KR20210028744A - 고온계들을 이용한 원추형 램프헤드에서의 램프들의 다중구역 제어 - Google Patents

고온계들을 이용한 원추형 램프헤드에서의 램프들의 다중구역 제어 Download PDF

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Abstract

반도체 기판을 처리하기 위한 방법 및 장치가 기재되어 있다. 이 장치는, 광학적으로 투명한 상부 돔 및 하부 돔을 갖는 프로세스 챔버이다. 처리 동안 프로세스 챔버 내에서 진공이 유지된다. 상부 돔은 처리 영역 외부에서 상부 돔을 따라 열 제어 유체를 유동시킴으로써 열 제어된다. 열 램프들은 하부 돔 부근에 위치되고, 열 센서들은 램프들 사이에 배치된다. 램프들에는 구역별로 전력이 공급되고, 제어기가 열 센서들로부터 수신된 데이터에 기초하여 램프 구역들에 대한 전력을 조절한다.

Description

고온계들을 이용한 원추형 램프헤드에서의 램프들의 다중구역 제어{MULTIZONE CONTROL OF LAMPS IN A CONICAL LAMPHEAD USING PYROMETERS}
반도체 처리를 위한 방법 및 장치가 여기에 개시된다. 더 구체적으로, 여기에 개시된 실시예들은 에피택시 프로세스에서의 구역화된 온도 제어(zoned temperature control)를 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
에피택시는 반도체 기판들 상에 매우 얇은 재료 층들을 형성하기 위해 반도체 처리에서 광범위하게 이용되는 프로세스이다. 이러한 층들은 흔히 반도체 디바이스의 가장 작은 피쳐들 중 일부를 정의하며, 결정질 재료들의 전기적 특성들이 요구되는 경우에 고품질의 결정 구조를 가질 수 있다. 기판이 배치되는 처리 챔버에 퇴적 프리커서(deposition precursor)가 통상적으로 제공되며, 기판은 원하는 특성들을 갖는 재료 층의 성장을 촉진하는 온도로 가열된다.
보통, 막은 매우 균일한 두께, 조성 및 구조를 갖는 것이 요구된다. 국지적인 기판 온도, 가스 유동 및 프리커서 농도의 편차 때문에, 균일하며 반복가능한 특성들을 갖는 막들을 형성하는 것은 상당히 어렵다. 처리 챔버는 통상적으로 고진공, 전형적으로는 10Torr 미만을 유지할 수 있는 용기(vessel)이고, 오염 물질의 도입을 피하기 위해 용기 외부에 위치된 가열 램프들에 의해 열이 통상적으로 제공된다. 기판 온도의 제어 및 그에 따른 국지적 층 형성 조건들의 제어는 챔버 컴포넌트들의 열 흡수 및 방출, 그리고 처리 챔버 내부의 막 형성 조건들에 대한 센서들 및 챔버 표면들의 노출에 의해 복잡해진다. 균일성 및 반복성을 개선하기 위해, 온도 제어가 개선된 에피택시 챔버, 및 그러한 챔버를 동작시키는 방법에 대한 필요성이 남아있다.
여기에 기재되는 실시예들은 기판 처리 장치를 제공하는데, 이 기판 처리 장치는, 투명 돔(transparent dome) 및 투명 플로어(transparent floor)를 포함하는 진공 챔버; 진공 챔버 내부에 배치된 기판 지지체; 램프헤드에 배열되며, 진공 챔버의 투명 플로어 부근에 위치된 복수의 열 램프; 램프헤드 내에 배치되며, 기판 지지체 부근의 영역으로부터의 열 복사(thermal radiation)를 수취하도록 배향된 복수의 열 센서; 열 센서들의 위치에 관련하여 열 램프들에 연결된 복수의 전력 공급부; 및 열 센서들로부터의 입력에 기초하여 전력 공급부들을 조절하는 제어기를 포함한다. 투명 돔 및 투명 플로어는 석영일 수 있다. 기판 지지체는 낮은 열 용량을 갖는 플래터형 부재(platter-like member) 또는 링형 부재일 수 있다.
여기에 기재되는 다른 실시예들은, 투명 플로어를 갖는 챔버 내에 기판을 배치하는 단계; 복수의 램프로부터의 복사를 투명 플로어를 통해 투과시킴으로써 기판을 가열하는 단계; 기판의 표면에 실질적으로 평행하게 기판을 가로질러 프리커서 가스를 유동시킴으로써, 기판 상에 층을 퇴적하는 단계; 투명 플로어 부근에 배치된 제1 센서를 이용하여 기판의 제1 구역에서의 제1 온도를 검출하는 단계; 투명 플로어 부근에 배치된 제2 센서를 이용하여 기판의 제2 구역에서의 제2 온도를 검출하는 단계; 제1 온도에 기초하여 복수의 램프 중의 제1 부분에 대한 전력을 조절하는 단계; 및 제2 온도에 기초하여 복수의 램프 중의 제2 부분에 대한 전력을 조절하는 단계에 의해, 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 처리에 후속하여, 기판은 제거될 수 있고, 염소, 브롬 또는 요오드를 갖는 세정 가스가 챔버에 제공되어 퇴적물들을 제거할 수 있다.
위에서 언급된 본 발명의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 본 발명의 더 구체적인 설명은 실시예들을 참조할 수 있으며, 그들 중 일부는 첨부 도면들에 도시되어 있다. 그러나, 본 발명은 동등한 효과의 다른 실시예들을 허용할 수 있으므로, 첨부 도면들은 본 발명의 전형적인 실시예들만을 도시하며, 따라서 그것의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다는 점에 주목해야 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 방법을 요약한 흐름도이다.
에피택시 프로세스를 수행하면서 기판의 구역화된 온도 제어를 할 수 있는 챔버는 상부, 측부 및 하부를 갖는 처리 용기를 갖는데, 그러한 상부, 측부 및 하부 모두는 용기 내에 고진공이 확립될 때에 자신의 형상을 유지하는 능력을 갖는 재료로 만들어진다. 적어도 하부는 열 복사에 대해 투명하며, 열 램프들은 처리 용기 외부에서 처리 용기의 하부에 연결되는 원추형 램프헤드 구조물 내에 위치된다. 열 센서들은, 센서들로의 열 잡음 및 센서들 상의 재료 퇴적을 감소시키기 위한 수단과 함께, 처리 용기 내부의 다양한 위치들에 배치된다.
도 1은 일 실시예에 따른 프로세스 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 프로세스 챔버(100)는, 기판(108)의 상부 표면 상의 재료의 퇴적을 포함하여, 하나 이상의 기판을 처리하기 위해 이용될 수 있다. 일반적으로, 프로세스 챔버(100)는, 다른 컴포넌트들 중에서도, 프로세스 챔버(100) 내에 배치된 기판 지지체(107)의 후면(back side)(104)을 가열하기 위한 복사 가열 램프들(102)의 어레이를 포함한다. 기판 지지체(107)는 도시된 것과 같이 기판의 에지로부터 기판을 지지하는 링형 기판 지지체이거나, 디스크형 또는 플래터형 기판 지지체, 또는 복수의 핀, 예를 들어 3개의 핀일 수 있다. 기판 지지체(107)는 프로세스 챔버(100) 내에서 상부 돔(128)과 하부 돔(114) 사이에 위치된다. 기판(108)(비율에 맞지 않음)은 로딩 포트(103)를 통해 프로세스 챔버(100)로 이동되어 기판 지지체(107) 상에 위치될 수 있다.
기판 지지체(107)는 상승된 처리 위치에 도시되어 있지만, 리프트 핀들(105)이 기판 지지체(107) 내의 홀들을 통과하여 하부 돔(114)에 접촉하고 기판(108)을 기판 지지체(107)로부터 상승시키는 것을 허용하기 위해, 액추에이터(도시되지 않음)에 의해 처리 위치 아래의 로딩 위치까지 수직으로 이동할 수 있다. 다음으로, 로봇(도시되지 않음)이 프로세스 챔버(100)에 들어가서, 기판(108)을 체결하고, 로딩 포트(103)를 통해 챔버로부터 기판을 제거할 수 있다. 다음으로, 기판 지지체(107)는, 기판(108)의 디바이스 측(116)을 위로 향하게 한 채로 이 기판을 기판 지지체(107)의 정면(front side)(110) 상에 배치하기 위해 처리 위치까지 상향으로 작동될 수 있다.
기판 지지체(107)는, 처리 위치에 위치되어 있는 동안, 프로세스 챔버(100)의 내부 용적을 (기판 위의) 프로세스 가스 영역(156) 및 (기판 지지체(107) 아래의) 퍼지 가스 영역(158)으로 분할한다. 기판 지지체(107)는, 프로세스 챔버(100) 내에서의 열 및 프로세스 가스 유동의 공간적 비정상(thermal and process gas flow spatial anomalies)의 영향을 최소화하고, 그에 의해 기판(108)의 균일한 처리를 용이하게 하기 위해, 처리 동안 중앙 샤프트(132)에 의해 회전된다. 기판 지지체(107)는 중앙 샤프트(132)에 의해 지지되고, 중앙 샤프트(132)는 기판(108)의 로딩 및 언로딩 동안에 그리고 일부 경우들에서는 처리 동안에 기판(108)을 상하 방향(134)으로 이동시킨다. 전형적으로, 기판 지지체(107)는 낮은 열 용량(low thermal mass 또는 low heat capacity)을 갖는 재료로 형성되어, 기판 지지체(107)에 의해 흡수 및 방출되는 에너지가 최소화되게 한다. 기판 지지체(107)는, 램프들(102)로부터의 복사 에너지를 흡수하고 그 복사 에너지를 기판(108)에 전도하기 위해, 실리콘 탄화물, 또는 실리콘 탄화물로 코팅된 흑연으로 형성될 수 있다. 도 1에서, 기판 지지체(107)는 램프들(102)로부터의 열 복사에 대한 기판의 노출을 용이하게 하기 위해 중앙 개구를 갖는 링으로서 도시되어 있다. 또한, 기판 지지체(107)는 중앙 개구가 없는 플래터형 부재일 수도 있다.
일반적으로, 상부 돔(128) 및 하부 돔(114)은 석영과 같이 광학적으로 투명한 재료로 전형적으로 형성된다. 상부 돔(128) 및 하부 돔(114)은 열 메모리(thermal memory)를 최소화하기 위해 얇은데, 전형적으로는 약 3mm 내지 약 10mm, 예를 들어 약 4mm의 두께를 갖는다. 상부 돔(128)은, 냉각 가스와 같은 열 제어 유체를 유입구(inlet portal)(126)를 통해 열 제어 공간(136)으로 도입하고 열 제어 유체를 배출구(exit portal)(130)를 통해 빼냄으로써, 열 제어될 수 있다. 일부 실시예들에서, 열 제어 공간(136)을 통해 순환하는 냉각 유체는 상부 돔(128)의 내측 표면 상의 퇴적을 감소시킬 수 있다.
램프들(102)의 어레이와 같은 하나 이상의 램프는, 프로세스 가스가 지나갈 때 기판(108)을 가열함으로써 기판(108)의 상부 표면 상으로의 재료의 퇴적을 용이하게 하기 위해, 중앙 샤프트(132) 주위에서, 특정된 최적의 요구되는 방식으로 하부 돔(114)에 인접하여 하부 돔 아래에 배치될 수 있다. 다양한 예들에서, 기판(108) 상에 퇴적되는 재료는 Ⅲ족, Ⅳ족 및/또는 Ⅴ족 재료일 수 있거나, 또는 Ⅲ족, Ⅳ족 및/또는 Ⅴ족 도펀트를 포함하는 재료일 수 있다. 예를 들어, 퇴적되는 재료는 갈륨 비화물, 갈륨 질화물 또는 알루미늄 갈륨 질화물을 포함할 수 있다.
