KR20210011202A - 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 - Google Patents

반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210011202A
KR20210011202A KR1020190088354A KR20190088354A KR20210011202A KR 20210011202 A KR20210011202 A KR 20210011202A KR 1020190088354 A KR1020190088354 A KR 1020190088354A KR 20190088354 A KR20190088354 A KR 20190088354A KR 20210011202 A KR20210011202 A KR 20210011202A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
guide rail
support
flow path
passage
substrate
Prior art date
Application number
KR1020190088354A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102280034B1 (ko
Inventor
공태경
선진성
한기원
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190088354A priority Critical patent/KR102280034B1/ko
Priority to JP2020123821A priority patent/JP7236411B2/ja
Priority to US16/935,602 priority patent/US11651979B2/en
Priority to CN202010713689.8A priority patent/CN112289722B/zh
Publication of KR20210011202A publication Critical patent/KR20210011202A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102280034B1 publication Critical patent/KR102280034B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G47/00—Article or material-handling devices associated with conveyors; Methods employing such devices
    • B65G47/74—Feeding, transfer, or discharging devices of particular kinds or types
    • B65G47/90—Devices for picking-up and depositing articles or materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/161—Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G47/00—Article or material-handling devices associated with conveyors; Methods employing such devices
    • B65G47/74—Feeding, transfer, or discharging devices of particular kinds or types
    • B65G47/90—Devices for picking-up and depositing articles or materials
    • B65G47/902—Devices for picking-up and depositing articles or materials provided with drive systems incorporating rotary and rectilinear movements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 반송하는 장치를 제공한다. 기판을 반송하는 유닛은 지지체, 기판이 놓이는 제1핸드, 상기 제1핸드와 적층되게 위치되며, 기판이 놓이는 제2핸드, 상기 지지체에 제공되며, 상기 제1핸드를 지지하는 제1지지 로드의 이동을 안내하는 제1가이드 레일, 상기 지지체에 제공되며, 상기 제2핸드를 지지하는 제2지지 로드의 이동을 안내하는 제2가이드 레일, 그리고 상기 지지체의 내부에 제공되는 배기 유로를 감압하는 감압 부재를 포함하되, 상기 배기 유로는 상기 제1가이드 레일에 연통되게 제공되는 제1유로, 상기 제2가이드 레일에 연통되게 제공되는 제2유로, 그리고 상기 제1유로와 상기 제2유로가 합쳐지는 제3유로를 포함하되, 상기 감압 부재는 상기 제3유로를 감압한다.

Description

반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치{Transfer unit and Apparatus for treaitngsubstrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 반송하는 장치에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 이러한 공정들은 다시 복수의 공정 처리들을 포함하며, 각각의 공정 처리는 서로 다른 공정 처리 장치에서 진행된다.
따라서 서로 다른 종류의 공정을 수행하기 위해서는 기판이 서로 다른 장치로 반송되어야 하며, 이러한 기판 반송은 반송 로봇에 의해 이루어진다. 공정 장치는 매우 다양하며, 반송 로봇의 주변을 감싸도록 배치된다. 이에 따라 반송 로봇은 각 장치에 기판을 반송할 수 있다. 일반적으로 반송 로봇은 기판을 지지하는 핸드가 복수 개로 제공되며, 복수 매의 기판을 반송할 수 있다.
도 1은 일반적인 반송 로봇을 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 반송 로봇은 2 개의 핸드를 가진다. 각 핸드는 서로 적층되게 위치되며, 지지 로드에 의해 지지된다. 상부에 위치되는 제1핸드(2a)는 제1지지 로드(4a)에 의해 지지되고, 하부에 위치되는 제2핸드(2b)는 제2지지 로드(4b)에 의해 지지된다. 제1지지 로드(4a)는 제1핸드(2a)의 일측부로부터 연장되어 베이스에 연결되고, 제2지지 로드(4b)는 제2핸드(2b)의 타측부로부터 연장되어 베이스에 연결된다. 따라서 제1지지 로드(4a)와 제2지지 로드(4b)는 서로의 이동 경로를 간섭하지 않으며, 직선 이동이 가능하다.
그러나 단일 개의 로드로 핸드를 지지하는 구조는 핸드를 안정적으로 지지하지 못한다. 이로 인해 핸드는 이동되는 중에 진동이 발생되고, 핸드에 놓여진 기판은 떨림으로 인해 그 위치가 변동되어 정 위치를 이탈하거나 스크래치 등으로 인한 손상이 발생될 수 있다.
또한 지지 로드가 이동되는 과정에서 다량의 파티클이 발생된다. 이러한 파티클은 기판을 오염시킬 수 있다.
본 발명은 핸드를 안정적으로 지지할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한 본 발명은 핸드를 동작하는 과정에서 발생되는 파티클을 최소화할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 반송하는 장치를 제공한다.
기판을 반송하는 유닛은 지지체, 기판이 놓이는 제1핸드, 상기 제1핸드와 적층되게 위치되며, 기판이 놓이는 제2핸드, 상기 지지체에 제공되며, 상기 제1핸드를 지지하는 제1지지 로드의 이동을 안내하는 제1가이드 레일, 상기 지지체에 제공되며, 상기 제2핸드를 지지하는 제2지지 로드의 이동을 안내하는 제2가이드 레일, 그리고 상기 지지체의 내부에 제공되는 배기 유로를 감압하는 감압 부재를 포함하되, 상기 배기 유로는 상기 제1가이드 레일에 연통되게 제공되는 제1유로, 상기 제2가이드 레일에 연통되게 제공되는 제2유로, 그리고 상기 제1유로와 상기 제2유로가 합쳐지는 제3유로를 포함하되, 상기 감압 부재는 상기 제3유로를 감압한다.
