KR20210050284A - Manufacturing method of probe-head for led probe device - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a method of manufacturing a probe head included in an electrical element inspection device having a probe diameter of 100 um or less and having a narrow pitch of less than 100 um while deformation and damage are prevented. Accordingly, the method can improve the reliability and lifespan of measurement by dispersing stress applied to an electrode.

Description

전기 소자 검사 장치용 프로브 헤드의 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF PROBE-HEAD FOR LED PROBE DEVICE}Manufacturing method of a probe head for an electric device inspection device TECHNICAL FIELD [MANUFACTURING METHOD OF PROBE-HEAD FOR LED PROBE DEVICE}

본 발명은 전기 소자 검사 장치에 포함되는 프로브 헤드의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 자세하게는 웨이퍼 상에 형성된 마이크로 전기 소자의 정상 동작 여부를 검사하는 장치에 포함되는 프로브 헤드의 구조를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a probe head included in an electric element inspection apparatus. In more detail, it relates to a method of manufacturing a structure of a probe head included in an apparatus for inspecting whether a microelectric element formed on a wafer is normally operated.

일반적으로 반도체 제작 공정은 웨이퍼(Wafer)상에 전기 소자(Device)를 형성하는 공정과, 웨이퍼에 구성된 각 소자의 전기적 특성을 검사하는 공정과, 패턴이 형성된 웨이퍼를 각각의 칩(chip)으로 조립하는 패키지 공정을 통해서 제조된다. 검사 공정은 웨이퍼에 구성된 소자들을 독립된 칩으로 패키지 하기 전에 불량 소자들을 판별하기 위해 수행하는 것으로, 웨이퍼에 구성된 반도체 소자들에 전기적 신호를 인가시켜 인가된 전기적 신호로부터 체크되는 신호에 의해서 불량을 판단하게 된다. 이 때, 각 반도체 소자들에 형성된 패드(pad)에 접촉되어 외부의 검사 장비와 연결시켜 주는 역할을 하는 것이 프로브 카드이다.In general, the semiconductor manufacturing process is a process of forming an electrical device on a wafer, a process of inspecting the electrical characteristics of each device configured on the wafer, and assembling a patterned wafer into each chip. It is manufactured through a package process. The inspection process is performed to identify defective devices before packaging the devices configured on the wafer into separate chips. By applying an electrical signal to the semiconductor devices configured on the wafer, it is necessary to determine the defect based on the signal checked from the applied electrical signal. do. In this case, the probe card serves to connect with external inspection equipment by contacting a pad formed on each semiconductor device.

종래의 프로브 카드는 전기적 신호를 외부의 검사 장비에 전달시키는 PCB와 PCB에 전기적으로 연결되어 다수개가 정열되고 타단부가 반도체 소자의 패드와 같은 검사대상물에 전기적으로 용이하게 접촉될 수 있도록 하방으로 굵기가 좁아지는 테이퍼 형태로 가공된 다수의 프로브, 그리고 정열된 상기 다수의 프로브를 기계적으로 고정하는 에폭시 고정부로 구성된다.Conventional probe cards are electrically connected to PCBs and PCBs that transmit electrical signals to external inspection equipment, so that a plurality of them are aligned, and the other end is thick downward so that the other end can be easily electrically contacted with an inspection object such as a pad of a semiconductor device. It is composed of a plurality of probes processed in a tapered form, and an epoxy fixing part that mechanically fixes the aligned probes.

이러한 종래의 프로브 카드는 반도체 웨이퍼에 구성된 소자와 외부의 검사 장비를 연결시켜 상기 소자들의 특성을 파악할 수 있도록 하며, 소자들의 불량을 판정할 수 있도록 한다.Such a conventional probe card connects an element configured on a semiconductor wafer with an external inspection equipment to grasp the characteristics of the elements and to determine the defects of the elements.

한편, 최근 반도체산업이 급격히 발달하여 반도체 디바이스가 점차 미세한 사이즈로 축소되면서 회로(21)의 집적도 가 증가하고, 이에 따라 반도체 소자가 가지는 패드와 패드 사이의 간격(pitch:피치)이 좁아지면서, 프로브 카드를 구성하는 프로브와 프로브 사이의 피치(pitch)도 좁아진 협피치(수 내지 수십 마이크로)의 프로브 카드가 요구되고 있다.On the other hand, as the semiconductor industry has rapidly developed in recent years and semiconductor devices are gradually reduced to finer sizes, the degree of integration of the circuit 21 increases. There is a demand for a probe card having a narrow pitch (several to tens of microns) in which the pitch between the probes constituting the card and the probes is also narrowed.

이러한 문제를 해결하기 위해 더욱 직경이 작은 프로브를 쓰게 되었으나 프로브 직경이 100μm 이하로 내려가면서 프로브의 가공 및 취급 중에 조그만 힘에도 변형이 일어나기 쉬워지고, 낮은 접촉 저항을 위한 적절한 핀압(Pin Force)를 얻기가 어려워져서, 피치가 좁아질수록 협피치의 프로브 카드를 만들기가 매우 어려워지고, 만들어진 프로브 카드의 신뢰성과 수명도 현저하게 저하되는 문제들이 발생하였다.In order to solve this problem, a probe with a smaller diameter was used, but as the probe diameter decreased to less than 100 μm, deformation easily occurred even with a small force during the processing and handling of the probe, and an appropriate pin force for low contact resistance was obtained. As the pitch becomes narrower, it becomes very difficult to make a probe card having a narrow pitch, and the reliability and lifespan of the produced probe card are significantly deteriorated.

대한민국 등록특허 제10-1183978호 (2012.09.12 등록)Korean Patent Registration No. 10-1183978 (registered on September 12, 2012) 대한민국 등록특허 제10-1585818호 (2016.01.08 등록)Korean Registered Patent No. 10-1585818 (registered on January 8, 2016)

본 발명의 과제는 프로브 직경이 100μm 이하의 협피치로 구비되되 변형 및 파손이 방지될 수 있는 전기 소자 검사 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electrical device inspection apparatus having a probe diameter of 100 μm or less, but capable of preventing deformation and damage from being provided with a narrow pitch.

상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명은 탄성부 및 상기 탄성부의 내부에 형성되고, 적어도 일부분은 상기 탄성부의 내부로부터 상기 탄성부를 관통하여 상기 탄성부의 외측으로 돌출되는 적어도 한 쌍 이상의 전극을 포함하는 프로브 헤드의 제조 방법을 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention is a probe comprising an elastic portion and at least one pair of electrodes formed inside the elastic portion, at least a portion of which penetrates the elastic portion from the inside of the elastic portion and protrudes outward from the elastic portion Provides a method of manufacturing a head.

본 발명에 따르면, 탄성력을 갖는 탄성체 위에 전기적 신호를 주고받을 수 있는 전극부와 소자 패드에 측정시 핀압을 견딜수 있는 탄성층을 여러 층 적층하여 사용함으로써, 측정시 프로브 핀의 스트레스를 분산시켜 측정의 신뢰성과 수명을 개선할 수 있다.According to the present invention, by using several layers of an elastic layer capable of withstanding the pin pressure during measurement on an electrode unit capable of transmitting and receiving electrical signals on an elastic body having an elastic force and an element pad, the stress of the probe pin is dispersed during measurement. Reliability and longevity can be improved.

또한 기판상에 반도체 공정을 이용하여 팁 헤드 부분의 사이즈를 수 마이크로 미터 단위로 구현할 수 있으며, 핀과 핀 사이의 간격도 수십에서 수 마이크로 이내로 구현할 수 있다.In addition, the size of the tip head portion can be implemented in units of several micrometers by using a semiconductor process on the substrate, and the spacing between the pins and the pins can be implemented within tens to several microns.

