KR20210029001A - Light emitting package and sterilization module including the same - Google Patents
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- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
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- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/30—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation
- C02F1/32—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation with ultraviolet light
- C02F1/325—Irradiation devices or lamp constructions
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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Abstract
Description
실시 예는 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 살균 모듈에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package and a sterilization module including the same.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many advantages, such as having a wide and easy-to-adjust band gap energy, and thus can be variously used as light-emitting devices, light-receiving devices, and various diodes.
특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.In particular, light emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material of semiconductors are red, green, and red by the development of thin film growth technology and device materials. Various colors such as blue and ultraviolet light can be implemented, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or by combining colors. Low power consumption, semi-permanent life, and fast response speed compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. , Has the advantages of safety and environmental friendliness.
뿐만 아니라, 광 검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용할 수 있다.In addition, when a photodetector or a light-receiving device such as a solar cell is also manufactured using a compound semiconductor material of Group 3-5 or Group 2-6 of semiconductor, the development of device material generates photocurrent by absorbing light in various wavelength ranges. By doing so, light in various wavelength ranges from gamma rays to radio wavelength ranges can be used. In addition, it has the advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness, and easy adjustment of device materials, so it can be easily used for power control or ultra-high frequency circuits or communication modules.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device can replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp, or an incandescent lamp that replaces the cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting the transmission module of the optical communication means, the backlight of the LCD (Liquid Crystal Display) display device. Applications are expanding to white light emitting diode lighting devices, automobile headlights, traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, the application of the semiconductor device can be extended to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
특히, 자외선 파장 영역의 광을 방출하는 발광소자는 경화작용이나 살균 작용을 하여 경화용, 의료용, 및 살균용으로 사용될 수 있다. 그러나, 조사 대상체를 경화 또는 살균하기 위해서는 충분한 광량을 제공하기 위해 출사되는 광의 각도를 조절할 필요가 있다. In particular, a light emitting device that emits light in the ultraviolet wavelength range can be used for curing, medical, and sterilization by performing a curing or sterilizing action. However, in order to cure or sterilize the irradiated object, it is necessary to adjust the angle of the emitted light to provide a sufficient amount of light.
실시 예는 출사되는 광의 각도 조절이 가능한 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 살균 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of adjusting the angle of emitted light and a sterilization module including the same.
또한, 조사 대상체에 충분한 광량을 조사할 수 있는 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 살균 모듈을 제공한다.In addition, there is provided a light emitting device package capable of irradiating a sufficient amount of light to an irradiated object and a sterilization module including the same.
실시예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.The problems to be solved in the examples are not limited thereto, and the objectives and effects that can be grasped from the solutions or embodiments of the problems described below are also included.
본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 기판; 상기 기판 상에 배치되고 관통홀을 갖는 측벽부재; 상기 관통홀 내에 배치되는 발광소자; 및 상기 측벽부재를 상기 기판에 고정하는 접착층을 포함하고, 상기 발광소자는 자외선 파장대의 광을 생성하고, 상기 기판의 상면에서 상기 발광소자의 상면까지의 거리와 상기 기판의 상면에서 상기 측벽부재의 상면까지의 거리의 비는 1:2.5 내지 1:20이다.A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes: a substrate; A sidewall member disposed on the substrate and having a through hole; A light emitting device disposed in the through hole; And an adhesive layer fixing the sidewall member to the substrate, wherein the light emitting device generates light in an ultraviolet wavelength band, and a distance from an upper surface of the substrate to an upper surface of the light emitting device and a distance of the sidewall member from the upper surface of the substrate to the upper surface of the substrate. The ratio of the distance to the top surface is 1:2.5 to 1:20.
상기 측벽부재는 지지부 및 상기 지지부 상에 배치되는 반사부를 포함하고, 상기 반사부는 알루미늄을 포함할 수 있다.The side wall member may include a support portion and a reflective portion disposed on the support portion, and the reflective portion may include aluminum.
상기 기판은 상기 측벽부재가 배치되는 삽입홈을 포함할 수 있다.The substrate may include an insertion groove in which the side wall member is disposed.
상기 측벽부재는 상기 발광소자와 마주보는 면에 형성된 곡률을 포함할 수 있다.The sidewall member may include a curvature formed on a surface facing the light emitting device.
상기 기판은 인쇄회로기판일 수 있다.The substrate may be a printed circuit board.
상기 측벽부재를 출사된 광의 지향각은 86도보다 크고 130보다 작을 수 있다.A directivity angle of light emitted from the sidewall member may be greater than 86 degrees and less than 130 degrees.
본 발명의 일 실시 예에 따른 살균 모듈은, 유입구가 배치되는 일단부와 토출구가 배치되는 타단부를 포함하는 순환 유로; 상기 순환 유로의 일단부 및 타단부 중 적어도 하나에 배치되는 투광 부재; 및 상기 일단부 또는 타단부에 배치되어 상기 순환 유로에 자외선 광을 조사하는 발광소자 패키지를 포함하고, 상기 발광소자 패키지는, 기판; 상기 기판 상에 배치되고 관통홀을 갖는 측벽부재; 상기 관통홀 내에 배치되는 발광소자; 및 상기 측벽부재를 상기 기판에 고정하는 접착층을 포함하고, 상기 발광소자는 자외선 파장대의 광을 생성하고, 상기 기판의 상면에서 상기 발광소자의 상면까지의 거리와 상기 기판의 상면에서 상기 측벽부재의 상면까지의 거리의 비는 1:2.5 내지 1:20이다.The sterilization module according to an embodiment of the present invention includes: a circulation passage including one end portion in which an inlet port is disposed and the other end portion in which an outlet port is disposed; A light-transmitting member disposed on at least one of one end and the other end of the circulation passage; And a light emitting device package disposed at one end or the other end to irradiate ultraviolet light to the circulation passage, wherein the light emitting device package includes: a substrate; A sidewall member disposed on the substrate and having a through hole; A light emitting device disposed in the through hole; And an adhesive layer fixing the sidewall member to the substrate, wherein the light emitting device generates light in an ultraviolet wavelength band, and a distance from an upper surface of the substrate to an upper surface of the light emitting device and a distance of the sidewall member from the upper surface of the substrate to the upper surface of the substrate. The ratio of the distance to the top surface is 1:2.5 to 1:20.
상기 발광소자의 상면 끝단과 상기 투광 부재의 상면 끝단을 연결한 가상선은 상기 측벽부재의 상면과 교차할 수 있다.A virtual line connecting the top end of the light emitting device and the top end of the light-transmitting member may cross the top surface of the sidewall member.
상기 측벽부재는 지지부 및 상기 지지부 상에 배치되는 반사부를 포함하고, 상기 반사부는 알루미늄을 포함할 수 있다.The side wall member may include a support portion and a reflective portion disposed on the support portion, and the reflective portion may include aluminum.
상기 측벽부재를 출사된 광의 지향각은 86도보다 크고 130보다 작을 수 있다.A directivity angle of light emitted from the sidewall member may be greater than 86 degrees and less than 130 degrees.
상기 발광소자 패키지는 상기 순환 유로의 일단부에 배치되는 제1 발광소자 패키지 및 상기 순환 유로의 타단부에 배치되는 제2 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The light emitting device package may include a first light emitting device package disposed at one end of the circulation passage and a second light emitting device package disposed at the other end of the circulation passage.
상기 제1 발광소자 패키지는 적외선 파장대의 광을 상기 순환 유로에 조사하고, 상기 제2 발광소자 패키지는 자외선 파장대의 광을 상기 순환 유로에 조사할 수 있다.The first light emitting device package may irradiate light in an infrared wavelength band to the circulation passage, and the second light emitting device package may irradiate light in an ultraviolet wavelength band to the circulation passage.
실시 예에 따르면, 발광소자 패키지에서 출사되는 광의 각도를 조절할 수 있다.According to an embodiment, the angle of light emitted from the light emitting device package may be adjusted.
따라서, 조사 대상체에 충분한 광을 집속할 수 있어 경화 및 살균 효과가 우수해질 수 있다.Accordingly, sufficient light can be focused on the irradiated object, so that the curing and sterilizing effect can be excellent.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다. Various and beneficial advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and will be more easily understood in the course of describing specific embodiments of the present invention.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이고,
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이고,
도 4는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이고,
도 5는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이고,
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이고,
도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 살균 모듈의 개념도이고,
도 8은 발광소자 패키지에서 출사된 광이 살균 모듈에 입사되는 구성을 보여주는 도면이고,
도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 살균 모듈의 개념도이고,
도 10은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 살균 모듈의 개념도이다.1 is a conceptual diagram of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention,
2 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention,
3 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention,
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention,
5 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a fourth embodiment of the present invention,
6 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention,
7 is a conceptual diagram of a sterilization module according to the first embodiment of the present invention,
8 is a diagram showing a configuration in which light emitted from a light emitting device package is incident on a sterilization module,
9 is a conceptual diagram of a sterilization module according to a second embodiment of the present invention,
10 is a conceptual diagram of a sterilization module according to a third embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.However, the technical idea of the present invention is not limited to some embodiments to be described, but may be implemented in various different forms, and within the scope of the technical idea of the present invention, one or more of the constituent elements may be selectively selected between the embodiments. It can be combined with and substituted for use.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.In addition, terms (including technical and scientific terms) used in the embodiments of the present invention are generally understood by those of ordinary skill in the art, unless explicitly defined and described. It can be interpreted as a meaning, and terms generally used, such as terms defined in a dictionary, may be interpreted in consideration of the meaning in the context of the related technology.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.In addition, terms used in the embodiments of the present invention are for describing the embodiments and are not intended to limit the present invention.
본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, "A 및(와) B, C 중 적어도 하나(또는 한 개 이상)"로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.In the present specification, the singular form may also include the plural form unless specifically stated in the phrase, and when described as "at least one (or more than one) of A and (and) B and C", it is combined with A, B, and C. It may contain one or more of all possible combinations.
또한, 본 발명의 실시예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다.In addition, in describing the constituent elements of the embodiment of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used.
이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다.These terms are only for distinguishing the constituent element from other constituent elements, and are not limited to the nature, order, or order of the constituent element by the term.
그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성 요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속' 되는 경우도 포함할 수 있다.And, when a component is described as being'connected','coupled' or'connected' to another component, the component is not only directly connected, coupled, or connected to the other component, but also with the component. It may also include the case of being'connected','coupled' or'connected' due to another element between the other elements.
또한, 각 구성 요소의 "상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한, "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In addition, when it is described as being formed or disposed on the “top (top) or bottom (bottom)” of each component, the top (top) or bottom (bottom) is one as well as when the two components are in direct contact with each other. It also includes the case where the above other component is formed or disposed between the two components. In addition, when expressed as "upper (upper) or lower (lower)", the meaning of not only an upward direction but also a downward direction based on one component may be included.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.1 is a conceptual diagram of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is It is a cross-sectional view of a light emitting device package.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시 예에 따른 발광소자(100)는, 제1 기판(10), 제1 기판(10) 상에 배치되고 관통홀(220)을 갖는 측벽부재(200), 관통홀(220) 내에 배치되는 발광소자(100) 및 측벽부재(200)를 제1 기판(10)에 고정하는 접착층(210)을 포함한다.1 and 2, the
제1 기판(10)은 다양한 재질의 기판이 적용될 수 있다. 제1 기판(10)은 내부에 회로 패턴이 형성될 수 있다. 제1 기판(10)은 인쇄회로기판일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 예시적으로 제1 기판(10)은 CSP(Chip scale package) 또는 COS(Chip on Substrate)의 지지기판일 수도 있다. 제1 기판(10)이 인쇄회로기판인 경우 외부 소켓이 연결되는 커텍터(21)가 배치될 수 있다.Substrates of various materials may be applied to the
측벽부재(200)는 제1 기판(10) 상에 고정되어 내부에 관통홀(220)이 형성될 수 있다. 관통홀(220)의 내부에는 발광소자(100)가 배치되어 제1 기판(10)과 전기적으로 연결될 수 있다. The
측벽부재(200)는 발광소자(100)를 둘러싸도록 배치되어 발광소자(100)에서 출사되는 광(L1)을 상부로 반사시킬 수 있다. 일반적인 블루 LED의 경우 패키지 형태로 제작되어 모듈화되나 실시 예에 따른 발광소자(100)는 자외선 발광소자이므로 패키지 제작이 상대적으로 용이하지 않으므로 별도의 측벽부재(200)를 배치함으로써 지향각을 조절할 수 있다. The
측벽부재(200)는 접착층(210)에 의해 제1 기판(10) 상에 고정될 수 있다. 예시적으로 접착층(210)은 에폭시 또는 실리콘일 수 있으나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 측벽부재(200)를 제1 기판(10)에 고정할 수 있는 다양한 재질의 접착제가 선택될 수 있고, 자외선 광에 경화되어 측벽부재(200)와 제1 기판(10)의 고정력을 저하시키지 않는 재질이 배치될 경우, 발광 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있다. 예시적으로, 표면실장(SMT)시 측벽부재(200)가 배치되는 영역에 솔더를 도포한 후 그 위에 측벽부재(200)를 형성할 수도 있다. 실시예에서 접착제는 솔더를 포함하는 개념일 수 있다. 측벽부재(200)는 솔더에 의해 고정될 수 있는 재질이 선택될 수 있다. 예시적으로 측벽부재(200)는 전극을 형성하는 다양한 금속 재질로 제작될 수 있다.The
측벽부재(200)는 발광소자(100)에서 출사되는 광을 반사하기 위해 알루미늄을 포함할 수 있다. 알루미늄은 UVC 파장대의 광의 80%를 반사시킬 수 있다. 측벽부재(200)는 알루미늄 자체로 제작될 수도 있고, 외부에만 알루미늄이 코팅될 수도 있다. 또한, 알루미늄 이외에 자외선 파장대의 광을 반사할 수 있는 다양한 재질이 선택될 수도 있다.The
측벽부재(200)의 각도(θ)는 90도 내지 150도일 수 있다. 측벽부재(200)의 각도가 90도보다 작으면 상부로 광을 반사하기 어렵고, 각도가 150도 보다 큰 경우 지향각을 제어하기 어려울 수 있다. 측벽부재(200)의 각도(θ)는 발광소자(100)와 마주보는 내측면과 기판(10)의 수평면 사이의 각도일 수 있다.The angle θ of the
측벽부재(200)와 발광소자(100) 사이의 이격거리(W1)은 특별히 한정하지 않는다. 이격 거리(W1)는 발광소자에의 측면에서 출사되는 광이 측벽부재에 반사되어 상부로 출사될 수 있도록 소정 간격으로 이격될 수 있다. 예시적으로 이격 거리(W1)는 0.1mm 내지 5mm 또는 0.5mm 내지 4mm일 수 있다.The separation distance W1 between the
발광소자(100)는 자외선 파장대의 광을 출력할 수 있다. 예시적으로 발광소자(100)는 근자외선 파장대의 광(UV-A)을 출력할 수도 있고, 원자외선 파장대의 광(UV-B)을 출력할 수도 있고, 심자외선 파장대의 광(UV-C)을 출력할 수 있다. 파장범위는 반도체 구조물의 알루미늄의 조성비에 의해 결정될 수 있다.The
예시적으로, 근자외선 파장대의 광(UV-A)은 320nm 내지 420nm 범위의 파장 대역에서 메인 피크를 가질 수 있고, 원자외선 파장대의 광(UV-B)은 280nm 내지 320nm 범위에서 메인 피크를 가질 수 있으며, 심자외선 파장대의 광(UV-C)은 100nm 내지 280nm 범위에서 메인 피크를 가질 수 있다.Illustratively, light in the near-ultraviolet wavelength band (UV-A) may have a main peak in a wavelength band ranging from 320nm to 420nm, and light in the far ultraviolet wavelength band (UV-B) may have a main peak in the range of 280nm to 320nm. In addition, the deep ultraviolet wavelength band (UV-C) may have a main peak in the range of 100 nm to 280 nm.
발광소자(100)의 구성은 특별히 제한하지 않는다. 예시적으로 발광소자(100)는 CSP 타입의 발광소자 패키지일 수도 있고, COS 타입의 발광소자 패키지일 수도 있다. 또한, 별도의 패키징 없이 칩 자체가 제1 기판(10)에 실장될 수도 있다. 또한, 발광소자(100)는 수평형, 수직형, 플립칩 타입 등 다양한 구조가 제한 없이 적용될 수 있다.The configuration of the
하기 표 1은 경사 각도(θ)가 110도이고, 알루미늄으로 구비된 측벽부재(200)의 높이를 점차 높이면서 지향각 및 유효 광량을 측정한 표이다. 발광소자(100)는 제1 기판(10)의 상면에서 활성층의 높이가 0.35mm인 COS 타입을 기준으로 실험하였다. 발광소자(100)와 투광 부재(30)와의 거리(H3)는 5mm로 하였다. 투광 부재(30)는 조사 대상체에 광을 입사시키기 위한 부재이다.Table 1 below is a table in which the angle of inclination (θ) is 110 degrees, and the angle of directivity and the amount of effective light are measured while gradually increasing the height of the
표 1을 참조하면, 측벽이 없는 경우 지향각이 136.8도인 반면, 측벽 높이가 높아짐에 따라 지향각은 점차 줄어드는 것을 알 수 있다. 예시적으로 측벽 높이가 2mm인 실시 예 2의 경우 지향각이 102도로 줄어들었으며, 측벽이 5mm인 실시 예 5의 경우 지향각이 70.4도까지 줄어들었음을 알 수 있다.Referring to Table 1, when there is no sidewall, the directivity angle is 136.8 degrees, whereas the directivity angle gradually decreases as the height of the sidewall increases. For example, it can be seen that in the case of Example 2 having a side wall height of 2 mm, the directing angle was reduced to 102 degrees, and in the case of Example 5 having a side wall of 5 mm, the directing angle was reduced to 70.4 degrees.
유효 광량은 투광 부재(30)에 주입되는 광량으로 정의할 수 있다. 비교예의 유효 광량을 100%로 정의할 때, 실시 예 1 및 실시 예 2는 측벽 높이가 증가할수록 유효 광량이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 지향각이 줄어들어 투광 부재(30)에 입사되는 광량이 증가하기 때문이다.The effective amount of light may be defined as the amount of light injected into the
그러나, 실시 예 3 내지 5에서는 측벽 높이가 증가할수록 오히려 유효 광량이 줄어드는 것을 확인할 수 있다. 측벽부재(200)는 자외선 광을 대부분 반사하나 일부는 흡수할 수 있다. 예시적으로 자외선 광의 반사율이 가장 높은 알루미늄 역시 반사율이 80% 정도이므로, 발광 소자(100)에서 방출되는 광의 약 20% 정도는 측벽부재(200)에 흡수될 수 있다. 따라서, 측벽 높이가 증가할수록 측벽부재(200)의 표면적이 증가하여 광 흡수량이 증가하기 때문에 유효 광량은 줄어들게 된다. However, in Examples 3 to 5, it can be seen that as the height of the sidewall increases, the amount of effective light rather decreases. The
발광소자(100)의 상면 높이는 다양하게 변형될 수 있다. 예시적으로 발광소자(100)의 타입에 따라 상면 높이는 변화할 수 있다. 발광소자(100)의 타입에 따라 발광소자(100)의 상면 높이는 0.1mm 내지 0.8mm일 수 있다. 또한, 표 1을 참조할 때 측벽 높이는 2mm에서 유효 광량이 가장 높음을 알 수 있다.The height of the top surface of the
제1 기판(10)의 상면에서 발광소자(100)의 상면까지의 거리(H1)와 제1 기판(10)의 상면에서 측벽부재(200)의 상면까지의 거리(H2)의 비는 1:2.5 내지 1:20일 수 있다. The ratio of the distance H1 from the upper surface of the
거리의 비가 1:2.5보다 작아지는 경우(예: 1:2.2), 측벽부재의 높이가 낮아져 지향각이 커지는 문제가 있다. 또한, 거리의 비가 1:40보다 큰 경우에는 측벽부재의 면적이 넓어져 측벽부재의 광 흡수율이 커지는 문제가 있다.When the distance ratio is smaller than 1:2.5 (eg, 1:2.2), there is a problem that the height of the side wall member decreases and the directivity angle increases. In addition, when the distance ratio is greater than 1:40, there is a problem in that the area of the side wall member is widened and the light absorption rate of the side wall member is increased.
측벽부재(200)에서 출사되는 광의 각도(지향각)는 86도보다 크고 130도 보다 작을 수 있다. 측벽부재(200)에서 출사되는 광의 각도가 130도보다 큰 경우 일부 광은 투광 부재(또는 조사 대상체)에 입사되지 못하므로 (또는 조사 대상체)에 입사되는 유효 광량이 줄어드는 문제가 있다. 또한, 광의 각도가 86도보다 작아지는 경우에는 측벽부재의 면적이 넓어져 측벽부재의 광 흡수율이 커지는 문제가 있다.The angle (direction angle) of light emitted from the
측벽부재(200)의 상면(200-1)은 발광소자(100)의 상면(101)에서 투광 부재(30)의 끝단을 연결한 가상선(S1)과 교차할 수 있다. 이러한 구성에 의하면, 측벽부재(200)에서 출사되는 광의 각도(지향각)를 86도보다 크고 130도 보다 작게 제어할 수 있다.The top surface 200-1 of the
하기 표 2는 각도가 110도인 측벽부재(200)의 높이를 점차 높이면서 유효 광량을 측정한 표이다. 이때, 발광소자(100)는 제1 기판(10)의 상면에서 활성층의 높이가 0.35mm인 COS 타입을 기준으로 실험한 것은 동일하나, 발광소자(100)와 투광 부재(30)와의 거리(H3)는 10mm로 증가시켰다.Table 2 below is a table in which the amount of effective light is measured while gradually increasing the height of the
검토 결과, 측벽의 높이가 2mm인 경우보다 측벽의 높이가 4mm인 경우 유효 광량이 더 증가하였음을 알 수 있다. 즉, 측벽의 높이가 2mm인 경우 유효 광량은 조사 대상체의 이격 거리에 의존적임을 알 수 있다.As a result of the examination, it can be seen that the amount of effective light increased more when the side wall height was 4 mm than when the side wall height was 2 mm. That is, when the height of the side wall is 2 mm, it can be seen that the effective light amount is dependent on the separation distance of the irradiated object.
도 3을 참조하면, 측벽부재(200)는 고분자 수지로 제작되는 지지부(201) 및 지지부(201)의 외면에 배치되는 반사부(202)를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 일반적으로 반도체 제작에 사용되는 다양한 형태의 수지가 제한 없이 적용될 수 있다. 또한, 반사부(202)는 알루미늄을 포함할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 자외선 광을 반사할 수 있는 다양한 재질이 모두 포함될 수 있다.Referring to FIG. 3, the
도 3을 참조하면, 발광소자(100)는 복수 개의 반도체 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(121), 제2 도전형 반도체층(122), 및 활성층(123)을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 반도체 구조물은 플립칩 구조일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 반도체 구조물은 수평형(lateral) 구조일 수도 있다.Referring to FIG. 3, in the
제3 기판(110)은 사파이어 기판일 수 있으나 자외선 광을 투과할 수 있는 재질이면 특별히 한정하지 않는다. 제3 기판(110)은 제1 도전형 반도체층(121) 등을 성정시킨 성장 기판일 수 있다.The
제1 도전형 반도체층(121)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)에는 제1 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트일 수 있다. 즉, 제1 도전형 반도체층(121)은 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다.The first conductivity
한편, 제1 도전형 반도체층(121) 상에는 요철 구조가 형성될 수 있다. 요철 구조는 반도체 구조물(120)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Meanwhile, an uneven structure may be formed on the first conductivity
제2 도전형 반도체층(122)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(122)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(122)에는 제2 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트일 수 있다. 즉, 제2 도전형 반도체층(122)은 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다.The second conductivity-
활성층(123)은 제1 도전형 반도체층(121) 및 제2 도전형 반도체층(122) 사이에 배치될 수 있다. 활성층(123)은 제1 도전형 반도체층(121)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2 도전형 반도체층(122)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(123)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The
활성층(123)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으나, 이것으로 본 발명을 한정하지는 않는다. 활성층(123)이 우물 구조로 형성되는 경우, 활성층(123)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The
제1 전극(181)은 제1 도전형 반도체층(121)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 전극(182)은 제2 도전형 반도체층(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(181)은 기판의 제1 패드(11)와 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 전극(182)은 기판의 제2 패드(12)와 전기적으로 연결될 수 있다. The
실시 예에서는 제1 전극(181)과 제2 전극(182)이 발광소자의 하부에 배치된 플립칩 타입으로 예시하였으나 발광소자의 구조는 반드시 이에 한정하지 않는다.In the embodiment, the
도 4는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이고, 도 5는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이고, 도 6은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 6 is It is a cross-sectional view of a light emitting device package.
도 4를 참조하면, 발광소자(100)는 COS 타입일 수 있다. 구체적으로 발광소자(100)는 서브 제2 기판(102) 및 서브 제2 기판(102)의 전극 상에 배치될 수 있다. 이 경우 서브 제2 기판(102)의 높이만큼 발광소자(100)의 상면 높이가 높아질 수 있다.Referring to FIG. 4, the
측벽부재(200)의 측면은 곡률(R1)을 가질 수 있다. 측벽부재의 곡률을 반사 효율을 증가시키기 위해 의도적으로 형성될 수 있다.The side surface of the
도 5를 참조하면, 제1 기판(10)에는 측벽부재(200)가 고정되는 삽입홈(10-1)이 형성될 수 있다. 측벽부재(200)의 하단부(210)는 삽입홈(10-1)에 도포된 접착제에 의해 고정될 수 있다. 이러한 구성에 따르면, 측벽부재(200)가 제1 기판(10)에 견고하게 고정될 수 있다.Referring to FIG. 5, an insertion groove 10-1 to which the
도 6을 참조하면, 실시 예에 따른 측벽부재는 기판에 단차를 형성하여 제작할 수 있다. 이 경우 별도의 측벽부재를 배치하는 공정을 생략할 수 있다. 측벽부재의 내측면에는 자외선 광을 반사하기 위해 알루미늄 반사층을 형성할 수 있다. 실시 예에 따른 측벽부재 역시 전술한 H1과 H2의 높이 비율을 갖는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 6, the sidewall member according to the embodiment may be manufactured by forming a step on a substrate. In this case, the process of disposing a separate side wall member may be omitted. An aluminum reflective layer may be formed on the inner side of the side wall member to reflect ultraviolet light. It is preferable that the sidewall member according to the embodiment also has a height ratio of H1 and H2 described above.
도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 살균 모듈의 개념도이고, 도 8은 발광소자 패키지에서 출사된 광이 살균 모듈에 입사되는 구성을 보여주는 도면이다.7 is a conceptual diagram of a sterilization module according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration in which light emitted from a light emitting device package is incident on the sterilization module.
도 7 및 도 8을 참조하면, 살균 모듈은 유입구(2a)가 배치되는 일단부(2-1)와 토출구(2b)가 배치되는 타단부(2-2)를 포함하는 순환 유로(2), 순환 유로(2)의 일단부(2-1) 및 타단부(2-2) 중 적어도 하나에 배치되는 투광 부재(30), 및 순환 유로(2)의 일단부(2-1) 또는 타단부(2-2)에 배치되어 자외선 광을 조사하는 발광소자 패키지(1)를 포함한다.7, The
순환 유로(2)는 유체가 유입되는 유입구(2a)가 일단부(2-1)에 배치되고, 유체가 토출되는 토출구(2b)가 타단부(2-2)에 배치될 수 있다. 순환 유로(2)는 유체를 정수하는 부재와 연결될 수 있다. 또는 순환 유로(2)는 유체를 냉각 또는 가열되는 부재와 연결될 수 있다. 이러한 순환 유로(2)는 정수기 등에 배치될 수 있다.In the
순환 유로(2)의 유입구(2a)에는 투광 부재(30)가 배치될 수 있다. 따라서, 발광소자 패키지(1)에서 출사되는 자외선 광은 투광 부재(30)를 통과하여 순환 유로(2)에 입사될 수 있다. 따라서 순환 유로(2)를 통과하는 광은 자외선 광에 의해 살균될 수 있다.A light-transmitting
발광소자 패키지(1)는 제1 기판(10), 제1 기판(10) 상에 배치되고 관통홀(220)을 갖는 측벽부재(200), 관통홀(220) 내에 배치되는 발광소자(100) 및 측벽부재(200)를 제1 기판(10)에 고정하는 접착층(210)을 포함한다.The light emitting
제1 기판(10)은 다양한 재질의 기판이 적용될 수 있다. 제1 기판(10)은 내부에 회로 패턴이 형성될 수 있다. 제1 기판(10)은 인쇄회로기판일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 예시적으로 제1 기판(10)은 CSP(Chip scale package) 또는 COS(Chip on Substrate)의 지지기판일 수도 있다. 제1 기판(10)이 인쇄회로기판인 경우 외부 소켓이 연결되는 커텍터(21)가 배치될 수 있다.Substrates of various materials may be applied to the
측벽부재(200)는 제1 기판(10) 상에 고정되어 내부에 관통홀(220)이 형성될 수 있다. 관통홀(220)의 내부에는 발광소자(100)가 배치되어 제1 기판(10)과 전기적으로 연결될 수 있다. The
측벽부재(200)는 발광소자(100)를 둘러싸도록 배치되어 발광소자(100)에서 출사되는 광(L1)을 상부로 반사시킬 수 있다. 일반적인 블루 LED의 경우 패키지 형태로 제작되어 모듈화되나 실시 예에 따른 발광소자(100)는 자외선 발광소자이므로 패키지 제작이 상대적으로 용이하지 않으므로 별도의 측벽부재(200)를 배치함으로써 지향각을 조절할 수 있다. The
측벽부재(200)는 접착층(210)에 의해 제1 기판(10) 상에 고정될 수 있다. 예시적으로 접착층(210)은 에폭시 또는 실리콘일 수 있으나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 다양한 재질의 접착제가 선택될 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 측벽부재(200)를 제1 기판(10)에 고정할 수 있는 구성이면 특별히 한정하지 않는다.The
예시적으로, 표면실장(SMT)시 측벽부재(200)가 배치되는 영역에 솔더를 도포한 후 그 위에 측벽부재(200)를 형성할 수도 있다. 실시예에서 접착제는 솔더를 포함하는 개념일 수 있다. 측벽부재(200)는 솔더에 의해 고정될 수 있는 재질이 선택될 수 있다. 예시적으로 측벽부재(200)는 전극을 형성하는 다양한 금속 재질로 제작될 수 있다.For example, during surface mounting (SMT), after applying solder to a region where the
측벽부재(200)는 발광소자(100)에서 출사되는 광을 반사하기 위해 알루미늄을 포함할 수 있다. 알루미늄은 UVC 파장대의 광의 80%를 반사시킬 수 있다. 측벽부재(200)는 알루미늄 자체로 제작될 수도 있고, 외부에만 알루미늄이 코팅될 수도 있다. 또한, 알루미늄 이외에 자외선 파장대의 광을 반사할 수 있는 다양한 재질이 선택될 수도 있다.The
측벽부재(200)의 각도는 90도 내지 130도일 수 있다. 측벽부재(200)의 각도가 90도보다 작으면 상부로 광을 반사하기 어렵고, 각도가 130도 보다 큰 경우 지향각을 제어하기 어려울 수 있다.The angle of the
도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 살균 모듈의 개념도이고, 도 10은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 살균 모듈의 개념도이다.9 is a conceptual diagram of a sterilization module according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a conceptual diagram of a sterilization module according to a third embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 순환 유로(2)의 일단부(2-1)에는 제1 발광소자 패키지(3)가 배치되고, 타단부(2-2)에는 제2 발광소자 패키지(1)가 배치될 수 있다. 제1 발광소자 패키지(3)는 적외선 광을 순환 유로(2)에 주입할 수 있고, 제2 발광소자 패키지(1)는 자외선 광을 순환 유로(2)에 주입할 수 있다.Referring to FIG. 9, a first light emitting
실시 예에 따르면, 적외선 광을 출사하는 제1 발광소자 패키지(3)가 유입구(2a) 근처에서 광을 먼저 조사하면 단백질을 효과적으로 분해하여 살균효과가 증가할 수 있다.According to an embodiment, if the first light emitting
제1 발광소자 패키지(3)와 제2 발광소자 패키지(1)의 구조는 동일할 수 있다. 즉, 칩의 구조만이 상이할 뿐 측벽부재(200)의 구성은 동일할 수 있다. 적외선 광을 출사하는 제1 발광소자 패키지(3)에도 적외선 발광소자의 주위를 둘러싸는 측벽부재(200)를 포함할 수 있다.The structure of the first light emitting
도 10을 참조하면, 제1 발광소자 패키지(3)와 제2 발광소자 패키지(1)는 모두 순환 유로(2)의 일단부(2-1)에 배치될 수 있다. 즉, 유체가 유입되는 유입구(2a) 근처에 적외선 광 및 자외선 광을 조사하여 살균 효과를 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 10, both the first light emitting
상술한 발광소자 및 발광소자 패키지는 전술한 살균 모듈 이외에도 다양한 조명의 광원으로 사용될 수 있다. 예를 들어 영상표시장치의 광원이나 조명 장치 등의 광원으로 사용될 수도 있다.The light-emitting device and the light-emitting device package described above may be used as light sources for various lighting in addition to the sterilization module described above. For example, it may be used as a light source of an image display device or a light source such as a lighting device.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been described above, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention belongs are not exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.
Claims (12)
상기 기판 상에 배치되고 관통홀을 갖는 측벽부재;
상기 관통홀 내에 배치되는 발광소자; 및
상기 측벽부재를 상기 기판에 고정하는 접착층을 포함하고,
상기 발광소자는 자외선 파장대의 광을 생성하고,
상기 기판의 상면에서 상기 발광소자의 상면까지의 거리와 상기 기판의 상면에서 상기 측벽부재의 상면까지의 거리의 비는 1:2.5 내지 1:20인 발광소자 패키지.
Board;
A sidewall member disposed on the substrate and having a through hole;
A light emitting device disposed in the through hole; And
Including an adhesive layer for fixing the side wall member to the substrate,
The light emitting device generates light in an ultraviolet wavelength band,
A light emitting device package having a ratio of a distance from an upper surface of the substrate to an upper surface of the light emitting device and a distance from an upper surface of the substrate to an upper surface of the sidewall member is 1:2.5 to 1:20.
상기 측벽부재는 지지부 및 상기 지지부 상에 배치되는 반사부를 포함하고,
상기 반사부는 알루미늄을 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The side wall member includes a support portion and a reflective portion disposed on the support portion,
The light emitting device package including the reflective part aluminum.
상기 기판은 상기 측벽부재가 배치되는 삽입홈을 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The substrate is a light emitting device package including an insertion groove in which the side wall member is disposed.
상기 측벽부재는 상기 발광소자와 마주보는 면에 형성된 곡률을 포함하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The sidewall member includes a curvature formed on a surface facing the light emitting device.
상기 기판은 인쇄회로기판인 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The substrate is a light emitting device package that is a printed circuit board.
상기 측벽부재를 출사된 광의 지향각은 86도보다 크고 130보다 작은 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
A light emitting device package having a directivity angle of greater than 86 degrees and less than 130 degrees of light emitted from the side wall member.
상기 순환 유로의 일단부 및 타단부 중 적어도 하나에 배치되는 투광 부재; 및
상기 일단부 또는 타단부에 배치되어 상기 순환 유로에 자외선 광을 조사하는 발광소자 패키지를 포함하고,
상기 발광소자 패키지는,
기판;
상기 기판 상에 배치되고 관통홀을 갖는 측벽부재;
상기 관통홀 내에 배치되는 발광소자; 및
상기 측벽부재를 상기 기판에 고정하는 접착층을 포함하고,
상기 발광소자는 자외선 파장대의 광을 생성하고,
상기 기판의 상면에서 상기 발광소자의 상면까지의 거리와 상기 기판의 상면에서 상기 측벽부재의 상면까지의 거리의 비는 1:2.5 내지 1:20인 살균 모듈.
A circulation flow path including one end in which the inlet is disposed and the other end in which the discharge port is disposed;
A light-transmitting member disposed on at least one of one end and the other end of the circulation passage; And
It is disposed at the one end or the other end and includes a light emitting device package for irradiating ultraviolet light to the circulation passage,
The light emitting device package,
Board;
A sidewall member disposed on the substrate and having a through hole;
A light emitting device disposed in the through hole; And
Including an adhesive layer for fixing the side wall member to the substrate,
The light emitting device generates light in an ultraviolet wavelength band,
A sterilization module in which a ratio of a distance from an upper surface of the substrate to an upper surface of the light emitting device and a distance from an upper surface of the substrate to an upper surface of the sidewall member is 1:2.5 to 1:20.
상기 발광소자의 상면 끝단과 상기 투광 부재의 상면 끝단을 연결한 가상선은 상기 측벽부재의 상면과 교차하는 살균 모듈.
The method of claim 7,
A sterilization module wherein a virtual line connecting an upper surface end of the light emitting device and an upper surface end of the light-transmitting member crosses the upper surface of the sidewall member.
상기 측벽부재는 지지부 및 상기 지지부 상에 배치되는 반사부를 포함하고,
상기 반사부는 알루미늄을 포함하는 살균 모듈.
The method of claim 7,
The side wall member includes a support portion and a reflective portion disposed on the support portion,
The sterilization module including the reflective portion aluminum.
상기 측벽부재를 출사된 광의 지향각은 86도보다 크고 130보다 작은 살균 모듈.
The method of claim 7,
A sterilization module having a directivity angle of greater than 86 degrees and less than 130 degrees of light emitted from the side wall member.
상기 발광소자 패키지는 상기 순환 유로의 일단부에 배치되는 제1 발광소자 패키지 및 상기 순환 유로의 타단부에 배치되는 제2 발광소자 패키지를 포함하는 살균 모듈.
The method of claim 7,
The light emitting device package includes a first light emitting device package disposed at one end of the circulation passage and a second light emitting device package disposed at the other end of the circulation passage.
상기 제1 발광소자 패키지는 적외선 파장대의 광을 상기 순환 유로에 주입하고,
상기 제2 발광소자 패키지는 자외선 파장대의 광을 상기 순환 유로에 주입하는 살균 모듈.The method of claim 11,
The first light emitting device package injects light of an infrared wavelength band into the circulation passage,
The second light emitting device package is a sterilization module for injecting light of an ultraviolet wavelength band into the circulation passage.
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