KR20210036091A - Upper Surface Foreign Matter Detection Device of the Transparent Substrate using Ultraviolet Light - Google Patents

Upper Surface Foreign Matter Detection Device of the Transparent Substrate using Ultraviolet Light Download PDF

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KR20210036091A KR1020190118098A KR20190118098A KR20210036091A KR 20210036091 A KR20210036091 A KR 20210036091A KR 1020190118098 A KR1020190118098 A KR 1020190118098A KR 20190118098 A KR20190118098 A KR 20190118098A KR 20210036091 A KR20210036091 A KR 20210036091A
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Abstract

The present invention relates to an upper surface foreign substance detection device of a transparent substrate using an ultraviolet ray for detecting a foreign substance attached to a surface of a substrate in a patter forming process between a process of manufacturing a flat panel display (FPD) and a semiconductor using a transparent substrate and a process of manufacturing the transparent substrate allowing light to pass the same such as a sapphire wafer used for a glass substrate or a part of the semiconductor used for the FPD such as a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode (OLED), and a plasma display panel (PDP).

Description

자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치{Upper Surface Foreign Matter Detection Device of the Transparent Substrate using Ultraviolet Light}Upper Surface Foreign Matter Detection Device of the Transparent Substrate using Ultraviolet Light}

본 발명은 LCD(Liquid Crystal Display), OLED(Organic Light Emitting Diodes), PDP(Plasma Display Panel) 등과 같은 FPD(Flat Panel Display)에 사용되는 유리 기판(Glass substrate) 또는 일부의 반도체에 사용되는 사파이어 웨이퍼 등과 같이 빛을 통과시키는 투명한 기판의 제조 공정 및 투명 기판을 사용한 FPD와 반도체 제조 공정 중 패턴 형성 공정에서 기판의 표면에 부착된 이물을 검출하기 위한 자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치에 관한 것이다.The present invention is a glass substrate used for a flat panel display (FPD) such as LCD (Liquid Crystal Display), OLED (Organic Light Emitting Diodes), PDP (Plasma Display Panel), etc. or a sapphire wafer used for some semiconductors The present invention relates to an apparatus for detecting foreign substances on an upper surface of a transparent substrate using ultraviolet rays to detect foreign substances adhering to the surface of a substrate in a process of manufacturing a transparent substrate that passes light and an FPD using a transparent substrate and a pattern forming process during a semiconductor manufacturing process.

얇은 두께의 투명 기판의 제조 공정, 포장 공정 및 이를 사용한 패턴 형성 공정 등에서 여러 가지 이유로 이물이 발생할 수 있다. 이들 공정 환경에서 발생된 이물들이 기판의 상면에 부착될 경우, 이 이물들은 이후의 공정에서 상면에 형성될 화소용 미세 패턴의 형성을 방해하여 해당 위치에 화소 생성용 회로 패턴이 형성되지 못하게 하므로 불량 화소로 되어 공정 수율을 떨어뜨리게 된다. 따라서 제작 공정 중간이나 공정 이후에 상면의 이물을 검사하는 단계를 가져야 한다. Foreign substances may be generated for various reasons, such as a manufacturing process of a thin transparent substrate, a packaging process, and a pattern forming process using the same. When foreign substances generated in these process environments adhere to the upper surface of the substrate, these foreign substances interfere with the formation of a fine pattern for pixels to be formed on the upper surface in a subsequent process, preventing the formation of the circuit pattern for pixel generation at the corresponding position. It becomes a pixel, which lowers the process yield. Therefore, it is necessary to have a step of inspecting foreign substances on the upper surface in the middle or after the manufacturing process.

FPD 와 반도체 제조 공정에서 기판을 반송하기 위해서 하면은 반송 수단에 접촉하게 되므로 하면에는 상면보다 훨씬 많은 이물들이 부착될 수 있는데, 하면의 이물들은 화소크기보다 크기가 작은 미세 이물의 경우, 화소의 특성에 아무 영향을 주지 않으므로 하면의 작은 이물은 허용되어 진다. 따라서 투명기판의 제조 공정 및 이 기판을 사용한 FPD 및 반도체의 제조 공정에서 상면 이물만을 엄격히 검사하고 있다. In order to transport the substrate in the FPD and semiconductor manufacturing process, the lower surface comes into contact with the transport means, so much more foreign substances can be attached to the lower surface than the upper surface. As it does not have any effect on, small foreign objects on the underside are allowed. Therefore, only foreign substances on the upper surface are strictly inspected in the manufacturing process of the transparent substrate and the manufacturing process of the FPD and semiconductor using the substrate.

FPD 및 반도체 제조 공정에서는 이물을 검사하기 위해서 기판면에 손상이 가지 않는 비접촉검사방법 중에서 주로 빛을 조사하고 반사광을 카메라로 촬상해서 얻은 이미지를 이용한 비전 검사방법을 사용하고 있는데, 투명 기판을 사용할 경우 하면까지 빛이 도달하여 하면 이물에서의 반사광도 전달되므로 하면의 이물도 촬상되게 되어 과도한 불량 판정을 하게 되고 제조 수율에 영향을 줄 수 있으므로, 하면의 이물에는 영향을 받지 않고 상면의 이물만을 검사하는 방법이 필요하다.In the FPD and semiconductor manufacturing process, among the non-contact inspection methods that do not damage the substrate surface to inspect foreign substances, a vision inspection method using images obtained by irradiating light and photographing reflected light with a camera is mainly used. In case of using a transparent substrate When the light reaches the lower surface, the reflected light from the foreign object is also transmitted. Therefore, the foreign object on the lower surface is also imaged, making excessive defect judgment and may affect the manufacturing yield. Therefore, it is not affected by the foreign object on the lower surface, and only the foreign object on the upper surface is inspected. I need a way.

