KR20210034265A - Liquid crystal display device and method of fabricating the same - Google Patents

Liquid crystal display device and method of fabricating the same Download PDF

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Abstract

According to the present invention, a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, wherein one of the plurality of bumper layers formed on an array substrate and a first column spacer are in contact with each other in a liquid crystal layer. The present invention provides an effect of improving display quality by preventing red eye defects and increasing an aperture ratio and transmittance at the same time, and the present invention uses a half-tone mask or a multi-tone mask to form the bumper layer with a photoresist used when forming a pixel electrode on an array substrate, thereby shortening a process time by reducing the number of masks used during a process.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}Liquid crystal display device and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박막형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다. 특히, 이러한 평판표시장치 중 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 액정의 광학적 이방성을 이용하여 이미지를 표현하는 장치로서, 해상도와 컬러표시 및 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터 등에 활발하게 적용되고 있다.Recently, as interest in information display has increased and the demand to use portable information media has increased, it has become a lightweight thin-film flat panel display (FPD) that replaces the existing display device, Cathode Ray Tube (CRT). Research and commercialization of Korea are being focused. In particular, among these flat panel display devices, a liquid crystal display (LCD) is a device that expresses an image by using the optical anisotropy of liquid crystal, and has excellent resolution, color display, and image quality, so it is actively applied to laptops and desktop monitors. have.

일반적인 액정표시장치는 크게 컬러필터 기판과 어레이 기판 및 컬러필터 기판 상에 형성된 컬럼 스페이서에 의해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판 사이에 형성된 액정층으로 구성된다.A typical liquid crystal display device is largely composed of a color filter substrate, an array substrate, and a liquid crystal layer formed between the color filter substrate and the array substrate while maintaining a cell gap by column spacers formed on the color filter substrate.

한편, 고해상도 모델이나 액정패널의 가로와 세로의 사이즈 비가 16:9 이상인 와이드 모델의 경우 세로에 비해 가로 사이즈 비가 증가함에 따라 외부에서 가해지는 힘에 의해 컬럼 스페이서가 쉽게 밀리는 특징이 있다. 즉, 와이드 모델은 세로에 비해 가로 사이즈 비가 증가하여 좌우 텐션(tension)이 약화되게 되며, 따라서 상하 외력이 증가하게 되어 컬럼 스페이서의 상하 밀림이 증가하게 된다.Meanwhile, in the case of a high-resolution model or a wide model in which the horizontal and vertical size ratio of the liquid crystal panel is 16:9 or more, the column spacer is easily pushed by an external force as the horizontal size ratio increases compared to the vertical size. That is, in the wide model, the horizontal size ratio increases compared to the vertical, so that the left and right tension is weakened, and thus the vertical external force increases, thereby increasing the vertical push of the column spacer.

일반적으로 컬러필터 기판에 형성된 컬럼 스페이서는 어레이 기판과 접촉해 있으며, 외력을 받았을 때 다방면으로 어레이 기판 면을 미끄러져 이동하다가 원래의 자리로 되돌아오게 된다.In general, the column spacers formed on the color filter substrate are in contact with the array substrate, and when an external force is applied, the array substrate slides in various directions and moves back to its original position.

이때, 이동하는 컬럼 스페이서는 어레이 기판 표면의 폴리이미드(polyimide; PI)로 이루어진 배향막에 손상을 주게 되는데, 이러한 배향막의 손상에 의해 액정의 배향이 원래의 배열로부터 틀어지게 되며, 그 결과 원하지 않는 빛이 새는 빛샘이 발생하게 된다.At this time, the moving column spacer damages the alignment layer made of polyimide (PI) on the surface of the array substrate, and the alignment of the liquid crystal is distorted from the original alignment due to the damage of the alignment layer, resulting in unwanted light. Light leakage occurs in this bird.

이렇게 새어 나오는 빛은 액정패널의 블랙 화상에서 컬럼 스페이서의 형성 위치에 따라 붉은 색을 띠거나(reddish), 녹색을 띠거나(greenish), 또는 푸른색을 띠게(bluish) 되는데, 통상 이를 레드 아이(red eye) 불량이라 부른다.The light leaking out in this way becomes reddish, greenish, or bluish depending on the formation position of the column spacers in the black image of the liquid crystal panel. red eye) is called bad.

이러한 컬럼 스페이서의 이동에 의한 빛샘을 방지하고자 컬럼 스페이서의 이동거리를 감안하여 상기 컬럼 스페이서의 형성 위치를 기준으로 블랙매트릭스의 폭을 확대 설계하게 되는데, 이는 고해상도 및 고개구율을 요구하는 고객의 요구에 가장 큰 걸림돌로 작용하며, 특히 개구율 확보에 한계를 가져오고 있다.In order to prevent light leakage due to the movement of the column spacer, the width of the black matrix is enlarged based on the formation position of the column spacer in consideration of the movement distance of the column spacer. It acts as the biggest stumbling block, and in particular, it brings a limit to securing the aperture ratio.

본 발명은 상기 문제를 해결하기 위한 것으로, 외력에 의한 컬럼 스페이서가 상하로 밀리는 현상을 최소화하여 레드 아이 불량을 방지하도록 한 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.An object of the present invention is to solve the above problem, and to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same to minimize a phenomenon in which a column spacer is pushed up and down by an external force to prevent a red eye defect.

본 발명의 다른 목적은 블랙매트릭스의 폭을 감소시켜 액정패널의 개구율과 투과율을 향상시키도록 한 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which improves the aperture ratio and transmittance of a liquid crystal panel by reducing the width of a black matrix.

본 발명의 다른 목적은 멀티-톤 마스크(Multi-tone mask)를 사용하여 화소전극을 형성 시 사용되는 포토레지스트(PR; PhotoResist)로 범퍼층을 형성함으로써 공정 중 사용되는 마스크 수를 줄여 공정 시간을 단축시킬 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to reduce the number of masks used during the process by forming a bumper layer with a photoresist (PR) used when forming a pixel electrode using a multi-tone mask, thereby reducing the process time. It is to provide a liquid crystal display device that can be shortened and a method of manufacturing the same.

기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.In addition, other objects and features of the present invention will be described in the configuration and claims of the invention to be described later.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치는 각각이 다수의 서브-화소를 구비하는 다수의 화소가 매트릭스 형태로 배치되며, 액정층을 사이에 두고 서로 대향하여 합착된 제 1 기판과 제 2 기판; 상기 제 2 기판 하부에 배치된 블랙매트릭스와 컬러필터; 상기 블랙매트릭스와 상기 컬러필터가 중첩되는 영역 하부에 배치된 제1 컬럼 스페이서와 제2 컬럼 스페이서를 구비하는 컬럼 스페이서; 상기 제 1 기판 상에 배치된 화소전극; 상기 제 1 기판 상에 상기 화소전극보다 높은 위치에 배치되며, 상기 화소전극과 이격된 다수의 범퍼층; 상기 제 1 기판 상에 배치된 공통전극; 및, 상기 공통전극과 상기 범퍼층 사이에 배치되고, 상기 화소전극과 동일물질로 이루어지고, 상기 화소전극과 이격되며, 상기 공통전극과 전기적으로 연결된 보조 전극을 포함하며, 상기 다수의 범퍼층 중 적어도 하나의 제1 범퍼층과 상기 제1 컬럼스페이서는 상기 액정층에서 서로 맞닿는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, in the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, a plurality of pixels each having a plurality of sub-pixels are arranged in a matrix form, and are bonded to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. A first substrate and a second substrate; A black matrix and a color filter disposed under the second substrate; A column spacer having a first column spacer and a second column spacer disposed under a region where the black matrix and the color filter overlap; A pixel electrode disposed on the first substrate; A plurality of bumper layers disposed above the pixel electrodes on the first substrate and spaced apart from the pixel electrodes; A common electrode disposed on the first substrate; And an auxiliary electrode disposed between the common electrode and the bumper layer, made of the same material as the pixel electrode, spaced apart from the pixel electrode, and electrically connected to the common electrode. At least one first bumper layer and the first column spacer contact each other in the liquid crystal layer.

이때, 상기 액정표시장치는 상기 공통전극과 상기 보조 전극 사이에 배치되는 보호층을 더 포함하며, 상기 보호층에 형성된 제 1 콘택홀을 통해 상기 공통전극과 상기 보조 전극이 서로 접촉할 수 있다.In this case, the liquid crystal display further includes a protective layer disposed between the common electrode and the auxiliary electrode, and the common electrode and the auxiliary electrode may contact each other through a first contact hole formed in the protective layer.

이때, 상기 액정표시장치는 상기 제 1 기판 상에 배치되는 박막트랜지스터를 더 포함하며, 상기 박막트랜지스터의 소스전극 또는 드레인 전극 중 하나는 상기 보호층에 형성된 제 2 콘택홀을 통해 상기 화소전극과 서로 접촉할 수 있다.In this case, the liquid crystal display further includes a thin film transistor disposed on the first substrate, and one of the source electrode or the drain electrode of the thin film transistor mutually with the pixel electrode through a second contact hole formed in the protective layer. I can contact you.

이때, 상기 액정표시장치는 상기 박막트랜지스터와 상기 보호층 사이에 배치되는 평탄화층을 더 포함하며, 상기 평탄화층의 두께는 상기 다수의 범퍼층 두께보다 클 수 있다.In this case, the liquid crystal display further includes a planarization layer disposed between the thin film transistor and the protective layer, and the thickness of the planarization layer may be greater than the thickness of the plurality of bumper layers.

위 일 실시예에 따른 액정표시장치에 있어서, 상기 다수의 범퍼층 중 적어도 하나의 제2범퍼층은 상기 제2 컬럼 스페이서와 상기 액정층에서 일정 간격 떨어져 서로 마주할 수 있다. In the liquid crystal display according to the above embodiment, at least one second bumper layer among the plurality of bumper layers may face each other at a predetermined distance from the second column spacer and the liquid crystal layer.

이때, 상기 적어도 하나의 제1 범퍼층의 두께는 상기 적어도 하나의 제2 범퍼층의 두께보다 클 수 있다.In this case, the thickness of the at least one first bumper layer may be greater than the thickness of the at least one second bumper layer.

이때, 상기 제1 컬럼 스페이서와 상기 제2 컬럼 스페이서는 형상이 다를 수 있다.In this case, the first column spacer and the second column spacer may have different shapes.

위 일 실시예에 따른 액정표시장치에 있어서, 상기 적어도 하나의 제1 범퍼층과 상기 제1 컬럼 스페이서는 서로의 장변을 가로지르는 십자형상 일 수 있다. In the liquid crystal display according to the above embodiment, the at least one first bumper layer and the first column spacer may have a cross shape crossing long sides of each other.

이때, 상기 상기 제1 컬럼 스페이서는 상기 제2 콘택홀과 오버랩 될 수 있다.In this case, the first column spacer may overlap the second contact hole.

본 발명의 일 실시예에 따른 다른 액정표시장치는 복수의 게이트라인들과 복수의 데이터라인들을 구비하는 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 배치되고, 각각이 다수의 서브-화소들을 구비한 다수의 화소들; 및 상기 복수의 게이트라인들 상에 구비된 복수의 범퍼층을 포함하며, 상기 복수의 범퍼층은, 상기 다수의 화소들 각각에 적어도 하나씩 구비되며, 상기 복수의 서브-화소들 각각에 구비된 제2 콘택홀들 사이에 배치되는 것을 특징으로 한다.Another liquid crystal display according to an embodiment of the present invention includes a first substrate having a plurality of gate lines and a plurality of data lines; A plurality of pixels disposed on the first substrate, each having a plurality of sub-pixels; And a plurality of bumper layers provided on the plurality of gate lines, wherein the plurality of bumper layers are provided at least one in each of the plurality of pixels, and a first provided in each of the plurality of sub-pixels. It characterized in that it is disposed between the two contact holes.

이때, 상기 복수의 서브-화소들 중 적어도 하나는, 상기 제1 기판상에 배치되고, 게이트전극, 소오스전극과 드레인전극을 구비한 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되고, 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 화소전극; 상기 박막 트랜지스터 상에 배치된 공통전극; 및 상기 복수의 범퍼층 중 하나와 상기 공통전극 사이에 배치되고, 상기 화소전극과 동일물질로 이루어지고, 상기 공통전극과 전기적으로 연결된 보조 전극을 포함할 수 있다.At this time, at least one of the plurality of sub-pixels may include a thin film transistor disposed on the first substrate and including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; A pixel electrode disposed on the thin film transistor and electrically connected to the drain electrode; A common electrode disposed on the thin film transistor; And an auxiliary electrode disposed between one of the plurality of bumper layers and the common electrode, made of the same material as the pixel electrode, and electrically connected to the common electrode.

위 일 실시예에 따른 다른 액정표시장치는 상기 복수의 범퍼층 각각 상에는 갭 스페이서 또는 눌림 스페이서가 구비되며, 상기 갭스페이서는 상기 제2 콘택홀과 오버랩 될 수 있다.In another liquid crystal display according to the above embodiment, a gap spacer or a pressing spacer is provided on each of the plurality of bumper layers, and the gap spacer may overlap the second contact hole.

이때, 상기 복수의 범퍼층 중 상기 갭 스페이서와 대응되는 제1 범퍼층은 상기 갭 스페이서와 맞닿으며, 상기 복수의 범퍼층 중 상기 눌림 스페이서와 대응되는 제2 범퍼층은 상기 눌림 스페이서와 일정 간격 떨어져 서로 마주할 수 있다.At this time, a first bumper layer corresponding to the gap spacer among the plurality of bumper layers abuts the gap spacer, and a second bumper layer corresponding to the pressing spacer among the plurality of bumper layers is spaced apart from the pressing spacer by a predetermined distance. You can face each other.

상기 갭 스페이서와 상기 눌림 스페이서는 동일한 두께를 갖고, 상기 제1 범퍼층은 상기 제2 범퍼층 보다 큰 두께를 가질 수 있다.The gap spacer and the pressed spacer may have the same thickness, and the first bumper layer may have a greater thickness than the second bumper layer.

상기 갭 스페이서는 상기 눌림 스페이서보다 큰 두께를 갖고, 상기 복수의 범퍼층은 서로 동일한 두께를 가질 수 있다.The gap spacer may have a thickness greater than that of the pressed spacer, and the plurality of bumper layers may have the same thickness.

상기 제1 범퍼층과 상기 갭 스페이서는 서로의 장변을 가로지르는 십자형상 일 수 있다.The first bumper layer and the gap spacer may have a cross shape crossing long sides of each other.

그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법은 제 1 기판 상에 게이트전극, 액티브층, 소오스전극과 드레인전극을 구비한 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터 상에 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 평탄화층 상에 공통전극을 형성하는 단계; 상기 평탄화층과 공통전극 상에 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층에 상기 드레인 전극 일부가 노출되는 제2 콘택홀과 상기 공통전극 일부가 노출되는 제1 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2 콘택홀이 형성된 상기 보호층 전면에 도전막을 형성하는 단계; 상기 도전막 상에 포토레지스트를 형성한 후 상기 도전막을 패터닝하여 상기 제1 콘택홀을 통하여 상기 공통전극과 접촉하는 보조전극을 형성하고, 상기 보조전극과 이격되며, 상기 제2 콘택홀을 통하여 상기 드레인전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계; 및 상기 도전막을 패터닝하고 남아있는 잔여 포토레지스트로 상기 보조전극 상에 범퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes forming a thin film transistor including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode on a first substrate; Forming a planarization layer on the thin film transistor; Forming a common electrode on the planarization layer; Forming a protective layer on the planarization layer and the common electrode; Forming a second contact hole through which a portion of the drain electrode is exposed and a first contact hole through which a portion of the common electrode is exposed in the protective layer; Forming a conductive film on the entire surface of the protective layer in which the first and second contact holes are formed; After forming a photoresist on the conductive layer, the conductive layer is patterned to form an auxiliary electrode in contact with the common electrode through the first contact hole, spaced apart from the auxiliary electrode, and the second contact hole. Forming a pixel electrode in contact with the drain electrode; And forming a bumper layer on the auxiliary electrode with the remaining photoresist after patterning the conductive layer.

이때, 상기 액정표시장치의 제조방법은 상기 평탄화층을 형성하기 전에 상기 박막 트랜지스터 상에 층간절연층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1 콘택홀 및 상기 제2 콘택홀을 형성하는 단계에서 상기 층간절연층과 상기 보호층을 동시에 드라이 에칭하여 상기 제1 콘택홀 및 상기 제2 콘택홀을 형성할 수 있다.In this case, the manufacturing method of the liquid crystal display further includes forming an interlayer insulating layer on the thin film transistor before forming the planarization layer, wherein in the step of forming the first contact hole and the second contact hole The first contact hole and the second contact hole may be formed by simultaneously dry etching the interlayer insulating layer and the protective layer.

이때, 상기 화소전극을 형성하는 단계는, 하프-톤 마스크 또는 멀티-톤 마스크를 이용하여 상기 포토레지시트에 UV를 조사하는 단계; 및 포토레지스트 현상 공정과 식각 공정을 통해 상기 화소전극과 상기 보조전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In this case, forming the pixel electrode may include irradiating UV to the photoresist sheet using a half-tone mask or a multi-tone mask; And forming the pixel electrode and the auxiliary electrode through a photoresist developing process and an etching process.

이때, 상기 액정표시장치의 제조방법은 제2 기판 상에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 컬럼 스페이서와 상기 범퍼층을 통해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착하는 단계를 더 포함하며, 상기 컬럼 스페이서와 상기 범퍼층은 서로 마주볼 수 있다.In this case, the method of manufacturing the liquid crystal display device includes forming a column spacer on a second substrate; And bonding the first substrate and the second substrate while maintaining a cell gap through the column spacer and the bumper layer, wherein the column spacer and the bumper layer may face each other.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법은 어레이 기판에 형성된 다수의 범퍼층 중 하나와 제1 컬럼스페이서가 액정층에서 서로 맞닿는 것을 특징으로 하여, 레드 아이 불량이 방지되는 동시에 개구율과 투과율이 증가하게 되어 표시 품위가 향상되는 효과를 제공한다.As described above, the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same are characterized in that one of the plurality of bumper layers formed on the array substrate and the first column spacer contact each other in the liquid crystal layer, so that red eye defects While this is prevented, the aperture ratio and transmittance are increased, thereby providing an effect of improving display quality.

본 발명의 멀티-톤 마스크(Multi-tone mask)를 사용하여 어레이 기판에 화소전극을 형성 시 사용되는 포토레지스트(PR; PhotoResist)로 범퍼층을 형성함으로써 공정 중 사용되는 마스크 수를 줄여 공정 시간을 단축시킬 수 있는 효과를 제공한다.By forming a bumper layer with a photoresist (PR) used when forming a pixel electrode on an array substrate using the multi-tone mask of the present invention, the number of masks used during the process is reduced, thereby reducing the process time. Provides an effect that can be shortened.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 액티브 영역에서 어레이 기판의 제2 콘택홀 및 범퍼층과 컬러필터 기판의 블랙매트릭스와 컬럼 스페이서를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에 도시된 평면도의 A영역에 대하여 일 실시예에 따른 액정표시장치의 어레이 기판 일부와 컬러필터 기판의 컬럼 스페이서를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 액티브 영역에서 공통전극, 화소전극, 보조전극 및 범퍼층을 개략적으로 나타내는 평면도.
도 4는 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치에 있어, I-I'선에 따라 절단한 단면의 일부를 예를 들어 나타내는 단면도.
도 5a 및 도 5b는 상기 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치에 있어 II-II'선에 따란 절단한 단면의 일부를 두가지 실시예를 들어 나타내는 단면도.
도 6a 내지 도 6k는 상기 도 4에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 7a 내지 도 7d는 상기 도 4에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러필터 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
1 is a plan view schematically illustrating a second contact hole and a bumper layer of an array substrate, a black matrix of a color filter substrate, and a column spacer in an active area of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view schematically illustrating a part of an array substrate and a column spacer of a color filter substrate of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment with respect to area A of the plan view of FIG.
3 is a plan view schematically illustrating a common electrode, a pixel electrode, an auxiliary electrode, and a bumper layer in an active region of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating, for example, a part of a cross section taken along line II′ in the liquid crystal display device according to the exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 2.
5A and 5B are cross-sectional views illustrating a portion of a cross-section taken along line II-II′ in the liquid crystal display device according to the exemplary embodiment illustrated in FIG. 2, showing two examples.
6A to 6K are cross-sectional views sequentially showing a manufacturing process of the array substrate according to the exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 4.
7A to 7D are cross-sectional views sequentially showing a manufacturing process of the color filter substrate according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 4.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장될 수 있다.Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to those who have, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same elements throughout the specification. In the drawings, the sizes and relative sizes of layers and regions may be exaggerated for clarity of description.

소자(element) 또는 층이 다른 소자 또는 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.When an element or layer is another element or referred to as “on” or “on”, it includes not only directly above the other element or layer, but also a case in which another layer or other element is interposed in the middle. do. On the other hand, when a device is referred to as "directly on" or "directly on", it indicates that no other device or layer is interposed therebetween.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below, beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.The terms "below, beneath", "lower", "above", and "upper", which are spatially relative terms, refer to one element or component as shown in the drawing. It can be used to easily describe the correlation between the and other devices or components. Spatially relative terms should be understood as terms including different directions of the device during use or operation in addition to the directions shown in the drawings. For example, if an element shown in the figure is turned over, an element described as “below” or “beneath” another element may be placed “above” another element. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며, 따라서 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terms used in the present specification are for describing exemplary embodiments, and therefore, are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless specifically stated in the phrase. As used in the specification, "comprise" and/or "comprising" refers to the presence of one or more other components, steps, actions and/or elements in which the recited component, step, operation and/or element Or does not preclude additions.

도 1과 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 일부를 개략적으로 나타내는 평면도로서, 도 1에서는 매트릭스 배열을 이루는 서브-화소들 사이에 배치된 블랙매트릭스(106)와 다수의 범퍼층(140) 및 컬럼 스페이서(130a, 130b)를 도시하고 있다. 도 1과 도 2를 참조하면 어레이 기판의 각 서브-화소별 구비된 박막 트랜지스터와 제2 콘택홀(120)은 블랙매트릭스(106)와 중첩될 수 있다. 1 and 2 are plan views schematically showing a part of a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a black matrix 106 and a plurality of bumpers disposed between sub-pixels forming a matrix arrangement Layer 140 and column spacers 130a and 130b are shown. 1 and 2, the thin film transistor and the second contact hole 120 provided for each sub-pixel of the array substrate may overlap the black matrix 106.

도 2에서 화소전극과 공통전극 사이에 형성되는 프린지 필드가 슬릿을 관통하여 화소영역 및 공통전극 상에 위치하는 액정분자를 구동시킴으로써 화상을 구현하는 프린지-필드 스위칭(Fringe Field Switching; FFS) 방식 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내고 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 FFS 방식뿐만 아니라 횡전계를 이용한 IPS 방식의 액정표시장치에도 적용된다.In FIG. 2, a fringe-field switching (FFS) type liquid crystal in which a fringe field formed between the pixel electrode and the common electrode penetrates the slit to drive liquid crystal molecules positioned on the pixel region and the common electrode to realize an image. A part of the array substrate of the display device is schematically shown. However, the present invention is not limited thereto, and is applied not only to the FFS method but also to an IPS type liquid crystal display device using a transverse electric field.

액정표시장치에서는 N개의 게이트라인과 M개의 데이터라인이 교차하여 MxN개의 서브-화소가 존재하지만 설명을 간단하게 하기 위해 도 2에서는 도 1의 일부 영역(A)에 적색, 녹색 및 청색의 서브-화소(R, G, B)로 이루어져 하나의 화소를 이루는 화소들을 예를 들어 나타내고 있다.In a liquid crystal display, there are MxN sub-pixels as N gate lines and M data lines cross each other, but for simplicity, in FIG. 2, red, green, and blue sub-pixels are provided in some areas A of FIG. Pixels that are composed of pixels R, G, and B to form one pixel are shown, for example.

도 2에 도시된 바와 같이, 슬릿을 포함하는 화소전극이 꺾임 구조를 가지는 경우에는 액정분자가 2방향으로 배열되어 2-도메인(domain)을 형성함으로써 모노-도메인에 비해 시야각이 더욱 향상된다. 다만, 본 발명이 상기 2-도메인 구조의 액정표시장치에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 모노-도메인 구조뿐만 아니라 2-도메인 이상의 멀티-도메인(multi-domain) 구조의 액정표시장치에 적용 가능하다.As shown in FIG. 2, when the pixel electrode including the slit has a bent structure, the liquid crystal molecules are arranged in two directions to form a 2-domain, so that the viewing angle is further improved compared to the mono-domain. However, the present invention is not limited to the liquid crystal display device having a 2-domain structure, and the present invention is applicable to a liquid crystal display device having a multi-domain structure of not only a mono-domain structure but also a 2-domain or more. .

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치에 있어, 액티브 영역에서 공통전극(108), 화소전극(118), 보조전극(119) 및 범퍼층(140)을 개략적으로 나타내고 있다. 도 3에 도시된 바와 같이 공통전극(108)은 제2 콘택홀(120)이 형성될 위치를 제외하고 액티브 영역 전체에 형성될 수 있다. 보조전극(119)은 화소전극(118)과 같은 층 상에 같은 물질로 형성되며, 화소전극(118)과 이격되어 공통전극(108)이 형성되지 않은 제2 콘택홀(120) 사이에 형성되어 공통전극(108)과 전기적으로 연결된다. 범퍼층(140)은 보조전극(119)이 형성된 영역 위에 형성되며, 범퍼층(140)의 하면 면적은 보조전극(119)의 상면 면적보다 작을 수 있다.3 schematically shows a common electrode 108, a pixel electrode 118, an auxiliary electrode 119, and a bumper layer 140 in an active region in a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the common electrode 108 may be formed in the entire active region except for a location where the second contact hole 120 is to be formed. The auxiliary electrode 119 is formed of the same material on the same layer as the pixel electrode 118 and is separated from the pixel electrode 118 and formed between the second contact hole 120 on which the common electrode 108 is not formed. It is electrically connected to the common electrode 108. The bumper layer 140 is formed on the area where the auxiliary electrode 119 is formed, and the lower surface area of the bumper layer 140 may be smaller than the upper surface area of the auxiliary electrode 119.

도 4는 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치에 있어, I-I'선에 따라 절단한 단면을, 도 5a 와 도 5b는 II-II'선에 따라 절단한 단면을 예를 들어 나타내는 도면으로서, 컬러필터 기판과 어레이 기판이 합착된 액정패널의 단면 일부를 개략적으로 나타내고 있다.FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line II' in the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 2, and FIGS. 5A and 5B are cross-sections taken along line II-II'. As an example, a part of a cross section of a liquid crystal panel in which a color filter substrate and an array substrate are bonded is schematically shown.

상기 도면들을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이 기판(110)에는 상기 투명한 어레이 기판(110) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(116)과 데이터라인(117)이 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트라인(116)과 데이터라인(117)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있으며, 상기 화소영역 내에는 액정분자를 구동시키기 위해 공통전극(108)과 다수의 슬릿(118s)을 가진 화소전극(118)이 형성되어 있다.Referring to the drawings, in the array substrate 110 according to an embodiment of the present invention, a gate line 116 and a data line 117 are formed vertically and horizontally on the transparent array substrate 110 to define a pixel region. Has been. In addition, a thin film transistor, which is a switching element, is formed in an intersection region between the gate line 116 and the data line 117, and a common electrode 108 and a plurality of slits 118s are formed in the pixel region to drive liquid crystal molecules. A pixel electrode 118 having) is formed.

상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인(116)에 연결된 게이트전극(121), 상기 데이터라인(117)에 연결된 소오스전극(122) 및 제2 콘택홀(120)을 통해 상기 화소전극(118)에 전기적으로 접속된 드레인전극(123)으로 구성되어 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극(121)과 소오스/드레인전극(122, 123) 사이의 절연을 위한 게이트절연막(115a) 및 상기 게이트전극(121)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소오스전극(122)과 드레인전극(123) 간에 전도채널(conductive channel)을 형성하는 액티브층(124)을 포함한다.The thin film transistor is electrically connected to the pixel electrode 118 through a gate electrode 121 connected to the gate line 116, a source electrode 122 connected to the data line 117, and a second contact hole 120. It consists of the connected drain electrode 123. In addition, the thin film transistor includes a gate insulating layer 115a for insulation between the gate electrode 121 and the source/drain electrodes 122 and 123, and the source electrode ( It includes an active layer 124 forming a conductive channel between the drain electrode 122 and the drain electrode 123.

이때, 상기 액티브층(124)으로 비정질 실리콘 박막을 이용하는 경우 상기 액티브층(124)의 소오스/드레인영역은 오믹-콘택층(미도시)을 통해 상기 소오스/드레인전극(122, 123)과 오믹-콘택을 형성하게 된다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 액티브층(124)으로 다결정 실리콘 박막이나 산화물 반도체를 이용할 수도 있다.In this case, when an amorphous silicon thin film is used as the active layer 124, the source/drain regions of the active layer 124 are formed with the source/drain electrodes 122 and 123 through an ohmic-contact layer (not shown). To form a contact. However, the present invention is not limited thereto, and a polysilicon thin film or an oxide semiconductor may be used as the active layer 124.

전술한 바와 같이 상기 화소영역 내에는 프린지 필드를 발생시키기 위해 공통전극(108)과 화소전극(118)이 형성되어 있는데, 이때 상기 공통전극(108)은 층간절연층(115b)과 평탄화층(115c) 위에 형성되는 한편 상기 제2 콘택홀(120)을 제외한 화소부 전체에 단일 패턴으로 형성되어 있으며, 상기 화소전극(118)은 각각의 화소영역 내에 박스 형태로 형성되는 한편 보호층(115d) 위에 다수의 슬릿(118s)을 가지도록 형성될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 화소전극(118) 대신에 상기 공통전극(108)이 다수의 슬릿을 가지도록 형성될 수도 있다.As described above, the common electrode 108 and the pixel electrode 118 are formed in the pixel region to generate a fringe field. In this case, the common electrode 108 includes an interlayer insulating layer 115b and a planarization layer 115c. ), and is formed in a single pattern over the entire pixel portion except for the second contact hole 120, and the pixel electrode 118 is formed in a box shape in each pixel area, and is formed on the protective layer 115d. It may be formed to have a plurality of slits (118s). However, the present invention is not limited thereto, and the common electrode 108 may be formed to have a plurality of slits instead of the pixel electrode 118.

이때, 상기 공통전극(108)은 제3 콘택홀(미도시)을 통해 상기 게이트라인(116)에 대해 평행하게 배열된 공통라인(108L)에 전기적으로 접속할 수 있다.In this case, the common electrode 108 may be electrically connected to the common line 108L arranged parallel to the gate line 116 through a third contact hole (not shown).

도 2에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(110) 상에 형성된 다수의 범퍼층(140)은 매트릭스 배열을 이루는 서브-화소들 마다 구비하는 박막 트랜지스터 위에 랜덤하게 배치될 수 있다. 또는 각 서브-화소들 마다 각각 구비하는 제2 콘택홀(120)들의 사이마다 랜덤하게 배치될 수 있다. As shown in FIG. 2, a plurality of bumper layers 140 formed on the array substrate 110 may be randomly disposed on a thin film transistor provided for each sub-pixel constituting a matrix arrangement. Alternatively, they may be randomly disposed between the second contact holes 120 each provided for each sub-pixel.

이와 같이 구성된 상기 어레이 기판(110)은 컬럼 스페이서(130a, 130b)를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 컬러필터 기판(105)과 합착되어 액정패널을 구성하게 되는데, 이때 상기 컬러필터 기판(105)은 적, 녹 및 청의 색상을 구현하는 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터로 구성된 컬러필터(107), 그리고 상기 적색, 녹색 및 청색의 서브-컬러필터 사이를 구분하고 액정층(150)을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스(106)로 이루어져 있다.The array substrate 110 configured as described above is bonded to the color filter substrate 105 while maintaining the cell gap through the column spacers 130a and 130b to form a liquid crystal panel. At this time, the color filter substrate 105 The color filter 107 composed of red, green, and blue sub-color filters that implement red, green, and blue colors, and the red, green, and blue sub-color filters are separated, and the liquid crystal layer 150 is transmitted through the filter. It consists of a black matrix 106 that blocks light.

블랙매트릭스(106)는 수지 재질의 유기막이 적용될 수 있는데, 예를 들면 카본 블랙(carbon black)이나 흑색 안료 중 어느 하나를 포함한 아크릴(Acryl), 에폭시(Epoxy) 또는 폴리이미드(Polyimide) 수지 등의 착색된 유기계 수지 등을 적용할 수 있다.The black matrix 106 may include an organic film made of a resin material, for example, acrylic, epoxy, or polyimide resin including either carbon black or black pigment. Colored organic resins and the like can be applied.

도 4에 도시된 바와 같이, 블랙매트릭스(106)가 형성된 컬러필터 기판(105) 위에 컬러필터(107)가 형성될 수 있으며, 반대로 컬러필터 기판(105)에 컬러필터(107)가 먼저 형성된 후 블랙매트릭스(106)가 형성 될 수도 있다.As shown in FIG. 4, the color filter 107 may be formed on the color filter substrate 105 on which the black matrix 106 is formed. Conversely, after the color filter 107 is first formed on the color filter substrate 105 A black matrix 106 may be formed.

이때, 상기 본 발명의 일 실시예에 따른 컬럼 스페이서(130a, 130b)는 이중 구조로 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110) 사이의 갭을 유지하는 제1 컬럼 스페이서(130a)(이하, 갭 스페이서라 함), 그리고 눌림을 방지하는 제2 컬럼 스페이서(130b)(이하, 눌림 스페이서라 함)로 이루어진 것을 특징으로 한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.At this time, the column spacers 130a and 130b according to the exemplary embodiment of the present invention have a dual structure, and the first column spacer 130a (hereinafter, referred to as hereinafter) maintains a gap between the color filter substrate 105 and the array substrate 110. , A gap spacer), and a second column spacer 130b (hereinafter, referred to as a pressing spacer) to prevent pressing. However, the present invention is not limited thereto.

액정패널은 외부로부터 눌림과 같은 외력이 가해질 경우 빛샘불량이 발생하게 되며, 이러한 빛샘불량은 외력에 의해 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110)간에 미끄러짐이 발생하여 액정패널에 휨이 발생하게 되는데서 그 원인이 있다.When an external force such as pressing from the outside is applied to the liquid crystal panel, light leakage defects occur, and such light leakage defects cause slipping between the color filter substrate 105 and the array substrate 110 due to external force, causing warpage in the liquid crystal panel. There is a cause for it.

즉, 액정패널의 휨 방향으로 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110)의 러빙 방향이 평행이 되지 않게 되고, 이로 인해 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110) 표면에 인접한 액정이 휜 방향으로 평행하게 배열되어 전체적으로 초기 상태와 다른 배열을 하게 된다.That is, in the bending direction of the liquid crystal panel, the rubbing direction of the color filter substrate 105 and the array substrate 110 is not parallel, so that the liquid crystal adjacent to the surface of the color filter substrate 105 and the array substrate 110 It is arranged in parallel in the bending direction, so that the overall arrangement is different from the initial state.

이와 같은 경우에는 액정의 배열이 초기 블랙상태(black state)를 유지하지 못하게 되어 액정층을 통과한 빛이 정상 부위와 다른 위상차(retardation)를 겪으며 회전하게 되어 빛샘이 나타나게 된다.In this case, the arrangement of the liquid crystals cannot maintain the initial black state, so that the light passing through the liquid crystal layer rotates while undergoing a retardation different from that of the normal part, resulting in light leakage.

이와 같은 이유로 상기 갭 스페이서(130a)와 눌림 스페이서(130b)가 필요하다.For this reason, the gap spacer 130a and the pressing spacer 130b are required.

상기 컬럼 스페이서(130a, 130b)는 상기 다수의 범퍼층(140)과 대응되는 위치에 형성되며, 상기 갭 스페이서(130a)는 상기 컬러필터 기판(105)과 어레이 기판(110) 사이의 이격된 갭을 유지하기 위한 기능을 하기 때문에 어레이 기판(110)의 다수의 범퍼층(140) 중 상기 갭 스페이서(130a)와 대응되는 위치에 구비된 범퍼층(140)과 맞닿도록 구성되어야 하며, 상기 눌림 스페이서(130b)와 그에 대응되는 위치에 구비된 범퍼층(140)은 이격된 거리를 두어야 한다.The column spacers 130a and 130b are formed at positions corresponding to the plurality of bumper layers 140, and the gap spacers 130a are spaced apart gaps between the color filter substrate 105 and the array substrate 110. Since it functions to maintain the array substrate 110, it must be configured to contact the bumper layer 140 provided at a position corresponding to the gap spacer 130a among the plurality of bumper layers 140, and the pressed spacer (130b) and the bumper layer 140 provided at a location corresponding thereto should be separated from each other.

도 4에 도시된 바와 같이, 갭 스페이서(130a)와 그에 대응하는 위치의 범퍼층은 어레이 기판(110)과 컬러필터 기판(105) 사이에 위치한 액정층(150)에서 서로 맞닿을 수 있다. 여기서 액정층(150)은 어레이 기판(110)과 컬러필터 기판(105) 사이에 액정(미도시)이 주입되어 채워지는 또는 채워진 층을 말한다. As illustrated in FIG. 4, the gap spacer 130a and the bumper layer corresponding thereto may contact each other in the liquid crystal layer 150 positioned between the array substrate 110 and the color filter substrate 105. Here, the liquid crystal layer 150 refers to a layer filled or filled by a liquid crystal (not shown) injected between the array substrate 110 and the color filter substrate 105.

또한 도 1 및 도 2에서와 같이 갭 스페이서(130a)와 그에 대응하는 위치의 범퍼층(140)이 서로의 장변을 가로지르는 십자형상(+)을 함으로써 외력에 의해 갭 스페이서(130a)가 상하 밀리는 현상이 발생할 경우 범퍼층(140)이 상하 방향으로 길게 배치되어 갭 스페이서(130a)가 범퍼층을 벗어나 어레이 기판 표면의 폴리이미드(polyimide; PI)로 이루어진 배향막을 손상시키는 현상을 최소화할 수 있게 된다. 결과적으로 배향막의 손상으로 인해 원하지 않는 빛이 새는 레드 아이 불량을 방지할 수 있게 된다. 이를 통해 레드 아이 불량을 가리기 위한 블랙매트릭스의 마진을 작게 가져가면서 개구영역의 확보로 개구율과 투과율이 증가하게 된다.In addition, as shown in FIGS. 1 and 2, the gap spacer 130a and the bumper layer 140 at the corresponding position form a cross shape (+) crossing each other's long sides, so that the gap spacer 130a is pushed up and down by an external force. When the phenomenon occurs, the bumper layer 140 is disposed elongated in the vertical direction, so that the gap spacer 130a escapes the bumper layer and damages the alignment layer made of polyimide (PI) on the surface of the array substrate can be minimized. . As a result, it is possible to prevent a red eye defect in which unwanted light leaks due to damage to the alignment layer. This increases the aperture ratio and transmittance by securing the aperture area while reducing the margin of the black matrix to cover the red eye defect.

도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 눌림 스페이서(130b)는 그에 대응하는 위치의 범펑층(140)과 서로 이격된 거리를 두고 마주하되, 도 5a에 도시된 일 실시예와 같이 눌림 스페이서(130b)의 두께(t3)는 도 4에 도시된 갭 스페이서(130a)의 두께(t1)보다 작을 수 있으며, 도 5b에 도시된 일 실시예와 같이 눌림 스페이서(130b)와 대응되는 위치의 범퍼층(140)의 두께(t6)가 도 4에 도시된 갭 스페이서(130a)와 대응되는 위치의 범퍼층(140)의 두께(t2)보다 작을 수 있다. 전자의 경우, 다수의 범퍼층(140)의 두께(t2, t4)가 동일할 수 있으며, 후자의 경우 갭 스페이서(130a)와 눌림 스페이서(130b)의 높이(t1, t5)가 동일할 수 있다. 갭 스페이서(130a)와 눌림 스페이서(130b)의 높이가 동일한 경우 갭 스페이서와 맞닿은 범퍼층(140)을 갭 범퍼층이라 하고, 눌림 스페이서와 대응되는 영역에서 마주하는 범퍼층(140)을 눌림 범퍼층이라 한다. As shown in FIGS. 5A and 5B, the pressing spacer 130b faces the bumping layer 140 at a corresponding position with a distance apart from each other, but as shown in FIG. 5A, the pressing spacer ( The thickness t3 of 130b) may be smaller than the thickness t1 of the gap spacer 130a shown in FIG. 4, and the bumper layer at a position corresponding to the pressed spacer 130b as in the embodiment shown in FIG. 5B The thickness t6 of 140 may be smaller than the thickness t2 of the bumper layer 140 at a position corresponding to the gap spacer 130a illustrated in FIG. 4. In the former case, the thicknesses t2 and t4 of the plurality of bumper layers 140 may be the same, and in the latter case, the heights t1 and t5 of the gap spacer 130a and the pressing spacer 130b may be the same. . When the heights of the gap spacer 130a and the pressing spacer 130b are the same, the bumper layer 140 in contact with the gap spacer is referred to as a gap bumper layer, and the bumper layer 140 facing in the region corresponding to the pressing spacer is pressed the bumper layer. It is called this.

상기 다수의 범퍼층(140) 및 갭 스페이서(130a)와 눌림 스페이서(130b)는 화소영역에 위치하는 것보다 이를 피한 영역에 위치하도록 하는 것이 화질 면에서 유리하며, 따라서 박막 트랜지스터가 위치한 영역이나 상기 게이트 배선 또는 공통라인(108L)이 위치한 영역에 위치하는 것이 바람직하다.The plurality of bumper layers 140, the gap spacers 130a, and the pressing spacers 130b are more advantageous in terms of image quality than those located in the pixel region in terms of image quality. It is preferable to be located in a region where the gate wiring or the common line 108L is located.

갭 스페이서(130a)와 눌림 스페이서(130b)는 최소한 세개의 서브-화소로 이루어진 각 단위 화소 마다 갭 스페이서(130a) 또는 눌림 스페이서(130b)가 배치될 수 있으며, 이에 한정하지 않고 액정패널의 해상도에 따라 갭 스페이서(130a)와 눌림 스페이서(130b)의 위치 및 개수를 조절할 수 있다. In the gap spacer 130a and the pressing spacer 130b, a gap spacer 130a or a pressing spacer 130b may be disposed for each unit pixel composed of at least three sub-pixels, and the resolution of the liquid crystal panel is not limited thereto. Accordingly, the position and number of the gap spacer 130a and the pressing spacer 130b may be adjusted.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 갭 스페이서(130a)와 그에 대응하는 위치의 범퍼층(140)이 서로의 장변을 가로지르는 십자형상(+)을 이루는 영역에 인접한 서브-화소들의 블랙매트릭스(106)가 다른 서브화소들에 비해 개구영역(O/A)을 더 소비할 수 있는데 이러한 경우 투과율에 가장 큰 영향을 주는 녹색 서브-화소(G)의 개구영역(O/A)을 최대화하기 위하여 갭 스페이서(130a)를 청색 서브-화소(B)와 적색 서브-화소(R) 사이에 위치시키는 것이 바람직하다.1 and 2, a black matrix of sub-pixels adjacent to a region in which the gap spacer 130a and the bumper layer 140 at the corresponding position form a cross shape (+) crossing each other's long sides (106) can consume more aperture area (O/A) than other sub-pixels. In this case, to maximize the aperture area (O/A) of green sub-pixel (G), which has the greatest effect on transmittance. For this purpose, it is preferable to position the gap spacer 130a between the blue sub-pixel (B) and the red sub-pixel (R).

도 4, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 패시베이션층(115d)과 범퍼층(140)사이에는 보조 전극(119)을 가질 수 있다. 상기 보조 전극(119)은 화소전극(118)을 형성 시 함께 형성되며, 상기 화소전극(118)과는 이격되어 있으며, 상기 패시베이션층(115d)층의 제1 콘택홀(125)을 통해 공통전극(108)과 전기적으로 연결된다. 이로 인해, 제조공정 시 마스크 수를 줄여 공정 시간을 단축시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있는데, 상세한 공정에 대해서는 아래에서 더 자세히 설명한다. As shown in FIGS. 4, 5A, and 5B, an auxiliary electrode 119 may be provided between the passivation layer 115d and the bumper layer 140. The auxiliary electrode 119 is formed together when the pixel electrode 118 is formed, is spaced apart from the pixel electrode 118, and is a common electrode through the first contact hole 125 of the passivation layer 115d. It is electrically connected to (108). For this reason, it is possible to provide an effect of reducing the number of masks during the manufacturing process to shorten the process time, and a detailed process will be described in more detail below.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention configured as described above will be described in detail with reference to the drawings.

도 6a 내지 도 6k는 도 4에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도이다.6A to 6K are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of the array substrate according to the exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 4.

어레이 기판의 제조공정을 설명하면, 도 6a에 도시된 바와 같이, 어레이 기판(210)에 게이트전극(221)과 게이트라인(미도시) 및 공통라인(미도시)을 형성한다.Referring to the manufacturing process of the array substrate, as shown in FIG. 6A, a gate electrode 221, a gate line (not shown), and a common line (not shown) are formed on the array substrate 210.

상기 게이트전극(221)과 게이트라인 및 공통라인은 제 1 도전막을 상기 어레이 기판(210) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.The gate electrode 221, the gate line, and the common line are formed by depositing a first conductive layer on the entire surface of the array substrate 210 and then selectively patterning through a photolithography process.

이때, 상기 제 1 도전막은 게이트 배선 및 공통라인을 형성하기 위해 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo) 및 몰리브덴 합금 등과 같은 저저항 불투명 도전물질로 형성할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전막은 상기 저저항 도전물질이 2가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수 있다.In this case, the first conductive layer is formed of aluminum (Al), aluminum alloy, tungsten (W), copper (Cu), and chromium (Cr) to form a gate wiring and a common line. , Molybdenum (Mo) and a molybdenum alloy may be formed of a low-resistance opaque conductive material. In addition, the first conductive layer may have a multilayer structure in which two or more of the low-resistance conductive materials are stacked.

다음으로, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(221)과 게이트라인 및 공통라인이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 게이트절연막(215a)과 비정질 실리콘 박막을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6B, a gate insulating layer 215a and an amorphous silicon thin film are formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the gate electrode 221, the gate line, and the common line are formed.

이후, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 비정질 실리콘 박막을 선택적으로 제거함으로써 상기 게이트전극(221) 위에 상기 게이트절연막(215a)이 개재된 상태에서 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브층(224)을 형성한다.Thereafter, by selectively removing the amorphous silicon thin film through a photolithography process, an active layer 224 made of the amorphous silicon thin film is formed on the gate electrode 221 with the gate insulating film 215a interposed therebetween.

도 6a 및 6b에서는 게이트전극(221)이 형성 된 후 게이트절연막(215a)이 형성되고 그 위에 액티브층(224)가 형성되었으나, 이에 한정되지 않고 액티브층(224)이 게이트 전극보다 먼저 어레이 기판(210) 상에 형성되고 게이트절연막(215a), 게이트전극(221) 순으로 형성될 수 있다. In FIGS. 6A and 6B, after the gate electrode 221 is formed, the gate insulating layer 215a is formed, and the active layer 224 is formed thereon. However, the active layer 224 is not limited thereto, and the active layer 224 is the array substrate ( 210) and may be formed in the order of the gate insulating layer 215a and the gate electrode 221.

본 발명의 일 실시예로 액티브층(224)을 비정질 실리콘 박막으로 형성하였으나, 이에 한정되지 않고 다결정 실리콘 박막이나 산화물 반도체를 이용하여 형성 할 수도 있다.In an embodiment of the present invention, the active layer 224 is formed of an amorphous silicon thin film, but the present invention is not limited thereto, and may be formed using a polycrystalline silicon thin film or an oxide semiconductor.

다음으로, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(224)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 제 2 도전막을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6C, a second conductive layer is formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the active layer 224 is formed.

이때, 상기 제 2 도전막은 소오스전극과 드레인전극 및 데이터라인, 즉 데이터 배선을 구성하기 위해 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리, 크롬, 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 등과 같은 저저항 불투명 도전물질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전막은 상기 저저항 도전물질이 2가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수 있다.In this case, the second conductive layer may be made of a low-resistance opaque conductive material such as aluminum, aluminum alloy, tungsten, copper, chromium, molybdenum and molybdenum alloy to form a source electrode, a drain electrode, and a data line, that is, a data line. In addition, the second conductive layer may have a multilayer structure in which two or more of the low-resistance conductive materials are stacked.

이후, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 액티브층(224) 상부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 소오스전극(222)과 드레인전극(223)을 형성하는 한편, 상기 어레이 기판(210)의 데이터라인 영역에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 데이터라인(미도시)을 형성하게 된다.Thereafter, by selectively removing the second conductive film through a photolithography process, a source electrode 222 and a drain electrode 223 made of the second conductive film are formed on the active layer 224, while the array substrate A data line (not shown) made of the second conductive layer is formed in the data line area of 210.

다음으로, 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 소오스전극(222)과 드레인전극(223) 및 데이터라인(미도시)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 층간절연층(215b) 및 평탄화층(215c)을 형성한다. 이때, 상기 층간절연층(215b)은 실리콘질화물 또는 실리콘산화물과 같은 무기 절연물질로 이루어질 수 있으며, 상기 평탄화층(215c)은 포토 아크릴과 같은 상대적으로 낮은 유전율을 가진 유기 절연물질을 이용하여 형성할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 층간절연층(215b) 위에 평탄화층(215c)을 형성하지 않을 수도 있다.Next, as shown in FIG. 6D, an interlayer insulating layer 215b and a planarization layer 215c are formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the source electrode 222, the drain electrode 223, and the data line (not shown) are formed. ) To form. At this time, the interlayer insulating layer 215b may be made of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide, and the planarization layer 215c may be formed using an organic insulating material having a relatively low dielectric constant such as photoacrylic. I can. However, the present invention is not limited thereto, and a planarization layer 215c may not be formed on the interlayer insulating layer 215b.

이후, 상기 어레이 기판(210) 전면에 제 3 도전막을 증착한 후, 포토리소그래피공정을 이용하여 선택적으로 패터닝 함으로써 제 2 콘택홀(220)을 형성할 영역을 제외한 상기 화소부 전체에 상기 제 3 도전막으로 이루어지며, 제 3 콘택홀(미도시)을 통해 상기 공통라인과 전기적으로 접속하는 공통전극(208)을 형성하게 된다.Thereafter, after depositing a third conductive layer on the entire surface of the array substrate 210, the third conductive layer is selectively patterned using a photolithography process, so that the third conductive layer is applied to the entire pixel portion except for a region in which the second contact hole 220 is to be formed. A common electrode 208 made of a film and electrically connected to the common line through a third contact hole (not shown) is formed.

이때, 상기 제 3 도전막은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)와 같은 투과율이 뛰어난 투명 도전물질로 이루어질 수 있다.In this case, the third conductive layer may be made of a transparent conductive material having excellent transmittance such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

다음으로, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화층(215c)을 포토리소그래피공정을 이용하여 선택적으로 패터닝 하여 제2 콘택홀(220)을 형성할 영역을 우선적으로 노출시킨 뒤, 도 6f 및 도 6g에 도시된 바와 같이, 상기 공통전극(208)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 보호층(215d)과 제1포토레지스트(PR_a)를 형성한 후 마스크(305)를 이용하여 패터닝 영역을 제외한 나머지 영역에 UV를 조사한다. 이후 포토레지스트 현상(developing) 공정을 통해 비조사영역의 PR을 제거 및 드라이 에칭 공정을 통하여 상기 보호층(215d) 및 층간절연층(215b)을 선택적으로 패터닝함으로써 상기 드레인전극(223)의 일부를 노출시키는 제2 콘택홀(220)을 형성함과 동시에 공통전극(208)일부를 노출시키는 제1 콘택홀(225)을 형성한다. 남은 포토레지스트(PR_a)는 포토레지스트 스트립(PR Strip) 공정을 통해 제거한다. Next, as shown in FIG. 6E, the planarization layer 215c is selectively patterned using a photolithography process to preferentially expose a region in which the second contact hole 220 is to be formed, and then, FIGS. 6F and 6F. As shown in 6g, after the protective layer 215d and the first photoresist PR_a are formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the common electrode 208 is formed, the patterning area is excluded using the mask 305. UV irradiation on the remaining area. Afterwards, a part of the drain electrode 223 is partially removed by removing the PR of the non-irradiated area through a photoresist developing process and selectively patterning the protective layer 215d and the interlayer insulating layer 215b through a dry etching process. A first contact hole 225 is formed to expose a portion of the common electrode 208 while forming the second contact hole 220 to be exposed. The remaining photoresist PR_a is removed through a photoresist strip process.

이후, 도 6h 및 도 6i에 도시된 바와 같이, 상기 보호층(215d)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 제 4 도전막(228)을 증착하고, 화소전극(218), 보조전극(219) 및 범퍼층(240) 형성을 위한 제2포토레지스트(PR_b)를 도포한다. Thereafter, as shown in FIGS. 6H and 6I, a fourth conductive layer 228 is deposited on the entire surface of the array substrate 210 on which the protective layer 215d is formed, and the pixel electrode 218 and the auxiliary electrode 219 are formed. And a second photoresist PR_b for forming the bumper layer 240.

이때, 상기 제 4 도전막(228)은 ITO 또는 IZO와 같은 투과율이 뛰어난 투명 도전물질로 이루어질 수 있다. 제 4 도전막(228)은 제1 콘택홀(225)와 제2 콘택홀(220)을 통해 드레인전극(223)및 공통전극(208)과 접촉하게 된다.In this case, the fourth conductive layer 228 may be made of a transparent conductive material having excellent transmittance such as ITO or IZO. The fourth conductive layer 228 comes into contact with the drain electrode 223 and the common electrode 208 through the first contact hole 225 and the second contact hole 220.

다음으로, 도 6j 및 도 6k에 도시된 바와 같이, 하프-톤 마스크(310)를 이용하여 패터닝 할 곳을 제외한 나머지 포토레지스트 영역에 UV를 조사하고, 포토레지스트 현상(developing)공정을 통해 화소전극(218)과 범퍼층(240)을 형성할 곳을 제외한 제2포토레지스트(PR_b)를 제거하고, 노출된 제 4 도전막(228)을 식각하여 드레인전극(223)과 연결되는 화소전극(218)과 상기 화소전극(218)과는 이격되며, 공통전극(208)과 연결되는 보조전극(219)을 형성한다. 상기 식각 공정은 습식 식각(wet etch) 공정일 수 있다.Next, as shown in FIGS. 6J and 6K, using a half-tone mask 310, UV irradiation on the remaining photoresist regions except for the area to be patterned, and the pixel electrode through a photoresist developing process. The pixel electrode 218 connected to the drain electrode 223 by removing the second photoresist PR_b except for the area where 218 and the bumper layer 240 are to be formed, and etching the exposed fourth conductive layer 228. ) Is spaced apart from the pixel electrode 218 and is connected to the common electrode 208 to form an auxiliary electrode 219. The etching process may be a wet etch process.

여기서, 상대적으로 약한 UV가 조사된 화소전극(218)을 형성할 영역의 제2포토레지스트(PR_b)의 두께는 UV가 조사되지 않은 범퍼층(240)을 형성할 영역의 제2포토레지스트(PR_b)의 두께보다 작을 수 있다.Here, the thickness of the second photoresist PR_b in the region where the pixel electrode 218 irradiated with relatively weak UV is to be formed is the second photoresist PR_b in the region where the bumper layer 240 is not irradiated with UV May be smaller than the thickness of ).

이후 산소 분위기에서 제2포토레지스트(PR_b)를 산화시키는 애슁(ashing) 공정을 통해 화소전극(218) 상의 제2포토레지스트(PR_b)를 제거하고 보조전극(219) 상에 남은 제2포토레지스트(PR_b)로 범퍼층(240)을 형성한다. 이를 통해 한번의 마스크공정으로 화소전극(218)과 범퍼층(240)을 형성할 수 있어, 마스크 공정 횟수를 절약할 수 있게 된다. Thereafter, the second photoresist PR_b on the pixel electrode 218 is removed through an ashing process of oxidizing the second photoresist PR_b in an oxygen atmosphere, and the second photoresist remaining on the auxiliary electrode 219 ( The bumper layer 240 is formed with PR_b). Through this, since the pixel electrode 218 and the bumper layer 240 can be formed in a single mask process, the number of mask processes can be saved.

일 실시예에서는 포토레지스트에 UV 조사 시, 하프-톤 마스크(310)가 아닌 멀티-톤 마스크를 이용하여 UV를 조사함으로써, 패널에 형성되는 다수의 범퍼층(240)의 높이를 다르게 할 수 있다. 이 경우 컬러필터 기판 공정에서 스페이서를 형성 시 멀티-톤 마스크를 사용하지 않고 같은 높이의 스페이서들을 컬러필터 기판 상에 형성할 수 있다.In one embodiment, when UV irradiation on the photoresist, by irradiating UV using a multi-tone mask instead of the half-tone mask 310, the height of the plurality of bumper layers 240 formed on the panel may be different. . In this case, when forming spacers in the color filter substrate process, spacers having the same height may be formed on the color filter substrate without using a multi-tone mask.

상기 다수의 범퍼층(240)을 형성하는 공정에서 다수의 범퍼층(240) 하면에 보조전극(219)이 남게 되는데, 공정 상 특징으로 보조전극(219)의 상면 면적은 범퍼층(240)의 하면 면적보다 크게 남을 수 있다. 상기 제 4 도전막(228)을 ITO물질로 형성하여 이와 같은 보조전극(219)가 형성되는 경우 이렇게 범퍼층(240)의 하면보다 면적이 크게 형성되는 부분을 ITO tail이라 한다.In the process of forming the plurality of bumper layers 240, the auxiliary electrode 219 remains under the plurality of bumper layers 240. As a feature of the process, the upper surface area of the auxiliary electrode 219 is If you do, it can remain larger than the area. When the auxiliary electrode 219 is formed by forming the fourth conductive layer 228 of an ITO material, a portion having an area larger than the lower surface of the bumper layer 240 is referred to as an ITO tail.

상기 평탄화층(215c)은 평탄화층(215c) 하부 층들에 대한 평탄화와 평탄화층(215c) 상부와 하부의 전극 사이의 캐패시턴스 형성을 고려하여 약 2㎛ 이상의 두께로 형성될 수 있는데, 이 경우 제2 컨택홀(220)은 상기 평탄화층(215c)의 두께보다 더 깊게 형성된다. 위와 같은 구조에서 제2포토레지스트(PR_b)를 도포한다면 제2 컨택홀(220) 영역에서 어느 정도 제2포토레지스트(PR_b)의 단차가 발생하게 된다. 범퍼층(240)은 패널의 전체적인 두께를 고려하여 평탄화층(215c)의 두께보다 작은 2㎛ 미만의 두께로 설계되는데 제2 컨택홀(220)과 중첩되게 형성할 경우 범퍼층(240)의 두께가 틀어질 수 있어 범퍼층(240)의 역할을 제대로 수행하지 못할 수 있다. 따라서 범퍼층(240)은 제2 컨택홀(220)과 중첩되지 않도록 하며, 화소전극(218)과 이격되어 형성된다.The planarization layer 215c may be formed to have a thickness of about 2 μm or more in consideration of planarization of the lower layers of the planarization layer 215c and the formation of capacitance between the electrodes above and below the planarization layer 215c. In this case, the second The contact hole 220 is formed deeper than the thickness of the planarization layer 215c. In the above structure, if the second photoresist PR_b is applied, a level difference of the second photoresist PR_b occurs to some extent in the area of the second contact hole 220. The bumper layer 240 is designed to have a thickness of less than 2 μm, which is smaller than the thickness of the planarization layer 215c in consideration of the overall thickness of the panel. When formed to overlap the second contact hole 220, the thickness of the bumper layer 240 The bumper layer 240 may not properly perform the role of the bumper layer 240 due to the misalignment. Accordingly, the bumper layer 240 does not overlap with the second contact hole 220 and is formed to be spaced apart from the pixel electrode 218.

도 7a 내지 도 7d는 상기 도 4에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러필터 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도이다.7A to 7D are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of the color filter substrate according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 4.

컬러필터 기판의 제조공정을 설명하면, 도 7a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 컬러필터 기판(205) 위에 불필요한 빛을 차단하기 위해 블랙매트릭스(206)를 형성한다.Referring to the manufacturing process of the color filter substrate, as shown in FIG. 7A, a black matrix 206 is formed on the color filter substrate 205 made of a transparent insulating material such as glass to block unnecessary light.

상기 블랙매트릭스(206)는 수지 재질의 유기막이 적용될 수 있는데, 예를 들면 카본 블랙이나 흑색 안료 중 어느 하나를 포함한 아크릴, 에폭시 또는 폴리이미드 수지 등의 착색된 유기계 수지 등을 적용할 수 있다.The black matrix 206 may be formed of an organic film made of a resin material. For example, a colored organic resin such as acrylic, epoxy or polyimide resin including either carbon black or black pigment may be applied.

다음으로, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(206)가 형성된 컬러필터 기판(205) 위에 적색의 컬러필터(207)를 형성한다. 이때, 상기 적색의 서브-컬러필터(R) 대신에 녹색의 서브-컬러필터나 청색의 서브-컬러필터를 먼저 형성할 수도 있다.Next, as shown in FIG. 7B, a red color filter 207 is formed on the color filter substrate 205 on which the black matrix 206 is formed. In this case, instead of the red sub-color filter R, a green sub-color filter or a blue sub-color filter may be formed first.

다음으로, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터(207)가 형성된 컬러필터 기판(205) 위에 오버코트층(209)을 형성하여 평탄화 한 뒤, 도 7d에 도시된 바와 같이, 오버코트층(209)이 형성된 컬러필터 기판(205) 위에 갭 스페이서(230a)와 눌림 스페이서(미도시)로 이루어진 컬럼 스페이서(230a, 미도시)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 7C, an overcoat layer 209 is formed on the color filter substrate 205 on which the color filter 207 is formed to be planarized, and then, as shown in FIG. 7D, the overcoat layer 209 A column spacer 230a (not shown) including a gap spacer 230a and a pressing spacer (not shown) is formed on the color filter substrate 205 on which) is formed.

다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(110)은 컬럼 스페이서(130a, 미도시)를 통해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 컬러필터 기판(105)과 대향하여 합착되고 사이에 액정층을 형성하여 액정패널을 구성하게 된다.Next, as shown in FIG. 4, the array substrate 110 is bonded to face the color filter substrate 105 while maintaining a cell gap through a column spacer 130a (not shown), and a liquid crystal layer therebetween. To form a liquid crystal panel.

이때, 컬럼 스페이서(130a, 미도시)는 범퍼층(140)과 서로 마주보게 되며, 갭 스페이서(130a)는 범퍼층(140)과 액정층(150) 상에서 서로 맞닿게 되고, 눌림 스페이서는 범퍼층과 일정 간격 떨어져 서로 마주하게 된다. At this time, the column spacers 130a (not shown) face each other with the bumper layer 140, the gap spacers 130a contact each other on the bumper layer 140 and the liquid crystal layer 150, and the pressed spacers are the bumper layers. And face each other at a certain interval.

어레이 기판(110)과 컬러필터 기판(105)을 합착하는 단계 또는 합착한 후 외력에 의해 갭 스페이서(130a)가 상하 밀리는 현상이 발생할 수 있는데, 도 1 및 도 2 에 도시된 바와 같이, 갭 스페이서(130a)와 대응되는 위치의 범퍼층(140)이 갭 스페이서(130a)의 장변을 가로지르며 상하 방향으로 길게 배치되어 갭 스페이서(130a)가 범퍼층(140)을 벗어나 어레이 기판(110) 표면의 폴리이미드(polyimide; PI)로 이루어진 배향막을 손상시키는 현상을 최소화할 수 있게 된다. 결과적으로 배향막의 손상으로 인해 원하지 않는 빛이 새는 레드 아이 불량을 방지할 수 있게 된다. 이를 통해 레드 아이 불량을 가리기 위한 블랙매트릭스(106)의 마진을 작게 가져가면서 개구영역의 확보로 개구율과 투과율이 증가할 수 있다.A step of bonding the array substrate 110 and the color filter substrate 105 or a phenomenon in which the gap spacer 130a is pushed up and down by an external force after bonding may occur. As shown in FIGS. 1 and 2, the gap spacer The bumper layer 140 at the position corresponding to (130a) crosses the long side of the gap spacer 130a and is disposed to be elongated in the vertical direction, so that the gap spacer 130a leaves the bumper layer 140 and leaves the surface of the array substrate 110. It is possible to minimize a phenomenon that damages the alignment layer made of polyimide (PI). As a result, it is possible to prevent a red eye defect in which unwanted light leaks due to damage to the alignment layer. Through this, the aperture ratio and transmittance can be increased by securing the aperture area while reducing the margin of the black matrix 106 to cover the red eye defect.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.Although many items are specifically described in the above description, this should be construed as an example of a preferred embodiment rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the invention should not be determined by the described embodiments, but should be determined by the claims and equivalents to the claims.

105, 205: 컬러필터 기판 106, 206: 블랙매트릭스
107, 207: 컬러필터 110, 210: 어레이 기판
130a, 230a: 갭 스페이서 130b: 눌림 스페이서
140, 240: 범퍼층
105, 205: color filter substrate 106, 206: black matrix
107, 207: color filter 110, 210: array substrate
130a, 230a: gap spacer 130b: pressing spacer
140, 240: bumper layer

Claims (20)

각각이 다수의 서브-화소를 구비하는 다수의 화소가 매트릭스 형태로 배치되며, 액정층을 사이에 두고 서로 대향하여 합착된 제 1 기판과 제 2 기판;
상기 제 2 기판 하부에 배치된 블랙매트릭스와 컬러필터;
상기 블랙매트릭스와 상기 컬러필터가 중첩되는 영역 하부에 배치된 제1 컬럼 스페이서와 제2 컬럼 스페이서를 구비하는 컬럼 스페이서;
상기 제 1 기판 상에 배치된 화소전극;
상기 제 1 기판 상에 상기 화소전극보다 높은 위치에 배치되며, 상기 화소전극과 이격된 다수의 범퍼층;
상기 제 1 기판 상에 배치된 공통전극; 및,
상기 공통전극과 상기 범퍼층 사이에 배치되고, 상기 화소전극과 동일물질로 이루어지고, 상기 화소전극과 이격되며, 상기 공통전극과 전기적으로 연결된 보조 전극을 포함하며,
상기 다수의 범퍼층 중 적어도 하나의 제1 범퍼층과 상기 제1 컬럼스페이서는 상기 액정층에서 서로 맞닿는 액정표시장치.
A first substrate and a second substrate in which a plurality of pixels each having a plurality of sub-pixels are disposed in a matrix form, and are bonded to each other to face each other with a liquid crystal layer therebetween;
A black matrix and a color filter disposed under the second substrate;
A column spacer having a first column spacer and a second column spacer disposed under a region where the black matrix and the color filter overlap;
A pixel electrode disposed on the first substrate;
A plurality of bumper layers disposed above the pixel electrodes on the first substrate and spaced apart from the pixel electrodes;
A common electrode disposed on the first substrate; And,
An auxiliary electrode disposed between the common electrode and the bumper layer, made of the same material as the pixel electrode, spaced apart from the pixel electrode, and electrically connected to the common electrode,
At least one of the plurality of bumper layers and the first column spacer contact each other in the liquid crystal layer.
제 1 항에 있어서,
상기 공통전극과 상기 보조 전극 사이에 배치되는 보호층을 더 포함하며, 상기 보호층에 형성된 제 1 콘택홀을 통해 상기 공통전극과 상기 보조 전극이 서로 접촉하는 박막 트랜지스터 액정표시장치.
The method of claim 1,
A thin film transistor liquid crystal display device further comprising a protective layer disposed between the common electrode and the auxiliary electrode, wherein the common electrode and the auxiliary electrode contact each other through a first contact hole formed in the protective layer.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 기판 상에 배치되는 박막트랜지스터를 더 포함하며, 상기 박막트랜지스터의 소스전극 또는 드레인 전극 중 하나는 상기 보호층에 형성된 제 2 콘택홀을 통해 상기 화소전극과 서로 접촉하는 액정표시장치.
The method of claim 2,
A liquid crystal display device further comprising a thin film transistor disposed on the first substrate, wherein one of a source electrode or a drain electrode of the thin film transistor contacts the pixel electrode through a second contact hole formed in the protective layer.
제 3 항에 있어서,
상기 박막트랜지스터와 상기 보호층 사이에 배치되는 평탄화층을 더 포함하며,
상기 평탄화층의 두께는 상기 다수의 범퍼층 두께보다 큰 액정표시장치.
The method of claim 3,
Further comprising a planarization layer disposed between the thin film transistor and the protective layer,
The thickness of the planarization layer is greater than the thickness of the plurality of bumper layers.
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 범퍼층 중 적어도 하나의 제2범퍼층은 상기 제2 컬럼 스페이서와 상기 액정층에서 일정 간격 떨어져 서로 마주하는 액정표시장치.
The method of claim 1,
At least one second bumper layer among the plurality of bumper layers faces each other at a predetermined distance from the second column spacer and the liquid crystal layer.
제 5 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 제1 범퍼층의 두께는 상기 적어도 하나의 제2 범퍼층의 두께보다 큰 액정표시장치.
The method of claim 5,
A liquid crystal display device having a thickness of the at least one first bumper layer greater than that of the at least one second bumper layer.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 컬럼 스페이서와 상기 제2 컬럼 스페이서는 형상이 다른 액정표시장치.
The method of claim 1,
The first column spacer and the second column spacer have different shapes.
제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 제1 범퍼층과 상기 제1 컬럼 스페이서는 서로의 장변을 가로지르는 십자형상인 액정표시장치.
The method of claim 1,
The at least one first bumper layer and the first column spacer have a cross shape crossing long sides of each other.
제 8 항에 있어서,
상기 제1 컬럼 스페이서는 상기 제2 콘택홀과 오버랩 되는 액정표시장치.
The method of claim 8,
The first column spacer overlaps the second contact hole.
복수의 게이트라인들과 복수의 데이터라인들을 구비하는 제1 기판;
상기 제1 기판 상에 배치되고, 각각이 다수의 서브-화소들을 구비한 다수의 화소들; 및
상기 복수의 게이트라인들 상에 구비된 복수의 범퍼층을 포함하며,
상기 복수의 범퍼층은, 상기 다수의 화소들 각각에 적어도 하나씩 구비되며, 상기 복수의 서브-화소들 각각에 구비된 제2 콘택홀들 사이에 배치된 액정표시장치.
A first substrate including a plurality of gate lines and a plurality of data lines;
A plurality of pixels disposed on the first substrate, each having a plurality of sub-pixels; And
It includes a plurality of bumper layers provided on the plurality of gate lines,
The plurality of bumper layers are provided at least one in each of the plurality of pixels, and are disposed between second contact holes provided in each of the plurality of sub-pixels.
제 10 항에 있어서,
상기 복수의 서브-화소들 중 적어도 하나는,
상기 제1 기판상에 배치되고, 게이트전극, 소오스전극과 드레인전극을 구비한 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 배치되고, 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 화소전극;
상기 박막 트랜지스터 상에 배치된 공통전극; 및
상기 복수의 범퍼층 중 하나와 상기 공통전극 사이에 배치되고, 상기 화소전극과 동일물질로 이루어지고, 상기 공통전극과 전기적으로 연결된 보조 전극을 포함하는 액정표시장치.
The method of claim 10,
At least one of the plurality of sub-pixels,
A thin film transistor disposed on the first substrate and including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode;
A pixel electrode disposed on the thin film transistor and electrically connected to the drain electrode;
A common electrode disposed on the thin film transistor; And
A liquid crystal display device comprising an auxiliary electrode disposed between one of the plurality of bumper layers and the common electrode, made of the same material as the pixel electrode, and electrically connected to the common electrode.
제 10 항에 있어서,
상기 복수의 범퍼층 각각 상에는 갭 스페이서 또는 눌림 스페이서가 구비되며,
상기 갭스페이서는 상기 제2 콘택홀과 오버랩 되는 액정표시장치.
The method of claim 10,
A gap spacer or a pressing spacer is provided on each of the plurality of bumper layers,
The gap spacer overlaps the second contact hole.
제 12 항에 있어서,
상기 복수의 범퍼층 중 상기 갭 스페이서와 대응되는 제1 범퍼층은 상기 갭 스페이서와 맞닿으며, 상기 복수의 범퍼층 중 상기 눌림 스페이서와 대응되는 제2 범퍼층은 상기 눌림 스페이서와 일정 간격 떨어져 서로 마주하는 액정표시장치.
The method of claim 12,
Among the plurality of bumper layers, a first bumper layer corresponding to the gap spacer abuts the gap spacer, and a second bumper layer corresponding to the pressing spacer among the plurality of bumper layers faces each other at a predetermined interval from the pressing spacer Liquid crystal display.
제 13 항에 있어서,
상기 갭 스페이서와 상기 눌림 스페이서는 동일한 두께를 갖고, 상기 제1 범퍼층은 상기 제2 범퍼층 보다 큰 두께를 갖는 액정표시장치.
The method of claim 13,
The gap spacer and the pressing spacer have the same thickness, and the first bumper layer has a larger thickness than the second bumper layer.
제 13 항에 있어서,
상기 갭 스페이서는 상기 눌림 스페이서보다 큰 두께를 갖고, 상기 복수의 범퍼층은 서로 동일한 두께를 갖는 액정표시장치.
The method of claim 13,
The gap spacer has a thickness greater than that of the pressed spacer, and the plurality of bumper layers have the same thickness.
제 13 항에 있어서,
상기 제1 범퍼층과 상기 갭 스페이서는 서로의 장변을 가로지르는 십자형상인 액정표시장치.
The method of claim 13,
The first bumper layer and the gap spacer have a cross shape crossing long sides of each other.
제 1 기판 상에 게이트전극, 액티브층, 소오스전극과 드레인전극을 구비한 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터 상에 평탄화층을 형성하는 단계;
상기 평탄화층 상에 공통전극을 형성하는 단계;
상기 평탄화층과 공통전극 상에 보호층을 형성하는 단계;
상기 보호층에 상기 드레인 전극 일부가 노출되는 제2 콘택홀과 상기 공통전극 일부가 노출되는 제1 콘택홀을 형성하는 단계;
상기 제1 및 제2 콘택홀이 형성된 상기 보호층 전면에 도전막을 형성하는 단계;
상기 도전막 상에 포토레지스트를 형성한 후 상기 도전막을 패터닝하여 상기 제1 콘택홀을 통하여 상기 공통전극과 접촉하는 보조전극을 형성하고, 상기 보조전극과 이격되며, 상기 제2 콘택홀을 통하여 상기 드레인전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계; 및
상기 도전막을 패터닝하고 남아있는 잔여 포토레지스트로 상기 보조전극 상에 범퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
Forming a thin film transistor including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode on the first substrate;
Forming a planarization layer on the thin film transistor;
Forming a common electrode on the planarization layer;
Forming a protective layer on the planarization layer and the common electrode;
Forming a second contact hole through which a portion of the drain electrode is exposed and a first contact hole through which a portion of the common electrode is exposed in the protective layer;
Forming a conductive film on the entire surface of the protective layer in which the first and second contact holes are formed;
After forming a photoresist on the conductive layer, the conductive layer is patterned to form an auxiliary electrode in contact with the common electrode through the first contact hole, spaced apart from the auxiliary electrode, and the second contact hole. Forming a pixel electrode in contact with the drain electrode; And
And forming a bumper layer on the auxiliary electrode with the remaining photoresist and patterning the conductive layer.
제 17 항에 있어서,
상기 평탄화층을 형성하기 전에
상기 박막 트랜지스터 상에 층간절연층을 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 제1 콘택홀 및 상기 제2 콘택홀을 형성하는 단계에서 상기 층간절연층과 상기 보호층을 동시에 드라이 에칭하여 상기 제1 콘택홀 및 상기 제2 콘택홀을 형성하는 액정표시장치의 제조방법.
The method of claim 17,
Before forming the planarization layer
Further comprising the step of forming an interlayer insulating layer on the thin film transistor,
In the step of forming the first contact hole and the second contact hole, dry etching the interlayer insulating layer and the protective layer at the same time to form the first contact hole and the second contact hole.
제 17 항에 있어서,
상기 화소전극을 형성하는 단계는,
하프-톤 마스크 또는 멀티-톤 마스크를 이용하여 상기 포토레지시트에 UV를 조사하는 단계; 및
포토레지스트 현상 공정과 식각 공정을 통해 상기 화소전극과 상기 보조전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
The method of claim 17,
The step of forming the pixel electrode,
Irradiating UV to the photoresist using a half-tone mask or a multi-tone mask; And
And forming the pixel electrode and the auxiliary electrode through a photoresist developing process and an etching process.
제 17 항에 있어서,
제2 기판 상에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계; 및
상기 컬럼 스페이서와 상기 범퍼층을 통해 셀갭을 유지한 상태에서 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착하는 단계를 더 포함하며, 상기 컬럼 스페이서와 상기 범퍼층은 서로 마주보는 액정표시장치의 제조방법.
The method of claim 17,
Forming column spacers on the second substrate; And
And bonding the first substrate and the second substrate while maintaining a cell gap through the column spacer and the bumper layer, wherein the column spacer and the bumper layer face each other. .
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