이는 하나의 헤드내에 많은 피치의 프로브팁을 같은 (혹은 다양한) 간격으로 가져 감으로써 한번에 다수의 칩을 측정하는 장점이 있으며, 탄성체 자체의 절연성으로 인해 각 프로브팁 간의 전기적 신호의 간섭을 최소화할 수 있다.This has the advantage of measuring multiple chips at once by having probe tips of many pitches in the same (or various) intervals in one head, and the interference of electrical signals between each probe tip can be minimized due to the insulating properties of the elastic body itself. have.

도 1은 전기 소자 검사 장치의 작동 방식을 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극 중 일 전극을 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 탄성부를 제외한 일 전극을 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 2의 A부분을 나타낸 확대도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 제조 방법 중 접촉단을 형성하는 단계를 나타낸 순서도이다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 제조 방법 중 S1 단계를 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 제조 방법 중 S2 단계를 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 제조 방법 중 S3 단계를 나타낸 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 제조 방법 중 S41 단계를 나타낸 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 제조 방법 중 S42 단계를 나타낸 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 제조 방법 중 S43 단계를 나타낸 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 제조 방법 중 S44 단계를 나타낸 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 제조 방법 중 S441 단계를 나타낸 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 제조 방법 중 S45 단계를 나타낸 단면도이다.
도 16은 본 발명의 접촉단의 여러 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 17은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극 중 일 전극을 나타낸 단면도이다.
도 18은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극 중 일 전극을 나타낸 단면도이고, 도 19는 탄성부를 생략하여 도시한 사시도이다.
도 20은 도 18의 A부분을 나타낸 확대도이다.
도 21은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극 중 일 전극을 나타낸 단면도이고, 도 22는 탄성부를 생략하여 도시한 사시도이다.
도 23은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극 중 일 전극을 나타낸 단면도이고, 도 24는 탄성부를 생략하여 도시한 사시도이다.
도 25는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 프로브 헤드의 탄성부를 제외한 일 전극을 일 방향(D1)으로부터 타 방향(D2)으로 바라본 평면도이다.
도 26은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극 중 일 전극을 나타낸 단면도이고, 도 27은 탄성부를 생략하여 도시한 사시도이다.
도 28은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 프로브 헤드의 탄성부를 제외한 일 전극을 일 방향(D1)으로부터 타 방향(D2)으로 바라본 평면도이다.1 is a cross-sectional view showing an operation method of an electric device inspection apparatus.
2 is a cross-sectional view showing one electrode among a pair of electrodes included in the probe head according to the first embodiment of the present invention.
3 is a perspective view showing one electrode of the probe head excluding the elastic portion according to the first embodiment of the present invention.
4 is an enlarged view showing part A of FIG. 2.
5 is a flowchart showing a method of manufacturing a probe head according to the first embodiment of the present invention.
6 is a flowchart showing a step of forming a contact end in a method of manufacturing a probe head according to the first embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing step S1 in the method of manufacturing a probe head according to the first embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view showing step S2 in the method of manufacturing the probe head according to the first embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view showing step S3 in the method of manufacturing the probe head according to the first embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view showing step S41 in the method of manufacturing the probe head according to the first embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view showing step S42 in the method of manufacturing the probe head according to the first embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view showing step S43 in the method of manufacturing the probe head according to the first embodiment of the present invention.
13 is a cross-sectional view showing step S44 in a method of manufacturing a probe head according to the first embodiment of the present invention.
14 is a cross-sectional view showing step S441 in a method of manufacturing a probe head according to the first embodiment of the present invention.
15 is a cross-sectional view showing step S45 in the method of manufacturing a probe head according to the first embodiment of the present invention.
16 is a cross-sectional view showing several embodiments of a contact end of the present invention.
17 is a cross-sectional view illustrating one electrode among a pair of electrodes included in a probe head according to a second embodiment of the present invention.
18 is a cross-sectional view illustrating one electrode among a pair of electrodes included in a probe head according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 19 is a perspective view illustrating an elastic part omitted.
20 is an enlarged view showing part A of FIG. 18.
21 is a cross-sectional view showing one electrode among a pair of electrodes included in the probe head according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 22 is a perspective view showing an elastic part omitted.
23 is a cross-sectional view showing one electrode among a pair of electrodes included in the probe head according to the fifth embodiment of the present invention, and FIG. 24 is a perspective view showing an elastic part omitted.
25 is a plan view as viewed from one direction D1 to the other direction D2 except for an elastic portion of the probe head according to the fifth embodiment of the present invention.
26 is a cross-sectional view illustrating one electrode among a pair of electrodes included in the probe head according to the sixth embodiment of the present invention, and FIG. 27 is a perspective view illustrating an elastic part omitted.
28 is a plan view as viewed from one direction D1 to the other direction D2 except for an elastic portion of the probe head according to the sixth embodiment of the present invention.

본 명세서에서 사용되는 용어에 대해 간략히 설명하고, 본 발명의 일 실시예에 대해 구체적으로 설명하기로 한다. 본 명세서에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 발명의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 본 명세서에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 발명의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다.The terms used in the present specification will be briefly described, and an embodiment of the present invention will be described in detail. Terms used in the present specification have selected general terms that are currently widely used as possible while taking functions of the present invention into consideration, but this may vary according to the intention or precedent of a technician working in the field, the emergence of new technologies, and the like. In addition, in certain cases, there are terms arbitrarily selected by the applicant, and in this case, the meaning of the terms will be described in detail in the description of the corresponding invention. Therefore, the terms used in the present specification should be defined based on the meaning of the term and the overall contents of the present invention, not a simple name of the term.

이하, 첨부된 도면을 통해 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail through the accompanying drawings.

본 설명에서 '일 방향'이란 프로브 헤드의 전극(20)이 형성되는 방향을 의미하며 도면에서 D1로 표시된 방향을 의미한다. '타 방향'이란 상기 일 방향(D1)의 반대 방향으로서, 프로브 헤드의 기판(S)이 형성된 방향을 의미하고, 도면에서 D2로 표시된 방향을 의미한다.In the present description, "one direction" refers to a direction in which the electrode 20 of the probe head is formed, and refers to a direction indicated by D1 in the drawing. The'other direction' refers to a direction opposite to the one direction D1, and refers to a direction in which the substrate S of the probe head is formed, and refers to a direction indicated by D2 in the drawing.

도 1은 전기 소자 검사 장치의 작동 방식을 나타낸 단면도이다. 전기 소자 검사 장치의 일 단에는 프로브 헤드가 구비되고, 프로브 헤드는 기판(S) 및 기판(S)으로부터 일 방향(D1)으로 돌출되어 형성되는 복수의 전극(20)을 포함한다. 제조된 전기 소자(Device)를 향해 프로브 헤드가 이동하여 각 전극(20)이 각 소자의 단자에 접촉됨으로써 각 소자가 통전되어 불량 여부를 판단할 수 있다. 따라서, 상기 전극(20)은 양극(+) 및 음극(-)의 쌍으로 형성되어 각 소자의 배열에 따라 복수개 구비되는 것이 바람직하다.1 is a cross-sectional view showing an operation method of an electric device inspection apparatus. A probe head is provided at one end of the electrical device inspection apparatus, and the probe head includes a substrate S and a plurality of electrodes 20 protruding from the substrate S in one direction D1. As the probe head moves toward the manufactured electrical device, each electrode 20 is brought into contact with a terminal of each device, so that each device is energized, so that it is possible to determine whether there is a defect. Therefore, it is preferable that the electrode 20 is formed in a pair of an anode (+) and a cathode (-), and is provided in plural according to the arrangement of each element.

반도체 산업이 발달하여 각 전기 소자의 집적도가 증가하고, 이에 따라 전기 소자가 가지는 단자의 크기가 감소하고 단자 사이의 간격 또한 좁아지면서, 프로브 헤드의 전극(20) 또한 작은 크기 및 좁은 간격으로 형성하기 위한 기술이 요구된다. 또한, 전극(20)의 크기게 작아짐에 따라 전기 소자에 접촉되는 순간 충격에 의하여 쉽게 파손되는 문제를 해결하기 위한 기술이 요구된다.With the development of the semiconductor industry, the degree of integration of each electric element increases, and accordingly, the size of the terminals of the electric elements decreases and the spacing between the terminals decreases, and the electrode 20 of the probe head is also formed with a small size and a narrow spacing. Technology is required. In addition, as the size of the electrode 20 becomes smaller, there is a need for a technique for solving the problem that the electrode 20 is easily damaged by an impact upon contact with an electrical element.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극(20) 중 일 전극을 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing one electrode among a pair of electrodes 20 included in the probe head according to the first embodiment of the present invention.

본 발명에 따르면, 프로브 헤드는 탄성부(10) 및 상기 탄성부(10)의 내부에 형성되고, 적어도 일부분은 상기 탄성부(10)의 내부로부터 상기 탄성부(10)를 관통하여 상기 탄성부(10)의 외측으로 돌출되는 적어도 한 쌍 이상의 전극(20)을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, the probe head is formed in the elastic portion 10 and the elastic portion 10, at least a portion of the elastic portion 10 through the elastic portion 10 from the inside of the elastic portion 10 It characterized in that it comprises at least one pair of electrodes 20 protruding outward of (10).

탄성부(10)는 전극(20)이 전기 소자에 접촉하면서 발생하는 충격을 흡수하기 위한 구성이다. 상세하게, 기판(S)에 탄성부(10)가 형성되고, 전극(20)은 탄성부(10)를 통해 기판(S)에 결합됨으로써 전극(20)이 전기 소자에 접촉하는 순간 충격을 탄성부(10)가 흡수하여 전극(20)의 파손을 방지한다. 바람직하게, 탄성부(10)는 PDMS, Si 에폭시, 또는 UV 레진 등의 물질 중 적어도 하나 이상의 물질이 사용된다.The elastic portion 10 is a configuration for absorbing the shock generated when the electrode 20 contacts the electrical element. In detail, the elastic portion 10 is formed on the substrate S, and the electrode 20 is coupled to the substrate S through the elastic portion 10, so that the moment the electrode 20 contacts the electric element, the impact is elastic. The portion 10 absorbs and prevents the electrode 20 from being damaged. Preferably, the elastic part 10 is made of at least one of materials such as PDMS, Si epoxy, or UV resin.

본 발명의 일 실시예에 따라, 탄성부(10)는 제 1 탄성층(11) 및 상기 제 1 탄성층(11)의 일 방향(D1) 면에 결합되어 형성되는 제 2 탄성층(12)을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the elastic portion 10 includes a first elastic layer 11 and a second elastic layer 12 formed by being coupled to a surface in one direction D1 of the first elastic layer 11 Includes.

제 1 탄성층(11)은 기판(S) 및 전극(20)의 사이에 구비되어 충격을 흡수하기 위한 구성이다. 바람직하게, 기판(S)의 일 방향(D1) 면에 제 1 탄성층(11)이 형성되고, 제 1 탄성층(11)의 일 방향(D1) 면에 전극(20)이 형성된다. 따라서, 전극(20) 및 제 1 탄성층(11)이 기판(S)에 의해 지지되며 전극(20)이 전기 소자에 접촉함에 따라 발생하는 충격은 제 1 탄성층(11)에 의해 흡수된다. 바람직하게, 제 1 탄성층(11)은 PDMS, Si 에폭시, 또는 UV 레진 등의 물질 중 적어도 하나 이상의 물질이 사용된다.The first elastic layer 11 is provided between the substrate S and the electrode 20 to absorb an impact. Preferably, the first elastic layer 11 is formed on the surface of the substrate S in one direction D1, and the electrode 20 is formed on the surface of the first elastic layer 11 in the one direction D1. Accordingly, the electrode 20 and the first elastic layer 11 are supported by the substrate S, and the impact generated when the electrode 20 contacts the electrical element is absorbed by the first elastic layer 11. Preferably, the first elastic layer 11 is made of at least one of materials such as PDMS, Si epoxy, or UV resin.

제 2 탄성층(12)은 전극(20)을 덮도록 구비되어 추가적으로 충격을 흡수하기 위한 구성이다. 상세하게, 제 2 탄성층(12)은 제 1 탄성층(11)의 일 방향(D1) 면에 결합되어 형성되고, 전극(20)은 제 1 탄성층(11) 및 제 2 탄성층(12)의 사이에 형성된다. 따라서, 제 2 탄성층(12)이 전극(20)과 결합되어 추가적으로 전극(20)으로부터 전해지는 충격을 흡수한다. 바람직하게, 제 2 탄성층(12)은 PDMS, Si 에폭시, 또는 UV 레진 등의 물질 중 적어도 하나 이상의 물질이 사용된다. 제 2 탄성층(12)은 제 1 탄성층(11)과 동일한 물질이 사용될 수 있다.The second elastic layer 12 is provided to cover the electrode 20 and is configured to additionally absorb impact. In detail, the second elastic layer 12 is formed by being coupled to a surface of the first elastic layer 11 in one direction D1, and the electrode 20 includes the first elastic layer 11 and the second elastic layer 12. ) Is formed between. Accordingly, the second elastic layer 12 is combined with the electrode 20 to additionally absorb the shock transmitted from the electrode 20. Preferably, the second elastic layer 12 is made of at least one of materials such as PDMS, Si epoxy, or UV resin. The second elastic layer 12 may be formed of the same material as the first elastic layer 11.

이와 같이, 제 1 탄성층(11) 및 제 2 탄성층(12)을 포함하는 탄성부(10)가 구비됨에 따라 충격을 흡수하여 프로브 헤드의 파손 또는 변형이 방지될 수 있다. 아울러, 탄성부(10) 자체의 절연성으로 인해 전기적 신호의 간섭을 최소화할 수 있다. As described above, as the elastic portion 10 including the first elastic layer 11 and the second elastic layer 12 is provided, the probe head may be prevented from being damaged or deformed by absorbing an impact. In addition, interference of electrical signals can be minimized due to the insulating properties of the elastic portion 10 itself.

상기한 바와 같이, 전극(20)은 제 1 탄성층(11) 및 제 2 탄성층(12)의 사이에 형성되어 충격을 각 탄성층으로 전달하게 된다. 단, 전극(20)은 전기 소자와 접촉되기 위하여 탄성부(10)로부터 외측으로 돌출되어야 한다. 이를 위해 본 발명에 따른 전극(20)은, 탄성부(10) 내부에 위치하는 회로(21) 및 탄성부(10)로부터 외측으로 돌출되는 접촉단(22)을 포함한다.As described above, the electrode 20 is formed between the first elastic layer 11 and the second elastic layer 12 to transmit the impact to each elastic layer. However, the electrode 20 must protrude outward from the elastic portion 10 in order to be in contact with the electrical element. To this end, the electrode 20 according to the present invention includes a circuit 21 located inside the elastic portion 10 and a contact end 22 protruding outward from the elastic portion 10.

회로(21)는 탄성부(10)의 내부에 구비되어 전기적인 연결을 제공하는 구성이다. 상세하게, 회로(21)는 제 1 탄성층(11)의 일 방향(D1) 면에 임프린팅 되어 형성된다. 바람직하게, 회로(21)는 양극으로 작동되는 회로(21) 및 음극으로 작동되는 회로(21)가 한 쌍으로 구비된다. 아울러 제 2 탄성층(12)이 제 1 탄성층(11)의 일 방향(D1) 면에 결합되어 형성됨으로써, 회로(21)가 제 1 탄성층(11) 및 제 2 탄성층(12)의 사이에 위치하게 된다. 바람직하게, 회로(21)는 Ti, Cr, Al, Ni, W, Cu 또는 Au 등의 금속 물질 중 하나이거나, 상기한 금속 중 적어도 하나 이상을 포함하는 합금일 수 있다.The circuit 21 is provided inside the elastic portion 10 to provide an electrical connection. In detail, the circuit 21 is formed by imprinting on a surface of the first elastic layer 11 in one direction D1. Preferably, the circuit 21 is provided with a pair of a circuit 21 operating as an anode and a circuit 21 operating as a cathode. In addition, the second elastic layer 12 is formed by being coupled to the surface of the first elastic layer 11 in one direction (D1), so that the circuit 21 is formed of the first elastic layer 11 and the second elastic layer 12. It will be located in between. Preferably, the circuit 21 may be one of metal materials such as Ti, Cr, Al, Ni, W, Cu, or Au, or an alloy including at least one of the above metals.

접촉단(22)은 전기 소자의 단자와 접촉되어 전기 소자 및 상기 회로(21)를 전기적으로 연결하기 위한 구성이다. 상세하게, 접촉단(22)은 제 2 탄성층(12)을 관통하도록 형성되어, 상기 회로(21)의 일면으로부터 제 2 탄성층(12)의 일 방향(D1) 면보다 일 방향(D1)으로 돌출된다. 따라서, 상기 회로(21)는 탄성부(10) 내부에 구비되더라도 접촉단(22)을 통해 프로브 헤드가 전기 소자와 전기적으로 연결될 수 있게 된다. 바람직하게, 접촉단(22)은 Cu, Ni, BeCu 또는 BeNi 중 하나이거나, 상기한 물질 중 적어도 하나 이상을 포함하는 조합 물질 또는 합금일 수 있다.The contact end 22 is a component for electrically connecting the electric element and the circuit 21 by contacting the terminal of the electric element. In detail, the contact end 22 is formed so as to penetrate the second elastic layer 12, so that from one surface of the circuit 21 to the one direction D1 of the second elastic layer 12 Protrudes. Accordingly, even if the circuit 21 is provided inside the elastic part 10, the probe head can be electrically connected to the electric element through the contact end 22. Preferably, the contact end 22 may be one of Cu, Ni, BeCu, or BeNi, or a combination material or alloy including at least one of the above-described materials.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드의 탄성부(10)를 제외한 일 전극을 나타낸 사시도이다. 도 3을 참조하면, 회로(21)는 제 1 탄성층(11)의 일 방향(D1) 면에 긴 막대 형상으로 형성되어 구비될 수 있다. 프로브 헤드에 구비되는 양극 또는 음극 중 적어도 하나는 전기적 병렬 연결로 구성될 수 있다. 전기적 병렬 연결로 구성되는 경우 상기 회로(21) 에는 복수의 접촉단(22)이 형성될 수 있다. 본 설명에서는 한 개의 회로(21)에 한 개의 접촉단(22)이 형성된 것을 기준으로 설명하였다.3 is a perspective view showing one electrode of the probe head excluding the elastic portion 10 according to the first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the circuit 21 may be formed and provided in a long rod shape on a surface of the first elastic layer 11 in one direction D1. At least one of an anode or a cathode provided in the probe head may be electrically connected in parallel. In the case of electrical parallel connection, a plurality of contact terminals 22 may be formed in the circuit 21. In the present description, it has been described based on the fact that one contact end 22 is formed in one circuit 21.

한편, 본 설명에서 접촉단(22)의 상기 일 방향(D1)에 대한 단면은 원형인 것을 기준으로 도시되었다. 하지만, 접촉단(22)은 전기적 연결을 위해 물리적으로 전기 소자에 접촉되기만 하면 되므로 단면의 형상은 이에 제한되지 않는 것은 당연하다.Meanwhile, in the present description, a cross section of the contact end 22 in the one direction D1 is illustrated based on a circular shape. However, since the contact end 22 only needs to be physically contacted with the electrical element for electrical connection, it is natural that the shape of the cross section is not limited thereto.

도 4는 도 2의 A부분을 나타낸 확대도이다. 도 4에 표시된 화살표는 회로(21)가 제 1 탄성층(11) 및 제 2 탄성층(12)에 전달하는 충격을 나타낸 것이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 탄성층(11) 및 제 2 탄성층(12)에 의해 회로(21)가 지지됨으로써 충격이 분산되어 흡수될 수 있다.4 is an enlarged view showing part A of FIG. 2. Arrows shown in FIG. 4 indicate impacts transmitted by the circuit 21 to the first elastic layer 11 and the second elastic layer 12. As shown in FIG. 4, the circuit 21 is supported by the first elastic layer 11 and the second elastic layer 12, so that the shock can be dispersed and absorbed.

도 5를 참조하면, 상기한 제 1 실시예에 따른 프로브 헤드를 제조하기 위한 방법은 기판(S) 상면에 제 1 탄성층(11)을 적층시키는 단계(S1), 상기 제 1 탄성층(11)의 일 방향(D1) 면에 회로(21)를 형성하는 단계(S2), 상기 제 1 탄성층(11)의 일 방향(D1) 면에 제 2 탄성층(12)을 적층시키는 단계(S3) 및 상기 제 2 탄성층(12)을 관통하여 접촉단(22)을 형성하는 단계(S4)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the method for manufacturing the probe head according to the first embodiment is the step of laminating the first elastic layer 11 on the upper surface of the substrate S (S1), and the first elastic layer 11 ) Forming a circuit 21 on a surface in one direction (D1) (S2), and laminating a second elastic layer 12 on a surface in one direction (D1) of the first elastic layer 11 (S3) ) And forming the contact end 22 through the second elastic layer 12 (S4).

상기 S1 단계는 제 1 탄성층(11)을 형성하는 단계이다(도 7 참조). 상세하게, 기판(S)의 일 방향(D1) 면에 제 1 탄성층(11)을 적층시킨다. 바람직하게, 제 1 탄성층(11)은 PDMS, Si 에폭시, 또는 UV 레진 등의 물질 중 적어도 하나 이상의 물질을 기판(S) 상에 코팅함으로서 형성된다.The step S1 is a step of forming the first elastic layer 11 (see FIG. 7 ). In detail, the first elastic layer 11 is laminated on the surface of the substrate S in one direction D1. Preferably, the first elastic layer 11 is formed by coating at least one of materials such as PDMS, Si epoxy, or UV resin on the substrate S.

상기 S2 단계는 회로(21)를 형성하는 단계이다. 상세하게, 제 1 탄성층(11)의 일 방향(D1) 면에 회로(21)를 형성한다(도 8 참조). 따라서, 회로(21)는 제 1 탄성층(11)에 의해 지지되어 충격을 제 1 탄성층(11)에 전달하게 된다. 바람직하게, 회로(21)는 제 1 탄성층(11)의 일 방향(D1) 면에 Ti, Cr, Al, Ni, W, Cu 또는 Au 중 어느 하나의 금속 또는 상기한 금속 중 적어도 하나 이상을 포함하는 합금이 임프린팅 됨으로써 형성될 수 있다.The step S2 is a step of forming the circuit 21. In detail, the circuit 21 is formed on the surface of the first elastic layer 11 in one direction D1 (see FIG. 8 ). Accordingly, the circuit 21 is supported by the first elastic layer 11 to transmit the impact to the first elastic layer 11. Preferably, the circuit 21 includes any one of Ti, Cr, Al, Ni, W, Cu, or Au, or at least one or more of the above metals on the surface of the first elastic layer 11 in one direction (D1). The containing alloy can be formed by imprinting.

상기 S3 단계는 제 2 탄성층(12)을 형성하는 단계이다. 상세하게, 제 1 탄성층(11)의 상기 일 방향(D1) 면에 제 2 탄성층(12)을 적층시킨다. 바람직하게, 제 2 탄성층(12)은 PDMS, Si 에폭시, 또는 UV 레진 등의 물질 중 적어도 하나 이상의 물질을 기판(S) 상에 코팅함으로서 형성된다. 제 2 탄성층(12)은 제 1 탄성층(11)과 동일한 물질일 수 있다. 또한, 제 2 탄성층(12)은 접촉단(22)이 형성될 수 있도록 관통되어 형성될 수 있다(도 9 참조). 상세하게, 상기 회로(21)의 일면이 노출되도록, 상기 일면에 해당하는 부분이 상기 일 방향(D1) 및 타 방향(D2)으로 관통되어 형성된다.The step S3 is a step of forming the second elastic layer 12. In detail, the second elastic layer 12 is laminated on the surface of the first elastic layer 11 in the one direction D1. Preferably, the second elastic layer 12 is formed by coating at least one of materials such as PDMS, Si epoxy, or UV resin on the substrate S. The second elastic layer 12 may be made of the same material as the first elastic layer 11. In addition, the second elastic layer 12 may be formed to penetrate so that the contact end 22 may be formed (see FIG. 9 ). In detail, a portion corresponding to the one surface is formed to penetrate in the one direction D1 and the other direction D2 so that one surface of the circuit 21 is exposed.

상기 S4 단계는 접촉단(22)을 형성하는 단계이다. 상세하게, 접촉단(22)은 제 2 탄성층(12)을 관통하도록 형성되어, 회로(21)의 일면으로부터 제 2 탄성층(12)의 상기 일 방향(D1) 면보다 상기 일 방향(D1)으로 돌출되도록 형성된다. 접촉단(22)은 Cu, Ni, BeCu 또는 BeNi 중 하나이거나, 적어도 하나 이상을 포함하는 조합 물질 또는 합금일 수 있다.The step S4 is a step of forming the contact end 22. In detail, the contact end 22 is formed so as to penetrate the second elastic layer 12, so that from one surface of the circuit 21 to the one direction D1 of the second elastic layer 12, the one direction D1 It is formed to protrude. The contact end 22 may be one of Cu, Ni, BeCu, or BeNi, or may be a combination material or alloy including at least one or more.

이하, 도 6 및 도 10 내지 도 15를 참조하여 상기 S4 단계에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the step S4 will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 10 to 15.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 2 탄성층(12)을 관통하여 접촉단(22)을 형성하는 단계(S4)를 나타낸 순서도이다. 본 발명의 일 실시예에 따라, S4 단계는 상기 제 2 탄성층(12)의 상기 일 방향(D1)의 면에 희생층(T1)을 형성하는 단계(S41), 상기 희생층(T1)의 상기 일 방향(D1)의 면에 임시 탄성층(T2)을 적층시키는 단계(S42), 상기 희생층(T1) 및 임시 탄성층(T2) 상면을 관통하도록 소정의 폭으로 식각하는 단계(S43), 접촉단(22)을 형성하는 단계(S44) 및 상기 희생층(T1) 및 임시 탄성층(T2)을 제거하는 단계(S45)를 포함한다.6 is a flow chart showing a step (S4) of forming the contact end 22 through the second elastic layer 12 according to an embodiment of the present invention. According to an embodiment of the present invention, step S4 includes forming a sacrificial layer T1 on the surface of the second elastic layer 12 in the one direction D1 (S41), and the sacrificial layer T1. Laminating a temporary elastic layer (T2) on the surface in the one direction (D1) (S42), etching the sacrificial layer (T1) and the temporary elastic layer (T2) with a predetermined width so as to penetrate the upper surfaces (S43) , Forming the contact end 22 (S44), and removing the sacrificial layer (T1) and the temporary elastic layer (T2) (S45).

S41 단계는 희생층(T1)을 형성하는 단계이다. 희생층(T1)은 후술한 임시 탄성층(T2)의 제거가 용이하도록 제 2 탄성층(12)의 상기 일 방향(D1)의 면에 형성되는 제거가 용이한 물질의 층이다. 바람직하게, 희생층(T1)은 Photo resist, PMGI 또는 LOR 중 어느 한 물질일 수 있다. 희생층(T1)은 제 2 탄성층(12)의 상기 일 방향(D1) 면에 소정의 두께로 형성된다(도 10 참조).Step S41 is a step of forming the sacrificial layer T1. The sacrificial layer T1 is a layer of an easily removed material formed on the surface of the second elastic layer 12 in the one direction D1 to facilitate removal of the temporary elastic layer T2, which will be described later. Preferably, the sacrificial layer T1 may be any one of photo resist, PMGI, and LOR. The sacrificial layer T1 is formed on the surface of the second elastic layer 12 in the one direction D1 to have a predetermined thickness (see FIG. 10 ).

S42 단계는 임시 탄성층(T2)을 형성하는 단계이다. 임시 탄성층(T2)은 접촉단(22)의 형성이 용이하도록 식각 패턴을 제공하는 구성이다. 상세하게, 임시 탄성층(T2)은 상기 일 방향(D1) 및 타 방향(D2)으로 관통되도록 식각되어 접촉단(22)이 형성되기 위한 틀로서 기능한다. 바람직하게, 임시 탄성층(T2)은 PDMS, Si epoxy 또는 UV resin 중 어느 한 물질이 접촉단(22)이 형성될 두께와 일치하는 두께로 적층되어 형성될 수 있다(도 11 참조).Step S42 is a step of forming the temporary elastic layer T2. The temporary elastic layer T2 is configured to provide an etching pattern to facilitate formation of the contact end 22. In detail, the temporary elastic layer T2 is etched so as to penetrate in the one direction D1 and the other direction D2 to function as a frame for forming the contact end 22. Preferably, the temporary elastic layer T2 may be formed by laminating any one of PDMS, Si epoxy, or UV resin to a thickness matching the thickness at which the contact end 22 is to be formed (see FIG. 11).

S43 단계는 희생층(T1) 및 임시 탄성층(T2)에 상기 식각 패턴을 형성하는 단계이다. 상세하게, 희생층(T1) 및 임시 탄성층(T2)은 접촉단(22)이 형성될 위치가 상기 일 방향(D1) 및 타 방향(D2)으로 관통되도록 소정의 폭으로 식각됨으로써, 접촉단(22)을 형성하기 위한 패턴이 형성된다(도 12 참조). 이를 위한 식각 방법은 건식 식각 또는 습식 식각이 모두 이용될 수 있다.Step S43 is a step of forming the etching pattern on the sacrificial layer T1 and the temporary elastic layer T2. In detail, the sacrificial layer T1 and the temporary elastic layer T2 are etched to have a predetermined width so that the position where the contact end 22 is to be formed is penetrated in the one direction D1 and the other direction D2. A pattern for forming 22 is formed (see Fig. 12). Dry etching or wet etching may be used as an etching method for this.

S44 단계는 상기 식각 패턴에 접촉단(22)을 형성하는 단계이다. 상세하게, Cu, Ni, BeCu 또는 BeNi 중 어느 한 물질 또는, 적어도 하나 이상을 포함하는 조합 물질 또는 합금이 희생층(T1) 및 임시 탄성층(T2)에 형성된 상기 식각 패턴에 도금됨으로써 접촉단(22)이 형성된다(도 13 참조). 바람직하게, 상기 도금은 전해 또는 무전해 도금일 수 있다.Step S44 is a step of forming a contact end 22 on the etching pattern. In detail, any one of Cu, Ni, BeCu, or BeNi, or a combination material or alloy including at least one is plated on the etching pattern formed on the sacrificial layer T1 and the temporary elastic layer T2, so that the contact end ( 22) is formed (see Fig. 13). Preferably, the plating may be electrolytic or electroless plating.

또한, S44 단계는 접촉단(22)의 상기 일 방향(D1)의 끝단을 깎아내어 평탄화 시키는 단계(S441)를 포함할 수 있다. 도 13을 참조하면, 도금되어 형성된 최초의 접촉단(22)은 상기 일 방향(D1)의 끝단이 불규칙적일 수 있다. 따라서 전기 소자와의 접촉이 원활하지 않아 프로브 헤드가 오작동할 수 있으며, 이를 방지하기 위해 접촉단(22)의 상기 일 방향(D1)의 끝단이 평탄화 되는 것이 바람직하다(도 14 참조).In addition, step S44 may include a step (S441) of flattening an end of the contact end 22 in the one direction D1. Referring to FIG. 13, the first contact end 22 formed by plating may have an irregular end in the one direction D1. Therefore, since contact with the electrical element is not smooth, the probe head may malfunction, and in order to prevent this, the end of the contact end 22 in the one direction D1 is preferably flattened (see FIG. 14).

S45 단계는 희생층(T1) 및 임시 탄성층(T2)을 제거하는 단계이다. 상세하게, 접촉단(22)이 형성된 후에 희생층(T1) 및 임시 탄성층(T2)은 불필요해지므로 제거된다. 임시 탄성층(T2)은 희생층(T1)을 통해 결합되어 있으므로 희생층(T1)을 제거하게 되면 임시 탄성층(T2)이 함께 제거될 수 있다. 따라서 희생층(T1)은 용해됨으로써 용이하게 제거 가능한 Photo resist, PMGI 또는 LOR 중 어느 하나로 구비될 수 있다.Step S45 is a step of removing the sacrificial layer T1 and the temporary elastic layer T2. In detail, after the contact end 22 is formed, the sacrificial layer T1 and the temporary elastic layer T2 become unnecessary and thus are removed. Since the temporary elastic layer T2 is coupled through the sacrificial layer T1, when the sacrificial layer T1 is removed, the temporary elastic layer T2 may be removed together. Therefore, the sacrificial layer T1 may be provided with any one of photo resist, PMGI, or LOR that can be easily removed by dissolving.

상기한 S1 내지 S4 단계를 통해 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 헤드가 제조된다(도 15 참조).A probe head according to an embodiment of the present invention is manufactured through the above steps S1 to S4 (see FIG. 15).

한편, 접촉단(22)의 상기 일 방향(D1)의 끝단은 전기 소자와의 접촉이 용이하도록 하기 위하여 가공되어질 수 있다. 상세하게, 접촉단(22)의 상기 일 방향(D1)의 끝단은 상기 일 방향(D1)으로 갈수록 폭이 좁아지는 형상으로 구비될 수 있다. 도 16의 <i>는 일 실시예에 따른 접촉단(22)을 나타낸 단면도이다. 일 실시예에 따라, 접촉단(22)의 상기 일 방향(D1)의 끝단은 상기 일 방향(D1)으로 갈수록 폭이 일정하게 좁아지도록 가공될 수 있다. 도 16의 <ii>는 다른 실시예에 따른 접촉단(22)을 나타낸 단면도이다. 다른 실시예에 따라, 접촉단(22)의 상기 일 방향(D1)의 끝단은 상기 일 방향(D1)으로 갈수록 곡률을 이루어 좁아지도록 가공될 수 있다. 이에 따라, 접촉단(22)의 상기 끝단이 전기 소자의 단자와 비정상 접촉되어 프로브 헤드의 작동 오류가 발생하는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, the end of the contact end 22 in the one direction D1 may be processed to facilitate contact with the electrical element. In detail, an end of the contact end 22 in the one direction D1 may be provided in a shape whose width becomes narrower toward the one direction D1. <i> of FIG. 16 is a cross-sectional view showing a contact end 22 according to an exemplary embodiment. According to an embodiment, an end of the contact end 22 in the one direction D1 may be processed so that the width becomes uniformly narrow toward the one direction D1. <ii> of FIG. 16 is a cross-sectional view showing a contact end 22 according to another embodiment. According to another embodiment, an end of the contact end 22 in the one direction D1 may be processed to become narrower by forming a curvature toward the one direction D1. Accordingly, it is possible to prevent an operation error of the probe head from occurring due to abnormal contact of the end of the contact end 22 with the terminal of the electrical element.

도 17은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극(20) 중 일 전극을 나타낸 단면도이다. 제 2 실시예에 따르면, 제 2 탄성층(12)은 상기 회로(21)의 일면을 노출시키도록 관통될 수 있다. 노출되는 정도는 전기 소자의 형태에 따라 달라질 수 있다.17 is a cross-sectional view showing one electrode among a pair of electrodes 20 included in the probe head according to the second embodiment of the present invention. According to the second embodiment, the second elastic layer 12 may be penetrated to expose one surface of the circuit 21. The degree of exposure may vary depending on the shape of the electrical device.

도 18은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극(20) 중 일 전극을 나타낸 단면도이고, 도 19는 탄성부(10)를 생략하여 도시한 사시도이다. 제 3 실시예에 따르면, 접촉단(22)은 제 1 완충전극(221) 및 핀(220)을 포함할 수 있다.18 is a cross-sectional view showing one electrode among a pair of electrodes 20 included in the probe head according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 19 is a perspective view showing the elastic portion 10 omitted. According to the third embodiment, the contact end 22 may include a first buffer electrode 221 and a pin 220.

제 1 완충전극(221)은 상기 회로(21)와 더불어 충격을 분산시키기 위한 구성이다. 상세하게, 제 1 완충전극(221)은 제 2 탄성층(12)을 관통하도록 형성되어, 회로(21)의 일면으로부터 제 2 탄성층(12)의 상기 일 방향(D1) 면보다 상기 일 방향(D1)으로 돌출되어 구비된다. 또한, 제 1 완충전극(221)의 상기 돌출된 부분은 제 2 탄성층(12)의 상기 일 방향(D1) 면 위로 확장되어 구비될 수 있다. 이에 따라, 제 2 탄성층(12)이 제 1 완충전극(221)을 통해 충격을 추가적으로 흡수할 수 있게 된다.The first buffer electrode 221 is configured to disperse the impact together with the circuit 21. In detail, the first buffer electrode 221 is formed to pass through the second elastic layer 12, so that from one surface of the circuit 21 to the one direction D1 of the second elastic layer 12 It is provided to protrude to D1). In addition, the protruding portion of the first buffer electrode 221 may be provided to extend above the surface in the one direction D1 of the second elastic layer 12. Accordingly, the second elastic layer 12 can additionally absorb the impact through the first buffer electrode 221.

핀(220)은 전기 소자의 단자와 접촉되어 전기 소자 및 제 1 완충전극(221)을 전기적으로 연결하기 위한 구성이다. 상세하게, 핀(220)은 제 1 완충전극(221)의 상기 일 방향(D1) 면에 형성된다.The pin 220 is a component for electrically connecting the electric element and the first buffer electrode 221 by contacting the terminal of the electric element. In detail, the fin 220 is formed on the surface of the first buffer electrode 221 in the one direction D1.

바람직하게, 제 1 완충전극(221) 및 핀(220)은 Cu, Ni, BeCu 또는 BeNi 중 하나이거나, 상기한 물질 중 적어도 하나 이상을 포함하는 조합 물질 또는 합금이 도금되어 형성될 수 있다.Preferably, the first buffer electrode 221 and the fin 220 may be one of Cu, Ni, BeCu, or BeNi, or may be formed by plating a combination material or alloy including at least one of the above-described materials.

도 20은 도 18의 A부분을 나타낸 확대도이다. 도 20에 표시된 화살표는 회로(21) 및 제 1 완충전극(221)이 제 1 탄성층(11) 및 제 2 탄성층(12)에 각각 전달하는 충격을 나타낸 것이다. 도 20에 도시된 바와 같이, 제 1 탄성층(11) 및 제 2 탄성층(12)에 의해 회로(21) 및 제 1 완충전극(221)이 지지됨으로써 충격이 분산되어 흡수될 수 있다.20 is an enlarged view showing part A of FIG. 18. The arrows shown in FIG. 20 indicate impacts transmitted by the circuit 21 and the first buffer electrode 221 to the first elastic layer 11 and the second elastic layer 12, respectively. As shown in FIG. 20, the circuit 21 and the first buffer electrode 221 are supported by the first elastic layer 11 and the second elastic layer 12, so that the shock can be dispersed and absorbed.

도 21은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극(20) 중 일 전극을 나타낸 단면도이고, 도 22는 탄성부(10)를 생략하여 도시한 사시도이다.FIG. 21 is a cross-sectional view showing one electrode among a pair of electrodes 20 included in the probe head according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 22 is a perspective view showing the elastic portion 10 omitted.

제 4 실시예에 따르면, 접촉단(22)은 제 3 실시예에 더하여 제 2 완충전극(222)을 더 포함할 수 있다. 이와 같이 접촉단(22)이 복수의 층으로 구비됨으로써 상기 일 방향(D1) 및 타 방향(D2) 외에 다른 각도로 가해지는 충격을 분산시킬 수 있게 된다. 따라서 프로브 헤드의 파손이 방지되는 효과가 상승하게 된다.According to the fourth embodiment, the contact end 22 may further include a second buffer electrode 222 in addition to the third embodiment. In this way, since the contact end 22 is provided in a plurality of layers, it is possible to disperse the impact applied at an angle other than the one direction D1 and the other direction D2. Therefore, the effect of preventing damage to the probe head is increased.

도 23은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극(20) 중 일 전극을 나타낸 단면도이고, 도 24는 탄성부(10)를 생략하여 도시한 사시도이다.23 is a cross-sectional view showing one electrode among a pair of electrodes 20 included in the probe head according to the fifth embodiment of the present invention, and FIG. 24 is a perspective view illustrating the elastic portion 10 omitted.

제 5 실시예에 따르면, 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극(20) 중 일 전극 및 타 전극의 각 회로(21, 21')는 상기 제 1 탄성층(11)의 상기 일 방향(D1) 면에 서로 소정의 제 1 간격(g1)만큼 이격되어 구비되고, 각 상기 핀(220, 220')은 상기 제 1 간격(g1)보다 짧은 소정의 제 2 간격(g2)만큼 이격되어 위치될 수 있다. 이에 따라, 전기 소자의 크기가 이전 실시예보다 작아지더라도 각 회로(21, 21')의 구성이 용이해질 수 있다. 또한, 도 25에 도시된 바와 같이 복수의 층으로 구성된 접촉단(22)의 폭을 조절하여 상기 제 2 간격(g2)을 용이하게 조절할 수 있다. 본 실시예에서는 제 2 완충전극(222, 222')의 폭이 이전 실시예에 비해 확장됨으로써 제 2 간격(g2)이 조절된 것을 기준으로 도시하였다.According to the fifth embodiment, the circuits 21 and 21 ′ of one electrode and the other electrode among the pair of electrodes 20 included in the probe head are in the one direction D1 of the first elastic layer 11. It is provided to be spaced apart from each other by a predetermined first interval g1, and each of the pins 220 and 220 ′ may be spaced apart by a predetermined second interval g2 shorter than the first interval g1. have. Accordingly, even if the size of the electric element is smaller than that of the previous embodiment, the configuration of each of the circuits 21 and 21' can be facilitated. In addition, as shown in FIG. 25, the second gap g2 may be easily adjusted by adjusting the width of the contact end 22 composed of a plurality of layers. In the present exemplary embodiment, the width of the second buffer electrodes 222 and 222' is expanded compared to the previous exemplary embodiment so that the second interval g2 is adjusted.

도 25는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 프로브 헤드의 탄성부(10)를 제외한 일 전극을 일 방향(D1)으로부터 타 방향(D2)으로 바라본 평면도이다. 도 25에 도시된 바와 같이, 제 2 완충전극(222, 222')의 확장에 의해 제 2 간격(g2)이 제 1 간격(g1)보다 짧도록 조절될 수 있다.25 is a plan view as viewed from one direction D1 to the other direction D2 except for the elastic portion 10 of the probe head according to the fifth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 25, the second gap g2 may be adjusted to be shorter than the first gap g1 by the expansion of the second buffer electrodes 222 and 222 ′.

도 26은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 프로브 헤드에 포함된 한 쌍의 전극(20) 중 일 전극을 나타낸 단면도이고, 도 27은 탄성부(10)를 생략하여 도시한 사시도이다.26 is a cross-sectional view showing one electrode among a pair of electrodes 20 included in the probe head according to the sixth embodiment of the present invention, and FIG. 27 is a perspective view illustrating the elastic portion 10 omitted.

제 6 실시예에 따르면, 한 쌍의 전극(20) 중 일 전극은 제 2 완충전극(222')의 상기 타 방향(D2) 면에 구비되는 제 3 완충전극(223) 및 상기 제 3 완충전극(223) 및 상기 회로(21')의 사이에 위치되는 제 4 완충전극(224)을 더 포함할 수 있다. 이와 같이 접촉단(22)이 다층 구조로 형성됨에 따라, 접촉단(22)에 가해지는 충격을 보다 용이하게 분산시킬 수 있다.According to the sixth embodiment, one of the pair of electrodes 20 includes a third buffer electrode 223 and the third buffer electrode provided on the other direction D2 of the second buffer electrode 222 ′. A fourth buffer electrode 224 positioned between the 223 and the circuit 21 ′ may be further included. As the contact end 22 is formed in a multi-layered structure, the impact applied to the contact end 22 can be more easily dispersed.

또한, 상기 일 전극 및 타 전극의 제 2 완충전극(222, 222')이 서로 다른 층에 위치됨으로써 각 제 2 완충전극(222, 222')을 이격시키는 것이 보다 용이해질 수 있다. 상세하게, 도 26에 도시된 바와 같이 일 전극의 제 2 완충전극(222') 및 타 전극의 제 2 완충전극(222)은 서로 다른 층에 위치되므로 각 제 2 완충전극(222, 222')의 폭에 무관하게 서로 이격된다. 도 26에서 각 핀(220, 220')은 도면 기준 앞 뒤로 이격된 상태로(도 27 및 도 28 참조), 도면상에서는 겹쳐져 보이도록 도시되었다.In addition, since the second buffer electrodes 222 and 222 ′ of the one electrode and the other electrode are positioned on different layers, it may be easier to separate the second buffer electrodes 222 and 222 ′ from each other. In detail, as shown in FIG. 26, since the second buffer electrode 222' of one electrode and the second buffer electrode 222 of the other electrode are located on different layers, each of the second buffer electrodes 222 and 222' They are separated from each other regardless of the width of. In FIG. 26, each of the pins 220 and 220 ′ is shown to be spaced apart from the front and back of the drawing reference (see FIGS. 27 and 28), and overlapping in the drawing.

도 28은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 프로브 헤드의 탄성부(10)를 제외한 일 전극을 일 방향(D1)으로부터 타 방향(D2)으로 바라본 평면도이다. 도 28에 도시된 바와 같이, 제 2 완충전극(222, 222')이 서로 다른 층에 위치됨에 따라 제 5 실시예에 비해 제 2 간격(g2)을 조절하는 것이 보다 용이해진다. 즉, 제 2 간격(g2)을 제 5 실시예보다 더 짧게 형성할 수 있으므로 이전 실시예에 비해 보다 작은 전기 소자에 대해서도 프로브 헤드를 제조하는 것이 가능해진다.28 is a plan view as viewed from one direction D1 to the other direction D2 except for the elastic portion 10 of the probe head according to the sixth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 28, as the second buffer electrodes 222 and 222' are positioned on different layers, it becomes easier to adjust the second gap g2 compared to the fifth embodiment. That is, since the second interval g2 can be formed to be shorter than that of the fifth embodiment, it is possible to manufacture the probe head even for an electric element smaller than that of the previous embodiment.

한편, 도 23 및 도 26을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 헤드는 제 3 탄성층(13) 및 제 4 탄성층(14)을 더 포함할 수 있다. 상세하게, 상기 제 2 탄성층(12)의 상기 일 방향(D1) 면에 형성되어 상기 제 1 완충전극(221, 221')의 외면을 덮는 제 3 탄성층(13)이 더 포함되고, 접촉단(22)은 상기 회로(21, 21')의 일면으로부터 상기 제 3 탄성층(13)을 관통하여 상기 제 3 탄성층(13)의 상기 일 방향(D1) 면보다 상기 일 방향(D1)으로 돌출된다.Meanwhile, referring to FIGS. 23 and 26, the probe head according to an exemplary embodiment of the present invention may further include a third elastic layer 13 and a fourth elastic layer 14. In detail, a third elastic layer 13 formed on the surface in the one direction D1 of the second elastic layer 12 and covering the outer surfaces of the first buffer electrodes 221 and 221 ′ is further included, and a contact The end 22 passes through the third elastic layer 13 from one surface of the circuits 21 and 21 ′ and is in the one direction D1 rather than the one direction D1 surface of the third elastic layer 13. Protrudes.

또한, 상기 제 3 탄성층(13)의 상기 일 방향(D1) 면에 형성되어 상기 제 2 완충전극(222, 222')의 외면을 덮는 제 4 탄성층(14)이 더 포함되고, 접촉단(22)은 상기 회로(21, 21')의 일면으로부터 상기 제 3 탄성층(13) 및 상기 제 4 탄성층(14)을 관통하여 상기 제 4 탄성층(14)의 상기 일 방향(D1) 면보다 상기 일 방향(D1)으로 돌출된다.In addition, a fourth elastic layer 14 formed on the surface of the third elastic layer 13 in the one direction D1 to cover the outer surfaces of the second buffer electrodes 222 and 222 ′ is further included, and a contact end (22) is the one direction D1 of the fourth elastic layer 14 through the third elastic layer 13 and the fourth elastic layer 14 from one surface of the circuit 21 and 21 ′. It protrudes in the one direction D1 from the surface.

제 3 탄성층(13) 및 제 4 탄성층(14)이 더 구비됨에 따라, 충격의 흡수가 보다 용이해진다. 또한, 전극(20)이 노출되는 면적이 감소하므로 절연 효과가 상승한다.As the third elastic layer 13 and the fourth elastic layer 14 are further provided, shock absorption becomes easier. In addition, since the area to which the electrode 20 is exposed is reduced, the insulating effect is increased.

상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적으로 개시된 것이고, 본 발명에 대해 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 상기의 특허청구 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for the purpose of illustration, and those skilled in the art who have ordinary knowledge of the present invention will be able to make various modifications, changes and additions within the spirit and scope of the present invention, and such modifications, changes and additions It should be seen as falling within the scope of the above claims.

본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서, 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로, 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다.If a person of ordinary skill in the art to which the present invention pertains, various substitutions, modifications and changes are possible within the scope of the technical spirit of the present invention, so that the present invention is described in the above-described embodiments and the accompanying drawings. Is not limited by.

1: 프로브 헤드 S: 기판
10: 탄성부 20: 전극
11: 제 1 탄성층 12: 제 2 탄성층
13: 제 3 탄성층 14: 제 4 탄성층
21: 회로 22: 접촉단
T1: 희생층 T2: 임시 탄성층
220: 핀
221: 제 1 완충전극 222: 제 2 완충전극
223: 제 3 완충전극 224: 제 4 완충전극
g1: 제 1 간격 g2: 제 2 간격1: probe head S: substrate
10: elastic part 20: electrode
11: first elastic layer 12: second elastic layer
13: third elastic layer 14: fourth elastic layer
21: circuit 22: contact
T1: sacrificial layer T2: temporary elastic layer
220: pin
221: first buffer electrode 222: second buffer electrode
223: third buffer electrode 224: fourth buffer electrode
g1: first interval g2: second interval

Claims (5)

전기 소자의 전기적 특성을 검사하는 장치에 포함되는 프로브 헤드의 제조 방법에 있어서,
기판 상면에 제 1 탄성층을 적층시키는 단계(S1);
상기 제 1 탄성층의 일 방향 면에 회로를 형성하는 단계(S2);
상기 제 1 탄성층의 일 방향 면에 제 2 탄성층을 적층시키는 단계(S3); 및
상기 제 2 탄성층을 관통하여 접촉단을 형성하는 단계(S4);를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
In the method of manufacturing a probe head included in an apparatus for inspecting electrical characteristics of an electric element,
Laminating a first elastic layer on the upper surface of the substrate (S1);
Forming a circuit on a surface of the first elastic layer in one direction (S2);
Laminating a second elastic layer on a surface of the first elastic layer in one direction (S3); And
And forming a contact end through the second elastic layer (S4).
 제 1 항에 있어서,
상기 S4 단계는,
상기 제 2 탄성층의 상기 일 방향의 면에 희생층을 형성하는 단계(S41);
상기 희생층의 상기 일 방향의 면에 임시 탄성층을 적층시키는 단계(S42);
상기 희생층 및 임시 탄성층 상면을 관통하도록 소정의 폭으로 식각하는 단계(S43);
접촉단을 형성하는 단계(S44); 및
상기 희생층 및 임시 탄성층을 제거하는 단계(S45);를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 1,
The S4 step,
Forming a sacrificial layer on the surface of the second elastic layer in the one direction (S41);
Laminating a temporary elastic layer on the surface of the sacrificial layer in the one direction (S42);
Etching the sacrificial layer and the temporary elastic layer with a predetermined width so as to penetrate the upper surfaces (S43);
Forming a contact end (S44); And
And removing the sacrificial layer and the temporary elastic layer (S45).
 제 2 항에 있어서,
상기 접촉단을 형성하는 단계(S44)는,
접촉단의 상기 일 방향의 끝단을 깎아내어 평탄화 시키는 단계(S441)를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 2,
Forming the contact end (S44),
And flattening the end of the contact end in one direction (S441).
 제 2 항에 있어서,
상기 S45 단계는,
희생층을 용해시켜 희생층 및 임시 탄성층을 제거하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 2,
The step S45,
A method of manufacturing a probe head, comprising dissolving the sacrificial layer to remove the sacrificial layer and the temporary elastic layer.
 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 회로는 상기 제 1 탄성층의 상기 일 방향 면에 임프린팅을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 4,
The circuit is a method of manufacturing a probe head, characterized in that formed through imprinting on the surface of the first elastic layer in one direction.
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