KR20210040045A

KR20210040045A - 마이크로리소그래피 투영 노광 시스템용 미러, 및 변형 가능 미러의 동작 방법

Info

Publication number: KR20210040045A
Application number: KR1020217002023A
Authority: KR
Inventors: 요하네스 리페르트; 토랄프 그루너; 케르스틴 힐트; 필립 루케; 모하매드레자 네마톨라히
Original assignee: 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
Priority date: 2018-07-26
Filing date: 2019-06-24
Publication date: 2021-04-12
Also published as: EP3827444A1; DE102018212508A1; US11187990B2; WO2020020550A1; JP7438185B2; US20210149310A1; JP2021531510A

Abstract

본 발명은 마이크로리소그래피 투영 노광 시스템용 미러 및 변형 가능 미러의 동작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 양태에 따르면, 미러는 능동 광학 영역(11), 미러 기판(12), 능동 광학 영역(11) 상에 충돌하는 전자기 복사선을 반사하기 위한 반사층 스택(21), 및 미러 기판(12)과 반사층 스택(21) 사이에 배열되고 반사층 스택(21)을 향하는 압전층(16)의 측면에 위치된 제1 전극 배열체를 통해 그리고 미러 기판(12)을 향하는 압전층(16)의 측면에 위치된 제2 전극 배열체를 통해, 국부적 가변 변형을 발생하기 위한 전기장에 노출될 수 있고, 이 압전층(16)은 컬럼 경계에 의해 서로로부터 공간적으로 분리된 복수의 컬럼을 갖는 적어도 하나의 압전층(16)을 갖고, 상기 컬럼의 평균 컬럼 직경은 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위이다.

Description

마이크로리소그래피 투영 노광 시스템용 미러, 및 변형 가능 미러의 동작 방법

본 출원은 2018년 7월 26일 출원된 독일 특허 출원 DE 10 2018 212 508.2호의 우선권을 주장한다. 이 DE 출원의 내용은 또한 본 출원 명세서에 참조로서 합체되어 있다.

발명의 분야

본 발명은 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 미러 및 변형 가능 미러의 동작 방법에 관한 것이다.

마이크로리소그래피가 예를 들어, 집적 회로 또는 LCD와 같은 마이크로구조화된 구성요소(microstructured component)를 제조하기 위해 사용된다. 마이크로리소그래피 프로세스는 조명 디바이스 및 투영 렌즈를 포함하는 소위 투영 노광 장치에서 수행된다. 조명 디바이스에 의해 조명되는 마스크(=레티클)의 화상은 여기서 기판의 감광 코팅에 마스크 구조를 전사하기 위해, 감광층(=포토레지스트)으로 코팅된 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상에 투영 렌즈에 의해 투영되고 투영 렌즈의 화상 평면 내에 배치된다.

EUV 범위에 대해, 즉 예를 들어 대략 13 nm 또는 대략 7 nm의 파장에서 설계된 투영 렌즈에 있어서, 미러가 적합한 투광 굴절성 재료의 이용 가능성의 결여에 기인하여 이미징 프로세스를 위한 광학 구성요소로서 사용된다.

이 경우, EUV 시스템에서 하나 이상의 미러를 압전 재료로 구성된 액추에이터 층을 갖는 적응형 미러로서 구성하는 것이 또한 알려져 있고, 국부적으로 변하는 강도를 갖는 전기장은 압전층에 대해 양 측면에 배열된 전극에 인가되는 전압에 의해 이 압전층을 가로질러 발생된다. 압전층의 국부 변형의 경우, 적응형 미러의 반사층 스택이 또한 변형되고, 그 결과, 예를 들어 이미징 수차(가능하게는 또한 일시적으로 가변 이미징 수차)가 전극의 적합한 구동에 의해 적어도 부분적으로 보상될 수 있다.

광학 수차를 보상하기 위해 사용되는 전술된 압전층과 관련하여, 원리적으로 전극에 인가되는 특정 전압이 또한 각각의 경우에 압전층의 및 따라서 적응형 미러의 반사층 스택의 비례적인 최대 가능한 변형을 예측적으로 야기하는 것이 바람직하다. 전압 의존성 방식으로 얻어진 압전층의 재료의 선형 팽창을 특징화하는 계수는 또한 d₃₃ 계수라고도 칭하고, 광학적 유효면에 수직인 방향에서 선형 팽창을 담당하는 유전체 텐서(tensor)의 관련 구성요소에 대응한다.

그러나, 실제로 여기서 발생하는 일 문제점은, (실질적으로 체적 보존) 압전 재료의 경우, 광학적 유효면에 수직인 방향에서 전술된 선형 팽창이 측방향 반응에서 그 수축을 야기한다는 것인데, 이 효과는 d₃₁ 계수 또는 유전체 텐서의 대응 구성요소에 의해 설명될 수 있다.

전술된 효과는 미러 기판이 "70"으로 표시되어 있고 압전층이 "71"로 표시되어 있는(다른 기능층의 도시는 간단화를 위해 여기서 생략되어 있음) 도 7a 내지 도 7e의 개략도에 명시되어 있다. 전기장의 인가시에(도 7b) 압전층(71) 내에 측방향으로 축적된 기계적 응력(도 7c)은 이어서 고정 부착된 미러 기판(70)(압전층(71)에 비해 상대적으로 더 유연하거나 더 연성임)에 전달되고(도 7c), 그 결과 미러 기판(70)은 압전층(71)으로부터 이격하여 향하는 방향을 향해 항복한다(도 7d). 도 7e에 지시되어 있는 바와 같이, 전술된 효과는 궁극적으로 미러 기판(70) 내로의 압전층(71)의 압입(indentation)을 야기하고, 궁극적으로 전기장의 인가로부터 발생하는 전체 피겨 효과(figure effect)가 d₃₃ 계수에 의해 설명된 선형 팽창과 비교하여 대응적으로 감소되는 바람직하지 않은 효과를 갖는다.

실제로 발생하는 다른 문제점은, 예를 들어 도 1에 도시되어 있는 구성을 갖는 적응형 미러로 궁극적으로 달성 가능한 설정 정확도가 압전층(16) 내에서 발생하는 히스테리시스(hysteresis) 효과에 의해 제한된다는 것이다. 여기서, "히스테리시스"는 인가된 전압의 특정 값에 대해 궁극적으로 달성된 편향(광학적 유효면에 수직인 방향에서의 압전층의 "이동"에 대응함)이 이력(history)에 의존하는 것, 달리 말하면 전압 범위를 통한 주기적 전진(예를 들어, 도 5에 예시된 도면에 따라)은 인가된 전압의 값에 관하여 "나가는 경로" 및 "복귀 경로"에 대한 편향 또는 이동의 상이한 값을 야기하는 것을 의미하도록 취해진다.

따라서, 전반적으로, 적응형 미러의 높은 설정 정확도와 함께 충분히 큰 편향의 실현은 실제로 어려운 과제를 제시한다.

종래 기술과 관련하여, 단지 예로서, DE 10 2013 219 583 A1호 및 DE 10 2015 213 273 A1호를 참조한다.

본 발명의 목적은 높은 설정 정확도와 함께 충분히 큰 편향을 실현하는 것을 가능하게 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 미러 및 변형 가능 미러의 동작 방법을 제공하는 것이다.

이 목적은 독립 특허 청구의 특징에 따라 달성된다.

본 발명에 따른 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 미러이며, 미러는 광학적 유효면을 가지며,

- 미러 기판,

- 광학적 유효면에 입사하는 전자기 복사선을 반사하기 위한 반사층 스택, 및

- 미러 기판과 반사층 스택 사이에 배열되고 국부적 가변 변형을 생성하기 위한 전기장이 반사층 스택을 향하는 압전층의 측면에 위치된 제1 전극 배열체에 의해, 그리고 미러 기판을 향하는 압전층의 측면에 위치된 제2 전극 배열체에 의해 인가되는 것이 가능한 적어도 하나의 압전층을 포함하고,

- 상기 압전층은 컬럼(column) 경계에 의해 서로로부터 공간적으로 분리된 복수의 컬럼을 갖고,

- 상기 컬럼의 평균 컬럼 직경은 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위이다.

일 실시예에 따르면, 서로 각각 인접한 컬럼의 평균 컬럼 간격은 평균 컬럼 직경의 2% 내지 30%의 범위에 있다.

본 발명은 먼저 적응형 미러에 존재하고 국부적 가변 변형을 생성하기 위한 전기장이 적용되는 것이 가능한 압전층이 통상적으로 완벽하게 균질하지 않고, 오히려 각각의 제조 프로세스에 따라 다수의 결정질 컬럼으로 구성된 일종의 "컬럼 구조"로 구성되는 관찰로부터 시작한다.

이러한 식견으로부터 진행하여, 본 발명은 특히 한편으로는 적응형 미러로 실현될 수 있는 이동(travel)과 다른 한편으로 달성 가능한 설정 정확도 사이에서 최선의 가능한 절충을 달성하기 위해 적합한 방식으로 상기 컬럼의 평균 컬럼 직경을 선택하는 개념에 기초한다.

먼저 광학적 유효면에 수직인 방향에서의 이동 또는 선형 팽창에 관련되는 한, 본 발명은 도입부에 설명된 바와 같은 미러 기판 내로의 압전층의 압입의 효과(즉, 전술된 "압입 효과")가 원리적으로 평균 컬럼 직경의 최소 가능한 값에 의해 감소되거나 상당히 제거될 수 있다는 고려로부터 시작한다. 이는 압전층이 상대적으로 작은 컬럼(예를 들어, 0.5 ㎛의 영역에서 평균 직경을 가짐)으로 구성될 때, 상기 컬럼은 측방향으로 거의 자유 이동성을 나타내고, 결과적으로 미러 기판 내로의 압전층의 압입을 야기할 수도 있는 어떠한 상당한 기계적 응력도 인접한 컬럼 사이에서 전달되지 않는다는 사실에 의해 설명될 수 있다.

다른 한편으로, 적응형 미러로 달성 가능한 설정 정확도에 관련되는 한, 본 발명은 반대로 평균 컬럼 직경의 상대적으로 더 큰 값이 상기 설정 정확도를 제한하는 히스테리시스 효과 - 마찬가지로 도입부에 설명됨 - 와 관련하여 유리하다는 고려로부터 시작한다. 이 상황은 상기 히스테리시스 효과가 인접한 컬럼 사이 또는 컬럼 경계에서 발생하는 마찰 효과에 의해 부분적으로 야기되고 따라서 특히 많은 수의 마찰 표면이 작은 평균 컬럼 직경에 기인하여 압전층 내에 존재하는 경우 특히 현저해진다는 사실에 기인한다.

그 결과, 상기 고려로부터 진행하여, 본 발명은 적응형 미러로 달성된 이동 및 달성 가능한 설정 정확도의 모두가 그를 위해 각각 요구되는 사양을 충족할 수 있도록 평균 컬럼 직경에 대한 적합한 절충 값 또는 값들의 범위를 선택하는 원리를 포함한다.

일 실시예에 따르면, 평균 컬럼 직경과 컬럼의 높이 사이의 비가 50:1 내지 1:200의 범위, 특히 10:1 내지 1:10의 범위이다.

본 발명은 더욱이 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 미러에 관한 것으로서, 미러는 광학적 유효면을 가지며,

- 미러 기판,

- 상기 압전층은 컬럼 경계에 의해 서로로부터 공간적으로 분리된 복수의 컬럼을 갖고,

- 상기 컬럼의 평균 컬럼 간격은 평균 컬럼 직경의 2% 내지 30%의 범위이다.

- 미러 기판,

- 평균 컬럼 직경과 컬럼의 높이 사이의 비가 50:1 내지 1:200의 범위, 특히 10:1 내지 1:10의 범위이다.

일 실시예에 따르면, 압전층은 평균 컬럼 직경에 대해 적어도 30%만큼 서로 상이한 적어도 2개의 영역을 갖는다.

본 발명의 실시예에서, 이 경우에 상기 2개의 영역은 압전층의 상이한 층겹(layer ply)에 대응할 수 있고, 상기 층겹의 제1 층겹은 상기 층겹의 제2 층겹보다 미러 기판에 더 가깝게 배열된다.

바람직하게는, 이 경우에 제1 층겹은 더 작은 평균 컬럼 직경을 갖는 영역을 갖는다. 이 구성은 제2 층겹에 비해 상대적으로 더 작은 평균 컬럼 직경으로 인해, 상기 제1 층겹이 비교적 가요성 방식으로 작용하고 따라서 상대적으로 더 큰 평균 컬럼 직경을 갖는 제2 층겹과 미러 기판 사이의 층 스택 방향에서의 기계적 결합을 감소시키는 장점을 갖는다. 동시에, 감소된 히스테리시스 기여는 거기의 더 적은 수의 컬럼 경계로 인해 제2 층겹을 통해 달성될 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에서, 서로 상이한 평균 컬럼 직경을 갖는 2개의 영역은 압전층의 하나의 동일한 층겹 내에 위치되고 서로로부터 측방향으로 분리된 영역을 또한 구성할 수 있다. 이 구성은 적응형 미러가 통상적으로 예를 들어 전술된 "압입 효과"의 불리한 효과가 상이한 정도로 나타나는 영역을 포함하여, 본 발명에 따라, 예를 들어 이 압입 효과가 더 큰 "정적 결정성(static determinacy)"에 기인하여 상대적으로 더 적은 정도로 나타나는 영역(이 영역은 단지 예로서, 부시 등과 같은 구성요소에 의해 기계적으로 지지되는 미러의 영역 및/또는 에지 영역일 수도 있음)에서, 평균 컬럼 직경이 이와 관련하여 히스테리시스 효과의 더 큰 제한 및 따라서 더 큰 설정 정확도를 달성하기 위해 대응적으로 더 크게 선택될 수 있게 되는 상황을 고려할 수 있다.

- 미러 기판;

- 광학적 유효면에 입사하는 전자기 복사선을 반사하기 위한 반사층 스택; 및

- 미러 기판과 반사층 스택 사이에 배열되고 국부적 가변 변형을 생성하기 위한 전기장이 반사층 스택을 향하는 압전층의 측면에 위치된 제1 전극 배열체에 의해, 그리고 미러 기판을 향하는 압전층의 측면에 위치된 제2 전극 배열체에 의해 인가되는 것이 가능한 적어도 하나의 압전층을 포함하고;

- 상기 압전층은 컬럼 경계에 의해 서로로부터 공간적으로 분리된 복수의 컬럼을 갖고;

- 압전층은 평균 컬럼 직경에 대해 적어도 30%만큼 서로 상이한 적어도 2개의 영역을 갖는다.

일 실시예에 따르면, 압전층은 평균 컬럼 직경에 대해 적어도 40%만큼, 더 구체적으로 적어도 50%만큼 서로 상이한 적어도 2개의 영역을 갖는다.

일 실시예에 따르면, 압전층은 평균 컬럼 간격에 대해, 적어도 10%만큼, 특히 적어도 20%만큼 서로 상이한 적어도 2개의 영역을 갖는다.

- 미러 기판;

- 압전층은 평균 컬럼 간격에 대해, 적어도 10%만큼, 특히 적어도 20%만큼 서로 상이한 적어도 2개의 영역을 갖는다.

다른 용례에서, 본 발명에 따른 미러는 또한 예를 들어 마스크 계측을 위한 장치에서 채용되거나 이용될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 미러는 30 nm 미만, 특히 15 nm 미만의 동작 파장을 위해 설계된다. 그러나, 본 발명은 그에 한정되는 것은 아니고, 따라서 다른 용례에서 본 발명은 또한 VUV 범위(예를 들어, 200 nm 미만)의 동작 파장을 갖는 광학 시스템에서 유리하게 실현될 수 있다.

본 발명은 더욱이 또한 변형 가능 미러의 동작 방법에 관한 것으로서, 미러는:

- 미러 기판,

- 미러의 광학적 유효면에 입사하는 전자기 복사선을 반사하기 위한 반사층 스택, 및

방법은 이하의 단계:

- 미러의 변형 거동에 대한 예상 히스테리시스 기여를 결정하는 단계로서, 상기 히스테리시스 기여로 인해, 미리 규정된 전압 분포(U(x, y))가 제1 전극 배열체 및/또는 제2 전극 배열체에 인가될 때 광학적 유효면에 수직인 표면을 따른 압전층의 선형 팽창은 압전층의 관련 선형 팽창 계수(d₃₃(x, y))와 전기 전압의 각각의 값의 적(product)으로부터 벗어나는, 예상 히스테리시스 기여 결정 단계; 및

- 상기 히스테리시스 기여가 적어도 부분적으로 보상되는 이러한 방식으로 수정된 전압 분포를 제1 전극 배열체 및/또는 제2 전극 배열체에 인가하는 단계를 포함한다.

일 실시예에 따르면, 예상 히스테리시스 기여는 미러의 히스테리시스 거동이 미리 측정된 후에 모델 기반 방식으로 결정된다.

일 실시예에 따르면, 예상 히스테리시스 기여는 압전층의 전기 유전율의 측정에 기초하여 결정된다.

일 실시예에 따르면, 방법은 제1 전극 배열체 및/또는 제2 전극 배열체에 전기 바이어스 전압을 인가하는 단계를 포함한다.

일 실시예에 따르면, 미러가 시동되기 전 또는/ 및 압전층에서 Weiss 도메인을 정렬하기 위한 적어도 하나의 동작 일시 정지 중에 단극 교류 전기장이 광학적 유효면에 수직인 표면의 방향을 따라 발생된다.

본 발명은 더욱이 변형 가능 미러의 동작 방법에 관한 것으로서, 미러는:

- 미러 기판,

- 미러가 시동되기 전 또는/ 및 압전층에서 Weiss 도메인을 정렬하기 위한 적어도 하나의 동작 일시 정지 중에 단극 교류 전기장이 광학적 유효면에 수직인 표면의 방향을 따라 발생된다.

단극 교류 전기장의 주파수는 예를 들어 1 MHz 내지 100 MHz의 간격에 있을 수 있다.

본 발명은 더욱이 전술된 특징을 갖는 적어도 하나의 미러를 포함하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 디바이스 또는 투영 렌즈, 및 또한 마이크로리소그래피 투영 노광 장치에 관한 것이다.

본 발명의 다른 구성은 상세한 설명 및 종속 청구항으로부터 얻어질 수 있다.

본 발명은 첨부 도면에 도시되어 있는 예시적인 실시예에 기초하여 이하에 더 상세히 설명된다.

도면에서:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적응형 미러의 구성을 명시하기 위한 개략도를 도시하고 있다.
도 2는 일 양태에 따른 본 발명의 기초가 되는 개념을 명시하기 위한 도면을 도시하고 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 다른 실시예를 명시하기 위한 개략도를 도시하고 있다.
도 5는 본 발명의 기초가 되는 다른 개념을 명시하기 위한 도면을 도시하고 있다.
도 6은 EUV 내에서 동작을 위해 설계된 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 가능한 구성을 명시하기 위한 개략도를 도시하고 있다.
도 7a 내지 도 7e는 종래의 적응형 미러에서 발생하는 문제점을 명시하기 위한 개략도를 도시하고 있고, 상기 문제점은 본 발명에 의해 해결된다.

도 1은 본 발명에 따른 미러의 예시적인 구성을 명시하기 위한 개략도를 도시하고 있다. 미러(10)는 특히 임의의 원하는 적합한 미러 기판 재료로부터 제조되는 미러 기판(12)을 포함한다. 적합한 미러 기판 재료는 예를 들어, 티타늄 디옥사이드(TiO₂)로 도핑된 석영 유리이고, 사용 가능한 재료는 단지 예로서(그리고 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아님), 상표명 ULE^®(Corning Inc.로부터의) 또는 Zerodur^®(Schott AG로부터의) 하에서 시판되는 것들이다. 더욱이, 미러(10)는 원리적으로 그 자체로 공지되어 있는 방식으로, 예시된 실시예에서, 단지 예로서 몰리브덴-실리콘(Mo-Si) 층 스택을 포함하는 반사층 스택(21)을 갖는다. 이 층 스택의 특정 구성에 본 발명을 한정하지 않고, 단지 예시일 뿐인 일 적합한 구성은 각각의 경우에 2.4 nm의 층 두께를 갖는 몰리브덴(Mo) 층 및 각각의 경우에 3.3 nm의 층 두께를 갖는 실리콘(Si) 층을 포함하는 층 시스템의 대략 50겹 또는 층의 패킷을 포함할 수 있다.

미러(10)는 특히, 광학 시스템의, 특히 투영 렌즈의 또는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 디바이스의 EUV 미러일 수 있다.

광학 시스템의 동작 중에 미러(10)의 광학적 유효면(11) 상의 전자기 EUV 복사선의 충돌(도 1에 화살표에 의해 지시되어 있음)은 광학적 유효면(11) 상에 불균질하게 입사하는 복사선의 흡수로부터 발생하는 온도 분포에 기인하여 미러 기판(12)의 불균질한 체적 변화의 결과를 가질 수 있다. 이러한 원하지 않는 체적 변화를 보정하기 위해 또는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 동작 중에 발생하는 다른 수차를 보정하기 위해, 미러(10)는 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 적응형 설계를 갖는다. 이를 위해, 본 발명에 따른 미러(10)는 예시적인 실시예에서 납 지르코네이트 티타네이트(Pb(Zr, Ti)O₃, PZT)로부터 생성된 압전층(16)을 갖는다. 다른 실시예에서, 압전층(16)은 또한 몇몇 다른 적합한 재료(예를 들어, 알루미늄 니트라이드(AlN), 알루미늄 스칸듐 니트라이드(AlScN), 납 마그네슘 니오베이트(PbMgNb) 또는 바나듐 도핑된 아연 산화물(ZnO))로부터 생성될 수 있다. 압전층(16)은 예를 들어, 5 ㎛ 미만의 두께, 더 구체적으로는 1 ㎛ 내지 4 ㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 실시예에서, 압전층(16)의 성능은 층 스택의 적합한 장소에 도입되는 칼슘 니오베이트 층(CaNbO₃ 층)에 의해 증가될 수 있다. 성능의 증가는 여기서 바람직하게는 [001] 결정 방향으로 성장하는 압전층(16)에 의해 달성된다.

전극 배열체는 압전층(16)의 위 아래에 각각 위치되고, 이 전극 배열체에 의해, 국부적으로 가변적인 변형을 생성하기 위한 전기장이 미러(10)에 인가되는 것이 가능하다. 상기 전극 배열체들 중에서, 미러 기판(12)을 향하는 제2 전극 배열체는 일정한 두께의 연속적인 평면형 전극(14)으로서 구성되고, 반면 제1 전극 배열체는 복수의 전극(20)을 가지며, 그 각각에 대해 전극(14)에 대한 전압은 도선(19)을 통해 인가되는 것이 가능하다. 전극(20)은 예를 들어 석영(SiO₂)으로부터 제조되고 전극(20)으로부터 형성된 전극 배열체를 레벨링(leveling)하는 역할을 하는 공통 평활화 층(18) 내에 매립된다.

더욱이, 도 1에 따른 미러(10)는 미러 기판(12)과 미러 기판(12)을 향하는 하부 전극(14) 사이에 선택적 접착층(13)(예에서 티타늄(Ti)으로 구성됨)을 포함한다. 더욱이, "15"는 미러 기판(12)을 향하는 전극(14)과 압전층(16) 사이에 존재하는 버퍼층을 나타낸다. 상기 버퍼층(15)은 최적의 결정질 구조에서 PZT의 성장을 추가로 지원하고 서비스 수명에 걸쳐 압전층(16)의 일관적인 편광 특성을 보장하는 역할을 하며, 예를 들어 LaNiO₃로부터 생성될 수 있다.

도 1에 따르면, 미러(10)는 또한 매개층(17)을 갖는다. 상기 매개층(17)은 전극(20)(명시의 목적으로 단지 도 1에 평면도로 도시되어 있음)과 직접 전기적으로 접촉한다. 상기 매개층(17)은 전위의 견지에서 전극(20) 사이를 "매개"하는 역할을 하고, 이는 단지 낮은 전기 전도도(바람직하게는 200 지멘스/미터(S/m) 미만)를 가지며, 그 결과 인접한 전극(60) 사이에 존재하는 전위차가 실질적으로 매개층(17)을 가로질러 저하된다.

미러(10) 또는 상기 미러(10)를 포함하는 광학 시스템의 동작 중에, 압전층(16)의 영역에 형성되는 전기장을 통해 전극(14, 20)에 전압을 인가하는 것은 상기 압전층(16)의 편향을 야기한다. 이 방식으로, 광학 수차의 보상을 위한 미러(10)의 작동을 달성하는 것이 가능하다.

도입부에서 이미 설명된 바와 같이, 이어서 제조 프로세스에 따라, 압전층은 통상적으로 완벽하게 균질하지 않고, 다수의 결정질 컬럼으로 구성된 일종의 "컬럼 구조"로 구성된다. 이 경우, 제조 프로세스의 다양한 파라미터를 통해 타겟화된 방식으로 평균 컬럼 직경에 영향을 미치거나 제어하는 것이 가능하고, 이와 관련하여 특히 레이저 증착 방법에 설정된 레이저 클럭 주파수, 성장 프로세스 중에 미러 기판 온도, 미러 기판과 압전층 사이에 존재하는 성장층의 구성, 및 코팅 중에 챔버 내의 가스 조성이 언급되어야 한다. 이 경우, 궁극적으로 설정되는 결정질 컬럼의 평균 크기는 전술된 파라미터들 중 하나 이상에 의해 타겟화된 방식으로 영향을 받을 수 있다.

본 발명에 따르면, 이어서, 도 2의 도면에 개략적으로 도시되어 있는 바와 같이, 평균 컬럼 직경은 평균 컬럼 직경이 증가함에 따라 증가하는 "압입 효과"와 평균 컬럼 직경이 증가함에 따라 감소하는 히스테리시스 효과의 모두가 고려되는 이러한 방식으로 영향을 받는다.

이와 관련하여, 평균 컬럼 직경에 대한 히스테리시스 효과의 의존성(점선 곡선)에 관한 그리고 평균 컬럼 직경에 대한 압입 효과의 의존성(파선 곡선)에 관한 예시적인 정성적 프로파일이 도 2의 도면에 도시되어 있다. 도 2에 지시되어 있는 바와 같이, 마킹된 값 간격에서 평균 컬럼 직경의 본 발명에 따른 타겟화된 설정은 양 효과(즉, 히스테리시스 효과 및 압입 효과의 모두)가 각각의 사양에 의해 미리 규정된 임계값 미만에 있는 결과를 갖는다.

도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 적응형 미러에 존재하는 압전층의 다른 가능한 구성을 명시하기 위한 개략적이고 매우 단순화된 도면을 도시하고 있고, 압전층의 상이한 영역이 이들 실시예에 존재하고, 이 영역은 평균 컬럼 직경과 관련하여 서로 상당히(특히 적어도 40%만큼, 더 구체적으로 적어도 50%만큼) 상이하다. 이는 적응형 미러의 특정 실시예에 따라, 예를 들어 전술된 "압입 효과"가 덜 중요한(예를 들어, 관련 영역에서 미러 기판의 더 강력한 기계적 지지로 인해) 영역이 존재할 수도 있고, 따라서 이러한 영역에서 히스테리시스 효과를 감소시키고 따라서 설정 정확도를 증가시키기 위해 평균 컬럼 직경이 더 크게 선택될 수 있는 상황을 고려할 수 있다. 이와 관련하여, 도 3의 예시적인 시나리오에서, 압전층(30)은 압전층(30) 또는 적응형 미러의 반경방향 외부 에지 영역에서, 반경방향으로 더 내측에 위치된 제1 영역(31)과 비교하여 더 큰 평균 컬럼 직경을 갖는 영역(32)을 갖는다.

도 4에 따르면, 상이한 평균 컬럼 직경을 갖는 압전층(40)의 전술된 영역은 압전층의 상이한 층겹에 대응하고, 도시되어 있는 예시적인 실시예에서, 제2 층겹(42)보다 미러 기판에 더 가깝게 배열된 제1 층겹(41)은 상대적으로 더 작은 평균 컬럼 직경으로 인해 비교적 가요성이 되고 따라서 제2 층겹(42)과 미러 기판(도시되어 있지 않음) 사이의 층 스택의 방향에서의 기계적 결합을 감소시킨다. 그 결과, 이 방식으로 도 4의 구성의 경우에, 첫째로, 전술된 "압입 효과"가 완화되고, 둘째로, 거기의 더 적은 수의 컬럼 경계로 인해 제2 층겹을 통해 감소된 히스테리시스 기여가 달성된다.

본 발명의 다른 양태에 따르면, 도 2 내지 도 4를 참조하여 전술된 바와 같은 압전층 내의 평균 컬럼 직경 설정에 추가로 또는 대안으로서, 하나 이상의 다른 적합한 조치가 압전층의 전술된 히스테리시스 기여를 감소시키고 따라서 적응형 미러로 달성되는 설정 정확도를 증가시키기 위해 구현된다.

이들 조치 중 제1 조치는 히스테리시스의 모델 기반 예측을 포함하고, 이 예측의 과정에서 얻어진 결과는 그 결과로서 증가된 작동 정확도를 달성하기 위해, 처음부터 적응형 미러에서 각각의 경우에 실현된 작동 이동 내로 통합된다. 이 경우, 특히 구성요소(즉, 적응형 미러 또는 압전층)의 히스테리시스 거동의 측정에 기초하여, 특성 파라미터가 결정되고 대응 모델에서 처리될 수 있고, 히스테리시스 예측을 위해 적합한 모델(본 발명이 이들에 한정되는 것은 아님)은 예를 들어 Preisach 모델, Prandtl-Ishlinskii 모델, Duhem 모델, Bouc-Wen 모델, Coleman-Hodgdon 모델 및 Jiles-Atherton 모델이다.

