KR20240069258A - 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20240069258A
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윤귀현
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Abstract

냉각공을 제공하는 냉각 플레이트; 상기 냉각 플레이트 상의 단열 플레이트; 및 상기 단열 플레이트 상에 위치하며 히터를 포함하는 처킹 플레이트; 를 포함하되, 상기 단열 플레이트는, 상기 단열 플레이트의 상면에서 밑으로 일정 깊이 함입되는 단열 공간을 제공하고, 상기 냉각 플레이트는 상하로 연장되어 상기 단열 공간에 연결되는 연결공을 제공하는 기판 지지 장치가 제공된다.

Description

기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법{Substrate supporting device, substrate process apparatus including the same and substrate process method using the same}
본 발명은 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 고온으로 가열할 수 있는 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 다양한 공정을 거쳐 제조될 수 있다. 예를 들어, 반도체 소자는 기판에 대한 증착 공정, 포토 공정, 식각 공정, 테스트 공정 및 세정 공정 등을 통해 제조될 수 있다. 이러한 반도체 제조 공정에서, 기판을 지지하는 스테이지가 사용될 수 있다. 기판을 지지하는 스테이지는 기판을 고정할 수도 있고, 또한 기판의 온도를 조절할 수도 있다. 예를 들어, 기판을 지지하는 스테이지는 기판을 가열하여 기판의 온도를 상승시킬 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판을 고온으로 가열할 수 있는 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 부품이 고온에서 손상되는 것을 방지할 수 있는 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 온도를 필요에 따라 신속하게 제어할 수 있는 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 열팽창에 의한 변형에 대응할 수 있는 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 에지 영역과 센터 영역의 온도를 각각 조절할 수 있는 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 장치는 냉각공을 제공하는 냉각 플레이트; 상기 냉각 플레이트 상의 단열 플레이트; 및 상기 단열 플레이트 상에 위치하며 히터를 포함하는 처킹 플레이트; 를 포함하되, 상기 단열 플레이트는, 상기 단열 플레이트의 상면에서 밑으로 일정 깊이 함입되는 단열 공간을 제공하고, 상기 냉각 플레이트는 상하로 연장되어 상기 단열 공간에 연결되는 연결공을 제공할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 장치는 냉각공을 제공하는 냉각 플레이트; 상기 냉각 플레이트 상의 처킹 플레이트; 및 상기 처킹 플레이트의 하면을 지지하는 지지 구조체; 를 포함하되, 상기 처킹 플레이트의 밑에 단열 공간이 제공되어, 상기 처킹 플레이트의 상기 하면은 상기 단열 공간에 노출되고, 상기 지지 구조체는 상기 단열 공간 내에 위치하며, 상기 냉각 플레이트는 상기 단열 공간에 연결되는 연결공을 제공하되, 상기 지지 구조체는: 지지 블록; 및 상기 지지 블록 상에 결합되며 상기 처킹 플레이트의 상기 하면에 접하는 캡; 을 포함할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 공정 챔버; 및 상기 공정 챔버 내의 기판 지지 장치; 를 포함하되, 상기 기판 지지 장치는: 냉각공을 제공하는 냉각 플레이트; 상기 냉각 플레이트 상에 위치하며 히터를 포함하는 처킹 플레이트; 및 상기 처킹 플레이트의 하면을 지지하는 복수 개의 지지 구조체; 를 포함하되, 상기 처킹 플레이트의 밑에 단열 공간이 제공되어, 상기 처킹 플레이트의 상기 하면은 상기 단열 공간에 노출되고, 상기 복수 개의 지지 구조체 중 상기 처킹 플레이트의 축으로부터 제1 거리만큼 이격된 지지 구조체의 크기는, 상기 복수 개의 지지 구조체 중 상기 축으로부터 제2 거리만큼 이격된 지지 구조체의 크기보다 클 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 기판 지지 장치 상에 기판을 배치하는 것; 상기 기판이 배치된 상기 기판 지지 장치의 처킹 플레이트와 냉각 플레이트 사이에 제공되는 단열 공간에 진공압을 인가하는 것; 및 상기 단열 공간에 진공압이 인가된 상태에서, 상기 처킹 플레이트의 히터에 히팅 파워를 인가하는 것; 을 포함할 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 기판을 고온으로 가열할 수 있다.
본 발명의 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 부품이 고온에서 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 기판의 온도를 필요에 따라 신속하게 제어할 수 있다.
본 발명의 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 열팽창에 의한 변형에 대응할 수 있다.
본 발명의 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 기판의 에지 영역과 센터 영역의 온도를 각각 조절할 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 분해 단면도이다.
도 4는 도 2의 X 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치의 지지 구조체를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치의 지지 구조체를 나타낸 사시도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치의 단열 플레이트를 나타낸 평면도이다.
도 8은 도 7의 Y 영역을 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 9는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 10 내지 도 15는 도 9의 순서도에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 16은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 17은 도 16의 Xa 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 18은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치의 지지 구조체를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 대하여 설명한다. 명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
이하에서 D1을 제1 방향, 제1 방향(D1)에 교차되는 D2를 제2 방향, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)의 각각에 교차되는 D3를 제3 방향이라 칭할 수 있다. 제1 방향(D1)은 수직 방향이라 칭할 수도 있다. 또한, 제2 방향(D2) 및 제3 방향(D3)의 각각은 수평 방향이라 칭할 수도 있다.
