KR20210031635A - 유기 일렉트로 루미네선스 소자 - Google Patents
유기 일렉트로 루미네선스 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210031635A KR20210031635A KR1020207033289A KR20207033289A KR20210031635A KR 20210031635 A KR20210031635 A KR 20210031635A KR 1020207033289 A KR1020207033289 A KR 1020207033289A KR 20207033289 A KR20207033289 A KR 20207033289A KR 20210031635 A KR20210031635 A KR 20210031635A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- substituted
- atom
- substituent
- carbon atoms
- Prior art date
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 20
- -1 diamine compound Chemical class 0.000 claims abstract description 80
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical group C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 275
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 71
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 27
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 23
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 21
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 15
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 14
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 13
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 11
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 claims description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 11
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 11
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 11
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 9
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 6
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 113
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 32
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 abstract description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 121
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 30
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 30
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 25
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 21
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 17
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 15
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].[Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N 0.000 description 10
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 8
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 0 *c1ccccc1 Chemical compound *c1ccccc1 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001555 benzenes Chemical group 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 150000004322 quinolinols Chemical class 0.000 description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNYBXIYYTZLEDJ-UHFFFAOYSA-N O1C(=NC2=C1C=CC=C2)C1=CC=C(C=C1)NC1=CC=CC=C1 Chemical compound O1C(=NC2=C1C=CC=C2)C1=CC=C(C=C1)NC1=CC=CC=C1 PNYBXIYYTZLEDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 3
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 3
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 3
- YGNUPJXMDOFFDO-UHFFFAOYSA-N n,4-diphenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YGNUPJXMDOFFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 3
- DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(4-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 3
- PRWATGACIORDEL-UHFFFAOYSA-N 2,4,5,6-tetra(carbazol-9-yl)benzene-1,3-dicarbonitrile Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=C(C#N)C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1C#N PRWATGACIORDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- SQONOGOQHGYYFZ-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-2-(4-bromophenyl)-1,3-benzoxazole Chemical compound BrC1=CC=CC2=C1N=C(O2)C1=CC=C(C=C1)Br SQONOGOQHGYYFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GMWKBQYWTOHZLU-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-2-(4-bromophenyl)-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=NC2=CC(Br)=CC=C2O1 GMWKBQYWTOHZLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXBVKJYYSWMZNA-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-2-(4-bromophenyl)benzotriazole Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1N1N=C2C=C(Br)C=CC2=N1 FXBVKJYYSWMZNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VKQCQOWRUMALAP-UHFFFAOYSA-N 6-bromo-2-(4-bromophenyl)-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1C1=NC2=CC=C(Br)C=C2O1 VKQCQOWRUMALAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 2
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 125000001164 benzothiazolyl group Chemical group S1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- 125000004541 benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004988 dibenzothienyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 125000005956 isoquinolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 2
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 2
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- ZABORCXHTNWZRV-UHFFFAOYSA-N 10-[4-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl]phenoxazine Chemical compound O1C2=CC=CC=C2N(C2=CC=C(C=C2)C2=NC(=NC(=N2)C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)C2=C1C=CC=C2 ZABORCXHTNWZRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 2-carbazol-9-yl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXNYCQRAJCGMGJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-n-(2-phenylphenyl)-n-[4-[4-(2-phenyl-n-(2-phenylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C(=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WXNYCQRAJCGMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAUCIDPGGHZXRP-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-n-(4-phenylphenyl)aniline Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC=1NC(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 JAUCIDPGGHZXRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMXUZRDRAVDFNZ-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(5-carbazol-9-ylbenzotriazol-2-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N2N=C3C=C(C=CC3=N2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 CMXUZRDRAVDFNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFEWJHOBOWFNRV-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[9-(4-carbazol-9-ylphenyl)fluoren-9-yl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C(C=C1)=CC=C1C1(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C12 GFEWJHOBOWFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMFHNDNJAIDZKA-UHFFFAOYSA-N C(C(C=C1)c([o]c2c3)nc2ccc3N(C2C=CC(c3ccccc3)=CC22)c(cc3)c2cc3-c2ccccc2)C=C1[n](c(ccc(C1C=CC=CC1)c1)c1c1c2)c1ccc2-c1ccccc1 Chemical compound C(C(C=C1)c([o]c2c3)nc2ccc3N(C2C=CC(c3ccccc3)=CC22)c(cc3)c2cc3-c2ccccc2)C=C1[n](c(ccc(C1C=CC=CC1)c1)c1c1c2)c1ccc2-c1ccccc1 QMFHNDNJAIDZKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSCVMQIKZAZHPI-UHFFFAOYSA-N C(C1)c(cccc2)c2N1c(cc1)ccc1Nc1ccccc1 Chemical compound C(C1)c(cccc2)c2N1c(cc1)ccc1Nc1ccccc1 PSCVMQIKZAZHPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORGAUBDVUKHQPV-UHFFFAOYSA-N C1C=CC(c([o]c2c3)nc2ccc3N(c2ccccc2)c(cc2)ccc2-c([o]c2c3)nc2ccc3N(c2ccccc2)C2=CCC3N=C(c4ccccc4)OC3=C2)=CC1 Chemical compound C1C=CC(c([o]c2c3)nc2ccc3N(c2ccccc2)c(cc2)ccc2-c([o]c2c3)nc2ccc3N(c2ccccc2)C2=CCC3N=C(c4ccccc4)OC3=C2)=CC1 ORGAUBDVUKHQPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCEMLBFHTLKPOG-UHFFFAOYSA-N CC1C=CC(C(C=CC23)=CC2Oc(cccc2)c2N3c2ccc3nc(C4C=CC(N(c(cccc5)c5Oc5c6)c5ccc6-c5ccccc5)=CC4)[o]c3c2)=CC1 Chemical compound CC1C=CC(C(C=CC23)=CC2Oc(cccc2)c2N3c2ccc3nc(C4C=CC(N(c(cccc5)c5Oc5c6)c5ccc6-c5ccccc5)=CC4)[o]c3c2)=CC1 VCEMLBFHTLKPOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000882 Ca alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTNXPKDINAISFF-UHFFFAOYSA-N Fc(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c([o]c1c2)nc1ccc2N(c1ccccc1)c(cc1)ccc1-c1ccccc1)c1ccc(cccc2)c2c1 Chemical compound Fc(cc1)ccc1N(c(cc1)ccc1-c([o]c1c2)nc1ccc2N(c1ccccc1)c(cc1)ccc1-c1ccccc1)c1ccc(cccc2)c2c1 FTNXPKDINAISFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSYKWJCNQOXEAZ-UHFFFAOYSA-N N-[4-[4-(naphthalen-1-ylamino)-2-phenylphenyl]phenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=C(C=CC(=C1)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=C(C=C1)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 GSYKWJCNQOXEAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- AVRWEULSKHQETA-UHFFFAOYSA-N Thiophene-2 Chemical compound S1C=2CCCCCC=2C(C(=O)OC)=C1NC(=O)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F AVRWEULSKHQETA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- JZXXUZWBECTQIC-UHFFFAOYSA-N [Li].C1=CC=CC2=NC(O)=CC=C21 Chemical compound [Li].C1=CC=CC2=NC(O)=CC=C21 JZXXUZWBECTQIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000003670 adamantan-2-yl group Chemical group [H]C1([H])C(C2([H])[H])([H])C([H])([H])C3([H])C([*])([H])C1([H])C([H])([H])C2([H])C3([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001562 benzopyrans Chemical class 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000051 benzyloxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZFXVRMSLJDYJCH-UHFFFAOYSA-N calcium magnesium Chemical compound [Mg].[Ca] ZFXVRMSLJDYJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004623 carbolinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000004520 electroporation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004923 naphthylmethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C* 0.000 description 1
- 125000005186 naphthyloxy group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)O* 0.000 description 1
- 125000004593 naphthyridinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CN=C12)* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N palladium(II) acetate Substances [Pd].CC(O)=O.CC(O)=O LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEXYATIPBLUGSF-UHFFFAOYSA-N phenanthro[9,10-b]pyridine-2,3,4,5,6,7-hexacarbonitrile Chemical group N1=C(C#N)C(C#N)=C(C#N)C2=C(C(C#N)=C(C(C#N)=C3)C#N)C3=C(C=CC=C3)C3=C21 XEXYATIPBLUGSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004625 phenanthrolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C12)* 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N pyridine Substances C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004306 triazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L51/006—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D249/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
- C07D249/16—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms condensed with carbocyclic rings or ring systems
- C07D249/18—Benzotriazoles
- C07D249/20—Benzotriazoles with aryl radicals directly attached in position 2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D263/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings
- C07D263/52—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
- C07D263/54—Benzoxazoles; Hydrogenated benzoxazoles
- C07D263/56—Benzoxazoles; Hydrogenated benzoxazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached in position 2
- C07D263/57—Aryl or substituted aryl radicals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
- C07D403/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing three or more hetero rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H01L51/0052—
-
- H01L51/0061—
-
- H01L51/0062—
-
- H01L51/52—
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
Abstract
본 발명은, 박막의 안정성이나 내구성이 우수한 아릴아민계 재료, 특히 굴절률이 높은 특정한 벤조아졸 고리 구조를 갖는 디아민 화합물을, 농도 10-5 ㏖/ℓ 의 흡수 스펙트럼에 있어서 파장 400 ㎚ 내지 410 ㎚ 에 있어서의 흡광도가 높은 재료를 선별하여, 캡핑층을 구성하는 재료로서 사용한 유기 EL 소자이다.
[화학식 1]
[화학식 1]
Description
본 발명은, 유기 일렉트로 루미네선스 소자 (이하, 유기 EL 소자라고 약칭하는 경우가 있다) 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 출원은, 2018년 07월 17일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2018-134445에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
유기 EL 소자는, 자기 발광성 소자이다. 또한, 유기 EL 소자는, 액정 소자에 비하여 밝아 시인성이 우수하고, 선명한 표시가 가능하다. 이것으로부터, 유기 EL 소자는, 활발한 연구가 이루어져 왔다.
1987년에 이스트만·코닥사의 C. W. Tang 등은, 각종 역할을 각 재료에 분담시킨 적층 구조 소자를 개발하였다. 이에 의해, 그들은, 유기 재료를 사용한 유기 EL 소자를 실용적인 것으로 하였다. 그들은, 전자를 수송할 수 있는 형광체와 정공을 수송할 수 있는 유기물을 적층하고, 양방의 전하를 형광체의 층 안에 주입하여 발광시켰다. 이에 의해, 유기 EL 소자는, 10 V 이하의 전압으로 1000 ㏅/㎡ 이상의 고휘도가 얻어지게 되었다 (예를 들어, 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).
현재까지, 유기 EL 소자의 실용화를 위해서 많은 개량이 이루어져, 적층 구조의 각종 역할은, 더욱 세분화되었다. 기판 상에 순차적으로, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 음극을 형성하고, 저부로부터 발광하는 보텀 이미션 구조의 전계 발광 소자에 의해, 고효율과 내구성이 달성되게 되었다 (예를 들어, 비특허문헌 1 참조).
최근, 높은 일 함수를 가진 금속을 양극으로 이용하여, 상부로부터 발광하는 톱 이미션 구조의 발광 소자가 사용되게 되었다. 화소 회로를 갖는 저부로부터 광을 취출하는 보텀 이미션 구조에서는, 발광부의 면적이 제한되게 된다. 이에 반하여, 톱 이미션 구조의 발광 소자에서는, 상부로부터 광을 취출하기 때문에, 발광부로부터의 광을 화소 회로가 차단하는 경우가 없다. 이 때문에, 톱 이미션 구조의 발광 소자는, 발광부를 넓게 취할 수 있는 이점이 있다. 톱 이미션 구조의 발광 소자에서는, 음극에 LiF/Al/Ag (예를 들어, 비특허문헌 2 참조), Ca/Mg (예를 들어, 비특허문헌 3 참조), LiF/MgAg 등의 반투명 전극이 사용된다.
이와 같은 발광 소자에서는, 발광층에서 발광한 광이 다른 막에 입사하는 경우에, 어느 각도 이상으로 입사하면, 발광층과 다른 막의 계면에서 전반사되게 된다. 이 때문에, 발광한 광의 일부 밖에 이용할 수 없었다. 최근, 광의 취출 효율을 향상시키기 위해서, 굴절률이 낮은 반투명 전극의 외측에, 굴절률이 높은 「캡핑층」 을 형성한 발광 소자가 제안되어 있다 (예를 들어, 비특허문헌 2 및 3 참조).
톱 이미션 구조의 발광 소자에 있어서의 캡핑층의 효과는, 이하와 같이 확인되었다. Ir(ppy)3 을 발광 재료에 사용한 발광 소자에 있어서, 캡핑층이 없는 경우에는 발광 효율이 38 ㏅/A 였다. 이에 반하여, 캡핑층으로서 막 두께 60 ㎚ 의 ZnSe 를 사용한 발광 소자에서는, 64 ㏅/A 로 약 1.7 배의 효율 향상이 확인되었다. 또한, 반투명 전극과 캡핑층의 투과율의 극대점과 효율의 극대점은, 반드시 일치하지 않는 것이 나타나 있다. 광의 취출 효율의 최대점은, 간섭 효과에 의해 결정할 수 있는 것이 나타나 있다 (예를 들어, 비특허문헌 3 참조).
