KR20210023629A - light emitting diode package - Google Patents

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KR20210023629A
KR20210023629A KR1020190116017A KR20190116017A KR20210023629A KR 20210023629 A KR20210023629 A KR 20210023629A KR 1020190116017 A KR1020190116017 A KR 1020190116017A KR 20190116017 A KR20190116017 A KR 20190116017A KR 20210023629 A KR20210023629 A KR 20210023629A
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emitting diode
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electrode pad
lead frame
light emitting
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KR1020190116017A
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김대원
원예림
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주식회사 루멘스
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Abstract

Disclosed is a light-emitting diode package. The light-emitting diode package comprises: a light-emitting diode chip including a substrate, a semiconductor-stacked structure formed on the substrate, and first and second electrode pads formed on the semiconductor-stacked structure; a first lead frame including a first upper surface on which a bottom surface of the substrate is located, a first lower surface parallel to the first upper surface, and a first side surface connecting one side of the first upper surface with one side of the first lower surface, wherein on the first side surface, a first inclined side surface is formed on an upper portion and a first vertical side surface is formed on a lower portion; a second lower surface including a second upper surface disposed at the same position as the first upper surface, a second lower surface disposed at the same position as the first lower surface, and a second side surface disposed parallel to the first side surface, wherein on the second side surface, a second inclined side surface is formed on an upper portion and a second vertical side surface is formed on a lower portion; molding members formed on the first upper surface and the second upper surface, wherein each molding member includes a first inclined surface having a first inclination and a second inclined surface formed on an upper portion of the first inclined surface and having a second inclination that is smaller than the first inclination; and an encapsulation material which comes into contact with the first inclined surface, the second inclined surface, the first upper surface and the second upper surface, and including at least one phosphor. The molding member includes an upper gap filling part which fills a gap between the first inclined side surface and the second inclined side surface and a lower gap filling part which fills a gap between the first vertical side surface and the second vertical side surface. According to the present invention, a bonding force between the lead frames and the molding member can be further improved.

Description

발광다이오드 패키지{light emitting diode package} Light emitting diode package

본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 리드프레임들과 몰딩부재의 하부면이 동일 평면상에 존재하는 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and to a light emitting diode package in which lead frames and a lower surface of a molding member are on the same plane.

다양한 타입의 발광다이오드 패키지들이 공지되어 있다. 여러 타입의 발광다이오드 패키지들 중 몰딩부재가 리드프레임들의 상부를 덮도록 형성된 타입으로 탑뷰형 발광다이오드 패키지와 칩형 발광다이오드 패키지가 있다. 칩형 발광다이오드 패키지는 리드프레임들 중 하나의 리드프레임 상에 발광다이오드칩이 실장되고, 발광다이오드칩을 봉지하는 투광성 몰딩부재가 리드프레임들의 상면과 발광다이오드칩들을 덮도록 구성된다. 또한, 탑뷰형 발광다이오드 패키지는 리드프레임들 중 하나의 리드프레임 상에 발광다이오드칩이 실장되고 리드프레임들의 상면을 덮도록 캐비티를 포함하는 몰딩부재가 형성된다. 캐비티를 통해 노출된 리드프레임들 중 하나의 내측 영역에 발광다이오드칩이 실장되고, 발광다이오드칩의 상부에 형성된 전극패드들은 본딩와이어들에 의해 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 연결된다. 그리고, 캐비티 내에는 발광다이오드칩을 덮어 보호하는 봉지재가 형성된다.Various types of light emitting diode packages are known. Among various types of light emitting diode packages, there are a top view type light emitting diode package and a chip type light emitting diode package as a type in which a molding member is formed to cover upper portions of the lead frames. In the chip-type LED package, a LED chip is mounted on one of the lead frames, and a light-transmitting molding member encapsulating the LED chip covers the upper surface of the lead frames and the LED chips. In addition, in a top-view LED package, a LED chip is mounted on one of the lead frames, and a molding member including a cavity is formed to cover the upper surfaces of the lead frames. The LED chip is mounted in an inner region of one of the lead frames exposed through the cavity, and electrode pads formed on the LED chip are connected to the first lead frame and the second lead frame by bonding wires. In addition, an encapsulant is formed in the cavity to cover and protect the light emitting diode chip.

발광다이오드 패키지는 주위 온도 등 외부 환경으로 인해, 리드프레임들과 몰딩부재 사이의 계면이 쉽게 벌어지고, 그 벌어짐 틈을 통해 봉지재에 의해 막힌 캐비티 내부로 외부 공기나 수분이 쉽게 침투된다. 발광다이오드칩 동작시 발생한 열에 의해 캐비티 내에 형성된 봉지재가 팽창 및 수축을 반복하면서 리드프레임들과 몰딩부재와 봉지재 사이의 결합력이 저하되는 문제점이 있다. 특히, 발광다이오드칩 동작시 발생한 열이 특정 영역에 집중되면, 열이 집중된 부분에서 몰딩부재 및/또는 봉지재에 많은 국부적이 변형 및 몰딩부재의 박리 등의 문제점이 발생한다. In the light emitting diode package, the interface between the lead frames and the molding member is easily opened due to an external environment such as ambient temperature, and external air or moisture easily penetrates into the cavity blocked by the encapsulant through the gap. There is a problem in that the bonding force between the lead frames and the molding member and the encapsulant decreases while the encapsulant formed in the cavity repeats expansion and contraction due to heat generated during operation of the LED chip. In particular, when the heat generated during the operation of the LED chip is concentrated in a specific region, problems such as many local deformations and peeling of the molding member occur in the molding member and/or the encapsulant in the heat concentrated part.

위와 같은 문제점은 몰딩부재가 리드프레임들의 상면과 측면만을 덮도록 형성되는 발광다이오드 패키지의 구조적인 한계로부터 비롯된다. 한편, 몰딩부재가 리드프레임들의 하부면의 상당 부분을 덮는 기존 탑뷰 하우징 타입 발광다이오드 패키지는 방열 성능이 떨어지고 리드프레임들의 구부림을 필요로 하고 그 구부림으로 인한 리드프레임들에 취약한 부분이 발생하는 문제점이 있다. The above problem arises from the structural limitation of the light emitting diode package in which the molding member is formed to cover only the upper and side surfaces of the lead frames. On the other hand, the existing top-view housing type light emitting diode package, in which the molding member covers a significant portion of the lower surface of the lead frames, has poor heat dissipation performance, requires bending of the lead frames, and causes vulnerable parts to the lead frames due to the bending. have.

따라서, 리드프레임들과 몰딩부재의 하부면이 동일 평면상에 존재하는 발광다이오드 패키지에 있어서, 리드프레임들과 몰딩부재 사이의 결합력을 향상시킬 수 있는 기술의 필요성이 존재한다. 또한, 발광다이오드칩 동작시 발생한 열이 널고 균일하게 퍼지도록 하여, 특정 영역에 국부적인 열 변형을 막을 수 있는 기술의 필요성이 존재한다.Accordingly, in a light emitting diode package in which the lead frames and the lower surface of the molding member are on the same plane, there is a need for a technology capable of improving the bonding force between the lead frames and the molding member. In addition, there is a need for a technology capable of preventing local thermal deformation in a specific area by spreading the heat generated during operation of the LED chip widely and uniformly.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 리드프레임들과 몰딩부재의 하부면이 동일 평면상에 존재하는 구조를 포함하되, 이러한 구조에서, 리드프레임들과 몰딩부재 사이의 결합력이 보다 향상되고, 방열 성능이 우수한 발광다이오드 패키지를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention includes a structure in which the lower surfaces of the lead frames and the molding member exist on the same plane, and in this structure, the bonding force between the lead frames and the molding member is further improved, and the heat dissipation performance It is to provide this excellent light emitting diode package.

본 발명의 일측면에 따른 발광다이오드 패키지는. 기판과 상기 기판상에 형성된 반도체 적층구조 및 상기 반도체 적층구조상에 형성되는 제1 전극패드 및 제2 전극패드를 포함하는 발광다이오드칩; 상기 기판의 바닥면이 위치하는 제1 상부면, 상기 제1 상부면과 평행한 제1 하부면 및 상기 제1 상부면과 상기 제1 하부면의 일측을 연결하고 상부의 제1 경사측면 및 하부의 제1 수직측면이 형성된 제1 측면을 포함하는 제1 리드 프레임; 상기 제1 상부면과 동일한 위치의 제2 상부면, 상기 제1 하부면과 동일한 위치의 제2 하부면 및 상기 제1 측면과 평행하게 위치하고, 상부의 제2 경사측면 및 하부의 제2 수직측면이 형성된 제2 측면을 포함하는 제2 리드 프레임; 상기 제1 상부면 및 상기 제2 상부면에 형성되고 제1 기울기를 가지는 제1 경사면과 상기 제1 경사면의 상부에 형성되고 상기 제1 기울기보다 작은 제2 기울기를 가지는 제2 경사면을 포함하는 몰딩부재; 및 상기 제1 경사면, 상기 제2 경사면, 상기 제1 상부면 및 상기 제2 상부면과 접촉하며 적어도 하나의 형광체를 포함하는 봉지재;를 포함하며, 상기 몰딩부재는 상기 제1 경사측면과 상기 제2 경사측면 사이의 갭을 채우는 상부 갭 채움부와 상기 제1 수직측면과 상기 제2 수직측면 사이의 갭을 채우는 하부 갭 채움부를 포함한다.A light emitting diode package according to an aspect of the present invention. A light emitting diode chip including a substrate, a semiconductor stacked structure formed on the substrate, and a first electrode pad and a second electrode pad formed on the semiconductor stacked structure; A first upper surface on which the bottom surface of the substrate is located, a first lower surface parallel to the first upper surface, and a first inclined side surface and a lower surface of the upper surface are connected to one side of the first upper surface and the first lower surface A first lead frame including a first side surface on which a first vertical side surface is formed; A second upper surface at the same position as the first upper surface, a second lower surface at the same position as the first lower surface, and parallel to the first side, and a second inclined side at the top and a second vertical side at the bottom A second lead frame including the formed second side surface; A molding including a first inclined surface formed on the first upper surface and the second upper surface and having a first slope, and a second inclined surface formed on the first inclined surface and having a second slope smaller than the first slope absence; And an encapsulant comprising at least one phosphor and in contact with the first inclined surface, the second inclined surface, the first upper surface and the second upper surface, wherein the molding member includes the first inclined side surface and the first inclined surface And an upper gap filling portion filling a gap between the second inclined side surfaces and a lower gap filling portion filling a gap between the first vertical side and the second vertical side.

일 실시예에 따라, 상기 발광다이오드칩의 중심과 상기 몰딩부재의 중심은 일치한다.According to an embodiment, the center of the LED chip and the center of the molding member coincide.

일 실시예에 따라, 상기 발광다이오드 패키지는 상기 제1 상부면에 형성된 제1 본딩부, 상기 제2 상부면에 형성된 제2 본딩부, 상기 제1 본딩부와 상기 제1 전극패드를 연결하는 제1 본딩와이어 및 상기 제2 본딩부와 상기 제2 전극패드를 연결하는 제2 본딩와이어를 더 포함한다.According to an embodiment, the LED package includes a first bonding portion formed on the first upper surface, a second bonding portion formed on the second upper surface, and a first bonding portion connecting the first bonding portion and the first electrode pad. It further includes a first bonding wire and a second bonding wire connecting the second bonding unit and the second electrode pad.

일 실시예에 따라, 상기 제1 전극패드의 중심과 상기 제2 전극패드의 중심을 연결한 제1 가상직선은 상기 갭과 평행하고, 상기 발광다이오드칩의 중심을 지나는 제2 가상직선은 상기 제1 가상직선과 직교한다.According to an embodiment, a first virtual straight line connecting the center of the first electrode pad and the center of the second electrode pad is parallel to the gap, and the second virtual straight line passing through the center of the LED chip is 1 It is orthogonal to an imaginary straight line.

일 실시예에 따라, 상기 제1 전극패드의 중심과 상기 제2 전극패드의 중심을 지나는 제1 가상직선은 상기 갭과 제1 경사각으로 교차하고, 상기 발광다이오드칩의 중심을 지나는 제2 가상직선이 상기 제1가상직선과 제2 경사각으로 교차하며, 상기 제1 경사각과 상기 제2 경사각의 합은 90도이다.According to an embodiment, a first virtual straight line passing through the center of the first electrode pad and the center of the second electrode pad crosses the gap at a first inclination angle, and a second virtual straight line passing through the center of the LED chip. The first virtual straight line and the second inclination angle cross each other, and the sum of the first inclination angle and the second inclination angle is 90 degrees.

일 실시예에 따라, 상기 제1 가상직선은 상기 제1 전극패드의 중심과 상기 제1 본딩부의 중심을 지나는 제3 가상직선 및 상기 제2 전극패드의 중심과 상기 제2 본딩부의 중심을 지나는 제4 가상직선과 일치한다.According to an embodiment, the first virtual straight line is a third virtual straight line passing through the center of the first electrode pad and the center of the first bonding unit, and a third virtual line passing through the center of the second electrode pad and the center of the second bonding unit. 4 It coincides with an imaginary straight line.

일 실시예에 따라, 상기 제1 리드프레임은 상기 제1 측면과 평행한 제3 측면과 상기 제2 리드프레임은 상기 제2 측면과 평행한 제4 측면을 더 포함하고, 상기 제1 리드프레임 또는 상기 제2 리드프레임은 상기 제3 측면 또는 상기 제4 측면으로부터 돌출된 적어도 하나 이상의 돌출부가 형성된다.According to an embodiment, the first lead frame further includes a third side parallel to the first side and a fourth side parallel to the second lead frame, and the first lead frame or The second leadframe has at least one protrusion protruding from the third side or the fourth side.

일 실시예에 따라, 상기 제3 측면 또는 상기 제4 측면은 상기 몰딩부재에 의해 덮이고 상기 돌출부는 상기 몰딩부재의 외부로 돌출되어 있다.According to an embodiment, the third side or the fourth side is covered by the molding member, and the protrusion protrudes to the outside of the molding member.

일 실시예에 따라, 상기 돌출부는 사다리꼴 형상일 수 있다.According to an embodiment, the protrusion may have a trapezoidal shape.

일 실시예에 따라, 상기 제1 리드프레임은 상기 제1 측면과 직각을 이루고, 서로 평행한 제5 측면 및 제7 측면 및 상기 제2 리드프레임은 상기 제2 측면과 직각을 이루고 서로 평행한 제6 측면 및 제8 측면을 더 포함하고, 상기 제1 리드프레임 또는 상기 제2 리드프레임은 상기 제5 측면, 상기 제6 측면, 상기 제7 측면 또는 상기 제8 측면으로부터 함몰된 오목부를 포함한다.According to an embodiment, the first leadframe is formed at a right angle to the first side, and the fifth and seventh sides are parallel to each other, and the second leadframe is formed at a right angle to the second side and is parallel to each other. The first lead frame or the second lead frame further includes a sixth side surface and an eighth side surface, and the first lead frame or the second lead frame includes a concave portion recessed from the fifth side surface, the sixth side surface, the seventh side surface, or the eighth side surface.

일 실시예에 따라, 상기 오목부의 내측 표면은 상기 몰딩부재에 의해 덮인다.According to one embodiment, the inner surface of the concave portion is covered by the molding member.

본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지는, 제1 상부면 및 제1 하부면을 포함하는 제1 리드프레임; 상기 제1 상부면과 동일 평면상에 위치하는 제2 상부면 및 상기 제1 하부면과 동일 평면상에 위치하는 제2 하부면을 포함하는 제2 리드프레임; 상기 제1 하부면 및 상기 제2 하부면과 동일 평면상의 제3 하부면을 포함하고, 상기 제1 상부면과 상기 제2 상부면에 형성되며 제1 기울기를 가지는 제1 경사면과 상기 제1 경사면의 상부에 형성되고 상기 제1 기울기보다 작은 제2 기울기를 가지는 제2 경사면을 포함하는 몰딩부재; 및 상기 제1 상부면에 실장되고, 기판과 상기 기판상에 형성되어 상부에 제1 전극패드와 제2 전극패드가 형성된 반도체 적층구조를 포함하는 발광다이오드칩을 포함하며, 상기 기판의 상단은 상기 제2 경사면의 하단보다 높게 위치한다.A light emitting diode package according to another aspect of the present invention includes: a first lead frame including a first upper surface and a first lower surface; A second lead frame including a second upper surface disposed on the same plane as the first upper surface and a second lower surface disposed on the same plane as the first lower surface; The first inclined surface and the first inclined surface including a third lower surface on the same plane as the first lower surface and the second lower surface, and formed on the first upper surface and the second upper surface and having a first slope A molding member formed on the top and including a second inclined surface having a second inclination smaller than the first inclination; And a light emitting diode chip mounted on the first upper surface and including a semiconductor stack structure formed on the substrate and the first electrode pad and the second electrode pad thereon, wherein the upper end of the substrate is the It is located higher than the lower end of the second slope.

일 실시예에 따라, 상기 몰딩부재는 상기 제2 경사면의 상단에 형성되고 상기 제1 기울기보다 큰 제3 기울기를 가지는 제3 경사면을 더 포함한다.According to an embodiment, the molding member further includes a third inclined surface formed on an upper end of the second inclined surface and having a third inclined greater than the first inclined surface.

일 실시예에 따라, 상기 제2 경사면의 내부 반사면은 서로 마주하는 한 쌍의 단폭 경사면과, 서로 마주하되 각 단폭 경사면과는 직각을 이루는 장폭 경사면과, 상기 단폭 경사면과 상기 장폭 경사면 사이를 연결하는 코너 반사면을 포함하며, 상기 코너 반사면은 상기 단폭 경사면의 상단 모서리와 상기 장폭 경사면의 상단 모서리를 사이를 연결하는 상단 연결 모서리와 상기 단폭 경사면의 하단 모서리와 상기 장폭 경사면의 하단 모서리를 연결하는 하단 연결 모서리를 포함하며, 상기 상단 연결 모서리의 길이가 상기 하단 한 연결 모서리의 길이보다 크다.According to an embodiment, the inner reflective surface of the second inclined surface is a pair of short-width inclined surfaces facing each other, a long-width inclined surface facing each other but forming a right angle to each short-width inclined surface, and a connection between the short-width inclined surface and the long-width inclined surface A corner reflective surface, wherein the corner reflective surface connects an upper connecting edge connecting the upper edge of the short-width inclined surface and the upper edge of the long-width inclined surface, and the lower edge of the short-width inclined surface and the lower edge of the long-width inclined surface It includes a lower connection edge, and the length of the upper connection edge is greater than the length of the lower connection edge.

일 실시예에 따라, 상기 상단 연결 모서리는 직선일 수 있다.According to an embodiment, the upper connection edge may be a straight line.

일 실시예에 따라, 상기 하단 연결 모서리는 원호형의 곡선일 수 있다.According to an embodiment, the lower connection edge may be an arc-shaped curve.

본 발명의 또 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지는, 기판 및 상기 기판 상부에 반도체 적층구조를 포함하고, 상기 반도체 적층구조 상부에 제1 전극 패드와 제2 전극 패드가 형성된 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩이 배치되고, 상기 제1 전극패드가 제1 본딩와이어를 통해 연결되는 제1 본딩부를 포함하는 제1 리드프레임; 상기 제1 리드프레임과 갭을 형성하며 배치되고, 상기 제2 전극패드가 제2 본딩와이어를 통해 연결되는 제2 본딩부를 포함하는 제2 리드프레임; 및 상기 제1 리드프레임의 상부와 상기 제2 리드프레임의 상부를 둘러싸는 캐비티면과 상기 갭을 채우는 갭 채움부를 포함하는 몰딩 부재를 포함하며, 상기 제1 전극패드의 중심과 상기 제2 전극패드의 중심을 연결한 제1 가상직선은 상기 갭과 평행하고, 상기 제1 가상직선은 상기 제1 전극패드의 중심과 상기 제1 본딩부의 중심을 연결한 제3 가상직선 및 상기 제2 전극패드의 중심과 상기 제2 본딩부의 중심을 연결한 제4 가상직선과 각각 직교한다.A light emitting diode package according to another aspect of the present invention includes a light emitting diode chip including a substrate and a semiconductor stacked structure on the substrate, and having a first electrode pad and a second electrode pad formed on the semiconductor stacked structure; A first lead frame including a first bonding unit on which the light emitting diode chip is disposed and the first electrode pad is connected through a first bonding wire; A second lead frame including a second bonding unit to form a gap with the first lead frame and to be connected to the second electrode pad through a second bonding wire; And a molding member including a cavity surface surrounding an upper portion of the first lead frame and an upper portion of the second lead frame, and a gap filling portion filling the gap, wherein the center of the first electrode pad and the second electrode pad A first virtual straight line connecting the center of is parallel to the gap, and the first virtual straight line is a third virtual straight line connecting the center of the first electrode pad and the center of the first bonding unit and the second electrode pad. They are perpendicular to a fourth virtual straight line connecting the center and the center of the second bonding unit, respectively.

일 실시예에 따라, 상기 발광 다이오드 칩의 중심을 지나는 제2 가상직선은 제3 가상직선 및 제4 가상직선과 평행하다.According to an embodiment, the second virtual straight line passing through the center of the light emitting diode chip is parallel to the third virtual straight line and the fourth virtual straight line.

일 실시예에 따라, 상기 제3 가상직선의 거리와 상기 제4 가상 직선의 거리는 같고, 상기 발광다이오드칩의 중심으로부터 상기 제1 전극패드의 중심까지의 거리와 상기 발광다이오드칩의 중심으로부터 상기 제2 전극패드의 중심까지의 거리는 같다.According to an embodiment, the distance of the third virtual straight line and the distance of the fourth virtual straight line are the same, and the distance from the center of the LED chip to the center of the first electrode pad and the center of the LED chip. 2 The distance to the center of the electrode pad is the same.

일 실시예에 따라, 상기 발광다이오드칩의 중심으로부터 상기 제1 전극패드에 이르는 최단 직선거리와 상기 발광다이오드칩의 중심으로부터 상기 제2 전극패드에 이르는 최단 직선거리는 같고 상기 제1 전극패드로부터 상기 제1 본딩부까지의 최단 직선거리와 상기 제2 본딩부로부터 상기 제2 본딩부까지의 최단 직선거리는 같다.According to an embodiment, the shortest linear distance from the center of the LED chip to the first electrode pad and the shortest linear distance from the center of the LED chip to the second electrode pad are the same. The shortest linear distance from the first bonding unit and the shortest linear distance from the second bonding unit to the second bonding unit are the same.

본 발명의 실시예들에 따르면, 리드프레임들과 몰딩부재의 하부면이 동일 평면상에 존재하는 구조를 포함하되, 이러한 구조에서, 리드프레임들과 몰딩부재 사이의 결합력이 보다 형상되고, 방열 성능이 우수한 발광다이오드 패키지가 구현된다.According to the embodiments of the present invention, the structure includes a structure in which the lower surfaces of the lead frames and the molding member exist on the same plane, and in this structure, the coupling force between the lead frames and the molding member is more shaped, and the heat dissipation performance This excellent light emitting diode package is implemented.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 발광다이오드 패키지를 도시한 평면 사시도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 저면 사시도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 평면도이고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 단면도이고,
도 5는 제1 리드프레임과 제2 리드프레임을 도시한 평면도로서, 몰딩부재를 가상선으로 함께 표시한 도면이고,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제1 리드프레임과 제2 리드프레임을 도시한 평면도로서, 몰딩부재를 가상선으로 함께 표시한 도면이고,
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 평면도이며,
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 발광다이오드 패키지들을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a plan perspective view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention,
2 is a bottom perspective view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention,
3 is a plan view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention,
4 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention,
5 is a plan view showing a first lead frame and a second lead frame, in which a molding member is displayed together with a virtual line,
6 is a plan view showing a first lead frame and a second lead frame of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, and is a view showing a molding member together with a virtual line.
7 is a plan view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention,
8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
9 and 10 are views for explaining light emitting diode packages according to still other embodiments of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들이 설명된다. 첨부된 도면들 및 이를 참조하여 설명되는 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자로 하여금 본 발명에 관한 이해를 돕기 위한 의도로 간략화되고 예시된 것임에 유의하여야 할 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the accompanying drawings and the embodiments described with reference to the drawings are simplified and illustrated with the intention of helping those of ordinary skill in the art to understand the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 발광다이오드 패키지를 도시한 평면 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 저면 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 평면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 단면도이며, 도 5는 제1 리드프레임과 제2 리드프레임을 도시한 평면도로서, 몰딩부재를 가상선으로 함께 표시한 도면이다.1 is a plan perspective view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom perspective view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a plan view illustrating a first lead frame and a second lead frame. This is a diagram showing the members together with a virtual line.

도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는, 서로 이격되도록 배치된 판형의 제1 리드프레임(100A) 및 제2 리드프레임(100B)과, 상기 제1 리드프레임(100A)과 상기 제2 리드프레임(100B)을 지지하도록 형성되고 중앙에 캐비티(201)가 형성된 몰딩부재(200)와, 상기 몰딩부재(200)의 캐비티(201) 내에 배치되는 발광다이오드칩(300)과, 상기 캐비티(201) 내에 채워지도록 형성되어 상기 발광다이오드칩(300) 등을 보호하는 봉지재(400) 등을 포함한다.1 to 5, a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes a plate-shaped first lead frame 100A and a second lead frame 100B disposed to be spaced apart from each other, and the first lead frame 100B. 1 A molding member 200 formed to support the lead frame 100A and the second lead frame 100B and having a cavity 201 in the center, and light emission disposed within the cavity 201 of the molding member 200 And a diode chip 300 and an encapsulant 400 formed to be filled in the cavity 201 to protect the light emitting diode chip 300 and the like.

상기 제1 리드프레임(100A)은, Cu 등과 같이 열전도성과 전기 전도성이 좋은 금속판으로부터 대략 사각형을 갖도록 형성된 것으로서, 서로 평행한 제1 측면(101A) 및 제3 측면(102A)과, 제1 측면(101A) 및 제3 측면(102A) 각각과 직각을 이루고 서로 평행한 제5 측면(103A) 및 제7 측면(104A)과, 제1 상부면(105A) 및 제1 하부면(106A)을 포함한다.The first lead frame 100A is formed from a metal plate having good thermal conductivity and electrical conductivity, such as Cu, to have a substantially rectangular shape, and has a first side surface 101A and a third side surface 102A parallel to each other, and a first side surface ( 101A) and a third side surface 102A, respectively, and a fifth side surface 103A and a seventh side surface 104A parallel to each other, and a first upper surface 105A and a first lower surface 106A. .

또한, 상기 제2 리드프레임(100B)은, Cu 등과 같이 열전도성과 전기 전도성이 좋은 금속판으로부터 대략 사각형을 갖도록 형성된 것으로서, 서로 평행한 제2 측면(101B) 및 제4 측면(102B)과, 제2 측면(101B) 및 제4 측면(102B) 각각과 직각을 이루고 서로 평행한 제6 측면(103B) 및 제8 측면(104B)과, 제2 상부면(105B) 및 제2 하부면(106B)을 포함한다.In addition, the second lead frame 100B is formed to have a substantially rectangular shape from a metal plate having good thermal conductivity and electrical conductivity such as Cu, and the second and fourth sides 101B and 102B are parallel to each other, and the second The sixth side surface 103B and the eighth side surface 104B and the second upper surface 105B and the second lower surface 106B formed at right angles to each of the side surfaces 101B and the fourth side surface 102B and are parallel to each other. Includes.

상기 제1 리드프레임(100A)과 상기 제2 리드프레임(100B)은 제1 측면(101A)과 상기 제2 측면(101B)이 서로 평행한 상태로 마주하도록 나란하게 배치된다. 상기 제1 측면(101A)과 상기 제2 측면(101B) 사이에는 "전극 분리선"이라고 칭해지는 갭(G)이 형성된다. 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 하부면(106A)과 상기 제2 리드프레임(100B)의 제2 하부면(106B)은 동일 평면상에 있고, 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 상부면(105A)과 상기 제2 리드프레임(100B)의 상부면(105B)은 동일 평면 상에 있다.The first leadframe 100A and the second leadframe 100B are arranged side by side so that the first side 101A and the second side 101B face each other in a parallel state. A gap G referred to as an "electrode separation line" is formed between the first side 101A and the second side 101B. The first lower surface 106A of the first leadframe 100A and the second lower surface 106B of the second leadframe 100B are on the same plane, and the first lower surface 106A of the first leadframe 100A is on the same plane. 1 The upper surface 105A and the upper surface 105B of the second lead frame 100B are on the same plane.

상기 제1 하부면(106A)과 상기 제2 하부면(106B)의 평면 면적, 즉, 상기 몰딩부재(200)로부터 외부로 노출되는 상기 제1 하부면(106A)과 상기 제2 하부면(106B)의 평면 면적은 상기 몰딩부재(200)의 하부 영역 면적의 70% 이상이 된다. 상기 몰딩부재(200)의 하부 영역 면적은 아래로 노출되는 상기 몰딩부재(200)의 하부면 자체의 평면 면적과 상기 제1 하부면(106A) 평면 면적과 상기 제2 하부면(106B)의 평면 면적의 합과 같다.Planar areas of the first and second lower surfaces 106A and 106B, that is, the first lower surface 106A and the second lower surface 106B exposed to the outside from the molding member 200 The plane area of) becomes 70% or more of the area of the lower area of the molding member 200. The area of the lower area of the molding member 200 is a plane area of the lower surface of the molding member 200 that is exposed downward, a plane area of the first lower surface 106A, and a plane area of the second lower surface 106B. It is equal to the sum of the areas.

한편, 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 측면(101A)은 상부에 형성된 제1 경사측면(101Aa)과 상기 제1 경사측면(101Aa)의 하부에 형성된 제1 수직측면(101Ab)을 포함하고, 상기 제2 리드프레임(100B)의 제2 측면(101B)은 상부에 형성된 제2 경사측면(101Ba)과 상기 제2 경사측면(101Ba)의 하부에 형성된 제2 수직측면(101Bb)을 포함한다. 상기 제1 경사측면(101Aa) 구간 부분의 두께는 상기 제1 수직측면(101Ab) 구간 부분의 두께보다 얇고, 상기 제2 경사측면(101Ba) 구간 구분의 두께는 상기 제2 수직측면(101Bb) 구간 부분의 두께보다 얇다.Meanwhile, the first side surface 101A of the first lead frame 100A includes a first inclined side surface 101Aa formed thereon and a first vertical side surface 101Ab formed under the first inclined side surface 101Aa. And, the second side surface 101B of the second lead frame 100B includes a second inclined side surface 101Ba formed on the top and a second vertical side surface 101Bb formed under the second inclined side surface 101Ba. do. The thickness of the section of the first inclined side (101Aa) is thinner than that of the section of the first vertical side (101Ab), and the thickness of the section of the second inclined side (101Ba) is the second vertical side (101Bb) section It is thinner than the thickness of the part.

또한, 상기 제1 리드프레임(100A)의 종폭, 즉, 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 측면(101A) 또는 상기 제3 측면(102A)의 길이와 상기 제2 리드프레임(100B)의 제2 측면(101B) 또는 제4 측면(102B)의 길이는 같다. 또한, 상기 제1 리드프레임(100A)의 횡폭, 즉, 상기 제1 리드프레임(100A)의 제5 측면(103A) 또는 상기 제7측면(104A)의 길이는 상기 제2 리드프레임(100B)의 횡폭, 즉, 제2 리드프레임(100B)의 제6 측면(103B) 또는 상기 제8 측면(104B)의 길이보다 크다.In addition, the vertical width of the first lead frame 100A, that is, the length of the first side surface 101A or the third side surface 102A of the first lead frame 100A and the length of the second lead frame 100B. The length of the second side 101B or the fourth side 102B is the same. In addition, the width of the first lead frame 100A, that is, the length of the fifth side surface 103A or the seventh side surface 104A of the first lead frame 100A is It is larger than the width, that is, the length of the sixth side surface 103B or the eighth side surface 104B of the second lead frame 100B.

상기 제1 리드프레임(100A)과 상기 제2 리드프레임(100B) 각각은 상기 제3 측면(102A) 및 상기 제4 측면(102B)으로부터 돌출된 돌출부(110)를 상기 제3 측면(102A) 및 상기 제4 측면(102B) 각각의 양측에 구비한다. 이때, 상기 돌출부(110) 각각은 사각형일 수 있다. 또한, 상기 제1 리드프레임(100A) 및 상기 제2 리드프레임(100B) 각각은 상기 제5 측면(103A), 상기 제7 측면(104A), 상기 제6 측면(103B) 및 상기 제8 측면(104B) 각각으로부터 함몰되어 곡률을 가지는 오목부(120)를 포함한다.Each of the first lead frame 100A and the second lead frame 100B has a protrusion 110 protruding from the third side 102A and the fourth side 102B, and the third side 102A and It is provided on both sides of each of the fourth side surface 102B. In this case, each of the protrusions 110 may have a square shape. In addition, each of the first leadframe 100A and the second leadframe 100B has the fifth side 103A, the seventh side 104A, the sixth side 103B, and the eighth side ( 104B) It includes a concave portion 120 that is depressed from each and has a curvature.

상기 돌출부(110)와 상기 오목부(120)는 제1 리드프레임(100A) 및 제2 리드프레임(100B) 제작에 이용되는 금속판을 일정 형상으로 패턴 가공함으로써 얻어질 수 있는 것이다. The protruding portion 110 and the concave portion 120 may be obtained by patterning a metal plate used for manufacturing the first lead frame 100A and the second lead frame 100B into a predetermined shape.

한편, 상기 몰딩부재(200)는 상기 제1 리드프레임(100A)과 상기 제2 리드프레임(100B)을 지지하도록 형성된다. 상기 몰딩부재(200)는 예컨대 사출 성형에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(200)는 백색, 유백색 또는 은백색의 반사성 컬러를 포함하는 재료가 포함된 플라스틱 수지로부터 형성될 수 있다. 상기 몰딩부재(200)는 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 하부면(106A) 및 상기 제2 리드프레임(100B)의 제2 하부면(106B)과 동일 평면상에 있는 제3 하부면(206)을 포함한다.Meanwhile, the molding member 200 is formed to support the first lead frame 100A and the second lead frame 100B. The molding member 200 may be formed by, for example, injection molding. In addition, the molding member 200 may be formed from a plastic resin containing a material including a white, milky, or silvery reflective color. The molding member 200 is a third lower surface coplanar with the first lower surface 106A of the first lead frame 100A and the second lower surface 106B of the second lead frame 100B Including 206.

또한, 상기 몰딩부재(200)는 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 상부면(105A)의 내측 영역과 상기 제2 리드프레임(100B)의 제2 상부면(105B)의 내측 영역을 둘러싸는 캐비티(201)를 포함하도록 형성된 캐비티면(210)을 일체로 포함한다.In addition, the molding member 200 surrounds an inner region of the first upper surface 105A of the first lead frame 100A and an inner region of the second upper surface 105B of the second lead frame 100B. Integrally includes the cavity surface 210 formed to include the cavity 201.

또한, 상기 몰딩부재(200)는 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 측면(101A)과 상기 제2 리드프레임(100B)의 제2 측면(101B)을 전체적으로 덮도록 형성된다. 그리고, 상기 몰딩부재(200)는 상기 제1 리드프레임(100A)의 제5 측면(103A) 및 제7 측면(104A)과 상기 제2 리드프레임(100B)의 제6 측면(103B) 및 제8 측면(104B) 각각을 전체적으로 덮도록 형성된다. 상기 몰딩부재(200)가 상기 제5 측면(103A), 상기 제7 측면(104A), 상기 제6 측면(103B) 및 제8 측면(104B) 각각에 형성된 오목부(120)의 내측 표면도 모두 덮도록 형성됨은 물론이다. 상기 오목부(120)는 상기 몰딩부재(200)와의 측면 접합 면적을 증가시켜 상기 제1 리드프레임(100A) 및 상기 제2 리드프레임(100B)의 상기 몰딩부재(200)에 대한 결합력을 크게 높여준다.In addition, the molding member 200 is formed to entirely cover the first side surface 101A of the first lead frame 100A and the second side surface 101B of the second lead frame 100B. In addition, the molding member 200 includes a fifth side surface 103A and a seventh side surface 104A of the first lead frame 100A, and a sixth side surface 103B and an eighth side surface of the second lead frame 100B. It is formed so as to cover each of the side surfaces 104B as a whole. All inner surfaces of the concave portions 120 formed on the fifth side surface 103A, the seventh side surface 104A, the sixth side surface 103B, and the eighth side surface 104B of the molding member 200 are also all Of course, it is formed to cover. The concave portion 120 greatly increases the bonding force of the first lead frame 100A and the second lead frame 100B to the molding member 200 by increasing a side bonding area with the molding member 200. give.

또한, 상기 몰딩부재(200)는 상기 돌출부(110)들을 제외하고 상기 제3 측면(102A)과 상기 제4 측면(102B)을 덮는다. 상기 돌출부(110)들은 상기 몰딩부재(200)의 해당 측면을 지나 외부로 돌출된다. 상기 돌출부(110)들은, 상기 몰딩부재(200)의 외부로 노출되어 있으므로, 발광다이오드칩(300)의 동작시 발생한 열을 빠르게 외부로 방출시키는 열 방출 경로들을 형성한다. 또한, 상기 돌출부(110)들은, 몰딩부재(200)와의 접합 면적을 증가시키는 역할도 한다. 상기 돌출부(110)들이 외부로 노출되지만, 상기 캐비티면(210)의 여러 부분들 중 상기 돌출부(110)들이 관통하는 캐비티면(210)의 일부분, 즉, 단폭부에서 상기 몰딩부재(200)의 살 두께가 다른 영역에 비해 상대적으로 크므로 수분이나 외부 공기의 침투가 쉽게 일어나지는 않는다.In addition, the molding member 200 covers the third side surface 102A and the fourth side surface 102B except for the protrusions 110. The protrusions 110 protrude outward through the corresponding side surface of the molding member 200. Since the protrusions 110 are exposed to the outside of the molding member 200, they form heat dissipation paths for rapidly discharging heat generated during operation of the LED chip 300 to the outside. In addition, the protrusions 110 also serve to increase a bonding area with the molding member 200. Although the protrusions 110 are exposed to the outside, a portion of the cavity surface 210 through which the protrusions 110 penetrate among various parts of the cavity surface 210, that is, the molding member 200 is Since the flesh thickness is relatively large compared to other areas, moisture or external air does not easily penetrate.

본 실시예에서, 상기 캐비티면(210)은 제1 기울기를 가지며 아래로부터 위를 향해 제1 기울기에 대응되게 폭이 증가하는 제1 캐비티를 형성하는 제1 경사면(212)과, 상기 제1 기울기보다 작은 제2 기울기를 가지며 상기 제1 캐비티면(212)의 상단으로부터 위를 향해 제2 기울기에 대응되게 폭이 증가하는 제2 캐비티를 형성하는 제2 경사면(214)을 포함한다. 이와 같이 서로 다른 기울기를 갖는 하측의 제1 경사면(212)과 상측의 제2 경사면(214)을 포함하는 캐비티면(210)의 구조는 캐비티(201)의 내벽면과 봉지재(400) 사이의 접합 면적을 증가시켜 결합력을 높이고, 상기 캐비티(201)의 내벽면과 상기 봉지재(400) 사이의 경계를 따라 캐비티(201) 외부로부터 캐비티(201) 내부로 이어진 수분 또는 공기 침투 경로를 증가시켜, 수분 또는 공기의 침투를 막아주는데 기여할 수 있다. 또한, 하측의 제1 경사면(212)의 제1 기울기가 상측의 제2 경사면(214)의 제2 기울기보다 크고, 제1 기울기로 경사진 제1 경사면(212)과 제2 기울기로 경사진 제2 경사면(214)이 반사면을 형성함으로써, 광 손실을 줄이고 광 효율을 높일 수 있다.In this embodiment, the cavity surface 210 has a first inclination and a first inclined surface 212 forming a first cavity whose width increases corresponding to the first inclination from bottom to top, and the first inclination And a second inclined surface 214 that has a smaller second inclination and forms a second cavity whose width increases from the upper end of the first cavity surface 212 to correspond to the second inclination. In this way, the structure of the cavity surface 210 including the lower first inclined surface 212 and the upper second inclined surface 214 having different inclinations is between the inner wall surface of the cavity 201 and the encapsulant 400. By increasing the bonding area to increase the bonding force, along the boundary between the inner wall surface of the cavity 201 and the encapsulant 400, the moisture or air penetration path from the outside of the cavity 201 to the inside of the cavity 201 is increased. , May contribute to preventing the ingress of moisture or air. In addition, the first slope of the first slope 212 on the lower side is greater than the second slope of the second slope 214 on the upper side, and the first slope 212 sloped at the first slope and the second slope sloped at the second slope. 2 Since the inclined surface 214 forms a reflective surface, it is possible to reduce light loss and increase light efficiency.

도 3에 잘 도시된 바와 같이, 상기 경사면(214)의 내부 반사면은 서로 마주하는 한 쌍의 단폭 경사면(215)과, 서로 마주하되 각 단폭 경사면과는 직각을 이루는 장폭 경사면(216)과, 단폭 경사면(215)과 장폭 경사면(216) 사이를 연결하는 코너 반사면(217)을 포함한다. 상기 코너 반사면(217)은 상기 단폭 경사면(215)의 상단 모서리와 상기 장폭 경사면(216)의 상단 모서리를 사이를 연결하는 상단 연결 모서리(2171)와 상기 단폭 경사면(216)의 하단 모서리와 상기 장폭 경사면의 하단 모서리를 연결하는 하단 연결 모서리(2172)를 포함한다. 그리고, 상기 상단 연결 모서리(2171)의 길이는 상기 하단 연결 모서리(2172)의 길이보다 크다. 이때, 상기 상단 연결 모서리(2171)는 직선이고, 상기 하단 연결 모서리(2172)는 원호형의 곡선인 것이 바람직하다. 이와 같이, 원호형의 곡선으로 이루어진 하단 연결 모서리(2172)와 상기 하단 연결 모서리(2172)의 길이보다 긴 직선으로 이루어진 상단 연결 모서리(2171)를 포함하는 코너 반사면(217)은 상기 캐비티(201)의 코너로 향하는 광을 보다 더 효과적으로 반사시킬 수 있다. 3, the inner reflective surface of the inclined surface 214 has a pair of short-width inclined surfaces 215 facing each other, a long-width inclined surface 216 facing each other but forming a right angle to each of the short-width inclined surfaces, It includes a corner reflective surface 217 connecting between the short-width inclined surface 215 and the long-width inclined surface 216. The corner reflective surface 217 includes an upper connection edge 2171 connecting the upper edge of the short-width inclined surface 215 and the upper edge of the long-width inclined surface 216, and the lower edge of the short-width inclined surface 216 and the It includes a lower connection edge 2172 connecting the lower edge of the long-width inclined surface. In addition, the length of the upper connection edge 2171 is greater than the length of the lower connection edge 2172. In this case, it is preferable that the upper connection edge 2171 is a straight line, and the lower connection edge 2172 is an arc-shaped curve. In this way, the corner reflective surface 217 including the lower connection edge 2172 made of an arc-shaped curve and the upper connection edge 2171 made of a straight line longer than the length of the lower connection edge 2172 is the cavity 201 It can more effectively reflect the light destined for the corner of ).

도 4에 잘 도시된 바와 같이, 상기 발광다이오드칩(300)은, 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 상부면(105A) 영역 중에서 상기 캐비티(201) 내에 있는 제1 상부면(105A)의 내측 영역 상에 실장되며, 사파이어 기판으로 이루어진 기판(320)과, 상기 기판(320) 상에 형성된 질화갈륨계 반도체 적층구조(340)를 포함한다. 상기 반도체 적층구조(340)는 적어도 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함한다. 상기 발광다이오드칩(300)은, 제1 전극패드(342)와 제2 전극패드(344)를 모두 상부에 구비하는 래터럴형 발광다이오드칩으로서, 상기 제1 전극패드(342)와 상기 제2 전극패드(344) 중 하나는, 비아홀 또는 메사 식각홈을 통해 상기 n형 반도체층과 연결되고, 나머지 전극패드는 투명전극층을 통해 또는 전기절연층에 형성된 비아를 통해 p형 반도체층과 연결된다. 비아홀을 통해 형성된 레터럴형 발광다이오드칩은 상기 제1 전극패드(342)의 상단과 상기 제2 전극패드(344)의 상단은 같은 높이에 위치하는 것이 바람직하며, 식각홈을 통해 형성된 레터럴형 발광다이오드칩은 상기 제1 전극패드(342)의 상단과 상기 제2 전극패트(344)의 상단은 서로 다른 높이에 위치하는 것이 바람직하다.As illustrated in FIG. 4, the LED chip 300 includes a first upper surface 105A within the cavity 201 among a region of the first upper surface 105A of the first lead frame 100A. The substrate 320 is mounted on the inner region of the sapphire substrate and includes a gallium nitride-based semiconductor stacked structure 340 formed on the substrate 320. The semiconductor stacked structure 340 includes at least an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer. The light emitting diode chip 300 is a lateral type light emitting diode chip having both a first electrode pad 342 and a second electrode pad 344 thereon, and the first electrode pad 342 and the second electrode One of the pads 344 is connected to the n-type semiconductor layer through a via hole or a mesa etching groove, and the other electrode pads are connected to the p-type semiconductor layer through a transparent electrode layer or a via formed in the electrical insulating layer. In the lateral type light emitting diode chip formed through the via hole, the upper end of the first electrode pad 342 and the upper end of the second electrode pad 344 are preferably positioned at the same height, and the lateral type light emitting diode formed through the etching groove The chip is preferably positioned at different heights between the upper end of the first electrode pad 342 and the upper end of the second electrode pad 344.

앞에서 언급한 바와 같이, 상기 캐비티면(210)은 제1 기울기로 경사진 제1 경사면(212)과, 상기 제1 경사면(212)의 상부에 형성되고 상기 제1 기울기보다 작은 제2 기울기로 경사진 제2 경사면(214)을 포함한다. 상기 발광다이오드칩(300)이 상기 캐비티(201) 내에서 상기 제1 리드프레임(100A) 상에 실장될 때, 상기 기판(320)의 상단이 상기 제2 경사면(214)의 하단 높이 라인(L)과 동일 높이에 있거나 또는 그보다 높게 위치한다. 이러한 구조는 상기 발광다이오드칩(300)의 반도체 적층구조(340)에서 발생한 전체 광 중에서 상기 제2 경사면(212)으로 향하는 광의 양을 증가시킨다. 이는 광 손실을 줄이고 광 효율을 높이는데 있어서 유리하다.As mentioned above, the cavity surface 210 is formed on the first inclined surface 212 inclined with a first inclination, and is formed on the first inclined surface 212 and inclined with a second inclination smaller than the first inclination. It includes a photographic second sloped surface 214. When the LED chip 300 is mounted on the first lead frame 100A in the cavity 201, the upper end of the substrate 320 is the lower height line L of the second inclined surface 214. ) Is at the same level as or higher than that. This structure increases the amount of light directed to the second inclined surface 212 out of the total light generated from the semiconductor stacked structure 340 of the LED chip 300. This is advantageous in reducing light loss and increasing light efficiency.

다시 도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예의 발광다이오드 패키지는 캐비티 내에서 상기 제1 리드프레임(100A)의 상부면(105A)에 형성된 제1 본딩부(501)와, 상기 제2 리드프레임(100B)의 상부면(105B)에 형성된 제2 본딩부(502)와, 상기 제1 본딩부(501)와 상기 제1 전극패드(342)를 연결하는 제1 본딩와이어(601)와, 상기 제2 본딩부(502)와 상기 제2 전극패드(344)를 연결하는 제2 본딩와이어(602)를 포함한다. 상기 제1 본딩부(501)와 상기 제2 본딩부(502)는 도전성을 갖는 페이스트, 예컨대 솔더 페이스트에 의해 형성될 수 있다. 상기 발광다이오드칩(300), 상기 제1 본딩와이어(601) 및 상기 제2 본딩와이어(602)는 상기 캐비티(201)에 형성된 봉지재(400)에 의해 보호된다. 상기 봉지재(400)는, 형광체를 포함하는 수지로부터 형성될 수 있는데, 필요에 따라, 트랜스퍼 몰딩에 의해 봉지재(400) 내에 형광체가 균일하게 분산 분포되도록 할 수도 있고, 형광체를 포함하는 수지를 캐비티 직접 주입함으로써, 침강된 형광체가 발광다이오드칩(300)의 표면에 높은 밀도로 분포되도록 할 수도 있다. Referring back to FIGS. 1 to 5, the light emitting diode package of this embodiment includes a first bonding portion 501 formed on an upper surface 105A of the first lead frame 100A, and the second lead frame. A second bonding portion 502 formed on the upper surface 105B of (100B), a first bonding wire 601 connecting the first bonding portion 501 and the first electrode pad 342, and the And a second bonding wire 602 connecting the second bonding unit 502 and the second electrode pad 344. The first bonding portion 501 and the second bonding portion 502 may be formed of a conductive paste, for example, a solder paste. The LED chip 300, the first bonding wire 601, and the second bonding wire 602 are protected by an encapsulant 400 formed in the cavity 201. The encapsulant 400 may be formed from a resin containing a phosphor, and if necessary, the phosphor may be uniformly distributed and distributed in the encapsulant 400 by transfer molding, or a resin including the phosphor may be used. By directly injecting the cavity, the precipitated phosphor may be distributed at a high density on the surface of the LED chip 300.

도 4에 잘 도시된 바와 같이, 상기 몰딩부재(200)는 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 측면(101A)과 상기 제2 리드프레임(100B)의 제2 측면(101B) 사이의 갭(G; 도 1 및 도 2 참조)을 채우도록 형성된 갭 채움부(252)와, 상기 갭 채움부(252)보다 큰 폭을 갖도록 상기 갭 채움부(252)와 일체로 상기 갭 채움부(252)의 상부에 형성되어 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 상부면(105A)의 내측 영역 일부와 상기 제2 리드프레임(100B)의 제2 상부면(105B)의 내측 영역 일부를 덮는 커버부(254)를 일체로 포함한다. 상기 몰딩부재(200)는, 상기 갭(G)을 채우는 갭 채움부(252)와 더불어 상기 갭 채움부(252)의 상부에 일체로 형성되어 상기 제1 상부면(105A)와 상기 제2 상부면(105B)과 접촉하는 커버부(254)를 포함하는 갭 채움 구조에 의해, 상기 제1 리드프레임(100A) 및 상기 제2 리드프레임(100B)과의 결합력이 크게 증가될 수 있다. 4, the molding member 200 has a gap between the first side 101A of the first lead frame 100A and the second side 101B of the second lead frame 100B. The gap filling portion 252 formed to fill (G; see FIGS. 1 and 2) and the gap filling portion 252 integrally with the gap filling portion 252 to have a larger width than the gap filling portion 252 ), and covering a part of the inner region of the first upper surface 105A of the first lead frame 100A and a part of the inner region of the second upper surface 105B of the second lead frame 100B It includes the unit 254 integrally. The molding member 200 is integrally formed on an upper portion of the gap filling portion 252 together with a gap filling portion 252 filling the gap G, and the first upper surface 105A and the second upper portion Due to the gap filling structure including the cover portion 254 in contact with the surface 105B, the bonding force between the first lead frame 100A and the second lead frame 100B may be greatly increased.

또한, 상기 제1 측면(101A)과 상기 제2 측면(101B) 사이의 갭은 아래를 향해 폭이 점진적으로 작아지는 상부 갭, 즉 제1 경사측면(101Aa)와 제2 경사측면(101Ba) 사이의 갭과, 높이 전체에 걸쳐 폭이 일정한 하부 갭, 즉, 제1 수직측면(101Ab)와 제2 수직측면(101Bb) 사이의 갭을 포함한다. 상기 갭 채움부(252)는 상기 상부 갭, 즉, 상기 제1 경사측면(101Aa)과 상기 제2 경사측면(101Ab) 사이에 채워져서 아래를 향할수록 점진적으로 폭이 감소하도록 형성되는 상부 갭채움부(252A)와, 상기 하부 갭, 즉, 상기 제1 수직측면(101Ab)과 상기 제2 수직측면(101Bb) 사이에 채워져서 높이 전체에 걸쳐 폭이 일정하도록 형성된 하부 갭채움부(252B)를 포함한다. 이와 같은 구조는 갭 채움부(252)와 상기 커버부(254)가 만나는 부분이 상기 제1 측면(101A) 및 상기 제2 측면(101B)과 미세 틈도 없이 밀착되는 것을 보장한다. 만약 갭 채움부(252)와 상기 커버부(254)가 직각으로 연결된 구조라면, 갭 채움부(252)와 상기 커버부(254) 사이에는 상기 제1 측면(101A) 및 상기 제2 측면(101B)과 밀착되지 못하는 틈이 발생하게 될 것이다.In addition, the gap between the first side 101A and the second side 101B is an upper gap whose width gradually decreases downward, that is, between the first inclined side 101Aa and the second inclined side 101Ba. And a lower gap having a constant width over the entire height, that is, a gap between the first vertical side surface 101Ab and the second vertical side surface 101Bb. The gap filling part 252 is filled between the upper gap, that is, the first inclined side 101Aa and the second inclined side 101Ab, so that the width gradually decreases toward the bottom. A portion 252A and the lower gap, that is, a lower gap filling portion 252B filled between the first vertical side surface 101Ab and the second vertical side surface 101Bb so that the width is constant throughout the height. Includes. This structure ensures that a portion where the gap filling portion 252 and the cover portion 254 meet is in close contact with the first side surface 101A and the second side surface 101B without a fine gap. If the gap filling portion 252 and the cover portion 254 are connected at a right angle, the first side surface 101A and the second side surface 101B are between the gap filling portion 252 and the cover portion 254. ) And there will be a gap.

도 3과 도 4를 함께 참조하면, 상기 발광다이오드칩(300)의 중심과 상기 캐비티(201)의 중심과 상기 몰딩부재(200)의 중심은 C로서 서로 일치하고, 상기 캐비티(201)의 바닥에서 상기 제1 전극패드의 중심과 상기 제2 전극패드의 중심을 연결한 제1 가상직선(L1)은 제1 리드프레임(100A)과 상기 제2 리드프레임(100B) 사이의 갭과 평행하고, 상기 캐비티(201)의 바닥에서 상기 발광다이오드칩(300)의 중심을 지나는 제2 가상직선(L2)이 상기 캐비티(201)를 이등분하면서 상기 제1 가상직선(L1)과 직교한다. 상기 발광다이오드칩(300)은, 위와 같이 배치됨으로써, 제1 리드프레임(100A), 제2 리드프레임(100B) 및 몰딩부재(200)를 포함하는 구조물의 정확한 중심에 위치될 수 있음과 동시에, 상기 구조물의 장폭 방향과 상기 발광다이오드칩(300)의 장폭 방향이 교차됨으로써, 상기 발광다이오드칩(300)이 상기 제1 리드프레임(100A) 상의 영역에서도 한쪽에서도 치우치지 않게 배치될 수 있다. 3 and 4 together, the center of the LED chip 300, the center of the cavity 201, and the center of the molding member 200 coincide with each other as C, and the bottom of the cavity 201 A first virtual straight line L1 connecting the center of the first electrode pad and the center of the second electrode pad is parallel to the gap between the first lead frame 100A and the second lead frame 100B, A second virtual straight line L2 passing through the center of the LED chip 300 from the bottom of the cavity 201 bisects the cavity 201 and is orthogonal to the first virtual straight line L1. The light emitting diode chip 300 may be positioned at the exact center of the structure including the first lead frame 100A, the second lead frame 100B, and the molding member 200 by being disposed as above, Since the long-width direction of the structure and the long-width direction of the LED chip 300 cross each other, the LED chip 300 may be disposed in an area on the first lead frame 100A without being biased on either side.

또한, 상기 제2 가상직선(L2)은 상기 캐비티(201)의 바닥에서 상기 제1 전극패드(342)의 중심과 상기 제1 본딩부(501)의 중심을 연결한 제3 가상직선(L3) 및 상기 캐비티(201)의 바닥에서 상기 제2 전극패드(344)의 중심과 상기 제2 본딩부(502)의 중심을 연결한 제4 가상직선(L4)과 평행하며, 상기 제3 가상직선(L3)의 거리와 상기 제4 가상직선(L4)의 거리는 같고, 상기 발광다이오드칩(300)의 중심으로부터 상기 제1 전극패드(342)의 중심까지의 거리와 상기 발광다이오드칩(300)의 중심으로부터 상기 제2 전극패드(344)의 중심까지의 거리는 같다. 이와 같은 배치는 발광다이오드칩(300) 동작시 저항열이 많이 발생하는 상기 제1 본딩부(501) 및 상기 제2 본딩부(502)를 중심으로부터 일정한 거리에 위치하게 해줌과 동시에 마찬가지로 저항열 발생이 많은 제1 전극패드(342)와 상기 제2 전극패드(344)도 중심으로부터 일정한 거리에 위치하게 해주어, 전체적으로 균일한 방열이 이루어지도록 돕는다.In addition, the second virtual straight line L2 is a third virtual straight line L3 connecting the center of the first electrode pad 342 and the center of the first bonding part 501 at the bottom of the cavity 201. And a fourth virtual straight line L4 connecting the center of the second electrode pad 344 and the center of the second bonding part 502 at the bottom of the cavity 201, and the third virtual straight line ( The distance of L3 and the distance of the fourth virtual straight line L4 are the same, and the distance from the center of the LED chip 300 to the center of the first electrode pad 342 and the center of the LED chip 300 The distance from and to the center of the second electrode pad 344 is the same. This arrangement allows the first bonding unit 501 and the second bonding unit 502, which generate a lot of resistance heat to be located at a certain distance from the center, when the LED chip 300 is operated, and also generates resistance heat. Many of the first electrode pads 342 and the second electrode pads 344 are also positioned at a certain distance from the center, thereby helping to achieve uniform heat dissipation as a whole.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 제1 리드프레임(100A)은, 앞선 실시예와 마찬가지로, 서로 평행한 제1 측면(101A) 및 제3 측면(102A)과, 제1 측면(101A) 및 제3 측면(102A) 각각과 직각을 이루고 서로 평행한 제5 측면(103A) 및 제7 측면(104A)과, 제1 상부면 및 제1 하부면을 포함한다.Referring to FIG. 6, as in the previous embodiment, the first leadframe 100A includes a first side surface 101A and a third side surface 102A parallel to each other, and a first side surface 101A and a third side surface ( 102A) A fifth side surface 103A and a seventh side surface 104A formed at right angles to each other and parallel to each other, and a first upper surface and a first lower surface.

또한, 상기 제2 리드프레임(100B)은, 앞선 실시예와 마찬가지로, 서로 평행한 제2 측면(101B) 및 제4 측면(102B)과, 제2 측면(101B) 및 제4 측면(102B) 각각과 직각을 이루고 서로 평행한 제6 측면(103B) 및 제8 측면(104B)과, 제2 상부면 및 제2 하부면을 포함한다.In addition, as in the previous embodiment, the second lead frame 100B has a second side 101B and a fourth side 102B parallel to each other, and the second side 101B and the fourth side 102B, respectively. And a sixth side surface 103B and an eighth side surface 104B, which are perpendicular to each other and are parallel to each other, and a second upper surface and a second lower surface.

상기 제1 리드프레임(100A)과 상기 제2 리드프레임(100B)은 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 측면(101A)과 상기 제2 측면(101B)이 서로 평행한 상태로 마주하도록 나란하게 배치된다. 상기 제1 측면(101A)과 상기 제2 측면(101B) 사이에는 "전극 분리선"이라고 칭해지는 갭(G)이 형성된다. 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 하부면과 상기 제2 리드프레임(100B)의 제2 하부면은 동일 평면상에 있고, 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 상부면과 상기 제2 리드프레임(100B)의 상부면은 동일 평면 상에 있다.The first leadframe 100A and the second leadframe 100B are parallel to each other so that the first side 101A and the second side 101B of the first leadframe 100A are parallel to each other. Arranged in a way. A gap G referred to as an "electrode separation line" is formed between the first side 101A and the second side 101B. The first lower surface of the first lead frame 100A and the second lower surface of the second lead frame 100B are on the same plane, and the first upper surface of the first lead frame 100A and the first 2 The upper surface of the lead frame 100B is on the same plane.

또한, 상기 제1 리드프레임(100A)의 종폭, 즉, 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 측면(101A) 또는 상기 제3 측면(102A)의 길이와 상기 제2 리드프레임(100B)의 종폭, 즉, 제2 측면(101B) 또는 제4 측면(102B)의 길이는 같다. 또한, 상기 제1 리드프레임(100A)의 횡폭, 즉, 상기 제1 리드프레임(100A)의 제5 측면(103A) 또는 상기 제7측면(104A)의 길이는 상기 제2 리드프레임(100B)의 횡폭, 즉, 제2 리드프레임(100B)의 제6 측면(103B) 또는 상기 제8 측면(104B)의 길이보다 크다.In addition, the vertical width of the first lead frame 100A, that is, the length of the first side surface 101A or the third side surface 102A of the first lead frame 100A and the length of the second lead frame 100B. The vertical width, that is, the length of the second side surface 101B or the fourth side surface 102B is the same. In addition, the width of the first lead frame 100A, that is, the length of the fifth side surface 103A or the seventh side surface 104A of the first lead frame 100A is It is larger than the width, that is, the length of the sixth side surface 103B or the eighth side surface 104B of the second lead frame 100B.

상기 제1 리드프레임(100A)과 상기 제2 리드프레임(100B) 각각은 상기 제3 측면(102A) 및 상기 제4 측면(102B)으로부터 돌출된 돌출부(110)를 상기 제3 측면(102A) 및 상기 제4 측면(102B) 각각의 중앙에 구비한다. 상기 돌출부(110)와 상기 오목부(120)는 제1 리드프레임(100A) 및 제2 리드프레임(100B) 제작에 이용되는 금속판을 일정 형상으로 패턴 가공함으로써 얻어질 수 있는 것이다.Each of the first lead frame 100A and the second lead frame 100B has a protrusion 110 protruding from the third side 102A and the fourth side 102B, and the third side 102A and It is provided in the center of each of the fourth side surfaces 102B. The protruding portion 110 and the concave portion 120 may be obtained by patterning a metal plate used for manufacturing the first lead frame 100A and the second lead frame 100B into a predetermined shape.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는, 앞선 실시예와 마찬가지로, 발광다이오드칩(300)의 중심과 캐비티(201)의 중심과 몰딩부재(200)의 중심이 일치하도록 구성된다. 본 실시예에 있어서는, 제1 전극패드(342)와 제2 전극패드(344)는 상기 발광다이오드칩(300)의 상부면 상에 대각선 방향으로 배치된다. 그리고, 상기 캐비티(201)의 바닥에서 상기 제1 전극패드(342)의 중심과 제2 전극패드(344)의 중심을 지나는 제1 가상직선(L1)은 제1 리드프레임(100A)과 제2 리드프레임(100B) 사이의 갭과 제1 경사각(a)으로 교차한다. 또한, 상기 캐비티(201)의 바닥에서 상기 발광다이오드칩(300)의 중심을 지나는 제2 가상직선(L2)이 상기 캐비티(201)를 이등분하면서 제1 가상직선(L1)과 제2 경사각(b)으로 교차한다. 그리고, 상기 제1 경사각(a)과 상기 제2 경사각(b)의 합은 90도가 된다. 또한, 상기 제1 가상직선(L1)은 상기 캐비티(201)의 바닥에서 상기 제1 전극패드(342)의 중심과 상기 제1 본딩부(501)의 중심을 연결한 제3 가상직선 및 상기 캐비티(201)의 바닥에서 상기 제2 전극패드(344)의 중심과 상기 제2 본딩부(502)의 중심을 연결한 제4 가상직선과 일치한다. 또한, 상기 발광다이오드칩(300)의 중심으로부터 상기 제1 전극패드(342)에 이르는 최단 직선거리와 상기 발광다이오드칩(300)의 중심으로부터 상기 제2 전극패드(344)에 이르는 최단 직선거리는 같고 상기 제1 전극패드(342)로부터 상기 제1 본딩부(501)까지의 최단 직선거리와 상기 제2 본딩부(344)로부터 상기 제2 본딩부(502)까지의 최단 직선거리는 같다. 위와 같은 구성에 따라, 상기 발광다이오드칩(300)은, 캐비티(201)의 중심에 배치될 수 있고, 전기 저항열이 많이 발생되는 상기 제1 본딩부(501)와 상기 제2 본딩부(502)를 열 방출이 용이한 위치에 배치하는 것이 가능해진다.Referring to FIG. 7, as in the previous embodiment, the LED package according to this embodiment is configured such that the center of the LED chip 300 coincides with the center of the cavity 201 and the center of the molding member 200. . In this embodiment, the first electrode pad 342 and the second electrode pad 344 are disposed on the upper surface of the LED chip 300 in a diagonal direction. In addition, a first virtual straight line L1 passing through the center of the first electrode pad 342 and the center of the second electrode pad 344 at the bottom of the cavity 201 is the first lead frame 100A and the second It intersects with a gap between the leadframes 100B and a first inclination angle (a). In addition, a second virtual straight line L2 passing through the center of the light emitting diode chip 300 from the bottom of the cavity 201 bisects the cavity 201, and the first virtual straight line L1 and the second inclination angle b ). In addition, the sum of the first inclination angle (a) and the second inclination angle (b) is 90 degrees. In addition, the first virtual straight line L1 is a third virtual straight line connecting the center of the first electrode pad 342 and the center of the first bonding part 501 at the bottom of the cavity 201 and the cavity. The bottom of 201 coincides with a fourth virtual straight line connecting the center of the second electrode pad 344 and the center of the second bonding part 502. In addition, the shortest linear distance from the center of the LED chip 300 to the first electrode pad 342 and the shortest linear distance from the center of the LED chip 300 to the second electrode pad 344 are the same, The shortest linear distance from the first electrode pad 342 to the first bonding part 501 and the shortest linear distance from the second bonding part 344 to the second bonding part 502 are the same. According to the above configuration, the light emitting diode chip 300 may be disposed at the center of the cavity 201, the first bonding unit 501 and the second bonding unit 502 generating a lot of electrical resistance heat ) Can be placed in a location where heat dissipation is easy.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 발광다이오드 패키지는 앞선 실시예와 마찬가지로 제1 리드프레임(100A) 및 제2 리드프레임(100B)을 지지하는 몰딩부재(200)를 포함하며, 상기 몰딩부재(200)는 상기 제1 리드프레임(100A)의 제1 상부면(105A)의 내측 영역과 상기 제2 리드프레임(100B)의 제2 상부면(105B)의 내측 영역을 둘러싸는 캐비티(201)를 포함하도록 형성된 캐비티면(210)을 일체로 포함한다. Referring to FIG. 8, as in the previous embodiment, the LED package includes a molding member 200 supporting the first lead frame 100A and the second lead frame 100B, and the molding member ( 200 denotes a cavity 201 surrounding an inner region of the first upper surface 105A of the first leadframe 100A and an inner region of the second upper surface 105B of the second leadframe 100B. It integrally includes the cavity surface 210 formed to include.

본 실시예에서, 상기 캐비티면(210)은 제1 기울기를 가지며 아래로부터 위를 향해 제1 기울기에 대응되게 폭이 증가하는 제1 캐비티를 형성하는 제1 경사면(212)과, 상기 제1 기울기보다 작은 제2 기울기를 가지며 상기 제1 경사면(212)의 상단으로부터 위를 향해 제2 기울기에 대응되게 폭이 증가하는 제2 캐비티를 형성하는 제2 경사면(214)과, 제2 캐비티 상측에 제3 캐비티를 형성하며 상기 제1 기울기 및 상기 제2 기울기보다 큰 제3 기울기를 갖는 제3 경사면(216)을 포함한다.In this embodiment, the cavity surface 210 has a first inclination and a first inclined surface 212 forming a first cavity whose width increases corresponding to the first inclination from bottom to top, and the first inclination A second inclined surface 214 having a smaller second inclination and forming a second cavity whose width increases from the upper end of the first inclined surface 212 to correspond to the second inclination, and a second inclined surface 214 above the second cavity. And a third inclined surface 216 that forms three cavities and has a third slope that is greater than the first slope and the second slope.

이와 같이 하측의 제1 경사면(212)과, 상기 제1 경사면(212) 상측의 제2 경사면(214)과, 상기 제2 경사면(214) 상측의 제3 경사면(216)을 포함하는 캐비티면(210)의 구조는 상기 캐비티(201)의 내벽면과 상기 봉지재(400) 사이의 접합 면적을 증가시켜 결합력을 높이고, 상기 캐비티(201)의 내벽면과 상기 봉지재(400) 사이의 경계를 따라 캐비티(201) 외부로부터 캐비티(201) 내부로 이어진 수분 또는 공기 침투 경로를 증가시켜, 수분 또는 공기의 침투를 막아주는데 기여할 수 있다.In this way, a cavity surface including the first inclined surface 212 on the lower side, the second inclined surface 214 on the upper side of the first inclined surface 212, and the third inclined surface 216 on the upper side of the second inclined surface 214 ( The structure of 210) increases the bonding force by increasing the bonding area between the inner wall surface of the cavity 201 and the encapsulant 400, and establishes a boundary between the inner wall surface of the cavity 201 and the encapsulant 400. Accordingly, the moisture or air penetration path leading from the outside of the cavity 201 to the inside of the cavity 201 may be increased, thereby contributing to preventing the penetration of moisture or air.

또한, 제1 경사면(212)의 제1 기울기가 상측의 제2 경사면(214)의 제2 기울기보다 크고 제3 경사면(216)의 제3 기울기가 가장 크며, 제2 기울기로 경사진 제2 경사면(214)이 주 반사면의 기능을 하고, 제1 기울기로 경사진 제1 경사면(212)과 제3 기울기를 갖는 제3 경사면(216)이 보조 반사면의 기능을 하는 위와 같은 구조는, 캐비티 내에서의 광 손실을 줄이고 캐비티 외측으로 방출되는 광의 양을 늘려 광 효율을 높일 수 있다. In addition, the first slope of the first slope 212 is greater than the second slope of the second slope 214 on the upper side, and the third slope of the third slope 216 is the largest, and the second slope slopes with the second slope. The above structure in which the first inclined surface 212 inclined with the first inclination and the third inclined surface 216 having the third inclined function as an auxiliary reflective surface, where 214 functions as the main reflective surface, It is possible to increase light efficiency by reducing the light loss inside and increasing the amount of light emitted outside the cavity.

도 9 및 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지들을 설명하기 위한 도면들이다.9 and 10 are views for explaining light emitting diode packages according to still another embodiment of the present invention.

도 9에 도시된 실시예의 발광다이오드 패키지는, 도 5에 도시된 발광다이오드 패키지의 돌출부 형태가 변형된 실시예이다.The LED package of the embodiment shown in FIG. 9 is an embodiment in which the shape of the protrusion of the LED package shown in FIG. 5 is modified.

상기 발광다이오드 패키지는, 도 5에 도시된 실시예와 마찬가지로, 제1 리드프레임(100A)과 제2 리드프레임(100B) 각각은 제3 측면(102A) 및 제4 측면(102B) 각각의 양 외곽 영역으로부터 돌출된 돌출부(110)들을 제3 측면(102A) 및 제4 측면(102B) 각각의 양측에 구비하되, 도 5에 도시된 실시예와 달리, 상기 돌출부(110)들 각각이 몰딩부재로부터 멀어지는 방향을 향해 점진적으로 폭이 좁아지는 사다리꼴 형태로 이루어져 있다. 이러한 돌출부(110) 형상은 방열 성능의 향상에 기여한다.In the light emitting diode package, as in the embodiment shown in FIG. 5, each of the first leadframe 100A and the second leadframe 100B has both outer edges of the third side surface 102A and the fourth side surface 102B. Protrusions 110 protruding from the region are provided on both sides of each of the third side 102A and the fourth side 102B, but unlike the embodiment shown in FIG. 5, each of the protrusions 110 is It consists of a trapezoidal shape that gradually narrows in the direction of the distance away. This shape of the protrusion 110 contributes to the improvement of heat dissipation performance.

도 10에 도시된 실시예의 발광다이오드 패키지는, 도 6에 도시된 발광다이오드 패키지의 돌출부 형태가 변형된 실시예이다.The LED package of the embodiment shown in FIG. 10 is an embodiment in which the shape of the protrusion of the LED package shown in FIG. 6 is modified.

상기 발광다이오드 패키지는 도 6에 도시된 실시예와 마찬가지로, 제1 리드프레임(100A)과 제2 리드프레임(100B) 각각은 제3 측면(102A) 및 제4 측면(102B) 각각의 중앙 영역으로부터 돌출된 돌출부(110)를 제3 측면(102A) 및 제4 측면(102B) 각각의 중앙에 구비하되, 도 6에 도시된 실시예와 달리, 상기 돌출부(110)들 각각이 몰딩부재로부터 멀어지는 방향을 향해 점진적으로 폭이 좁아지는 사다리꼴 형태로 이루어져 있다. 이러한 돌출부(110) 형상은 방열 성능의 향상에 기여한다.In the light emitting diode package, as in the embodiment shown in FIG. 6, each of the first leadframe 100A and the second leadframe 100B is from a central region of each of the third side surface 102A and the fourth side surface 102B. Protruding protrusions 110 are provided in the center of each of the third side 102A and the fourth side 102B, but unlike the embodiment shown in Fig. 6, each of the protrusions 110 is in a direction away from the molding member It consists of a trapezoidal shape that gradually narrows toward the direction. This shape of the protrusion 110 contributes to the improvement of heat dissipation performance.

100A: 제1 리드프레임 100B: 제2 리드프레임
200: 몰딩부재 201: 캐비티
300: 발광다이오드칩 400: 봉지재
G: 갭 252: 갭 채움부
254: 켜버부100A: first leadframe 100B: second leadframe
200: molding member 201: cavity
300: light-emitting diode chip 400: encapsulant
G: gap 252: gap filling part
254: turnover part

Claims (20)

기판과 상기 기판상에 형성된 반도체 적층구조 및 상기 반도체 적층구조상에 형성되는 제1 전극패드 및 제2 전극패드를 포함하는 발광다이오드칩;
상기 기판의 바닥면이 위치하는 제1 상부면, 상기 제1 상부면과 평행한 제1 하부면 및 상기 제1 상부면과 상기 제1 하부면의 일측을 연결하고 상부의 제1 경사측면 및 하부의 제1 수직측면이 형성된 제1 측면을 포함하는 제1 리드 프레임;
상기 제1 상부면과 동일한 위치의 제2 상부면, 상기 제1 하부면과 동일한 위치의 제2 하부면 및 상기 제1 측면과 평행하게 위치하고, 상부의 제2 경사측면 및 하부의 제2 수직측면이 형성된 제2 측면을 포함하는 제2 리드 프레임;
상기 제1 상부면 및 상기 제2 상부면에 형성되고 제1 기울기를 가지는 제1 경사면과 상기 제1 경사면의 상부에 형성되고 상기 제1 기울기보다 작은 제2 기울기를 가지는 제2 경사면을 포함하는 몰딩부재; 및
상기 제1 경사면, 상기 제2 경사면, 상기 제1 상부면 및 상기 제2 상부면과 접촉하며 적어도 하나의 형광체를 포함하는 봉지재;를 포함하며,
상기 몰딩부재는 상기 제1 경사측면과 상기 제2 경사측면 사이의 갭을 채우는 상부 갭 채움부와 상기 제1 수직측면과 상기 제2 수직측면 사이의 갭을 채우는 하부 갭 채움부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.A light emitting diode chip including a substrate, a semiconductor stacked structure formed on the substrate, and a first electrode pad and a second electrode pad formed on the semiconductor stacked structure;
A first upper surface on which the bottom surface of the substrate is located, a first lower surface parallel to the first upper surface, and a first inclined surface and a lower surface of the upper surface are connected to one side of the first upper surface and the first lower surface A first lead frame including a first side surface on which a first vertical side surface is formed;
A second upper surface at the same position as the first upper surface, a second lower surface at the same position as the first lower surface, and parallel to the first side, and a second inclined side at the top and a second vertical side at the bottom A second lead frame including the formed second side surface;
A molding including a first inclined surface formed on the first upper surface and the second upper surface and having a first slope and a second inclined surface formed on the first inclined surface and having a second slope smaller than the first slope absence; And
Including; an encapsulant comprising at least one phosphor and in contact with the first inclined surface, the second inclined surface, the first upper surface, and the second upper surface,
The molding member comprises an upper gap filling part filling a gap between the first inclined side surface and the second inclined side surface, and a lower gap filling part filling a gap between the first vertical side and the second vertical side. Light emitting diode package. 청구항 1에 있어서, 상기 발광다이오드칩의 중심과 상기 몰딩부재의 중심은 일치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 1, wherein a center of the LED chip and a center of the molding member coincide with each other. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 상부면에 형성된 제1 본딩부, 상기 제2 상부면에 형성된 제2 본딩부, 상기 제1 본딩부와 상기 제1 전극패드를 연결하는 제1 본딩와이어 및 상기 제2 본딩부와 상기 제2 전극패드를 연결하는 제2 본딩와이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 1, wherein a first bonding part formed on the first upper surface, a second bonding part formed on the second upper surface, a first bonding wire connecting the first bonding part and the first electrode pad, and the first bonding part. 2 A light emitting diode package, further comprising a second bonding wire connecting the bonding unit and the second electrode pad. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극패드의 중심과 상기 제2 전극패드의 중심을 연결한 제1 가상직선은 상기 갭과 평행하고, 상기 발광다이오드칩의 중심을 지나는 제2 가상직선은 상기 제1 가상직선과 직교하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 1, wherein a first virtual straight line connecting the center of the first electrode pad and the center of the second electrode pad is parallel to the gap, and a second virtual straight line passing through the center of the LED chip is the first A light-emitting diode package, characterized in that orthogonal to an imaginary straight line. 청구항 3에 있어서, 상기 제1 전극패드의 중심과 상기 제2 전극패드의 중심을 지나는 제1 가상직선은 상기 갭과 제1 경사각으로 교차하고, 상기 발광다이오드칩의 중심을 지나는 제2 가상직선이 상기 제1가상직선과 제2 경사각으로 교차하며, 상기 제1 경사각과 상기 제2 경사각의 합은 90도인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 3, wherein the first virtual straight line passing through the center of the first electrode pad and the center of the second electrode pad crosses the gap and the first inclination angle, and a second virtual straight line passing through the center of the LED chip is The light emitting diode package, wherein the first virtual straight line and the second inclination angle cross each other, and a sum of the first inclination angle and the second inclination angle is 90 degrees. 청구항 5에 있어서, 상기 제1 가상직선은 상기 제1 전극패드의 중심과 상기 제1 본딩부의 중심을 지나는 제3 가상직선 및 상기 제2 전극패드의 중심과 상기 제2 본딩부의 중심을 지나는 제4 가상직선과 일치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. The method according to claim 5, wherein the first virtual straight line is a third virtual straight line passing through the center of the first electrode pad and the center of the first bonding unit, and a fourth virtual line passing through the center of the second electrode pad and the center of the second bonding unit. A light-emitting diode package, characterized in that it coincides with an imaginary straight line. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 리드프레임은 상기 제1 측면과 평행한 제3 측면과 상기 제2 리드프레임은 상기 제2 측면과 평행한 제4 측면을 더 포함하고, 상기 제1 리드프레임 또는 상기 제2 리드프레임은 상기 제3 측면 또는 상기 제4 측면으로부터 돌출된 적어도 하나 이상의 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 1, wherein the first lead frame further comprises a third side parallel to the first side and a fourth side parallel to the second side, wherein the first lead frame or the A light emitting diode package, wherein at least one protrusion protruding from the third side or the fourth side of the second lead frame is formed. 청구항 7에 있어서, 상기 제3 측면 또는 상기 제4 측면은 상기 몰딩부재에 의해 덮이고 상기 돌출부는 상기 몰딩부재의 외부로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 7, wherein the third side or the fourth side is covered by the molding member, and the protrusion protrudes to the outside of the molding member. 청구항 7에 있어서, 상기 돌출부는 사다리꼴 형상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 7, wherein the protrusion has a trapezoidal shape. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 리드프레임은 상기 제1 측면과 직각을 이루고, 서로 평행한 제5 측면 및 제7 측면 및 상기 제2 리드프레임은 상기 제2 측면과 직각을 이루고 서로 평행한 제6 측면 및 제8 측면을 더 포함하고, 상기 제1 리드프레임 또는 상기 제2 리드프레임은 상기 제5 측면, 상기 제6 측면, 상기 제7 측면 또는 상기 제8 측면으로부터 함몰된 오목부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. The method according to claim 1, wherein the first lead frame forms a right angle with the first side, a fifth side and a seventh side that are parallel to each other, and the second lead frame forms a sixth side that is perpendicular to the second side and is parallel to each other. The first lead frame or the second lead frame further includes a side surface and an eighth side surface, wherein the first lead frame or the second lead frame includes a concave portion recessed from the fifth side, the sixth side, the seventh side, or the eighth side. Light-emitting diode package. 청구항 10에 있어서, 상기 오목부의 내측 표면은 상기 몰딩부재에 의해 덮인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 10, wherein the inner surface of the concave portion is covered by the molding member. 제1 상부면 및 제1 하부면을 포함하는 제1 리드프레임;
상기 제1 상부면과 동일 평면상에 위치하는 제2 상부면 및 상기 제1 하부면과 동일 평면상에 위치하는 제2 하부면을 포함하는 제2 리드프레임;
상기 제1 하부면 및 상기 제2 하부면과 동일 평면상의 제3 하부면을 포함하고, 상기 제1 상부면과 상기 제2 상부면에 형성되며 제1 기울기를 가지는 제1 경사면과 상기 제1 경사면의 상부에 형성되고 상기 제1 기울기보다 작은 제2 기울기를 가지는 제2 경사면을 포함하는 몰딩부재; 및
상기 제1 상부면에 실장되고, 기판과 상기 기판상에 형성되어 상부에 제1 전극패드와 제2 전극패드가 형성된 반도체 적층구조를 포함하는 발광다이오드칩을 포함하며,
상기 기판의 상단은 상기 제2 경사면의 하단보다 높게 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.A first lead frame including a first upper surface and a first lower surface;
A second lead frame including a second upper surface disposed on the same plane as the first upper surface and a second lower surface disposed on the same plane as the first lower surface;
A first inclined surface and a first inclined surface including a third lower surface on the same plane as the first lower surface and the second lower surface, and formed on the first upper surface and the second upper surface and having a first slope A molding member formed on the top and including a second inclined surface having a second inclination smaller than the first inclination; And
And a light emitting diode chip mounted on the first upper surface and including a semiconductor stacked structure formed on the substrate and the first electrode pad and the second electrode pad thereon,
A light emitting diode package, wherein an upper end of the substrate is positioned higher than a lower end of the second inclined surface. 청구항 12에 있어서, 상기 몰딩부재는 상기 제2 경사면의 상단에 형성되고 상기 제1 기울기보다 큰 제3 기울기를 가지는 제3 경사면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 12, wherein the molding member further comprises a third inclined surface formed on an upper end of the second inclined surface and having a third inclination greater than the first inclination. 청구항 12에 있어서, 상기 제2 경사면의 내부 반사면은 서로 마주하는 한 쌍의 단폭 경사면과, 서로 마주하되 각 단폭 경사면과는 직각을 이루는 장폭 경사면과, 상기 단폭 경사면과 상기 장폭 경사면 사이를 연결하는 코너 반사면을 포함하며, 상기 코너 반사면은 상기 단폭 경사면의 상단 모서리와 상기 장폭 경사면의 상단 모서리를 사이를 연결하는 상단 연결 모서리와 상기 단폭 경사면의 하단 모서리와 상기 장폭 경사면의 하단 모서리를 연결하는 하단 연결 모서리를 포함하며, 상기 상단 연결 모서리의 길이가 상기 하단 한 연결 모서리의 길이보다 큰 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 12, wherein the inner reflective surface of the second inclined surface is a pair of short-width inclined surfaces facing each other, a long-width inclined surface facing each other but forming a right angle to each of the short-width inclined surfaces, Includes a corner reflective surface, wherein the corner reflective surface connects the upper edge of the short-width inclined surface and the upper edge of the long-width inclined surface, A light emitting diode package comprising a lower connection edge, wherein a length of the upper connection edge is greater than a length of the lower connection edge. 청구항 14에 있어서, 상기 상단 연결 모서리는 직선인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 14, wherein the upper connection edge is a straight line. 청구항 14에 있어서, 상기 하단 연결 모서리는 원호형의 곡선인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package according to claim 14, wherein the lower connection edge has an arc-shaped curve. 기판 및 상기 기판 상부에 반도체 적층구조를 포함하고, 상기 반도체 적층구조 상부에 제1 전극 패드와 제2 전극 패드가 형성된 발광 다이오드 칩;
상기 발광 다이오드 칩이 배치되고, 상기 제1 전극패드가 제1 본딩와이어를 통해 연결되는 제1 본딩부를 포함하는 제1 리드프레임;
상기 제1 리드프레임과 갭을 형성하며 배치되고, 상기 제2 전극패드가 제2 본딩와이어를 통해 연결되는 제2 본딩부를 포함하는 제2 리드프레임; 및
상기 제1 리드프레임의 상부와 상기 제2 리드프레임의 상부를 둘러싸는 캐비티면과 상기 갭을 채우는 갭 채움부를 포함하는 몰딩 부재를 포함하며,
상기 제1 전극패드의 중심과 상기 제2 전극패드의 중심을 연결한 제1 가상직선은 상기 갭과 평행하고,
상기 제1 가상직선은 상기 제1 전극패드의 중심과 상기 제1 본딩부의 중심을 연결한 제3 가상직선 및 상기 제2 전극패드의 중심과 상기 제2 본딩부의 중심을 연결한 제4 가상직선과 각각 직교하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.A light emitting diode chip including a substrate and a semiconductor stacked structure on the substrate, and having a first electrode pad and a second electrode pad formed on the semiconductor stacked structure;
A first lead frame including a first bonding unit on which the light emitting diode chip is disposed and the first electrode pad is connected through a first bonding wire;
A second lead frame including a second bonding unit to form a gap with the first lead frame, and to which the second electrode pad is connected through a second bonding wire; And
And a molding member including a cavity surface surrounding an upper portion of the first lead frame and an upper portion of the second lead frame, and a gap filling portion filling the gap,
A first virtual straight line connecting the center of the first electrode pad and the center of the second electrode pad is parallel to the gap,
The first virtual straight line includes a third virtual straight line connecting the center of the first electrode pad and the center of the first bonding unit, and a fourth virtual straight line connecting the center of the second electrode pad and the center of the second bonding unit. Light-emitting diode package, characterized in that each orthogonal. 청구항 17에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩의 중심을 지나는 제2 가상직선은 제3 가상직선 및 제4 가상직선과 평행한 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 17, wherein the second virtual straight line passing through the center of the light emitting diode chip is parallel to the third virtual straight line and the fourth virtual straight line. 청구항 18에 있어서, 상기 제3 가상직선의 거리와 상기 제4 가상 직선의 거리는 같고, 상기 발광다이오드칩의 중심으로부터 상기 제1 전극패드의 중심까지의 거리와 상기 발광다이오드칩의 중심으로부터 상기 제2 전극패드의 중심까지의 거리는 같은 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 18, wherein the distance of the third virtual straight line and the distance of the fourth virtual straight line are the same, and the distance from the center of the LED chip to the center of the first electrode pad and the center of the LED chip to the second A light emitting diode package, characterized in that the distance to the center of the electrode pad is the same. 청구항 17에 있어서, 상기 발광다이오드칩의 중심으로부터 상기 제1 전극패드에 이르는 최단 직선거리와 상기 발광다이오드칩의 중심으로부터 상기 제2 전극패드에 이르는 최단 직선거리는 같고 상기 제1 전극패드로부터 상기 제1 본딩부까지의 최단 직선거리와 상기 제2 본딩부로부터 상기 제2 본딩부까지의 최단 직선거리는 같은 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
The method according to claim 17, wherein the shortest linear distance from the center of the LED chip to the first electrode pad and the shortest linear distance from the center of the LED chip to the second electrode pad are the same, and from the first electrode pad to the first electrode pad A light emitting diode package, characterized in that the shortest linear distance to the bonding unit and the shortest linear distance from the second bonding unit to the second bonding unit are the same.
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