도 1을 참고하면, 기판 처리 장치(A)가 제공될 수 있다. 기판 처리 장치(A)는 기판에 대한 식각 공정 및/또는 증착 공정 등을 진행하는 장치일 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 기판이라는 용어는 실리콘(Si) 웨이퍼를 의미할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 기판 처리 장치(A)는 플라즈마를 이용하여 기판에 대한 식각 공정 및/또는 증착 공정을 진행할 수 있다. 기판 처리 장치(A)는 다양한 방법으로 플라즈마를 생성할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(A)는 유도결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP) 장치 또는 정전용량 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma, CCP) 장치를 포함할 수 있다. 그러나 이하에서 편의 상 유도결합 플라즈마(ICP) 장치를 기준으로 도시하고 설명하도록 한다. 기판 처리 장치(A)는 공정 챔버(2), 기판 지지 장치(D), 가스 분배 장치(4), 플라즈마 생성 장치(6), 가스 공급 장치(GS), 진공 펌프(VP) 및 열전달 유체 제어 장치(HC)를 포함할 수 있다.
공정 챔버(2)는 공정 공간(2h)을 제공할 수 있다. 공정 공간(2h) 내에서 기판에 대한 공정이 진행될 수 있다. 공정 공간(2h)은 가스 공급 장치(GS) 및 진공 펌프(VP)의 각각에 연결될 수 있다.
기판 지지 장치(D)는 공정 챔버(2) 내에 위치할 수 있다. 기판 지지 장치(D)는 기판을 지지 및/또는 고정할 수 있다. 예를 들어, 기판 지지 장치(D)는 정전기력을 이용해 기판을 일정 위치에 고정할 수 있다. 즉, 기판 지지 장치(D)는 정전 척(Electrostatic Chuck, ESC)일 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 기판 지지 장치(D)는 다른 종류의 척을 포함할 수도 있다. 기판 지지 장치(D)는 기판의 온도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 기판 지지 장치(D)는 기판을 가열하여 기판의 온도를 상승시킬 수 있다. 기판 지지 장치(D)에 대한 보다 상세한 내용은 후술하도록 한다.
가스 분배 장치(4)는 공정 챔버(2) 내에 위치할 수 있다. 가스 분배 장치(4)는 기판 지지 장치(D)로부터 위로 이격될 수 있다. 가스 분배 장치(4)는 가스 분배공(4h)을 제공할 수 있다. 가스 분배공(4h)을 통해, 가스 공급 장치(GS)에서 공급된 공정 가스가 공정 공간(2h)으로 유입될 수 있다.
플라즈마 생성 장치(6)는 공정 챔버(2)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 생성 장치(6)는 공정 챔버(2) 상에 위치할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 플라즈마 생성 장치(6)는 공정 챔버(2) 내에 위치할 수도 있다. 플라즈마 생성 장치(6)는 가스 유입관(61) 및 코일(63)을 포함할 수 있다. 가스 유입관(61)은 가스 유입로(61h)를 제공할 수 있다. 가스 유입로(61h)는 가스 공급 장치(GS)와 공정 공간(2h)을 연결할 수 있다. 코일(63)은 가스 유입관(61)을 둘러쌀 수 있다. 코일(63)에 파워가 인가되면, 가스 유입로(61h) 내의 가스가 플라즈마로 변환될 수 있다.
가스 공급 장치(GS)는 공정 공간(2h)에 연결될 수 있다. 가스 분배 장치(4)는 공정 공간(2h)에 공정 가스를 공급할 수 있다. 이를 위해 가스 분배 장치(4)는 가스 탱크, 압축기 및/또는 가스 밸브 등을 포함할 수 있다.
진공 펌프(VP)는 공정 공간(2h)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 진공 펌프(VP)는 공정 챔버(2)에 형성된 유출구(2e)를 통해 공정 공간(2h)에 연결될 수 있다. 진공 펌프(VP)는 공정 공간(2h) 내 유체를 공정 공간(2h)으로부터 배출시킬 수 있다.
열전달 유체 제어 장치(HC)는 기판 지지 장치(D)에 연결될 수 있다. 열전달 유체 제어 장치(HC)는 기판 지지 장치(D)에 열전달 유체를 공급할 수 있다. 이를 위해 열전달 유체 제어 장치(HC)는 열전달 유체 탱크 및 압축기 등을 포함할 수 있다. 또한, 열전달 유체 제어 장치(HC)는 기판 지지 장치(D)에 공급된 열전달 유체를 배출시킬 수 있다. 이를 위해 열전달 유체 제어 장치(HC)는 펌프 등을 포함할 수 있다. 열전달 유체 제어 장치(HC)에 대한 보다 상세한 내용은 후술하도록 한다.
도 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치를 나타낸 분해 단면도이며, 도 4는 도 2의 X 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참고하면, 기판 지지 장치(D)는 냉각 플레이트(1), 단열 플레이트(3), 접착층(9), 처킹 플레이트(5), 씰링 부재(8), 지지 구조체(7), 에지 링(ER) 및 포커스 링(FR) 등을 포함할 수 있다.
냉각 플레이트(1)는 냉각공(1h)을 제공할 수 있다. 냉각공(1h)은 냉각 유체가 지나는 통로일 수 있다. 냉각공(1h)은 냉각 유체 공급 장치(미도시)에 연결될 수 있다. 냉각 유체 공급 장치에서 공급된 냉각 유체는, 냉각공(1h)을 통과하며 냉각 플레이트(1)로부터 열을 흡수할 수 있다. 냉각 플레이트(1)는 단열 플레이트(3) 및/또는 처킹 플레이트(5) 등을 지지할 수 있다. 냉각 플레이트(1)는 제1 방향(D1)에 평행한 축(AX)을 중심으로 하는 회전체 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 냉각 플레이트(1)는 금속성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 냉각 플레이트(1)는 알루미늄(Aluminum, Al) 등을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니다. 냉각 플레이트(1)는 연결공(1ch)을 더 제공할 수 있다. 연결공(1ch)은 상하로 연장될 수 있다. 예를 들어, 연결공(1ch)은 제1 방향(D1)으로 냉각 플레이트(1)를 관통할 수 있다. 연결공(1ch)은 단열 공간(3h) 및 열전달 유체 제어 장치(HC, 도 1 참고)에 연결될 수 있다. 열전달 유체 제어 장치(HC)로부터 공급된 열전달 유체는, 연결공(1ch)을 통해 단열 공간(3h)으로 공급될 수 있다. 또한, 단열 공간(3h) 내의 유체는 연결공(1ch)을 통해 외부로 빠져 나갈 수 있다. 이에 대한 보다 상세한 내용은 후술하도록 한다.
단열 플레이트(3)는 냉각 플레이트(1) 상에 위치할 수 있다. 단열 플레이트(3)는 처킹 플레이트(5) 밑에 위치할 수 있다. 단열 플레이트(3)의 열전달 계수(Heat Transfer Coefficient, HTC)는 처킹 플레이트(5)의 열전달 계수보다 작을 수 있다. 이를 위해 단열 플레이트(3)는 세라믹을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 단열 플레이트(3)는 코디어라이트(Cordierite)를 포함할 수 있다. 단열 플레이트(3)의 두께는 약 5mm 내지 약 6mm일 수 있다.
단열 플레이트(3)는 단열 공간(3h)을 제공할 수 있다. 단열 공간(3h)은 단열 플레이트(3)의 상면(3u)으로부터 밑으로 일정 깊이 함입되어 형성된 공간일 수 있다. 도 7에 도시된 것과 같이, 단열 공간(3h)은 평면적 관점에서 원형일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 단열 공간(3h)의 두께(t1)는, 단열 플레이트(3)의 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 단열 공간(3h)의 두께(t1)는 약 0.02mm 내지 약 2.00mm일 수 있다. 단열 공간(3h)은 열전달 유체 제어 장치(HC, 도 1 참고)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 단열 공간(3h)은 연결공(1ch)을 통해 열전달 유체 제어 장치(HC)에 연결될 수 있다. 단열 공간(3h)의 수평 방향으로의 너비는, 단열 플레이트(3)의 수평 방향으로의 너비보다 작을 수 있다.
이상에서 단열 공간(3h)이 단열 플레이트(3)에 의해 정의되는 것으로 도시하고 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 별도의 단열 플레이트(3) 없이 냉각 플레이트(1)와 처킹 플레이트(5) 사이에 단열 공간(3h)에 제공될 수 있다. 예를 들어, 냉각 플레이트(1)와 처킹 플레이트(5) 사이의 오링(O-ring) 등에 의해 단열 공간(3h)이 정의될 수도 있다.
단열 플레이트(3)는 상부 연결공(3ch)을 더 제공할 수 있다. 상부 연결공(3ch)은 단열 공간(3h)으로부터 밑으로 연장될 수 있다. 상부 연결공(3ch)은 단열 플레이트(3)의 하면에 연결될 수 있다. 상부 연결공(3ch)은 연결공(1ch)에 연결될 수 있다. 즉, 상부 연결공(3ch)에 의해, 연결공(1ch)과 단열 공간(3h)에 연결될 수 있다.
단열 플레이트(3)는 씰링공(3rh)을 더 제공할 수 있다. 씰링공(3rh)은 단열 플레이트(3)의 상면(3u)에서 밑으로 함입되어 형성될 수 있다. 씰링공(3rh)은 단열 공간(3h)보다 외측에 위치할 수 있다. 씰링공(3rh)은 도 7에 도시된 것과 같이 링 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 씰링공(3rh) 내에 씰링 부재(8)가 삽입될 수 있다.
접착층(9)은 냉각 플레이트(1)와 단열 플레이트(3) 사이에 위치할 수 있다. 접착층(9)은 단열 플레이트(3)를 냉각 플레이트(1) 상에 고정시킬 수 있다. 접착층(9)은 실리콘(Si) 접착제를 포함할 수 있다. 접착층(9)은 중간 연결공(9ch)을 제공할 수 있다. 중간 연결공(9ch)은 접착층(9)을 상하로 관통할 수 있다. 중간 연결공(9ch)은 연결공(1ch)과 상부 연결공(3ch)을 연결할 수 있다.
처킹 플레이트(5)는 단열 플레이트(3) 상에 위치할 수 있다. 처킹 플레이트(5)의 하면(5b)은, 단열 공간(3h)에 노출될 수 있다. 처킹 플레이트(5)는 플레이트 바디(51), 히터(53) 및 전극(55) 등을 포함할 수 있다.
플레이트 바디(51)는 제1 방향(D1)으로 연장되는 축(AX)을 가질 수 있다. 플레이트 바디(51)의 하면(51b)은 단열 공간(3h)에 노출될 수 있다. 플레이트 바디(51)는 세라믹을 포함할 수 있다. 플레이트 바디(51)의 열전달 계수는, 단열 플레이트(3)의 열전달 계수보다 클 수 있다. 예를 들어, 플레이트 바디(51)는 알루미늄 나이트라이드(AlN) 등을 포함할 수 있다. 플레이트 바디(51)의 상면 상에 기판이 배치될 수 있다.
이상에서 플레이트 바디(51)의 하면(51b)이 단열 공간(3h)에 노출되는 것으로 도시하고 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 단열 공간(3h)과 플레이트 바디(51)의 하면(51b) 사이에 다른 구성이 배치될 수도 있다.
히터(53)는 플레이트 바디(51) 내에 위치할 수 있다. 히터(53)에 히팅 파워가 인가되면, 히터(53)는 줄열(Joule heat)을 방출할 수 있다. 이에 따라 플레이트 바디(51)의 온도가 올라갈 수 있다. 플레이트 바디(51)의 온도가 올라가면, 플레이트 바디(51) 상의 기판이 가열될 수 있다. 히터(53)는 금속성 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
전극(55)은 플레이트 바디(51) 내에 위치할 수 있다. 예를 들어, 전극(55)은 히터(53)보다 위에 위치할 수 있다. 전극(55)에 파워가 인가되면, 공정 공간(2h, 도 1 참고) 내의 플라즈마가 이동할 수 있다. 혹은, 전극(55)에 파워가 인가되면, 플레이트 바디(51) 상의 기판이 일정 위치에 고정될 수 있다. 이를 위해 전극(55)은 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
씰링 부재(8)는 씰링공(3rh)에 삽입될 수 있다. 씰링 부재(8)는 플레이트 바디(51)의 하면에 접할 수 있다. 씰링 부재(8)는 탄력 있는 물질을 포함할 수 있다. 씰링 부재(8)는 링 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 씰링 부재(8)는 오링(O-ring)일 수 있다.
지지 구조체(7)는 처킹 플레이트(5)를 지지할 수 있다. 예를 들어, 지지 구조체(7)는 플레이트 바디(51)의 하면(51b)에 접하여, 처킹 플레이트(5)를 지지할 수 있다. 지지 구조체(7)에 대한 보다 상세한 내용은 후술하도록 한다.
에지 링(ER)은 냉각 플레이트(1), 단열 플레이트(3) 및/또는 처킹 플레이트(5)를 감쌀 수 있다. 포커스 링(FR)은 에지 링(ER) 상에 위치할 수 있다. 포커스 링(FR)은 실리콘(Si) 및/또는 실리콘 카바이드(SiC) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치의 지지 구조체를 나타낸 단면도이고, 도 6은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치의 지지 구조체를 나타낸 사시도이다.
도 5 및 도 6을 참고하면, 지지 구조체(7)는 지지 블록(71) 및 캡(73)을 포함할 수 있다.
지지 블록(71)은 단열 플레이트(3, 도 4 참고)의 상면 상에 위치할 수 있다. 지지 블록(71)은 세라믹을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 지지 블록(71)은 코디어라이트(Cordierite)를 포함할 수 있다. 지지 블록(71)의 두께는, 단열 공간(3h, 도 4 참고)의 두께보다 작을 수 있다. 지지 블록(71)은 단열 플레이트(3)와 일체로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 지지 블록(71)은 단열 플레이트(3)와 별개로 형성된 뒤에, 단열 플레이트(3)의 상면 상에 결합될 수도 있다.
캡(73)은 지지 블록(71) 상에 위치할 수 있다. 캡(73)은 처킹 플레이트(5, 도 4 참고)의 하면(5b)에 접할 수 있다. 캡(73)의 열팽창 계수(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)는 처킹 플레이트(5)의 열팽창 계수보다 클 수 있다. 예를 들어, 캡(73)의 열팽창 계수는 약 23 내지 약 25일 수 있다. 이를 위해 캡(73)은 금속성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 캡(73)은 알루미늄을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 캡(73)은 알루미늄6061(Al6061) 등을 포함할 수 있다.
캡(73)은 받침 부재(731) 및 캡 바디(733)를 포함할 수 있다. 받침 부재(731)는 지지 블록(71)의 상측 일부를 감쌀 수 있다. 캡 바디(733)는 받침 부재(731) 상에 위치할 수 있다. 캡 바디(733)는 캡 내부공(733h)을 제공할 수 있다. 캡 내부공(733h)은 캡 바디(733)를 상하로 관통할 수 있다. 받침 부재(731)의 상면(731u)은 캡 내부공(733h)에 노출될 수 있다. 캡 바디(733)는 연결 부재(7331) 및 접촉 부재(7333)를 포함할 수 있다. 연결 부재(7331)는 받침 부재(731)의 상면(731u)으로부터 위로 연장될 수 있다. 연결 부재(7331)의 직경을 위로 갈수록 커질 수 있다. 접촉 부재(7333)는 연결 부재(7331)의 상측에서 외측으로 연장될 수 있다. 접촉 부재(7333)는 도 6에 도시된 것과 같이 링 형상을 가질 수 있다. 접촉 부재(7333)의 상면은 처킹 플레이트(5, 도 4 참고)의 하면(5b)에 접할 수 있다. 지지 구조체(7)의 온도가 상승하면, 지지 블록(71)이 상하로 팽창할 수 있다. 이에 따라 처킹 플레이트(5, 도 4 참고)의 하면(5b)에 접한 캡(73)은 좌우로 팽창할 수 있다. 따라서 단열 플레이트(3, 도 4 참고), 지지 구조체(7) 및 처킹 플레이트(5)의 온도가 상승하더라도, 지지 구조체(7)와 처킹 플레이트(5)의 하면(5b) 간의 접촉이 유지될 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치의 단열 플레이트를 나타낸 평면도이고, 도 8은 도 7의 Y 영역을 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 7 및 도 8을 참고하면, 지지 구조체(7)는 복수 개가 제공될 수 있다.
복수 개의 지지 구조체(7) 중에서, 축(AX)으로부터 제1 거리(r1)만큼 이격된 지지 구조체(7)를 제1 지지 구조체(71)라 칭할 수 있다. 제1 지지 구조체(71)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 제1 지지 구조체(71)는 원주 방향으로 배열될 수 있다. 그러나 이하에서 특별한 사정이 없는 한 제1 지지 구조체(71)는 단수로 기술하도록 한다.
복수 개의 지지 구조체(7) 중에서, 축(AX)으로부터 제2 거리(r2)만큼 이격된 지지 구조체(7)를 제2 지지 구조체(72)라 칭할 수 있다. 제2 지지 구조체(72)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 제2 지지 구조체(72)는 원주 방향으로 배열될 수 있다. 그러나 이하에서 특별한 사정이 없는 한 제2 지지 구조체(72)는 단수로 기술하도록 한다.
복수 개의 지지 구조체(7) 중에서, 축(AX)으로부터 제3 거리(r3)만큼 이격된 지지 구조체(7)를 제3 지지 구조체(73)라 칭할 수 있다. 제3 지지 구조체(73)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 제3 지지 구조체(73)는 원주 방향으로 배열될 수 있다. 그러나 이하에서 특별한 사정이 없는 한 제3 지지 구조체(73)는 단수로 기술하도록 한다.
복수 개의 지지 구조체(7) 중에서, 축(AX)으로부터 제4 거리(r4)만큼 이격된 지지 구조체(7)를 제4 지지 구조체(74)라 칭할 수 있다. 제4 지지 구조체(74)는 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 제4 지지 구조체(74)는 원주 방향으로 배열될 수 있다. 그러나 이하에서 특별한 사정이 없는 한 제4 지지 구조체(74)는 단수로 기술하도록 한다.
축(AX)에서 멀어질수록, 지지 구조체(7)의 크기는 작아질 수 있다. 예를 들어, 제2 지지 구조체(72)는 제1 지지 구조체(71)보다 작을 수 있다. 제3 지지 구조체(73)는 제2 지지 구조체(72)보다 작을 수 있다. 제4 지지 구조체(74)는 제3 지지 구조체(73)보다 작을 수 있다. 이때 제4 거리(r4)는 제3 거리(r3)보다 클 수 있다. 제3 거리(r3)는 제2 거리(r2)보다 클 수 있다. 제2 거리(r2)는 제1 거리(r1)보다 클 수 있다.
지지 구조체(7)의 크기는, 도 7 및 도 8에 도시된 것과 같이 평면적 관점에서 본 지지 구조체(7)의 크기를 의미할 수 있다. 즉, 지지 구조체(7)의 크기는 캡(73, 도 5 참고)의 최대 직경을 의미할 수 있다. 예를 들어, 제4 지지 구조체(74)의 크기는, 도 8에 도시된 것과 같이 평면적 관점에서 본 제4 지지 구조체(74)의 직경(da4)을 의미할 수 있다. 또한, 제2 지지 구조체(72)의 크기는, 도 8에 도시된 것과 같이 평면적 관점에서 본 제2 지지 구조체(72)의 직경(da2)을 의미할 수 있다. 도 8에 도시된 것과 같이, 제2 지지 구조체(72)의 크기(da2)는 제4 지지 구조체(74)의 직경(da4)보다 클 수 있다.
실시 예들에서, 제2 지지 구조체(72) 간의 거리는, 제1 지지 구조체(71) 간의 거리보다 클 수 있다. 제3 지지 구조체(73) 간의 거리는, 제2 지지 구조체(72) 간의 거리보다 클 수 있다. 제4 지지 구조체(74) 간의 거리는, 제3 지지 구조체(73) 간의 거리보다 클 수 있다.
실시 예들에서, 제2 거리(r2)와 제1 거리(r1)의 차이는, 제3 거리(r3)와 제2 거리(r2)의 차이보다 작을 수 있다. 또한, 제3 거리(r3)와 제2 거리(r2)의 차이는, 제4 거리(r4)와 제3 거리(r3)의 차이보다 작을 수 있다.
도 7 및 도 8을 참고하면, 단열 플레이트(3)는 이동공(3ph)을 더 제공할 수 있다. 이동공(3ph)은 원주 방향으로 연장될 수 있다. 이동공(3ph)의 레벨은, 도 4에 도시된 상부 연결공(3ch)의 상단의 레벨보다 낮고, 하단의 레벨보다 높을 수 있다. 상부 연결공(3ch)은 복수 개가 제공될 수 있다. 복수 개의 상부 연결공(3ch)은 서로 이격 배치될 수 있다. 복수 개의 상부 연결공(3ch)은 이동공(3ph)에 의해 서로 연결될 수 있다. 그러나 이하에서 편의 상 상부 연결공(3ch)은 단수로 기술하도록 한다.
도 9는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 9를 참고하면, 기판 처리 방법(S)이 제공될 수 있다. 기판 처리 방법(S)은 도 1 내지 도 8을 참고하여 설명한 기판 처리 장치(A, 도 1 참고)를 이용해 기판을 처리하는 방법일 수 있다. 기판 처리 방법(S)은 기판 지지 장치 상에 기판을 배치하는 것(S1), 단열 공간에 진공압을 인가하는 것(S2), 히터에 히팅 파워를 인가하는 것(S3), 기판 상에 공정 가스를 공급하는 것(S4) 및 단열 공간에 열전달 유체를 공급하는 것(S5)을 포함할 수 있다.
이하에서, 도 10 내지 도 15를 참고하여 도 9의 기판 처리 방법(S)을 설명하도록 한다.
도 10 내지 도 15는 도 9의 순서도에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 10 및 도 9를 참고하면, 기판 지지 장치 상에 기판을 배치하는 것(S1)은, 기판(W)을 기판 지지 장치(D) 상에 고정하는 것을 포함할 수 있다. 기판(W)은 정전기력 등에 의해 기판 지지 장치(D) 상에 고정될 수 있다.
도 11, 도 12 및 도 9를 참고하면, 단열 공간에 진공압을 인가하는 것(S2)은, 처킹 플레이트(5) 상에 기판(W)이 배치된 상태에서, 단열 공간(3h)에 진공압을 인가하는 것을 포함할 수 있다. 열전달 유체 제어 장치(HC)가 단열 공간(3h) 내의 유체를 흡수할 수 있다. 예를 들어, 단열 공간(3h) 내에 위치하는 열전달 유체(HG)가 상부 연결공(3ch), 중간 연결공(9ch) 및 연결공(1ch)을 차례로 통과해 빠져 나갈 수 있다. 이에 따라 단열 공간(3h)은 실질적인 진공 상태로 유지될 수 있다. 처킹 플레이트(5)와 냉각 플레이트(1) 사이의 열전달이 줄어들 수 있다.
히터에 히팅 파워를 인가하는 것(S3)은 단열 공간(3h)에 진공압이 인가된 상태에서 히터(53)에 히팅 파워를 인가하는 것을 포함할 수 있다. 히터(53)에 히팅 파워가 인가되면, 히터(53)로부터 줄열이 발생할 수 있다. 이에 따라 플레이트 바디(51)의 온도가 상승할 수 있다.
단열 공간(3h)이 실질적인 진공 상태인 경우, 처킹 플레이트(5)로부터 냉각 플레이트(1)로의 열전달이 줄어들 수 있다. 따라서 히터(53)에 의해 플레이트 바디(51)의 온도가 올라가도, 냉각 플레이트(1)로 빠져 나가는 열이 줄어들 수 있다. 이에 따라 플레이트 바디(51)의 열은 기판(W)으로 이동할 수 있다. 따라서 기판(W)이 고온으로 가열될 수 있다. 예를 들어, 기판(W)은 약 300℃ 이상으로 가열될 수 있다. 보다 구체적으로, 기판(W)은 약 350℃ 이상으로 가열될 수 있다.
도 13 및 도 9를 참고하면, 기판 상에 공정 가스를 공급하는 것(S4)은 가스 공급 장치(GS)로부터 공정 공간(2h)으로 공정 가스(PG)가 공급되는 것을 포함할 수 있다. 공정 가스(PG)에 의해 기판 지지 장치(D) 상의 기판(W)에 대한 공정이 진행될 수 있다. 예를 들어, 공정 가스(PG)에 의해 기판(W)에 대한 식각 공정 및/또는 증착 공정이 진행될 수 있다.
도 14, 도 15 및 도 9를 참고하면, 단열 공간에 열전달 유체를 공급하는 것(S5)은, 열전달 유체 제어 장치(HC)가 단열 공간(3h)에 열전달 유체(HG)를 공급하는 것을 포함할 수 있다. 단열 공간(3h)에 열전달 유체(HG)가 채워지면, 플레이트 바디(51)로부터 냉각 플레이트(1)로의 열전달이 원활하게 이루어질 수 있다. 따라서 플레이트 바디(51)의 온도가 내려갈 수 있다. 기판(W)의 온도를 낮출 필요가 있는 경우, 이와 같이 단열 공간(3h)에 열전달 유체(HG)를 공급할 수 있다. 열전달 유체(HG)는 예를 들어 헬륨(He), 아르곤(Ar) 및/또는 질소(N2) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, 기판 지지 장치 상의 기판을 고온으로 가열할 수 있다. 따라서 기판에 대한 고 식각비(etch ratio) 공정이 가능할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, 히터로부터 발생한 열이 냉각 플레이트로 빠져 나가는 것을 제어할 수 있다. 따라서 처킹 플레이트가 고온으로 가열되더라도, 냉각 플레이트 등이 고온에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, 기판의 온도를 필요에 따라 신속하게 제어할 수 있다. 즉, 기판의 온도를 올릴 필요가 있는 경우, 단열 공간에 진공압을 인가하여 기판의 온도를 신속하게 올릴 수 있다. 반대로 기판의 온도를 낮출 필요가 있는 경우, 단열 공간에 열전달 유체를 공급하여 기판의 온도를 낮출 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, 플레이트 바디가 고온에서 열변형 되더라도, 지지 구조체가 상승할 수 있다. 따라서 열변형이 발생하더라도, 지지 구조체와 처킹 플레이트 간의 접촉이 유지될 수 있다. 이에 따라 일정한 열전달이 이루어질 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 의하면, 에지 영역 부근의 지지 구조체가 센터 영역 부근의 지지 구조체보다 작을 수 있다. 또한, 에지 영역 부근의 지지 구조체들 간의 간격이 센터 영역 부근의 지지 구조체들 간의 간격보다 클 수 있다. 따라서 에지 영역 부근에서 처킹 플레이트로부터 냉각 플레이트로의 열전달이, 센터 영역 부근에서 처킹 플레이트로부터 냉각 플레이트로의 열전달보다 적을 수 있다. 즉, 센터 영역의 온도와 에지 영역의 온도를 각각 제어할 수 있다. 예를 들어, 에지 영역이 고온으로 유지될 수 있다. 이에 따라 에지 영역과 센터 영역 간의 산포 차이를 개선할 수 있다.
도 16은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이고, 도 17은 도 16의 Xa 영역을 확대하여 나타낸 단면도이며, 도 18은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 지지 장치의 지지 구조체를 나타낸 단면도이다.
이하에서, 도 1 내지 도 15를 참고하여 설명한 것과 실질적으로 동일 또는 유사한 내용에 대한 것을 설명을 생략할 수 있다.
도 16 내지 도 18을 참고하면, 기판 처리 장치(Aa)가 제공될 수 있다. 기판 처리 장치(Aa)는 기판 지지 장치(Da)를 포함할 수 있다. 기판 지지 장치(Da)는 지지 구조체(7a)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(7a)는 지지 블록(71a) 및 캡(73a)을 포함할 수 있다. 지지 블록(71a)은 지지 블록(71a)의 상면에서 밑으로 함입되는 지지공(71ah)을 제공할 수 있다. 지지공(71ah)의 직경은 밑으로 갈수록 작아질 수 있다. 캡(73a)은 위로 갈수록 직경이 커지는 원뿔대(truncated cone) 형상을 가질 수 있다. 캡(73a)의 일부는 지지공(71ah) 내에 삽입될 수 있다. 지지 블록(71a)이 가열되면, 지지공(71ah) 내에 삽입된 캡(73a)이 상승할 수 있다. 따라서 처킹 플레이트(5)와 지지 구조체(7a) 간의 접촉이 유지될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
A: 기판 처리 장치
2: 공정 챔버
D: 기판 지지 장치
1: 냉각 플레이트
1h: 냉각공
1ch: 연결공
3: 단열 플레이트
3h: 단열 공간
5: 처킹 플레이트
51: 플레이트 바디
53: 히터
55: 전극
7: 지지 구조체
71: 지지 블록
73: 캡

Claims (20)

  1. 냉각공을 제공하는 냉각 플레이트;
    상기 냉각 플레이트 상의 단열 플레이트; 및
    상기 단열 플레이트 상에 위치하며 히터를 포함하는 처킹 플레이트; 를 포함하되,
    상기 단열 플레이트는, 상기 단열 플레이트의 상면에서 밑으로 일정 깊이 함입되는 단열 공간을 제공하고,
    상기 냉각 플레이트는 상하로 연장되어 상기 단열 공간에 연결되는 연결공을 제공하는 기판 지지 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단열 공간의 두께는 0.02mm 내지 2.00mm인 기판 지지 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 처킹 플레이트의 하면을 지지하는 지지 구조체를 더 포함하되,
    상기 지지 구조체는 상기 단열 공간 내에 위치하는 기판 지지 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 지지 구조체는:
    지지 블록; 및
    상기 지지 블록 상에 위치하며 상기 처킹 플레이트의 상기 하면에 접하는 캡; 을 포함하는 기판 지지 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 지지 구조체는 복수 개가 제공되고,
    상기 복수 개의 지지 구조체 중 상기 처킹 플레이트의 축으로부터 제1 거리만큼 이격된 지지 구조체들 간의 거리는, 상기 복수 개의 지지 구조체 중 상기 축으로부터 제2 거리만큼 이격된 지지 구조체들 간의 거리보다 작되,
    상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 큰 기판 지지 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 단열 플레이트의 열전달 계수(Heat Transfer Coefficient, HTC)는, 상기 처킹 플레이트의 열전달 계수보다 작은 기판 지지 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 단열 플레이트는 세라믹을 포함하는 기판 지지 장치.
  8. 냉각공을 제공하는 냉각 플레이트;
    상기 냉각 플레이트 상의 처킹 플레이트; 및
    상기 처킹 플레이트의 하면을 지지하는 지지 구조체; 를 포함하되,
    상기 처킹 플레이트의 밑에 단열 공간이 제공되어, 상기 처킹 플레이트의 상기 하면은 상기 단열 공간에 노출되고, 상기 지지 구조체는 상기 단열 공간 내에 위치하며,
    상기 냉각 플레이트는 상기 단열 공간에 연결되는 연결공을 제공하되,
    상기 지지 구조체는:
    지지 블록; 및
    상기 지지 블록 상에 결합되며 상기 처킹 플레이트의 상기 하면에 접하는 캡; 을 포함하는 기판 지지 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 캡은:
    상기 지지 블록의 상측 일부를 감싸는 받침 부재; 및
    상기 받침 부재 상의 캡 바디; 를 포함하되,
    상기 캡 바디는 상기 캡 바디를 상하로 관통하는 캡 내부공을 제공하고,
    상기 받침 부재의 상면은 상기 캡 내부공에 노출되는 기판 지지 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 캡 바디는:
    상기 받침 부재의 상기 상면으로부터 위로 연장되는 연결 부재; 및
    상기 연결 부재의 상측에서 외측으로 연장되는 링 형상의 접촉 부재; 를 포함하되,
    상기 접촉 부재의 상면은 상기 처킹 플레이트의 상기 하면에 접촉하는 기판 지지 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 연결 부재의 직경은 위로 갈수록 커지는 기판 지지 장치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 캡은 위로 갈수록 직경이 커지는 원뿔대(truncated cone) 형상을 갖는 기판 지지 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 지지 블록은, 상기 지지 블록의 상면으로부터 밑으로 함입되는 지지공을 제공하되,
    상기 지지공의 직경은 밑으로 갈수록 작아지고,
    상기 캡의 일부는 상기 지지공 내에 삽입되는 기판 지지 장치.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 지지 구조체는 복수 개가 제공되고,
    상기 복수 개의 지지 구조체 중 상기 처킹 플레이트의 축으로부터 제1 거리만큼 이격된 지지 구조체의 크기는, 상기 복수 개의 지지 구조체 중 상기 축으로부터 제2 거리만큼 이격된 지지 구조체의 크기보다 크되,
    상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 큰 기판 지지 장치.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 지지 구조체는 복수 개가 제공되고,
    상기 복수 개의 지지 구조체 중 상기 처킹 플레이트의 축으로부터 제1 거리만큼 이격된 지지 구조체들 간의 거리는, 상기 복수 개의 지지 구조체 중 상기 축으로부터 제2 거리만큼 이격된 지지 구조체들 간의 거리보다 작되,
    상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 큰 기판 지지 장치.
  16. 제 8 항에 있어서,
    상기 캡의 열팽창 계수(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)는, 상기 처킹 플레이트의 열팽창 계수보다 큰 기판 지지 장치.
  17. 공정 공간을 제공하는 공정 챔버; 및
    상기 공정 챔버 내의 기판 지지 장치; 를 포함하되,
    상기 기판 지지 장치는:
    냉각공을 제공하는 냉각 플레이트;
    상기 냉각 플레이트 상에 위치하며 히터를 포함하는 처킹 플레이트; 및
    상기 처킹 플레이트의 하면을 지지하는 복수 개의 지지 구조체; 를 포함하되,
    상기 처킹 플레이트의 밑에 단열 공간이 제공되어, 상기 처킹 플레이트의 상기 하면은 상기 단열 공간에 노출되고,
    상기 복수 개의 지지 구조체 중 상기 처킹 플레이트의 축으로부터 제1 거리만큼 이격된 지지 구조체의 크기는, 상기 복수 개의 지지 구조체 중 상기 축으로부터 제2 거리만큼 이격된 지지 구조체의 크기보다 큰 기판 처리 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 큰 기판 처리 장치.
  19. 기판 지지 장치 상에 기판을 배치하는 것;
    상기 기판이 배치된 상기 기판 지지 장치의 처킹 플레이트와 냉각 플레이트 사이에 제공되는 단열 공간에 진공압을 인가하는 것; 및
    상기 단열 공간에 진공압이 인가된 상태에서, 상기 처킹 플레이트의 히터에 히팅 파워를 인가하는 것; 을 포함하는 기판 처리 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 히터에 상기 히팅 파워를 인가하는 것은, 상기 기판 지지 장치 상의 상기 기판의 온도가 300℃ 이상이 되는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
KR1020220150591A 2022-11-11 2022-11-11 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 KR20240069258A (ko)

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