KR20210044537A - 복사 열원을 이용한 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20210044537A
KR20210044537A KR1020190127813A KR20190127813A KR20210044537A KR 20210044537 A KR20210044537 A KR 20210044537A KR 1020190127813 A KR1020190127813 A KR 1020190127813A KR 20190127813 A KR20190127813 A KR 20190127813A KR 20210044537 A KR20210044537 A KR 20210044537A
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 다공성 재질로 형성되어 평탄한 상면에 거치한 상태에서, 다공 플레이트에 흡입압을 인가하여 기판을 흡착 고정한 상태에서, 다공 플레이트로부터 하측에 이격 배치된 열원으로 다공 플레이트를 가열하는 것에 의하여 기판의 상면에 도포된 약액을 건조시키는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

복사 열원을 이용한 기판 처리 장치 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING RADIANT HEAT SOURCE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판의 휨 변형에도 클램핑없이 정확히 기판을 흡착 고정시키면서, 건조 공정 중에 기판에 도포된 약액의 유동을 억제하여 얼룩없이 약액을 건조시키는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 패키지를 제조하거나 디스플레이 장치를 제조하는 공정에서 기판('웨이퍼'를 포함한다)을 위치 고정시킨 상태로 기판에 도포된 약액의 건조 공정 등 다양한 처리 공정이 행해진다.
기판의 다양한 처리 공정이 행해지는 동안에 기판이 이동하면서 행해지는 경우도 있지만, 대부분은 기판을 위치 고정한 상태에서 기판에 대한 도포, 식각, 건조 등의 처리 공정이 행해진다. 그리고, 기판의 위치 고정을 위하여 기판의 저면에 흡입압이 인가되는 구성을 구비한다.
예를 들어, 도1 및 도2에 도시된 종래의 기판 처리 장치(9)는, 다수의 돌기(15)가 돌출 형성되어 기판(G)을 돌기 상에 안착시키는 거치 플레이트(10)와, 거치 플레이트(10)에 흡입압을 인가하는 공압 조절부(20)와, 거치 플레이트(10)에 거치된 기판(G)을 가열하는 열선(40)으로 이루어진다.
거치 플레이트(10)에는 공압 조절부(20)로부터 흡입압이 인가될 수 있도록 흡입구(10a)가 다수 형성되어 있으므로, 기판(G)이 거치 플레이트(10) 상에 거치되면, 공압 조절부(20)로부터 흡입 유로(22)를 거쳐 흡입구(10a)를 통해 기판(G)의 저면에 흡입압을 인가하여, 기판(G)을 거치 플레이트(10)에 밀착시킨다. 기판(G)이 거치 플레이트(10)에 밀착되면, 열선(40)이 가열되면서 거치 플레이트(10)에 거치된 기판(G) 상의 약액을 건조시킨다.
기판(G)의 상측에 열원이 배치되면, 약액이 상부에서부터 가열되면서 건조되어, 약액 내부가 나중에 가열되면서 발생되는 기포 등에 의한 얼룩이 발생될 수 있다. 따라서, 도1 및 도2에 도시된 바와 같이, 기판(G)의 하측에 열선(40)을 배치하여 기판(G)에 도포되어 있는 약액의 하부에서부터 가열함으로써, 건조 공정 중에 약액의 상하 유동을 억제하는 효과를 얻을 수 있다.
그러나, 도3에 도시된 바와 같이, 열선(40)은 자체로 사이 틈새가 존재할 뿐만 아니라 거치 플레이트(10)의 전체에 걸쳐 균일하게 분산 배치되는 데 한계가 있으므로, 열선(40)과 근접한 부분과 열선(40)으로부터 멀리 떨어진 위치에서의 가열 편차가 발생된다. 이에 따라, 기판(G)의 상면에 도포되어 있는 약액(미도시)에는 가열 편차에 따른 유동이 발생되어 약액의 얼룩이 발생되는 문제가 야기되었다.
이 뿐만 아니라, 도1 및 도2에 도시된 거치 플레이트(10)에 기판(G)을 거치시킨 상태로 약액을 건조시키는 경우에는, 기판(G)이 돌기(15) 상에 거치됨에 따라, 열선(40)으로부터 돌기(15)를 거쳐 열전도에 의해 열량(Q1)이 전달되는 부분(YY)과 거치 플레이트(10)로부터 공기를 거쳐 열대류에 의한 열량(Q2)이 전달되는 부분(ZZ) 사이에는 가열량 편차가 발생된다. 따라서, 기판(G)의 가열량의 편차로 인한 약액의 얼룩 문제가 발생되는 한계가 있었다.
특히, 반도체 패키지를 제조하는 경우에는, 기판(G)의 가열량 편차가 0.5℃를 초과하면, 패턴이 드러나 보일 정도로 얼룩의 문제가 심각해진다. 이로 인하여, 기판을 가열함에 있어서 열전도에 의한 직접 가열 방식으로는 한계가 있었다. 한편, 기판의 저면에 고온 기체를 유입하여 대류에 의한 열전달로 약액을 건조시키는 시도가 있었지만, 대류에 의한 열전달 방식을 채택하기 위해서는 기판을 견고하게 위치 고정시킬 수 없는 한계가 있었다.
따라서, 기판(G)을 거치한 상태로 기판 하부로부터 가열하여 약액을 건조시키는 과정에서, 기판(G)을 확실하게 흡착 고정시키면서도 기판(G)의 가열량의 편차를 0.5℃ 이하의 범위 내에서 제한하는 방안의 필요성이 절실히 요구되고 있다.
한편, 기판 처리 장치(9)로 공급되는 기판(G)이 완전히 수평인 평탄면 형상인 것이 바람직하지만, 경우에 따라서는 중앙부가 하방 또는 상방으로 볼록한 휨 변형(warpage)이 생길 수 있다. 이 경우에는, 기판의 가장자리나 중앙부가 보다 상측으로 들린 상태이므로, 상측으로 들린 부분에 흡입력이 충분히 작용하지 못하여, 기판(G)을 거치 플레이트(10)에 밀착시키는 것이 어려워지는 한계가 있다.