종래, 캡핑층의 형성에는, 정세도가 높은 메탈 마스크를 사용하는 것이 제안되어 있다. 그러나, 고온 조건하에서의 사용에서는, 메탈 마스크에 열에 의한 변형이 발생하기 때문에, 위치 맞춤 정밀도가 저하하는 문제점이 있었다. ZnSe 는, 융점이 1100 ℃ 이상으로 높다 (예를 들어, 비특허문헌 3 참조). 이 때문에, 정세도가 높은 메탈 마스크를 사용해도, ZnSe 를 증착할 때에 메탈 마스크가 변형되기 때문에, 정확한 위치에 증착할 수 없고, 발광 소자 그 자체에도 영향을 줄 가능성이 있다. 또한, 스퍼터법에 의해 ZnSe 를 성막하는 경우에도, 발광 소자에 영향을 주게 된다. 이것으로부터, 무기물은, 캡핑층의 구성 재료로서 적합하지 않다.
그 외에, 굴절률을 조정하는 캡핑층으로서, 트리스(8-하이드록시퀴놀린)알루미늄 (이하, Alq3 이라고 생략한다) 을 사용하는 것이 제안되어 있다 (예를 들어, 비특허문헌 2 참조). Alq3 은, 녹색 발광 재료 또는 전자 수송 재료로서 일반적으로 사용되는 유기 EL 재료로서 알려져 있다. Alq3 은, 청색 발광 재료에 사용되는 450 ㎚ 부근에 약한 흡수를 가진다. 이 때문에, Alq3 을 캡핑층으로서 사용한 청색 발광 소자에서는, 색 순도의 저하 및 광의 취출 효율이 저하하는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 캡핑층을 갖는 소자에서는, 태양광의 파장 400 ㎚ 내지 410 ㎚ 의 광이 통광하여, 소자 내부의 재료에 영향을 주기 때문에, 색 순도 및 광의 취출 효율이 저하하는 문제점도 있었다.
유기 EL 소자의 소자 특성을 개선하기 위해서, 캡핑층에는, 특히, 태양광의 파장 400 ㎚ 내지 410 ㎚ 의 광을 흡수하여, 소자 내부의 재료에 영향을 주지 않는 것이 요구되고 있다. 또한, 유기 EL 소자에 있어서의 광의 취출 효율을 대폭 개선하기 위해서, 캡핑층의 재료로서, 흡광 계수가 높고, 굴절률이 높고, 박막의 안정성 및 내구성이 우수한 재료가 요구되고 있다.
응용 물리학회 제 9 회 강습회 예고집 55 ∼ 61 페이지 (2001)
Appl. Phys. Let., 78, 544 (2001)
Appl. Phys. Let., 82, 466 (2003)
J. Org. Chem., 71, 1802 (2006)
Aust. J. Chem., 45, 371 (1992)
J. Org. Ch㎝., 60, 7508 (1995)
Synth. Commun., 11, 513 (1981)
Appl. Phys. Lett., 98, 083302 (2011)
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 고휘도로 발광 효율 및 전력 효율이 양호하고 장수명인 유기 EL 소자를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은 상기의 목적을 달성하기 위해서, 이하에 나타내는 바와 같이, 예의 연구를 실시하였다.
즉, 아릴아민계 재료가 박막의 안정성 및 내구성이 우수한 것에 주목하여, 굴절률이 높은 특정한 벤조아졸 고리 구조를 갖는 아민 화합물로부터, 농도 10-5 ㏖/ℓ 의 흡수 스펙트럼에 있어서 파장 400 ㎚ 내지 410 ㎚ 에 있어서의 흡광도가 높은 재료를 선별하였다. 그리고, 이 재료를, 캡핑층을 구성하는 재료로서 사용한 유기 EL 소자를 제작하고, 소자의 특성 평가를 예의 실시하였다. 그 결과, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명에 의하면, 이하의 유기 EL 소자가 제공된다.
1) 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층을 포함하는 유기층을 갖고,
상기 제 1 전극의 상기 유기층과 반대측의 면에 캡핑층이 적층되고,
상기 제 1 전극이, 투명 또는 반투명이고,
상기 캡핑층이, 하기 일반식 (a-1) 로 나타내는 벤조아졸 고리 구조를 갖는 디아민 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
[화학식 1]
(식 (a-1) 중, A 는 하기 일반식 (b-1) 로 나타내는 R3 ∼ R12 중, 2 개 지점을 결합 부위로 하는 2 가기를 나타낸다. Ar1 ∼ Ar4 는 각각, 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 하기 일반식 (b-1) 로 나타내는 R3 ∼ R12 중, 1 개 지점을 결합 부위로 하는 1 가기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기를 나타낸다. R1 및 R2 는 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기를 나타낸다. m 및 n 은 0 ∼ 2 의 정수를 나타내고, p 및 q 는 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. 또한, m 또는 n 이 0 인 경우, 단결합으로서 A 가 질소 원자와 결합하고 있는 것을 나타낸다. m 및 n 이 1 이상의 정수인 경우, Ar1, Ar2 및 이들이 결합하고 있는 질소 원자에 인접하는 벤젠 고리, 또는 Ar3, Ar4 및 이들이 결합하고 있는 질소 원자에 인접하는 벤젠 고리는, 질소 원자를 개재하여, 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 치환 혹은 무치환의 아미노기, 산소 원자 또는 황 원자에 의해 결합하여 고리를 형성해도 된다. p 및 q 가 2 이상의 정수인 경우, 동일한 벤젠 고리에 복수 개 결합하는 R1 또는 R2 는 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 또한, 치환한 동일한 벤젠 고리에 대하여, 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 치환 혹은 무치환의 아미노기, 산소 원자 또는 황 원자를 개재하여 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.)
[화학식 2]
(식 (b-1) 중, R3 ∼ R12 는 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 결합 부위로서의 연결기, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기를 나타낸다. X 는 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. Y 는 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자로부터 선택되는 어느 것을 나타낸다. 단, X 가 탄소 원자 그리고 Y 가 산소 원자인 경우, X 가 탄소 원자 그리고 Y 가 황 원자인 경우, 또는 X 가 질소 원자 그리고 Y 가 질소 원자인 경우, Y 는 R12 를 갖지 않는 것으로 한다.)
2) 상기 제 1 전극이 음극이고,
상기 제 2 전극이 양극이고,
상기 유기층이 정공 수송층과 발광층과 전자 수송층을 적어도 포함하고,
상기 양극, 상기 정공 수송층, 상기 발광층, 상기 전자 수송층, 상기 음극 및 상기 캡핑층을 이 순서로 갖는 것을 특징으로 하는 상기 1) 에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
3) 상기 일반식 (b-1) 이, 하기 일반식 (b-2), (b-3) 또는 (b-4) 인 것을 특징으로 하는 상기 1) 에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
[화학식 3]
(식 (b-2), (b-3) 또는 (b-4) 중, R13 ∼ R21 은 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 결합 부위로서의 연결기, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기를 나타낸다.)
4) 상기 일반식 (b-1) 이, 하기 일반식 (b-5), (b-6) 또는 (b-7) 인 것을 특징으로 하는 상기 1) 에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
[화학식 4]
(식 (b-5), (b-6) 또는 (b-7) 중, R22 ∼ R26 은 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 결합 부위로서의 연결기, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기를 나타낸다.)
5) 상기 일반식 (b-1) 이, 하기 일반식 (b-8), (b-9) 또는 (b-10) 인 것을 특징으로 하는 상기 1) 에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
[화학식 5]
(식 (b-8), (b-9) 또는 (b-10) 중, R27 ∼ R30 은 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 결합 부위로서의 연결기, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기를 나타낸다.)
6) 상기 m 과 상기 n 의 합계가, 0, 1 또는 2 인 것을 특징으로 하는 상기 1) ∼ 상기 5) 중 어느 하나에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
7) 상기 일반식 (a-1) 에 있어서의 -NAr1Ar2 와 -NAr3Ar4 의 2 개의 아미노기 골격이, 동일한 것을 특징으로 하는 상기 1) ∼ 상기 6) 중 어느 하나에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
8) 상기 디아민 화합물은, 농도 10-5 ㏖/ℓ 의 흡수 스펙트럼에 있어서의 흡광도가, 400 ㎚ 내지 410 ㎚ 의 파장 범위에서 0.2 이상인 것을 특징으로 하는 상기 1) ∼ 상기 7) 중 어느 하나에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
9) 상기 캡핑층의 두께가, 30 ㎚ ∼ 120 ㎚ 의 범위 내인 것을 특징으로 하는, 상기 1) ∼ 상기 8) 중 어느 하나에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
10) 상기 캡핑층은, 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 파장의 광을 투과시켰을 때의 굴절률이 1.85 이상인, 상기 1) ∼ 상기 9) 중 어느 하나에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
11) 상기 캡핑층은, 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광의 소쇠 계수가 0.2 이상인 상기 1) ∼ 상기 10) 중 어느 하나에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
12) 상기 R1 및 상기 R2 가, 수소 원자인, 상기 1) ∼ 상기 11) 중 어느 하나에 기재된 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
본 발명의 유기 EL 소자는, 고휘도이고 발광 효율 및 전력 효율이 양호하고, 게다가 장수명이다.
도 1 은, 본 실시형태의 유기 EL 소자의 일례를 나타낸 개략 단면도이다.
본 실시형태의 목적은, 유기 EL 소자의 소자 특성을 개선하는 것이다. 특히, 태양광의 파장 400 ㎚ 내지 410 ㎚ 의 광을 흡광하여, 소자 내부의 재료에 영향을 주지 않는 유기 EL 소자로 한다. 또한, 본 실시형태의 목적은, 유기 EL 소자에 있어서의 광의 취출 효율을 대폭 개선한다. 또한, 본 실시형태의 목적은, (1) 흡광 계수가 높고, (2) 굴절률이 높고, (3) 박막의 안정성이 양호하고, (4) 내구성이 우수하고, (5) 내광성이 우수하고, (6) 청, 녹, 및 적색 각각의 파장 영역에 있어서 흡수를 가지지 않는 재료로 구성되는 캡핑층을 구비한 유기 EL 소자를 제공하는 것에 있다.
캡핑층에 적합한 물리적인 특성으로는, (1) 흡광 계수가 높은 것, (2) 굴절률이 높은 것, (3) 증착이 가능한 것, (4) 박막 상태가 안정적인 것, (5) 유리 전이 온도가 높은 것을 들 수 있다.
또한, 유기 EL 소자에 적합한 물리적인 특성으로는, (1) 400 ㎚ 내지 410 ㎚ 의 광을 흡수하는 것, (2) 광의 취출 효율이 높은 것, (3) 색 순도의 저하가 없는 것, (4) 시간 경과적 변화하지 않고 광을 투과하는 것, (5) 장수명인 것을 들 수 있다.
「유기 EL 소자」
본 실시형태의 유기 EL 소자는, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층을 포함하는 유기층을 갖고, 제 1 전극의 유기층과 반대측의 면에 캡핑층이 적층된 것이다.
유기층은, 발광층을 포함하는 것이고, 발광층만이어도 되고, 발광층과, 그 밖의 유기층이 적층된 적층 구조를 갖는 것이어도 된다. 유기층은, 기능 분리형 구조가 발광 효율을 향상시키는 것이 가능하기 때문에, 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 발광층이 배치된 것이 바람직하다.
제 1 전극은, 양극 또는 음극이다. 제 2 전극은, 제 1 전극이 양극인 경우에는 음극이고, 제 1 전극이 음극인 경우에는 양극이다.
캡핑층은, 제 1 전극의 유기층과 반대측의 면뿐만 아니라, 제 2 전극의 유기층과 반대측의 면에도 형성되어 있어도 된다.
캡핑층에 접하여 배치되는 제 1 전극은, 투명 또는 반투명이다. 이 때문에, 광의 취출 효율이 높은 유기 EL 소자가 된다. 또한, 제 2 전극의 유기층과 반대측의 면에도 캡핑층이 형성되어 있는 경우, 캡핑층에 접하여 배치되는 제 2 전극은, 광의 취출 효율이 높은 유기 EL 소자가 되기 때문에, 투명 또는 반투명인 것이 바람직하다. 제 1 전극 및/또는 제 2 전극에 사용되는 투명 또는 반투명의 재료로는, 예를 들어, MgAg 합금 등을 들 수 있다.
본 실시형태의 유기 EL 소자의 구조로는, 예를 들어, 톱 이미션 구조의 발광 소자인 경우, 유리 기판 상에 순차적으로, 양극, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 음극 및 캡핑층이 형성된 다층 구조를 들 수 있다. 또한, 양극과 정공 수송층 사이에 정공 주입층을 갖는 것, 정공 수송층과 발광층 사이에 전자 저지층을 갖는 것, 발광층과 전자 수송층 사이에 정공 저지층을 갖는 것, 전자 수송층과 음극 사이에 전자 주입층을 갖는 것을 들 수 있다.