상기 제1유로와 상기 제2유로 각각은 굴곡지게 제공되는 굴곡부를 가질 수 있다. 상기 제1가이드 레일은 상기 지지체의 측면에 형성되고, 상기 제2가이드 레일은 상기 지지체의 상면에 형성될 수 있다. 상기 지지체는 상기 배기 유로, 상기 제1가이드 레일, 그리고 상기 제2가이드 레일이 제공되는 몸체, 상기 제1유로 내에 위치되며, 상기 제1유로 내의 기류 동선이 우회되도록 기류 흐름을 간섭하는 제1격벽, 그리고 상기 제2유로 내에 위치되며, 상기 제2유로 내의 기류 동선이 우회되도록 기류 흐름을 간섭하는 제2격벽을 포함하되, 상기 제3유로는 상기 제1유로 및 상기 제2유로에 비해 상기 몸체의 중심축에 더 가깝게 위치될 수 있다.
상기 제1격벽은 상기 제1가이드 레일의 내측에서 상기 제1가이드 레일과 마주하게 위치될 수 있다. 상기 제1격벽은 상기 제1유로를 형성하는 천장면으로부터 아래로 연장되며, 상기 제1유로를 형성하는 바닥면으로부터 이격되게 위치될 수 있다.
상기 제2격벽은 상기 제2가이드 레일의 아래에서 상기 제2가이드 레일과 마주하게 위치될 수 있다.
상기 제3유로는 상기 제1유로와 상기 제2유로가 합쳐지며 상기 중심축에 가까워지는 방향으로 연장되는 제1영역과 상기 제1영역으로부터 아래로 연장되는 제2영역을 가지며, 상기 제1영역은 상기 제1격벽의 하단보다 높게 위치될 수 있다.
또한 기판을 반송하는 유닛은 지지체, 기판이 놓이는 제1핸드, 상기 제1핸드와 적층되게 위치되며, 기판이 놓이는 제2핸드, 상기 지지체에 제공되며, 상기 제1핸드를 지지하는 제1지지 로드의 이동을 안내하는 제1가이드 레일, 그리고 상기 지지체에 제공되며, 상기 제2핸드를 지지하는 제2지지 로드의 이동을 안내하는 제2가이드 레일을 포함하되, 상기 제1가이드 레일은 상기 지지체의 측면에 형성되고, 상기 제2가이드 레일은 상기 지지체의 상면에 형성된다.
상기 제1가이드 레일와 상기 제2가이드 레일은 각각 복수 개로 제공되며, 복수의 상기 제1가이드 레일은 상기 지지체의 양 측면에 각각 제공되고, 복수의 상기 제2가이드 레일은 상기 지지체의 상면에 각각 제공되며, 상기 제1지지 로드는 복수의 상기 제1가이드 레일에 각각 연결되고, 상기 제2지지 로드는 복수의 상기 제2가이드 레일에 각각 연결될 수 있다.
상기 제1핸드는 상기 제2핸드의 상부에 위치될 수 있다. 상기 지지체의 내부에 제공되는 배기 유로를 감압하는 감압 부재를 포함하되, 상기 배기 유로는 상기 제1가이드 레일에 연통되게 제공되는 제1유로, 상기 제2가이드 레일에 연통되게 제공되는 제2유로, 그리고 상기 제1유로와 상기 제2유로가 합쳐지는 제3유로를 포함하고, 상기 감압 부재는 상기 제3유로를 감압한다.
기판을 처리하는 장치는 제1유닛, 상기 제2유닛, 그리고 상기 제1유닛과 상기 제2유닛 간에 기판을 반송하는 반송 유닛을 포함하되, 상기 반송 유닛은 지지체, 기판이 놓이는 제1핸드, 상기 제1핸드와 적층되게 위치되며, 기판이 놓이는 제2핸드, 상기 지지체에 제공되며, 상기 제1핸드를 지지하는 제1지지 로드의 이동을 안내하는 제1가이드 레일, 상기 지지체에 제공되며, 상기 제2핸드를 지지하는 제2지지 로드의 이동을 안내하는 제2가이드 레일, 그리고 상기 지지체의 내부에 제공되는 배기 유로를 감압하는 감압 부재를 포함하되, 상기 배기 유로는 상기 제1가이드 레일에 연통되게 제공되는 제1유로, 상기 제2가이드 레일에 연통되게 제공되는 제2유로, 그리고 상기 제1유로와 상기 제2유로가 합쳐지는 제3유로를 포함하되, 상기 감압 부재는 상기 제3유로를 감압한다.
상기 제1유로와 상기 제2유로 각각은 상기 제3유로에 가까워지는 방향으로 따라 굴곡지게 제공될 수 있다.
상기 제1가이드 레일은 상기 지지체의 측면에 형성되고, 상기 제2가이드 레일은 상기 지지체의 상면에 형성될 수 있다.
상기 지지체는, 상기 배기 유로, 상기 제1가이드 레일, 그리고 상기 제2가이드 레일이 제공되는 몸체, 상기 제1유로 내에 위치되며, 상기 제1유로 내의 기류 동선이 우회되도록 기류 흐름을 간섭하는 제1격벽, 그리고 상기 제2유로 내에 위치되며, 상기 제2유로 내의 기류 동선이 우회되도록 기류 흐름을 간섭하는 제2격벽을 포함하되, 상기 제3유로는 상기 제1유로 및 상기 제2유로에 비해 상기 몸체의 중심축에 더 가깝게 위치될 수 있다.
상기 제1격벽은 상기 제1가이드 레일의 내측에서 상기 제1가이드 레일과 마주하게 위치될 수 있다. 상기 제1격벽은 상기 제1유로를 형성하는 천장면으로부터 아래로 연장되며, 상기 제1유로를 형성하는 바닥면으로부터 이격되게 위치될 수 있다. 상기 제2격벽은 상기 제2가이드 레일의 아래에서 상기 제2가이드 레일과 마주하게 위치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 지지체 내에는 가이드 레일과 연통되는 복수의 유로들은 합쳐지고, 감압 부재에 의해 감압된다. 이로 인해 핸드를 동작하는 과정에서 발생되는 파티클을 흡입 제거할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 유로는 굴곡지게 제공된다. 이로 인해 파티클이 역류되는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 핸드는 복수의 가이드 레일에 연결된 지지 로드에 의해 지지된다. 이로 인해 핸드를 안정적으로 지지할 수 있다.
도 1은 일반적인 반송 로봇을 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 로봇을 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 5의 반송 로봇을 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 5의 반송 로봇을 보여주는 정면도이다.
도 8은 도 7의 배기 유로에서 기류의 흐름을 보여주는 수직 단면도이다.
도 9는 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 9의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 11은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛이 제공된다. 반송 유닛은 반송 로봇(3422)과 반송 레일(3300)을 포함한다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다.
도 5는 도 4의 반송 로봇을 보여주는 사시도이고, 도 6은 도 5의 반송 로봇을 보여주는 평면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 반송 로봇(3422)은 핸드(3420), 지지 로드(3423), 가이드 레일(1100), 지지체(1000), 회전축(3425), 베이스(3426), 그리고 감압 부재(1600)를 포함한다. 핸드(3420)는 기판(W)을 지지한다. 핸드(3420)는 전진과 후진을 포함하는 수평 직선 이동, 제3방향(16)을 축으로 회전되는 회전 이동, 그리고 제3방향을 향하는 승강 이동이 가능하도록 제공된다.
핸드(3420)는 기판(W)을 직접 지지한다. 핸드(3420)는 복수 개로 제공되며, 서로 적층되게 위치된다. 핸드들(3420)은 지지체(1000)의 상부에 위치된다. 예컨대, 핸드는 상부에 위치되는 제1핸드(3420a)와 하부에 위치되는 제2핸드(3420b)로 제공될 수 있다. 제1핸드(3420a)와 제2핸드(3420b)는 동일한 형상을 가진다. 다만, 제1핸드(3420a)와 제2핸드(3420b)는 서로 다른 기능을 수행할 수 있다. 예컨대, 제1핸드(3420a)는 챔버 또는 기판(W)을 처리하는 유닛으로부터 기판(W)을 반출하는 용도로 사용되고, 제2핸드(3420b)는 챔버 또는 기판(W)을 처리하는 유닛에 기판(W)을 반입하는 용도로 사용될 수 있다.
핸드(3420)는 지지대(3421a) 및 지지 돌기(3421b)를 가진다. 지지대(3421a)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 지지대(3421a)는 기판(W)보다 큰 직경을 가지며, 핸드(3420)는 지지대(3421a)가 기판(W)의 주변을 감싸도록 기판(W)을 지지한다. 지지 돌기(3421b)는 지지대(3421a)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3421b)는 복수 개로 제공되며, 지지대(3421a)의 원주 방향을 따라 이격되게 위치된다. 지지 돌기(3421b)는 기판(W)이 놓여지는 안착면으로 기능한다. 지지 돌기(3421b)는 4 개로 제공되며, 기판(W)의 측부를 지지한다.
지지 로드(3423)는 지지대(3421a)와 가이드 레일(1100)을 서로 연결한다. 지지 로드(3423)는 가이드 레일(1100)에 의해 전후 방향으로 직선 이동이 가능하다. 지지 로드(3423)는 제1핸드(3420a)를 지지하는 제1지지 로드(3423a)와 제2핸드(3420b)를 지지하는 제2지지 로드(3423b)를 가진다. 이로 인해 핸드(3420)가 구동되는 과정에서 핸드(3420)를 안정적으로 지지하여, 핸드(3420)의 떨림을 최소화할 수 있다. 각 지지 로드(3423)의 형상을 설명하기 앞서, 가이드 레일(1100)을 먼저 설명한다.
가이드 레일(1100)은 지지 로드(3423)가 이동되는 방향을 안내한다. 예컨대, 지지 로드들(3423)은 수평 직선 방향으로 이동될 수 있다. 가이드 레일(1100)은 제1지지 로드(3423a)가 설치되는 제1가이드 레일(1120)과 제2지지 로드(3423b)가 설치되는 제2가이드 레일(1140)을 포함한다. 제1가이드 레일(1120)에는 제1지지 로드(3423a)가 연결되고, 제2가이드 레일(1140)에는 제2지지 로드(3423b)가 연결된다. 제1가이드 레일(1120)과 제2가이드 레일(1140)은 평행한 길이 방향을 가진다. 제1가이드 레일(1120)과 제2가이드 레일(1140)은 각각 수평 방향을 향하는 길이 방향을 가진다. 각 가이드 레일(1100)에 설치된 지지 로드들(3423)은 각 가이드 레일(1100)의 길이 방향을 따라 제1방향으로 이동 가능하다. 제1가이드 레일(1120)은 지지체(1000)의 일측면 및 타측면에 각각 설치된다. 여기서 일측면과 타측면은 서로 반대되는 측면들일 수 있다. 측부에서 바라볼 때 제1가이드 레일들(1120)은 서로 중첩되게 위치될 수 있다. 복수 개의 제2가이드 레일(1140)은 지지체(1000)의 상면에 설치된다. 상부에서 바라볼 때 각각의 제2가이드 레일(1140)은 지지체(1000)의 일측면과 타측면이 마주하는 방향으로 배열될 수 있다.
제1지지 로드(3423a)는 정면에서 바라볼 때 제2핸드(3420b) 및 제2지지 로드(3423b)를 감싸는 형상으로 제공된다. 제1지지 로드(3423a)는 상부에서 바라볼 때 제1핸드(3420a)의 후단으로부터 지지체(1000)의 양 측면을 향하는 방향으로 연장되고, 그로부터 아래로 연장되어 제1가이드 레일(1120)에 연결된다.
또한 제2지지 로드(3423b)는 제2핸드(3420b)의 후단으로부터 아래 방향으로 서로 분기되게 연장되어 각 제2가이드 레일(1140)에 연결된다. 상부에서 바라볼 때 제2지지 로드(3423b)들은 제2가이드 레일(1140)과 중첩되게 위치된다.
본 실시예의 가이드 레일(1100)의 위치와 지지 로드(3423)의 형상은 공간 효율을 향상시킨다. 즉, 제1가이드 레일(1120)과 제2가이드 레일(1140)이 지지체의 상면에만 설치되는 경우에는 지지체(1000)의 상면에 넓은 면적이 요구되며, 지지체(1000)의 측면에만 설치되는 경우에는 지지체(1000)의 측면에 보다 넓은 면적이 요구된다.
또한 본 실시예에는 제1지지 로드(3423a)와 제2지지 로드(3423b)가 단일 개로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 제1지지 로드(3423a)와 제2지지 로드(3423b) 각각은 복수 개로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제1지지 로드(3423a)와 제2지지 로드(3423b)는 각각 2 개로 제공될 수 있다.
지지체(1000)는 회전축(3425)에 의해 지지 및 회전된다. 회전축(3425)은 베이스(3426)에 설치되며, 베이스(3426) 상에서 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 회전축(3425)의 회전에 의해 지지체(1000) 및 핸드는 함께 회전될 수 있다. 베이스(3426)는 승하강이 가능하도록 제공된다. 베이스(3426)의 승하강에 의해 회전축(3425)과 핸드(3420)는 함께 승하강될 수 있다. 또한 베이스(3426)는 반송 레일(3300)을 따라 전단 버퍼(3802)와 인접한 위치에서 후단 버퍼(3804)와 인접한 위치까지 이동 가능하다. 반송 레일(3300)은 제1방향을 향하는 길이 방향을 가지도록 제공된다. 반송 레일(3300)에 설치된 베이스(3426)는 구동 부재(미도시)에 의해 제1방향으로 이동될 수 있다.
다음은 지지체(1000)에 대해 보다 자세히 설명한다. 도 7은 도 5의 반송 로봇을 보여주는 정면도이고, 도 8은 도 7의 배기 유로에서 기류의 흐름을 보여주는 단면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 지지체(1000)는 내부에 배기 유로가 형성된 몸체(1200)와 격벽(1400)을 가진다. 몸체(1200)의 양측면에는 제1가이드 레일(1120)이 각각 설치되고, 상면에는 제2가이드 레일(1140)이 설치된다. 배기 유로는 제1가이드 레일(1120)과 제2가이드 레일(1140)에 연결되게 제공되며, 감압 부재(1600)에 의해 감압된다. 배기 유로는 가이드 레일(1100)에서 지지 로드(3423)의 이동에 의해 발생되는 파티클을 억제하기 위한 것으로, 감압된다. 이에 따라 지지 로드의 이동에 의해 발생되는 파티클은 배기 유로를 통해 배기된다. 배기 유로는 제1유로(1220), 제2유로(1240), 그리고 제3유로(1260)로 제공된다.
