KR101494755B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 히터부로 공정가스에 유입됨에 따라 히터부의 손상 및 수명단축이 유발되는 것이 방지되도록 구조가 개선된 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판처리장치는 기판에 대한 공정처리가 행해지는 공간부가 형성되어 있는 챔버와, 챔버의 공간부에 승강 가능하게 설치되며, 기판이 안착되는 서셉터와, 기판을 향하여 공정가스를 분사하는 가스공급기와, 서셉터의 하방에 배치되며, 기판을 가열하는 히터부와, 히터부로 공정가스가 유입되는 것이 방지되도록 히터부로 비반응 가스를 공급하는 비반응 가스 공급수단을 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus improved in structure so as to prevent damage to the heater unit and shortening of the life span of the heater unit as the process gas flows into the heater unit. A substrate processing apparatus according to the present invention includes: a chamber in which a space is formed in which processing is performed on a substrate; a susceptor which is installed in a space portion of the chamber so as to be able to move up and down; A heater for heating the substrate; and a non-reactive gas supplying means for supplying the non-reactive gas to the heater so as to prevent the process gas from flowing into the heater.

기판, 비반응 가스, 히터 Substrate, unreacted gas, heater

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}[0001] Substrate processing apparatus [

본 발명은 기판에 대하여 박막증착공정 또는 포토리소그라피 공정 등의 소정의 공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a predetermined process such as a thin film deposition process or a photolithography process on a substrate.

일반적으로 반도체소자 또는 액정표시소자를 제조하기 위해서는 실리콘웨이퍼 또는 글래스(이하, '기판'이라 함)에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정 등을 거치게 되는데, 이러한 공정은 기판처리장치에서 이루어진다.Generally, in order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display device, a thin film deposition process for depositing a raw material on a silicon wafer or glass (hereinafter referred to as a substrate), a process for exposing or hiding a selected region of these thin films using a photosensitive material A photolithography process, and the like. Such a process is performed in a substrate processing apparatus.

도 1은 종래의 기판처리장치의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional substrate processing apparatus.

도 1을 참조하면, 종래의 기판처리장치(9)는 챔버(1)와, 챔버의 내부에 승강 및 회전가능하게 설치되며 기판이 안착되는 서셉터(2)와, 서셉터의 상측에 배치되어 기판으로 공정가스를 분사하는 샤워헤드(3)와, 서셉터(3)의 하측에 배치되어 기판을 가열하는 히터부(4)를 포함한다. 히터부(4)는 기판을 공정온도로 가열하기 위한 것으로, 히터부(4)는 전원 인가시 발열하는 판 형상의 발열부재와, 발열부재를 보호하기 위하여 이 발열부재를 감싸도록 상호 조립되는 복수의 플레이트로 이루어져 있다.1, a conventional substrate processing apparatus 9 includes a chamber 1, a susceptor 2 mounted on the inside of the chamber so as to be vertically movable and rotatable, on which a substrate is placed, A showerhead 3 for spraying a process gas to the substrate, and a heater 4 disposed below the susceptor 3 for heating the substrate. The heater unit 4 is for heating the substrate to a process temperature. The heater unit 4 includes a plate-shaped heating member that generates heat when power is applied thereto, and a plurality of heat- .

하지만, 종래의 기판처리장치(9)의 경우, 도 1에 화살표로 도시된 바와 같이 샤워헤드(3)에서 분사된 공정가스가 플레이트 사이의 틈새를 통해 히터부의 내부로 유입된다. 그리고, 이와 같이 유입된 공정가스는 발열부재와 반응하거나 히터부의 내부(특히, 발열부재)에 증착되며, 그 결과 히터부(4)의 손상과 수명단축이 유발되는 문제점이 있다.However, in the case of the conventional substrate processing apparatus 9, as shown by arrows in FIG. 1, the process gas injected from the showerhead 3 flows into the inside of the heater portion through the clearance between the plates. The process gas thus introduced reacts with the heating member or is deposited on the inside of the heater unit (in particular, the heating member). As a result, the heater unit 4 is damaged and its life is shortened.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 히터부로 공정가스가 유입됨에 따라 히터부의 손상 및 수명단축이 유발되는 것이 방지되도록 구조가 개선된 기판처리장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus which is improved in structure so as to prevent damage to a heater unit and shortening of its service life as a process gas flows into a heater unit .

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 기판처리장치는 기판에 대한 공정처리가 행해지는 공간부가 형성되어 있는 챔버와, 상기 챔버의 공간부에 승강 가능하게 설치되며, 상기 기판이 안착되는 서셉터와, 상기 기판을 향하여 공정가스를 분사하는 가스공급기와, 상기 서셉터의 하방에 배치되며, 상기 기판을 가열하는 히터부와, 상기 히터부로 상기 공정가스가 유입되는 것이 방지되도록 상기 히터부로 비반응 가스를 공급하는 비반응 가스 공급수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a chamber in which a space for processing a substrate is formed; a susceptor installed in a space of the chamber so as to be able to move up and down; A heater for heating the substrate; a heater for heating the substrate; a heater for heating the substrate; a heater for heating the substrate; a heater for heating the substrate; a gas supplier for injecting a process gas toward the substrate; And a non-reacted gas supply means for supplying a gas.

본 발명에 따르면, 상기 히터부는, 링 형상으로 형성되어 내부에 상기 구동축이 삽입되며, 둘레방향을 따라 복수의 유입공이 관통 형성되어 있는 내부링과, 상기 내부링의 외측에 배치되며, 전원 인가시 발열하는 발열부재와, 판상으로 형성되며, 상기 발열부재의 상측에 배치되도록 상기 내부링에 결합되는 상부 플레이트를 포함하며, 상기 비반응 가스는 상기 내부링의 유입공으로 유입된 후 외측 방향으로 유동되는 것이 바람직하다.According to the present invention, the heater section includes: an inner ring formed in a ring shape and having the drive shaft inserted therein, a plurality of inflow holes formed in a circumferential direction and passing through the inner ring, And an upper plate coupled to the inner ring so as to be disposed on the upper side of the heating member, wherein the nonreactive gas flows into the inlet hole of the inner ring and then flows outwardly .

또한, 본 발명에 따르면 상기 비반응 가스 공급수단은, 중공의 형상으로 형성되어 상기 챔버에 결합되며, 내부로 상기 구동축이 삽입되는 유로형성관과, 상기 유로형성관에 결합되며, 상기 유로형성관과 상기 구동축 사이의 공간으로 상기 비반응 가스를 공급하는 비반응 가스 공급관을 포함하는 것이 바람직하다.According to the present invention, the non-reacting gas supply means includes a flow path forming tube formed in a hollow shape and coupled to the chamber and having the drive shaft inserted therein, and a flow path forming tube coupled to the flow path forming tube, And a non-reactive gas supply pipe for supplying the non-reactive gas into the space between the drive shaft and the drive shaft.

또한, 본 발명에 따르면 상기 챔버의 바닥부에는, 상기 내부링의 내부와 연통되는 주입공이 관통 형성되어 있으며, 상기 비반응 가스 공급수단은, 상기 주입공에 연결되며, 상기 내부링의 내부로 비반응 가스를 공급하는 비반응 가스 공급관을 포함하는 것이 바람직하다.According to the present invention, an injection hole communicating with the inside of the inner ring is formed in a bottom portion of the chamber, and the non-reacting gas supply means is connected to the injection hole, And a non-reactive gas supply pipe for supplying a reactive gas.

상기한 구성의 본 발명에 따르면, 히터부의 내부로 공정가스가 유입되는 것이 방지되므로, 발열부재가 공정가스와 반응하거나 또는 히터부의 내부에 공정가스가 증착됨에 따라서 히터부가 손상되거나 수명이 단축되는 현상이 방지된다.According to the present invention, since the process gas is prevented from flowing into the heater unit, the heater unit is damaged or the service life is shortened as the heat generating member reacts with the process gas or the process gas is deposited inside the heater unit. .