이와 같은 문제를 해결하기 위하여, 종래에는 기판(G)이 거치 플레이트(10)에 거치되면, 거치 플레이트(10)에 배열된 다수의 흡입구(10a)를 통해 흡입압을 인가하면서, 기판(G)의 가장자리를 클램프(미도시)로 눌러 거치 플레이트(10)에 밀착시키는 공정이 행해져왔다. 그러나, 클램프에 의해 기판(G)의 가장자리를 하방으로 눌러 기판을 평탄하게 고정시키기 위해서는, 적어도 기판의 가장자리 일부는 소정의 기능을 행하는 활성 영역이 배치되지 못하므로, 기판의 활용도가 낮아지는 문제가 야기된다. 특히, 최근에는 기판(G)의 가장자리까지 활성 영역으로 사용하고자 하는 시도가 이루어지고 있으므로, 클램프로 기판(G)의 가장자리를 가압하는 방식을 배제하고자 하는 시도가 다방면으로 시도되고 있다.
따라서, 기판(G)의 형상이 상방으로 볼록하거나 하방으로 볼록한 형상에 무관하게, 기판(G)의 가장자리를 클램핑하지 않으면서 플레이트 표면에 확실하게 밀착 고정시키는 필요성이 절실히 요구되고 있다.
본 발명은 약액이 도포된 기판을 클램핑없이 플레이트 표면에 밀착 고정시키고, 기판의 하측에서 가열하여 약액을 건조시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 플레이트 표면에 흡착 고정된 기판에 대하여 하측에서 균일하게 가열하여 약액을 얼룩없이 건조시키는 것을 목적으로 한다.
이와 동시에, 본 발명은 기판의 가장자리 부분에 물리적인 클램핑을 배제하면서도 플레이트 상에 밀착 고정시켜, 전체 표면에 약액이 도포된 기판에 대해서도 약액 건조 공정을 행하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은 기판에 도포된 약액의 건조 공정 중에, 기판을 흡입 고정하기 위한 흡입공이나 거치부에 의한 온도 편차로 약액의 얼룩이 발생되는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다.
상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명은, 다공성 재질로 형성되어 평탄한 상면에 거치한 상태에서, 다공 플레이트에 흡입압을 인가하여 기판을 흡착 고정한 상태에서, 다공 플레이트로부터 하측에 이격 배치된 열원으로 다공 플레이트를 가열하는 것에 의하여 기판의 상면에 도포된 약액을 건조시키는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '흡입압'은 공압 조절부로부터 인가되는 부압을 지칭하는 것으로 정의한다.
본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '진공 상태'는 공압 조절부로부터 인가되는 부압에 의해 대기압보다 낮은 압력 상태를 지칭하는 것으로 정의한다.
본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '흡입력'은 기판이 안착되는 다공 플레이트로부터 기판을 잡아당기는 힘을 지칭하는 것으로 정의한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 다공 플레이트 표면에 기판을 평탄하게 흡착 고정시키면서도, 다공 플레이트의 하측에서 다공 플레이트를 균일하게 열복사에 의해 가열하여 온도차에 의한 기판의 약액 유동을 억제하여 얼룩없이 약액을 건조시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 기판의 가장자리 부분에 물리적인 클램핑을 배제하면서도 플레이트 상에 기판을 평탄하게 밀착 고정시킴으로써, 전체 표면에 약액이 도포된 기판에 대해서도 건조 처리 공정이 행해지는 효과를 얻을 수 있다.
그리고, 본 발명은, 다공 플레이트의 중앙부에 비하여 가장자리에서 보다 큰 흡입력을 작용시킴으로써, 기판의 휨 변형에 의해 기판 가장자리가 다공 플레이트로부터 멀리 이격되더라도 기판을 확실하게 평탄한 상태로 밀착 고정시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
도1은 종래의 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면,
도2는 도1의 횡단면도,
도3은 도1의 작용 원리를 설명하기 위한 도2의 'A'부분의 확대도,
도4는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면,
도5a는 도4의 횡단면도,
도5b는 도5a와 직각인 절단선에 의해 절단된 횡단면도,
도6은 도4의 'B'부분(기판 거치부)의 확대도,
도7은 도6의 절단선 V-V에 따른 횡단면도,
도8은 도7의 'C'부분의 확대도,
도9는 도6의 기판 처리 장치의 기판 거치부의 작동 원리를 설명하기 위한 도면,
도10는 도4의 'B'부분(기판 거치부)에 대응하는 다른 실시 형태를 도시한 도면,
도11은 도10의 절단선 X-X에 따른 단면도,
도12는 도12의 'D'부분의 확대도,
도13a는 도10의 흡입 플레이트의 저면을 도시한 도면,
도13b는 도10의 흡입 플레이트의 상면을 도시한 도면,
도14는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기판 거치부의 구성을 도시한 도면이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 기판(G)을 상면에 거치시킨 상태로 흡착 고정하는 다공 플레이트(110)와, 다공 플레이트(110)의 저면에 위치한 흡입 챔버(Cv)에 공압 형태의 흡입압을 인가하는 공압 조절부(120)와, 다공 플레이트(110)를 고정하는 케이싱(130)과, 다공 플레이트(110)의 하측에 이격 배치되어 다공 플레이트(110)를 가열하는 열원(140)과, 열원(140)을 밀폐 공간(Cq)에 수용하도록 중공부가 형성된 밀폐 케이스(150)를 포함하여 구성된다.
