JP2009239116A - Light emitting device - Google Patents

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Toshio Hata
Masahiro Konishi
Masayuki Ota
Yasuji Takenaka
将之 太田
正宏 小西
俊雄 幡
靖二 竹中
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シャープ株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compact and thin-shaped light emitting device in which a long LED chip is mounted on a small-surface-area substrate.
SOLUTION: In the light emitting device 10 constituted by mounting the light emitting element (LED chip) 13 in a long shape on the package substrate 12 having electrode pads 14 and 15, and sealing the light emitting element 13 and electrode pads 14 and 15 with a sealing resin, the light emitting element 13 is arranged having its length inclined to the length of the package substrate 12 so that its side boarder has a predetermined angle to a side boarder of the package substrate, and the electrode pads 14 and 15 are arranged in a space on a package substrate surface formed by inclining the length of the light emitting element 13 to the length of the substrate.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置に関し、特に、基板上にLEDなどの発光素子を搭載し、その表面を樹脂封止してなる半導体発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device, in particular, mounting a light-emitting element such as an LED on a substrate, a semiconductor light emitting device and the surface formed by resin sealing.

従来から、基板上にLEDなどの発光素子を搭載し、その表面を樹脂封止してなる発光装置は、照明用発光装置、液晶テレビ用バックライト光源などとして用いられており、特許文献1には、このような表面実装型部品(SMD部品)の構造が開示されている。 Conventionally, a light-emitting element such as an LED mounted on the substrate, a light-emitting device comprising resin sealing the surface thereof, an illumination light emitting device has been used as a liquid crystal TV backlight source, in Patent Document 1 the structure of such a surface-mount component (SMD component) is disclosed.

図8は、この特許文献1に開示のSMD型LEDの構造を説明する図であり、図8(a)は、このSMD型LEDの縦断面の構造を示す断面図、図8(b)は、このSMD型LEDの上面を示す平面図である。 Figure 8 is a view for explaining the structure of a SMD-type LED disclosed in the patent document 1, FIG. 8 (a), cross-sectional view showing the structure of a longitudinal section of the SMD type LED, FIG. 8 (b) is a plan view of the top surface of the SMD type LED.

図8に示すSMD型LED500は、絶縁材よりなる台座(絶縁性基板)520上にLED素子510を実装してなるものである。 SMD type LED500 shown in FIG. 8 is formed by mounting the LED element 510 on the base (insulating substrate) 520 made of an insulating material. この台座520は、台座520を貫通するように形成されたスルーホール520aおよび520bと、この台座520の上面からこれらのスルーホール520aおよび520bを介して台座の下面までにわたって形成された接続電極530および540とを有している。 The pedestal 520 includes a through-hole 520a and 520b, which are formed to penetrate the base 520, connection electrodes 530 and formed over to the lower surface of the base from the upper surface of the pedestal 520 through the through-holes 520a and 520b and a 540. ここで、LED素子510は、一方の接続電極530の、台座520の上面側部分に載置されており、他方の接続電極540とLED素子510の表面の電極(図示せず)とがボンディングワイヤ560により接続されている。 Here, the LED element 510, of one of the connecting electrodes 530 are placed on the upper surface portion of the pedestal 520, (not shown) the surface of the electrode of the other of the connection electrode 540 and the LED element 510 and is a bonding wire It is connected by 560.

また、台座520の上面上には、透光性樹脂よりなる保護部材550が、LED素子510、接続電極530および540を被覆、保護するよう全面に、モールド加工により形成されている。 Further, on the upper surface of the pedestal 520, the protection member 550 made of a transparent resin, LED element 510, covering the connection electrode 530 and 540, on the entire surface to protect, and it is formed by a mold process.

また、特許文献2および3には、上記特許文献1に開示の発光装置と同様な発光装置が開示されている。 Patent Documents 2 and 3, the light emitting device similar to the light emitting device disclosed in Patent Document 1 is disclosed.

特許文献2に開示の発光装置は、リード電極を有する絶縁基板上に発光素子をダイボンドし、該発光素子とリード電極とを金線で接続し、全体を樹脂で封止してなるものであって、この封止樹脂が、発光素子からの発光の一部を吸収してそれよりも長波長の光を発光可能な蛍光物質を含むものである。 The light emitting device disclosed in Patent Document 2, be those die-bonded light emitting element on an insulating substrate having a lead electrode and a lead electrode light emitting element are connected by gold wire, made entirely sealed with resin Te, the sealing resin, absorbs a part of light emitted from the light emitting element than those comprising a light-emitting fluorescent substance light of long wavelength.

特許文献3に開示の発光装置は、プリント配線基板の一部に形成した貫通開口内にLED素子を樹脂により固定して配置し、該LED素子を、このプリント基板の貫通開口の両側に配置された接続電極とボンディングワイヤにより接続し、上面を樹脂で封止してなる発光装置において、LED素子の光出射面以外を拡散反射効果を有する樹脂で覆い、光出射面を蛍光体を含む樹脂で覆い、これにより輝度バラツキを抑えて輝度を向上させることができるものである。 The light emitting device disclosed in Patent Document 3, the LED elements are arranged and fixed by a resin in the through opening formed in a part of the printed wiring board, the LED elements are positioned on opposite sides of the through opening of the printed circuit board are connected by the connection electrode and the bonding wire in a light emitting device obtained by encapsulating the upper surface with a resin, covers the non-light emitting surface of the LED element in a resin having diffuse reflection effect, the light emitting surface of a resin containing a phosphor covered, thereby it is capable of improving the luminance while suppressing the luminance variations.
特開2003−8077号公報 JP 2003-8077 JP 特開2002−50800号公報 JP 2002-50800 JP 特開2005−277227号公報 JP 2005-277227 JP

ところで、表面実装型部品であるSMD部品は小型化、薄型化が要望されているが、上記特許文献に記載の従来技術には、以下のような問題がある。 Meanwhile, SMD components miniaturization is a surface-mount components, but thinner is desired, the prior art described in the patent documents described above have the following problems.

つまり、上記文献に開示の発光装置では、基板の表面には、正電極パッドおよび負電極パッドが基板の短辺に沿って、これらのパッドが互いに対向するように形成されている。 That is, in the light emitting device disclosed in the above references, the surface of the substrate, the positive electrode pad and the negative electrode pads along the short side of the substrate, these pads are formed so as to face each other. また、LEDチップ(発光素子)は、LEDチップの長辺と電極パッドの長辺とが平行になるように基板上に配置されている。 Furthermore, LED chip (light emitting element), the long sides of the LED chip and the long sides of the electrode pads are disposed on the substrate so as to be parallel. また、最近では発光装置は、これを小型、薄型化するために、LEDチップの平面形状は長尺化されている。 Further, the light emitting device recently, this small, in order to reduce the thickness of the planar shape of the LED chip is elongated. つまり、LEDチップは、直方体等の六面体形状を有しているが、LEDチップの平面形状は、細長い長方形状となっている。 That, LED chip has the hexahedron shape of a rectangular parallelepiped or the like, the planar shape of the LED chip is an elongated rectangular shape.

このような文献に記載のLEDチップの実装方法では、長尺化LEDチップを実装すると、発光装置の小型化が困難であるという問題が生じる。 The implementation method of the LED chip according to this document, implementing elongated LED chip, a problem that size reduction of the light emitting device is difficult. これは、正電極パッドと負電極パッドとをそれぞれ、基板の対向する短辺に沿って形成しているためであり、電極パット゛が基板上で占有する面積分だけ、基板が大きくなる。 This respectively a positive electrode pad and the negative electrode pad is for forming along the opposite short sides of the substrate, by the area fraction occupied by the electrode pads ゛Ga substrate, the substrate is increased. このため、発光装置の小型化が困難になる。 Therefore, miniaturization of the light emitting device is difficult.

本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたもので、長尺LEDチップを実装した小型、薄型の発光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the conventional problems described above, a small mounting the elongate LED chip, and an object thereof is to provide a thin light emitting device.

本発明に係る発光装置は、電極パッドを有する基板に長尺形状の発光素子を載置し、該発光素子および該電極を封止樹脂により封止してなる発光装置であって、該発光素子は、その側辺が該基板の側辺と所定の角度をなすよう、該発光素子の長手方向を該基板の長手方向に対して傾けて配置されており、該電極パッドは、該基板表面の、該発光素子の長手方向を基板の長手方向に対して傾けたことにより形成されるスペースに配置されているものであり、そのことにより上記目的が達成される。 The light emitting device according to the present invention, a substrate having an electrode pad is mounted a light emitting element of the elongated shape, the light-emitting element and the electrode a light-emitting device obtained by encapsulating with a sealing resin, the light emitting element is such that its sides forms the sides at a predetermined angle of the substrate, the longitudinal direction of the light emitting element is arranged to be inclined relative to the longitudinal direction of the substrate, the electrode pads of the substrate surface , which is arranged in the space formed by tilting the longitudinal direction of the light emitting element with respect to the longitudinal direction of the substrate, the objects can be achieved.

本発明は、上記発光装置において、前記基板の表面上には、前記電極パッドとして、正電極パッドおよび負電極パッドが互いに対向するよう配置されていることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, on the surface of the substrate, as the electrode pad, it is preferable that the positive electrode pad and the negative electrode pads are arranged to face each other.

本発明は、上記発光装置において、前記基板は、平面略長方形形状を有するパッケージ基板であり、前記発光素子は、平面略長方形形状を有するLEDチップであり、該LEDチップは、該パッケージ基板の長辺に沿う方向と、該LEDチップの長辺に沿う方向とのなす角度が90°より小さくなるよう、該LEDチップの長手方向を該パッケージ基板の長手方向に対して傾けて配置されていことが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the substrate is a package substrate having a flat, substantially rectangular shape, said light emitting element is an LED chip having a flat, substantially rectangular shape, the LED chips of the package substrate length the direction along the edges, so that the angle between the direction along the long side of the LED chip is smaller than 90 °, the longitudinal direction of the LED chips that are arranged to be inclined relative to the longitudinal direction of the package substrate preferable.

本発明は、上記発光装置において、前記LEDチップは、前記パッケージ基板の中央に配置されており、前記正電極パッドは、前記パッケージ基板の1つの角隅部に配置され、前記負電極パッドは、該パッケージ基板の、該1つの角隅部に対向する角隅部に配置されていることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the LED chip, the is disposed at the center of the package substrate, wherein the positive electrode pads is disposed on one corner portion of the package substrate, wherein the negative electrode pads, of the package substrate, it is preferably arranged in the corner portion opposed to the one corner portion.

本発明は、上記発光装置において、前記基板の表面の対向する角隅部に配置されている正電極パッドおよび負電極パッドは、平面略三角形状を有していることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the positive electrode pad and the negative electrode pads are arranged on the corner portion opposite the surface of the substrate, preferably it has a flat, substantially triangular shape.

本発明は、上記発光装置において、前記基板は、前記発光素子を配置すべき素子配置領域と、前記正電極パッドおよび負電極パッドを配置すべき電極配置領域とを有し、該電極配置領域の表面は該素子配置領域の表面より低い位置に位置しており、前記正電極パッドおよび負電極パッドは、該電極配置領域の表面上に配置されていることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the substrate, and the element placement region for placing the light emitting element, wherein and a positive electrode pad and the negative electrode pad electrode placement area should be arranged, of the electrode arrangement area surface is located at a position lower than the surface of the element arrangement region, wherein the positive electrode pad and the negative electrode pads are preferably arranged on the surface of the electrode arrangement area.

本発明は、上記発光装置において、前記素子配置領域の表面の高さは、前記電極パッド配置領域上に位置する正電極パッドおよび負電極パッドの表面と同じ高さであることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the height of the surface of the element arrangement region is preferably the same height as the positive electrode pad and the negative electrode pads of the surface located on the electrode pad arrangement region.

本発明は、上記発光装置において、前記基板は、平面略長方形形状を有するパッケージ基板であり、前記電極配置領域は、前記パッケージ基板の対向する角隅部に形成されていることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the substrate is a package substrate having a flat, substantially rectangular shape, the electrode arrangement region is preferably formed in a corner portion opposing the package substrate.

本発明は、上記発光装置において、前記基板は、前記発光素子を配置すべき素子配置領域と、前記正電極パッドおよび負電極パッドを配置すべき電極配置領域とを有し、該電極配置領域は該素子配置領域の両側に位置しており、前記正電極パッドおよび負電極パッドのいずれか一つは、その電極配置領域から該素子配置領域上に延びるよう配置されており、前記発光素子は、前記正電極パッドあるいは負電極パッドの、該素子配置領域上に延びている部分の上に配置されていることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the substrate, and the element placement region for placing the light emitting element, and a said positive electrode pad and the negative electrode pad electrode placement area to be placed, the electrode arrangement region the element is located on either side of the arrangement region, wherein any one of the positive electrode pad and the negative electrode pads are arranged so as to extend from the electrode arrangement area on the element arrangement region, wherein the light emitting element, wherein the positive electrode pads or the negative electrode pad, it is preferably arranged on a portion extending to the element disposed region.

本発明は、上記発光装置において、前記基板は、その裏面側に、前記素子配置領域あるいはその近傍領域に対向するよう形成された外部接続電極と、該基板を厚み方向に貫通するように設けられ、該素子配置領域あるいはその近傍領域の下側に位置する導電層とを有し、前記正電極パッドおよび負電極パッドのいずれか一つである、前記電極配置領域から該素子配置領域上に延びる電極パッドは、該導電層を介して該外部接続電極に接続されていることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the substrate, on the back surface side, and the external connection electrodes formed so as to face the element mounting region or neighboring region thereof, provided so as to penetrate the substrate in the thickness direction , and a the element arrangement region or a conductive layer located on the lower side of its neighboring region, wherein a one of the positive electrode pad and the negative electrode pad, extending the element disposed on a region from the electrode arrangement area electrode pads are preferably connected to the external connection electrode via the conductive layer.

本発明は、上記発光装置において、前記基板は、その裏面側に形成された外部接続電極と、該基板を厚み方向に貫通するように設けられた導電層とを有し、前記電極パッドは、該導電層を介して該外部接続電極に接続されていることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the substrate has external connection electrodes formed on the back surface side, and a conductive layer provided so as to penetrate the substrate in the thickness direction, the electrode pads, it is preferably connected to the external connection electrode via the conductive layer.

本発明は、上記発光装置において、前記基板は、平面略長方形形状を有するパッケージ基板であり、前記電極パッドは、該パッケージ基板の角隅部に配置されていることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the substrate is a package substrate having a flat, substantially rectangular shape, the electrode pads are preferably arranged in the corners of the package substrate.

本発明は、上記発光装置において、前記外部接続電極は、前記パッケージ基板の裏面上に該パッケージ基板の短辺に沿って形成されていることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the external connection electrode is preferably formed along the short side of the package substrate on the back surface of the package substrate.

本発明は、上記発光装置において、前記長尺形状の発光素子の平面形状は、所定方向の寸法が該所定方向と直交する方向における寸法と等しくない、長手方向を有する平面形状であることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the planar shape of the light-emitting element of the long shape is predetermined dimension is not equal to the dimension in the direction perpendicular to the said predetermined direction, preferably a planar shape having a longitudinal direction .

本発明は、上記発光装置において、前記LEDチップを構成するチップ基板は、絶縁性基板であることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, a chip substrate constituting the LED chips is preferably an insulating substrate.

本発明は、上記発光装置において、前記LEDチップは、紫外色から赤外色までの範囲の色の光を発するLEDチップであることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the LED chip is preferably an LED chip that emits a range of colors of light from ultraviolet color to infrared color.

本発明は、上記発光装置において、前記LEDチップは青色LEDチップであることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, it is preferable that the LED chip is a blue LED chip.

本発明は、上記発光装置において、前記封止樹脂は、蛍光体を添加したものであることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the sealing resin, it is preferable that the addition of phosphor.

本発明は、上記発光装置において、前記封止樹脂は、透明封止樹脂であることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the sealing resin is preferably a transparent sealing resin.

本発明は、上記発光装置において、前記パッケージ基板は、絶縁性基板であることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the package substrate is preferably an insulating substrate.

本発明は、上記発光装置において、前記パッケージ基板は、セラミック基板または樹脂基板であることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the package substrate is preferably a ceramic substrate or a resin substrate.

本発明は、上記発光装置において、前記パッケージ基板は、ガラスエポキシ基板であることが好ましい。 The present invention, in the above light emitting device, the package substrate is preferably a glass epoxy substrate.

以下、本発明の作用について説明する。 Hereinafter, functions of the present invention will be described.

本発明においては、電極パッドを有する基板に長尺形状の発光素子を載置し、該発光素子および該電極を封止樹脂により封止してなる発光装置において、発光素子を、その側辺が該基板の側辺と所定の角度をなすよう、該発光素子の長手方向を該基板の長手方向に対して傾けて配置し、該電極パッドを、該基板表面の、該発光素子の長手方向を基板の長手方向に対して傾けたことにより形成されるスペースに配置しているので、基板表面の領域を有効に活用して、発光素子および電極パッドを配置することができる。 In the present invention, a substrate having an electrode pad is mounted a light emitting element of the long-shaped, in a light emitting device obtained by encapsulating with a sealing resin the light-emitting element and the electrode, the light-emitting element, that side edges so as to form the sides and the predetermined angle of the substrate, and arranged to be inclined in the longitudinal direction of the light emitting element with respect to the longitudinal direction of the substrate, the electrode pads, the substrate surface, a longitudinal direction of the light emitting element since the arrangement in the space formed by inclined relative to the longitudinal direction of the substrate, it is possible to effectively utilize the area of ​​the substrate surface, disposing the light emitting element and the electrode pad. これにより長尺の発光素子を小面積の基板上に実装してなる小型、薄型の発光装置を得ることができる。 Thus formed by mounting the light emitting element that is elongated in the substrate having a small area size can be obtained a thin light emitting device.

また、本発明においては、基板の表面の対向する角隅部に配置する正電極パッドおよび負電極パッドの形状を略三角形状をしているので、小表面積基板の角隅部を無駄なく利用して電極パッドを配置することができ、基板表面領域をさらに有効に活用することができる。 In the present invention, since the positive electrode pads and the shape of the negative electrode pads arranged in corners of opposing surfaces of the substrate has a substantially triangular shape, and used without waste the corners of the small surface area substrate the electrode pad can be placed Te, it is possible to more effectively use the substrate surface area. また、このように基板上での発光素子および電極パッドの配置スペースを有効に利用して、基板上での配置に余裕を持たせることにより、発光素子の周辺を覆う封止樹脂の膜厚を均一にすることが可能となり、封止樹脂が波長変換を行う蛍光体を含む場合には、発光素子の色温度の角度依存性を小さくすることができる。 Also, in this manner by effectively utilizing the light emitting element and the space for disposing the electrode pads on the substrate, by allowing a portion to arrangement on the substrate, the thickness of the sealing resin covering the periphery of the light emitting element it is possible to equalize, when the phosphor-containing sealing resin performs wavelength conversion, it is possible to reduce the angular dependence of color temperature of the light emitting element.

また、本発明においては、前記基板を、前記発光素子を配置すべき素子配置領域と、前記正電極パッドおよび負電極パッドを配置すべき電極配置領域とを有し、該電極配置領域の表面を該素子配置領域の表面より低くした構造としているので、素子配置領域に配置された発光素子からの光が電極配置領域に配置された電極パッドで遮られるのを回避することができ、これにより光の取り出し効率を向上することができる。 In the present invention, the substrate, and the element placement region for placing the light emitting element, and a said positive electrode pad and the negative electrode pad electrode placement region to be arranged, the surface of the electrode arrangement area since the the element and lower than the surface of the arrangement area structure, it is possible to prevent the light from light-emitting elements arranged on the element arrangement region being blocked by the electrode pads arranged in the electrode arrangement region, thereby light it is possible to improve the extraction efficiency. また、封止樹脂が蛍光体を含む場合は、このように素子配置領域より低い電極配置領域に電極パッドを配置することにより、電極パッドの占める空間領域の分だけ蛍光体の分量が減るといったことを回避することができ、LEDチップから発光した光がより有効に蛍光体を励起することになる。 Further, if the sealing resin contains a phosphor, by disposing the electrode pads to such lower electrode placement area than the element placement area, things like amount of amount corresponding phosphor spatial region occupied by the electrode pads is reduced can be avoided, light emitted from the LED chip will excite more effectively phosphor. さらに、正電極パッドおよび負電極パッドを配置すべき電極配置領域の表面を、該素子配置領域の表面より低い位置に配置したことで、ボンディングワイヤーのワイヤーループの高さを低くすることができ、さらに薄型のLEDチップを作製できる。 Furthermore, a positive electrode pad and the negative electrode pads of the surface of the electrode arrangement area should be arranged, by disposing a position lower than the surface of the element placement area, it is possible to reduce the wire height of the loop of the bonding wire, further it can be fabricated thin LED chip.

また、素子配置領域の表面の高さ位置と、電極配置領域に配置された電極パッド表面の高さ位置をほぼ同じにすることにより、電極パッドが発光素子からの光を反射する反射層として機能することとなり、発光素子からの光をさらに有効に外に取り出せることになる。 Also, the height position of the surface of the element placement area, by the height position of the electrode disposed pad surface electrode arrangement area substantially the same, function as a reflective layer is the electrode pad reflects light from the light emitting element It will be further effectively would be taken out to the outside of the light from the light emitting element.

また、本発明においては、基板表面の正電極パッドおよび負電極パッドのいずれか一つを、発光素子(LEDチップ)の下側まで延びる構造とすることで、電極パッドの発光素子の下側部分が反射層として機能することとなり、これにより発光素子から基板側に放射される光を有効に外に取り出せることになる。 In the present invention, any one of the positive electrode pad and the negative electrode pad of the substrate surface, by a structure that extends to the lower of the light emitting element (LED chip), the lower portion of the light emitting element of the electrode pads There will function as the reflective layer, so that effectively taken out to the outside the light emitted from the light emitting element to the substrate side thereby. さらに、電極パッドの発光素子の下側部分では放熱効果も良好になる。 Further, the better heat radiation effect in the lower portion of the light emitting element of the electrode pads.

また、本発明においては、前記基板を、その裏面側に、該素子配置領域あるいはその近傍領域に対向するよう形成された外部接続電極と、該基板を厚み方向に貫通するように設けられ、該素子配置領域あるいはその近傍領域の下側に位置する導電層とを有するものとし、前記正電極パッドおよび負電極パッドのいずれか一つである、前記電極配置領域から該素子配置領域上に延びる電極パッドを、該導電層を介して該外部接続電極に接続しているので、素子配置領域上に配置された発光素子で生じた熱は、該素子配置領域あるいはその近傍領域の下側に位置する導電層を介して、基板裏面側の外部接続電極に伝わることとなり、発光素子から基板外部への放熱効果をより高めることができる。 In the present invention, the substrate, on the back surface side, and the external connection electrodes formed so as to face the the element arrangement region or neighboring region thereof, provided so as to penetrate the substrate in the thickness direction, the It shall have an element arrangement region or a conductive layer located on the lower side of its neighboring region, wherein the positive electrode is one of the pad and the negative electrode pad, the electrode extending the element disposed on a region from the electrode arrangement area pad and is connected in the external connecting electrode through the conductive layer, the heat generated in the light-emitting element disposed on the element placement region is located on the lower side of the element placement region or its neighboring region through the conductive layer, will be transmitted to the external connection electrodes of the backside of the substrate, it is possible to enhance the heat dissipation effect of the substrates outside from the light emitting element.

さらに、発光素子(LEDチップ)は長尺形状であるため、一定の発光出力を保持しつつ薄型化することが可能となる。 Further, the light emitting element (LED chip) for an elongated shape, it is possible to thin while maintaining a constant light output.

本発明によれば、電極パッドを有する基板に長尺形状の発光素子を載置し、該発光素子および該電極を封止樹脂により封止してなる発光装置において、発光素子を、その側辺が該基板の側辺と所定の角度をなすよう、該発光素子の長手方向を該基板の長手方向に対して傾けて配置し、該電極パッドを、該基板表面の、該発光素子の長手方向を基板の長手方向に対して傾けたことにより形成されるスペースに配置しているので、基板表面の領域を有効に活用して、発光素子および電極パッドを配置することができる。 According to the present invention, a substrate having an electrode pad is mounted a light emitting element of the long-shaped, in a light emitting device obtained by encapsulating with a sealing resin the light-emitting element and the electrode, the light emitting element, the side edges There so as to form the sides and the predetermined angle of the substrate, and arranged to be inclined in the longitudinal direction of the light emitting element with respect to the longitudinal direction of the substrate, the electrode pads, the substrate surface, a longitudinal direction of the light emitting element since the are arranged in the space formed by inclined relative to the longitudinal direction of the substrate, it is possible to effectively utilize the area of ​​the substrate surface, disposing the light emitting element and the electrode pad. これにより小表面積基板上に長尺の発光素子(LEDチップ)が搭載可能となり、長尺の発光素子を小面積の基板上に実装してなる小型、薄型の発光装置を得ることができる。 Thus the light emitting element that is elongated in the small surface area on a substrate (LED chips) enables mounting, compact obtained by mounting the light emitting element that is elongated in the substrate having a small area, it is possible to obtain a thin light emitting device.

また、このように基板上での発光素子および電極パッドの配置スペースを有効に利用して、基板上での配置に余裕を持たせることにより、発光素子の周辺を覆う封止樹脂の膜厚を均一にすることが可能となり、封止樹脂が波長変換を行う蛍光体を含む場合には、発光素子の色温度の角度依存性を小さくすることができる効果もある。 Also, in this manner by effectively utilizing the light emitting element and the space for disposing the electrode pads on the substrate, by allowing a portion to arrangement on the substrate, the thickness of the sealing resin covering the periphery of the light emitting element it is possible to equalize, when the phosphor-containing sealing resin performs wavelength conversion, an effect which can reduce the angular dependence of color temperature of the light emitting element.
また、基板表面の正電極パッドおよび負電極パッドのいずれか一つを、発光素子(LEDチップ)の下側まで延びる構造とすることで、電極パッドの発光素子の下側部分が反射層として機能することとなり、これにより発光素子から基板側に放射される光を有効に外に取り出せることになる。 Further, any one of the positive electrode pad and the negative electrode pad of the substrate surface, by a structure that extends to the lower of the light emitting element (LED chip), functional lower portion of the light emitting element of the electrode pads as the reflective layer thing will be, which will cause the taken out to the outside to enable the light emitted from the light emitting element to the substrate side. さらに、電極パッドの発光素子の下側部分では放熱効果も良好になる。 Further, the better heat radiation effect in the lower portion of the light emitting element of the electrode pads. またさらに、素子配置領域の下側まで延びる正電極パッドおよび負電極パッドのいずれか一つを、素子配置領域の直下あるいはその直下近傍に形成した、基板を貫通する導電層を介して、基板裏面側の外部接続電極に接続することで、発光素子から基板外部への放熱効果をより高めることができる。 Furthermore, any one of the positive electrode pad and the negative electrode pad extending to the lower side of the element placement region formed in the vicinity immediately below or immediately below the element mounting region, through the conductive layer through the substrate, the substrate back surface by connecting the external connection electrode side, it is possible to enhance the heat dissipation effect from the light-emitting element to the outside of the substrate.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention.
(実施形態1) (Embodiment 1)
図1は、本発明の実施形態1に係る発光装置を説明する図であり、図1(a)はその要部構成を示す上面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−A線断面の構造を示している。 Figure 1 is a view showing a light emitting device according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 1 (a) is a top view showing the main structure, FIG. 1 (b), FIGS. 1 (a) It shows the a-a line cross-sectional structure of.

本実施形態1の発光装置10は、パッケージ基板12上にLEDチップ(発光素子)13を実装し、全面を透明封止樹脂17で樹脂封止してなるものである。 The light emitting device 10 of Embodiment 1, an LED chip (light emitting element) 13 is mounted on the package substrate 12, it is made of resin encapsulation entirely with a transparent sealing resin 17.

ここで、LEDチップ13は、波長650nmの赤色波長領域に主発光ピークを有する赤色LEDチップであり、その平面形状はぼぼ長方形形状となっている。 Here, the LED chip 13 is a red LED chip having a main emission peak in the red wavelength region of wavelength 650 nm, the planar shape has a very nearly rectangular. また、パッケージ基板12としては、可視光に対する光反射率が高く、熱伝導率が高いAlNセラミック基板を用いている。 As the package substrate 12, the light reflectance to visible light is high, the thermal conductivity is using a high AlN ceramic substrate. このパッケージ基板12の平面形状はぼぼ長方形形状であり、その厚みは、これを基板部材から個々のチップに切り出す際の切断が容易になるよう、0.3mm〜0.4mmとしている。 The planar shape of the package substrate 12 is very nearly rectangular shape and has a thickness of, this such that the cutting at the time of cutting the substrate member into individual chips is facilitated, and the 0.3Mm~0.4Mm.

この実施形態1の発光装置10では、LEDチップ13は、その側辺がパッケージ基板12の側辺と90°より小さい所定の角度をなすよう、このLEDチップ13の長手方向をパッケージ基板の長手方向に対して傾けて配置されている。 In the light emitting device 10 of this embodiment 1, the LED chip 13, so that its sides forms the sides and less than 90 ° predetermined angle of the package substrate 12, the longitudinal direction of the longitudinal package substrate of the LED chip 13 It is arranged inclined with respect. また、正電極パッド(以下、単に電極パッドともいう。)14および負電極パッド(以下、単に電極パッドともいう。)15が、パッケージ基板12の表面の、LEDチップ13の長手方向をパッケージ基板12の長手方向に対して傾けたことにより形成されるスペース(電極配置領域)14cおよび15cに配置されている。 The positive electrode pads (hereinafter, simply referred to as electrode pads.) 14 and a negative electrode pad (hereinafter, simply referred to as electrode pads.) 15, the surface of the package substrate 12, the package substrate 12 in the longitudinal direction of the LED chips 13 It is arranged in the space formed (electrode arrangement area) 14c and 15c by the inclined with respect to the longitudinal direction.

つまり、このパッケージ基板12表面の、対向する2つの角隅部(電極配置領域)14cおよび15cには、電極パッド14および15がそれぞれ対向するよう配置されている。 That is, the package substrate 12 surface, the two opposing corners (electrode arrangement area) 14c and 15c, the electrode pads 14 and 15 are arranged to face respectively. これらの電極パッド14および15の平面形状は、略三角形形状(たとえば、略直角二等辺三角形形状)をしており、LEDチップ13が、LEDチップ13の長辺と電極パッド14および15の長辺とが平行にかつ対向するよう配置されている。 The planar shape of these electrode pads 14 and 15 are substantially triangular shape (e.g., a substantially isosceles right triangle shape) and a, LED chips 13, the long sides and the long sides of the electrode pads 14 and 15 of the LED chip 13 bets are arranged in parallel to and opposite. この赤色LEDチップ13の電極(チップ電極)13aおよび13bは、これに隣接する電極パッド14および15にワイヤー16により接続されている。 The electrodes of the red LED chip 13 (tip electrode) 13a and 13b are connected by a wire 16 to the electrode pads 14 and 15 adjacent thereto. なお、電極パッド14および15の平面形状はこのような略直角二等辺三角形形状に限定されるものではなく、他の三角形形状であってもよい。 The planar shape of the electrode pads 14 and 15 are not limited to such a substantially right-angled isosceles triangle shape, it may be other triangular shapes.

また、上記パッケージ基板12の裏面側には外部接続電極14bが形成されており、電極パッド14は、パッケージ基板12を厚み方向に貫通するように設けられた導電層14aにより外部接続電極14bと導通するよう、該電極14bに接続されている。 Further, on the back side of the package substrate 12 are formed external connection electrodes 14b, electrode pads 14, electrically connected to the external connection electrodes 14b by a conductive layer 14a which is provided so as to penetrate the package substrate 12 in the thickness direction to, and is connected to the electrode 14b. 上記パッケージ基板12の裏面側には外部接続電極15bが形成されており、電極パッド15は、パッケージ基板12を厚み方向に貫通するように設けられた導電層15aにより外部接続電極15bと導通するよう、該電極15bに接続されている。 On the back side of the package substrate 12 are formed external connection electrodes 15b, electrode pads 15, so as to conduct the external connection electrodes 15b by a conductive layer 15a which is provided so as to penetrate the package substrate 12 in the thickness direction It is connected to the electrode 15b.

ここで、LEDチップ13を構成するチップ基板にはGaPを用い、LEDチップ13を構成する半導体層には、AlGaInP系半導体層を用いている。 Here, using a GaP the chip substrate constituting the LED chip 13, the semiconductor layer constituting the LED chip 13 uses a AlGaInP-based semiconductor layer.

また、パッケージ基板12の表面全体は、このLEDチップ13およびワイヤ16および電極パッド14および15を覆うように封止樹脂17により樹脂封止されている。 Further, the entire surface of the package substrate 12 are sealed with resin by the LED chip 13 and the wire 16 and the electrode pads 14 and 15 the sealing resin 17 so as to cover the. この封止樹脂11には、シリコーン系封止樹脂を用いている。 The sealing resin 11 is a silicone-based sealing resin. ただし、この封止樹脂17には、エポキシ系封止樹脂を用いてもよい。 However, this sealing resin 17 may be an epoxy based sealing resin.

この封止樹脂17の表面は、パッケージ基板12の表面に平行で、ほぼ平坦な表面となっている。 Surface of the sealing resin 17 is parallel to the surface of the package substrate 12, has a substantially planar surface. ここで、平面略長方形形状のLEDチップ13は、その各辺が、平面略長方形形状のパッケージ基板12の各辺に対して平行とならないように、パッケージ基板12の表面に搭載されている。 Here, LED chips 13 of the flat, substantially rectangular shape, each of its sides, so as not to be parallel to respective sides of the package substrate 12 of flat, substantially rectangular shape, are mounted on the surface of the package substrate 12.

このようなパッケージ基板12上でのLEDチップ13の配置は、小表面積基板上に長尺LEDチップを搭載するのに好適な搭載方法であり、ここでは、この平面略長方形形状のLEDチップ13は、横幅を0.24mmとし、縦幅を0.5mmとするものである。 Arrangement of LED chips 13 on such a package substrate 12 is a suitable mounting method for mounting the elongate LED chip into small surface area on the substrate, wherein the LED chips 13 of the flat, substantially rectangular shape , the width and 0.24 mm, the longitudinal width it is an 0.5 mm.

さらに、発光装置10の側面は、パッケージ基板12の表面に垂直になるよう、封止樹脂17および更にその下のパッケージ基板12を一括して切断して得られる平面状になっており、発光装置10は、厚みが薄く、面内方向の面積が大きな直方体形状となっている。 Further, the side surface of the light emitting device 10, so as to be perpendicular to the surface of the package substrate 12, and in a flat face shape obtained by cutting a lump sealing resin 17 and further the package substrate 12 thereunder, the light emitting device 10, small thickness, the area of ​​the plane direction is a big rectangular parallelepiped. 具体的には、発光装置10では、その一例として、例えば、厚みが0.7mm、横幅が1.0mm、縦幅が1.2mmとなっている。 Specifically, the light emitting device 10, as an example, for example, a thickness of 0.7 mm, the width is 1.0 mm, the vertical width is a 1.2 mm.

次に、本実施形態1の発光装置1の製造方法について、図1および図2を用いて詳細に説明する。 Next, a method of manufacturing the light emitting device 1 according to Embodiment 1 will be described in detail with reference to FIGS.

図2は、本実施形態1の発光装置10の製造方法を工程順(図2(a)〜図2(f))に示す図である。 Figure 2 is a diagram showing a method of manufacturing the light emitting device 10 of the present embodiment 1 order of steps (FIG. 2 (a) ~ FIG 2 (f)).

まず、図2(a)に示すように、複数の平面略長方形形状のチップ領域12に区分された基板部材120を用意し、該基板部材120の各チップ領域12上にLEDチップ13をダイボンドする。 First, as shown in FIG. 2 (a), providing a substrate member 120 which is divided into chip regions 12 of a plurality of flat, substantially rectangular, is die-bonded LED chips 13 on each chip area 12 of the substrate member 120 .

ここで、該基板部材120のチップ領域12の表面には、図1に示す電極パッド14および15が、該チップ領域12の対向する角隅部14cおよび15cに位置するよう配置されている。 Here, the surface of the chip area 12 of the substrate member 120, the electrode pads 14 and 15 shown in FIG. 1 is arranged to be located corners 14c and 15c opposing the chip area 12. また、該チップ領域12の裏面側には、外部接続電極14bおよび15bが形成されている。 Further, on the back side of the chip area 12, external connection electrodes 14b and 15b are formed. 電極パッド14と外部接続電極14bとは、該基板部材を貫通する導電層14aを介して接続されており、電極パッド15と外部接続電極15bとは、該基板部材を貫通する導電層15aを介して接続されている。 The electrode pad 14 and the external connection electrodes 14b, are connected via a conductive layer 14a which penetrates the substrate member, the electrode pads 15 and the external connection electrode 15b is through the conductive layer 15a which penetrates the substrate member It is connected Te. ここで、基板部材を導電層が貫通する貫通部は、空洞でないことが望ましい。 Here, penetrations substrate member conductive layer is pierced, it is desirable not hollow. なぜなら、空洞があると、温度変化により空気が水分化し、貫通導電層14aおよび15aの劣化の要因となるなどの不具合が生じるからであり、また、放熱も悪くなり、LEDチップの信頼性を悪くするからである。 This is because, if there is a cavity, air is moisture by temperature change, and because trouble such as a factor of degradation of the through conducting layer 14a and 15a occurs, also, the heat radiation becomes worse, deteriorate the reliability of the LED chip This is because the.

また、上記基板部材120の各チップ領域12の表面に形成されている電極パッド14および15の平面形状は、上述したように略直角二等辺三角形形状である。 The planar shape of the electrode pads 14 and 15 are formed on the surface of each chip area 12 of the substrate member 120 is a substantially rectangular equilateral triangle shape as described above. これらの電極パッド14および15は、上記貫通導電層14aおよび15aをそれぞれ通じて、対応するアノード側およびカソード側の外部接続電極14bおよび15bと接続されている。 These electrode pads 14 and 15, through each of the above through conducting layer 14a and 15a, are connected to the corresponding anode and cathode side external connection electrodes 14b and 15b.

このチップ領域12の、電極パッド14および15間の領域には、LEDチップ13が、その長辺が電極パッド14および15の長辺(斜辺)と平行となるようダイボンドされており、LEDチップ13の上部電極(チップ電極)13aおよび13bは、ボンディングワイヤー16により電極パッド14および15と接続されている。 The chip area 12, in the region between the electrode pads 14 and 15, LED chips 13, the long sides are die-bonded to be parallel to the long sides of the electrode pads 14 and 15 (hypotenuse), LED chips 13 upper electrode (tip electrode) 13a and 13b of the is connected to the electrode pads 14 and 15 by bonding wires 16.

次に、図2(b)に示すように、LEDチップ13を各チップ領域12に搭載した基板部材120を、加熱プレートを備えたプレス機(図示せず)に設置し、基板部材120の周囲を囲むようにスペーサ治具21を1対対向させて配置し、その後、封止用樹脂層17aとして液状シリコーン樹脂を基板部材120の表面に流し込む(図2(c))。 Next, as shown in FIG. 2 (b), the substrate member 120 mounted with LED chips 13 to each chip area 12, placed in a press equipped with a heating plate (not shown), around the substrate member 120 the spacer jig 21 by a pair face arranged so as to surround, then the liquid silicone resin is poured onto the surface of the substrate member 120 as the sealing resin layer 17a (FIG. 2 (c)).

さらに、チップ領域上で一定の樹脂厚を確保するために、図2(d)に示すように、封止用樹脂層17aの表面に平坦な上金型22を押さえ付けてプレスする。 Furthermore, in order to ensure a constant resin thickness on the chip area, as shown in FIG. 2 (d), pressed pressing a flat upper die 22 on the surface of the sealing resin layer 17a.

続いて、図2(e)に示すように、加熱により封止用樹脂層17aを硬化させた後、図2(f)に示すように、基板部材120をその上に形成した封止樹脂層17aとともにダイシングして、チップ状の個々の発光装置10を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 2 (e), after curing the sealing resin layer 17a by heating, as shown in FIG. 2 (f), a sealing resin layer formed with the substrate member 120 thereon diced with 17a, to form individual light-emitting device 10 of the chips.

このように本実施形態1の発光装置10では、パッケージ基板12上にLEDチップ13を、その側辺がパッケージ基板12の側辺と所定の角度をなすよう、このLEDチップ13の長手方向をパッケージ基板12の長手方向に対して傾けて配置し、電極パッド14および15を、パッケージ基板の表面の、LEDチップ13の長手方向をパッケージ基板12の長手方向に対して傾けたことにより形成されるスペース14aおよび15aに配置しているので、電極パッド14および15とLEDチップ13との間に一定の距離を確保しつつ、パッケージ基板12の長手方向の寸法を縮小することができる。 Thus the light emitting device 10 of the present embodiment 1, the LED chip 13 to the package substrate 12, the side edges so as to form the sides and the predetermined angle of the package substrate 12, package longitudinal direction of the LED chips 13 arranged inclined relative to the longitudinal direction of the substrate 12, the space of the electrode pads 14 and 15 are formed by inclined surfaces of the package substrate, the longitudinal direction of the LED chip 13 to the longitudinal direction of the package substrate 12 since the arranged 14a and 15a, while ensuring a constant distance between the electrode pads 14 and 15 and the LED chip 13, it is possible to reduce the longitudinal size of the package substrate 12.

また、電極パッド14および15とLEDチップ13との間には一定の距離を確保しているので、ワイヤーループ高さを下げることができ、薄層化が可能となる。 Furthermore, since between the electrode pads 14 and 15 and the LED chip 13 is secured a certain distance, it is possible to reduce the wire loop height, it is possible to thin layer.

つまり、LEDチップ13上でのボンディング位置(1stボンディング位置)と電極パッド上でのボンディング位置(2ndボンディング位置)との間の距離が短くなると、ボンディングワイヤのネック部分でワイヤが切れるのを防止するためにワイヤーループ高さを高くする必要があり、このため、封止樹脂高さが高くなって、全体に厚くなる。 That is, when the distance between the bonding positions on the LED chip 13 and (1st bonding locations) bonding locations on the electrode pad and (2nd bonding position) is shortened, preventing the wire expire at the neck portion of the bonding wire it is necessary to increase the wire loop height for this reason, higher sealing resin height becomes thick throughout. これに対し、本実施形態1では、LEDチップの長手方向をパッケージ基板の長手方向に対して傾けることにより、1stボンディング位置と2ndボンディング位置との間に一定の距離を確保することができ、これによりワイヤーループ高さを下げることができ、薄層化が可能となる。 In contrast, in the first embodiment, by inclining the longitudinal direction of the LED chip to the longitudinal direction of the package substrate, it is possible to ensure a constant distance between the 1st bonding position and the 2nd bonding position, which makes it possible to reduce the wire loop height, it is possible to thin layer. この結果、小型、薄型の赤色の発光装置を得ることができる。 As a result, it is possible to obtain a small, thin red light emitting device. さらに、発光素子(LEDチップ)は長尺形状であるため、一定の発光出力を保持しつつ薄型化することも可能となる。 Further, the light emitting element (LED chip) for an elongated shape, it also becomes possible to thin while maintaining a constant light output.
(実施形態2) (Embodiment 2)
図3は、本発明の実施形態2に係る発光装置を説明する図であり、図3(a)はその要部構成を示す上面図であり、図3(b)は、図3(a)のB−B線断面の構造を示している。 Figure 3 is a view showing a light emitting device according to Embodiment 2 of the present invention, FIG. 3 (a) is a top view showing the main configuration, FIG. 3 (b), FIGS. 3 (a) It shows the structure of the sectional view taken along line B-B.

本実施形態2の発光装置20は、パッケージ基板12上に、LEDチップ(発光素子)23を実装し、全面を封止樹脂27で樹脂封止してなるものである。 The light emitting device 20 of the second embodiment, the package substrate 12, and mounting the LED chip (light emitting element) 23 is made of resin encapsulation by a sealing resin 27 entirely. ここで、LEDチップ23は、波長400nm以上530nm以下の青色波長領域に主発光ピークを有する青色LEDチップであり、その平面形状はぼぼ長方形形状となっている。 Here, the LED chip 23 is a blue LED chip having a primary emission peak in a blue wavelength region of wavelength 400 nm 530 nm, the planar shape has a very nearly rectangular. また、封止樹脂27は、シリコン系封止樹脂に、青色LEDチップ23からの光を波長変換する蛍光体を添加したものであり、その他の構成は実施形態1と同様である。 The sealing resin 27, a silicon-based sealing resin is obtained by adding a phosphor for wavelength-converting light from a blue LED chip 23, other configurations are similar to those of the first embodiment.

具体的に説明すると、本実施形態2では、パッケージ基板12として、実施形態1と同様、可視光に対する光反射率が高く、熱伝導率が高いAlNセラミック基板を用いており、このパッケージ基板12の厚みは、0.3mm〜0.4mmとしている。 Specifically, in Embodiment 2, as a package substrate 12, as in Embodiment 1, high optical reflectance to visible light, thermal conductivity and having a high AlN ceramic substrate, the package substrate 12 the thickness is in the 0.3mm~0.4mm. また、このパッケージ基板12の表面には、電極パッド14および15が、平面略長方形形状のパッケージ基板12の対向する角隅部14cおよび15cに形成されており、電極パッド14および15の形状は、実施形態1と同様、略直角二等辺三角形形状をしている。 The surface of the package substrate 12, the electrode pads 14 and 15 are formed in corner portions 14c and 15c facing the package substrate 12 of flat, substantially rectangular shape, the shape of the electrode pads 14 and 15, Similarly to embodiment 1, has substantially a right-angled isosceles triangle.

また、このようなパッケージ基板12上には、青色LEDチップ23が、上記電極パッドの長辺(斜辺)とLEDチップ3の長辺とがほぼ平行になるように搭載されている。 Moreover, such a package substrate 12, the blue LED chip 23, the long sides of the electrode pads (the hypotenuse) and long sides of the LED chip 3 is mounted so as to be substantially parallel. また、隣接する電極パッド14および15と青色のLEDチップ23の上部電極(チップ電極)23aおよび23bとはボンディングワイヤー16により接続されている。 Further, the upper electrode (tip electrode) 23a and 23b of the adjacent electrode pads 14 and 15 and the blue LED chip 23 are connected by bonding wires 16. また、パッケージ基板12の裏面側には外部接続電極14bおよび15bが形成され、電極パッド14および15は、それぞれ、パッケージ基板12を厚み方向に貫通するように設けられた導電層14aおよび15aを介して外部接続電極14bおよび15bと導通するようこれらの電極に接続されている。 Further, on the back side of the package substrate 12 are formed external connection electrodes 14b and 15b, the electrode pads 14 and 15, respectively, via a conductive layer 14a and 15a provided so as to penetrate the package substrate 12 in the thickness direction It is connected to these electrodes so as to conduct the external connection electrodes 14b and 15b Te.

また、このLEDチップ23は、封止樹脂によりその周囲が覆われるようにパッケージ基板12の表面全体が樹脂封止されている。 Further, the LED chip 23, the entire surface of the package substrate 12 are sealed with resin so that the periphery is covered by the sealing resin. この封止樹脂27には、青色LEDチップ23からの光を波長変換して蛍光を放出する蛍光体が添加されている。 The sealing resin 27, a phosphor that emits fluorescence by wavelength conversion of light from the blue LED chip 23 is added. この実施形態2では、蛍光体として、BOSE(ユ−ロピウム付活珪酸塩蛍光体、(Ba・Sr) SiO :Eu)のような発光効率が高い黄色蛍光体を用いている。 In Embodiment 2, as the phosphor, BOSE (Yoo - europium activated silicate phosphor, (Ba · Sr) 2 SiO 4: Eu) is used high emission efficiency yellow phosphor, such as. この黄色蛍光体は、青色LEDチップ23から放出される青色光を吸収して、波長550nm以上600nm以下の波長領域に発光ピークを有する黄色蛍光を放出する。 The yellow phosphor absorbs the blue light emitted from the blue LED chip 23 and emits yellow fluorescence having an emission peak in 600nm or less in a wavelength region longer than the wavelength 550 nm.

封止樹脂27の表面は、実施形態1の発光装置10と同様、パッケージ基板12の表面に平行で、ほぼ平坦な表面となっている。 Surface of the sealing resin 27, similarly to the light emitting device 10 of Embodiment 1, parallel to the surface of the package substrate 12, has a substantially planar surface. ここで、平面略長方形形状のLEDチップ23は、その各辺が、平面略長方形形状のパッケージ基板12の各辺に対して平行とならないように、パッケージ基板12の表面に搭載されている。 Here, LED chips 23 of the flat, substantially rectangular shape, each of its sides, so as not to be parallel to respective sides of the package substrate 12 of flat, substantially rectangular shape, are mounted on the surface of the package substrate 12.

このようなパッケージ基板12上でのLEDチップ23の配置は、小表面積基板上に長尺LEDチップを搭載するのに好適な搭載方法であり、ここでは、この平面略長方形形状のLEDチップ23は、横幅を0.24mmとし、縦幅を0.5mmとするものである。 Arrangement of LED chips 23 on such a package substrate 12 is a suitable mounting method for mounting the elongate LED chip into small surface area on the substrate, wherein the LED chip 23 of the flat, substantially rectangular shape , the width and 0.24 mm, the longitudinal width it is an 0.5 mm.

さらに、発光装置20の側面は、パッケージ基板12の表面に垂直になるよう、封止樹脂27および更にその下のパッケージ基板12を一括して切断して得られる平面状になっており、発光装置20は、厚みが薄く、面内方向の面積が大きな直方体形状となっている。 Further, the side surface of the light emitting device 20, so as to be perpendicular to the surface of the package substrate 12, and in a flat face shape obtained by cutting a lump sealing resin 27 and further the package substrate 12 thereunder, the light emitting device 20, small thickness, the area of ​​the plane direction is a big rectangular parallelepiped. 具体的には、発光装置20では、その一例として、例えば、厚みが0.7mm、横幅が1.0mm、縦幅が1.2mmとなっている。 Specifically, the light emitting device 20, as an example, for example, a thickness of 0.7 mm, the width is 1.0 mm, the vertical width is a 1.2 mm.

また、電極パッド14および15の長辺とLEDチップ23の長辺とがほぼ平行になるように青色LEDチップ23がパッケージ基板12上に搭載されている。 The blue LED chip 23 as the long sides of the long sides and the LED chip 23 of the electrode pads 14 and 15 are substantially parallel are mounted on the package substrate 12. このため、LEDチップ23から発光する光の光路長(LEDチップ端面から封止樹脂端面までの距離)をLEDチップ23の周囲で、つまりその側面側および上面側でほぼ等しくすることができる。 Therefore, the optical path length of light emitted from the LED chip 23 (the distance from the LED chip end face to the sealing resin end surface) around the LED chip 23, i.e. can be made substantially equal at the side surface side and the upper side.

次に、本実施形態2の発光装置2の製造方法について、図3および図4を用いて詳細に説明する。 Next, a method of manufacturing the light emitting device 2 of the present embodiment 2 will be described in detail with reference to FIGS.

図4は、本実施形態2の発光装置20の製造方法を工程順(図4(a)〜図4(f))に示す図である。 Figure 4 is a diagram showing a method of manufacturing the light emitting device 20 of this embodiment 2 the order of steps (FIG. 4 (a) ~ FIG 4 (f)).

まず、図4(a)に示すように、実施形態1と同様、複数の平面略長方形形状のチップ領域12に区分された基板部材120を用意し、該基板部材120の各チップ領域12上にLEDチップ23をダイボンドする。 First, as shown in FIG. 4 (a), similarly to Embodiment 1, and providing a substrate member 120 which is divided into chip regions 12 of a plurality of flat, substantially rectangular, on each chip area 12 of the substrate member 120 the LED chip 23 is die-bonded.

ここで、基板部材120のチップ領域12の表面には、図3に示す電極パッド14および15が、該チップ領域12の対向する角隅部14aおよび15aに位置するよう配置されている。 Here, the surface of the chip area 12 of the substrate member 120, the electrode pads 14 and 15 shown in FIG. 3 is arranged so as to be located corners 14a and 15a opposing the chip area 12. また、該チップ領域12の裏面側には、外部接続電極14bおよび15bが形成されている。 Further, on the back side of the chip area 12, external connection electrodes 14b and 15b are formed. 電極パッド14および15はそれぞれ、基板部材を貫通する導電層14aおよび15aを介して外部接続電極14bおよび15bに接続されている。 Each electrode pad 14 and 15 are connected to the external connection electrodes 14b and 15b through the conductive layer 14a and 15a through the substrate member.

上記チップ領域12の、電極パッド14および15間の領域には、LEDチップ23が、その長辺が電極パッド14および15の長辺(斜辺)と平行となるようダイボンドされており、LEDチップ23の上部電極23aおよび23bは、ワイヤー16により電極パッド14および15と接続されている。 Of the chip area 12, in the region between the electrode pads 14 and 15, LED chips 23, the long sides are die-bonded to be parallel to the long sides of the electrode pads 14 and 15 (hypotenuse), LED chip 23 upper electrode 23a and 23b of the is connected to the electrode pads 14 and 15 by a wire 16.

次に、図4(b)に示すように、LEDチップ23を各チップ領域12に搭載した基板部材120を、加熱プレートを備えたプレス機(図示せず)に設置し、基板部材120の周囲を囲むようにスペーサ治具21を1対対向させて配置し、基板部材120の表面に封止用樹脂層27aが形成されるよう、蛍光体を添加した液状シリコーン樹脂を流し込む(図4(c))。 Next, as shown in FIG. 4 (b), the substrate member 120 mounted with LED chips 23 to each chip area 12, placed in a press equipped with a heating plate (not shown), around the substrate member 120 the by a spacer jig 21 is one-to-face so as to surround arranged, so that the sealing resin layer 27a on the surface of the substrate member 120 is formed, pouring a liquid silicone resin added with phosphor (FIG. 4 (c )).

さらに、チップ領域上で一定の樹脂厚を確保するために、図4(d)に示すように、封止用樹脂層27aの表面に平坦な上金型22を押さえ付けてプレスする。 Furthermore, in order to ensure a constant resin thickness on the chip area, as shown in FIG. 4 (d), pressed pressing a flat upper die 22 on the surface of the sealing resin layer 27a.

続いて、図4(e)に示すように、加熱により封止用樹脂層27aを硬化させた後、図4(f)に示すように、基板部材120をその上に形成した封止樹脂層27aとともにダイシングして、チップ状の個々の発光装置20を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 4 (e), after curing the sealing resin layer 27a by heating, as shown in FIG. 4 (f), a sealing resin layer formed with the substrate member 120 thereon diced with 27a, to form a chip-shaped individual light emitting devices 20.

このように本実施形態2では、実施形態1と同様に、パッケージ基板12上に青色LEDチップ23を、その側辺がパッケージ基板12の側辺と所定の角度をなすよう、このLEDチップ23の長手方向をパッケージ基板12の長手方向に対して傾けて配置し、電極パッド14および15を、パッケージ基板12の表面の、LEDチップ23の長手方向をパッケージ基板12の長手方向に対して傾けたことにより形成されるスペース14aおよび15aに配置しているので、電極パッド14および15とLEDチップ23との間に一定の距離を確保しつつ、パッケージ基板12の長手方向の寸法を縮小することができる。 Thus in Embodiment 2, similarly to Embodiment 1, a blue LED chip 23 to the package substrate 12, the side edges so as to form the sides and the predetermined angle of the package substrate 12, the LED chip 23 the longitudinal and arranged to be inclined relative to the longitudinal direction of the package substrate 12, the electrode pads 14 and 15, the surface of the package substrate 12, is inclined in the longitudinal direction of the LED chip 23 to the longitudinal direction of the package substrate 12 since the arranged space 14a and 15a are formed by, while maintaining a constant distance between the electrode pads 14 and 15 and the LED chip 23, it is possible to reduce the longitudinal size of the package substrate 12 . このため、ワイヤボンディング時には、チップ上の1stボンディング位置と電極パッド上の2ndボンディング位置との距離を確保してワイヤーループ高さを抑えることができ、パッケージ基板12の長手方向の寸法縮小に伴うワイヤーループ高さの増大を抑えて薄層化を図ることができる。 Therefore, the wire at the time of wire bonding, to secure the distance between the 2nd bonding position on 1st bonding location and the electrode pads on the chip can be suppressed wire loop height, due to the longitudinal dimension reduction of the package substrate 12 and suppressing an increase in loop height can be made thinner layers.

また、パッケージ基板12の表面には電極パッド14および15が対向するその角隅部に形成されており、青色LEDチップ23がこれらの電極パッドの長辺とLEDチップ23の長辺とほぼ平行になるように搭載されているので、青色LEDチップ23の周辺での封止樹脂の厚さをより均一にすることができ、これにより色温度の角度依存性を小さくできる。 Further, the surface of the package substrate 12 are formed on the corners of the electrode pads 14 and 15 are opposed, substantially parallel to the blue LED chip 23 is a long side and long side of the LED chip 23 of the electrode pads because it is mounted so that can be made more uniform thickness of the sealing resin around the blue LED chip 23, thereby reducing the angular dependence of color temperature.

なお、上記実施形態2では、パッケージ基板12として、AlNセラミック基板を用いているが、パッケージ基板には、要求される信頼性や特性に応じて、それ以外の絶縁性基板、例えばガラスエポキシ基板のような樹脂基板を用いてもよい。 In the second embodiment, as a package substrate 12, but using AlN ceramic substrate, the package substrate, in accordance with the required reliability and characteristics, other insulating substrate, for example a glass epoxy substrate it may be a resin substrate such as.
(実施形態3) (Embodiment 3)
図5は、本発明の実施形態3に係る発光装置を説明する図であり、図5(a)はその要部構成を示す上面図であり、図5(b)は、図5(a)のC−C線断面の構造を示している。 Figure 5 is a view showing a light emitting device according to Embodiment 3 of the present invention, FIGS. 5 (a) is a top view showing the main configuration, FIG. 5 (b), FIGS. 5 (a) shows the line C-C cross-sectional structure of.

本実施形態3の発光装置30は、パッケージ基板32上にLEDチップ(発光素子)23を実装し、全面を封止樹脂27で樹脂封止してなるものである。 The light emitting device 30 of the present embodiment 3, the LED chip (light emitting element) 23 is mounted on the package substrate 32 is made by resin with a sealing resin 27 entirely.

ここで、LEDチップ23は、実施形態2と同様、波長400nm以上530nm以下の青色波長領域に主発光ピークを有する青色LEDチップであり、その平面形状はぼぼ長方形形状となっており、また、封止樹脂27は、シリコン系封止樹脂に、青色LEDチップ23からの光を波長変換する蛍光体を添加したものである。 Here, the LED chip 23, as in Embodiment 2, a blue LED chip having a primary emission peak in a blue wavelength region of wavelength 400 nm 530 nm, the planar shape has become a very nearly rectangular shape, sealing sealing resin 27, a silicon-based sealing resin, it is obtained by adding a phosphor for wavelength-converting light from a blue LED chip 23.

また、本実施形態3では、パッケージ基板32として、可視光に対する光反射率が高く、熱伝導率が高いAlNセラミック基板を用いており、このパッケージ基板32の厚みは、0.3mm〜0.4mmとしている。 In Embodiment 3, a package substrate 32, high light reflectance to visible light, thermal conductivity and having a high AlN ceramic substrate, the thickness of the package substrate 32, 0.3Mm~0.4Mm It is set to.

また、このパッケージ基板32の表面には、LEDチップ(発光素子)23を配置すべき素子配置領域32aと、正電極パッドおよび負電極パッドを配置すべき電極配置領域(以下、電極パッド形成部ともいう。)34aおよび35aとを有し、素子配置領域32aと電極配置領域34aおよび35aとの間には段差が設けられており、電極配置領域34aおよび35aの表面は素子配置領域32aの表面より低い位置に位置している。 The surface of the package substrate 32, LED chips (light emitting element) 23 and the device placement area 32a should be placed, the electrode arrangement area should be arranged a positive electrode pad and the negative electrode pad (hereinafter, both the electrode pad forming portion say.) and a 34a and 35a, the step is provided between the element arrangement region 32a and the electrode arrangement region 34a and 35a, the surface of the electrode arrangement region 34a and 35a than the surface of the element arrangement region 32a It is located in a low position. また、電極配置領域34aおよび35aは、パッケージ基板32の対向する角隅部に形成されたほぼ直角二等辺三角形形状をしている。 The electrode arrangement region 34a and 35a has a substantially right-angled isosceles triangle shape formed in the corner portion opposite the package substrate 32. これらの電極配置領域34aおよび35aの表面上にはそれぞれ、正電極パッド14および負電極パッド15が配置されている。 Each of the surface of these electrodes arrangement region 34a and 35a, the positive electrode pads 14 and the negative electrode pads 15 are arranged. ここで、電極パッド14および15の形状は略三角形形状(例えば、直角二等辺三角形形状)をしている。 Here, the shape of the electrode pads 14 and 15 has a substantially triangular shape (e.g., right-angled isosceles triangle shape). また、素子配置領域32aには青色LEDチップ23が、電極パッド形成部34aおよび35aに位置する電極パッドの長辺とLEDチップ23の長辺とがほぼ平行になるよう搭載されている。 Further, the element arrangement region 32a blue LED chip 23, the long sides of the long sides of the electrode pads located on the electrode pad forming portions 34a and 35a and the LED chip 23 is mounted so as to be substantially parallel. また、青色LEDチップ23の上部電極(チップ電極)23aおよび23bは、これに隣接する電極パッド14および15とワイヤー16により接続されている。 The upper electrode (tip electrode) 23a and 23b of the blue LED chip 23 is connected by the electrode pads 14 and 15 and the wire 16 adjacent thereto. また、パッケージ基板32の裏面側には外部接続電極14bが形成され、電極パッド14は、パッケージ基板32を厚み方向に貫通するように設けられた導電層14aを介して外部接続電極14bに接続されている。 Further, on the back side of the package substrate 32 are formed external connection electrodes 14b, the electrode pad 14 is connected to the external connection electrode 14b via the conductive layer 14a provided so as to penetrate through the package substrate 32 in the thickness direction ing. また、パッケージ基板32の裏面側には外部接続電極15bが形成され、電極パッド15は、パッケージ基板32を厚み方向に貫通するように設けられた導電層15aを介して外部接続電極15bに接続されている。 Further, on the back side of the package substrate 32 are formed external connection electrodes 15b, the electrode pad 15 is connected to the external connection electrode 15b via the conductive layer 15a provided so as to penetrate through the package substrate 32 in the thickness direction ing.

また、このLEDチップ32は、封止樹脂27によりその周囲を覆うように、パッケージ基板32の表面全体が樹脂封止されている。 Further, the LED chip 32 so as to cover the periphery thereof with a sealing resin 27, the entire surface of the package substrate 32 are sealed with resin. この封止樹脂27には、青色LEDチップ23からの光を波長変換して蛍光を放出する蛍光体が添加されている。 The sealing resin 27, a phosphor that emits fluorescence by wavelength conversion of light from the blue LED chip 23 is added. 本実施形態3では、蛍光体として、BOSE(ユ−ロピウム付活珪酸塩蛍光体、(Ba・Sr) SiO :Eu)のような発光効率が高い黄色蛍光体を用いている。 In Embodiment 3, as a phosphor, BOSE (Yoo - europium activated silicate phosphor, (Ba · Sr) 2 SiO 4: Eu) is used high emission efficiency yellow phosphor, such as. この黄色蛍光体は、青色LEDチップ23から放出される青色光を吸収して、波長550nm以上600nm以下の波長領域に発光ピークを有する黄色蛍光を放出する。 The yellow phosphor absorbs the blue light emitted from the blue LED chip 23 and emits yellow fluorescence having an emission peak in 600nm or less in a wavelength region longer than the wavelength 550 nm.

封止樹脂27の表面は、実施形態2と同様、パッケージ基板32の表面に平行で、ほぼ平坦な表面となっている。 Surface of the sealing resin 27, as in Embodiment 2, parallel to the surface of the package substrate 32, has a substantially planar surface.

ここで、平面略長方形形状のLEDチップ23は、その各辺が、平面略長方形形状のパッケージ基板32の各辺に対して平行とならないように、パッケージ基板32の表面に搭載されている。 Here, LED chips 23 of the flat, substantially rectangular shape, each of its sides, so as not to be parallel to respective sides of the flat, substantially rectangular shape of the package substrate 32, is mounted on the surface of the package substrate 32.

このようなパッケージ基板32上でのLEDチップ23の配置は、小表面積基板上に長尺LEDチップを搭載するのに好適な搭載方法であり、ここでは、この平面略長方形形状のLEDチップ23は、横幅を0.24mmとし、縦幅を0.5mmとするものである。 Arrangement of LED chips 23 on such a package substrate 32, a suitable mounting method for mounting the elongate LED chip into small surface area on the substrate, wherein the LED chip 23 of the flat, substantially rectangular shape , the width and 0.24 mm, the longitudinal width it is an 0.5 mm.

さらに、発光装置30の側面は、パッケージ基板12の表面に垂直になるよう、封止樹脂27および更にその下のパッケージ基板12を一括して切断して得られる平面状になっており、発光装置30は、厚みが薄く、面内方向の面積が大きな直方体形状となっている。 Further, the side surface of the light emitting device 30, so as to be perpendicular to the surface of the package substrate 12, and in a flat face shape obtained by cutting a lump sealing resin 27 and further the package substrate 12 thereunder, the light emitting device 30, small thickness, the area of ​​the plane direction is a big rectangular parallelepiped. 具体的には、発光装置30では、その一例として、例えば、厚みが0.7mm、横幅が1.0mm、縦幅が1.2mmとなっている。 Specifically, the light emitting device 30, as an example, for example, a thickness of 0.7 mm, the width is 1.0 mm, the vertical width is a 1.2 mm.

このような構成の本実施形態3では、実施形態2と同様に、パッケージ基板32上に青色LEDチップ23を、その側辺がパッケージ基板32の側辺と所定の角度をなすよう、このLEDチップ23の長手方向をパッケージ基板の長手方向に対して傾けて配置し、電極パッド14および15を、LEDチップ23の長手方向をパッケージ基板32の長手方向に対して傾けたことにより形成されるスペース(角隅部)34aおよび35aに配置しているので、電極パッド14および15とLEDチップ23との間に一定の距離を確保しつつ、パッケージ基板32の長手方向の寸法を縮小することができる。 In the third embodiment having such a configuration, similarly to Embodiment 2, the blue LED chip 23 on the package substrate 32, the side edges so as to form the sides and the predetermined angle of the package substrate 32, the LED chip the longitudinal 23 and arranged to be inclined relative to the longitudinal direction of the package substrate, the electrode pads 14 and 15, the space formed by tilting the longitudinal direction of the LED chip 23 to the longitudinal direction of the package substrate 32 ( since disposed corners) 34a and 35a, while ensuring a constant distance between the electrode pads 14 and 15 and the LED chip 23, it is possible to reduce the longitudinal size of the package substrate 32. このため、ワイヤボンディング時には、LEDチップ23上の1stボンディング位置と電極パッド14および15上の2ndボンディング位置との距離を確保してワイヤーループ高さを抑えることができ、パッケージ基板12の長手方向の寸法縮小に伴うワイヤーループ高さの増大を抑えて薄層化を図ることができる。 Therefore, at the time of wire bonding, to secure the distance between the 2nd bonding position on 1st bonding location and the electrode pads 14 and 15 on the LED chip 23 can be suppressed wire loop height, the package substrate 12 longitudinal it is possible to suppress by thinning the increase in wire loop height associated with reduction in size.

また、電極パッドの長辺とLEDチップ23の長辺とがほぼ平行になるように青色LEDチップ23が搭載されているため、LEDチップ23の側面で発光する光の光路長(LEDチップ端面から封止樹脂端面までの距離)をLEDチップ23の周囲で、つまりその側面側および上面側でほぼ等しくすることができる。 Moreover, since the blue LED chip 23 is mounted so that the long sides of the long sides and the LED chip 23 of the electrode pad is substantially parallel, the optical path length of light emitted from the side surface of the LED chip 23 (the LED chip end face the distance) to the sealing resin end surface around the LED chip 23, i.e. can be made substantially equal at the side surface side and the upper side.

また、パッケージ基板32の中央の素子配置領域にLEDチップ23を配置し、該素子配置領域より低い、その両側の部分(電極配置領域)34aおよび35aに、電極パッド14および15を、その表面の高さが、素子配置領域の表面の高さと同じになるよう配置することにより、LEDチップ23から放射された光が電極パッド上を通過するときに、この電極パッドで反射されることになり、光取り出し効率が向上する。 Further, the LED chips 23 arranged in the center of the element arrangement region of the package substrate 32, lower than the element arrangement region, on both sides of the portion (electrode arrangement area) 34a and 35a, the electrode pads 14 and 15, of the surface height, by arranging such that the same as the height of the surface of the element placement region, when the light emitted from the LED chip 23 passes over the electrode pad, would be reflected at the electrode pads, light extraction efficiency is improved. また、この実施形態3の発光装置30では、LEDチップ23の長辺端面と垂直な方向には電極パッドがないことになり、このため、LEDチップ23から発光する光が蛍光体に照射される量が増えることになり、また、発光素子からの光をさらに有効に外に取り出せることになる。 Further, in the light-emitting device 30 of this embodiment 3, in the direction perpendicular to the long side end surface of the LED chip 23 will be no electrode pads, Therefore, light emitted from the LED chip 23 is irradiated to the phosphor will be the amount is increased, also more effectively will be taken out to the outside of the light from the light emitting element.
(実施形態4) (Embodiment 4)
図6は、本発明の実施形態4に係る発光装置を説明する図であり、図6(a)はその要部構成を示す上面図であり、図6(b)は、図6(a)のD−D線断面の構造を示している。 Figure 6 is a view showing a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 6 (a) is a top view showing the main configuration, FIG. 6 (b), FIGS. 6 (a) It shows a D-D line cross-sectional structure of.

本実施形態4の発光装置40は、実施形態2と同様、パッケージ基板12上に、LEDチップ(発光素子)23を実装し、全面を封止樹脂27で樹脂封止してなるものであるが、本実施形態4の発光装置30は、実施形態2の電極パッド14に代わる電極パッド44を備えたものであり、この電極パッド44は銀からなり、長方形形状のパッケージ基板12の角隅部からその中央の素子配置領域上まで延びる構造となっており、LEDチップ23は、電極パッド44の中央に延びている部分(延伸部)44bの上に配置されている。 The light emitting device 40 of the fourth embodiment, as in Embodiment 2, the package substrate 12, and mounting the LED chip (light emitting element) 23, although made of resin encapsulation by a sealing resin 27 entirely , the light emitting device 30 of the present embodiment 4, which has an electrode pad 44 in place of the electrode pads 14 of the second embodiment, the electrode pad 44 is made of silver, the corners of the package substrate 12 of rectangular shape has a structure extending to the center of the element arrangement region, LED chip 23 is disposed on the portion (extending portion) 44b extending in the center of the electrode pads 44. なお、この実施形態4では、発光素子40として、実施形態1の電極パッド14に代えて、電極配置領域から素子配置領域上に延びる構造の電極パッド44を用いたものを示しているが、この実施形態4の発光素子40は、実施形態2の他方の電極パッド15を、電極配置領域から素子配置領域上に延びる構造としたものでもよい。 In this embodiment 4, as the light-emitting element 40, in place of the electrode pads 14 of the first embodiment, although the electrode arrangement area shows that using the electrode pads 44 of the structure extending element arrangement region, the emitting element 40 of the fourth embodiment, the other electrode pads 15 of the embodiment 2, may be obtained by a structure extending from the electrode arrangement area on the element placement region.

ここで、LEDチップ23は、実施形態2と同様、波長400nm以上530nm以下の青色波長領域に主発光ピークを有する青色LEDチップであり、その平面形状はぼぼ長方形形状となっており、また、封止樹脂27は、シリコン系封止樹脂に、青色LEDチップ23からの光を波長変換する蛍光体を添加したものである。 Here, the LED chip 23, as in Embodiment 2, a blue LED chip having a primary emission peak in a blue wavelength region of wavelength 400 nm 530 nm, the planar shape has become a very nearly rectangular shape, sealing sealing resin 27, a silicon-based sealing resin, it is obtained by adding a phosphor for wavelength-converting light from a blue LED chip 23. 電極パッド44の角部44aおよび電極パッド15はパッケージ基板12の角隅部に配置されている。 Corner 44a and the electrode pad 15 of the electrode pads 44 are disposed in the corners of the package substrate 12.

ここで、このパッケージ基板12の厚みは、0.3mm〜0.4mmとしている。 The thickness of the package substrate 12 is directed to 0.3Mm~0.4Mm. また、このパッケージ基板12の表面には、電極パッド15が、平面略長方形形状のパッケージ基板12の1つの角隅部に形成されており、電極パッド15の形状は、実施形態2と同様、略直角二等辺三角形状をしている。 The surface of the package substrate 12, the electrode pads 15 are formed on one corner of the package substrate 12 of flat, substantially rectangular shape, the shape of the electrode pad 15, as in Embodiment 2, substantially It is a right-angled isosceles triangle. また、このパッケージ基板12の表面の、電極パッド15以外の領域には、ほぼ電極パッド44が配置され、この電極パッド44は、平面略直角三角形形状の角部44aと延伸部44bとから構成されている。 Further, the surface of the package substrate 12 in a region other than the electrode pads 15, is disposed substantially electrode pads 44, the electrode pad 44 is composed of a corner portion 44a of the flat, substantially right-angled triangular shape with the extending section 44b ing.

また、このようなパッケージ基板12上には、青色LEDチップ23が、上記電極パッド15の長辺(斜辺)および電極パッド44の角部44aの長辺(斜辺)と、LEDチップ23の長辺とがほぼ平行になるように搭載されている。 Moreover, such a package substrate 12, the blue LED chip 23, the long side of the corner portion 44a of the long side (hypotenuse) and the electrode pads 44 of the electrode pad 15 (the hypotenuse), long sides of the LED chips 23 bets are mounted so as to be substantially parallel. また、隣接する電極パッド44および15と青色のLEDチップ23の上部電極(チップ電極)23aおよび23bとはボンディングワイヤー16により接続されている。 Further, the upper electrode (tip electrode) 23a and 23b of the adjacent electrode pads 44 and 15 and the blue LED chip 23 are connected by bonding wires 16. また、パッケージ基板12の裏面側には外部接続電極14bおよび15bが形成され、電極パッド44および15は、それぞれ、パッケージ基板12を厚み方向に貫通するように設けられた導電層14aおよび15aを介して外部接続電極14bおよび15bと導通するようこれらの電極に接続されている。 Further, on the back side of the package substrate 12 are formed external connection electrodes 14b and 15b, electrode pads 44 and 15, respectively, via a conductive layer 14a and 15a provided so as to penetrate the package substrate 12 in the thickness direction It is connected to these electrodes so as to conduct the external connection electrodes 14b and 15b Te.

また、このLEDチップ23の周囲を覆うように、パッケージ基板12の表面全体が樹脂封止されている。 Also, so as to cover the periphery of the LED chip 23, the entire surface of the package substrate 12 are sealed with resin. この封止樹脂27には、青色LEDチップ23からの光を波長変換して蛍光を放出する蛍光体が添加されている。 The sealing resin 27, a phosphor that emits fluorescence by wavelength conversion of light from the blue LED chip 23 is added. この実施形態4では、実施形態2と同様に、蛍光体として、BOSE(ユ−ロピウム付活珪酸塩蛍光体、(Ba・Sr) SiO :Eu)のような発光効率が高い黄色蛍光体を用いている。 In Embodiment 4, similarly to Embodiment 2, as the phosphor, BOSE (Yoo - europium activated silicate phosphor, (Ba · Sr) 2 SiO 4: Eu) high luminous efficiency yellow phosphor such as It is used. この黄色蛍光体は、青色LEDチップ23から放出される青色光を吸収して、波長550nm以上600nm以下の波長領域に発光ピークを有する黄色蛍光を放出する。 The yellow phosphor absorbs the blue light emitted from the blue LED chip 23 and emits yellow fluorescence having an emission peak in 600nm or less in a wavelength region longer than the wavelength 550 nm.

封止樹脂27の表面は、実施形態2の発光装置20と同様、パッケージ基板12の表面に平行で、ほぼ平坦な表面となっている。 Surface of the sealing resin 27, similarly to the light emitting device 20 of Embodiment 2, parallel to the surface of the package substrate 12, has a substantially planar surface. ここで、平面略長方形形状のLEDチップ23は、その各辺が、平面略長方形形状のパッケージ基板12の各辺に対して平行とならないように、パッケージ基板12の表面に搭載されている。 Here, LED chips 23 of the flat, substantially rectangular shape, each of its sides, so as not to be parallel to respective sides of the package substrate 12 of flat, substantially rectangular shape, are mounted on the surface of the package substrate 12.

このようなパッケージ基板12上でのLEDチップ23の配置は、小表面積基板上に長尺LEDチップを搭載するのに好適な搭載方法であり、ここでは、この平面略長方形形状のLEDチップ23は、横幅を0.24mmとし、縦幅を0.5mmとするものである。 Arrangement of LED chips 23 on such a package substrate 12 is a suitable mounting method for mounting the elongate LED chip into small surface area on the substrate, wherein the LED chip 23 of the flat, substantially rectangular shape , the width and 0.24 mm, the longitudinal width it is an 0.5 mm.

さらに、発光装置40の側面は、パッケージ基板12の表面に垂直になるよう、封止樹脂27および更にその下のパッケージ基板12を一括して切断して得られる平面状になっており、発光装置40は、厚みが薄く、面内方向の面積が大きな直方体形状となっている。 Further, the side surface of the light emitting device 40, so as to be perpendicular to the surface of the package substrate 12, and in a flat face shape obtained by cutting a lump sealing resin 27 and further the package substrate 12 thereunder, the light emitting device 40, small thickness, the area of ​​the plane direction is a big rectangular parallelepiped. 具体的には、発光装置40では、その一例として、例えば、厚みが0.7mm、横幅が1.0mm、縦幅が1.2mmとなっている。 Specifically, the light emitting device 40, as an example, for example, a thickness of 0.7 mm, the width is 1.0 mm, the vertical width is a 1.2 mm.

このような構成の本実施形態4では、実施形態2と同様に、パッケージ基板12上に青色LEDチップ23を、その側辺がパッケージ基板12の側辺と所定の角度をなすよう、このLEDチップ23の長手方向をパッケージ基板の長手方向に対して傾けて配置し、電極パッド44の略三角形形状の角部44aおよび略三角形形状の電極パッド15を、LEDチップ23の長手方向をパッケージ基板12の長手方向に対して傾けたことにより形成されるスペースに配置しているので、電極パッド44の角部および15とLEDチップ23との間に一定の距離を確保しつつ、パッケージ基板12の長手方向の寸法を縮小することができる。 In Embodiment 4 having such a configuration, similarly to Embodiment 2, the blue LED chip 23 to the package substrate 12, the side edges so as to form the sides and the predetermined angle of the package substrate 12, the LED chip the longitudinal 23 and arranged to be inclined relative to the longitudinal direction of the package substrate, a substantially triangular corner 44a and a substantially triangular shape of the electrode pads 15 of the shape of the electrode pad 44, the longitudinal direction of the package substrate 12 of the LED chip 23 since the arrangement in the space formed by inclined relative to the longitudinal direction, while maintaining a constant distance between the corner and the 15 and the LED chip 23 of the electrode pad 44, the longitudinal direction of the package substrate 12 it is possible to reduce the dimensions. このため、ワイヤボンディング時には、LEDチップ23上の1stボンディング位置と電極パッド44および15上の2ndボンディング位置との距離を確保してワイヤーループ高さを抑えることができ、パッケージ基板12の長手方向の寸法縮小に伴うワイヤーループ高さの増大を抑えて薄層化を図ることができる。 Therefore, at the time of wire bonding, to secure the distance between the 2nd bonding position on 1st bonding location and the electrode pads 44 and 15 on the LED chip 23 can be suppressed wire loop height, the package substrate 12 longitudinal it is possible to suppress by thinning the increase in wire loop height associated with reduction in size.

また、電極パッド44の角部44aおよび電極パッド15の長辺とLEDチップ23の長辺がほぼ並行になるように青色のLEDチップ23が搭載されているので、LEDチップ23から発光する光の光路長(LEDチップ端面から封止樹脂端面までの距離)をほぼ等しくすることができる。 Moreover, since the blue LED chip 23, as long sides is substantially parallel to the long sides and the LED chip 23 of the corner portion 44a and the electrode pad 15 of the electrode pad 44 is mounted, the light emitted from the LED chip 23 optical path length (the distance from the LED chip end face to the sealing resin end face) can be made substantially equal.

また、この実施形態4では、LEDチップ23の直下に銀からなる電極パッド44の延伸部44bが形成されているため、LEDチップ23から基板側に放射された光は銀からなる電極パッド44の延伸部44bで反射されることとなり、上方への光取り出し効率が改善されている。 Further, in the embodiment 4, since the extending portion 44b of the electrode pad 44 made of silver immediately below the LED chip 23 is formed, light emitted to the substrate side from the LED chip 23 of the electrode pad 44 made of silver will be reflected by the extending portion 44b, the light extraction efficiency is improved upward. つまり、電極パッド44の延伸部44bが反射層として機能するため、発光装置30の輝度の向上が可能となる。 That is, since the extending portion 44b of the electrode pad 44 functions as a reflective layer, thereby improving the brightness of the light emitting device 30.

なお、上記実施形態4では、パッケージ基板12を厚み方向に貫通する導電層14aは、電極配置領域から素子配置領域上に延びる構造の電極パッド44の角部44a下側に配置しているが、この導電層14aは、素子配置領域の直下あるいはその近傍領域の直下に配置してもよい。 In the fourth embodiment, the conductive layer 14a through the package substrate 12 in the thickness direction, but arranged in a corner portion 44a lower structure of the electrode pad 44 extending from the electrode arrangement area on the element placement region, the conductive layer 14a may be disposed immediately below the right under or near region of the device placement area.

以下、このような構成の発光素子を実施形態4の変形例として簡単に説明する。 Hereinafter, brief description of the light emitting element having such a configuration as a modification of the fourth embodiment.

図7は、本発明の実施形態4の変形例に係る発光装置40aを説明する図であり、図7(a)はその要部構成を示す上面図であり、図7(b)は、図7(a)のE−E線断面の構造を示している。 7 is a view showing a light emitting device 40a according to a modification of the fourth embodiment of the present invention, FIG. 7 (a) is a top view showing the main configuration, FIG. 7 (b), FIG. shows the structure of a sectional view taken along line E-E of 7 (a).

この実施形態4の変形例に係る発光素子40aは、実施形態4の発光素子40における外部接続電極14bに代えて、基板12の裏面側に、電極パッド44の角部44aに対向する領域から、素子配置領域上に位置するその延伸部44bに対向する領域まで延びる外部接続電極14b1を備え、さらに、実施形態4の発光素子40における導電層14aに代えて、該素子配置領域の直下に該基板を貫通するよう形成した導電層14a1を備えたものであり、電極パッド44の延伸部44bは導電層14a1を介して外部接続電極14b1に接続されている。 Emitting element 40a according to a modification of the fourth embodiment, in place of the external connection electrodes 14b in the light-emitting element 40 of the fourth embodiment, the back surface side of the substrate 12, a region facing the corner portion 44a of the electrode pads 44, an external connection electrode 14b1 extending to a region facing the extending portion 44b located on the element placement region, further, in place of the conductive layer 14a in the light-emitting element 40 of the embodiment 4, the substrate directly below of the element placement area the are those having a conductive layer 14a1 formed so as to penetrate, extending portion 44b of the electrode pad 44 is connected to the external connection electrode 14b1 via the conductive layer 14a1. ここで、このような導電層14a1は1つとは限らず複数設けてもよい。 Here, such a conductive layer 14a1 may be plurality not limited to one. なお、この実施形態4の変形例の発光素子におけるその他の構成は、実施形態4の発光素子と同一である。 Other structures in the light-emitting device of the modification of the fourth embodiment is identical to the light emitting element of Embodiment 4.
このような構成の実施形態4の変形例による発光素子40aでは、上記実施形態4の構成に加えて、基板12を、その裏面側に、素子配置領域およびその近傍領域に対向するよう形成された外部接続電極14b1と、該基板を厚み方向に貫通するように設けられ、該素子配置領域の下側に位置する導電層14a1とを有するものとし、電極パッド44の延伸部44bを、導電層14a1を介して外部接続電極14b1に接続しているので、実施形態4の効果に加えて、素子配置領域上に配置された発光素子で生じた熱が、該素子配置領域の下側に位置する導電層14a1を介して、基板裏面側の外部接続電極14b1に伝わることとなり、発光素子から基板外部への放熱効果をより高めることができるという効果が得られる。 In this construction embodiment the light emitting element 40a according to a modification of the 4, in addition to the configuration of the above embodiment 4, the substrate 12, its rear surface side, is formed so as to face the element arrangement region and its neighboring region the external connection electrodes 14b1, provided through the substrate in the thickness direction, and having a conductive layer 14a1 located on the lower side of the element placement area, the extending portion 44b of the electrode pads 44, conductive layer 14a1 since connected to the external connection electrodes 14b1 through, in addition to the effects of embodiment 4, the heat generated in the light-emitting element disposed on the element placement region, a conductive located below the the element layout region through the layers 14a1, becomes being transmitted to the external connection electrode 14b1 of the substrate backside, the effect is obtained that from the light-emitting element can be further enhanced heat radiation effect on the substrate outside.

以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。 As described above, although the present invention has been illustrated using the preferred embodiment of the present invention, the present invention should not be construed as being limited to this embodiment. 本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。 The present invention is understood that should the scope only by the scope of the claims. 当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。 Those skilled in the art from the description of the detailed preferred embodiments of the present invention, it is understood that it is possible to implement equivalent scope based on the description and common technical knowledge of the present invention. 本明細書において引用した特許文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。 Patent documents cited in the present specification, the content itself is understood that similarly the contents to that described in specifically herein should be incorporated by reference in the present specification.

本発明は、LEDなどの発光素子をパッケージ基板上に搭載し、これを樹脂封止してなる発光装置の分野において、小表面積のパッケージ基板上に長尺LEDチップが搭載可能となり、さらに光度の高い、サイズの小さい発光装置を提供することができるものであり、本発明の発光装置は、照明用装置や液晶テレビ用バックライトなどの光源として使用できるものである。 The present invention is equipped with the light emitting element such as an LED on a package substrate, which in the field of light emitting devices comprising resin encapsulation, elongated LED chips becomes possible mounted on the package substrate of the small surface area, further luminosity high, which can provide a small light-emitting device in size, the light emitting device of the present invention are those that can be used as a light source, such as illumination devices and liquid crystal TV backlight.

図1は、本発明の実施形態1に係る発光装置10を説明する図であり、図1(a)はその要部構成を示す上面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−A線断面の構造を示している。 Figure 1 is a view showing a light emitting device 10 according to the first embodiment of the present invention, FIG. 1 (a) is a top view showing the main structure, FIG. 1 (b), FIG. 1 (a It shows the structure of a-a line cross-section of). 図2は、本実施形態1の発光装置10の製造方法を工程順(図2(a)〜図2(f))に示す図である。 Figure 2 is a diagram showing a method of manufacturing the light emitting device 10 of the present embodiment 1 order of steps (FIG. 2 (a) ~ FIG 2 (f)). 図3は、本発明の実施形態2に係る発光装置20を説明する図であり、図3(a)はその要部構成を示す上面図であり、図3(b)は、図3(a)のB−B線断面の構造を示している。 Figure 3 is a view showing a light emitting device 20 according to the second embodiment of the present invention, FIG. 3 (a) is a top view showing the main configuration, FIG. 3 (b), FIG. 3 (a ) shows a structure of line B-B cross section of. 図4は、本実施形態2の発光装置20の製造方法を工程順(図4(a)〜図4(f))に示す図である。 Figure 4 is a diagram showing a method of manufacturing the light emitting device 20 of this embodiment 2 the order of steps (FIG. 4 (a) ~ FIG 4 (f)). 図5は、本発明の実施形態3に係る発光装置30を説明する図であり、図5(a)はその要部構成を示す上面図であり、図5(b)は、図5(a)のC−C線断面の構造を示している。 Figure 5 is a view showing a light emitting device 30 according to the third embodiment of the present invention, a top view of the FIG. 5 (a) its main configuration, FIG. 5 (b), FIG. 5 (a ) shows a line C-C cross-sectional structure of the. 図6は、本発明の実施形態4に係る発光装置40を説明する図であり、図6(a)はその要部構成を示す上面図であり、図6(b)は、図6(a)のD−D線断面の構造を示している。 Figure 6 is a view showing a light emitting device 40 according to the fourth embodiment of the present invention, FIG. 6 (a) is a top view showing the main configuration, FIG. 6 (b), FIG. 6 (a It shows the structure of a D-D line cross-section of). 図7は、本発明の実施形態4の変形例に係る発光装置40aを説明する図であり、図7(a)はその要部構成を示す上面図であり、図7(b)は、図7(a)のE−E線断面の構造を示している。 7 is a view showing a light emitting device 40a according to a modification of the fourth embodiment of the present invention, FIG. 7 (a) is a top view showing the main configuration, FIG. 7 (b), FIG. shows the structure of a sectional view taken along line E-E of 7 (a). 図8は、特許文献1に開示のSMD型LEDの構造を説明する図であり、図8(a)は、このSMD型LEDの縦断面の構造を示す断面図、図8(b)は、このSMD型LEDの上面を示す平面図である。 Figure 8 is a view for explaining the structure of a SMD-type LED disclosed in Patent Document 1, FIG. 8 (a), cross-sectional view showing the structure of a longitudinal section of the SMD type LED, FIG. 8 (b), is a top view of the top surface of the SMD type LED.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10、20、30、40、40a 発光装置 12、32 パッケージ基板 13、23 LEDチップ 13a、13b、23a、23b チップ電極 14、14a1、15、44 電極パッド 44a 電極パッド角部、 10,20,30,40,40a emitting device 12, 32 a package substrate 13, 23 LED chips 13a, 13b, 23a, 23b tip electrode 14,14a1,15,44 electrode pad 44a electrode pad corners,
44b 電極パッド延伸部 14a、15a 導電層 14b、14b1、15b 外部接続電極 14c、15c、34a、35a 電極配置領域(電極パッド形成部) 44b electrode pad extending portions 14a, 15a conductive layer 14b, 14b1,15b external connection electrodes 14c, 15c, 34a, 35a electrode arrangement area (the electrode pad forming portion)
17、27 封止樹脂部 17a、27a 封止用樹脂材料 32 素子配置領域 17 and 27 the sealing resin portion 17a, 27a sealing resin material 32 element disposed region

Claims (22)

  1. 電極パッドを有する基板に長尺形状の発光素子を載置し、該発光素子および該電極を封止樹脂により封止してなる発光装置であって、 A substrate having an electrode pad is mounted a light emitting element of the elongated shape, the light-emitting element and the electrode a light-emitting device obtained by encapsulating with a sealing resin,
    該発光素子は、その側辺が該基板の側辺と所定の角度をなすよう、該発光素子の長手方向を該基板の長手方向に対して傾けて配置されており、 Light emitting element, so that its sides forms the sides at a predetermined angle of the substrate is arranged to be inclined in the longitudinal direction of the light emitting element with respect to the longitudinal direction of the substrate,
    該電極パッドは、該基板表面の、該発光素子の長手方向を基板の長手方向に対して傾けたことにより形成されるスペースに配置されている発光装置。 The electrode pads of the substrate surface, a longitudinal direction of the light-emitting device disposed in the space formed by inclined relative to the longitudinal direction of the substrate of the light emitting element.
  2. 前記基板の表面上には、前記電極パッドとして、正電極パッドおよび負電極パッドが互いに対向するよう配置されている請求項1に記載の発光装置。 Wherein the surface of the substrate, as the electrode pads, the light emitting device of claim 1, the positive electrode pad and the negative electrode pads are arranged to face each other.
  3. 前記基板は、平面略長方形形状を有するパッケージ基板であり、 The substrate is a package substrate having a flat, substantially rectangular shape,
    前記発光素子は、平面略長方形形状を有するLEDチップであり、 The light emitting element is an LED chip having a flat, substantially rectangular shape,
    該LEDチップは、該パッケージ基板の長辺に沿う方向と、該LEDチップの長辺に沿う方向とのなす角度が90°より小さくなるよう、該LEDチップの長手方向を該パッケージ基板の長手方向に対して傾けて配置されている請求項2に記載の発光装置。 The LED chip includes a direction along the long side of the package substrate, so that the angle between the direction along the long side of the LED chip is smaller than 90 °, the longitudinal direction of the package substrate in the longitudinal direction of the LED chip the light emitting device according to claim 2 which is arranged to be inclined with respect to.
  4. 前記LEDチップは、前記パッケージ基板の中央に配置されており、 The LED chip is disposed in the center of the package substrate,
    前記正電極パッドは、前記パッケージ基板の1つの角隅部に配置され、 The positive electrode pads is disposed on one corner portion of the package substrate,
    前記負電極パッドは、該パッケージ基板の、該1つの角隅部に対向する角隅部に配置されている請求項3に記載の発光装置。 The negative electrode pad of the package substrate, the light emitting device according to claim 3 which is disposed in corners opposed to the one corner portion.
  5. 前記基板の表面の対向する角隅部に配置されている正電極パッドおよび負電極パッドは、平面略三角形状を有している請求項2に記載の発光装置。 Positive electrode pad and negative electrode pads are arranged on the corner portion opposite the surface of the substrate, the light emitting device according to claim 2 having a planar substantially triangular.
  6. 前記基板は、前記発光素子を配置すべき素子配置領域と、前記正電極パッドおよび負電極パッドを配置すべき電極配置領域とを有し、該電極配置領域の表面は該素子配置領域の表面より低い位置に位置しており、 The substrate, the element placement region for placing the light emitting element, wherein and a positive electrode pad and the negative electrode pad electrode placement area to be placed, the surface of the electrode arrangement area than the surface of the element placement area It is located in a low position,
    前記正電極パッドおよび負電極パッドは、該電極配置領域の表面上に配置されている請求項2に記載の発光装置。 The positive electrode pad and the negative electrode pads, the light emitting device according to claim 2, which is disposed on the surface of the electrode arrangement area.
  7. 前記素子配置領域の表面の高さは、前記電極パッド配置領域上に位置する正電極パッドおよび負電極パッドの表面と同じ高さである請求項6に記載の発光装置。 Height of the surface of the element placement area, the light-emitting device according to claim 6 is the same height as the positive electrode pad and the negative electrode pads of the surface located on the electrode pad arrangement region.
  8. 前記基板は、平面略長方形形状を有するパッケージ基板であり、 The substrate is a package substrate having a flat, substantially rectangular shape,
    前記電極配置領域は、前記パッケージ基板の対向する角隅部に形成されている請求項7に記載の発光装置。 The electrode arrangement region, the light emitting device according to claim 7 formed on the corner portion opposite of the package substrate.
  9. 前記基板は、前記発光素子を配置すべき素子配置領域と、前記正電極パッドおよび負電極パッドを配置すべき電極配置領域とを有し、該電極配置領域は該素子配置領域の両側に位置しており、 The substrate, said has a device placement area should be arranged a light-emitting element, and the positive electrode pad and the negative electrode pad electrode arrangement region should be placed, the electrode arrangement area is located on each side of the element placement area and,
    前記正電極パッドおよび負電極パッドのいずれか一つは、その電極配置領域から該素子配置領域上に延びるよう配置されており、 Wherein one of the positive electrode pad and the negative electrode pads are arranged so as to extend in the element disposed on a region from the electrode arrangement area,
    前記発光素子は、前記正電極パッドあるいは負電極パッドの、該素子配置領域上に延びている部分の上に配置されている請求項2に記載の発光装置。 The light emitting device, the positive electrode pads or the negative electrode pads, the light emitting device according to claim 2 which is disposed on a portion extending to the element disposed region.
  10. 前記基板は、その裏面側に、前記素子配置領域あるいはその近傍領域に対向するよう形成された外部接続電極と、該基板を厚み方向に貫通するように設けられ、該素子配置領域あるいはその近傍領域の下側に位置する導電層とを有し、 The substrate has on its back side, and the external connection electrodes formed so as to face the element mounting region or neighboring region thereof, provided so as to penetrate the substrate in the thickness direction, the element arrangement region or neighboring region thereof and a conductive layer positioned on the lower side of,
    前記正電極パッドおよび負電極パッドのいずれか一つである、前記電極配置領域から該素子配置領域上に延びる電極パッドは、該導電層を介して該外部接続電極に接続されている請求項9に記載の発光装置。 Wherein a one of the positive electrode pad and the negative electrode pad, the electrode pads extending from the electrode arrangement area on the element placement region is claim is connected to the external connection electrode via the conductive layer 9 the light emitting device according to.
  11. 前記基板は、その裏面側に形成された外部接続電極と、該基板を厚み方向に貫通するように設けられた導電層とを有し、前記電極パッドは、該導電層を介して該外部接続電極に接続されている請求項1に記載の発光装置。 The substrate has an external connection electrode formed on the back surface side, and a conductive layer provided so as to penetrate the substrate in the thickness direction, the electrode pads, external connection via the conductive layer the light emitting device according to claim 1 which is connected to the electrode.
  12. 前記基板は、平面略長方形形状を有するパッケージ基板であり、 The substrate is a package substrate having a flat, substantially rectangular shape,
    前記電極パッドは、該パッケージ基板の角隅部に配置されている請求項11に記載の発光装置。 The electrode pad, the light emitting device of claim 11 disposed in the corners of the package substrate.
  13. 前記外部接続電極は、前記パッケージ基板の裏面上に該パッケージ基板の短辺に沿って形成されている請求項12に記載の発光装置。 The external connection electrodes, the light emitting device according to claim 12 which is formed along the short side of the package substrate on the back surface of the package substrate.
  14. 前記長尺形状の発光素子の平面形状は、所定方向の寸法が該所定方向と直交する方向における寸法と等しくない、長手方向を有する平面形状である請求項1に記載の発光装置。 The planar shape of the light-emitting element of the long shape is predetermined dimension is not equal to the dimension in the direction perpendicular to the said predetermined direction, the light emitting device according to claim 1 is a plane shape having a longitudinal direction.
  15. 前記LEDチップを構成するチップ基板は、絶縁性基板である請求項3に記載の発光装置。 Chip substrate constituting the LED chip, the light emitting device according to claim 3 which is an insulating substrate.
  16. 前記LEDチップは、紫外色から赤外色までの範囲の色の光を発するLEDチップである請求項3に記載の発光装置。 The LED chip, the light emitting device according to claim 3, wherein the LED chips that emit a range of colors of light from ultraviolet color to infrared color.
  17. 前記LEDチップは青色LEDチップである請求項3に記載の発光装置。 The LED chip light emitting device according to claim 3 is a blue LED chip.
  18. 前記封止樹脂は、蛍光体を添加したものである請求項1に記載の発光装置。 The sealing resin, the light emitting device according to claim 1 is obtained by adding a fluorescent substance.
  19. 前記封止樹脂は、透明封止樹脂である請求項1に記載の発光装置。 The sealing resin, the light emitting device according to claim 1, wherein the transparent sealing resin.
  20. 前記パッケージ基板は、絶縁性基板である請求項1に記載の発光装置。 The package substrate, the light emitting device according to claim 1 which is an insulating substrate.
  21. 前記パッケージ基板は、セラミック基板または樹脂基板である請求項20に記載の発光装置。 The package substrate, the light emitting device according to claim 20 which is a ceramic substrate or a resin substrate.
  22. 前記パッケージ基板は、ガラスエポキシ基板である請求項21に記載の発光装置。 The package substrate, the light emitting device according to claim 21 which is a glass epoxy substrate.
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