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 챔버(10)와, 서셉터(20)와, 가스공급기(30)와, 히터부(40)와, 비반응 가스 공급수단을 포함한다.2, the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment includes a chamber 10, a susceptor 20, a gas supplier 30, a heater unit 40, .

챔버(10)의 내부에는 기판에 대한 공정처리, 즉 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정 등이 행해지는 공간부(11)가 형성되어 있다. 또한, 챔버(10)에는 기판의 반입/반출을 위한 게이트(12) 및 챔버 내부의 가스를 배출하기 위한 배기유로(13)가 형성되어 있다.Inside the chamber 10, there is provided a space 11 in which a substrate processing process, that is, a thin film deposition process for depositing a raw material, a photolithography process for exposing or concealing a selected one of the thin films using a photosensitive material, Respectively. The chamber 10 is provided with a gate 12 for carrying in / out the substrate and an exhaust passage 13 for exhausting the gas inside the chamber.

서셉터(20)는 기판이 안착되는 곳으로, 평판 형상으로 형성되며 서셉터의 상 면에는 기판이 안착되는 안착면(미도시)이 복수로 형성되어 있다. 서셉터는 구동축(21)에 결합되어, 챔버의 공간부(11)에 승강 및 회전 가능하게 설치된다. The susceptor 20 is formed in a flat plate shape where the substrate is seated, and a plurality of seating surfaces (not shown) on which the substrate is seated are formed on the susceptor. The susceptor is coupled to the drive shaft 21, and is mounted on the space portion 11 of the chamber so as to be able to move up and down.

가스공급기(30)는 기판을 향하여 공정가스를 공급하기 위한 것으로, 본 실시예의 경우 가스공급기로는 샤워헤드(30)가 채용된다. 샤워헤드는 서셉트(20)의 상방에 설치되며, 기판을 향하여 공정가스를 분사한다. 또한, 공정의 종류에 따라 샤워헤드(30)는 기판을 향하여 퍼지가스 등을 함께 분사할 수도 있다.The gas supplier 30 is for supplying the process gas toward the substrate. In the case of the present embodiment, the shower head 30 is employed as the gas supplier. The showerhead is installed above the susceptor 20 and injects the process gas toward the substrate. Further, depending on the kind of the process, the showerhead 30 may jet purge gas or the like toward the substrate.

히터부(40)는 기판을 공정온도까지 가열하기 위한 것이다. 히터부(40)는 서셉터의 하방에 배치되며, 발열부재(41)와 보호부재로 이루어진다. The heater portion 40 is for heating the substrate to the process temperature. The heater 40 is disposed below the susceptor, and includes a heating member 41 and a protection member.

발열부재(41)는 기판을 가열하기 위한 것으로, 전원 인가시 발열하는 소재로 이루어진다. 본 실시예의 경우 발열부재는 압축된 카본 섬유로 제작되며, 구동축(21)을 둘레에 배치된다. The heating member 41 is for heating the substrate, and is made of a material that generates heat when power is applied. In this embodiment, the heat generating member is made of compressed carbon fiber and is disposed around the drive shaft 21.

보호부재는 발열부재(41)를 공정가스로부터 보호하기 위한 것으로, 공정가스와 반응하지 않는 석영 재질로 이루어진다. 도 2에 확대되어 도시된 바와 같이, 보호부재는 내부링(42), 외부링(43), 상부 플레이트(44) 및 하부 플레이트(45)를 포함한다. 내부링(42)은 링 형상으로 형성되어 발열부재(41)의 내부에 배치되며, 그 내부에 구동축이 삽입된다. 내부링(42)에는 그 둘레방향을 따라 복수의 유입공(421)이 관통 형성되어 있다. 외부링(43)은 링 형상으로 형성되며, 내부에 발열부재(41)가 배치된다. 상부 플레이트(44)는 환형의 판 상으로 형성되며, 내부링(42) 및 외부링(43)에 결합되어 발열부재(41)의 상측에 배치된다. 하부 플레이트(45)는 환형의 판 상으로 형성되며, 내부링(42) 및 외부링(43)에 결합되어 발열 부재(41)의 하측에 배치된다. 본 실시예의 경우, 상부 플레이트(44)와 하부 플레이트(45)는 일체로 형성되지만, 이와 달리 상부 플레이트(44)와 하부 플레이트(45)는 제작의 용이성을 위해 둘레방향으로 분리되는 복수의 플레이트 조각이 결합된 형태로 이루어질 수도 있다.The protection member is for protecting the heat generating member 41 from the process gas and made of a quartz material which does not react with the process gas. 2, the protective member includes an inner ring 42, an outer ring 43, an upper plate 44, and a lower plate 45. As shown in FIG. The inner ring 42 is formed in a ring shape and disposed inside the heat generating member 41, and a drive shaft is inserted into the inner ring 42. A plurality of inflow holes 421 are formed through the inner ring 42 along the circumferential direction. The outer ring 43 is formed in a ring shape, and a heating member 41 is disposed inside. The upper plate 44 is formed in an annular plate shape and is disposed on the upper side of the heat generating member 41 by being coupled to the inner ring 42 and the outer ring 43. The lower plate 45 is formed on an annular plate and is disposed on the lower side of the heat generating member 41 by being coupled to the inner ring 42 and the outer ring 43. The upper plate 44 and the lower plate 45 are integrally formed with each other. However, the upper plate 44 and the lower plate 45 may be integrally formed by a plurality of plate pieces May be combined.

비반응 가스 공급수단은 히터부(40)의 내부로 공정가스가 유입되는 것이 방지되도록, 히터부(40)로 비반응 가스를 공급하기 위한 것이다. 여기서 비반응 가스란, 아르곤(Ar)과 같은 불활성 기체 또는 질소(N2) 등과 같이, 챔버 내부에서 반응하지 않는 가스를 의미한다. The non-reactive gas supply means is for supplying the non-reactive gas to the heater unit 40 so that the process gas is prevented from flowing into the heater unit 40. Here, the non-reacted gas means an inert gas such as argon (Ar) or a gas which does not react in the chamber, such as nitrogen (N 2 ).

본 실시예의 경우 비반응 가스 공급수단은 유로형성관(51), 하부판(52) 및 비반응 가스 공급관(53)을 포함한다. 유로형성관(51)은 구동축(21)보다 큰 직경을 가지는 중공의 형상으로 형성된다. 유로형성관(51)은 챔버의 하단부에 결합되며, 유로형성관(51)의 내부로 구동축(21)이 삽입된다. 하부판(52)은 유로형성관(51)의 하단에 결합된다. 하부판(52)에는 구동축(21)이 삽입되는 관통공이 형성되어 있으며, 이 관통공에는 실링을 위한 오링(미도시)이 결합되어 있다. 그리고, 하부판(52)에는 유로형성관과 구동축 사이의 공간과 연통되는 유입유로(521)가 형성되어 있다. 비반응 가스 공급관(53)은 유입유로(521)에 연결되며, 외부(비반응 가스 저장탱크)로부터 공급된 비반응 가스를 유입유로(521)로 공급한다. In the case of this embodiment, the non-reacting gas supply means includes a flow path forming tube 51, a lower plate 52 and a non-reacting gas supplying pipe 53. The flow path forming tube 51 is formed in a hollow shape having a larger diameter than the drive shaft 21. [ The flow path forming tube 51 is coupled to the lower end of the chamber and the drive shaft 21 is inserted into the flow path forming tube 51. The lower plate 52 is coupled to the lower end of the flow path forming tube 51. The lower plate 52 is formed with a through hole into which the drive shaft 21 is inserted, and an O-ring (not shown) for sealing is coupled to the through hole. The lower plate 52 is provided with an inflow passage 521 communicating with a space between the flow passage forming tube and the drive shaft. The non-reacted gas supply pipe 53 is connected to the inflow channel 521 and supplies the unreacted gas supplied from the outside (non-reactive gas storage tank) to the inflow channel 521.

상술한 바와 같이 구성된 기판처리장치(100)에 있어서, 비반응 가스 공급관(53)을 통해 비반응 가스를 공급하면, 도 2에 화살표로 도시된 바와 같이 비반응 가스는 유입유로(521), 유로형성관(51)과 구동축(21) 사이의 공간을 통해 내부링(42)의 내부로 유입된다. 이후, 비반응 가스는 내부링(42)에 형성된 유입공(421)을 통해 히터부의 내부로 유입된 후, 발열부재를 따라 외측방향으로 유동하여 히터부 전체에 퍼지며, 이후 도 2에 실선 화살표(a)로 도시된 바와 같이 상부 플레이트(44)와 외부링(43) 사이의 틈으로 유출되어 배기유로(13)를 통해 외부로 배출된다. 한편, 앞서 언급한 바와 같이 상부 플레이트(44)가 복수 개의 플레이트 조각으로 이루어지는 경우에는, 도 2에 점선 화살표(b)로 도시된 바와 같이 상부 플레이트 조각 사이의 틈을 통해서도 유출되게 된다.In the substrate processing apparatus 100 constructed as described above, when the non-reacted gas is supplied through the non-reacted gas supply pipe 53, the non-reacted gas flows through the inflow path 521, And flows into the interior of the inner ring 42 through the space between the forming tube 51 and the drive shaft 21. Thereafter, the non-reacted gas flows into the inside of the heater through the inflow hole 421 formed in the inner ring 42, flows outward along the heating member, spreads over the entire heater, is discharged through the gap between the upper plate 44 and the outer ring 43 and discharged to the outside through the exhaust flow path 13 as shown in FIG. On the other hand, when the upper plate 44 is formed of a plurality of plate pieces as described above, the upper plate 44 also flows out through gaps between the upper plate pieces as shown by the dotted arrow b in FIG.

그리고, 이와 같이 히터부(40)의 내부로 비반응 가스가 유입되는바 히터부 내의 압력이 히터부의 외부(히터부의 상방) 보다 상대적으로 높아지게 된다. 따라서, 샤워헤드에서 분사된 공정가스가 히터부의 내부로 유입되는 것이 방지되며, 그 결과 공정가스가 발열부재(41)와 반응하거나 발열부재에 증착됨에 따라 히터부가 손상되거나 수명이 단축되는 현상이 방지된다. In this way, the non-reactive gas flows into the heater 40, so that the pressure in the heater becomes relatively higher than the outside of the heater (above the heater). Therefore, the process gas injected from the showerhead is prevented from flowing into the inside of the heater, and as a result, the process gas is reacted with the heating member 41 or deposited on the heating member, do.

상술한 바와 같이, 본 실시예의 경우 히터부의 내부로 비반응 가스가 공급되므로 히터부 내의 압력이 상대적으로 높아지게 되며, 따라서 히터부의 내부로 공정가스가 유입되는 것이 방지되며, 그 결과 종래와 같이 공정가스가 발열부재와 반응하거나 히터부 내에 공정가스가 증착됨에 따라 히터부의 손상 및 수명 단축이 유발되는 것이 방지된다.As described above, in this embodiment, since the non-reactive gas is supplied to the inside of the heater portion, the pressure in the heater portion is relatively increased, thereby preventing the process gas from flowing into the heater portion. As a result, Is prevented from being damaged or shortened in service life due to reaction of the heating member with the process gas or deposition of the process gas in the heater unit.

또한, 구동축이 삽입된 공간을 비반응 가스의 유입경로로 이용하므로, 기존의 기판처리장치의 구조를 크게 변경하지 않고도 간단한 구성(유로형성관 및 하부 판)만을 더 추가함으로써 본 발명을 구현할 수 있다.In addition, since the space in which the drive shaft is inserted is used as an inflow path of the non-reactive gas, the present invention can be implemented by adding only a simple structure (a flow path forming tube and a lower plate) without greatly changing the structure of a conventional substrate processing apparatus .

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 챔버(10A)의 바닥부에는 주입공(14)이 관통 형성되어 있다. 이 주입공(14)은 내부링(42)의 하방에 배치되며, 내부링의 내부와 직접적으로 연통된다. 그리고, 비반응 가스 공급관(53A)은 주입공(14)에 연결되며, 외부로부터 공급된 비반응 가스를 주입공으로 공급한다. 도 3에 화살표로 도시된 바와 같이, 공급된 비반응 가스는 내부링의 내부로 유입된 후 내부링의 유입공을 통해 히터부의 내부로 유입된다. Referring to FIG. 3, an injection hole 14 is formed through the bottom of the chamber 10A. The injection hole 14 is disposed below the inner ring 42 and communicates directly with the interior of the inner ring. The unreacted gas supply pipe 53A is connected to the injection hole 14 and supplies the unreacted gas supplied from the outside to the injection hole. As shown by the arrow in FIG. 3, the supplied unreacted gas is introduced into the interior of the inner ring, and then flows into the interior of the heater through the inlet hole of the inner ring.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치(100B)의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus 100B according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 히터부(40B)는 발열부재(41B)와, 내부링(42B)과, 외부링(43B)과, 상부 플레이트(44B)로 이루어진다. 발열부재(41B)는 기판을 가열하기 위한 것으로, 구동축(21)을 둘레에 배치된다. 내부링(42B)은 링 형상으로 형성되어 발열부재(41B)의 내부에 배치되며, 그 내부에 구동축이 삽입된다. 외부링(43B)은 링 형상으로 형성되며, 내부에 발열부재(41B)가 배치된다. 상부 플레이트(44B)는 환형의 판 상으로 형성되며, 내부링(42B) 및 외부링(43B)에 결합되어 발열부재(41B)의 상측에 배치된다.4, the heater unit 40B according to the present embodiment includes a heating member 41B, an inner ring 42B, an outer ring 43B, and an upper plate 44B. The heating member 41B is for heating the substrate and is disposed around the driving shaft 21. [ The inner ring 42B is formed in a ring shape and disposed inside the heat generating member 41B, and a drive shaft is inserted into the inner ring 42B. The outer ring 43B is formed in a ring shape, and a heat generating member 41B is disposed therein. The upper plate 44B is formed in an annular plate shape and is disposed on the upper side of the heat generating member 41B by being coupled to the inner ring 42B and the outer ring 43B.

그리고, 챔버(10B)에는 발열부재의 하방에 배치되며, 챔버의 바닥부를 관통하는 주입공(14B)이 형성되어 있다. 본 실시예의 경우, 이 주입공(14B)은 발열부재(41B)의 둘레 방향을 따라 복수로 형성된다. 또한, 각 주입공(14B)에는 비반응 가스 공급관(53B)이 연결되어 있다.The chamber 10B is provided with an injection hole 14B which is disposed below the heating member and penetrates the bottom of the chamber. In the case of this embodiment, the injection holes 14B are formed in plural along the circumferential direction of the heat generating member 41B. Further, a non-reactive gas supply pipe 53B is connected to each injection hole 14B.

도 4에 화살표로 도시된 바와 같이, 비반응 가스 공급관(53B)을 통해 공급된 비반응 가스는 발열부재(41B)쪽으로 유동되며, 이후 히터부 전체로 퍼진 다음, 외부링(43B) 및 내부링(42B)과 상부 플레이트(44B) 사이의 틈을 통해 유출되며, 이후 배기유로를 통해 외부로 배출된다.Unreacted gas supplied through the unreacted gas supply pipe 53B flows toward the heat generating member 41B and then spreads to the entire heater unit and then flows into the outer ring 43B and the inner ring 43B, Through the gap between the upper plate 42B and the upper plate 44B, and then discharged to the outside through the exhaust passage.

본 실시예의 경우에도 앞서 설명한 실시예에서와 같이 히터부 내의 압력(발열부재가 배치된 공간의 압력)이 상대적으로 높아지게 되므로, 히터부의 내부로 공정가스가 유입되는 것이 방지되며, 그 결과 종래와 같이 공정가스가 발열부재와 반응하거나 히터부 내에 공정가스가 증착됨에 따라 히터부의 손상 및 수명 단축이 유발되는 것이 방지된다.Also in this embodiment, since the pressure in the heater portion (the pressure of the space in which the heating member is disposed) is relatively high as in the above-described embodiment, the process gas is prevented from flowing into the heater portion, It is prevented that the process gas is reacted with the heating member or the process gas is deposited in the heater unit, thereby causing damage and shortening of the life of the heater unit.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation in the embodiment in which said invention is directed. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the scope of the appended claims.

예를 들어, 본 실시예에서는 기존의 배기유로(13)를 통해 비반응 가스가 외부로 배출되었으나, 챔버에 비반응 가스를 배출하기 위한 별도의 배기유로를 추가적으로 형성할 수도 있다.For example, although unreacted gas is discharged to the outside through the existing exhaust flow path 13 in the present embodiment, a separate exhaust flow path for discharging the non-reactive gas may be additionally formed in the chamber.

또한, 본 실시예에서는 상부 플레이트와 외부링 사이의 틈을 통해 비반응 가스가 히터부의 외부로 배출되었으나, 외부링에 배출공을 관통 형성함으로써 비반응 가스가 배출공을 통해 히터부의 외부로 배출되도록 발명을 구성할 수도 있다.In this embodiment, the non-reacted gas is discharged to the outside of the heater through the gap between the upper plate and the outer ring, but the unreacted gas is discharged through the discharge hole to the outside of the heater It may also constitute an invention.

도 1은 종래의 기판처리장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional substrate processing apparatus.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

100...기판처리장치 10...챔버100 ... substrate processing apparatus 10 ... chamber

20...서셉터 21...구동축20 ... susceptor 21 ... drive shaft

30...샤워헤드 40...히터30 ... Showerhead 40 ... Heater

41...발열부재 42...내부링41 ... heat generating member 42 ... inner ring

421...유입공 43...외부링421 ... inlet ball 43 ... outer ring

44...상부 플레이트 45...하부 플레이트44 ... upper plate 45 ... lower plate

51...유로형성관 52...하부판51 ... flow path forming tube 52 ... bottom plate

53...비반응 가스 공급관53 ... Non-reacted gas supply pipe

Claims (5)

삭제delete 기판에 대한 공정처리가 행해지는 공간부가 형성되어 있는 챔버;A chamber in which a space is formed in which processing for the substrate is performed; 상기 챔버의 공간부에 승강 가능하게 설치되며, 상기 기판이 안착되는 서셉터;A susceptor mounted on the space of the chamber so as to be able to move up and down; 상기 기판을 향하여 공정가스를 분사하는 가스공급기;A gas supplier for injecting a process gas toward the substrate; 상기 서셉터의 하방에 배치되며, 상기 기판을 가열하는 히터부; 및A heater disposed below the susceptor and heating the substrate; And 상기 히터부로 상기 공정가스가 유입되는 것이 방지되도록 상기 히터부로 비반응 가스를 공급하는 비반응 가스 공급수단;을 포함하며,And non-reactive gas supply means for supplying the non-reactive gas to the heater unit so that the process gas is prevented from flowing into the heater unit, 상기 히터부는, The heater unit includes: 링 형상으로 형성되어 내부에 구동축이 삽입되며, 둘레방향을 따라 복수의 유입공이 관통 형성되어 있는 내부링과,An inner ring which is formed in a ring shape and into which a drive shaft is inserted and in which a plurality of inflow holes are formed in a circumferential direction, 상기 내부링의 외측에 배치되며, 전원 인가시 발열하는 발열부재와,A heating member disposed outside the inner ring and generating heat when power is applied, 판상으로 형성되며, 상기 발열부재의 상측에 배치되도록 상기 내부링에 결합되는 상부 플레이트를 포함하며,And an upper plate coupled to the inner ring so as to be disposed on the upper side of the heating member, 상기 비반응 가스는 상기 내부링의 유입공으로 유입된 후 외측 방향으로 유동되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Wherein the nonreactive gas flows into the inlet hole of the inner ring and then flows outwardly. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 비반응 가스 공급수단은,The non-reacted gas supply means includes: 중공의 형상으로 형성되어 상기 챔버에 결합되며, 내부로 상기 구동축이 삽입되는 유로형성관과,A flow path forming tube formed in a hollow shape and coupled to the chamber and having the drive shaft inserted therein, 상기 유로형성관에 결합되며, 상기 유로형성관과 상기 구동축 사이의 공간으로 상기 비반응 가스를 공급하는 비반응 가스 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a non-reacted gas supply pipe connected to the flow path forming pipe and supplying the non-reactive gas into a space between the flow path forming pipe and the drive shaft. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 챔버의 바닥부에는, 상기 내부링의 내부와 연통되는 주입공이 관통 형성되어 있으며,Wherein an injection hole communicating with the inside of the inner ring is formed in a bottom portion of the chamber, 상기 비반응 가스 공급수단은,The non-reacted gas supply means includes: 상기 주입공에 연결되며, 상기 내부링의 내부로 비반응 가스를 공급하는 비반응 가스 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And an unreacted gas supply pipe connected to the injection hole and supplying an unreacted gas into the inner ring. 기판에 대한 공정처리가 행해지는 공간부가 형성되어 있는 챔버;A chamber in which a space is formed in which processing for the substrate is performed; 상기 챔버의 공간부에 승강 가능하게 설치되며, 상기 기판이 안착되는 서셉터;A susceptor mounted on the space of the chamber so as to be able to move up and down; 상기 기판을 향하여 공정가스를 분사하는 가스공급기;A gas supplier for injecting a process gas toward the substrate; 상기 서셉터의 하방에 배치되며, 상기 기판을 가열하는 히터부; 및A heater disposed below the susceptor and heating the substrate; And 상기 히터부로 상기 공정가스가 유입되는 것이 방지되도록 상기 히터부로 비반응 가스를 공급하는 비반응 가스 공급수단;을 포함하며,And non-reactive gas supply means for supplying the non-reactive gas to the heater unit so that the process gas is prevented from flowing into the heater unit, 상기 히터부는, The heater unit includes: 링 형상으로 형성되어 내부에 구동축이 삽입되는 내부링과,An inner ring formed in a ring shape and having a drive shaft inserted therein, 상기 내부링의 외측에 배치되며, 전원 인가시 발열하는 발열부재와,A heating member disposed outside the inner ring and generating heat when power is applied, 판상으로 형성되며, 상기 발열부재의 상측에 배치되도록 상기 내부링에 결합되는 상부 플레이트를 포함하며,And an upper plate coupled to the inner ring so as to be disposed on the upper side of the heating member, 상기 챔버에는, 상기 챔버의 바닥부를 관통하며 형성되며, 상기 발열부재의 하방에 배치되는 주입공이 마련되어 있으며, The chamber is provided with an injection hole formed through the bottom of the chamber and disposed below the heating member, 상기 비반응 가스 공급수단은,The non-reacted gas supply means includes: 상기 주입공에 연결되며, 상기 발열부재로 비반응 가스를 공급하는 비반응 가스 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a non-reactive gas supply pipe connected to the injection hole and supplying the non-reactive gas to the heating member.
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