도 1에는 종래의 이물 검출장치(20)의 개략도가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이 이물 검출장치(20)는 경사광(L)을 조사하되 아주 좁은 폭의 광원을 조사하여 투명기판(24)의 상면과 하면에 떨어지는 광 조사 위치를 다르게 한 후, 상면 촬상용 카메라(21)와, 하면 촬상용 카메라(22)의 시야를 각각 다른 위치에 두어 상하면의 이물(T1, T2)을 구분하는 방법을 사용하기도 한다. 그러나 이 방법은 기판의 두께가 얇은 경우 광 조사위치 간의 거리가 좁아지게 되므로 기판 하면 이물(T2)의 이미지가 상면용의 카메라(21)에 잡히는 등의 문제가 생기므로 적용할 수가 없다.1 is a schematic diagram of a conventional foreign material detection device 20. As shown in FIG. As shown, the foreign matter detection device 20 irradiates the inclined light L, but irradiates a light source of a very narrow width to change the irradiation position of light falling on the upper and lower surfaces of the transparent substrate 24, and then, a camera for image pickup on the upper surface. A method of distinguishing foreign objects T1 and T2 on the upper and lower surfaces of the upper and lower surfaces by placing the field of view of the (21) and the lower surface imaging camera 22 at different positions may be used. However, this method cannot be applied because the distance between the light irradiation positions becomes narrow when the thickness of the substrate is thin, and the image of the foreign material T2 is captured by the camera 21 for the top surface when the substrate is formed.

따라서 검사용 광이 아예 하면에 다다르지 못하게 하여 하면 이물에서의 반사광을 없애거나 아주 작게 하는 방법을 사용한 경우도 있다. 일본 공개특허공보 특개평5-196579호는 액정 패널 제조공정에 사용되는 유리 기판의 이물 검사 장치로, 유리 기판을 투과하지 않는 파장의 빛 혹은 투과율이 낮은 파장의 빛을 사용하여 표면 이물만을 검사하는 장치를 공개하고 있다. 상기 기술은 유리 기판의 표면 이물만을 검지한다는 장점이 있지만, 유리를 통과하지 않는 엑시머 레이저(Eximer Laser), CO2 레이저 등의 고가의 레이저 발생장치가 필요하다는 단점이 있다.Therefore, if the inspection light does not reach the lower surface at all, the reflected light from foreign objects is eliminated or a method of making it very small is sometimes used. Japanese Unexamined Patent Application Publication No. Hei 5-196579 is an apparatus for inspecting foreign matter on a glass substrate used in the manufacturing process of a liquid crystal panel, which inspects only surface foreign matter using light of a wavelength that does not pass through the glass substrate or light with a low transmittance. The device is revealing. The above technology has the advantage of detecting only the surface foreign matter of the glass substrate, but has a disadvantage in that an expensive laser generator such as an excimer laser and a CO2 laser that does not pass through the glass is required.

일본공개특허공보 특개평5-196579호(1993.08.06 공개)Japanese Unexamined Patent Application Publication No. Hei 5-196579 (published on August 6, 1993)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 본 발명의 목적은, 투명 기판을 투과하지 않는 파장대의 영역을 갖는 자외선C(UV-C)를 통해 투명 기판의 투과를 최소화하여 기판의 하면 이물의 검출을 배제하고, 상면 이물에서 반사되는 산란광 검출을 통해 기판의 상면 이물을 검출할 수 있는 자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치를 제공함에 있다. The present invention has been conceived to solve the above problems, and an object of the present invention is to minimize the transmission of the transparent substrate through ultraviolet C (UV-C) having a wavelength band that does not pass through the transparent substrate. The objective is to provide an apparatus for detecting foreign substances on the upper surface of a transparent substrate using ultraviolet rays capable of detecting foreign substances on the upper surface of the substrate through detection of scattered light reflected from the foreign substances on the upper surface and excluding the detection of foreign substances.

본 발명의 일실시 예에 따른 자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치는, 투명 재질의 기판에 부착된 이물을 검출하기 위한 투명기판 상면 이물 검출 장치에 있어서, 상기 기판의 상면에 광을 조사하는 광원부; 상기 조사된 광에 의한 상기 기판에 부착된 이물의 산란광을 검출하는 검출부; 상기 기판의 상면에 부착된 이물에 대해서만 산란광을 발생시키도록 상기 광원부의 광은 자외선이되, 상기 투명 재질을 투과하지 않는 대역의 자외선C 인 것을 특징으로 한다. A foreign material detection device on the top of a transparent substrate using ultraviolet rays according to an embodiment of the present invention, in the foreign material detection device on the top of a transparent substrate for detecting a foreign material attached to a substrate made of a transparent material, a light source unit for irradiating light on the top surface of the substrate ; A detector configured to detect scattered light of a foreign substance attached to the substrate by the irradiated light; In order to generate scattered light only for the foreign material attached to the upper surface of the substrate, the light of the light source unit is ultraviolet light, but is characterized in that it is ultraviolet C in a band that does not transmit the transparent material.

또한, 상기 광원부는, 자외선을 발생시키는 광원; 상기 광원에서 발생된 자외선을 균등하게 평행광으로 조사되도록 광원의 후단에 구비되는 균질화 로드; 및 상기 자외선 중 자외선C 만 투과하고, 나머지는 필터링하는 밴드패스필터; 를 포함한다. In addition, the light source unit may include a light source for generating ultraviolet rays; A homogenizing rod provided at a rear end of the light source so that ultraviolet rays generated from the light source are evenly irradiated with parallel light; And a band pass filter that transmits only ultraviolet C among the ultraviolet rays and filters the rest of the ultraviolet rays. Includes.

또한, 상기 광원부는, 광섬유로 이루어져, 상기 밴드패스필터를 통과하여 평행광으로 조사된 자외선C를 사출구까지 전달하는, 자외선C 가이드; 를 포함하되, 상기 자외선 C 가이드의 사출구는 상기 광섬유가 일렬로 배치되는 선형으로 이루어지고, 상기 광원부는, 상기 선형으로 조사된 자외선 C를 집광하여 기판에 조사하기 위한 초점렌즈; 를 더 포함한다. In addition, the light source unit, consisting of an optical fiber, passing through the band pass filter and transmitting the ultraviolet C irradiated with parallel light to the exit hole, an ultraviolet C guide; Including, wherein the exit hole of the ultraviolet C guide is formed in a linear shape in which the optical fibers are arranged in a line, and the light source unit includes: a focus lens for condensing the linearly irradiated ultraviolet C to irradiate the substrate; It further includes.

또한, 상기 광원부는, 자외선C를 발생시키는 광원; 및 상기 광원에서 발생된 자외선을 균등하게 평행광으로 조사되도록 광원의 후단에 구비되는 균질화 로드; 를 포함한다. In addition, the light source unit may include a light source for generating ultraviolet C; And a homogenizing rod provided at a rear end of the light source so that ultraviolet rays generated from the light source are evenly irradiated with parallel light. Includes.

또한, 상기 광원부는, 광섬유로 이루어져, 상기 균질화 로드를 통과하여 평행광으로 조사된 자외선C를 사출구까지 전달하는, 자외선C 가이드; 를 포함하되, 상기 자외선 C 가이드의 사출구는 상기 광섬유가 일렬로 배치되는 선형으로 이루어지고, 상기 광원부는, 상기 선형으로 조사된 자외선 C를 집광하여 기판에 조사하기 위한 초점렌즈; 를 더 포함한다. In addition, the light source unit, consisting of an optical fiber, passing through the homogenizing rod and transmitting the ultraviolet C irradiated with parallel light to the exit hole, an ultraviolet C guide; Including, wherein the exit hole of the ultraviolet C guide is formed in a linear shape in which the optical fibers are arranged in a line, and the light source unit includes: a focus lens for condensing the linearly irradiated ultraviolet C to irradiate the substrate; It further includes.

또한, 상기 투명기판 상면 이물 검출 장치는, 상기 산란광을 집광하여 상기 검출부에 전달하도록 상기 기판과 검출부 사이에는 집광렌즈가 더 구비되며, 상기 집광렌즈는 자외선 렌즈인 것을 특징으로 한다. In addition, the apparatus for detecting foreign matter on an upper surface of the transparent substrate further includes a condensing lens between the substrate and the detection unit to condense the scattered light and transmit it to the detection unit, and the condensing lens is an ultraviolet lens.

아울러, 상기 투명기판 상면 이물 검출 장치는, 상기 집광렌즈와 기판 사이에 구비되는 필터부를 더 포함하며, 상기 필터부는 상기 산란광은 투과시키고, 주변광은 필터링 하는 밴드패스필터인 것을 특징으로 한다. In addition, the apparatus for detecting foreign matter on an upper surface of the transparent substrate may further include a filter unit provided between the condensing lens and the substrate, and the filter unit is a band pass filter that transmits the scattered light and filters ambient light.

상기와 같은 구성에 의한 본 발명의 자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치는, 하면 이물에 의한 간섭을 배제하여 외부환경 일예로 기판의 두께나, 기판 하부의 빛의 간섭에 영향을 받지 않는 효과가 있다.The apparatus for detecting foreign matter on the upper surface of a transparent substrate using ultraviolet rays of the present invention having the above configuration has the effect of not being affected by the interference of the external environment such as the thickness of the substrate or the light under the substrate by excluding interference by the lower surface foreign matter. have.

또한, 상면 이물과 하면 이물을 구분하기 위한 추가적인 검출 수단이 필요하지 않고, 종래 기술 대비 광학계의 구성을 단순화할 수 있어, 운용비용이 적게 들고 특히 고가의 레이저 발생 장치를 대신하여 자외선 광원을 이용하기 때문에 저렴한 비용으로 시스템 구성이 가능한 효과가 있다. In addition, an additional detection means for distinguishing the upper and lower foreign objects is not required, and the configuration of the optical system can be simplified compared to the prior art, resulting in low operating costs and in particular using an ultraviolet light source instead of an expensive laser generator. Therefore, there is an effect that the system can be configured at low cost.

도 1은 종래의 이물 검출 장치 개략도
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 자외선 이물 검출 장치 개략도
도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 자외선 광원부 개략도
도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 자외선 이물 검출 장치의 기판 상면 이물 검출 과정을 도시한 개략도
도 5는 본 발명의 일실시 예에 따른 자외선 이물 검출 장치의 기판 하면 이물 배제 과정을 도시한 개략도1 is a schematic diagram of a conventional foreign material detection device
2 is a schematic diagram of an ultraviolet foreign material detection apparatus according to an embodiment of the present invention
3 is a schematic diagram of an ultraviolet light source unit according to an embodiment of the present invention
4 is a schematic diagram showing a process of detecting a foreign material on the upper surface of a substrate of the ultraviolet foreign material detecting apparatus according to an embodiment of the present invention
5 is a schematic diagram showing a process of removing foreign substances under the substrate of the ultraviolet foreign substance detecting apparatus according to an embodiment of the present invention

이하, 상기와 같은 본 발명의 일실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention as described above will be described in detail with reference to the drawings.

도 2에는 본 발명의 일실시 예에 따른 자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치(1000, 이하 '검출 장치')의 개략도가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이 검출 장치(1000)는 광원부(100), 검출부(200) 및 스테이지(500)를 포함하여 구성된다. FIG. 2 is a schematic diagram of an apparatus 1000 for detecting foreign substances on an upper surface of a transparent substrate using ultraviolet rays according to an exemplary embodiment of the present invention. As shown, the detection device 1000 includes a light source unit 100, a detection unit 200, and a stage 500.

광원부(100)는 기판(S)에 자외선을 조사하기 위한 구성으로 자외선을 기판(S)에 조사하는 자외선 광원을 포함하여 이루어진다. 또한, 검출 장치(1000)는, 광원부(100)에서 조사되는 자외선이 기판(S)에 일정한 입사각으로 조사되도록 반사판(101)이 추가 구비된다.The light source unit 100 is configured to irradiate ultraviolet rays onto the substrate S, and includes an ultraviolet light source that irradiates ultraviolet rays onto the substrate S. In addition, the detection device 1000 is further provided with a reflecting plate 101 so that the ultraviolet rays irradiated from the light source unit 100 are irradiated to the substrate S at a constant incidence angle.

스테이지(500)는 이물 검출을 위한 기판(S)을 거치하거나 이송하기 위해 구성된다. The stage 500 is configured to mount or transfer the substrate S for detecting foreign substances.

검출부(200)는 기판(S)에 조사된 자외선의 반사광 특히 이물에 의한 산란광을 검출하기 위해 구성된다. 이때 검출부(200)는 자외선 검출을 위한 자외선 카메라로 구성될 수 있다. 또한, 검출 장치(1000)는 검출부(200)와 기판(S) 사이에 기판(S)에서 반사되는 상기 반사광 또는 산란광을 검출부(200)로 집광하는 집광렌즈(250)를 포함한다. 집광렌즈(250)는 자외선을 집광하기 위한 자외선 렌즈가 적용될 수 있다. 또한, 집광렌즈(250)와, 기판(S) 사이에는 필터부(260)가 추가 구비될 수 있다. 필터부(260)는 기판(S)에서 반사되는 산란광만을 집광렌즈(250)를 통해 검출부(200)로 전달하도록 구성되며, 자외선C 만을 투과하고, 나머지 주변광을 필터링 하도록 구성된 밴드 패스 필터일 수 있다. The detection unit 200 is configured to detect reflected light of ultraviolet rays irradiated onto the substrate S, particularly scattered light due to foreign substances. In this case, the detection unit 200 may be configured as an ultraviolet camera for ultraviolet detection. In addition, the detection apparatus 1000 includes a condensing lens 250 between the detection unit 200 and the substrate S for condensing the reflected light or scattered light reflected from the substrate S to the detection unit 200. As the condensing lens 250, an ultraviolet lens for condensing ultraviolet rays may be applied. In addition, a filter unit 260 may be additionally provided between the condensing lens 250 and the substrate S. The filter unit 260 is configured to transmit only the scattered light reflected from the substrate S to the detection unit 200 through the condensing lens 250, and may be a band pass filter configured to transmit only ultraviolet C and filter the remaining ambient light. have.

상기와 같은 구성의 검출부(200)를 통해 기판(S)에 이물이 없는 상태에서 자외선을 조사하게 되면, 산란광이 발생되지 않으며, 이에 따라 검출부(200)에서 산란광이 검출되지 않고, 검출부(200)의 검출 신호를 판단하는 제어부를 통해 기판(S) 상에 이물이 없는 것으로 판단하게 된다.When ultraviolet rays are irradiated with no foreign matter on the substrate S through the detection unit 200 having the configuration as described above, scattered light is not generated, and accordingly, the scattered light is not detected by the detection unit 200, and the detection unit 200 It is determined that there is no foreign object on the substrate S through the control unit that determines the detection signal of.

반면, 기판(S)에 이물이 부착된 상태에서 자외선을 조사하게 되면, 조사된 자외선에 의해 이물에서 산란광이 발생되고 이를 검출부(200)를 통해 검출하게 되며, 검출부(200)의 검출 신호를 판단하는 제어부를 통해 기판(S) 상에 이물이 검출된 것으로 판단하게 된다.On the other hand, when ultraviolet rays are irradiated with a foreign substance attached to the substrate S, scattered light is generated from the foreign substance by the irradiated ultraviolet rays, and this is detected through the detection unit 200, and the detection signal of the detection unit 200 is determined. It is determined that a foreign material has been detected on the substrate S through the control unit.

이때 본 발명의 검출 장치(1000)는 기판(S)의 상면(Upper surface)에 부착된 이물만을 검출하기 위해 자외선을 이용하였고, 자외선 중에서도 투명 재질의 기판(S)을 투과하지 않는 파장대의 자외선을 이용하였다. 보다 구체적으로 자외선 C는 약 100~280nm 의 파장대역을 갖는 자외선으로 유리와 같은 투명 재질의 투과율이 0% 에 가깝기 때문에 광원부(100)를 통해 기판(S)에 조사하여도 기판(S)의 하면까지 빛이 도달하지 않게 된다. 따라서 기판(S)의 하면(Lower surface)에 이물이 부착되었다 하더라도, 자외선을 통한 산란광이 발생하지 않기 때문에 기판(S)의 하면에 부착된 이물을 배제한 상태에서 기판(S)의 상면에 부착된 이물에 대해서만 산란광의 발생이 가능하도록 할 수 있다. At this time, the detection device 1000 of the present invention uses ultraviolet rays to detect only foreign substances attached to the upper surface of the substrate S, and among ultraviolet rays, ultraviolet rays in the wavelength band that do not pass through the transparent substrate S Was used. More specifically, ultraviolet C is ultraviolet rays having a wavelength band of about 100 to 280 nm, and since the transmittance of a transparent material such as glass is close to 0%, even when irradiated to the substrate S through the light source unit 100, the lower surface of the substrate S Until the light does not reach. Therefore, even if a foreign substance is attached to the lower surface of the substrate S, scattered light through ultraviolet rays does not occur. Scattered light can be generated only for foreign matter.

특히 본원은 고가의 엑시머 레이저(Eximer Laser) 또는 CO2 레이저 등을 사용하지 않고, 자외선 광원을 이용하여 유리와 같은 투명 재질의 투과율 0%의 조사광을 발생시키기 때문에 저렴한 비용으로 시스템 구축이 가능하여 운용비용을 획기적으로 절감할 수 있는 장점이 있다. In particular, the company does not use expensive excimer lasers or CO2 lasers, but uses an ultraviolet light source to generate irradiation light with a transmittance of 0% of transparent materials such as glass, so the system can be constructed and operated at low cost. There is an advantage that can significantly reduce the cost.

이하 상기와 같은 본 발명의 검출 장치(1000)의 광원부(100)의 세부 구성에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, a detailed configuration of the light source unit 100 of the detection apparatus 1000 of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

우선 자외선에 대하여 간단히 설명하면 자외선은 파장 범위 10~400nm (에너지 범위 3 eV~124 eV)인 빛으로서, 파장이 가시광보다 더 짧고 엑스선보다는 더 긴 전자기파의 총칭이다. 자외선(Ultraviolet)이라는 이름 자체가 가시광에서 파장이 가장 짧은 빛인 보라색(violet) 빛을 넘어서는 빛이라는 뜻으로 자외선을 다시 세분하면, 자외선A, 자외선B, 자외선C로 분류될 수 있다.First of all, to briefly describe ultraviolet rays, ultraviolet rays are light with a wavelength range of 10 to 400 nm (energy range of 3 eV to 124 eV), and are a generic term for electromagnetic waves whose wavelength is shorter than visible light and longer than X-rays. The name of ultraviolet (Ultraviolet) itself means that the light exceeds violet light, which is the shortest wavelength in visible light, and if the ultraviolet rays are subdivided again, they can be classified as ultraviolet A, ultraviolet B, and ultraviolet C.

자외선A는 315~400nm 의 파장을 갖고, 자외선B는 280~315nm 의 파장을 갖고, 자외선C는 100~280nm 의 파장을 갖는다.Ultraviolet A has a wavelength of 315 to 400 nm, UV B has a wavelength of 280 to 315 nm, and UV C has a wavelength of 100 to 280 nm.

한편, 투명 재질 일예로 유리는 보통, 파장 300nm ~ 2570nm 정도의 광을 투과하는 성질을 가지고 있다. 따라서 이 범위 외의 파장을 갖는 광을 조사광으로서 사용한다면, 조사광이 기판을 투과하지 못하기 때문에 기판의 하면의 이물 부착 유무에 영향을 받지 않고 기판의 상면에 부착된 이물의 검출이 가능하다. 따라서 본 발명의 검출 장치(1000)는 자외선 중에서도 자외선C 조사 광원으로 하여 기판(S)에 조사하기 위해 광원부(100)는 다음과 같이 구성될 수 있다.On the other hand, as an example of a transparent material, glass usually has a property of transmitting light having a wavelength of about 300 nm to 2570 nm. Therefore, if light having a wavelength outside this range is used as the irradiation light, since the irradiation light cannot pass through the substrate, it is possible to detect foreign matter adhering to the upper surface of the substrate without being affected by the presence or absence of foreign matter adhesion on the lower surface of the substrate. Accordingly, in the detection apparatus 1000 of the present invention, in order to irradiate the substrate S with an ultraviolet C irradiation light source among ultraviolet rays, the light source unit 100 may be configured as follows.

도 3에는 본 발명의 일실시 예에 따른 광원부(100)의 개략도가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이 광원부(100)는, 광원(110), 자외선 등급 실리카 균질화 로드(120), 밴드패스필터(130), 자외선C 가이드(140) 및 초점 렌즈(150)로 구성될 수 있다. 광원(110)에서 발생된 자외선을 직접 기판에 조사할 경우 광원의 광에너지가 분산되어 검출부(200)를 통한 이물의 산란광 검출이 어렵다. 따라서 본원의 광원부(100)는 광원(110)에서 발생된 자외선을 평행하고 균등한 에너지로 집광시켜 조사함으로써 검출부(200)를 통한 이물의 산란광 검출을 보다 용이하도록 하기 위해 균질화 로드(120), 밴드패스필터(130), 자외선C 가이드(140) 및 초점 렌즈(150)를 추가 구성한다. 3 is a schematic diagram of a light source unit 100 according to an embodiment of the present invention. As shown, the light source unit 100 may include a light source 110, an ultraviolet grade silica homogenizing rod 120, a band pass filter 130, an ultraviolet C guide 140, and a focus lens 150. When ultraviolet rays generated from the light source 110 are directly irradiated onto the substrate, the light energy of the light source is dispersed, and it is difficult to detect the scattered light of a foreign material through the detection unit 200. Accordingly, the light source unit 100 of the present application condenses and irradiates the ultraviolet rays generated from the light source 110 with parallel and equal energy, thereby making it easier to detect the scattered light of a foreign material through the detection unit 200 by a homogenizing rod 120 and a band. The pass filter 130, the ultraviolet C guide 140, and the focus lens 150 are additionally configured.

광원(110)은 자외선을 발생시키기 위한 구성으로 Deuterium lamp, Xenon lamp, Amalgam lamp 일 수 있다. 다른 실시 예로 광원(110)은 자외선C 대역의 광을 발생시킬 수 있는 자외선C 광원일 수 있다. 이는 일반적인 자외선 광원의 경우 자외선C 의 출력(에너지)이 낮아서 1um 크기의 이물의 검출이 어렵기 때문이다. The light source 110 is a configuration for generating ultraviolet rays It may be a Deuterium lamp, Xenon lamp, or Amalgam lamp. As another example, the light source 110 may be an ultraviolet C light source capable of generating light in the ultraviolet C band. This is because in the case of a general ultraviolet light source, the output (energy) of the ultraviolet C is low, so it is difficult to detect foreign matters of 1 μm size.

자외선 등급 실리카 균질화 로드(120)는 광원(110)으로부터 발생된 자외선을 균등하게 평향광으로 조사하도록 구성된다. The ultraviolet grade silica homogenizing rod 120 is configured to evenly irradiate the ultraviolet rays generated from the light source 110 with a parallel light.

밴드패스필터(130)는 자외선 중 자외선C 대역만을 투과시키고, 나머지 대역의 자외선을 필터링하기 위해 구성된다. 광원(110)이 자외선C 광원인 경우는 밴드패스필터(130)가 삭제 될 수 있다. The band pass filter 130 is configured to transmit only the ultraviolet C band of ultraviolet rays and filter the ultraviolet rays of the remaining bands. When the light source 110 is an ultraviolet C light source, the band pass filter 130 may be deleted.

자외선C 가이드(140)는 광섬유로 이루어지며, 자외선 등급 실리카 균질화 로드(120) 또는 밴드패스필터(130)를 통과해 평행광으로 조사되는 자외선C 광선을 자외선C 가이드(140)의 사출구까지 전달하기 위해 구성된다. 자외선C 가이드(140)의 사출구는 광섬유가 일열로 배열되어 선형으로 이루어질 수 있다. 광원을 선형으로 할 경우 광 손실을 최소화하면서도 집광이 용이한 효과가 있다. The UV C guide 140 is made of an optical fiber, and passes the UV grade silica homogenization rod 120 or the band pass filter 130 to transmit the UV C rays irradiated with parallel light to the exit port of the UV C guide 140 It is configured to The exit hole of the UV C guide 140 may be formed in a linear shape by arranging optical fibers in a row. When the light source is linear, there is an effect of minimizing light loss and facilitating condensing.

초점렌즈(150)는 자외선C 가이드(140)를 통해 조사되는 선형의 자외선C를 기판(S) 상에 집광하여 조사하기 위해 구성된다. The focus lens 150 is configured to condense and irradiate the linear ultraviolet C irradiated through the ultraviolet C guide 140 on the substrate S.

위와 같은 광원부(100)의 구성을 통해 자외선C 대역의 광을 기판(S)에 조사하여 기판의 상면에 부착된 이물만을 검출하도록 구성된다. Through the configuration of the light source unit 100 as described above, it is configured to detect only foreign substances attached to the upper surface of the substrate by irradiating light in the ultraviolet C band to the substrate S.

상기와 같은 구성을 갖는 검출 장치(1000)를 이용하여 기판의 상면에 부착된 이물을 검출하는 과정에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다. A process of detecting a foreign material attached to the upper surface of the substrate using the detection device 1000 having the above configuration will be described in detail with reference to the drawings.

도 4에는 본 발명의 일실시 예에 따른 자외선 이물 검출 장치(1000)의 기판(S) 상면(Upper surface) 이물(P1)의 검출 과정을 나타낸 개략도가 도시되어 있고, 도 5에는 본 발명의 일실시 예에 따른 자외선 이물 검출 장치(1000)의 기판(S) 하면(Lower surface) 이물(P2)의 배제 과정을 나타낸 개략도가 도시되어 있다. 4 is a schematic diagram showing a detection process of a foreign material P1 on the upper surface of the substrate S of the ultraviolet foreign material detection apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 A schematic diagram showing a process of removing a foreign material P2 on a lower surface of the substrate S of the ultraviolet foreign material detecting apparatus 1000 according to an exemplary embodiment is shown.

도시된 바와 같이 광원부(100)를 통해 조사되는 선형의 자외선C 광선은 반사판(101)을 통해 반사되어 기판(S)에 일정한 입사각으로 조사된다. 이때 기판(S)의 상면(Upper surface)에 이물(P1)이 부착된 경우 자외선C 광선은 이물(P1)에 의해 산란광을 발생시키고, 상기 산란광은 집광렌즈(250)를 통해 집광되고, 검출부(200)를 통해 검출되기 때문이 이물이 부착된 것으로 판단하게 된다. As shown, the linear ultraviolet C rays irradiated through the light source unit 100 are reflected through the reflector 101 and irradiated onto the substrate S at a constant angle of incidence. At this time, when a foreign material P1 is attached to the upper surface of the substrate S, the ultraviolet C rays generate scattered light by the foreign material P1, and the scattered light is condensed through the condensing lens 250, and the detection unit ( Because it is detected through 200), it is determined that a foreign substance is attached.

기판(S)의 상면에 이물이 없는 경우에는 기판(S)에 조사된 자외선이 기판(S)의 표면에서 전반사하여 이물에 의한 산란광이 발생하지 않기 때문에 검출부(200)를 통해 산란광이 검출되지 않아 이물이 부착되지 않은 것으로 판단할 수 있다. When there is no foreign object on the upper surface of the substrate S, the ultraviolet rays irradiated to the substrate S are totally reflected on the surface of the substrate S, so that scattered light by the foreign object does not occur, so that the scattered light is not detected through the detection unit 200. It can be determined that no foreign matter is attached.

다음으로 도 5에 도시된 바와 같이 기판(S)의 하면(Lower surface)에 이물(P2)이 부착된 경우에는 자외선C 광선이 투명재질의 기판(S)을 투과하지 못하기 때문에 기판(S)에 조사된 자외선이 기판(S)의 표면에서 전반사하여 이물(P2)에 의한 산란광이 발생하지 않기 때문에, 상술한 바와 같이 따라서 검출부(200)를 통해 산란광의 검출이 불가하여 기판(S)의 하면에 부착된 이물(P2)은 배제한 상태에서 기판(S)의 상면에 이물 유무만 검출이 가능하도록 구성된다. Next, as shown in FIG. 5, when a foreign material P2 is attached to the lower surface of the substrate S, the ultraviolet C rays do not pass through the transparent substrate S, so the substrate S Since the ultraviolet rays irradiated to the substrate S are totally reflected on the surface of the substrate S and scattered light by the foreign material P2 does not occur, as described above, the scattered light cannot be detected through the detection unit 200 and thus the lower surface of the substrate S It is configured to detect only the presence or absence of a foreign material on the upper surface of the substrate S while removing the foreign material P2 attached to it.

본 발명의 상기한 실시 예에 한정하여 기술적 사상을 해석해서는 안 된다. 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당업자의 수준에서 다양한 변형 실시가 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 당업자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 된다.The technical idea should not be interpreted as limited to the above-described embodiment of the present invention. As well as a variety of application ranges, various modifications may be made at the level of those skilled in the art without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Therefore, these improvements and changes will fall within the scope of protection of the present invention as long as it is apparent to those skilled in the art.

1000 : 투명기판 상면 이물 검출 장치
100 : 광원부 110 : 광원
120 : 자외선 등급 실리카 균질화 로드
130 : 밴드패스필터 140 : 자외선C 가이드
150 : 초점 렌즈
200 : 검출부
250 : 집광렌즈
500 : 스테이지1000: foreign matter detection device on the upper surface of the transparent substrate
100: light source unit 110: light source
120: UV grade silica homogenization rod
130: band pass filter 140: UV C guide
150: focus lens
200: detection unit
250: condensing lens
500: stage

Claims (7)

투명 재질의 기판에 부착된 이물을 검출하기 위한 투명기판 상면 이물 검출 장치에 있어서,
상기 기판의 상면에 광을 조사하는 광원부;
상기 조사된 광에 의한 상기 기판에 부착된 이물의 산란광을 검출하는 검출부;
상기 기판의 상면에 부착된 이물에 대해서만 산란광을 발생시키도록 상기 광원부의 광은 자외선이되, 상기 투명 재질을 투과하지 않는 대역의 자외선C 인 것을 특징으로 하는, 자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.
In the foreign matter detection device on the upper surface of the transparent substrate for detecting foreign matter adhered to the substrate made of a transparent material,
A light source unit for irradiating light onto the upper surface of the substrate;
A detector configured to detect scattered light of a foreign substance attached to the substrate by the irradiated light;
A device for detecting foreign matter on the upper surface of a transparent substrate using ultraviolet rays, characterized in that the light of the light source unit is ultraviolet rays, but ultraviolet C in a band that does not transmit the transparent material so as to generate scattered light only for foreign substances attached to the upper surface of the substrate. .
 제 1항에 있어서,
상기 광원부는,
자외선을 발생시키는 광원;
상기 광원에서 발생된 자외선을 균등하게 평행광으로 조사되도록 광원의 후단에 구비되는 균질화 로드; 및
상기 자외선 중 자외선C 만 투과하고, 나머지는 필터링하는 밴드패스필터;
를 포함하는, 자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.
The method of claim 1,
The light source unit,
A light source that generates ultraviolet rays;
A homogenizing rod provided at a rear end of the light source so that ultraviolet rays generated from the light source are evenly irradiated with parallel light; And
A band pass filter that transmits only ultraviolet C among the ultraviolet rays and filters the rest of the ultraviolet rays;
Containing, foreign matter detection device on the upper surface of the transparent substrate using ultraviolet rays.
 제 2항에 있어서,
상기 광원부는,
광섬유로 이루어져, 상기 밴드패스필터를 통과하여 평행광으로 조사된 자외선C를 사출구까지 전달하는, 자외선C 가이드; 를 포함하되,
상기 자외선 C 가이드의 사출구는 상기 광섬유가 일렬로 배치되는 선형으로 이루어지고,
상기 광원부는, 상기 선형으로 조사된 자외선 C를 집광하여 기판에 조사하기 위한 초점렌즈;
를 더 포함하는, 자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.
The method of claim 2,
The light source unit,
An ultraviolet C guide made of an optical fiber, passing through the band pass filter and transmitting the ultraviolet C irradiated with parallel light to the exit hole; Including,
The exit hole of the UV C guide is made of a linear shape in which the optical fibers are arranged in a line,
The light source unit may include a focus lens for condensing the linearly irradiated ultraviolet C to irradiate the substrate;
A device for detecting foreign matter on the upper surface of a transparent substrate using ultraviolet rays further comprising a.
 제 1항에 있어서,
상기 광원부는,
자외선C를 발생시키는 광원; 및
상기 광원에서 발생된 자외선을 균등하게 평행광으로 조사되도록 광원의 후단에 구비되는 균질화 로드;
를 포함하는, 자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.
The method of claim 1,
The light source unit,
A light source that generates ultraviolet C; And
A homogenizing rod provided at a rear end of the light source so that ultraviolet rays generated from the light source are evenly irradiated with parallel light;
Containing, foreign matter detection device on the upper surface of the transparent substrate using ultraviolet rays.
 제 3항에 있어서,
상기 광원부는,
광섬유로 이루어져, 상기 균질화 로드를 통과하여 평행광으로 조사된 자외선C를 사출구까지 전달하는, 자외선C 가이드; 를 포함하되,
상기 자외선 C 가이드의 사출구는 상기 광섬유가 일렬로 배치되는 선형으로 이루어지고,
상기 광원부는, 상기 선형으로 조사된 자외선 C를 집광하여 기판에 조사하기 위한 초점렌즈;
를 더 포함하는, 자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.
The method of claim 3,
The light source unit,
Made of an optical fiber, the UV C guide passing through the homogenizing rod and transmitting the UV C irradiated with parallel light to the exit port; Including,
The exit hole of the UV C guide is made of a linear shape in which the optical fibers are arranged in a line,
The light source unit may include a focus lens for condensing the linearly irradiated ultraviolet C to irradiate the substrate;
A device for detecting foreign matter on the upper surface of a transparent substrate using ultraviolet rays further comprising a.
 제 1항에 있어서,
상기 투명기판 상면 이물 검출 장치는,
상기 산란광을 집광하여 상기 검출부에 전달하도록 상기 기판과 검출부 사이에는 집광렌즈가 더 구비되며,
상기 집광렌즈는 자외선 렌즈인 것을 특징으로 하는, 자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.
The method of claim 1,
The device for detecting foreign matter on the upper surface of the transparent substrate,
A condensing lens is further provided between the substrate and the detection unit to condense the scattered light and transmit it to the detection unit,
The condensing lens is an ultraviolet lens, characterized in that, using ultraviolet light for detecting foreign matter on the upper surface of the transparent substrate.
 제 6항에 있어서,
상기 투명기판 상면 이물 검출 장치는,
상기 집광렌즈와 기판 사이에 구비되는 필터부를 더 포함하며,
상기 필터부는 상기 산란광은 투과시키고, 주변광은 필터링 하는 밴드패스필터인 것을 특징으로 하는, 자외선을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 장치.The method of claim 6,
The device for detecting foreign matter on the upper surface of the transparent substrate,
Further comprising a filter provided between the condensing lens and the substrate,
The filter unit is a band pass filter that transmits the scattered light and filters ambient light.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05196579A (en) 1992-01-22 1993-08-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Inspection device of foreign substance
JP2009290414A (en) * 2008-05-28 2009-12-10 Fujinon Corp Imaging apparatus
JP2012026733A (en) * 2010-07-20 2012-02-09 Hitachi High-Technologies Corp Optical defect detection device and method, and defect observation device provided with the same
JP2012127848A (en) * 2010-12-16 2012-07-05 Hitachi High-Technologies Corp Defect observation method and device for the same
KR101432468B1 (en) * 2014-02-20 2014-08-22 피에스아이트레이딩 주식회사 Apparatus for inspecting a transparent conductive pattern
JP2016537638A (en) * 2013-08-19 2016-12-01 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ Optical detector

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05196579A (en) 1992-01-22 1993-08-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Inspection device of foreign substance
JP2009290414A (en) * 2008-05-28 2009-12-10 Fujinon Corp Imaging apparatus
JP2012026733A (en) * 2010-07-20 2012-02-09 Hitachi High-Technologies Corp Optical defect detection device and method, and defect observation device provided with the same
JP2012127848A (en) * 2010-12-16 2012-07-05 Hitachi High-Technologies Corp Defect observation method and device for the same
JP2016537638A (en) * 2013-08-19 2016-12-01 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ Optical detector
KR101432468B1 (en) * 2014-02-20 2014-08-22 피에스아이트레이딩 주식회사 Apparatus for inspecting a transparent conductive pattern

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