다른 실시예에서, 예상 히스테리시스 기여는 또한, 전극 배열체에 대응적으로 인가되는 수정된 전압 분포에 의한 히스테리시스 기여의 적어도 부분적인 보상을 다시 한번 달성하기 위해, 압전층의 전기 유전율의 측정에 기초하여 구현될 수 있다. 이 경우, 본 발명은 한편으로는 압전 팽창과 다른 한편으로는 유전율 변화 사이의 선형 관계를 사용하고, 이와 관련하여 문헌 [Y. Ishikiriyama "Improvement of Self-sensing Piezoelectric Actuator Control Using Permittivity Change Detection", Journal of Advanced Mechanical Design, Systems and Manufacturing, Volume 4, No. 1, 2010, pages 143-149]을 참조한다.

다른 실시예에서, 전기 바이어스 전압이 각각의 전극 배열체에 인가될 수 있다. 이는 적응형 미러가 실제로 시동되기 전에 소위 Weiss 도메인의 정렬, 및 따라서 히스테리시스 효과의 감소를 달성하는 것을 가능하게 한다.

이러한 "바이어스 전압"은 본 발명에 따른 적응형 미러의 동작 전에 또는 동작 일시 정지 중에 인가될 수 있다. 더욱이, 도 5에 따르면, 이러한 "바이어스 전압"은 또한 적응형 미러의 동작 중에 연속적으로 유지될 수 있다. 더욱이, Weiss 도메인의 정렬 및 따라서 히스테리시스 효과의 감소는 또한 냉각 단계에서 그 제조 중에 압전층에 인가되는 "바이어스 전압"에 의해 달성될 수 있다.

전기 바이어스 전압의 설정값은 특히 작동을 위해 실제로 사용되는 전압값을 초과할 수도 있다. 도 5에 지시되어 있는 바와 같이, 바람직하지 않은 히스테리시스 효과와 관련하여 개선된 "동작 지점"은 또한 적합한 전압을 인가함으로써 선택될 수 있다. 이와 관련하여, 단지 예로서, 도 5에 따르면, 곡선 "C"에 따른 전압 범위로부터 곡선 "D"에 따른 전압 범위로 변경함으로써, 달성될 수 있는 것은, 이용되는 비선형 곡선 프로파일에 의해, 히스테리시스의 감소가 마찬가지로 이동의 감소의 얻어진 효과를 초과하고, 따라서 달리 말하면 이들은 "표면 변형의 설정 나노미터당 효과적으로 적은 히스테리시스 편차"가 발생한다는 것이다.

"바이어스 전압"과 변형 효과가 있는 가변 작동 전압의 상호 작용에서, 가변 전압 부분을 0 V와 미리 규정된 최대값 사이로 설계하는 것이 가능하다. 대안적으로, 가변 전압이 그 최대값이 0 V이고 음의 전압 범위에 있는 이러한 방식으로 미리 규정된 최소값과 최대값(0이 아님) 사이에 있도록 설계가 실행될 수 있다. 예를 들어, "바이어스 전압"은 50 V일 수 있고 가변 전압은 0 V 내지 50 V에서 변할 수 있다. 그 대안으로서, 바이어스 전압은 70 V로 선택될 수 있고, 가변 전압은 -20 V 내지 +30 V일 수 있다. 더욱이, 본 예에서, 바이어스 전압은 100 V일 수 있고, 가변 전압은 -50 V 내지 0 V일 수 있다.

도 5에서, 이들 상황의 각각은 D로 지정된 곡선에 의해 경계 형성된 범위에서 동작을 설명할 수 있다. 차이점은 상대적으로 높은 "바이어스 전압"이 도메인 또는 Weiss 도메인의 강한 편광을 지속적으로 유지한다는 것인데, 즉, 동작 일시 정지를 포함한다는 것이다. 그러나, 지속적으로 높은 전압은 구조체의 절연에 대한 더 높은 요구를 부여하는 것이 가능하다. 동작 지점은 어느 양태가 특정 용례에서 더 중요한지에 따라 선택된다. 전체 동작 범위(즉, 도 5에서 곡선 D에 의해 경계 형성된 영역)와 또한 "바이어스 전압"의 각각의 선택을 현재 동작 조건에 적응시키는 가능성이 존재한다. 이와 관련하여, 요구되는 진폭이 작으면, 낮은 히스테리시스 및 따라서 높은 정확도에 중점을 둘 수 있어, 상대적으로 높은 "바이어스 전압"이 채용되는 경향이 있게 된다. 대조적으로, 감소된 정확도 요구와 함께 큰 이동에 대한 요구가 존재하면, 상대적으로 낮은 "바이어스 전압"이 선택된다.

다른 실시예에서, Weiss 도메인을 정렬하기 위한 단극 교류 전기장이 적응형 미러가 시동되기 전에 및/또는 동작 일시 정지시에 인가될 수 있다. 상기 단극 교류 전기장의 주파수는 예를 들어 1 MHz 내지 100 MHz의 간격에 있을 수 있다.

도 6은 EUV 내의 동작을 위해 설계되고 본 발명이 실현될 수 있는 예시적인 투영 노광 장치의 개략도를 도시하고 있다.

도 6에 따르면, EUV를 위해 설계된 투영 노광 장치(600) 내의 조명 디바이스는 필드 파셋 미러(603) 및 동공 파셋 미러(604)를 포함한다. 플라즈마 광원(601) 및 집광기 미러(602)를 포함하는 광원 유닛으로부터의 광은 필드 파셋 미러(603) 상에 지향된다. 제1 신축식 미러(605) 및 제2 신축식 미러(606)가 동공 파셋 미러(604)의 하류측에서 광로 내에 배열된다. 편향 미러(607)가 광로의 하류에 배열되고, 상기 편향 미러는 그 위에 입사된 복사선을 6개의 미러(651 내지 656)를 포함하는 투영 렌즈의 대물 평면 내의 대물 필드에 지향한다. 대물 필드의 장소에서, 반사 구조체 지지 마스크(621)가 마스크 스테이지(620) 상에 배열되는데, 상기 마스크는 투영 렌즈의 보조로 화상 평면 내에 이미징되고, 이 화상 평면에는 감광층(포토레지스트)으로 코팅된 기판(661)이 웨이퍼 스테이지(660) 상에 위치되어 있다.

투영 렌즈의 미러(651 내지 656) 중에서, 열 변형에 대한 보상의 달성된 효과가 이어서 여전히 상대적으로 낮은 합산된 반사 손실 및 따라서 비교적 높은 광 강도로 인해 상기 미러(651, 652)에서의 결과로서 특히 현저하기 때문에, 단지 예로서 미러(651, 652) - 광학 빔 경로에 대해 투영 렌즈의 초기 영역에 배열됨 - 가 본 발명에 따른 방식으로 구성될 수 있다.

본 발명이 특정 실시예에 기초하여 설명되었지만, 수많은 변형 및 대안 실시예가 예를 들어 개별 실시예의 특징의 조합 및/또는 교환을 통해 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 이에 따라, 이러한 변형 및 대안 실시예는 또한 본 발명에 의해 또한 포함되고, 본 발명의 범주는 단지 첨부된 특허 청구범위 및 이들의 등가물의 의미 내에서만 제한된다는 것이 통상의 기술자에게 자명하다.

Claims

마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 미러이며, 미러는 광학적 유효면(11)을 가지며,
· 미러 기판(12);
· 광학적 유효면(11)에 입사하는 전자기 복사선을 반사하기 위한 반사층 스택(21); 및
· 미러 기판(12)과 반사층 스택(21) 사이에 배열되고 국부적 가변 변형을 생성하기 위한 전기장이 반사층 스택(21)을 향하는 압전층(16)의 측면에 위치된 제1 전극 배열체에 의해, 그리고 미러 기판(12)을 향하는 압전층(16)의 측면에 위치된 제2 전극 배열체에 의해 인가되는 것이 가능한 적어도 하나의 압전층(16)을 포함하고;
· 상기 압전층(16)은 컬럼 경계에 의해 서로로부터 공간적으로 분리된 복수의 컬럼을 갖고;
· 상기 컬럼의 평균 컬럼 직경은 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위인, 미러.
제1항에 있어서, 서로 각각 인접한 컬럼의 평균 컬럼 간격은 평균 컬럼 직경의 2% 내지 30%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 미러.
마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 미러이며, 미러는 광학적 유효면(11)을 가지며,
· 미러 기판(12);
· 광학적 유효면(11)에 입사하는 전자기 복사선을 반사하기 위한 반사층 스택(21); 및
· 미러 기판(12)과 반사층 스택(21) 사이에 배열되고 국부적 가변 변형을 생성하기 위한 전기장이 반사층 스택(21)을 향하는 압전층(16)의 측면에 위치된 제1 전극 배열체에 의해, 그리고 미러 기판(12)을 향하는 압전층(16)의 측면에 위치된 제2 전극 배열체에 의해 인가되는 것이 가능한 적어도 하나의 압전층(16)을 포함하고;
· 상기 압전층(16)은 컬럼 경계에 의해 서로로부터 공간적으로 분리된 복수의 컬럼을 갖고;
· 상기 컬럼의 평균 컬럼 간격은 평균 컬럼 직경의 2% 내지 30%의 범위인, 미러.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 평균 컬럼 직경과 컬럼의 높이 사이의 비가 50:1 내지 1:200의 범위, 특히 10:1 내지 1:10의 범위인 것을 특징으로 하는 미러.
마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 미러이며, 미러는 광학적 유효면(11)을 가지며,
· 미러 기판(12);
· 광학적 유효면(11)에 입사하는 전자기 복사선을 반사하기 위한 반사층 스택(21); 및
· 미러 기판(12)과 반사층 스택(21) 사이에 배열되고 국부적 가변 변형을 생성하기 위한 전기장이 반사층 스택(21)을 향하는 압전층(16)의 측면에 위치된 제1 전극 배열체에 의해, 그리고 미러 기판(12)을 향하는 압전층(16)의 측면에 위치된 제2 전극 배열체에 의해 인가되는 것이 가능한 적어도 하나의 압전층(16)을 포함하고;
· 상기 압전층(16)은 컬럼 경계에 의해 서로로부터 공간적으로 분리된 복수의 컬럼을 갖고;
· 평균 컬럼 직경과 컬럼의 높이 사이의 비가 50:1 내지 1:200의 범위, 특히 10:1 내지 1:10의 범위인, 미러.
제5항에 있어서, 평균 컬럼 직경과 컬럼의 높이 사이의 비가 10:1 내지 1:10의 범위인 것을 특징으로 하는 미러.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 압전층(16)은 평균 컬럼 직경에 대해 적어도 30%만큼 서로 상이한 적어도 2개의 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 미러.
마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 미러이며, 미러는 광학적 유효면(11)을 가지며,
· 미러 기판(12);
· 광학적 유효면(11)에 입사하는 전자기 복사선을 반사하기 위한 반사층 스택(21); 및
· 미러 기판(12)과 반사층 스택(21) 사이에 배열되고 국부적 가변 변형을 생성하기 위한 전기장이 반사층 스택(21)을 향하는 압전층(16, 30, 40)의 측면에 위치된 제1 전극 배열체에 의해, 그리고 미러 기판(12)을 향하는 압전층(16, 30, 40)의 측면에 위치된 제2 전극 배열체에 의해 인가되는 것이 가능한 적어도 하나의 압전층(16, 30, 40)을 포함하고;
· 상기 압전층(16, 30, 40)은 컬럼 경계에 의해 서로로부터 공간적으로 분리된 복수의 컬럼을 갖고;
· 압전층(16, 30, 40)은 평균 컬럼 직경에 대해 적어도 30%만큼 서로 상이한 적어도 2개의 영역을 갖는, 미러.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 압전층(16, 30, 40)은 평균 컬럼 직경에 대해 적어도 40%만큼, 더 구체적으로 적어도 50%만큼 서로 상이한 적어도 2개의 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 미러.
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 2개의 영역은 압전층(16)의 상이한 층겹에 대응하고, 상기 층겹의 제1 층겹(41)은 상기 층겹의 제2 층겹(42)보다 미러 기판에 더 가깝게 배열되는 것을 특징으로 하는 미러.
제10항에 있어서, 제1 층겹(41)은 더 작은 평균 컬럼 직경을 갖는 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 미러.
제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 2개의 영역은 압전층(16)의 하나의 동일한 층겹 내에 위치되고 서로로부터 측방향으로 분리된 영역(31, 32)인 것을 특징으로 하는 미러.
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 압전층(16, 30, 40)은 평균 컬럼 간격에 대해, 적어도 10%만큼, 특히 적어도 20%만큼 서로 상이한 적어도 2개의 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 미러.
마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 미러이며, 미러는 광학적 유효면(11)을 가지며,
· 미러 기판(12);
· 광학적 유효면(11)에 입사하는 전자기 복사선을 반사하기 위한 반사층 스택(21); 및
· 미러 기판(12)과 반사층 스택(21) 사이에 배열되고 국부적 가변 변형을 생성하기 위한 전기장이 반사층 스택(21)을 향하는 압전층(16, 30, 40)의 측면에 위치된 제1 전극 배열체에 의해, 그리고 미러 기판(12)을 향하는 압전층(16, 30, 40)의 측면에 위치된 제2 전극 배열체에 의해 인가되는 것이 가능한 적어도 하나의 압전층(16, 30, 40)을 포함하고;
· 상기 압전층(16, 30, 40)은 컬럼 경계에 의해 서로로부터 공간적으로 분리된 복수의 컬럼을 갖고;
· 압전층(16, 30, 40)은 평균 컬럼 간격에 대해 적어도 10%만큼 서로 상이한 적어도 2개의 영역을 갖는, 미러.
제14항에 있어서, 압전층(16, 30, 40)은 평균 컬럼 간격에 대해 적어도 20%만큼 서로 상이한 적어도 2개의 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 미러.
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 미러는 30 nm 미만, 특히 15 nm 미만의 동작 파장을 위해 설계되는 것을 특징으로 하는 미러.
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미러는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 미러인 것을 특징으로 하는 미러.
변형 가능 미러의 동작 방법으로서, 미러는:
· 미러 기판(12),
· 미러의 광학적 유효면(11)에 입사하는 전자기 복사선을 반사하기 위한 반사층 스택(21), 및
· 미러 기판(12)과 반사층 스택(21) 사이에 배열되고 국부적 가변 변형을 생성하기 위한 전기장이 반사층 스택(21)을 향하는 압전층(16, 30, 40)의 측면에 위치된 제1 전극 배열체(20)에 의해, 그리고 미러 기판(12)을 향하는 압전층(16, 30, 40)의 측면에 위치된 제2 전극 배열체(14)에 의해 인가되는 것이 가능한 적어도 하나의 압전층(16)을 포함하는, 방법에 있어서,
방법은 이하의 단계:
a) 미러의 변형 거동에 대한 예상 히스테리시스 기여를 결정하는 단계로서, 상기 히스테리시스 기여로 인해, 미리 규정된 전압 분포(U(x, y))가 제1 전극 배열체(20) 및/또는 제2 전극 배열체(14)에 인가될 때 광학적 유효면(11)에 수직인 표면을 따른 압전층(16, 30, 40)의 선형 팽창은 압전층(16, 30, 40)의 관련 선형 팽창 계수(d₃₃(x, y))와 전기 전압의 각각의 값의 적으로부터 벗어나는, 예상 히스테리시스 기여 결정 단계; 및
b) 상기 히스테리시스 기여가 적어도 부분적으로 보상되는 이러한 방식으로 수정된 전압 분포를 제1 전극 배열체(20) 및/또는 제2 전극 배열체(14)에 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제18항에 있어서, 예상 히스테리시스 기여는 미러의 히스테리시스 거동이 미리 측정된 후에 모델 기반 방식으로 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
제18항 또는 제19항에 있어서, 예상 히스테리시스 기여는 압전층(16, 30, 40)의 전기 유전율의 측정에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
제18항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 전극 배열체(20) 및/또는 제2 전극 배열체(14)에 전기 바이어스 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제18항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 미러가 시동되기 전 또는/ 및 압전층에서 Weiss 도메인을 정렬하기 위한 적어도 하나의 동작 일시 정지 중에 단극 교류 전기장이 광학적 유효면에 수직인 표면의 방향을 따라 발생되는 것을 특징으로 하는 방법.
변형 가능 미러의 동작 방법으로서, 미러는:
· 미러 기판(12),
· 미러의 광학적 유효면(11)에 입사하는 전자기 복사선을 반사하기 위한 반사층 스택(21), 및
· 미러 기판(12)과 반사층 스택(21) 사이에 배열되고 국부적 가변 변형을 생성하기 위한 전기장이 반사층 스택(21)을 향하는 압전층(16, 30, 40)의 측면에 위치된 제1 전극 배열체(20)에 의해, 그리고 미러 기판(12)을 향하는 압전층(16, 30, 40)의 측면에 위치된 제2 전극 배열체(14)에 의해 인가되는 것이 가능한 적어도 하나의 압전층(16)을 포함하는, 방법에 있어서,
미러가 시동되기 전 또는/ 및 압전층에서 Weiss 도메인을 정렬하기 위한 적어도 하나의 동작 일시 정지 중에 단극 교류 전기장이 광학적 유효면에 수직인 표면의 방향을 따라 발생되는 것을 특징으로 하는 방법.
마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템에 있어서, 광학 시스템은 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 투영 렌즈에 있어서, 광학 시스템은 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 렌즈.
조명 디바이스 및 투영 렌즈를 포함하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치(400)에 있어서, 투영 노광 장치는 제25항에 따른 광학 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.