상기 다공 플레이트(110)는, 도6 및 도7에 도시된 바와 같이, 다공성 재질로 형성되고, 케이싱(130)에 둘러싸인 상태로 배치되며, 케이싱(130)의 내벽과 다공 플레이트(110)의 외측면은 상호 일체 결합된다. 예를 들어, 다공 플레이트(110)의 외측면과 케이싱(130)의 내벽은 접착제에 의해 고정될 수 있다.
도7에 도시된 바와 같이, 다공 플레이트(110)는 중앙부(CC)에서의 두께(tc)는 가장자리(EE)에서의 두께(te)에 비하여 더 두껍게 형성되어, 다공 플레이트의 중앙부와 가장자리 사이에 두께 편차를 갖도록 형성된다. 도면에 도시되지 않았지만, 다공 플레이트(110)의 중앙부(CC)와 가장자리(EE)까지의 두께 변동은 단(段)을 하나 또는 다수 형성하면서 두께 편차를 갖도록 형성될 수도 있고, 도면에 도시된 바와 같이 완만한 유선형 형태로 두께 편차를 형성할 수도 있다.
다공 플레이트(110)의 상면에는 다공성 필름(미도시)가 부착된 상태로 사용될 수 있다. 이를 통해, 기판(G)에 대한 처리 공정을 반복하면서 손상되거나 마모되는 부분을 다공성 필름으로 유도함으로써, 소모품인 다공성 필름을 주기적으로 교체하는 것에 의하여 다공 플레이트(110)를 반영구적으로 사용할 수 있게 된다.
상기 공압 조절부(120)는, 부압 상태의 공압을 흡입압으로 다공 플레이트(110)에 인가하기 위한 것으로, 예를 들어, 흡입 펌프가 사용될 수 있다. 공압 조절부(120)로부터 다공 플레이트(110)에 흡입압을 인가하기 위한 유로(122)가 케이싱(130)의 연결구(130b)까지 연장 형성된다.
도면에는 편의상 케이싱(130)의 일측면과 유로(122)가 연결되는 구성이 도시되어 있지만, 케이싱(130)의 다수의 측면에 연결구(130b)가 형성되어, 하나의 다공 세그먼트에 다수의 연결구로부터 흡입압이 여러 방향에서 인가될 수도 있다. 이를 통해, 다공 플레이트(110)의 하측에 형성된 흡입 챔버(Cv)의 부압을 보다 짧은 시간 내에 균일한 값으로 조절할 수 있다.
도7 및 도8에 도시된 바와 같이, 공압 조절부(120)로부터 흡입압(120p)이 유로(122)에 인가하면, 케이싱(130)의 연결구(130b)를 통해 다공 플레이트(110)의 하측에 위치한 흡입 챔버(Cv)에 흡입압이 전달(99)된다. 이에 따라, 다공 플레이트(110)는 그 저면의 흡입 챔버(Cv)의 흡입압에 의해 그 상측으로 잡아당기는 흡입력을 작용시키게 된다.
대체로 공압 조절부(120)에 의해 공급되는 공압은 부압 형태의 흡입압이 인가되지만, 필요에 따라 정압이 인가될 수도 있다. 이를 통해, 다공 플레이트(110)에서의 처리 공정이 종료된 상태에서, 다공 플레이트(110)에 낮은 정압이 인가되어 다공 플레이트(110)로부터 기판(G)을 분리시키는 공정을 보조할 수도 있다.
상기 케이싱(130)은, 도6 내지 도8에 도시된 바와 같이, 중앙부에 다공 플레이트(110)를 위치시키도록 다공 플레이트(110)를 감싸는 외측 케이싱(131)과, 외측 케이싱(131)과 체결 핀이나 체결 볼트(130a) 등에 의해 밀폐 고정되어 흡입 챔버(Cv)의 바닥면을 형성하는 하측 플레이트(132)로 이루어진다.
이에 따라, 케이싱(130)에 의해 다공 플레이트(110)의 하측에 흡입 챔버(Cv)를 형성한다. 여기서, 공압 조절부(120)의 유로(122)와 연결되는 연결구(130b)와 연통하는 부분을 제외하고는, 흡입 챔버(Cv)는 외기와 밀폐되게 형성된다.
따라서, 흡입 챔버(Cv)에 흡입압(120p)이 인가되면, 흡입 챔버(Cv)의 흡입압에 의해 그 상측의 다공 플레이트(110)의 상면에는 하방으로 잡아당기는 흡입력이 작용하게 된다.
한편, 다공 플레이트(110)가 그 하측에 이격 배치된 열원(140)으로부터 가열되고, 다공 플레이트(110)에 전달된 열이 열전도에 의해 기판(G)으로 전달되어, 기판의 상면에 도포된 약액을 건조시킨다. 이 때, 열원(140)으로부터 다공 플레이트(110)까지 열전달은 복사에 의하여 이루어지므로, 케이싱(130)의 하측 플레이트(132)는 투명한 재질로 형성된다. 예를 들어, 하측 플레이트(132)는 퀄츠 재질로 형성될 수 있다. 그리고, 다공 플레이트(110)는 열용량이 크면서 열전도가 원활히 이루어지는 세라믹, 금속 등의 재질로 형성될 수 있다. 이를 통해, 복사 열원으로부터의 열이 하측 플레이트(132)를 손실없이 통과하여 다공 플레이트(110)를 가열하여 약액 건조 공정을 행할 수 있다.
상기 열원(140)은 열원 전원(145)으로부터 전원을 인가받아 복사열(Q)을 방출하는 다양한 형태의 열원이 적용될 수 있으며, 근적외선 램프, 중적외선 램프, 원적외선 램프 등 적외선 열원에 의해 복사 열원으로 형성되는 것이 바람직하다.
이는, 다공 플레이트(110)로부터 기판(G)에 흡입력을 작용시키기 위해서는, 다공 플레이트(110)의 저면에는 부압이 유지되는 진공 상태가 되므로, 열대류 방식에 의해서는 다공 플레이트(110)를 가열하는 효율이 낮아지기 때문이다. 또한, 앞서 설명한 바와 같이, 열전도 방식으로 다공 플레이트(110)를 가열하는 경우에는, 열전달 경로에 따라 전달되는 열량 편차가 발생될 수 밖에 없으므로, 0.5℃ 이하의 온도 편차 범위를 만족시키는 것이 매우 어렵기 때문이다. 뿐만 아니라, 적외선 램프는 전원 공급에 따라 발열의 응답 속도가 빠르므로, 기판이 교체될 때마다 신속하게 다공 플레이트(110)의 가열을 시작하고, 기판의 약액 건조 공정이 종료되면 다공 플레이트(110)의 가열을 중단하므로, 대류 방식에 비하여 단위 시간당 건조 효율을 높이는 효과를 얻을 수 있다.
이에 따라, 본 발명은, 기판(G)을 흡착 고정하기 위하여 다공 플레이트(110)에 진공 상태의 흡입압을 인가하고, 흡입압을 인가하는 흡입 챔버(Cv)의 저면을 형성하는 하측 플레이트(132)를 투명 재질로 형성하고, 하측 플레이트(132)로부터 하측에 복사 열원을 배치하여, 복사 열원으로부터 복사열이 하측 플레이트와 진공 상태의 흡입 챔버(Cv)를 관통하여 다공 플레이트(110)를 가열하는 방식으로 기판의 상면에 도포된 약액을 건조시킨다.
한편, 복사 열원(140)은 열원 전원(145)으로부터 전원을 공급받아 복사열을 방출하며, 복사열의 손실을 억제하고자 다공 플레이트(110)를 향하면 방향을 제외한 나머지 방향에 대한 차단막(143)을 형성한다. 이에 따라, 도5b에 도시된 바와 같이, 램프 형태의 복사 열원(140)으로부터 복사열(Q)이 방출된다.
여기서, 복사 열원(140)은 밀폐 케이스(150)의 밀폐 공간(Cq)에 배치되어, 외부로부터의 충격에 의한 파손을 방지하고 불필요한 열손실을 방지한다. 여기서, 밀폐 공간은 외기의 침투를 완전히 차단하는 정도보다 낮은 밀폐도로 형성되면 충분하다. 그리고, 밀폐 케이스(150)는 단열이 우수한 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
복사 열원(140)은 다양한 적외선 램프로 형성될 수 있지만, 복사 열원과 다공 플레이트(110) 사이의 간격을 작게 형성하여 콤팩트한 구조를 구현하고, 복사 열의 손실을 최소화하기 위하여, 근적외선 램프로 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 복사 열원(140)이 근적외선 램프로 형성됨에 따라 복사 열원(140)과 다공 플레이트(110)와의 간격을 더 작게 형성할 수 있다.
도4 내지 도5b에 도시된 바와 같이, 상기 열원(140)은 직선 형태로 형성되어 열원(140)의 길이 방향에 수직한 방향으로 이격되게 다수 배열된다. 무엇보다도, 열원(140)과 다공 플레이트(110)의 간격(Dq)은 인접한 열원의 광경로(55)와 겹쳐지는 거리(Dc)에 비하여 더 길게 정해진다. 이를 통해, 다공 플레이트(110)까지 전달되는 복사열(Q)은 인접한 열원(140)으로부터 방출된 것과 중첩되면서, 다공 플레이트(110)에 도달하는 복사열(Q)의 균일도를 만족시킬 수 있게 된다.
이에 따라, 진공 상태의 흡입 챔버(Cv)가 다공 플레이트(110)와 열원(140) 사이에 개재되어 있더라도, 흡입 챔버(Cv)에 의해 기판을 다공 플레이트(110)에 확실히 흡착 고정하면서도, 열원(140)에 의해 균일하게 다공 플레이트(110)를 하측에서 복사 가열하여, 다공 플레이트(110)에 흡착 고정된 기판(G)의 약액을 얼룩없이 건조시키는 효과를 얻을 수 있다.
한편, 기판 처리 장치(100)의 기판 거치부(B)의 상세 구성이 도6 내지 도8에 도시되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 기판 거치부(B)에 기판(G)이 공급되어, 기판(G)이 다공 플레이트(110)의 상면에 공급되면, 공압 조절부(120)는 유로(122)를 통해 흡입압(120p)을 인가한다.
이에 따라, 다공 플레이트(110)의 하측에 형성된 흡입 챔버(Cv)에 흡입압이 인가되면, 다공 플레이트(110) 하측의 흡입 챔버(Cv)의 압력이 전체적으로 균일한 값을 나타내더라도, 다공 플레이트(110)의 두께 편차로 인하여 다공 플레이트(110)로부터 그 상측에 작용하는 흡입력에는 편차가 발생된다.
즉, 기판 거치부(B)의 다공 플레이트(110)는 중앙부(CC)에서의 두께(tc)가 가장자리(EE)에서의 두께(te)에 비하여 더 두껍게 형성되므로, 흡입 챔버(Cv)의 압력이 전체적으로 균일하더라도, 다공 플레이트(110)의 중앙부(CC)에 작용하는 흡입력(Fc)에 비하여 가장자리(EE)에서의 흡입력(Fe)이 더 크게 작용한다.
따라서, 도9에 도시된 바와 같이, 기판(G)의 가장자리가 중앙부에 비하여 상측으로 들려진 휨 변형(warpage)가 있더라도, 기판(G)을 다공 플레이트(110)에 흡착 고정하기 위한 흡입력이 상대적으로 작은 중앙부에는 불필요하게 과도한 흡입력이 도입되지 아니하고, 기판의 흡착 고정에 필요한 가장자리부에 높은 흡입력(Fe)을 작용시키는 효과를 얻을 수 있다. 이 때, 기판의 표면에 도포된 약액은 휨 변형(warpage)에 의해 유동하지 않은 정도로 점도가 높게 정해진다.
이와 같이 기판의 중앙부가 하방으로 볼록한 형상으로 변형된 경우에, 기판의 가장자리에 다공 플레이트(110)로부터 큰 흡입력을 작용시키더라도, 기판의 가장자리 바깥으로 흡입력이 분산되면서 실제로 큰 흡입력을 도입하는 것이 절실히 필요하다. 그러나, 상기와 같이, 다공 플레이트(110)의 중앙부에 비하여 가장자리 부분에서 보다 큰 흡입력(Fe)을 작용시킴에 따라, 기판이 기판 처리 장치(300)로 공급되는 때에 기판의 가장자리가 중앙부에 비하여 상방으로 크게 들린 휨 변형(warpage) 상태이더라도, 클램핑 수단 없이 기판의 가장자리의 확실하게 잡아당겨 다공 플레이트(110)에 밀착시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
한편, 기판(G)의 중앙부가 가장자리에 비하여 상측으로 들려진 휨 변형(warpage)가 있더라도, 기판(G)과의 간격이 좁은 기판(G)의 가장자리에서 작용하는 흡입력(Fe)이 크게 작용하므로, 기판(G)의 가장자리가 먼저 다공 플레이트(110)의 가장자리에 밀착하고자 휨 변형된다. 그리고, 기판(G)의 가장자리가 휨 변형되면서 기판(G)의 중앙부와 다공 플레이트(110)의 간격이 더 작아지고, 기판 중앙부를 둘러싸는 영역이 점점 좁아지므로, 다공 플레이트(110)의 중앙부에 작용하는 흡입력(Fc)이 가장자리에 작용하는 흡입력(Fe)에 비하여 더 작더라도, 기판(G)의 중앙부를 충분히 다공 플레이트(110)의 상면에 밀착시키는 것이 가능해진다.
이렇듯, 본 발명은 기판의 중앙부가 상방으로 볼록하거나 하방으로 오목한 형상인지에 무관하게, 공압 조절부(120)에 의해 인가되는 흡입압(120p)에 의하여, 다공 플레이트(110)의 가장자리에서 잡아당기는 흡입력(Fe)이 다공 플레이트(110)의 중앙부에서 잡아당기는 흡입력(Fc)에 비하여 더 크게 작용함에 따라, 기판의 휨 변형량이 매우 커서 기존에 도입하던 흡입력으로 플레이트 표면에 밀착할 수 없는 경우에도, 기판(G)을 다공 플레이트(110)의 표면에 완전히 밀착시키는 것이 가능해진다.
한편, 도면에 도시된 본 발명의 실시예에서는, 중앙부(CC)에서의 두께(tc)가 가장자리(EE)에서의 두께(te)에 비하여 더 크게 형성된 다공 플레이트(110)의 구성을 예시하였지만, 하나의 흡입 챔버(Cv)로 형성되더라도 다공 플레이트(110)의 가장자리에서의 흡입력(Fe)을 중앙부에서의 흡입력(Fc)에 비하여 더 크게 작용하는 다양한 실시 형태로 변형될 수 있다.
즉, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 도면에 도시되지 않았지만, 다공 플레이트(110)의 두께가 중앙부와 가장자리에서 다르게 형성되는 구성과 병행하거나 별개로, 기판의 중앙부(CC)에 대응하는 다공 플레이트(110)의 중앙부(CC)에 비하여, 기판의 가장자리에 대응하는 다공 플레이트(110)의 가장자리(EE)에서 기공율과 기공 크기 중 어느 하나 이상이 보다 더 크게 형성될 수 있다. 여기서, 기공율은 다공 세그먼트의 단위 체적에 대하여 기공이 차지하는 비율을 의미하고, 기공 크기는 다공 세그먼트의 내부에서 서로 연통하는 빈 공간의 단위 기공의 크기를 의미한다. 이와 동시에, 다공 플레이트(110)의 중앙부(CC)로부터 가장자리(EE)에 사이에서도, 도7에서 두께가 점진적으로 변화하듯이, 점진적으로 기공율과 기공 크기 중 어느 하나 이상이 점점 더 크게 형성될 수 있다.
이를 통해, 다공 플레이트(110)의 하측에 흡입 챔버(Cv)가 하나로 형성되더라도, 기판 가장자리에 위치하여 보다 큰 기공크기나 기공율로 형성된 다공 플레이트(110)의 가장자리부에 의하여 기판(G)을 하방으로 잡아당기는 흡입력(Fe)은 이보다 중앙부(CC)에서 기판(G)을 하방으로 잡아당기는 흡인력(Fc)에 비하여 크게 작용한다. 즉, 기판의 중앙부로부터 기판의 가장자리에 접근할수록 점진적으로 보다 큰 흡입력이 기판에 인가될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에는, 도10에 도시된 바와 같이, 다수의 다공 세그먼트(311-318)들이 하나의 다공 플레이트(310)를 형성하는 기판 거치부의 구성이 적용될 수 있다.
여기서, 다공 플레이트(310)는, 도10에 도시된 바와 같이, 케이싱(330) 내에 배치되며, 기판의 중앙부에 대응하는 위치에 다공성 재질로 형성된 제1다공 세그먼트(311)와, 기판의 가장자리 부분에 대응하는 위치에 다공성 재질로 형성된 제2다공 세그먼트(312)와, 제1다공 세그먼트(311)와 제2다공 세그먼트(312)의 사이에 배치되어 다공성 재질로 형성된 다수의 중간 다공 세그먼트(313, 314, 315, 316, 317)와, 최외측에 배치되어 다공성 재질로 형성된 최외측 다공 세그먼트(318)로 분할 형성된다. 마찬가지로, 다공 플레이트(310)를 형성하는 다공 세그먼트(311-318)들은 온도 변화에 열변형이 적은 세라믹 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
여기서, 최외측 다공 세그먼트(318)는 기판의 활성 영역을 흡입 파지하는 다공 세그먼트들(311-317)의 바깥 위치에 배치되며, 기판(G)의 처리 공정이 종료한 상태에서 기판의 가장자리를 들어올리는 리프트 핀(55)의 상하 이동을 허용하는 관통공(318b)이 형성된다. 리프트 핀(55)은 구동부(M)에 의하여 상하 이동(77)하면서, 기판(G)을 다공 플레이트(310) 상에 안착시키거나 분리시키는 데 사용되며, 흡입 플레이트(332)의 안내공(332b)과 최외측 다공 세그먼트(318)의 관통공(318b)을 관통하여 상하로 이동한다.
도면에 예시된 구성에서는, 다수의 다공 세그먼트(311-318)는 동심 형태로 형성되어 배치되는 구성이 예시되어 있지만, 다수의 다공 세그먼트는 불규칙적으로 다양하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 직사각형 형태의 다공 세그먼트가 다공 플레이트(310)가 차지하는 면적을 균일하게 또는 불균일하게 채워지도록 배치될 수 있으며, 중앙부의 제1다공 세그먼트(311)와 가장자리의 제2다공 세그먼트(312)를 제외한 나머지 영역에서만 직사각형 형태의 다공 세그먼트에 의해 채워지도록 구성될 수도 있다.
여기서, 다공 플레이트(310)를 형성하는 다공 세그먼트(311-318)의 경계면은 접착제 등에 의한 막으로 형성되어, 어느 하나의 다공 세그먼트에 인가되는 흡입압이 이와 인접한 다공 세그먼트에 영향을 미치지 않도록 구성되는 것이 바람직하다.
다공 세그먼트(311-318)는 모두 균일하게 형성되면서, 다공 세그먼트별로 인가되는 흡입압이 서로 다르게 조절될 수 있다. 이를 통해, 기판의 중앙부(CC)에 위치하는 제1다공세그먼트(311)에 비하여, 기판의 가장자리(EE)에 위치하는 제2다공 세그먼트(312)는 보다 더 큰 흡입압을 기판에 인가할 수 있다. 여기서, 기판의 중앙부에 위치하는 제1다공 세그먼트(311)와 기판의 가장자리에 위치하는 제2다공 세그먼트(312)의 사이에 위치하는 중간 다공 세그먼트(312-317)에는 기판의 가장자리에 근접할수록 큰 흡입압이 단계적으로 도입될 수 있다.
한편, 다공 세그먼트(311-318)는 각각 또는 군(群)별로 서로 다르게 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판의 중앙부(CC)에 위치하는 제1다공세그먼트(311)에 비하여, 기판의 가장자리(EE)에 위치하는 제2다공 세그먼트(312)는 기공 크기가 더 크게 형성될 수 있다. 이와 함께, 기판의 중앙부에 위치하는 제1다공 세그먼트(311)와 기판의 가장자리에 위치하는 제2다공 세그먼트(312)의 사이에 위치하는 중간 다공 세그먼트(313-317)에는 기판의 가장자리에 근접할수록 점진적으로 기공 크기가 더 크게 형성될 수 있다.
이와 유사하게, 기판의 중앙부(CC)에 위치하는 제1다공세그먼트(311)에 비하여, 기판의 가장자리(EE)에 위치하는 제2다공 세그먼트(312)는 기공율이 더 크게 형성될 수 있다. 여기서, 기공율은 다공 세그먼트의 단위 체적에 대하여 기공이 차지하는 비율을 의미한다. 이와 동시에, 기판의 중앙부(CC)에 위치하는 제1다공 세그먼트(311)와 기판의 가장자리(EE)에 위치하는 제2다공 세그먼트(312)의 사이에 위치하는 중간 다공 세그먼트(313-317)에는 기판의 가장자리에 근접할수록 점진적으로 기공율이 더 크게 형성될 수 있다.
이를 통해, 동일한 흡입압이 다공 세그먼트들(311-318)에 인가되더라도, 도6에 도시된 바와 같이, 기판 가장자리에 위치하는 제2다공 세그먼트(312)에 의하여 기판(G)을 하방으로 잡아당기는 흡입력(Fe)은 이보다 중앙부에 인접한 중간 다공 세그먼트(317)에 의한 흡입력(Fe')에 비하여 더 크게 작용하며, 기판 중앙부에 위치하는 제1다공 세그먼트(311)에 의한 흡입력에 비해 훨씬 더 크게 작용한다. 즉, 기판의 중앙부로부터 기판의 가장자리에 접근할수록 점진적으로 보다 큰 흡입압이 기판에 인가될 수 있다. 이 구성 하에서도, 기판 중앙부에 위치하는 다공 세그먼트에 비하여 기판 가장자리에 위치하는 다공 세그먼트에 보다 큰 흡입압이 공압 조절부에 의해 인가되도록 구성될 수 있다.
한편, 도14에 도시된 바와 같이, 다공 플레이트(410)를 형성하는 다수의 다공 세그먼트(411-417)의 일부 이상은 상호간에 두께가 서로 다르게 형성될 수 있다. 즉, 기판의 중앙부에 위치하는 제1다공세그먼트(411)의 두께(tc)에 비하여, 기판의 가장자리에 위치하는 제2다공 세그먼트(412)의 두께(te)가 더 얇게 형성될 수 있다. 이와 동시에, 기판의 중앙부에 위치하는 제1다공 세그먼트(411)와 기판의 가장자리에 위치하는 제2다공 세그먼트(412)의 사이에 위치하는 중간 다공 세그먼트(413-417)에는 기판의 가장자리에 근접할수록 점진적으로 두께가 더 얇게 형성될 수 있다. 여기서, 중앙부로부터 가장자리로 접근할수록 인접한 다공 세그먼트에 비하여 두께가 더 얇게 형성될 수도 있지만, 도14에 도시된 바와 같이, 중앙부의 다공 세그먼트들(411, 413)은 동일한 두꺼운 두께(tc)로 형성되고, 이보다 더 가장자리에 인접한 중간 다공 세그먼트들(414, 415)는 중앙부의 두께(tc)에 비하여 더 얇게 형성되고, 이보다 더 가장자리에 인접한 중간 다공 세그먼트(416, 417)은 더 얇게 형성되고, 가장 바깥에 배치된 제2다공 세그먼트(412)가 가장 얇은 두께(te)로 형성될 수 있다. 이를 통해, 동일한 흡입압이 다공 세그먼트들(411-418)에 인가되더라도, 기판의 중앙부로부터 기판의 가장자리에 접근할수록 점진적으로 보다 큰 흡입압이 기판에 인가될 수 있다. 이 구성 하에서도, 기판 중앙부에 위치하는 다공 세그먼트에 비하여 기판 가장자리에 위치하는 다공 세그먼트에 보다 큰 흡입압이 공압 조절부에 의해 인가되도록 구성될 수 있다.
상기 공압 조절부(320)는 부압 상태의 공압을 흡입압으로 다공 플레이트(310)에 인가하기 위한 것으로, 예를 들어, 흡입 펌프가 사용될 수 있다. 공압 조절부(320)로부터 다공 플레이트(310)에 흡입압을 인가하기 위한 유로(322)가 케이싱(330)의 연결구(330b)까지 연장 형성된다. 도면에는 편의상 케이싱(330)의 일측과 유로(322)가 연결되는 구성이 도시되어 있지만, 케이싱(330)의 다수의 측면에 연결구(330b)가 형성되어, 하나의 다공 세그먼트에 다수의 연결구로부터 흡입압이 여러 방향에서 인가될 수 있다. 이를 통해, 하나의 다공 세그먼트에서 전체적으로 균일한 흡입력을 기판에 인가할 수 있다.
여기서, 케이싱(330)의 연결구(330b)는 다공 플레이트(310)를 형성하는 다수의 다공 세그먼트(311-318)까지 연장된 흡입압 유로(Ps, Pv)와 연통된다. 다공 세그먼트(311-318)별로 또는 다공 세그먼트 군(群)별로 인가하고자 하는 흡입압을 독립적으로 조절하기 위하여, 공압 조절부(320)는 각각의 케이싱 연결구(330b)에 서로 다른 흡입압을 인가하도록 구성될 수 있다. 그리고, 공압 조절부(320)와 케이싱 연결구(330b)를 연결하는 각각의 유로에는 개폐 밸브(322v)가 구비되어, 필요에 따라 일부의 다공 세그먼트로의 흡입압 공급을 차단할 수도 있다.
상기 케이싱(330)은, 다공 플레이트(310)의 둘레를 둘러싸면서 다공 플레이트(310)의 영역을 한정하는 외측 케이싱(331)과, 다공 플레이트(331)의 저면에 밀착하여 다공 플레이트(310)의 각 세그먼트에 서로 다른 흡입압을 인가하기 위한 흡입압 유로(Ps, Pv)가 형성된 흡입 플레이트(332)와, 흡입 플레이트(332)의 하측 흡입압 유로(Pv)를 형성하기 위하여 흡입 플레이트(332)의 저면에 밀착 형성된 하측 플레이트(333)를 포함한다.
여기서, 흡입 플레이트(332)와 하측 플레이트(333)는 흡입압 유로를 형성하기 위한 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 복사열이 투과할 수 있는 퀄츠, 글라스 등의 투명 재질로 형성된다.
흡입 플레이트(332)의 저면에는 도7a에 도시된 바와 같이 연결구(330b)로부터 연장된 하측 흡입압 유로(Pv)가 연장 형성되고, 흡입 플레이트(332)의 상면에는 도7b에 도시된 바와 같이 다공 세그먼트(311-318)의 형상 대로 동심 링 형태로 상측 흡입압 유로(Ps)가 형성된다. 도면에는 각 다공 세그먼트(311-318)의 경계(88')를 기준으로 2열의 동심 링 형태의 상측 흡입압 유로(311ps, 312ps, 313ps, 314ps, 315ps, 316ps, 317ps, 318ps; ps)가 형성되지만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 1열의 동심 링 형태로 형성될 수도 있고, 링 형태로 형성되지 않을 수도 있다.
흡입 플레이트(332)에는 하측 흡입압 유로(Pv)와 상측 흡입압 유로(Ps)를 연결하는 연결 통로(vx)가 흡입 플레이트(332)를 관통하여 형성된다. 이를 통해, 유로(322)를 통해 공압 조절부(320)와 케이싱(330)의 연결구(330b)가 연통되고, 흡입압 유로(Ps, Pv)를 통해 케이싱 연결구(330b)와 각각의 다공 세그먼트(311-318)가 연통된 상태가 된다.
이 때, 다공 플레이트(310)와 흡입 플레이트(332)는 서로 밀착되어 있으므로, 상측 흡입압 유로(Ps)는 각각의 다공 세그먼트(311-318)에 흡입압을 인가하는 흡입 챔버의 역할을 하게 된다. 따라서, 공압 조절부(320)로부터 각 다공 세그먼트(311-318)에 연통하는 케이싱 연결구(330b)에 도입하고자 하는 흡입압(320p)을 인가하면, 그 흡입압이 그대로 케이싱 연결구(330b)를 거쳐 각각의 다공 세그먼트(311-318)에 전달(99)되면서, 각 다공 세그먼트(311-318)에서 기판을 하방으로 잡아당기는 흡입력으로 작용하게 된다.
상기와 같이 다공 플레이트(310)와 복사 열원(140)의 사이에 흡입 플레이트(332)가 개재되어 있고, 흡입 플레이트(332)의 일부에만 흡입압 유로(Ps, Pv)가 불규칙적으로 형성되어 있더라도, 밀폐 챔버(Cq)에 배치된 복사 열원(140)으로부터 다공 플레이트(310)까지 전달되는 복사 열량(Q)은 흡입압 유로에 영향을 받지 않고 균일하므로, 다공 플레이트(310)를 균일하게 가열하여 기판의 약액 건조 공정을 얼룩없이 수행할 수 있게 된다.
상기와 같이 구성된 본 발명은, 다공 플레이트(310)의 가장자리에서 작용하는 흡입력(Fe)이 중앙부에서 작용하는 흡입력(Fc)에 비하여 더 크게 작용하도록 구성되므로, 기판의 가장자리가 다공 플레이트(310)로부터 멀리 이격되게 휨 변형된 상태에서도, 기판을 확실하게 다공 플레이트에 밀착시키는 작용을 구현하는 효과를 얻을 수 있다.
무엇보다도, 본 발명은, 다공 플레이트(110, 310)에 의하여 기판(G)을 흡착 파지하기 위하여 진공 상태인 매질을 다공 플레이트(110, 310)와 열원(410)의 사이에 개재되어 있더라도, 진공 매질에 영향을 받지 않는 복사 열전달에 의해 열원(140)으로부터 다공 플레이트(110, 310)를 가열함에 따라, 다공 플레이트(110, 310)로부터의 열전도에 의해 기판이 가열되면서 약액의 하측에서부터 약액의 유동을 최소화하여 얼룩을 방지하는 약액 건조 공정을 수행할 수 있게 되는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 열원(140)으로서 근적외선 램프를 사용함에 따라 열원(140)과 다공 플레이트(110, 310)의 간격을 줄여 콤팩트한 설비를 구현할 수 있으면서도, 열원(140)과 다공 플레이트(110)의 간격(Dq)을 인접한 열원의 광경로(55)와 겹쳐지는 거리(Dc)에 비하여 더 길게 배치함으로써, 다공 플레이트(110)까지 전달되는 복사열(Q)이 서로 중첩되면서 다공 플레이트(110, 310)에 도달하는 열전달량의 균일도를 향상시켜, 반도체 패키지의 제조를 위한 기판에 대해서도 얼룩없는 건조 공정을 행할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 기판 처리 장치 110, 310: 다공 플레이트
120, 320: 공압 조절부 122, 322: 유로
130, 330: 케이싱 131, 331: 외측 케이싱
132, 333: 하측 플레이트 332: 흡입 플레이트
Fe: 가장자리 흡입력 Fc: 중앙부 흡입력

Claims (20)

  1. 기판의 상면에 도포된 약액을 가열 건조시키는 기판 처리 장치로서,
    다공성 재질로 형성되어 상기 기판을 상면에 거치하는 다공 플레이트와;
    상기 다공 플레이트에 흡입압을 인가하는 공압 조절부와;
    상기 다공 플레이트로부터 하측에 이격 배치되어 상기 다공 플레이트를 가열하는 열원을;
    포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 열원은 복사 열원인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 열원은 적외선 열원인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 열원은 밀폐된 챔버 내에 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 열원은 직선 형태로 형성되어 상기 열원의 길이 방향에 수직한 방향으로 이격되게 다수 배열되고, 상기 열원과 상기 다공 플레이트의 간격은 인접한 열원의 광경로와 겹쳐지는 거리에 비하여 더 길게 정해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 다공 플레이트는 중앙부의 두께에 비하여 가장자리의 두께가 더 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 다공 플레이트는 중앙부의 기공율에 비하여 가장자리의 기공율이 더 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 다공 플레이트는 중앙부의 기공 크기에 비하여 가장자리의 기공 크기가 더 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공압 조절부는 상기 다공 플레이트와 상기 열원의 사이에 흡입압을 인가하는 흡입 챔버를 구비하되, 상기 흡입 챔버는 상기 다공 플레이트와 상기 열원의 사이에서는 투명창으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 흡입 챔버는 상기 다공 플레이트의 하측에 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 흡입 챔버는 상기 투명창에 다수의 흡입 유로로 형성되고, 상기 투명창은 상기 다공 플레이트에 밀착 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 투명창은 퀄츠 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다공 플레이트는 제1다공 세그먼트, 제2다공세그먼트를 포함한 다수의 다공 세그먼트로 분할 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 다공 세그먼트는 접착제에 의해 경계면이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 공압 조절부는 상기 다공 세그먼트별로 흡입압을 인가하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 다공 플레이트는 중앙부와 가장자리부가 서로 다른 다공 세그먼트로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제 13항에 있어서,
    상기 제1다공 세그먼트는 상기 다공 플레이트의 중앙부에 배치되고, 상기 제2다공 세그먼트는 상기 다공 플레이트의 가장자리에 배치되고;
    상기 공압 조절부는 상기 제1다공 플레이트에 인가하는 흡입압에 비하여 상기 제2다공 플레이트에 인가하는 흡입압을 더 크게 인가하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제 13항에 있어서,
    상기 제1다공 세그먼트는 상기 다공 플레이트의 중앙부에 배치되고, 상기 제2다공 세그먼트는 상기 다공 플레이트의 가장자리에 배치되고;
    상기 제2다공 세그먼트의 기공 크기는 상기 제1다공 세그먼트의 기공 크기보다 더 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 제 13항에 있어서,
    상기 제1다공 세그먼트는 상기 다공 플레이트의 중앙부에 배치되고, 상기 제2다공 세그먼트는 상기 다공 플레이트의 가장자리에 배치되고;
    상기 제2다공 세그먼트의 기공율은 상기 제1다공 세그먼트의 기공율에 비하여 더 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  20. 제 13항에 있어서,
    상기 제1다공 세그먼트는 상기 다공 플레이트의 중앙부에 배치되고, 상기 제2다공 세그먼트는 상기 다공 플레이트의 가장자리에 배치되고;
    상기 제2다공 세그먼트의 두께는 상기 제1다공 세그먼트의 두께보다 더 얇은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

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