도 1 은, 본 실시형태의 유기 EL 소자의 일례를 나타낸 개략 단면도이다. 도 1 에 나타내는 유기 EL 소자는, 유리 기판 (1) 상에, 양극 (2), 정공 주입층 (3), 정공 수송층 (4), 발광층 (5), 전자 수송층 (6), 전자 주입층 (7), 음극 (8), 캡핑층 (9) 이, 이 순서로 적층된 톱 이미션 구조의 것이다. 도 1 에 나타내는 유기 EL 소자에서는, 제 1 전극이 음극 (8) 이고, 제 2 전극이 양극이다. 또한, 도 1 에 나타내는 유기 EL 소자에서는, 유기층이, 정공 수송층 (4) 과 발광층 (5) 과 전자 수송층 (6) 을 포함한다.
이들 다층 구조에 있어서는, 유기층을 몇 층 정도 생략 혹은 겸하는 것이 가능하다. 예를 들어, 정공 주입층과 정공 수송층을 겸한 구성, 정공 수송층과 전자 저지층을 겸한 구성, 정공 저지층과 전자 수송층을 겸한 구성, 전자 수송층과 전자 주입층을 겸한 구성으로 하는 것, 등도 가능하다. 또한, 동일한 기능을 갖는 유기층을 2 층 이상 적층한 구성으로 하는 것도 가능하다. 예를 들어, 정공 수송층을 2 층 적층한 구성, 발광층을 2 층 적층한 구성, 전자 수송층을 2 층 적층한 구성, 캡핑층을 2 층 적층한 구성, 등도 가능하다.
유기 EL 소자의 각 층의 막 두께의 합계는, 200 ㎚ ∼ 750 ㎚ 정도가 바람직하고, 350 ㎚ ∼ 600 ㎚ 정도가 보다 바람직하다.
도 1 에 나타내는 유기 EL 소자에 있어서의 캡핑층 (9) 은, 벤조아졸 고리 구조를 갖는 상기 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물을 함유한다. 도 1 에 나타내는 유기 EL 소자에 있어서, 캡핑층 (9) 의 다른 층에 사용하는 재료에는 특별히 제한은 없다. 이하, 유기 EL 소자의 각 층의 재료에 대하여 구체적으로 예를 들어 설명하지만, 각 층의 재료는, 이들에 한정되지 않는다.
「캡핑층」
본 실시형태의 유기 EL 소자에 있어서, 상기 캡핑층의 두께는, 30 ㎚ 내지 120 ㎚ 의 범위인 것이 바람직하고, 40 ㎚ 내지 80 ㎚ 의 범위인 것이 보다 바람직하다. 캡핑층의 두께가 30 ㎚ 이상이면, 캡핑층을 갖는 것에 의한 효과가 현저해지기 때문에 바람직하다. 캡핑층의 두께가 120 ㎚ 이하이면, 캡핑층의 두께가, 유기 EL 소자의 박막화에 지장을 초래하는 것을 억제할 수 있기 때문에 바람직하다. 캡핑층의 막 두께가 30 ㎚ ∼ 120 ㎚ 인 경우, 양호한 광의 취출 효율이 얻어진다.
또한, 캡핑층의 막 두께는, 발광층에 사용하는 발광 재료의 종류, 캡핑층 이외의 유기 EL 소자의 각 층의 두께 등에 따라, 적절히 변경할 수 있다.
본 실시형태의 유기 EL 소자에 있어서는, 캡핑층의 굴절률이, 그 캡핑층을 투과하는 광의 파장이 450 ㎚ ∼ 750 ㎚ 의 범위 내에 있어서, 1.85 이상인 것이 바람직하고, 1.90 이상인 것이 보다 바람직하다.
캡핑층의 굴절률은, 유기 EL 소자의 광의 취출 효율의 향상에 관한 지표가 된다.
캡핑층의 굴절률은, 인접하는 전극의 굴절률보다 큰 것이 바람직하다. 즉, 캡핑층에 의해, 유기 EL 소자에 있어서의 광의 취출 효율은 향상된다. 그 효과는, 캡핑층과 캡핑층에 접하고 있는 재료의 계면에서의 반사율이 큰 것이, 광 간섭의 효과가 크기 때문에 유효하다. 그 때문에, 캡핑층의 굴절률은, 인접하는 전극의 굴절률보다 큰 것이 바람직하고, 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광의 굴절률이 1.70 이상인 것이 바람직하고, 1.80 이상이 보다 바람직하고, 1.85 이상인 것이 특히 바람직하다.
본 실시형태의 유기 EL 소자의 캡핑층은, 특히 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광을 투과시켰을 때의 굴절률이 2.10 ∼ 3.00 인 것이 바람직하다. 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광을 투과시켰을 때의 굴절률이 2.10 이상인 캡핑층을 갖는 유기 EL 소자는, 광의 취출 효율이 높고, 고휘도이고 발광 효율 및 전력 효율이 양호한 것이 되기 때문에 바람직하다.
또한, 본 실시형태의 유기 EL 소자의 캡핑층은, 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광의 소쇠 계수가 0.2 ∼ 1.50 인 것이 바람직하다. 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광의 소쇠 계수가 0.2 이상인 캡핑층은, 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광을 흡수하는 기능이 양호하다. 따라서, 상기 소쇠 계수가 0.2 이상인 캡핑층을 구비하는 유기 EL 소자는, 내광성이 양호하여 색 순도를 장기에 걸쳐 유지할 수 있다. 그 결과, 이 유기 EL 소자는, 휘도의 열화가 억제된 수명이 긴 것이 된다.
또한, 본 실시형태의 유기 EL 소자에 구비되어 있는 캡핑층은, 1 층의 박막만으로 형성된 것이어도 되고, 재료가 상이한 2 종류 이상의 박막이 적층된 것이어도 된다.
또한, 캡핑층은, 1 종류의 재료만으로 형성된 것이어도 되고, 2 종류 이상의 재료를 혼합하여 포함하는 것이어도 된다.
본 실시형태의 유기 EL 소자의 캡핑층은, 벤조아졸 고리 구조를 갖는 상기 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물을 함유한다.
상기 디아민 화합물은, 증착법에 의해 성막 형성할 수 있다. 또한, 상기 디아민 화합물은, 증착법 외에, 스핀 코트법 및/또는 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해서도 박막 형성할 수 있다.
캡핑층으로는, 상기 디아민 화합물을 단독으로 성막한 것을 사용해도 되고, 다른 재료와 함께 혼합하여 성막한 단층을 사용해도 된다. 캡핑층은, 상기 디아민 화합물을 단독으로 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 다른 재료와 함께 혼합하여 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 또는 단독으로 성막한 층과 혼합하여 성막한 층을 적층한 구조로 해도 된다.
「일반식 (a-1) 로 나타내는 화합물」
본 실시형태의 유기 EL 소자에 구비되어 있는 캡핑층은, 벤조아졸 고리 구조를 갖는 상기 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물을 함유한다.
일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물은, -NAr1Ar2 와 -NAr3Ar4 의 2 개의 아미노기 골격을 가지고 있다. 게다가, 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물은, 식 중의 A 가 식 (b-1) 로 나타내는 벤조아졸 고리 구조를 가지고 있다. 또는, Ar1 ∼ Ar4 중 어느 1 개 이상 및 A 가, 식 (b-1) 로 나타내는 벤조아졸 고리 구조를 가지고 있다. 이 때문에, 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물은, 파장 400 ㎚ 내지 410 ㎚ 의 광의 흡광도가 높은 것이고, 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광을 투과시켰을 때의 굴절률 및 소쇠 계수가 높은 박막을 형성할 수 있다. 따라서, 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물을 함유하는 캡핑층을 구비하는 본 실시형태의 유기 EL 소자는, 고휘도이고 발광 효율 및 전력 효율이 양호하고 장수명이다.
또한, 상기 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물이 갖는 2 개의 아미노기 골격 (-NAr1Ar2 및 -NAr3Ar4) 은, 양방 모두 「-NH2」 로 나타내는 아미노기가 아니다. -NAr1Ar2 및 -NAr3Ar4 는, 각각, 제 2 급 아민으로부터 수소를 1 개 제거한 「-NRR' (R 및 R' 는 치환기를 나타낸다)」 로 나타내는 아미노기 골격을 갖는다. -NAr1Ar2 및 -NAr3Ar4 가 갖는 「-NRR'」 로 나타내는 아미노기 골격은, -N 과, -R 및/또는 -R' 가 고리를 형성하고 있는 것이어도 된다.
일반식 (a-1) 중의 Ar1 내지 Ar4 로 나타내는 「치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기」, 「치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기」 또는 「치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기」 에 있어서의 「방향족 탄화수소기」, 「방향족 복소 고리기」 또는 「축합 다고리 방향족기」 로는, 구체적으로, 페닐기, 비페닐릴기, 터페닐릴기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 인데닐기, 피레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 피리딜기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 푸릴기, 피롤릴기, 티에닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 벤조푸라닐기, 벤조티에닐기, 인돌릴기, 카르바졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 퀴녹살리닐기, 벤조이미다졸릴기, 피라졸릴기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티에닐기, 나프티리디닐기, 페난트롤리닐기, 아크리디닐기, 및 카르볼리닐기 등 외에, 탄소수 6 ∼ 30 으로 이루어지는 아릴기, 또는 탄소수 2 ∼ 20 으로 이루어지는 헤테로아릴기 등에서 선택된다.
일반식 (a-1) 중의 Ar1 내지 Ar4 로 나타내는 「치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기」, 「치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기」 또는 「치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기」 에 있어서의 「치환기」 로는, 구체적으로, 중수소 원자, 트리플루오로메틸기, 시아노기, 니트로기 ; 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자 ; 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기 등의 실릴기 ; 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기 ; 메틸옥시기, 에틸옥시기, 프로필옥시기 등의 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기 ; 페닐옥시기, 톨릴옥시기 등의 아릴옥시기 ; 벤질옥시기, 페네틸옥시기 등의 아릴알킬옥시기 ; 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기 ; 벤질기, 나프틸메틸기, 페네틸기 등의 아르알킬기 ; 페닐기, 비페닐릴기, 터페닐릴기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 인데닐기, 피레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기 등의 방향족 탄화수소기 혹은 축합 다고리 방향족기 ; 피리딜기, 티에닐기, 푸릴기, 피롤릴기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 벤조푸라닐기, 벤조티에닐기, 인돌릴기, 카르바졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 퀴녹살리닐기, 벤조이미다졸릴기, 피라졸릴기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티에닐기, 카르볼리닐기 등의 방향족 복소 고리기 외에, 탄소수 6 ∼ 30 으로 이루어지는 아릴기, 또는 탄소수 2 ∼ 20 으로 이루어지는 헤테로아릴기 등을 들 수 있다. 이들 치환기는, 추가로, 상기 예시한 치환기에 의해 치환되어 있어도 된다. 또한, 이들 치환기와 치환된 벤젠 고리, 또는 동일한 벤젠 고리에 복수 치환된 치환기끼리가, 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 치환 혹은 무치환의 아미노기, 산소 원자 또는 황 원자를 개재하여 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.
일반식 (a-1), (b-1), (b-2), (b-3), (b-4), (b-5), (b-6), (b-7), (b-8), (b-9) 및 (b-10) 중의 R1 내지 R30 으로 나타내는 「치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기」, 「치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기」, 또는 「치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기」 에 있어서의 「탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기」, 「탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기」, 「탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기」 로는, 구체적으로, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 비닐기, 알릴기, 이소프로페닐기 및 2-부테닐기 등을 들 수 있다. 이들 기끼리는 치환된 동일한 벤젠 고리에 대하여, 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 치환 혹은 무치환의 아미노기, 산소 원자 또는 황 원자를 개재하여 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.
일반식 (a-1), (b-1), (b-2), (b-3), (b-4), (b-5), (b-6), (b-7), (b-8), (b-9) 및 (b-10) 중의 R1 내지 R30 으로 나타내는 「치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기」, 「치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기」, 또는 「치환 혹은 무치환의 아릴옥시기」 에 있어서의 「탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기」, 「탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기」, 또는 「아릴옥시기」 로는, 구체적으로, 메틸옥시기, 에틸옥시기, n-프로필옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 1-아다만틸옥시기, 2-아다만틸옥시기, 페닐옥시기, 톨릴옥시기, 나프틸옥시기, 플루오레닐옥시기, 및 비페닐옥시기 등을 들 수 있다. 이들 기끼리는 치환된 동일한 벤젠 고리에 대하여, 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 치환 혹은 무치환의 아미노기, 산소 원자 또는 황 원자를 개재하여 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.
일반식 (a-1), (b-1), (b-2), (b-3), (b-4), (b-5), (b-6), (b-7), (b-8), (b-9) 및 (b-10) 중의 R1 내지 R30 으로 나타내는 「치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기」, 「치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기」 또는 「치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기」 에 있어서의 「방향족 탄화수소기」, 「방향족 복소 고리기」 또는 「축합 다고리 방향족기」 로는, 상기 일반식 (a-1) 중의 Ar1 내지 Ar4 로 나타내는 「치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기」, 「치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기」 또는 「치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기」 에 있어서의 「방향족 탄화수소기」, 「방향족 복소 고리기」 또는 「축합 다고리 방향족기」 에 관해서 나타낸 것과 동일한 것을 들 수 있고, 취할 수 있는 양태도, 동일한 것을 들 수 있다.
