KR20210041195A - Gas supplying apparatus for pipe and apparatus for manufacturing semiconductor comprising the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a pipe gas supplying apparatus and an apparatus for manufacturing a semiconductor including the same. The pipe gas supplying apparatus of the present invention is installed on a pipe connecting the vacuum pump and the scrubber connected to a processor chamber, and includes: a body disposed on the pipe and having a flow path through which the toxic reaction by-product gas passing through the vacuum pump flows; a chamber body disposed in the flow path to form a gas chamber along an inner circumference of the body; a supply unit coupled to the body to supply hot gas to the gas chamber; and nozzles connecting the gas chamber to the flow path and ejecting the hot gas of the gas chamber to the inner circumference of the chamber body. The nozzles are arranged along the inner circumference of the body, and the hot gas bent in a streamline shape along the inner circumference and injected from the nozzle flows in contact with the inner circumference of the pipe, so that the toxic reaction by-product gas is prevented from coming into contact with the inner circumference of the pipe. Accordingly, toxic reaction by-products are not prevented from sticking to the inner circumference of the pipe, so that the clogging of the pipe by the toxic reaction by-product gas is prevented.

Description

배관 가스 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치{Gas supplying apparatus for pipe and apparatus for manufacturing semiconductor comprising the same}A gas supplying apparatus for a pipe and a semiconductor manufacturing apparatus including the same

본 발명은 배관 가스 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a pipe gas supply apparatus and a semiconductor manufacturing apparatus including the same.

반도체 제조공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly [0002] 공정)으로 이루어진다. 전공정은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말한다. 후 공정은 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.The semiconductor manufacturing process is largely composed of a pre-process (Fabrication process) and a post-process (Assembly process). The entire process is a process of depositing a thin film on a wafer in various process chambers and selectively etching the deposited thin film to process a specific pattern. It refers to the process of manufacturing. The post process refers to the process of individually separating the chips manufactured in the previous process and then assembling them into finished products by combining them with the lead frame.

상기 웨이퍼 상에 박막을 증착 하거나, 웨이퍼 상에 증착 된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행된다. 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유하는 반응부산물 가스가 다량으로 발생한다.The process of depositing a thin film on the wafer or etching the thin film deposited on the wafer uses harmful gases such as silane, arsine, and boron chloride in the process chamber, and process gases such as hydrogen. Carried out at high temperatures. During the process, a large amount of reaction by-product gases containing various ignitable gases, corrosive foreign substances, and toxic components are generated inside the process chamber.

따라서 반도체 제조공정에는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후측에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 반응 부산물 가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크루버(Scrubber)를 설치한다.Accordingly, in the semiconductor manufacturing process, a scrubber is installed at the rear side of the vacuum pump that makes the process chamber into a vacuum state, purifying the reaction by-product gas discharged from the process chamber, and then discharging it to the atmosphere.

하지만, 프로세스 챔버로부터 발생된 유독성 반응부산물 가스가 프로세스 챔버로부터 각 배관을 통해 진공펌프 및 스크루버에 이르는 과정에서 배관의 내부 둘레에 붙어 누적되면서 막힘 현상이 발생하였다.However, the toxic reaction by-product gas generated from the process chamber adhered to the inner circumference of the pipe and accumulated during the process from the process chamber to the vacuum pump and the scrubber through each pipe, causing a clogging phenomenon.

대한민국 등록특허 제10-1091136호 (2011.12.01.)Korean Patent Registration No. 10-1091136 (2011.12.01.)

본 발명은 프로세서 챔버로부터 발생된 유독성 반응부산물 가스가 유동하는 배관의 내부 둘레로 가스를 공급하여 유독성 반응분산물이 배관의 내부 둘레에 붙지 않도록 하는 기술을 제공한다.The present invention provides a technology for supplying gas around an inner circumference of a pipe through which toxic reaction by-product gas generated from a processor chamber flows so that the toxic reaction dispersion does not adhere to the inner circumference of the pipe.

