KR20230071348A - 전자 방출 소스 및 이를 포함하는 엑스레이 장치 - Google Patents

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Abstract

개시된 본 발명에 의한 전자 방출 소스는, 단부가 뾰족한 첨단 형상의 팁이 적어도 하나 마련되어, 전자를 방출하는 에미터부 및, 에미터부와 마주하여, 에미터부에서 방출된 전자를 추출하는 게이트부를 포함하며, 팁의 단부는 전자의 방출 방향을 기준으로 게이트부가 후측에 위치하도록, 게이트부를 통과하도록 연장된다. 이러한 구성에 의하면, 게이트부에서 추출되는 전압의 누설 전류를 저감할 수 있어 전력 효율을 향상시킴과 아울러, 수명 증가에 유리하다.

Description

전자 방출 소스 및 이를 포함하는 엑스레이 장치{ELECTRON EMITTING ELEMENT AND X-RAY APPARATUS HAVING THE SAME}
본 발명은 전자 방출 소스 및 이를 포함하는 엑스레이 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 낮은 게이트 전압으로도 전자 방출의 효율을 향상시킬 수 있는 전자 방출 소스 및 이를 포함하는 엑스레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 엑스레이는 진공관인 X선관(X-ray tube)을 구비하여, X선을 방출한다. 이러한 X선관의 음극은 텅스텐 필라멘트로 형성되며, 전류에 의해 가열되어 열 전자를 방출시킨다. 이에 대하여, 수만 볼트 이상의 고전압이 X선관의 양극에 인가되면, 음극에서 방출된 전자류가 고속으로 양극을 향해서 운동한다. 이때, 전자류가 양극의 텅스텐, 몰리브덴 등으로 만든 대항극에 충돌하였을 때 가지고 있는 에너지를 X선으로 방출한다.
한편, 엑스레이의 전계 방출원으로 나노물질인 탄소나노튜브(CNT)의 성장을 이용한 엑스레이의 개발이 활발하게 진행 중이다. 탄소나노튜브는 탄소로 이루어진 탄소 동소체(carbon allotrope)로서, 하나의 탄소 원자가 다른 탄소 원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 튜브형태를 이루고 있어 다양한 전기 전자 분야에서 응용되고 있다. 이에 따라, 근래에는 탄소나노튜브를 이용한 전자 방출 소스의 전자 방출 효율을 증가시키기 위한 다양한 연구가 다양하게 이루어지고 있다.
한국등록특허 제10-0851950호 한국등록특허 제10-0490480호
본 발명의 목적은 상대적으로 낮은 게이트 전압이 인가되어도 전자 방출 효율을 향상시킬 수 있는 전자 방출 소스를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 목적이 달성된 전자 방출 소스를 포함하는 엑스레이 장치를 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 전자 방출 소스는, 단부가 뾰족한 첨단 형상의 팁이 적어도 하나 마련되어, 전자를 방출하는 에미터부 및, 상기 에미터부와 마주하여, 상기 에미터부에서 방출된 전자를 추출하는 게이트부를 포함하며, 상기 팁의 단부는 상기 전자의 방출 방향을 기준으로 상기 게이트부가 후측에 위치하도록, 상기 게이트부를 통과하도록 연장된다.
또한, 상기 에미터부는, 상기 게이트부와 마주하도록 마련되되, 일측 변이 상기 게이트부와 마주하는 플레이트 형상을 가지는 에미터 몸체 및, 상기 에미터 몸체로부터 상기 전자 방출 방향으로 돌출되어, 상기 게이트부를 통과하는 적어도 하나의 상기 팁을 포함할 수 있다.
또한, 상기 에미터 몸체와 팁은 일체로 마련되며, 금속 재질로 마련될 수 있다.
또한, 상기 에미터 몸체의 상기 일측 변으로부터 적어도 하나의 상기 팁이 돌출되고, 상기 에미터 몸체의 상기 일측 변과 적어도 하나의 상기 팁으로부터 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT)가 성장될 수 있다.
또한, 상기 에미터 몸체는 에미터 지지체에 지지되어 자세 고정되며, 상기 에미터 지지체의 일측에는 상기 팁이 통과하도록 에미터홀이 관통 형성될 수 있다.
또한, 상기 에미터 몸체는 적어도 일부 영역이 관통된 개구가 적어도 하나 마련될 수 있다.
또한, 상기 게이트부는 상기 에미터부와 마주하도록 마련되는 게이트를 포함하고, 상기 게이트에는 상기 에미터부로부터 발생된 전자를 추출하도록 관통 형성된 게이트홀이 마련되며, 적어도 하나의 상기 팁은 상기 게이트홀을 통과할 수 있다.
또한, 상기 게이트의 일측에는 전압을 인가하기 위한 돌기가 돌출 마련될 수 있다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 바람직한 일 실시예에 의한 엑스레이 장치는, 단부가 뾰족한 첨단 형상의 팁이 적어도 하나 마련되어, 전자를 방출하는 에미터부 및, 상기 에미터부와 마주하여, 상기 에미터부에서 방출된 전자를 추출하는 게이트부를 포함하며, 상기 팁의 단부는 상기 전자의 방출 방향을 기준으로 상기 게이트부가 후측에 위치하도록, 상기 게이트부를 통과하도록 연장되어 전자를 방출하는 전자 방출 소스 및, 상기 전자 방출 소스로부터 방출된 상기 전자와의 충돌에 의해 엑스레이(X-ray)를 발생시키는 애노드부를 포함한다.
또한, 상기 전자 방출 소스 및 애노드부를 감싸 지지하는 하우징부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 하우징부는, 상기 전자 방출 소스를 감싸 보호하는 제1하우징 및, 상기 제1하우징에 적층되어 상기 애노드부를 감싸 보호하는 제2하우징을 포함할 수 있다.
또한, 상기 애노드부와 게이트부는 동시에 전압이 인가될 수 있다.
또한, 상기 게이트부는 상기 애노드부보다 낮은 전압이 인가될 수 있다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의하면, 전자의 방출 방향을 기준으로 에미터로부터 돌출된 팁이 게이트를 통과함으로써, 전자 방출 방향을 기준으로 게이트가 팁보다 후측에 위치할 수 있다. 그로 인해, 애노드부에 인가되는 전압보다 낮은 게이트 전압으로도 구동이 가능하여, 게이트의 누설 전류를 저감시킬 수 있게 된다. 이는 결국, 전자 방출 소스의 전류 효율을 향상시킬 수 있게 되어, 고효율의 엑스레이 장치를 제공할 수 있다.
또한, 상대적으로 낮은 게이트 전압으로도 고효율의 엑스레이 방출이 가능함에 따라, 전자 방출 소스 및 이를 포함하는 엑스레이 장치의 수명 연장에 보다 유리하다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 전자 방출 소스를 포함하는 엑스레이 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 엑스레이 장치를 개략적으로 도시한 단면 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 엑스레이 장치를 개략적으로 분해 도시한 분해 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 전자 방출 소스를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 5는 도 1에 도시된 엑스레이 장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 6은 도 1에 도시된 엑스레이 장치의 게이트 전압과 전류를 비교하기 위한 그래프이다.
도 7은 도 1에 도시된 엑스레이 장치의 시간에 따른 애노드 전류를 개략적으로 비교하기 위한 그래프이다.
도 8은 종래와 본 발명에 의한 엑스레이 장치의 전기장 분포를 개략적으로 비교하기 위해 개략적으로 도시한 도면이다. 그리고,
도 9는 종래와 본 발명에 의한 엑스레이 장치의 전기 에너지 밀도 분포를 개략적으로 비교하기 위해 개략적으로 도시한 이미지이다.
이하, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 설명한다. 다만, 본 발명의 사상이 그와 같은 실시예에 제한되지 않고, 본 발명의 사상은 실시예를 이루는 구성요소의 부가, 변경 및 삭제 등에 의해서 다르게 제안될 수 있을 것이나, 이 또한 발명의 사상에 포함되는 것이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 엑스레이 장치(1)는 전자 방출 소스(10), 애노드부(40) 및 하우징부(50)를 포함한다.
참고로, 본 발명에서 설명하는 엑스레이 장치(1)는 유방암 진단기와 같이 인체로 X-ray(엑스레이)를 조사하여 질병을 진단하기 위한 장치로 예시한다. 그러나, 꼭 이를 한정하는 것은 아니며, 본 발명에서 설명하는 엑스레이 장치(1)가 의료기를 비롯하여, 다양한 산업 분야에 적용될 수 있음은 당연하다.
전자 방출 소스(10)는 엑스레이 발생을 위한 전자를 방출하기 위한 것으로서, 에미터부(20) 및 게이트부(30)를 포함한다.
에미터부(20)는 도 2 및 도 3의 도시와 같이, 에미터 몸체(21) 및 팁(22)을 포함하여 전자를 방출한다. 여기서, 에미터 몸체(21)는 후술할 게이트부(30)와 마주하도록 마련되고, 팁(22)은 에미터 몸체(21)로부터 돌출되어 연장되도록 적어도 하나 마련된다.
에미터 몸체(21)와 팁(22)은 일체로 형성될 수 있으며, 팁(22)은 단부가 뽀족한 형상을 가짐으로써 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT)의 성장 유도에 유리하다. 이러한 에미터 몸체(21)와 팁(22)은 금속 재질의 한 몸체로 마련됨이 좋으며, 보다 바람직하게는 탄소나노튜브가 성장될 수 있는 금속 또는 탄소계열 물질로 구성될 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 에미터 몸체(21)가 플레이트와 같은 형상을 가지며, 에미터 몸체(21)의 일측 변으로부터 적어도 하나의 팁(22)이 돌출되도록 연장된다. 이로 인해, 후술할 애노드부(40)와 마주하는 에미터 몸체(21)의 일측 변과, 에미터 몸체(21)의 일측 변으로부터 돌출된 팁(22)으로부터 탄소나노튜브가 성장됨으로써, 전자가 방출된다.
에미터 몸체(21)의 일측 변으로부터 돌출되는 팁(22)의 개수 및 돌출되어 연장된 길이는 도시된 예로만 한정되지 않는다. 예컨대, 에미터부(20)의 전자 방출 조건에 따라, 에미터 몸체(21)로부터 2개 이상의 팁(22)이 돌출될 수 있다. 또한, 에미터 몸체(21)로부터 팁(22)이 2개 이상 돌출되어 연장됨에 있어서, 연장된 길이는 상호 동일하거나 상이한 다양한 변형 실시예도 가능하다. 뿐만 아니라, 하나의 팁(22)이 돌출된 플레이트 형상의 에미터 몸체(21)가 복수개 마련되는 또 다른 변형예도 가능하다.
에미터 몸체(21)는 도 3의 도시와 같이, 적어도 일부 영역이 관통된 개구(21a)가 적어도 하나 마련된다. 에미터 몸체(21)에 적어도 하나의 개구(21a)가 관통 형성됨으로써, 에미터 몸체(21)의 무게를 감소시킬 수 있으며, 경제적인 측면에서도 보다 유리하다.
또한, 에미터 몸체(21)는 도 2 및 도 4의 도시와 같이, 에미터 지지체(23)에 의해 테두리가 감싸 지지된다. 에미터 지지체(23)는 내부가 비워진 원통 형상으로 마련되며, 내주면을 따라 단턱진 형상을 가짐으로써, 내부로 삽입된 에미터 몸체(21)를 간섭하여 자세 고정시킨다. 또한, 에미터 지지체(23)의 일측에는 팁(22)이 통과하도록 에미터홀(23a)이 관통 형성된다.
참고로, 에미터부(20)는 도 2 및 도 4의 도시와 같이, 캐소드(24)에 적층되며, 캐소드(24)에는 그라운드 전압이 인가될 수 있다. 여기서, 캐소드(24)에는 에미터 몸체(21)가 면방향으로 삽입되어 자세 고정시킬 수 있는 캐소드홀(24a)이 마련된다. 이러한 구성으로 인해, 에미터 몸체(21)는 캐소드홀(24a)에 삽입되어 캐소드(24)에 장착된 상태로 에미터 지지체(23)에 의해 간섭되어 자세 고정되도록 지지된다.
게이트부(30)는 에미터부(20)와 마주하도록 마련되어, 에미터부(20)로부터 방출된 전자를 추출하여 외부로 안내한다. 이러한 게이트부(30)는 에미터부(20)와 마주하도록 적층되는 게이트(31) 및 게이트(31)를 관통하여 팁(22)이 삽입될 수 있도록 개방된 게이트홀(32)을 포함한다. 즉, 게이트부(30)는 중심 영역이 개방된 게이트홀(32)이 관통 형성된 대략 링 형상의 게이트(31)가 에미터부(20)와 마주하게 적층된다. 이러한 게이트(31)는 금속 재질로 마련될 수 있으며, 게이트(31)에는 0 ~ 1KV의 전압이 인가될 수 있다. 본 실시예에서는 게이트(31)에 대략 50V보다 낮은 전압이 인가되는 것으로 예시한다.
게이트(31)는 에미터 몸체(21)의 일측 변으로부터 돌출된 팁(22)과 팁(22)으로부터 양 옆으로 연장된 일측 변으로부터 성장된 탄소나노튜브로부터 방출된 전자를 추출하는 일종의 전극이다. 이러한 게이트(31)는 중심 영역에 관통된 게이트홀(32)이 마련된 링 형상으로 마련됨에 있어서, 게이트(31)로 전압을 인가하기 위한 돌기(31a)가 일측에 돌출 마련된다. 여기서, 게이트홀(32)의 크기에 간섭되어 에미터부(20)로부터 발생된 전자가 추출된다.
한편, 에미터부(20)의 팁(22)은 게이트홀(32)을 관통하여 돌출된다. 즉, 도 2 및 도 5의 도시와 같이, 전자 방출 방향을 기준으로 팁(22)은 에미터 몸체(21)로부터 전자 방출 방향에 나란하게 돌출되어 게이트홀(32)을 관통한다. 그로 인해, 팁(22)의 뽀족한 단부는 게이트(31)를 통과하여 소정 높이 돌출됨으로써, 전자 방출 방향을 기준으로 게이트(31)가 팁(22)보다 후측에 위치하게 된다.
애노드부(40)는 전자 방출 소스(10)로부터 방출된 전자와의 충돌에 의해 엑스레이를 발생시킨다. 이러한 애노드부(40)는 애노드 지지체(41)에 지지되는 원반 형상의 애노드로 마련된다. 애노드 지지체(41)는 도 3의 도시와 같이, 상단에 원반 형상의 애노드부(40)의 테두리를 감싸기 위해 단턱진 지지턱(42)이 마련되며, 중심 영역에는 전자와의 충돌을 위한 애노드홀(43)이 관통 형성된다. 여기서, 애노드부(40)는 대략 15kV까지의 전압이 인가될 수 있으며, 본 실시예에서는 5kV의 전압이 인가되는 것으로 예시한다. 즉, 게이트부(30)에 인가되는 전압이 애노드부(40)에 인가되는 전압보다 상대적으로 낮다.
하우징부(50)는 도 1 내지 도 3과 같이, 전자 방출 소스(10) 및 애노드부(40)를 감싸 지지한다. 이러한 하우징부(50)는 전자 방출 소스(10)를 감싸 보호하는 제1하우징(51) 및 제1하우징(51)에 적층되어 애노드부(40)를 감싸 보호하는 제2하우징(52)을 포함한다. 제1 및 제2하우징(51)(52)은 상호 적층되어 결합됨으로써, 내부에 마련된 전자 방출 소스(10)와 애노드부(40)를 외부와 격리시켜 보호하는 일종의 챔버이다.
하우징부(50)의 제1 및 제2하우징(51)(52)은 비금속성 재질로 형성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 전자 방출 소스(10)에 인가되는 전류가 하우징부(50)의 내벽을 따라 흐름을 방지하도록 절연성 재질로 형성될 수 있다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명의 엑스레이 장치(1)는 도 5와 같이, 전자 방출 소스(10)의 에미터 몸체(21)로부터 돌출된 팁(22)이 게이트(31)의 게이트홀(32)을 관통하여 게이트(31)에 대해 상대적으로 돌출된다. 즉, 팁(22)은 게이트(31)를 관통하여 애노드부(40)와 마주하도록 연장되는 것이다.
애노드부(40)와 마주한 위치로 게이트홀(32)을 통해 게이트(31)를 관통한 에미터부(20)의 팁(22)은 애노드부(40)를 향해 전자를 방출하며, 방출된 전자는 게이트홀(32)을 통해 추출된다. 이때, 애노드부(40)와 게이트부(30)의 게이트(31)에 전압 인가가 온(On)됨으로써, 전자가 방출된다. 만약, 애노드부(40)의 전압 인가는 오프(Off)되고 게이트부(30)에만 전압이 인가되거나, 애노드부(40)의 전압 인가는 온(On)되고 게이트부(30)의 전압 인가는 오프(Off)되는 경우, 전자는 방출되지 않는다. 여기서, 게이트부(30)의 전자 방출을 위한 전압은 대략 50V보다 낮으며, 애노드부(40)에 대한 적정 인가 전압은 대략 15kV까지로써, 게이트부(30)에 상대적으로 낮은 전압이 인가된다.
애노드부(40)는 다이오드(Diode)와 같이 에미터부(20)의 전자 방출에 영향을 주지만, 게이트부(30)에 전압이 인가되면 일종의 삼극관(Triode)로써 작용될 수 있다. 그로 인해, 일반적인 종래의 엑스레이 장치에서는 애노드부(40)에 전압이 인가되지 않아도 전자가 방출될 수 있지만, 본 발명에 의한 엑스레이 장치(1)는 애노드부(40)와 게이트부(30)에 동시에 전압을 인가할 경우에만 전류가 흐른다. 이에 따라, 본 발명에 의한 엑스레이 장치(1)는 낮은 전압의 엑스레이 발생을 위한 전자 방출 소스(10)에 매우 적합한 전류 특성을 가진다.
한편, 도 6을 참고하면, 게이트부(30)의 게이트 전압(V)과 전류(mA) 사이의 관계 그래프에서와 같이, 게이트부(30)의 게이트 전류 변화없이 애노드부(40)의 애노드 전류는 게이트 전압에 비례하여 증가된다. 또한, 도 7의 도시와 같이, 게이트부(30)의 게이트 전압이 대략 900V일 경우, 시간에 따른 애노드 전류가 일정하게 증가된다. 이를 통해, 게이트부(30)의 누설 전류가 저감됨을 확인할 수 있음으로써, 낮은 게이트 전압으로도 구동 가능한 엑스레이 장치(1)의 전력 효율 증가와 함께 수명 증가의 효과를 기대할 수 있다.
도 8을 참고하면, (a)에는 종래의 엑스레이 장치의 전기장 분포가 개략적으로 도시되며, (b)에는 본 발명에 의한 엑스레이 장치(1)의 전기장 분포가 개략적으로 도시된다. 도 8의 (a) 및 (b)는 캐소드(24)에 0V의 전압이 인가되고 게이트(31)에 대략 500V의 전압이 인가되는 동일 조건에서 전기장 분포를 도시한 것으로서, 에미터부(20)의 팁(22)이 게이트(31)를 통과한 본 발명에 의한 엑스레이 장치(1)에서의 전기장이 종래에 비해 상대적으로 더 강함을 확인할 수 있다. 그로 인해, 보다 강력한 전기장 분포를 가지는 본 발명에 의한 엑스레이 장치(1)의 경우, 낮은 전압에서도 전자 방출 효율이 우수함을 확인할 수 있다.
도 9를 참고하면, (a)에는 종래의 엑스레이 장치의 전기 에너지 밀도 분포가 개략적으로 도시되며, (b)에는 본 발명에 의한 엑스레이 장치(1)의 전기 에너지 밀도 분포가 개략적으로 도시된다. 여기서, 도 9의 (a) 및 (b) 또한, 동일 전압 조건에서 측정된 결과이다. 도 9의 (a) 및 (b)와 같이, 종래에 비해 상대적으로, 게이트(31)를 통과하여 게이트(31)보다 상측에 위치하는 팁(22)에 전기 에너지 밀도가 높음을 확인할 수 있다. 이로 인해, 팁(22)으로부터 방출되는 전자는 누설 없이 애노드부(40)로 방출됨으로써, 전자 방출 효율을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
1: 엑스레이 장치 10: 전자 방출 소스
20: 에미터부 21: 에미터 몸체
22: 팁 23: 에미터 지지체
24: 캐소드 30: 게이트부
31: 게이트 32: 게이트홀
40: 애노드부 41: 애노드 지지체
42: 지지턱 43: 애노드홀
50: 하우징부 51: 제1하우징
52: 제2하우징

Claims (13)

  1. 단부가 뾰족한 첨단 형상의 팁이 적어도 하나 마련되어, 전자를 방출하는 에미터부; 및
    상기 에미터부와 마주하여, 상기 에미터부에서 방출된 전자를 추출하는 게이트부;
    를 포함하며,
    상기 팁의 단부는 상기 전자의 방출 방향을 기준으로 상기 게이트부가 후측에 위치하도록, 상기 게이트부를 통과하도록 연장되는 전자 방출 소스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에미터부는,
    상기 게이트부와 마주하도록 마련되되, 일측 변이 상기 게이트부와 마주하는 플레이트 형상을 가지는 에미터 몸체; 및
    상기 에미터 몸체로부터 상기 전자 방출 방향으로 돌출되어, 상기 게이트부를 통과하는 적어도 하나의 상기 팁;
    을 포함하는 전자 방출 소스.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 에미터 몸체와 팁은 일체로 마련되며, 금속 재질로 마련되는 전자 방출 소스.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 에미터 몸체의 상기 일측 변으로부터 적어도 하나의 상기 팁이 돌출되고,
    상기 에미터 몸체의 상기 일측 변과 적어도 하나의 상기 팁으로부터 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT)가 성장되는 전자 방출 소스.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 에미터 몸체는 에미터 지지체에 지지되어 자세 고정되며,
    상기 에미터 지지체의 일측에는 상기 팁이 통과하도록 에미터홀이 관통 형성되는 전자 방출 소스.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 에미터 몸체는 적어도 일부 영역이 관통된 개구가 적어도 하나 마련되는 전자 방출 소스.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 게이트부는 상기 에미터부와 마주하도록 마련되는 게이트를 포함하고,
    상기 게이트에는 상기 에미터부로부터 발생된 전자를 추출하도록 관통 형성된 게이트홀이 마련되며,
    적어도 하나의 상기 팁은 상기 게이트홀을 통과하는 전자 방출 소스.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 게이트의 일측에는 전압을 인가하기 위한 돌기가 돌출 마련되는 전자 방출 소스.
  9. 전자를 방출하는 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 전자 방출 소스; 및
    상기 전자 방출 소스로부터 방출된 상기 전자와의 충돌에 의해 엑스레이(X-ray)를 발생시키는 애노드부;
    를 포함하는 엑스레이 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전자 방출 소스 및 애노드부를 감싸 지지하는 하우징부;
    를 포함하는 엑스레이 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 하우징부는,
    상기 전자 방출 소스를 감싸 보호하는 제1하우징; 및
    상기 제1하우징에 적층되어 상기 애노드부를 감싸 보호하는 제2하우징;
    을 포함하는 엑스레이 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 애노드부와 게이트부는 동시에 전압이 인가되는 엑스레이 장치.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 게이트부는 상기 애노드부보다 낮은 전압이 인가되는 엑스레이 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100490480B1 (ko) 2002-06-04 2005-05-17 충남대학교산학협력단 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 제조방법
KR100851950B1 (ko) 2006-05-18 2008-08-12 경희대학교 산학협력단 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출 소자 형성방법

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