KR20210020320A - 역삼투막 활성층 형성용 조성물, 역삼투막 제조 방법, 역삼투막 및 수처리 모듈 - Google Patents
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 48
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 38
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- -1 acyl halide compound Chemical class 0.000 claims description 54
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 27
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 26
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 22
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 22
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 22
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 12
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 11
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000012695 Interfacial polymerization Methods 0.000 claims description 5
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 83
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 17
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 16
- UWCPYKQBIPYOLX-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3,5-tricarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC(C(Cl)=O)=CC(C(Cl)=O)=C1 UWCPYKQBIPYOLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 9
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 7
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 7
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 5
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 4
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 3
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JSYBAZQQYCNZJE-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,4-triamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C(N)=C1 JSYBAZQQYCNZJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000923 (C1-C30) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000355 1,3-benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006218 1-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 11h-benzo[a]carbazole Chemical group C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical group C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGLZGLAFFOMWPB-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 MGLZGLAFFOMWPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006176 2-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZWUBBMDHSZDNTA-UHFFFAOYSA-N 4-Chloro-meta-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(Cl)C(N)=C1 ZWUBBMDHSZDNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004920 4-methyl-2-pentyl group Chemical group CC(CC(C)*)C 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001266 acyl halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical group C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004210 cyclohexylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004851 cyclopentylmethyl group Chemical group C1(CCCC1)C* 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003538 pentan-3-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000131 polyvinylidene Polymers 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000013535 sea water Substances 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003334 secondary amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008400 supply water Substances 0.000 description 1
- LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N terephthaloyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1 LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
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- B01D61/00—Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
- B01D61/02—Reverse osmosis; Hyperfiltration ; Nanofiltration
- B01D61/025—Reverse osmosis; Hyperfiltration
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
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- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
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Abstract
본 명세서는 역삼투막 활성층 형성용 조성물, 역삼투막 제조방법, 역삼투막 및 수처리 모듈을 제공한다.
Description
본 명세서는 역삼투막 활성층 형성용 조성물, 역삼투막 제조 방법, 이에 의해 제조된 역삼투막 및 수처리 모듈에 관한 것이다.
반투과성막으로 격리된 두 용액 사이에서 용매가 용질의 농도가 낮은 용액에서 높은 용액 쪽으로 분리막을 통과하여 이동하는 현상을 삼투 현상이라 하며, 이때 용매의 이동으로 용질의 농도가 높은 용액 측에 작용하는 압력을 삼투압이라고 한다. 그런데 삼투압보다 높은 외부 압력을 걸어주면 용매는 용질의 농도가 낮은 용액 쪽으로 이동하게 되는데, 이 현상을 역삼투라고 한다. 역삼투 원리를 이용하여 압력 구배를 구동력으로 해서 반투과성 막을 통해 각종 염이나 유기 물질을 분리해낼 수 있다. 이러한 역삼투 현상을 이용한 역삼투막은 분자 수준의 물질을 분리하고, 염수 또는 해수에서 염을 제거하여 가정용 및 건축용, 산업용 용수를 공급하는데 사용되고 있다.
이러한 역삼투막의 대표적인 예로는, 폴리아미드계 수처리 분리막을 들 수 있으며, 폴리아미드계 수처리 분리막은 미세 다공층 지지체 상에 폴리아미드 활성층을 형성하는 방법으로 제조되고 있으며, 보다 구체적으로는, 부직포 위에 폴리술폰층을 형성하여 미세 다공성 지지체를 형성하고, 이 미세 다공성 지지체를 m-페닐렌 디아민(m-Phenylene Diamine, mPD) 수용액에 침지시켜 mPD층을 형성하고, 이를 다시 트리메조일클로라이드(TriMesoyl Chloride, TMC) 유기 용매에 침지시켜 mPD층을 TMC와 접촉시켜 계면 중합시킴으로써 폴리아미드층을 형성하는 방법으로 제조되고 있다.
역삼투막의 투과 유량 및 염 제거율은 막의 성능을 나타내는 중요한 지표로 사용되며, 이러한 역삼투막의 성능을 향상시키기 위한 방법의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
본 명세서는 역삼투막 활성층 형성용 조성물, 역삼투막 제조 방법, 이에 의해 제조된 역삼투막 및 수처리 모듈에 관한 것이다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 역삼투막 활성층 형성용 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; -COOH; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 히드록시기; -COOH; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이며,
r3 및 r4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, r3 및 r4이 각각 2 이상인 경우 R3 및 R4는 각각 서로 같거나 상이하고,
R5 및 R6은 수소이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태는 다공성층을 준비하는 단계; 및
상기 다공성층 상에 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 역삼투막 활성층 형성용 조성물을 이용하여 활성층을 제조하는 단계를 포함하는 역삼투막 제조방법을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; -COOH; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 히드록시기; -COOH; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이며,
r3 및 r4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, r3 및 r4이 각각 2 이상인 경우 R3 및 R4는 각각 서로 같거나 상이하고,
R5 및 R6은 수소이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태는 전술한 역삼투막 제조 방법에 의해 제조된 역삼투막으로, 2,000ppm NaCl 수용액, 압력 225psi, 온도 25℃, 4L/min 조건에서 측정한 염 제거율이 99.4% 내지 99.8%인 역삼투막을 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 전술한 역삼투막을 하나 이상 포함하는 수처리 모듈을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 역삼투막 활성층 형성용 조성물을 이용하여 역삼투막을 제조하는 경우, 이온에 의한 스웰링(swelling) 특성을 개선하고, 소수성(hydrophobicity) 및 가교 결합(Cross-linking)의 비율 증가로 염 제거율을 향상시킨다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 역삼투막을 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 수처리 모듈을 도시한 것이다.
도 3은 실시예 및 비교예에 따른 역삼투막의 적외선 분광법에 의한 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 수처리 모듈을 도시한 것이다.
도 3은 실시예 및 비교예에 따른 역삼투막의 적외선 분광법에 의한 스펙트럼을 나타낸 도이다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30일 수 있고, 1 내지 20일 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 10일 수 있다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 10이다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 알킬렌기는 알칸(alkane)에 결합위치가 두 개 있는 것을 의미한다. 상기 알킬렌기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알킬렌기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 탄소수 1 내지 30, 구체적으로는 1 내지 20, 더욱 구체적으로는 1 내지 10이다. 상기 알칸은 전술한 알킬기에 대한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬렌기는 시클로알칸에 결합위치가 두 개 있는 것을 의미한다. 상기 시클로알칸은 전술한 시클로알킬기에 대한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 인접한 기는 결합하여 “고리”를 형성할 수 있다는 것에서 상기 고리란, 방향족 또는 지방족 고리를 의미한다. 구체적으로, 상기 고리는 방향족 고리일 수 있으며, 아릴기 또는 헤테로아릴기일 수 있다. 상기 아릴기 및 헤테로아릴기는 후술하는 설명이 적용될 수 있다. 또한, 상기 고리는 지방족 고리일 수 있으며, 상기 지방족 고리는 방향족 고리가 아닌 고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 인데닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, 
, 
등의 스피로플루오레닐기, 
(9,9-디메틸플루오레닐기), 및 
(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로고리기는 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 30, 구체적으로는 탄소수 2 내지 20이다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30일 수 있으며, 구체적으로는 1 내지 20일 수 있고, 더욱 구체적으로는 1 내지 10일 수 있다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 역삼투막 활성층 형성용 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; -COOH; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 히드록시기; -COOH; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이며,
r3 및 r4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, r3 및 r4이 각각 2 이상인 경우 R3 및 R4는 각각 서로 같거나 상이하고,
R5 및 R6은 수소이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
상기 활성층 형성용 조성물이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 상기 활성층 형성용 조성물을 이용하여 본 명세서에 따른 역삼투막의 활성층 제조시 활성층 내에 강직(rigid)하고 벌키(bulky)한 구조가 도입됨으로써, 이온 접근에 따른 스웰링(swelling) 현상이 개선되어, 활성층 내 포어 크기가 유지되면서 역삼투막의 소수성(hydrophobicity) 증가로 염 제거율을 향상시킬 수 있다.
상기 활성층 형성용 조성물에 포함되는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 후술할 아민 화합물을 포함하는 수용액에 포함되는 아민 화합물과 반응하여 가교 결합(Cross-linking) 구조를 형성한다. 상기 가교 결합 구조의 비율이 증가함으로 인해 역삼투막의 염 제거율을 향상시킬 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 역삼투막의 활성층 형성용 조성물은 아실 할라이드 화합물 및 유기용매를 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아실 할라이드 화합물은, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 2 내지 3 개의 카르복실산 할라이드를 갖는 방향족 화합물로서, 트리메조일클로라이드(TMC), 이소프탈로일클로라이드, 테레프탈로일클로라이드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물일 수 있다. 구체적으로 상기 아실 할라이드 화합물은 트리메조일클로라이드(TMC)일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아실 할라이드 화합물의 함량은 상기 역삼투막의 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 0.2 내지 0.4 중량% 포함될 수 있다. 상기 아실 할라이드 화합물의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우, 본 명세서에서 목적하는 역삼투막의 투과 유량과 염 제거율을 확보할 수 있으며, 막 형성 측면에서 안정적이다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 활성층 형성용 조성물은 유기용매를 더 포함할 수 있고, 상기 유기용매로는 지방족 탄화수소 용매, 예를 들면, 프레온류와 탄소수가 5 내지 12인 헥산, 사이클로헥산, 헵탄, 알칸과 같은 물과 섞이지 않는 소수성 액체, 예를 들면, 탄소수가 5 내지 12인 알칸과 그 혼합물인 IsoPar(Exxon), ISOL-C(SK Chem), ISOL-G(Exxon), IsoPar G 등이 사용될 수 있으나, 이로써 제한되는 것은 아니다. 바람직하게 상기 유기용매는 IsoPar G일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기용매는 상기 활성층 형성용 조성물에서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 아실 할라이드 화합물을 제외한 잔부는 상기 유기용매일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 역삼투막의 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 0.001 중량% 내지 0.1 중량% 포함된다.
바람직하게 분리막의 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 0.005 중량% 내지 0.01 중량% 포함된다. 더욱 바람직하게 분리막의 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 0.01 중량% 포함된다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 범위의 함량으로 상기 역삼투막의 활성층 형성용 조성물 내에 포함되는 경우, 역삼투막의 염 제거율 향상의 효과가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; -COOH; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; -COOH; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; -COOH; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; -COOH; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; -COOH; 치환 또는 비치환된 메틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; -COOH; 메틸기; 또는 에폭시기로 치환된 메톡시기로 치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 히드록시기; -COOH; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 히드록시기; -COOH; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 히드록시기; -COOH; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 히드록시기; -COOH; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 히드록시기; 또는 치환 또는 비치환된 메톡시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 히드록시기; 또는 에폭시기로 치환된 메톡시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r3 및 r4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, r3 및 r4이 각각 2 이상인 경우 R3 및 R4는 각각 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5 및 R6은 수소이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5 및 R6은 각각 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5 및 R6은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 또는 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5 및 R6은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5 및 R6은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R5 및 R6은 서로 결합하여 시클로펜틸기를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시된다.
[화학식 2]
[화학식 3]
상기 화학식 2 또는 3에 있어서,
R1 내지 R4, r3 및 r2는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태는 다공성층을 준비하는 단계; 및 상기 다공성층 상에 전술한 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 역삼투막의 활성층 형성용 조성물을 이용하여 활성층을 제조하는 단계를 포함하는 역삼투막의 제조방법을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; -COOH; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 히드록시기; -COOH; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이며,
r3 및 r4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, r3 및 r4이 각각 2 이상인 경우 R3 및 R4는 각각 서로 같거나 상이하고,
R5 및 R6은 수소이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
상기 다공성층을 준비하는 단계는 제1 다공성 지지체를 준비하는 단계; 및 상기 제1 다공성 지지체 상에 고분자 재료의 코팅층인 제2 다공성 지지체를 형성시키는 것을 포함한다.
즉, 상기 다공성층은 제1 다공성 지지체 및 제2 다공성 지지체를 포함한다.
상기 제1 다공성 지지체로는 부직포를 사용할 수 있다. 상기 부직포의 재료로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 부직포의 두께는 50 ㎛ 내지 150 ㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게 상기 두께는 80 ㎛ 내지 120 ㎛일 수 있다. 상기 부직포의 두께가 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 다공성층을 포함하는 기체 분리막의 내구성이 유지될 수 있다.
상기 제2 다공성 지지체는 상기 제1 다공성 지지체 상에 고분자 재료의 코팅층이 형성된 것을 의미할 수 있다. 상기 고분자 재료로는, 예를 들면, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 폴리메틸클로라이드 및 폴리비닐리덴플루오라이드 등이 사용될 수 있으나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 고분자 재료로서 폴리설폰을 사용할 수 있다.
상기 제2 다공성 지지체의 두께는 20 ㎛ 내지 200㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게 상기 두께는 140 내지 160㎛일 수 있다. 상기 코팅층의 두께가 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 제2 다공성 지지체를 포함하는 다공성층을 포함하는 분리막의 내구성이 적절히 유지될 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 제2 다공성 지지체은 상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액으로 제조될 수 있다. 상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액은, 상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액 총 중량을 기준으로, 80 내지 90 중량%의 용매 디메틸포름아마이드에 10 내지 20 중량%의 폴리설폰 고형을 넣고 80 내지 85 ℃에서 12시간동안 녹인 후 얻은 균질(homogeneous)한 액상일 수 있으나, 상기 중량 범위가 상기 범위로 한정되는 것은 아니다.
상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액의 총 중량을 기준으로 상기 범위의 폴리설폰 고형이 포함되는 경우, 상기 제2 다공성 지지체를 포함하는 분리막의 내구성이 적절히 유지될 수 있다.
상기 제2 다공성 지지체는 캐스팅의 방법으로 형성될 수 있다. 상기 캐스팅은 용액 주조(casting) 방법을 의미하는 것으로, 구체적으로, 상기 고분자 재료를 용매에 용해시킨 후, 접착성이 없는 평활한 표면에 전개시킨 후 용매를 치환시키는 방법을 의미할 수 있다. 구체적으로, 상기 용매로 치환시키는 방법은 비용매 유도 상분리법(nonsolvent induced phase separation)을 이용할 수 있다. 상기 비용매 유도 상분리법이란, 고분자를 용매에 용해시켜 균일 용액을 만들고 이를 일정형태로 성형시킨 후 비용매에 침지시킨다. 이후 비용매와 용매의 확산에 의한 상호교환이 이루어지며 고분자 용액의 조성이 변하게 되고, 고분자의 침전이 일어나면서 용매와 비용매가 차지하던 부분을 기공으로 형성시키는 방법이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 활성층 형성용 조성물을 이용하여 활성층을 제조하는 단계는 상기 활성층 형성용 조성물과 아민 화합물을 포함하는 수용액의 계면 중합에 의하는 것이다.
구체적으로, 상기 아민 화합물을 포함하는 수용액층과 상기 유기용액의 접촉시, 상기 지지층의 표면에 코팅된 아민 화합물과 다관능성 아실 할라이드 화합물이 반응하면서 계면 중합에 의해 폴리아미드를 생성하고, 상기 지지층에 흡착되어 박막이 형성된다. 상기 접촉 방법에 있어서, 침지, 스프레이 또는 코팅 등의 방법을 통해 상기 폴리아미드 활성층을 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아민 화합물은 역삼투막 제조에 사용되는 방향족 아민 화합물이라면 그 종류를 제한하지 않으나, 구체적인 예를 들면, m-페닐렌디아민(mPD), p-페닐렌디아민, 1,2,4-벤젠트리아민, 4-클로로-1,3-페닐렌디아민, 2-클로로-1,4-페닐렌디아민, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다. 구체적으로는, m-페닐렌디아민(mPD)이 바람직하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아민 화합물을 포함하는 수용액의 용매는 물일 수 있으며, 상기 아민 화합물을 포함하는 수용액에서 상기 아민 화합물을 제외한 잔부는 물일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아민 화합물을 포함하는 수용액 총 중량을 기준으로, 상기 아민 화합물의 함량은 2.5 중량% 내지 6.5 중량%일 수 있다. 상기 함량을 만족하는 경우, 본 명세서에서 목적하는 역삼투막의 투과 유량과 염 제거율을 확보할 수 있으며, 막 형성 측면에서 안정적이다.
상기 아민 화합물을 포함하는 수용액은 필요에 따라 염기성 산 수용체를 더 포함할 수 있다. 상기 염기성 산 수용체는 예컨대, 트리알킬아민 화합물, 구체적으로는 트리에틸렌아민캄포술폰산 일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 염기성 산 수용체는 상기 아민 화합물을 포함하는 수용액 총 중량을 기준으로 1 내지 10 중량% 포함될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 활성층을 제조하는 단계 이후에 필요에 따라 95℃에서 건조한 후, 초순수 증류수로 세척하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 전술한 역삼투막의 제조 방법에 의해 제조된 역삼투막으로, 2,000ppm NaCl 수용액, 압력 225psi, 온도 25℃, 4L/min 조건에서 측정한 염 제거율이 99.4% 내지 99.8%인 역삼투막을 제공한다.
상기 염 제거율은 바람직하게 99.45% 내지 99.7%이고, 더욱 바람직하게 99.49% 내지 99.55%이다.
상기 염 제거율을 만족하는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 활성층 형성시 적용함으로써 목적하는 효과를 달성할 수 있는 효과가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 전술한 역삼투막의 제조 방법에 의해 제조된 역삼투막으로, 2,000ppm NaCl 수용액, 압력 225psi, 온도 25℃, 4L/min 조건에서 측정한 투과 유량은 30 GFD 내지 33 GFD이다.
상기 투과 유량은 바람직하게 30 GFD 내지 32 GFD이다.
상기 투과 유량 값의 범위를 만족하는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 활성층 형성시 적용함으로써 목적하는 효과를 달성할 수 있는 효과가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 GFD란 투과 유량의 단위로, gallons/ft2/day를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 역삼투막은 적외선 분광법에 의해 3400 cm-1 내지 3500 cm-1에서 피크(peak)를 가진다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 포함된 활성층 형성용 조성물이 상기 아민 화합물을 포함하는 수용액과 계면 중합에 의해 반응하여 폴리아미드 활성층을 형성하는 경우, 2차 아민(secondary amine)이 형성되어 3400 cm-1 내지 3500 cm-1에서 피크(peak)를 나타낸다.
상기 역삼투막의 적외성 분광법에 의한 IR 스펙트럼 측정은 상기 역삼투막의 45mm X 10mm의 샘플을 퍼킨엘머(Perkin-Elmer) 분광기를 이용하여 측정할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 역삼투막을 하나 이상 포함하는 수처리 모듈을 제공한다.
상기 수처리 모듈에 포함되는 역삼투막은 1 내지 50개일 수 있으며, 1 내지 30개 일 수 있고, 바람직하게는 24 내지 28개 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 수처리 모듈의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않으며, 그 예에는 판형(plate & frame) 모듈, 관형(tubular) 모듈, 중공사형(Hollow & Fiber) 모듈 또는 나권형(spiral wound) 모듈 등이 포함될 수 있다.
또한, 상기 수처리 모듈은 전술한 역삼투막을 포함하는 한, 그 외의 기타 구성 및 제조 방법 등은 특별히 한정되지 않고, 이 분야에서 공지된 일반적인 수단을 제한 없이 채용할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 역삼투막을 도시한 것이다. 구체적으로, 도 1은 제1 다공성 지지체(100) 및 제2 다공성 지지체(200)를 포함하는 다공성층; 활성층(300)이 순차적으로 구비된 역삼투막을 도시한 것으로서, 활성층(300)으로 염수(400)가 유입되어, 정제수(500)가 지지체(100)를 통하여 배출되고, 농축수(600)는 활성층(300)을 통과하지 못하고 외부로 배출된다. 상기 활성층(300)이 본 명세서에 따른 활성층 형성용 조성물로 제조되는 경우, 활성층 내에 강직(rigid)하고 벌키(bulky)한 구조가 도입됨으로써, 이온 접근에 따른 스웰링(swelling) 현상을 개선할 수 있고, 역삼투막의 소수성(hydrophobicity) 증가로 염 제거율을 향상시킬 수 있다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 수처리 모듈을 도시한 것이다. 구체적으로, 수처리 모듈은 중앙 튜브(40), 공급 스페이서(Feed spacer)(20), 역삼투막(10), 트리코트 여과수로(30) 등을 포함하여 구성된다. 수처리 모듈에 원수를 흘려 보내주면, 수처리 모듈 내 공급 스페이서(20)를 통해, 원수가 유입된다. 하나 이상의 역삼투막(10)은 튜브(40)로부터 외측 방향으로 연장되고, 튜브(40) 둘레로 권취되게 된다. 공급 스페이서(20)는 외부로부터 원수가 유입되는 통로를 형성하며, 하나의 역삼투막(10)과 다른 하나의 역삼투막(10) 사이의 간격을 유지시키는 역할을 수행한다. 이를 위해, 공급 스페이서(20)는 하나 이상의 역삼투막(10)과 상측 및 하측에서 접촉하며 튜브(40) 둘레로 권취되게 된다. 트리코트 여과수로(30)는 일반적으로 직물 형태의 구조를 가지며, 역삼투막(10)을 통해 정제된 물이 흘러나갈 수 있는 공간을 만들어주는 유로 역할을 수행하게 된다. 튜브(4))는 수처리 모듈의 중심에 위치하며, 여과된 물이 유입되어 배출되는 통로 역할을 수행한다. 이 때, 튜브(40) 외측에는 여과된 물이 유입되도록 소정 크기의 공극이 형성되는 것이 바람직하여, 하나 이상 형성되는 것이 바람직하다. 상기 역삼투막(10)이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 활성층 형성용 조성물로 제조된 활성층(300)을 포함함에 따라, 염 제거율 및/또는 유량의 역삼투막 성능이 향상될 수 있다.
도 3은 본 명세서에 따른 역삼투막의 적외선 분광법을 이용하여 측정한 스펙트럼을 나타낸 것이다. 실시예 1 및 2와 같이 본 명세서에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 역삼투막 활성층 형성용 조성물로 활성층을 제조하는 경우, 상기 활성층을 포함하는 역삼투막은 적외선 분광법에 의해 3400 cm-1 내지 3500 cm-1에서 2차 아민(secondary amine)의 피크(peak)를 가진다. 이는 구체적으로 도 3의 (b)에서 확인할 수 있다. 반면, 비교예 1과 같이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함시키지 않은 아실 할라이드 유기용액을 이용하여 활성층을 제조하는 경우, 상기 활성층을 포함하는 역삼투막은 적외선 분광법에 의해 3300 cm-1 내지 3400 cm-1에서 single band의 2차 아미드(secondary amide) 피크(peak)를 가지는 것을 확인할 수 있다. 이는 구체적으로 도 3의 (d)에서 확인할 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
제조예
실시예 1.
(다공성층의 제조)
제1 다공성 지지체로서 부직포를 사용하였으며, 상기 부직포는 폴리에틸렌테레프탈레이트였고, 두께가 100μm인 폴리에틸렌테레프탈레이트를 사용하였다.
상기 제1 다공성 지지체 상에 제2 다공성 지지체인 폴리설폰층을 제조하기 위하여, 폴리설폰이 포함된 고분자 용액을 제조하였다. 상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액은, 상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액 총 중량을 기준으로, 84 중량%의 용매 디메틸포름아마이드에 16 중량%의 폴리설폰 고형(solid)을 넣고 80℃ 내지 85℃에서 12시간 동안 녹인 후 얻은 균질(homogeneous)한 액상이었다.
이후, 상기 제1 다공성 지지체(폴리에틸렌테레프탈레이트) 위에 40 μm 로 상기 폴리설폰이 포함된 고분자 용액을 슬롯 다이코팅 방법으로 캐스팅하여, 제2 다공성 지지체(폴리설폰층)을 제조하였다. 이를 통해, 지지체 및 폴리설폰층을 포함하는 다공성층을 제조하였다.
(활성층의 제조)
상기 다공성층 상에 활성층을 제조하기 위해, 아민 화합물을 포함하는 수용액을 제조하였다. 상기 아민 화합물을 포함하는 수용액은 상기 아민 화합물을 포함하는 수용액 전체 중량을 기준으로 4 중량%의 메타페닐렌디아민(mPD) 및 96 중량%의 물을 포함시켜 제조하였다.
이후, 제조한 상기 아민 화합물을 포함하는 수용액을 상기 다공성층 상에 도포하여 아민 화합물을 포함하는 수용액층을 형성하였다. 나아가, 도포시 발생한 여분의 수용액을 에어 나이프를 이용하여 제거하였다.
상기 아민 화합물을 포함하는 수용액층 상에 활성층 형성용 조성물을 도포하였다. 상기 활성층 형성용 조성물은, 상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 하기 화학식 A로 표시되는 화합물 0.005 중량%, 0.3중량%의 트리메조일클로라이드(TMC) 및 잔부의 유기용매(IsoPar G)를 포함시켜 제조하였다.
[화학식 A]
그리고, 95℃에서 액상 성분이 모두 증발할 때까지 건조한 후, 초순수 증류수(DIW)로 세척하여 역삼투막을 제조하였다.
실시예 2.
상기 실시예 1에서, 상기 활성층 형성용 조성물을 상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 상기 화학식 A로 표시되는 화합물 0.01 중량%, 0.3중량%의 트리메조일클로라이드(TMC) 및 잔부의 유기용매(IsoPar G)를 포함시켜 제조한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 역삼투막을 제조하였다.
비교예 1.
상기 실시예 1에서, 상기 활성층 형성용 조성물을, 상기 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함시키지 않고 상기 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 0.3중량%의 트리메조일클로라이드(TMC) 및 잔부의 유기용매(IsoPar G)를 포함시켜 제조한 후 활성층을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 역삼투막을 제조하였다.
실시예 및 비교예에 적용한 활성층 형성용 조성물 내 구성요소의 함량을 기재하면 하기 표 1과 같다.
| 화합물 | 함량(중량 %) | |
| 실시예 1 | A | 0.005 |
| 실시예 2 | A | 0.01 |
| 비교예 1 | - | - |
실험예
(역삼투막의 성능 측정)
염 제거율 및 투과 유량 측정
상기 실시예 1, 2 및 비교예 1에 의하여 제조된 역삼투막에 대하여, 2,000 ppm의 NaCl 수용액을 225 psi, 4 L/min의 유량으로 1 시간 가량 장비 운전을 실시하여 안정화된 것을 확인한 후, 25℃에서 10분 간 투과되는 물의 양을 측정하여 투과유량(flux: GFD(gallon/ft2·day))을 계산하고, 전도도 미터(Conductivity Meter)를 사용하여 투과 전과 후의 염 농도를 분석하여 염 제거율(Rejection)을 계산한 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
| 화합물 | 염 제거율(%) | |
| 실시예 1 | A | 99.49 |
| 실시예 2 | A | 99.55 |
| 비교예 1 | - | 99.32 |
상기 표 2에서 확인할 수 있는 바와 같이, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 역삼투막의 활성층 형성용 조성물에 포함시킨 경우의 실시예 1 및 2의 염 제거율이 비교예 1보다 높다. 이로써, 본 명세서에 따른 역삼투막은 성능이 우수함을 확인할 수 있었다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.
10: 역삼투막
20: 공급 스페이서
30: 트리코트 여과수로
40: 튜브
100: 제1 다공성 지지체
200: 제2 다공성 지지체
300: 활성층
400: 염수
500: 정제수
600: 농축수
20: 공급 스페이서
30: 트리코트 여과수로
40: 튜브
100: 제1 다공성 지지체
200: 제2 다공성 지지체
300: 활성층
400: 염수
500: 정제수
600: 농축수
Claims (9)
- 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 역삼투막 활성층 형성용 조성물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; -COOH; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 히드록시기; -COOH; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이며,
r3 및 r4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, r3 및 r4이 각각 2 이상인 경우 R3 및 R4는 각각 서로 같거나 상이하고,
R5 및 R6은 수소이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다. - 청구항 1에 있어서, 상기 역삼투막 활성층 형성용 조성물은 아실 할라이드 화합물 및 유기용매를 더 포함하는 것인 역삼투막 활성층 형성용 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 역삼투막 활성층 형성용 조성물 총 중량을 기준으로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 0.001 중량% 내지 0.1 중량% 포함되는 것인 역삼투막 활성층 형성용 조성물.
- 청구항 1에 있어서, R5 및 R6은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 또는 방향족 고리를 형성하는 것인 역삼투막 활성층 형성용 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 것인 역삼투막 활성층 형성용 조성물:
[화학식 2]
[화학식 3]
상기 화학식 2 또는 3에 있어서,
R1 내지 R4, r3 및 r4는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다. - 다공성층을 준비하는 단계; 및
상기 다공성층 상에 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 따른 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 역삼투막 활성층 형성용 조성물을 이용하여 활성층을 제조하는 단계를 포함하는 역삼투막 제조방법:
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; -COOH; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 히드록시기; -COOH; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이며,
r3 및 r4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, r3 및 r4이 각각 2 이상인 경우 R3 및 R4는 각각 서로 같거나 상이하고,
R5 및 R6은 수소이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다. - 청구항 6에 있어서, 상기 활성층 형성용 조성물을 이용하여 활성층을 제조하는 단계는 상기 활성층 형성용 조성물과 아민 화합물을 포함하는 수용액의 계면 중합을 포함하는 것인 역삼투막 제조 방법.
- 청구항 6에 따른 역삼투막 제조 방법에 의해 제조된 역삼투막으로,
2,000ppm NaCl 수용액, 압력 225psi, 온도 25℃, 4L/min 조건에서 측정한 염 제거율이 99.4% 내지 99.8%인 역삼투막. - 청구항 8에 따른 역삼투막을 하나 이상 포함하는 수처리 모듈.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190099436A KR20210020320A (ko) | 2019-08-14 | 2019-08-14 | 역삼투막 활성층 형성용 조성물, 역삼투막 제조 방법, 역삼투막 및 수처리 모듈 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190099436A KR20210020320A (ko) | 2019-08-14 | 2019-08-14 | 역삼투막 활성층 형성용 조성물, 역삼투막 제조 방법, 역삼투막 및 수처리 모듈 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210020320A true KR20210020320A (ko) | 2021-02-24 |
Family
ID=74689237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190099436A KR20210020320A (ko) | 2019-08-14 | 2019-08-14 | 역삼투막 활성층 형성용 조성물, 역삼투막 제조 방법, 역삼투막 및 수처리 모듈 |
Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR20210020320A (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150016475A (ko) | 2013-08-01 | 2015-02-12 | 주식회사 엘지화학 | 내구성이 우수한 폴리아미드계 수처리 분리막 및 그 제조방법 |
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2019
- 2019-08-14 KR KR1020190099436A patent/KR20210020320A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150016475A (ko) | 2013-08-01 | 2015-02-12 | 주식회사 엘지화학 | 내구성이 우수한 폴리아미드계 수처리 분리막 및 그 제조방법 |
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