본 발명의 한 실시예에 따른 배관 가스 공급 장치는, 프로세서 챔버와 연결된 진공펌프와 스크루버를 연결하는 배관에 설치되는 것으로, 상기 배관 상에 배치되며 상기 진공펌프를 경유한 유독성 반응부산물 가스가 유동하는 유동유로가 내부를 관통하는 본체, 상기 유동유로에 배치되어 상기 본체의 내부 둘레를 따라 가스챔버를 형성하는 챔버몸체, 상기 본체와 결합되어 핫가스 공급부와 연결될 수 있으며 상기 가스챔버로 핫가스를 공급하는 공급부 및 상기 가스챔버와 상기 유동유로를 연결하며 상기 가스챔버의 핫가스를 상기 챔버몸체의 내부둘레로 분출하는 노즐을 포함한다.The piping gas supply device according to an embodiment of the present invention is installed in a piping connecting a vacuum pump and a scrubber connected to the processor chamber, and is disposed on the piping, and toxic reaction by-product gas flows through the vacuum pump. The main body through which the flow passage passes through the inside, the chamber body disposed in the flow passage to form a gas chamber along the inner circumference of the main body, and coupled to the main body may be connected to the hot gas supply unit, and the hot gas is supplied to the gas chamber. And a supply unit for supplying and a nozzle connecting the gas chamber and the flow passage and ejecting hot gas from the gas chamber to the inner circumference of the chamber body.

상기 노즐은 상기 본체의 내부 둘레를 따라 배열되어 있으며 상기 본체의 내부 둘레를 따라 유선형으로 구부러져 있을 수 있다.The nozzles are arranged along the inner circumference of the main body and may be curved in a streamlined shape along the inner circumference of the main body.

상기 핫가스의 온도는 150℃ 내지 250℃이고 상기 핫가스는 질소가스를 포함할 수 있다.The temperature of the hot gas is 150°C to 250°C, and the hot gas may include nitrogen gas.

상기 유동유로는, 입구를 이루며 상기 챔버몸체가 배치되어 있는 제1 유로, 상기 제1 유로와 연결되어 있고 상기 노즐이 위치하는 제2 유로, 상기 제2 유로와 연결되어 있고 출구를 이루는 제3 유로로 구획될 수 있다.The flow passage comprises a first passage forming an inlet and in which the chamber body is disposed, a second passage connected to the first passage and in which the nozzle is located, and a third passage connected to the second passage and forming an outlet. Can be divided into.

상기 제1 유로와 상기 제3 유로의 지름은 같고, 상기 제2 유로의 둘레 지름은 상기 제1 유로의 둘레 지름보다 크며, 상기 제1 유로와 상기 제2 유로의 지름 차이로 상기 노즐이 연결된 단턱이 형성되고, 상기 제2 유로와 상기 제3 유로는 경사면으로 연결될 수 있다.The first flow path and the third flow path have the same diameter, the second flow path has a circumferential diameter greater than the first flow path, and the nozzle is connected by a difference in diameter between the first flow path and the second flow path. Is formed, and the second flow path and the third flow path may be connected to each other by an inclined surface.

상기 본체는, 상기 유동유로를 형성하고 상기 공급부가 결합된 몸체, 그리고 상기 몸체의 양단에 형성되어 있고 클램프가 걸리는 플랜지를 포함할 수 있다.The main body may include a body forming the flow passage and coupled to the supply unit, and flanges formed at both ends of the body to which clamps are applied.

상기 몸체의 양단에는 상기 플랜지의 형성으로 원주 방향을 따라 걸림홈이 형성될 수 있다.Engaging grooves may be formed at both ends of the body along the circumferential direction by the formation of the flange.

본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 프로세서 챔버, 상기 프로세서 챔버와 연결된 진공펌프, 배관으로 상기 진공펌프와 연결된 스크루버 및 상기와 같이 기재된 배관 가스 공급 장치를 포함한다.A semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a processor chamber, a vacuum pump connected to the processor chamber, a screwer connected to the vacuum pump by a pipe, and a pipe gas supply device described above.

상기 배관 가스 공급 장치는, 상기 배관에 배치되어 상기 배관으로 150℃ 내지 250℃ 온도의 질소가스를 공급하며, 상기 150℃ 내지 250℃ 온도의 질소가스는 상기 배관의 내부 둘레에 접하여 유동하면서 상기 프로세서 챔버에서 생성된 유독성 반응부사물이 상기 배관의 내부 둘레에 접하지 않도록 할 수 있다.The pipe gas supply device is disposed in the pipe to supply nitrogen gas having a temperature of 150°C to 250°C to the pipe, and the nitrogen gas having a temperature of 150°C to 250°C flows in contact with the inner circumference of the pipe while the processor It is possible to prevent the toxic reaction by-products generated in the chamber from contacting the inner circumference of the pipe.

본 발명의 실시예에 따르면, 노즐의 타단에서 핫가스가 분사되면서 유동유로의 둘레와 배관의 둘레와 접하면서 둘레를 따라 스크루버의 방향으로 유동하므로 유독성 반응부산물 가스가 배관의 내부 둘레에 붙지 않게 되며 이에 따라 유독성 반응부산물(파우더)이 배관의 내부 둘레에 쌓이지 않는다. 이에 유독성 반응부산물이 배관의 내부 둘레에 쌓이면서 발생하는 유지보수 및 장치 고장 등을 예방할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, while hot gas is injected from the other end of the nozzle, it is in contact with the circumference of the flow channel and the circumference of the pipe and flows along the circumference in the direction of the scrubber. As a result, toxic reaction by-products (powder) do not accumulate around the inside of the pipe. Accordingly, it is possible to prevent maintenance and equipment failure that occur when toxic reaction by-products accumulate around the inside of the pipe.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 나타낸 개략도.
도 2는 도 1의 배관 가스 공급 장치를 나타낸 사시도.
도 3은 도 2의 배관 가스 공급 장치 내부를 나타낸 반단면 사시도.
도 4는 도 1의 배관 가스 공급 장치를 나타낸 전단면도.
도 5는 도 4의 노즐을 설명하기 위한 부분 단면 사시도.
도 6은 배관을 유동하는 핫가스와 유독성 반응부산물 가스의 유동 상태를 나타낸 개략도. 1 is a schematic diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a perspective view showing the pipe gas supply device of Figure 1;
Figure 3 is a half-sectional perspective view showing the inside of the pipe gas supply device of Figure 2;
Figure 4 is a cross-sectional view showing the pipe gas supply device of Figure 1;
5 is a partial cross-sectional perspective view for explaining the nozzle of FIG. 4.
6 is a schematic diagram showing a flow state of hot gas and toxic reaction by-product gas flowing through a pipe.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. Like reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

본 발명의 실시예에 따른 배관 가스 공급 장치는 본 발명의 실시예인 반도체 제조 장치에 적용될 수 있는 바, 이하에서는 배관 가스 공급 장치가 적용된 반도체 제조 장치 위주로 설명한다.The piping gas supply apparatus according to the embodiment of the present invention can be applied to the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention. Hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus to which the piping gas supply apparatus is applied will be mainly described.

그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 대하여 도 1 내지 도 5를 참고하여 설명한다.Then, a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 나타낸 개략도이고, 도 2는 도 1의 배관 가스 공급 장치를 나타낸 사시도이며, 도 3은 도 2의 배관 가스 공급 장치 내부를 나타낸 반단면 사시도이고, 도 4는 도 1의 배관 가스 공급 장치를 나타낸 전단면도이며, 도 5는 도 4의 노즐을 설명하기 위한 부분 단면 사시도이다.1 is a schematic diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing the pipe gas supply device of FIG. 1, and FIG. 3 is a half cross-sectional perspective view showing the inside of the pipe gas supply apparatus of FIG. 4 is a cross-sectional view showing the pipe gas supply device of FIG. 1, and FIG. 5 is a partial cross-sectional perspective view for explaining the nozzle of FIG. 4.

먼저, 도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 반도체 제조 장치(1)는 프로세서 챔버(10), 진공펌프(30), 스크루버(40) 및 배관 가스 공급 장치(60)를 포함하며 프로세서 챔버(10)에서 생성된 유독성 반응부산물이 유동하는 배관의 내부 둘레에 붙지 않도록 한다.First, referring to FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment includes a processor chamber 10, a vacuum pump 30, a scrubber 40, and a pipe gas supply device 60. Do not allow the toxic reaction by-products generated in (10) to stick around the inside of the flowing pipe.

프로세서 챔버(10)는 고진공 상태를 유지하면서 이송된 웨이퍼에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하여 반도체 칩(Chip)을 제조한다. 이때 프로세서 챔버(10)에서는 유독성분을 함유하는 반응부산물 가스가 다량으로 발생한다.The processor chamber 10 manufactures a semiconductor chip by repeatedly performing a process of depositing a thin film on the transferred wafer while maintaining a high vacuum state and selectively etching the deposited thin film to process a specific pattern. At this time, a large amount of reaction by-product gas containing toxic components is generated in the processor chamber 10.

진공펌프(30)는 배기배관(20)으로 프로세서 챔버(10)와 연결되어 있다. 진공펌프(30)의 작동으로 프로세서 챔버(10)는 진공상태를 유지한다.The vacuum pump 30 is connected to the processor chamber 10 through an exhaust pipe 20. The processor chamber 10 maintains a vacuum state by the operation of the vacuum pump 30.

스크루버(Scrubber)(40)는 배관(50)으로 진공펌프(30)와 연결되어 있다. 프로세서 챔버(10)에서 발생한 유독성 반응부산물 가스는 진공펌프(30) 및 배관(50)을 통해 스크루버(40)로 유입될 수 있다. 스크루버(40)는 유입된 유독성 반응부산물 가스를 정화시킨 후 대기로 방출한다.The scrubber 40 is connected to the vacuum pump 30 through a pipe 50. The toxic reaction by-product gas generated in the processor chamber 10 may be introduced into the scrubber 40 through the vacuum pump 30 and the pipe 50. The scrubber 40 purifies the introduced toxic reaction by-product gas and discharges it to the atmosphere.

이와 같은 프로세서 챔버(10), 진공펌프(30) 및 스크루버(40)는 공지된 반도체 제조 장치의 프로세서 챔버, 진공펌프 및 스크루버와 동일하므로 이하, 프로세서 챔버(10), 진공펌프(30) 및 스크루버(40)에 대한 자세한 설명은 생략한다.Since the processor chamber 10, the vacuum pump 30, and the screwer 40 are the same as the processor chamber, the vacuum pump, and the screwer of a known semiconductor manufacturing apparatus, hereinafter, the processor chamber 10 and the vacuum pump 30 And detailed description of the screwer 40 will be omitted.

도 2 내지 도 5를 더 참고하면, 배관 가스 공급 장치(60)는 본체(61), 챔버몸체(63), 공급부(64) 및 노즐(65)을 포함하며, 배관(50) 상에 배치되어 배관(50)의 내부로 150℃ 내지 250℃의 온도를 유지하는 핫가스를 공급한다. 핫가스의 온도는 유독성 반응부산물 가스의 온도 보다 높을 수 있다. 핫가스는 질소가스를 포함할 수 있다.2 to 5, the pipe gas supply device 60 includes a main body 61, a chamber body 63, a supply unit 64, and a nozzle 65, and is disposed on the pipe 50. Hot gas maintaining a temperature of 150°C to 250°C is supplied into the pipe 50. The temperature of the hot gas may be higher than the temperature of the toxic reaction by-product gas. The hot gas may include nitrogen gas.

본체(61)는 몸체(611), 그리고 플랜지(612)를 포함하며 진공펌프(30)와 스크루버(40)의 사이에서 배관(50)에 배치되어 있다. 몸체(611)의 내부를 유동유로(62)가 관통하고 있다. 유동유로(62)는 배관(50)의 내부와 연결되어 있다. 이에 진공펌프(30)를 경유한 유독성 반응부산물 가스는 유동유로(62)를 통과하여 스크루버(40)의 방향으로 유동할 수 있다.The main body 61 includes a body 611 and a flange 612 and is disposed in the pipe 50 between the vacuum pump 30 and the screwer 40. A flow passage 62 passes through the inside of the body 611. The flow passage 62 is connected to the inside of the pipe 50. Accordingly, the toxic reaction by-product gas passing through the vacuum pump 30 may pass through the flow passage 62 and flow in the direction of the scrubber 40.

플랜지(612)는 몸체(611)의 양단 외부 둘레를 따라 돌출된 형태로 형성되어 있다. 플랜지(612)의 형성으로 몸체(611)의 양단에는 클램프(도시하지 않음)가 걸리는 걸림홈(612a)이 형성된다. 한편, 플랜지(612)는 배관(50)에 형성된 플랜지(도시하지 않음)와 접하며 클램프는 두 플랜지를 감싸 결합한다. 배관(50)과 몸체(611)가 접하는 부분에는 센터링(도시하지 않음)이 배치되어 있다.The flange 612 is formed to protrude along the outer circumference of both ends of the body 611. With the formation of the flange 612, locking grooves 612a for clamping (not shown) are formed at both ends of the body 611. On the other hand, the flange 612 is in contact with a flange (not shown) formed on the pipe 50, and the clamp wraps and couples the two flanges. A center ring (not shown) is disposed in a portion where the pipe 50 and the body 611 contact each other.

챔버몸체(63)는 유동유로(62)에 위치하여 진공펌프(30)의 방향으로 편심되게 배치되어 있다. 챔버몸체(63)의 외부 둘레는 유동유로(62)를 형성하는 몸체(611)의 내부 둘레와 떨어져 마주하고 있다. 이에 챔버몸체(63)의 외부 둘레와 몸체(611)의 내부 둘레 사이에는 가스챔버(631)가 형성된다.The chamber body 63 is located in the flow passage 62 and is disposed eccentrically in the direction of the vacuum pump 30. The outer circumference of the chamber body 63 faces away from the inner circumference of the body 611 forming the flow passage 62. Accordingly, a gas chamber 631 is formed between the outer circumference of the chamber body 63 and the inner circumference of the body 611.

챔버몸체(63)의 배치로 유동유로(62)는 제1 유로(621), 제2 유로(622) 및 제3 유로(623)로 구획된다. 제1 유로(621)는 챔버몸체(63)의 내부 둘레가 형성하며 진공펌프(30)를 경유한 유독성 반응부산물 가스가 유입되는 입구를 이루는 갖는다. 제2 유로(622)는 제1 유로(621)와 연결되어 있으며 몸체(611)의 내부 둘레가 형성한다. 이에 제2 유로(622)의 지름은 제1 유로(621)의 지름보다 크며 지름 차이로 인해 제1 유로(621)와 제2 유로(622)의 사이에 단턱(521a)이 형성된다. 제3 유로(623)는 몸체(611)의 타측에서 제2 유로(622)와 경사면(622a)으로 연결되어 있다. 제3 유로(623)는 유독성 반응부산물 가스가 배출되는 출구를 갖는다. 제3 유로(623)의 둘레에는 유선형으로 구부러져 있는 블레이드(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 블레이드는 제3 유로(623)의 원주 방향을 따라 배열되어 있다. 블레이드는 제3 유로(623)를 유동하는 유동물(핫가스, 유독성 반응부산물 가스)의 유동을 유도한다.With the arrangement of the chamber body 63, the flow path 62 is divided into a first flow path 621, a second flow path 622, and a third flow path 623. The first flow path 621 has an inner circumference of the chamber body 63 and forms an inlet through which the toxic reaction by-product gas through the vacuum pump 30 is introduced. The second flow path 622 is connected to the first flow path 621 and forms an inner circumference of the body 611. Accordingly, the diameter of the second flow path 622 is larger than the diameter of the first flow path 621, and a stepped step 521a is formed between the first flow path 621 and the second flow path 622 due to the difference in diameter. The third flow path 623 is connected to the second flow path 622 on the other side of the body 611 by an inclined surface 622a. The third flow path 623 has an outlet through which toxic reaction by-product gas is discharged. A blade (not shown) that is curved in a streamlined shape is formed around the third flow path 623. The blades are arranged along the circumferential direction of the third flow path 623. The blade induces the flow of a fluid (hot gas, toxic reaction by-product gas) flowing through the third flow path 623.

공급부(64)는 몸체(611)의 외부 둘레에 위치하여 수직하게 배치되어 있다. 공급부(64)의 내부는 상하 관통되어 가스챔버(631)와 연결되어 있다. 한편, 공급부(64)는 150℃ 내지 250℃의 온도를 유지하는 핫가스를 공급하는 공급부(도시하지 않음)와 연결될 수 있다. 이에 가스챔버(631)로 유동유로(62)를 유동하는 유독성 반응부산물 가스보다 높은 온도를 갖는 핫가스가 유입될 수 있다.The supply unit 64 is positioned vertically around the outer circumference of the body 611. The inside of the supply unit 64 penetrates up and down to be connected to the gas chamber 631. Meanwhile, the supply unit 64 may be connected to a supply unit (not shown) that supplies hot gas maintaining a temperature of 150°C to 250°C. Accordingly, a hot gas having a higher temperature than the toxic reaction by-product gas flowing through the flow passage 62 may be introduced into the gas chamber 631.

노즐(65)은 제2 유로(622)에 위치하여 일단이 단턱(521a)과 연결되어 있다. 노즐(65)의 내부는 관통되어 가스챔버(631)와 연결되어 있다. 노즐(65)은 일단에서 타단으로 갈수록 제2 유로(622)의 둘레를 따라 유선형으로 구부러져 있다. 노즐(65)은 단턱(521a)의 원주 방향을 따라 배열되어 있다. 노즐(65)의 내부 둘레 지름은 가스챔버(631)의 상하 높이 숫자보다 작다.The nozzle 65 is located in the second flow path 622 and has one end connected to the stepped jaw 521a. The inside of the nozzle 65 penetrates and is connected to the gas chamber 631. The nozzle 65 is bent in a streamlined shape along the circumference of the second flow path 622 from one end to the other end. The nozzles 65 are arranged along the circumferential direction of the stepped jaw 521a. The inner circumferential diameter of the nozzle 65 is smaller than the number of vertical heights of the gas chamber 631.

도 6을 참고하면, 가스챔버(631)의 핫가스(빨간색 화살표)는 노즐(65)을 통해 제2 유로(622)의 둘레로 분출된다. 분출된 핫가스는 제2 유로(622) 및 제3 유로(623)의 둘레와 접하면서 둘레를 따라 토네이도 형태로 유동하면서 출구를 통해 스크루버(40)와 연결된 배관(50)으로 유입된다. 이때 제3 유로(623)의 블레이드에 의해 유동물은 토네이도 형태로 더욱 유동할 수 있다.Referring to FIG. 6, hot gas (red arrow) in the gas chamber 631 is ejected around the second flow path 622 through the nozzle 65. The ejected hot gas comes into contact with the peripheries of the second flow path 622 and the third flow path 623 and flows in the form of a tornado along the circumference, and flows into the pipe 50 connected to the scrubber 40 through the outlet. At this time, the fluid may further flow in the form of a tornado by the blades of the third flow path 623.

배관(50)으로 유입된 핫가스 또한 배관(50)의 둘레와 접하여 둘레를 따라 유동하면서 스크루버(40)의 방향으로 유동한다. 즉, 핫가스는 배관(50)의 둘레와 접하여 토네이도 형태로 유동한다. 진공펌프(30)를 경유한 유독성 반응부산물(파란색 화살표)은 제1 유로(621)를 통해 제2 유로(622)로 유입되어 핫가스와 접한다.The hot gas introduced into the pipe 50 also flows in the direction of the scrubber 40 while being in contact with the circumference of the pipe 50 and flowing along the circumference. That is, the hot gas flows in the form of a tornado in contact with the circumference of the pipe 50. The toxic reaction by-product (blue arrow) passed through the vacuum pump 30 flows into the second flow path 622 through the first flow path 621 and contacts the hot gas.

한편, 핫가스의 유속은 유독성 반응부산물 가스의 유속보다 크다. 이에 유동유로(62)를 통과하여 배관(50)으로 유입된 유독성 반응부산물 가스는 배관(50)의 내부 둘레와 접하지 않고 스크루버(40) 방향으로 유동한다. 이에 유독성 반응부산물 가스는 배관(50)에서 핫가스를 따라 스크루버(40)로 유동하게 되면서 유독성 반응부산물이 배관(50)에 잔존하지 않고 빠져나가므로 배관(50)에서 응고되지 않는다.On the other hand, the flow rate of the hot gas is greater than the flow rate of the toxic reaction by-product gas. Accordingly, the toxic reaction by-product gas flowing into the pipe 50 through the flow passage 62 flows in the direction of the scrubber 40 without contacting the inner circumference of the pipe 50. Accordingly, as the toxic reaction by-product gas flows from the pipe 50 to the scrubber 40 along the hot gas, the toxic reaction by-product does not remain in the pipe 50 and exits, so that the pipe 50 does not solidify.

노즐(65)의 타단에서 핫가스가 분사되면서 유동유로(62)의 둘레와 배관(50)의 둘레와 접하면서 둘레를 따라 스크루버(40)의 방향으로 유동하므로 유독성 반응부산물 가스가 배관(50)의 내부 둘레에 붙지 않게 되며 이에 따라 유독성 반응부산물(파우더)이 배관(50)의 내부 둘레에 쌓이지 않는다. 이에 유독성 반응부산물이 배관(50)의 내부 둘레에 쌓이면서 발생하는 유지보수 및 장치 고장 등을 예방할 수 있다.As hot gas is injected from the other end of the nozzle 65, the toxic reaction by-product gas flows in the direction of the scrubber 40 along the circumference while contacting the circumference of the flow path 62 and the circumference of the pipe 50. ) Does not stick to the inner circumference of the pipe, and thus toxic reaction by-products (powder) do not accumulate around the inner circumference of the pipe 50. Accordingly, it is possible to prevent maintenance and equipment failure that occur when toxic reaction by-products accumulate around the inside of the pipe 50.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements by those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also present. It belongs to the scope of rights of

1: 반도체 제조 장치 10: 프로세서 챔버
20: 배기배관 30: 진공펌프
40: 스크루버 50: 배관
60: 배관 가스 공급 장치
61: 본체 611: 몸체
612: 플랜지 612a: 걸림홈
62: 유동유로 621: 제1 유로
621a: 단턱 622: 제2 유로
622a: 경사면 623: 제3 유로
63: 챔버몸체 631: 가스챔버
64: 공급부 65: 노즐1: semiconductor manufacturing apparatus 10: processor chamber
20: exhaust pipe 30: vacuum pump
40: screwer 50: piping
60: piping gas supply device
61: body 611: body
612: flange 612a: locking groove
62: fluid flow 621: first flow
621a: step 622: second euro
622a: slope 623: third flow path
63: chamber body 631: gas chamber
64: supply unit 65: nozzle

Claims (5)

프로세서 챔버와 연결된 진공펌프와 스크루버를 연결하는 배관에 설치되는 것으로,
상기 배관 상에 배치되며 상기 진공펌프를 경유한 유독성 반응부산물 가스가 유동하는 유동유로가 내부를 관통하는 본체,
상기 유동유로에 배치되어 상기 본체의 내부 둘레를 따라 가스챔버를 형성하는 챔버몸체,
상기 본체와 결합되어 핫가스 공급부와 연결될 수 있으며 상기 가스챔버로 핫가스를 공급하는 공급부 및
상기 가스챔버와 상기 유동유로를 연결하며 상기 가스챔버의 핫가스를 상기 챔버몸체의 내부둘레로 분출하는 노즐
을 포함하며,
상기 노즐은 상기 본체의 내부 둘레를 따라 배열되어 있으며 상기 본체의 내부 둘레를 따라 유선형으로 구부러져 있는
배관 가스 공급 장치. It is installed in the pipe connecting the vacuum pump and the screwer connected to the processor chamber,
A main body disposed on the pipe and through which a flow passage through which the toxic reaction by-product gas flows through the vacuum pump passes,
A chamber body disposed in the flow passage to form a gas chamber along the inner circumference of the main body,
A supply unit that is coupled to the main body and may be connected to a hot gas supply unit and supplies hot gas to the gas chamber; and
A nozzle connecting the gas chamber and the flow passage and ejecting hot gas from the gas chamber to the inner circumference of the chamber body
Including,
The nozzle is arranged along the inner circumference of the main body and is bent in a streamlined shape along the inner circumference of the main body.
Plumbing gas supply. 제1항에서,
상기 핫가스의 온도는 150℃ 내지 250℃이고, 상기 핫가스는, 질소가스를 포함하는 배관 가스 공급 장치.In claim 1,
The temperature of the hot gas is 150 ℃ to 250 ℃, the hot gas is a piping gas supply device containing nitrogen gas. 제1항에서,
상기 유동유로는,
입구를 이루며 상기 챔버몸체가 배치되어 있는 제1 유로,
상기 제1 유로와 연결되어 있고 상기 노즐이 위치하는 제2 유로,
상기 제2 유로와 연결되어 있고 출구를 이루는 제3 유로
로 구획되며,
상기 제1 유로와 상기 제3 유로의 지름은 같고, 상기 제2 유로의 둘레 지름은 상기 제1 유로의 둘레 지름보다 크며, 상기 제1 유로와 상기 제2 유로의 지름 차이로 상기 노즐이 연결된 단턱이 형성되고, 상기 제2 유로와 상기 제3 유로는 경사면으로 연결되어 있는
배관 가스 공급 장치.In claim 1,
The flow passage,
A first flow path forming an inlet and in which the chamber body is disposed,
A second flow path connected to the first flow path and in which the nozzle is located,
A third flow path connected to the second flow path and forming an outlet
Is divided into
The first flow path and the third flow path have the same diameter, the second flow path has a circumferential diameter greater than the first flow path, and the nozzle is connected by a difference in diameter between the first flow path and the second flow path. Is formed, and the second flow path and the third flow path are connected by an inclined surface.
Plumbing gas supply. 제1항에서,
상기 본체는,
상기 유동유로를 형성하고 상기 공급부가 결합된 몸체, 그리고
상기 몸체의 양단에 형성되어 있고 클램프가 걸리는 플랜지
를 포함하며,
상기 몸체의 양단에는 상기 플랜지의 형성으로 원주 방향을 따라 걸림홈이 형성되는
배관 가스 공급 장치.In claim 1,
The main body,
A body forming the flow passage and coupled with the supply unit, and
Flange formed at both ends of the body and clamped
Including,
At both ends of the body, locking grooves are formed along the circumferential direction by the formation of the flange.
Plumbing gas supply. 프로세서 챔버,
상기 프로세서 챔버와 연결된 진공펌프,
배관으로 상기 진공펌프와 연결된 스크루버 및
제1항 내지 제4항 중 선택된 어느 한 항에 정의되어 있는 배관 가스 공급 장치
를 포함하며,
상기 배관 가스 공급 장치는, 상기 배관에 배치되어 상기 배관으로 150℃ 내지 250℃ 온도의 질소가스를 공급하며, 상기 150℃ 내지 250℃ 온도의 질소가스는 상기 배관의 내부 둘레에 접하여 유동하면서 상기 프로세서 챔버에서 생성된 유독성 반응부사물이 상기 배관의 내부 둘레에 접하지 않도록 하는
반도체 제조 장치.Processor chamber,
A vacuum pump connected to the processor chamber,
A screwer connected to the vacuum pump through a pipe, and
The piping gas supply device defined in any one of claims 1 to 4
Including,
The pipe gas supply device is disposed in the pipe to supply nitrogen gas having a temperature of 150°C to 250°C to the pipe, and the nitrogen gas having a temperature of 150°C to 250°C flows in contact with the inner circumference of the pipe while the processor To prevent toxic reaction by-products generated in the chamber from contacting the inner circumference of the pipe
Semiconductor manufacturing equipment.
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