램프들(102)은 섭씨 약 200도 내지 섭씨 약 1200도, 예컨대 섭씨 약 300도 내지 섭씨 약 950도의 범위 내의 온도로 기판(108)을 가열하도록 되어 있을 수 있다. 램프들(102)은 선택적인 반사기(143)에 의해 둘러싸인 전구들(bulbs)(141)을 포함할 수 있다. 각각의 램프(102)는 전력 분배 보드(power distribution board)(도시되지 않음)에 연결되고, 전력 분배 보드를 통해 각각의 램프(102)에 전력이 공급된다. 램프들(102)은, 예를 들어 램프들(102) 사이에 위치된 채널들(149)로 도입되는 냉각 유체에 의해 처리 동안 또는 처리 후에 냉각될 수 있는 램프헤드(145) 내에 위치된다. 부분적으로는 램프헤드(145)가 하부 돔(114)에 매우 근접해 있는 것으로 인해, 램프헤드(145)는 하부 돔(114)을 전도 냉각한다. 램프헤드(145)는 또한 램프 벽들 및 반사기들(143)의 벽들을 냉각할 수 있다. 원한다면, 램프헤드들(145)은 하부 돔(114)과 접촉할 수도 있고 접촉하지 않을 수도 있다.
선택적으로는, 원형 쉴드(167)가 기판 지지체(107) 주위에 배치되고 챔버 바디(101)의 측벽에 연결될 수 있다. 쉴드(167)는, 프로세스 가스들을 위한 예비 가열 구역을 제공하는 것에 더하여, 램프들(102)로부터의 열/광 잡음이 기판(108)의 디바이스 측(116)에 누설되는 것을 방지하거나 최소화한다. 쉴드(167)는 CVD SiC 코팅된 소결 흑연(CVD SiC coated sintered graphite), 성장된 SiC, 또는 프로세스 및 세정 가스들에 의한 화학적 파손(chemical breakdown)에 저항성이 있는 유사한 불투명 재료로 만들어질 수 있다.
기판(108)으로부터 방사되는 적외광을 다시 기판(108) 상에 반사시키기 위해서 상부 돔(128) 외부에 반사기(122)가 선택적으로 배치될 수 있다. 반사된 적외광으로 인해, 적외광이 반사되지 않았다면 프로세스 챔버(100)를 빠져나갔을 수 있는 열을 포함함으로써 가열 효율이 개선될 것이다. 반사기(122)는 알루미늄 또는 스테인리스 스틸과 같은 금속으로 만들어질 수 있다. 반사기(122)는 반사기(122)를 냉각하기 위한 물과 같은 유체의 유동을 운반하기 위한 머시닝된 채널들(machined channels)(126)을 가질 수 있다. 원한다면, 금과 같은 고반사성 코팅으로 반사기 영역을 코팅하는 것에 의해 반사 효율이 개선될 수 있다.
고온계들일 수 있는 복수의 열 복사 센서(140)가 기판(108)의 열 방출의 측정을 위해 램프헤드(145)에 배치된다. 전형적으로, 센서들(140)은 처리 동안 기판(108)의 상이한 위치들을 관찰(viewing)하는 것을 용이하게 하기 위해 램프헤드(145)의 상이한 위치들에 배치된다. 기판(108)의 상이한 위치들로부터의 열 복사를 감지하는 것은, 온도 비정상 또는 불균일이 존재하는지 여부를 판정하기 위해 기판(108)의 상이한 위치들에서의 열 에너지 양(thermal energy content), 예를 들어 온도를 비교하는 것을 용이하게 한다. 그러한 불균일은 막 형성에서의 불균일, 예를 들어 두께 및 조성에서의 불균일을 초래할 수 있다. 적어도 2개의 센서(140)가 이용되지만, 2개보다 많은 센서가 이용될 수 있다. 상이한 실시예들은 3개, 4개, 5개, 6개, 7개 또는 그 이상의 센서(140)를 이용할 수 있다.
각각의 센서(140)는 기판(108)의 한 구역(a zone)을 관찰하고, 기판의 한 구역의 열 상태를 감지한다. 일부 실시예들에서, 구역들이 방사상으로 배향될 수 있다. 예를 들어, 기판(108)이 회전되는 실시예들에서, 센서들(140)은 기판(108)의 중심과 실질적으로 동일한 중심을 갖는 기판(108)의 중심 부분에서의 중심 구역을 관찰 또는 정의할 수 있고, 하나 이상의 구역은 그 중심 구역을 둘러싸며 그 중심 구역과 동심을 이룬다. 그러나, 구역들이 동심을 이루거나 방사상으로 배향되는 것이 요구되지는 않는다. 일부 실시예들에서, 구역들은 비-방사상 방식으로 기판(108)의 상이한 위치들에 배열될 수 있다.
센서들(140)은 전형적으로 램프들(102) 사이에, 예를 들어 채널들(149) 내에 배치되고, 통상적으로는 기판(108)에 실질적으로 수직으로 배향된다. 일부 실시예들에서, 센서들(140)은 기판(108)에 수직으로 배향되는 한편, 다른 실시예들에서, 센서들(140)은 수직(normality)으로부터 약간 벗어나서 배향될 수 있다. 법선의 약 5° 내로 기울어진 배향이 가장 빈번하게 이용된다.
센서들(140)은 동일한 파장 또는 스펙트럼으로 맞춰지거나, 상이한 파장들 또는 스펙트럼들로 맞춰질 수 있다. 예를 들어, 챔버(100)에서 이용되는 기판들은 조성적으로 균질일 수 있거나, 또는 그들은 상이한 조성들의 도메인들을 가질 수 있다. 상이한 파장들에 맞춰진 센서들(140)을 이용하면, 상이한 조성, 및 열 에너지에 대한 상이한 방출 응답들을 갖는 기판 도메인들을 모니터링하는 것이 허용될 수 있다. 전형적으로, 센서들(140)은 적외선 파장, 예를 들어 약 4㎛로 맞춰진다.
최상부 열 센서(118)는, 원한다면, 상부 돔(128)의 열 상태를 모니터링하기 위해, 또는 센서들(140)과는 반대되는 시점에서 기판(108)의 열 상태를 모니터링하기 위해, 반사기(122)에 배치될 수 있다. 그러한 모니터링은 센서들(140)로부터 수신된 데이터와 비교하는 데에, 예를 들어 센서들(140)로부터 수신된 데이터에 결함이 존재하는지를 판정하는 데에 유용할 수 있다. 최상부 열 센서(118)는 일부 경우들에서는 1개보다 많은 개별 센서를 특징으로 하는 센서들의 어셈블리일 수 있다. 따라서, 챔버(100)는 기판의 제1 면으로부터 방출된 복사를 수취하도록 배치된 하나 이상의 센서, 및 제1 면에 반대되는 기판의 제2 면으로부터의 복사를 수취하도록 배치된 하나 이상의 센서를 특징으로 할 수 있다.
제어기(160)는 센서들(140)로부터 데이터를 수신하고, 그 데이터에 기초하여 각각의 램프(102), 또는 램프들 또는 램프 구역들의 개별 그룹들에 전달되는 전력을 별개로 조절한다. 제어기(160)는 다양한 램프들 또는 램프 구역들에 독립적으로 전력을 공급하는 전력 공급부(162)를 포함할 수 있다. 제어기(160)는 원하는 온도 프로파일을 갖도록 구성될 수 있고, 센서들(140)로부터 수신된 데이터를 비교하는 것에 기초하여, 제어기(160)는 램프들 및/또는 램프 구역들에 대한 전력을 조절하여, 관측된 열 데이터를 원하는 온도 프로파일에 일치시킨다. 또한, 제어기(160)는, 챔버 성능이 시간에 따라 표류하는 경우에, 하나의 기판의 열 처리를 다른 기판의 열 처리에 일치시키기 위해 램프들 및/또는 램프 구역들에 대한 전력을 조절할 수 있다.
도 2는 다른 실시예에 따른 방법(200)을 요약한 흐름도이다. 단계(202)에서, 기판은 프로세스 챔버 내의 기판 지지체 상에 위치된다. 기판 지지체는 열 복사에 대해 실질적으로 투명하고, 낮은 열 용량을 갖는다. 기판에 열을 제공하기 위해 열 램프들이 위치된다.
단계(204)에서, 프로세스 가스가 프로세스 챔버에 도입되고, 프로세스 챔버의 압력은 약 0.01Torr 내지 약 10Torr로 설정된다. 프로세스 가스는 기판 상에 층이 형성되게 하는 임의의 가스일 수 있다. 프로세스 가스는 Ⅳ족 프리커서 및/또는 Ⅲ족 및 Ⅴ족 프리커서를 함유할 수 있고, 그로부터 실리콘 또는 게르마늄과 같은 Ⅳ족 재료 또는 알루미늄 질화물과 같은 Ⅲ/Ⅴ족 화합물 재료가 형성될 수 있다. 그러한 프리커서들의 혼합물들도 또한 이용될 수 있다. 프로세스 가스는 전형적으로 비반응성의 희석제 또는 캐리어 가스와 함께 유동되며, 전형적으로 기판 표면에 실질적으로 평행한 층류 또는 준층류(quasi-laminar flow)로 제공된다.
단계(206)에서, 약 400℃ 내지 약 1,200℃, 예를 들어 약 600℃의 온도로 기판이 가열된다. 프리커서들은 가열된 기판 표면에 접촉하고, 기판 표면 상에 층을 형성한다. 기판은 막 특성들의 균일성을 개선하기 위해 회전될 수 있다.
단계(208)에서, 제1 광학 센서에 의해 기판의 제1 구역의 제1 온도가 측정되고, 제2 광학 센서에 의해 기판의 제2 구역의 제2 온도가 측정된다. 광학 센서들은 제1 및 제2 구역에서 기판에 의해 방출되는 복사의 강도를 감지하는 고온계들일 수 있다. 일부 실시예들에서, 광학 센서들로부터 수신되는 신호들은 램프들로부터 나와서 기판으로부터 반사되는 배경 복사(background radiation)를 보상하도록 조절될 수 있다. 온도의 함수로서의 기판 반사율은, 램프들에 의해 방출되는 광의 알려진 강도와 함께, 반사된 광의 강도를 모델링하기 위해 이용될 수 있고, 모델링된 강도는 센서들의 신호대 잡음비를 개선하기 위해 광학 센서들로부터의 신호들을 조절하는 데에 이용될 수 있다.
단계(210)에서, 제1 온도를 제1 목표 온도에 일치시키고 제2 온도를 제2 목표 온도에 일치시키기 위해, 제1 온도 및 제2 온도 판독치에 기초하여 램프들에 대한 전력이 조절된다. 제1 및 제2 목표 온도는 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 막 형성이 기판의 중심에서보다 기판의 에지에서 더 빠른 것을 보상하기 위해, 제1 온도는 기판의 중심에서 측정될 수 있고, 제2 온도는 기판의 에지에서 측정될 수 있으며, 램프 전력은 기판의 에지에서보다 중심에서 더 높은 기판 온도를 제공하도록 조절된다. 원한다면, 국지적인 온도 제어의 특정성(specificity)을 증가시키기 위해, 기판 상의 2개보다 많은 위치에서 온도들을 모니터링하는데 2개보다 많은 구역이 이용될 수 있다.
단계(212)에서, 처리가 중단되고, 기판은 프로세스 챔버로부터 제거된다. 단계(214)에서, 챔버 표면들로부터 퇴적물들을 제거하기 위해 챔버에 세정 가스가 제공된다. 퇴적물들의 제거는 램프 복사 및 기판 방출에 대한 챔버 컴포넌트들의 투과율 감소를 바로잡아서, 기판마다의 막 특성들의 반복성을 유지한다. 세정 가스는 전형적으로 염소, 브롬 또는 요오드를 함유하는 가스이다. Cl2, Br2, I2, HCl, HBr 및 HI와 같은 가스들이 종종 이용된다. 할로겐 원소(elemental halogens)가 이용될 때, 챔버의 온도는 챔버의 세정을 위해 대략 일정하게 유지되거나 약간 증가될 수 있다. 할로겐화 수소가 이용될 때, 챔버의 온도는 할로겐 세정제의 감소된 농도를 보상하기 위해 전형적으로 증가된다. 할로겐화 수소를 이용한 세정 동안의 챔버의 온도는 약 800℃ 내지 약 1,200℃, 예를 들어 약 900℃까지 증가될 수 있다. 원하는 세정 결과에 따라, 30초 내지 10분의 세정 이후에, 다른 기판이 처리될 수 있다.
상술한 것은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 실시예들 및 추가의 실시예들은 본 발명의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 고안될 수 있으며, 본 발명의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (17)

  1. 기판 처리 장치로서,
    제1 부분 및 투명한 제2 부분을 포함하는 진공 챔버;
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에서 상기 진공 챔버 내부에 배치된 기판 지지체;
    상기 진공 챔버의 상기 제2 부분 부근에 위치된 램프헤드;
    상기 램프헤드 내에 배치된 복수의 열 센서 - 각각의 열 센서는 상기 기판 지지체의 구역으로부터 열 복사를 수취하도록 배향됨 -;
    상기 열 센서들의 위치에 관련하여 상기 램프헤드에 연결된 복수의 전력 공급부; 및
    상기 열 센서들로부터의 입력에 기초하여 상기 전력 공급부들을 조절하는 제어기
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열 센서들은 상기 제2 부분을 통해 열 복사를 수취하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판 지지체는 낮은 열 용량을 가지며, 상기 열 센서들은 상기 기판 지지체에 배치된 기판에 의해 방출되고 상기 기판 지지체에 의해 투과되는 열 복사를 수취하는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 부분 부근에 배치된 반사기를 더 포함하고, 상기 반사기 및 상기 제1 부분은 함께 열 제어 공간을 정의하는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 반사기를 통해 배치되며 상기 열 제어 공간과 유체 소통하는 열 제어 유체용 유입구, 및 상기 반사기를 통해 배치되며 상기 열 제어 공간과 유체 소통하는 열 제어 유체용 배출구를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 둘 다 석영인, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 부분 부근에 배치된 열 센서를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 열 센서는 상기 반사기에 배치되는, 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 램프헤드는 복수의 열 램프를 포함하는, 기판 처리 장치.
  10. 기판 처리 장치로서,
    제1 부분 및 투명한 제2 부분을 포함하는 진공 챔버;
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에서 상기 진공 챔버 내부에 배치된 기판 지지체;
    상기 진공 챔버의 상기 제2 부분 부근에 위치된 램프헤드;
    상기 램프헤드 내에 배치된 복수의 열 센서 - 각각의 열 센서는 상기 기판 지지체의 구역으로부터 열 복사를 수취하도록 배향됨 -;
    상기 제1 부분 부근에 배치된 반사기;
    상기 열 센서들의 위치에 관련하여 상기 램프헤드에 연결된 복수의 전력 공급부; 및
    상기 열 센서들로부터의 입력에 기초하여 상기 전력 공급부들을 조절하는 제어기
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 둘 다 석영인, 기판 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 반사기는 열 제어 유체용 유입구 및 배출구를 갖는, 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 반사기에 배치된 열 센서를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 램프헤드는 복수의 열 램프를 포함하는, 기판 처리 장치.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 기판 지지체는 디스크형 부재인, 기판 처리 장치.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 기판 지지체는 링형 부재를 포함하는, 기판 처리 장치.
  17. 제10항에 있어서,
    각각의 열 센서는 상기 기판 지지체의 방사상 구역으로부터 열 복사를 수취하도록 배향되는, 기판 처리 장치.
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