제1유로(1220)는 제1가이드 레일(1120)로부터 연통되게 제공되고, 제2유로(1240)는 제2가이드 레일(1140)로부터 연통되게 제공된다. 제3유로(1260)는 제1유로(1220)와 제2유로(1240)가 합쳐지는 유로로 제공된다. 제3유로(1260)는 제1유로(1220) 및 제2유로(1240)에 비해 지지체의 중심축에 더 가깝게 위치된다. 제3유로(1260)는 제1유로(1220)와 제2유로(1240) 각각에 비해 낮게 위치될 수 있다. 이는 제3유로(1260)에 잔류된 파티클이 제1유로(1220) 또는 제2유로(1240)로 역류하는 것을 방지할 수 있다. 제1유로(1220)와 제2유로(1240) 각각은 제3유로(1260)에 가까워지는 방향을 따라 굴곡진 형상을 가진다. 이는 배기 유로 내에 잔류 파티클이 역류하는 것을 방지할 수 있다. 제1유로(1220)는 제1가이드 레일(1120)로부터 지지체의 중심축에 가까워지는 방향으로 연장되어 제3유로(1260)로 합쳐지고, 제2유로(1240)는 제2가이드 레일(1140)로부터 아래 방향으로 연장되어 제3유로(1260)로 합쳐진다. 이러한 제1유로(1220)와 제2유로(1240)는 격벽(1400)에 의해 굴곡진 형상을 가진다.
격벽(1400)은 제1유로(1220)와 제2유로(1240) 각각에 위치된다. 격벽(1400)은 유로 내의 기류 동선이 우회되도록 기류 흐름을 간섭한다. 제1유로(1220)에 제공되는 격벽(1400)을 제1격벽(1400)으로 정의하고, 제2유로(1240)에 제공되는 격벽(1400)을 제2격벽(1400)으로 정의한다.
제1격벽(1400)은 제1가이드 레일(1120)의 내측에서 제1가이드 레일(1120)과 마주하게 위치된다. 예컨대, 제1격벽(1400)은 제1유로(1220)를 형성하는 천장면으로부터 아래로 연장되게 제공된다. 제1격벽(1400)은 제1유로(1220)를 형성하는 바닥면으로부터 이격되게 제공된다. 따라서 제1가이드 레일(1120)을 통해 유입되는 기류 및 파티클은 굴곡진 내측 방향으로 이동될 수 있다.
제2격벽(1400)은 제2가이드 레일(1140)의 아래에서 제2가이드 레일(1140)과 마주하게 위치된다. 제2격벽(1400)은 제2가이드 레일(1140)을 통해 유입된 기류가 지지체의 중심축으로부터 멀어지는 방향으로 이동된 후에 중심축에 위치되는 제3유로(1260)로 이동되도록 안내한다. 따라서 제2가이드 레일(1140)을 통해 유입되는 기류 및 파티클은 굴곡진 아래 방향으로 이동될 수 있다. 예컨대, 제2유로(1240)를 형성하는 천장면과 바닥면 사이에는 복수의 돌기들(1442,1444)이 돌출되게 제공되어 제2유로(1240)에 흐르는 기류의 흐름을 굴곡지게 할 수 있다.
제3유로(1260)는 감압 부재(1600)에 의해 감압된다. 감압 부재(1600)는 펌프(1600)일 수 있다. 제3유로(1260)는 제1영역(1262) 및 제2영역(1264)을 가진다. 제2영역(1264)은 지지체의 중심축에 위치되는 중심 유로로 제공되고, 제1영역(1262)은 복수 개로 제공되며 제2영역(1264)으로부터 분기되는 분기 유로로 제공된다. 분기 유로(1262) 중 일부는 지지체(1000)의 중심축을 기준으로 일측에 위치된 제1유로(1220)와 제2유로(1240)가 합쳐지는 유로이고, 다른 일부는 타측에 위치된 제1유로(1220)와 제2유로(1240)가 합쳐지는 유로로 제공된다. 분기 유로(1262)는 제1격벽(1400)의 하단보다 높게 위치된다. 이에 따라 제1유로(1220)에 흐르는 기류는 제1격벽(1400)에 의해 1차 우회되고, 분기 유로(1262)의 높이에 의해 2차 우회될 수 있다.
상술한 실시예에 의하면, 핸드(3420)는 복수의 가이드 레일(1100)에 연결된 지지 로드(3423)에 의해 지지된다. 이로 인해 핸드(3420)를 단일 개의 가이드 레일(1100)에 연결된 지지 로드(3423)로 지지할 때보다 안정적으로 지지하므로, 핸드(3420)가 구동되는 과정에서 떨림을 최소화할 수 있다.
또한 가이드 레일(1100)과 연통되는 유로는 굴곡진 형상을 가진다. 이에 따라 배기 유로 내에 유입된 파티클은 역류하는 것이 어렵다.
또한 각 가이드 레일(1100)에 연결된 유로들은 제3유로(1260)로 합쳐져 하나의 감압 부재(1600)에 의해 감압된다. 이로 인해 각 유로를 배기하기 위한 복수 개의 감압 부재(1600)가 필요하지 않다.
열처리 챔버(3202)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3202)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3202)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 9는 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 10은 도 9의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 9 및 도 10을 참조하면, 열처리 챔버(3202)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.
하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.
냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.
가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 제3 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다.
반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)에 형성된 지지 돌기(3421b)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 지지 돌기(3421b)와 대응되는 수로 제공되고, 지지 돌기(3421b)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.
기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다.
열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다.
액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.
도 11은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 11을 참조하면, 액 처리 챔버(3600)는 하우징(3610), 컵(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(1000)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(1000)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(3640)은 액 처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급 유닛(1000)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다.
노즐(1100)은 기판 지지 유닛에 지지된 기판과 마주하는 공정 위치에서 기판 상에 액을 공급한다. 예컨대, 액은 포토레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 공정 위치는 노즐(1100)이 감광액을 기판의 중심으로 토출 가능한 위치일 수 있다.
다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.
또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
다음은 반송 유닛이 기판(W)을 반송하는 과정을 설명한다. 도 10은 도 4의 기판 처리 장치에서 기판이 반송되는 경로를 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 반송 유닛은 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 전단 액처리 챔버(3602), 전단 열처리 챔버(3202), 전단 버퍼(3802), 후단 액처리 챔버(3604), 후단 열처리 챔버(3206), 그리고 후단 버퍼(3408)에 기판(W)을 순차 반송한다. 반송 유닛의 스토퍼(3428)에 따라 핸드(3420) 및 지지체(3424)의 회전 경로는 달리 적용된다. 도 11은 도 10의 기판 반송 경로에 따라 스토퍼가 제1위치에 위치될 때의 핸드가 회전되는 과정을 보여주는 도면이고, 도 12는 도 10의 기판 반송 경로에 따라 스토퍼가 제2위치에 위치될 때의 핸드가 회전되는 과정을 보여주는 도면이다. 도 11 및 도 12를 참조하면, 제1위치(L1)는 액 처리 챔버에 인접한 위치이고, 제2위치(L2)는 열 처리 챔버에 인접한 위치이다. 스토퍼(3428) 위치에 따른 핸드(3420)의 회전 방향은 전단 버퍼에서 후단 열처리 챔버까지 동일하게 적용된다.
그러나 후단 열처리 챔버(3206)에서 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송하는 과정에서, 스토퍼(3428)의 위치에 따라 회전 방향에 차이가 발생된다. 도 11과 같이, 스토퍼(3428)가 제1위치(L1)에 제공되는 경우에는 핸드(3420)가 후단 열처리 챔버(3206)에서 후단 버퍼(3804)를 향하는 과정에서 90°회전된다.
이와 달리, 도 12와 같이 스토퍼(3428)가 제2위치(L2)에 제공되는 경우에는 핸드(3420)가 핸드(3420)가 후단 열처리 챔버(3206)에서 후단 버퍼(3804)를 향하는 과정에서 270°회전된다.
따라서 후단 열처리 챔버(3206)에서 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송하는 과정에서, 스토퍼(3428)가 제2위치(L2)에 제공되는 경우에는 제1위치(L1)에 제공되는 경우보다, 핸드(3420)의 회전 이동 거리가 3 배로 늘어나며, 회전 시간 또한 함께 늘어난다. 따라서 반송 유닛이 본 실시예의 레이아웃을 가지는 장치에 반송 유닛을 설치하는 경우에는 스토퍼(3428)를 제1위치(L1)에 이동시켜 설치하는 것이 바람직하다.
상술한 실시예에는 가이드(3427)가 제1위치(L1)와 제2위치(L2)를 잇는 곡선을 그리는 홈으로 설명하였다. 그러나 도 13과 같이, 가이드(3427)는 복수의 홈으로 제공될 수 있다. 홈은 제1위치(L1)와 제2위치(L2) 각각이 서로 이격되게 제공될 수 있다. 스토퍼(3428)는 제1위치(L1)에 형성된 홈과 제2위치(L2)에 형성된 홈 중 어느 하나에 설치될 수 있다.
또한 도 14와 같이, 가이드(3427)는 제1위치(L1), 제2위치(L2), 그리고 제3위치(L3)를 잇는 곡선을 그리는 홈으로 제공될 수 있다. 제1위치(L1)와 제2위치(L2)는 상술한 바와 같이 제1방향을 기준으로 서로 대칭되게 제공되는 위치일 수 있다. 제3위치(L3)는 제1방향과 평행한 방향으로 제1위치(L1) 또는 제2위치(L2)와 마주하는 위치일 수 있다. 도 14에는 제3위치(L3)가 제1방향과 평행한 방향으로 제2위치(L2)와 마주하는 위치로 도시된다. 따라서 가이드(3427)는 길이 방향을 따라 제1위치(L1)에서 제2위치(L2)를 거쳐 제3위치(L3)까지 연장되게 제공될 수 있다.
선택적으로, 가이드(3427)는 4 개 또는 그 이상의 개수의 위치를 잇는 홈으로 제공될 수 있다.
다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 다음은 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다.
기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다.
도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.
이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다.
인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다.
전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다.
반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다.
이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다.
반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다.
보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.
이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.
이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.
현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.
이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다,
제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.
이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다.
현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다.
기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다.
이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다.
상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1000: 지지체 1100: 가이드 레일
1220: 제1유로 1240: 제2유로
1600: 감압 부재 1260: 제3유로
3420: 핸드 3423: 지지 로드

Claims (19)

  1. 기판을 반송하는 유닛에 있어서,
    지지체와;
    기판이 놓이는 제1핸드와;
    상기 제1핸드와 적층되게 위치되며, 기판이 놓이는 제2핸드와;
    상기 지지체에 제공되며, 상기 제1핸드를 지지하는 제1지지 로드의 이동을 안내하는 제1가이드 레일과;
    상기 지지체에 제공되며, 상기 제2핸드를 지지하는 제2지지 로드의 이동을 안내하는 제2가이드 레일과;
    상기 지지체의 내부에 제공되는 배기 유로를 감압하는 감압 부재를 포함하되,
    상기 배기 유로는,
    상기 제1가이드 레일에 연통되게 제공되는 제1유로와;
    상기 제2가이드 레일에 연통되게 제공되는 제2유로와;
    상기 제1유로와 상기 제2유로가 합쳐지는 제3유로를 포함하되,
    상기 감압 부재는 상기 제3유로를 감압하는 반송 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1유로와 상기 제2유로 각각은 굴곡지게 제공되는 굴곡부를 가지는 반송 유닛.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1가이드 레일은 상기 지지체의 측면에 형성되고,
    상기 제2가이드 레일은 상기 지지체의 상면에 형성되는 반송 유닛.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 지지체는,
    상기 배기 유로, 상기 제1가이드 레일, 그리고 상기 제2가이드 레일이 제공되는 몸체와;
    상기 제1유로 내에 위치되며, 상기 제1유로 내의 기류 동선이 우회되도록 기류 흐름을 간섭하는 제1격벽과;
    상기 제2유로 내에 위치되며, 상기 제2유로 내의 기류 동선이 우회되도록 기류 흐름을 간섭하는 제2격벽을 포함하되,
    상기 제3유로는 상기 제1유로 및 상기 제2유로에 비해 상기 몸체의 중심축에 더 가깝게 위치되는 반송 유닛.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1격벽은 상기 제1가이드 레일의 내측에서 상기 제1가이드 레일과 마주하게 위치되는 반송 유닛.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1격벽은 상기 제1유로를 형성하는 천장면으로부터 아래로 연장되며, 상기 제1유로를 형성하는 바닥면으로부터 이격되게 위치되는 반송 유닛.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2격벽은 상기 제2가이드 레일의 아래에서 상기 제2가이드 레일과 마주하게 위치되는 반송 유닛.
  8. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3유로는 상기 제1유로와 상기 제2유로가 합쳐지며 상기 중심축에 가까워지는 방향으로 연장되는 제1영역과 상기 제1영역으로부터 아래로 연장되는 제2영역을 가지며,
    상기 제1영역은 상기 제1격벽의 하단보다 높게 위치되는 반송 유닛.
  9. 기판을 반송하는 유닛에 있어서,
    지지체와;
    기판이 놓이는 제1핸드와;
    상기 제1핸드와 적층되게 위치되며, 기판이 놓이는 제2핸드와;
    상기 지지체에 제공되며, 상기 제1핸드를 지지하는 제1지지 로드의 이동을 안내하는 제1가이드 레일과;
    상기 지지체에 제공되며, 상기 제2핸드를 지지하는 제2지지 로드의 이동을 안내하는 제2가이드 레일을 포함하되,
    상기 제1가이드 레일은 상기 지지체의 측면에 형성되고,
    상기 제2가이드 레일은 상기 지지체의 상면에 형성되는 반송 유닛.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1가이드 레일와 상기 제2가이드 레일은 각각 복수 개로 제공되며,
    복수의 상기 제1가이드 레일은 상기 지지체의 양 측면에 각각 제공되고,
    복수의 상기 제2가이드 레일은 상기 지지체의 상면에 각각 제공되며,
    상기 제1지지 로드는 복수의 상기 제1가이드 레일에 각각 연결되고,
    상기 제2지지 로드는 복수의 상기 제2가이드 레일에 각각 연결되는 반송 유닛.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1핸드는 상기 제2핸드의 상부에 위치되는 반송 유닛.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 지지체의 내부에 제공되는 배기 유로를 감압하는 감압 부재를 포함하되,
    상기 배기 유로는,
    상기 제1가이드 레일에 연통되게 제공되는 제1유로와;
    상기 제2가이드 레일에 연통되게 제공되는 제2유로와;
    상기 제1유로와 상기 제2유로가 합쳐지는 제3유로를 포함하고,
    상기 감압 부재는 상기 제3유로를 감압하는 반송 유닛.
  13. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    제1유닛과;
    상기 제2유닛과;
    상기 제1유닛과 상기 제2유닛 간에 기판을 반송하는 반송 유닛을 포함하되,
    상기 반송 유닛은.
    지지체와;
    기판이 놓이는 제1핸드와;
    상기 제1핸드와 적층되게 위치되며, 기판이 놓이는 제2핸드와;
    상기 지지체에 제공되며, 상기 제1핸드를 지지하는 제1지지 로드의 이동을 안내하는 제1가이드 레일과;
    상기 지지체에 제공되며, 상기 제2핸드를 지지하는 제2지지 로드의 이동을 안내하는 제2가이드 레일과;
    상기 지지체의 내부에 제공되는 배기 유로를 감압하는 감압 부재를 포함하되,
    상기 배기 유로는,
    상기 제1가이드 레일에 연통되게 제공되는 제1유로와;
    상기 제2가이드 레일에 연통되게 제공되는 제2유로와;
    상기 제1유로와 상기 제2유로가 합쳐지는 제3유로를 포함하되,
    상기 감압 부재는 상기 제3유로를 감압하는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1유로와 상기 제2유로 각각은 상기 제3유로에 가까워지는 방향으로 따라 굴곡지게 제공되는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1가이드 레일은 상기 지지체의 측면에 형성되고,
    상기 제2가이드 레일은 상기 지지체의 상면에 형성되는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 지지체는,
    상기 배기 유로, 상기 제1가이드 레일, 그리고 상기 제2가이드 레일이 제공되는 몸체와;
    상기 제1유로 내에 위치되며, 상기 제1유로 내의 기류 동선이 우회되도록 기류 흐름을 간섭하는 제1격벽과;
    상기 제2유로 내에 위치되며, 상기 제2유로 내의 기류 동선이 우회되도록 기류 흐름을 간섭하는 제2격벽을 포함하되,
    상기 제3유로는 상기 제1유로 및 상기 제2유로에 비해 상기 몸체의 중심축에 더 가깝게 위치되는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1격벽은 상기 제1가이드 레일의 내측에서 상기 제1가이드 레일과 마주하게 위치되는 기판 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1격벽은 상기 제1유로를 형성하는 천장면으로부터 아래로 연장되며, 상기 제1유로를 형성하는 바닥면으로부터 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제2격벽은 상기 제2가이드 레일의 아래에서 상기 제2가이드 레일과 마주하게 위치되는 기판 처리 장치.





