JP2013115116A - Led module - Google Patents

Led module Download PDF

Info

Publication number
JP2013115116A
JP2013115116A JP2011257669A JP2011257669A JP2013115116A JP 2013115116 A JP2013115116 A JP 2013115116A JP 2011257669 A JP2011257669 A JP 2011257669A JP 2011257669 A JP2011257669 A JP 2011257669A JP 2013115116 A JP2013115116 A JP 2013115116A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
led
led module
resin
module according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011257669A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroteru Tanuma
裕輝 田沼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2011257669A priority Critical patent/JP2013115116A/en
Publication of JP2013115116A publication Critical patent/JP2013115116A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LED module that can have higher luminance.SOLUTION: An LED module 101 includes an LED chip 210, and a chip support 221 having a mount surface 221a where the LED chip 210 is mounted. The chip support 221 has a projection part 222 which projects away from the mount surface 221a and surrounds the LED chip 210.

Description

本発明は、LEDチップを備えたLEDモジュールに関する。   The present invention relates to an LED module including an LED chip.

図17は、従来のLEDモジュールの一例を示している(たとえば、特許文献1参照)。同図に示されたLEDモジュール900は、基板901にLEDチップ902が搭載されている。LEDチップ902は、Siからなるサブマウント基板903に搭載され、このサブマウント基板903が基板901に実装されている。LEDチップ902は、サブマウント基板903を介して基板901に導通している。LEDチップ902は、枠状のリフレクタ904によって囲まれている。リフレクタ904によって囲まれた空間には、封止樹脂905が充填されている。   FIG. 17 shows an example of a conventional LED module (see, for example, Patent Document 1). In the LED module 900 shown in the figure, an LED chip 902 is mounted on a substrate 901. The LED chip 902 is mounted on a submount substrate 903 made of Si, and the submount substrate 903 is mounted on the substrate 901. The LED chip 902 is electrically connected to the substrate 901 through the submount substrate 903. The LED chip 902 is surrounded by a frame-shaped reflector 904. A space surrounded by the reflector 904 is filled with a sealing resin 905.

しかしながら、サブマウント基板903の材質であるSiは、LEDチップ902から発せられるたとえば青色光を吸収しやすい。このため、LEDチップ902から発せられた光のうち、サブマウント基板903へと進行した光は、サブマウント基板903に吸収されてしまう。したがって、LEDモジュール900の高輝度化が妨げられていた。   However, Si, which is the material of the submount substrate 903, can easily absorb, for example, blue light emitted from the LED chip 902. For this reason, of the light emitted from the LED chip 902, the light traveling to the submount substrate 903 is absorbed by the submount substrate 903. Therefore, high brightness of the LED module 900 has been hindered.

特開2004−119743号公報JP 2004-119743 A

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高輝度化を図ることが可能なLEDモジュールを提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the above-described circumstances, and an object thereof is to provide an LED module capable of achieving high brightness.

本発明の第1の側面によって提供されるLEDモジュールは、LEDチップと、上記LEDチップが搭載された搭載面を有するチップ支持体と、を備え、上記チップ支持体は、上記搭載面から遠ざかるように突出し、かつ上記LEDチップを囲む突出部を有する。   The LED module provided by the first aspect of the present invention includes an LED chip and a chip support having a mounting surface on which the LED chip is mounted, and the chip support is moved away from the mounting surface. And a protruding portion surrounding the LED chip.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記突出部における上記LEDチップ側の内側面は、上記搭載面の法線方向において上記搭載面から遠ざかるほど、上記法線方向に対して直角である方向において上記LEDチップから遠ざかるように傾斜する。   In a preferred embodiment of the present invention, the inner surface of the protruding portion on the LED chip side in the direction perpendicular to the normal direction is further away from the mounting surface in the normal direction of the mounting surface. It inclines so that it may distance from the said LED chip.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記突出部における上記LEDチップ側の内側面は、Siよりも反射率が高い材質によって形成される。   In preferable embodiment of this invention, the inner surface by the side of the said LED chip in the said protrusion part is formed with a material with a higher reflectance than Si.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体は、金属材料からなる。   In a preferred embodiment of the present invention, the chip support is made of a metal material.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体は、アルミニウムを含む。   In a preferred embodiment of the present invention, the chip support includes aluminum.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体は、金属板にプレス加工を施すことにより形成される。   In a preferred embodiment of the present invention, the chip support is formed by pressing a metal plate.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記突出部における上記LEDチップとは反対側の外側面の少なくとも一部を覆い、上記LEDチップからの光を透過しない不透明樹脂をさらに備える。   In a preferred embodiment of the present invention, the projection further includes an opaque resin that covers at least a part of the outer surface opposite to the LED chip and does not transmit light from the LED chip.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、上記突出部の上記外側面のすべてを覆っている。   In a preferred embodiment of the present invention, the opaque resin covers all of the outer surface of the protrusion.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、白色である。   In a preferred embodiment of the present invention, the opaque resin is white.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体が実装される基板をさらに備える。   In preferable embodiment of this invention, the board | substrate with which the said chip support body is mounted is further provided.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板に取り付けられており、かつ上記チップ支持体を囲む反射面を有するリフレクタと、上記チップ支持体を覆い、かつ上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備える。   In a preferred embodiment of the present invention, a reflector attached to the substrate and having a reflective surface surrounding the chip support, and a seal that covers the chip support and transmits light from the LED chip. And a stop resin.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体と上記封止樹脂との間に介在し、上記LEDチップを覆う透光樹脂をさらに備える。   In a preferred embodiment of the present invention, a light-transmitting resin is further provided that is interposed between the chip support and the sealing resin and covers the LED chip.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記封止樹脂と上記透光樹脂の少なくともいずれか一方は、上記LEDチップからの光によって励起されて上記LEDチップからの光とは異なる色の光を発する蛍光体材料を含んでいる。   In a preferred embodiment of the present invention, at least one of the sealing resin and the translucent resin is excited by light from the LED chip and emits light having a color different from that of the light from the LED chip. Contains phosphor material.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記透光樹脂は、上記蛍光体材料を含み、上記封止樹脂は、上記蛍光体材料を含まない透明な樹脂からなる。   In a preferred embodiment of the present invention, the translucent resin includes the phosphor material, and the sealing resin is made of a transparent resin that does not include the phosphor material.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記封止樹脂および上記透光樹脂は、互いの屈折率が異なる樹脂材料によって形成される。   In a preferred embodiment of the present invention, the sealing resin and the translucent resin are formed of resin materials having different refractive indexes.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記透光樹脂の屈折率は、上記LEDチップを構成する材料の屈折率よりも小であり、上記封止樹脂の屈折率は、上記透光樹脂の屈折率よりも小である。   In preferable embodiment of this invention, the refractive index of the said translucent resin is smaller than the refractive index of the material which comprises the said LED chip, and the refractive index of the said sealing resin is the refraction of the said translucent resin. Less than rate.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、上記基板と上記封止樹脂との間に介在し、上記チップ支持体から上記反射面にいたる領域のすべてを覆っている。   In a preferred embodiment of the present invention, the opaque resin is interposed between the substrate and the sealing resin and covers the entire region from the chip support to the reflective surface.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂における上記封止樹脂との境界面は、上記チップ支持体の上記搭載面よりも上記基板から離間する位置にある。   In a preferred embodiment of the present invention, a boundary surface between the opaque resin and the sealing resin is located farther from the substrate than the mounting surface of the chip support.

本発明の好ましい実施の形態においては、一端が上記LEDチップに接合され、かつ他端が上記突出部の外側に位置する配線パターンに接合されており、上記突出部を跨ぐように設けられたワイヤをさらに備える。   In a preferred embodiment of the present invention, one end is bonded to the LED chip, and the other end is bonded to a wiring pattern located outside the protruding portion, and the wire is provided so as to straddle the protruding portion. Is further provided.

本発明の第2の側面によって提供されるLEDモジュールは、複数のLEDチップと、各々が上記LEDチップが搭載された搭載面を有する複数のチップ支持体と、上記複数のチップ支持体が実装された基板と、上記基板に取り付けられ、上記チップ支持体を囲む反射面を有するリフレクタと、不透明樹脂と、を備え、上記チップ支持体は、上記搭載面から遠ざかるように突出し、かつ上記LEDチップを囲む突出部を有し、上記突出部における上記LEDチップとは反対側の外側面の少なくとも一部は、上記不透明樹脂に覆われている。   The LED module provided by the second aspect of the present invention includes a plurality of LED chips, a plurality of chip supports each having a mounting surface on which the LED chips are mounted, and the plurality of chip supports. And a reflector attached to the substrate and having a reflecting surface surrounding the chip support, and an opaque resin, the chip support projecting away from the mounting surface, and the LED chip The projecting portion is surrounded, and at least a part of the outer surface of the projecting portion opposite to the LED chip is covered with the opaque resin.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、上記チップ支持体から上記反射面にいたる領域のすべてを覆っている。   In a preferred embodiment of the present invention, the opaque resin covers the entire region from the chip support to the reflective surface.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明の第1実施形態に基づくLEDモジュールを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the LED module based on 1st Embodiment of this invention. 図1のLEDモジュールを示す平面図である。It is a top view which shows the LED module of FIG. 図2のIII−III線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the III-III line of FIG. 図2のIV−IV線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the IV-IV line of FIG. 図1のLEDモジュールを示す要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view which shows the LED module of FIG. 本発明の第2実施形態に基づくLEDモジュールを示す平面図である。It is a top view which shows the LED module based on 2nd Embodiment of this invention. 図6のVII−VII線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the VII-VII line of FIG. 図6のLEDモジュールを示す要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view which shows the LED module of FIG. 本発明の第3実施形態に基づくLEDモジュールを示す平面図である。It is a top view which shows the LED module based on 3rd Embodiment of this invention. 図9のX−X線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XX line of FIG. 図9のLEDモジュールを示す要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view which shows the LED module of FIG. 本発明の第4実施形態に基づくLEDモジュールを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the LED module based on 4th Embodiment of this invention. 図12のLEDモジュールを示す平面図である。It is a top view which shows the LED module of FIG. 図12のLEDモジュールを示す要部拡大平面図である。It is a principal part enlarged plan view which shows the LED module of FIG. 図14のXV−XV線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XV-XV line | wire of FIG. 図12のLEDモジュールを示す要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view which shows the LED module of FIG. 従来のLEDモジュールの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the conventional LED module.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図1〜図5は、本発明の第1実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール101は、基板300、LEDチップ210、LEDチップ210が搭載されたチップ支持体220、2つのワイヤ400、透光樹脂500、リフレクタ600、白色樹脂700、および封止樹脂800を備えている。なお、理解の便宜上、図1および図2においては、透光樹脂500および封止樹脂800を省略している。   1 to 5 show an LED module according to a first embodiment of the present invention. The LED module 101 of the present embodiment includes a substrate 300, an LED chip 210, a chip support 220 on which the LED chip 210 is mounted, two wires 400, a translucent resin 500, a reflector 600, a white resin 700, and a sealing resin 800. It has. For ease of understanding, the light-transmitting resin 500 and the sealing resin 800 are omitted in FIGS. 1 and 2.

基板300は、基材310および基材310に形成された配線パターン320からなる。基材310は、矩形状であり、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。配線パターン320は、たとえばCuまたはAgなどの金属からなり、ボンディング部321,322、迂回部323,324、および実装端子325,326を有する。ボンディング部321,322は、基材310の上面に形成されている。迂回部323,324は、ボンディング部321,322につながっており、基材310の両側面に形成されている。実装端子325,326は、基材310の下面に形成されており、迂回部323,324につながっている。実装端子325,326は、LEDモジュール101をたとえば回路基板に実装するために用いられる。   The substrate 300 includes a base material 310 and a wiring pattern 320 formed on the base material 310. The base material 310 has a rectangular shape and is made of, for example, a glass epoxy resin. The wiring pattern 320 is made of, for example, a metal such as Cu or Ag, and has bonding portions 321 and 322, detour portions 323 and 324, and mounting terminals 325 and 326. The bonding parts 321 and 322 are formed on the upper surface of the base material 310. The detour portions 323 and 324 are connected to the bonding portions 321 and 322 and are formed on both side surfaces of the base material 310. The mounting terminals 325 and 326 are formed on the lower surface of the base 310 and are connected to the detour portions 323 and 324. The mounting terminals 325 and 326 are used for mounting the LED module 101 on, for example, a circuit board.

LEDチップ210は、たとえばGaNからなるn型半導体層、活性層およびp型半導体層が積層された半導体層を有する構造とされており、たとえば青色光を発する。チップ支持体220は、LEDチップ210が搭載される部材であり、たとえばアルミニウムを含む金属材料によって構成される。チップ支持体220は、平板部221と、平板部221の周縁に形成された突出部222とを有し、図3〜図5における平板部221の上面が、LEDチップ210が搭載される搭載面221aとされている。突出部222は、搭載面221aから遠ざかるように突出しており、LEDチップ210を囲っている。図5に示すように、突出部222におけるLEDチップ210側の内側面222aは、搭載面221aの法線方向において搭載面221aから遠ざかるほど、上記法線方向に対して直角である方向においてLEDチップ210から遠ざかるように傾斜している。突出部222におけるLEDチップ210とは反対側の外側面222bは、搭載面221aの法線方向に沿って延びている。図2に示すように、突出部222の外側面222bは、平面視(搭載面221aの法線方向視)において矩形状とされている。チップ支持体220は、たとえばアルミニウムあるいはアルミニウム合金からなる金属板にプレス加工を施すことによって形成される。   The LED chip 210 has a structure having a semiconductor layer in which an n-type semiconductor layer made of, for example, GaN, an active layer, and a p-type semiconductor layer are stacked, and emits blue light, for example. The chip support 220 is a member on which the LED chip 210 is mounted, and is made of a metal material including, for example, aluminum. The chip support 220 includes a flat plate portion 221 and a protrusion 222 formed on the periphery of the flat plate portion 221, and the upper surface of the flat plate portion 221 in FIGS. 3 to 5 is a mounting surface on which the LED chip 210 is mounted. 221a. The protruding portion 222 protrudes away from the mounting surface 221 a and surrounds the LED chip 210. As shown in FIG. 5, the inner surface 222a of the protrusion 222 on the LED chip 210 side is closer to the mounting surface 221a in the normal direction of the mounting surface 221a, and the LED chip in a direction perpendicular to the normal direction. Inclined away from 210. The outer surface 222b on the opposite side of the protrusion 222 from the LED chip 210 extends along the normal direction of the mounting surface 221a. As shown in FIG. 2, the outer surface 222b of the protrusion 222 is rectangular in plan view (viewed in the normal direction of the mounting surface 221a). The chip support 220 is formed, for example, by pressing a metal plate made of aluminum or an aluminum alloy.

図5に示すように、LEDチップ210は、チップ支持体220の搭載面221aに対して、たとえばシリコーン樹脂などの透明樹脂240を介して接合されている。チップ支持体220は、絶縁性ペースト250によって基板300上に実装されている。LEDチップ210には、2つの電極(図示略)が形成されている。これらの電極には、2つのワイヤ400それぞれの一端がボンディングされており、LEDチップ210は、いわゆる2ワイヤタイプとして構成されている。一方のワイヤ400の他端は、ボンディング部321にボンディングされており、他方のワイヤ400の他端は、ボンディング部322にボンディングされている。これにより、各ワイヤ400は、突出部222を跨ぐように設けられている。   As shown in FIG. 5, the LED chip 210 is bonded to the mounting surface 221a of the chip support 220 via a transparent resin 240 such as a silicone resin. The chip support 220 is mounted on the substrate 300 with an insulating paste 250. Two electrodes (not shown) are formed on the LED chip 210. One end of each of the two wires 400 is bonded to these electrodes, and the LED chip 210 is configured as a so-called two-wire type. The other end of one wire 400 is bonded to the bonding portion 321, and the other end of the other wire 400 is bonded to the bonding portion 322. Thereby, each wire 400 is provided so that the protrusion part 222 may be straddled.

LEDチップ210およびチップ支持体220の寸法の一例を挙げると、チップ支持体220は、平面視において一辺が1mm程度の正方形状であり、平板部221の厚さが50〜300μm程度である。突出部222が搭載面221aから上記法線方向に突出する長さは、300μm程度とされる。LEDチップ210は、平面視において一辺が610μm程度の正方形状であり、厚さが150μm程度である。なお、LEDチップ210を構成するGaNの屈折率は、2.4程度である。   Taking an example of the dimensions of the LED chip 210 and the chip support 220, the chip support 220 has a square shape with a side of about 1 mm in plan view, and the thickness of the flat plate portion 221 is about 50 to 300 μm. The length in which the protruding portion 222 protrudes from the mounting surface 221a in the normal direction is about 300 μm. The LED chip 210 has a square shape with a side of about 610 μm in a plan view and a thickness of about 150 μm. The refractive index of GaN constituting the LED chip 210 is about 2.4.

透光樹脂500は、チップ支持体220と封止樹脂800との間に介在している。透光樹脂500は、LEDチップ210を覆っており、チップ支持体220(突出部222)の内側面222aによって囲まれた空間を埋めている。透光樹脂500は、たとえば透明なフェニルシリコーン樹脂に蛍光体材料が混入された材質からなる。この蛍光体材料は、たとえばLEDチップ210から発せられる青色光によって励起されることにより黄色光を発する。これらの青色光と黄色光とを混色することにより、LEDモジュール101は、白色光を発する。なお、上記蛍光体材料としては、青色光によって励起されることにより赤色光を発するものと、緑色光を発するものを用いてもよい。なお、透光樹脂500の屈折率は、1.5〜1.6程度である。   The translucent resin 500 is interposed between the chip support 220 and the sealing resin 800. The translucent resin 500 covers the LED chip 210 and fills the space surrounded by the inner surface 222a of the chip support 220 (protruding portion 222). The translucent resin 500 is made of, for example, a material obtained by mixing a phosphor material into a transparent phenyl silicone resin. This phosphor material emits yellow light when excited by blue light emitted from the LED chip 210, for example. The LED module 101 emits white light by mixing these blue light and yellow light. In addition, as the phosphor material, a material that emits red light and a material that emits green light when excited by blue light may be used. In addition, the refractive index of the translucent resin 500 is about 1.5 to 1.6.

リフレクタ600は、LEDチップ210からの光をより多く上記法線方向に進行させるためのものであり、たとえばポリブチレンテレフタレートなどの白色樹脂からなる。リフレクタ600は、チップ支持体220を囲む枠状であり、このリフレクタ600には反射面610が形成されている。反射面610は、チップ支持体220(LEDチップ210)を囲んでおり、チップ支持体220の4つの外側面222bにそれぞれ対応する4つの平面からなる。本実施形態においては、反射面610は、基板300の厚さ方向において基板300から離間するほど、基板300の厚さ方向に対して直角である方向においてチップ支持体220(LEDチップ210)から遠ざかるように傾斜している。リフレクタ600の寸法の一例を挙げると、平面視において反射面610によって囲まれた開口が1.9mm×3.9mm程度の長矩形状とされており、高さ方向(基板300の厚さ方向と同じ方向)の寸法が1mm程度である。   The reflector 600 is for causing more light from the LED chip 210 to travel in the normal direction, and is made of a white resin such as polybutylene terephthalate. The reflector 600 has a frame shape surrounding the chip support 220, and a reflective surface 610 is formed on the reflector 600. The reflection surface 610 surrounds the chip support 220 (LED chip 210), and includes four planes corresponding to the four outer surfaces 222b of the chip support 220, respectively. In the present embodiment, as the reflective surface 610 is separated from the substrate 300 in the thickness direction of the substrate 300, the reflecting surface 610 moves away from the chip support 220 (LED chip 210) in a direction perpendicular to the thickness direction of the substrate 300. So as to be inclined. As an example of the dimensions of the reflector 600, the opening surrounded by the reflecting surface 610 in a plan view has a long rectangular shape of about 1.9 mm × 3.9 mm, and is in the height direction (the same as the thickness direction of the substrate 300). Direction) is about 1 mm.

白色樹脂700は、LEDチップ210からの光を透過しない、白色を呈する樹脂材料からなり、本発明で言う不透明樹脂の一例に相当する。白色樹脂700は、たとえばシリコーン樹脂に酸化チタン粒子が混入されたものである。白色樹脂700は、突出部222(チップ支持体220)の外側面222bのすべてを覆っている。本実施形態ではまた、白色樹脂700は、チップ支持体220からリフレクタ600の反射面610にいたる領域のすべてを覆っている。図3〜図5に示すように、白色樹脂700の表面(封止樹脂800との境界面701)は、中間部が凹んだ形状である。境界面701は、チップ支持体220の搭載面221aよりも基板300から離間する位置にある。   The white resin 700 is made of a white resin material that does not transmit light from the LED chip 210 and corresponds to an example of an opaque resin in the present invention. The white resin 700 is, for example, a silicone resin in which titanium oxide particles are mixed. The white resin 700 covers all of the outer side surface 222b of the protrusion 222 (chip support 220). In the present embodiment, the white resin 700 also covers the entire region from the chip support 220 to the reflection surface 610 of the reflector 600. As shown in FIGS. 3 to 5, the surface of the white resin 700 (the boundary surface 701 with the sealing resin 800) has a shape in which an intermediate portion is recessed. The boundary surface 701 is located farther from the substrate 300 than the mounting surface 221a of the chip support 220.

封止樹脂800は、チップ支持体220を覆っており、反射面610によって囲まれた空間を埋めている。封止樹脂800は、たとえば透明なエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂からなる。封止樹脂800には上記した蛍光体材料が混入されていない。なお、封止樹脂800の屈折率は、1.4程度である。   The sealing resin 800 covers the chip support 220 and fills the space surrounded by the reflective surface 610. The sealing resin 800 is made of, for example, a transparent epoxy resin or silicone resin. The phosphor material is not mixed in the sealing resin 800. The refractive index of the sealing resin 800 is about 1.4.

LEDモジュール101の製造方法の一例を挙げる。まず、チップ支持体220にLEDチップ210を接合する。次に、基板300にチップ支持体220を搭載する。次いで、LEDチップ210にワイヤ400をボンディングする。次いで、基板300にリフレクタ600を形成する。次いで、透光樹脂500を形成する。次に、白色樹脂700を形成する。白色樹脂700の形成は、チップ支持体220の外側面222bとリフレクタ600の反射面610との間に白色の液体樹脂材料を注入し、硬化させることにより行う。液体樹脂材料は、注入時には流動性に富み、表面張力によって上記法線方向に露出する表面の中間部が凹んだ形状となる。このようにして形成された白色樹脂700は、突出部222との接触部分については突出部222の上端に到達しており、外側面222bのすべてを覆っている。一方、白色樹脂700と反射面610との接触部分については反射面610の上端まで到達しておらず、白色樹脂700は、反射面610を部分的に覆っている。そして、封止樹脂800を形成することにより、LEDモジュール101が完成する。   An example of the manufacturing method of the LED module 101 is given. First, the LED chip 210 is bonded to the chip support 220. Next, the chip support 220 is mounted on the substrate 300. Next, the wire 400 is bonded to the LED chip 210. Next, the reflector 600 is formed on the substrate 300. Next, a translucent resin 500 is formed. Next, a white resin 700 is formed. The white resin 700 is formed by injecting a white liquid resin material between the outer surface 222b of the chip support 220 and the reflection surface 610 of the reflector 600 and curing it. The liquid resin material is rich in fluidity at the time of injection, and has a shape in which an intermediate portion of the surface exposed in the normal direction is recessed due to surface tension. The white resin 700 formed in this way reaches the upper end of the protrusion 222 at the contact portion with the protrusion 222 and covers the entire outer surface 222b. On the other hand, the contact portion between the white resin 700 and the reflective surface 610 does not reach the upper end of the reflective surface 610, and the white resin 700 partially covers the reflective surface 610. Then, by forming the sealing resin 800, the LED module 101 is completed.

次に、LEDモジュール101の作用について説明する。   Next, the operation of the LED module 101 will be described.

本実施形態によれば、LEDチップ210からの光のうち、LEDチップ210の側方に向けて発せられた光は、このLEDチップ210を囲む突出部222によって遮蔽される。突出部222は、アルミニウムを含む金属材料からなり、本実施形態では使用しないサブマウント基板の材質であるSiに比べて反射率が高い。このため、LEDチップ210からの光は、突出部222の内側面222aによって好適に反射される。したがって、LEDチップ210から発せられた光のうち封止樹脂800から出射される割合を高めることが可能であり、LEDモジュール101の高輝度化を図ることができる。   According to the present embodiment, of the light from the LED chip 210, the light emitted toward the side of the LED chip 210 is shielded by the protrusion 222 that surrounds the LED chip 210. The protrusion 222 is made of a metal material containing aluminum, and has a higher reflectance than Si, which is a material of a submount substrate that is not used in the present embodiment. For this reason, the light from the LED chip 210 is favorably reflected by the inner side surface 222 a of the protrusion 222. Therefore, it is possible to increase the ratio of the light emitted from the LED chip 210 to be emitted from the sealing resin 800, and to increase the brightness of the LED module 101.

LEDチップ210は、チップ支持体220の搭載面221aに搭載されており、このチップ支持体220は、LEDチップ210を囲む突出部222を有する。このような構成によれば、突出部222をLEDチップ210に近付けることが可能であり、LEDチップ210からの光を、突出部222の内側面222aによってより多く反射することができる。このことは、LEDモジュール101の高輝度化を図るうえで好ましい。   The LED chip 210 is mounted on the mounting surface 221 a of the chip support 220, and the chip support 220 has a protrusion 222 that surrounds the LED chip 210. According to such a configuration, the protruding portion 222 can be brought closer to the LED chip 210, and more light from the LED chip 210 can be reflected by the inner side surface 222 a of the protruding portion 222. This is preferable for increasing the brightness of the LED module 101.

さらに、図5に示すように、突出部222の内側面222aは、上方に向けて開くように傾斜している。このため、内側面222aによって反射された光は、LEDモジュール101外へと出射されやすい。したがって、LEDモジュール101の高輝度化をより促進することができる。   Furthermore, as shown in FIG. 5, the inner side surface 222a of the protrusion 222 is inclined so as to open upward. For this reason, the light reflected by the inner side surface 222a is easily emitted outside the LED module 101. Therefore, it is possible to further increase the brightness of the LED module 101.

突出部222を有するチップ支持体220は、アルミニウムを含んだ金属板にプレス加工を施すことにより、容易に形成することができる。また、LEDチップ210が熱伝導率に優れる金属製のチップ支持体220に搭載され、このチップ支持体220が基板300に実装されている。これにより、LEDチップ210から基板300側への放熱を高める効果が期待できる。   The chip support body 220 having the protrusions 222 can be easily formed by pressing a metal plate containing aluminum. Further, the LED chip 210 is mounted on a metal chip support 220 having excellent thermal conductivity, and the chip support 220 is mounted on the substrate 300. Thereby, the effect which improves the thermal radiation from the LED chip 210 to the board | substrate 300 side can be anticipated.

チップ支持体220と封止樹脂800との間に介在する透光樹脂500は、蛍光体材料を含んでおり、LEDチップ210を覆っている。一方、封止樹脂800は、蛍光体材料を含まない透明な樹脂からなる。このように蛍光体材料を含まない封止樹脂800を備えた構成によれば、蛍光体材料の使用量を削減することができる。このことは、LEDモジュール101の低コスト化に有利である。   The translucent resin 500 interposed between the chip support 220 and the sealing resin 800 contains a phosphor material and covers the LED chip 210. On the other hand, the sealing resin 800 is made of a transparent resin containing no phosphor material. As described above, according to the configuration including the sealing resin 800 that does not include the phosphor material, the usage amount of the phosphor material can be reduced. This is advantageous for reducing the cost of the LED module 101.

LEDチップ210から発せられて進行する光は、蛍光体材料によって拡散される。蛍光体材料を含まない封止樹脂800によれば、LEDチップ210からの光が拡散するのを抑制することができる。このことは、LEDモジュール101の高輝度化を図るうえで好ましい。   Light traveling from the LED chip 210 is diffused by the phosphor material. According to the sealing resin 800 that does not include the phosphor material, it is possible to suppress the diffusion of light from the LED chip 210. This is preferable for increasing the brightness of the LED module 101.

LEDチップ210を覆う透光樹脂500の屈折率(1.5〜1.6程度)とLEDチップ210を構成するGaNの屈折率(2.4程度)との差は、封止樹脂800の屈折率(1.4程度)とGaNの屈折率との差よりも小さい。したがって、本実施形態のLEDモジュール101によれば、LEDチップが封止樹脂によって直接覆われている場合に比べて、LEDチップ210の表面で反射されてLEDチップ210内部に留まる光の割合が低下し、LEDチップ210から出射される光の割合が増大する。このことは、LEDモジュール101の高輝度化を図るうえで好ましい。   The difference between the refractive index (approximately 1.5 to 1.6) of the translucent resin 500 covering the LED chip 210 and the refractive index (approximately 2.4) of GaN constituting the LED chip 210 is the refraction of the sealing resin 800. It is smaller than the difference between the refractive index (about 1.4) and the refractive index of GaN. Therefore, according to the LED module 101 of this embodiment, the ratio of the light reflected on the surface of the LED chip 210 and staying inside the LED chip 210 is lower than when the LED chip is directly covered with the sealing resin. In addition, the proportion of light emitted from the LED chip 210 increases. This is preferable for increasing the brightness of the LED module 101.

白色樹脂700は、チップ支持体220からリフレクタ600の反射面610にいたる領域のすべてを覆っている。このため、LEDチップ210からの光が基板300などによって吸収されてしまうことを回避することが可能である。このことは、LEDモジュール101の高輝度化を図るうえで好ましい。   The white resin 700 covers the entire region from the chip support 220 to the reflection surface 610 of the reflector 600. For this reason, it is possible to avoid the light from the LED chip 210 being absorbed by the substrate 300 or the like. This is preferable for increasing the brightness of the LED module 101.

白色樹脂700における封止樹脂800との境界面701は、チップ支持体220の搭載面221aよりも基板300から離間する位置にある。このような構成によれば、チップ支持体220からリフレクタ600の反射面610にいたる領域のすべてを白色樹脂700によって適切に覆うことができる。   A boundary surface 701 between the white resin 700 and the sealing resin 800 is located farther from the substrate 300 than the mounting surface 221 a of the chip support 220. According to such a configuration, the entire region from the chip support 220 to the reflection surface 610 of the reflector 600 can be appropriately covered with the white resin 700.

図6〜図16は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。   6 to 16 show other embodiments of the present invention. In these drawings, the same or similar elements as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the above embodiment.

図6〜図8は、本発明の第2実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール102は、LEDチップ210、透光樹脂500、および封止樹脂800の構成が上述したLEDモジュール101と異なっている。   6 to 8 show an LED module according to a second embodiment of the present invention. The LED module 102 of the present embodiment is different from the LED module 101 described above in the configuration of the LED chip 210, the translucent resin 500, and the sealing resin 800.

本実施形態においては、LEDチップ210には1つのワイヤ400のみがボンディングされており、LEDチップ210は、いわゆる1ワイヤタイプとして構成されている。LEDチップ210の2つの電極(図示略)のうち、一方の電極は、チップ支持体220に搭載される面に設けられており、チップ支持体220の搭載面221aに対して導電性ペースト241を介して接合されている。他方の電極は、チップ支持体220に搭載される面とは反対側の面に設けられている。上記他方の電極には、ワイヤ400の一端がボンディングされている。ワイヤ400の他端は、ボンディング部322にボンディングされている。チップ支持体220は、導電性ペースト251を介して基板300上に実装されている。   In the present embodiment, only one wire 400 is bonded to the LED chip 210, and the LED chip 210 is configured as a so-called one-wire type. Of the two electrodes (not shown) of the LED chip 210, one electrode is provided on the surface mounted on the chip support 220, and the conductive paste 241 is applied to the mounting surface 221 a of the chip support 220. Are joined through. The other electrode is provided on the surface opposite to the surface mounted on the chip support 220. One end of a wire 400 is bonded to the other electrode. The other end of the wire 400 is bonded to the bonding part 322. The chip support 220 is mounted on the substrate 300 via the conductive paste 251.

本実施形態では、透光樹脂500は蛍光体材料を含んでおらず、封止樹脂800は蛍光体材料を含んでいる。   In the present embodiment, the translucent resin 500 does not include a phosphor material, and the sealing resin 800 includes a phosphor material.

このような実施形態によっても、LEDモジュール102の高輝度化を図ることができる。   According to such an embodiment, it is possible to increase the brightness of the LED module 102.

図9〜図11は、本発明の第3実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール103は、チップ支持体220の構成が上述したLEDモジュール101と異なっている。   9 to 11 show an LED module according to a third embodiment of the present invention. The LED module 103 of this embodiment is different from the LED module 101 described above in the configuration of the chip support 220.

本実施形態においては、チップ支持体220は、Siからなり、エッチングなどにより中央部分を所定の深さまで除去することにより、突出部222を有する形状とされている。図11に示すように、平板部221の搭載面221a、ならびに突出部222の内側面222aおよび先端面には、たとえばスパッタリングなどの手法によりアルミニウム膜223が形成されている。アルミニウム膜223としては、アルミニウム単体膜、あるいはアルミニウムと銅を含む複数種の金属からなる膜などを採用することができる。   In the present embodiment, the chip support 220 is made of Si, and has a shape having a protrusion 222 by removing the central portion to a predetermined depth by etching or the like. As shown in FIG. 11, an aluminum film 223 is formed on the mounting surface 221a of the flat plate portion 221 and the inner side surface 222a and the front end surface of the protruding portion 222 by a technique such as sputtering. As the aluminum film 223, a single aluminum film or a film made of a plurality of kinds of metals including aluminum and copper can be employed.

本実施形態によれば、LEDチップ210からの光のうち、LEDチップ210の側方に向けて発せられた光は、このLEDチップ210を囲む突出部222によって遮蔽される。突出部222(チップ支持体220)の材質であるSiは、比較的光を吸収しやすい。本実施形態では、突出部222の内側面222aには、アルミニウム膜223が形成されている。アルミニウム膜223が形成された表面は、Siと比べて反射率が高いため、LEDチップ210からの光が反射される。したがって、このような実施形態によっても、LEDモジュール103の高輝度化を図ることができる。   According to the present embodiment, of the light from the LED chip 210, the light emitted toward the side of the LED chip 210 is shielded by the protrusion 222 that surrounds the LED chip 210. Si, which is a material of the protruding portion 222 (chip support 220), relatively easily absorbs light. In the present embodiment, an aluminum film 223 is formed on the inner side surface 222 a of the protrusion 222. Since the surface on which the aluminum film 223 is formed has a higher reflectance than Si, light from the LED chip 210 is reflected. Therefore, according to such an embodiment, it is possible to increase the brightness of the LED module 103.

また、Siからなる突出部222の外側面222bは、そのすべてが白色樹脂700によって覆われている。このため、LEDチップ210からの光が外側面222bによって吸収されてしまうことを回避することが可能である。このことは、LEDモジュール103の高輝度化を図るうえで好ましい。   Further, the outer surface 222 b of the projecting portion 222 made of Si is entirely covered with the white resin 700. For this reason, it is possible to avoid that the light from the LED chip 210 is absorbed by the outer surface 222b. This is preferable for increasing the brightness of the LED module 103.

図12〜図16は、本発明の第4実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール104は、複数のLEDチップ210を備えており、これにともなって基板300、およびリフレクタ600の構成が上述したLEDモジュール101と異なっている。また、本実施形態のLEDモジュール104は、上述の透光樹脂500を備えていない。   12 to 16 show an LED module according to a fourth embodiment of the present invention. The LED module 104 of the present embodiment includes a plurality of LED chips 210, and accordingly, the configurations of the substrate 300 and the reflector 600 are different from those of the LED module 101 described above. Further, the LED module 104 of the present embodiment does not include the above-described translucent resin 500.

図12および図13に示すように、本実施形態においては、基材310は、たとえばアルミナなどのセラミックスからなり、一定方向に長く延びたバー状とされている。基材310に形成された配線パターン320は、基材310の長手方向において交互に並ぶ複数ずつのボンディング部321,322と、基材310の端部に設けられた接続端子部(図示略)とを有する。基板300の上面には、長手方向に所定の間隔を隔てて複数のチップ支持体220が実装されている。複数ずつのボンディング部321,322は、複数のLEDチップ210に対応して配されている。隣り合うLEDチップ210にそれぞれ対応した、対をなすボンディング部321,322は、互いにつながって電気的に導通している。各LEDチップ210の電極(図示略)に一端がボンディングされる2つのワイヤ400のうち、一方のワイヤ400の他端は、当該LEDチップ210に対応するボンディング部321にボンディングされており、他方のワイヤ400の他端は、当該LEDチップ210に対応するボンディング部322にボンディングされている。このような構成により、複数のLEDチップ210は、互いに直列に接続されている。   As shown in FIGS. 12 and 13, in this embodiment, the base material 310 is made of ceramics such as alumina, for example, and has a bar shape extending long in a certain direction. The wiring pattern 320 formed on the base material 310 includes a plurality of bonding portions 321 and 322 that are alternately arranged in the longitudinal direction of the base material 310, and connection terminal portions (not shown) provided at end portions of the base material 310. Have A plurality of chip supports 220 are mounted on the upper surface of the substrate 300 at predetermined intervals in the longitudinal direction. The plurality of bonding portions 321 and 322 are arranged corresponding to the plurality of LED chips 210. The paired bonding portions 321 and 322 corresponding to the adjacent LED chips 210 are connected to each other and are electrically connected. Of the two wires 400 having one end bonded to an electrode (not shown) of each LED chip 210, the other end of one wire 400 is bonded to a bonding portion 321 corresponding to the LED chip 210, and the other The other end of the wire 400 is bonded to a bonding part 322 corresponding to the LED chip 210. With such a configuration, the plurality of LED chips 210 are connected in series with each other.

リフレクタ600は、基板300に対応して長く延びた形状とされている。リフレクタ600には、複数のチップ支持体220の配置に対応するように互いに分離した複数の反射面610が形成されている。本実施形態では、封止樹脂800は、蛍光体材料を含んでいる。このような構成のLEDモジュール104は、たとえば、液晶表示装置のバックライト用光源装置として用いられる。   The reflector 600 has a long shape corresponding to the substrate 300. The reflector 600 is formed with a plurality of reflective surfaces 610 separated from each other so as to correspond to the arrangement of the plurality of chip supports 220. In the present embodiment, the sealing resin 800 includes a phosphor material. The LED module 104 having such a configuration is used, for example, as a light source device for a backlight of a liquid crystal display device.

このような実施形態によっても、LEDモジュール104の高輝度化を図ることができる。   Also according to such an embodiment, it is possible to increase the brightness of the LED module 104.

本発明に係るLEDモジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るLEDモジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The LED module according to the present invention is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the LED module according to the present invention can be changed in various ways.

101〜104 LEDモジュール
210 LEDチップ
220 チップ支持体
221 平板部
221a 搭載面
222 突出部
222a 内側面
222b 外側面
223 アルミニウム膜
240 透明樹脂
241 導電性ペースト
250 絶縁性ペースト
251 導電性ペースト
300 基板
310 基材
320 配線パターン
321,322 ボンディング部
323,324 迂回部
325,326 実装端子
400 ワイヤ
500 透光樹脂
600 リフレクタ
700 白色樹脂(不透明樹脂)
800 封止樹脂
101-104 LED module 210 LED chip 220 Chip support 221 Flat plate portion 221a Mounting surface 222 Projection portion 222a Inner side surface 222b Outer side surface 223 Aluminum film 240 Transparent resin 241 Conductive paste 250 Insulating paste 251 Conductive paste 300 Substrate 310 Base material 320 Wiring patterns 321 and 322 Bonding portions 323 and 324 Detour portions 325 and 326 Mounting terminal 400 Wire 500 Translucent resin 600 Reflector 700 White resin (opaque resin)
800 Sealing resin

Claims (21)

LEDチップと、
上記LEDチップが搭載された搭載面を有するチップ支持体と、を備え、
上記チップ支持体は、上記搭載面から遠ざかるように突出し、かつ上記LEDチップを囲む突出部を有する、LEDモジュール。
An LED chip;
A chip support having a mounting surface on which the LED chip is mounted,
The said chip support body protrudes so that it may distance from the said mounting surface, and has a protrusion part surrounding the said LED chip, LED module.
上記突出部における上記LEDチップ側の内側面は、上記搭載面の法線方向において上記搭載面から遠ざかるほど、上記法線方向に対して直角である方向において上記LEDチップから遠ざかるように傾斜する、請求項1に記載のLEDモジュール。   The inner surface of the protruding portion on the LED chip side is inclined so as to move away from the LED chip in a direction perpendicular to the normal direction as the distance from the mounting surface in the normal direction of the mounting surface increases. The LED module according to claim 1. 上記突出部における上記LEDチップ側の内側面は、Siよりも反射率が高い材質によって形成される、請求項1または2に記載のLEDモジュール。   3. The LED module according to claim 1, wherein an inner surface of the protruding portion on the LED chip side is formed of a material having a higher reflectance than Si. 上記チップ支持体は、金属材料からなる、請求項3に記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 3, wherein the chip support is made of a metal material. 上記チップ支持体は、アルミニウムを含む、請求項4に記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 4, wherein the chip support includes aluminum. 上記チップ支持体は、金属板にプレス加工を施すことにより形成される、請求項4または5に記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 4, wherein the chip support is formed by pressing a metal plate. 上記突出部における上記LEDチップとは反対側の外側面の少なくとも一部を覆い、上記LEDチップからの光を透過しない不透明樹脂をさらに備える、請求項1ないし6のいずれかに記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 1, further comprising an opaque resin that covers at least a part of an outer surface opposite to the LED chip in the protruding portion and does not transmit light from the LED chip. 上記不透明樹脂は、上記突出部の上記外側面のすべてを覆っている、請求項7に記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 7, wherein the opaque resin covers all of the outer surface of the protruding portion. 上記不透明樹脂は、白色である、請求項7または8に記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 7 or 8, wherein the opaque resin is white. 上記チップ支持体が実装される基板をさらに備える、請求項7ないし9のいずれかに記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 7, further comprising a substrate on which the chip support is mounted. 上記基板に取り付けられており、かつ上記チップ支持体を囲む反射面を有するリフレクタと、
上記チップ支持体を覆い、かつ上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備える、請求項10に記載のLEDモジュール。
A reflector attached to the substrate and having a reflective surface surrounding the chip support;
The LED module according to claim 10, further comprising: a sealing resin that covers the chip support and transmits light from the LED chip.
上記チップ支持体と上記封止樹脂との間に介在し、上記LEDチップを覆う透光樹脂をさらに備える、請求項11に記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 11, further comprising a translucent resin interposed between the chip support and the sealing resin and covering the LED chip. 上記封止樹脂と上記透光樹脂の少なくともいずれか一方は、上記LEDチップからの光によって励起されて上記LEDチップからの光とは異なる色の光を発する蛍光体材料を含んでいる、請求項12に記載のLEDモジュール。   The at least one of the sealing resin and the translucent resin includes a phosphor material that is excited by light from the LED chip and emits light having a color different from that of the light from the LED chip. 12. The LED module according to 12. 上記透光樹脂は、上記蛍光体材料を含み、
上記封止樹脂は、上記蛍光体材料を含まない透明な樹脂からなる、請求項13に記載のLEDモジュール。
The translucent resin includes the phosphor material,
The LED module according to claim 13, wherein the sealing resin is made of a transparent resin not including the phosphor material.
上記封止樹脂および上記透光樹脂は、互いの屈折率が異なる樹脂材料によって形成される、請求項14に記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 14, wherein the sealing resin and the translucent resin are formed of resin materials having different refractive indexes. 上記透光樹脂の屈折率は、上記LEDチップを構成する材料の屈折率よりも小であり、上記封止樹脂の屈折率は、上記透光樹脂の屈折率よりも小である、請求項15に記載のLEDモジュール。   The refractive index of the translucent resin is smaller than the refractive index of the material constituting the LED chip, and the refractive index of the sealing resin is smaller than the refractive index of the translucent resin. LED module according to 1. 上記不透明樹脂は、上記基板と上記封止樹脂との間に介在し、上記チップ支持体から上記反射面にいたる領域のすべてを覆っている、請求項11ないし16のいずれかに記載のLEDモジュール。   The LED module according to any one of claims 11 to 16, wherein the opaque resin is interposed between the substrate and the sealing resin and covers the entire region from the chip support to the reflective surface. . 上記不透明樹脂における上記封止樹脂との境界面は、上記チップ支持体の上記搭載面よりも上記基板から離間する位置にある、請求項17に記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 17, wherein a boundary surface between the opaque resin and the sealing resin is located at a position farther from the substrate than the mounting surface of the chip support. 一端が上記LEDチップに接合され、かつ他端が上記突出部の外側に位置する配線パターンに接合されており、上記突出部を跨ぐように設けられたワイヤをさらに備える、請求項1ないし18のいずれかに記載のLEDモジュール。   19. The device according to claim 1, further comprising: a wire having one end bonded to the LED chip and the other end bonded to a wiring pattern positioned outside the protrusion, and provided to straddle the protrusion. The LED module in any one. 複数のLEDチップと、
各々が上記LEDチップが搭載された搭載面を有する複数のチップ支持体と、
上記複数のチップ支持体が実装された基板と、
上記基板に取り付けられ、上記チップ支持体を囲む反射面を有するリフレクタと、
不透明樹脂と、を備え、
上記チップ支持体は、上記搭載面から遠ざかるように突出し、かつ上記LEDチップを囲む突出部を有し、上記突出部における上記LEDチップとは反対側の外側面の少なくとも一部は、上記不透明樹脂に覆われている、LEDモジュール。
A plurality of LED chips;
A plurality of chip supports each having a mounting surface on which the LED chip is mounted;
A substrate on which the plurality of chip supports are mounted;
A reflector attached to the substrate and having a reflective surface surrounding the chip support;
An opaque resin,
The chip support has a protrusion that protrudes away from the mounting surface and surrounds the LED chip, and at least a part of the outer surface of the protrusion opposite to the LED chip is at least part of the opaque resin. LED module covered with
上記不透明樹脂は、上記チップ支持体から上記反射面にいたる領域のすべてを覆っている、請求項20に記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 20, wherein the opaque resin covers the entire region from the chip support to the reflective surface.
JP2011257669A 2011-11-25 2011-11-25 Led module Pending JP2013115116A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011257669A JP2013115116A (en) 2011-11-25 2011-11-25 Led module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011257669A JP2013115116A (en) 2011-11-25 2011-11-25 Led module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013115116A true JP2013115116A (en) 2013-06-10

Family

ID=48710420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011257669A Pending JP2013115116A (en) 2011-11-25 2011-11-25 Led module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013115116A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015002317A (en) * 2013-06-18 2015-01-05 ローム株式会社 Led light source module
US9966515B2 (en) 2015-12-26 2018-05-08 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
US10193028B2 (en) 2016-12-16 2019-01-29 Nichia Corporation Light emitting device and method of producing the same
US10193027B2 (en) 2016-12-16 2019-01-29 Nichia Corporation Light emitting device and method of producing the same
CN109887906A (en) * 2019-02-22 2019-06-14 福建天电光电有限公司 A kind of high reflection LED package support
US10411169B2 (en) 2017-02-03 2019-09-10 Nichia Corporation Light emitting device having leads in resin package
US10615319B2 (en) 2017-10-20 2020-04-07 Nichia Corporation Light emitting device
CN113130459A (en) * 2020-01-15 2021-07-16 东贝光电科技股份有限公司 Miniature LED light-emitting device and manufacturing method thereof
US11417808B2 (en) 2019-09-12 2022-08-16 Nichia Corporation Light emitting device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015002317A (en) * 2013-06-18 2015-01-05 ローム株式会社 Led light source module
US9966515B2 (en) 2015-12-26 2018-05-08 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
US10403803B2 (en) 2015-12-26 2019-09-03 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
US10193028B2 (en) 2016-12-16 2019-01-29 Nichia Corporation Light emitting device and method of producing the same
US10193027B2 (en) 2016-12-16 2019-01-29 Nichia Corporation Light emitting device and method of producing the same
US10418526B2 (en) 2016-12-16 2019-09-17 Nichia Corporation Lead frame including connecting portions and coupling portions
US10490704B2 (en) 2016-12-16 2019-11-26 Nichia Corporation Light emitting device and method of producing the same
US10411169B2 (en) 2017-02-03 2019-09-10 Nichia Corporation Light emitting device having leads in resin package
US10615319B2 (en) 2017-10-20 2020-04-07 Nichia Corporation Light emitting device
CN109887906A (en) * 2019-02-22 2019-06-14 福建天电光电有限公司 A kind of high reflection LED package support
US11417808B2 (en) 2019-09-12 2022-08-16 Nichia Corporation Light emitting device
CN113130459A (en) * 2020-01-15 2021-07-16 东贝光电科技股份有限公司 Miniature LED light-emitting device and manufacturing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6284659B2 (en) Light emitting diode package structure
JP2013115116A (en) Led module
KR101389719B1 (en) Semiconductor light-emitting device
JP5940775B2 (en) LED light source device for liquid crystal display backlight and liquid crystal display device
JP6107136B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME, AND LIGHTING DEVICE EQUIPPED WITH THE LIGHT EMITTING DEVICE
CN102157504B (en) Light emitting diode package and light unit having the same
JP2012049348A (en) Light emitting device
TW201743474A (en) LED package structure
JP5286122B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
JP2013089717A (en) Led module
JP6447580B2 (en) Light emitting device
JPWO2011126135A1 (en) LED module
JP2005167136A (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
EP2458655A2 (en) Light emitting device package
JP6087098B2 (en) Light source device, LED lamp, and liquid crystal display device
KR20120020601A (en) Light emitting device and lighting system
JP5436353B2 (en) Light emitting device
JP2008034488A (en) Light-emitting device
JP5809440B2 (en) LED module
JP2013004834A (en) Led module
KR20130014755A (en) Light emitting device package and lighting system
JP2013080860A (en) Led light source device
KR101904263B1 (en) Light Emitting Device Package
JP2013120778A (en) Light emitting device
KR102075522B1 (en) Light-emitting device