KR102358244B1 - 에미터 및 이를 포함하는 전자방출 소스 - Google Patents

Abstract

개시된 본 발명에 의한 에미터는, 몸체부 및 몸체부에 지지되며, 전자 방출을 위한 탄소나노튜브가 성장되는 복수의 성장부를 포함하며, 복수의 성장부는 단부가 뾰족한 첨단 형상을 가지며, 단부가 전자가 방출되는 방향으로 접힘 또는 원복 가능하도록 마련된다. 이러한 구성에 의하면, 전자 방출 조건에 따라, 탄소나노튜브의 성장을 조절할 수 있게 된다.

Description

에미터 및 이를 포함하는 전자방출 소스{EMITTER AND ELECTRON EMITTING SOURCE HAVING THE SAME}

본 발명은 에미터 및 이를 포함하는 전자방출 소스에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 탄소나노튜브의 성장 유도에 따른 전자 방출 효율을 향상시킬 수 있는 에미터 및 이를 포함하는 전자방출 소스에 관한 것이다.

일반적으로 엑스레이는 진공관인 X선관(X-ray tube)을 구비하여, X선을 방출한다. 이러한 X선관의 음극은 텅스텐 필라멘트로 형성되며, 전류에 의해 가열되어 열 전자를 방출시킨다. 이에 대하여, 수만 볼트 이상의 고전압이 X선관의 양극에 인가되면, 음극에서 방출된 전자류가 고속으로 양극을 향해서 운동한다. 이때, 전자류가 양극의 텅스텐, 몰리브덴 등으로 만든 대항극에 충돌하였을 때 가지고 있는 에너지를 X선으로 방출한다.

한편, 근래에는 엑스레이의 전계 방출원으로 탄소나노튜브(CNT)의 성장을 이용한 엑스레이의 개발이 활발하게 진행 중이다. 탄소나노튜브(CNT)는 탄소로 이루어진 탄소 동소체(carbon allotrope)로서, 하나의 탄소 원자가 다른 탄소 원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 튜브형태를 이루고 있어 다양한 전기 전자 분야에서 응용되고 있다.

참고로, 탄소나노튜브(CNT)가 적용된 엑스레이는 촉매 금속층에 전자방출 소스인 탄소나노튜브를 리소그래피 제조 방법을 통해 성장시켜 전자방출 소스를 형성하는 제조방식이 일반적이다. 이러한 리소그래피 제조 방법은 제조가 단순함에 비해, 비경제적이며 탄소나노튜브(CNT)의 성장 제어가 용이하지 않은 단점을 가진다.

이에 따라, 근래에는 리소그래피 제조법의 단점을 극복할 수 있는 다양한 방식의 탄소나노튜브(CNT) 성장 제어 방법에 대한 연구가 지속적으로 이루어지고 있는 추세이다.

한국등록특허 제10-0851950호(2018.08.06)

본 발명의 목적은 다양한 전자 방출 조건에 대응하여 적용성이 우수하면서도 탄소나노튜브의 성장 효율이 우수한 에미터를 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 목적이 달성된 에미터를 포함하는 전자방출 소스를 제공하기 위한 것이다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 에미터는, 몸체부 및 상기 몸체부에 지지되며, 전자 방출을 위한 탄소나노튜브가 성장되는 복수의 성장부를 포함하며, 상기 복수의 성장부는 단부가 뾰족한 첨단 형상을 가지며, 상기 단부가 전자가 방출되는 방향으로 접힘 또는 원복 가능하도록 마련된다.

또한, 상기 몸체부는 길이방향으로 연장된 적어도 하나의 바(Bar) 형상을 가지며, 상기 복수의 성장부는 상기 몸체부의 길이방향으로 상호 이격되어 나란하게 돌출될 수 있다.

또한, 상기 몸체부는, 상기 복수의 성장부를 동시에 지지하는 적어도 하나의 지지부재, 상기 적어도 하나의 지지부재와 연결되어, 상기 지지부재를 감싸 지지하는 연결부재를 포함하며, 상기 성장부는 상기 적어도 하나의 지지부재에 상호 나란하게 배치될 수 있다.

또한, 상기 복수의 성장부는, 상기 몸체부에 지지되는 제1성장부재, 상기 제1성장부재로부터 길이방향으로 연장되며, 상기 전자가 방출되는 방향으로 상기 제1성장부재에 대해 절곡 가능하도록 마련되는 제2성장부재 및 상기 제2성장부재의 단부에 뾰족한 첨단 형상으로 마련되는 제3성장부재를 각각 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1 내지 제3성장부재는 일체로 마련될 수 있다.