KR1020190088354A 2019-07-22 2019-07-22 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 KR102280034B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190088354A KR102280034B1 (ko) 2019-07-22 2019-07-22 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JP2020123821A JP7236411B2 (ja) 2019-07-22 2020-07-20 搬送ユニット及びこれを有する基板処理装置
US16/935,602 US11651979B2 (en) 2019-07-22 2020-07-22 Transfer unit and apparatus for treating substrate
CN202010713689.8A CN112289722B (zh) 2019-07-22 2020-07-22 用于处理基板的传送单元和装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190088354A KR102280034B1 (ko) 2019-07-22 2019-07-22 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210011202A true KR20210011202A (ko) 2021-02-01
KR102280034B1 KR102280034B1 (ko) 2021-07-21

Family

ID=74189152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190088354A KR102280034B1 (ko) 2019-07-22 2019-07-22 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11651979B2 (ko)
JP (1) JP7236411B2 (ko)
KR (1) KR102280034B1 (ko)
CN (1) CN112289722B (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060122287A (ko) * 2005-05-26 2006-11-30 세메스 주식회사 파티클을 효과적으로 흡입 배출할 수 있는 기판 반송 장치
KR20100033115A (ko) * 2008-09-19 2010-03-29 세메스 주식회사 기판 이송 장치, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이의 기판 이송 방법
KR20110061497A (ko) * 2009-12-01 2011-06-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치 및 기판 처리 시스템
KR20150014137A (ko) * 2013-07-29 2015-02-06 주식회사 티이에스 기판이송장치
JP2018064024A (ja) * 2016-10-12 2018-04-19 株式会社ダイフク 物品搬送設備

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2960181B2 (ja) * 1991-02-15 1999-10-06 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR20060021578A (ko) 2004-09-03 2006-03-08 주성엔지니어링(주) 기판의 오염방지수단을 포함하는 기판이송로봇
JP4606348B2 (ja) 2006-03-06 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法並びに記憶媒体
JP4950745B2 (ja) * 2007-04-19 2012-06-13 株式会社ダイヘン 搬送装置
US8757026B2 (en) * 2008-04-15 2014-06-24 Dynamic Micro Systems, Semiconductor Equipment Gmbh Clean transfer robot
KR102099432B1 (ko) * 2013-03-25 2020-04-09 세메스 주식회사 기판반송장치, 이를 가지는 기판처리설비, 그리고 기판반송방법
KR20150014147A (ko) * 2013-07-29 2015-02-06 윤일식 엘리베이터 도어에 설치된 모니터의 완충지지장치
KR101958636B1 (ko) * 2016-10-31 2019-03-18 세메스 주식회사 기판 지지 장치 및 이를 가지는 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법
KR102000021B1 (ko) * 2016-11-30 2019-07-17 세메스 주식회사 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102041318B1 (ko) * 2017-10-17 2019-11-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060122287A (ko) * 2005-05-26 2006-11-30 세메스 주식회사 파티클을 효과적으로 흡입 배출할 수 있는 기판 반송 장치
KR20100033115A (ko) * 2008-09-19 2010-03-29 세메스 주식회사 기판 이송 장치, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이의 기판 이송 방법
KR20110061497A (ko) * 2009-12-01 2011-06-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치 및 기판 처리 시스템
KR20150014137A (ko) * 2013-07-29 2015-02-06 주식회사 티이에스 기판이송장치
JP2018064024A (ja) * 2016-10-12 2018-04-19 株式会社ダイフク 物品搬送設備

Also Published As

Publication number Publication date
JP7236411B2 (ja) 2023-03-09
CN112289722B (zh) 2023-10-10
CN112289722A (zh) 2021-01-29
KR102280034B1 (ko) 2021-07-21
US20210028030A1 (en) 2021-01-28
US11651979B2 (en) 2023-05-16
JP2021019205A (ja) 2021-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20200030653A (ko) 기판 처리 장치
KR102000013B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210011197A (ko) 기판 처리 장치
KR102280034B1 (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102397850B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102282145B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102010265B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102037900B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102315666B1 (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20210052796A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102289939B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102583261B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20190135169A (ko) 기판 처리 장치
KR102259066B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102255278B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102081707B1 (ko) 밸브 유닛 및 액 공급 유닛
KR102403199B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102303595B1 (ko) 지지유닛 및 기판 처리 장치
KR102204883B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20220094021A (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102081704B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20220094023A (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20210025351A (ko) 반송 유닛
KR20220094020A (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20220094018A (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant