KR20210043550A - Triarylamine compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device - Google Patents
Triarylamine compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210043550A KR20210043550A KR1020210049058A KR20210049058A KR20210043550A KR 20210043550 A KR20210043550 A KR 20210043550A KR 1020210049058 A KR1020210049058 A KR 1020210049058A KR 20210049058 A KR20210049058 A KR 20210049058A KR 20210043550 A KR20210043550 A KR 20210043550A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substituted
- unsubstituted
- group
- light
- abbreviation
- Prior art date
Links
- -1 Triarylamine compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 131
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 60
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 36
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 26
- 125000005509 dibenzothiophenyl group Chemical group 0.000 claims description 26
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 25
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 25
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 claims description 24
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 18
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 18
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 13
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 claims description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 354
- 239000000463 material Substances 0.000 description 99
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 54
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 54
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 54
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 48
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 48
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 47
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 40
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 27
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 23
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxypent-3-en-2-one iridium Chemical compound [Ir].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 16
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 12
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical class CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001616 biphenylenes Chemical group 0.000 description 8
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 8
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 8
- NSABRUJKERBGOU-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);2-phenylpyridine Chemical compound [Ir+3].[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 NSABRUJKERBGOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 7
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 7
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- UKSZBOKPHAQOMP-SVLSSHOZSA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 UKSZBOKPHAQOMP-SVLSSHOZSA-N 0.000 description 4
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RBVHJNZMSBQFDK-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2O1 RBVHJNZMSBQFDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 3
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 3
- ADHNFLCTOCFIFV-UHFFFAOYSA-N europium(3+) 1,10-phenanthroline Chemical compound [Eu+3].c1cnc2c(c1)ccc1cccnc21 ADHNFLCTOCFIFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- ZLOAIMYFRYDOJT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-[4-(n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]anilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1OC2=CC=CC=C2N=1)C1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 ZLOAIMYFRYDOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 2
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMBOHMLKCZFFW-UHFFFAOYSA-N 3-N,6-N,9-triphenyl-3-N,6-N-bis(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazole-3,6-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC(=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 TVMBOHMLKCZFFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 102100025982 BMP/retinoic acid-inducible neural-specific protein 1 Human genes 0.000 description 2
- 238000007125 Buchwald synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 101000933342 Homo sapiens BMP/retinoic acid-inducible neural-specific protein 1 Proteins 0.000 description 2
- 101000715194 Homo sapiens Cell cycle and apoptosis regulator protein 2 Proteins 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PHXQIAWFIIMOKG-UHFFFAOYSA-N NClO Chemical compound NClO PHXQIAWFIIMOKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 Chemical compound [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000002390 heteroarenes Chemical class 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOYDRSOIBHFMGB-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 WOYDRSOIBHFMGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBNZOXKLBAWRSH-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 BBNZOXKLBAWRSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MUMVIYLVHVCYGI-UHFFFAOYSA-N n,n,n',n',n",n"-hexamethylmethanetriamine Chemical compound CN(C)C(N(C)C)N(C)C MUMVIYLVHVCYGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N n-naphthalen-1-yl-9-phenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(N(C=3C=C4C5=CC=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N palladium(II) acetate Substances [Pd].CC(O)=O.CC(O)=O LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M picolinate Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- FKHIFSZMMVMEQY-UHFFFAOYSA-N talc Chemical compound [Mg+2].[O-][Si]([O-])=O FKHIFSZMMVMEQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004809 thin layer chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 2
- WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N tricyclohexylphosphine Chemical compound C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPZZZGJWXOHLDJ-UHFFFAOYSA-N trihexylphosphane Chemical compound CCCCCCP(CCCCCC)CCCCCC FPZZZGJWXOHLDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichloro-3-prop-1-ynoxybenzene Chemical compound CC#COC1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1Cl RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRHPTNPRFKGMEH-UHFFFAOYSA-N 1-N,3-N,5-N-triphenyl-1-N,3-N,5-N-tris(9-phenylcarbazol-3-yl)benzene-1,3,5-triamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4=CC=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4=CC=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)=C1 VRHPTNPRFKGMEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDMYKJVSQIHZLM-UHFFFAOYSA-N 1-[3,5-di(pyren-1-yl)phenyl]pyrene Chemical compound C1=CC(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C3=CC=C4C=CC=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)C=2C3=CC=C4C=CC=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 HDMYKJVSQIHZLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXVCHTPHKWNQBW-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n-triphenyl-4-n-(9,9'-spirobi[fluorene]-2-yl)benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 NXVCHTPHKWNQBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXPAPGDQRWESTP-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n-triphenyl-4-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 QXPAPGDQRWESTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n-triphenyl-4-n-[4-[4-(n-[4-(n-phenylanilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYLIWIHHHFIIJG-UHFFFAOYSA-N 1-n,3-n-diphenyl-1-n,3-n-bis(9-phenylcarbazol-3-yl)benzene-1,3-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4=CC=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)=C1 JYLIWIHHHFIIJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYPMWIHVZGWERR-UHFFFAOYSA-N 10-(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C1=C2C3=CC=CC=C3C3=NC=CN=C3C2=CC=C1C1=CC(C2=C3SC=4C(C3=CC=C2)=CC=CC=4)=CC=C1 NYPMWIHVZGWERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSQMLISBVUTWJB-UHFFFAOYSA-N 2,6-diphenylaniline Chemical compound NC1=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC=C1C1=CC=CC=C1 DSQMLISBVUTWJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXRLALXPCIOIDK-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 DXRLALXPCIOIDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZJOTDOLRQTPHC-UHFFFAOYSA-N 2-(4-carbazol-9-ylphenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)O1 IZJOTDOLRQTPHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFZHMNDOZJZGRD-UHFFFAOYSA-N 2-(4-dibenzothiophen-4-ylphenyl)-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC=C(C=2C=3SC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)C=C1 IFZHMNDOZJZGRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJEQASXKXVZLEK-UHFFFAOYSA-N 2-N',7-N'-diphenyl-2-N',7-N'-bis[4-(N-phenylanilino)phenyl]-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC(=CC=C3C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 PJEQASXKXVZLEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUOSAXMWQSSMJW-UHFFFAOYSA-N 2-[2,6-bis[2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]pyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C=CC=2C=CC(=CC=2)N(C)C)O1 QUOSAXMWQSSMJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUMRGNWURXLFBN-UHFFFAOYSA-N 2-n,7-n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)-9,9-dimethyl-2-n,7-n-diphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound C1=C2C(C)(C)C3=CC(N(C=4C=CC=CC=4)C=4C=CC(=CC=4)N4C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)=CC=C3C2=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 TUMRGNWURXLFBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRTDQSRHHHDWSQ-UHFFFAOYSA-N 3,6-diphenyl-9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=2C3=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C3=C1 GRTDQSRHHHDWSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKAQNAJLIITRHR-UHFFFAOYSA-N 3-(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C1=CC=C2C3=NC(C=4C=CC=C(C=4)C4=C5SC=6C(C5=CC=C4)=CC=CC=6)=CN=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 MKAQNAJLIITRHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZLZJGZGJHZQAU-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-(4-ethylphenyl)-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(CC)=CC=C1N1C(C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 PZLZJGZGJHZQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIEWTACDLJLBTE-UHFFFAOYSA-N 3-N,6-N,9-triphenyl-3-N,6-N-bis[4-(N-phenylanilino)phenyl]carbazole-3,6-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C3=CC(=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QIEWTACDLJLBTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHPRFEGMZFFUMH-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3,6-diphenylcarbazol-9-yl)phenyl]phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2N=C3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C3=NC=2)C=2C3=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C3=C1 IHPRFEGMZFFUMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 4-butyl-n,n-diphenylaniline Polymers C1=CC(CCCC)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGHBHXZNXIDZIZ-UHFFFAOYSA-N 4-n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 HGHBHXZNXIDZIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJVFZXJHZBXCJC-UHFFFAOYSA-N 4-n-[4-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)phenyl]-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 IJVFZXJHZBXCJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLNDKWAYVMOOFU-UHFFFAOYSA-N 4-n-[9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-yl]-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLNDKWAYVMOOFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 4-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n-bis[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 5,12-diphenyl-6,11-bis(4-phenylphenyl)tetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C3=C(C=4C=CC=CC=4)C4=CC=CC=C4C(C=4C=CC=CC=4)=C3C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 5-n,5-n,11-n,11-n-tetrakis(4-methylphenyl)tetracene-5,11-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC3=CC=CC=C3C(N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=C2C=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWQDBYKWEGXSJW-UHFFFAOYSA-N 6,12-dimethoxy-5,11-diphenylchrysene Chemical compound C12=C3C=CC=CC3=C(OC)C(C=3C=CC=CC=3)=C2C2=CC=CC=C2C(OC)=C1C1=CC=CC=C1 MWQDBYKWEGXSJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCVFLGABQASTCC-UHFFFAOYSA-N 6-(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC(C=4C=CC=C(C=4)C4=C5SC=6C(C5=CC=C4)=CC=CC=6)=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=N1 UCVFLGABQASTCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOOBIWAELCOCHK-BQYQJAHWSA-N 870075-87-9 Chemical compound O1C(C(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 UOOBIWAELCOCHK-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- USIXUMGAHVBSHQ-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(3,5-diphenylphenyl)anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=C(C=C(C=3)C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)=C1 USIXUMGAHVBSHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTGCMKMICLCAQU-UHFFFAOYSA-N 9-[3-[2-(3-phenanthren-9-ylphenyl)ethenyl]phenyl]phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C=CC=C(C=3)C=CC=3C=C(C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C=3)=CC3=CC=CC=C3C2=C1 DTGCMKMICLCAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOGUGXVETSOMRE-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[2-(4-phenanthren-9-ylphenyl)ethenyl]phenyl]phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=CC=C(C=C3)C=CC=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C=3)=CC3=CC=CC=C3C2=C1 HOGUGXVETSOMRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[3,5-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 9-anthracen-9-ylanthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C=C4C=CC=CC4=3)=C21 SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical compound C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N C545T Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5C6=C(C=4OC3=O)C(C)(C)CCN6CCC5(C)C)=NC2=C1 MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 1
- VUMVABVDHWICAZ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl-N-[4-[4-[N-(9,9'-spirobi[fluorene]-2-yl)anilino]phenyl]phenyl]-9,9'-spirobi[fluorene]-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC=CC=C4C3=CC=2)C=C1 VUMVABVDHWICAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 NC(C=CCC1)=C1O*c(cc1)ccc1N(c1ccccc1)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(C1C=CC(c2nc(cccc3)c3[o]2)=CC1)C1=CC(C2)C2C=C1 Chemical compound NC(C=CCC1)=C1O*c(cc1)ccc1N(c1ccccc1)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(C1C=CC(c2nc(cccc3)c3[o]2)=CC1)C1=CC(C2)C2C=C1 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUFKFXIFMLKZTD-UHFFFAOYSA-N [Tb+3].N1=CC=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C12 Chemical compound [Tb+3].N1=CC=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C12 SUFKFXIFMLKZTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N [azido(phenoxy)phosphoryl]oxybenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)(N=[N+]=[N-])OC1=CC=CC=C1 SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000748 anthracen-2-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C([H])=C([*])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-UHFFFAOYSA-N b2738 Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1C=CC1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004541 benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- DHFNUSLBFUOLKR-UHFFFAOYSA-N c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c1ccccc1)c(cc1)ccc1-c1nc(cccc2)c2[n]1-c1ccccc1 Chemical compound c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c1ccccc1)c(cc1)ccc1-c1nc(cccc2)c2[n]1-c1ccccc1 DHFNUSLBFUOLKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N coumarin 30 Chemical compound C1=CC=C2N(C)C(C=3C4=CC=C(C=C4OC(=O)C=3)N(CC)CC)=NC2=C1 JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N europium(3+) Chemical compound [Eu+3] LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- FOZRUZLNYFFDQC-UHFFFAOYSA-N fluoranthene-3,10-diamine Chemical compound C1=CC(C=2C=CC=C(C=22)N)=C3C2=CC=C(N)C3=C1 FOZRUZLNYFFDQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMLCVSPDRZVSRT-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-(9,9'-spirobi[fluorene]-2-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C(=CC=CC=2)C23C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C2=C1 CMLCVSPDRZVSRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNFOMBWFZZDRKO-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-[4-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]phenyl]carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 LNFOMBWFZZDRKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDZCNNKHPNYYSX-UHFFFAOYSA-N n,n,2-triphenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LDZCNNKHPNYYSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N n,n,9-triphenyl-10h-anthracen-9-amine Chemical compound C12=CC=CC=C2CC2=CC=CC=C2C1(C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAWQWMLNBYNXJX-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C(C=4C=CC=CC=4)=C4C=CC=CC4=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 XAWQWMLNBYNXJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWAGLGPZJUQQK-UHFFFAOYSA-N n-(4-carbazol-9-ylphenyl)-4-[2-[4-(n-(4-carbazol-9-ylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 CRWAGLGPZJUQQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKQKUOFOSZLDGL-UHFFFAOYSA-N n-(4-carbazol-9-ylphenyl)-n-phenyl-9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 DKQKUOFOSZLDGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUGSVDXBPQUXKX-UHFFFAOYSA-N n-[9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-yl]-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 KUGSVDXBPQUXKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001296 phosphorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 229960005235 piperonyl butoxide Drugs 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000078 poly(4-vinyltriphenylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000002909 rare earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DKWSBNMUWZBREO-UHFFFAOYSA-N terbium Chemical compound [Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb] DKWSBNMUWZBREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K trifluoroerbium Chemical compound F[Er](F)F QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- CJGUQZGGEUNPFQ-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(1,3-benzothiazol-2-yl)phenolate Chemical compound [Zn+2].[O-]C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2S1.[O-]C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2S1 CJGUQZGGEUNPFQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D235/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings
- C07D235/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
- C07D235/04—Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles
- C07D235/18—Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles with aryl radicals directly attached in position 2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D263/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings
- C07D263/52—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
- C07D263/54—Benzoxazoles; Hydrogenated benzoxazoles
- C07D263/56—Benzoxazoles; Hydrogenated benzoxazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached in position 2
- C07D263/57—Aryl or substituted aryl radicals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D413/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
- C07D413/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
- C07D413/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
-
- H01L51/0059—
-
- H01L51/0061—
-
- H01L51/0071—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
본 발명의 일 형태는, 트리아릴아민 화합물에 관한 것이다. 또한, 트리아릴아민 화합물을 사용한 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치에 관한 것이다. One aspect of the present invention relates to a triarylamine compound. Further, it relates to a light-emitting element, a light-emitting device, an electronic device, and a lighting device using a triarylamine compound.
최근, 일렉트로루미네선스(Electroluminescence)를 이용한 발광 소자의 연구 개발이 왕성하게 이루어지고 있다. 이들 발광 소자의 기본적인 구성은, 한 쌍의 전극간에 발광성 물질을 포함하는 층을 개재한 것이다. 이 소자에 전압을 인가함으로써, 발광성 물질로부터의 발광을 얻을 수 있다. In recent years, research and development of light emitting devices using electroluminescence has been actively conducted. The basic configuration of these light-emitting elements is that a layer containing a light-emitting material is interposed between a pair of electrodes. By applying a voltage to this device, light emission from the luminescent material can be obtained.
이러한 발광 소자는 자발광형이기 때문에, 액정 디스플레이에 비해 화소의 시인성(視認性)이 높고, 백라이트(backlight)가 불필요한 등의 이점이 있어 플랫 패널 디스플레이 소자(flat panel display element)로서 적합한 것으로 여겨지고 있다. 또한, 이러한 발광 소자는, 박형 경량으로 제작할 수 있는 것도 큰 이점이다. 또한 대단히 응답 속도가 빠른 것도 특징의 하나이다. Since such a light-emitting element is a self-luminous type, it is considered to be suitable as a flat panel display element because it has advantages such as higher pixel visibility and no backlight compared to a liquid crystal display. . In addition, it is also a great advantage that such a light-emitting element can be manufactured in a thin and lightweight manner. Also, one of the features is that the response speed is very fast.
그리고, 이들 발광 소자는 막 형상으로 형성하는 것이 가능하기 때문에, 면 형상의 발광을 용이하게 얻을 수 있다. 따라서, 면 형상의 발광을 이용한 대면적의 소자를 형성할 수 있다. 이것은, 백열 전구나 LED로 대표되는 점광원, 또는 형광등으로 대표되는 선광원에서는 얻기 어려운 특색이기 때문에, 조명 등에 응용할 수 있는 면광원으로서의 이용 가치도 높다. In addition, since these light-emitting elements can be formed in a film shape, light emission in a planar shape can be easily obtained. Therefore, it is possible to form a large-area device using surface-shaped light emission. Since this is a characteristic that is difficult to obtain in a point light source represented by an incandescent light bulb or an LED, or a line light source represented by a fluorescent lamp, the use value as a surface light source that can be applied to lighting or the like is also high.
그 일렉트로루미네선스를 이용한 발광 소자는, 발광성 물질이 유기 화합물인지, 무기 화합물인지에 의해 대별할 수 있는데, 발광성 물질에 유기 화합물을 사용하는 경우, 발광 소자에 전압을 인가함으로써, 한 쌍의 전극으로부터 전자 및 정공이 각각 발광성의 유기 화합물을 포함하는 층에 주입되어 전류가 흐른다. 그리고, 이들 캐리어(전자 및 정공)에 의해 발광성의 유기 화합물이 여기 상태를 형성하고, 그 여기 상태가 기저 상태로 되돌아올 때에 발광한다. Light-emitting elements using the electroluminescence can be roughly classified by whether the light-emitting material is an organic compound or an inorganic compound. When an organic compound is used for the light-emitting material, a pair of electrodes is applied by applying a voltage to the light-emitting element. From, electrons and holes are injected into the layer containing the light-emitting organic compound, respectively, so that a current flows. Then, the luminescent organic compound forms an excited state by these carriers (electrons and holes), and emits light when the excited state returns to the ground state.
이러한 메커니즘으로부터, 이러한 발광 소자는 전류 여기형의 발광 소자라고 불린다. 또한, 유기 화합물이 형성하는 여기 상태의 종류로서는, 1중항 여기 상태와 3중항 여기 상태가 가능하고, 1중항 여기 상태로부터의 발광이 형광, 3중항 여기 상태로부터의 발광이 인광이라고 불리고 있다. From this mechanism, this light-emitting element is called a current-excited light-emitting element. In addition, as the type of the excited state formed by the organic compound, a singlet excited state and a triplet excited state are possible. Light emission from a singlet excited state is called fluorescence, and light emission from a triplet excited state is called phosphorescence.
이러한 발광 소자에 관해서는, 그 소자 특성을 향상시키는데 있어서, 물질에 의존한 문제가 많으며, 이들을 극복하기 위해서 소자 구조의 개량이나 물질 개발 등이 실시되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1). With regard to such a light-emitting device, there are many problems depending on the material in improving the device characteristics, and in order to overcome these, improvement of the device structure and development of materials have been carried out (for example, Patent Document 1).
본 발명의 일 형태에서는, 정공 수송성 및 전자 수송성의 양자를 구비한, 소위 바이폴라성(bipolar property)을 갖는 신규 트리아릴아민 화합물을 제공한다. 또한, 본 발명의 일 형태는, 발광 효율이 높은 발광 소자를 제공한다. 또한, 소비 전력이 낮은 발광 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공한다. In one aspect of the present invention, a novel triarylamine compound having both hole-transporting properties and electron-transporting properties and having so-called bipolar properties is provided. In addition, one embodiment of the present invention provides a light emitting device having high luminous efficiency. Further, a light emitting device, an electronic device, or a lighting device having low power consumption is provided.
본 발명의 일 형태는, 트리아릴아민 화합물이다. 따라서, 본 발명의 구성은, 하기 화학식 1로 표시되는 트리아릴아민 화합물(G1)이다. One aspect of the present invention is a triarylamine compound. Accordingly, the constitution of the present invention is a triarylamine compound (G1) represented by the following formula (1).
상기 화학식 1에서, In Formula 1,
E1은, 산소 또는 질소 원자이고, 질소 원자인 경우에는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 비페닐기가 결합하며, E 1 is an oxygen or nitrogen atom, and in the case of a nitrogen atom, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group is bonded,
α1 내지 α3은, 각각 독립적으로 치환 또는 무치환의 페닐렌기, 치환 또는 무치환의 비페닐렌기 중 어느 하나이고, m, n은, 각각 독립적으로 0 또는 1이고,α 1 to α 3 are each independently a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, m and n are each independently 0 or 1,
Ar1은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기, 또는 하기 화학식 2로 표시되는 아릴기 중 어느 하나이고, Ar 1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted carbazolyl group, a substituted or Any one of an unsubstituted dibenzothiophenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or an aryl group represented by the following formula (2),
Ar2는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고,Ar 2 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted It is any one of a substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group,
R1 내지 R4는, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다. R 1 to R 4 are either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
상기 화학식 2에서, In Chemical Formula 2,
E2는, 산소 또는 질소 원자이고, 질소 원자인 경우에는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 비페닐기가 결합하며, E 2 is an oxygen or nitrogen atom, and in the case of a nitrogen atom, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group is bonded,
α4 내지 α6은, 각각 독립적으로 치환 또는 무치환의 페닐렌기, 치환 또는 무치환의 비페닐렌기 중 어느 하나이고, q는, 0 또는 1이고, α 4 to α 6 are each independently a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, q is 0 or 1,
Ar3은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고, Ar 3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted It is any one of a substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group,
R5 내지 R8은, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다.R 5 to R 8 are either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는, 하기 화학식 3으로 표시되는 트리아릴아민 화합물(G2)이다. In addition, another aspect of the present invention is a triarylamine compound (G2) represented by the following formula (3).
상기 화학식 3에서,In Chemical Formula 3,
E1은, 산소 또는 질소 원자이고, 질소 원자인 경우에는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 비페닐기가 결합하고, E 1 is an oxygen or nitrogen atom, and in the case of a nitrogen atom, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group is bonded,
α1은, 치환 또는 무치환의 페닐렌기, 치환 또는 무치환의 비페닐렌기 중 어느 하나이고, m, n은, 각각 독립적으로 0 또는 1이고,α 1 is any one of a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, m and n are each independently 0 or 1,
Ar1은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기, 또는 하기 화학식 4로 표시되는 아릴기 중 어느 하나이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted carbazolyl group, a substituted or Any one of an unsubstituted dibenzothiophenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or an aryl group represented by the following formula (4),
Ar2는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고,Ar 2 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted It is any one of a substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group,
R1 내지 R4는, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다. R 1 to R 4 are either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
상기 화학식 4에서,In Chemical Formula 4,
E2는, 산소 또는 질소 원자이고, 질소 원자인 경우에는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 비페닐기가 결합하고, E 2 is an oxygen or nitrogen atom, and in the case of a nitrogen atom, a substituted or unsubstituted phenyl group or a substituted or unsubstituted biphenyl group is bonded,
α4는, 치환 또는 무치환의 페닐렌기, 치환 또는 무치환의 비페닐렌기 중 어느 하나이고, q는, 0 또는 1이고, α 4 is any one of a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, and q is 0 or 1,
Ar3은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고, Ar 3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted It is any one of a substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group,
R5 내지 R8은, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다.R 5 to R 8 are either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는, 하기 화학식 5로 표시되는 트리아릴아민 화합물(G3)이다. In addition, another aspect of the present invention is a triarylamine compound (G3) represented by the following formula (5).
상기 화학식 5에서, In Chemical Formula 5,
E1은, 산소 또는 질소 원자이고, 질소 원자인 경우에는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 비페닐기가 결합하고,E 1 is an oxygen or nitrogen atom, and in the case of a nitrogen atom, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group is bonded,
m, n은, 각각 독립적으로 0 또는 1이고,m and n are each independently 0 or 1,
Ar1은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기, 또는 하기 화학식 6으로 표시되는 아릴기 중 어느 하나이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted carbazolyl group, a substituted or Any one of an unsubstituted dibenzothiophenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or an aryl group represented by the following formula (6),
Ar2는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고,Ar 2 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted It is any one of a substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group,
R1 내지 R4는, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다. R 1 to R 4 are either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
상기 화학식 6에서,In Chemical Formula 6,
E2는, 산소 또는 질소 원자이고, 질소 원자인 경우에는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 비페닐기가 결합하고, E 2 is an oxygen or nitrogen atom, and in the case of a nitrogen atom, a substituted or unsubstituted phenyl group or a substituted or unsubstituted biphenyl group is bonded,
q는, 0 또는 1이고, q is 0 or 1,
Ar3은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고, Ar 3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted It is any one of a substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group,
R5 내지 R8은, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다.R 5 to R 8 are either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
또한, 본 발명의 다른 일 형태는, 하기 구조식(100)으로 표시되는 트리아릴아민 화합물이다. In addition, another aspect of the present invention is a triarylamine compound represented by the following structural formula (100).
(100) (100)
또한, 본 발명의 다른 일 형태는, 하기 구조식(135)로 표시되는 트리아릴아민 화합물이다. In addition, another aspect of the present invention is a triarylamine compound represented by the following structural formula (135).
(135) (135)
또한, 본 발명의 트리아릴아민 화합물은, 정공 수송성 및 전자 수송성의 양자를 구비한, 소위 바이폴라성을 가지고 있다. 또한, 열물성이 양호하여, 비정질성이 높은 것이 특징이다. 따라서, 발광 소자의 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층에 적용할 수 있다. 또한, 본 발명의 트리아릴아민 화합물은, 5원환에 결합한 페닐기를 포함하는 구조를 개재하여 아민을 구성하는 구조를 가지고 있는 점에서, 아민에 결합되는 다른 복소환으로의 공액의 확대를 억제할 수 있다. 이로 인해, 발광층이 호스트 재료와 게스트 재료(발광 재료)의 조합에 의해 구성되는 경우에, 비교적 단파장의 발광 재료에 대한 호스트 재료로서도 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 트리아릴아민 화합물은 형광성을 가지기 때문에, 발광층에 있어서의 발광성 물질로서도 사용할 수 있다. 따라서 본 발명은, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 사용한 발광 소자도 포함하는 것으로 한다. Further, the triarylamine compound of the present invention has a so-called bipolar property having both hole-transporting properties and electron-transporting properties. In addition, it is characterized by good thermal properties and high amorphous properties. Therefore, it can be applied to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer of a light emitting device. In addition, since the triarylamine compound of the present invention has a structure constituting an amine via a structure containing a phenyl group bonded to a 5-membered ring, the expansion of conjugation to other heterocycles bonded to the amine can be suppressed. have. For this reason, when the light-emitting layer is formed by a combination of a host material and a guest material (light-emitting material), it can also be used as a host material for a light-emitting material having a relatively short wavelength. Further, since the triarylamine compound of the present invention has fluorescence, it can also be used as a light-emitting substance in a light-emitting layer. Therefore, it is assumed that the present invention also includes a light-emitting device using the triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention.
즉, 본 발명의 다른 구성은, 한 쌍의 전극간에 EL층을 갖는 발광 소자로서, EL층에 포함되는 발광층, 또는 정공 수송층의 적어도 하나에 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다. That is, another configuration of the present invention is a light-emitting device having an EL layer between a pair of electrodes, wherein at least one of the light-emitting layer or hole transport layer included in the EL layer contains a triarylamine compound of one embodiment of the present invention. It is characterized.
또한, 본 발명의 일 형태는, 발광 소자를 갖는 발광 장치뿐만 아니라, 발광 장치를 갖는 전자 기기 및 조명 장치도 범주에 포함하는 것이다. 따라서, 본 명세서 중에 있어서의 발광 장치란, 화상 표시 디바이스, 발광 디바이스, 또는 광원(조명 장치 포함)을 가리킨다. 또한, 발광 장치에 커넥터, 예를 들면 FPC(Flexible printed circuit) 또는 TAB(Tape Automated Bonding) 테이프 또는 TCP(Tape Carrier Package)가 장착된 모듈, TAB 테이프나 TCP의 선단에 프린트 배선판이 형성된 모듈, 또는 발광 소자에 COG(Chip On Glass) 방식에 의해 IC(집적 회로)가 직접 실장된 모듈도 모두 발광 장치에 포함하는 것으로 한다. In addition, one embodiment of the present invention includes not only a light-emitting device having a light-emitting element, but also an electronic device and a lighting device having a light-emitting device in the category. Therefore, the light-emitting device in this specification refers to an image display device, a light-emitting device, or a light source (including a lighting device). In addition, a connector in the light emitting device, for example, a module in which a flexible printed circuit (FPC) or a tape automated bonding (TAB) tape or a tape carrier package (TCP) is mounted, a module in which a printed wiring board is formed at the tip of a TAB tape or TCP, or All modules in which an IC (integrated circuit) is directly mounted on a light emitting device by a chip on glass (COG) method are also included in the light emitting device.
본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물은, 바이폴라성을 나타내기 때문에, 발광 소자의 EL층을 구성하는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층에 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등에 사용하여 발광 소자를 형성함으로써, 발광 효율이 높은 발광 소자를 형성할 수 있다. 또한, 이러한 발광 소자를 적용함으로써, 소비 전력이 적고, 구동 전압이 낮은 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치를 제공할 수 있다. Since the triarylamine compound of one embodiment of the present invention exhibits bipolarity, it can be used for a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer constituting the EL layer of a light emitting device. In addition, by forming a light emitting device by using a triarylamine compound, which is an embodiment of the present invention, for a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, or the like, a light emitting device having high luminous efficiency can be formed. In addition, by applying such a light-emitting element, a light-emitting device, an electronic device, and a lighting device having low power consumption and low driving voltage can be provided.
도 1은 발광 소자의 구조에 관해서 설명하는 도면.
도 2는 발광 소자의 구조에 관해서 설명하는 도면.
도 3a 및 3b는 발광 소자의 구조에 관해서 설명하는 도면.
도 4는 발광 장치에 관해서 설명하는 도면.
도 5a 및 5b는 발광 장치에 관해서 설명하는 도면.
도 6a 내지 6d는 전자 기기에 관해서 설명하는 도면.
도 7은 조명 기구에 관해서 설명하는 도면.
도 8a 및 8b는 구조식(100)으로 나타내는 트리아릴아민 화합물의 1H-NMR 차트.
도 9a 및 9b는 구조식(100)으로 나타내는 트리아릴아민 화합물의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 10a 및 10b는 구조식(135)으로 나타내는 트리아릴아민 화합물의 1H-NMR 차트.
도 11a 및 11b는 구조식(135)으로 나타내는 트리아릴아민 화합물의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 12는 발광 소자에 관해서 설명하는 도면.
도 13은 발광 소자 1의 전류 밀도-휘도 특성을 도시하는 도면.
도 14는 발광 소자 1의 전압-휘도 특성을 도시하는 도면.
도 15는 발광 소자 1의 휘도-전류 효율 특성을 도시하는 도면.
도 16은 발광 소자 1의 전압-전류 특성을 도시하는 도면.
도 17은 발광 소자 1의 휘도-색도 특성을 도시하는 도면.
도 18은 발광 소자 1의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 19는 발광 소자 1의 신뢰성을 도시하는 도면.
도 20은 발광 소자 2 내지 4의 전류 밀도-휘도 특성을 도시하는 도면.
도 21은 발광 소자 2 내지 4의 전압-휘도 특성을 도시하는 도면.
도 22는 발광 소자 2 내지 4의 휘도-전류 효율 특성을 도시하는 도면.
도 23은 발광 소자 2 내지 4의 전압-전류 특성을 도시하는 도면.
도 24는 발광 소자 2 내지 4의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 25는 발광 소자 5의 전류 밀도-휘도 특성을 도시하는 도면.
도 26은 발광 소자 5의 전압-휘도 특성을 도시하는 도면.
도 27은 발광 소자 5의 휘도-전류 효율 특성을 도시하는 도면.
도 28은 발광 소자 5의 전압-전류 특성을 도시하는 도면.
도 29는 발광 소자 5의 발광 스펙트럼을 도시하는 도면.
도 30은 발광 소자 5의 신뢰성을 도시하는 도면.1 is a diagram explaining the structure of a light-emitting element.
Fig. 2 is a diagram explaining the structure of a light-emitting element.
3A and 3B are diagrams for explaining the structure of a light-emitting element.
Fig. 4 is a diagram explaining a light emitting device.
5A and 5B are diagrams for explaining a light emitting device.
6A to 6D are diagrams for explaining an electronic device.
Fig. 7 is a diagram explaining a lighting fixture.
8A and 8B are 1 H-NMR charts of a triarylamine compound represented by structural formula (100).
9A and 9B are ultraviolet and visible absorption spectra and emission spectra of a triarylamine compound represented by structural formula (100).
10A and 10B are 1 H-NMR charts of a triarylamine compound represented by structural formula (135).
11A and 11B are ultraviolet and visible absorption spectra and emission spectra of a triarylamine compound represented by structural formula (135).
Fig. 12 is a diagram explaining a light-emitting element.
13 is a diagram showing current density-luminance characteristics of Light-Emitting
14 is a diagram showing voltage-luminance characteristics of Light-Emitting
15 is a diagram showing luminance-current efficiency characteristics of Light-Emitting
16 is a diagram showing voltage-current characteristics of Light-Emitting
17 is a diagram showing luminance-chromaticity characteristics of Light-Emitting
18 is a diagram showing an emission spectrum of Light-Emitting
19 is a diagram showing the reliability of Light-Emitting
Fig. 20 is a diagram showing current density-luminance characteristics of Light-Emitting
Fig. 21 is a diagram showing voltage-luminance characteristics of Light-Emitting
22 is a diagram showing luminance-current efficiency characteristics of Light-Emitting
23 is a diagram showing voltage-current characteristics of light-emitting
Fig. 24 is a diagram showing emission spectra of Light-Emitting
Fig. 25 is a diagram showing current density-luminance characteristics of Light-Emitting
26 is a diagram showing voltage-luminance characteristics of Light-Emitting
Fig. 27 is a diagram showing luminance-current efficiency characteristics of Light-Emitting
28 is a diagram showing voltage-current characteristics of Light-Emitting
29 is a diagram showing an emission spectrum of Light-Emitting
Fig. 30 is a diagram showing the reliability of Light-Emitting
이하, 본 발명의 실시의 형태에 관해서 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 일탈하지 않고 그 형태 및 상세를 다양하게 변경하는 것이 가능하다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is possible to variously change the form and details without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention is not interpreted as being limited to the description of the embodiments shown below.
(실시형태 1)(Embodiment 1)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물에 관해서 설명한다. In this embodiment, a triarylamine compound which is one embodiment of the present invention will be described.
본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물은, 하기 화학식 1로 표시된다. The triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention, is represented by the following formula (1).
화학식 1
상기 화학식 1에서, In
E1은, 산소 또는 질소 원자이고, 질소 원자인 경우에는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 비페닐기가 결합하고,E 1 is an oxygen or nitrogen atom, and in the case of a nitrogen atom, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group is bonded,
α1 내지 α3은, 각각 독립적으로 치환 또는 무치환의 페닐렌기, 치환 또는 무치환의 비페닐렌기 중 어느 하나이고, m, n은, 각각 독립적으로 0 또는 1이고,α 1 to α 3 are each independently a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, m and n are each independently 0 or 1,
Ar1은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기, 또는 하기 화학식 2로 표시되는 아릴기 중 어느 하나이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted carbazolyl group, a substituted or Any one of an unsubstituted dibenzothiophenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or an aryl group represented by the following formula (2),
Ar2는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고,Ar 2 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted It is any one of a substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group,
R1 내지 R4는, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다. R 1 to R 4 are either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
화학식 2
상기 화학식 2에서, In
E2는, 산소 또는 질소 원자이고, 질소 원자인 경우는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 비페닐기가 결합하고, E 2 is an oxygen or nitrogen atom, and in the case of a nitrogen atom, a substituted or unsubstituted phenyl group or a substituted or unsubstituted biphenyl group is bonded,
α4 내지 α6은, 각각 독립적으로 치환 또는 무치환의 페닐렌기, 치환 또는 무치환의 비페닐렌기 중 어느 하나이고, q는, 0 또는 1이고, α 4 to α 6 are each independently a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, q is 0 or 1,
Ar3은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고, Ar 3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted It is any one of a substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group,
R5 내지 R8은, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다.R 5 to R 8 are either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
또한, 화학식 1로 표시되는 트리아릴아민 화합물은, 유기 EL 소자의 내열성의 관점에서, 분자량 430 이상이 바람직하다. 또한, 증착막으로 형성하는 경우, 승화성의 관점에서 분자량 1000 이하가 바람직하다. 보다 바람직하게는 분자량 500 이상, 800 이하이다. Further, the triarylamine compound represented by the general formula (1) preferably has a molecular weight of 430 or more from the viewpoint of heat resistance of an organic EL device. Further, in the case of forming by a vapor deposition film, a molecular weight of 1000 or less is preferable from the viewpoint of sublimation. More preferably, the molecular weight is 500 or more and 800 or less.
따라서, 화학식 1로 표시되는 트리아릴아민 화합물은, E1이 질소 원자인 경우, 분자량의 관점에서 Ar1은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나인 방법이 바람직하다. Accordingly, in the triarylamine compound represented by
여기에서, 화학식 1 또는 2 중, α1 내지 α6으로 표시되는 페닐렌기, 또는, 비페닐렌기의 구체예로서는, 하기 구조식(s-1) 내지 (s-8) 중 어느 하나를 들 수 있다. Here, as a specific example of a phenylene group represented by α 1 to α 6 or a biphenylene group in
상기 구조식 중, (s-2), (s-3), (s-5) 내지 (s-8)과 같이 메타 위치나 오르토 위치에서 결합하고 있는 편이, 공액이 연신되기 어려워 바람직하다. (s-1)이나 (s-4)와 같이 파라 위치에서 결합하고 있는 편이, 캐리어 수송성이 향상되고, 신뢰성이 양호해지는 것을 기대할 수 있기 때문에 바람직하다. Among the structural formulas, the ones that are bonded at the meta position or ortho position as in (s-2), (s-3), (s-5) to (s-8) are preferred because the conjugate is difficult to stretch. It is preferable to bond at the para position as in (s-1) and (s-4) because it can be expected that carrier transportability improves and reliability improves.
또한, 화학식 1 중, Ar1 내지 Ar3의 구체예로서는, 하기 구조식(s-11) 내지 (s-25) 중 어느 하나를 들 수 있다. In addition, as a specific example of Ar 1 to Ar 3 in
상기 구조식 중, (s-11) 내지 (s-25)로 표시한 치환기는, 밴드 갭이 넓은 치환기이기 때문에, 공액이 커지기 어려워 바람직하다. (s-12) 내지 (s-25)와 같이, 2환 이상으로 구성된 환을 갖는 아릴기는, 캐리어 수송성이 양호하여 바람직하다. (s-19) 내지 (s-22)와 같이, 9위치 치환이나 3위치 치환의 카르바졸릴기나 2위치 치환의 디벤조티오페닐기, 디벤조푸라닐기는, 홀 수송성이 양호해져 바람직하다. In the above structural formula, since the substituents represented by (s-11) to (s-25) are substituents having a wide band gap, conjugation is difficult to increase, and thus, it is preferable. As shown in (s-12) to (s-25), an aryl group having a ring composed of two or more rings is preferable because of its good carrier transportability. As in (s-19) to (s-22), a 9-position or 3-position-substituted carbazolyl group, a 2-position-substituted dibenzothiophenyl group, or a dibenzofuranyl group is preferable because the hole transport property is improved.
또한, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물은, 하기 화학식 3으로 표시된다. In addition, a triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention, is represented by the following formula (3).
화학식 3
상기 화학식 3에서, In
E1은, 산소 또는 질소 원자이고, 질소 원자인 경우에는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 비페닐기가 결합하고,E 1 is an oxygen or nitrogen atom, and in the case of a nitrogen atom, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group is bonded,
α1은, 치환 또는 무치환의 페닐렌기, 치환 또는 무치환의 비페닐렌기 중 어느 하나이고, m, n은, 각각 독립적으로 0 또는 1이고,α 1 is any one of a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, m and n are each independently 0 or 1,
Ar1은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기, 또는 하기 화학식 4로 표시되는 아릴기 중 어느 하나이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted carbazolyl group, a substituted or Any one of an unsubstituted dibenzothiophenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or an aryl group represented by the following formula (4),
Ar2는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고, Ar 2 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted It is any one of a substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group,
R1 내지 R4는, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다. R 1 to R 4 are either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
화학식 4
상기 화학식 4에서, In
E2는, 산소 또는 질소 원자이고, 질소 원자인 경우에는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 비페닐기가 결합하고, E 2 is an oxygen or nitrogen atom, and in the case of a nitrogen atom, a substituted or unsubstituted phenyl group or a substituted or unsubstituted biphenyl group is bonded,
α4는, 치환 또는 무치환의 페닐렌기, 치환 또는 무치환의 비페닐렌기 중 어느 하나이고, q는, 0 또는 1이고, α 4 is any one of a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, and q is 0 or 1,
Ar3은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고, Ar 3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted It is any one of a substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group,
R5 내지 R8은, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다.R 5 to R 8 are either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
여기에서, 화학식 3 또는 화학식 4에 있어서의 α1, α4, Ar1, Ar2, Ar3의 구체적인 예로서는, 화학식 1과 같은 것을 들 수 있다. Here, specific examples of α 1 , α 4 , Ar 1 , Ar 2 , and Ar 3 in
또한, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물은, 하기 화학식 5로 표시된다. In addition, the triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention, is represented by the following formula (5).
화학식 5
상기 화학식 5에서, In
E1은, 산소 또는 질소 원자이고, 질소 원자인 경우에는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 비페닐기가 결합하고,E 1 is an oxygen or nitrogen atom, and in the case of a nitrogen atom, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group is bonded,
m, n은, 각각 독립적으로 0 또는 1이고,m and n are each independently 0 or 1,
Ar1은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기, 또는 하기 화학식 6으로 표시되는 아릴기 중 어느 하나이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted carbazolyl group, a substituted or Any one of an unsubstituted dibenzothiophenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or an aryl group represented by the following formula (6),
Ar2는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고,Ar 2 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted It is any one of a substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group,
R1 내지 R4는, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다. R 1 to R 4 are either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
화학식 6
상기 화학식 6에서,In
E2는, 산소 또는 질소 원자이고, 질소 원자인 경우에는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 비페닐기가 결합하고, E 2 is an oxygen or nitrogen atom, and in the case of a nitrogen atom, a substituted or unsubstituted phenyl group or a substituted or unsubstituted biphenyl group is bonded,
q는, 0 또는 1이고, q is 0 or 1,
Ar3은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고, Ar 3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted It is any one of a substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group,
R5 내지 R8은, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다.R 5 to R 8 are either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.
여기에서, 화학식 5 또는 화학식 6에 있어서의 Ar1, Ar2, Ar3의 구체적인 예로서는, 화학식 1과 같은 것을 들 수 있다. Here, as a specific example of Ar 1 , Ar 2 , and Ar 3 in
또한, 상기 화학식 1, 3 및 5로 표시되는 트리아릴아민 화합물에 있어서, 치환기를 가지면 열물성(Tg)을 향상시키기 때문에 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, tert-부틸기 등의 탄소수 1 내지 6의 알킬기나, 페닐기 등을 들 수 있다. In addition, in the triarylamine compound represented by
다음에, 상기한 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물의 구체적인 구조식을 나타낸다(하기 구조식(100) 내지 (118), (130) 내지 (136)). 다만, 본 발명은 이들에 한정되지는 안된다. Next, the specific structural formula of the triarylamine compound which is one embodiment of the present invention described above is shown (the following structural formulas (100) to (118), (130) to (136)). However, the present invention is not limited to these.
또한, 상기 구조식(100) 내지 (118), (130) 내지 (136)으로 표시되는 트리아릴아민 화합물은, 바이폴라성이 우수한 신규 물질이다. 구체적으로는, 벤즈이미다졸릴기 또는 벤즈옥사졸릴기가 전자 수송성이 우수한 골격이며, 트리아릴아민 골격이 홀 수송성이 우수한 골격이다. In addition, the triarylamine compounds represented by the structural formulas (100) to (118) and (130) to (136) are novel materials having excellent bipolar properties. Specifically, a benzimidazolyl group or a benzoxazolyl group is a skeleton having excellent electron transport properties, and a triarylamine skeleton is a skeleton having excellent hole transport properties.
다음에, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물의 합성 방법의 일례로서, 화학식 1로 표시되는 트리아릴아민 화합물의 합성 방법에 관해서 설명한다. Next, as an example of a method for synthesizing a triarylamine compound according to an embodiment of the present invention, a method for synthesizing a triarylamine compound represented by
《화학식 1로 표시되는 트리아릴아민 화합물의 합성법》《Synthesis method of triarylamine compound represented by
하기 화학식 1로 표시되는 트리아릴아민 화합물의 합성 방법의 일례에 관해서 설명한다. An example of a method for synthesizing the triarylamine compound represented by the following formula (1) will be described.
화학식 1
화학식 1로 표시되는 트리아릴아민 화합물은, 이하에 반응식 A로 나타내는 합성 도식에 표기되는 합성 방법에 의해 합성할 수 있다. The triarylamine compound represented by the general formula (1) can be synthesized by a synthesis method shown in the synthesis scheme represented by Scheme A below.
반응식 AScheme A
상기 반응식 A에서, X1은 할로겐을 나타내고, 요오드, 브롬, 염소의 순으로 반응성이 양호해져 바람직하다. In the above reaction formula A, X 1 represents halogen, and the reactivity becomes good in the order of iodine, bromine, and chlorine, which is preferable.
반응식 A에 나타내는 바와 같이, 디아릴아민 화합물(a1)과, 할로겐화 아릴 화합물(a2)을 커플링시킴으로써, 상기 화학식 1로 표시되는 트리아릴아민 화합물이 얻어진다. As shown in Scheme A, by coupling a diarylamine compound (a1) and a halogenated aryl compound (a2), a triarylamine compound represented by the above formula (1) is obtained.
또한 상기 반응식 A의 반응은 여러 가지 반응 조건이 있지만, 그 일례로서, 염기 존재하에서 금속 촉매를 사용한 합성 방법을 적용할 수 있다. In addition, the reaction of Scheme A has various reaction conditions, but as an example, a synthesis method using a metal catalyst in the presence of a base can be applied.
상기 합성 반응에 있어서, 하트위그·부흐발트 반응을 사용하는 경우에 관해서 나타낸다. 금속 촉매로서는 팔라듐 촉매를 사용할 수 있고, 상기 팔라듐 촉매로서는 팔라듐 착체와 그 배위자의 혼합물을 사용할 수 있다. 상기 팔라듐 착체로서는, 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0), 아세트산팔라듐(II) 등을 들 수 있다. 또한 상기 배위자로서는, 트리(tert-부틸)포스핀이나, 트리(n-헥실)포스핀이나, 트리사이클로헥실포스핀이나, 1,1-비스(디페닐포스피노)페로센(약칭: DPPF) 등을 들 수 있다. 또한, 염기로서 사용할 수 있는 물질로서는, 나트륨 tert-부톡사이드 등의 유기 염기나, 탄산칼륨 등의 무기 염기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 반응은 용액 중에서 행하는 것이 바람직하며, 사용할 수 있는 용매로서는, 톨루엔, 크실렌, 벤젠 등을 들 수 있다. 다만, 상기 사용할 수 있는 촉매 및 그 배위자, 염기, 용매는 이들에 한정되는 것이 아니다. 또한 상기 반응은 질소나 아르곤 등 불활성 분위기하에서 행하는 것이 바람직하다. In the above synthesis reaction, a case where the Hartwig-Buchwald reaction is used is described. A palladium catalyst can be used as the metal catalyst, and a mixture of a palladium complex and its ligand can be used as the palladium catalyst. Examples of the palladium complex include bis(dibenzylideneacetone)palladium(0), palladium(II) acetate, and the like. In addition, as the ligand, tri(tert-butyl)phosphine, tri(n-hexyl)phosphine, tricyclohexylphosphine, 1,1-bis(diphenylphosphino)ferrocene (abbreviation: DPPF), etc. Can be mentioned. Moreover, as a substance which can be used as a base, organic bases, such as sodium tert-butoxide, and inorganic bases, such as potassium carbonate, etc. are mentioned. In addition, the reaction is preferably carried out in a solution, and examples of the solvent that can be used include toluene, xylene, benzene, and the like. However, the catalyst that can be used and its ligands, bases, and solvents are not limited thereto. In addition, the reaction is preferably carried out in an inert atmosphere such as nitrogen or argon.
또한, 화학식 1로 표시되는 트리아릴아민 화합물의 Ar1이 화학식 2일 때, 화학식 G'로 표시되는 트리아릴아민 화합물은, 이하에 반응식 B로 나타내는 합성 도식에 나타내는 합성 방법에 의해 합성할 수 있다. In addition, when Ar 1 of the triarylamine compound represented by
반응식 BScheme B
상기 반응식 B에서, X1과 X2는 각각 독립적으로 할로겐을 나타내고, 요오드, 브롬, 염소의 순으로 반응성이 양호해져 바람직하다. In the above reaction formula B, X 1 and X 2 each independently represent a halogen, and the reactivity of iodine, bromine, and chlorine in the order of iodine, bromine, and chlorine becomes good, which is preferable.
반응식 B에 나타내는 바와 같이, 디아릴아민 화합물(a1)과, 디할로겐화 아릴 화합물(a3)과, 디아릴아민 화합물(a4)을 커플링시킴으로써, 상기 화학식 G1'로 표시되는 트리아릴아민 화합물이 얻어진다. As shown in Scheme B, by coupling a diarylamine compound (a1), a dihalogenated aryl compound (a3), and a diarylamine compound (a4), a triarylamine compound represented by the above formula G1' is obtained. Lose.
또한, 상기 반응식 B의 반응은 여러 가지 반응 조건이 있지만, 그 일례로서, 염기 존재하에서 금속 촉매를 사용한 합성 방법을 적용할 수 있다. In addition, although the reaction of Scheme B has various reaction conditions, as an example, a synthesis method using a metal catalyst in the presence of a base can be applied.
상기 합성 반응에 있어서, 하트위그·부흐발트 반응을 사용하는 경우에 관해서 나타낸다. 금속 촉매로서는 팔라듐 촉매를 사용할 수 있고, 상기 팔라듐 촉매로서는 팔라듐 착체와 그 배위자의 혼합물을 사용할 수 있다. 상기 팔라듐 착체로서는, 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0), 아세트산팔라듐(II) 등을 들 수 있다. 또한 상기 배위자로서는, 트리(tert-부틸)포스핀이나, 트리(n-헥실)포스핀이나, 트리사이클로헥실포스핀이나, 1,1-비스(디페닐포스피노)페로센(약칭: DPPF) 등을 들 수 있다. 또한, 염기로서 사용할 수 있는 물질로서는, 나트륨 tert-부톡사이드 등의 유기 염기나, 탄산칼륨 등의 무기 염기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 반응은 용액 중에서 행하는 것이 바람직하며, 사용할 수 있는 용매로서는, 톨루엔, 크실렌, 벤젠 등을 들 수 있다. 다만, 상기 사용할 수 있는 촉매 및 그 배위자, 염기, 용매는 이들에 한정되는 것이 아니다. 또한 상기 반응은 질소나 아르곤 등 불활성 분위기하에서 행하는 것이 바람직하다. In the above synthesis reaction, a case where the Hartwig-Buchwald reaction is used is described. A palladium catalyst can be used as the metal catalyst, and a mixture of a palladium complex and its ligand can be used as the palladium catalyst. Examples of the palladium complex include bis(dibenzylideneacetone)palladium(0), palladium(II) acetate, and the like. In addition, as the ligand, tri(tert-butyl)phosphine, tri(n-hexyl)phosphine, tricyclohexylphosphine, 1,1-bis(diphenylphosphino)ferrocene (abbreviation: DPPF), etc. Can be mentioned. Moreover, as a substance which can be used as a base, organic bases, such as sodium tert-butoxide, and inorganic bases, such as potassium carbonate, etc. are mentioned. In addition, the reaction is preferably carried out in a solution, and examples of the solvent that can be used include toluene, xylene, benzene, and the like. However, the catalyst that can be used and its ligands, bases, and solvents are not limited thereto. In addition, the reaction is preferably carried out in an inert atmosphere such as nitrogen or argon.
또한, 이 때, 화합물(a1)과 화합물(a4)은 동일한 편이, 합성이 간편해져 바람직하다. In addition, in this case, it is preferable that the compound (a1) and the compound (a4) are the same, because synthesis becomes simpler.
이상, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물의 합성 방법의 일례에 관해서 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지는 않으며, 다른 어떤 합성 방법에 의해 합성되어도 좋다. As described above, an example of a method for synthesizing the triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention, has been described, but the present invention is not limited to this, and may be synthesized by any other synthesis method.
상기한 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물은, 바이폴라성이 우수하기 때문에, 발광 소자에 있어서의 캐리어 수송성 재료로서 이용할 수 있다. 그 외, 발광 소자에 있어서의 발광층의 호스트 재료로서도 사용할 수 있다. Since the triarylamine compound which is one embodiment of the present invention described above is excellent in bipolar properties, it can be used as a carrier transporting material in a light emitting device. In addition, it can also be used as a host material for a light-emitting layer in a light-emitting element.
또한, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 사용함으로써, 발광 효율이 높고, 구동 전압의 상승을 최소한으로 제압한 발광 소자를 실현할 수 있다. 또한, 이러한 발광 소자를 적용함으로써, 소비 전력이 낮은 발광 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 실현할 수 있다. Further, by using the triarylamine compound as an embodiment of the present invention, a light emitting device having high luminous efficiency and suppressing the increase in driving voltage to a minimum can be realized. Further, by applying such a light-emitting element, a light-emitting device, an electronic device, or a lighting device with low power consumption can be realized.
또한, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물은, 유기 박막 태양 전지에 사용할 수도 있다. 구체적으로는, 유기 박막 태양 전지의 캐리어 수송층, 캐리어 주입층에 사용할 수 있다. 또한, 억셉터성 물질과의 혼합에 의해, 전하 발생층에 사용할 수 있다. 또한, 광 여기하기 때문에, 발전층(發電層)으로서 사용할 수 있다. Moreover, the triarylamine compound which is one embodiment of this invention can also be used for an organic thin film solar cell. Specifically, it can be used for a carrier transport layer and a carrier injection layer of an organic thin film solar cell. Further, it can be used for a charge generation layer by mixing with an acceptor substance. In addition, since it is photo-excited, it can be used as a power generation layer.
본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다. The configuration shown in this embodiment can be used in appropriate combination with the configuration shown in the other embodiments.
(실시형태 2)(Embodiment 2)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태로서 실시형태 1에서 나타낸 트리아릴아민 화합물을 정공 수송층에 사용한 발광 소자에 관해서 도 1을 사용하여 설명한다. In this embodiment, a light-emitting device in which the triarylamine compound shown in
본 실시형태에 나타내는 발광 소자는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 한 쌍의 전극(제 1 전극(양극)(101)과 제 2 전극(음극)(103)) 사이에 발광층(113)을 포함하는 EL층(102)이 개재되어 있고, EL층(102)은, 발광층(113) 이외에, 정공(또는, 홀) 주입층(111), 정공(또는, 홀) 수송층(112), 전자 수송층(114), 전자 주입층(115), 전하 발생층(E)(116) 등을 포함하여 형성된다. The light-emitting element shown in this embodiment includes a light-emitting
이러한 발광 소자에 대해 전압을 인가함으로써, 제 1 전극(101)측에서 주입된 정공과 제 2 전극(103)측에서 주입된 전자가, 발광층(113)에 있어서 재결합하여 발광층(113)에 포함되는 물질을 여기 상태로 한다. 그리고, 여기 상태의 물질이 기저 상태로 되돌아올 때에 발광한다. By applying a voltage to such a light emitting element, holes injected from the
또한, EL층(102)에 있어서의 정공 주입층(111)은, 정공 수송성이 높은 물질과 억셉터성 물질을 포함하는 층이며, 억셉터성 물질에 의해 정공 수송성이 높은 물질로부터 전자가 추출됨으로써 정공(홀)이 발생한다. 따라서, 정공 주입층(111)으로부터 정공 수송층(112)을 개재하여 발광층(113)에 정공이 주입된다. In addition, the
또한, 전하 발생층(E)(116)은, 정공 수송성이 높은 물질과 억셉터성 물질을 포함하는 층이다. 억셉터성 물질에 의해 정공 수송성이 높은 물질로부터 전자가 추출되기 때문에, 추출된 전자가, 전자 주입성을 갖는 전자 주입층(115)으로부터 전자 수송층(114)을 개재하여 발광층(113)에 주입된다. In addition, the charge generation layer (E) 116 is a layer containing a material having high hole transport properties and an acceptor material. Since electrons are extracted from the material having high hole transport properties by the acceptor material, the extracted electrons are injected from the
이하에 본 실시형태에 나타내는 발광 소자를 제작하는데 있어서의 구체적인 예에 관해서 설명한다. Hereinafter, a specific example in manufacturing the light emitting device according to the present embodiment will be described.
제 1 전극(양극)(101) 및 제 2 전극(음극)(103)에는, 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 산화인듐-산화주석(Indium Tin Oxide), 규소 또는 산화규소를 함유한 산화인듐-산화주석, 산화인듐-산화아연(Indium Zinc Oxide), 산화텅스텐 및 산화아연을 함유한 산화인듐, 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti) 외에, 원소주기표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소, 즉 리튬(Li)이나 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 및 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 등의 알칼리 토금속, 및 이들을 포함하는 합금(MgAg, AlLi), 유로퓸(Eu), 이테르븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이들을 포함하는 합금, 기타 그라핀 등을 사용할 수 있다. 또한, 제 1 전극(양극)(101) 및 제 2 전극(음극)(103)은, 예를 들면 스퍼터링법이나 증착법(진공 증착법을 포함한다) 등에 의해 형성할 수 있다. For the first electrode (anode) 101 and the second electrode (cathode) 103, a metal, an alloy, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like can be used. Specifically, indium oxide-tin oxide, indium oxide-tin oxide containing silicon or silicon oxide, indium oxide-zinc oxide, indium oxide containing tungsten oxide and zinc oxide, Gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), iron (Fe), cobalt (Co), copper (Cu), palladium (Pd), In addition to titanium (Ti), elements belonging to
정공 주입층(111), 정공 수송층(112), 및 전하 발생층(E)(116)에 사용하는 정공 수송성이 높은 물질로서, 예를 들면, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: NPB 또는 α-NPD)이나 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(약칭: TPD), 4,4',4''-트리스(카르바졸-9-일)트리페닐아민(약칭: TCTA), 4,4',4''-트리스(N,N-디페닐아미노)트리페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민(약칭: MTDATA), 4,4'-비스[N-(스피로-9,9'-비플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: BSPB) 등의 방향족 아민 화합물, 3-[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카르바졸-3-일)아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCN1) 등을 들 수 있다. 그 외, 4,4'-디(N-카르바졸릴)비페닐(약칭: CBP), 1,3,5-트리스[4-(N-카르바졸릴)페닐]벤젠(약칭: TCPB), 9-[4-(10-페닐-9-안트라세닐)페닐]-9H-카르바졸(약칭: CzPA) 등의 카르바졸 화합물 등을 사용할 수 있다. 여기에 서술한 물질은, 주로 10-6㎠/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는 물질이다. 단, 전자보다도 정공의 수송성이 높은 물질이면, 이들 이외의 것을 사용해도 좋다. As a material having high hole transport properties used for the hole injection layer 111, the hole transport layer 112, and the charge generation layer (E) 116, for example, 4,4'-bis[N-(1-naph) Tyl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: NPB or α-NPD) or N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]- 4,4'-diamine (abbreviation: TPD), 4,4',4''-tris (carbazol-9-yl) triphenylamine (abbreviation: TCTA), 4,4',4''-tris ( N,N-diphenylamino)triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4',4''-tris[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]triphenylamine (abbreviation: MTDATA), Aromatic amine compounds such as 4,4'-bis[N-(spiro-9,9'-bifluoren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: BSPB), 3-[N-( 9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA1), 3,6-bis[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N- Phenylamino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA2), 3-[N-(1-naphthyl)-N-(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazole (abbreviation : PCzPCN1) etc. are mentioned. In addition, 4,4'-di(N-carbazolyl)biphenyl (abbreviation: CBP), 1,3,5-tris[4-(N-carbazolyl)phenyl]benzene (abbreviation: TCPB), Carbazole compounds, such as 9-[4-(10-phenyl-9-anthracenyl)phenyl]-9H-carbazole (abbreviation: CzPA), etc. can be used. The substances described here are mainly substances having a hole mobility of 10 -6
또한, 폴리(N-비닐카르바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-비닐트리페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-디페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아미드](약칭: PTPDMA), 폴리[N,N'-비스(4-부틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등의 고분자 화합물을 사용할 수도 있다. In addition, poly(N-vinylcarbazole) (abbreviation: PVK), poly(4-vinyltriphenylamine) (abbreviation: PVTPA), poly[N-(4-{N'-[4-(4-diphenyl) Amino)phenyl]phenyl-N'-phenylamino}phenyl)methacrylamide] (abbreviation: PTPDMA), poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine] High molecular compounds, such as (abbreviation: Poly-TPD), can also be used.
또한, 정공 수송성이 높은 물질로서는, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 사용할 수도 있다. Further, as a substance having high hole transport properties, a triarylamine compound which is one embodiment of the present invention can also be used.
또한, 정공 주입층(111) 및 전하 발생층(E)(116)에 사용하는 억셉터성 물질로서는, 전이 금속 산화물이나 원소주기표에 있어서의 제4족 내지 제8족에 속하는 금속의 산화물을 들 수 있다. 구체적으로는, 산화몰리브덴이 특히 바람직하다. In addition, as the acceptor material used for the
특히, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물은 바이폴라성이며, 이들 억셉터성 물질과의 혼합물로서 정공 주입층(111) 및 전하 발생층(E)(116)에 적합하게 사용할 수 있다. 이외에는, 전자 수송 골격과 정공 수송 골격이 화합하여 이루어지는 바이폴라성의 유기 화합물도, 이들 억셉터성 물질과의 혼합물로서 사용할 수 있다. In particular, the triarylamine compound of one embodiment of the present invention is bipolar, and can be suitably used for the
발광층(113)은, 발광성 물질을 포함하는 층이다. 발광층(113)은, 발광 물질만으로 구성되어 있어도, 호스트 재료 중에 발광 중심 물질이 분산된 상태로 구성되어 있어도 좋다. The light-emitting
발광층(113)에 있어서, 발광 물질, 및 발광 중심 물질로서 사용하는 것이 가능한 재료에는, 특별히 한정은 없으며, 이들 물질이 발하는 광은, 형광이라도 인광이라도 좋다. 또한, 상기 발광 물질 및 발광 중심 물질로서는, 예를 들면, 이하와 같은 것을 들 수 있다. In the light-emitting
형광을 발하는 물질로서는, N,N'-비스[4-(9H-카르바졸-9-일)페닐]-N,N'-디페닐스틸벤-4,4'-디아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카르바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트리페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(9H-카르바졸-9-일)-4'-(9,10-디페닐-2-안트릴)트리페닐아민(약칭: 2YGAPPA), N,9-디페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: PCAPA), 페릴렌, 2,5,8,11-테트라-tert-부틸페릴렌(약칭: TBP), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)트리페닐아민(약칭: PCBAPA), N,N''-(2-tert-부틸안트라센-9,10-디일디-4,1-페닐렌)비스[N,N',N'-트리페닐-1,4-페닐렌디아민](약칭: DPABPA), N,9-디페닐-N-[4-(9,10-디페닐-2-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCAPPA), N-[4-(9,10-디페닐-2-안트릴)페닐]-N,N',N'-트리페닐-1,4-페닐렌디아민(약칭: 2DPAPPA), N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-옥타페닐디벤조[g,p]크리센-2,7,10,15-테트라아민(약칭: DBC1), 쿠마린 30, N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,9-디페닐-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), N-[9,10-비스(1,1'-비페닐-2-일)-2-안트릴]-N,9-디페닐-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCABPhA), N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,N',N'-트리페닐-1,4-페닐렌디아민(약칭: 2DPAPA), N-[9,10-비스(1,1'-비페닐-2-일)-2-안트릴]-N,N',N'-트리페닐-1,4-페닐렌디아민(약칭: 2DPABPhA), 9,10-비스(1,1'-비페닐-2-일)-N-[4-(9H-카르바졸-9-일)페닐]-N-페닐안트라센-2-아민(약칭: 2YGABPhA), N,N,9-트리페닐안트라센-9-아민(약칭: DPhAPhA), 쿠마린 545T, N,N'-디페닐퀴나크리돈(약칭: DPQd), 루브렌, 5,12-비스(1,1'-비페닐-4-일)-6,11-디페닐테트라센(약칭: BPT), 2-(2-{2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐}-6-메틸-4H-피란-4-일리덴)프로판디니트릴(약칭: DCM1), 2-{2-메틸-6-[2-(2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에테닐]-4H-피란-4-일리덴}프로판디니트릴(약칭: DCM2), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)테트라센-5,11-디아민(약칭: p-mPhTD), 7,14-디페닐-N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)아세나프토[1,2-a]플루오란텐-3,10-디아민(약칭: p-mPhAFD), 2-{2-이소프로필-6-[2-(1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에테닐]-4H-피란-4-일리덴}프로판디니트릴(약칭: DCJTI), 2-{2-tert-부틸-6-[2-(1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에테닐]-4H-피란-4-일리덴}프로판디니트릴(약칭: DCJTB), 2-(2,6-비스{2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐}-4H-피란-4-일리덴)프로판디니트릴(약칭: BisDCM), 2-{2,6-비스[2-(8-메톡시-1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에테닐]-4H-피란-4-일리덴}프로판디니트릴(약칭: BisDCJTM) 등을 들 수 있다. As a substance emitting fluorescence, N,N'-bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenylstilbene-4,4'-diamine (abbreviation: YGA2S), 4-(9H-carbazol-9-yl)-4'-(10-phenyl-9-anthryl)triphenylamine (abbreviation: YGAPA), 4-(9H-carbazol-9-yl)-4' -(9,10-diphenyl-2-anthryl)triphenylamine (abbreviation: 2YGAPPA), N,9-diphenyl-N-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H- Carbazol-3-amine (abbreviation: PCAPA), perylene, 2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene (abbreviation: TBP), 4-(10-phenyl-9-anthryl)-4 '-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PCBAPA), N,N''-(2-tert-butylanthracene-9,10-diyldi-4,1- Phenylene)bis[N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine] (abbreviation: DPABPA), N,9-diphenyl-N-[4-(9,10-diphenyl-) 2-anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPPA), N-[4-(9,10-diphenyl-2-anthryl)phenyl]-N,N',N' -Triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DPAPPA), N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-octaphenyldibenzo[ g,p]Chrysene-2,7,10,15-tetraamine (abbreviation: DBC1), Coumarin 30, N-(9,10-diphenyl-2-anthryl)-N,9-diphenyl-9H -Carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPA), N-[9,10-bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-2-anthryl]-N,9-diphenyl-9H- Carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCABPhA), N-(9,10-diphenyl-2-anthryl)-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DPAPA ), N-[9,10-bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-2-anthryl]-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation : 2DPABPhA), 9,10-bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-N-[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N-phenylanthracene-2-amine ( Abbreviation: 2YGABPhA), N,N,9-triphenylanthracene-9-amine (abbreviation: DPhAPhA), Coumarin 545T, N,N'-diphenylquinacridone (abbreviation: DPQ d), rubrene, 5,12-bis(1,1'-biphenyl-4-yl)-6,11-diphenyltetracene (abbreviation: BPT), 2-(2-{2-[4- (Dimethylamino)phenyl]ethenyl}-6-methyl-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile (abbreviation: DCM1), 2-{2-methyl-6-[2-(2,3,6) ,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene}propanedinitrile (abbreviation: DCM2), N,N,N' ,N'-tetrakis(4-methylphenyl)tetracene-5,11-diamine (abbreviation: p-mPhTD), 7,14-diphenyl-N,N,N',N'-tetrakis(4-methylphenyl) )Acenaphtho[1,2-a]fluoranthene-3,10-diamine (abbreviation: p-mPhAFD), 2-{2-isopropyl-6-[2-(1,1,7,7-) Tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene}propanedinitrile (abbreviation: DCJTI ), 2-{2-tert-butyl-6-[2-(1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizine -9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene}propanedinitrile (abbreviation: DCJTB), 2-(2,6-bis{2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl} -4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile (abbreviation: BisDCM), 2-(2,6-bis[2-(8-methoxy-1,1,7,7-tetramethyl-2,3) ,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene}propanedinitrile (abbreviation: BisDCJTM), and the like. .
또한, 형광을 발하는 물질로서는, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 사용할 수도 있다. Further, as a substance emitting fluorescence, a triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention, can also be used.
인광을 발하는 물질로서는, 비스[2-(3',5'-비스트리플루오로메틸페닐)피리디나토-N,C2']이리듐(III)피콜리네이트(약칭: Ir(CF3ppy)2(pic)), 비스[2-(4',6'-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2']이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: FIracac), 트리스(2-페닐피리디나토)이리듐(III)(약칭: Ir(ppy)3), 비스(2-페닐피리디나토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(ppy)2(acac)), 트리스(아세틸아세토나토)(모노페난트롤린)테르븀(III)(약칭: Tb(acac)3(Phen)), 비스(벤조[h]퀴놀리나토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bzq)2(acac)), 비스(2,4-디페닐-1,3-옥사졸라토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(dpo)2(acac)), 비스[2-(4'-퍼플루오로페닐페닐)피리디나토]이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(p-PF-ph)2(acac)), 비스(2-페닐벤조티아졸라토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bt)2(acac)), 비스[2-(2'-벤조[4,5-α]티에닐)피리디나토-N,C3']이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(btp)2(acac)), 비스(1-페닐이소퀴놀리나토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(piq)2(acac)), (아세틸아세토나토)비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리나토]이리듐(III)(약칭: Ir(Fdpq)2(acac)), (아세틸아세토나토)비스(2,3,5-트리페닐피라지나토)이리듐(III)(약칭: Ir(tppr)2(acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린 백금(II)(약칭: PtOEP), 트리스(1,3-디페닐-1,3-프로판디오나토)(모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(DBM)3(Phen)), 트리스[1-(2-테노일)-3,3,3-트리플루오로아세토나토](모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(TTA)3(Phen)) 등을 들 수 있다. As a substance emitting phosphorescence, bis[2-(3',5'-bistrifluoromethylphenyl)pyridinato-N,C2 ' ]iridium(III)picolinate (abbreviation: Ir(CF 3 ppy) 2 (pic)), bis[2-(4',6'-difluorophenyl )pyridinato-N,C 2' ]iridium(III)acetylacetonate (abbreviation: FIracac), tris(2-phenylpyri) Dinato) iridium (III) (abbreviation: Ir (ppy) 3 ), bis (2-phenylpyridinato) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (ppy) 2 (acac)), tris (acetylaceto) NATO) (monophenanthroline) terbium (III) (abbreviation: Tb (acac) 3 (Phen)), bis (benzo [h] quinolinato) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (bzq) 2 (acac)), bis(2,4-diphenyl-1,3-oxazolato-N,C 2' ) iridium(III)acetylacetonate (abbreviation: Ir(dpo) 2 (acac)), bis[ 2-(4'-perfluorophenylphenyl)pyridinato]iridium(III)acetylacetonate (abbreviation: Ir(p-PF-ph) 2 (acac)), bis(2-phenylbenzothiazolato- N,C 2' )Iridium(III)acetylacetonate (abbreviation: Ir(bt) 2 (acac)), bis[2-(2'-benzo[4,5-α]thienyl)pyridinato-N ,C 3' ]Iridium(III)acetylacetonate (abbreviation: Ir(btp) 2 (acac)), bis(1-phenylisoquinolinato-N,C 2' ) iridium(III)acetylacetonate (abbreviation : Ir(piq) 2 (acac)), (acetylacetonato)bis[2,3-bis(4-fluorophenyl)quinoxalinato]iridium(III) (abbreviation: Ir(Fdpq) 2 (acac)) , (Acetylacetonato)bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)iridium(III) (abbreviation: Ir(tppr) 2 (acac)), 2,3,7,8,12,13,17 ,18-octaethyl-21H,23H-porphyrin platinum (II) (abbreviation: PtOEP), tris (1,3-diphenyl-1,3-propanedionato) (monophenanthroline) europium (III) (abbreviation : Eu(DBM) 3 (Phen)), tris[1-(2-tenoyl)-3,3,3-trifluoroacetonato] (monofenane Troline) europium (III) (abbreviation: Eu(TTA) 3 (Phen)), etc. are mentioned.
또한, 상기 호스트 재료에 사용하는 것이 가능한 재료로서는, 특별히 한정은 없지만, 예를 들면, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(lII)(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(4-페닐페놀라토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀라토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀라토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조티아졸릴)페놀라토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등의 금속 착체, 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(약칭: TAZ), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트리일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(약칭: TPBI), 바소페난트롤린(약칭: Bphen), 바소큐프로인(약칭: BCP), 9-[4-(5-페닐-1,3,4-옥사디아졸-2-일)페닐]-9H-카르바졸(약칭: CO11) 등의 복소환 화합물, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: NPB 또는 α-NPD), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(스피로-9,9'-비플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: BSPB) 등의 방향족 아민 화합물을 들 수 있다. 또한, 안트라센 유도체, 페난트렌 유도체, 피렌 유도체, 크리센 유도체, 벤조[g,p]크리센 유도체 등의 축합 다환 방향족 화합물을 들 수 있고, 구체적으로는, 9,10-디페닐안트라센(약칭: DPAnth), N,N-디페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: CzA1PA), 4-(10-페닐-9-안트릴)트리페닐아민(약칭: DPhPA), 4-(9H-카르바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트리페닐아민(약칭: YGAPA), N,9-디페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: PCAPA), N,9-디페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카르바졸-3-아민(약칭: PCAPBA), N,9-디페닐-N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), 6,12-디메톡시-5,11-디페닐크리센, N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-옥타페닐디벤조[g,p]크리센-2,7,10,15-테트라아민(약칭: DBC1), 9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: CzPA), 3,6-디페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: DPCzPA), 9,10-비스(3,5-디페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 2-tert-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,9'-비안트릴(약칭: BANT), 9,9'-(스틸벤-3,3'-디일)디페난트렌(약칭: DPNS), 9,9'-(스틸벤-4,4'-디일)디페난트렌(약칭: DPNS2), 3,3',3''-(벤젠-1,3,5-트리일)트리피렌(약칭: TPB3) 등을 들 수 있다. 이들 및 공지의 물질 중에서, 상기 발광 중심 물질의 에너지 갭보다 큰 에너지 갭을 갖는 물질을, 1종 또는 복수종 선택하여 사용하면 좋다. 또한, 발광 중심 물질이 인광을 발하는 물질인 경우, 호스트 재료로서는, 발광 중심 물질의 3중항 여기 에너지(기저 상태와 3중항 여기 상태의 에너지차)보다도 3중항 여기 에너지가 큰 물질을 선택하면 좋다. In addition, the material that can be used for the host material is not particularly limited, but examples include tris(8-quinolinolato)aluminum(III) (abbreviation: Alq), tris(4-methyl-8-qui Nolinolato) aluminum (lII) (abbreviation: Almq 3 ), bis (10-hydroxybenzo[h] quinolinato) beryllium (II) (abbreviation: BeBq 2 ), bis (2-methyl-8-quinoli) Nolato) (4-phenylphenolato) aluminum (III) (abbreviation: BAlq), bis (8-quinolinolato) zinc (II) (abbreviation: Znq), bis (2- (2-benzoxazolyl) Metal complexes such as phenolato]zinc(II) (abbreviation: ZnPBO), bis[2-(2-benzothiazolyl)phenolato]zinc(II) (abbreviation: ZnBTZ), 2-(4-biphenylyl) -5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), 1,3-bis[5-(p-tert-butylphenyl)-1,3,4- Oxadiazol-2-yl]benzene (abbreviation: OXD-7), 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazole (Abbreviation: TAZ), 2,2',2''-(1,3,5-benzenetriyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazole) (abbreviation: TPBI), vasophenanthroline (abbreviation : Bphen), vasocuproin (abbreviation: BCP), 9-[4-(5-phenyl-1,3,4-oxadiazol-2-yl)phenyl]-9H-carbazole (abbreviation: CO11) Heterocyclic compounds such as 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: NPB or α-NPD), N,N'-bis(3-methylphenyl) -N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine (abbreviation: TPD), 4,4'-bis[N-(spiro-9,9'-biflu And aromatic amine compounds such as oren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: BSPB). Further, condensed polycyclic aromatic compounds such as anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, pyrene derivatives, chrysene derivatives, and benzo[g,p]chrysene derivatives may be mentioned. Specifically, 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPAnth), N,N-diphenyl-9-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: CzA1PA), 4-(10-phenyl-9 -Anthryl)triphenylamine (abbreviation: DPhPA), 4-(9H-carbazol-9-yl)-4'-(10-phenyl-9-anthryl)triphenylamine (abbreviation: YGAPA), N, 9-diphenyl-N-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: PCAPA), N,9-diphenyl-N-{4-[ 4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]phenyl}-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: PCAPBA), N,9-diphenyl-N-(9,10-diphenyl-2- Anthryl)-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPA), 6,12-dimethoxy-5,11-diphenylchrysene, N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-octaphenyldibenzo[g,p]chrysene-2,7,10,15-tetraamine (abbreviation: DBC1), 9-[4-(10-phenyl- 9-anthryl)phenyl]-9H-carbazole (abbreviation: CzPA), 3,6-diphenyl-9-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazole (abbreviation: DPCzPA), 9,10-bis (3,5-diphenylphenyl) anthracene (abbreviation: DPPA), 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), 2-tert-butyl-9, 10-di(2-naphthyl)anthracene (abbreviation: t-BuDNA), 9,9'-bianthryl (abbreviation: BANT), 9,9'-(stilbene-3,3'-diyl) diphenanthrene (Abbreviation: DPNS), 9,9'-(stilbene-4,4'-diyl) diphenanthrene (abbreviation: DPNS2), 3,3',3''-(benzene-1,3,5-tri 1) Tripyrene (abbreviation: TPB3), etc. are mentioned. Among these and known substances, one or more substances having an energy gap larger than the energy gap of the light-emitting center substance may be selected and used. In the case where the luminescent central substance is a substance that emits phosphorescence, as the host material, a substance having a triplet excitation energy larger than the triplet excitation energy (the energy difference between the ground state and the triplet excited state) of the luminescent central substance may be selected.
또한, 상기 호스트 재료에 사용하는 것이 가능한 재료로서는, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 사용할 수도 있다. 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물은 S1 준위가 높기 때문에, 형광을 발하는 물질용의 호스트 재료로서는, 가시역의 발광 영역에서 사용할 수 있다. 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물은 T1 준위가 높기 때문에, 인광을 발하는 물질에 대한 호스트 재료로서 사용하는 경우에는, 녹색보다 장파장의 발광 영역에서 사용할 수 있다. Further, as a material that can be used for the host material, a triarylamine compound which is one embodiment of the present invention can also be used. Since the triarylamine compound of one embodiment of the present invention has a high S1 level, it can be used as a host material for a substance emitting fluorescence in a light emitting region in the visible region. Since the triarylamine compound of one embodiment of the present invention has a high T1 level, when used as a host material for a substance that emits phosphorescence, it can be used in a light emitting region having a longer wavelength than green.
또한, 발광층(113)은 2층 이상이 적층된 구성으로 해도 좋다. 예를 들면, 제 1 발광층과 제 2 발광층을 정공 수송층측에서부터 순차적으로 적층하여 발광층(113)으로 하는 경우, 제 1 발광층의 호스트 재료로서 정공 수송성을 갖는 물질을 사용하고, 제 2 발광층의 호스트 재료로서 전자 수송성을 갖는 물질을 사용하는 구성 등이 있다. Further, the light-emitting
전자 수송층(114)은, 전자 수송성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 전자 수송층(114)에는, Alq3, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨(약칭: BeBq2), BAlq, Zn(BOX)2, 비스[2-(2-하이드록시페닐)벤조티아졸라토]아연(약칭: Zn(BTZ)2) 등의 금속 착체를 사용할 수 있다. 또한, 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4-비페닐릴)-1,2,4-트리아졸(약칭: TAZ), 3-(4-tert-부틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-비페닐릴)-1,2,4-트리아졸(약칭: p-EtTAZ), 바소페난트롤린(약칭: Bphen), 바소큐프로인(약칭: BCP), 4,4'-비스(5-메틸벤조옥사졸-2-일)스틸벤(약칭: BzOs) 등의 복소 방향족 화합물도 사용할 수 있다. 또한, 폴리(2,5-피리딘디일)(약칭: PPy), 폴리[(9,9-디헥실플루오렌-2,7-디일)-co-(피리딘-3,5-디일)](약칭: PF-Py), 폴리[(9,9-디옥틸플루오렌-2,7-디일)-co-(2,2'-비피리딘-6,6'-디일)](약칭: PF-BPy)과 같은 고분자 화합물을 사용할 수도 있다. 여기에 서술한 물질은, 주로 10-6㎠/Vs 이상의 전자 이동도를 갖는 물질이다. 또한, 정공보다도 전자의 수송성이 높은 물질이면, 상기 이외의 물질을 전자 수송층으로서 사용해도 좋다. The
또한, 전자 수송층은, 단층의 것뿐만 아니라, 상기 물질로 이루어지는 층이 2층 이상 적층된 것으로 해도 좋다. In addition, the electron transport layer may be not only a single layer, but also a stack of two or more layers made of the above material.
전자 주입층(115)은, 전자 주입성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 전자 주입층(115)에는, 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화칼슘(CaF2), 리튬 산화물(LiOx) 등과 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 이들의 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 불화에르븀(ErF3)과 같은 희토류 금속 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 상기한 전자 수송층(114)을 구성하는 물질을 사용할 수도 있다. The
또는, 전자 주입층(115)에, 유기 화합물과 전자 공여체(도너)를 혼합하여 이루어지는 복합 재료를 사용해도 좋다. 이러한 복합 재료는, 전자 공여체에 의해 유기 화합물에 전자가 발생하기 때문에, 전자 주입성 및 전자 수송성이 우수하다. 이 경우, 유기 화합물로서는, 발생한 전자의 수송이 우수한 재료인 것이 바람직하며, 구체적으로는, 예를 들면 상기한 전자 수송층(114)을 구성하는 물질(금속 착체나 복소 방향족 화합물 등)을 사용할 수 있다. 전자 공여체로서는, 유기 화합물에 대해 전자 공여성을 나타내는 물질이면 좋다. 구체적으로는, 알칼리 금속이나 알칼리 토금속이나 희토류 금속이 바람직하며, 리튬, 세슘, 마그네슘, 칼슘, 에르븀, 이테르븀 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리 금속 산화물이나 알칼리 토금속 산화물이 바람직하며, 리튬 산화물, 칼슘 산화물, 바륨 산화물 등을 들 수 있다. 또한, 산화마그네슘과 같은 루이스 염기를 사용할 수도 있다. 또한, 테트라티아풀발렌(약칭: TTF) 등의 유기 화합물을 사용할 수도 있다. Alternatively, a composite material obtained by mixing an organic compound and an electron donor (donor) may be used for the
또한, 상기한 정공 주입층(111), 정공 수송층(112), 발광층(113), 전자 수송층(114), 전자 주입층(115), 전하 발생층(E)(116)은, 각각, 증착법(진공 증착법을 포함한다), 잉크젯법, 도포법 등의 방법으로 형성할 수 있다. In addition, the
상기한 발광 소자는, 제 1 전극(101) 및 제 2 전극(103) 사이에 발생한 전위차에 의해 전류가 흐르고, EL층(102)에 있어서 정공과 전자가 재결합함으로써 발광한다. 그리고, 이 발광은, 제 1 전극(101) 및 제 2 전극(103) 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 통해 외부로 추출된다. 따라서, 제 1 전극(101) 및 제 2 전극(103) 중 어느 한쪽, 또는 양쪽이 투광성을 갖는 전극이 된다. In the above-described light-emitting element, a current flows due to a potential difference generated between the
이상에 의해 설명한 발광 소자는, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 정공 수송층에 적용하여 형성되기 때문에, 발광 소자의 소자 효율의 향상뿐만 아니라, 구동 전압의 상승을 최소한으로 제압할 수 있다. Since the light-emitting device described above is formed by applying the triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention, to the hole transport layer, not only the device efficiency of the light-emitting device is improved, but also the increase in driving voltage can be suppressed to a minimum.
또한, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물은, 정공 수송층뿐만 아니라, 다른 층(정공 주입층이나 발광층, 전자 수송층 등)에도 사용할 수 있기 때문에, 복수의 층에 있어서 공통의 재료를 사용하는 것이 가능해진다. 이로 인해, 재료의 합성 비용이나 발광 소자의 제조 비용을 억제할 수 있어 바람직하다. In addition, since the triarylamine compound of one embodiment of the present invention can be used not only in the hole transport layer but also in other layers (hole injection layer, light emitting layer, electron transport layer, etc.), it is preferable to use a common material in a plurality of layers. It becomes possible. For this reason, it is possible to suppress the cost of synthesizing materials and the manufacturing cost of the light emitting element, which is preferable.
또한, 본 실시형태에서 나타낸 발광 소자는, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 적용하여 제작되는 발광 소자의 일례이다. 또한, 상기의 소자 구조를 구비한 발광 장치의 구성으로서는, 패시브 매트릭스형(passive matrix type) 발광 장치나 액티브 매트릭스형(active matirx type) 발광 장치를 들 수 있고, 또한 소자 구조의 일부를 개량함으로써 마이크로캐비티(microcavity) 구조의 발광 장치에 적용할 수도 있다. 이들 발광 장치는, 모두 본 발명에 포함되는 것으로 한다. 또한, 이들의 발광 장치에 있어서는, 소비 전력을 저감시킬 수 있다. In addition, the light-emitting element shown in this embodiment is an example of a light-emitting element manufactured by applying the triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention. Further, as a configuration of a light emitting device having the above element structure, a passive matrix type light emitting device or an active matrix type light emitting device can be mentioned. It can also be applied to a light emitting device having a microcavity structure. It is assumed that all of these light emitting devices are included in the present invention. In addition, in these light emitting devices, power consumption can be reduced.
또한, 액티브 매트릭스형의 발광 장치의 경우에 있어서, TFT의 구조는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 스태거형(staggered)이나 역스태거형(inverted staggered)의 TFT를 적절히 사용할 수 있다. 또한, TFT 기판에 형성되는 구동용 회로에 관해서도, N형 및 P형의 TFT로 이루어지는 것이라도 좋고, N형의 TFT 또는 P형의 TFT 중 어느 한쪽만으로 이루어지는 것이라도 좋다. 또한, TFT에 사용되는 반도체막의 결정성에 관해서도 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 비정질 반도체막, 결정성 반도체막, 그 외 산화물 반도체막 등을 사용할 수 있다. In addition, in the case of an active matrix type light emitting device, the structure of the TFT is not particularly limited. For example, a staggered or inverted staggered TFT can be suitably used. Further, the driving circuit formed on the TFT substrate may be formed of an N-type and P-type TFT, or may be formed of only one of an N-type TFT or a P-type TFT. Further, the crystallinity of the semiconductor film used for the TFT is not particularly limited. For example, an amorphous semiconductor film, a crystalline semiconductor film, and other oxide semiconductor films can be used.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타내는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다. In addition, it is assumed that the configuration shown in the present embodiment can be used in appropriate combination with the configuration shown in the other embodiments.
(실시형태 3)(Embodiment 3)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태로서, 인광성 화합물과 다른 2종류 이상의 유기 화합물을 발광층에 사용한 발광 소자에 관해서 설명한다. In this embodiment, as an embodiment of the present invention, a light-emitting element in which two or more kinds of organic compounds different from the phosphorescent compound are used in the light-emitting layer will be described.
본 실시형태에 나타내는 발광 소자는, 도 2에 도시하는 바와 같이 한 쌍의 전극(양극(201) 및 음극(202)) 사이에 EL층(203)을 갖는 구조이다. 또한, EL층(203)에는, 적어도 발광층(204)을 가지며, 그 외 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 발생층(E) 등이 포함되어 있어도 좋다. 또한, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 발생층(E)에는, 실시형태 2에 나타낸 물질을 사용할 수 있다. The light-emitting element shown in this embodiment has a structure including an
본 실시형태에 나타내는 발광층(204)에는, 인광성 화합물(205), 제 1 유기 화합물(206), 및 제 2 유기 화합물(207)이 포함되어 있다. 실시형태 1에 나타낸 트리아릴아민 화합물은, 제 1 유기 화합물(206), 또는 제 2 유기 화합물(207)로서 사용할 수 있다. 또한, 인광성 화합물(205)은, 발광층(204)에 있어서의 게스트 재료이다. 또한, 제 1 유기 화합물(206), 및 제 2 유기 화합물(207) 중 발광층(204)에 포함되는 비율이 많은 편을 발광층(204)에 있어서의 호스트 재료로 한다. The
발광층(204)에 있어서, 상기 게스트 재료를 호스트 재료에 분산시킨 구성으로 함으로써, 발광층의 결정화를 억제할 수 있다. 또한, 게스트 재료의 농도가 높은 것에 의한 농도 소광을 억제하여 발광 소자의 발광 효율을 높게 할 수 있다. In the light-emitting
또한, 제 1 유기 화합물(206) 및 제 2 유기 화합물(207)의 각각의 3중항 여기 에너지의 준위(T1 준위)는, 인광성 화합물(205)의 T1 준위보다도 높은 것이 바람직하다. 제 1 유기 화합물(206)(또는 제 2 유기 화합물(207))의 T1 준위가 인광성 화합물(205)의 T1 준위보다도 낮으면, 발광에 기여하는 인광성 화합물(205)의 3중항 여기 에너지를 제 1 유기 화합물(206)(또는 제 2 유기 화합물(207))이 소광(켄치)되어 발광 효율의 저하를 초래하기 때문이다. In addition, it is preferable that the triplet excitation energy level (T1 level) of each of the first
여기에서, 호스트 재료로부터 게스트 재료로의 에너지 이동 효율을 높이기 위해서, 분자간의 에너지 이동 기구로서 알려져 있는 페르스터 기구(Forster mechanism)(쌍극자-쌍극자 상호작용) 및 덱스터 기구(Dexter mechanism)(전자 교환 상호작용)를 고려한 후, 호스트 재료의 발광 스펙트럼(1중항 여기 상태로부터의 에너지 이동을 논하는 경우에는 형광 스펙트럼, 3중항 여기 상태로부터의 에너지 이동을 논하는 경우에는 인광 스펙트럼)과 게스트 재료의 흡수 스펙트럼(보다 상세하게는, 가장 장파장(저에너지)측의 흡수대에 있어서의 스펙트럼)과의 중첩이 커지는 것이 바람직하다. 그러나 통상, 호스트 재료의 형광 스펙트럼을, 게스트 재료의 가장 장파장(저에너지)측의 흡수대에 있어서의 흡수 스펙트럼과 중첩하는 것은 곤란하다. 왜냐하면, 그렇게 해 버리면, 호스트 재료의 인광 스펙트럼은 형광 스펙트럼보다도 장파장(저에너지)측에 위치하기 때문에, 호스트 재료의 T1 준위가 인광성 화합물의 T1 준위를 하회하여 상기한 켄치의 문제가 발생하기 때문이다. 한편, 켄치의 문제를 회피하기 위해서, 호스트 재료의 T1 준위가 인광성 화합물의 T1 준위를 상회하도록 설계하면, 이번에는 호스트 재료의 형광 스펙트럼이 단파장(고에너지)측으로 시프트하기 때문에, 그 형광 스펙트럼은 게스트 재료의 가장 장파장(저에너지)측의 흡수대에 있어서의 흡수 스펙트럼과 중첩되지 않게 된다. 따라서, 호스트 재료의 형광 스펙트럼을 게스트 재료의 가장 장파장(저에너지)측의 흡수대에 있어서의 흡수 스펙트럼과 중첩하여, 호스트 재료의 1중항 여기 상태로부터의 에너지 이동을 최대한으로 높이는 것은 통상 곤란하다. Here, in order to increase the efficiency of energy transfer from the host material to the guest material, the Forster mechanism (dipole-dipole interaction) and the Dexter mechanism (electron exchange interaction) known as the intermolecular energy transfer mechanism. Action), the emission spectrum of the host material (fluorescence spectrum when discussing energy transfer from a singlet excited state, phosphorescence spectrum when discussing energy transfer from a triplet excited state) and absorption spectrum of the guest material. (More specifically, it is preferable that the overlap with the spectrum in the absorption band on the longest wavelength (low energy) side) increases. However, it is usually difficult to overlap the fluorescence spectrum of the host material with the absorption spectrum in the absorption band on the longest wavelength (low energy) side of the guest material. This is because, when doing so, the phosphorescent spectrum of the host material is located on the longer wavelength (lower energy) side than the fluorescence spectrum, so the T1 level of the host material is lower than the T1 level of the phosphorescent compound, and the above-described quenching problem occurs. . On the other hand, in order to avoid the problem of quench, if the T1 level of the host material is designed to exceed the T1 level of the phosphorescent compound, this time, the fluorescence spectrum of the host material shifts to the short wavelength (high energy) side, so the fluorescence spectrum is It does not overlap with the absorption spectrum in the absorption band on the longest wavelength (low energy) side of the guest material. Therefore, it is usually difficult to maximize the energy transfer from the singlet excited state of the host material by superimposing the fluorescence spectrum of the host material with the absorption spectrum in the absorption band on the longest wavelength (low energy) side of the guest material.
그래서 본 실시형태에 있어서는, 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물은, 여기 착체(엑사이플렉스라고도 한다)를 형성하는 조합인 것이 바람직하다. 이 경우, 발광층(204)에 있어서의 캐리어(전자 및 홀)의 재결합시에 제 1 유기 화합물(206)과 제 2 유기 화합물(207)은, 여기 착체를 형성한다. 이것에 의해, 발광층(204)에 있어서, 제 1 유기 화합물(206)의 형광 스펙트럼 및 제 2 유기 화합물(207)의 형광 스펙트럼은, 보다 장파장측에 위치하는 여기 착체의 발광 스펙트럼으로 변환된다. 그리고, 여기 착체의 발광 스펙트럼과 게스트 재료의 흡수 스펙트럼의 중첩이 커지도록, 제 1 유기 화합물과 제 2 유기 화합물을 선택하면, 1중항 여기 상태로부터의 에너지 이동을 최대한으로 높일 수 있다. 또한, 3중항 여기 상태에 관해서도, 호스트 재료가 아니라 여기 착체로부터의 에너지 이동이 일어날 것으로 생각된다. Therefore, in this embodiment, it is preferable that the 1st organic compound and the 2nd organic compound are a combination which forms an excitation complex (it is also called an exciplex). In this case, upon recombination of carriers (electrons and holes) in the
인광성 화합물(205)로서는, 인광성의 유기 금속 착체를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 유기 화합물(206) 및 제 2 유기 화합물(207)로서는, 여기 착체를 발생시키는 조합이면 좋지만, 전자를 수취하기 쉬운 화합물(전자 트랩성 화합물)과, 홀을 수취하기 쉬운 화합물(정공 트랩성 화합물)을 조합하는 것이 바람직하다. As the phosphorescent compound (205), it is preferable to use a phosphorescent organometallic complex. In addition, the first
인광성의 유기 금속 착체로서는, 예를 들면, 비스[2-(3',5'-비스트리플루오로메틸페닐)피리디나토-N,C2']이리듐(III)피콜리네이트(약칭: Ir(CF3ppy)2(pic)), 비스[2-(4',6'-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2']이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: FIracac), 트리스(2-페닐피리디나토)이리듐(III)(약칭: Ir(ppy)3), 비스(2-페닐피리디나토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(ppy)2(acac)), 트리스(아세틸아세토나토)(모노페난트롤린)테르븀(III)(약칭: Tb(acac)3(Phen)), 비스(벤조[h]퀴놀리나토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bzq)2(acac)), 비스(2,4-디페닐-1,3-옥사졸라토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(dpo)2(acac)), 비스[2-(4'-퍼플루오로페닐페닐)피리디나토]이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(p-PF-ph)2(acac)), 비스(2-페닐벤조티아졸라토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bt)2(acac)), 비스[2-(2'-벤조[4,5-α]티에닐)피리디나토-N,C3']이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(btp)2(acac)), 비스(1-페닐이소퀴놀리나토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(piq)2(acac)), (아세틸아세토나토)비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리나토]이리듐(III)(약칭: Ir(Fdpq)2(acac)), (아세틸아세토나토)비스(2,3,5-트리페닐피라지나토)이리듐(III)(약칭: Ir(tppr)2(acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린 백금(II)(약칭: PtOEP), 트리스(1,3-디페닐-1,3-프로판디오나토)(모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(DBM)3(Phen)), 트리스[1-(2-테노일)-3,3,3-트리플루오로아세토나토](모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(TTA)3(Phen)) 등을 들 수 있다. As a phosphorescent organometallic complex, for example, bis[2-(3',5'-bistrifluoromethylphenyl)pyridinato-N,C2 ' ]iridium(III)picolinate (abbreviation: Ir( CF 3 ppy) 2 (pic)), bis[2-(4',6'-difluorophenyl )pyridinato-N,C 2' ]iridium(III)acetylacetonate (abbreviation: FIracac), tris (2-phenylpyridinato) iridium (III) (abbreviation: Ir (ppy) 3 ), bis (2-phenylpyridinato) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (ppy) 2 (acac)) , Tris(acetylacetonato)(monophenanthroline)terbium(III) (abbreviation: Tb(acac) 3 (Phen)), bis(benzo[h]quinolinato)iridium(III)acetylacetonate (abbreviation: Ir(bzq) 2 (acac)), bis(2,4-diphenyl-1,3- oxazolato-N,C 2' ) iridium(III)acetylacetonate (abbreviation: Ir(dpo) 2 (acac )), bis[2-(4'-perfluorophenylphenyl)pyridinato]iridium(III)acetylacetonate (abbreviation: Ir(p-PF-ph) 2 (acac)), bis(2-phenyl Benzothiazolato-N,C 2' )Iridium(III)acetylacetonate (abbreviation: Ir(bt) 2 (acac)), bis[2-(2'-benzo[4,5-α]thienyl) Pyridinato-N,C 3' ] iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (btp) 2 (acac)), bis (1-phenylisoquinolinato-N, C 2' ) iridium (III) Acetylacetonate (abbreviation: Ir(piq) 2 (acac)), (acetylacetonato)bis[2,3-bis(4-fluorophenyl)quinoxalinato]iridium(III) (abbreviation: Ir(Fdpq) 2 (acac)), (acetylacetonato) bis(2,3,5-triphenylpyrazinato) iridium(III) (abbreviation: Ir(tppr) 2 (acac)), 2,3,7,8, 12,13,17,18-octaethyl-21H,23H-porphyrin platinum (II) (abbreviation: PtOEP), tris (1,3-diphenyl-1,3-propanedionato) (monophenanthroline) europium (III) (abbreviation: Eu(DBM) 3 (Phen)), tris[1-(2-tenoyl)-3,3,3-trifluoroa Setonato] (monophenanthroline) europium (III) (abbreviation: Eu(TTA) 3 (Phen)) and the like.
전자를 수취하기 쉬운 화합물로서는, 예를 들면, 2-[3-(디벤조티오펜-4-일)페닐]디벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTPDBq-II), 2-[4-(3,6-디페닐-9H-카르바졸-9-일)페닐]디벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2CzPDBq-III), 7-[3-(디벤조티오펜-4-일)페닐]디벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 7mDBTPDBq-II), 및 6-[3-(디벤조티오펜-4-일)페닐]디벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 6mDBTPDBq-II)을 들 수 있다. Examples of compounds that are likely to receive electrons include 2-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mDBTPDBq-II), 2-[4 -(3,6-diphenyl-9H-carbazol-9-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2CzPDBq-III), 7-[3-(dibenzothiophene-4- Yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 7mDBTPDBq-II), and 6-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation : 6mDBTPDBq-II) is mentioned.
홀을 수취하기 쉬운 화합물로서는, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 사용할 수 있다. 그 밖에도, 예를 들면, 4-페닐-4'-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)트리페닐아민(약칭: PCBA1BP), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카르바졸-3-일)아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCN1), 4,4',4''-트리스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]트리페닐아민(약칭: 1'-TNATA), 2,7-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-스피로-9,9'-비플루오렌(약칭: DPA2SF), N,N'-비스(9-페닐카르바졸-3-일)-N,N'-디페닐벤젠-1,3-디아민(약칭: PCA2B), N-(9,9-디메틸-2-N',N'-디페닐아미노-9H-플루오렌-7-일)디페닐아민(약칭: DPNF), N,N',N''-트리페닐-N,N',N''트리스(9-페닐카르바졸-3-일)벤젠-1,3,5-트리아민(약칭: PCA3B), 2-[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]스피로-9,9'-비플루오렌(약칭: PCASF), 2-[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]스피로-9,9'-비플루오렌(약칭: DPASF), N,N'-비스[4-(카르바졸-9-일)페닐]-N,N'-디페닐-9,9-디메틸플루오렌-2,7-디아민(약칭: YGA2F), 4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: DPAB), N-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-N-{9,9-디메틸-2-[N'-페닐-N'-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)아미노]-9H-플루오렌-7-일}페닐아민(약칭: DFLADFL), 3-[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA1), 3-[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzDPA1), 3,6-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzDPA2), 4,4'-비스(N-{4-[N'-(3-메틸페닐)-N'-페닐아미노]페닐}-N-페닐아미노)비페닐(약칭: DNTPD), 3,6-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-(1-나프틸)아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzTPN2), 3,6-비스[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA2)을 들 수 있다. As the compound easily receiving holes, a triarylamine compound which is one embodiment of the present invention can be used. In addition, for example, 4-phenyl-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PCBA1BP), 3-[N-(1-naphthyl)-N -(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCN1), 4,4',4''-tris[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino ]Triphenylamine (abbreviation: 1'-TNATA), 2,7-bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-spiro-9,9'-bifluorene (abbreviation: DPA2SF ), N,N'-bis(9-phenylcarbazol-3-yl)-N,N'-diphenylbenzene-1,3-diamine (abbreviation: PCA2B), N-(9,9-dimethyl-2 -N',N'-diphenylamino-9H-fluoren-7-yl)diphenylamine (abbreviation: DPNF), N,N',N''-triphenyl-N,N',N'' tris (9-phenylcarbazol-3-yl)benzene-1,3,5-triamine (abbreviation: PCA3B), 2-[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]spiro -9,9'-bifluorene (abbreviation: PCASF), 2-[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]spiro-9,9'-bifluorene (abbreviation: DPASF), N,N'-bis[4-(carbazol-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenyl-9,9-dimethylfluorene-2,7-diamine (abbreviation: YGA2F), 4,4 '-Bis[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: TPD), 4,4'-bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]biphenyl (Abbreviation: DPAB), N-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-N-(9,9-dimethyl-2-[N'-phenyl-N'-(9,9- Dimethyl-9H-fluoren-2-yl)amino]-9H-fluoren-7-yl}phenylamine (abbreviation: DFLADFL), 3-[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N- Phenylamino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA1), 3-[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzDPA1), 3,6- Bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzDPA2), 4,4'-bis(N-{4-[N'-(3-methylphenyl) )-N'-phenylamino]phenyl}-N-phenylamino)biphenyl (abbreviation: DNTPD), 3,6-bis[N-(4-dipe) Nylaminophenyl)-N-(1-naphthyl)amino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzTPN2), 3,6-bis[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenyl Amino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA2) is mentioned.
상기한 제 1 유기 화합물(206) 및 제 2 유기 화합물(207)은, 이들에 한정되지 않으며, 여기 착체를 형성할 수 있는 조합이며, 여기 착체의 발광 스펙트럼이, 인광성 화합물(205)의 흡수 스펙트럼과 중첩되고, 여기 착체의 발광 스펙트럼의 피크가, 인광성 화합물(205)의 흡수 스펙트럼의 피크보다도 장파장이면 좋다. The first
또한, 전자를 수취하기 쉬운 화합물과 홀을 수취하기 쉬운 화합물로 제 1 유기 화합물(206)과 제 2 유기 화합물(207)을 구성하는 경우, 그 혼합비에 의해 캐리어 밸런스를 제어할 수 있다. 구체적으로는, 제 1 유기 화합물:제 2 유기 화합물=1:9 내지 9:1의 범위가 바람직하다. In addition, when the first
본 실시형태에서 나타낸 발광 소자는, 여기 착체의 발광 스펙트럼과 인광성 화합물의 흡수 스펙트럼과의 중첩을 이용한 에너지 이동에 의해, 에너지 이동 효율을 향상시킬 수 있기 때문에, 외부 양자 효율이 높은 발광 소자를 실현할 수 있다. The light-emitting element shown in this embodiment can improve the energy transfer efficiency by using energy transfer using the superposition of the emission spectrum of the excitation complex and the absorption spectrum of the phosphorescent compound, so that a light-emitting element with high external quantum efficiency can be realized. I can.
또한, 본 발명에 포함되는 다른 구성으로서, 인광성 화합물(205)(게스트 재료)의 다른 2종류의 유기 화합물로서, 정공 트랩성의 호스트 분자, 및 전자 트랩성의 호스트 분자를 사용하여 발광층(204)을 형성하고, 2종류의 호스트 분자 중에 존재하는 게스트 분자로 정공과 전자를 도출하여, 게스트 분자를 여기 상태로 하는 현상(즉, Guest Coupled with Complementary Hosts: GCCH)이 얻어지도록 발광층(204)을 형성하는 구성도 가능하다. In addition, as another configuration included in the present invention, as the phosphorescent compound 205 (guest material), as other two types of organic compounds, the
이 때, 정공 트랩성의 호스트 분자, 및 전자 트랩성의 호스트 분자로서는 각각 상기한 정공을 수취하기 쉬운 화합물, 및 전자를 수취하기 쉬운 화합물을 사용할 수 있다. In this case, as the host molecule of the hole trapping property and the host molecule of the electron trapping property, the above-described compound easily receiving holes and the compound easily receiving electrons can be used, respectively.
또한, 본 실시형태에서 나타낸 발광 소자는, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 적용하여 제작되는 발광 소자의 일례이다. 또한, 상기의 소자 구조를 구비한 발광 장치의 구성으로서는, 패시브 매트릭스형의 발광 장치나 액티브 매트릭스형의 발광 장치를 들 수 있고, 또한 소자 구조의 일부를 개량함으로써 마이크로캐비티 구조의 발광 장치에 적용할 수도 있다. 이들 발광 장치는, 모두 본 발명에 포함되는 것으로 한다. In addition, the light-emitting element shown in this embodiment is an example of a light-emitting element manufactured by applying the triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention. In addition, as a configuration of a light emitting device having the above element structure, a passive matrix type light emitting device or an active matrix type light emitting device can be exemplified, and by improving part of the element structure, it can be applied to a light emitting device having a microcavity structure May be. It is assumed that all of these light emitting devices are included in the present invention.
또한, 액티브 매트릭스형의 발광 장치의 경우에 있어서, TFT의 구조는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 스태거형이나 역스태거형의 TFT를 적절히 사용할 수 있다. 또한, TFT 기판에 형성되는 구동용 회로에 관해서도, N형 및 P형의 TFT로 이루어지는 것이라도 좋고, N형의 TFT 또는 P형의 TFT 중 어느 한쪽만으로 이루어지는 것이라도 좋다. 또한, TFT에 사용되는 반도체막의 결정성에 관해서도 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 비정질 반도체막, 결정성 반도체막, 그 외 산화물 반도체막 등을 사용할 수 있다. In addition, in the case of an active matrix type light emitting device, the structure of the TFT is not particularly limited. For example, a staggered or inverted staggered TFT can be appropriately used. Further, the driving circuit formed on the TFT substrate may be formed of an N-type and P-type TFT, or may be formed of only one of an N-type TFT or a P-type TFT. Further, the crystallinity of the semiconductor film used for the TFT is not particularly limited. For example, an amorphous semiconductor film, a crystalline semiconductor film, and other oxide semiconductor films can be used.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타내는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다. In addition, it is assumed that the configuration shown in the present embodiment can be used in appropriate combination with the configuration shown in the other embodiments.
(실시형태 4)(Embodiment 4)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태로서, 전하 발생층을 사이에 개재하여 EL층을 복수 갖는 구조의 발광 소자(이하, 탠덤(tandem)형 발광 소자라고 한다)에 관해서 설명한다. In this embodiment, as an embodiment of the present invention, a light-emitting element having a structure having a plurality of EL layers (hereinafter referred to as a tandem light-emitting element) with a plurality of EL layers interposed therebetween will be described.
본 실시형태에 나타내는 발광 소자는, 도 3a에 도시하는 바와 같이, 한 쌍의 전극(제 1 전극(301) 및 제 2 전극(304)) 사이에, 복수의 EL층(제 1 EL층(302)(1), 제 2 EL층(302)(2))을 갖는 탠덤형 발광 소자이다. The light emitting element shown in this embodiment is a plurality of EL layers (first EL layer 302) between a pair of electrodes (
본 실시형태에 있어서, 제 1 전극(301)은, 양극으로서 기능하는 전극이며, 제 2 전극(304)은 음극으로서 기능하는 전극이다. 또한, 제 1 전극(301) 및 제 2 전극(304)은, 실시형태 2와 같은 구성을 사용할 수 있다. 또한, 복수의 EL층(제 1 EL층(302)(1), 제 2 EL층(302)(2))은, 실시형태 2 또는 실시형태 3에서 나타낸 EL층과 같은 구성이라도 좋지만, 어느 하나가 같은 구성이라도 좋다. 즉, 제 1 EL층(302)(1)과 제 2 EL층(302)(2)은, 동일한 구성이라도 상이한 구성이라도 좋고, 그 구성은 실시형태 2 또는 실시형태 3과 같은 것을 적용할 수 있다. In this embodiment, the
또한, 복수의 EL층(제 1 EL층(302)(1), 제 2 EL층(302)(2)) 사이에는, 전하 발생층(I)(305)이 형성되어 있다. 전하 발생층(I)(305)은, 제 1 전극(301)과 제 2 전극(304)에 전압을 인가했을 때에, 한쪽의 EL층에 전자를 주입하고, 다른쪽의 EL층에 정공을 주입하는 기능을 가진다. 본 실시형태의 경우에는, 제 1 전극(301)에 제 2 전극(304)보다도 전위가 높아지도록 전압을 인가하면, 전하 발생층(I)(305)으로부터 제 1 EL층(302)(1)으로 전자가 주입되고, 제 2 EL층(302)(2)으로 정공이 주입된다. Further, a charge generation layer (I) 305 is formed between a plurality of EL layers (first EL layer 302 (1) and second EL layer 302 (2)). When a voltage is applied to the
또한, 전하 발생층(I)(305)은, 광의 추출 효율의 점에서, 가시광에 대해 투광성을 갖는(구체적으로는, 전하 발생층(I)(305)에 대한 가시광의 투과율이, 40% 이상) 것이 바람직하다. 또한, 전하 발생층(I)(305)은, 제 1 전극(301)이나 제 2 전극(304)보다도 낮은 도전율이라도 기능한다. In addition, the charge generation layer (I) 305 has transparency to visible light in terms of light extraction efficiency (specifically, the transmittance of visible light to the charge generation layer (I) 305 is 40% or more. ) Is preferred. In addition, the charge generation layer (I) 305 functions even with a conductivity lower than that of the
전하 발생층(I)(305)은, 정공 수송성이 높은 유기 화합물에 전자 수용체(억셉터)가 첨가된 구성이라도, 전자 수송성이 높은 유기 화합물에 전자 공여체(도너)가 첨가된 구성이라도 좋다. 또한, 이들 양자의 구성이 적층되어 있어도 좋다. The charge generating layer (I) 305 may have a configuration in which an electron acceptor (acceptor) is added to an organic compound having high hole transport properties, or a configuration in which an electron donor (donor) is added to an organic compound having high electron transport properties. In addition, both configurations may be laminated.
정공 수송성이 높은 유기 화합물에 전자 수용체가 첨가된 구성으로 하는 경우에 있어서, 정공 수송성이 높은 유기 화합물로서는, 예를 들면, NPB나 TPD, TDATA, MTDATA, 4,4'-비스[N-(스피로-9,9'-비플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: BSPB) 등의 방향족 아민 화합물 등을 사용할 수 있다. 여기에 서술한 물질은, 주로 10-6㎠/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는 물질이다. 단, 전자보다도 정공의 수송성이 높은 유기 화합물이면, 상기 이외의 물질을 사용해도 상관없다. 또한, 본 발명의 일 형태인 카르바졸 화합물을 전하 발생층(I)(305)에 있어서의 정공 수송성이 높은 유기 화합물로서 사용할 수도 있다. In the case where an electron acceptor is added to an organic compound having high hole transport properties, examples of the organic compound having high hole transport properties include NPB, TPD, TDATA, MTDATA, 4,4'-bis[N-(spiro Aromatic amine compounds, such as -9,9'-bifluoren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: BSPB), and the like can be used. The substances described here are mainly substances having a hole mobility of 10 -6
또한, 전자 수용체로서는, 7,7,8,8-테트라시아노-2,3,5,6-테트라플루오로퀴노디메탄(약칭: F4-TCNQ), 클로라닐 등을 들 수 있다. 또한, 전이 금속 산화물을 들 수 있다. 또한 원소주기표에 있어서의 제4족 내지 제8족에 속하는 금속의 산화물을 들 수 있다. 구체적으로는, 산화바나듐, 산화니오븀, 산화탄탈, 산화크롬, 산화몰리브덴, 산화텅스텐, 산화망간, 산화레늄은 전자 수용성이 높기 때문에 바람직하다. 이 중에서도 특히, 산화몰리브덴은 대기 중에서도 안정적이며, 흡습성이 낮고, 취급하기 쉽기 때문에 바람직하다. Moreover, as an electron acceptor, 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane (abbreviation: F 4 -TCNQ), chloranyl, etc. are mentioned. Further, a transition metal oxide can be mentioned. Further, oxides of metals belonging to
한편, 전자 수송성이 높은 유기 화합물에 전자 공여체가 첨가된 구성으로 하는 경우에 있어서, 전자 수송성이 높은 유기 화합물로서는, 예를 들면, Alq, Almq3, BeBq2, BAlq 등, 퀴놀린 골격 또는 벤조퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체 등을 사용할 수 있다. 또한, 이밖에, Zn(BOX)2, Zn(BTZ)2 등의 옥사졸계, 티아졸계 배위자를 갖는 금속 착체 등도 사용할 수 있다. 또한, 금속 착체 이외에도, PBD나 OXD-7, TAZ, Bphen, BCP 등도 사용할 수 있다. 여기에 서술한 물질은, 주로 10-6㎠/Vs 이상의 전자 이동도를 갖는 물질이다. 또한, 정공보다도 전자의 수송성이 높은 유기 화합물이면, 상기 이외의 물질을 사용해도 상관없다. On the other hand, in the case where an electron donor is added to an organic compound having high electron transport properties, examples of the organic compound having high electron transport properties include, for example, a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton, such as Alq, Almq 3 , BeBq 2, BAlq, etc. A metal complex or the like can be used. In addition, metal complexes having an oxazole-based and thiazole-based ligand such as Zn(BOX) 2 and Zn(BTZ) 2 can also be used. In addition to the metal complex, PBD, OXD-7, TAZ, Bphen, BCP, and the like can also be used. The substances described here are mainly substances having an electron mobility of 10 -6
또한, 전자 공여체로서는, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 또는 희토류 금속 또는 원소주기표에 있어서의 제2족, 제13족에 속하는 금속 및 그 산화물, 탄산염을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 리튬(Li), 세슘(Cs), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 이테르븀(Yb), 인듐(In), 산화리튬, 탄산세슘 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 테트라티아나프타센과 같은 유기 화합물을 전자 공여체로서 사용해도 좋다. In addition, as the electron donor, an alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, or metal belonging to
또한, 상기한 재료를 사용하여 전하 발생층(I)(305)을 형성함으로써, EL층이 적층된 경우에 있어서의 구동 전압의 상승을 억제할 수 있다. Further, by forming the charge generation layer (I) 305 using the above material, it is possible to suppress an increase in the driving voltage when the EL layer is laminated.
본 실시형태에서는, EL층을 2층 갖는 발광 소자에 관해서 설명했지만, 도 3b에 도시하는 바와 같이, n층(단, n은, 3 이상)의 EL층(302(1) 내지 302(n))을 적층 하고, 이들 EL층(302(1) 내지 302(n)) 사이에 각각 전하 발생층(I)(305(1) 내지 305(n-1))을 배치한 발광 소자에 관해서도, 마찬가지로 적용하는 것이 가능하다. 본 실시형태에 따르는 발광 소자와 같이, 한 쌍의 전극간에 복수의 EL층을 갖는 경우, EL층과 EL층 사이에 전하 발생층(I)을 배치함으로써, 전류 밀도를 낮게 유지한 채, 고휘도 영역에서의 발광이 가능하다. 전류 밀도를 낮게 유지할 수 있기 때문에, 장수명 소자를 실현할 수 있다. 또한, 조명을 응용예로 한 경우는, 전극 재료의 저항에 의한 전압 강하를 작게 할 수 있기 때문에, 대면적에서의 균일 발광이 가능해진다. 또한, 저전압 구동이 가능하여 소비 전력이 낮은 발광 장치를 실현할 수 있다. In this embodiment, a light-emitting element having two EL layers has been described, but as shown in Fig. 3B, the EL layers 302(1) to 302(n) of n layers (where n is 3 or more) ) Are stacked, and charge generation layers (I) 305(1) to 305(n-1) are disposed between these EL layers 302(1) to 302(n), respectively. It is possible to apply. In the case of having a plurality of EL layers between a pair of electrodes, as in the light emitting device according to the present embodiment, by disposing a charge generation layer (I) between the EL layer and the EL layer, while maintaining a low current density, a high luminance region Light emission from is possible. Since the current density can be kept low, a long life element can be realized. In addition, when lighting is used as an application example, since the voltage drop due to the resistance of the electrode material can be reduced, uniform light emission in a large area becomes possible. In addition, it is possible to realize a light-emitting device with low power consumption by enabling low voltage driving.
또한, 각각의 EL층의 발광색을 상이한 것으로 함으로써, 발광 소자 전체로서, 원하는 색의 발광을 얻을 수 있다. 예를 들면, 2개의 EL층을 갖는 발광 소자에 있어서, 제 1 EL층의 발광색과 제 2 EL층의 발광색을 보색의 관계가 되도록 함으로써, 발광 소자 전체로서 백색 발광하는 발광 소자를 얻는 것도 가능하다. 한편, 보색이란, 혼합하면 무채색이 되는 색끼리의 관계를 말한다. 즉, 보색의 관계에 있는 색을 발광하는 물질로부터 얻어진 광을 혼합하면, 백색 발광을 얻을 수 있다. Further, by setting the luminous colors of the respective EL layers to be different, light emission of a desired color can be obtained as a whole light-emitting element. For example, in a light-emitting element having two EL layers, it is possible to obtain a light-emitting element that emits white light as the whole light-emitting element by making the light-emitting color of the first EL layer and the light-emitting color of the second EL layer a complementary color. . On the other hand, the complementary color refers to the relationship between colors that become achromatic when mixed. That is, white light emission can be obtained by mixing light obtained from a substance emitting a color having a complementary color relationship.
또한, 3개의 EL층을 갖는 발광 소자의 경우도 마찬가지이며, 예를 들면, 제 1 EL층의 발광색이 적색이며, 제 2 EL층의 발광색이 녹색이며, 제 3 EL층의 발광색이 청색인 경우, 발광 소자 전체로서는, 백색 발광을 얻을 수 있다. The same applies to the case of a light-emitting element having three EL layers, for example, when the luminous color of the first EL layer is red, the luminous color of the second EL layer is green, and the luminous color of the third EL layer is blue. , White light emission can be obtained as the whole light-emitting element.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다. In addition, the configuration shown in this embodiment can be used in appropriate combination with the configuration shown in the other embodiments.
(실시형태 5)(Embodiment 5)
본 실시형태에 나타내는 발광 장치는, 한 쌍의 전극간에서의 광의 공진 효과를 이용한 미소 광 공진기(마이크로캐비티) 구조를 가지고 있고, 도 4에 도시하는 바와 같이 한 쌍의 전극(반사 전극(401) 및 반투과·반반사(semi-reflective) 전극(402)) 사이에 적어도 EL층(405)을 갖는 구조인 발광 소자를 복수 가지고 있다. 또한, EL층(405)은, 적어도 발광 영역이 되는 발광층(404)을 가지고, 그 외 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 발생층(E) 등이 포함되어 있어도 좋다. 또한, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물은, EL층(405)에 포함되는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층(404), 또는 전자 수송층에 사용할 수 있다. The light-emitting device according to the present embodiment has a microscopic optical resonator (microcavity) structure utilizing a resonance effect of light between a pair of electrodes, and as shown in FIG. 4, a pair of electrodes (reflective electrode 401) And a plurality of light emitting elements having a structure having at least an
본 실시형태에서는, 도 4에 도시하는 바와 같이 구조가 상이한 발광 소자(제 1 발광 소자(R)(410R), 제 2 발광 소자(G)(410G), 제 3 발광 소자(B)(410B))를 가지고 구성되는 발광 장치에 관해서 설명한다. In this embodiment, as shown in Fig. 4, light-emitting elements having different structures (first light-emitting element (R) 410R, second light-emitting element (G) 410G, third light-emitting element (B) 410B) A light-emitting device configured with) will be described.
제 1 발광 소자(R)(410R)는, 반사 전극(401) 위에 제 1 투명 도전층(403a)과, 제 1 발광층(B)(404B), 제 2 발광층(G)(404G), 제 3 발광층(R)(404R)을 일부에 포함하는 EL층(405)과, 반투과·반반사 전극(402)이 순차 적층된 구조를 가진다. 또한, 제 2 발광 소자(G)(410G)는, 반사 전극(401) 위에 제 2 투명 도전층(403b)과, EL층(405)과, 반투과·반반사 전극(402)이 순차 적층된 구조를 가진다. 또한, 제 3 발광 소자(B)(410B)는, 반사 전극(401) 위에 EL층(405)과, 반투과·반반사 전극(402)이 순차 적층된 구조를 가진다. The first light-emitting element (R) 410R includes a first transparent
또한, 상기 발광 소자(제 1 발광 소자(R)(410R), 제 2 발광 소자(G)(410G), 제 3 발광 소자(B)(410B))에 있어서, 반사 전극(401), EL층(405), 반투과·반반사 전극(402)은 공통이다. 또한, 제 1 발광층(B)(404B)에서는, 420nm 이상 480nm 이하의 파장 영역에 피크를 갖는 광(λB)을 발광시키고, 제 2 발광층(G)(404G)에서는, 500nm 이상 550nm 이하의 파장 영역에 피크를 갖는 광(λG)을 발광시키고, 제 3 발광층(R)(404R)에서는, 600nm 이상 760nm 이하의 파장 영역에 피크를 갖는 광(λR)을 발광시킨다. 이것에 의해, 어느 발광 소자(제 1 발광 소자(R)(410R), 제 2 발광 소자(G)(410G), 제 3 발광 소자(B)(410B))에서도, 제 1 발광층(B)(404B), 제 2 발광층(G)(404G), 및 제 3 발광층(R)(404R)으로부터의 발광이 중첩된, 즉 가시광 영역에 걸친 브로드한 광을 발광시킬 수 있다. 또한, 상기로부터 파장의 길이는 λB<λG<λR의 관계인 것으로 한다. In addition, in the light-emitting element (first light-emitting element (R) 410R, second light-emitting element (G) 410G, and third light-emitting element (B) 410B), a
본 실시형태에 나타내는 각 발광 소자는, 각각 반사 전극(401)과 반투과·반반사 전극(402) 사이에 EL층(405)을 개재하여 이루어지는 구조를 가지고 있으며, EL층(405)에 포함되는 각 발광층으로부터 전(全)방향으로 사출되는 발광은, 미소 광 공진기(마이크로캐비티)로서의 기능을 갖는 반사 전극(401)과 반투과·반반사 전극(402)에 의해 공진된다. 또한, 반사 전극(401)은, 반사성을 갖는 도전성 재료에 의해 형성되고, 그 막에 대한 가시광의 반사율이 40% 내지 100%, 바람직하게는 70% 내지 100%이며, 또한 그 저항율이 1×10-2Ωcm 이하인 막으로 한다. 또한, 반투과·반반사 전극(402)은, 반사성을 갖는 도전성 재료와 광 투과성을 갖는 도전성 재료에 의해 형성되고, 그 막에 대한 가시광의 반사율이 20% 내지 80%, 바람직하게는 40% 내지 70%이며, 또한 그 저항율이 1×10-2Ωcm 이하인 막인 것으로 한다. Each light-emitting element shown in this embodiment has a structure formed by interposing an
또한, 본 실시형태에서는, 각 발광 소자로, 제 1 발광 소자(R)(410R)와 제 2 발광 소자(G)(410G)에 각각 형성된 투명 도전층(제 1 투명 도전층(403a), 제 2 투명 도전층(403b))의 두께를 변경함으로써, 발광 소자별로 반사 전극(401)과 반투과·반반사 전극(402) 사이의 광학 거리를 변경하고 있다. 즉, 각 발광 소자의 각 발광층으로부터 발광하는 브로드한 광은, 반사 전극(401)과 반투과·반반사 전극(402) 사이에 있어서, 공진하는 파장의 광을 강화하고, 공진하지 않는 파장의 광을 감쇠시킬 수 있기 때문에, 소자별로 반사 전극(401)과 반투과·반반사 전극(402) 사이의 광학 거리를 변경함으로써, 상이한 파장의 광을 추출할 수 있다. In addition, in this embodiment, each light-emitting element is a transparent conductive layer (first transparent
또한, 광학 거리(광로 길이라고도 한다)란, 실제의 거리에 굴절율을 곱한 것이며, 본 실시형태에 있어서는, 실제 막 두께에 n(굴절율)을 곱한 것을 나타내고 있다. 즉, 「광학 거리=실제 막 두께×n」이다. Incidentally, the optical distance (also referred to as the optical path length) is a product obtained by multiplying the actual distance by the refractive index, and in this embodiment, the actual film thickness is multiplied by n (refractive index). That is, "optical distance = actual film thickness x n".
또한, 제 1 발광 소자(R)(410R)에서는, 반사 전극(401)으로부터 반투과·반반사 전극(402)까지의 총 두께를 mλR/2(단, m은 자연수), 제 2 발광 소자(G)(410G)에서는, 반사 전극(401)으로부터 반투과·반반사 전극(402)까지의 총 두께를 mλG/2(단, m은 자연수), 제 3 발광 소자(B)(410B)에서는, 반사 전극(401)으로부터 반투과·반반사 전극(402)까지의 총 두께를 mλB/2(단, m은 자연수)로 하고 있다. In addition, in the first light-emitting element (R) 410R, the total thickness from the
이상으로부터, 제 1 발광 소자(R)(410R)로부터는, 주로 EL층(405)에 포함되는 제 3 발광층(R)(404R)에서 발광한 광(λR)이 추출되고, 제 2 발광 소자(G)(410G)로부터는, 주로 EL층(405)에 포함되는 제 2 발광층(G)(404G)에서 발광한 광(λG)이 추출되고, 제 3 발광 소자(B)(410B)로부터는, 주로 EL층(405)에 포함되는 제 1 발광층(B)(404B)에서 발광한 광(λS)이 추출된다. 또한, 각 발광 소자로부터 추출되는 광은, 반투과·반반사 전극(402)측으로부터 각각 사출된다. From the above, from the first light-emitting element (R) 410R, the light (λ R ) emitted from the third light-emitting layer (R) 404R mainly included in the
또한, 상기 구성에 있어서, 반사 전극(401)으로부터 반투과·반반사 전극(402)까지의 총 두께는, 엄밀하게는 반사 전극(401)에 있어서의 반사 영역으로부터 반투과·반반사 전극(402)에 있어서의 반사 영역까지의 총 두께라고 할 수 있다. 그러나, 반사 전극(401)이나 반투과·반반사 전극(402)에 있어서의 반사 영역의 위치를 엄밀하게 결정하는 것은 곤란하기 때문에, 반사 전극(401)과 반투과·반반사 전극(402)의 임의의 위치를 반사 영역으로 가정함으로써 충분히 상기의 효과를 얻을 수 있는 것으로 한다. Further, in the above configuration, the total thickness from the
다음에, 제 1 발광 소자(R)(410R)에 있어서, 반사 전극(401)으로부터 제 3 발광층(R)(404R)으로의 광학 거리를 원하는 막 두께((2m'+1)λR/4(단, m'는 자연수))로 조절함으로써, 제 3 발광층(R)(404R)으로부터의 발광을 증폭시킬 수 있다. 제 3 발광층(R)(404R)으로부터의 발광 중, 반사 전극(401)에 의해 반사되어 되돌아온 광(제 1 반사광)은, 제 3 발광층(R)(404R)으로부터 반투과·반반사 전극(402)에 직접 입사하는 광(제 1 입사광)과 간섭을 일으키기 때문에, 반사 전극(401)으로부터 제 3 발광층(R)(404R)으로의 광학 거리를 원하는 값((2m'+1)λR/4(단, m'는 자연수))으로 조절하여 형성함으로써, 제 1 반사광과 제 1 입사광의 위상을 맞추어 제 3 발광층(R)(404R)으로부터의 발광을 증폭시킬 수 있다. Next, in the first light-emitting element (R) 410R, the optical distance from the
또한, 반사 전극(401)과 제 3 발광층(R)(404R)의 광학 거리란, 엄밀하게는 반사 전극(401)에 있어서의 반사 영역과 제 3 발광층(R)(404R)에 있어서의 발광 영역의 광학 거리라고 할 수 있다. 그러나, 반사 전극(401)에 있어서의 반사 영역이나 제 3 발광층(R)(404R)에 있어서의 발광 영역의 위치를 엄밀하게 결정하는 것은 곤란하기 때문에, 반사 전극(401)의 임의의 위치를 반사 영역, 제 3 발광층(R)(404R)의 임의의 위치를 발광 영역으로 가정함으로써 충분히 상기의 효과를 얻을 수 있는 것으로 한다. In addition, the optical distance between the
다음에, 제 2 발광 소자(G)(410G)에 있어서, 반사 전극(401)으로부터 제 2 발광층(G)(404G)으로의 광학 거리를 원하는 막 두께((2m''+1)λG/4(단, m''는 자연수))로 조절함으로써, 제 2 발광층(G)(404G)으로부터의 발광을 증폭시킬 수 있다. 제 2 발광층(G)(404G)으로부터의 발광 중, 반사 전극(401)에 의해 반사되어 되돌아온 광(제 2 반사광)은, 제 2 발광층(G)(404G)으로부터 반투과·반반사 전극(402)에 직접 입사하는 광(제 2 입사광)과 간섭을 일으키기 때문에, 반사 전극(401)으로부터 제 2 발광층(G)(404G)으로의 광학 거리를 원하는 값((2m''+1)λG/4(단, m''는 자연수))으로 조절하여 형성함으로써, 제 2 반사광과 제 2 입사광과의 위상을 맞추어 제 2 발광층(G)(404G)으로부터의 발광을 증폭시킬 수 있다. Next, in the second light-emitting element (G) 410G, the optical distance from the
또한, 반사 전극(401)과 제 2 발광층(G)(404G)의 광학 거리란, 엄밀하게는 반사 전극(401)에 있어서의 반사 영역과 제 2 발광층(G)(404G)에 있어서의 발광 영역의 광학 거리라고 할 수 있다. 그러나, 반사 전극(401)에 있어서의 반사 영역이나 제 2 발광층(G)(404G)에 있어서의 발광 영역의 위치를 엄밀하게 결정하는 것은 곤란하기 때문에, 반사 전극(401)의 임의의 위치를 반사 영역, 제 2 발광층(G)(404G)의 임의의 위치를 발광 영역으로 가정함으로써 충분히 상기의 효과를 얻을 수 있는 것으로 한다. In addition, the optical distance between the
다음에, 제 3 발광 소자(B)(410B)에 있어서, 반사 전극(401)으로부터 제 1 발광층(B)(404B)으로의 광학 거리를 원하는 막 두께((2m'''+1)λB/4(단, m'''는 자연수))로 조절함으로써, 제 1 발광층(B)(404B)으로부터의 발광을 증폭시킬 수 있다. 제 1 발광층(B)(404B)으로부터의 발광 중, 반사 전극(401)에 의해 반사되어 되돌아온 광(제 3 반사광)은, 제 1 발광층(B)(404B)으로부터 반투과·반반사 전극(402)에 직접 입사하는 광(제 3 입사광)과 간섭을 일으키기 때문에, 반사 전극(401)으로부터 제 1 발광층(B)(404B)으로의 광학 거리를 원하는 값((2m'''+1)λB/4(단, m'''는 자연수))으로 조절하여 형성함으로써, 제 3 반사광과 제 3 입사광의 위상을 맞추어 제 1 발광층(B)(404B)으로부터의 발광을 증폭시킬 수 있다. Next, in the third light-emitting element (B) 410B, the optical distance from the
또한, 제 3 발광 소자에 있어서, 반사 전극(401)과 제 1 발광층(B)(404B)의 광학 거리란, 엄밀하게는 반사 전극(401)에 있어서의 반사 영역과 제 1 발광층(B)(404B)에 있어서의 발광 영역과의 광학 거리라고 할 수 있다. 그러나, 반사 전극(401)에 있어서의 반사 영역이나 제 1 발광층(B)(404B)에 있어서의 발광 영역의 위치를 엄밀하게 결정하는 것은 곤란하기 때문에, 반사 전극(401)의 임의의 위치를 반사 영역, 제 1 발광층(B)(404B)의 임의의 위치를 발광 영역으로 가정함으로써 충분히 상기의 효과를 얻을 수 있는 것으로 한다. In addition, in the third light-emitting element, the optical distance between the
또한, 상기 구성에 있어서, 어느 발광 소자도 EL층에 복수의 발광층을 갖는 구조를 가지고 있지만, 본 발명은 이것으로 한정되지는 않고, 예를 들면, 실시형태4에서 설명한 탠덤형 발광 소자의 구성과 조합하여 1개의 발광 소자에 전하 발생층을 사이에 개재하여 복수의 EL층을 형성하고, 각각의 EL층에 단수 또는 복수의 발광층을 형성하는 구성으로 해도 좋다. Further, in the above configuration, any light emitting device has a structure having a plurality of light emitting layers in the EL layer, but the present invention is not limited to this, for example, the configuration of the tandem light emitting device described in
본 실시형태에서 나타낸 발광 장치는, 마이크로캐비티 구조를 가지고 있으며, 동일한 EL층을 가지고 있어도 발광 소자별로 상이한 파장의 광을 추출할 수 있기 때문에 RGB의 분할 채색이 불필요해진다. 따라서, 고정세화(高精細化)를 실현하는 것이 용이한 등의 이유에서 풀컬러화를 실현하는데 있어서 유리하다. 또한, 특정 파장의 정면 방향의 발광 강도를 강화시키는 것이 가능해지기 때문에, 저소비 전력화를 도모할 수 있다. 이 구성은, 3색 이상의 화소를 사용한 컬러 디스플레이(화상 표시장치)에 적용하는 경우에, 특히 유용하지만, 조명 등의 용도에 사용해도 좋다. The light-emitting device shown in the present embodiment has a microcavity structure, and even if it has the same EL layer, light having a different wavelength can be extracted for each light-emitting element, so that divisional coloring of RGB is unnecessary. Therefore, it is advantageous in realizing full-colorization for reasons such as ease of realization of high definition. In addition, since it becomes possible to enhance the light emission intensity in the front direction of a specific wavelength, it is possible to reduce power consumption. This configuration is particularly useful when applied to a color display (image display device) using pixels of three or more colors, but may be used for applications such as lighting.
(실시형태 6)(Embodiment 6)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 발광층에 사용한 발광 소자를 갖는 발광 장치에 관해서 설명한다. In this embodiment, a light-emitting device having a light-emitting element in which the triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention, is used in the light-emitting layer will be described.
또한, 상기 발광 장치는, 패시브 매트릭스형의 발광 장치라도 액티브 매트릭스형의 발광 장치라도 좋다. 또한, 본 실시형태에 나타내는 발광 장치에는, 다른 실시형태에서 설명한 발광 소자를 적용하는 것이 가능하다. Further, the light emitting device may be a passive matrix type light emitting device or an active matrix type light emitting device. In addition, it is possible to apply the light-emitting elements described in other embodiments to the light-emitting device according to the present embodiment.
본 실시형태에서는, 액티브 매트릭스형의 발광 장치에 관해서 도 5a 및 5b를 사용하여 설명한다. In this embodiment, an active matrix type light emitting device will be described with reference to Figs. 5A and 5B.
또한, 도 5a는 발광 장치를 도시하는 상면도이며, 도 5b는 도 5a를 쇄선 A-A'에서 절단한 단면도이다. 본 실시형태에 따르는 액티브 매트릭스형의 발광 장치는, 소자 기판(501) 위에 형성된 화소부(502)와, 구동 회로부(소스선 구동 회로)(503)와, 구동 회로부(게이트선 구동 회로)(504a, 504b)를 가진다. 화소부(502), 구동 회로부(503), 및 구동 회로부(504a, 504b)는, 씰재(505)에 의해, 소자 기판(501)과 봉지 기판(506) 사이에 봉지되어 있다. In addition, FIG. 5A is a top view showing a light emitting device, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along a chain line A-A' in FIG. 5A. The active matrix type light emitting device according to the present embodiment includes a
또한, 소자 기판(501) 위에는, 구동 회로부(503), 및 구동 회로부(504a, 504b)에 외부로부터의 신호(예를 들면, 비디오 신호, 클록 신호, 스타트 신호, 또는 리셋 신호 등)나 전위를 전달하는 외부 입력 단자를 접속하기 위한 리드 배선(lead wiring)(507)이 형성된다. 여기에서는, 외부 입력 단자로서 FPC(플렉시블 프린트 서킷)(508)을 형성하는 예를 나타내고 있다. 또한, 여기에서는 FPC밖에 도시되어 있지 않지만, 이 FPC에는 프린트 배선 기판(PWB)이 장착되어 있어도 좋다. 본 명세서에 있어서의 발광 장치에는, 발광 장치 본체뿐만 아니라, 거기에 FPC 또는 PWB가 장착된 상태도 포함하는 것으로 한다. Further, on the
다음에, 단면 구조에 관해서 도 5b를 사용하여 설명한다. 소자 기판(501) 위에는 구동 회로부 및 화소부가 형성되어 있지만, 여기에서는, 소스선 구동 회로인 구동 회로부(503)와, 화소부(502)가 나타나 있다. Next, the cross-sectional structure will be described with reference to Fig. 5B. On the
구동 회로부(503)는 n채널형 TFT(509)와 p채널형 TFT(510)를 조합한 CMOS 회로가 형성되는 예를 나타내고 있다. 또한, 구동 회로부를 형성하는 회로는, 다양한 CMOS 회로, PMOS 회로 또는 NMOS 회로로 형성해도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는, 기판 위에 구동 회로를 형성한 드라이버 일체형을 나타내지만, 반드시 그럴 필요는 없고, 기판 위가 아니라 외부에 구동 회로를 형성할 수도 있다. The driving
또한, 화소부(502)는 스위칭용 TFT(511)와, 전류 제어용 TFT(512)와 전류 제어용 TFT(512)의 배선(소스 전극 또는 드레인 전극)에 전기적으로 접속된 제 1 전극(양극)(513)을 포함하는 복수의 화소에 의해 형성된다. 또한, 제 1 전극(양극)(513)의 단부를 덮고 절연물(514)이 형성되어 있다. 여기에서는, 포지티브형의 감광성 아크릴 수지를 사용함으로써 형성한다. Further, the
또한, 상층에 적층 형성되는 막의 피복성을 양호한 것으로 하기 위해서, 절연물(514)의 상단부 또는 하단부에 곡률을 갖는 곡면이 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 절연물(514)의 재료로서 포지티브형의 감광성 아크릴 수지를 사용한 경우, 절연물(514)의 상단부에 곡률 반경(0.2㎛ 내지 3㎛)을 갖는 곡면을 갖게 하는 것이 바람직하다. 또한, 절연물(514)로서, 감광성의 광에 의해 에천트(etchant)에 불용해성이 되는 네가티브형, 또는 광에 의해 에천트에 용해성이 되는 포지티브형을 모두 사용할 수 있고, 유기 화합물에 한하지 않고 무기 화합물, 예를 들면, 산화규소, 산질화규소 등의 양자를 사용할 수 있다. Further, in order to provide good coverage of the film laminated on the upper layer, it is preferable that a curved surface having a curvature is formed at the upper end or the lower end of the insulating
제 1 전극(양극)(513) 위에는, EL층(515) 및 제 2 전극(음극)(516)이 적층 형성되어 있다. EL층(515)은, 적어도 발광층이 형성되어 있다. 또한, EL층(515)에는, 발광층 이외에 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 발생층 등을 적절히 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물은, 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 또는 전자 수송층에 적용할 수 있다. On the first electrode (anode) 513, an
또한, 제 1 전극(양극)(513), EL층(515) 및 제 2 전극(음극)(516)의 적층 구조로, 발광 소자(517)가 형성되어 있다. 제 1 전극(양극)(513), EL층(515) 및 제 2 전극(음극)(516)에 사용하는 재료로서는, 실시형태 2에 나타내는 재료를 사용할 수 있다. 또한, 여기에서는 도시하지 않지만, 제 2 전극(음극)(516)은 외부 입력 단자인 FPC(508)에 전기적으로 접속되어 있다. Further, a
또한, 도 5b에 도시하는 단면도에서는 발광 소자(517)를 1개만 도시하고 있지만, 화소부(502)에 있어서, 복수의 발광 소자가 매트릭스상으로 배치되어 있는 것으로 한다. 화소부(502)에는, 3종류(R, G, B)의 발광이 얻어지는 발광 소자를 각각 선택적으로 형성하고, 풀컬러 표시 가능한 발광 장치를 형성할 수 있다. 또한, 컬러 필터와 조합함으로써 풀컬러 표시 가능한 발광 장치로 해도 좋다. In addition, although only one light-emitting
또한, 씰재(505)로 봉지 기판(506)을 소자 기판(501)과 첩합함으로써, 소자 기판(501), 봉지 기판(506), 및 씰재(505)로 둘러싸인 공간(518)에 발광 소자(517)가 구비된 구조로 되어 있다. 또한, 공간(518)에는, 불활성 기체(질소나 아르곤 등)가 충전되는 경우 외에, 씰재(505)로 충전되는 구성도 포함하는 것으로 한다. Further, by bonding the sealing
또한, 씰재(505)에는 에폭시계 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이러한 재료는 가능한 한 수분이나 산소를 투과하지 않는 재료인 것이 바람직하다. 또한, 봉지 기판(506)에 사용하는 재료로서 유리 기판이나 석영 기판 외에, FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics), PVF(폴리비닐 플루오라이드), 폴리에스테르 또는 아크릴 등으로 이루어진 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. In addition, it is preferable to use an epoxy resin for the sealing
이상과 같이 하여, 액티브 매트릭스형의 발광 장치를 얻을 수 있다. As described above, an active matrix type light emitting device can be obtained.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성을 적절히 조합하여 사용할 수 있다. In addition, the configuration shown in this embodiment can be used in appropriate combinations of the configurations shown in the other embodiments.
(실시형태 7)(Embodiment 7)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 포함하는 발광 소자를 적용하여 제작된 발광 장치를 사용하여 완성시킨 여러 가지 전자 기기의 일례에 관해서, 도 6a 내지 6d를 사용하여 설명한다. In this embodiment, examples of various electronic devices completed using a light emitting device manufactured by applying a light emitting device containing a triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention, will be described with reference to FIGS. 6A to 6D. .
발광 장치를 적용한 전자 기기로서, 예를 들면, 텔레비전 장치(텔레비전, 또는 텔레비전 수신기라고도 한다), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 포토프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 한다), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말, 음향 재생 장치, 파칭코기 등의 대형 게임기 등을 들 수 있다. 이들 전자 기기의 구체예를 도 6a 내지 6d에 도시한다. As electronic devices to which a light emitting device is applied, for example, a television device (also referred to as a television or television receiver), a monitor for a computer, a digital camera, a digital video camera, a digital photo frame, and a mobile phone (cell phone, mobile phone device) Also referred to as), portable game machines, portable information terminals, sound reproduction devices, and large game machines such as pachinko machines. Specific examples of these electronic devices are shown in Figs. 6A to 6D.
도 6a는, 텔레비전 장치의 일례를 도시하고 있다. 텔레비전 장치(7100)는, 하우징(7101)에 표시부(7103)가 내장되어 있다. 표시부(7103)에 의해, 영상을 표시하는 것이 가능하여, 발광 장치를 표시부(7103)에 사용할 수 있다. 또한, 여기에서는, 스탠드(7105)에 의해 하우징(7101)을 지지한 구성을 나타내고 있다. 6A shows an example of a television device. In the
텔레비전 장치(7100)의 조작은, 하우징(7101)이 구비하는 조작 스위치나, 별체의 리모트 컨트롤러(7110)에 의해 행할 수 있다. 리모트 컨트롤러(7110)가 구비하는 조작 키(7109)에 의해, 채널이나 음량의 조작을 행할 수 있고, 표시부(7103)에 표시되는 영상을 조작할 수 있다. 또한, 리모트 컨트롤러(7110)에, 당해 리모트 컨트롤러(7110)로부터 출력하는 정보를 표시하는 표시부(7107)를 형성하는 구성으로 해도 좋다. The
또한, 텔레비전 장치(7100)는, 수신기나 모뎀 등을 구비한 구성으로 한다. 수신기에 의해 일반 텔레비전 방송의 수신을 행할 수 있고, 또한 모뎀을 개재하여 유선 또는 무선에 의한 통신 네트워크에 접속함으로써, 일방향(송신자에게서 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자간, 또는 수신자간끼리 등)의 정보 통신을 행하는 것도 가능하다. In addition, the
도 6b는 컴퓨터이며, 본체(7201), 하우징(7202), 표시부(7203), 키보드(7204), 외부 접속 포트(7205), 포인팅 디바이스(7206) 등을 포함한다. 또한, 컴퓨터는, 발광 장치를 그 표시부(7203)에 사용함으로써 제작된다. 6B is a computer, and includes a
도 6c는 휴대형 게임기이며, 하우징(7301)과 하우징(7302)의 2개의 하우징으로 구성되어 있고, 연결부(7303)에 의해, 개폐 가능하게 연결되어 있다. 하우징(7301)에는 표시부(7304)가 내장되고, 하우징(7302)에는 표시부(7305)가 내장되어 있다. 또한, 도 6c에 도시하는 휴대형 게임기는, 그 밖에 스피커부(7306), 기록 매체 삽입부(7307), LED 램프(7308), 입력 수단(조작 키(7309), 접속 단자(7310), 센서(7311)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액(液), 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도(傾度), 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(7312) 등을 구비하고 있다. 물론, 휴대형 게임기의 구성은 상기의 것으로 한정되지 않으며, 적어도 표시부(7304) 및 표시부(7305)의 양쪽, 또는 한쪽에 발광 장치를 사용하고 있으면 좋으며, 기타 부속 설비가 적절히 형성된 구성으로 할 수 있다. 도 6c에 도시하는 휴대형 게임기는, 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능이나, 다른 휴대형 게임기와 무선 통신을 행하여 정보를 공유하는 기능을 가진다. 또한, 도 6c에 도시하는 휴대형 게임기가 갖는 기능은 이것으로 한정되지 않으며, 여러 가지 기능을 가질 수 있다. 6C is a portable game machine, which is composed of two housings, a
도 6d는, 휴대 전화기의 일례를 도시하고 있다. 휴대 전화기(7400)는, 하우징(7401)에 내장된 표시부(7402) 외에, 조작 버튼(7403), 외부 접속 포트(7404), 스피커(7405), 마이크(7406) 등을 구비하고 있다. 또한, 휴대 전화기(7400)는, 발광 장치를 표시부(7402)에 사용함으로써 제작된다. 6D shows an example of a mobile phone. In addition to the
도 6d에 도시하는 휴대 전화기(7400)는, 표시부(7402)를 손가락 등으로 터치함으로써, 정보를 입력할 수 있다. 또한, 전화를 걸거나, 또는 메일을 작성하는 등의 조작은, 표시부(7402)를 손가락 등으로 터치함으로써 행할 수 있다. The
표시부(7402)의 화면은 주로 3가지 모드가 있다. 제 1 은, 화상의 표시를 주로 하는 표시 모드이며, 제 2 는, 문자 등의 정보의 입력을 주로 하는 입력 모드이다. 제 3 은 표시 모드와 입력 모드의 2개의 모드가 혼합된 표시+입력 모드이다. The screen of the
예를 들면, 전화를 걸거나, 또는 메일을 작성하는 경우에는, 표시부(7402)를 문자의 입력을 주로 하는 문자 입력 모드로 하고, 화면에 표시시킨 문자의 입력 조작을 행하면 좋다. 이 경우, 표시부(7402) 화면의 대부분에 키보드 또는 번호 버튼을 표시하는 것이 바람직하다. For example, in the case of making a phone call or creating an e-mail, the
또한, 휴대 전화기(7400) 내부에, 자이로스코프(gyroscope), 가속도 센서 등의 기울기를 검출하는 센서를 갖는 검출 장치를 형성함으로써, 휴대 전화기(7400)의 방향(세로인지 가로인지)을 판단하고, 표시부(7402)의 화면 표시를 자동적으로 전환하도록 할 수 있다. In addition, by forming a detection device having a sensor that detects the inclination of a gyroscope, an acceleration sensor, etc. inside the
또한, 화면 모드의 전환은, 표시부(7402)를 터치하는 것, 또는 하우징(7401)의 조작 버튼(7403)의 조작에 의해 행해진다. 또한, 표시부(7402)에 표시되는 화상의 종류에 따라 전환하도록 할 수도 있다. 예를 들면, 표시부에 표시하는 화상신호가 동영상의 데이터이면 표시 모드, 텍스트 데이터이면 입력 모드로 전환한다. In addition, switching of the screen mode is performed by touching the
또한, 입력 모드에 있어서, 표시부(7402)의 광센서에서 검출되는 신호를 검지하여, 표시부(7402)의 터치 조작에 의한 입력이 일정 기간 없는 경우에는, 화면의 모드를 입력 모드로부터 표시 모드로 전환하도록 제어해도 좋다. In addition, in the input mode, a signal detected by the optical sensor of the
표시부(7402)는, 이미지 센서로서 기능시킬 수도 있다. 예를 들면, 표시부(7402)에 손바닥이나 손가락으로 터치하고, 장문, 지문 등을 촬상(撮像)함으로써, 본인 인증을 행할 수 있다. 또한, 표시부에 근적외광을 발광하는 백라이트 또는 근적외광을 발광하는 센싱용 광원을 사용하면, 손가락 정맥, 손바닥 정맥 등을 촬상할 수도 있다. The
이상과 같이 하여, 본 발명의 일 형태인 발광 장치를 적용하여 전자 기기를 얻을 수 있다. 발광 장치의 적용 범위는 매우 넓으며, 모든 분야의 전자 기기에 적용하는 것이 가능하다. In the manner described above, an electronic device can be obtained by applying the light emitting device of one embodiment of the present invention. The application range of the light emitting device is very wide, and it can be applied to electronic devices in all fields.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다. In addition, the configuration shown in this embodiment can be used in appropriate combination with the configuration shown in the other embodiments.
(실시형태 8)(Embodiment 8)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 포함하는 발광 소자를 적용하여 제작된 발광 장치를 사용하여 완성시킨 조명 장치의 일례에 관해서, 도 7을 사용하여 설명한다. In this embodiment, an example of a lighting device completed using a light-emitting device manufactured by applying a light-emitting element containing a triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention, will be described with reference to FIG. 7.
도 7은, 발광 장치를 실내의 조명 장치(8001)로서 사용한 예이다. 또한, 발광 장치는 대면적화도 가능하기 때문에, 대면적의 조명 장치를 형성할 수도 있다. 그 외 곡면을 갖는 하우징을 사용함으로써, 발광 영역이 곡면을 갖는 조명 장치(8002)를 형성할 수도 있다. 본 실시형태에서 나타내는 발광 장치에 포함되는 발광 소자는 박막상이며, 하우징의 디자인의 자유도가 높다. 따라서, 여러 가지 의장을 가미한 조명 장치를 형성할 수 있다. 또한, 실내의 벽면에 대형 조명 장치(8003)를 구비해도 좋다. 7 is an example in which the light emitting device is used as the
또한, 발광 장치를 테이블의 표면에 사용함으로써 테이블로서의 기능을 구비한 조명 장치(8004)로 할 수 있다. 또한, 그 밖의 가구의 일부에 발광 장치를 사용함으로써, 가구로서의 기능을 구비한 조명 장치로 할 수 있다. Further, by using the light emitting device on the surface of the table, it is possible to obtain a
이상과 같이, 발광 장치를 적용한 여러가지 조명 장치가 얻어진다. 또한, 이들 조명 장치는 본 발명의 일 형태에 포함되는 것으로 한다. As described above, various lighting devices to which a light emitting device is applied are obtained. In addition, these lighting devices are assumed to be included in one embodiment of the present invention.
또한, 본 실시형태에 나타내는 구성은, 다른 실시형태에 나타낸 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다. In addition, the configuration shown in this embodiment can be used in appropriate combination with the configuration shown in the other embodiments.
[실시예 1][Example 1]
《합성예 1》<< Synthesis Example 1 >>
본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(100)으로 표시되는 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물, 4-페닐-4'-(1-페닐-1H-벤즈이미다졸-2-일)-페닐-트리페닐아민(약칭: BPABIm)의 합성 방법에 관해서 설명한다. 또한, BPABIm(약칭)의 구조를 이하에 나타낸다. In this example, a triarylamine compound, 4-phenyl-4'-(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)-, which is an embodiment of the present invention represented by the structural formula (100) of Embodiment 1 A method for synthesizing phenyl-triphenylamine (abbreviation: BPABIm) will be described. In addition, the structure of BPABIm (abbreviation) is shown below.
(100) (100)
<4-페닐-4'-(1-페닐-1H-벤즈이미다졸-2-일)-페닐-트리페닐아민(약칭: BPABIm)의 합성><Synthesis of 4-phenyl-4'-(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)-phenyl-triphenylamine (abbreviation: BPABIm)>
100mL 3구 플라스크에, 2-(4-브로모페닐)-1-페닐-1H-벤즈이미다졸을 1.7g(5.0mmol), 페닐비페닐아민을 1.2g(5.0mmol), 나트륨 tert-부톡사이드를 1.0g(10mmol), 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0)을 17mg(30μmol) 가하고, 플라스크 내의 분위기를 질소 치환하였다. 이 혼합물에, 탈수 크실렌 10mL를 가하였다. 이 혼합물을, 감압하에서 교반하면서 탈기한 후, 트리(tert-부틸)포스핀(10wt% 헥산 용액) 200mL(0.1mmol)를 가하였다. 이 혼합물을, 질소 분위기하, 130℃에서 5시간 가열 교반하고, 반응시켰다. In a 100 mL 3-neck flask, 1.7 g (5.0 mmol) of 2-(4-bromophenyl)-1-phenyl-1H-benzimidazole, 1.2 g (5.0 mmol) of phenylbiphenylamine, sodium tert-butoxide 1.0 g (10 mmol) and 17 mg (30 μmol) of bis(dibenzylideneacetone)palladium (0) were added, and the atmosphere in the flask was replaced with nitrogen. To this mixture, 10 mL of dehydrated xylene was added. After degassing the mixture while stirring under reduced pressure, 200 mL (0.1 mmol) of tri(tert-butyl)phosphine (10 wt% hexane solution) was added. The mixture was heated and stirred at 130° C. for 5 hours in a nitrogen atmosphere, and reacted.
반응 후, 이 반응 혼합액에 아세트산에틸 200mL를 첨가하고, 이 현탁액을 플로리실, 셀라이트를 통과시켜 여과하였다. 얻어진 여과액을 농축하고, 실리카 겔 컬럼크로마토그래피(전개 용매 톨루엔:아세트산에틸=9:1)에 의한 정제를 행하였다. 얻어진 프랙션(fraction)을 농축하고, 아세톤과 메탄올을 가하고 초음파를 가한 후, 재결정한 결과, 목적물인 담황색 분말을 수량 2.1g, 수율 82%로 얻었다. After the reaction, 200 mL of ethyl acetate was added to the reaction mixture, and the suspension was filtered through Florisil and Celite. The obtained filtrate was concentrated and purified by silica gel column chromatography (developing solvent toluene:ethyl acetate = 9:1). The obtained fraction was concentrated, acetone and methanol were added, ultrasonic waves were applied, and then recrystallized. As a result, a pale yellow powder as the target product was obtained in a yield of 2.1 g and a yield of 82%.
또한, 상기 합성법의 반응 도식을 하기 반응식 A-1에 나타낸다. In addition, the reaction scheme of the above synthesis method is shown in Scheme A-1 below.
반응식 A-1Scheme A-1
상기 합성법으로 얻어진 화합물의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 하기에 나타낸다. 또한, 1H-NMR 차트를 도 8a 및 도 8b에 도시한다. 도 8b는 도 8a에 있어서의 6ppm에서 9ppm의 범위의 확대도이다. 이 결과로부터, 상기의 구조식(100)으로 표시되는 본 발명의 일 형태의 트리아릴아민 화합물인 4-페닐-4'-(1-페닐-1H-벤즈이미다졸-2-일)-페닐-트리페닐아민(약칭: BPABIm)이 얻어진 것을 알 수 있었다. The analysis results of the compound obtained by the above synthesis by nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR) are shown below. In addition, 1 H-NMR chart is shown in Figs. 8A and 8B. Fig. 8B is an enlarged view of the range of 6 ppm to 9 ppm in Fig. 8A. From this result, 4-phenyl-4'-(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)-phenyl-tri, which is a triarylamine compound of one embodiment of the present invention represented by the above structural formula (100) It was found that phenylamine (abbreviation: BPABIm) was obtained.
다음에, BPABIm(약칭)의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하, 단순히 「흡수 스펙트럼」이라고 한다) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다. 흡수 스펙트럼의 측정에는, 자외 가시 분광 광도계((주)니혼분코 제조의 V550형)를 사용하였다. 또한, 발광 스펙트럼의 측정에는, 형광 광도계((주)하마마츠포토닉스 제조의 FS920)를 사용하였다. 또한, 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 어느 경우도 BPABIm(약칭)의 톨루엔 용액, BPABIm(약칭)의 박막에 관해서 측정하였다. 또한, 톨루엔 용액(0.120mmol/L)의 경우에는, 석영 셀에 넣고, 실온에서 측정을 행하였다. 또한 박막의 경우에는, 석영 기판에 증착한 박막을 사용하고, 흡수 스펙트럼을 측정하는 경우에는 박막의 흡수 스펙트럼으로부터 석영의 흡수 스펙트럼을 빼서 얻어지는 값을 나타낸다. Next, the ultraviolet visible absorption spectrum (hereinafter simply referred to as "absorption spectrum") and emission spectrum of BPABIm (abbreviation) were measured. For the measurement of the absorption spectrum, an ultraviolet-visible spectrophotometer (type V550 manufactured by Nippon Bunko Co., Ltd.) was used. In addition, for the measurement of the emission spectrum, a fluorescence photometer (FS920 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) was used. In both the absorption spectrum and the emission spectrum, a toluene solution of BPABIm (abbreviation) and a thin film of BPABIm (abbreviation) were measured. In addition, in the case of a toluene solution (0.120 mmol/L), it was put into a quartz cell, and measurement was performed at room temperature. In the case of a thin film, a thin film deposited on a quartz substrate is used, and when measuring an absorption spectrum, a value obtained by subtracting the absorption spectrum of quartz from the absorption spectrum of the thin film is shown.
얻어진 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 9a 및 9b에 도시한다. 또한, 도 9a에는, BPABIm(약칭)의 톨루엔 용액에 관해서 측정한 결과를 도시한다. 또한, 도 9b에는, BPABIm(약칭)의 박막에 관해서 측정한 결과를 도시한다. 도 9a 및 도 9b에 있어서, 가로축은 파장(nm), 세로축은 흡수 강도(임의 단위) 또는 발광 강도(임의 단위)를 나타낸다. 또한, 도 9a 및 도 9b에 있어서, 2개의 실선이 나타나 있지만, 가는 실선은 흡수 스펙트럼을 나타내고, 굵은 실선은 발광 스펙트럼을 나타내고 있다. The measurement results of the obtained absorption spectrum and emission spectrum are shown in Figs. 9A and 9B. In addition, in FIG. 9A, the measurement result of the toluene solution of BPABIm (abbreviation) is shown. In addition, in FIG. 9B, the measurement result about the thin film of BPABIm (abbreviation) is shown. 9A and 9B, the horizontal axis represents wavelength (nm), and the vertical axis represents absorption intensity (arbitrary unit) or light emission intensity (arbitrary unit). In addition, although two solid lines are shown in Figs. 9A and 9B, a thin solid line represents an absorption spectrum, and a thick solid line represents an emission spectrum.
도 9a에 도시하는 BPABIm(약칭)의 톨루엔 용액에서는, 361nm 부근에 흡수 피크가 나타나고, 도 9b에 도시하는 BPABIm(약칭)의 박막에서는, 364nm 부근에 흡수 피크가 나타났다. In the toluene solution of BPABIm (abbreviation) shown in Fig. 9A, an absorption peak appears around 361 nm, and in the thin film of BPABIm (abbreviation) shown in Fig. 9B, an absorption peak appears around 364 nm.
또한, 도 9a에 도시하는 BPABIm(약칭)의 톨루엔 용액에서는, 최대 발광 파장이 410nm(여기 파장 365nm), 도 9b에 도시하는 BPABIm(약칭)의 박막에서는, 최대 발광 파장이 445nm(여기 파장 363nm)이었다. In addition, in the BPABIm (abbreviated) toluene solution shown in FIG. 9A, the maximum emission wavelength is 410 nm (excitation wavelength 365 nm), and in the BPABIm (abbreviated name) thin film shown in FIG. Was.
이상의 것으로부터, BPABIm(약칭)은 색 순도가 양호한 청색 발광을 나타내는 것을 알 수 있었다. 따라서, 청색의 발광 재료로서 사용할 수 있다. From the above, it was found that BPABIm (abbreviation) exhibits blue light emission with good color purity. Therefore, it can be used as a blue light emitting material.
또한, BPABIm(약칭)의 HOMO 준위 및 LUMO 준위에 관해서, 사이클릭 볼타메트리(CV: cyclic voltammetry) 측정을 행함으로써 구하였다. CV 측정에는, 전기 화학 애널라이저(B·A·S(주) 제조, 형번: ALS 모델 600A 또는 600C)를 사용하였다. In addition, the HOMO level and LUMO level of BPABIm (abbreviation) were determined by performing cyclic voltammetry (CV) measurement. For CV measurement, an electrochemical analyzer (manufactured by B·A·S Co., Ltd., model number: ALS model 600A or 600C) was used.
또한, CV 측정에 있어서의 용액은, 용매로서 탈수 디메틸포름아미드(DMF)((주) 알드리치 제조, 99.8%, 카탈로그 번호; 22705-6)를 사용하고, 지지 전해질인 과염소산테트라-n-부틸암모늄(n-Bu4NClO4)((주) 도쿄카세이 제조 카탈로그 번호; T0836)을 100mmol/L의 농도가 되도록 용해시키고, 또한 측정 대상을 2mmol/L의 농도가 되도록 용해시키고 조제하였다. 또한, 작용 전극으로서는 백금 전극(B·A·S(주) 제조, PTE 백금 전극)을, 보조 전극으로서는 백금 전극(B·A·S(주) 제조, VC-3용 Pt 카운터 전극(5cm))을, 참조 전극으로서는 Ag/Ag+ 전극(B·A·S(주) 제조, RE7 비수 용매계 참조 전극)을 각각 사용하였다. 또한, 측정은 실온(20 내지 25℃)으로 하고, 측정시의 스캔 속도는, 0.1V/sec로 통일하였다. 또한, 본 실시예에서는, 참조 전극의 진공 준위에 대한 포텐셜 에너지를, -4.94eV인 것으로 하였다. In addition, the solution in the CV measurement uses dehydrated dimethylformamide (DMF) (manufactured by Aldrich Co., Ltd., 99.8%, catalog number: 22705-6) as a solvent, and tetra-n-butylammonium perchlorate as a supporting electrolyte. (n-Bu 4 NClO 4 ) (Tokyo Kasei Co., Ltd. catalog number; T0836) was dissolved to a concentration of 100 mmol/L, and the measurement object was dissolved to a concentration of 2 mmol/L, and prepared. In addition, a platinum electrode (manufactured by B·A·S Co., Ltd., PTE platinum electrode) as a working electrode, and a platinum electrode (manufactured by B·A·S Co., Ltd., Pt counter electrode (5 cm) for VC-3) as an auxiliary electrode ), as a reference electrode, an Ag/Ag + electrode (manufactured by B·A·S Co., Ltd., RE7 non-aqueous solvent type reference electrode) was used, respectively. In addition, the measurement was performed at room temperature (20 to 25°C), and the scanning speed at the time of measurement was unified at 0.1 V/sec. In addition, in this example, the potential energy of the reference electrode with respect to the vacuum level is assumed to be -4.94 eV.
CV 측정에서 얻어지는 산화 피크 전위(Epa)와 환원 피크 전위(Epc)의 중간 전위(반파 전위)가 HOMO 준위에 상당하는 점에서, BPABIm(약칭)의 HOMO 준위는, -5.37eV로 산출되고, 또한 BPABIm(약칭)의 LUMO 준위는, -2.28eV로 산출되었다. 따라서, BPABIm(약칭)의 밴드 갭(ΔE)은, 3.09eV인 것을 알 수 있었다. Since the intermediate potential (half wave potential) between the oxidation peak potential (E pa ) and the reduction peak potential (E pc ) obtained in CV measurement corresponds to the HOMO level, the HOMO level of BPABIm (abbreviation) is calculated as -5.37 eV. , In addition, the LUMO level of BPABIm (abbreviation) was calculated as -2.28 eV. Therefore, it was found that the band gap (ΔE) of BPABIm (abbreviation) was 3.09 eV.
따라서, BPABIm(약칭)은 넓은 밴드 갭을 가지고 있는 것을 알 수 있었다. Therefore, it was found that BPABIm (abbreviation) has a wide band gap.
또한, 100사이클 후에서도 산화 피크가 같은 값이 되었다. 산화 상태와 중성 상태 간의 산화 환원의 반복에 양호한 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다. Moreover, even after 100 cycles, the oxidation peak became the same value. It was found that it exhibits good properties in repetition of redox between an oxidized state and a neutral state.
따라서, BPABIm(약칭)은 정공을 양호하게 수송하는 것을 알 수 있었다. Therefore, it was found that BPABIm (abbreviation) transports holes well.
[실시예 2][Example 2]
《합성예 2》<< Synthesis Example 2 >>
본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(135)로 표시되는 본 발명의 일 형태인 트리아릴아민 화합물, N,N'-디페닐-N,N'-디-{4-(1,3-벤즈옥사졸-2-일)-페닐}벤지딘(약칭: BOxABP)의 합성 방법에 관해서 설명한다. 또한, BOxABP(약칭)의 구조를 이하에 나타낸다. In this example, the triarylamine compound, which is one embodiment of the present invention represented by the structural formula (135) of the first embodiment, N,N'-diphenyl-N,N'-di-{4-(1,3- A method for synthesizing benzoxazol-2-yl)-phenyl}benzidine (abbreviation: BOxABP) will be described. In addition, the structure of BOxABP (abbreviation) is shown below.
(135) (135)
<N,N'-디페닐-N,N'-디-{4-(1,3-벤즈옥사졸-2-일)-페닐}벤지딘(약칭: BOxABP)의 합성><Synthesis of N,N'-diphenyl-N,N'-di-{4-(1,3-benzoxazol-2-yl)-phenyl}benzidine (abbreviation: BOxABP)>
50mL 3구 플라스크에, 2-(4-브로모페닐)-1,3-벤즈옥사졸을 1.4g(5.2mmol), N,N'-디페닐벤지딘을 0.8g(2.5mmol), 나트륨 tert-부톡사이드를 1.0g(10mmol), 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0)을 28mg(50㎛ol) 가하고, 플라스크 내의 분위기를 질소 치환하였다. 이 혼합물에, 탈수 크실렌 20mL를 가하였다. 이 혼합물을, 감압하에서 교반하면서 탈기한 후, 트리(tert-부틸)포스핀(10wt% 헥산 용액) 0.3mL(0.2mmol)를 가하였다. 이 혼합물을, 질소 분위기하, 130℃에서 4.5시간 가열 교반하고, 반응시켰다. In a 50 mL 3-neck flask, 1.4 g (5.2 mmol) of 2-(4-bromophenyl)-1,3-benzoxazole, 0.8 g (2.5 mmol) of N,N'-diphenylbenzidine, sodium tert- 1.0 g (10 mmol) of butoxide and 28 mg (50 µol) of bis(dibenzylideneacetone)palladium (0) were added, and the atmosphere in the flask was replaced with nitrogen. To this mixture, 20 mL of dehydrated xylene was added. After degassing the mixture while stirring under reduced pressure, 0.3 mL (0.2 mmol) of tri(tert-butyl)phosphine (10 wt% hexane solution) was added. This mixture was heated and stirred at 130° C. for 4.5 hours in a nitrogen atmosphere, and reacted.
반응 후, 이 반응 혼합액에 아세트산에틸 200mL를 첨가하고, 이 현탁액을 플로리실, 셀라이트를 통과시켜 여과하였다. 얻어진 여과액을 농축하고, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(전개 용매 톨루엔:아세트산에틸=9:1)에 의한 정제를 행하였다. 얻어진 프랙션을 농축하고, 아세톤과 메탄올을 가하고 초음파를 가한 후, 재결정한 결과, 목적물인 황색 분말을 수량 1.7g, 수율 96%로 얻었다. After the reaction, 200 mL of ethyl acetate was added to the reaction mixture, and the suspension was filtered through Florisil and Celite. The obtained filtrate was concentrated and purified by silica gel column chromatography (developing solvent toluene:ethyl acetate = 9:1). The obtained fraction was concentrated, acetone and methanol were added, ultrasonic waves were applied, and then recrystallized to obtain a target product, yellow powder, in a yield of 1.7 g and a yield of 96%.
또한, 상기 합성법의 반응 도식을 하기 반응식 B-1에 나타낸다. In addition, the reaction scheme of the above synthesis method is shown in Scheme B-1 below.
반응식 B-1Scheme B-1
실리카 겔 박층 크로마토그래피(TLC)에서의 Rf값(전개 용매, 아세트산에틸:헥산=1:5)은, 목적물은 0.35, 2-(4-브로모페닐)-1,3-벤즈옥사졸은 0.67, N,N'-디페닐벤지딘은 0.30이었다. The Rf value (developing solvent, ethyl acetate:hexane = 1:5) in silica gel thin layer chromatography (TLC) was 0.35 for the target product, and 0.67 for 2-(4-bromophenyl)-1,3-benzoxazole. , N,N'-diphenylbenzidine was 0.30.
상기 합성법으로 얻어진 화합물의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 하기에 나타낸다. 또한, 1H-NMR 차트를 도 10a 및 도 10b에 도시한다. 도 10b는 도 10a에 있어서의 6ppm에서 9ppm의 범위의 확대도이다. 이 결과로부터, 상기의 구조식(135)로 표시되는 본 발명의 일 형태의 트리아릴아민 화합물인 N,N'-디페닐-N,N'-디-{4-(1,3-벤즈옥사졸-2-일)-페닐}벤지딘(약칭: BOxABP)이 얻어진 것을 알 수 있었다. The analysis results of the compound obtained by the above synthesis by nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR) are shown below. In addition, 1 H-NMR chart is shown in Figs. 10A and 10B. Fig. 10B is an enlarged view of the range of 6 ppm to 9 ppm in Fig. 10A. From this result, N,N'-diphenyl-N,N'-di-{4-(1,3-benzoxazole, which is a triarylamine compound of one embodiment of the present invention represented by the above structural formula (135) It was found that -2-yl)-phenyl}benzidine (abbreviation: BOxABP) was obtained.
다음에, BOxABP(약칭)의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하, 단순히 「흡수 스펙트럼」이라고 한다) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다. 흡수 스펙트럼의 측정에는, 자외 가시 분광 광도계((주) 니혼분코 제조의 V550형)를 사용하였다. 또한, 발광 스펙트럼의 측정에는, 형광 광도계((주)하마마츠포토닉스 제조의 FS920)를 사용하였다. 또한, 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 어느 경우도 BOxABP(약칭)의 톨루엔 용액과, BOxABP(약칭)의 박막에 관해서 측정하였다. 또한, 톨루엔 용액(0.120mmol/L)의 경우에는, 석영 셀에 넣고, 실온에서 측정을 행하였다. 또한 박막의 경우에는, 석영 기판에 증착한 박막을 사용하고, 흡수 스펙트럼을 측정하는 경우에는 박막의 흡수 스펙트럼으로부터 석영의 흡수 스펙트럼을 빼서 얻어지는 값을 나타낸다. Next, the ultraviolet and visible absorption spectrum (hereinafter simply referred to as "absorption spectrum") and emission spectrum of BOxABP (abbreviation) were measured. For the measurement of the absorption spectrum, an ultraviolet-visible spectrophotometer (type V550 manufactured by Nippon Bunko Co., Ltd.) was used. In addition, for the measurement of the emission spectrum, a fluorescence photometer (FS920 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) was used. In both the absorption spectrum and the emission spectrum, a toluene solution of BOxABP (abbreviation) and a thin film of BOxABP (abbreviation) were measured. In addition, in the case of a toluene solution (0.120 mmol/L), it was put into a quartz cell, and measurement was performed at room temperature. In the case of a thin film, a thin film deposited on a quartz substrate is used, and in the case of measuring an absorption spectrum, a value obtained by subtracting the absorption spectrum of quartz from the absorption spectrum of the thin film is shown.
얻어진 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 11a 및 11b에 도시한다. 또한, 도 11a에는, BOxABP(약칭)의 톨루엔 용액에 관해서 측정한 결과를 도시한다. 또한, 도 11b에는, BOxABP(약칭)의 박막에 관해서 측정한 결과를 도시한다. 도 11a 및 도 11b에 있어서, 가로축은 파장(nm), 세로축은 흡수 강도(임의 단위) 또는 발광 강도(임의 단위)를 나타낸다. 또한, 도 11a 및 도 11b에 있어서, 2개의 실선이 나타나 있지만, 가는 실선은 흡수 스펙트럼을 나타내고, 굵은 실선은 발광 스펙트럼을 나타내고 있다. The measurement results of the obtained absorption spectrum and emission spectrum are shown in Figs. 11A and 11B. In addition, in FIG. 11A, the measurement result of the toluene solution of BOxABP (abbreviation) is shown. In addition, in FIG. 11B, the measurement result of the thin film of BOxABP (abbreviation) is shown. 11A and 11B, the horizontal axis represents wavelength (nm), and the vertical axis represents absorption intensity (arbitrary unit) or light emission intensity (arbitrary unit). In addition, in Figs. 11A and 11B, two solid lines are shown, but a thin solid line indicates an absorption spectrum, and a thick solid line indicates an emission spectrum.
도 11a에 도시하는 BOxABP(약칭)의 톨루엔 용액에서는, 381nm 부근에 흡수 피크가 나타나고, 도 11b에 도시하는 BOxABP(약칭)의 박막에서는, 384nm 부근에 흡수 피크가 나타났다. In the toluene solution of BOxABP (abbreviation) shown in Fig. 11A, an absorption peak appears around 381 nm, and in the thin film of BOxABP (abbreviation) shown in Fig. 11B, an absorption peak appears around 384 nm.
또한, 도 11a에 도시하는 BOxABP(약칭)의 톨루엔 용액에서는, 최대 발광 파장이 435nm(여기 파장 380nm), 도 11b에 도시하는 BOxABP(약칭)의 박막에서는, 최대 발광 파장이 472nm(여기 파장 400nm)이었다. In addition, in the BOxABP (abbreviated) toluene solution shown in FIG. 11A, the maximum emission wavelength is 435 nm (excitation wavelength 380 nm), and in the BOxABP (abbreviated name) thin film shown in FIG. Was.
이상의 것에 의해, BOxABP(약칭)는 청색 발광을 나타내는 것을 알 수 있었다. 따라서, 청색의 발광 재료로서 사용할 수 있다. From the above, it was found that BOxABP (abbreviation) exhibits blue light emission. Therefore, it can be used as a blue light emitting material.
또한, BOxABP(약칭)의 HOMO 준위 및 LUMO 준위에 관해서, 사이클릭 볼타메트리(CV) 측정을 행함으로써 구하였다. CV 측정에는, 전기 화학 애널라이저(B·A·S(주) 제조, 형번: ALS 모델 600A 또는 600C)를 사용하였다. In addition, the HOMO level and LUMO level of BOxABP (abbreviation) were determined by performing cyclic voltammetry (CV) measurement. For CV measurement, an electrochemical analyzer (manufactured by B·A·S Co., Ltd., model number: ALS model 600A or 600C) was used.
또한, CV 측정에 있어서의 용액은, 용매로서 탈수 디메틸포름아미드(DMF)((주) 알도리치 제조, 99.8%, 카탈로그 번호; 22705-6)를 사용하고, 지지 전해질인 과염소산테트라-n-부틸암모늄(n-Bu4NClO4)((주) 도쿄카세이 제조 카탈로그 번호; T0836)을 100mmol/L의 농도가 되도록 용해시키고, 또한 측정 대상을 2mmol/L의 농도가 되도록 용해시켜 조제하였다. 또한, 작용 전극으로서는 백금 전극(B·A·S(주) 제조, PTE 백금 전극)을, 보조 전극으로서는 백금 전극(B·A·S(주) 제조, VC-3용 Pt 카운터 전극(5cm))을, 참조 전극으로서는 Ag/Ag+ 전극(B·A·S(주) 제조, RE7 비수 용매계 참조 전극)을 각각 사용하였다. 또한, 측정은 실온(20 내지 25℃)으로 하고, 측정시의 스캔 속도는, 0.1V/sec로 통일하였다. 또한, 본 실시예에서는, 참조 전극의 진공 준위에 대한 포텐셜 에너지를, -4.94eV로 하였다. In addition, the solution in the CV measurement uses dehydrated dimethylformamide (DMF) (manufactured by Aldrich Co., Ltd., 99.8%, catalog number: 22705-6) as a solvent, and tetra-n-butyl perchlorate as a supporting electrolyte. Ammonium (n-Bu 4 NClO 4 ) (Tokyo Kasei Co., Ltd. catalog number; T0836) was dissolved to a concentration of 100 mmol/L, and the measurement object was dissolved to a concentration of 2 mmol/L to prepare. In addition, a platinum electrode (manufactured by B·A·S Co., Ltd., PTE platinum electrode) as a working electrode, and a platinum electrode (manufactured by B·A·S Co., Ltd., Pt counter electrode (5 cm) for VC-3) as an auxiliary electrode ), as a reference electrode, an Ag/Ag + electrode (manufactured by B·A·S Co., Ltd., RE7 nonaqueous solvent type reference electrode) was used, respectively. In addition, the measurement was performed at room temperature (20 to 25°C), and the scanning speed at the time of measurement was unified at 0.1 V/sec. In addition, in this example, the potential energy of the reference electrode with respect to the vacuum level was set to -4.94 eV.
CV 측정으로 얻어지는 산화 피크 전위(Epa)와 환원 피크 전위(Epc)의 중간 전위(반파 전위)가 HOMO 준위에 상당하는 점에서, BOxABP(약칭)의 HOMO 준위는, -5.50eV로 산출되고, 또한 BOxABP(약칭)의 LUMO 준위는, -2.59eV로 산출되었다. 따라서, BOxABP(약칭)의 밴드 갭(ΔE)은, 2.91eV인 것을 알 수 있었다. Since the intermediate potential (half wave potential) between the oxidation peak potential (E pa ) and the reduction peak potential (E pc ) obtained by CV measurement corresponds to the HOMO level, the HOMO level of BOxABP (abbreviation) is calculated as -5.50 eV. , In addition, the LUMO level of BOxABP (abbreviation) was calculated as -2.59 eV. Therefore, it was found that the band gap (ΔE) of BOxABP (abbreviation) was 2.91 eV.
따라서, BOxABP(약칭)는 넓은 밴드 갭을 가지고 있는 것을 알 수 있었다. Therefore, it was found that BOxABP (abbreviation) has a wide band gap.
또한, 100사이클 후에서도 산화 피크가 같은 값이 되었다. 산화 상태와 중성 상태 간의 산화 환원의 반복에 양호한 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다. Moreover, even after 100 cycles, the oxidation peak became the same value. It was found that it exhibits good properties in repetition of redox between an oxidized state and a neutral state.
따라서, BOxABP(약칭)는 정공을 양호하게 수송하는 것을 알 수 있었다. Therefore, it was found that BOxABP (abbreviation) transports holes well.
[실시예 3][Example 3]
본 실시예에서는, 본 발명의 트리아릴아민 화합물인 4-페닐-4'-(1-페닐-1H-벤즈이미다졸-2-일)-페닐-트리페닐아민(약칭: BPABIm)(구조식(100))을 정공 수송층에 사용한 발광 소자 1에 관해서 도 12를 사용하여 설명한다. 또한, 본 실시예에서 사용하는 재료의 화학식을 이하에 나타낸다. In this example, the triarylamine compound of the present invention, 4-phenyl-4'-(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)-phenyl-triphenylamine (abbreviation: BPABIm) (structural formula (100 Light-emitting
《발광 소자 1의 제작》 << Fabrication of Light-Emitting
우선, 유리제 기판(1100) 위에 산화규소를 포함하는 인듐주석 산화물(ITSO)을 스퍼터링법에 의해 성막하고, 양극으로서 기능하는 제 1 전극(1101)을 형성하였다. 또한, 그 막 두께는 110nm로 하고, 전극 면적은 2mm×2mm로 하였다. First, indium tin oxide (ITSO) containing silicon oxide was formed on a
다음에, 기판(1100) 위에 발광 소자를 형성하기 위한 전처리로서, 기판 표면을 물로 세정하고, 200℃에서 1시간 소성한 후, UV 오존 처리를 370초 행하였다. Next, as a pretreatment for forming a light emitting element on the
그 후, 10-4Pa 정도까지 내부가 감압된 진공 증착 장치에 기판을 도입하고, 진공 증착 장치내의 가열실에 있어서, 170℃에서 30분간의 진공 소성을 행한 후, 기판(1100)을 30분 정도 방랭하였다. Thereafter, the substrate was introduced into a vacuum evaporation apparatus whose interior was decompressed to about 10 -4 Pa, and vacuum firing was performed at 170°C for 30 minutes in a heating chamber in the vacuum evaporation apparatus, and then the
다음에, 제 1 전극(1101)이 형성된 면이 하방(下方)이 되도록, 기판(1100)을 진공 증착 장치내에 형성된 홀더에 고정시켰다. 본 실시예에서는, 진공 증착법에 의해, EL층(1102)을 구성하는 정공 주입층(1111), 정공 수송층(1112), 발광층(1113), 전자 수송층(1114), 전자 주입층(1115)이 순차 형성되는 경우에 관해서 설명한다. Next, the
진공 장치내를 10-4Pa로 감압한 후, 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트리페닐아민(약칭: BPAFLP)과 산화몰리브덴(VI)을, BPAFLP(약칭):산화몰리브덴=4:2(질량비)이 되도록 공증착함으로써, 제 1 전극(1101) 위에 정공 주입층(1111)을 형성하였다. 막 두께는 50nm로 하였다. 또한, 공증착이란, 상이한 복수의 물질을 각각 상이한 증발원으로부터 동시에 증발시키는 증착법이다. After reducing the pressure in the vacuum apparatus to 10 -4 Pa, 4-phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamine (abbreviation: BPAFLP) and molybdenum oxide (VI) were added to BPAFLP (abbreviation). ): molybdenum oxide = 4:2 (mass ratio) by co-depositing to form a
다음에, 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트리페닐아민(약칭: BPAFLP)을 10nm 증착함으로써, 정공 수송층(1112)을 형성하였다. Next, the
다음에, 정공 수송층(1112) 위에 발광층(1113)을 형성하였다. 우선, 2-[4-(디벤조티오펜-4-일)페닐]-1-페닐-1H-벤즈이미다졸((약칭: DBTBIm-II), 4-페닐-4'-(1-페닐-1H-벤즈이미다졸-2-일)-페닐-트리페닐아민(약칭: BPABIm), 트리스(2-페닐피리디나토-N,C2')이리듐(약칭: Ir(ppy)3)을, DBTBIm-II(약칭):BPABIm(약칭):Ir(ppy)3(약칭)=1:0.5:0.06(질량비)이 되도록 공증착하였다. 또한, 막 두께는, 20nm로 하였다. 다음에, DBTBIm-II(약칭), Ir(ppy)3(약칭)을, DBTBIm-II(약칭):Ir(ppy)3(약칭)=1:0.06(질량비)이 되도록 공증착하고, 막 두께를 20nm로 하였다. 이상에 의해, 적층 구조를 갖는 발광층(1113)을 형성하였다. Next, a
다음에, 발광층(1113) 위에 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(약칭: Alq)을 20nm 증착함으로써, 전자 수송층(1114)을 형성하였다. 또한 전자 수송층(1114) 위에 바소페난트롤린(약칭: Bphen)을 10nm 증착한 후, 추가로 불화리튬을 1nm 증착함으로써, 전자 주입층(1115)을 형성하였다. Next, an
마지막에, 전자 주입층(1115) 위에 알루미늄을 200nm의 막 두께가 되도록 증착하고, 음극이 되는 제 2 전극(1103)을 형성하고, 발광 소자 1을 얻었다. 또한, 상기한 증착 과정에 있어서, 증착은 모두 저항 가열법을 사용하였다. Finally, aluminum was vapor-deposited on the
이상에 의해 얻어진 발광 소자 1의 소자 구조를 표 1에 기재한다. Table 1 shows the device structure of Light-Emitting
또한, 제작한 발광 소자 1은, 대기에 노출되지 않도록 질소 분위기의 글로브박스 내에 있어서 봉지하였다(씰재를 소자의 주위에 도포하고, 봉지시에 80℃에서 1시간 열처리). Further, the produced light-emitting
《발광 소자 1의 동작 특성》《Operation Characteristics of Light-Emitting
제작한 발광 소자 1의 동작 특성에 관해서 측정하였다. 또한, 측정은 실온(25℃로 유지된 분위기)에서 행하였다. The operation characteristics of the produced light-emitting
우선, 발광 소자 1의 전류 밀도-휘도 특성을 도 13에 도시한다. 또한, 전압-휘도 특성을 도 14, 휘도-전류 효율 특성을 도 15, 전압-전류 특성을 도 16, 휘도-색도 특성을 도 17에 각각 도시한다. First, the current density-luminance characteristics of Light-Emitting
도 13 내지 도 15로부터, 본 발명의 일 형태의 트리아릴아민 화합물을 정공 수송층에 사용한 발광 소자 1은, 저소비 전력으로 고효율의 소자인 것을 알 수 있었다. 또한, 도 16으로부터, 저구동 전압의 소자인 것을 알 수 있었다. 또한, 도 17로부터, 각 휘도에서 캐리어 밸런스가 양호한 소자인 것을 알 수 있었다. 13 to 15, it was found that the light-emitting
또한, 1000cd/㎡ 부근에 있어서의 발광 소자 1의 주된 초기 특성값을 이하의 표 2에 기재한다. In addition, the main initial characteristic values of the light-emitting
상기 표 2의 결과로부터도 본 실시예에서 제작한 발광 소자 1은, 고휘도이며, 높은 전류 효율을 나타내고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 색 순도에 관해서는, 순도가 양호한 녹색 발광을 나타내는 것을 알 수 있다. From the results in Table 2, it can be seen that the light-emitting
또한, 발광 소자 1에 25mA/㎠의 전류 밀도로 전류를 흘려보냈을 때의 발광 스펙트럼을, 도 18에 도시한다. 도 18에 도시하는 바와 같이, 발광 소자 1의 발광 스펙트럼은 514nm, 545nm 부근에 피크를 가지고 있고, 발광층(1113)에 포함되는 Ir(ppy)3(약칭)의 발광에 유래하고 있는 것이 시사된다. Further, the emission spectrum when a current is passed through the light-emitting
따라서, BPABIm(약칭)은, 녹색의 광을 발하는 물질보다도 높은 T1 준위를 가지며, 녹색으로부터 장파장의 인광을 나타내는 소자의 호스트 재료나 캐리어 수송 재료에 사용할 수 있다. Therefore, BPABIm (abbreviation) has a T1 level higher than that of a substance emitting green light, and can be used as a host material or a carrier transport material of an element that exhibits phosphorescence from green to long wavelengths.
또한, 발광 소자 1에 관한 신뢰성 시험을 행하였다. 신뢰성 시험의 결과를 도 19에 도시한다. 도 19에 있어서, 세로축은 초기 휘도를 100%로 했을 때의 규격화 휘도(%)를 나타내고, 가로축은 소자의 구동 시간(h)을 나타낸다. 또한, 신뢰성 시험은, 초기 휘도를 1000cd/㎡으로 설정하고, 전류 밀도 일정한 조건으로 발광 소자 1을 구동시켰다. 도 19로부터, 발광 소자 1의 640시간 후의 휘도는, 초기 휘도의 75%를 유지하고 있었다. 따라서, 발광 소자 1은, 높은 신뢰성을 나타내는 것을 알 수 있었다. 또한, 본 발명의 트리아릴아민 화합물을 발광 소자에 사용함으로써, 장수명의 발광 소자가 얻어지는 것을 알 수 있었다. In addition, a reliability test was conducted on Light-Emitting
[실시예 4][Example 4]
본 실시예에서는, 본 발명의 트리아릴아민 화합물인 N,N'-디페닐-N,N'-디-{4-(1,3-벤즈옥사졸-2-일)-페닐}벤지딘(약칭: BOxABP)(구조식(135))을 정공 주입층, 또는 정공 수송층, 또한 그 양자에 사용한 발광 소자 2 내지 발광 소자 4에 관해서 설명한다. 또한, 본 실시예에 있어서의 발광 소자 2 내지 발광 소자 4의 설명에는, 실시예 1에서 발광 소자 1의 설명에 사용한 도 12를 사용하는 것으로 한다. 또한, 본 실시예에서 사용하는 재료의 화학식을 이하에 나타낸다. In this example, the triarylamine compound of the present invention, N,N'-diphenyl-N,N'-di-{4-(1,3-benzoxazol-2-yl)-phenyl}benzidine (abbreviation : BOxABP) (Structural Formula (135)) will be described with respect to the hole injection layer or the hole transport layer, and light-emitting
《발광 소자 2 내지 발광 소자 4의 제작》 << Fabrication of Light-Emitting
우선, 유리제 기판(1100) 위에 산화규소를 포함하는 인듐주석산화물(ITSO)을 스퍼터링법에 의해 성막하고, 양극으로서 기능하는 제 1 전극(1101)을 형성하였다. 또한, 그 막 두께는 110nm로 하고, 전극 면적은 2mm×2mm로 하였다. First, indium tin oxide (ITSO) containing silicon oxide was formed on a
다음에, 기판(1100) 위에 발광 소자를 형성하기 위한 전처리로서, 기판 표면을 물로 세정하고, 200℃에서 1시간 소성한 후, UV 오존 처리를 370초 행하였다. Next, as a pretreatment for forming a light emitting element on the
그 후, 10-4Pa 정도까지 내부가 감압된 진공 증착 장치에 기판을 도입하고, 진공 증착 장치내의 가열실에 있어서, 170℃에서 30분간의 진공 소성을 행한 후, 기판(1100)을 30분 정도 방랭하였다. Thereafter, the substrate was introduced into a vacuum evaporation apparatus whose interior was decompressed to about 10 -4 Pa, and vacuum firing was performed at 170°C for 30 minutes in a heating chamber in the vacuum evaporation apparatus, and then the
다음에, 제 1 전극(1101)이 형성된 면이 하방이 되도록, 기판(1100)을 진공 증착 장치내에 형성된 홀더에 고정시켰다. 본 실시예에서는, 진공 증착법에 의해, EL층(1102)을 구성하는 정공 주입층(1111), 정공 수송층(1112), 발광층(1113), 전자 수송층(1114), 전자 주입층(1115)이 순차 형성되는 경우에 관해서 설명한다. Next, the
진공 장치내를 10-4Pa로 감압한 후, 발광 소자 2의 경우에는, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: NPB)과 산화몰리브덴(VI)을, NPB(약칭):산화몰리브덴=4:1(질량비)이 되도록 공증착함으로써, 제 1 전극(1101) 위에 정공 주입층(1111)을 형성하였다. 막 두께는 50nm로 하였다. 또한, 발광 소자 3 및 발광 소자 4의 경우에는, BOxABP(약칭)과 산화몰리브덴(VI)을, BOxABP(약칭):산화몰리브덴=4:1(질량비)이 되도록 공증착함으로써, 제 1 전극(1101) 위에 정공 주입층(1111)을 형성하였다. 막 두께는 50nm로 하였다. After reducing the pressure in the vacuum device to 10 -4 Pa, in the case of light-emitting
다음에, 발광 소자 2 및 발광 소자 4의 경우에는, BOxABP(약칭)을 10nm 증착함으로써, 정공 수송층(1112)을 형성하였다. 또한, 발광 소자 3의 경우에는, NPB(약칭)를 10nm 증착함으로써, 정공 수송층(1112)을 형성하였다. Next, in the case of Light-Emitting
다음에, 정공 수송층(1112) 위에 발광층(1113)을 형성하였다. 9-[4-(N-카르바졸릴)]페닐-10-페닐안트라센(약칭: CzPA), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)트리페닐아민(약칭: PCBAPA)을, CzPA(약칭):PCBAPA(약칭)=1:0.1(질량비)이 되도록 공증착하고, 발광층(1113)을 형성하였다. 막 두께는, 30nm로 하였다. Next, a
다음에, 발광층(1113) 위에 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(약칭: Alq)을 10nm 증착함으로써, 전자 수송층(1114)을 형성하였다. 또한 전자 수송층(1114) 위에 바소페난트롤린(약칭: Bphen)을 20nm 증착한 후, 또한 불화리튬을 1nm 증착함으로써, 전자 주입층(1115)을 형성하였다. Next, an
마지막에, 전자 주입층(1115) 위에 알루미늄을 200nm의 막 두께가 되도록 증착하고, 음극이 되는 제 2 전극(1103) 형성하고, 발광 소자 2 내지 발광 소자 4를 얻었다. 또한, 상기한 증착 과정에 있어서, 증착은 모두 저항 가열법을 사용하였다. Finally, aluminum was deposited on the
이상에 의해 얻어진 발광 소자 2 내지 발광 소자 4의 소자 구조를 표 3에 기재한다. Table 3 shows the device structures of Light-Emitting
또한, 제작한 발광 소자 2 내지 발광 소자 4는, 대기에 노출되지 않도록 질소 분위기의 글로브 박스 내에 있어서 봉지하였다(씰재를 소자의 주위에 도포하고, 봉지시에 80℃에서 1시간 열처리). In addition, the produced Light-Emitting
《발광 소자 2 내지 발광 소자 4의 동작 특성》<<Operation Characteristics of Light-Emitting
제작한 발광 소자 2 내지 발광 소자 4의 동작 특성에 관해서 측정하였다. 또한, 측정은 실온(25℃로 유지된 분위기)에서 행하였다. The operation characteristics of the prepared Light-Emitting
우선, 발광 소자 2 내지 발광 소자 4의 전류 밀도-휘도 특성을 도 20에 도시한다. 또한, 전압-휘도 특성을 도 21, 휘도-전류 효율 특성을 도 22, 전압-전류 특성을 도 23에 각각 도시한다. First, the current density-luminance characteristics of Light-Emitting
도 20 내지 도 22로부터, 본 발명의 일 형태의 트리아릴아민 화합물을 사용한 발광 소자 2 내지 발광 소자 4는, 저소비 전력으로 고효율의 소자인 것을 알 수 있었다. 또한, 도 23으로부터, 저구동 전압의 소자인 것을 알 수 있었다. From Figs. 20 to 22, it was found that Light-Emitting
또한, 1000cd/㎡ 부근에 있어서의 발광 소자 2 내지 발광 소자 4의 주된 초기 특성값을 이하의 표 4에 기재한다. In addition, the main initial characteristic values of Light-Emitting
상기 표 4의 결과로부터도 본 실시예에서 제작한 발광 소자 2 내지 발광 소자 4는, 고휘도이며, 높은 전류 효율을 나타내고 있는 것을 알 수 있다. From the results of Table 4, it can be seen that the light-emitting
또한, 발광 소자 2 내지 발광 소자 4에 25mA/㎠의 전류 밀도로 전류를 흘려보냈을 때의 발광 스펙트럼을, 도 24에 도시한다. 도 24에 도시하는 바와 같이, 발광 소자 2 내지 발광 소자 4의 발광 스펙트럼은 470nm 부근에 피크를 가지고 있고, 발광층(1113)에 포함되는 PCBAPA(약칭)의 발광에 유래하고 있는 것이 시사되었다. In addition, light emission spectra when current is passed through Light-Emitting
또한, 발광 소자 3에 관한 신뢰성 시험을 행하였다. 또한, 신뢰성 시험은, 초기 휘도를 1000cd/㎡로 설정하고, 전류 밀도 일정한 조건으로 발광 소자 3을 구동시켰다. 그 결과, 발광 소자 3의 550시간 후의 휘도는, 초기 휘도의 79%를 유지하고 있었다. 따라서, 본 실시의 일 형태인 트리아릴아민 화합물을 정공 주입층에 사용한 발광 소자 3은, 높은 신뢰성을 나타내는 것을 알 수 있었다. 또한, 본 발명의 트리아릴아민 화합물을 발광 소자에 사용함으로써, 장수명의 발광 소자가 얻어지는 것을 알 수 있었다. Further, a reliability test was conducted on Light-Emitting
[실시예 5] [Example 5]
본 실시예에서는, 본 발명의 트리아릴아민 화합물인 N,N'-디페닐-N,N'-디-{4-(1,3-벤즈옥사졸-2-일)-페닐}벤지딘(약칭: BOxABP)(구조식(135)))을 발광층에 사용 발광 소자 5에 관해서 설명한다. 또한, 본 실시예에 있어서의 발광 소자 5의 설명에는, 실시예 1에서 발광 소자 1의 설명에 사용한 도 12를 사용하기로 한다. 또한, 본 실시예에서 사용하는 재료의 화학식을 이하에 나타낸다. In this example, the triarylamine compound of the present invention, N,N'-diphenyl-N,N'-di-{4-(1,3-benzoxazol-2-yl)-phenyl}benzidine (abbreviation : BOxABP) (Structural Formula (135)) is used in the light-emitting layer The light-emitting
《발광 소자 5의 제작》<< fabrication of light-emitting
우선, 유리제 기판(1100) 위에 산화규소를 포함하는 인듐주석산화물(ITSO)을 스퍼터링법에 의해 성막하고, 양극으로서 기능하는 제 1 전극(1101)을 형성하였다. 또한, 그 막 두께는 110nm로 하고, 전극 면적은 2mm×2mm로 하였다. First, indium tin oxide (ITSO) containing silicon oxide was formed on a
다음에, 기판(1100) 위에 발광 소자를 형성하기 위한 전처리로서, 기판 표면을 물로 세정하고, 200℃에서 1시간 소성한 후, UV 오존 처리를 370초 행하였다. Next, as a pretreatment for forming a light emitting element on the
그 후, 10-4Pa 정도까지 내부가 감압된 진공 증착 장치에 기판을 도입하고, 진공 증착 장치내의 가열실에 있어서, 170℃에서 30분간의 진공 소성을 행한 후, 기판(1100)을 30분 정도 방랭하였다. Thereafter, the substrate was introduced into a vacuum evaporation apparatus whose interior was decompressed to about 10 -4 Pa, and vacuum firing was performed at 170°C for 30 minutes in a heating chamber in the vacuum evaporation apparatus, and then the
다음에, 제 1 전극(1101)이 형성된 면이 하방이 되도록, 기판(1100)을 진공 증착 장치내에 형성된 홀더에 고정시켰다. 본 실시형태에서는, 진공 증착법에 의해, EL층(1102)을 구성하는 정공 주입층(1111), 정공 수송층(1112), 발광층(1113), 전자 수송층(1114), 전자 주입층(1115)이 순차 형성되는 경우에 관해서 설명한다. Next, the
진공 장치내를 10-4Pa로 감압한 후, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: NPB)과 산화몰리브덴(VI)을, NPB(약칭):산화몰리브덴=4:1(질량비)이 되도록 공증착함으로써, 제 1 전극(1101) 위에 정공 주입층(1111)을 형성하였다. 막 두께는 50nm로 하였다. After reducing the pressure in the vacuum device to 10 -4 Pa, 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: NPB) and molybdenum (VI) oxide were added to NPB. (Abbreviation): Molybdenum oxide = 4: 1 (mass ratio) by co-depositing to form a
다음에, NPB(약칭)를 10nm 증착하고, 또한 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)트리페닐아민(약칭: PCBAPA)을 30nm 증착함으로써, 정공 수송층(1112)을 형성하였다. Next, 10 nm of NPB (abbreviation) was deposited, and 4-(10-phenyl-9-anthryl)-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PCBAPA ) Was deposited at 30 nm to form a
다음에, 정공 수송층(1112) 위에 발광층(1113)을 형성하였다. 9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: CzPA), BOxABP(약칭), PCBAPA(약칭)를, CzPAA(약칭):BOxABP(약칭):PCBAPA(약칭)=1:0.05:0.1(질량비)이 되도록 공증착하고, 발광층(1113)을 형성하였다. 막 두께는, 30nm로 하였다. Next, a
다음에, 발광층(1113) 위에 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(약칭: Alq)을 10nm 증착함으로써, 전자 수송층(1114)을 형성하였다. 또한, 전자 수송층(1114) 위에 불화리튬을 1nm 증착함으로써, 전자 주입층(1115)을 형성하였다. Next, an
마지막에, 전자 주입층(1115) 위에 알루미늄을 200nm의 막 두께가 되도록 증착하고, 음극이 되는 제 2 전극(1103)을 형성하고, 발광 소자 5를 얻었다. 또한, 상기한 증착 과정에 있어서, 증착은 모두 저항 가열법을 사용하였다. Finally, aluminum was vapor-deposited on the
이상에 의해 얻어진 발광 소자 5의 소자 구조를 표 5에 기재한다. Table 5 shows the device structure of Light-Emitting
또한, 제작한 발광 소자 5는, 대기에 노출되지 않도록 질소 분위기의 글로브 박스 내에 있어서 봉지하였다(씰재를 소자의 주위에 도포하고, 봉지시에 80℃에서 1시간 열처리). Further, the produced light-emitting
《발광 소자 5의 동작 특성》《Operation Characteristics of Light-Emitting
제작한 발광 소자 5의 동작 특성에 관해서 측정하였다. 또한, 측정은 실온(25℃로 유지된 분위기)에서 행하였다. The operation characteristics of the produced light-emitting
우선, 발광 소자 5의 전류 밀도-휘도 특성을 도 25에 도시한다. 또한, 전압-휘도 특성을 도 26, 휘도-전류 효율 특성을 도 27, 전압-전류 특성을 도 28에 각각 도시한다. First, the current density-luminance characteristics of Light-Emitting
도 26, 도 27로부터, 본 발명의 일 형태의 트리아릴아민 화합물을 발광층에 사용한 발광 소자 5는, 저소비 전력으로 고효율의 소자인 것을 알 수 있었다. 또한, 도 28로부터, 저구동 전압의 소자인 것을 알 수 있었다. 26 and 27, it was found that the light-emitting
또한, 1000cd/㎡ 부근에 있어서의 발광 소자 5의 주된 초기 특성값을 이하의 표 6에 기재한다. In addition, the main initial characteristic values of the light-emitting
상기 표 6의 결과로부터도 본 실시예에서 제작한 발광 소자 5는, 고휘도이며, 높은 전류 효율을 나타내고 있는 것을 알 수 있다. From the results of Table 6, it can be seen that the light-emitting
또한, 발광 소자 5에 25mA/㎠의 전류 밀도로 전류를 흘려보냈을 때의 발광 스펙트럼을, 도 29에 도시한다. 도 29에 도시하는 바와 같이, 발광 소자 5의 발광 스펙트럼은 473nm 부근에 피크를 가지고 있고, 발광층(1113)에 포함되는 BOxABP(약칭)의 발광에 유래하고 있는 것이 시사된다. Further, the emission spectrum when a current is passed through the light-emitting
따라서, BOxABP(약칭)는, 청색의 광을 발하는 물질보다도 높은 S1 준위를 가지고, 청색으로부터 장파장의 형광을 나타내는 소자의 호스트 재료나 캐리어 수송 재료에 사용할 수 있는 것을 알 수 있었다. Accordingly, it was found that BOxABP (abbreviation) has a higher S1 level than a substance emitting blue light, and can be used as a host material or a carrier transport material of an element that exhibits fluorescence from blue to long wavelength.
또한, 발광 소자 5에 관한 신뢰성 시험을 행하였다. 또한, 신뢰성 시험은, 초기 휘도를 1000cd/㎡로 설정하고, 전류 밀도 일정한 조건으로 발광 소자 5를 구동시켰다. 그 결과, 발광 소자 5의 450시간 후의 휘도는, 초기 휘도의 79%를 유지하고 있었다. 따라서, 발광 소자 5는, 높은 신뢰성을 나타내는 것을 알 수 있었다. 또한, 본 발명의 트리아릴아민 화합물을 발광 소자의 정공 주입층에 사용함으로써, 장수명의 발광 소자가 얻어지는 것을 알 수 있었다. Further, a reliability test was performed on the light-emitting
101 제 1 전극
102 EL층
103 제 2 전극
111 정공 주입층
112 정공 수송층
113 발광층
114 전자 수송층
115 전자 주입층
116 전하 발생층
201 양극
202 음극
203 EL층
204 발광층
205 인광성 화합물
206 제 1 유기 화합물
207 제 2 유기 화합물
301 제 1 전극
302(1) 제 1 EL층
302(2) 제 2 EL층
302(n-1) 제 (n-1) EL층
302(n) 제 (n) EL층
304 제 2 전극
305 전하 발생층(I)
305(1) 제 1 전하 발생층(I)
305(2) 제 2 전하 발생층(I)
305(n-2) 제 (n-2) 전하 발생층(I)
305(n-1) 제 (n-1) 전하 발생층(I)
401 반사 전극
402 반투과·반반사 전극
403a 제 1 투명 도전층
403b 제 2 투명 도전층
404B 제 1 발광층(B)
404G 제 2 발광층(G)
404R 제 3 발광층(R)
405 EL층
410R 제 1 발광 소자(R)
410G 제 2 발광 소자(G)
410B 제 3 발광 소자(B)
501 소자 기판
502 화소부
503 구동 회로부(소스선 구동 회로)
504a, 504b 구동 회로부(게이트선 구동 회로)
505 씰재
506 봉지 기판
507 배선
508 FPC(플렉시블 프린트 서킷)
509 n채널형 TFT
510 p채널형 TFT
511 스위칭용 TFT
512 전류 제어용 TFT
513 제 1 전극(양극)
514 절연물
515 EL층
516 제 2 전극(음극)
517 발광 소자
518 공간
1100 기판
1101 제 1 전극
1102 EL층
1103 제 2 전극
1111 정공 주입층
1112 정공 수송층
1113 발광층
1114 전자 수송층
1115 전자 주입층
7100 텔레비전 장치
7101 하우징
7103 표시부
7105 스탠드
7107 표시부
7109 조작 키
7110 리모트 컨트롤러
7201 본체
7202 하우징
7203 표시부
7204 키보드
7205 외부 접속 포트
7206 포인팅 디바이스
7301 하우징
7302 하우징
7303 연결부
7304 표시부
7305 표시부
7306 스피커부
7307 기록 매체 삽입부
7308 LED 램프
7309 조작 키
7310 접속 단자
7311 센서
7312 마이크로 폰
7400 휴대 전화기
7401 하우징
7402 표시부
7403a, 7403b 조작 버튼
7404 외부 접속 포트
7405 스피커
7406 마이크
8001 조명 장치
8002 조명 장치
8003 조명 장치
8004 조명 장치101 first electrode
102 EL layer
103 second electrode
111 hole injection layer
112 hole transport layer
113 Emitting Layer
114 electron transport layer
115 electron injection layer
116 charge generation layer
201 anode
202 cathode
203 EL layer
204 light emitting layer
205 phosphorescent compound
206 first organic compound
207 Second Organic Compound
301 first electrode
302(1) first EL layer
302(2) second EL layer
302(n-1)th (n-1) EL layer
302(n)th (n) EL layer
304 second electrode
305 charge generation layer (I)
305(1) first charge generation layer (I)
305(2) second charge generation layer (I)
305(n-2)th (n-2)th charge generation layer (I)
305(n-1)th (n-1)th charge generation layer (I)
401 reflective electrode
402 transflective/reflective electrode
403a first transparent conductive layer
403b second transparent conductive layer
404B first light-emitting layer (B)
404G second emission layer (G)
404R third light-emitting layer (R)
405 EL layer
410R first light-emitting element (R)
410G second light-emitting element (G)
410B third light-emitting element (B)
501 element board
502 pixel unit
503 driving circuit unit (source line driving circuit)
504a, 504b driving circuit unit (gate line driving circuit)
505 seal material
506 encapsulated substrate
507 wiring
508 FPC (Flexible Print Circuit)
509 n-channel TFT
510 p-channel TFT
511 switching TFT
512 TFT for current control
513 first electrode (anode)
514 insulation
515 EL layer
516 second electrode (cathode)
517 light-emitting element
518 space
1100 substrate
1101 first electrode
1102 EL layer
1103 second electrode
1111 hole injection layer
1112 hole transport layer
1113 emitting layer
1114 electron transport layer
1115 electron injection layer
7100 television device
7101 housing
7103 display
7105 stand
7107 display
7109 operation keys
7110 remote controller
7201 main unit
7202 housing
7203 display
7204 keyboard
7205 external connection port
7206 pointing device
7301 housing
7302 housing
7303 connection
7304 display
7305 display
7306 speaker unit
7307 recording medium insert
7308 LED lamp
7309 operation keys
7310 connection terminal
7311 sensor
7312 microphone
7400 mobile phone
7401 housing
7402 display
7403a, 7403b control buttons
7404 external connection port
7405 speaker
7406 microphone
8001 lighting device
8002 lighting device
8003 lighting device
8004 lighting device
Claims (8)
화학식 G1
상기 화학식 G1에서,
E1은, 산소 원자이고;
α1 내지 α3은, 각각 독립적으로 치환 또는 무치환의 페닐렌기, 또는 치환 또는 무치환의 비페닐렌기이고;
m 및 n은, 각각 독립적으로 0 또는 1이고;
Ar1은, 하기 화학식 G1-2로 표시되는 아릴기이고;
Ar2는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 및 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고;
R1 내지 R4는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 및 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다.
화학식 G1-2
상기 화학식 G1-2에서,
E2는, 산소 원자이고;
α4 내지 α6은, 각각 독립적으로 치환 또는 무치환의 페닐렌기, 또는 치환 또는 무치환의 비페닐렌기이고;
q는, 0 또는 1이고;
Ar3은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 및 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고;
R5 내지 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 및 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다.A compound represented by the following formula G1.
Formula G1
In Formula G1,
E 1 is an oxygen atom;
α 1 to α 3 are each independently a substituted or unsubstituted phenylene group or a substituted or unsubstituted biphenylene group;
m and n are each independently 0 or 1;
Ar 1 is an aryl group represented by the following formula G1-2;
Ar 2 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group;
Each of R 1 to R 4 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted phenyl group.
Formula G1-2
In Formula G1-2,
E 2 is an oxygen atom;
α 4 to α 6 are each independently a substituted or unsubstituted phenylene group or a substituted or unsubstituted biphenylene group;
q is 0 or 1;
Ar 3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group;
Each of R 5 to R 8 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted phenyl group.
화학식 G2
상기 화학식 G2에서,
E1은, 산소 원자이고;
α1은, 치환 또는 무치환의 페닐렌기, 또는 치환 또는 무치환의 비페닐렌기이고;
m 및 n은, 각각 독립적으로 0 또는 1이고;
Ar1은, 하기 화학식 G2-2로 표시되는 아릴기이고;
Ar2는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 및 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고;
R1 내지 R4는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 및 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다.
화학식 G2-2
상기 화학식 G2-2에서,
E2는, 산소 원자이고;
α4는, 치환 또는 무치환의 페닐렌기, 또는 치환 또는 무치환의 비페닐렌기이고;
q는, 0 또는 1이고;
Ar3은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 및 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고;
R5 내지 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 및 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다. A compound represented by the formula G2.
Formula G2
In Formula G2,
E 1 is an oxygen atom;
α 1 is a substituted or unsubstituted phenylene group or a substituted or unsubstituted biphenylene group;
m and n are each independently 0 or 1;
Ar 1 is an aryl group represented by the following formula G2-2;
Ar 2 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group;
Each of R 1 to R 4 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted phenyl group.
Formula G2-2
In Formula G2-2,
E 2 is an oxygen atom;
α 4 is a substituted or unsubstituted phenylene group, or a substituted or unsubstituted biphenylene group;
q is 0 or 1;
Ar 3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group;
Each of R 5 to R 8 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted phenyl group.
화학식 G3
상기 화학식 G3에서,
E1은, 산소 원자이고;
m 및 n은, 각각 독립적으로 0 또는 1이고;
Ar1은, 하기 화학식 G3-2로 표시되는 아릴기이고;
Ar2는, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 및 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고;
R1 내지 R4는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 및 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다.
화학식 G3-2
상기 화학식 G3-2에서,
E2는, 산소 원자이고;
q는, 0 또는 1이고;
Ar3은, 치환 또는 무치환의 페닐기, 치환 또는 무치환의 나프틸기, 치환 또는 무치환의 페난트릴기, 치환 또는 무치환의 트리페닐레닐기, 치환 또는 무치환의 플루오레닐기, 치환 또는 무치환의 카르바졸릴기, 치환 또는 무치환의 디벤조티오페닐기, 및 치환 또는 무치환의 디벤조푸라닐기 중 어느 하나이고;
R5 내지 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 및 치환 또는 무치환의 페닐기 중 어느 하나이다.A compound represented by the formula G3.
Formula G3
In Formula G3,
E 1 is an oxygen atom;
m and n are each independently 0 or 1;
Ar 1 is an aryl group represented by the following formula G3-2;
Ar 2 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group;
Each of R 1 to R 4 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted phenyl group.
Formula G3-2
In Formula G3-2,
E 2 is an oxygen atom;
q is 0 or 1;
Ar 3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted A substituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group;
Each of R 5 to R 8 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted phenyl group.
A compound represented by structural formula (135).
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011140508 | 2011-06-24 | ||
JPJP-P-2011-140508 | 2011-06-24 | ||
KR1020120067511A KR102251934B1 (en) | 2011-06-24 | 2012-06-22 | Triarylamine compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120067511A Division KR102251934B1 (en) | 2011-06-24 | 2012-06-22 | Triarylamine compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210043550A true KR20210043550A (en) | 2021-04-21 |
KR102388405B1 KR102388405B1 (en) | 2022-04-18 |
Family
ID=47362459
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120067511A KR102251934B1 (en) | 2011-06-24 | 2012-06-22 | Triarylamine compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
KR1020210049058A KR102388405B1 (en) | 2011-06-24 | 2021-04-15 | Triarylamine compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120067511A KR102251934B1 (en) | 2011-06-24 | 2012-06-22 | Triarylamine compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9051274B2 (en) |
JP (2) | JP6005416B2 (en) |
KR (2) | KR102251934B1 (en) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9051274B2 (en) * | 2011-06-24 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Triarylamine compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
JP6002503B2 (en) | 2011-08-18 | 2016-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Carbazole compounds |
JP6037329B2 (en) | 2013-02-18 | 2016-12-07 | 矢崎総業株式会社 | Electrical junction box |
US9496503B2 (en) * | 2013-03-25 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
KR102034819B1 (en) * | 2013-03-26 | 2019-10-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
JP5749870B1 (en) * | 2013-07-03 | 2015-07-15 | 保土谷化学工業株式会社 | Organic electroluminescence device |
CN104716268B (en) * | 2013-12-17 | 2017-09-29 | 北京维信诺科技有限公司 | A kind of organic electroluminescence device and preparation method thereof |
TWI473780B (en) | 2014-04-09 | 2015-02-21 | Nat Univ Chung Hsing | Photosensitive dye compound and dye-sensitized solar cell |
JP6516433B2 (en) | 2014-10-06 | 2019-05-22 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | Material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same |
JP2016086147A (en) * | 2014-10-29 | 2016-05-19 | 保土谷化学工業株式会社 | Organic electroluminescent element |
KR102401598B1 (en) | 2014-11-07 | 2022-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic electroluminescence device |
WO2017093843A1 (en) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US9985579B2 (en) | 2016-04-12 | 2018-05-29 | Preformed Line Products Co. | Mounting assembly for mounting a solar panel |
KR102635062B1 (en) * | 2016-09-30 | 2024-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic compound and light emitting diode and organic light emitting diode display device using the same |
EP3683852B1 (en) * | 2017-09-13 | 2023-11-22 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
US11079647B2 (en) * | 2018-03-22 | 2021-08-03 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic display element, optical filter, lens unit, and imaging device |
CN110818696A (en) * | 2018-08-09 | 2020-02-21 | 昱镭光电科技股份有限公司 | Benzimidazole compound and organic electronic device thereof |
KR20210107639A (en) * | 2018-12-25 | 2021-09-01 | 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | organic electroluminescent device |
JP7499748B2 (en) * | 2019-02-22 | 2024-06-14 | 保土谷化学工業株式会社 | Arylamine compound having a benzazole ring structure and organic electroluminescence device |
CN110256358B (en) | 2019-07-12 | 2020-03-17 | 长春海谱润斯科技有限公司 | Amine derivative and organic electroluminescent device thereof |
CN110483495B (en) * | 2019-09-16 | 2020-04-28 | 长春海谱润斯科技有限公司 | Heterocyclic compound and organic electroluminescent device thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003267972A (en) | 2002-03-11 | 2003-09-25 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | Tris(thienylphenyl)amine derivative and organic el element |
KR20090051225A (en) * | 2006-09-15 | 2009-05-21 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | Aromatic amine derivative and organic electroluminescent device using the same |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5975257A (en) * | 1982-10-23 | 1984-04-27 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor |
JPH0345799A (en) * | 1989-07-11 | 1991-02-27 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | Production of paper |
JP2615263B2 (en) * | 1990-12-26 | 1997-05-28 | 三井東圧化学株式会社 | Photoconductor |
JPH04233548A (en) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Charge transfer material and photosensitive material using the same |
JP3045799B2 (en) * | 1991-03-28 | 2000-05-29 | 三井化学株式会社 | Organic electroluminescence device |
JP3005336B2 (en) * | 1991-09-06 | 2000-01-31 | 三井化学株式会社 | Electrophotographic photoreceptor |
JP3820037B2 (en) * | 1998-11-05 | 2006-09-13 | 三井化学株式会社 | Optical recording medium |
JP4105358B2 (en) * | 2000-03-07 | 2008-06-25 | 富士フイルム株式会社 | Benzimidazole derivative, light emitting device material, and light emitting device |
US6620529B1 (en) | 1999-10-27 | 2003-09-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Materials for light emitting devices and light emitting devices using the same |
JP4686895B2 (en) * | 2001-04-27 | 2011-05-25 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescence element and display device |
AU2002354442A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-23 | Tokuyama Corporation | Organic electroluminescent materials |
JP2004059571A (en) * | 2002-01-22 | 2004-02-26 | Mitsubishi Chemicals Corp | Complex compound, charge transfer material and organic electroluminescent element |
JP2004292766A (en) | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Tokuyama Corp | Organic electroluminescent element material |
JP4581355B2 (en) | 2003-09-09 | 2010-11-17 | 東洋インキ製造株式会社 | Organic electroluminescence device |
CN1259312C (en) * | 2004-02-26 | 2006-06-14 | 华东理工大学 | Compound of substituted benzo heterocyclic by electrophosphorescence and luminous ligand thereof |
US8198801B2 (en) | 2004-03-19 | 2012-06-12 | Lg Chem, Ltd. | Materials for injecting or transporting holes and organic electroluminescence devices using the same |
CN102153502B (en) | 2004-10-19 | 2012-12-26 | 株式会社半导体能源研究所 | Carbazole derivative and light-emitting element and light-emitting apparatus using carbazole derivative |
WO2006059745A1 (en) | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
KR101303894B1 (en) | 2004-12-28 | 2013-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Carbazole derivative, and light-emitting element and light-emitting device using the carbazole derivative |
EP1896413B1 (en) | 2005-03-28 | 2015-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anthracene derivative, material for light emitting element, light emitting element, light emitting device, and electronic device |
KR101381365B1 (en) | 2006-01-26 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Organic field effect transistor and semiconductor device |
JP4961540B2 (en) * | 2006-03-09 | 2012-06-27 | 国立大学法人東京工業大学 | COMPOUND, COMPOSITION FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE |
JP2008226688A (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Konica Minolta Business Technologies Inc | Photoelectric conversion element and solar cell |
KR100959189B1 (en) * | 2007-12-31 | 2010-05-24 | 제일모직주식회사 | Low molecular weight organic compound, and organic photoelectric device comprising the same |
CN102089282A (en) | 2008-07-08 | 2011-06-08 | 株式会社半导体能源研究所 | Carbazole derivative, light-emitting element material, light-emitting element, and light-emitting device |
CN105294538A (en) | 2008-10-08 | 2016-02-03 | 株式会社Lg化学 | Novel compound and organic electronic device using the same |
US8329917B2 (en) | 2009-03-31 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heterocyclic compound and light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic device using the same |
WO2011008560A1 (en) * | 2009-06-29 | 2011-01-20 | Nitto Denko Corporation | Emissive aryl-heteroaryl compounds |
JP5927875B2 (en) * | 2010-12-20 | 2016-06-01 | 東ソー株式会社 | Amine compounds and uses thereof |
US9051274B2 (en) * | 2011-06-24 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Triarylamine compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
-
2012
- 2012-06-21 US US13/529,158 patent/US9051274B2/en active Active
- 2012-06-22 JP JP2012140695A patent/JP6005416B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-22 KR KR1020120067511A patent/KR102251934B1/en active IP Right Grant
-
2015
- 2015-06-05 US US14/732,097 patent/US9525143B2/en active Active
-
2016
- 2016-08-03 JP JP2016152544A patent/JP6261680B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2021
- 2021-04-15 KR KR1020210049058A patent/KR102388405B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003267972A (en) | 2002-03-11 | 2003-09-25 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | Tris(thienylphenyl)amine derivative and organic el element |
KR20090051225A (en) * | 2006-09-15 | 2009-05-21 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | Aromatic amine derivative and organic electroluminescent device using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6261680B2 (en) | 2018-01-17 |
JP6005416B2 (en) | 2016-10-12 |
KR102388405B1 (en) | 2022-04-18 |
US9525143B2 (en) | 2016-12-20 |
JP2013028597A (en) | 2013-02-07 |
US20120330025A1 (en) | 2012-12-27 |
KR102251934B1 (en) | 2021-05-14 |
US20150280135A1 (en) | 2015-10-01 |
KR20130007453A (en) | 2013-01-18 |
JP2016197749A (en) | 2016-11-24 |
US9051274B2 (en) | 2015-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102388405B1 (en) | Triarylamine compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device | |
KR102208019B1 (en) | Carbazole compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device | |
JP6298551B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND LIGHTING DEVICE | |
KR20200111141A (en) | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound | |
JP6275215B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND LIGHTING DEVICE | |
JP7354387B2 (en) | Light emitting elements, display devices, electronic equipment and lighting devices | |
JP2018154622A (en) | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic apparatus, and lighting device | |
KR20210015846A (en) | Organic compounds, light-emitting elements, light-emitting devices, electronic devices, and lighting devices | |
JP2018065798A (en) | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic apparatus, and lighting device | |
KR20200143279A (en) | Light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device | |
JP7490833B2 (en) | Organic compound and light-emitting device | |
JPWO2018146570A1 (en) | Organic compounds, light-emitting elements, light-emitting devices, electronic devices, and lighting devices | |
JPWO2018158659A1 (en) | Organic compounds, light-emitting elements, light-emitting devices, electronic devices, and lighting devices | |
JP2019127483A (en) | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic apparatus, and lighting device | |
JP2018104359A (en) | Organic compound, light emitting element, light emitting device, electronic apparatus, and illumination device | |
WO2020058811A1 (en) | Organic compound, light-emitting device, light-emitting equipment, electronic device, and illumination device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |