KR20210047994A - Apparatus for heat treating substrate - Google Patents

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KR20210047994A
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남윤지
류용환
한인자
박보미
송선진
이충혁
최현식
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

A substrate heat treatment apparatus is provided. The substrate heat treatment apparatus comprises: a lower surface portion; a stage unit positioned on the lower surface portion and supporting a substrate; an upper surface portion located on the stage unit; a side portion connected to the lower surface portion and the upper surface portion and having one open side; a door positioned on the open one side of the side portion and configured to be opened and closed; an exhaust port positioned on the side portion and connected to an exhaust member; a heater positioned inside the stage unit and configured to provide heat to the substrate; and a heating block coupled to the upper surface portion. The upper surface portion includes an outer upper surface portion positioned on the opposite side of the stage unit with the door interposed therebetween, and an inner upper surface portion including a portion overlapping the stage unit and connected to the outer upper surface portion. The heating block is coupled to the outer upper surface portion.

Description

기판 열처리 장치 {APPARATUS FOR HEAT TREATING SUBSTRATE}Substrate heat treatment device {APPARATUS FOR HEAT TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus.

평판 표시 장치의 제조 공정에서 실리콘 또는 유리로 이루어진 기판 상에는 전기적인 회로 패턴이 형성될 수 있다. 회로 패턴은 증착 공정, 포토 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등과 같은 일련의 단위 공정들을 수행함으로써 형성될 수 있다.In a manufacturing process of a flat panel display, an electrical circuit pattern may be formed on a substrate made of silicon or glass. The circuit pattern may be formed by performing a series of unit processes such as a deposition process, a photo process, an etching process, and a cleaning process.

그 중에서 포토 공정은 도포, 노광, 현상 공정 등을 포함한다. 도포 공정은 기판의 표면에 감광막을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 마스크를 이용하여 원하는 패턴으로 빛을 조사하는 공정이다. 현상 공정은 기판의 노광 처리된 감광막을 현상액을 이용하여 선택적으로 제거하는 공정이다.Among them, the photo process includes coating, exposure, and developing processes. The coating process is a process of applying a photosensitive film to the surface of the substrate. The exposure process is a process of irradiating light in a desired pattern using a mask on a substrate on which a photosensitive film is formed. The developing process is a process of selectively removing the exposed photosensitive film of the substrate using a developer.

일반적으로, 도포 공정 및 현상 공정은 기판을 용액 처리하는 공정으로, 그 전후에는 각각 기판을 열처리하는 베이크 공정이 수행된다. 베이크 공정은 기판을 가열 처리하는 가열 공정을 수행하고, 그 이후에 기판을 상온 또는 이와 인접한 온도로 냉각시키는 냉각 공정을 수행한다.In general, the coating process and the developing process are processes of solution treatment of a substrate, and before and after, a bake process of heat-treating the substrate is performed. In the bake process, a heating process of heating a substrate is performed, and thereafter, a cooling process of cooling the substrate to room temperature or a temperature adjacent thereto is performed.

베이크 공정에서 열 처리에 의해 감광막을 이루는 감광 물질이 흄(fume) 형태로 상태가 변화할 수 있으며, 온도가 낮은 곳에 도달할 경우 응축될 수 있다. 구체적으로, 흄(fume) 형태의 감광 물질은 기판 열처리 장치의 챔버 외부 상단에 응축될 수 있고, 응축된 감광 물질은 기판 교체 시 기판 위로 떨어져 추후 공정에서 문제를 초래할 수 있다. 따라서, 기판 열처리 장치의 챔버 외부 상단에 흄(fume) 형태의 감광 물질이 응축되지 않도록 개선할 여지가 있다.In the baking process, the photosensitive material constituting the photosensitive film may be changed in a fume form by heat treatment, and may be condensed when it reaches a low temperature. Specifically, the photosensitive material in the form of a fume may be condensed on the outer upper part of the chamber of the substrate heat treatment apparatus, and the condensed photosensitive material may fall onto the substrate when the substrate is replaced, causing problems in a later process. Therefore, there is room for improvement so that the photosensitive material in the form of a fume is not condensed on the upper outside of the chamber of the substrate heat treatment apparatus.

이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 흄(fume) 형태의 감광 물질이 응축되지 않도록 개선된 기판 열처리 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, a problem to be solved by the present invention is to provide an improved substrate heat treatment apparatus so that the photosensitive material in the form of a fume is not condensed.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치는 하면부, 상기 하면부 상에 위치하고 기판을 지지하는 스테이지 유닛, 상기 스테이지 유닛 상에 위치하는 상면부, 상기 하면부 및 상기 상면부와 연결되고 일측이 개방된 측면부, 상기 측면부의 개방된 상기 일측에 위치하고, 개폐 가능하도록 구성된 도어, 상기 측면부에 위치하고 배기 부재와 연결된 배기구, 상기 스테이지 유닛의 내부에 위치하고 상기 기판에 열을 제공하도록 구성된 히터 및 상기 상면부에 결합된 히팅 블록을 포함하고, 상기 상면부는 상기 도어를 사이에 두고 상기 스테이지 유닛의 반대측에 위치하는 외측 상면부 및 상기 스테이지 유닛과 중첩하는 부분을 포함하며 상기 외측 상면부와 연결된 내측 상면부를 포함하고, 상기 히팅 블록은 상기 외측 상면부에 결합된다.A substrate heat treatment apparatus according to an embodiment for solving the above problem is connected to a lower surface, a stage unit positioned on the lower surface and supporting a substrate, an upper surface positioned on the stage unit, and the lower surface and the upper surface. And one side of the open side portion, a door positioned on the opened side of the side portion and configured to be opened and closed, an exhaust port positioned on the side portion and connected to an exhaust member, a heater positioned inside the stage unit and configured to provide heat to the substrate, and And a heating block coupled to the upper surface portion, wherein the upper surface portion includes an outer upper surface portion positioned opposite to the stage unit and a portion overlapping the stage unit with the door interposed therebetween, and an inner side connected to the outer upper surface portion It includes an upper surface portion, and the heating block is coupled to the outer upper surface portion.

상기 히팅 블록은 상기 외측 상면부의 하면 및 측면에 결합될 수 있다.The heating block may be coupled to a lower surface and a side surface of the outer upper surface portion.

상기 내측 상면부의 하면에 결합된 히팅 블록을 더 포함할 수 있다.It may further include a heating block coupled to the lower surface of the inner upper surface.

상기 히팅 블록은 복수개이며, 서로 이격되어 결합될 수 있다.A plurality of heating blocks may be separated from each other to be combined.

복수개의 상기 히팅 블록은 서로 온도가 상이하게 제어될 수 있다.The plurality of heating blocks may be controlled to have different temperatures.

상기 히팅 블록의 온도는 상기 도어와 가까워질수록 낮아질 수 있다.The temperature of the heating block may decrease as it approaches the door.

상기 히팅 블록은 상기 외측 상면부의 상면에 결합될 수 있다.The heating block may be coupled to an upper surface of the outer upper surface.

상기 히팅 블록은 상기 외측 상면부의 내부에 위치할 수 있다.The heating block may be located inside the outer upper surface portion.

상기 히팅 블록 및 상기 히터는 서로 다른 제어 모듈에 의해 제어될 수 있다.The heating block and the heater may be controlled by different control modules.

상기 히팅 블록의 온도는 상기 히터의 온도보다 같거나 낮을 수 있다.The temperature of the heating block may be equal to or lower than the temperature of the heater.

상기 배기구는 상기 스테이지 유닛의 상면보다 낮은 곳에 위치할 수 있다.The exhaust port may be located lower than the upper surface of the stage unit.

상기 배기 부재는 상기 배기구에 음압을 제공할 수 있다.The exhaust member may provide a negative pressure to the exhaust port.

상기 도어는 상기 하면부 상에 위치하는 도어축에 의해 여닫이 방식으로 개폐될 수 있다.The door may be opened and closed in an opening and closing manner by a door shaft positioned on the lower surface.

상기 히팅 블록은 상기 스테이지 유닛과 비중첩할 수 있다.The heating block may be non-overlapping with the stage unit.

상기 히팅 블록은 상기 배기구와 비중첩할 수 있다.The heating block may be non-overlapping with the exhaust port.

상기 히팅 블록의 온도는 80℃ 내지 150℃일 수 있다.The temperature of the heating block may be 80 ℃ to 150 ℃.

상기 히팅 블록은 상기 스테이지 유닛보다 높은 곳에 위치할 수 있다.The heating block may be positioned higher than the stage unit.

챔버 내부 공간 및 외부 공간을 포함하는 챔버에 있어서, 상기 챔버 내부 공간과 상기 외부 공간을 구획하는 도어를 포함하는 챔버, 상기 챔버 내부 공간에 위치하고 기판을 지지하는 스테이지 유닛, 상기 외부 공간에 위치하는 배기 부재와 연결되고 상기 챔버에 위치하는 배기구, 상기 스테이지 유닛의 내부에 위치하고 상기 기판에 열을 제공하도록 구성된 히터 및 상기 외부 공간에 위치하고 상기 챔버에 결합되며 열을 제공하도록 구성된 히팅 블록을 포함한다.In a chamber including an interior space and an exterior space, a chamber including a door partitioning the interior space and the exterior space, a stage unit located in the chamber interior space and supporting a substrate, and an exhaust gas located in the exterior space An exhaust port connected to a member and positioned in the chamber, a heater positioned inside the stage unit and configured to provide heat to the substrate, and a heating block positioned in the outer space and coupled to the chamber and configured to provide heat.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

일 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 의하면 발열 장치를 기판 열처리 장치의 특정 위치에 배치하여 흄(fume) 상태의 감광 물질이 응축되는 것을 억제할 수 있다.According to the substrate heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment, the heat generating apparatus is disposed at a specific position of the substrate heat treatment apparatus to suppress condensation of the photosensitive material in a fume state.

본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the embodiments of the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

도 1은 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 열처리 장치에서 II-II' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 기판 열처리 장치에서 흄 상태의 감광 물질이 배기구를 통해 외부로 배출되는 것을 나타낸 단면도이다.
도 4는 기판 열처리 공정 중의 스테이지 유닛을 나타낸 사시도이다.
도 5는 기판 열처리 장치에서 흄 상태의 감광 물질이 도어를 통해 빠져나가는 것을 나타낸 단면도이다.
도 6은 기판 열처리 장치에서 흄 상태의 감광 물질이 도어를 통해 빠져나가 외측 상면부에 응축되는 것을 나타낸 단면도이다.
도 7은 기판 열처리 장치에서 외측 상면부에 응축된 감광 물질이 기판 위로 떨어지는 것을 나타낸 도이다.
도 8은 기판 상에 떨어진 응축 감광 물질로 인해 불량이 발생한 기판을 현미경으로 관찰한 도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 단면도이다.
도 10은 또 다른 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 단면도이다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 단면도이다.
도 12는 또 다른 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 단면도이다.1 is a perspective view of a substrate heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II′ in the substrate heat treatment apparatus of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view illustrating that a photosensitive material in a fume state is discharged to the outside through an exhaust port in the substrate heat treatment apparatus.
4 is a perspective view showing a stage unit during a substrate heat treatment process.
5 is a cross-sectional view illustrating that a photosensitive material in a fume state exits through a door in the substrate heat treatment apparatus.
6 is a cross-sectional view illustrating that a photosensitive material in a fume state exits through a door and is condensed on an outer upper surface of the substrate heat treatment apparatus.
7 is a diagram illustrating that a photosensitive material condensed on an outer upper surface of the substrate heat treatment apparatus falls onto a substrate.
8 is a diagram illustrating a substrate in which defects have occurred due to a condensed photosensitive material dropped on the substrate, and observed with a microscope.
9 is a cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to another embodiment.
10 is a cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to another embodiment.
11 is a cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to another embodiment.
12 is a cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to another embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms different from each other, and only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to the possessor, and the invention is only defined by the scope of the claims.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.When elements or layers are referred to as “on” of another element or layer includes all cases of interposing another layer or another element directly on or in the middle of another element. The same reference numerals refer to the same elements throughout the specification.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, and the like are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another component. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical idea of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 사시도이다. 도 2는 도 1의 기판 열처리 장치에서 II-II' 선을 따라 자른 단면도이다.1 is a perspective view of a substrate heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II′ in the substrate heat treatment apparatus of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(10)는 기판(300) 상의 박막을 처리하는 장치로서, 예컨대 박막의 건조, 박막의 경화나 베이크 등의 처리를 하는 데에 사용될 수 있다. 이하에서는 기판 처리의 일 예로, 열처리 장치를 예시하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.1 and 2, the substrate heat treatment apparatus 10 according to an embodiment is an apparatus for processing a thin film on the substrate 300, and is used to dry the thin film, cure or bake the thin film, etc. Can be used. Hereinafter, a heat treatment apparatus is exemplified as an example of processing the substrate, but is not limited thereto.

기판 열처리 장치(10)의 기판(300)은 예를 들어, 전자 소자나 표시 장치 등이거나 이들의 중간 제조물일 수 있다. 표시 장치의 예로는 유기발광 표시 장치, 마이크로 LED 표시 장치, 나노 LED 표시 장치, 양자 점 발광 표시 장치, 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 전계방출 표시 장치, 전기 영동 표시 장치, 전기 습윤 표시 장치 등을 들 수 있다. 상술한 표시 장치의 완제품뿐만 아니라, 완제품으로 제조되기까지의 과정 중에 있는 기판이나 박막이 형성된 기판이 기판 열처리 장치(10)에 의해 처리되는 기판(300)으로 적용될 수 있다.The substrate 300 of the substrate heat treatment apparatus 10 may be, for example, an electronic device, a display device, or an intermediate product thereof. Examples of the display device include an organic light emitting display device, a micro LED display device, a nano LED display device, a quantum dot light emitting display device, a liquid crystal display device, a plasma display device, a field emission display device, an electrophoretic display device, an electrowetting display device, and the like. Can be lifted. In addition to the above-described finished product of the display device, a substrate or a substrate on which a thin film is formed in the process of being manufactured into a finished product may be applied as the substrate 300 processed by the substrate heat treatment apparatus 10.

기판(300)은 공정 단계에서 다양하게 열처리될 수 있다. 예를 들어, 감광막(500), 잉크 등의 건조, 경화 및/또는 내식각성 증가 등을 위해 열처리될 수 있다. 일 예로, 공정 단계를 거쳐 완성되는 표시 장치는 다양한 박막 패턴을 포함한다. 이 중 일부 박막 패턴은 포토 공정을 통해 형성될 수 있다.The substrate 300 may be variously heat treated in a process step. For example, it may be heat-treated to dry, cure, and/or increase etch resistance of the photosensitive film 500 and ink. For example, a display device completed through a process step includes various thin film patterns. Some of these thin film patterns may be formed through a photo process.

기판(300) 상에서 기판 열처리 장치(10)에 의해 처리되는 박막은 유기물을 포함하는 박막일 수 있다. 도면에 예시되어 있는 유기물 박막은 감광막(500)이지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.The thin film processed by the substrate heat treatment apparatus 10 on the substrate 300 may be a thin film including an organic material. The organic thin film illustrated in the drawings is the photosensitive film 500, but embodiments are not limited thereto.

감광막(500)은 감광 물질이 감광액의 형태로 기판(300)에 도포되어 형성될 수 있다. 감광액은 감광 물질을 용해시킬 때 사용하는 용매(solvent), 감광막(500)의 기계적 성질을 결정하는 중합체(polymer), 빛을 받아 화학반응을 일으키는 감응제(sensitizer) 등을 포함할 수 있다.The photosensitive film 500 may be formed by applying a photosensitive material to the substrate 300 in the form of a photosensitive liquid. The photoresist may include a solvent used to dissolve the photosensitive material, a polymer that determines the mechanical properties of the photosensitive film 500, and a sensitizer that causes a chemical reaction by receiving light.

감광막(500)은 포토 공정을 통한 박막 패터닝에 사용될 수 있다. 감광막(500)은 그 자체가 포토 공정에 의해 박막으로 패터닝될 수 있다. 이 경우, 포토 공정은 감광막(500) 도포 공정, 노광 공정 및 현상 공정을 포함할 수 있다. 감광막(500)은 패터닝되어 하부층의 패터닝을 위한 식각 마스크로 사용될 수 있다. 이 경우, 포토 공정은 감광막(500) 도포 공정, 노광 공정, 및 현상 공정을 통해 감광막(500)을 식각 마스크로 패터닝하고, 이후 식각 공정을 통해 하부 박막을 패터닝하는 공정을 더 포함할 수 있다. The photoresist layer 500 may be used for thin film patterning through a photo process. The photosensitive film 500 itself may be patterned into a thin film by a photo process. In this case, the photo process may include a photosensitive film 500 application process, an exposure process, and a development process. The photoresist layer 500 may be patterned and used as an etching mask for patterning an underlying layer. In this case, the photo process may further include a process of patterning the photosensitive layer 500 with an etching mask through a coating process, an exposure process, and a developing process, and then patterning a lower thin film through an etching process.

상기와 같은 포토 공정에서, 감광막(500)을 도포한 후 열처리 공정이 더 진행될 수 있다. 예를 들어, 도포 공정과 노광 공정 사이에 상대적으로 낮은 온도(예시적으로 60℃ 내지 120℃ 또는 60℃ 내지 90℃)에서 감광막(500)을 열처리하는 소프트 베이크 공정이 더 진행될 수도 있다. 또한 현상 공정 이후 상대적으로 높은 온도(예시적으로 120℃ 내지 180℃ 또는 120℃ 내지 180℃)에서 패터닝된 감광막(500)을 열처리하는 하드 베이크 공정이 더 진행될 수도 있다. 패터닝된 감광막(500)은 하드 베이크 공정을 통해 더 경화될 수 있다. 이와 같은 감광막(500)의 열처리 공정은 도 1의 기판 열처리 장치(10)의 챔버 내부 공간(101)에서 진행될 수 있다.In the photo process as described above, after applying the photosensitive film 500, a heat treatment process may be further performed. For example, a soft bake process of heat-treating the photosensitive film 500 at a relatively low temperature (eg, 60° C. to 120° C. or 60° C. to 90° C.) may be further performed between the coating process and the exposure process. In addition, after the development process, a hard bake process of heat-treating the patterned photosensitive film 500 at a relatively high temperature (eg, 120° C. to 180° C. or 120° C. to 180° C.) may be further performed. The patterned photoresist layer 500 may be further cured through a hard bake process. The heat treatment process of the photosensitive film 500 may be performed in the inner space 101 of the chamber of the substrate heat treatment apparatus 10 of FIG. 1.

기판 열처리 장치(10)는 이와 같은 소프트 베이크 공정이나 하드 베이크 공정에 적용될 수 있다. 이하에서, 기판 열처리 장치(10)의 구성에 대해 상세히 설명한다.The substrate heat treatment apparatus 10 may be applied to such a soft bake process or a hard bake process. Hereinafter, the configuration of the substrate heat treatment apparatus 10 will be described in detail.

기판 열처리 장치(10)는 챔버(100), 스테이지 유닛(200), 배기 부재(154) 및 히팅 블록(160)을 포함한다.The substrate heat treatment apparatus 10 includes a chamber 100, a stage unit 200, an exhaust member 154, and a heating block 160.

챔버(100)는 상면부(110), 상면부(110)와 평행한 하면부(120), 상면부(110)와 하면부(120)에 수직한 측면부(130) 및 도어(140)를 포함할 수 있다. 챔버(100)는 열처리가 이루어지는 공간을 제공한다. 열처리가 이루어지는 공간은 상면부(110)의 하면, 하면부(120)의 상면, 측면부(130)의 내면 및 도어(140)의 내면에 의해 정의되는 챔버 내부 공간(101)일 수 있다. 챔버(100)는 다각 기둥 또는 원기둥 등과 같은 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 챔버(100)는 직사각 기둥 형상을 가질 수 있다. 챔버(100)는 도어(140)가 위치하는 일측이 함몰된 형상을 가질 수 있다.The chamber 100 includes an upper surface portion 110, a lower surface portion 120 parallel to the upper surface portion 110, a side portion 130 perpendicular to the upper surface portion 110 and the lower surface portion 120, and a door 140 can do. The chamber 100 provides a space in which heat treatment is performed. The space in which the heat treatment is performed may be a chamber inner space 101 defined by a lower surface of the upper surface portion 110, an upper surface of the lower surface portion 120, an inner surface of the side surface 130, and an inner surface of the door 140. The chamber 100 may have a shape such as a polygonal column or a cylinder. In one embodiment, the chamber 100 may have a rectangular column shape. The chamber 100 may have a shape in which one side where the door 140 is located is recessed.

몇몇 실시예에서, 상면부(110)는 챔버 내부 공간(101)의 상부를 덮으며 실질적으로 평면 형상을 갖는 평판일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 상면부(110)는 하면부(120)와 평행하고, 측면부(130) 및 도어(140)와 수직할 수 있다. 상면부(110)의 두께는 대체로 일정할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도어(140)가 닫혔을 때, 상면부(110)의 하면은 도어(140)의 단부와 접할 수 있다. 서로 접하는 상면부(110)의 하면과 도어(140)의 단부 사이에는 밀봉 부재가 위치할 수 있다. 밀봉 부재는 상면부(110)의 하면 또는 도어(140)의 단부에 고정될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상면부(110)는 측면부(130) 및 닫힌 상태의 도어(140)와 수직하고, 스테이지 유닛(200) 및 하면부(120)와 평행할 수 있다.In some embodiments, the upper surface portion 110 may be a flat plate covering an upper portion of the chamber inner space 101 and having a substantially planar shape. In some embodiments, the upper surface portion 110 may be parallel to the lower surface portion 120 and may be perpendicular to the side portion 130 and the door 140. The thickness of the upper surface portion 110 may be substantially constant, but is not limited thereto. When the door 140 is closed, the lower surface of the upper surface portion 110 may contact the end of the door 140. A sealing member may be positioned between a lower surface of the upper surface portion 110 in contact with each other and an end portion of the door 140. The sealing member may be fixed to the lower surface of the upper surface portion 110 or the end of the door 140, but is not limited thereto. The upper surface portion 110 may be perpendicular to the side portion 130 and the door 140 in a closed state, and may be parallel to the stage unit 200 and the lower portion 120.

상면부(110)는 닫힌 상태의 도어(140)를 사이에 두고 스테이지 유닛(200)의 반대측에 위치하는 외측 상면부(112) 및 스테이지 유닛(200)과 중첩하는 부분을 포함하며 외측 상면부(112)와 연결된 내측 상면부(111)를 포함할 수 있다. 챔버 외부 공간(102)이란 상면부의 상면, 하면부의 하면, 측면부의 외면 및 도어의 외면이 노출된 공간일 수 있다. 내측 상면부(111)의 하면은 챔버 내부 공간(101)에 노출되고 외측 상면부(112)는 챔버 외부 공간(102)에 노출될 수 있다. 외측 상면부(112)의 하면 및 측면에는 히팅 블록(160)이 결합될 수 있다. 히팅 블록(160)과 관련된 자세한 내용은 후술하기로 한다.The upper surface portion 110 includes an outer upper surface portion 112 positioned on the opposite side of the stage unit 200 and a portion overlapping the stage unit 200 with the door 140 in a closed state therebetween, and the outer upper surface portion ( It may include an inner upper surface 111 connected to 112). The chamber outer space 102 may be a space in which the upper surface of the upper surface, the lower surface of the lower surface, the outer surface of the side surface, and the outer surface of the door are exposed. The lower surface of the inner upper surface 111 may be exposed to the inner space 101 of the chamber, and the outer upper surface 112 may be exposed to the outer space 102 of the chamber. A heating block 160 may be coupled to a lower surface and a side surface of the outer upper surface part 112. Details related to the heating block 160 will be described later.

챔버 내부 공간(101)의 하부에는 상면부(110)와 하면부(120)가 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 하면부(120)는 상면부(110)와 평행하며 실질적으로 평판 형상으로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 하면부(120)는 측면부(130) 및 닫힌 상태의 도어(140)와 수직하고, 상면부(110) 및 스테이지 유닛(200)과 평행할 수 있다. 하면부(120) 상에는 열처리 공정이 수행되는 기판(300)을 지지하는 스테이지 유닛(200)이 배치될 수 있다. 하면부(120)의 두께는 대체로 일정할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 하면부(120) 상에는 도어(140)가 여닫이 방식으로 개폐될 때의 축이 되는 도어축(141)이 배치될 수 있다. An upper surface portion 110 and a lower surface portion 120 may be positioned under the chamber inner space 101. In some embodiments, the lower surface portion 120 may be parallel to the upper surface portion 110 and may have a substantially flat plate shape. In some embodiments, the lower surface portion 120 may be perpendicular to the side portion 130 and the door 140 in a closed state, and may be parallel to the upper surface portion 110 and the stage unit 200. A stage unit 200 supporting the substrate 300 on which the heat treatment process is performed may be disposed on the lower surface 120. The thickness of the lower surface 120 may be substantially constant, but is not limited thereto. A door shaft 141 serving as an axis when the door 140 is opened and closed in an opening/closing manner may be disposed on the lower surface 120.

하면부(120)는 닫힌 상태의 도어(140)를 사이에 두고 스테이지 유닛(200)의 반대측에 위치하는 외측 하면부(122) 및 스테이지 유닛(200)과 중첩하는 부분을 포함하며 외측 하면부(122)와 연결된 내측 하면부(121)를 포함할 수 있다. 도어(140)가 완전히 개방되면 도어(140)의 외측면은 외측 하면부(122)와 접촉할 수 있다. The lower surface portion 120 includes an outer lower surface portion 122 positioned on the opposite side of the stage unit 200 and a portion overlapping the stage unit 200 with the door 140 in a closed state therebetween, and the outer lower surface portion ( It may include an inner lower surface 121 connected to 122. When the door 140 is completely opened, the outer surface of the door 140 may contact the outer lower surface 122.

챔버(100)는 하면부(120) 및 상면부(110)와 연결되고 일측이 개방된 측면부(130)를 포함할 수 있다. 측면부(130)는 수평 방향으로 일측이 개방된 'ㄷ'자 형상을 가질 수 있다. 측면부(130)는 하면부(120)의 에지로부터 수직 상부 방향으로 절곡하여 연장될 수 있다. 또한, 측면부(130)는 상면부(110)의 에지로부터 수직 하부 방향으로 절곡하여 연장될 수 있다. 측면부(130)는 일정한 두께를 가질 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 상면부(110)와 하면부(120)는 측면부(130)의 높이만큼 이격되어 평행할 수 있다.The chamber 100 may include a side portion 130 connected to the lower surface portion 120 and the upper surface portion 110 and opened at one side thereof. The side portion 130 may have a'C' shape with one side open in the horizontal direction. The side portion 130 may be bent and extended in a vertical upper direction from the edge of the lower surface portion 120. In addition, the side portion 130 may be bent in a vertical downward direction from the edge of the upper surface portion 110 to extend. The side portion 130 may have a certain thickness, but is not limited thereto. The upper surface portion 110 and the lower surface portion 120 may be spaced apart by the height of the side portion 130 and may be parallel.

챔버(100)를 구성하는 상면부(110), 하면부(120) 및 측면부(130)는 각각 별도로 제조되어 결합될 수도 있지만, 하나의 플레이트를 통해 일체로 이루어질 수도 있다.The upper surface portion 110, the lower surface portion 120, and the side portion 130 constituting the chamber 100 may be separately manufactured and combined, but may be integrally formed through a single plate.

측면부(130)의 하단에는 배기구(150)가 배치될 수 있다. 일 실시예로, 도어(140)에 대향하는 측면부(130)에 위치할 수 있다. 배기구(150)는 배기 부재(154)와 연결될 수 있다. 배기구(150)는 배기 부재(154)에 의해 발생한 음압을 챔버 내부 공간(101)에 제공하는 통로일 수 있다. 배기구(150)를 통해 챔버 내부 공간(101)에 위치하는 물질이 외부로 배출될 수 있다. 이 때, 배기구(150) 부근에서 흄(fume) 또는 기체 등의 응축이 일어날 수 있다. 배기구(150)는 1개 일 수 있고, 복수개 일 수 있다. 배기구(150)의 단면은 원, 다각형 등의 모양일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.An exhaust port 150 may be disposed at the lower end of the side portion 130. In one embodiment, it may be located on the side portion 130 facing the door 140. The exhaust port 150 may be connected to the exhaust member 154. The exhaust port 150 may be a passage for providing the negative pressure generated by the exhaust member 154 to the interior space 101 of the chamber. The material located in the inner space 101 of the chamber may be discharged to the outside through the exhaust port 150. At this time, condensation of fume or gas may occur in the vicinity of the exhaust port 150. The number of exhaust ports 150 may be one, and may be plural. The cross section of the exhaust port 150 may have a shape such as a circle or a polygon, but is not limited thereto.

배기구(150)에는 챔버 내부 공간(101)에 음압을 제공할 수 있는 배기 부재(154)가 연결될 수 있다. 배기 부재(154)는 챔버 내부 공간(101)에 음압을 제공할 수 있지만 이에 제한되지 않고 에어 또는 기체를 제공하여 챔버 내부 공간(101) 내에 기류를 형성할 수도 있다. 배기 부재(154)로부터 제공된 음압으로 챔버 내부 공간(101)에 존재하는 흄(fume)이나 기체 등을 외부로 배출할 수 있다.An exhaust member 154 capable of providing a negative pressure to the interior space 101 of the chamber may be connected to the exhaust port 150. The exhaust member 154 may provide a negative pressure to the interior space 101 of the chamber, but is not limited thereto, and may provide air or gas to form an airflow in the interior space 101 of the chamber. The negative pressure provided from the exhaust member 154 may discharge fume or gas existing in the interior space 101 of the chamber to the outside.

배기구(150)와 배기 부재(154)는 배기 라인(152)을 매개로 연결될 수 있다. 본 명세서에 도시된 도면에서 배기 라인(152)이 실선으로 도시되었으나, 배기 라인(152)은 내부를 통해 공기 등의 유체가 통과할 수 있는 관일 수 있다. 일 실시예로, 배기 라인(152)은 배기 부재(154)가 제공하는 음압을 배기구(150)에 제공할 수 있는 통로이며, 제공된 음압으로 챔버 내부 공간(101)의 물질을 챔버 외부 공간(102)으로 배출시킬 수 있는 통로일 수 있다. 배기 라인(152)의 일단은 배기 부재(154)에 연결되고, 타단은 배기구(150)에 연결될 수 있다. 배기 라인(152)은 하나의 배기구(150)에 연결될 수 있지만, 이에 제한되지 않고 배기구(150)가 복수개일 경우 복수의 가지로 분지되어 복수의 배기구(150)에 연결될 수 있다. 배기 라인(152)은 예를 들어, 금속, 플라스틱 및 고무 등으로 이루어질 수 있으나 이에 제한되지 않고 다양한 재료로 이루어질 수 있다.The exhaust port 150 and the exhaust member 154 may be connected via an exhaust line 152. In the drawings shown in the present specification, the exhaust line 152 is illustrated as a solid line, but the exhaust line 152 may be a pipe through which a fluid such as air can pass. In one embodiment, the exhaust line 152 is a passage through which the negative pressure provided by the exhaust member 154 can be provided to the exhaust port 150, and the material in the chamber inner space 101 is transferred to the chamber outer space 102 with the provided negative pressure. ) May be a passage that can be discharged. One end of the exhaust line 152 may be connected to the exhaust member 154 and the other end may be connected to the exhaust port 150. The exhaust line 152 may be connected to one exhaust port 150, but is not limited thereto, and when there are a plurality of exhaust ports 150, they may be branched into a plurality of branches and connected to the plurality of exhaust ports 150. The exhaust line 152 may be made of, for example, metal, plastic, rubber, etc., but is not limited thereto and may be made of various materials.

배기구(150)는 스테이지 유닛(200)보다 상대적으로 낮은 부분에 위치할 수 있다. 즉, 하면부(120)의 상면으로부터 측정한 배기구(150)의 높이는 하면부(120)의 상면으로부터 스테이지 유닛(200)의 상면 까지의 높이보다 낮을 수 있다. 따라서, 배기구(150) 부근에서 응축된 물질들이 스테이지 유닛(200) 위로 이동하지 않을 수 있다.The exhaust port 150 may be located at a relatively lower portion than the stage unit 200. That is, the height of the exhaust port 150 measured from the upper surface of the lower surface 120 may be lower than the height from the upper surface of the lower surface 120 to the upper surface of the stage unit 200. Accordingly, condensed substances in the vicinity of the exhaust port 150 may not move onto the stage unit 200.

측면부(130)의 개방된 일측에는 도어(140)가 배치될 수 있다. 도어(140)는 하면부(120)의 상면에 배치된 도어축(141)을 축으로하여 여닫이식으로 개폐될 수 있다. 도어(140)가 열리는 방향은 스테이지 유닛의 반대 방향일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 도어(140)의 개폐를 통해 챔버 내부 공간(101)으로 기판의 반입, 반출이 이루어질 수 있다. 닫힌 상태의 도어(140)는 상면부(110), 하면부(120) 및 스테이지 유닛(200)과 수직하고, 도어(140)와 접하는 측면부(130)와는 수직하되, 도어(140)에 대향하는 측면부(130)와는 평행할 수 있다.A door 140 may be disposed on an open side of the side portion 130. The door 140 may be opened and closed in an opening/closing manner with the door shaft 141 disposed on the upper surface of the lower surface 120 as an axis. The direction in which the door 140 is opened may be a direction opposite to the stage unit, but is not limited thereto. The substrate may be carried in or out of the chamber interior space 101 through the opening and closing of the door 140. The door 140 in a closed state is perpendicular to the upper surface portion 110, the lower surface portion 120, and the stage unit 200, and is perpendicular to the side portion 130 in contact with the door 140, but facing the door 140. It may be parallel to the side portion 130.

챔버(100)의 하면부(120) 상에는 스테이지 유닛(200)이 배치될 수 있다. 스테이지 유닛(200)은 열처리 대상이 되는 기판(300)이 올라가는 평판일 수 있다. 기판(300)은 스테이지 유닛(200)에 올라간 상태로 열처리될 수 있다. 스테이지 유닛(200)은 상면부(110) 및 하면부(120)와 평행할 수 있다. 스테이지 유닛(200)은 측면부(130) 및 도어(140)와 수직할 수 있다.The stage unit 200 may be disposed on the lower surface 120 of the chamber 100. The stage unit 200 may be a flat plate on which the substrate 300 to be heat treated is raised. The substrate 300 may be heat treated while being mounted on the stage unit 200. The stage unit 200 may be parallel to the upper surface portion 110 and the lower surface portion 120. The stage unit 200 may be perpendicular to the side portion 130 and the door 140.

스테이지 유닛(200)은 기판(300)을 열처리하기 위해 필요한 열을 발생시키는 히터(210)를 포함할 수 있다. 히터(210)는 스테이지 유닛(200)의 내부, 하부 및/또는 상부에 위치할 수 있고 또는 스테이지 유닛(200)과 일체화될 수 있지만 이에 제한되지 않고 다양한 형태로 스테이지 유닛(200)에 포함될 수 있다. 히터(210)는 저항을 갖는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열수단으로 제공될 수 있다.The stage unit 200 may include a heater 210 that generates heat required for heat treatment of the substrate 300. The heater 210 may be located inside, below and/or above the stage unit 200 or may be integrated with the stage unit 200, but is not limited thereto and may be included in the stage unit 200 in various forms. . The heater 210 may be provided as a heating means such as a heat wire having resistance or a thermoelectric element.

도시되지 않았지만 히터(210)는 제어 모듈에 의해 작동될 수 있다. 히터(210)의 온도는 80℃ 내지 180℃일 수 있지만 이에 제한되지 않고 히터(210)가 스테이지 유닛(200)에 포함되는 형태에 따라 다양한 온도를 나타낼 수 있다. 기판(300)의 열처리 과정에서, 기판(300)과 히터(210)의 넓이가 동일할 경우 기판(300)의 영역에 따라 전달되는 열의 크기가 다를 수 있다. 구체적으로, 기판(300)의 가장자리 영역은 다른 영역에 비해 전달되는 열의 크기가 작을 수 있다. 따라서, 기판(300) 전체에 균일한 열을 전달하기 위하여 히터(210)의 면적이 기판(300)의 면적보다 충분히 클 수도 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(300)의 가장자리에 대응하여 상술한 히터(210) 이외에 별도의 히터가 더 배치될 수도 있다.Although not shown, the heater 210 may be operated by the control module. The temperature of the heater 210 may be 80° C. to 180° C., but is not limited thereto, and various temperatures may be expressed according to the form in which the heater 210 is included in the stage unit 200. In the heat treatment process of the substrate 300, when the widths of the substrate 300 and the heater 210 are the same, the amount of heat transferred may be different according to the area of the substrate 300. Specifically, the edge region of the substrate 300 may have a smaller amount of heat transferred compared to other regions. Accordingly, the area of the heater 210 may be sufficiently larger than the area of the substrate 300 in order to transmit uniform heat to the entire substrate 300. However, it is not limited thereto. In addition to the heater 210 described above, a separate heater may be further disposed corresponding to the edge of the substrate 300.

스테이지 유닛(200) 상에 올라가는 기판(300)은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer) 또는 유리(glass)를 포함할 수 있다. 기판(300)의 가장자리는 스테이지 유닛(200)의 내측에 위치할 수 있다. 기판(300) 상에는 패턴층(400)이 배치될 수 있다. 패턴층(400)은 패턴 대상 물질을 기판(300) 상에 증착하여 형성된 층일 수 있다. 패턴층(400)은 포토 공정을 거쳐 원하는 패턴으로 만들 수 있다. 패턴층(400)은 일정한 두께를 가질 수 있지만, 이에 제한되지 않고 영역 별로 다른 두께를 가질 수 있다. 패턴층(400)은 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 감압 기상 증착, 상압 기상 증착, 플라즈마 증착, 고밀도 플라즈마 증착 등의 방법으로 기판 상에 증착될 수 있다. 패턴층(400)은 절연막, 금속 도체막 및/또는 반도체막일 수 있으며, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및/또는 폴리 실리콘막 등을 포함할 수 있다.The substrate 300 mounted on the stage unit 200 may include a silicon wafer or glass. The edge of the substrate 300 may be located inside the stage unit 200. A pattern layer 400 may be disposed on the substrate 300. The pattern layer 400 may be a layer formed by depositing a pattern target material on the substrate 300. The pattern layer 400 may be made into a desired pattern through a photo process. The pattern layer 400 may have a certain thickness, but is not limited thereto and may have a different thickness for each region. The pattern layer 400 may be deposited on the substrate by a method such as chemical vapor deposition, physical vapor deposition, reduced pressure vapor deposition, atmospheric vapor deposition, plasma deposition, high-density plasma deposition, or the like. The pattern layer 400 may be an insulating film, a metal conductor film, and/or a semiconductor film, and may include, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, and/or a polysilicon film.

패턴층(400) 상에는 감광 물질로 이루어진 감광막(500)이 배치될 수 있다. 감광 물질은 빛에 노출됨으로써 현상액에 대한 내성이 변화하는 고분자 재료이다. 감광 물질은 용해 특성에 따라 빛에 노출됨으로써 현상액에 대하여 가용성으로 변화하는 양성 감광 물질과, 반대로 빛에 노출됨으로써 현상액에 대하여 불용성으로 변화하는 음성 감광 물질 등으로 나눌 수 있다. 또한, 감광 물질은 감응하는 빛의 종류에 따라 UV 감광 물질, Deep UV 감광물질, 전자 빔 감광 물질, X선 감광 물질 등으로 나눌 수 있다. 감광 물질은 감광액의 형태로 기판(300)에 도포되어 감광막(500)을 형성할 수 있다. 감광막(500)은 일정한 두께를 가질 수 있지만, 이에 제한되지 않고 영역 별로 다른 두께를 가질 수 있다. 감광액은 감광 물질을 용해시킬 때 사용하는 용매(solvent), 감광막(500)의 기계적 성질을 결정하는 중합체(polymer), 빛을 받아 화학반응을 일으키는 감응제(sensitizer)를 포함할 수 있다.A photosensitive film 500 made of a photosensitive material may be disposed on the pattern layer 400. A photosensitive material is a polymer material whose resistance to a developer is changed by exposure to light. The photosensitive material can be divided into a positive photosensitive material that changes to be soluble in a developer by exposure to light according to its dissolution property, and a negative photosensitive material that changes to be insoluble with respect to a developer by exposure to light on the contrary. In addition, the photosensitive material can be classified into a UV photosensitive material, a deep UV photosensitive material, an electron beam photosensitive material, an X-ray photosensitive material, and the like according to the type of light to be sensitive. The photosensitive material may be applied to the substrate 300 in the form of a photoresist to form the photosensitive film 500. The photoresist layer 500 may have a certain thickness, but is not limited thereto and may have a different thickness for each region. The photoresist may include a solvent used to dissolve the photosensitive material, a polymer that determines the mechanical properties of the photosensitive film 500, and a sensitizer that causes a chemical reaction by receiving light.

외측 상면부(112)의 하면 및 측면에는 히팅 블록(160)이 결합될 수 있다. 따라서 히팅 블록(160)은 스테이지 유닛(200)보다 높은 곳에 위치할 수 있다. 히팅 블록(160)은 스테이지 유닛(200)과 비중첩할 수 있다. 또한 히팅 블록(160)은 배기구(150)와 비중첩할 수 있다. 도어(140) 개방 시, 도어(140)측으로 빠져나오는 흄(fume)은 급격한 온도 변화로 인하여 외측 상면부(112)에 응축될 수 있다. 히팅 블록(160)은 발열 장치로서 열을 발생시켜 흄(fume) 상태의 감광 물질이 외측 상면부(112)에 응축되는 것을 억제할 수 있다. 히팅 블록(160)은 저항을 갖는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열수단으로 제공될 수 있다. A heating block 160 may be coupled to a lower surface and a side surface of the outer upper surface part 112. Accordingly, the heating block 160 may be positioned higher than the stage unit 200. The heating block 160 may be non-overlapping with the stage unit 200. In addition, the heating block 160 may be non-overlapping with the exhaust port 150. When the door 140 is opened, fume that escapes toward the door 140 may be condensed on the outer upper surface 112 due to a rapid temperature change. The heating block 160 generates heat as a heat generating device to suppress condensation of the photosensitive material in a fume state on the outer upper surface 112. The heating block 160 may be provided as a heating means such as a heat wire having resistance or a thermoelectric element.

히팅 블록(160)은 흄(fume)이 응축되지 않을 정도의 온도를 제공할 수 있다. 몇몇 실시예에서 히팅 블록(160)은 히터(210)와 동일한 제어 모듈에 의해 제어될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 히팅 블록(160)과 히터(210)는 서로 별개의 제어 모듈에 의해 제어될 수도 있다. 히팅 블록(160)이 히터(210)와 동일한 제어 모듈에 의해 제어될 경우, 히팅 블록(160)과 히터(210)는 동일한 온도로 제어될 수도 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 히팅 블록(160)은 히터(210)보다 낮은 온도로 제어될 수도 있으며, 흄(fume)이 응축될 수 있는 최대 온도보다 높은 온도의 열을 발생시킬 수 있다면 히팅 블록(160)의 기능을 수행할 수 있다. 예시적으로, 탄소 및 불소를 포함하는 감광 물질의 흄(fume)의 경우, 80℃ 미만의 온도에서 응축이 일어날 수 있다. 따라서, 히팅 블록(160)의 온도는 80℃ 이상으로 제어될 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 히팅 블록(160)의 온도는 영역별로 일정할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 영역별로 상이한 온도를 나타낼 수 있다. 예시적으로 히팅 블록(160)은 외측 상면부(112)의 단부에서 온도가 가장 높고 도어(140)측으로 갈수록 온도가 낮아질 수 있다.The heating block 160 may provide a temperature such that fume is not condensed. In some embodiments, the heating block 160 may be controlled by the same control module as the heater 210, but is not limited thereto. The heating block 160 and the heater 210 may be controlled by separate control modules. When the heating block 160 is controlled by the same control module as the heater 210, the heating block 160 and the heater 210 may be controlled at the same temperature. However, the present invention is not limited thereto, and the heating block 160 may be controlled at a temperature lower than that of the heater 210, and if it can generate heat at a temperature higher than the maximum temperature at which fume can be condensed, the heating block ( 160). For example, in the case of a fume of a photosensitive material including carbon and fluorine, condensation may occur at a temperature of less than 80°C. Accordingly, the temperature of the heating block 160 may be controlled to 80° C. or higher, but is not limited thereto. The temperature of the heating block 160 may be constant for each region, but is not limited thereto and may represent a different temperature for each region. For example, the heating block 160 may have the highest temperature at the end of the outer upper surface 112 and may decrease as the temperature increases toward the door 140.

몇몇 실시예에서 히팅 블록(160)은 평평한 외측 상면부(112)에 배치되어 외측 상면부(112)의 하면 및 측면을 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 히팅 블록(160)은 외측 상면부(112)의 하면에 접하고, 절곡되어 외측 상면부(112)의 측면에 접할 수 있다. 히팅 블록(160)의 일면은 외측 상면부(112)와 접하고, 타면은 챔버 외부 공간(102)에 노출될 수 있다. 몇몇 실시예에서 히팅 블록(160)과 외측 상면부(112) 사이에는 접착층이 위치하고 히팅 블록(160)은 상기 접착층을 매개로 외측 상면부(112)에 결합될 수 있다. 이에 제한되지 않고, 히팅 블록(160)은 다양한 형태로 외측 상면부(112)의 하면 및 측면을 커버하도록 결합될 수 있다. 도어(140) 개폐 시, 히팅 블록(160)과 도어(140)가 접촉하지 않도록 도어(140)에 근접한 외측 상면부(112)의 일부 영역에는 히팅 블록(160)이 결합되지 않을 수 있다.In some embodiments, the heating block 160 may be disposed on the flat outer upper surface portion 112 to cover the lower surface and side surfaces of the outer upper surface portion 112. In some embodiments, the heating block 160 may be in contact with the lower surface of the outer upper surface portion 112 and bent to contact the side surface of the outer upper surface portion 112. One surface of the heating block 160 may be in contact with the outer upper surface portion 112 and the other surface may be exposed to the outer space 102 of the chamber. In some embodiments, an adhesive layer is disposed between the heating block 160 and the outer upper surface part 112, and the heating block 160 may be coupled to the outer upper surface part 112 via the adhesive layer. The present invention is not limited thereto, and the heating block 160 may be coupled to cover the lower surface and side surfaces of the outer upper surface part 112 in various forms. When the door 140 is opened or closed, the heating block 160 may not be coupled to a partial area of the outer upper surface 112 adjacent to the door 140 so that the heating block 160 and the door 140 do not contact each other.

도 3은 기판 열처리 장치에서 흄 상태의 감광 물질이 배기구를 통해 외부로 배출되는 것을 나타낸 단면도이다. 도 4는 기판 열처리 공정 중의 스테이지 유닛을 나타낸 사시도이다. 도 5는 기판 열처리 장치에서 흄 상태의 감광 물질이 도어를 통해 빠져나가는 것을 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating that a photosensitive material in a fume state is discharged to the outside through an exhaust port in the substrate heat treatment apparatus. 4 is a perspective view showing a stage unit during a substrate heat treatment process. 5 is a cross-sectional view illustrating that a photosensitive material in a fume state exits through a door in the substrate heat treatment apparatus.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 히터(210)를 이용하여 스테이지 유닛(200) 상에 올라간 기판(300)을 가열하면 패턴층(400)을 통해 감광막(500)에 열이 전달될 수 있다. 감광막(500)에 열이 전달되면 감광막(500)에 포함된 감광 물질이 흄(fume) 상태로 변화할 수 있다. 흄(fume)은 승화, 증류, 화학 반응 등에 의해 발생하는 연기로, 직경 1㎛ 이하의 고체의 미립자 상태를 의미할 수 있다.3 to 5, when the substrate 300 on the stage unit 200 is heated using the heater 210, heat may be transferred to the photosensitive film 500 through the pattern layer 400. When heat is transferred to the photosensitive film 500, the photosensitive material included in the photosensitive film 500 may change into a fume state. The fume is smoke generated by sublimation, distillation, chemical reaction, or the like, and may mean a solid particulate state having a diameter of 1 μm or less.

스테이지 유닛(200)이 포함하는 히터(210)로부터 감광막(500)에 열이 전달되면, 전달된 열로 인해 흄(fume)으로 변화한 감광 물질은 확산에 의해 챔버 내부 공간(101) 전체로 퍼질 수 있다. 흄(fume) 상태의 감광 물질은 도어(140)에 대향하는 측면부(130)의 하단에 형성된 배기구(150)를 통해 챔버 외부 공간(102)으로 배출될 수 있다. 구체적으로, 배기 라인(152)을 통해 배기구(150)에 연결된 배기 부재(154)는 챔버(100)에 음압을 제공하여 챔버 내부 공간(101)에 확산된 흄(fume)을 챔버 외부 공간(102)으로 배출시킬 수 있다. 흄(fume)이 챔버 외부 공간(102)으로 배출될 때, 도어(140)는 닫혀 있을 수 있고, 챔버 내부 공간(101)은 밀폐 상태일 수 있다.When heat is transferred to the photosensitive film 500 from the heater 210 included in the stage unit 200, the photosensitive material changed into fume due to the transferred heat may spread to the entire interior space 101 of the chamber by diffusion. have. The photosensitive material in a fume state may be discharged to the outer space 102 of the chamber through the exhaust port 150 formed at the lower end of the side portion 130 facing the door 140. Specifically, the exhaust member 154 connected to the exhaust port 150 through the exhaust line 152 provides a negative pressure to the chamber 100 so that the fume diffused into the chamber inner space 101 is transferred to the outer space 102 of the chamber. ) Can be discharged. When fume is discharged into the chamber outer space 102, the door 140 may be closed, and the chamber inner space 101 may be closed.

챔버 내부 공간(101)에 기판(300)을 반입, 반출하기 위하여 도어(140)를 개방할 수 있다. 도어(140)가 개방된 상태에서도 배기 부재(154)가 계속 작동하여 흄(fume)은 배기구(150)를 통해 챔버 외부 공간(102)으로 빠져나갈 수 있다. 그러나 도어(140)가 개방되는 경우, 흄(fume)의 일부는 도어(140)를 통해 챔버 외부 공간(102)으로 빠져나갈 수 있다. 개방된 도어(140)를 통해 챔버 외부 공간(102)으로 빠져나가는 흄(fume)은 히팅 블록(160)이 제공하는 열로 인하여 외측 상면부(112)에 응축되지 않을 수 있다. 이 때, 히팅 블록(160)은 해당 흄(fume)의 응축 온도 이상의 온도로 제어될 수 있다.The door 140 may be opened to carry the substrate 300 into and out of the chamber inner space 101. Even when the door 140 is open, the exhaust member 154 continues to operate so that the fume may escape to the outer space 102 of the chamber through the exhaust port 150. However, when the door 140 is opened, a part of the fume may escape to the outer space 102 of the chamber through the door 140. The fume exiting the chamber outer space 102 through the open door 140 may not be condensed on the outer upper surface 112 due to heat provided by the heating block 160. In this case, the heating block 160 may be controlled to a temperature equal to or higher than the condensation temperature of the fume.

도 6은 기판 열처리 장치에서 흄 상태의 감광 물질이 도어를 통해 빠져나가 외측 상면부에 응축되는 것을 나타낸 단면도이다. 도 7은 기판 열처리 장치에서 외측 상면부에 응축된 감광 물질이 기판 위로 떨어지는 것을 나타낸 도이다.6 is a cross-sectional view illustrating that a photosensitive material in a fume state exits through a door and is condensed on an outer upper surface of the substrate heat treatment apparatus. 7 is a diagram illustrating that a photosensitive material condensed on an outer upper surface of the substrate heat treatment apparatus falls onto a substrate.

도 6 및 도 7을 참조하여 비교 실시예에 따른 기판 열처리 장치(11)에 대해 설명한다. 비교 실시예에 따른 기판 열처리 장치(11)는 외측 상면부(112)에 히팅 블록(160)이 결합되지 않을 수 있다. 따라서, 흄(fume) 상태의 감광 물질이 도어(140)를 빠져나갈 때 급격한 온도 변화로 인하여 외측 상면부(112)의 하면에 응축될 수 있다. 챔버 내부 공간(101)에 존재하는 히터(210)로 인해 챔버 내부 공간(101)에 가까울수록 높은 온도를 나타낼 수 있다. 따라서, 외측 상면부(112) 하면에 응축되는 응축 감광 물질(510)의 양은 도어(140)에 가까운 영역으로부터 외측 상면부(112)의 단부측으로 갈수록 증가할 수 있다. 도 6에는 응축 감광 물질(510)이 외측 상면부(112)의 하면에 응축된 것을 도시하였으나 이에 제한되지 않고, 외측 상면부(112)의 측면에 응축될 수도 있다.A substrate heat treatment apparatus 11 according to a comparative example will be described with reference to FIGS. 6 and 7. In the substrate heat treatment apparatus 11 according to the comparative example, the heating block 160 may not be coupled to the outer upper surface 112. Accordingly, when the photosensitive material in a fume state exits the door 140, it may condense on the lower surface of the outer upper surface 112 due to a rapid temperature change. Due to the heater 210 existing in the chamber inner space 101, the closer to the chamber inner space 101, the higher the temperature may be. Accordingly, the amount of the condensed photosensitive material 510 condensed on the lower surface of the outer upper surface part 112 may increase from a region close to the door 140 toward the end of the outer upper surface part 112. 6 illustrates that the condensed photosensitive material 510 is condensed on the lower surface of the outer upper surface portion 112, the present invention is not limited thereto, and may be condensed on the side surface of the outer upper surface portion 112.

도어(140)를 통해 챔버 내부 공간(101)에서 기판(300)을 반입, 반출하는 과정에서 기판(300)이 외측 상면부(112)의 아래를 통과할 때, 외측 상면부(112)의 하면에 응축된 응축 감광 물질(510)이 기판(300) 위로 떨어질 수 있다. 기판(300) 상에 떨어진 응축 감광 물질(510)은 해당 기판(300)에 불량을 발생시킬 수 있다. 기판(300) 상에 떨어진 응축 감광 물질(510)로 인한 불량에 대해서는 도 8을 참조하여 후술하기로 한다.When the substrate 300 passes under the outer upper surface 112 in the process of carrying the substrate 300 in and out of the chamber inner space 101 through the door 140, the lower surface of the outer upper surface 112 The condensed photosensitive material 510 condensed in may fall onto the substrate 300. The condensed photosensitive material 510 dropped on the substrate 300 may cause a defect in the corresponding substrate 300. Defects due to the condensed photosensitive material 510 dropped on the substrate 300 will be described later with reference to FIG. 8.

도시하지는 않았지만, 흄(fume)이 배기구(150)를 통해 챔버 외부 공간(102)으로 배출될 때, 배기구(150) 부근에서 흄(fume)이 응축될 수 있다. 그러나 앞서 배기구(150)의 위치와 관련하여 서술한 바와 같이, 배기구(150)는 스테이지 유닛(200)보다 낮은 곳에 위치할 수 있으므로 배기구(150) 부근에 응축된 물질은 스테이지 유닛(200) 위에 올라가는 기판(300)에 영향을 주지 않을 수 있다.Although not shown, when fume is discharged to the outer space 102 of the chamber through the exhaust port 150, the fume may be condensed in the vicinity of the exhaust port 150. However, as previously described in relation to the location of the exhaust port 150, since the exhaust port 150 may be located lower than the stage unit 200, the material condensed near the exhaust port 150 rises above the stage unit 200. It may not affect the substrate 300.

도 8은 기판 상에 떨어진 응축 감광 물질로 인해 불량이 발생한 기판을 현미경으로 관찰한 사진이다.8 is a photograph of a substrate in which defects have occurred due to a condensed photosensitive material dropped on the substrate, and observed with a microscope.

도 8을 참조하여 기판(300) 상에 떨어진 응축 감광 물질(510)로 인한 불량에 대해 설명한다. 기판(300) 위에 응축 감광 물질(510)이 존재할 경우, 포토 공정을 통해 원하는 패턴을 만드는 것이 어려울 수 있다. 다시 말해, 포토 공정 결과로 의도하지 않은 감광막 패턴(521)과 그에 대응하는 패턴(420)이 형성될 수 있다. 또한, 스트립 공정이 수행되어도 패턴(420) 위에 감광 물질(512)이 잔존할 수 있다. 도 8에서 원 형태의 어두운 영역은 패턴(420) 위에 잔존하는 감광 물질(512)일 수 있다. 잔존 감광 물질(512)은 탄소 및 불소 등, 응축 감광 물질(510)의 성분을 포함할 수 있다.Defects due to the condensed photosensitive material 510 dropped on the substrate 300 will be described with reference to FIG. 8. When the condensed photosensitive material 510 is present on the substrate 300, it may be difficult to create a desired pattern through a photo process. In other words, an unintended photoresist pattern 521 and a pattern 420 corresponding thereto may be formed as a result of the photo process. In addition, even when the strip process is performed, the photosensitive material 512 may remain on the pattern 420. In FIG. 8, the circular dark area may be the photosensitive material 512 remaining on the pattern 420. The remaining photosensitive material 512 may include components of the condensed photosensitive material 510, such as carbon and fluorine.

그러나 도 2의 실시예에 따른 기판 열처리 장치(10)는 외측 상면부(112)에 히팅 블록(160)을 결합함으로써 외측 상면부(112)의 하면 및 측면의 온도를 높여 흄(fume) 상태의 감광 물질이 외측 상면부(112)에 응축되는 것을 억제할 수 있고, 위와 같은 기판(300) 불량을 최소화할 수 있다.However, the substrate heat treatment apparatus 10 according to the embodiment of FIG. 2 increases the temperature of the lower surface and the side surface of the outer upper surface 112 by coupling the heating block 160 to the outer upper surface part 112 to be in a fume state. It is possible to suppress condensation of the photosensitive material on the outer upper surface portion 112 and minimize the defects of the substrate 300 as described above.

도 9는 다른 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to another embodiment.

도 2 및 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 열처리 장치(12)는 히팅 블록(162)이 외측 상면부(112)의 하면 및 측면뿐만 아니라, 내측 상면부(111)의 하면에도 위치한다는 점에서 도 2의 실시예에 따른 기판 열처리 장치(12)와 차이가 있다. 이 경우에도, 도어(140) 개폐 시, 히팅 블록(162)과 도어(140)가 접촉하지 않도록 도어(140)에 근접한 상면부(110)의 일부 영역에는 히팅 블록(162)이 결합되지 않을 수 있다.2 and 9, in the substrate heat treatment apparatus 12 according to the present embodiment, the heating block 162 is located not only on the lower surface and the side surface of the outer upper surface portion 112, but also on the lower surface of the inner upper surface portion 111 In that it is different from the substrate heat treatment apparatus 12 according to the embodiment of FIG. 2. Even in this case, when the door 140 is opened and closed, the heating block 162 may not be coupled to a partial area of the upper surface portion 110 adjacent to the door 140 so that the heating block 162 and the door 140 do not contact. have.

본 실시예에 따른 기판 열처리 장치(12)는 히팅 블록(162)이 내측 상면부(111)의 하면에 위치하게 되므로 챔버 내부 공간(101)에 보다 많은 열을 제공할 수 있다. 따라서, 히팅 블록(162) 결합을 통해 흄(fume) 상태의 감광 물질이 외측 상면부(112)에 응축되는 것을 억제하여 기판(300)에 불량이 발생하는 것을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 챔버 내부 공간(101)에 보다 많은 열을 제공하여 기판(300)의 열처리 공정이 효과적으로 수행되게 할 수 있고, 챔버 내부 공간(101)에서의 흄(fume)의 확산을 촉진시켜 배출이 원활하게 이루어지도록 할 수 있다.In the substrate heat treatment apparatus 12 according to the present embodiment, since the heating block 162 is positioned on the lower surface of the inner upper surface 111, more heat can be provided to the interior space 101 of the chamber. Therefore, by combining the heating block 162, it is possible to minimize the occurrence of defects in the substrate 300 by suppressing condensation of the photosensitive material in a fume state on the outer upper surface part 112, as well as By providing more heat to the space 101, the heat treatment process of the substrate 300 can be effectively performed, and the diffusion of fume in the interior space 101 of the chamber is promoted to facilitate discharge. I can.

다른 사항에 대하여는 도 1 내지 도 7을 참조하여 상술한 바와 동일 또는 유사하므로 이에 대한 추가적인 상세한 설명은 생략한다.Other details are the same as or similar to those described above with reference to FIGS. 1 to 7, and thus additional detailed descriptions thereof will be omitted.

도 10은 또 다른 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 단면도이다.10 is a cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to another embodiment.

도 2 및 도 10을 참조하면, 도 10에 따른 실시예에 따른 기판 열처리 장치(13)는 서로 이격된 복수개의 히팅 블록(164)을 포함한다는 점에서 도 2의 기판 열처리 장치(10)와 차이가 있다. 본 실시예의 히팅 블록(164)은 막대 형상일 수 있으며, 일정 거리만큼 서로 이격되어 결합될 수 있다. 일 실시예로 각 히팅 블록(164)의 단폭 만큼 이격될 수 있다. 각각의 히팅 블록(164)은 모두 동일한 제어 모듈에 의해 제어되어 동일한 온도를 나타낼 수 있으나, 이에 제한되지 않고 서로 다른 제어 모듈에 의해 제어되어 서로 다른 온도를 제공할 수도 있다. 일 실시예로, 복수개의 히팅 블록(164)의 온도는 외측 상면부(112)의 단부로부터 도어(140)측으로 갈수록 온도가 낮아질 수 있다. 히팅 블록(164) 결합을 통해 외측 상면부(112)의 하면 및 측면의 온도를 높여 흄(fume) 상태의 감광 물질이 외측 상면부(112)에 응축되는 것을 억제할 수 있고, 기판(300) 불량을 최소화할 수 있다.2 and 10, the substrate heat treatment apparatus 13 according to the embodiment according to FIG. 10 is different from the substrate heat treatment apparatus 10 of FIG. 2 in that it includes a plurality of heating blocks 164 spaced apart from each other. There is. The heating block 164 of the present embodiment may have a rod shape, and may be separated from each other by a predetermined distance to be combined. In one embodiment, each heating block 164 may be spaced apart by a short width. Each of the heating blocks 164 may be controlled by the same control module to exhibit the same temperature, but is not limited thereto and may be controlled by different control modules to provide different temperatures. In one embodiment, the temperature of the plurality of heating blocks 164 may decrease from the end of the outer upper surface 112 toward the door 140. By combining the heating block 164, the temperature of the lower surface and the side surface of the outer upper surface part 112 is increased to suppress condensation of the photosensitive material in a fume state on the outer upper surface part 112, and the substrate 300 Defects can be minimized.

도 11은 또 다른 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 단면도이다.11 is a cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to another embodiment.

도 2 및 도 11을 참조하면, 도 11에 따른 실시예에 따른 기판 열처리 장치(14)는 히팅 블록(166)이 외측 상면부(112)의 상면에 결합된다는 점에서 도 2의 기판 열처리 장치(10)와 차이가 있다. 본 실시예의 히팅 블록(166)에 열이 가해질 경우, 외측 상면부(112)의 두께 방향으로 열이 전도되어 외측 상면부(112)의 하면까지 열이 전달될 수 있다. 따라서, 히팅 블록(166) 결합을 통해 외측 상면부(112)의 하면 및 측면의 온도를 높여 흄(fume) 상태의 감광 물질이 외측 상면부(112)에 응축되는 것을 억제할 수 있고, 기판(300)에 불량이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.2 and 11, in the substrate heat treatment apparatus 14 according to the embodiment according to FIG. 11, in that the heating block 166 is coupled to the upper surface of the outer upper surface part 112, the substrate heat treatment apparatus ( There is a difference with 10). When heat is applied to the heating block 166 of the present embodiment, heat may be conducted in the thickness direction of the outer upper surface part 112 and heat may be transferred to the lower surface of the outer upper surface part 112. Therefore, by combining the heating block 166, the temperature of the lower surface and the side surface of the outer upper surface part 112 is increased to suppress condensation of the photosensitive material in a fume state on the outer upper surface part 112, and the substrate ( 300) can minimize the occurrence of defects.

도 12는 또 다른 실시예에 따른 기판 열처리 장치의 단면도이다.12 is a cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to another embodiment.

도 2 및 도 12를 참조하면, 도 12에 따른 실시예에 따른 기판 열처리 장치(15)는 히팅 블록(168)이 외측 상면부(112)의 내부에 포함된다는 점에서 도 2의 기판 열처리 장치(10)와 차이가 있다. 본 실시예의 히팅 블록(168)에 열이 가해질 경우, 외측 상면부(112)의 위, 아래 두께 방향으로 열이 전도되어 외측 상면부(112)의 하면 및 측면으로 열이 전달될 수 있다. 따라서, 히팅 블록(168) 결합을 통해 외측 상면부(112)의 하면 및 측면의 온도를 높여 흄(fume) 상태의 감광 물질이 외측 상면부(112)에 응축되는 것을 억제할 수 있고, 기판(300)에 불량이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.2 and 12, the substrate heat treatment apparatus 15 according to the embodiment according to FIG. 12 includes the heating block 168 inside the outer upper surface portion 112, so that the substrate heat treatment apparatus of FIG. 2 ( There is a difference with 10). When heat is applied to the heating block 168 of the present embodiment, heat is conducted in the upper and lower thickness directions of the outer upper surface part 112 so that heat may be transferred to the lower surface and side surfaces of the outer upper surface part 112. Therefore, by combining the heating block 168, the temperature of the lower surface and the side surface of the outer upper surface part 112 is increased to suppress condensation of the photosensitive material in a fume state on the outer upper surface part 112, and the substrate ( 300) can minimize the occurrence of defects.

이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 본 발명을 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the present invention has been described centering on the embodiments of the present invention, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention pertains will not depart from the essential characteristics of the embodiments of the present invention. It will be appreciated that various modifications and applications not exemplified above are possible within a range not described above. For example, each component specifically shown in the embodiment of the present invention can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

10: 기판 열처리 장치
110: 상면부
120: 하면부
140: 도어
160: 히팅 블록
200: 스테이지 유닛
300: 기판
400: 패턴층
500: 감광막10: substrate heat treatment apparatus
110: upper surface
120: lower surface
140: door
160: heating block
200: stage unit
300: substrate
400: pattern layer
500: photoresist film

Claims (18)

하면부;
상기 하면부 상에 위치하고 기판을 지지하는 스테이지 유닛;
상기 스테이지 유닛 상에 위치하는 상면부;
상기 하면부 및 상기 상면부와 연결되고 일측이 개방된 측면부;
상기 측면부의 개방된 상기 일측에 위치하고, 개폐 가능하도록 구성된 도어;
상기 측면부에 위치하고 배기 부재와 연결된 배기구;
상기 스테이지 유닛의 내부에 위치하고 상기 기판에 열을 제공하도록 구성된 히터; 및
상기 상면부에 결합된 히팅 블록을 포함하고,
상기 상면부는 상기 도어를 사이에 두고 상기 스테이지 유닛의 반대측에 위치하는 외측 상면부 및 상기 스테이지 유닛과 중첩하는 부분을 포함하며 상기 외측 상면부와 연결된 내측 상면부를 포함하고,
상기 히팅 블록은 상기 외측 상면부에 결합된 기판 열처리 장치.Lower part;
A stage unit positioned on the lower surface and supporting a substrate;
An upper surface portion positioned on the stage unit;
A side portion connected to the lower surface portion and the upper surface portion and having one side open;
A door positioned on the opened side of the side portion and configured to be openable and closed;
An exhaust port located on the side and connected to an exhaust member;
A heater positioned inside the stage unit and configured to provide heat to the substrate; And
Including a heating block coupled to the upper surface,
The upper surface portion includes an outer upper surface portion positioned on the opposite side of the stage unit with the door interposed therebetween, and a portion overlapping the stage unit, and includes an inner upper surface portion connected to the outer upper surface portion,
The heating block is a substrate heat treatment apparatus coupled to the outer upper surface. 제1 항에 있어서,
상기 히팅 블록은 상기 외측 상면부의 하면 및 측면에 결합된 기판 열처리 장치.The method of claim 1,
The heating block is a substrate heat treatment apparatus coupled to a lower surface and a side surface of the outer upper surface portion. 제2 항에 있어서,
상기 내측 상면부의 하면에 결합된 히팅 블록을 더 포함하는 기판 열처리 장치.The method of claim 2,
A substrate heat treatment apparatus further comprising a heating block coupled to a lower surface of the inner upper surface portion. 제1 항에 있어서,
상기 히팅 블록은 복수개이며, 서로 이격되어 결합된 기판 열처리 장치.The method of claim 1,
The plurality of heating blocks are spaced apart from each other and are combined with each other. 제4 항에 있어서,
복수개의 상기 히팅 블록은 서로 온도가 상이하게 제어되는 기판 열처리 장치.The method of claim 4,
A substrate heat treatment apparatus in which temperatures of the plurality of heating blocks are controlled to be different from each other. 제5 항에 있어서,
상기 히팅 블록의 온도는 상기 도어와 가까워질수록 낮아지는 기판 열처리 장치.The method of claim 5,
A substrate heat treatment apparatus that decreases the temperature of the heating block as it approaches the door. 제1 항에 있어서,
상기 히팅 블록은 상기 외측 상면부의 상면에 결합된 기판 열처리 장치.The method of claim 1,
The heating block is a substrate heat treatment apparatus coupled to the upper surface of the outer upper surface portion. 제1 항에 있어서,
상기 히팅 블록은 상기 외측 상면부의 내부에 위치하는 기판 열처리 장치.The method of claim 1,
The heating block is a substrate heat treatment apparatus located inside the outer upper surface portion. 제1 항에 있어서,
상기 히팅 블록 및 상기 히터는 서로 다른 제어 모듈에 의해 제어되는 기판 열처리 장치.The method of claim 1,
The heating block and the heater are controlled by different control modules. 제9 항에 있어서,
상기 히팅 블록의 온도는 상기 히터의 온도보다 같거나 낮은 기판 열처리 장치.The method of claim 9,
A substrate heat treatment apparatus having a temperature of the heating block equal to or lower than a temperature of the heater. 제1 항에 있어서,
상기 배기구는 상기 스테이지 유닛의 상면보다 낮은 곳에 위치하는 기판 열처리 장치.The method of claim 1,
The exhaust port is a substrate heat treatment apparatus located lower than the upper surface of the stage unit. 제11 항에 있어서,
상기 배기 부재는 상기 배기구에 음압을 제공하는 기판 열처리 장치.The method of claim 11,
The exhaust member is a substrate heat treatment apparatus for providing a negative pressure to the exhaust port. 제1 항에 있어서,
상기 도어는 상기 하면부 상에 위치하는 도어축에 의해 여닫이 방식으로 개폐되는 기판 열처리 장치.The method of claim 1,
The substrate heat treatment apparatus for opening and closing the door in an opening and closing manner by a door shaft positioned on the lower surface. 제1 항에 있어서,
상기 히팅 블록은 상기 스테이지 유닛과 비중첩하는 기판 열처리 장치.The method of claim 1,
The heating block is a substrate heat treatment apparatus that is non-overlapping with the stage unit. 제1 항에 있어서,
상기 히팅 블록은 상기 배기구와 비중첩하는 기판 열처리 장치.The method of claim 1,
The heating block is a substrate heat treatment apparatus that is non-overlapping with the exhaust port. 제1 항에 있어서,
상기 히팅 블록의 온도는 80℃ 내지 150℃인 기판 열처리 장치.The method of claim 1,
The temperature of the heating block is 80 ℃ to 150 ℃ substrate heat treatment apparatus. 제1 항에 있어서,
상기 히팅 블록은 상기 스테이지 유닛보다 높은 곳에 위치하는 기판 열처리 장치.The method of claim 1,
The heating block is a substrate heat treatment apparatus positioned higher than the stage unit. 챔버 내부 공간 및 외부 공간을 포함하는 챔버에 있어서,
상기 챔버 내부 공간과 상기 외부 공간을 구획하는 도어를 포함하는 챔버;
상기 챔버 내부 공간에 위치하고 기판을 지지하는 스테이지 유닛;
상기 외부 공간에 위치하는 배기 부재와 연결되고 상기 챔버에 위치하는 배기구;
상기 스테이지 유닛의 내부에 위치하고 상기 기판에 열을 제공하도록 구성된 히터; 및
상기 외부 공간에 위치하고 상기 챔버에 결합되며 열을 제공하도록 구성된 히팅 블록을 포함하는 기판 열처리 장치.
In a chamber including an inner space and an outer space of the chamber,
A chamber including a door partitioning the inner space of the chamber and the outer space;
A stage unit positioned in the interior space of the chamber and supporting a substrate;
An exhaust port connected to an exhaust member positioned in the outer space and positioned in the chamber;
A heater positioned inside the stage unit and configured to provide heat to the substrate; And
A substrate heat treatment apparatus including a heating block positioned in the outer space and coupled to the chamber and configured to provide heat.
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