또한, 상기 성장부는 금속 또는 탄소계열 물질로 형성될 수 있다.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 전자방출 소스는, 몸체부 및 상기 몸체부에 지지되며, 전자 방출을 위한 탄소나노튜브가 성장되는 복수의 성장부를 포함하며, 상기 복수의 성장부는 전자가 방출되는 방향으로 접힘 가능하도록 마련된 에미터로부터 발생된 전자를 외부로 방출시킨다.

또한, 상기 에미터는 탄소나노튜브가 성장된 상태로 게이트 전극과 일정한 거리로 이격될 수 있다.

또한, 단부가 뾰족한 첨단 형상을 가지며, 전자를 방출하는 복수의 에미터 및 상기 복수의 에미터를 사이에 두고 적층되어, 방출된 상기 전자를 외부로 안내하는 안내부를 포함하며, 상기 복수의 에미터 중 적어도 어느 하나는 상기 전자가 방출되는 방향으로 상기 단부가 절곡되어 탄소나노튜브가 성장될 수 있다.

또한, 상기 복수의 에미터는 상호 나란하게 지지부재에 지지되며, 상기 지지부재는 적어도 하나 마련될 수 있다.

또한, 상기 복수의 에미터는, 상기 지지부재에 지지되는 제1성장부재, 상기 제1성장부재로부터 길이방향으로 연장되며 상기 전자가 방출되는 방향으로 상기 제1성장부재에 대해 절곡 가능하도록 마련되는 제2성장부재 및, 상기 제2성장부재의 단부에 첨단 형상으로 마련되는 제3성장부재를 각각 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1 내지 제3성장부재는 일체로 마련되며, 상기 제1 내지 제3성장부재 중 적어도 상기 제3성장부재는 금속 또는 탄소계열 물질로 형성될 수 있다.

또한, 상기 탄소나노튜브가 성장된 상기 에미터가 상기 안내부와 결합될 수 있다.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의하면, 첫째, 복수의 성장부들 중에서 적어도 어느 하나의 성장부를 전자 방출방향으로 절곡시킴으로써, 다양한 전자 방출 조건에 대한 적용성이 우수하다.

둘째, 전자의 방출방향으로 절곡된 성장부의 첨단에서의 탄소나노튜브 성장 유도에 유리하여, 집중된 탄소나노튜브로 인한 전자 방출 효율을 향상시킬 수 있게 된다.

셋째, 간단한 구성을 통해 전자 방출 제어가 가능하여, 제조 효율을 향상시킬 수 있게 된다.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 에미터를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 에미터를 전자 주사 현미경으로 촬영한 이미지를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 에미터의 탄소나노튜브 성장 상태를 전자 주사 현미경으로 촬영한 이미지를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 절곡된 성장부의 개수에 따라 전압과 전류 관계를 개략적으로 비교한 그래프이다.
도 5는 절곡된 성장부의 개수에 따라 시간과 전류 관계를 개략적으로 비교한 그래프이다.
도 6은 도 1에 도시된 에미터를 포함하는 도시된 전자방출 소스를 개략적으로 분해 도시한 분해 사시도이다. 그리고,
도 7은 도 6에 도시된 전자방출 소스가 결합된 엑스레이 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.

이하, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 설명한다. 다만, 본 발명의 사상이 그와 같은 실시예에 제한되지 않고, 본 발명의 사상은 실시예를 이루는 구성요소의 부가, 변경 및 삭제 등에 의해서 다르게 제안될 수 있을 것이나, 이 또한 발명의 사상에 포함되는 것이다.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 에미터(10)를 포함하는 전자방출 소스(1)를 개략적으로 도시한 사시도이다. 도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 에미터(10)는 몸체부(11)와 성장부(14)를 포함한다.

참고로, 본 발명에서 설명하는 에미터(10)는 디지털 엑스레이 장치(100)(도 7 참조)의 전자방출 소스(1)에 적용되는 것으로 도시 및 예시한다. 보다 구체적으로, 에미터(10)는 진공의 챔버(2)(도 7 참조) 내부에서 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT) 기반의 전계 방출(field emission) 방식으로 전자를 방출하는 것으로 예시한다. 그러나, 꼭 이에 한정되지 않으며, 에미터(1)가 빛을 발생시키는 광원수단에 적용되는 변형예도 가능하다.

몸체부(11)는 에미터(10)의 몸체이다. 몸체부(11)는 지지부재(12)와 연결부재(13)를 포함한다.

지지부재(12)는 길이방향으로 연장된 바(Bar) 형상을 가지며, 후술할 복수의 성장부(14)를 지지하도록 적어도 하나 마련된다.

연결부재(13)는 지지부재(12)와 연결되어, 지지부재(12)에 지지된 복수의 성장부(14)를 타 부품에 적층시키기 위한 프레임 형상을 가진다. 즉, 연결부재(13)는 대략 사각의 프레임을 형상을 가지며, 연결부재(13)의 내부에 지지부재(12)가 길이방향으로 가로 지르도록 연결된다.

성장부(14)는 몸체부(11)에 지지되며, 복수개 마련된다. 이러한 성장부(14)는 하나의 몸체부(11)에 복수개가 동시에 지지됨에 있어서, 상호 등간격으로 이격되도록 나란하게 배치됨이 좋다. 이때, 복수의 성장부(14)는 지지부재(12)에 상호 나란하게 지지된다.

참고로, 본 실시예에서는 하나의 지지부재(12)에 복수의 성장부(14)가 1열로 배치되는 것으로 도시 및 예시하나, 꼭 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 지지부재(12)가 상호 나란하게 복수개 마련될 경우, 복수의 성장부(14)가 복수의 지지부재(12)에 상호 나란하게 다열 배치되는 변형예도 가능한 것이다.

복수의 성장부(14)는 적어도 어느 하나가 전자(E)가 방출되는 방향으로 절곡됨으로써, 전자(E)의 방출 방향으로 접힘 또는 원복 가능하다. 이를 위해, 성장부(14)는 제1 내지 제3성장부재(15)(16)(17)로 구분될 수 있다.

제1성장부재(15)는 지지부재(12)에 지지되는 바(Bar) 형상을 가진다. 제2성장부재(16)는 제1성장부재(15)로부터 길이방향으로 연장되며, 전자(E)가 방출되는 방향으로 절곡되어 접힘 가능하도록 마련된다. 또한, 제3성장부재(17)는 제2성장부재(16)의 단부에 뾰족한 첨단(尖端) 형상으로 마련된다. 이러한 제1 내지 제3성장부재(15)(16)(17)는 길이방향으로 연장되며 첨단이 뽀쪽한 일종의 화살촉과 같은 형상을 가지도록 한 몸체로 마련된다.

한편, 제2성장부재(16)가 제1성장부재(15)에 대해 절곡됨으로써, 에미터(10)는 단부가 뾰족한 형상 즉, 첨점을 가지는 성장부(14)를 가지게 된다. 그로 인해, 절곡되지 않은 타 성장부(14)와 비교하여, 전자(E)의 방출 방향으로 절곡된 제3성장부재(17)의 첨점에서 나노 소재인 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT)가 상대적으로 집중 성장될 수 있다. 이때, 제2성장부재(16)가 제1성장부재(15)에 대해 절곡된 접힘상태에서, 작업자에 의해 다시 본래의 형태로 펼쳐지도록 원복 가능하다.

참고로, 탄소나노튜브의 성장 공정은 탄화수소 기체를 공급하는 플라즈마 화학증착 공정(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 열 화학기상증착 공정(Thermal CVD; Thermal Chemical Vapor Deposition)을 이용할 수 있다. 이러한 탄소나노튜브의 성장 공정은 본 발명의 요지가 아니므로, 자세한 도시 및 설명은 생략한다.

한편, 제1 내지 제3성장부재(15)(16)(17)는 탄소나노튜브가 성장될 수 있는 금속, 탄소계열 물질로 구성될 수 있다. 본 실시예에서는 제1 내지 제3성장부재(15)(16)(17)가 금속재질의 한 몸체로 마련되는 것으로 도시 및 예시한다.

또한, 작업자는 복수의 성장부(14) 중에서 높은 성장 밀도가 요구되는 성장부(14)만을 선택하여, 제1성장부재(15)로부터 제2성장부재(16)를 절곡시킬 수 있다. 즉, 작업자는 전류 발생율, 전자(E) 방출 위치와 같은 전자(E) 방출 조건을 고려하여, 지지부재(12)에 지지된 복수의 성장부(14) 중에서 고밀도의 전자(E)의 방출이 필요한 성장부(14)만을 절곡시켜 탄소나노튜브를 집중 성장시키는 것이다. 이때, 절곡된 성장부(14) 이외의 성장부(14)들에서도 탄소나노튜브가 성장될 수 있다.

도 2를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 에미터(10)를 주사 전자 현미경(SEM)으로 촬영한 이미지가 개략적으로 도시된다.

도 2의 (a)와 같이 몸체부(11)의 지지부재(12)에 지지된 복수의 성장부(14) 중에서 성장이 필요한 성장부(14)만을 선택하여, 제1성장부재(15)로부터 제2성장부재(16)를 (b)와 같이 전자의 방출방향(E)으로 절곡시킨다. 그로 인해, 제3성장부재(17)는 도 2의 (b)와 같이 상대적으로 돌출됨으로써, 에미터(10)는 상대적으로 돌출된 제3성장부재(17)의 뾰족한 형상에서의 탄소나노튜브의 성장 효율이 향상되게 된다.

참고로, 도 3의 (a) 및 (b)에는 전자 방출방향(E)을 향해 절곡된 제3성장부재(17)로부터 탄소나노튜브가 성장된 상태를 개략적으로 확대 촬영한 이미지들이다. 도 3의 (a) 및 (b)와 같이, 절곡됨으로써 돌출된 성장부(14)로부터 탄소나노튜브의 성장율이 우수함을 확인할 수 있다.

한편, 사용자는 복수의 성장부(14)들 중에서 절곡되는 성장부(14)의 개수 및 위치를 조절함으로써, 전류 발생을 제어할 수 있다. 예컨대, 도 4의 그래프와 같이, 전압에 따른 전류의 발생율은 1개의 성장부(14)만을 절곡시켜 성장시킨 경우보다 5개의 성장부(14)를 절곡시켜 성장시킨 경우에 보다 유리하다. 또한, 시간에 따른 전류 발생도 하나의 성장부(14)만을 절곡시켜 성장시킨 경우보다 5개의 성장부(14)를 절곡시킨 경우가 더 우수하다.

이상과 같이, 몸체부(11)에 배치된 복수의 성장부(14)들 중에서 원하는 조건에 대응하여, 사용자는 성장부(14)의 개수 및 위치를 조절하여 전자(E) 방출 방향으로 절곡시킨다. 그로 인해, 다양한 조건에 대응할 수 있으며 성장 효율이 우수한 에미터(10)의 제조가 용이해진다.

도 6을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 에미터(10)를 포함하는 전자방출 소스(1)가 개략적으로 분해 도시된다.

전자방출 소스(1)는 에미터(10)로부터 발생된 전자를 외부로 안내하여 방출시킨다. 이러한 전자방출 소스(1)는 에미터(10)와, 에미터(10)로부터 발생되는 전자(E)의 방출을 안내하기 위한 안내부를 포함한다. 여기서, 안내부는 게이트 전극(22), 에미터 커버(23), 제1 및 제2절연체(24)(25), 제1 및 제2지지체(26)(27)를 포함할 수 있다.

여기서, 에미터(10)는 도 1을 참고하여 설명한 바와 같이, 몸체부(11)와 복수의 성장부(14)를 가지며, 복수의 성장부(14) 중 적어도 어느 하나는 전자(E)가 방출되는 방향으로 절곡되어, 첨단 형상의 제3성장부재(17)로부터 탄소나노튜브가 타 성장부(14)와 비교하여 상대적으로 집중 성장한다.

이러한 에미터(10)의 상부에는 에미터(10)로부터 전자(E)를 추출하는 얇은 판상의 게이트 전극(22)이 일정한 거리로 이격되어 적층될 수 있다.

참고로, 에미터(10)는 방출되는 전자의 궤적을 조절하는 전극으로서, 나노 소재이면서 단위 면적당 높은 전류 방출이 가능한 탄소나노튜브와 같은 금속, 탄소계열 물질로 구성되는 전도성 물질을 포함한다.

게이트 전극(22)은 금속재질의 메쉬(Mesh) 형상으로 형성되는 게이트 메쉬(221)가 형성되어, 에미터(10)로부터 전자(E)의 방출을 유도한다. 이러한 게이트 메쉬(221)는 금속망 사이의 다수의 개구가 형성되고, 개구의 형상이 육각형의 벌집 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.

참고로, 게이트 메쉬(221)의 개구 형상이 육각형으로 형성된다. 특히, 전자(E)가 방출되는 경로상에 마련된 게이트 메쉬(221)는 전자(E)를 효율적으로 추출하면서, 전자(E)가 금속망에 의하여 충돌되지 않고 안정적으로 배출되도록 개구율이 극대화 될 수 있다. 이때, 성장부(14)의 절곡된 첨단 형상의 제3성장부재(17)만이 게이트 메쉬(221)와 마주함으로써, 제3성장부재(17)의 첨단으로부터 방출되는 전자(E)가 게이트 메쉬(221)의 구멍을 무리없이 통과하여 전자를 효율적으로 방출할 수 있다.

이러한 게이트 메쉬(221)의 형상은 도시된 예로만 한정되지 않으며, 다수의 원형 또는 사각형의 개구가 형성되는 다양한 변형예도 가능하다.

한편, 에미터(10)의 상부 즉, 에미터(10)와 게이트 전극(22) 사이에는 커버홀(231)이 관통 형성된 에미터 커버(23)가 적층되어 에미터(10)로부터 방출되는 전자(E)의 에지효과(edge effect)를 방지하여 전자(E)가 균일하게 추출될 수 있도록 가이드한다. 또한, 에미터(10)와 에미터 커버(23)의 사이에는 제1절연홀(241이 관통 형성된 제1절연체(24)가 적층되며, 에미터 커버(23)와 게이트 전극(22)의 사이에는 제2절연홀(251)이 관통 형성된 제2절연체(25)가 적층된다. 그로 인해, 에미터(10), 에미터 커버(23), 게이트 전극(22)의 사이가 제1 및 제2 절연체(24)(25)에 의해 절연된다.

아울러, 에미터(10)의 하부에는 제1지지체(26)가 적층되어 지지되며, 제2절연체(25)의 상부에는 전자(E)가 방출될 수 있도록 개구(271)가 관통 형성된 제2지지체(27)가 적층된다. 그로 인해, 에미터(10)의 하부 및 상부가 제1 및 제2지지체(26)(27)에 의해 지지되어 보호된다.

이러한 제1 및 제2 절연체(24)(25), 제1 및 제2지지체(26)(27)는 모두 절연성 재질로 형성되며, 본 실시예에서는 세라믹 재질로 형성되는 것으로 예시한다. 또한, 게이트 전극(22)은 각각 게이트 전극라인(28)이 마련되어, 외부 전원과 연결된다.

이상과 같은 전자방출 소스(1)는 에미터(10)로부터 방출된 전자(E)가 제1절연체(24)의 제1절연홀(241), 에미터 커버(23)의 커버홀(231), 제2절연체(25)의 제2절연홀(251), 게이트 전극(22)의 게이트 메쉬(221) 및 제2지지체(27)의 개구(271)를 순차적으로 통과하여, 방출되게 된다.

한편, 자세히 도시되지 않았으나, 에미터(10)로부터 발생된 전자(E)는 포커싱수단을 통해 외부로 포커싱하여 방출한다. 또한, 포커싱되어 방출되는 전자는 미도시된 애노드와 충돌하여, 엑스레이 또는 광을 발생시켜 진공관의 외부로 안내된다. 이러한 포커싱 기술 및 애노드 충돌에 의한 엑스레이 또는 광 발생 기술은 본 발명의 요지가 아니므로, 자세한 설명은 생략한다.

한편, 도 6과 같은, 전자방출 소스(1)를 제조함에 있어서, 에미터(10)는 복수의 성장부(14)들 중에서 집중 성장이 요구되는 성장부(14)의 개수 및 위치만큼 절곡됨으로써, 절곡된 성장부(14)로부터 상대적으로 탄소나노튜브가 집중 성장된다. 이때, 성장부(14)의 성장은 미도시된 진공 챔버와 같은 격리된 공간에서 이루어질 수 있다. 또한, 첨단 형상의 제3성장부재(17)를 제외한 제1 및 제2성장부재(15)(16)에도 탄소나노튜브가 성장되나, 절곡된 제3성장부재(17)의 단부에서 탄소나노튜브의 성장이 보다 집중되게 된다.

이렇게 탄소나노튜브가 성장된 에미터(10)는 전자방출 소스(1)의 게이트 전극(22)과 결합되는 것이다. 즉, 전자방출 소스(1) 제조 시, 에미터(10)는 탄소나노튜브가 성장시킨 상태에서 게이트 전극(22)을 포함한 타 구성들과 결합되는 것이다.

한편, 전자방출 소스(1)는 도 7과 같이, 엑스레이장치(100)에 장착 가능하다. 엑스레이장치(100)의 진공의 챔버(2) 내부에 전자방출 소스(1)가 마련되고, 전자방출 소스(1)는 챔버(2) 내부에서 마주하는 애노드(3)를 향해 전자(E)를 방출한다. 애노드(3)는 전자(E)와 충돌하여 엑스레이와 같은 광을 발생시켜 챔버(2)의 외부로 안내한다. 여기서, 애노드(3)는 전자와 충돌에 의해 엑스레이 또는 광을 발생시켜 챔버(2)의 외부로 안내하기 위해 반사면(미도시)을 구비할 수 있다. 이렇게 발생된 엑스레이 또는 광은 챔버(2)의 일측에 마련된 윈도우(4)를 통해 외부로 안내된다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

1: 전자방출 소스
10: 에미터
11: 몸체부
12: 지지부재
13: 연결부재
14: 성장부
15: 제1성장부재
16: 제2성장부재
17: 제2성장부재

Claims (13)

1. 몸체부; 및
   상기 몸체부에 지지되며, 전자 방출을 위한 탄소나노튜브가 성장되는 복수의 성장부;
   를 포함하며,
   상기 복수의 성장부는 단부가 뾰족한 첨단 형상을 가지며, 상기 단부가 전자가 방출되는 방향으로 접힘 또는 원복 가능하도록 마련되는 에미터.
2. 제1항에 있어서,
   상기 몸체부는 길이방향으로 연장된 적어도 하나의 바(Bar) 형상을 가지며,
   상기 복수의 성장부는 상기 몸체부의 길이방향으로 상호 이격되어 나란하게 돌출되는 에미터.
3. 제1항에 있어서,
   상기 몸체부는,
   상기 복수의 성장부를 동시에 지지하는 적어도 하나의 지지부재;
   상기 적어도 하나의 지지부재와 연결되어, 상기 지지부재를 감싸 지지하는 연결부재;
   를 포함하며,
   상기 성장부는 상기 적어도 하나의 지지부재에 상호 나란하게 배치되는 에미터.
4. 제1항에 있어서,
   상기 복수의 성장부는,
   상기 몸체부에 지지되는 제1성장부재;
   상기 제1성장부재로부터 길이방향으로 연장되며, 상기 전자가 방출되는 방향으로 상기 제1성장부재에 대해 절곡 가능하도록 마련되는 제2성장부재; 및
   상기 제2성장부재의 단부에 뾰족한 첨단 형상으로 마련되는 제3성장부재;
   를 각각 포함하는 에미터.
5. 제4항에 있어서,
   상기 제1 내지 제3성장부재는 일체로 마련되는 에미터.
6. 제1항에 있어서,
   상기 성장부는 금속 또는 탄소계열 물질로 형성되는 에미터.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 에미터로부터 발생된 전자를 외부로 방출시키는 전자방출 소스.
8. 제7항에 있어서,
   상기 에미터는 탄소나노튜브가 성장된 상태로 게이트 전극과 일정한 간격으로 이격되는 전자방출 소스.
9. 단부가 뾰족한 첨단 형상을 가지며, 전자를 방출하는 복수의 에미터; 및
   상기 복수의 에미터를 사이에 두고 적층되어, 방출된 상기 전자를 외부로 안내하는 안내부;를 포함하며, 상기 복수의 에미터 중 적어도 어느 하나는 상기 전자가 방출되는 방향으로 상기 단부가 절곡되어 탄소나노튜브가 성장되고,
   상기 복수의 에미터는 상호 나란하게 지지부재에 지지되며, 상기 지지부재는 적어도 하나 마련되고,
   상기 복수의 에미터는,
   상기 지지부재에 지지되는 제1성장부재;
   상기 제1성장부재로부터 길이방향으로 연장되며 상기 전자가 방출되는 방향으로 상기 제1성장부재에 대해 절곡 가능하도록 마련되는 제2성장부재; 및
   상기 제2성장부재의 단부에 첨단 형상으로 마련되는 제3성장부재;
   를 각각 포함하는 전자방출 소스.
10. 삭제
11. 삭제
12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3성장부재는 일체로 마련되며,
    상기 제1 내지 제3성장부재 중 적어도 상기 제3성장부재는 금속 또는 탄소계열 물질로 형성되는 전자방출 소스.
13. 제9항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브가 성장된 상기 에미터가 상기 안내부와 결합되는 전자방출 소스.
    
    

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