일반식 (a-1), (b-1), (b-2), (b-3), (b-4), (b-5), (b-6), (b-7), (b-8), (b-9) 및 (b-10) 중의 R1 내지 R30 으로 나타내는 「치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기」, 「치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기」, 「치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기」, 「치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기」, 「치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기」, 「치환 아릴옥시기」, 「치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기」, 「치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기」, 또는 「치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기」 에 있어서의 「치환기」 로는, 상기 일반식 (a-1) 중의 Ar1 내지 Ar4 로 나타내는 「치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기」, 「치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기」 또는 「치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기」 에 있어서의 「치환기」 에 관해서 나타낸 것과 동일한 것을 들 수 있고, 취할 수 있는 양태도, 동일한 것을 들 수 있다.
일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물로는, 상기 일반식 (a-1) 에 있어서의 -NAr1Ar2 와 -NAr3Ar4 의 2 개의 아미노기 골격은 동일한 것이어도 되고, 상이한 것이어도 된다. -NAr1Ar2 와 -NAr3Ar4 의 2 개의 아미노기 골격이 동일한 경우, 합성이 용이하기 때문에 바람직하다.
상기 일반식 (a-1) 에 있어서의 Ar1 내지 Ar4 중, 적어도 2 개 지점은 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기가 바람직하고, 치환 혹은 무치환의 페닐기 또는 비페닐기가 보다 바람직하다.
일반식 (a-1) 에 포함되는 2 개의 아미노기 골격 (-NAr1Ar2 와 -NAr3Ar4) 에 있어서의 치환기 Ar1 ∼ Ar4 모두가, 무치환의 페닐기 또는 비페닐기인 것이 바람직하다.
상기 일반식 (a-1) 에 있어서의 m 과 n 의 합계는 2 이하 (0, 1 또는 2) 인 것이 바람직하고, 1 이하 (0 또는 1) 인 것이 보다 바람직하고, m 과 n 이 모두 0 인 것이 가장 바람직하다.
일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물은, A 로서의 식 (b-1) 로 나타내는 벤조아졸 고리 구조에 있어서의 X 가 탄소 또는 질소이고, Y 가 산소 또는 질소인 것이 바람직하다. 또한, X 가 질소인 경우, Y 도 질소인 것이 보다 바람직하다. 또한, X 가 탄소인 경우, Y 가 산소인 것이 보다 바람직하다. 식 (a-1) 중의 A 로서의 식 (b-1) 에 있어서의 X 가 탄소이고 Y 가 산소인 경우, 소쇠 계수가 0.2 이상이고, 또한 흡광도가 크기 때문에, 이것을 포함하는 캡핑층을 갖는 유기 EL 소자는, 보다 광 취출 효율이 향상되는 효과가 얻어진다.
본 실시형태의 유기 EL 소자에 바람직하게 사용되는, 벤조아졸 고리 구조를 갖는 상기 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물 중에서, 바람직한 화합물의 구체예로서, 식 (1) ∼ (103) 으로 나타내는 화합물을 이하에 나타낸다. 또한, 일반식 (a-1) 로 나타내는 화합물은, 식 (1) ∼ (103) 으로 나타내는 화합물로 한정되는 것은 아니다.
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
[화학식 10]
[화학식 11]
[화학식 12]
[화학식 13]
[화학식 14]
[화학식 15]
[화학식 16]
[화학식 17]
[화학식 18]
캡핑층의 재료로는, 식 (1) ∼ (103) 으로 나타내는 화합물 중에서도, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물로부터 선택되는 어느 1 종 또는 2 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
이들 화합물은, 농도 10-5 ㏖/ℓ 에서의 파장 400 ㎚ ∼ 410 ㎚ 에 있어서의 흡광도가 0.2 이상이고, 파장 400 ㎚ ∼ 410 ㎚ 의 광을 흡수하는 기능이 양호하다.
또한, 이들 화합물을 증착하여 형성한 두께가 30 ㎚ ∼ 120 ㎚ 인 증착막은, 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광을 투과시켰을 때의 굴절률이 2.10 ∼ 3.00 이고, 소쇠 계수가 0.2 ∼ 1.50 인 막이 된다.
따라서, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물로부터 선택되는 어느 1 종 또는 2 종 이상을 캡핑층의 재료로서 사용함으로써, 보다 더욱, 고휘도이고 발광 효율 및 전력 효율이 양호하고, 보다 장수명인 유기 EL 소자가 얻어진다.
일반식 (a-1) 로 나타내는 화합물로는, 유리 전이점 (Tg) 이, 100 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 화합물의 유리 전이점 (Tg) 은, 박막 상태의 안정성의 지표가 된다. 화합물의 유리 전이점 (Tg) 이 100 ℃ 이상이면, 안정성이 양호한 박막을 형성할 수 있기 때문에, 캡핑층의 재료로서 바람직하다. 안정성이 양호한 캡핑층을 구비하는 유기 EL 소자는, 수명이 길어, 바람직하다.
본 실시형태에 있어서의 일반식 (a-1) 로 나타내는 화합물의 융점 및 유리 전이점 (Tg) 은, 화합물의 분말체를 사용하여 고감도 시차 주사 열량계 (브루커·에이엑스에스 제조, DSC3100SA) 에 의해 측정하여 얻은 것이다.
일반식 (a-1) 로 나타내는 화합물로는, 농도 10-5 ㏖/ℓ 에서의 파장 400 ㎚ ∼ 410 ㎚ 에 있어서의 흡광도가 0.2 ∼ 1.5 인 것이 바람직하고, 파장 400 ㎚ 에 있어서의 흡광도가 0.6 ∼ 1.5 인 것이 보다 바람직하다. 파장 400 ㎚ ∼ 410 ㎚ 에 있어서의 흡광도가 0.2 이상인 화합물을 포함하는 캡핑층은, 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광을 흡수하는 기능이 양호하다. 따라서, 상기 흡광도가 0.2 이상인 화합물을 포함하는 캡핑층을 구비하는 유기 EL 소자는, 내광성이 양호하고 수명이 긴 것이 된다.
일반식 (a-1) 로 나타내는 화합물의 흡광도는, 톨루엔 용매로 농도 10-5 ㏖/ℓ 로 조절하고, 자외 가시 근적외 분광 광도계 (니혼 분광 제조, V-650) 를 사용하여 측정한 것이다.
일반식 (a-1) 로 나타내는 화합물로는, 흡광 계수가 80000 ∼ 200000 의 범위인 것이 바람직하다. 화합물의 흡광 계수가 상기 범위이면, 광을 흡수하는 기능이 양호한 박막을 형성할 수 있기 때문에, 캡핑층의 재료로서 바람직하다.
일반식 (a-1) 로 나타내는 화합물의 흡광 계수는, 이하에 나타내는 방법에 의해 구하였다. 먼저, 톨루엔 용액으로, 5.0 × 10-6 ㏖/ℓ, 1.0 × 10-5 ㏖/ℓ, 1.5 × 10-5 ㏖/ℓ, 2.0 × 10-5 ㏖/ℓ 의 4 종류의 농도로 조절한 화합물의 샘플을 제작한다. 다음으로, 각 샘플의 피크 파장에 있어서의 흡광도를, 자외 가시 근적외 분광 광도계 (니혼 분광 제조, V-650) 를 사용하여 측정한다. 그 결과를 사용하여 검량선을 작성하고, 화합물의 흡광 계수를 산출한다.
「일반식 (a-1) 로 나타내는 화합물의 제조 방법」
벤조아졸 고리 구조를 갖는 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물은, 예를 들어, 이하에 나타내는 방법에 의해 제조할 수 있다.
먼저, 식 (b-1) 로 나타내는 벤조아졸 고리 구조를 형성하기 위해서, 원료로서 사용하는 할로겐화벤조아졸 유도체를 제조한다. 식 (b-1) 로 나타내는 벤조아졸 고리 구조에 대응하는 구조를 갖는 할로겐화벤조아졸 유도체는, 예를 들어, 그 자체 공지된 수법에 의해 합성할 수 있다 (예를 들어, 비특허문헌 4 참조, 비특허문헌 5 참조).
이하에 나타내는 반응식에 있어서, X, X' 및 X" 는 모두 할로겐이다. 또한, -N(Ar')2 및 -N(Ar")2 는, 일반식 (a-1) 에 있어서의 -NAr1Ar2 또는 -NAr3Ar4 이다.
[화학식 19]
또한, 합성한 할로겐화벤조아졸 유도체와, 예를 들어 아릴아민을, 구리 촉매 및/또는 팔라듐 촉매 등을 사용하여 커플링 반응시킨다. 이에 의해, 벤조아졸 고리 구조를 갖는 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물을 합성할 수 있다.
또한, 할로겐화벤조아졸 유도체 대신에, 보론산 유도체, 또는 보론산에스테르 유도체를 사용하여, 할로겐화아릴아민과 커플링 반응시킴으로써, 동일하게 하여 벤조아졸 고리 구조를 갖는 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물을 합성할 수 있다 (예를 들어, 비특허문헌 6, 7 참조).
이와 같이 하여 합성한 일반식 (a-1) 로 나타내는 화합물은, 칼럼 크로마토그래프에 의한 정제, 실리카 겔, 활성탄, 활성 백토 등에 의한 흡착 정제, 용매에 의한 재결정이나 정석법, 승화 정제법 등에 의해 정제하고 나서 사용하는 것이 바람직하다.
합성한 일반식 (a-1) 로 나타내는 화합물의 동정은, 핵 자기 공명 (NMR) 분석으로 실시할 수 있다.
「양극」
본 실시형태의 유기 EL 소자에서는, 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있다. 양극의 재료로는, ITO (산화인듐주석) 나 금과 같은 일 함수가 큰 전극 재료가 사용된다.
양극의 제조 방법으로는, 증착법 등, 공지된 방법을 사용할 수 있다.
「유기층」
본 실시형태에서는, 유기층으로서, 양극측으로부터 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층이, 이 순서로 적층된 것을 갖는 경우를 예로 들어 설명한다.
(정공 주입층)
본 실시형태의 유기 EL 소자의 정공 주입층의 재료로는, 분자 중에 트리페닐아민 구조를 3 개 이상, 단결합 또는 헤테로 원자를 포함하지 않는 2 가기로 연결된 구조를 갖는 아릴아민 화합물, 예를 들어, 스타버스트형의 트리페닐아민 유도체, 여러 가지 트리페닐아민 4 량체 등의 재료나 동프탈로시아닌으로 대표되는 포르피린 화합물, 헥사시아노아자트리페닐렌과 같은 억셉터성의 복소 고리 화합물이나 도포형의 고분자 재료를 사용할 수 있다.
정공 주입층으로는, 이들 재료를 단독으로 성막한 것을 사용해도 되고, 2 종 이상의 재료를 혼합하여 성막한 단층을 사용해도 된다. 정공 주입층은, 상기의 재료를 단독으로 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 다른 재료와 함께 혼합하여 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 또는 단독으로 성막한 층과 혼합하여 성막한 층을 적층한 구조로 해도 된다.
이들 재료는, 증착법에 의해 박막 형성을 실시해도 되고, 증착법 외에, 스핀 코트법이나 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 실시해도 된다.
(정공 수송층)
본 실시형태의 유기 EL 소자의 정공 수송층의 재료로는, N,N'-디페닐-N,N'-디(m-톨릴)벤지딘 (이후, TPD 라고 약칭한다) 이나 N,N'-디페닐-N,N'-디(α-나프틸)벤지딘 (이후, NPD 라고 약칭한다), N,N,N',N'-테트라비페닐릴벤지딘 등의 벤지딘 유도체, 1,1-비스[4-(디-4-톨릴아미노)페닐]시클로헥산 (이후, TAPC 라고 약칭한다) 등을 사용하는 것이 바람직하다. 정공 수송층의 재료로는, 특히 분자 중에 트리페닐아민 구조를 2 개, 단결합 또는 헤테로 원자를 포함하지 않는 2 가기로 연결된 구조를 갖는 아릴아민 화합물, 예를 들어, N,N,N',N'-테트라비페닐릴벤지딘 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 정공 수송층의 재료로는, 분자 중에 트리페닐아민 구조를 3 개 이상, 단결합, 또는 헤테로 원자를 포함하지 않는 2 가기로 연결한 구조를 갖는 아릴아민 화합물, 예를 들어, 여러 가지 트리페닐아민 3 량체 및 4 량체 등을 사용하는 것이 바람직하다.
정공 수송층으로는, 이들 재료를 단독으로 성막한 것을 사용해도 되고, 2 종 이상의 재료를 혼합하여 성막한 단층을 사용해도 된다. 정공 수송층은, 상기의 재료를 단독으로 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 다른 재료와 함께 혼합하여 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 또는 단독으로 성막한 층과 혼합하여 성막한 층을 적층한 구조로 해도 된다.
이들 재료는 증착법에 의해 박막 형성을 실시해도 되고, 증착법 외에, 스핀 코트법이나 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 실시해도 된다.
또한, 정공 주입층 및 정공 수송층의 재료로는, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) (이후, PEDOT 라고 약칭한다)/폴리(스티렌술포네이트) (이후, PSS 라고 약칭한다) 등의 도포형의 고분자 재료를 사용해도 된다.
또한, 정공 주입층 혹은 정공 수송층에 있어서, 그 층에 통상적으로 사용되는 재료에 대하여, 추가로 트리스브로모페닐아민헥사클로르안티몬, 라디알렌 유도체 (예를 들어, 특허문헌 3 참조) 등을 P 도핑한 것이나, TPD 등의 벤지딘 유도체의 구조를 그 부분 구조로 갖는 고분자 화합물 등을 사용해도 된다.
(전자 저지층)
본 실시형태의 유기 EL 소자의 전자 저지층의 재료로는, 4,4',4"-트리(N-카르바졸릴)트리페닐아민 (이후, TCTA 라고 약칭한다), 9,9-비스[4-(카르바졸-9-일)페닐]플루오렌, 1,3-비스(카르바졸-9-일)벤젠 (이후, mCP 라고 약칭한다), 2,2-비스(4-카르바졸-9-일-페닐)아다만탄 (이후, Ad-Cz 라고 약칭한다) 등의 카르바졸 유도체, 9-[4-(카르바졸-9-일)페닐]-9-[4-(트리페닐실릴)페닐]-9H-플루오렌으로 대표되는 트리페닐실릴기와 트리아릴아민 구조를 갖는 화합물 등의 전자 저지 작용을 갖는 화합물을 사용할 수 있다.
전자 저지층으로는, 이들 재료를 단독으로 성막한 것을 사용해도 되고, 2 종류 이상의 재료를 혼합하여 성막한 단층을 사용해도 된다. 전자 저지층은, 상기의 재료를 단독으로 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 다른 재료와 함께 혼합하여 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 또는 단독으로 성막한 층과 혼합하여 성막한 층을 적층한 구조로 해도 된다.
이들 재료는 증착법에 의해 박막 형성을 실시해도 되고, 증착법 외에, 스핀 코트법이나 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 실시해도 된다.
(발광층)
본 실시형태의 유기 EL 소자의 발광층의 재료로는, Alq3 을 비롯한 퀴놀리놀 유도체의 금속 착물 외에, 각종 금속 착물, 안트라센 유도체, 비스스티릴벤젠 유도체, 피렌 유도체, 옥사졸 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체 등을 사용할 수 있다.
또한, 발광층은, 호스트 재료와 도펀트 재료로 구성해도 된다. 호스트 재료로는, 안트라센 유도체가 바람직하게 사용된다. 그 외에, 호스트 재료로는, 상기 발광 재료에 더하여, 인돌 고리를 축합 고리의 부분 구조로서 갖는 복소 고리 화합물, 카르바졸 고리를 축합 고리의 부분 구조로서 갖는 복소 고리 화합물, 카르바졸 유도체, 티아졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 폴리디알킬플루오렌 유도체 등을 사용할 수 있다. 또한, 도펀트 재료로는, 퀴나크리돈, 쿠마린, 루브렌, 페릴렌 및 그들의 유도체, 벤조피란 유도체, 로다민 유도체, 아미노스티릴 유도체 등을 사용할 수 있다.
발광층으로는, 이들 재료를 단독으로 성막한 것을 사용해도 되고, 2 종류 이상의 재료를 혼합하여 성막한 단층을 사용해도 된다. 발광층은, 상기의 재료를 단독으로 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 다른 재료와 함께 혼합하여 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 또는 단독으로 성막한 층과 혼합하여 성막한 층을 적층한 구조로 해도 된다.
또한, 발광 재료로서 인광 발광체를 사용하는 것도 가능하다. 인광 발광체로는, 이리듐이나 백금 등의 금속 착물의 인광 발광체를 사용할 수 있다. 예를 들어, Ir(ppy)3 등의 녹색의 인광 발광체, 비스(3,5-디플루오로-2-(2-피리딜페닐-(2-카르복시피리딜)이리듐 (III) (FIrpic), 비스(2,4-디플루오로페닐피리디나토)-테트라키스(1-피라졸릴)보레이트이리듐 (III) (FIr6) 등의 청색의 인광 발광체, 비스(2-벤조[b]티오펜-2-일-피리딘)(아세틸아세토나토)이리듐 (III) (Btp2Ir(acac)) 등의 적색의 인광 발광체 등을 사용할 수 있다.
이 때의 호스트 재료로는, 정공 주입·수송성의 호스트 재료로서 4,4'-디(N-카르바졸릴)비페닐 (이후, CBP 라고 약칭한다) 이나 TCTA, mCP 등의 카르바졸 유도체를 사용할 수 있다. 전자 수송성의 호스트 재료로서, p-비스(트리페닐실릴)벤젠 (이후, UGH2 라고 약칭한다) 이나 2,2',2"-(1,3,5-페닐렌)-트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸) (이후, TPBI 라고 약칭한다) 등을 사용할 수 있고, 고성능의 유기 EL 소자를 제작할 수 있다.
인광성의 발광 재료의 호스트 재료로의 도프는, 농도 소광을 피하기 위해서, 발광층 전체에 대하여 1 ∼ 30 중량 퍼센트의 범위에서, 공증착에 의해 도프하는 것이 바람직하다.
또한, 발광 재료로서, 2-비페닐-4,6-비스(12-페닐인돌로[2,3-a]카르바졸-11-일)-1,3,5-트리아진 (PIC-TRZ), 2,4-비스(f3-(9H-카르바졸-9-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진 (CC2TA), 2,4,6-트리(4-(10H-페녹사진-10H-일)페닐)-1,3,5-트리아진 (PXZ-TRZ), 2,4,5,6-테트라(9H-카르바졸-9-일)이소프탈로니트릴 (4CzIPN), 카르바졸릴디시아노벤젠 (CDCB) 유도체 등의 지연 형광을 방사하는 재료를 사용하는 것도 가능하다 (예를 들어, 비특허문헌 8 참조).
이들 발광 재료는, 증착법에 의해 박막 형성을 실시해도 되고, 증착법 외에, 스핀 코트법이나 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 실시해도 된다.
(정공 저지층)
본 실시형태의 유기 EL 소자의 정공 저지층의 재료로는, 바토쿠프로인 (이후, BCP 라고 생략한다) 등의 페난트롤린 유도체나, 알루미늄 (III) 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)-4-페닐페놀레이트 (이후, BAlq 라고 생략한다) 등의 퀴놀리놀 유도체의 금속 착물, 각종 희토류 착물, 트리아졸 유도체, 트리아진 유도체, 피리미딘 유도체, 옥사디아졸 유도체, 벤조아졸 유도체 등, 정공 저지 작용을 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 이들 재료는 전자 수송층의 재료를 겸해도 된다.
정공 저지층으로는, 이들 재료를 단독으로 성막한 것을 사용해도 되고, 2 종류 이상의 재료를 혼합하여 성막한 단층을 사용해도 된다. 정공 저지층은, 상기의 재료를 단독으로 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 다른 재료와 함께 혼합하여 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 또는 단독으로 성막한 층과 혼합하여 성막한 층을 적층한 구조로 해도 된다.
이들 재료는 증착법에 의해 박막 형성을 실시해도 되고, 증착법 외에, 스핀 코트법이나 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 실시해도 된다.
(전자 수송층)
본 실시형태의 유기 EL 소자의 전자 수송층의 재료로는, Alq3, BAlq 를 비롯한 퀴놀리놀 유도체의 금속 착물 외에, 각종 금속 착물, 트리아졸 유도체, 트리아진 유도체, 피리미딘 유도체, 옥사디아졸 유도체, 피리딘 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 벤조아졸 유도체, 티아디아졸 유도체, 안트라센 유도체, 카르보디이미드 유도체, 퀴녹살린 유도체, 피리드인돌 유도체, 페난트롤린 유도체, 실롤 유도체 등을 사용할 수 있다.
전자 수송층으로는, 이들 재료를 단독으로 성막한 것을 사용해도 되고, 2 종류 이상의 재료를 혼합하여 성막한 단층을 사용해도 된다. 전자 수송층은, 상기의 재료를 단독으로 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 다른 재료와 함께 혼합하여 성막한 층끼리를 복수 적층한 구조, 또는 단독으로 성막한 층과 혼합하여 성막한 층을 적층한 구조로 해도 된다.
이들 재료는 증착법에 의해 박막 형성을 실시해도 되고, 증착법 외에, 스핀 코트법이나 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 실시해도 된다.
(전자 주입층)
본 실시형태의 유기 EL 소자의 전자 주입층의 재료로는, 불화리튬, 불화세슘 등의 알칼리 금속염, 불화마그네슘 등의 알칼리 토금속염, 리튬퀴놀리놀 등의 퀴놀리놀 유도체의 금속 착물, 산화알루미늄 등의 금속 산화물, 혹은 이테르븀 (Yb), 사마륨 (Sm), 칼슘 (Ca), 스트론튬 (Sr), 세슘 (Cs) 등의 금속 등을 사용할 수 있다.
전자 주입층은, 전자 수송층과 음극의 바람직한 선택에 있어서는, 이것을 생략할 수 있다.
또한, 전자 주입층 혹은 전자 수송층에 있어서, 그 층에 통상적으로 사용되는 재료에 대하여, 추가로 세슘 등의 금속을 N 도핑한 것을 사용할 수 있다.
전자 주입층의 제조 방법으로는, 증착법 등, 공지된 방법을 사용할 수 있다.
「음극」
본 실시형태의 유기 EL 소자의 음극의 재료로는, 알루미늄과 같은 일 함수가 낮은 전극 재료나, 마그네슘은 합금, 마그네슘칼슘 합금, 마그네슘인듐 합금, 알루미늄마그네슘 합금과 같은, 보다 일 함수가 낮은 합금이나 ITO, 산화인듐과 산화아연으로 이루어지는 투명 전극 재료 (IZO) 등이 사용된다.
본 실시형태의 유기 EL 소자에서는, 캡핑층에 접하여 배치되는 제 1 전극이 음극이다. 따라서, 음극은, 광의 취출 효율이 높은 유기 EL 소자로 하기 위해서, 투명 또는 반투명인 것이 바람직하다.
음극의 제조 방법으로는, 증착법 등, 공지된 방법을 사용할 수 있다.
본 실시형태의 유기 EL 소자는, 톱 이미션 구조로서, 투명 또는 반투명 전극의 외측에 형성한, 반투명 전극보다 굴절률이 높은 캡핑층을 갖는다. 이에 의해, 본 실시형태의 유기 EL 소자에서는, 광의 취출 효율을 대폭 향상시킬 수 있다. 또한, 캡핑층에, 상기 일반식 (a-1) 로 나타내는 벤조아졸 고리 구조를 갖는 디아민 화합물을 사용함으로써, 400 ℃ 이하의 온도에서 성막할 수 있다. 따라서, 발광 소자에 데미지를 주지 않고, 또한, 고정세 마스크를 사용하여 각 색의 광의 취출 효율을 최적화한 캡핑층을 형성할 수 있다. 따라서, 본 실시형태의 유기 EL 소자는, 풀 컬러 디스플레이에 바람직하게 적용할 수 있고, 색 순도가 양호하여 선명하고 밝은 화상을 표시할 수 있다.
본 실시형태의 유기 EL 소자는, 캡핑층의 재료로서, 흡광 계수가 높고, 굴절률이 높고, 박막의 안정성 및 내구성, 내광성이 우수한 유기 EL 소자용의 재료를 사용하고 있다. 이 때문에, 본 실시형태의 유기 EL 소자는, 종래의 유기 EL 소자에 비하여, 태양광의 영향을 받지 않고, 색 순도를 유지하고, 광의 취출 효율의 대폭적인 향상을 가능하게 하였다. 또한, 본 실시형태의 유기 EL 소자에 의해, 고효율, 장수명의 유기 EL 소자를 실현하는 것이 가능해졌다.
또한, 상기에서는, 톱 이미션 구조의 유기 EL 소자에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은, 보텀 이미션 구조의 유기 EL 소자, 및, 상부 및 저부의 양방으로부터 발광하는 듀얼 이미션 구조의 유기 EL 소자에 대해서도, 동일하게 적용할 수 있다. 이들 구조의 유기 EL 소자의 경우, 광이 발광 소자로부터 외부로 취출되는 방향에 있는 전극은, 투명 또는 반투명인 것이 바람직하다.
「유기 EL 소자의 제조 방법」
본 실시형태의 유기 EL 소자의 제조 방법은, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층을 포함하는 유기층을 형성하는 공정과, 제 1 전극의 유기층과 반대측의 면에 캡핑층을 적층하는 공정을 갖는다.
본 실시형태에서는, 캡핑층을, 벤조아졸 고리 구조를 갖는 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물을 사용하여 형성한다. 캡핑층을 적층하는 방법으로는, 두께가 나노 단위인 박막을 양산하는 데에 적합한 방법이기 때문에, 증착법을 사용하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 본 발명은, 그 요지를 벗어나지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
「실시예 1」
식 (7) 로 나타내는 화합물 ＜6-(비스-비페닐-4-일-아미노)-2-{4-(비스-비페닐-4-일-아미노)-페닐}-벤조옥사졸＞ 의 합성
질소 치환한 반응 용기에, 6-브로모-2-(4-브로모-페닐)-벤조옥사졸 : 7.0 g, 비스-(비페닐-4-일)-아민 : 14.0 g, t-부톡시나트륨 : 5.7 g, 톨루엔 : 140 ㎖ 를 첨가하고, 30 분간 초음파를 조사하면서 질소 가스를 통기하였다. 반응 용기에 추가로, 아세트산팔라듐 : 0.2 g, 트리(t-부틸)포스핀 : 0.4 g 을 첨가하여 가열 환류하에서 3 시간 교반하였다. 반응 용기를 방랭한 후, 여과 및 감압 하 농축하여 미정제 생성물을 얻었다.
얻어진 미정제 생성물을 톨루엔/아세톤 혼합 용매로 재정석 정제하여, 6-(비스-비페닐-4-일-아미노)-2-{4-(비스-비페닐-4-일-아미노)-페닐}-벤조옥사졸 (식 (7) 로 나타내는 화합물) 의 황색 분말체 : 15.0 g (수율 91 ％) 을 얻었다.
[화학식 20]
얻어진 황색 분말체에 대하여 NMR 을 사용하여 구조를 동정하였다.
1H-NMR (DMSO-d6) 으로 이하의 43 개의 수소의 시그널을 검출하였다.
「실시예 2」
식 (22) 로 나타내는 화합물 ＜6-{(4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아미노}-2-[4-{(4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아미노}-페닐]-벤조옥사졸＞ 의 합성
질소 치환한 반응 용기에, 6-브로모-2-(4-브로모-페닐)-벤조옥사졸 : 7.0 g, (4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아민 : 12.5 g, t-부톡시나트륨 : 5.7 g, 톨루엔 : 140 ㎖ 를 첨가하여 30 분간 초음파를 조사하면서 질소 가스를 통기하였다. 반응 용기에 추가로, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 (0) : 0.5 g, 트리(t-부틸)포스핀 : 0.4 g 을 첨가하여 가열 환류하에서 12 시간 교반하였다. 반응 용기를 방랭한 후, 여과 및 감압 하 농축하여 미정제 생성물을 얻었다.
얻어진 미정제 생성물을 톨루엔/아세톤 혼합 용매로 재정석 정제하여, 6-{(4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아미노}-2-[4-{(4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아미노}-페닐]-벤조옥사졸 (식 (22) 로 나타내는 화합물) 의 황색 분말체 : 9.0 g (수율 59 ％) 을 얻었다.
[화학식 21]
얻어진 황색 분말체에 대하여 NMR 을 사용하여 구조를 동정하였다.
1H-NMR (DMSO-d6) 으로 이하의 33 개의 수소의 시그널을 검출하였다.
「실시예 3」
식 (79) 로 나타내는 화합물 ＜5-(비페닐-4-일-페닐-아미노)-2-{4-(비페닐-4-일-페닐-아미노)-페닐}-벤조옥사졸＞ 의 합성
질소 치환한 반응 용기에, 5-브로모-2-(4-브로모-페닐)-벤조옥사졸 : 7.0 g, 비페닐-4-일-페닐-아민 : 10.7 g, t-부톡시나트륨 : 5.7 g, 톨루엔 : 110 ㎖ 를 첨가하여 30 분간 초음파를 조사하면서 질소 가스를 통기하였다. 반응 용기에 추가로, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 (0) : 0.5 g, 트리(t-부틸)포스핀 : 0.5 g 을 첨가하여 가열 환류하에서 7 시간 교반하였다. 반응 용기를 방랭한 후, 여과 및 감압 하 농축하여 미정제 생성물을 얻었다.
얻어진 미정제 생성물을 톨루엔/아세톤 혼합 용매로 재정석 정제하여, 5-(비페닐-4-일-페닐-아미노)-2-{4-(비페닐-4-일-페닐-아미노)-페닐}-벤조옥사졸 (식 (79) 로 나타내는 화합물) 의 황색 분말체 : 7.8 g (수율 56 ％) 을 얻었다.
[화학식 22]
얻어진 황색 분말체에 대하여 NMR 을 사용하여 구조를 동정하였다.
1H-NMR (DMSO-d6) 으로 이하의 35 개의 수소의 시그널을 검출하였다.
「실시예 4」
식 (93) 으로 나타내는 화합물 ＜5-{(4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아미노}-2-[4-{(4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아미노}-페닐]-벤조옥사졸＞ 의 합성
질소 치환한 반응 용기에, 5-브로모-2-(4-브로모-페닐)-벤조옥사졸 : 6.0 g, (4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아민 : 10.7 g, t-부톡시나트륨 : 4.9 g, 톨루엔 : 110 ㎖ 를 첨가하여 30 분간 초음파를 조사하면서 질소 가스를 통기하였다. 반응 용기에 추가로, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 (0) : 0.5 g, 트리(t-부틸)포스핀 : 0.4 g 을 첨가하여 가열 환류하에서 7 시간 교반하였다. 반응 용기를 방랭한 후, 여과 및 감압 하 농축하여 미정제 생성물을 얻었다.
얻어진 미정제 생성물을 톨루엔 용매로 재정석 정제하여, 5-{(4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아미노}-2-[4-{(4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아미노}-페닐]-벤조옥사졸 (식 (93) 으로 나타내는 화합물) 의 황색 분말체 : 6.0 g (수율 46 ％) 을 얻었다.
[화학식 23]
얻어진 황색 분말체에 대하여 NMR 을 사용하여 구조를 동정하였다.
1H-NMR (DMSO-d6) 으로 이하의 33 개의 수소의 시그널을 검출하였다.
「실시예 5」
식 (97) 로 나타내는 화합물 ＜4-(비페닐-4-일-페닐-아미노)-2-{4-(비페닐-4-일-페닐-아미노)-페닐}-벤조옥사졸＞ 의 합성
질소 치환한 반응 용기에, 4-브로모-2-(4-브로모-페닐)-벤조옥사졸 : 7.0 g, 비페닐-4-일-페닐-아민 : 10.7 g, t-부톡시나트륨 : 5.7 g, 톨루엔 : 110 ㎖ 를 첨가하여 30 분간 초음파를 조사하면서 질소 가스를 통기하였다. 반응 용기에 추가로, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 (0) : 0.5 g, 트리(t-부틸)포스핀 : 0.5 g 을 첨가하여 가열 환류하에서 4 시간 교반하였다. 반응 용기를 방랭한 후, 여과 및 감압 하 농축하여 미정제 생성물을 얻었다.
얻어진 미정제 생성물을 칼럼 크로마토그래프 (담체 : 실리카 겔, 용리액 : n-헵탄/톨루엔) 을 사용하여 정제하여, 4-(비페닐-4-일-페닐-아미노)-2-{4-(비페닐-4-일-페닐-아미노)-페닐}-벤조옥사졸 (식 (97) 로 나타내는 화합물) 의 황색 분말체 : 11.9 g (수율 88 ％) 을 얻었다.
[화학식 24]
얻어진 황색 분말체에 대하여 NMR 을 사용하여 구조를 동정하였다.
1H-NMR (DMSO-d6) 으로 이하의 35 개의 수소의 시그널을 검출하였다.
「실시예 6」
식 (99) 로 나타내는 화합물 ＜4-{(4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아미노}-2-[4-{(4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아미노}-페닐]-벤조옥사졸＞ 의 합성
질소 치환한 반응 용기에, 4-브로모-2-(4-브로모-페닐)-벤조옥사졸 : 6.0 g, (4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아민 : 10.7 g, t-부톡시나트륨 : 4.9 g, 톨루엔 : 110 ㎖ 를 첨가하여 30 분간 초음파를 조사하면서 질소 가스를 통기하였다. 반응 용기에 추가로, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 (0) : 0.5 g, 트리(t-부틸)포스핀 : 0.4 g 을 첨가하여 가열 환류하에서 4 시간 교반하였다. 반응 용기를 방랭한 후, 여과 및 감압 하 농축하여 미정제 생성물을 얻었다.
얻어진 미정제 생성물을 칼럼 크로마토그래프 (담체 : 실리카 겔, 용리액 : 톨루엔/아세트산에틸) 을 사용하여 정제하여, 4-{(4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아미노}-2-[4-{(4-벤조옥사졸-2-일-페닐)-페닐-아미노}-페닐]-벤조옥사졸 (식 (99) 로 나타내는 화합물) 의 황색 분말체 : 7.1 g (수율 55 ％) 을 얻었다.
[화학식 25]
얻어진 황색 분말체에 대하여 NMR 을 사용하여 구조를 동정하였다.
1H-NMR (CDCl3) 으로 이하의 33 개의 수소의 시그널을 검출하였다.
「실시예 7」
식 (101) 로 나타내는 화합물 ＜5-(비페닐-4-일-페닐-아미노)-2-{4-(비페닐-4-일-페닐-아미노)-페닐}-벤조트리아졸＞ 의 합성
질소 치환한 반응 용기에, 5-브로모-2-(4-브로모-페닐)-벤조트리아졸 : 6.5 g, 비페닐-4-일-페닐-아민 : 9.5 g, t-부톡시나트륨 : 5.3 g, 톨루엔 : 130 ㎖ 를 첨가하여 30 분간 초음파를 조사하면서 질소 가스를 통기하였다. 반응 용기에 추가로, 아세트산팔라듐 (II) : 0.1 g, 트리(t-부틸)포스핀 : 0.3 g 을 첨가하여 가열 환류하에서 7 시간 교반하였다. 반응 용기를 방랭한 후, 여과 및 감압 하 농축하여 미정제 생성물을 얻었다.
얻어진 미정제 생성물을 톨루엔 용매로 재정석 정제하여, 5-(비페닐-4-일-페닐-아미노)-2-{4-(비페닐-4-일-페닐-아미노)-페닐}-벤조트리아졸 (식 (101) 로 나타내는 화합물) 의 황색 분말체 : 10.4 g (수율 83 ％) 을 얻었다.
[화학식 26]
얻어진 황색 분말체에 대하여 NMR 을 사용하여 구조를 동정하였다.
1H-NMR (CDCl3) 으로 이하의 35 개의 수소의 시그널을 검출하였다.
「실시예 8」
식 (102) 로 나타내는 화합물 ＜5-카르바졸-9-일-2-(4-카르바졸-9-일-페닐)-벤조트리아졸＞ 의 합성
질소 치환한 반응 용기에, 5-브로모-2-(4-브로모-페닐)-벤조트리아졸 : 6.5 g, 카르바졸 : 6.5 g, t-부톡시나트륨 : 5.3 g, 톨루엔 : 130 ㎖ 를 첨가하여 30 분간 초음파를 조사하면서 질소 가스를 통기하였다. 반응 용기에 추가로, 아세트산팔라듐 : 0.1 g, 트리(t-부틸)포스핀 : 0.3 g 을 첨가하여 가열 환류하에서 하룻밤 교반하였다. 반응 용기를 방랭한 후, 여과 및 감압 하 농축하여 미정제 생성물을 얻었다.
얻어진 미정제 생성물을 톨루엔 용매로 재정석 정제하여, 5-카르바졸-9-일-2-(4-카르바졸-9-일-페닐)-벤조트리아졸 (식 (102) 로 나타내는 화합물) 의 황색 분말체 : 4.7 g (수율 37 ％) 을 얻었다.
[화학식 27]
얻어진 황색 분말체에 대하여 NMR 을 사용하여 구조를 동정하였다.
1H-NMR (CDCl3) 으로 이하의 23 개의 수소의 시그널을 검출하였다.
(화합물의 융점 및 유리 전이점 (Tg) 의 측정)
실시예 1 ∼ 실시예 8 에 있어서 합성한 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물에 대하여, 각각 고감도 시차 주사 열량계 (브루커·에이엑스에스 제조, DSC3100SA) 를 사용하여, 융점 및 유리 전이점 (Tg) 을 측정하였다. 그 결과를 이하에 나타낸다.
실시예 1 (식 (7) 의 화합물) 융점 ; 관측되지 않음, Tg ; 138 ℃
실시예 2 (식 (22) 의 화합물) 융점 ; 관측되지 않음, Tg ; 139 ℃
실시예 3 (식 (79) 의 화합물) 융점 ; 관측되지 않음, Tg ; 104 ℃
실시예 4 (식 (93) 의 화합물) 융점 ; 관측되지 않음, Tg ; 137 ℃
실시예 5 (식 (97) 의 화합물) 융점 ; 관측되지 않음, Tg ; 106 ℃
실시예 6 (식 (79) 의 화합물) 융점 ; 관측되지 않음, Tg ; 137 ℃
실시예 7 (식 (101) 의 화합물) 융점 ; 관측되지 않음, Tg ; 105 ℃
실시예 8 (식 (102) 의 화합물) 융점 ; 232 ℃, Tg ; 115 ℃
실시예 1 ∼ 실시예 8 에 있어서 합성한 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물은, 모두 유리 전이점 (Tg) 이 100 ℃ 이상이고, 안정성이 양호한 박막을 형성할 수 있는 재료인 것을 알 수 있었다.
(화합물의 피크 파장, 흡광도 및 흡광 계수의 측정)
실시예 1 ∼ 실시예 8 에 있어서 합성한 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물에 대하여, 각각 톨루엔 용매로 농도 10-5 ㏖/ℓ 로 조절하고, 자외 가시 근적외 분광 광도계 (니혼 분광 제조, V-650) 를 사용하여, 파장 200 ∼ 600 ㎚ 의 범위에 있어서의 흡광도를 측정하고, 피크 파장을 구하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
또한, 실시예 1 ∼ 실시예 8 에 있어서 합성한 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물에 대하여, 각각 톨루엔 용매로 농도 10-5 ㏖/ℓ 로 조절하고, 자외 가시 근적외 분광 광도계 (니혼 분광 제조, V-650) 를 사용하여, 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 에 있어서의 흡광도를 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
또한, 실시예 1 ∼ 실시예 8 에 있어서 합성한 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물에 대하여, 각각 톨루엔 용액으로 5.0 × 10-6 ㏖/ℓ, 1.0 × 10-5 ㏖/ℓ, 1.5 × 10-5 ㏖/ℓ, 2.0 × 10-5 ㏖/ℓ 의 4 종류의 농도로 조절한 샘플을 제작하였다. 각 샘플의 피크 파장에 있어서의 흡광도를, 자외 가시 근적외 분광 광도계 (니혼 분광 제조, V-650) 를 사용하여 측정하고, 화합물마다 검량선을 작성하여, 흡광 계수를 산출하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
비교를 위해서, 하기 식 (2-1) 로 나타내는 화합물 및 Alq3 을 사용하여, 식 (7) 로 나타내는 화합물과 동일하게 하여, 각각의 피크 파장, 흡광도 및 흡광 계수를 측정하였다.
그 결과를 표 1 에 정리하여 나타냈다.
[화학식 28]
표 1 에 나타내는 바와 같이, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물의 피크 파장은, 식 (2-1) 로 나타내는 화합물 및 Alq3 과 동일하게, 400 ㎚ 이하였다. 이것으로부터, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물은, 청, 녹 및 적 각각의 파장 영역에 있어서의 광을 잘 흡수하지 않고, 또한 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광을 흡수하는 박막의 재료로서 사용할 수 있는 것을 알 수 있었다.
표 1 에 나타내는 바와 같이, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물은, 식 (2-1) 로 나타내는 화합물 및 Alq3 과 비교하여, 흡광도가 높은 것이었다. 이것으로부터, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물은, 동일한 농도이면 식 (2-1) 로 나타내는 화합물 및 Alq3 과 비교하여, 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광을 흡수하는 기능이 양호한 박막을 형성할 수 있는 재료인 것을 알 수 있었다.
또한, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물은, 식 (2-1) 로 나타내는 화합물 및 Alq3 과 비교하여, 흡광 계수가 큰 것이었다. 따라서, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물을 사용함으로써, 막 두께를 후막화할수록, 광을 흡광하는 기능이 현저하게 높아지는 막을 형성할 수 있다.
(박막의 굴절률 및 소쇠 계수의 측정)
실시예 1 ∼ 실시예 8 에 있어서 합성한 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물을 각각 사용하여, 실리콘 기판 상에 막 두께 80 ㎚ 의 증착막을 제작하였다.
얻어진 증착막에 대하여, 각각, 분광 측정 장치 (필 메트릭스사 제조, F10-RT-UV) 를 사용하여, 400 ㎚ 의 광 및 410 ㎚ 의 광을, 각각 캡핑층에 투과시키고, 실리콘 기판에 반사시켜 얻은 반사광을 측정하고, 캡핑층의 굴절률 n 및 소쇠 계수 k 를 구하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다.
비교를 위해서, 상기 식 (2-1) 로 나타내는 화합물 및 Alq3 을 각각 사용하여, 실리콘 기판 상에 막 두께 80 ㎚ 의 증착막을 제작하고, 식 (7) 로 나타내는 화합물의 증착막과 동일하게 하여, 400 ㎚ 의 광 및 410 ㎚ 의 광을, 각각 캡핑층에 투과시키고, 실리콘 기판에 반사시켜 얻은 반사광을 측정하고, 캡핑층의 굴절률 n 및 소쇠 계수 k 를 구하였다 (예를 들어, 특허문헌 4 참조). 그 결과를 표 2 에 정리하여 나타냈다.
표 2 에 나타내는 바와 같이, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 박막은, 굴절률 n 이, 식 (2-1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 박막과 동등 이상이고, Alq3 으로 이루어지는 박막과 비교하여 높은 것이었다.
이것으로부터, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 박막을 캡핑층으로서 사용함으로써, 유기 EL 소자에 있어서의 광의 취출 효율의 향상을 기대할 수 있다.
또한, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 박막은, 식 (2-1) 로 나타내는 화합물 및 Alq3 으로 이루어지는 박막과 비교하여, 소쇠 계수 k 가 높은 것이었다.
이것은, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 박막을 사용한 캡핑층이, 태양광의 파장 400 ㎚ 내지 410 ㎚ 의 광을 잘 흡광하여, 소자 내부의 재료에 영향을 주지 않는 것을 나타내는 것이다.
「실시예 9」
이하에 나타내는 방법에 의해, 도 1 에 나타내는 유기 EL 소자를 제조하였다.
금속으로 이루어지는 양극 (2) 으로서 반사 전극을 미리 형성한 유리 기판 (1) 상에, 증착법에 의해, 정공 주입층 (3), 정공 수송층 (4), 발광층 (5), 전자 수송층 (6), 전자 주입층 (7), 음극 (8), 캡핑층 (9) 을, 이 순서로 형성하고, 도 1 에 나타내는 유기 EL 소자를 얻었다.
구체적으로는, 막 두께 50 ㎚ 의 ITO, 막 두께 100 ㎚ 의 은 합금의 반사막, 막 두께 5 ㎚ 의 ITO 를, 양극 (2) 으로서 순서대로 성막한 유리 기판 (1) 을 준비하였다. 유리 기판 (1) 에, 이소프로필알코올 중에서 초음파 세정을 20 분간 실시한 후, 250 ℃ 로 가열한 핫 플레이트 상에서 10 분간 건조를 실시하였다. 그 후, UV 오존 처리를 2 분간 실시한 후, 이 ITO 가 부착된 유리 기판 (1) 을 진공 증착기 내에 장착하고, 진공 증착기 내를 0.001 ㎩ 이하까지 감압하였다.
계속해서, 양극 (2) 을 덮도록 정공 주입층 (3) 으로서, 전자 억셉터 (Acceptor-1) 와 하기 식으로 나타내는 화합물 (3-1) 을, 증착 속도비가 Acceptor-1 : 화합물 (3-1) = 3 : 97 이 되는 증착 속도로 2 원 증착을 실시하여, 막 두께 10 ㎚ 가 되도록 형성하였다.
이 정공 주입층 (3) 상에, 정공 수송층 (4) 으로서 화합물 (3-1) 을 막 두께 140 ㎚ 가 되도록 형성하였다.
이 정공 수송층 (4) 상에, 발광층 (5) 으로서 하기 식으로 나타내는 화합물 (3-2) 와 하기 식으로 나타내는 화합물 (3-3) 을, 증착 속도비가 화합물 (3-2) : 화합물 (3-3) = 5 : 95 가 되는 증착 속도로 2 원 증착을 실시하여, 막 두께 20 ㎚ 가 되도록 형성하였다.
이 발광층 (5) 상에, 전자 수송층 (6) 으로서 하기 식으로 나타내는 화합물 (3-4) 와 하기 식으로 나타내는 화합물 (3-5) 를, 증착 속도비가 화합물 (3-4) : 화합물 (3-5) = 50 : 50 이 되는 증착 속도로 2 원 증착을 실시하여, 막 두께 30 ㎚ 가 되도록 형성하였다.
[화학식 29]
이 전자 수송층 (6) 상에, 전자 주입층 (7) 으로서 불화리튬을 막 두께 1 ㎚ 가 되도록 형성하였다.
이 전자 주입층 (7) 상에, 반투명의 음극 (8) 으로서 마그네슘은 합금을 막 두께 12 ㎚ 가 되도록 형성하였다.
마지막으로, 음극 (8) 상에, 실시예 1 에 있어서 합성한 식 (7) 로 나타내는 화합물을 증착함으로써, 막 두께 60 ㎚ 의 캡핑층 (9) 을 형성하여, 실시예 9 의 유기 EL 소자를 얻었다.
「실시예 10」
캡핑층 (9) 의 재료로서, 실시예 1 에 있어서 합성한 식 (7) 로 나타내는 화합물 대신에, 실시예 2 에 있어서 합성한 식 (22) 로 나타내는 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여, 실시예 10 의 유기 EL 소자를 얻었다.
「실시예 11」
캡핑층 (9) 의 재료로서, 실시예 1 에 있어서 합성한 식 (7) 로 나타내는 화합물 대신에, 실시예 3 에 있어서 합성한 식 (79) 로 나타내는 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여, 실시예 11 의 유기 EL 소자를 얻었다.
「실시예 12」
캡핑층 (9) 의 재료로서, 실시예 1 에 있어서 합성한 식 (7) 로 나타내는 화합물 대신에, 실시예 4 에 있어서 합성한 식 (93) 으로 나타내는 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여, 실시예 12 의 유기 EL 소자를 얻었다.
「실시예 13」
캡핑층 (9) 의 재료로서, 실시예 1 에 있어서 합성한 식 (7) 로 나타내는 화합물 대신에, 실시예 5 에 있어서 합성한 식 (97) 로 나타내는 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여, 실시예 13 의 유기 EL 소자를 얻었다.
「실시예 14」
캡핑층 (9) 의 재료로서, 실시예 1 에 있어서 합성한 식 (7) 로 나타내는 화합물 대신에, 실시예 6 에 있어서 합성한 식 (99) 로 나타내는 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여, 실시예 14 의 유기 EL 소자를 얻었다.
「실시예 15」
캡핑층 (9) 의 재료로서, 실시예 1 에 있어서 합성한 식 (7) 로 나타내는 화합물 대신에, 실시예 7 에 있어서 합성한 식 (101) 로 나타내는 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여, 실시예 15 의 유기 EL 소자를 얻었다.
「실시예 16」
캡핑층 (9) 의 재료로서, 실시예 1 에 있어서 합성한 식 (7) 로 나타내는 화합물 대신에, 실시예 8 에 있어서 합성한 식 (102) 로 나타내는 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여, 실시예 16 의 유기 EL 소자를 얻었다.
「비교예 1」
캡핑층 (9) 의 재료로서, 실시예 1 에 있어서 합성한 식 (7) 로 나타내는 화합물 대신에, 상기 식 (2-1) 로 나타내는 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여, 비교예 1 의 유기 EL 소자를 얻었다.
「비교예 2」
캡핑층 (9) 의 재료로서, 실시예 1 에 있어서 합성한 식 (7) 로 나타내는 화합물 대신에, Alq3 을 사용한 것 이외에는, 실시예 9 와 동일하게 하여, 비교예 2 의 유기 EL 소자를 얻었다.
실시예 9 ∼ 실시예 16, 비교예 1, 비교예 2 의 유기 EL 소자에 대하여, 각각 대기 중, 상온에서 특성 측정을 실시하였다.
구체적으로는, 각 유기 EL 소자에 직류 전압을 인가했을 때의, 전류 밀도 10 ㎃/㎠ 에서의 구동 전압, 휘도, 발광 효율, 전력 효율을 측정하였다. 그 결과를 표 3 에 나타낸다.
또한, 실시예 9 ∼ 실시예 16, 비교예 1, 비교예 2 의 유기 EL 소자에 대하여, 각각 대기 중, 상온에서 10 ㎃/㎠ 의 정전류 구동을 실시하고, 초기 휘도를 100 ％ 로 했을 때의 휘도가 95 ％ 로 감쇠할 때까지의 시간을 측정하여, 수명 (소자 수명) 으로서 평가하였다. 그 결과를 표 3 에 나타낸다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 전류 밀도 10 ㎃/㎠ 에서의 구동 전압은, 실시예 9 ∼ 실시예 16, 비교예 1, 비교예 2 의 유기 EL 소자에 있어서, 대략 동등하였다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 실시예 9 ∼ 실시예 16 의 유기 EL 소자는, 비교예 1, 비교예 2 의 유기 EL 소자와 비교하여, 휘도, 발광 효율 및 전력 효율이 높았다. 이것은, 유기 EL 소자의 캡핑층의 재료로서, 식 (7) (22) (79) (93) (97) (99) (101) (102) 로 나타내는 화합물을 사용함으로써, 식 (2-1) 로 나타내는 화합물 및 Alq3 을 사용한 경우와 비교하여, 광의 취출 효율을 대폭으로 개선할 수 있는 것을 나타내고 있다.
또한, 실시예 9 ∼ 실시예 16 의 유기 EL 소자는, 비교예 1, 비교예 2 의 유기 EL 소자와 비교하여, 장수명이었다.
특히, 캡핑층의 재료로서, 식 (97) 로 나타내는 화합물을 사용한 실시예 13 의 유기 EL 소자는, 장수명이었다.
산업상 이용가능성
이상과 같이, 본 발명의 유기 EL 소자에 있어서의, 벤조아졸 고리 구조를 갖는 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물은, 흡광 계수가 높고, 굴절률이 높고, 박막 상태가 안정적이다. 이 때문에, 유기 EL 소자의 캡핑층에 사용하는 화합물로서 우수하다. 그 화합물을 사용한 캡핑층을 갖는 유기 EL 소자는, 높은 발광 효율, 광의 취출 효율 및 전력 효율이 얻어진다. 또한 그 화합물을 사용한 캡핑층을 갖는 유기 EL 소자로 함으로써, 태양광의 광을 흡광하여 소자 내부의 재료에 영향을 주지 않도록, 내구성 및 내광성을 개선할 수 있다.
또한, 벤조아졸 고리 구조를 갖는 일반식 (a-1) 로 나타내는 디아민 화합물은, 청, 녹 및 적 각각의 파장 영역에 있어서 흡수를 가지지 않는다. 이 때문에, 그 화합물을 사용한 캡핑층을 갖는 유기 EL 소자는, 색 순도가 양호하여 선명하고 밝은 화상을 표시하고자 하는 경우에, 특히 바람직하다. 예를 들어, 가정 전화 제품이나 조명의 용도에 대한 전개가 가능해졌다.
1 ; 유리 기판
2 ; 양극
3 ; 정공 주입층
4 ; 정공 수송층
5 ; 발광층
6 ; 전자 수송층
7 ; 전자 주입층
8 ; 음극
9 ; 캡핑층
2 ; 양극
3 ; 정공 주입층
4 ; 정공 수송층
5 ; 발광층
6 ; 전자 수송층
7 ; 전자 주입층
8 ; 음극
9 ; 캡핑층
Claims (12)
- 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 발광층을 포함하는 유기층을 갖고,
상기 제 1 전극의 상기 유기층과 반대측의 면에 캡핑층이 적층되고,
상기 제 1 전극이, 투명 또는 반투명이고,
상기 캡핑층이, 하기 일반식 (a-1) 로 나타내는 벤조아졸 고리 구조를 갖는 디아민 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
(식 (a-1) 중, A 는 하기 일반식 (b-1) 로 나타내는 R3 ∼ R12 중, 2 개 지점을 결합 부위로 하는 2 가기를 나타낸다. Ar1 ∼ Ar4 는 각각, 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 하기 일반식 (b-1) 로 나타내는 R3 ∼ R12 중, 1 개 지점을 결합 부위로 하는 1 가기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기를 나타낸다. R1 및 R2 는 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기를 나타낸다. m 및 n 은 0 ∼ 2 의 정수를 나타내고, p 및 q 는 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. 또한, m 또는 n 이 0 인 경우, 단결합으로서 A 가 질소 원자와 결합하고 있는 것을 나타낸다. m 및 n 이 1 이상의 정수인 경우, Ar1, Ar2 및 이들이 결합하고 있는 질소 원자에 인접하는 벤젠 고리, 또는 Ar3, Ar4 및 이들이 결합하고 있는 질소 원자에 인접하는 벤젠 고리는, 질소 원자를 개재하여, 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 치환 혹은 무치환의 아미노기, 산소 원자 또는 황 원자에 의해 결합하여 고리를 형성해도 된다. p 및 q 가 2 이상의 정수인 경우, 동일한 벤젠 고리에 복수 개 결합하는 R1 또는 R2 는 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 또한, 치환한 동일한 벤젠 고리에 대하여, 단결합, 치환 혹은 무치환의 메틸렌기, 치환 혹은 무치환의 아미노기, 산소 원자 또는 황 원자를 개재하여 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.)
(식 (b-1) 중, R3 ∼ R12 는 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 결합 부위로서의 연결기, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기를 나타낸다. X 는 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. Y 는 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자로부터 선택되는 어느 것을 나타낸다. 단, X 가 탄소 원자 그리고 Y 가 산소 원자인 경우, X 가 탄소 원자 그리고 Y 가 황 원자인 경우, 또는 X 가 질소 원자 그리고 Y 가 질소 원자인 경우, Y 는 R12 를 갖지 않는 것으로 한다.) - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극이 음극이고,
상기 제 2 전극이 양극이고,
상기 유기층이 정공 수송층과 발광층과 전자 수송층을 적어도 포함하고,
상기 전극, 상기 정공 수송층, 상기 발광층, 상기 전자 수송층, 상기 음극 및 상기 캡핑층을 이 순서로 갖는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 일반식 (b-1) 이, 하기 일반식 (b-2), (b-3) 또는 (b-4) 인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
(식 (b-2), (b-3) 또는 (b-4) 중, R13 ∼ R21 은 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 결합 부위로서의 연결기, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기를 나타낸다.) - 제 1 항에 있어서,
상기 일반식 (b-1) 이, 하기 일반식 (b-5), (b-6) 또는 (b-7) 인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
(식 (b-5), (b-6) 또는 (b-7) 중, R22 ∼ R26 은 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 결합 부위로서의 연결기, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기를 나타낸다.) - 제 1 항에 있어서,
상기 일반식 (b-1) 이, 하기 일반식 (b-8), (b-9) 또는 (b-10) 인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
(식 (b-8), (b-9) 또는 (b-10) 중, R27 ∼ R30 은 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 결합 부위로서의 연결기, 수소 원자, 중수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 니트로기, 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 2 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알케닐기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 1 ∼ 6 의 직사슬형 혹은 분기형의 알킬옥시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소 원자수 5 ∼ 10 의 시클로알킬옥시기, 치환 혹은 무치환의 아릴옥시기, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 무치환의 방향족 복소 고리기, 또는 치환 혹은 무치환의 축합 다고리 방향족기를 나타낸다.) - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 m 과 상기 n 의 합계가, 0, 1 또는 2 인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 일반식 (a-1) 에 있어서의 -NAr1Ar2 와 -NAr3Ar4 의 2 개의 아미노기 골격이, 동일한 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 디아민 화합물은, 농도 10-5 ㏖/ℓ 의 흡수 스펙트럼에 있어서의 흡광도가, 400 ㎚ 내지 410 ㎚ 의 파장 범위에서 0.2 이상인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로 루미네선스 소자. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캡핑층의 두께가, 30 ㎚ ∼ 120 ㎚ 의 범위 내인 것을 특징으로 하는, 유기 일렉트로 루미네선스 소자. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캡핑층은, 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 파장의 광을 투과시켰을 때의 굴절률이 1.85 이상인 유기 일렉트로 루미네선스 소자. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캡핑층은, 파장 400 ㎚ 및 410 ㎚ 의 광의 소쇠 계수가 0.2 이상인 유기 일렉트로 루미네선스 소자. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 R1 및 상기 R2 가, 수소 원자인 유기 일렉트로 루미네선스 소자.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018134445 | 2018-07-17 | ||
| JPJP-P-2018-134445 | 2018-07-17 | ||
| PCT/JP2019/028088 WO2020017552A1 (ja) | 2018-07-17 | 2019-07-17 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210031635A true KR20210031635A (ko) | 2021-03-22 |
Family
ID=69164902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207033289A KR20210031635A (ko) | 2018-07-17 | 2019-07-17 | 유기 일렉트로 루미네선스 소자 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210226132A1 (ko) |
| EP (1) | EP3826430A4 (ko) |
| JP (1) | JP7366899B2 (ko) |
| KR (1) | KR20210031635A (ko) |
| CN (1) | CN112119675A (ko) |
| TW (1) | TW202012596A (ko) |
| WO (1) | WO2020017552A1 (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL309666A (en) | 2021-07-09 | 2024-02-01 | Plexium Inc | Aryl compounds and pharmaceutical preparations that modulate IKZF2 |
| CN117343078A (zh) | 2021-11-25 | 2024-01-05 | 北京夏禾科技有限公司 | 有机电致发光材料和器件 |
| CN114605403A (zh) * | 2022-04-02 | 2022-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光取出材料、光取出层、发光器件和显示装置 |
| WO2024010050A1 (ja) * | 2022-07-07 | 2024-01-11 | 保土谷化学工業株式会社 | アミン化合物、並びに、それを含有する有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器、及び電子素子 |
| CN116332962A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-06-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种芳胺类化合物及显示基板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0848656A (ja) | 1994-02-08 | 1996-02-20 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子用化合物および有機ｅｌ素子 |
| WO2013038627A1 (ja) | 2011-09-12 | 2013-03-21 | 保土谷化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2014009310A1 (en) | 2012-07-09 | 2014-01-16 | Novaled Ag | Doped organic semiconductive matrix material |
| JP3194657U (ja) | 2014-09-19 | 2014-12-04 | 恵美子 青柳 | 温熱首巻 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3194657B2 (ja) | 1993-11-01 | 2001-07-30 | 松下電器産業株式会社 | 電界発光素子 |
| JP4669590B2 (ja) * | 1997-05-14 | 2011-04-13 | 富士フイルム株式会社 | ビスベンゾアゾール化合物 |
| JP3508984B2 (ja) * | 1997-05-19 | 2004-03-22 | キヤノン株式会社 | 有機化合物及び該有機化合物を用いた発光素子 |
| EP1718622A2 (en) * | 2003-12-05 | 2006-11-08 | Ciba SC Holding AG | Electroluminescent device |
| US11038144B2 (en) * | 2010-12-16 | 2021-06-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
| CN105419380B (zh) | 2011-09-26 | 2017-09-29 | 日东电工株式会社 | 用于提高的日光采集效率的高荧光且光稳定性生色团 |
| US9966538B2 (en) * | 2012-11-07 | 2018-05-08 | Lms Co., Ltd. | Compound, light-emitting element and electronic device comprising same |
| JP5749870B1 (ja) * | 2013-07-03 | 2015-07-15 | 保土谷化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR20150102733A (ko) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 머티어리얼사이언스 주식회사 | 유기전계발광소자의 캡핑층 형성용 유기화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자 |
| JPWO2017183625A1 (ja) | 2016-04-22 | 2019-02-28 | 保土谷化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN107417668B (zh) * | 2017-05-11 | 2020-06-30 | 中节能万润股份有限公司 | 一种基于氮杂苯和苯并咪唑的有机化合物及其在oled上的应用 |
| WO2019124550A1 (ja) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | 保土谷化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP6706282B2 (ja) | 2018-04-05 | 2020-06-03 | スピン・マスター・リミテッド | ハウジング内の物体、及びハウジングを開放するための機構を有する組立体 |
-
2019
- 2019-07-17 CN CN201980032966.4A patent/CN112119675A/zh active Pending
- 2019-07-17 US US17/259,822 patent/US20210226132A1/en active Pending
- 2019-07-17 EP EP19837198.1A patent/EP3826430A4/en not_active Withdrawn
- 2019-07-17 TW TW108125374A patent/TW202012596A/zh unknown
- 2019-07-17 WO PCT/JP2019/028088 patent/WO2020017552A1/ja unknown
- 2019-07-17 KR KR1020207033289A patent/KR20210031635A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-07-17 JP JP2020531342A patent/JP7366899B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0848656A (ja) | 1994-02-08 | 1996-02-20 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子用化合物および有機ｅｌ素子 |
| WO2013038627A1 (ja) | 2011-09-12 | 2013-03-21 | 保土谷化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2014009310A1 (en) | 2012-07-09 | 2014-01-16 | Novaled Ag | Doped organic semiconductive matrix material |
| JP3194657U (ja) | 2014-09-19 | 2014-12-04 | 恵美子 青柳 | 温熱首巻 |
Non-Patent Citations (8)
| Title |
|---|
| Appl. Phys. Let., 78, 544 (2001) |
| Appl. Phys. Let., 82, 466 (2003) |
| Appl. Phys. Lett., 98, 083302 (2011) |
| Aust. J. Chem., 45, 371 (1992) |
| J. Org. Ch㎝., 60, 7508 (1995) |
| J. Org. Chem., 71, 1802 (2006) |
| Synth. Commun., 11, 513 (1981) |
| 응용 물리학회 제 9 회 강습회 예고집 55 ∼ 61 페이지 (2001) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202012596A (zh) | 2020-04-01 |
| US20210226132A1 (en) | 2021-07-22 |
| CN112119675A (zh) | 2020-12-22 |
| EP3826430A1 (en) | 2021-05-26 |
| JPWO2020017552A1 (ja) | 2021-08-12 |
| WO2020017552A1 (ja) | 2020-01-23 |
| JP7366899B2 (ja) | 2023-10-23 |
| EP3826430A4 (en) | 2022-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11997870B2 (en) | Organic electroluminescent element and method for producing same | |
| JP7366899B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| US11974499B2 (en) | Organic EL device, amine compound having benzazole ring structure, and method in which said amine compound is used in capping layer of organic EL device | |
| US20230095238A1 (en) | Organic electroluminescent element | |
| EP4089156A1 (en) | Organic electroluminescence element | |
| KR20210137992A (ko) | 유기 일렉트로 루미네선스 소자 | |
| WO2022264974A1 (ja) | アザベンゾオキサゾール環構造を有するアミン化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| WO2022004555A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| WO2020137724A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| WO2023022186A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその化合物 | |
| KR20230147044A (ko) | 화합물 및 그 화합물을 사용한 유기 일렉트로루미네선스소자 | |
| KR20240067230A (ko) | 화합물 및 유기 일렉트로루미네선스 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal |