KR20210041490A - 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트 - Google Patents

보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트 Download PDF

Info

Publication number
KR20210041490A
KR20210041490A KR1020200124093A KR20200124093A KR20210041490A KR 20210041490 A KR20210041490 A KR 20210041490A KR 1020200124093 A KR1020200124093 A KR 1020200124093A KR 20200124093 A KR20200124093 A KR 20200124093A KR 20210041490 A KR20210041490 A KR 20210041490A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protective film
film
forming
meth
curable
Prior art date
Application number
KR1020200124093A
Other languages
English (en)
Inventor
미레이 우스바
히로유키 요네야마
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20210041490A publication Critical patent/KR20210041490A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/10—Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/26—Polymeric coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2333/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2333/04—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2333/06—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing only carbon, hydrogen, and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C08J2333/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2463/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K13/00—Use of mixtures of ingredients not covered by one single of the preceding main groups, each of these compounds being essential
    • C08K13/06—Pretreated ingredients and ingredients covered by the main groups C08K3/00 - C08K7/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/0041—Optical brightening agents, organic pigments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0091—Complexes with metal-heteroatom-bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3467—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/544—Silicon-containing compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/16—Solid spheres
    • C08K7/18—Solid spheres inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

보호막의 파장 2000∼3200㎚(단, 2701∼2999㎚를 제외함)에 있어서의 흡광도의 최소값(Xmin)과, 보호막의 100℃에 있어서의 비열(S100)을 이용하여 Z100＝Xmin／S100에 의해 산출되는 Z100이 0.27 이하인 보호막 형성용 필름. 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 상기 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트.

Description

보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트{FILM FOR PROTECTIVE FILM FORMATION AND COMPOSITE SHEET FOR PROTECTIVE FILM FORMATION}
본 발명은 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트에 관한 것이다. 본원은 2019년 10월 7일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2019-184721호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
반도체 웨이퍼나 절연체 웨이퍼 등의 웨이퍼에는, 그 한쪽 면(회로면)에 회로가 형성되고 있고, 추가로 그 면(회로면) 상에 범프 등의 돌출상 전극을 갖는 것이 있다. 이러한 웨이퍼는 분할에 의해 칩이 되고, 그 돌출상 전극이 회로 기판 상의 접속 패드에 접속됨으로써 상기 회로 기판에 탑재된다.
이러한 웨이퍼나 칩에 있어서는, 크랙의 발생 등의 파손을 억제하기 위해, 회로면과는 반대측 면(이면)을 보호막으로 보호하는 경우가 있다(특허문헌 1∼2 참조).
이러한 보호막을 형성하기 위해서는, 반도체 웨이퍼의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름을 첩부하지만, 이 때, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 상기 보호막 형성용 필름을 구비하여 구성된 보호막 형성용 복합 시트를 사용할 수 있다. 지지 시트는 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 이면에 구비한 웨이퍼를 칩으로 분할할 때, 이 웨이퍼를 고정하기 위한 다이싱 시트로서 이용 가능하다.
일본 공개특허공보 2015-32644호 국제 공개 제2015/146936호 공보
상술한 바와 같이, 칩이 탑재된 회로 기판은 기판 장치로서 각종 전자 부품으로 이용된다.
한편, 회로 기판에 탑재하기 전의 칩은 통상, 그 이면에 형성되어 있는 보호막을 개재하여, 지지 시트 또는 다이싱 시트 상에서 유지된 상태로 되어 있다. 또한, 칩은 그 전의 단계에서는, 분할 전의 웨이퍼로서 보호막을 개재하여, 지지 시트 또는 다이싱 시트 상에서 유지된 상태로 되어 있는 경우도 있다. 이러한 상태에 이르는 프로세스에 대해서는, 추후 상세하게 설명한다. 그리고, 이 때의 지지 시트 또는 다이싱 시트는 그 칩 또는 웨이퍼측 면에 대해 평행한 방향으로 연신하는, 소위 익스팬드가 행해지고 있는 경우가 있다. 지지 시트 또는 다이싱 시트의 익스팬드는 몇 개의 이유로 행해진다.
예를 들면, 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 분할하는 방법으로서 스텔스 다이싱(등록상표)이 알려져 있다.
스텔스 다이싱(등록상표)에서는, 우선 반도체 웨이퍼의 내부에 있어서, 분할 예정 개소를 설정하고, 이 개소를 초점으로 하여, 이 초점에 집속하도록 레이저 광을 조사함으로써, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성한다. 반도체 웨이퍼의 개질층은, 반도체 웨이퍼의 다른 개소와는 달리, 레이저 광의 조사에 의해 변질되어 있으며, 강도가 약해져 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼에 힘이 가해짐으로써, 반도체 웨이퍼의 내부의 개질층에 있어서, 반도체 웨이퍼의 양면 방향으로 연장되는 균열이 발생하여, 반도체 웨이퍼의 분할(절단)의 기점이 된다. 이어서, 반도체 웨이퍼에 힘을 가하고, 상기 개질층의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼를 분할하여 반도체 칩을 제작한다. 이 때, 예를 들면, 지지 시트 또는 다이싱 시트 상에서 보호막을 개재하여 유지되어 있는, 개질층이 형성된 반도체 웨이퍼를 지지 시트 또는 다이싱 시트와 보호막과 함께, 반도체 웨이퍼의 표면에 대해 평행한 방향으로 연신함으로써, 반도체 웨이퍼에 힘을 가하여 반도체 칩을 제작할 수 있다. 즉, 이 경우의 지지 시트 또는 다이싱 시트는 최종적으로는, 이면에 보호막을 구비한 반도체 칩(보호막이 형성된 반도체 칩)을 유지하고 있으며, 또한 익스팬드된 후의 것이다.
또한, 예를 들면, 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 분할하는 방법으로는, 블레이드를 사용하는 블레이드 다이싱, 레이저 조사에 의한 레이저 다이싱, 또는 연마제를 포함하는 물 분사에 의한 워터 다이싱 등의 각 다이싱도 알려져 있다. 이들 다이싱에서는, 지지 시트 또는 다이싱 시트 상에서, 보호막을 개재하여 유지되어 있는 반도체 웨이퍼를 보호막째 절단하여 반도체 칩으로 분할한다.
이들 다이싱 중에는, 통상, 지지 시트 또는 다이싱 시트의 익스팬드는 행하지 않는다. 한편, 지지 시트 또는 다이싱 시트 상에서 유지되어 있는, 보호막이 형성된 반도체 칩은, 이 후, 지지 시트 또는 다이싱 시트로부터 분리되고 픽업되어 회로 기판에 탑재된다. 그리고, 이 픽업을 용이하게 하기 위해, 보호막이 형성된 반도체 칩의 픽업시에 지지 시트 또는 다이싱 시트를 익스팬드하는 경우가 있다. 그리고, 한 장의 지지 시트 또는 다이싱 시트 상에서 유지되어 있는, 복수개의 보호막이 형성된 반도체 칩 중의 일부를 픽업하지 않고 지지 시트 또는 다이싱 시트 상에 남긴 채, 이 지지 시트 또는 다이싱 시트를 보관하는 경우가 있다. 즉, 이 경우의 지지 시트 또는 다이싱 시트도, 최종적으로는, 보호막이 형성된 반도체 칩을 유지하고, 또한 익스팬드된 후의 것이다.
여기서는, 이면에 보호막을 구비한 반도체 칩(보호막이 형성된 반도체 칩)을, 익스팬드된 지지 시트 또는 다이싱 시트가 유지하고 있는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이면에 보호막을 구비한 반도체 웨이퍼(보호막이 형성된 반도체 웨이퍼)를, 익스팬드된 지지 시트 또는 다이싱 시트가 유지하고 있는 경우도 있다.
그리고, 보호막이 형성된 반도체 칩 또는 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼를 유지하고, 또한 익스팬드된 후의 상태로 되어 있는 지지 시트 또는 다이싱 시트는 여기에 나타내는 것으로 한정되지 않는다.
상기와 같은 보호막이 형성된 반도체 칩 혹은 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼를 유지하고, 또한 익스팬드된 후의 지지 시트 또는 다이싱 시트에 있어서는, 그 후, 그 보호막이 형성된 반도체 칩 또는 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼를 원래 유지하고 있지 않은 주연부 근방의 영역이 히터를 사용하여 가열 처리되는 경우가 있다. 이러한 가열 처리는, 지지 시트 또는 다이싱 시트의 주연부 근방의 영역이 익스팬드에 의해 다른 영역보다 신장되어 이완되어 있는 곳을 가열 처리에 의해 이 영역을 수축시켜, 이완된 상태를 해소하기 위해 행해지고 있으며, 히트 쉬링크로 불리는 경우가 있다. 히트 쉬링크시의 가열 처리는, 예를 들면, 지지 시트 또는 다이싱 시트의 해당 개소에 대해 근적외선 또는 중적외선을 조사함으로써 행해진다.
그러나, 히트 쉬링크시에 근적외선 또는 중적외선이 지지 시트 또는 다이싱 시트의 해당 개소뿐만 아니라, 이 개소의 근방에 위치하는 보호막이 형성된 반도체 칩 또는 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼에도 조사되는 경우가 있다. 그 경우에는, 이 보호막이 형성된 반도체 칩 또는 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼 중의 보호막도 가열 처리되어 불균일하게 변색된다는 문제점이 있었다. 이러한 보호막은, 목적으로 하는 보호 기능을 발휘할 수 있다고 해도 외관상의 문제점이 있다.
이에 대해 특허문헌 1∼2에는, 이러한 문제점을 해결하기 위한 수단에 대해서는 개시되어 있지 않다.
그리고, 여기서는, 반도체 웨이퍼를 사용한 경우를 예로 들어 설명했지만, 이러한 보호막의 목적 외의 가열이라는 문제점은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 웨이퍼 전반에 존재한다.
본 발명은 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서, 칩과 그 이면에 형성된 보호막을 구비한 보호막이 형성된 칩, 또는, 웨이퍼와 그 이면에 형성된 보호막을 구비한 보호막이 형성된 웨이퍼를 유지하고, 또한 익스팬드된 후의 다이싱 시트를 가열 처리하여 히트 쉬링크를 행했을 때, 상기 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼 중의 보호막의 목적 외의 온도 상승을 억제할 수 있는 보호막 형성용 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 보호막 형성용 필름과 지지 시트를 구비한 보호막 형성용 복합 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서, 상기 보호막의 파장 2000∼3200㎚(단, 2701∼2999㎚를 제외함)에 있어서의 흡광도의 최소값(Xmin)과, 상기 보호막의 100℃에 있어서의 비열(S100)을 이용하여, 식:
Z100＝Xmin／S100
에 의해 산출되는 Z100이 0.27 이하인 보호막 형성용 필름을 제공한다. 본 발명의 보호막 형성용 필름은, 열경화성 또는 에너지선 경화성이어도 된다.
본 발명의 보호막 형성용 필름은, 가시광 및 적외선 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 흡수 가능한 광흡수제를 2종 이상 함유해도 된다.
본 발명의 보호막 형성용 필름은, 탄소 재료를 함유해도 된다.
본 발명의 보호막 형성용 필름에 있어서는, 상기 보호막의 파장 400∼750㎚의 광의 투과율의 최소값(Tm)이 15％ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 보호막 형성용 필름에 있어서는, 상기 보호막의 파장 2000∼2600㎚의 광의 반사율의 최대값(Um)이 20％ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명은, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 보호막 형성용 필름을 구비하고, 상기 보호막 형성용 필름이 상기 본 발명의 보호막 형성용 필름인 보호막 형성용 복합 시트를 제공한다.
본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 상기 지지 시트가 기재와, 상기 기재의 한쪽 면 상에 형성된 점착제층을 구비하고 있으며, 상기 점착제층이 상기 기재와, 상기 보호막 형성용 필름 사이에 배치되어 있어도 된다.
본 발명에 의해, 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서, 칩과 그 이면에 형성된 보호막을 구비한 보호막이 형성된 칩, 또는, 웨이퍼와 그 이면에 형성된 보호막을 구비한 보호막이 형성된 웨이퍼를 유지하고, 또한 익스팬드된 후의 다이싱 시트를 가열 처리하여 히트 쉬링크를 행했을 때, 상기 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼 중의 보호막의 목적 외의 온도 상승을 억제할 수 있는 보호막 형성용 필름이 제공된다.
또한, 본 발명에 의해, 상기 보호막 형성용 필름과 지지 시트를 구비한 보호막 형성용 복합 시트가 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 또 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 또 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름을 사용한 경우의 보호막이 형성된 칩과 회로 기판의 접속 상태의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
◇보호막 형성용 필름
본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름은, 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서,
상기 보호막의 파장 2000∼3200㎚(단, 2701∼2999㎚를 제외함)에 있어서의 흡광도의 최소값(Xmin)과, 상기 보호막의 100℃에 있어서의 비열(S100)을 이용하여, 식:
Z100＝Xmin／S100
에 의해 산출되는 Z100이 0.27 이하이다.
본 실시형태의 보호막 형성용 필름은 예를 들면, 후술하는 바와 같이, 지지 시트와 적층함으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 구성할 수 있다.
본 실시형태의 보호막 형성용 필름은 칩의 이면에 보호막을 형성하여, 칩을 보호하기 위해 사용하는 필름이다.
상기 보호막 형성용 필름은 연질이며, 칩으로 분할하기 전의 웨이퍼에 대해 첩부할 수 있다.
본 실시형태의 보호막 형성용 필름은 경화성이어도 되며, 비경화성이어도 된다. 즉, 상기 보호막 형성용 필름은, 그 경화에 의해 보호막으로서 기능하는 것이어도 되며, 경화되어 있지 않은 상태로 보호막으로서 기능하는 것이어도 된다.
경화성 보호막 형성용 필름은, 열경화성 및 에너지선 경화성 중 어느 것이어도 되며, 열경화성 및 에너지선 경화성의 양쪽의 특성을 갖고 있어도 된다.
본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미한다. 에너지선의 예로서는 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 램프, 크세논 램프, 블랙 라이트 또는 LED 램프 등을 이용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화되는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화되지 않는 성질을 의미한다.
또한, 「비경화성」이란, 가열이나 에너지선의 조사 등, 어떠한 수단에 의해서도 경화되지 않는 성질을 의미한다. 비경화성 보호막 형성용 필름은, 목적으로 하는 대상물에 형성된 단계 이후, 보호막으로 간주한다.
본 명세서에 있어서, 「웨이퍼」란, 실리콘, 게르마늄, 셀렌 등의 원소 반도체나, GaAs, GaP, InP, CdTe, ZnSe, SiC 등의 화합물 반도체로 구성되는 반도체 웨이퍼; 사파이어, 유리 등의 절연체로 구성되는 절연체 웨이퍼를 들 수 있다.
이들 웨이퍼의 한쪽 면 상에는 회로가 형성되고 있고, 본 명세서에 있어서는, 이와 같이 회로가 형성되어 있는 측의 웨이퍼의 면을 「회로면」이라고 칭한다. 그리고, 웨이퍼의 회로면과는 반대측 면을 「이면」이라고 칭한다.
웨이퍼는 다이싱 등의 수단에 의해 분할되어 칩이 된다. 본 명세서에 있어서는, 웨이퍼의 경우와 마찬가지로, 회로가 형성되어 있는 측의 칩의 면을 「회로면」이라고 칭하고, 칩의 회로면과는 반대측 면을 「이면」이라고 칭한다.
웨이퍼의 회로면과 칩의 회로면에는, 모두 범프, 필러 등의 돌출상 전극이 형성되어 있다. 돌출상 전극은 땜납으로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 보호막 형성용 필름, 또는 이를 구비한 보호막 형성용 복합 시트를 사용함으로써, 이면에 보호막을 구비한 칩(본 명세서에 있어서는, 「보호막이 형성된 칩」이라고 칭하는 경우가 있다)을 제조할 수 있다. 이 때, 이면에 보호막을 구비한 웨이퍼(본 명세서에 있어서는, 「보호막이 형성된 웨이퍼」라고 칭하는 경우가 있다)의 제작을 경유하는 경우가 있다.
또한, 상기 보호막이 형성된 칩을 사용함으로써, 기판 장치를 제조할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 「기판 장치」란, 보호막이 형성된 칩이 그 회로면 상의 돌출상 전극에 있어서, 회로 기판 상의 접속 패드에 플립칩 접속되어 구성된 것을 의미한다. 예를 들면, 웨이퍼로서 반도체 웨이퍼를 사용한 경우이면, 기판 장치로는 반도체 장치를 들 수 있다.
보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 경우, 기판 장치의 제조 전에는 1개 또는 2개 이상(통상은 2개 이상)의 보호막이 형성된 칩, 또는 1장의 보호막이 형성된 웨이퍼가 1장의 지지 시트 상에서 유지되고, 또한, 이 지지 시트가 그 칩 또는 웨이퍼측 면에 대해 평행한 방향으로 연신되는, 소위 익스팬드가 행해진 후의 상태로 되어 있는 것을 취급하는 경우가 있다. 그리고, 이러한 지지 시트에 있어서는, 그 후, 앞서 설명한 이유에 의해, 그 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼를 원래 유지하고 있지 않은 주연부 근방의 영역이 히터를 사용하여 가열 처리되는(히트 쉬링크를 행하는) 경우가 있다. 히트 쉬링크시의 가열 처리는, 예를 들면, 지지 시트의 해당 개소에 대해 근적외선 또는 중적외선을 조사함으로써 행해지지만, 근적외선 또는 중적외선이 지지 시트의 해당 개소뿐만 아니라, 이 개소의 근방에 위치하는 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼에도 조사되는 경우가 있다. 그 경우에는, 이 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼 중의 보호막도 가열 처리되어 불균일하게 변색될 가능성이 있으며, 이러한 보호막은 목적으로 하는 보호 기능을 발휘할 수 있다고 해도 외관상의 문제점이 있다.
한편, 보호막 형성용 복합 시트를 구성하고 있지 않은 보호막 형성용 필름과 다이싱 시트를 첩합하여 사용한 경우에도, 상기 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 경우와 마찬가지로, 기판 장치의 제조 전에는 1개 또는 2개 이상(통상은 2개 이상)의 보호막이 형성된 칩, 또는 1장의 보호막이 형성된 웨이퍼가 1장의 다이싱 시트 상에서 유지되고, 또한, 이 다이싱 시트가 익스팬드가 행해진 후의 상태로 되어 있는 것을 취급하는 경우가 있다.
지지 시트와 다이싱 시트는 동일하게 사용 가능하기 때문에, 다이싱 시트를 사용한 경우에도, 상기와 마찬가지로, 보호막의 변색에 의한 외관상의 문제점이 있다.
이에 대해 본 실시형태의 보호막 형성용 필름으로부터 얻어진 보호막의 Z100이 0.27 이하임으로써, 히트 쉬링크시의 상기 가열 처리시에, 근적외선 또는 중적외선이 잘못하여 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼에도 조사되어도 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼 중의 보호막의 목적 외의 온도 상승을 억제할 수 있다. 그리고, 이들 보호막의 변색이 억제된다.
즉, 본 실시형태의 보호막 형성용 필름은 보호막의 목적 외의 변색이 억제된 지지 시트 또는 다이싱 시트의 히트 쉬링크를 가능하게 한다.
상기 보호막의 Z100(＝Xmin／S100)은 100℃에서의 보호막의 온도 상승의 어려움을 나타내는 지표이고, 0.27 이하이며, 0.24 이하인 것이 바람직하고, 예를 들면, 0.21 이하, 0.18 이하, 0.15 이하, 및 0.12 이하 중 어느 하나여도 된다. Z100이 상기 상한값 이하임으로써, 가열시에 있어서의 보호막의 온도 상승의 억제 효과가 보다 높아진다.
Z100의 하한값은 특별히 한정되지 않는다. Z100의 상기 조건을 만족하는 보호막의 형성이 보다 용이한 점에서는 Z100은 0.01 이상인 것이 바람직하다.
Z100은 상술한 하한값과 어느 하나의 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, Z100은 0.01∼0.27인 것이 바람직하고, 0.01∼0.24인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 0.01∼0.21, 0.01∼0.18, 0.01∼0.15, 및 0.01∼0.12 중 어느 하나여도 된다. 단, 이들은 Z100의 일례이다.
상기 보호막의 파장 2000∼3200㎚(단, 2701∼2999㎚를 제외함)에 있어서의 흡광도의 최소값(Xmin)은, 상술한 Z100의 조건을 만족하는 한, 특별히 한정되지 않는다.
예를 들면, 후술하는 플립칩 접속 공정에 있어서, 세라믹 히터를 탑재한 리플로우로를 이용하여, 파장이 2000∼3200㎚인 근적외선 또는 중적외선을 조사함으로써, 보호막이 형성된 칩을 적절히 가열할 수 있는 점에서는, Xmin은 0.01 이상인 것이 바람직하고, 예를 들면, 0.05 이상, 0.09 이상, 0.13 이상, 및 0.17 이상 중 어느 하나여도 된다.
Xmin은 0.33 이하인 것이 바람직하고, 0.28 이하인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 0.24 이하, 0.20 이하, 및 0.16 이하 중 어느 하나여도 된다.
Xmin은 상술한 어느 하나의 하한값과 어느 하나의 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, Xmin은 0.01∼0.33인 것이 바람직하고, 예를 들면, 0.01∼0.28, 0.01∼0.24, 0.01∼0.20, 및 0.01∼0.16 중 어느 하나여도 된다. 단, 이들은 Xmin의 일례이다.
Xmin을 특정하기에 있어서, 파장 2701∼2999㎚에 있어서의 흡광도를 대상 외로 하는 이유는, 이 파장역의 광을 대기가 흡수하기 쉽고, 이 파장역에서 보호막의 흡광도를 정확하게 측정하는 것이 곤란하기 때문이다.
Xmin은 상기 보호막의 2000㎚ 이상 2701㎚ 미만 및 2999㎚ 초과 3200㎚ 이하의 파장역에서의 흡광도의 최소값이다.
상기 보호막의 100℃에 있어서의 비열(S100)은, 상술한 Z100의 조건을 만족하는 한, 특별히 한정되지 않는다.
S100은 1 이상인 것이 바람직하고, 1.1 이상인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 1.2 이상, 1.3 이상, 및 1.4 이상 중 어느 하나여도 된다.
S100은 1.7 이하인 것이 바람직하고, 1.6 이하인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 1.5 이하, 1.4 이하, 및 1.3 이하 중 어느 하나여도 된다.
S100은 상술한 어느 하나의 하한값과 어느 하나의 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, S100은 1∼1.7인 것이 바람직하고, 1.1∼1.7인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 1.2∼1.7, 1.3∼1.7, 및 1.4∼1.7 중 어느 하나여도 된다. 단, 이들은 S100의 일례이다.
S100은 JIS K 7123:2012에 준거하여 시차 주사 열량계를 이용하고, 승온 속도를 10℃/min으로 하여 얻어진 보호막의 시차 주사 열량의 측정값으로부터 산출할 수 있다.
상기 보호막의 파장 400∼750㎚의 광의 투과율의 최소값(Tm)은 특별히 한정되지 않지만, 15％ 이하인 것이 바람직하고, 10％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 7％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 4％ 이하인 것이 특히 바람직하다. Tm이 상기 상한값 이하임으로써, 보호막의 존재의 유무가 보다 용이하게 시인 가능해진다.
Tm의 하한값은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, Tm은 0％ 이상이어도 된다.
상기 보호막의 파장 2000∼2600㎚의 광의 반사율의 최대값(Um)은 특별히 한정되지 않지만, 20％ 이하인 것이 바람직하고, 15％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 12％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. Um이 상기 상한값 이하임으로써, 보호막이 형성된 칩을 사용했을 때, 근적외선 또는 중적외선 반사 센서 등의 근적외선 또는 중적외선을 이용하는 장치가 오작동하는 것을 억제할 수 있다.
Um의 하한값은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, Um은 0％ 이상이어도 된다. Um의 상기 조건을 만족하는 보호막의 형성이 보다 용이한 점에서는 Um은 0.2％ 이상인 것이 바람직하고, 0.5％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 1％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
보호막의 광의 반사율은, 후술의 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 상술한 Xmin 및 S100을 규정하는 보호막은 보호막 형성용 필름이 열경화성인 경우에는, 보호막 형성용 필름을 145℃에서 2시간 가열 처리함으로써 얻어진 경화물인 것이 바람직하고, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성인 경우에는, 조도 280mW/㎠, 광량 260mJ/㎠의 조건으로, 보호막 형성용 필름에 에너지선을 2회 조사함으로써 얻어진 경화물인 것이 바람직하다.
한편, 보호막 형성용 필름이 비경화성인 경우에는, 상술한 Xmin 및 S100을 규정하는 보호막은 보호막 형성용 필름 그 자체이다.
본 실시형태에 있어서, 상술한 Z100을 산출할 때에는, Xmin 및 S100으로는, 동일종의 보호막을 사용하여 측정한 것을 채용한다.
보호막 형성용 필름을 열경화시켜 보호막을 형성하는 경우에는, 에너지선의 조사에 의해 경화시키는 경우와는 달리, 보호막 형성용 필름은 그 두께가 두꺼워져도 가열에 의해 충분히 경화되기 때문에, 보호 성능이 높은 보호막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 오븐 등의 통상의 가열 수단을 사용함으로써, 다수의 보호막 형성용 필름을 일괄하여 가열하고, 열경화시킬 수 있다.
보호막 형성용 필름을 에너지선의 조사에 의해 경화시켜 보호막을 형성하는 경우에는, 열경화시키는 경우와는 달리, 보호막 형성용 복합 시트는 내열성을 가질 필요가 없고, 폭넓은 범위의 보호막 형성용 복합 시트를 구성할 수 있다. 또한, 에너지선의 조사에 의해 단시간에 경화시킬 수 있다.
보호막 형성용 필름을 경화시키지 않고 보호막으로서 사용하는 경우에는, 경화 공정을 생략할 수 있기 때문에, 간략화된 공정으로 보호막이 형성된 칩을 제조할 수 있다.
상기 보호막 형성용 필름은, 열경화성 또는 에너지선 경화성인 것이 바람직하다.
상기 보호막 형성용 필름이 경화성 및 비경화성 중 어느 것인지 상관없으며, 그리고, 경화성인 경우에는, 열경화성 및 에너지선 경화성 중 어느 것인지 상관없고, 보호막 형성용 필름은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되며, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 보호막 형성용 필름이 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
보호막 형성용 필름이 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 경우에는, 각 층간의 밀착성이 열악하거나, 각 층의 신축의 용이함의 차이에 기초하여, 보호막에 휨이 생겨 보호막이 칩의 이면으로부터 박리되는 등의 문제가 생길 가능성이 있으며, 이러한 문제가 억제되는 점에서는, 보호막 형성용 필름은 1층으로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서는, 보호막 형성용 필름의 경우에 한정되지 않고, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란, 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하고, 또한 「복수층이 서로 상이하다」란, 「각 층의 구성 재료 및 두께의 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다.
보호막 형성용 필름이 경화성 및 비경화성 중 어느 것인지 상관없으며, 그리고, 경화성인 경우에는, 열경화성 및 에너지선 경화성 중 어느 것인지 상관없고, 보호막 형성용 필름의 두께는 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 3∼80㎛인 것이 보다 바람직하며, 5∼60㎛인 것이 특히 바람직하고, 예를 들면, 10∼50㎛, 15∼40㎛, 17∼38㎛, 및 20∼30㎛ 중 어느 하나여도 된다. 보호막 형성용 필름의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 보호능이 보다 높은 보호막을 형성할 수 있다. 보호막 형성용 필름의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 과잉 두께가 되는 것을 피할 수 있다.
여기서, 「보호막 형성용 필름의 두께」란, 보호막 형성용 필름 전체의 두께를 의미하고 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 보호막 형성용 필름의 두께란, 보호막 형성용 필름을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.
＜＜보호막 형성용 조성물＞＞
보호막 형성용 필름은 그 구성 재료를 함유하는 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 보호막 형성용 필름은 그 형성 대상면에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 형성할 수 있다. 보호막 형성용 조성물에 있어서의 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량 비율은 통상, 보호막 형성용 필름에 있어서의 상기 성분끼리의 함유량 비율과 동일해진다. 본 명세서에 있어서, 「상온」이란, 특별히 차게 하거나 가열하지 않은 온도, 즉 평상시 온도를 의미하고 예를 들면, 15∼25℃의 온도 등을 들 수 있다.
열경화성 보호막 형성용 필름은 열경화성 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있으며, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있고, 비경화성 보호막 형성용 필름은 비경화성 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 한편, 본 명세서에 있어서는, 보호막 형성용 필름이 열경화성 및 에너지선 경화성의 양쪽 특성을 갖는 경우, 보호막의 형성에 대해, 보호막 형성용 필름의 열경화의 기여가 에너지선 경화의 기여보다 큰 경우에는, 보호막 형성용 필름을 열경화성인 것으로서 취급한다. 반대로, 보호막의 형성에 대해, 보호막 형성용 필름의 에너지선 경화의 기여가 열경화의 기여보다 큰 경우에는, 보호막 형성용 필름을 에너지선 경화인 것으로서 취급한다.
보호막 형성용 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되며 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커튼 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 메이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.
보호막 형성용 필름이 경화성 및 비경화성 중 어느 것인지 상관없으며, 그리고, 경화성인 경우에는, 열경화성 및 에너지선 경화성 중 어느 것인지 상관없고, 보호막 형성용 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않는다. 단, 보호막 형성용 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 그리고, 용매를 함유하는 보호막 형성용 조성물은 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건에서 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 단, 열경화성 보호막 형성용 조성물은, 이 조성물 자체와, 이 조성물로부터 형성된 열경화성 보호막 형성용 필름이 열경화하지 않도록 가열 건조시키는 것이 바람직하다.
이하, 열경화성 보호막 형성용 필름, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름 및 비경화성 보호막 형성용 필름에 대해, 순차적으로 설명한다.
◎열경화성 보호막 형성용 필름
열경화성 보호막 형성용 필름을 열경화시켜 보호막을 형성할 때의 경화 조건은, 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한 특별히 한정되지 않고, 열경화성 보호막 형성용 필름의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
예를 들면, 열경화성 보호막 형성용 필름의 열경화시 가열 온도는 100∼200℃인 것이 바람직하고, 110∼170℃인 것이 보다 바람직하며, 120∼150℃인 것이 특히 바람직하다. 그리고, 상기 열경화시 가열 시간은 0.5∼5시간인 것이 바람직하며, 0.5∼4시간인 것이 보다 바람직하고, 1∼3시간인 것이 특히 바람직하다.
열경화에 의해 형성 후의 보호막은 상온까지 서랭하는 것이 바람직하다. 서랭 방법은 특별히 한정되지 않고, 방랭이어도 된다.
상온의 보호막 형성용 필름을 상온을 초과하는 온도가 될 때까지 가열하고, 이어서 상온이 될 때까지 냉각함으로써, 가열·냉각 후의 보호막 형성용 필름으로 하여, 가열·냉각 후의 보호막 형성용 필름의 견고함과 가열 전의 보호막 형성용 필름의 견고함을 동일한 온도에서 비교했을 때, 가열·냉각 후의 보호막 형성용 필름쪽이 견고한 경우에는, 이 보호막 형성용 필름은 열경화성이다.
바람직한 열경화성 보호막 형성용 필름으로는 예를 들면, 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유하는 것을 들 수 있고, 추가로 광흡수제(I)를 함유하는 것이어도 된다.
중합체 성분(A)은 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성되었다고 간주할 수 있는 성분이다. 열경화성 성분(B)은 열을 반응의 트리거로 하여 경화(중합) 반응할 수 있는 성분이다. 한편, 본 명세서에 있어서 중합 반응에는 중축합 반응도 포함된다.
＜열경화성 보호막 형성용 조성물(III-1)＞
바람직한 열경화성 보호막 형성용 조성물로는 예를 들면, 상기 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유하는 열경화성 보호막 형성용 조성물(III-1)(본 명세서에 있어서는, 단순히 「조성물(III-1)」이라고 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다. 조성물(III-1)은, 추가로 광흡수제(I)를 함유하고 있어도 된다.
[중합체 성분(A)]
중합체 성분(A)은 열경화성 보호막 형성용 필름에 조막성, 가요성, 인성, 전연성 등을 부여하고, 보호막에 가요성, 인성, 전연성 등을 부여하기 위한 성분이다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 중합체 성분(A)은 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
중합체 성분(A)으로는 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있고, 아크릴 수지가 바람직하다.
중합체 성분(A)에 있어서의 상기 아크릴 수지로는 공지의 아크릴 중합체를 들 수 있다.
아크릴 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 10000∼2000000인 것이 바람직하고, 100000∼1500000인 것이 보다 바람직하다. 아크릴 수지의 중량 평균 분자량이 상기 하한값 이상임으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 형상 안정성(보관시의 경시 안정성)이 향상된다. 또한, 아크릴 수지의 중량 평균 분자량이 상기 상한값 이하임으로써, 피착체의 요철면에 열경화성 보호막 형성용 필름이 추종하기 쉬워지고, 피착체와 열경화성 보호막 형성용 필름 사이에 보이드 등의 발생이 보다 억제된다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량」이란, 특별히 언급하지 않는 한, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값이다.
아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -60∼70℃인 것이 바람직하고, -30∼50℃인 것이 보다 바람직하다. 아크릴 수지의 Tg가 상기 하한값 이상임으로써 예를 들면, 보호막 형성용 필름의 경화물과 지지 시트의 접착력이 억제되어 지지 시트의 박리성이 적당히 향상된다. 또한, 아크릴 수지의 Tg가 상기 상한값 이하임으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름 및 그 경화물의 피착체와의 접착력이 향상된다.
아크릴 수지가 m종(m은 2 이상의 정수이다)의 구성 단위를 갖고, 이들 구성 단위를 유도하는 m종의 모노머에 대해, 각각 1부터 m까지 중 어느 하나의 중복되지 않는 번호를 순차적으로 할당하고, 「모노머 m」으로 명명했을 경우, 아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 이하에 나타내는 Fox의 식을 이용하여 산출할 수 있다.
Figure pat00001
(식 중, Tg는 아크릴 수지의 유리 전이 온도이며; m은 2 이상의 정수이고; Tgk는 모노머 m의 호모 폴리머의 유리 전이 온도이며; Wk는 아크릴 수지에 있어서의 모노머 m으로부터 유도된 구성 단위 m의 질량 분율이고, 단, Wk는 하기 식을 만족한다)
Figure pat00002
(식 중, m 및 Wk는 상기와 동일하다)
상기 Tgk로는 고분자 데이터·핸드북, 점착 핸드북 또는 Polymer Handbook 등에 기재되어 있는 값을 사용할 수 있다. 예를 들면, 아크릴산메틸의 호모 폴리머의 Tgk는 10℃이며, 메타크릴산메틸의 호모 폴리머의 Tgk는 105℃이고, 아크릴산2-히드록시에틸의 호모 폴리머의 Tgk는 -15℃이다.
아크릴 수지로는 예를 들면, 1종 또는 2종 이상의 (메타)아크릴산에스테르의 중합체; 1종 또는 2종 이상의 (메타)아크릴산에스테르와, (메타)아크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 및 N-메틸올아크릴아미드 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다.
아크릴 수지를 구성하는 상기 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴) 등의 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수 1∼18의 사슬형 구조인 (메타)아크릴산알킬에스테르;
(메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산디시클로펜타닐 등의 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르;
(메타)아크릴산벤질 등의 (메타)아크릴산아랄킬에스테르;
(메타)아크릴산디시클로펜테닐에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐에스테르;
(메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐옥시알킬에스테르;
(메타)아크릴산이미드;
(메타)아크릴산글리시딜 등의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르; (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르;
(메타)아크릴산N-메틸아미노에틸 등의 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 여기서, 「치환 아미노기」란, 아미노기의 1개 또는 2개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환되어 이루어지는 기를 의미한다.
아크릴 수지를 구성하는 모노머는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
아크릴 수지는 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 다른 화합물과 결합 가능한 관능기를 갖고 있어도 된다. 아크릴 수지의 상기 관능기는 후술하는 가교제(F)를 개재하여 다른 화합물과 결합해도 되고, 가교제(F)를 개재하지 않고 다른 화합물과 직접 결합하고 있어도 된다. 아크릴 수지가 상기 관능기에 의해 다른 화합물과 결합함으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상하는 경향이 있다.
본 발명에 있어서는, 중합체 성분(A)으로서 아크릴 수지 이외의 열가소성 수지(이하, 단순히 「열가소성 수지」라고 약기하는 경우가 있다)를, 아크릴 수지를 사용하지 않고 단독으로 사용해도 되고, 아크릴 수지와 병용해도 된다. 상기 열가소성 수지를 사용함으로써, 보호막의 지지 시트로부터의 박리성이 향상하거나 피착체의 요철면에 열경화성 보호막 형성용 필름이 추종하기 쉬워져, 피착체와 열경화성 보호막 형성용 필름 사이에서 보이드 등의 발생이 보다 억제되는 경우가 있다.
상기 열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 1000∼100000인 것이 바람직하고, 3000∼80000인 것이 보다 바람직하다.
상기 열가소성 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -30∼150℃인 것이 바람직하고, -20∼120℃인 것이 보다 바람직하다.
상기 열가소성 수지로는 예를 들면, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리스티렌 등을 들 수 있다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 열가소성 수지는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(III-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 중합체 성분(A)의 함유량 비율(즉, 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의 열경화성 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 중합체 성분(A)의 함유량 비율)은, 중합체 성분(A)의 종류에 상관없이 5∼80질량％인 것이 바람직하고, 8∼70질량％인 것이 보다 바람직하며, 11∼60질량％인 것이 더욱 바람직하고, 14∼50질량％인 것이 특히 바람직하며, 예를 들면, 17∼45질량％ 및 20∼40질량％ 중 어느 하나여도 된다.
보호막 형성용 필름 및 보호막은 통상, 두께가 얇기 때문에, 인성이 낮고 약한 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 사용한 경우에는, 보호막이 형성된 칩의 제조시에 보호막 형성용 필름 또는 보호막에 균열(간극)이 발생한다. 그러나, 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 보호막 형성용 필름 및 보호막의 인성이 보다 높아져, 이러한 문제를 억제하는 효과가 높아진다.
중합체 성분(A)은 열경화성 성분(B)에도 해당하는 경우가 있다. 본 발명에 있어서는, 조성물(III-1)이 이러한 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)의 양쪽에 해당하는 성분을 함유하는 경우, 조성물(III-1)은 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유한다고 간주한다.
[열경화성 성분(B)]
열경화성 성분(B)은 열경화성 보호막 형성용 필름을 경화시키기 위한 성분이다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 열경화성 성분(B)은 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
열경화성 성분(B)으로는 예를 들면, 에폭시계 열경화성 수지, 폴리이미드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있고, 에폭시계 열경화성 수지가 바람직하다.
(에폭시계 열경화성 수지)
에폭시계 열경화성 수지는 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)로 이루어진다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 에폭시계 열경화성 수지는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
·에폭시 수지(B1)
에폭시 수지(B1)로는, 공지의 것을 들 수 있고 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르 및 그 수첨물, 오쏘크레졸노볼락에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 2관능 이상의 에폭시 화합물을 들 수 있다.
에폭시 수지(B1)로는, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용해도 된다.
불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지의 에폭시기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 변환되어 이루어지는 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물은 예를 들면, 에폭시기에 (메타)아크릴산 또는 그 유도체를 부가 반응시킴으로써 얻어진다.
또한, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는, 예를 들면, 에폭시 수지를 구성하는 방향 고리 등에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합한 화합물 등을 들 수 있다. 불포화 탄화수소기는 중합성을 갖는 불포화기이며, 그 구체적인 예로는 에테닐기(비닐기), 2-프로페닐기(알릴기), (메타)아크릴로일기, (메타)아크릴아미드기 등을 들 수 있고, 아크릴로일기가 바람직하다.
에폭시 수지(B1)의 수평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 열경화성 보호막 형성용 필름의 경화성, 그리고 그 경화물인 보호막의 강도 및 내열성의 점에서 300∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하며, 300∼3000인 것이 특히 바람직하다.
에폭시 수지(B1)의 에폭시 당량은 100∼1000g/eq인 것이 바람직하고, 150∼950g/eq인 것이 보다 바람직하다.
에폭시 수지(B1)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
·열경화제(B2)
열경화제(B2)는 에폭시 수지(B1)에 대한 경화제로서 기능한다.
열경화제(B2)로는 예를 들면, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기 관능기로는 예를 들면, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기, 산기가 무수물화된 기 등을 들 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 또는 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하며, 페놀성 수산기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다.
열경화제(B2) 중, 페놀성 수산기를 갖는 페놀 경화제로는 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다.
열경화제(B2) 중, 아미노기를 갖는 아민 경화제로는 예를 들면, 디시안디아미드 등을 들 수 있다.
열경화제(B2)는 불포화 탄화수소기를 갖고 있어도 된다.
열경화제(B2) 중 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등의 수지 성분의 수평균 분자량은 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하며, 500∼3000인 것이 특히 바람직하다.
열경화제(B2) 중 예를 들면, 비페놀, 디시안디아미드 등의 비수지 성분의 분자량은 특별히 한정되지 않으나 예를 들면, 60∼500인 것이 바람직하다.
열경화제(B2)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서, 열경화제(B2)의 함유량은 에폭시 수지(B1)의 함유량 100질량부에 대해 0.1∼500질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼200질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼100질량부인 것이 더욱 바람직하고, 0.5∼50질량부인 것이 특히 바람직하며, 예를 들면, 0.5∼25질량부, 0.5∼10질량부, 및 0.5∼5질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화제(B2)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 경화가 보다 진행되기 쉬워진다. 열경화제(B2)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 흡습률이 저감되고, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서, 열경화성 성분(B)의 함유량(예를 들면, 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)의 총 함유량)은, 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해 10∼200질량부인 것이 바람직하고, 20∼150질량부인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 30∼100질량부, 40∼80질량부, 및 50∼70질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화성 성분(B)의 상기 함유량이 이러한 범위임으로써 예를 들면, 보호막 형성용 필름의 경화물과 지지 시트의 접착력이 억제되어 지지 시트의 박리성이 향상된다.
[광흡수제(I)]
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 광흡수제(I)를 함유하고, 그 함유량이 적절한 경우에는, 보호막의 파장 400∼750㎚의 광의 투과율이 작아져, 상기 Tm이 작아짐으로써 보호막의 존재의 유무를 용이하게 시인할 수 있다.
광흡수제(I)로는, 예를 들면, 유기 색소, 무기 안료 등을 들 수 있다.
상기 유기 색소로는, 예를 들면, 디이모늄계 색소, 아미늄계 색소, 시아닌계 색소, 메로시아닌계 색소, 크로코늄계 색소, 스쿠아릴륨계 색소, 아즈레늄계 색소, 폴리메틴계 색소, 나프토퀴논계 색소, 피릴륨계 색소, 프탈로시아닌계 색소, 나프탈로시아닌계 색소, 나프토락탐계 색소, 아조계 색소, 축합 아조계 색소, 인디고계 색소, 페리논계 색소, 페릴렌계 색소, 디옥사진계 색소, 퀴나크리돈계 색소, 이소인돌리논계 색소, 퀴노프탈론계 색소, 피롤계 색소, 티오인디고계 색소, 금속 착체계 색소(금속 착염 염료), 디티올 금속 착체계 색소, 인돌페놀계 색소, 트리아릴메탄계 색소, 안트라퀴논계 색소, 디옥사진계 색소, 나프톨계 색소, 아조메틴계 색소, 벤즈이미다졸론계 색소, 스피론계 색소, 피란트론계 색소 및 스렌계 색소 등을 들 수 있다.
상기 무기 안료로는, 예를 들면, 카본 블랙 등의 탄소 재료; 란탄계 재료; 주석계 재료; 안티몬계 재료; 텅스텐계 재료 등을 들 수 있다. 여기서, 란탄계 재료, 주석계 재료, 안티몬계 재료, 텅스텐계 재료란, 각각, 란탄을 포함하는 재료, 주석을 포함하는 재료, 안티몬을 포함하는 재료, 텅스텐을 포함하는 재료를 의미한다.
이들 중에서도, 상기 무기 안료는, 분산성이 비교적 우수하고, 또한, 열에 의한 그 자체의 변질이 적다는 관점에서는, 탄소 재료인 것이 바람직하고, 카본 블랙인 것이 보다 바람직하다.
광흡수제(I)는 가시광 및 적외선 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 흡수 가능해도 된다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 광흡수제(I)는, 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. 예를 들면, 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은, 광흡수제(I)로서 유기 색소만을 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 되고, 무기 안료만을 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 되며, 유기 색소 및 무기 안료를 함께 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 된다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은, 가시광 및 적외선 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 흡수 가능한 광흡수제(I)를 2종 이상 함유하고 있어도 되며, 예를 들면, 2∼7종 함유하고 있어도 된다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은, 광흡수제(I)로서 무기 안료를 함유하는 경우, 탄소 재료를 함유하고 있어도 되며, 그 경우, 예를 들면, 탄소 재료 및 유기 색소를 함께 함유하고 있어도 된다.
광흡수제(I)를 사용하는 경우, 조성물(III-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 광흡수제(I)의 함유량 비율(즉, 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의 열경화성 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 광흡수제(I)의 함유량 비율)은, 0.1∼20질량％인 것이 바람직하고, 0.3∼17.5질량％인 것이 보다 바람직하며, 0.5∼16질량％인 것이 더욱 바람직하고, 1∼15질량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 광흡수제(I)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 상기 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 광흡수제(I)의 과잉 사용이 억제된다.
[경화 촉진제(C)]
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 경화 촉진제(C)를 함유하고 있어도 된다. 경화 촉진제(C)는 조성물(III-1)의 경화 속도를 조정하기 위한 성분이다.
바람직한 경화 촉진제(C)로는 예를 들면, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3차 아민; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류(1개 이상의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 이미다졸); 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류(1개 이상의 수소 원자가 유기기로 치환된 포스핀); 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 경화 촉진제(C)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
경화 촉진제(C)를 사용하는 경우, 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서, 경화 촉진제(C)의 함유량은 열경화성 성분(B)의 함유량 100질량부에 대해 0.01∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼7질량부인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제(C)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 경화 촉진제(C)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 경화 촉진제(C)의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써 예를 들면, 고극성 경화 촉진제(C)가 고온·고습도 조건하에서 열경화성 보호막 형성용 필름 중에 있어서 피착체와의 접착 계면측으로 이동하여 편석하는 것을 억제하는 효과가 높아진다. 그 결과, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 보호막이 형성된 칩의 신뢰성이 보다 향상된다.
[충전재(D)]
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 충전재(D)를 함유하고 있어도 된다. 열경화성 보호막 형성용 필름이 충전재(D)를 함유함으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름과 그 경화물(즉, 보호막)은 열팽창 계수의 조정이 용이해지며, 이 열팽창 계수를 보호막의 형성 대상물에 대해 최적화함으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 보호막이 형성된 칩의 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 열경화성 보호막 형성용 필름이 충전재(D)를 함유함으로써, 보호막의 흡습률을 저감하거나 방열성을 향상시킬 수도 있다.
충전재(D)는 유기 충전재 및 무기 충전재 중 어느 것이어도 되지만, 무기 충전재인 것이 바람직하다.
바람직한 무기 충전재로는 예를 들면, 실리카, 스테인리스강, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄 화이트, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말; 이들 무기 충전재를 구형화한 비즈; 이들 무기 충전재의 표면 개질품; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유; 유리 섬유 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 무기 충전재는 실리카 또는 알루미나인 것이 바람직하고, 실리카인 것이 특히 바람직하다. 실리카 또는 알루미나를 사용한 경우에는, 보호막의 S100의 조절이 보다 용이해지고, 또한, 보호막에 절연성이 요구되는 경우에는, 보호막에 대한 절연성의 부여가 보다 용이해진다.
충전재(D)의 평균 입자 직경은 특별히 한정되지 않지만, 10∼4000㎚인 것이 바람직하고, 30∼3500㎚인 것이 보다 바람직하다. 충전재(D)의 평균 입자 직경이 이러한 범위임으로써, 충전재(D)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다.
예를 들면, 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름 중에서의 충전재(D)의 양을 용이하게 증대시킬 수 있으며, 보호막의 S100의 조절이 보다 용이해지는 점에서는, 충전재(D)의 평균 입자 직경은 10∼2500㎚인 것이 바람직하고, 20∼1000㎚인 것이 보다 바람직하며, 30∼600㎚인 것이 더욱 바람직하다. 한편, 어느 경우에도 평균 입자 직경이 상기 하한값 이상인 충전재(D)는 취급성이 양호하고, 이 때문에, 조성물(III-1)의 품질이 안정되어 보호막을 사용한 것에 의한 효과를 안정되게 얻어지는 점에서 유리하다.
한편, 본 명세서에 있어서 「평균 입자 직경」이란, 특별히 언급하지 않는 한, 레이저 회절 산란법에 따라 구해진 입도 분포 곡선에 있어서의 적산값 50％에서의 입자 직경(D50)의 값을 의미한다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 충전재(D)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
충전재(D)를 사용하는 경우, 조성물(III-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 충전재(D)의 함유량 비율(즉, 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의 열경화성 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 충전재(D)의 함유량 비율)은, 5∼70질량％인 것이 바람직하고, 예를 들면, 8∼65질량％, 11∼60질량％, 14∼55질량％, 및 17∼50질량％ 중 어느 하나여도 된다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기 열경화성 보호막 형성용 필름과 그 경화물(즉, 보호막)의 열팽창 계수의 조절이나, 보호막의 S100의 조절이 보다 용이해진다.
[커플링제(E)]
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 커플링제(E)를 함유하고 있어도 된다. 커플링제(E)로서 무기 화합물 또는 유기 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는 것을 사용함으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 피착체에 대한 접착성 및 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 커플링제(E)를 사용함으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 경화물은 내열성을 저해하지 않고, 내수성이 향상된다.
커플링제(E)는 중합체 성분(A), 열경화성 성분(B) 등이 갖는 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다.
바람직한 상기 실란 커플링제로는 예를 들면, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란, 3-글리시딜옥시메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필메틸디에톡시실란, 3-(페닐아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아닐리노프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 커플링제(E)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
커플링제(E)를 사용하는 경우, 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서, 커플링제(E)의 함유량은 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)의 총 함유량 100질량부에 대해 0.03∼10질량부인 것이 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.1∼2질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(E)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 충전재(D)의 수지에 대한 분산성의 향상이나, 열경화성 보호막 형성용 필름의 피착체와의 접착성의 향상 등, 커플링제(E)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 커플링제(E)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다.
[가교제(F)]
중합체 성분(A)으로서 상술한 아크릴 수지 등의 다른 화합물과 결합 가능한 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 관능기를 갖는 것을 사용하는 경우, 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 가교제(F)를 함유하고 있어도 된다. 가교제(F)는 중합체 성분(A) 중의 상기 관능기를 다른 화합물과 결합시켜 가교하기 위한 성분이며, 이와 같이 가교함으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수 있다.
가교제(F)로는, 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 금속 킬레이트 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제), 아지리딘 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.
중합체 성분(A)으로서 상술한 관능기를 갖는 아크릴 수지 등을 사용하는 경우, 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은, 가교제(F)로서 가열에 의해 상기 관능기와 반응하는 가교제를 함유하고 있어도 된다. 가열에 의해 상기 관능기와 반응하는 가교제로는, 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기를 블록화한 블록 이소시아네이트 화합물, 에스테르 교환 반응성을 갖는 다관능 화합물 등을 들 수 있다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 가교제(F)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
가교제(F)를 사용하는 경우, 조성물(III-1)에 있어서, 가교제(F)의 함유량은 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해 0.01∼20질량부인 것이 바람직하며, 0.1∼10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 가교제(F)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 가교제(F)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 가교제(F)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 가교제(F)의 과잉 사용이 억제된다.
[에너지선 경화성 수지(G)]
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하고 있어도 된다. 열경화성 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하고 있음으로써, 에너지선의 조사에 의해 특성을 변화시킬 수 있다.
에너지선 경화성 수지(G)는 에너지선 경화성 화합물을 중합(경화)하여 얻어진 것이다.
상기 에너지선 경화성 화합물로는 예를 들면, 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖는 화합물을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트 화합물이 바람직하다.
상기 아크릴레이트 화합물로는 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트 등의 사슬형 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트; 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트 등의 고리형 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트; 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트; 올리고에스테르(메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머; 에폭시 변성 (메타)아크릴레이트; 상기 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트 이외의 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 이타콘산 올리고머 등을 들 수 있다.
상기 에너지선 경화성 화합물의 중량 평균 분자량은 100∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하다.
중합에 사용하는 상기 에너지선 경화성 화합물은 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 에너지선 경화성 수지(G)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
에너지선 경화성 수지(G)를 사용하는 경우, 조성물(III-1)에 있어서, 조성물(III-1)의 총 질량에 대한 에너지선 경화성 수지(G)의 함유량 비율은 1∼95질량％인 것이 바람직하고, 5∼90질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼85질량％인 것이 특히 바람직하다.
[광중합 개시제(H)]
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하는 경우, 에너지선 경화성 수지(G)의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제(H)를 함유하고 있어도 된다.
조성물(III-1)에 있어서의 광중합 개시제(H)로는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2-히드록시-1-(4-(4-(2-히드록시-2-메틸프로피오닐)벤질)페닐)-2-메틸프로판-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드 등의 설파이드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 1-클로로안트라퀴논, 2-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물을 들 수 있다.
또한, 광중합 개시제(H)로는, 예를 들면, 아민 등의 광증감제 등을 사용할 수도 있다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 광중합 개시제(H)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
광중합 개시제(H)를 사용하는 경우, 조성물(III-1)에 있어서, 광중합 개시제(H)의 함유량은 에너지선 경화성 수지(G)의 함유량 100질량부에 대해 0.1∼20질량부인 것이 바람직하고, 1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 2∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.
[범용 첨가제(J)]
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 범용 첨가제(J)를 함유하고 있어도 된다.
범용 첨가제(J)는 공지의 것이면 되고, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있으며, 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로는 예를 들면, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 게터링제, 자외선 흡수제, 점착 부여제 등을 들 수 있다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 범용 첨가제(J)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름의 범용 첨가제(J)의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다.
[용매]
조성물(III-1)은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 조성물(III-1)은 취급성이 양호해진다.
상기 용매는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로는 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.
조성물(III-1)이 함유하는 용매는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(III-1)이 함유하는 용매로 보다 바람직한 것으로는 예를 들면, 조성물(III-1) 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤, 톨루엔, 초산에틸 등을 들 수 있다.
조성물(III-1)의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜열경화성 보호막 형성용 조성물의 제조 방법＞
조성물(III-1) 등의 열경화성 보호막 형성용 조성물은, 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다.
배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다.
각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도와 시간은, 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되지만, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.
◎에너지선 경화성 보호막 형성용 필름
에너지선 경화성 보호막 형성용 필름을 에너지선 경화시켜 보호막을 형성할 때의 경화 조건은, 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한 특별히 한정되지 않고, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
예를 들면, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름의 에너지선 경화시에 있어서의 에너지선의 조도는 60∼320mW/㎠인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 경화시에 있어서의 에너지선의 광량은 100∼1000mJ/㎠인 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 보호막 형성용 필름으로는 예를 들면, 에너지선 경화성 성분(a)을 함유하는 것을 들 수 있고, 또한 광흡수제를 함유하는 것이어도 되며, 광흡수제 및 충전재를 함께 함유하는 것이어도 된다.
에너지선 경화성 보호막 형성용 필름에 있어서, 에너지선 경화성 성분(a)은 미경화인 것이 바람직하고, 점착성을 갖는 것이 바람직하며, 미경화이면서 또한 점착성을 갖는 것이 보다 바람직하다.
＜에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물(IV-1)＞
바람직한 에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물로는 예를 들면, 상기 에너지선 경화성 성분(a)을 함유하는 에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물(IV-1)(본 명세서에 있어서는, 단순히 「조성물(IV-1)」이라고 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다. 조성물(IV-1)은 추가로 광흡수제를 함유하고 있어도 된다.
[에너지선 경화성 성분(a)]
에너지선 경화성 성분(a)은 에너지선의 조사에 의해 경화되는 성분이며, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름에 조막성이나, 가요성 등을 부여함과 함께, 경화 후에 경질의 보호막을 형성하기 위한 성분이기도 하다.
에너지선 경화성 성분(a)으로는 예를 들면, 에너지선 경화성기를 갖는 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1) 및 에너지선 경화성기를 갖는 분자량이 100∼80000인 화합물(a2)을 들 수 있다. 상기 중합체(a1)는 그 적어도 일부가 가교제에 의해 가교된 것이어도 되며, 가교되어 있지 않은 것이어도 된다.
(에너지선 경화성기를 갖는 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1))
에너지선 경화성기를 갖는 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1)로는 예를 들면, 다른 화합물이 갖는 기와 반응 가능한 관능기를 갖는 아크릴 중합체(a11)와, 상기 관능기와 반응하는 기, 및 에너지선 경화성 이중 결합 등의 에너지선 경화성기를 갖는 에너지선 경화성 화합물(a12)이 반응하여 이루어지는 아크릴 수지(a1-1)를 들 수 있다.
다른 화합물이 갖는 기와 반응 가능한 상기 관능기로는 예를 들면, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기(아미노기의 1개 또는 2개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환되어 이루어지는 기), 에폭시기 등을 들 수 있다. 단, 웨이퍼나 칩 등의 회로의 부식을 방지한다는 점에서는, 상기 관능기는 카르복시기 이외의 기인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 상기 관능기는 수산기인 것이 바람직하다.
·관능기를 갖는 아크릴 중합체(a11)
상기 관능기를 갖는 아크릴 중합체(a11)로는 예를 들면, 상기 관능기를 갖는 아크릴 모노머와, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴 모노머가 공중합하여 이루어지는 것을 들 수 있고, 이들 모노머 이외에, 추가로 아크릴 모노머 이외의 모노머(비아크릴 모노머)가 공중합한 것이어도 된다.
또한, 상기 아크릴 중합체(a11)는 랜덤 공중합체여도 되고, 블록 공중합체여도 되며, 중합 방법에 대해서도 공지의 방법을 채용할 수 있다.
상기 관능기를 갖는 아크릴 모노머로는 예를 들면, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 치환 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다.
상기 수산기 함유 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산히드록시알킬; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 비(메타)아크릴 불포화 알코올((메타)아크릴로일 골격을 갖지 않는 불포화 알코올) 등을 들 수 있다.
상기 카르복시기 함유 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노카르복실산); 푸마르산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 갖는 디카르복실산); 상기 에틸렌성 불포화 디카르복실산의 무수물; 2-카르복시에틸메타크릴레이트 등의 (메타)아크릴산카르복시알킬에스테르 등을 들 수 있다.
상기 관능기를 갖는 아크릴 모노머는 수산기 함유 모노머가 바람직하다.
상기 아크릴 중합체(a11)를 구성하는, 상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 관능기를 갖지 않는 아크릴 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴) 등의 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수 1∼18의 사슬형 구조인 (메타)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다.
또한, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산메톡시메틸, (메타)아크릴산메톡시에틸, (메타)아크릴산에톡시메틸, (메타)아크릴산에톡시에틸 등의 알콕시알킬기 함유 (메타)아크릴산에스테르; (메타)아크릴산페닐 등의 (메타)아크릴산아릴에스테르 등을 포함하는, 방향족기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르; 비가교성 (메타)아크릴아미드 및 그 유도체; (메타)아크릴산N,N-디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산N,N-디메틸아미노프로필 등의 비가교성 3차 아미노기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등도 들 수 있다.
상기 아크릴 중합체(a11)를 구성하는, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 비아크릴 모노머로는 예를 들면, 에틸렌, 노보넨 등의 올레핀; 초산비닐; 스티렌 등을 들 수 있다.
상기 아크릴 중합체(a11)를 구성하는 상기 비아크릴 모노머는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 아크릴 중합체(a11)에 있어서, 이를 구성하는 구성 단위의 전체량에 대한, 상기 관능기를 갖는 아크릴 모노머로부터 유도된 구성 단위의 양의 비율(함유량)은 0.1∼50질량％인 것이 바람직하며, 1∼40질량％인 것이 보다 바람직하고, 3∼30질량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기 아크릴 중합체(a11)와 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)의 공중합에 의해 얻어진 상기 아크릴 수지(a1-1)에 있어서, 에너지선 경화성기의 함유량은 보호막의 경화의 정도를 바람직한 범위로 조절 가능해진다.
상기 아크릴 수지(a1-1)를 구성하는 상기 아크릴 중합체(a11)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(IV-1)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대한 아크릴 수지(a1-1)의 함유량 비율(즉, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의 상기 필름의 총 질량에 대한 아크릴 수지(a1-1)의 함유량 비율)은, 1∼70질량％인 것이 바람직하고, 5∼60질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼50질량％인 것이 특히 바람직하다.
·에너지선 경화성 화합물(a12)
상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 상기 아크릴 중합체(a11)가 갖는 관능기와 반응 가능한 기로서, 이소시아네이트기, 에폭시기 및 카르복시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 갖는 것이 바람직하고, 상기 기로서 이소시아네이트기를 갖는 것이 보다 바람직하다. 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 예를 들면, 상기 기로서 이소시아네이트기를 갖는 경우, 이 이소시아네이트기가 상기 관능기로서 수산기를 갖는 아크릴 중합체(a11)의 이 수산기와 용이하게 반응한다.
상기 에너지선 경화성 화합물(a12)이 그 1분자 중에 갖는 상기 에너지선 경화성기의 수는, 특별히 한정되지 않고 예를 들면, 목적으로 하는 보호막에 요구되는 수축률 등의 물성을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.
예를 들면, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 1분자 중에 상기 에너지선 경화성기를 1∼5개 갖는 것이 바람직하고, 1∼3개 갖는 것이 보다 바람직하다.
상기 에너지선 경화성 화합물(a12)로는 예를 들면, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트;
디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물;
디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트인 것이 바람직하다.
상기 아크릴 수지(a1-1)를 구성하는 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 아크릴계 수지(a1-1)에 있어서, 상기 아크릴 중합체(a11)에서 유래하는 상기 관능기의 함유량에 대한 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)에서 유래하는 에너지선 경화성기의 함유량 비율은 20∼120몰％인 것이 바람직하며, 35∼100몰％인 것이 보다 바람직하고, 50∼100몰％인 것이 특히 바람직하다. 상기 함유량 비율이 이러한 범위임으로써, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름의 경화물의 접착력이 보다 커진다. 한편, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)이 1관능(상기 기를 1분자 중에 1개 갖는) 화합물인 경우에는, 상기 함유량 비율의 상한값은 100몰％가 되지만, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)이 다관능(상기 기를 1분자 중에 2개 이상 갖는) 화합물인 경우에는, 상기 함유량 비율의 상한값은 100몰％를 초과하는 경우가 있다.
상기 중합체(a1)의 중량 평균 분자량(Mw)은 100000∼2000000인 것이 바람직하고, 300000∼1500000인 것이 보다 바람직하다.
여기서, 「중량 평균 분자량」이란, 앞서 설명한 바와 같다.
조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 중합체(a1)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
(에너지선 경화성기를 갖는 분자량이 100∼80000인 화합물(a2))
에너지선 경화성기를 갖는 분자량이 100∼80000인 화합물(a2) 중의 상기 에너지선 경화성기로는, 에너지선 경화성 이중 결합을 포함하는 기를 들 수 있고, 바람직한 것으로는 (메타)아크릴로일기, 비닐기 등을 들 수 있다.
상기 화합물(a2)은 상기 조건을 만족하는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 에너지선 경화성기를 갖는 저분자량 화합물, 에너지선 경화성기를 갖는 에폭시 수지, 에너지선 경화성기를 갖는 페놀 수지 등을 들 수 있다.
상기 화합물(a2) 중, 에너지선 경화성기를 갖는 저분자량 화합물로는 예를 들면, 다관능의 모노머 또는 올리고머 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트 화합물이 바람직하다.
상기 아크릴레이트 화합물로는 예를 들면, 2-히드록시-3-(메타)아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 에톡시화 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시폴리에톡시)페닐]프로판, 에톡시화 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시디에톡시)페닐]프로판, 9,9-비스[4-(2-(메타)아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시폴리프로폭시)페닐]프로판, 트리시클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리테트라메틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디(메타)아크릴옥시프로판 등의 2관능 (메타)아크릴레이트;
트리스(2-(메타)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(2-(메타)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 에톡시화 글리세린트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트, 에톡시화 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨폴리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 다관능 (메타)아크릴레이트;
우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머 등의 다관능 (메타)아크릴레이트 올리고머 등을 들 수 있다.
상기 화합물(a2) 중, 에너지선 경화성기를 갖는 에폭시 수지, 에너지선 경화성기를 갖는 페놀 수지로는 예를 들면, 「일본 공개특허공보 2013-194102호」의 단락 0043 등에 기재되어 있는 것을 사용할 수 있다. 이러한 수지는 후술하는 열경화성 성분을 구성하는 수지에도 해당하지만, 조성물(IV-1)에 있어서는 상기 화합물(a2)로서 취급한다.
상기 화합물(a2)의 중량 평균 분자량은 100∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하다.
조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 화합물(a2)은 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
[에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)]
조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름은 상기 에너지선 경화성 성분(a)으로서 상기 화합물(a2)을 함유하는 경우, 추가로 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)도 함유하는 것이 바람직하다.
상기 중합체(b)는 그 적어도 일부가 가교제에 의해 가교된 것이어도 되며, 가교되어 있지 않은 것이어도 된다.
에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는 예를 들면, 아크릴 중합체, 페녹시 수지, 우레탄 수지, 폴리에스테르, 고무계 수지, 아크릴우레탄 수지 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 상기 중합체(b)는 아크릴 중합체(이하, 「아크릴 중합체(b-1)」라고 약기하는 경우가 있다)인 것이 바람직하다.
아크릴 중합체(b-1)는 공지의 것이어도 되고, 예를 들면, 1종의 아크릴 모노머의 단독 중합체여도 되며, 2종 이상의 아크릴 모노머의 공중합체여도 되고, 1종또는 2종 이상의 아크릴 모노머와, 1종 또는 2종 이상의 아크릴 모노머 이외의 모노머(비아크릴 모노머)의 공중합체여도 된다.
아크릴 중합체(b-1)를 구성하는 상기 아크릴 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산알킬에스테르, 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴산에스테르, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 여기서, 「치환 아미노기」란, 앞서 설명한 바와 같다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로는 예를 들면, 앞서 설명한 아크릴 중합체(a11)를 구성하는, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴 모노머(알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수 1∼18의 사슬형 구조인 (메타)아크릴산알킬에스테르 등)와 동일한 것을 들 수 있다.
상기 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산디시클로펜타닐 등의 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르;
(메타)아크릴산벤질 등의 (메타)아크릴산아랄킬에스테르;
(메타)아크릴산디시클로펜테닐에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐에스테르;
(메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐옥시알킬에스테르 등을 들 수 있다.
상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산글리시딜 등을 들 수 있다.
상기 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등을 들 수 있다.
상기 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는 예를 들면, (메타)아크릴산N-메틸아미노에틸 등을 들 수 있다.
아크릴 중합체(b-1)를 구성하는 상기 비아크릴 모노머로는 예를 들면, 에틸렌, 노보넨 등의 올레핀; 초산비닐; 스티렌 등을 들 수 있다.
적어도 일부가 가교제에 의해 가교된 상기 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는 예를 들면, 상기 중합체(b) 중의 반응성 관능기가 가교제와 반응한 것을 들 수 있다.
상기 반응성 관능기는 가교제의 종류 등에 따라 적절히 선택하면 되며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 가교제가 폴리이소시아네이트 화합물인 경우에는, 상기 반응성 관능기로는 수산기, 카르복시기, 아미노기 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 이소시아네이트기와의 반응성이 높은 수산기가 바람직하다. 또한, 가교제가 에폭시 화합물인 경우에는, 상기 반응성 관능기로는 카르복시기, 아미노기, 아미드기 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 에폭시기와의 반응성이 높은 카르복시기가 바람직하다. 단, 웨이퍼나 칩의 회로의 부식을 방지한다는 점에서는, 상기 반응성 관능기는 카르복시기 이외의 기인 것이 바람직하다.
상기 반응성 관능기를 갖는 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는 예를 들면, 적어도 상기 반응성 관능기를 갖는 모노머를 중합시켜 얻어진 것을 들 수 있다. 아크릴 중합체(b-1)의 경우이면, 이를 구성하는 모노머로서 든, 상기 아크릴 모노머 및 비아크릴 모노머 중 어느 한쪽 또는 양쪽으로서, 상기 반응성 관능기를 갖는 것을 사용하면 된다. 반응성 관능기로서 수산기를 갖는 상기 중합체(b)로는 예를 들면, 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르를 중합하여 얻어진 것을 들 수 있고, 이 이외에도 앞서 든 상기 아크릴 모노머 또는 비아크릴 모노머에 있어서, 1개 또는 2개 이상의 수소 원자가 상기 반응성 관능기로 치환되어 이루어지는 모노머를 중합하여 얻어진 것을 들 수 있다.
반응성 관능기를 갖는 상기 중합체(b)에 있어서, 이를 구성하는 구성 단위의 전체량에 대한, 반응성 관능기를 갖는 모노머로부터 유도된 구성 단위의 양의 비율(함유량)은 1∼20질량％인 것이 바람직하고, 2∼10질량％인 것이 보다 바람직하다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기 중합체(b)에 있어서, 가교의 정도가 보다 바람직한 범위가 된다.
에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 중량 평균 분자량(Mw)은 조성물(IV-1)의 조막성이 보다 양호해지는 점에서, 10000∼2000000인 것이 바람직하고, 100000∼1500000인 것이 보다 바람직하다. 여기서, 「중량 평균 분자량」이란, 앞서 설명한 바와 같다.
조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는, 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(IV-1)로는 상기 중합체(a1) 및 상기 화합물(a2) 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 함유하는 것을 들 수 있다. 그리고, 조성물(IV-1)은 상기 화합물(a2)을 함유하는 경우, 추가로 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)도 함유하는 것이 바람직하고, 이 경우, 추가로 상기 (a1)을 함유하는 것도 바람직하다. 또한, 조성물(IV-1)은 상기 화합물(a2)을 함유하지 않고, 상기 중합체(a1) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 함께 함유하고 있어도 된다.
조성물(IV-1)이 상기 중합체(a1), 상기 화합물(a2) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 함유하는 경우, 조성물(IV-1)에 있어서, 상기 화합물(a2)의 함유량은 상기 중합체(a1) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 총 함유량 100질량부에 대해 10∼400질량부인 것이 바람직하고, 30∼350질량부인 것이 보다 바람직하다.
조성물(IV-1)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대한 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 합계 함유량 비율(즉, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의 상기 필름의 총 질량에 대한 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 합계 함유량 비율)은, 5∼90질량％인 것이 바람직하며, 10∼80질량％인 것이 보다 바람직하고, 20∼70질량％인 것이 특히 바람직하다. 에너지선 경화성 성분의 함유량의 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름의 에너지선 경화성이 보다 양호해진다.
[광흡수제]
조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름이 광흡수제를 함유하고, 그 함유량이 적절한 경우에는, 보호막의 파장 400∼750㎚의 광의 투과율이 작아져, 상기 Tm이 작아짐으로써 보호막의 존재의 유무를 용이하게 시인할 수 있다.
조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 광흡수제는, 앞서 설명한 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 광흡수제(I)와 동일하다.
조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름의 광흡수제의 함유의 양태는, 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름의 광흡수제(I)의 함유의 양태와 동일해도 된다.
예를 들면, 조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 광흡수제는, 가시광 및 적외선 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 흡수 가능해도 된다.
조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 광흡수제는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. 예를 들면, 조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름은, 광흡수제로서 유기 색소만을 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 되고, 무기 안료만을 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 되며, 유기 색소 및 무기 안료를 함께 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 된다.
조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름은, 가시광 및 적외선 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 흡수 가능한 광흡수제를 2종 이상 함유하고 있어도 되며, 예를 들면, 2∼7종 함유하고 있어도 된다.
조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름은, 광흡수제로서 무기 안료를 함유하는 경우, 탄소 재료를 함유하고 있어도 되며, 탄소 재료 및 유기 색소를 함께 함유하고 있어도 된다.
광흡수제를 사용하는 경우, 조성물(IV-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 광흡수제의 함유량 비율(즉, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 광흡수제의 함유량 비율)은, 0.1∼20질량％여도 된다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 광흡수제를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 상기 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 광흡수제의 과잉 사용이 억제된다.
조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름은, 목적에 따라 상기 에너지선 경화성 성분(a)과, 상기 중합체(b)와, 상기 광흡수제의 어느 것에도 해당하지 않는 열경화성 성분, 충전재, 커플링제, 가교제, 광중합 개시제 및 범용 첨가제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 함유하고 있어도 된다.
조성물(IV-1)에 있어서의 상기 열경화성 성분, 충전재, 커플링제, 가교제, 광중합 개시제 및 범용 첨가제로는, 각각 조성물(III-1)에 있어서의 열경화성 성분(B), 충전재(D), 커플링제(E), 가교제(F), 광중합 개시제(H) 및 범용 첨가제(J)와 동일한 것을 들 수 있다.
예를 들면, 조성물(IV-1)이 열경화성 성분을 함유하는 경우, 이러한 조성물(IV-1)을 사용함으로써 형성되는 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름은, 가열에 의해 피착체에 대한 접착력이 향상되고, 이 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름으로부터 형성된 보호막의 강도도 향상된다.
조성물(IV-1)에 있어서, 상기 열경화성 성분, 충전재, 커플링제, 가교제, 광중합 개시제 및 범용 첨가제는, 각각 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(IV-1)에 있어서의 상기 열경화성 성분, 충전재, 커플링제, 가교제, 광중합 개시제 및 범용 첨가제의 함유량은 목적에 따라 적절히 조절하면 되며, 특별히 한정되지 않는다.
조성물(IV-1)은 희석에 의해 그 취급성이 향상하는 점에서, 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다.
조성물(IV-1)이 함유하는 용매로는 예를 들면, 조성물(III-1)에 있어서의 용매와 동일한 것을 들 수 있다.
조성물(IV-1)이 함유하는 용매는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 된다.
조성물(IV-1)의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물의 제조 방법＞
조성물(IV-1) 등의 에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물은, 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물은 예를 들면, 배합 성분의 종류가 상이한 점 이외에는, 앞서 설명한 열경화성 보호막 형성용 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
◎비경화성 보호막 형성용 필름
바람직한 비경화성 보호막 형성용 필름으로는 예를 들면, 열가소성 수지를 함유하는 것을 들 수 있고, 추가로 광흡수제 및 충전재를 함유하는 것이어도 된다.
＜비경화성 보호막 형성용 조성물(V-1)＞
바람직한 비경화성 보호막 형성용 조성물로는 예를 들면, 상기 열가소성 수지를 함유하는 비경화성 보호막 형성용 조성물(V-1)(본 명세서에 있어서는, 단순히 「조성물(V-1)」이라고 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다. 조성물(V-1)은 추가로 광흡수제 및 충전재를 함유하고 있어도 된다.
[열가소성 수지]
상기 열가소성 수지는 특별히 한정되지 않는다.
상기 열가소성 수지로서, 보다 구체적으로는 예를 들면, 상술한 조성물(III-1)의 함유 성분으로서 든 아크릴 수지, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리스티렌 등의 경화성이 아닌 수지와 동일한 것을 들 수 있다.
조성물(V-1) 및 비경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 열가소성 수지는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(V-1)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대한 상기 열가소성 수지의 함유량 비율(즉, 비경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의 비경화성 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 상기 열가소성 수지의 함유량 비율)은, 25∼75질량％인 것이 바람직하다.
[광흡수제]
조성물(V-1) 및 비경화성 보호막 형성용 필름이 광흡수제를 함유하고, 그 함유량이 적절한 경우에는, 보호막의 파장 400∼750㎚의 광의 투과율이 작아져, 상기 Tm이 작아짐으로써 보호막의 존재의 유무를 용이하게 시인할 수 있다.
조성물(V-1) 및 비경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 광흡수제는, 앞서 설명한 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 광흡수제(I)와 동일하다.
조성물(V-1) 및 비경화성 보호막 형성용 필름의 광흡수제의 함유의 양태는, 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름의 광흡수제(I)의 함유의 양태와 동일해도 된다.
예를 들면, 조성물(V-1) 및 비경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 광흡수제는, 가시광 및 적외선 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 흡수 가능해도 된다.
조성물(V-1) 및 비경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 광흡수제는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. 예를 들면, 조성물(V-1) 및 비경화성 보호막 형성용 필름은, 광흡수제로서 유기 색소만을 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 되고, 무기 안료만을 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 되며, 유기 색소 및 무기 안료를 함께 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 된다.
조성물(V-1) 및 비경화성 보호막 형성용 필름은, 가시광 및 적외선 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 흡수 가능한 광흡수제를 2종 이상 함유하고 있어도 되며, 예를 들면, 2∼7종 함유하고 있어도 된다.
조성물(V-1) 및 비경화성 보호막 형성용 필름은, 광흡수제로서 무기 안료를 함유하는 경우, 탄소 재료를 함유하고 있어도 되며, 탄소 재료 및 유기 색소를 함께 함유하고 있어도 된다.
조성물(V-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 광흡수제의 함유량 비율(즉, 비경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의 비경화성 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 광흡수제의 함유량 비율)은, 0.1∼20질량％여도 된다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 광흡수제를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 상기 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 광흡수제의 과잉 사용이 억제된다.
[충전재]
충전재를 함유하는 비경화성 보호막 형성용 필름은 충전재(D)를 함유하는 열경화성 보호막 형성용 필름과 동일한 효과를 나타낸다.
조성물(V-1) 및 비경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 충전재로는, 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 충전재(D)와 동일한 것을 들 수 있다.
조성물(V-1) 및 비경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 충전재는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(V-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 충전재의 함유량 비율(즉, 비경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의 비경화성 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 충전재의 함유량 비율)은, 25∼75질량％인 것이 바람직하다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 조성물(III-1)을 사용한 경우와 마찬가지로, 비경화성 보호막 형성용 필름(즉, 보호막)의 열팽창 계수의 조정이 보다 용이해진다.
조성물(V-1)은 목적에 따라 상기 열가소성 수지와, 상기 광흡수제와, 상기 충전재의 어느 것에도 해당하지 않는 다른 성분을 함유하고 있어도 된다.
상기 다른 성분은 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있다.
조성물(V-1)에 있어서, 상기 다른 성분은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
조성물(V-1)의 상기 다른 성분의 함유량은 목적에 따라 적절히 조절하면 되며, 특별히 한정되지 않는다.
조성물(V-1)은 희석에 의해 그 취급성이 향상하는 점에서, 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다.
조성물(V-1)이 함유하는 용매로는 예를 들면, 상술한 조성물(III-1)에 있어서의 용매와 동일한 것을 들 수 있다.
조성물(V-1)이 함유하는 용매는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 된다.
조성물(V-1)의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
＜비경화성 보호막 형성용 조성물의 제조 방법＞
조성물(V-1) 등의 비경화성 보호막 형성용 조성물은, 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
비경화성 보호막 형성용 조성물은 예를 들면, 배합 성분의 종류가 상이한 점 이외에는, 앞서 설명한 열경화성 보호막 형성용 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 한편, 이하의 설명에서 이용하는 도면은, 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있으며, 각 구성 요소의 치수 비율 등이 실제와 동일한 것으로는 한정되지 않는다.
여기에 나타내는 보호막 형성용 필름(13)은 그 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(13a) 상에 제1 박리 필름(151)을 구비하고, 상기 제1 면(13a)과는 반대측의 다른 쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(13b) 상에 제2 박리 필름(152)을 구비하고 있다.
이러한 보호막 형성용 필름(13)은 예를 들면, 롤상으로서 보존하기에 바람직하다.
보호막 형성용 필름(13)은 상술한 특성을 갖는다.
보호막 형성용 필름(13)은 상술한 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다.
제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152)은, 모두 공지의 것이어도 된다. 제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152)은, 서로 동일한 것이어도 되며, 예를 들면, 필름상 접착제(13)로부터 박리시킬 때 필요한 박리력이 서로 상이하는 등, 서로 상이한 것이어도 된다.
도 1에 나타내는 보호막 형성용 필름(13)은 제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152)의 어느 한쪽이 제거되어 생긴 노출면이 웨이퍼(도시 생략)의 이면에 대한 첩부면이 된다. 그리고, 제1 박리 필름(151) 및 제2 박리 필름(152)의 나머지의 다른 쪽이 제거되어 생긴 노출면이, 후술하는 지지 시트 또는 다이싱 시트(본 명세서에 있어서는 「다이싱 테이프」라고 칭하기도 한다)의 첩부면이 된다. 예를 들면, 상기 제1 면(13a)이 웨이퍼의 이면에 대한 첩부면인 경우에는, 상기 제2 면(13b)이 지지 시트 또는 다이싱 시트의 첩부면이 된다.
도 1에 있어서는, 박리 필름이 보호막 형성용 필름(13)의 양면(제1 면(13a), 제2 면(13b))에 형성되어 있는 예를 나타내고 있지만, 박리 필름은 보호막 형성용 필름(13)의 어느 한쪽 면만, 즉, 제1 면(13a)만 또는 제2 면(13b)에만 형성되어 있어도 된다.
본 실시형태의 보호막 형성용 필름은 후술하는 지지 시트와 병용하지 않고, 웨이퍼의 이면에 첩부할 수 있다. 그 경우에는, 보호막 형성용 필름의 웨이퍼에 대한 첩부면과는 반대측 면에는, 박리 필름이 형성되어 있어도 되며, 이 박리 필름은 적절한 타이밍에서 제거하면 된다. 이 박리 필름을 제거한 후의 보호막 형성용 필름의 노출면에는, 다이싱 시트를 첩부하고, 다이싱, 즉 웨이퍼의 분할 및 보호막 형성용 필름 또는 보호막의 절단을 행함으로써, 보호막이 형성된 칩을 제작할 수 있다.
한편, 본 실시형태의 보호막 형성용 필름은 후술하는 지지 시트와 병용함으로써, 보호막의 형성과 다이싱을 모두 행할 수 있는 보호막 형성용 복합 시트를 구성 가능하다. 이하, 이러한 보호막 형성용 복합 시트에 대해 설명한다.
◇보호막 형성용 복합 시트
본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트는, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 보호막 형성용 필름을 구비하고 있으며, 상기 보호막 형성용 필름이 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름이다.
본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트를 사용함으로써, 1개 또는 2개 이상(통상은 2개 이상)의 보호막이 형성된 칩, 또는 1장의 보호막이 형성된 웨이퍼가 1장의 지지 시트 상에서 유지되고, 또한, 상기 지지 시트가 그 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼측 면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드된 후의 상태로 되어 있는 중간 구조체를 얻는 것이 가능하다. 이러한 중간 구조체가 얻어지는 것은, 앞서 설명한 바와 같이, 예를 들면, 스텔스 다이싱(등록상표)에 의해 보호막 형성용 복합 시트 상의 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하고, 이어서, 이러한 웨이퍼를 지지 시트와 보호막과 함께 익스팬드함으로써 칩으로 분할한 경우나, 블레이드 다이싱, 레이저 다이싱 또는 워터 다이싱 등의 각 다이싱에 의해 보호막 형성용 복합 시트 상의 웨이퍼를 칩으로 분할하고, 그 후의 보호막이 형성된 칩의 픽업시에 픽업을 용이하게 하기 위해, 지지 시트를 익스팬드하고, 이어서, 보호막이 형성된 칩을 남긴 채, 이 지지 시트를 보관한 경우이다.
본 실시형태의 보호막 형성용 필름을, 지지 시트와 병용하지 않고 사용한 경우에도, 이 보호막 형성용 필름에 다이싱 시트를 첩부한 후, 웨이퍼의 분할을 행하기 위해 상술한 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 경우와 동일한 중간 구조체가 얻어진다.
이러한 중간 구조체 중의 지지 시트 또는 다이싱 시트에 있어서는, 앞서 설명한 바와 같이, 그 보호막이 형성된 반도체 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼를 원래 유지하고 있지 않은 주연부 근방의 영역이 근적외선 또는 중적외선의 조사에 의해 가열 처리되어 히트 쉬링크되는 경우가 있다. 이 때, 본 실시형태의 보호막 형성용 필름을 사용함으로써, 이 보호막 형성용 필름으로부터 형성된 보호막에 근적외선 또는 중적외선이 잘못 조사되더라도, 보호막의 목적 외의 온도 상승을 억제할 수 있어, 보호막의 변색을 억제할 수 있다.
본 명세서에 있어서는, 보호막 형성용 필름이 경화된 후라도, 지지 시트와 보호막 형성용 필름의 경화물의 적층 구조가 유지되고 있는 한, 이 적층 구조체를 「보호막 형성용 복합 시트」라고 칭한다.
이하, 상기 보호막 형성용 복합 시트를 구성하는 각 층에 대해 상세하게 설명한다.
◎지지 시트
상기 지지 시트는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되며, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 지지 시트가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층의 구성 재료 및 두께는, 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다.
지지 시트는 투명이어도 되며, 불투명해도 되고, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다.
예를 들면, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 지지 시트는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.
지지 시트로는, 예를 들면, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면 상에 형성된 점착제층을 구비한 것; 기재만으로 이루어지는 것 등을 들 수 있다. 지지 시트가 점착제층을 구비하고 있는 경우, 점착제층은 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 기재와 보호막 형성용 필름 사이에 배치된다.
기재 및 점착제층을 구비한 지지 시트를 사용한 경우에는, 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 지지 시트와 보호막 형성용 필름 사이의 점착력 또는 밀착성을 용이하게 조절할 수 있다.
기재만으로 이루어지는 지지 시트를 사용한 경우에는, 저비용으로 보호막 형성용 복합 시트를 제조할 수 있다.
본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트의 예를, 이러한 지지 시트의 종류마다, 이하, 도면을 참조하면서 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
한편, 도 2 이후의 도면에 있어서, 이미 설명된 도면에 나타내는 것과 동일한 구성 요소에는, 그 설명된 도면의 경우와 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)는, 지지 시트(10)와, 지지 시트(10)의 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(10a) 상에 형성된 보호막 형성용 필름(13)을 구비하여 구성되어 있다.
지지 시트(10)는 기재(11)와, 기재(11)의 한쪽 면(즉, 제1 면)(11a) 상에 형성된 점착제층(12)을 구비하여 구성되어 있다. 보호막 형성용 복합 시트(101) 중, 점착제층(12)은 기재(11)와 보호막 형성용 필름(13) 사이에 배치되어 있다.
즉, 보호막 형성용 복합 시트(101)는, 기재(11), 점착제층(12) 및 보호막 형성용 필름(13)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다.
지지 시트(10)의 보호막 형성용 필름(13)측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(10a)은, 점착제층(12)의 기재(11)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(12a)과 동일하다.
보호막 형성용 복합 시트(101)는, 추가로 보호막 형성용 필름(13) 상에 지그용 접착제층(16) 및 박리 필름(15)을 구비하고 있다.
보호막 형성용 복합 시트(101)에 있어서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 전체 면 또는 거의 전체 면에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 점착제층(12)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(13a)의 일부, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있다. 또한, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a) 중, 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 영역과, 지그용 접착제층(16)의 보호막 형성용 필름(13)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(16a)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다.
보호막 형성용 복합 시트(101)의 경우에 한정되지 않고, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 박리 필름(예를 들면, 도 1에 나타내는 박리 필름(15))은 임의의 구성이며, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트는 박리 필름을 구비하고 있어도 되고, 구비하고 있지 않아도 된다.
보호막 형성용 복합 시트(101)에 있어서는, 박리 필름(15)과, 이 박리 필름(15)과 직접 접촉하고 있는 층 사이에 일부 간극이 생겨 있어도 된다.
예를 들면, 여기서는, 지그용 접착제층(16)의 측면(16c)에 박리 필름(15)이 접촉(적층)하고 있는 상태를 나타내고 있지만, 상기 측면(16c)에는, 박리 필름(15)이 접촉하고 있지 않은 경우도 있다. 또한, 여기서는, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a) 중, 지그용 접착제층(16)의 근방 영역에 박리 필름(15)이 접촉(적층)하고 있는 상태를 나타내고 있지만, 상기 영역에는 박리 필름(15)이 접촉하고 있지 않은 경우도 있다.
또한, 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a) 및 측면(16c)의 경계는, 명확하게 구별할 수 없는 경우도 있다.
이상의 점은, 지그용 접착제층을 구비한 다른 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서도 동일하다.
지그용 접착제층(16)은 링 프레임 등의 지그에 보호막 형성용 복합 시트(101)를 고정하기 위해 사용한다.
지그용 접착제층(16)은 예를 들면, 접착제 성분을 함유하는 단층 구조를 갖고 있어도 되고, 심재가 되는 시트의 양면에 접착제 성분을 함유하는 층이 적층된 복수층 구조를 갖고 있어도 된다.
보호막 형성용 복합 시트(101)로부터 얻어진 보호막에 있어서는, 앞서 설명한 바와 같이, Z100이 0.27 이하이다.
보호막 형성용 복합 시트(101)는, 박리 필름(15)이 제거된 상태에서 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)에 웨이퍼의 이면이 첩부되고, 또한, 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(102)는, 보호막 형성용 필름의 형상 및 크기가 다르며, 지그용 접착제층이 보호막 형성용 필름의 제1 면이 아닌, 점착제층의 제1 면에 적층되어 있는 점 이외에는, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)와 동일하다.
보다 구체적으로는, 보호막 형성용 복합 시트(102)에 있어서 보호막 형성용 필름(23)은, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 일부의 영역, 즉, 점착제층(12)의 폭 방향(도 3에 있어서의 좌우 방향)에 있어서의 중앙측의 영역에 적층되어 있다. 또한, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 보호막 형성용 필름(23)이 적층되어 있지 않은 영역, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있다. 그리고, 보호막 형성용 필름(23)의 점착제층(12)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(23a)과, 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 또 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(103)는, 지그용 접착제층(16)을 구비하고 있지 않은 점 이외에는, 도 3에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(102)와 동일하다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 또 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(104)는, 지지 시트(10) 대신에 지지 시트(20)를 구비하여 구성되어 있는 점 이외에는, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)와 동일하다.
지지 시트(20)는 기재(11)만으로 이루어진다.
즉, 보호막 형성용 복합 시트(104)는, 기재(11) 및 보호막 형성용 필름(13)이 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다.
지지 시트(20)의 보호막 형성용 필름(13)측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(20a)은, 기재(11)의 제1 면(11a)과 동일하다.
기재(11)는 적어도 그 제1 면(11a)에 있어서 점착성을 갖는다.
본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트는 도 1∼도 5에 나타내는 것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1∼도 5에 나타내는 것의 일부의 구성이 변경 또는 삭제된 것이나, 지금까지 설명한 것에 또 다른 구성이 추가된 것이어도 된다. 보다 구체적으로는 이하와 같다.
여기까지는, 기재만으로 이루어지는 지지 시트를 구비한 보호막 형성용 복합 시트에 대해서는 도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(104)만을 나타내고 있지만, 기재만으로 이루어지는 지지 시트를 구비한 보호막 형성용 복합 시트로는, 예를 들면, 도 3에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(102) 또는 도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(103)에 있어서, 점착제층(12)을 구비하고 있지 않은 것도 들 수 있다. 단, 이는 기재만으로 이루어지는 지지 시트를 구비한 다른 보호막 형성용 복합 시트의 일례이다.
여기까지는, 지그용 접착제층을 구비하고 있지 않은 보호막 형성용 복합 시트에 대해서는 도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(103)만을 나타내고 있지만, 지그용 접착제층을 구비하고 있지 않은 보호막 형성용 복합 시트로는, 예를 들면, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)에 있어서, 지그용 접착제층(16)을 구비하고 있지 않은 것; 도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(104)에 있어서, 지그용 접착제층(16)을 구비하고 있지 않은 것도 들 수 있다. 단, 이는 지그용 접착제층을 구비하고 있지 않은 다른 보호막 형성용 복합 시트의 일례이다.
여기까지는, 보호막 형성용 복합 시트를 구성하는 층으로서, 기재, 점착제층, 보호막 형성용 필름 및 박리 필름을 나타내고 있지만, 이들의 어느 것에도 해당되지 않는 다른 층을 보호막 형성용 복합 시트는 구비하고 있어도 된다.
상기 다른 층의 종류는 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있다.
상기 다른 층의 배치 위치, 형상, 크기 등도 그 종류에 따라 임의로 선택할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.
상기 다른 층으로는, 예를 들면, 지지 시트와 보호막 형성용 필름 사이에 배치되어 보호막 형성용 필름 또는 그 경화물의 지지 시트로부터의 박리성을 조절하는 등, 보호막 형성용 복합 시트에 어느 특성을 부여하는 중간층 등을 들 수 있다.
단, 이는 상기 다른 층을 구비한 다른 보호막 형성용 복합 시트의 일례이다.
본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 각 층의 크기 및 형상은, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있다.
이어서, 지지 시트를 구성하는 각 층에 대해 더욱 상세하게 설명한다.
○기재
상기 기재는 시트상 또는 필름상이며, 그 구성 재료로는, 예를 들면, 각종 수지를 들 수 있다.
상기 수지로는, 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 등의 폴리에틸렌; 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 노보넨 수지 등의 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀; 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-노보넨 공중합체 등의 에틸렌 공중합체(모노머로서 에틸렌을 사용하여 얻어진 공중합체); 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 염화비닐 수지(모노머로서 염화비닐을 사용하여 얻어진 수지); 폴리스티렌; 폴리시클로올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈렌디카르복시레이트, 모든 구성 단위가 방향족 고리형기를 갖는 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르; 2종 이상의 상기 폴리에스테르의 공중합체; 폴리(메타)아크릴산에스테르; 폴리우레탄; 폴리우레탄아크릴레이트; 폴리이미드; 폴리아미드; 폴리카보네이트; 불소 수지; 폴리아세탈; 변성 폴리페닐렌옥시드; 폴리페닐렌설파이드; 폴리술폰; 폴리에테르케톤 등을 들 수 있다.
또한, 상기 수지로는, 예를 들면, 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 혼합물 등의 폴리머 알로이도 들 수 있다. 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 폴리머 알로이는, 폴리에스테르 이외의 수지의 양이 비교적 소량인 것이 바람직하다.
또한, 상기 수지로는, 예를 들면, 여기까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상이 가교한 가교 수지; 여기까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상을 사용한 아이오노머 등의 변성 수지도 들 수 있다.
기재를 구성하는 수지는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
기재는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
기재의 두께는 50∼300㎛인 것이 바람직하고, 60∼100㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재의 두께가 이러한 범위임으로써, 상기 보호막 형성용 복합 시트의 가요성과 웨이퍼에 대한 첩부성이 보다 향상된다.
여기서, 「기재의 두께」란, 기재 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 기재의 두께란, 기재를 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.
기재는 상기 수지 등의 주된 구성 재료 이외에 충전재, 착색제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
기재는 투명이어도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 되고, 다른 층이 증착되어 있어도 된다.
예를 들면, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 기재는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.
기재는 그 위에 형성되는 층(예를 들면, 점착제층, 보호막 형성용 필름, 또는 상기 다른 층)과의 접착성을 조절하기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리 등에 의한 요철화 처리; 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리; 친유 처리; 친수 처리 등이 표면에 실시되어 있어도 된다. 또한, 기재는 표면이 프라이머 처리되어 있어도 된다.
기재는 특정 범위의 성분(예를 들면, 수지 등)을 함유함으로써, 적어도 한쪽 면에 있어서, 점착성을 갖는 것이어도 된다.
기재는 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 수지를 함유하는 기재는 상기 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다.
○점착제층
상기 점착제층은 시트상 또는 필름상이며, 점착제를 함유한다.
상기 점착제로는 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 고무계 수지, 실리콘 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의 점착성 수지를 들 수 있다.
본 명세서에 있어서, 「점착성 수지」에는, 점착성을 갖는 수지와, 접착성을 갖는 수지의 양쪽이 포함된다. 예를 들면, 상기 점착성 수지에는, 수지 자체가 점착성을 가질 뿐만 아니라, 첨가제 등의 다른 성분과의 병용에 의해 점착성을 나타내는 수지나, 열 또는 물 등의 트리거의 존재에 의해 접착성을 나타내는 수지 등도 포함된다.
점착제층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되며, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 1∼60㎛인 것이 보다 바람직하며, 1∼30㎛인 것이 특히 바람직하다.
여기서, 「점착제층의 두께」란, 점착제층 전체의 두께를 의미하고 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 점착제층의 두께란, 점착제층을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.
점착제층은 에너지선 경화성 점착제를 사용하여 형성된 것이어도 되며, 비에너지선 경화성 점착제를 사용하여 형성된 것이어도 된다. 즉, 점착제층은 에너지선 경화성 및 비에너지선 경화성 중 어느 것이어도 된다. 에너지선 경화성 점착제층은 경화 전 및 경화 후에서의 물성을 용이하게 조절할 수 있다.
점착제층은 점착제를 함유하는 점착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 점착제층의 형성 대상면에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 점착제층을 형성할 수 있다. 점착제 조성물에 있어서의 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량 비율은 통상, 점착제층에 있어서의 상기 성분끼리의 함유량 비율과 동일해진다.
점착제 조성물의 도공은 예를 들면, 상술한 보호막 형성용 조성물의 도공의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
기재 상에 점착제층을 형성하는 경우에는 예를 들면, 기재 상에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 기재 상에 점착제층을 적층하면 된다. 또한, 기재 상에 점착제층을 형성하는 경우에는 예를 들면, 박리 필름 상에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 점착제층을 형성해 두고, 이 점착제층의 노출면을 기재의 한쪽 표면과 첩합시킴으로써, 기재 상에 점착제층을 적층해도 된다. 이 경우의 박리 필름은 보호막 형성용 복합 시트의 제조 과정 또는 사용 과정 중 어느 타이밍에서 제거하면 된다.
점착제층이 에너지선 경화성 및 비에너지선 경화성 중 어느 것인지 상관없으며, 점착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않는다. 단, 점착제 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 그리고, 용매를 함유하는 점착제 조성물은, 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건으로 가열 건조시키는 것이 바람직하다.
점착제층이 에너지선 경화성인 경우, 에너지선 경화성 점착제 조성물로는 예를 들면, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)(이하, 「점착성 수지(I-1a)」라고 약기하는 경우가 있다)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-1); 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)(이하, 「점착성 수지(I-2a)」라고 약기하는 경우가 있다)를 함유하는 점착제 조성물(I-2); 상기 점착성 수지(I-2a)와 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-3) 등을 들 수 있다.
점착제층이 비에너지선 경화성인 경우, 비에너지선 경화성 점착제 조성물로는 예를 들면, 상기 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)를 함유하는 점착제 조성물(I-4) 등을 들 수 있다.
[점착성 수지(I-1a)]
상기 점착제 조성물(I-1), 점착제 조성물(I-2), 점착제 조성물(I-3) 및 점착제 조성물(I-4)(이하, 이들 점착제 조성물을 포괄하여, 「점착제 조성물(I-1)∼(I-4)」라고 약기한다)에 있어서의 상기 점착성 수지(I-1a)는 아크릴 수지인 것이 바람직하다.
상기 아크릴 수지로는 예를 들면, 적어도 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴 중합체를 들 수 있다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로는 예를 들면, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기의 탄소수가 1∼20인 것을 들 수 있고, 상기 알킬기는 직쇄형 또는 분지쇄형인 것이 바람직하다.
상기 아크릴 중합체는 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다.
상기 관능기 함유 모노머로는 예를 들면, 상기 관능기가 후술하는 가교제와 반응함으로써 가교의 기점이 되거나, 상기 관능기가 후술하는 불포화기 함유 화합물 중의 불포화기와 반응함으로써, 아크릴 중합체의 측쇄에 불포화기의 도입을 가능하게 하는 것을 들 수 있다.
상기 관능기 함유 모노머로는 예를 들면, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다.
상기 아크릴 중합체는 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위, 및 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 다른 모노머 유래의 구성 단위를 갖고 있어도 된다.
상기 다른 모노머는 (메타)아크릴산알킬에스테르 등과 공중합 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다.
상기 다른 모노머로는 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)에 있어서, 상기 아크릴 중합체 등의 상기 아크릴 수지가 갖는 구성 단위는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 아크릴 중합체에 있어서, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유량은 구성 단위의 전체량에 대해 1∼35질량％인 것이 바람직하다.
점착제 조성물(I-1) 또는 점착제 조성물(I-4)이 함유하는 점착성 수지(I-1a)는, 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1) 또는 점착제 조성물(I-4)에 있어서, 점착제 조성물(I-1) 또는 점착제 조성물(I-4)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-1a)의 함유량 비율은 5∼99질량％인 것이 바람직하다.
[점착성 수지(I-2a)]
상기 점착제 조성물(I-2) 및 (I-3)에 있어서의 상기 점착성 수지(I-2a)는 예를 들면, 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기에 에너지선 중합성 불포화기를 갖는 불포화기 함유 화합물을 반응시킴으로써 얻어진다.
상기 불포화기 함유 화합물은 상기 에너지선 중합성 불포화기 이외에, 추가로 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 반응함으로써, 점착성 수지(I-1a)와 결합 가능한 기를 갖는 화합물이다.
상기 에너지선 중합성 불포화기로는 예를 들면, (메타)아크릴로일기, 비닐기(에테닐기), 알릴기(2-프로페닐기) 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기가 바람직하다.
점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 결합 가능한 기로는 예를 들면, 수산기 또는 아미노기와 결합 가능한 이소시아네이트기 및 글리시딜기, 그리고 카르복시기 또는 에폭시기와 결합 가능한 수산기 및 아미노기 등을 들 수 있다.
상기 불포화기 함유 화합물로는 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-2) 또는 (I-3)이 함유하는 점착성 수지(I-2a)는, 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-2) 또는 (I-3)에 있어서, 점착제 조성물(I-2) 또는 (I-3)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-2a)의 함유량 비율은 5∼99질량％인 것이 바람직하다.
[에너지선 경화성 화합물]
상기 점착제 조성물(I-1) 및 (I-3)에 있어서의 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다.
에너지선 경화성 화합물 중, 모노머로는 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메타)아크릴레이트 등의 다가 (메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트; 폴리에스테르(메타)아크릴레이트; 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 에폭시(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
에너지선 경화성 화합물 중, 올리고머로는 예를 들면, 상기에서 예시한 모노머가 중합하여 이루어지는 올리고머 등을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-1) 또는 (I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은, 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 점착제 조성물(I-1)의 총 질량에 대한 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량 비율은 1∼95질량％인 것이 바람직하다. 상기 점착제 조성물(I-3)에 있어서, 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해 0.01∼300질량부인 것이 바람직하다.
[가교제]
점착성 수지(I-1a)로서 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-1) 또는 (I-4)는 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.
또한, 점착성 수지(I-2a)로서 예를 들면, 점착성 수지(I-1a)에 있어서의 것과 동일한 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-2) 또는 (I-3)은 추가로 가교제를 함유하고 있어도 된다.
상기 가교제는 예를 들면, 상기 관능기와 반응하여 점착성 수지(I-1a)끼리 또는 점착성 수지(I-2a)끼리를 가교한다.
가교제로는 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 이들 디이소시아네이트의 어덕트체 등의 이소시아네이트 가교제(이소시아네이트기를 갖는 가교제); 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시 가교제(글리시딜기를 갖는 가교제); 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제); 알루미늄 킬레이트 등의 금속 킬레이트 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제); 이소시아누레이트 가교제(이소시아눌산 골격을 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-1), (I-2) 또는 (I-4)가 함유하는 가교제는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 점착제 조성물(I-1) 또는 (I-4)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-1a)의 함유량 100질량부에 대해 0.01∼50질량부인 것이 바람직하다.
상기 점착제 조성물(I-2) 또는 (I-3)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해 0.01∼50질량부인 것이 바람직하다.
[광중합 개시제]
점착제 조성물(I-1), (I-2) 및 (I-3)(이하, 이들 점착제 조성물을 포괄하여, 「점착제 조성물(I-1)∼(I-3)」이라고 약기한다)은, 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-1)∼(I-3)은, 자외선 등의 비교적 저에너지인 에너지선을 조사해도 충분히 경화 반응이 진행된다.
상기 광중합 개시제로는 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드 등의 설파이드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 1-클로로안트라퀴논, 2-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물을 들 수 있다.
또한, 상기 광중합 개시제로는 예를 들면, 아민 등의 광증감제 등을 사용할 수도 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-3)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량 100질량부에 대해 0.01∼20질량부인 것이 바람직하다.
점착제 조성물(I-2)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해 0.01∼20질량부인 것이 바람직하다.
점착제 조성물(I-3)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 점착성 수지(I-2a) 및 상기 에너지선 경화성 화합물의 총 함유량 100질량부에 대해 0.01∼20질량부인 것이 바람직하다.
[그 외의 첨가제]
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는 그 외의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
상기 그 외의 첨가제로는 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전재(필러), 방청제, 착색제(안료, 염료), 증감제, 점착 부여제, 반응 지연제, 가교 촉진제(촉매) 등의 공지의 첨가제를 들 수 있다.
한편, 반응 지연제란, 예를 들면, 점착제 조성물(I-1)∼(I-4) 중에 혼입되어 있는 촉매의 작용에 의해, 보존 중의 점착제 조성물(I-1)∼(I-4)에 있어서, 목적으로 하지 않는 가교 반응이 진행되는 것을 억제하는 성분이다. 반응 지연제로는 예를 들면, 촉매에 대한 킬레이트에 의해 킬레이트 착체를 형성하는 것을 들 수 있고, 보다 구체적으로는 1분자 중에 카르보닐기(-C(=O)-)를 2개 이상 갖는 것을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)가 함유하는 그 외의 첨가제는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)의 그 외의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
[용매]
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)는 용매를 함유하고 있어도 된다. 점착제 조성물(I-1)∼(I-4)는 용매를 함유하고 있음으로써, 도공 대상면에 대한 도공 적성이 향상된다.
상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하고, 상기 유기 용매로는 예를 들면, 메틸에틸케톤, 아세톤 등의 케톤; 초산에틸 등의 에스테르(카르복실산에스테르); 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르; 시클로헥산, n-헥산 등의 지방족 탄화수소; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소; 1-프로판올, 2-프로판올 등의 알코올 등을 들 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)가 함유하는 용매는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물(I-1)∼(I-4)의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 된다.
○점착제 조성물의 제조 방법
점착제 조성물(I-1)∼(I-4) 등의 점착제 조성물은, 상기 점착제와, 필요에 따라 상기 점착제 이외의 성분 등의 점착제 조성물을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
점착제 조성물은 예를 들면, 배합 성분의 종류가 상이한 점 이외에는, 앞서 설명한 열경화성 보호막 형성용 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
본 실시형태의 바람직한 보호막 형성용 필름의 다른 예로는, 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서, 상기 보호막의 파장 2000∼3200㎚(단, 2701∼2999㎚를 제외함)에 있어서의 흡광도의 최소값(Xmin)과, 상기 보호막의 100℃에 있어서의 비열(S100)을 이용하여, 식:
Z100＝Xmin／S100
에 의해 산출되는 Z100이 0.27 이하이며, 상기 보호막 형성용 필름은 중합체 성분, 열경화성 성분 및 광흡수제를 함유하고, 상기 중합체 성분은 아크릴 수지이며, 상기 열경화성 성분은 에폭시계 열경화성 수지이고, 상기 광흡수제는 유기 색소 및 무기 안료로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이며, 상기 보호막 형성용 필름에 있어서의 상기 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 상기 중합체 성분의 함유량 비율은 5∼80질량％이며, 상기 보호막 형성용 필름에 있어서의 상기 중합체 성분의 함유량 100질량부에 대해 상기 열경화성 성분의 함유량 비율은 10∼200질량부이고, 상기 보호막 형성용 필름에 있어서의 상기 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 상기 광흡수제의 함유량 비율은 0.1∼20질량％인 것을 들 수 있다.
◇보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법
상기 보호막 형성용 복합 시트는 상술한 각 층을 대응하는 위치 관계가 되도록 적층하고, 필요에 따라, 일부 또는 모든 층의 형상을 조절함으로써 제조할 수 있다. 각 층의 형성 방법은 앞서 설명한 바와 같다.
예를 들면, 지지 시트를 제조할 때, 기재 상에 점착제층을 적층하는 경우에는, 기재 상에 상술한 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시키면 된다.
또한, 박리 필름 상에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 점착제층을 형성해 두고, 이 점착제층의 노출면을 기재의 한쪽 표면과 첩합하는 방법으로도, 기재 상에 점착제층을 적층할 수 있다. 이 때, 점착제 조성물은 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하다.
여기까지는, 기재 상에 점착제층을 적층하는 경우를 예로 들었지만, 상술한 방법은 예를 들면, 기재 상에 중간층 또는 상기 다른 층을 적층하는 경우에도 적용할 수 있다.
한편, 예를 들면, 기재 상에 적층된 점착제층 상에 추가로 보호막 형성용 필름을 적층하는 경우에는, 점착제층 상에 보호막 형성용 조성물을 도공하여, 보호막 형성용 필름을 직접 형성하는 것이 가능하다. 보호막 형성용 필름 이외의 층도, 이 층을 형성하기 위한 조성물을 사용하여, 동일한 방법으로 점착제층 상에 이 층을 적층할 수 있다. 이와 같이, 기재 상에 적층된 어느 하나의 층(이하, 「제1 층」이라고 약기한다) 상에 새로운 층(이하, 「제2 층」이라고 약기한다)을 형성하여, 연속하는 2층의 적층 구조(다시 말하면, 제1 층 및 제2 층의 적층 구조)를 형성하는 경우에는, 상기 제1 층 상에 상기 제2 층을 형성하기 위한 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시키는 방법을 적용할 수 있다.
단, 제2 층은 이를 형성하기 위한 조성물을 사용하여 박리 필름 상에 미리 형성해 두고, 이 형성된 제2 층의 상기 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측의 노출면을 제1 층의 노출면과 첩합시킴으로써, 연속하는 2층의 적층 구조를 형성하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 조성물은 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하다. 박리 필름은 적층 구조의 형성 후, 필요에 따라 제거하면 된다.
여기서는, 점착제층 상에 보호막 형성용 필름을 적층하는 경우를 예로 들었으나 예를 들면, 점착제층 상에 중간층 또는 상기 다른 층을 적층하는 경우 등, 대상이 되는 적층 구조는 임의로 선택할 수 있다.
이와 같이, 보호막 형성용 복합 시트를 구성하는 기재 이외의 층은 모두, 박리 필름 상에 미리 형성해 두고, 목적으로 하는 층의 표면에 첩합하는 방법으로 적층할 수 있기 때문에, 필요에 따라 이러한 공정을 채용하는 층을 적절히 선택하여 보호막 형성용 복합 시트를 제조하면 된다.
한편, 보호막 형성용 복합 시트는 통상, 그 지지 시트와는 반대측의 최표층(예를 들면, 보호막 형성용 필름)의 표면에 박리 필름이 첩합된 상태로 보관된다. 따라서, 이 박리 필름(바람직하게는, 그 박리 처리면) 상에 보호막 형성용 조성물 등의 최표층을 구성하는 층을 형성하기 위한 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 최표층을 구성하는 층을 형성해 두고, 이 층의 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측의 노출면 상에 나머지 각 층을 상술한 어느 하나의 방법으로 적층하여, 박리 필름을 제거하지 않고 첩합한 상태인 채로 함으로써, 박리 필름이 형성된 보호막 형성용 복합 시트가 얻어진다.
◇보호막이 형성된 칩의 제조 방법(보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트의 사용 방법)
상기 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트는 상기 보호막이 형성된 칩의 제조에 사용할 수 있다.
＜＜제조 방법 1＞＞
상기 보호막 형성용 필름을 지지 시트와 병용하지 않고, 웨이퍼에 첩부하여 보호막이 형성된 칩을 제조하는 방법으로는, 예를 들면,
보호막 형성용 필름을 웨이퍼의 이면에 첩부하는 프로세스를 거쳐, 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 이면에 형성된 보호막 형성용 필름을 구비한 적층체(1), 또는, 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 이면에 형성된 보호막을 구비한 적층체(1’)를 얻는 제1 적층 공정과,
상기 적층체(1)에 있어서의 상기 보호막 형성용 필름의 상기 웨이퍼측과는 반대측 면, 또는, 상기 적층체(1’)에 있어서의 상기 보호막의 상기 웨이퍼측과는 반대측 면에 다이싱 시트를 첩부하는 프로세스를 거쳐, 상기 다이싱 시트와, 상기 보호막 형성용 필름과, 상기 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 적층체(2), 또는, 상기 다이싱 시트와, 상기 보호막과, 상기 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 적층체(2’)를 얻는 제2 적층 공정과,
상기 적층체(2) 중의 상기 웨이퍼를 분할하여 칩을 제작하고, 상기 웨이퍼의 분할 개소에 따라 상기 보호막 형성용 필름을 절단하는 프로세스를 거쳐, 상기 칩과, 상기 칩의 이면에 형성된 절단 후의 상기 보호막 형성용 필름을 구비한 복수개의 보호막 형성용 필름이 형성된 칩이 상기 다이싱 시트 상에서 유지되어 구성된 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 집합체를 얻거나, 또는, 상기 적층체(2’) 중의 상기 웨이퍼를 분할하여 칩을 제작하고, 상기 웨이퍼의 분할 개소에 따라 상기 보호막을 절단하는 프로세스를 거쳐, 상기 칩과, 상기 칩의 이면에 형성된 절단 후의 상기 보호막을 구비한 복수개의 보호막이 형성된 칩이 상기 다이싱 시트 상에서 유지되어 구성된 보호막이 형성된 칩 집합체를 얻는 분할/절단 공정과,
상기 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 집합체 중의 보호막 형성용 필름이 형성된 칩, 또는, 상기 보호막이 형성된 칩 집합체 중의 보호막이 형성된 칩을 상기 다이싱 시트로부터 분리하여 픽업하는 프로세스를 거쳐, 보호막이 형성된 칩을 얻는 보호막이 형성된 칩 취득 공정을 갖고,
상기 보호막 형성용 필름이 경화성인 경우에는, 또한, 상기 제1 적층 공정에 있어서의 상기 보호막 형성용 필름의 상기 웨이퍼의 이면에 대한 첩부 후로부터, 상기 보호막이 형성된 칩 취득 공정에 있어서의 상기 보호막 형성용 필름이 형성된 칩의 픽업 후까지 어느 하나의 단계에서 상기 적층체(1), 적층체(2), 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 집합체, 또는 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 중의 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막을 형성함으로써, 상기 적층체(1’), 적층체(2’), 보호막이 형성된 칩 집합체, 또는 보호막이 형성된 칩을 제작하는 경화 공정을 갖는 보호막이 형성된 칩의 제조 방법(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법 1」이라고 칭한다)을 들 수 있다.
상기 제조 방법 1의 제1 적층 공정에서 사용하는 상기 보호막 형성용 필름은 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름이다.
제조 방법 1의 제1 적층 공정에 있어서는, 상기 보호막 형성용 필름이 경화성인 경우에는, 웨이퍼의 이면에 보호막 형성용 필름을 첩부한 후, 이 첩부 후의 보호막 형성용 필름을 경화시킬 수 있으며, 이에 의해 상기 적층체(1’)를 얻을 수 있다. 한편, 상기 보호막 형성용 필름이 비경화성인 경우에는, 웨이퍼의 이면에 보호막 형성용 필름을 첩부함으로써, 즉시 상기 적층체(1’)를 얻는다.
제조 방법 1의 제2 적층 공정에서 사용하는 상기 다이싱 시트는 공지의 것이어도 된다.
상기 경화 공정은, 상기 제1 적층 공정에 있어서의 보호막 형성용 필름의 웨이퍼의 이면에 대한 첩부 후이면 어느 단계에서도 행할 수 있다. 예를 들면, 경화 공정은 제1 적층 공정 중에서 적층체(1)를 얻은 후; 제1 적층 공정과 제2 적층 공정 사이; 제2 적층 공정 중에서 적층체(2)를 얻은 후; 제2 적층 공정과 분할/절단 공정 사이; 분할/절단 공정 중에서 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 집합체를 얻은 후; 분할/절단 공정과 보호막이 형성된 칩 취득 공정 사이; 보호막이 형성된 칩 취득 공정 중에서 보호막 형성용 필름이 형성된 칩을 픽업한 후의 어느 하나에서 행할 수 있다.
상기 보호막 형성용 필름이 비경화성인 경우에는, 제조 방법 1은 상기 경화 공정을 갖지 않는다.
제조 방법 1에 있어서, 보호막 형성용 필름의 경화는 어느 단계에 있어서도, 열경화 또는 에너지선 경화이다. 이 때의 열경화의 조건 및 에너지선 경화의 조건은 앞서 설명한 바와 같다.
제조 방법 1에 있어서의 상기 제1 적층 공정, 제2 적층 공정, 분할/절단 공정, 보호막이 형성된 칩 취득 공정 및 경화 공정은, 본 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름을 사용하는 점을 제외하면, 종래의 보호막이 형성된 칩의 제조 방법의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
예를 들면, 보호막 형성용 필름의 첩부 대상인 웨이퍼의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 20∼600㎛인 것이 바람직하고, 40∼400㎛인 것이 보다 바람직하다.
제조 방법 1의 어느 하나의 공정에 있어서, 1개 또는 2개 이상의 보호막이 형성된 칩, 또는 1장의 보호막이 형성된 웨이퍼가 1장의 다이싱 시트 상에서 유지되고, 또한, 상기 다이싱 시트가 그 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼측 면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드된 후의 상태로 되어 있는 중간 구조체가 존재하는 경우, 제조 방법 1은 상기 중간 구조체 중의 상기 다이싱 시트 중, 상기 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼를 유지하고 있지 않은 주연부 근방의 영역을 히트 쉬링크시키는 프로세스를 포함하고 있어도 된다.
일례로는 상기 분할/절단 공정에 있어서, 스텔스 다이싱(등록상표)에 의해 웨이퍼를 분할하는 경우에는, 상기 분할/절단 공정은, 상기 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록 레이저 광을 조사함으로써, 상기 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하고, 이어서, 상기 개질층을 형성 후의 상기 적층체(2’)를 상기 웨이퍼의 표면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드함으로써, 상기 웨이퍼를 분할하여 상기 보호막을 절단하는 프로세스를 포함하고 있어도 된다.
그리고, 이와 같이, 상기 적층체(2’)를 익스팬드했을 경우에는, 상기 보호막이 형성된 칩 취득 공정은, 상기 보호막이 형성된 칩 집합체(상술한 중간 구조체에 상당) 중의 다이싱 시트 중, 상기 보호막이 형성된 칩을 유지하고 있지 않은 주연부 근방의 영역을 히트 쉬링크시키는 프로세스(상술한 「히트 쉬링크시키는 프로세스」에 상당)를 포함하고 있어도 된다.
또한, 다른 예로는 상기 분할/절단 공정에 있어서, 블레이드 다이싱, 레이저 다이싱 또는 워터 다이싱 등의 각 다이싱에 의해 웨이퍼를 분할하고, 보호막을 절단함으로써, 상기 보호막이 형성된 칩 집합체를 얻는 경우에는, 상기 보호막이 형성된 칩 취득 공정은, 상기 보호막이 형성된 칩의 픽업을 용이하게 하기 위해, 상기 보호막이 형성된 칩의 픽업시에 상기 보호막이 형성된 칩 집합체를 상기 웨이퍼의 표면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드하는 프로세스를 포함하고 있어도 된다.
그리고, 이와 같이, 상기 보호막이 형성된 칩 집합체를 익스팬드했을 경우에는, 상기 보호막이 형성된 칩 취득 공정은, 또한, 상기 보호막이 형성된 칩 중의 일부를 픽업하지 않고 다이싱 시트 상에 남긴 채, 상기 보호막이 형성된 칩 집합체를 보관하고, 이어서, 이 보관 후의 보호막이 형성된 칩 집합체(상술한 중간 구조체에 상당) 중의 다이싱 시트 중, 보호막이 형성된 칩을 유지하고 있지 않은 주연부 근방의 영역을 히트 쉬링크시키는 프로세스(상술한 「히트 쉬링크시키는 프로세스」에 상당)를 포함하고 있어도 된다.
히트 쉬링크시의 가열 처리는, 다이싱 시트에 대해 근적외선 또는 중적외선을 조사함으로써 행할 수 있다. 이 때, 히터를 이용하여, 예를 들면, 2000∼3200㎚ 중 어느 하나 또는 모든 파장역의 광을 조사함으로써, 다이싱 시트를 가열 처리할 수 있다. 그리고, 2000∼3200㎚ 중 어느 하나의 파장역의 광을 다이싱 시트에 조사하는 경우에는, 2000㎚ 이상 2701㎚ 미만 및 2999㎚ 초과 3200㎚ 이하 중 어느 하나 또는 모든 파장역의 광만을 조사해도 되고, 2701∼2999㎚ 중 어느 하나 또는 모든 파장역의 광만을 조사해도 되며, 2000㎚ 이상 2701㎚ 미만 및 2999㎚ 초과 3200㎚ 이하의 파장역과 2701∼2999㎚의 파장역을 함께 포함하고, 또한, 2000∼3200㎚ 중 어느 하나의 파장역을 포함하지 않는 광을 조사해도 된다.
제조 방법 1의 히트 쉬링크시키는 프로세스에 있어서, 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼 중의 보호막에 근적외선 또는 중적외선이 잘못 조사되더라도, 본 실시형태의 보호막 형성용 필름을 사용함으로써, 앞서 설명한 바와 같이, 보호막의 목적 외의 온도 상승을 억제할 수 있어 보호막의 변색을 억제할 수 있다.
제조 방법 1에 있어서는, 분할/절단 공정에서의 웨이퍼의 분할과 보호막 형성용 필름 또는 보호막의 절단의 순서를 바꿔도 된다. 본 명세서에 있어서는, 이러한 보호막이 형성된 칩의 제조 방법을 제조 방법 2라고 칭한다.
＜＜제조 방법 2＞＞
즉, 제조 방법 2는 상기 적층체(2) 중의 상기 보호막 형성용 필름을 절단하고, 상기 보호막 형성용 필름의 절단 개소에 따라 상기 웨이퍼를 분할하여 칩을 제작하는 프로세스를 거쳐, 상기 칩과, 상기 칩의 이면에 형성된 절단 후의 상기 보호막 형성용 필름을 구비한 복수개의 보호막 형성용 필름이 형성된 칩이 상기 다이싱 시트 상에서 유지되어 구성된 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 집합체를 얻거나, 또는, 상기 적층체(2’) 중의 상기 보호막을 절단하고, 상기 보호막의 절단 개소에 따라 상기 웨이퍼를 분할하여 칩을 제작하는 프로세스를 거쳐, 상기 칩과, 상기 칩의 이면에 형성된 절단 후의 상기 보호막을 구비한 복수개의 보호막이 형성된 칩이 상기 다이싱 시트 상에서 유지되어 구성된 보호막이 형성된 칩 집합체를 얻는 절단/분할 공정을 갖는다.
제조 방법 2는 분할/절단 공정 대신에 절단/분할 공정을 갖는 점을 제외하면, 제조 방법 1과 동일하다. 즉, 제조 방법 2는 상기 제1 적층 공정과, 상기 제2 적층 공정과, 상기 절단/분할 공정과, 상기 보호막이 형성된 칩 취득 공정을 갖고, 상기 보호막 형성용 필름이 경화성인 경우에는, 또한, 상기 제1 적층 공정에 있어서의 상기 보호막 형성용 필름의 상기 웨이퍼의 이면에 대한 첩부 후로부터, 상기 보호막이 형성된 칩 취득 공정에 있어서의 상기 보호막 형성용 필름이 형성된 칩의 픽업 후까지의 어느 하나의 단계에서 상기 적층체(1), 적층체(2), 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 집합체, 또는 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 중의 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막을 형성함으로써, 상기 적층체(1’), 적층체(2’), 보호막이 형성된 칩 집합체, 또는 보호막이 형성된 칩을 제작하는 경화 공정을 갖는다.
＜＜제조 방법 3＞＞
상기 보호막 형성용 필름을 지지 시트와 병용하고, 보호막 형성용 복합 시트로서 웨이퍼에 첩부하여, 보호막이 형성된 칩을 제조하는 방법으로는, 예를 들면,
보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 웨이퍼의 이면에 첩부하는 프로세스를 거쳐, 지지 시트와, 보호막 형성용 필름과, 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 적층체(3), 또는, 지지 시트와, 보호막과, 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 적층체(3’)를 얻는 적층 공정과,
상기 적층체(3) 중의 상기 웨이퍼를 분할하여 칩을 제작하고, 상기 웨이퍼의 분할 개소에 따라 상기 보호막 형성용 필름을 절단하는 프로세스를 거쳐, 상기 칩과, 상기 칩의 이면에 형성된 절단 후의 상기 보호막 형성용 필름을 구비한 복수개의 보호막 형성용 필름이 형성된 칩이 상기 지지 시트 상에서 유지되어 구성된 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 집합체를 얻거나, 또는, 상기 적층체(3’) 중의 상기 웨이퍼를 분할하여 칩을 제작하고, 상기 웨이퍼의 분할 개소에 따라 상기 보호막을 절단하는 프로세스를 거쳐, 상기 칩과, 상기 칩의 이면에 형성된 절단 후의 상기 보호막을 구비한 복수개의 보호막이 형성된 칩이 상기 지지 시트 상에서 유지되어 구성된 보호막이 형성된 칩 집합체를 얻는 분할/절단 공정과,
상기 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 집합체 중의 보호막 형성용 필름이 형성된 칩, 또는, 상기 보호막이 형성된 칩 집합체 중의 보호막이 형성된 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 프로세스를 거쳐, 보호막이 형성된 칩을 얻는 보호막이 형성된 칩 취득 공정을 갖고,
상기 보호막 형성용 필름이 경화성인 경우에는, 또한, 상기 적층 공정에 있어서의 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름의 상기 웨이퍼의 이면에 대한 첩부 후로부터, 상기 보호막이 형성된 칩 취득 공정에 있어서의 상기 보호막 형성용 필름이 형성된 칩의 픽업 후까지의 어느 하나의 단계에서, 상기 적층체(3), 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 집합체, 또는 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 중의 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막을 형성함으로써, 상기 적층체(3’), 보호막이 형성된 칩 집합체, 또는 보호막이 형성된 칩을 제작하는 경화 공정을 갖는 보호막이 형성된 칩의 제조 방법(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법 3」이라고 칭한다)을 들 수 있다.
상기 제조 방법 3의 적층 공정에서 사용하는 상기 보호막 형성용 필름은 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름이다.
제조 방법 3의 적층 공정에 있어서는, 상기 보호막 형성용 필름이 경화성인 경우에는, 웨이퍼의 이면에 보호막 형성용 복합 시트를 첩부한 후, 이 첩부 후의 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 경화시킬 수 있으며, 이에 의해 상기 적층체(3’)를 얻을 수 있다.
한편, 상기 보호막 형성용 필름이 비경화성인 경우에는, 웨이퍼의 이면에 보호막 형성용 복합 시트를 첩부함으로써, 즉시 상기 적층체(3’)를 얻는다.
제조 방법 3의 적층 공정에서 얻는 적층체(3)는, 실질적으로 제조 방법 1의 제2 적층 공정에서 얻는 적층체(2)와 동일하다.
마찬가지로, 제조 방법 3의 적층 공정에서 얻는 적층체(3’)는, 실질적으로 제조 방법 1의 제2 적층 공정에서 얻는 적층체(2’)와 동일하다.
상기 경화 공정은, 상기 적층 공정에 있어서의 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름의 웨이퍼의 이면에 대한 첩부 후이면 어느 단계에서도 행할 수 있다. 예를 들면, 경화 공정은 적층 공정 중에서 적층체(3)를 얻은 후; 적층 공정과 분할/절단 공정 사이; 분할/절단 공정 중에서 보호막 형성용 필름이 형성된 칩 집합체를 얻은 후; 분할/절단 공정과 보호막이 형성된 칩 취득 공정 사이; 보호막이 형성된 칩 취득 공정 중에서 보호막 형성용 필름이 형성된 칩을 픽업한 후의 어느 하나에서 행할 수 있다.
상기 보호막 형성용 필름이 비경화성인 경우에는, 제조 방법 3은 상기 경화 공정을 갖지 않는다.
제조 방법 3에 있어서, 보호막 형성용 필름의 경화는 어느 단계에서도, 열경화 또는 에너지선 경화이다. 이 때의 열경화의 조건 및 에너지선 경화의 조건은 앞서 설명한 바와 같다.
제조 방법 3에 있어서의 상기 적층 공정, 분할/절단 공정, 보호막이 형성된 칩 취득 공정 및 경화 공정은, 본 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 점을 제외하면, 종래의 보호막이 형성된 칩의 제조 방법의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트의 첩부 대상인 웨이퍼의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 20∼600㎛인 것이 바람직하고, 40∼400㎛인 것이 보다 바람직하다.
제조 방법 3에 있어서도 상술한 제조 방법 1의 경우와 실질적으로 동일하게 지지 시트를 히트 쉬링크시키는 프로세스를 포함하고 있어도 된다.
즉, 제조 방법 3의 어느 하나의 공정에 있어서, 1개 또는 2개 이상의 보호막이 형성된 칩, 또는 1장의 보호막이 형성된 웨이퍼가 1장의 지지 시트 상에서 유지되고, 또한, 상기 지지 시트가 그 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼측 면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드된 후의 상태로 되어 있는 중간 구조체가 존재하는 경우, 제조 방법 3은 상기 중간 구조체 중의 상기 지지 시트 중, 상기 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼를 유지하고 있지 않은 주연부 근방의 영역을 히트 쉬링크시키는 프로세스를 포함하고 있어도 된다.
일례로는 상기 분할/절단 공정에 있어서, 스텔스 다이싱(등록상표)에 의해 웨이퍼를 분할하는 경우에는, 상기 분할/절단 공정은, 상기 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록 레이저 광을 조사함으로써, 상기 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하고, 이어서, 상기 개질층을 형성 후의 상기 적층체(3’)를 상기 웨이퍼의 표면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드함으로써, 상기 웨이퍼를 분할하여 상기 보호막을 절단하는 프로세스를 포함하고 있어도 된다.
그리고, 이와 같이, 상기 적층체(3’)를 익스팬드했을 경우에는, 상기 보호막이 형성된 칩 취득 공정은, 상기 보호막이 형성된 칩 집합체(상술한 중간 구조체에 상당) 중의 지지 시트 중, 상기 보호막이 형성된 칩을 유지하고 있지 않은 주연부 근방의 영역을 히트 쉬링크시키는 프로세스(상술한 「히트 쉬링크시키는 프로세스」에 상당)를 포함하고 있어도 된다.
또한, 다른 예로는, 상기 분할/절단 공정에 있어서, 블레이드 다이싱, 레이저 다이싱 또는 워터 다이싱 등의 각 다이싱에 의해 웨이퍼를 분할하고, 보호막을 절단함으로써, 상기 보호막이 형성된 칩 집합체를 얻는 경우에는, 상기 보호막이 형성된 칩 취득 공정은, 상기 보호막이 형성된 칩의 픽업을 용이하게 하기 위해, 상기 보호막이 형성된 칩의 픽업시에 상기 보호막이 형성된 칩 집합체를 상기 웨이퍼의 표면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드하는 프로세스를 포함하고 있어도 된다.
그리고, 이와 같이, 상기 보호막이 형성된 칩 집합체를 익스팬드했을 경우에는, 상기 보호막이 형성된 칩 취득 공정은, 또한, 상기 보호막이 형성된 칩 중의 일부를 픽업하지 않고 다이싱 시트 상에 남긴 채, 상기 보호막이 형성된 칩 집합체를 보관하고, 이어서, 이 보관 후의 보호막이 형성된 칩 집합체(상술한 중간 구조체에 상당) 중의 지지 시트 중, 보호막이 형성된 칩을 유지하고 있지 않은 주연부 근방의 영역을 히트 쉬링크시키는 프로세스(상술한 「히트 쉬링크시키는 프로세스」에 상당)를 포함하고 있어도 된다.
제조 방법 3의 히트 쉬링크시키는 프로세스에 있어서, 보호막이 형성된 칩 또는 보호막이 형성된 웨이퍼 중의 보호막에 근적외선 또는 중적외선이 잘못 조사되더라도, 본 실시형태의 보호막 형성용 필름(보호막 형성용 복합 시트)을 사용하고 있음으로써, 앞서 설명한 바와 같이, 보호막의 목적 외의 온도 상승을 억제할 수 있어 보호막의 변색을 억제할 수 있다.
＜다른 공정＞
제조 방법 1은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상기 제1 적층 공정, 제2 적층 공정, 분할/절단 공정, 보호막이 형성된 칩 취득 공정 및 경화 공정의 각 공정 이외에, 이들의 어느 것에도 해당되지 않는 다른 공정을 갖고 있어도 된다.
마찬가지로, 제조 방법 2는 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상기 제1 적층 공정, 제2 적층 공정, 절단/분할 공정, 보호막이 형성된 칩 취득 공정 및 경화 공정의 각 공정 이외에, 이들의 어느 것에도 해당되지 않는 다른 공정을 갖고 있어도 된다.
마찬가지로, 제조 방법 3은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상기 적층 공정, 분할/절단 공정, 보호막이 형성된 칩 취득 공정 및 경화 공정의 각 공정 이외에, 이들의 어느 것에도 해당되지 않는 다른 공정을 갖고 있어도 된다.
제조 방법 1∼3의 어느 경우에도, 상기 다른 공정의 종류와 이를 행하는 타이밍은, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.
이와 같이, 본 실시형태의 보호막 형성용 필름의 사용 방법이 어느 경우라도, 보호막에 있어서는, 근적외선 또는 중적외선의 조사에 의한 목적 외의 온도 상승이 억제된다.
예를 들면, 실시예에서 후술하는 바와 같이, 본 실시형태의 보호막 형성용 필름이 아닌, 다른 보호막 형성용 필름을 사용하여 제작된 비교용의 보호막이 형성된 칩을 가열하고, 그 결과, 이 비교용의 보호막이 형성된 칩 중의 보호막의 최고 온도가 191℃가 되는 경우여도 상기 다른 보호막 형성용 필름 대신에, 본 실시형태에 따른 보호막 형성용 필름을 사용하여 제작된 점 이외에는, 상기 비교용의 보호막이 형성된 칩과 동일한 보호막이 형성된 칩을 동일한 조건으로 가열했을 때, 이 보호막이 형성된 칩 중의 보호막의 최고 도달 온도를, 예를 들면, 165℃ 이하로 하는 것이 가능하고, 161℃ 이하, 157℃ 이하, 153℃ 이하, 및 149℃ 이하 중 어느 하나로 하는 것도 가능하다.
◇기판 장치의 제조 방법
상술한 제조 방법에 의해 보호막이 형성된 칩을 얻은 후에는, 이 보호막이 형성된 칩을 사용하는 점을 제외하면, 종래의 제조 방법과 동일한 방법으로 기판 장치를 제조할 수 있다.
이러한 기판 장치의 제조 방법으로는, 예를 들면, 상기 보호막 형성용 필름을 사용하여 얻어진 보호막이 형성된 칩 상의 돌출상 전극을 회로 기판 상의 접속 패드에 접촉시킴으로써 상기 회로 기판 상에 상기 보호막이 형성된 칩을 배치하고, 상기 돌출상 전극과 상기 회로 기판 상의 접속 패드를 전기적으로 접속하는 플립칩 접속 공정을 갖는 제조 방법을 들 수 있다.
상기 제조 방법에 있어서의 상기 플립칩 접속 공정은, 상기 보호막이 형성된 칩을 사용하는 점을 제외하면, 종래의 기판 장치의 제조 방법의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
도 6은 상기 플립칩 접속 공정에 있어서, 보호막이 형성된 칩과 회로 기판이 전기적으로 접속된 상태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
여기서는, 보호막이 형성된 칩(901)과 회로 기판(8)이 전기적으로 접속된 상태를 나타내고 있다.
보호막이 형성된 칩(901)은 칩(9)과 그 이면(9b)에 형성된 절단 후의 보호막(130’)을 구비하여 구성되어 있다. 칩(9)의 회로면(9a) 상에는 복수개의 돌출상 전극(91)이 형성되어 있다.
회로 기판(8)의 회로면(8a) 상에는 복수개의 접속 패드(81)가 형성되어 있다.
칩(9) 상의 1개의 돌출상 전극(91)과 회로 기판(8) 상의 1개의 접속 패드(81)는 서로 접촉하고 있다.
한편, 여기에 나타내는 것은 보호막이 형성된 칩과 회로 기판의 전기적으로 접속된 상태의 일례이며, 접속 상태는 여기에 나타내는 것으로 한정되지 않는다.
실시예
이하, 구체적 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 한정되는 것은 전혀 아니다.
＜수지의 제조 원료＞
본 실시예 및 참고예에 있어서 약기하고 있는 수지의 제조 원료의 정식 명칭을 이하에 나타낸다.
BA：아크릴산n-부틸
MA：아크릴산메틸
HEA：아크릴산2-히드록시에틸
2EHA：아크릴산-2-에틸헥실
＜보호막 형성용 조성물의 제조 원료＞
보호막 형성용 조성물의 제조에 사용한 원료를 이하에 나타낸다.
[중합체 성분(A)]
(A)-1：BA(45질량부), MA(40질량부) 및 HEA(15질량부)를 공중합하여 얻어진 아크릴 수지(중량 평균 분자량 500000, 유리 전이 온도 -26℃).
[열경화성 성분(B1)]
(B1)-1：비스페놀A형 에폭시 수지(미츠비시 화학사 제조 「jER828」, 에폭시 당량 184∼194g/eq)
(B1)-2：비스페놀A형 에폭시 수지(미츠비시 화학사 제조 「jER1055」, 에폭시 당량 800∼900g/eq)
(B1)-3：디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「에피클론 HP-7200HH」, 에폭시 당량 255∼260g/eq)
[열경화제(B2)]
(B2)-1：디시안디아미드(ADEKA사 제조 「아데카하드너 EH-3636AS」, 열활성 잠재성 에폭시 수지 경화제, 활성 수소량 21g/eq)
[경화 촉진제(C)]
(C)-1：2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 화성 공업사 제조 「큐아졸 2PHZ」)
[충전재(D)]
(D)-1：실리카 필러(아드마 텍스사 제조 「SC2050MA」, 에폭시 화합물로 표면 수식된 실리카 필러, 평균 입자 직경 0.5㎛)
(D)-2：구상 알루미나(쇼와 전공사 제조 「CB-P02J」, 평균 입자 직경 3.0㎛)
(D)-3：실리카 필러(아드마 텍스사 제조 「YA050C-MJA」, 평균 입자 직경 50㎚)
(D)-4：스테인리스강제 입자(SUS304를 분쇄하여 평균 입자 직경 2.0㎛로 한 입자)
[커플링제(E)]
(E)-1：3-아미노프로필트리메톡시실란(일본 유니카사 제조 「A-1110」)
[광흡수제(I)]
(I)-1：프탈로시아닌계 청색 색소(Pigment Blue 15:3) 32질량부와, 이소인돌리논계 황색 색소(Pigment Yellow 139) 18질량부와, 안트라퀴논계 적색 색소(Pigment Red 177) 50질량부를 혼합하고, 상기 3종의 색소의 합계량/스티렌아크릴 수지량＝1/3(질량비)이 되도록 안료화하여 얻어진 안료.
(I)-2：카본 블랙(미츠비시 화학사 제조 「MA600」, 평균 입자 직경 20㎚)
(I)-3：구리(II) 2,3,9,10,16,17,23,24-옥타키스(옥틸옥시)-29H,31H-프탈로시아닌(시그마 알드리치사 제조)
(I)-4：구리(II) 2,9,16,23-테트라-tert-부틸-29H,31H-프탈로시아닌(시그마 알드리치사 제조)
(I)-5：2,11,20,29-테트라-tert-부틸-2,3-나프탈로시아닌(시그마 알드리치사 제조)
(I)-6：디이모늄계 색소(일본 카리트사 제조 「CIR-1085F」, 가시광 및 적외선 흡수제)
[실시예 1]
＜＜보호막 형성용 필름의 제조＞＞
＜보호막 형성용 조성물(III-1)의 제조＞
중합체 성분(A)-1(150질량부), 열경화성 성분(B1)-1(60질량부), (B1)-2(20질량부), (B1)-3(20질량부), (B2)-1(2.2질량부), 경화 촉진제(C)-1(2.2질량부), 충전재(D)-1(320질량부), 커플링제(E)-1(3질량부), 광흡수제(I)-1(10질량부) 및 광흡수제(I)-2(2.7질량부)를 메틸에틸케톤에 용해 또는 분산시키고, 23℃에서 교반함으로써, 용매 이외의 모든 성분의 합계 농도가 45질량％인 열경화성 보호막 형성용 조성물(III-1)을 얻었다. 한편, 여기에 나타내는 상기 용매 이외의 성분의 배합량은 모두 용매를 포함하지 않는 목적물의 배합량이다.
＜보호막 형성용 필름의 제조＞
폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(제2 박리 필름, 린텍사 제조 「SP-PET50 1031」, 두께 50㎛)을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 보호막 형성용 조성물(III-1)을 도공하고, 100℃에서 2분 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 열경화성 보호막 형성용 필름을 제조했다.
또한, 얻어진 보호막 형성용 필름의 제2 박리 필름을 구비하고 있지 않은 측의 노출면에 박리 필름(제1 박리 필름, 린텍사 제조 「SP-PET38 1031」, 두께 38㎛)의 박리 처리면을 첩합함으로써, 보호막 형성용 필름과, 상기 보호막 형성용 필름의 한쪽 면에 형성된 제1 박리 필름과, 상기 보호막 형성용 필름의 다른 쪽 면에 형성된 제2 박리 필름을 구비하여 구성된 적층 필름을 얻었다.
＜＜보호막의 평가＞＞
＜보호막의 Xmin의 측정＞
상기에서 얻어진 적층 필름으로부터 제1 박리 필름을 제거했다.
이어서, 공기 분위기하에서 제1 박리 필름이 제거되고, 제2 박리 필름을 구비한 보호막 형성용 필름을 145℃에서 2시간 가열 처리함으로써, 열경화시켜 보호막을 형성했다.
이어서, 상기 보호막으로부터 제2 박리 필름을 제거하고, 보호막에 대해 UV-Vis 분광 광도계(시마즈 제작소 제조 「UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600」)를 이용하여, 그 부속의 적분구는 이용하지 않고, 근적외역 및 중적외역을 포함하는 1400∼3200㎚의 파장역에 있어서 1㎚마다 흡광도를 측정했다. 그리고, 그 중의 2701∼2999㎚를 제외한 파장역에서의 측정 결과로부터 Xmin을 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
＜보호막의 S100의 측정＞
상기에서 얻어진 적층 필름으로부터 제1 박리 필름을 제거했다.
이어서, 에스펙사 제조 오븐을 이용하여, 제1 박리 필름이 제거되고, 제2 박리 필름을 구비한 보호막 형성용 필름을 145℃에서 2시간 가열 처리함으로써, 열경화시켜 보호막을 형성했다.
이어서, 상기 보호막으로부터 제2 박리 필름을 제거하고, JIS K 7123:2012에 준거하여 시차 주사 열량계(퍼킨엘머사 제조 「PYRIS1」)를 이용하고, 승온 속도를 10℃/min으로 하여, 40∼250℃의 온도 범위에서, 대기압하에서 보호막의 시차 주사 열량을 측정했다. 그리고, 얻어진 열류의 차트로부터 각 온도에서의 열류를 산출하고, 보호막의 사용량을 고려하여 보호막의 S100을 산출했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
＜보호막의 Z100의 산출＞
상기에서 얻어진 Xmin 및 S100의 값으로부터 Z100을 산출했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
＜보호막의 Tm의 측정＞
상기에서 얻어진 적층 필름으로부터 제1 박리 필름을 제거했다.
이어서, 공기 분위기하에서 제1 박리 필름이 제거되고, 제2 박리 필름을 구비한 보호막 형성용 필름을 145℃에서 2시간 가열 처리함으로써, 열경화시켜 보호막을 형성했다.
이어서, 상기 보호막으로부터 제2 박리 필름을 제거하고, 보호막에 대해 UV-Vis 분광 광도계(시마즈 제작소 제조 「UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600」)를 이용하여, 그 부속의 적분구는 이용하지 않고, 400∼750㎚의 파장역(즉, 가시광역)에 있어서 1㎚마다 광의 투과율을 측정했다. 그리고, 그 측정 결과로부터 Tm을 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
＜보호막의 Um의 측정＞
상기에서 얻어진 적층 필름으로부터 제1 박리 필름을 제거했다.
이어서, 공기 분위기하에서 제1 박리 필름이 제거되고, 제2 박리 필름을 구비한 보호막 형성용 필름을 145℃에서 2시간 가열 처리함으로써, 열경화시켜 보호막을 형성했다.
이어서, 상기 보호막으로부터 제2 박리 필름을 제거하고, 보호막에 대해 UV-Vis 분광 광도계(시마즈 제작소 제조 「UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600」)를 이용하여, 근적외역 및 중적외역을 포함하는 1400∼2600㎚의 파장역에 있어서 1㎚마다 SCI 방식에 의해 경면 반사광(정반사광)과 확산 반사광을 맞춘 전광선 반사광의 광량을 측정했다. 또한, 황산바륨제 기준판에 대해서도 동일한 방법으로 전광선 반사광의 광량을 측정했다. 어느 경우에도, 시료 폴더로는 시마즈 제작소사 제조 「대형 시료실 MPC-3100」을 이용하고, 적분구로는 시마즈 제작소사 제조 「적분구 부속 장치 ISR-3100」을 이용하여, 측정 대상물에 대한 입사광의 입사각을 8°로 했다. 그리고, 상기 기준판에서의 측정값에 대한 상기 보호막에서의 측정값의 비율([보호막에서의 전광선 반사광의 광량의 측정값]／[기준판에서의 전광선 반사광의 광량의 측정값]×100), 즉 상기 보호막의 상대 전광선 반사율을 구하여, 이를 광의 반사율로서 채용했다. 그리고, 그 측정 결과로부터 Um을 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
＜가열시에 있어서의 보호막의 최고 도달 온도의 측정＞
상기에서 얻어진 적층 필름으로부터 제1 박리 필름을 제거하고, 이에 의해 생긴 보호막 형성용 필름의 노출면을, 범프(돌출상 전극)를 갖고 있지 않은 8인치 실리콘 웨이퍼(두께 350㎛)의 이면에 상당하는 연마면에 첩부했다. 또한, 이 첩부 후의 보호막 형성용 필름으로부터 제2 박리 필름을 제거하고, 보호막 형성용 필름과 실리콘 웨이퍼가 적층되어 구성된 적층체(1)를 얻었다(제1 적층 공정).
이어서, 에스펙사 제조 오븐을 이용하여, 이 적층체(1)를 145℃에서 2시간 가열 처리함으로써, 보호막 형성용 필름을 열경화시켜 보호막을 형성했다(경화 공정).
이어서, 이 열경화 후의 적층체(1)를 서랭한 후, 그 중의 상기 보호막의 노출면(즉, 실리콘 웨이퍼가 형성되어 있는 측과는 반대측 면) 중, 상기 보호막의 주연부로부터 1∼10㎜의 영역에 열전대를 접촉시키면서 고정했다.
이어서, 상기 보호막의 노출면(실리콘 웨이퍼가 형성되어 있는 측과는 반대측 면)에 다이싱 테이프를 첩부함으로써, 다이싱 테이프(지지 시트에 상당), 보호막 및 실리콘 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 적층체(2’)를 얻었다(제2 적층 공정). 다이싱 테이프로는, 그 직경이 적층체(1)의 직경보다 큰 것을 사용하여 다이싱 테이프를 보호막 및 실리콘 웨이퍼와 동심상이 되도록 배치했다. 적층체(2’)에 있어서, 상기 열전대는 보호막과 다이싱 테이프에 끼워진 상태로 했다.
이어서, 이 상태의 적층체(2’)에 있어서의 다이싱 테이프의 보호막측 면 중, 다이싱 테이프의 주연부에 따른 노출하고 있는 영역을, 실리콘 웨이퍼를 고정하기 위한 링 프레임에 첩부함으로써, 이 열전대가 형성된 적층체(2’)를 고정했다.
이어서, 풀오토 다이세퍼레이터(디스코사 제조 「DDS2300」)를 이용하고, 그 중의 히트 쉬링크 기구를 이용하여, 고정한 적층체(2’) 중의 실리콘 웨이퍼의 외주부를 표적으로 하여, 각속도 0.5°/초의 조건으로, 2000∼3200㎚의 모든 파장역의 광을 조사함으로써, 적층체(2’)를 가열했다.
그리고, 상기 열전대를 이용하여, 이 가열시의 보호막의 최고 도달 온도를 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
＜＜보호막 형성용 필름의 제조 및 보호막의 평가＞＞
[실시예 2∼19, 참고예 1∼8]
보호막 형성용 조성물(III-1)의 함유 성분의 종류 및 함유량이 표 1∼4에 나타내는 바와 같이 되도록, 보호막 형성용 조성물(III-1)의 제조시에 있어서의 배합 성분의 종류 및 배합량 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 변경한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 보호막 형성용 필름을 제조하여 보호막을 평가했다. 결과를 표 1∼4에 나타낸다.
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
상기 결과로부터 명확한 바와 같이, 실시예 1∼19에 있어서는, 가열시에 있어서의 보호막의 최고 도달 온도는 165℃ 이하이며, 낮게 억제되고 있었다. 이는 보호막의 Z100이 0.23 이하이며, 작기 때문이었다. 보호막의 온도가 이러한 영역에 도달했을 경우, 보호막의 변색이 억제되는 것을 사전에 확인해 두었다. 즉, 실시예 1∼19의 보호막을 이면에 구비하고, 회로면에 범프를 갖는 보호막이 형성된 칩을 사용한 경우, 다이싱 테이프 등의 히트 쉬링크시에 있어서, 보호막의 목적 외의 변색이 억제 가능한 것을 확인할 수 있었다.
실시예 1∼19에 있어서는, 보호막 형성용 필름(조성물(III-1))이 함유하는 광흡수제(I)는 2∼7종이었다.
실시예 1∼19에 있어서는, 조성물(III-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 광흡수제(I)의 함유량 비율(즉, 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의 열경화성 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 광흡수제(I)의 함유량 비율)은, 2∼13.1질량％였다.
실시예 1∼19에 있어서는, Tm이 12％ 이하이며, 가시광의 투과율이 낮고, 보호막의 존재의 유무를 용이하게 시인 가능했다. 그 중에서도, 실시예 1∼17, 19에서는 Tm이 6％ 이하이며, 그 효과가 특히 높았다.
또한, 실시예 1∼19에 있어서는, Um이 11％ 이하이며, 근적외선 또는 중적외선의 반사율이 낮았다. 즉, 실시예 1∼19의 보호막 형성용 필름은 근적외선 또는 중적외선을 이용하는 장치의 오작동을 억제할 수 있는 보호막의 형성이 가능했다.
이에 대해 참고예 1∼8에 있어서는, 가열시에 있어서의 보호막의 최고 도달 온도는 170℃ 이상이며, 상기 실시예의 경우보다 높았다. 이는 보호막의 Z100이 0.3 이상이며, 컸기 때문이다. 보호막의 온도가 이러한 영역에 도달했을 경우, 보호막의 변색이 억제되지 않는 것을 사전에 확인해 두었다. 즉, 참고예 1∼8의 보호막을 이면에 구비하고, 회로면에 범프를 갖는 보호막이 형성된 칩을 사용한 경우, 다이싱 테이프 등의 히트 쉬링크시에 있어서, 보호막의 목적 외의 변색을 억제할 수 없는 것을 확인할 수 있었다.
참고예 1∼8에 있어서는, 보호막 형성용 필름(조성물(III-1))이 함유하는 광흡수제(I)는 2∼4종이었다.
참고예 1∼8에 있어서는, 조성물(III-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 광흡수제(I)의 함유량 비율(즉, 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의 열경화성 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 광흡수제(I)의 함유량 비율)은, 3∼5.8질량％였다.
＜＜보호막 형성용 복합 시트의 제조＞＞
[실시예 1]
상술한 실시예 1에서 얻어진 보호막 형성용 필름을 사용하고, 이어서 보호막 형성용 복합 시트를 제조했다. 보다 구체적으로는 이하와 같다.
한편, 본 명세서에 있어서는, 이후, 보호막 형성용 복합 시트의 제조시에 있어서의 실시예 및 참고예의 번호로서, 상술한 보호막 형성용 필름의 제조시와 보호막의 평가시에 있어서의 실시예 및 참고예의 번호를 그대로 이어서 사용한다.
＜점착제 조성물(I-4)의 제조＞
아크릴 수지(100질량부) 및 3관능 자일릴렌디이소시아네이트 가교제(미츠이타케다 케미컬사 제조 「타케네이트 D110N」)(10질량부)를 함유하고, 추가로 용매로서 메틸에틸케톤을 함유하고 있으며, 용매 이외의 모든 성분의 합계 농도가 25질량％인 비에너지선 경화성 점착제 조성물(I-4)을 조제했다. 한편, 여기에 나타내는 메틸에틸케톤 이외의 성분의 함유량은 모두, 용매를 포함하지 않는 목적물의 함유량이다.
상기 아크릴 수지는 아크릴산-2-에틸헥실(80질량부) 및 아크릴산-2-히드록시에틸(20질량부)을 공중합하여 얻어진 중량 평균 분자량 800000의 아크릴 수지이다.
＜지지 시트의 제조＞
폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET38 1031」, 두께 38㎛)을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 점착제 조성물(I-4)을 도공하고, 100℃에서 2분 가열 건조시킴으로써, 두께 5㎛의 비에너지선 경화성 점착제층을 형성했다.
이어서, 기재로서 한쪽 면이 평활면이며, 다른 쪽 면이 요철면인 폴리프로필렌제 필름(1)(두께 80㎛, 무색)을 사용하고, 그 상기 평활면에 상기에서 얻어진 비에너지선 경화성 점착제층의 노출면을 첩합했다. 이에 의해, 기재, 점착제층 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 적층 시트, 즉, 박리 필름이 형성된 지지 시트를 제조했다.
＜보호막 형성용 복합 시트의 제조＞
상기에서 얻어진 지지 시트로부터 박리 필름을 제거했다. 또한, 실시예 1에서 얻어진 적층 필름(즉, 제1 박리 필름 및 제2 박리 필름을 구비한 보호막 형성용 필름)으로부터 제1 박리 필름을 제거했다. 그리고, 상기 박리 필름을 제거하여 생긴 점착제층의 노출면과, 상기 제1 박리 필름을 제거하여 생긴 보호막 형성용 필름의 노출면을 첩합함으로써, 기재, 점착제층, 보호막 형성용 필름 및 제2 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 보호막 형성용 복합 시트를 제조했다. 이 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 지지 시트(기재 및 점착제층)의 직경을 보호막 형성용 필름의 직경보다 크게 하여, 지지 시트를 보호막 형성용 필름과 동심상이 되도록 배치했다.
[실시예 2∼19, 참고예 1∼8]
실시예 1에서 얻어진 적층 필름 대신에, 실시예 2∼19, 참고예 1∼8에서 얻어진 적층 필름을 사용한 점 이외에는, 상기 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 보호막 형성용 복합 시트를 제조했다.
＜＜보호막의 평가＞＞
＜보호막의 Xmin, S100, Tm 및 Um의 측정과, 보호막의 Z100의 산출＞
앞의 실시예 5에 있어서의 적층 필름 대신에, 상기 실시예 5에서 얻어진 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 점 이외에는, 앞의 실시예 5의 경우와 동일한 방법으로 보호막의 Xmin, S100, Tm 및 Um을 측정하여 보호막의 Z100을 산출했다.
예를 들면, Xmin의 측정시에는, 보호막 형성용 복합 시트로부터 제2 박리 필름을 제거하고, 이 상태의 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 145℃에서 2시간 가열 처리함으로써, 열경화시켜 보호막을 형성했다. 그리고, 상기 보호막으로부터 기재 및 점착제층의 적층물(즉, 지지 시트)을 제거하여, 이 보호막에 대해 1400∼3200㎚의 파장역에 있어서 흡광도를 측정했다. S100, Tm 및 Um의 측정시에도 마찬가지로, 보호막의 형성과 보호막의 이들 물성의 측정을 행했다.
＜가열시에 있어서의 보호막의 최고 도달 온도의 측정＞
상기 실시예 5에서 얻어진 보호막 형성용 복합 시트로부터 제2 박리 필름을 제거하고, 이에 의해 생긴 보호막 형성용 필름의 노출면을, 범프(돌출상 전극)를 갖고 있지 않은 8인치 실리콘 웨이퍼(두께 350㎛)의 이면에 상당하는 연마면에 첩부함으로써 적층체(3)를 얻었다.
이어서, 이 적층체(3) 중의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서의 보호막 형성용 필름의 지지 시트측 면 중, 보호막 형성용 필름의 주연부 근방의 영역과 지지 시트 사이에 열전대를 삽입하여 이들 사이에서 고정했다.
이어서, 이 상태의 적층체(3)에 있어서의 지지 시트의 보호막 형성용 필름측 면 중, 지지 시트의 주연부에 따른 노출하고 있는 영역을, 실리콘 웨이퍼를 고정하기 위한 링 프레임에 첩부함으로써, 이 열전대가 형성된 적층체(3)를 고정했다.
이어서, 에스펙사 제조 오븐을 이용하여, 이 열전대가 형성된 적층체(3)를 145℃에서 2시간 가열 처리함으로써, 보호막 형성용 필름을 열경화시켜 보호막을 형성했다(경화 공정). 이에 의해, 지지 시트, 보호막 및 실리콘 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되고, 추가로 지지 시트와 보호막 사이에 상기 열전대를 구비한 열전대가 형성된 적층체(3’)를 얻었다(적층 공정).
이어서, 풀오토 다이세퍼레이터(디스코사 제조 「DDS2300」)를 이용하고, 그 중의 히트 쉬링크 기구를 이용하여, 고정한 적층체(3’) 중의 실리콘 웨이퍼의 외주부 근방을 표적으로 하여, 각속도 0.5°/초의 조건으로, 파장 2000∼3200㎚의 근적외선 및 중적외선을 조사함으로써 적층체(3’)를 가열했다.
이후, 이 열전대가 형성된 적층체(3’)를 사용한 점 이외에는, 앞의 실시예 5의 경우와 동일한 방법으로 적층체(3’)를 가열하고, 상기 열전대를 이용하여, 이 가열시의 보호막의 최고 도달 온도를 측정했다.
그 결과, 여기서의 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 경우의 보호막의 평가 결과는, 모두, 적층 필름을 사용한 앞의 실시예 5에서의 평가 결과와 비교하면, 완전히 동일하거나, 또는, 무시할 수 있는 정도의 오차밖에 없는 거의 동등한 것으로 되어 있으며, 실질적으로 동일해졌다.
본 발명은 반도체 장치를 비롯한 각종 기판 장치의 제조에 이용 가능하다.
101, 102, 103, 104…보호막 형성용 복합 시트, 10, 11…지지 시트, 10a, 20a…지지 시트의 한쪽 면(제1 면), 11…기재, 11a…기재의 한쪽 면(제1 면), 12…점착제층, 13, 23…보호막 형성용 필름, 130’…절단 후의 보호막, 9…칩, 9b…칩의 이면

Claims (8)

  1. 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서,
    상기 보호막의 파장 2000∼3200㎚(단, 2701∼2999㎚를 제외함)에 있어서의 흡광도의 최소값(Xmin)과, 상기 보호막의 100℃에 있어서의 비열(S100)을 이용하여, 식:
    Z100＝Xmin／S100
    에 의해 산출되는 Z100이 0.27 이하인 보호막 형성용 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막 형성용 필름이 열경화성 또는 에너지선 경화성인 보호막 형성용 필름.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보호막 형성용 필름이 가시광 및 적외선 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 흡수 가능한 광흡수제를 2종 이상 함유하는 보호막 형성용 필름.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보호막 형성용 필름이 탄소 재료를 함유하는 보호막 형성용 필름.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호막의 파장 400∼750㎚의 광의 투과율의 최소값(Tm)이 15％ 이하인 보호막 형성용 필름.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호막의 파장 2000∼2600㎚의 광의 반사율의 최대값(Um)이 20％ 이하인 보호막 형성용 필름.
  7. 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 보호막 형성용 필름을 구비하고,
    상기 보호막 형성용 필름이 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 보호막 형성용 필름인 보호막 형성용 복합 시트.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 지지 시트가, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면 상에 형성된 점착제층을 구비하고 있으며,
    상기 점착제층이, 상기 기재와, 상기 보호막 형성용 필름 사이에 배치되어 있는 보호막 형성용 복합 시트.
KR1020200124093A 2019-10-07 2020-09-24 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트 KR20210041490A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-184721 2019-10-07
JP2019184721A JP7326103B2 (ja) 2019-10-07 2019-10-07 保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シート

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210041490A true KR20210041490A (ko) 2021-04-15

Family

ID=75302801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200124093A KR20210041490A (ko) 2019-10-07 2020-09-24 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7326103B2 (ko)
KR (1) KR20210041490A (ko)
CN (1) CN112625276A (ko)
TW (1) TW202118797A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024015735A (ja) * 2022-07-25 2024-02-06 株式会社レゾナック 仮固定用フィルム、仮固定用積層体、半導体装置の製造方法、及び仮固定用組成物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015032644A (ja) 2013-07-31 2015-02-16 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法
WO2015146936A1 (ja) 2014-03-24 2015-10-01 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、ワークまたは加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、および良品と判断された加工物

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015111632A1 (ja) * 2014-01-22 2015-07-30 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シートおよび検査方法
JP6088701B1 (ja) * 2016-10-06 2017-03-01 株式会社きもと レーザーダイシング用補助シート
WO2018147097A1 (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 リンテック株式会社 硬化性樹脂フィルム及び第１保護膜形成用シート
CN109789666B (zh) * 2017-03-30 2024-06-04 琳得科株式会社 保护膜形成用复合片
JP7058096B2 (ja) * 2017-09-27 2022-04-21 日東電工株式会社 粘着フィルム
WO2019131854A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 日東電工株式会社 半導体背面密着フィルム
JP7182603B2 (ja) * 2018-03-09 2022-12-02 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート及び保護膜付き半導体チップの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015032644A (ja) 2013-07-31 2015-02-16 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法
WO2015146936A1 (ja) 2014-03-24 2015-10-01 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、ワークまたは加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、および良品と判断された加工物

Also Published As

Publication number Publication date
CN112625276A (zh) 2021-04-09
JP7326103B2 (ja) 2023-08-15
JP2021061324A (ja) 2021-04-15
TW202118797A (zh) 2021-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108884244B (zh) 保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片
KR102303923B1 (ko) 보호막 형성용 필름, 보호막 형성용 복합 시트 및 반도체 칩의 제조 방법
CN111417513B (zh) 保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法
JP6963024B2 (ja) 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
KR20190003944A (ko) 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2019082974A1 (ja) 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
WO2018212171A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR20200125476A (ko) 보호막 형성용 복합 시트
KR20210041490A (ko) 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트
CN111279468A (zh) 保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法
KR102596665B1 (ko) 보호막 형성용 필름, 보호막 형성용 복합 시트, 검사 방법 및 식별 방법
JP7478524B2 (ja) 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び保護膜付きワーク加工物の製造方法
KR102328791B1 (ko) 보호막 형성용 복합 시트
KR102577856B1 (ko) 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트
JP6929835B2 (ja) 保護膜形成用複合シート
KR20210041496A (ko) 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트
KR20210041498A (ko) 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트
KR20210041497A (ko) 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트
JP7500169B2 (ja) 保護膜形成用複合シート
KR20190003943A (ko) 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102332694B1 (ko) 보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트
KR20210029097A (ko) 보호막 형성용 필름, 보호막 형성용 복합 시트, 및 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법
TW202239602A (zh) 保護膜形成膜、保護膜形成用複合片、具保護膜之工件加工物的製造方法、以及具保護膜之工件的製造方法
KR20210021908A (ko) 보호막 형성용 복합 시트 롤
KR20200138155A (ko) 지지 시트와 그 제조 방법, 및 보호막 형성용 복합 시트와 그 제조 방법