상기 고정영역에서 삽입된 자세가 고정되는 전자방출 소스.
제1항에 있어서,
상기 게이트부는 상기 에미터부로부터 방출된 상기 전자를 추출하는 게이트 메쉬 및, 상기 에미터부와 마주하는 영역에 관통 형성된 게이트홀이 마련된 플레이트 형상을 가지고, 상기 에미터부가 삽입된 상기 가이더부에 적층되는 전자방출 소스.
제1항에 있어서,
상기 에미터부가 삽입된 상기 가이더부와 상기 게이트부 사이에 마련되며, 상기 에미터부와 마주하는 영역에 커버홀이 관통 형성되는 커버부; 및
상기 게이트부에 대한 상기 에미터부의 이격 간격을 조절하도록 상기 커버부와 상기 게이트부 사이에 마련되며, 상기 에미터부와 마주하는 영역에 스페이서홀이 관통 형성되는 스페이서부;
를 포함하는 전자방출 소스.
진공의 내부 공간을 가지는 본체부;
전자를 방출하도록 상기 본체부의 내부에 마련되며, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항을 포함하는 전자방출 소스; 및
상기 전자방출 소스로부터 방출된 상기 전자와의 충돌에 의해 엑스레이를 발생시켜, 상기 본체부의 외부로 안내하는 애노드부;
를 포함하는 엑스레이장치.
제10항에 있어서,
상기 본체부의 하부에 상기 전자방출 소스가 마련되고, 상기 본체의 상부에 상기 전자방출 소스와 마주하도록 상기 애노드부가 마련되는 엑스레이장치.