KR20210009892A - A temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus - Google Patents

A temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20210009892A
KR20210009892A KR1020190087038A KR20190087038A KR20210009892A KR 20210009892 A KR20210009892 A KR 20210009892A KR 1020190087038 A KR1020190087038 A KR 1020190087038A KR 20190087038 A KR20190087038 A KR 20190087038A KR 20210009892 A KR20210009892 A KR 20210009892A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base body
heat transfer
temperature control
substrate
support unit
Prior art date
Application number
KR1020190087038A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102277548B1 (en
Inventor
방제오
조민우
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190087038A priority Critical patent/KR102277548B1/en
Publication of KR20210009892A publication Critical patent/KR20210009892A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102277548B1 publication Critical patent/KR102277548B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

The present invention provides a plate for controlling the temperature of a substrate. The plate for controlling the temperature of the substrate, which extends in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above, comprises: a base body including a first material; and a heat transfer member provided on the base body and including a second material, wherein the first material has a heat transfer rate in the first direction and the second direction greater than a heat transfer rate in the first direction and a third direction perpendicular to the second direction, and the heat transfer rate in the third direction can be greater in the second material than in the first material.

Description

온도 조절 플레이트, 지지 유닛, 그리고 기판 처리 장치{A temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus}A temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus.

본 발명은 온도 조절 플레이트, 지지 유닛, 그리고 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 에칭, 그리고 이온 주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 사진 공정은 반도체 소자의 고 집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. The photographic process performed to form a pattern plays an important role in achieving high integration of semiconductor devices.

사진 공정은 기판 상에 패턴을 형성하기 위해 수행된다. 사진 공정은 도포 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정이 순차적으로 진행되며, 각 공정들은 복수의 기판 처리 단계들을 포함한다. 이러한 기판 처리 단계들은 하나의 처리 단계가 진행된 후 다음 단계의 진행을 위해 기판을 임시 보관하는 과정을 거친다. 기판을 임시 보관하는 과정 중에는, 일반적으로 처리가 완료된 기판이 고온의 상태를 유지하므로, 이를 냉각시키기 위한 기판을 냉각시키는 공정이 수행된다. 따라서, 일반적으로 기판에 대해 사진 공정을 수행하는 기판 처리 장치는 기판을 임시 보관하는 과정 중에 기판을 냉각시키는 냉각 플레이트를 포함한다.The photo process is performed to form a pattern on the substrate. In the photographic process, a coating process, an exposure process, and a developing process are sequentially performed, and each process includes a plurality of substrate processing steps. These substrate processing steps go through a process of temporarily storing a substrate for the next step after one processing step is performed. During the process of temporarily storing the substrate, since the processed substrate is generally maintained at a high temperature, a process of cooling the substrate for cooling the substrate is performed. Therefore, in general, a substrate processing apparatus for performing a photographic process on a substrate includes a cooling plate for cooling the substrate during the temporary storage process.

도 1은 일반적인 냉각 플레이트의 일부를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면 냉각 플레이트(5000)는 베이스(5100)를 가진다. 베이스(5100)는 알루미늄을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 베이스(5100) 내에는 냉각 유로(5200)가 형성된다. 냉각 유로(5200)에는 냉각 유체가 흐른다. 냉각 유체는 항온수일 수 있다. 또한, 베이스(5100)의 표면에는 막(5300)이 제공될 수 있다. 막(5300)은 베이스(5100)를 애노다이징(anodizing) 처리하여 형성될 수 있다.1 is a cross-sectional view showing a part of a general cooling plate. Referring to FIG. 1, the cooling plate 5000 has a base 5100. The base 5100 may be made of a material including aluminum. A cooling passage 5200 is formed in the base 5100. A cooling fluid flows through the cooling passage 5200. The cooling fluid may be constant temperature water. Further, a film 5300 may be provided on the surface of the base 5100. The film 5300 may be formed by anodizing the base 5100.

냉각 유로(5200)에 흐르는 냉각 유체는 베이스(5100)의 온도를 조절한다. 예컨대, 냉각 유체는 베이스(5100)의 온도를 낮출 수 있다. 냉각 유체의 냉열은 냉각 유로(5200)와 인접한 영역에서 냉각 유로(5200)와 먼 영역으로 전달된다. 이에, 베이스(5100)의 온도는 낮아진다. 베이스(5100)는 금속을 포함하는 재질로 제공된다. 즉, 베이스(5100)의 온도 전환은 베이스(5100)의 재질에 영향을 받는다. 최근 기판(W)에 대한 미세한 처리가 요구되면서 냉각 플레이트(5000)의 미세 온도 조절이 요구된다. 그러나, 냉각 유로(5200)에 항온수가 흘러 베이스(5100)가 설정 온도로 전환되기 위해서는 많은 시간이 소요된다. 일 예로, 냉각 유로(5200)에 항온수가 흐르는 경우, 항온수와 베이스(5100) 사이에는 열 교환이 이루어진다. 그러나, 일정 시간이 지난 이후 열 교환이 적어져, 베이스(5100)의 온도가 설정 온도에 이르는데 많은 시간이 소요된다. 또한, 베이스(5100)가 설정 온도에 이르는 시간 동안 기판에 대한 냉각 처리는 균일하게 수행되지 못한다. 또한, 베이스(5100) 표면에 제공되는 막(5300)은 베이스(5100)의 열전도도를 저하시킨다.The cooling fluid flowing through the cooling passage 5200 controls the temperature of the base 5100. For example, the cooling fluid may lower the temperature of the base 5100. The cold heat of the cooling fluid is transferred from a region adjacent to the cooling passage 5200 to a region far from the cooling passage 5200. Accordingly, the temperature of the base 5100 is lowered. The base 5100 is made of a material containing metal. That is, the temperature conversion of the base 5100 is affected by the material of the base 5100. Recently, as a fine treatment for the substrate W is required, fine temperature control of the cooling plate 5000 is required. However, it takes a lot of time for constant temperature water to flow through the cooling passage 5200 and convert the base 5100 to a set temperature. For example, when constant temperature water flows through the cooling passage 5200, heat exchange is performed between the constant temperature water and the base 5100. However, after a certain period of time, heat exchange is reduced, and it takes a long time for the temperature of the base 5100 to reach the set temperature. In addition, the cooling process for the substrate is not uniformly performed during the time when the base 5100 reaches the set temperature. In addition, the film 5300 provided on the surface of the base 5100 lowers the thermal conductivity of the base 5100.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 온도 조절 플레이트, 지지 유닛, 그리고 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus capable of efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판에 대한 냉각 처리를 효율적으로 수행할 수 있는 온도 조절 플레이트, 지지 유닛, 그리고 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus capable of efficiently performing cooling treatment on a substrate.

또한, 본 발명은 온도 조절 플레이트의 온도 조절을 용이하게 수행할 수 있는 온도 조절 플레이트, 지지 유닛, 그리고 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus capable of easily adjusting the temperature of the temperature control plate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 지지하는 지지 유닛을 제공한다. 기판을 지지하는 지지 유닛은, 상부에서 바라볼 때 제1방향, 그리고 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 연장되는 온도 조절 플레이트를 포함하고, 상기 온도 조절 플레이트는, 제1재질을 포함하는 베이스 바디와; 상기 베이스 바디에 제공되며, 제2재질을 포함하는 열 전달 부재를 포함하되, 상기 제1재질은 상기 제1방향 및 상기 제2방향으로의 열 전달률이 상기 제1방향 및 상기 제2방향에 수직한 제3방향으로의 열 전달률보다 크고, 상기 제3방향으로의 열 전달률은 상기 제2재질이 상기 제1재질보다 클 수 있다.The present invention provides a support unit for supporting a substrate. The support unit for supporting the substrate includes a temperature control plate extending in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction when viewed from the top, and the temperature control plate includes a first material. A base body; And a heat transfer member provided on the base body and comprising a second material, wherein the first material has a heat transfer rate in the first direction and the second direction perpendicular to the first direction and the second direction. A heat transfer rate in one third direction may be greater, and a heat transfer rate in the third direction may be greater in the second material than in the first material.

일 실시 예에 의하면, 상기 열 전달 부재는 상기 베이스 바디에 형성된 홀에 제공될 수 있다.According to an embodiment, the heat transfer member may be provided in a hole formed in the base body.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상하 방향으로 형성될 수 있다.According to an embodiment, the hole may be formed in a vertical direction.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 하단까지 연장되어 형성될 수 있다.According to an embodiment, the hole may be formed by extending from the top to the bottom of the base body.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 홀은 복수 개가 서로 이격되어 상기 베이스 바디에 형성될 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body A plurality of holes may be spaced apart from each other to be formed in the base body.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 홀들은 격자 형식으로 배열될 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The holes may be arranged in a grid form.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 제1재질은 탄소계 복합 소재이고, 상기 제2재질은 금속 소재일 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The first material may be a carbon-based composite material, and the second material may be a metal material.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 제1재질의 비중은 상기 제2재질의 비중보다 작을 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The specific gravity of the first material may be smaller than that of the second material.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 베이스 바디에는 유로가 형성되고, 상기 유닛은, 상기 유로로 온도 조절 유체를 공급하는 유체 공급 부재를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body A flow path is formed in the base body, and the unit may further include a fluid supply member supplying a temperature control fluid to the flow path.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 유로는 인접하는 상기 홀들 사이의 영역을 경유하도록 형성될 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The flow path may be formed to pass through a region between adjacent holes.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 온도 조절 플레이트에는, 상기 베이스 바디의 표면에 제공되는 금속층과; 상기 금속층을 감싸며 상기 금속층의 확산을 방지하는 확산 방지층이 제공될 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The temperature control plate includes a metal layer provided on the surface of the base body; A diffusion barrier layer may be provided that surrounds the metal layer and prevents diffusion of the metal layer.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 금속층은 구리(Cu)를 포함하는 재질로 제공되고, 상기 확산 방지층은 니켈(Ni)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The metal layer may be made of a material containing copper (Cu), and the diffusion barrier layer may be made of a material containing nickel (Ni).

또한, 본 발명은 기판의 온도를 조절하는 플레이트를 제공한다. 기판의 온도를 조절하는 플레이트는, 상부에서 바라볼 때 제1방향, 그리고 제1방향과 수직한 제2방향으로 연장되며 제1재질을 포함하는 베이스 바디와; 상기 베이스 바디에 제공되며, 제2재질을 포함하는 열 전달 부재를 포함하되, 상기 제1재질은 상기 제1방향 및 상기 제2방향으로의 열 전달률이 상기 제1방향 및 상기 제2방향에 수직한 제3방향으로의 열 전달률보다 크고, 상기 제3방향으로의 열 전달률은 상기 제2재질이 상기 제1재질보다 클 수 있다.In addition, the present invention provides a plate for controlling the temperature of the substrate. The plate for controlling the temperature of the substrate may include a base body extending in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction and including a first material when viewed from above; And a heat transfer member provided on the base body and comprising a second material, wherein the first material has a heat transfer rate in the first direction and the second direction perpendicular to the first direction and the second direction. A heat transfer rate in one third direction may be greater, and a heat transfer rate in the third direction may be greater in the second material than in the first material.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 열 전달 부재는 상기 베이스 바디에 형성된 홀에 제공될 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The heat transfer member may be provided in a hole formed in the base body.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 베이스 바디에는 온도 조절 유체가 흐르는 유로가 형성될 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body A flow path through which a temperature control fluid flows may be formed in the base body.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 제1재질은 탄소계 복합 소재이고, 상기 제2재질은 금속 소재일 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The first material may be a carbon-based composite material, and the second material may be a metal material.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 베이스 바디의 표면에 제공되는 금속층과; 상기 금속층을 감싸며 상기 금속층의 확산을 방지하는 확산 방지층이 제공될 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body A metal layer provided on the surface of the base body; A diffusion barrier layer may be provided that surrounds the metal layer and prevents diffusion of the metal layer.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판이 수납된 용기가 놓이는 로드 포트가 제공되는 인덱스 모듈과; 상기 인덱스 모듈로부터 반송되는 기판을 처리하는 처리 모듈을 포함하고, 상기 처리 모듈은, 기판을 처리하는 공정 챔버와; 기판을 일시적으로 보관하는 버퍼 챔버를 포함하고, 상기 버퍼 챔버는, 내부에 공간을 가지는 하우징과; 상기 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은, 상부에서 바라볼 때 제1방향, 그리고 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 연장되는 온도 조절 플레이트를 포함하고, 상기 온도 조절 플레이트는, 제1재질을 포함하는 베이스 바디와; 상기 베이스 바디에 제공되며, 제2재질을 포함하는 열 전달 부재를 포함하되, 상기 제1재질은 상기 제1방향 및 상기 제2방향으로의 열 전달률이 상기 제1방향 및 상기 제2방향에 수직한 제3방향으로의 열 전달률보다 크고, 상기 제3방향으로의 열 전달률은 상기 제2재질이 상기 제1재질보다 클 수 있다.Further, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes: an index module provided with a load port in which a container in which a substrate is stored is placed; And a processing module for processing a substrate conveyed from the index module, wherein the processing module includes: a processing chamber for processing a substrate; And a buffer chamber for temporarily storing a substrate, the buffer chamber comprising: a housing having a space therein; And a support unit for supporting the substrate in the space, wherein the support unit includes a temperature control plate extending in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction, the temperature The control plate includes: a base body including a first material; And a heat transfer member provided on the base body and comprising a second material, wherein the first material has a heat transfer rate in the first direction and the second direction perpendicular to the first direction and the second direction. A heat transfer rate in one third direction may be greater, and a heat transfer rate in the third direction may be greater in the second material than in the first material.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 열 전달 부재는 상기 베이스 바디에 상하 방향으로 형성된 홀에 제공될 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The heat transfer member may be provided in a hole formed in the base body in a vertical direction.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 하단까지 연장되어 형성될 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The hole may be formed to extend from the top to the bottom of the base body.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 제1재질은 탄소계 복합 소재이고, 상기 제2재질은 금속 소재일 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The first material may be a carbon-based composite material, and the second material may be a metal material.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 베이스 바디에는 유로가 형성되고, 상기 유닛은, 상기 유로로 온도 조절 유체를 공급하는 유체 공급 부재를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body A flow path is formed in the base body, and the unit may further include a fluid supply member supplying a temperature control fluid to the flow path.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 온도 조절 플레이트에는, 상기 베이스 바디의 표면에 제공되는 금속층과; 상기 금속층을 감싸며 상기 금속층의 확산을 방지하는 확산 방지층이 제공될 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The temperature control plate includes a metal layer provided on the surface of the base body; A diffusion barrier layer may be provided that surrounds the metal layer and prevents diffusion of the metal layer.

일 실시 예에 의하면, 상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 상기 금속층은 구리(Cu)를 포함하는 재질로 제공되고, 상기 확산 방지층은 니켈(Ni)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the hole is from the top of the base body The metal layer may be made of a material containing copper (Cu), and the diffusion barrier layer may be made of a material containing nickel (Ni).

본 발명의 일 실시 예에 의하면 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to efficiently process a substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 기판에 대한 냉각 처리를 효율적으로 수행할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to efficiently perform a cooling process on a substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 온도 조절 플레이트의 온도 조절을 용이하게 수행할 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, it is possible to easily control the temperature of the temperature control plate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects that are not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 냉각 플레이트의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 유닛의 핸드를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 8은 도 4의 버퍼 챔버를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 9는 도 8의 지지 유닛, 버퍼 플레이트 및 지지축을 보여주는 사시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 11은 도 10의 온도 조절 플레이트의 일부를 보여주는 사시도이다.
도 12는 도 10의 온도 조절 플레이트의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 11의 베이스 바디에서 열이 전달되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 14는 도 12의 열 전달 부재가 열을 전달하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 온도 조절 플레이트의 일부를 보여주는 사시도이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 온도 조절 플레이트의 일부를 보여주는 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a part of a general cooling plate.
2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing the coating block or the developing block of FIG. 2.
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2.
5 is a view showing a hand of the transfer unit of FIG. 4.
6 is a cross-sectional plan view schematically showing the heat treatment chamber of FIG. 4.
7 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 6.
8 is a perspective view schematically showing the buffer chamber of FIG. 4.
9 is a perspective view showing a support unit, a buffer plate, and a support shaft of FIG. 8.
10 is a plan view showing a support unit according to an embodiment of the present invention.
11 is a perspective view showing a part of the temperature control plate of FIG. 10.
12 is a cross-sectional view showing a part of the temperature control plate of FIG. 10.
13 is a view showing a state in which heat is transferred from the base body of FIG. 11.
14 is a view showing a state in which the heat transfer member of FIG. 12 transfers heat.
15 is a perspective view showing a part of a temperature control plate according to another embodiment of the present invention.
16 is a perspective view showing a part of a temperature control plate according to another embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for portions having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features or It is to be understood that the presence or addition of numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof does not preclude the possibility of preliminary exclusion.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

도 2는 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.2 is a perspective view schematically showing the substrate processing apparatus of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 2, and FIG. 4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12) 및 제2방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3방향(16)이라 한다.Referring to FIGS. 2 to 4, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to an embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as the first direction 12, and the direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as The second direction 14 is referred to as the third direction 16 is referred to as a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30, and stores the processed substrate W into the container 10. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 based on the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and a plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a container 10 for sealing such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 10 can be placed on the load port 22 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. have.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 in which the longitudinal direction is provided in the second direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which a substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and performs a third direction 16. It may be provided to be movable along.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has a coating block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a developing process on the substrate W. A plurality of coating blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of FIG. 3, two coating blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The coating blocks 30a may be disposed under the developing blocks 30b. According to an example, the two coating blocks 30a perform the same process and may be provided in the same structure. In addition, the two developing blocks 30b perform the same process with each other, and may be provided with the same structure.

도 4를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액 처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 4, the coating block 30a includes a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 within the coating block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12. A transfer unit 3420 is provided in the transfer chamber 3400. The transfer unit 3420 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid processing chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to an example, the transfer unit 3420 has a hand A on which the substrate W is placed, and the hand A moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and the third direction. It may be provided to be movable along (16). In the conveyance chamber 3400, a guide rail 3300 whose longitudinal direction is provided in parallel with the first direction 12 may be provided, and the conveyance unit 3420 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 5는 도 4의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.5 is a view showing an example of a hand of the transfer unit of FIG. 4. 4, the hand (A) has a base (3428) and a support protrusion (3429). The base 3428 may have an annular ring shape in which a part of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inwardly from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 are provided and support an edge region of the substrate W. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

다시 도 3과 도 4를 참조하면, 열 처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열 처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열 처리 챔버(3200)들은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.Referring back to FIGS. 3 and 4, a plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. The heat treatment chambers 3200 are arranged to be lined up along the first direction 12. The heat treatment chambers 3200 are located on one side of the transfer chamber 3400.

도 6은 도 4의 열처리 챔버를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 처리 용기(3201), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230)을 포함한다.6 is a plan view schematically showing the heat treatment chamber of FIG. 4, and FIG. 7 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 6. The heat treatment chamber 3200 includes a processing vessel 3201, a cooling unit 3220, and a heating unit 3230.

처리 용기(3201)는 내부 공간(3202)을 가진다. 처리 용기(3201)는 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 처리 용기(3201)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(미도시)가 형성된다. 또한, 반입구를 개폐하도록 도어(미도시)가 제공될 수 있다. 반입구는 선택적으로 개방된 상태로 유지될 수 있다. 반입구는 냉각 유닛(3220)과 인접한 영역에 형성될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 측정 유닛(3240)은 처리 용기(3201)의 내부 공간(3202) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 처리 용기(3201)에는 배기 라인(3210)이 연결될 수 있다. 배기 라인(3210)은 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스를 처리 용기(3201)의 외부로 배기할 수 있다. 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 하부에 연결될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 측부 등에 연결될 수 있다.The processing vessel 3201 has an inner space 3202. The processing container 3201 is provided in a substantially rectangular parallelepiped shape. A carrying port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the processing container 3201. In addition, a door (not shown) may be provided to open and close the entrance. The entrance can optionally be kept open. The carrying inlet may be formed in a region adjacent to the cooling unit 3220. The cooling unit 3220, the heating unit 3230, and the measuring unit 3240 are provided in the inner space 3202 of the processing container 3201. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14. An exhaust line 3210 may be connected to the processing vessel 3201. The exhaust line 3210 may exhaust the gas supplied by the fan unit 3250 to the outside of the processing container 3201. The exhaust line 3210 may be connected to the lower portion of the processing vessel 3201. However, the present invention is not limited thereto, and the exhaust line 3210 may be connected to a side of the processing container 3201 or the like.

냉각 유닛(3220)은 냉각 플레이트(3222)를 가진다. 냉각 플레이트(3222)에는 기판(W)이 안착될 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각 플레이트(3222)에는 냉각 부재(미도시)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 부재는 냉각 플레이트(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. 이에 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)을 냉각시킬 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)과 대응하는 직경을 가질 수 있다. 냉각 플레이트(3222)의 가장 자리에는 노치가 형성될 수 있다. 노치는 상술한 핸드(A)에 형성된 지지 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치는 핸드(A)에 형성된 지지 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 지지 돌기(3429)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 핸드(A)와 냉각 플레이트(3222)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 냉각 플레이트(3222) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 냉각 플레이트(3222)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3224)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3224)은 냉각 플레이트(3222)의 끝단에서 냉각 플레이트(3222)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3224)은 그 길이 방향이 제2방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3224)들은 제1방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3224)은 냉각 플레이트(3222)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 냉각 플레이트(3222)와 리프트 핀(3236)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The substrate W may be mounted on the cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. A cooling member (not shown) is provided on the cooling plate 3222. According to an example, the cooling member is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows. Accordingly, the cooling plate 3222 may cool the substrate W. The cooling plate 3222 may have a diameter corresponding to the substrate W. A notch may be formed at the edge of the cooling plate 3222. The notch may have a shape corresponding to the support protrusion 3429 formed in the hand A described above. In addition, the notch is provided in a number corresponding to the support protrusion 3429 formed on the hand A, and may be formed at a position corresponding to the support protrusion 3429. When the upper and lower positions of the hand A and the cooling plate 3222 are changed, the substrate W is transferred between the hand A and the cooling plate 3222. The cooling plate 3222 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3224. The guide groove 3224 extends from the end of the cooling plate 3222 to the inside of the cooling plate 3222. The guide groove 3224 is provided along the second direction 14 in its longitudinal direction, and the guide grooves 3224 are positioned to be spaced apart from each other along the first direction 12. The guide groove 3224 prevents the cooling plate 3222 and the lift pin 3236 from interfering with each other when the substrate W is handed over between the cooling plate 3222 and the heating unit 3230.

냉각 플레이트(3222)는 지지 부재(3237)에 의해 지지될 수 있다. 지지 부재(3237)는 막대 형상의 제1지지 부재와 제1지지 부재의 중단에 결합되는 제2지지 부재를 포함할 수 있다. 제1지지 부재의 일단과 타단은 구동기(3226)와 결합된다. 구동기(3226)는 가이드 레일(3229) 상에 장착된다. 가이드 레일(3229)은 상부에서 바라볼 때, 그 길이 방향이 제2방향(14)이고 처리 용기(3201)의 양측에 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 가이드 레일(3229)에 장착되는 구동기(3226)에 의해 제2방향(14)을 따라 이동할 수 있다. The cooling plate 3222 may be supported by the support member 3237. The support member 3237 may include a rod-shaped first support member and a second support member coupled to the middle of the first support member. One end and the other end of the first support member are coupled to the driver 3226. The driver 3226 is mounted on the guide rail 3229. When viewed from above, the guide rail 3229 has a second direction 14 in its longitudinal direction and may be provided on both sides of the processing container 3201. The cooling plate 3222 may be moved along the second direction 14 by a driver 3226 mounted on the guide rail 3229.

가열 유닛(3230)은 하우징(3232), 가열 플레이트(3234), 히터(3235), 리프트 핀(3236), 그리고 구동 부재(3238)를 포함할 수 있다. 하우징(3232)은 바디, 그리고 커버를 포함할 수 있다. 바디는 커버의 하부에 배치될 수 있다. 바디는 상부가 개방된 형상을 가질 수 있다. 바디는 상부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 커버는 바디의 상부를 덮을 수 있다. 커버는 하부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 이와 달리 커버는 바디의 상부를 덮는 판 형상을 가질 수도 있다. 바디와 커버는 서로 조합되어 처리 공간(3233)을 형성할 수 있다. 또한, 커버는 커버를 상하 방향으로 이동시키는 구동 부재(3238)와 연결될 수 있다. 이에, 커버는 상하 방향으로 이동하여 처리 공간(3233)을 개폐할 수 있다. 예컨대, 기판(W)이 처리 공간(3233)으로 반입 또는 반입되는 경우 커버는 상승하여, 처리 공간(3233)을 개방할 수 있다. 또한, 기판(W)이 처리 공간(3233)에서 처리되는 경우 커버를 하강하여 처리 공간(3233)을 폐쇄할 수 있다.The heating unit 3230 may include a housing 3232, a heating plate 3234, a heater 3235, a lift pin 3236, and a driving member 3238. The housing 3232 may include a body and a cover. The body may be disposed under the cover. The body may have an open top. The body may have a cylindrical shape with an open top. The cover may cover the upper part of the body. The cover may have a cylindrical shape with an open bottom. Alternatively, the cover may have a plate shape covering the upper portion of the body. The body and the cover may be combined with each other to form a processing space 3233. In addition, the cover may be connected to a driving member 3238 for moving the cover in the vertical direction. Accordingly, the cover may move in the vertical direction to open and close the processing space 3233. For example, when the substrate W is carried in or carried into the processing space 3233, the cover may rise to open the processing space 3233. In addition, when the substrate W is processed in the processing space 3233, the cover may be lowered to close the processing space 3233.

가열 플레이트(3234)는 처리 공간(3233)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 가열 플레이트(3234)에는 기판(W)이 안착될 수 있다. 가열 플레이트(3234)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열 플레이트(3234)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열 플레이트(3234)에는 히터(3235)가 설치된다. 히터(3235)는 전류가 인가되는 발열 저항체로 제공될 수 있다. 이에 가열 플레이트(3234)는 기판(W)을 가열할 수 있다. 가열 플레이트(3234)에는 제3방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3236)들이 제공된다. 리프트 핀(3236)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열 플레이트(3234) 상에 내려놓거나 가열 플레이트(3234)로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3236)은 3개가 제공될 수 있다. The heating plate 3234 may support the substrate W in the processing space 3233. The substrate W may be mounted on the heating plate 3234. The heating plate 3234 has a generally circular shape when viewed from the top. The heating plate 3234 has a larger diameter than the substrate W. A heater 3235 is installed on the heating plate 3234. The heater 3235 may be provided as a heating resistor to which current is applied. Accordingly, the heating plate 3234 may heat the substrate W. The heating plate 3234 is provided with lift pins 3236 that can be driven in the vertical direction along the third direction 16. The lift pin 3236 receives the substrate W from the conveying means outside the heating unit 3230 and puts it down on the heating plate 3234 or lifts the substrate W from the heating plate 3234 to the heating unit 3230. Hand over to an external conveying means. According to an example, three lift pins 3236 may be provided.

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 유닛(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 유닛(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 3 and 4, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The shear buffers 3802 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Other portions of the buffer chambers 3802 and 3804 are disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804 (rear buffer). The rear buffers 3804 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Each of the front buffers 3802 and the rear buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is carried in or taken out by the index robot 2200 and the transfer unit 3420. The substrate W stored in the rear buffer 3804 is carried in or taken out by the transfer unit 3420 and the first robot 4602.

도 8은 도 4의 버퍼 챔버를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 8을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 하우징(3810), 버퍼 플레이트(3820), 그리고 지지 유닛(4000)을 포함할 수 있다.8 is a perspective view schematically showing the buffer chamber of FIG. 4. Referring to FIG. 8, the buffer chamber 3800 may include a housing 3810, a buffer plate 3820, and a support unit 4000.

하우징(3810)은 내부에 공간을 가진다. 하우징(3810)의 내부 공간은 기판이 일시적으로 보관되는 공간으로 기능한다. 하우징(3810)은 대체로 직육면체 형상을 가진다. 하우징(3810)은 양 측부가 개방된다. 일 예로 하우징(3810)은 개방된 양측부는 서로 대향되게 위치되며, 이 중 하나는 인덱스 모듈(20)을 향하도록 제공된다. 하우징(3810)의 개방된 양측부는 기판(W)이 출입하는 입구로 기능한다. The housing 3810 has a space therein. The inner space of the housing 3810 functions as a space in which a substrate is temporarily stored. The housing 3810 has a generally rectangular parallelepiped shape. Both sides of the housing 3810 are open. For example, in the housing 3810, the open side portions are positioned to face each other, one of which is provided to face the index module 20. Both open sides of the housing 3810 function as entrances through which the substrate W enters and exits.

하우징(3810)의 내부에는 받침대(3812)가 제공된다. 받침대(3810)는 직사각의 판으로 제공될 수 있다. 받침대(3812)는 복수 개가 제공될 수 있다. 각각의 받침대(3812)는 상하 방향으로 서로 이격되게 위치한다. 이에 따라 하우징(3812)의 내부 공간은 상하 방향으로 구획된다. 일 예로 받침대(3812)는 3 개가 제공된다. 선택적으로 받침대(513)는 2 개 이하 또는 4 개 이상으로 제공될 수 있다.A pedestal 3812 is provided inside the housing 3810. The pedestal 3810 may be provided as a rectangular plate. A plurality of pedestal 3812 may be provided. Each pedestal 3812 is positioned to be spaced apart from each other in the vertical direction. Accordingly, the inner space of the housing 3812 is partitioned in the vertical direction. For example, three pedestal 3812 are provided. Optionally, two or less or four or more pedestal 513 may be provided.

도 9는 도 8의 지지 유닛, 버퍼 플레이트 및 지지축을 보여주는 사시도이다. 도 9를 참조하면, 버퍼 플레이트(3820) 및 지지 유닛(4000)은 구획된 하우징(3810)의 내부 공간에 각각 위치된다. 버퍼 플레이트(3820) 및 지지 유닛(4000)은 상하 방향을 따라 서로 이격되게 위치될 수 있다. 버퍼 플레이트(3820) 및 지지 유닛(4000)은 위에서 아래를 향하는 방향을 따라 순차적으로 배치된다. 일 예에 의하면, 지지 유닛(4000)은 복수 개로 제공되며, 버퍼 플레이트(3820) 및 복수의 지지 유닛(4000)은 순차적으로 배치될 수 있다. 선택적으로 버퍼 플레이트(3820)는 복수 개로 제공될 수 있다. 버퍼 플레이트(3820) 및 지지 유닛(4000)은 각각 원형의 판 형상을 가질 수 있다.9 is a perspective view showing a support unit, a buffer plate, and a support shaft of FIG. 8. Referring to FIG. 9, the buffer plate 3820 and the support unit 4000 are respectively positioned in an inner space of a partitioned housing 3810. The buffer plate 3820 and the support unit 4000 may be positioned to be spaced apart from each other in the vertical direction. The buffer plate 3820 and the support unit 4000 are sequentially disposed along a direction from top to bottom. According to an example, a plurality of support units 4000 may be provided, and a buffer plate 3820 and a plurality of support units 4000 may be sequentially disposed. Optionally, a plurality of buffer plates 3820 may be provided. The buffer plate 3820 and the support unit 4000 may each have a circular plate shape.

복수 개의 지지 유닛(4000)은 받침대(3812)와 버퍼 플레이트(3820) 사이에 배치된다. 복수 개의 지지 유닛(4000)은 상하 방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 복수 개의 지지 플레이트(4000)는 서로 인접하도록 적층된다. 지지 유닛(4000)의 상부에는 기판(W)이 안착될 수 있다.A plurality of support units 4000 are disposed between the pedestal 3812 and the buffer plate 3820. The plurality of support units 4000 are positioned to be spaced apart from each other in the vertical direction. The plurality of support plates 4000 are stacked to be adjacent to each other. The substrate W may be mounted on the support unit 4000.

지지축(3850)은 버퍼 플레이트(3820) 및 지지 유닛(4000)을 지지한다. 지지축(3850)은 복수 개의 지지 블록들(3850a, 3850b, 3850c, 3850d, 3850e)를 포함할 수 있다. 지지 블록들(3850a, 3850b, 3850c, 3850d, 3850e)은 서로 적층되게 배치된다. 지지 블록들(3850a, 3850b, 3850c, 3850d, 3850e)은 직육면체 형상의 블록으로 제공된다. 지지 블록들(3850a, 3850b, 3850c, 3850d, 3850e)은 각각 하나의 지지 유닛(4000)을 지지한다. The support shaft 3850 supports the buffer plate 3820 and the support unit 4000. The support shaft 3850 may include a plurality of support blocks 3850a, 3850b, 3850c, 3850d, and 3850e. The support blocks 3850a, 3850b, 3850c, 3850d, and 3850e are disposed to be stacked on each other. The support blocks 3850a, 3850b, 3850c, 3850d, and 3850e are provided as blocks having a rectangular parallelepiped shape. Each of the support blocks 3850a, 3850b, 3850c, 3850d, and 3850e supports one support unit 4000.

도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 10을 참조하면, 지지 유닛(4000)은 온도 조절 플레이트(4100), 감압 부재(4200), 온도 조절 부재(4300), 플랜저(4400), 그리고 핀(4500)을 포함할 수 있다.10 is a plan view showing a support unit according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 10, the support unit 4000 may include a temperature control plate 4100, a decompression member 4200, a temperature control member 4300, a flanger 4400, and a pin 4500.

온도 조절 플레이트(4100)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 온도 조절 플레이트(4100)는 외주부에 노치(Notch)가 형성될 수 있다. 노치는 복수 개가 형성될 수 있다. The temperature control plate 4100 may have a generally circular shape when viewed from the top. The temperature control plate 4100 may have a notch formed in the outer peripheral portion. A plurality of notches may be formed.

온도 조절 플레이트(4100)에는 감압 유로(4110)가 형성될 수 있다. 감압 유로(4110)는 온도 조절 플레이트(4100) 내부에 형성될 수 있다. 감압 유로(4110)는 상부에서 바라볼 때 온도 조절 플레이트(4100)의 중심 영역과 가장자리 영역 사이에 형성될 수 있다. 감압 유로(4110)는 상부에서 바라볼 때 일단이 감압 부재(4200)와 연결되고, 타단은 복수 개로 분기될 수 있다. 복수 개로 분기된 감압 유로(4110)는 각각 온도 조절 플레이트(4100)의 중심을 기준으로 동심원을 그리도록 지지 플레이트(4100) 내에 형성될 수 있다. 또한, 복수 개로 분기된 감압 유로(4110)는 서로 연통할 수 있다. A decompression flow path 4110 may be formed in the temperature control plate 4100. The pressure reducing flow path 4110 may be formed in the temperature control plate 4100. The pressure reducing flow path 4110 may be formed between the central region and the edge region of the temperature control plate 4100 when viewed from above. When viewed from the top, the decompression flow path 4110 may have one end connected to the decompression member 4200 and the other end may be branched into a plurality. The decompression passages 4110 branched into a plurality may be formed in the support plate 4100 so as to draw a concentric circle with respect to the center of the temperature control plate 4100, respectively. In addition, the pressure-reducing passages 4110 branched into a plurality may communicate with each other.

감압 부재(4200)는 감압 유로(4110)에 감압을 제공할 수 있다. 감압 부재(4200)는 감압 유로(4110)의 일단에 연결될 수 있다. 감압 부재(4200)는 펌프일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 감압 부재(4200)는 감압 유로(4110)에 감압을 제공할 수 있는 공지의 장치로 다양하게 변형될 수 있다.The decompression member 4200 may provide decompression to the decompression flow path 4110. The pressure reducing member 4200 may be connected to one end of the pressure reducing flow path 4110. The pressure reducing member 4200 may be a pump. However, the present invention is not limited thereto, and the decompression member 4200 may be variously modified into a known device capable of providing decompression in the decompression flow path 4110.

온도 조절 플레이트(4100)에는 열 전달 유로(4160)가 형성될 수 있다. 열 전달 유로(4160)는 지지 플레이트(4100) 내부에 형성될 수 있다. 열 전달 유로(4160)는 상부에서 바라볼 때 지지 플레이트(4100)의 중심 영역, 중간 영역, 그리고 가장자리 영역 사이에 형성될 수 있다. 열 전달 유로(4160)는 유체 공급 부재(4300)와 연결될 수 있다.A heat transfer passage 4160 may be formed in the temperature control plate 4100. The heat transfer passage 4160 may be formed inside the support plate 4100. The heat transfer passage 4160 may be formed between the center region, the middle region, and the edge region of the support plate 4100 when viewed from above. The heat transfer passage 4160 may be connected to the fluid supply member 4300.

유체 공급 부재(4300)는 온도 조절 플레이트(4100)의 온도를 조절할 수 있다. 유체 공급 부재(4300)는 냉매 공급원(4310), 냉매 공급 라인(4312), 그리고 배출 라인(4314)을 포함할 수 있다. 냉매 공급원(4310)은 온도 조절 유체를 저장할 수 있다. 온도 조절 유체는 냉각 유체일 수 있다. 온도 조절 유체는 항온수일 수 있다. 냉매 공급원(4310)은 냉매 공급 라인(4312)과 연결될 수 있다. 냉매 공급원(4310)은 냉매 공급 라인(4312)에 온도 조절 유체를 공급할 수 있다. 냉매 공급 라인(4312)은 열 전달 유로(4160)의 일단에 연결될 수 있다. 배출 라인(4314)은 열 전달 유로(4160)의 타단에 연결될 수 있다. 즉, 냉매 공급원(4310)이 온도 조절 유체를 공급하면 냉매 공급 라인(4312)을 통해 열 전달 유로(4160)에 전달되고, 열 전달 유로(4160)에 온도 조절 유체가 흐르게 된다. 이에 온도 조절 플레이트(4100)가 냉각된다. 열 전달 유로(4160)에 흐르는 온도 조절 유체는 배출 라인(4312)을 통해 외부로 배출될 수 있다.The fluid supply member 4300 may control the temperature of the temperature control plate 4100. The fluid supply member 4300 may include a refrigerant supply source 4310, a refrigerant supply line 4312, and a discharge line 4314. The refrigerant source 4310 may store a temperature control fluid. The temperature control fluid may be a cooling fluid. The temperature control fluid may be constant temperature water. The refrigerant supply source 4310 may be connected to the refrigerant supply line 4312. The refrigerant supply source 4310 may supply a temperature control fluid to the refrigerant supply line 4312. The refrigerant supply line 4312 may be connected to one end of the heat transfer passage 4160. The discharge line 4314 may be connected to the other end of the heat transfer passage 4160. That is, when the refrigerant supply source 4310 supplies the temperature control fluid, it is transferred to the heat transfer flow path 4160 through the refrigerant supply line 4312 and the temperature control fluid flows through the heat transfer flow path 4160. Accordingly, the temperature control plate 4100 is cooled. The temperature control fluid flowing in the heat transfer passage 4160 may be discharged to the outside through the discharge line 4312.

또한, 온도 조절 플레이트(4100)에는 플랜저(4400), 그리고 핀(4500)이 제공될 수 있다. 플랜저(4400), 그리고 핀(4500)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 플랜저(4400)는 감압 유로(4110)가 제공하는 감압에 의해 상하로 이동될 수 있다. 핀(4500)은 높이가 고정될 수 있다.In addition, a flanger 4400 and a pin 4500 may be provided on the temperature control plate 4100. The flanger 4400 and the pin 4500 may support the substrate W. The flanger 4400 may be moved up and down by the decompression provided by the decompression flow path 4110. The pin 4500 may have a fixed height.

도 11은 도 10의 온도 조절 플레이트의 일부를 보여주는 사시도이고, 도 12는 도 10의 온도 조절 플레이트의 일부를 보여주는 단면도이다. 도 11과 도 12를 참조하면, 온도 조절 플레이트(4100)는 베이스 바디(4101), 그리고 열 전달 부재(4102)를 포함할 수 있다.FIG. 11 is a perspective view showing a part of the temperature control plate of FIG. 10, and FIG. 12 is a cross-sectional view showing a part of the temperature control plate of FIG. 10. 11 and 12, the temperature control plate 4100 may include a base body 4101 and a heat transfer member 4102.

베이스 바디(4101)는 상부에서 바라볼 때 제1방향(12), 그리고 제2방향(14)으로 연장될 수 있다. 베이스 바디(4101)는 상부에서 바라볼 때 제1방향(12), 그리고 제2방향(14)으로 연장되는 판 형상을 가질 수 있다. 제2방향(14)은 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)에 수직한 방향일 수 있다. The base body 4101 may extend in the first direction 12 and the second direction 14 when viewed from above. The base body 4101 may have a plate shape extending in the first direction 12 and the second direction 14 when viewed from above. The second direction 14 may be a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above.

열 전달 부재(4102)는 베이스 바디(4101)에 제공될 수 있다. 열 전달 부재(4102)는 기둥 형상을 가질 수 있다. 열 전달 부재(4102)는 원기둥의 형상을 가질 수 있다. 열 전달 부재(4102)는 베이스 바디(4101)에 형성되는 홀에 제공될 수 있다. 베이스 바디(4101)에 형성되는 홀은 상하 방향으로 형성될 수 있다. 베이스 바디(4101)에 형성되는 홀은 베이스 바디의 상단부터 하단까지 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 열 전달 부재(4102)가 제공되는 홀은 복수 개가 서로 이격되어 베이스 바디(4101)에 형성될 수 있다. 베이스 바디(4101)에 형성되는 홀은 격자 형식으로 배열될 수 있다.The heat transfer member 4102 may be provided on the base body 4101. The heat transfer member 4102 may have a column shape. The heat transfer member 4102 may have a cylindrical shape. The heat transfer member 4102 may be provided in a hole formed in the base body 4101. Holes formed in the base body 4101 may be formed in a vertical direction. The hole formed in the base body 4101 may be formed to extend from the top to the bottom of the base body. In addition, a plurality of holes through which the heat transfer member 4102 is provided may be formed in the base body 4101 to be spaced apart from each other. Holes formed in the base body 4101 may be arranged in a grid form.

베이스 바디(4101)에는 상술한 열 전달 유로(4160)가 형성될 수 있다. 열 전달 유로(4160)는 베이스 바디(4101)의 종단면에서 바라볼 때 사각의 형상을 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 열 전달 유로(4160)는 베이스 바디(4101)의 종단면에서 바라볼 때 원 형상을 가질 수 있다. 또한, 열 전달 유로(4160)는 다양한 형상으로 변형될 수 있다. 예를 들어 열 전달 유로(4160)는 종단면에서 바라볼 때 상부가 하부 보다 넓은 사다리꼴의 형상을 가질 수 있다. 또한, 베이스 바디(4101)에 형성된 열 전달 유로(4160)는 열 전달 부재(4102)가 제공되는 홀들 사이의 영역을 경유하도록 형성될 수 있다. The above-described heat transfer passage 4160 may be formed in the base body 4101. The heat transfer passage 4160 may have a rectangular shape when viewed from a longitudinal section of the base body 4101. However, the present invention is not limited thereto, and the heat transfer passage 4160 may have a circular shape when viewed from a longitudinal section of the base body 4101. In addition, the heat transfer passage 4160 may be deformed into various shapes. For example, the heat transfer passage 4160 may have a trapezoidal shape in which an upper portion is wider than a lower portion when viewed from a longitudinal section. Also, the heat transfer passage 4160 formed in the base body 4101 may be formed to pass through a region between holes in which the heat transfer member 4102 is provided.

베이스 바디(4101)는 제1재질을 포함할 수 있다. 제1재질은 탄소를 포함하는 재질일 수 있다. 제1재질은 탄소계 복합 소재일 수 있다. 제1재질은 금속과 탄소를 포함하는 탄소계 복합 소재일 수 있다. 제1재질은 구리와 탄소를 포함하는 탄소계 복합 소재일 수 있다. 제1재질은 구리와 흑연을 포함하는 탄소계 복합 소재일 수 있다. 제1재질이 구리와 흑연을 포함하는 탄소계 복합 소재로 제공되는 경우 구리와 흑연은 6 : 4의 조성을 가질 수 있다. 예컨대, 제1재질이 구리와 흑연을 포함하는 탄소계 복합 소재로 제공되는 경우 구리의 중량%는 60% 보다 클 수 있다. 또한, 흑연의 중량%는 40%보다 작을 수 있다. 흑연의 중량%가 40%를 초과하는 경우 구리와 흑연을 포함하는 탄소계 복합 소재의 경도가 떨어진다. 이에, 구리와 흑연을 포함하는 탄소계 복합 소재가 소성 변형될 위험이 있다. 이에, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 구리와 흑연의 조성을 6 : 4로 하여 탄소계 복합 소재의 소성 변형 위험을 최소화 할 수 있다.The base body 4101 may include a first material. The first material may be a material containing carbon. The first material may be a carbon-based composite material. The first material may be a carbon-based composite material including metal and carbon. The first material may be a carbon-based composite material containing copper and carbon. The first material may be a carbon-based composite material including copper and graphite. When the first material is provided as a carbon-based composite material containing copper and graphite, copper and graphite may have a composition of 6:4. For example, when the first material is provided as a carbon-based composite material including copper and graphite, the weight% of copper may be greater than 60%. Also, the weight percent of graphite may be less than 40%. When the weight% of graphite exceeds 40%, the hardness of the carbon-based composite material including copper and graphite decreases. Thus, there is a risk that the carbon-based composite material including copper and graphite is plastically deformed. Accordingly, according to an exemplary embodiment of the present invention, the risk of plastic deformation of the carbon-based composite material may be minimized by setting the composition of copper and graphite to 6:4.

열 전달 부재(4102)는 제2재질을 포함할 수 있다. 제2재질은 금속을 포함하는 재질일 수 있다. 제2재질은 금속 소재일 수 있다. 제2재질은 열 전달률이 우수한 금속 소재일 수 있다. 예컨대, 제2재질은 알루미늄 또는 구리를 포함하는 재질일 수 있다.The heat transfer member 4102 may include a second material. The second material may be a material containing metal. The second material may be a metal material. The second material may be a metal material having excellent heat transfer rate. For example, the second material may be a material including aluminum or copper.

도 13은 도 11의 베이스 바디에서 열이 전달되는 모습을 보여주는 도면이고, 도 14는 도 12의 열 전달 부재가 열을 전달하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 13과 도 14를 참조하면, 베이스 바디(4101)가 포함하는 제1재질은 제1방향(12) 및 제2방향(14)으로의 열 전달률이 제1방향(12) 및 제2방향(14)에 수직한 제3방향(16)으로 열 전달률보다 크다. 또한, 제3방향(16)으로의 열 전달률은 열 전달 부재(4102)가 포함하는 제2재질이 제1재질보다 클 수 있다. FIG. 13 is a diagram illustrating a state in which heat is transmitted from the base body of FIG. 11, and FIG. 14 is a diagram illustrating a state in which the heat transfer member of FIG. 12 transmits heat. 13 and 14, the first material included in the base body 4101 has a heat transfer rate in the first direction 12 and the second direction 14 in the first direction 12 and the second direction ( It is greater than the heat transfer rate in the third direction 16 perpendicular to 14). In addition, the heat transfer rate in the third direction 16 may be greater than the first material in the second material included in the heat transfer member 4102.

열 전달 유로(4160)에서 전달되는 열(H)은 베이스 바디(4101)를 통해 제1방향(12) 및 제2방향(14)으로 빠르게 전달된다. 그리고, 제1방향(12) 및 제2방향(14)으로 전달된 열(H)은 열 전달 부재(4102)에 전달될 수 있다. 열 전달 부재(4102)에 전달된 열(H)은 제3방향(16)으로 전달될 수 있다.Heat H transferred from the heat transfer passage 4160 is quickly transferred to the first direction 12 and the second direction 14 through the base body 4101. Further, the heat H transferred in the first direction 12 and the second direction 14 may be transferred to the heat transfer member 4102. Heat H transferred to the heat transfer member 4102 may be transferred in the third direction 16.

탄소계 복합 소재의 경우 제1방향(12) 및 제2방향(14)으로의 열 전달률이 일반 금속 소재보다 매우 크다. 그러나 탄소계 복합 소재의 경우 제3방향(16)으로의 열 전달률이 일반 금속 소재보다 작다. 즉, 탄소계 복합 소재는 제1방향(12) 및 제2방향(14)으로의 열 전달률이 매우 크지만 제3방향(16)으로의 열 전달률이 작다. 이에, 탄소계 복합 소재는 일반적으로 온도 조절 플레이트(4100)에 적용되지 않는다.In the case of a carbon-based composite material, the heat transfer rate in the first direction 12 and the second direction 14 is much higher than that of a general metal material. However, in the case of a carbon-based composite material, the heat transfer rate in the third direction 16 is lower than that of a general metal material. That is, the carbon-based composite material has a very high heat transfer rate in the first direction 12 and the second direction 14, but the heat transfer rate in the third direction 16 is small. Accordingly, the carbon-based composite material is not generally applied to the temperature control plate 4100.

그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 베이스 바디(4101)는 탄소계 복합 소재를 포함하는 제1재질로 제공된다. 그리고, 베이스 바디(4101)에 형성된 홀에는 열 전달 부재(4102)가 제공된다. 그리고 열 전달 부재(4102)는 금속 소재를 포함하는 제2재질로 제공된다. 베이스 바디(4101)로 전달된 열(H)은 열 전달 부재(4102)로 전달될 수 있다. 열 전달 부재(4102)로 전달된 열(H)은 제3방향(16)으로 전달될 수 있다. 즉, 베이스 바디(4101)가 탄소계 복합 소재를 포함하는 재질로 제공되는 경우 제3방향(16)으로의 부족한 열 전달을 열 전달 부재(4102)를 통해 보완할 수 있다.However, according to an embodiment of the present invention, the base body 4101 is provided with a first material including a carbon-based composite material. In addition, a heat transfer member 4102 is provided in a hole formed in the base body 4101. In addition, the heat transfer member 4102 is provided with a second material including a metal material. Heat H transferred to the base body 4101 may be transferred to the heat transfer member 4102. Heat H transferred to the heat transfer member 4102 may be transferred in the third direction 16. That is, when the base body 4101 is made of a material including a carbon-based composite material, insufficient heat transfer to the third direction 16 may be compensated through the heat transfer member 4102.

또한, 베이스 바디(4101)는 탄소계 복합 소재를 포함하는 제1재질로 제공된다. 이에, 베이스 바디(4101)에 형성된 열 전달 유로(4160)에 흐르는 유체의 열(H)은 베이스 바디(4101)를 통해 제1방향(12) 및 제2방향(14)으로 빠르게 전달된다. 이에 베이스 바디(4101)의 전 영역에서 온도 전환이 빠르게 이루어질 수 있다. 또한, 베이스 바디(4101)의 전 영역에서 미세한 온도 조절을 가능하게 한다. 즉, 베이스 바디(4101)가 탄소계 복합 소재를 포함하는 제1재질로 제공되어, 베이스 바디(4101)가 설정 온도에 도달하는 시간을 최소화 할 수 있다. 이에, 온도 조절 플레이트(4100)에 놓이는 기판의 온도를 효율적으로 조절할 수 있다.In addition, the base body 4101 is provided with a first material including a carbon-based composite material. Accordingly, the heat H of the fluid flowing through the heat transfer passage 4160 formed in the base body 4101 is quickly transferred to the first direction 12 and the second direction 14 through the base body 4101. Accordingly, temperature conversion can be quickly performed in the entire area of the base body 4101. In addition, it is possible to finely control the temperature in the entire area of the base body 4101. That is, since the base body 4101 is provided as a first material including a carbon-based composite material, a time for the base body 4101 to reach a set temperature can be minimized. Accordingly, the temperature of the substrate placed on the temperature control plate 4100 can be efficiently controlled.

또한, 제1재질의 비중은 제2재질의 비중보다 상대적으로 작을 수 있다. 예컨대, 제1재질이 탄소계 복합 소재이고, 제2재질이 금속 소재인 경우 제1재질의 비중은 제2재질의 비중보다 작을 수 있다. 즉, 베이스 바디(4101)가 탄소계 복합 소재를 포함하는 재질로 제공되어 온도 조절 플레이트(4100)를 경량화 할 수 있다.In addition, the specific gravity of the first material may be relatively smaller than that of the second material. For example, when the first material is a carbon-based composite material and the second material is a metal material, the specific gravity of the first material may be smaller than that of the second material. That is, since the base body 4101 is made of a material including a carbon-based composite material, the temperature control plate 4100 can be lightened.

도 15는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 온도 조절 플레이트의 일부를 보여주는 사시도이다. 도 15를 참조하면, 온도 조절 플레이트(4100)에는 금속층(4103)이 제공될 수 있다. 금속층(4103)은 베이스 바디(4101)의 표면에 제공될 수 있다. 금속층(4103)은 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 금속층(4103)은 열전도성이 우수한 금속 재질로 제공될 수 있다. 금속층(4103)은 구리를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 금속층(4103)은 열 전달 부재(4102)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 금속층(4103)은 열 전달 부재(4102)와 일체로 제공될 수 있다. 금속층(4103)은 온도 조절 플레이트(4100)에 안착된 기판의 온도를 균일하게 조절할 수 있도록 한다. 예컨대, 열 전달 유로(4160)에 흐르는 온도 조절 유체가 전달하는 열은 베이스 바디(4101)에 전달된다. 베이스 바디(4101)에 전달된 열은 열 전달 부재(4102)로 전달될 수 있다. 열 전달 부재(4102)는 제3방향(16)으로 열을 전달할 수 있다. 제3방향(16)으로 전달된 열은 금속층(4103)으로 전달될 수 있다. 금속층(4103)에 전달된 열은 온도 조절 플레이트(4100)의 표면 전 영역에 전달될 수 있다. 이에, 온도 조절 플레이트(4100)에 안착되는 기판의 온도를 균일하게 조절할 수 있다.15 is a perspective view showing a part of a temperature control plate according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 15, a metal layer 4103 may be provided on the temperature control plate 4100. The metal layer 4103 may be provided on the surface of the base body 4101. The metal layer 4103 may be made of a material containing metal. For example, the metal layer 4103 may be made of a metal material having excellent thermal conductivity. The metal layer 4103 may be made of a material containing copper. The metal layer 4103 may be made of the same material as the heat transfer member 4102. The metal layer 4103 may be provided integrally with the heat transfer member 4102. The metal layer 4103 makes it possible to uniformly control the temperature of the substrate mounted on the temperature control plate 4100. For example, heat transferred by the temperature control fluid flowing through the heat transfer passage 4160 is transferred to the base body 4101. Heat transferred to the base body 4101 may be transferred to the heat transfer member 4102. The heat transfer member 4102 may transfer heat in the third direction 16. Heat transferred in the third direction 16 may be transferred to the metal layer 4103. Heat transferred to the metal layer 4103 may be transferred to the entire surface of the temperature control plate 4100. Accordingly, the temperature of the substrate mounted on the temperature control plate 4100 can be uniformly controlled.

도 16은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 온도 조절 플레이트의 일부를 보여주는 사시도이다. 도 16을 참조하면, 온도 조절 플레이트(4100)에는 확산 방지층(4104)이 제공될 수 있다. 확산 방지층(4104)은 금속층(4103)과 적층되도록 제공될 수 있다. 확산 방지층(4104)은 금속층(4103)을 감싸도록 제공될 수 있다. 확산 방지층(4104)은 니켈(Ni)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 확산 방지층(4104)은 Ni-P 무전해 도금으로 형성된 층일 수 있다. 금속층(4103)이 구리(Cu)를 포함하는 재질로 제공되는 경우 기판을 처리하는 과정에서 구리(Cu)는 확산될 수 있다. 확산된 구리(Cu)는 기판이 처리되는 공간의 분위기 등에 영향을 줄 수 있다. 구리(Cu)가 확산되면 기판 처리에 결함을 발생시킬 수 있다. 그러나 본 발명의 다른 실시 예에 의하면 확산 방지층(4104)은 금속층(4103)의 확산을 방지할 수 있다. 이에 금속층(4103)이 확산되어 기판 처리에 결함이 발생되는 것을 최소화 할 수 있다.16 is a perspective view showing a part of a temperature control plate according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 16, a diffusion barrier layer 4104 may be provided on the temperature control plate 4100. The diffusion barrier layer 4104 may be provided to be stacked with the metal layer 4103. The diffusion barrier layer 4104 may be provided to surround the metal layer 4103. The diffusion barrier layer 4104 may be made of a material containing nickel (Ni). The diffusion barrier layer 4104 may be a layer formed by Ni-P electroless plating. When the metal layer 4103 is made of a material including copper (Cu), copper (Cu) may diffuse during the processing of the substrate. The diffused copper (Cu) may affect the atmosphere of the space where the substrate is processed. Diffusion of copper (Cu) may cause defects in substrate processing. However, according to another embodiment of the present invention, the diffusion barrier layer 4104 may prevent diffusion of the metal layer 4103. Accordingly, it is possible to minimize the occurrence of defects in substrate processing due to diffusion of the metal layer 4103.

다시 도 2 내지 도 4를 참조하면, 현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.Referring again to FIGS. 2 to 4, the developing block 30b includes a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid treatment chamber 3600. The heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the coating block 30a. ) Is provided with a structure and arrangement that is substantially similar to that of), so a description thereof will be omitted. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as a developing chamber 3600 for developing and processing a substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a conveying member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit may be provided at an upper end of the interface frame 4100 to form a downward airflow therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the coating block 30a, is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed by the exposure apparatus 50, is carried into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. I can. A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer process. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side and an interface buffer 4400 may be disposed on the other side based on an extension line in the longitudinal direction of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the carrying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 includes the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along the three directions (16).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

온도 조절 플레이트 : 4100
베이스 바디 : 4101
열 전달 부재 : 4102
금속층 : 4103
확산 방지층 : 4104
감압 부재 : 4200
유체 공급 부재 : 4300
플랜저 : 4400
핀 : 4500Temperature control plate: 4100
Base Body: 4101
Heat transfer member: 4102
Metal layer: 4103
Anti-diffusion layer: 4104
Decompression member: 4200
Fluid supply member: 4300
Flanger: 4400
Pin: 4500

Claims (24)

기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서,
상부에서 바라볼 때 제1방향, 그리고 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 연장되는 온도 조절 플레이트를 포함하고,
상기 온도 조절 플레이트는,
제1재질을 포함하는 베이스 바디와;
상기 베이스 바디에 제공되며, 제2재질을 포함하는 열 전달 부재를 포함하되,
상기 제1재질은 상기 제1방향 및 상기 제2방향으로의 열 전달률이 상기 제1방향 및 상기 제2방향에 수직한 제3방향으로의 열 전달률보다 크고,
상기 제3방향으로의 열 전달률은 상기 제2재질이 상기 제1재질보다 큰 지지 유닛.In the support unit for supporting the substrate,
A temperature control plate extending in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction when viewed from the top,
The temperature control plate,
A base body including a first material;
It is provided on the base body and includes a heat transfer member including a second material,
The first material has a heat transfer rate in the first direction and the second direction greater than a heat transfer rate in a third direction perpendicular to the first direction and the second direction,
The support unit in which the second material has a higher heat transfer rate in the third direction than the first material. 제1항에 있어서,
상기 열 전달 부재는 상기 베이스 바디에 형성된 홀에 제공되는 지지 유닛.The method of claim 1,
The heat transfer member is a support unit provided in a hole formed in the base body. 제2항에 있어서,
상기 홀은 상하 방향으로 형성되는 지지 유닛.The method of claim 2,
The hole is a support unit formed in the vertical direction. 제3항에 있어서,
상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 하단까지 연장되어 형성되는 지지 유닛.The method of claim 3,
The hole is formed by extending from the top to the bottom of the base body. 제2항에 있어서,
상기 홀은 복수 개가 서로 이격되어 상기 베이스 바디에 형성되는 지지 유닛.The method of claim 2,
The plurality of holes are spaced apart from each other to form a support unit in the base body. 제5항에 있어서,
상기 홀들은 격자 형식으로 배열되는 지지 유닛.The method of claim 5,
The holes are arranged in a grid form a support unit. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1재질은 탄소계 복합 소재이고,
상기 제2재질은 금속 소재인 지지 유닛.The method according to any one of claims 1 to 6,
The first material is a carbon-based composite material,
The second material is a metal material support unit. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1재질의 비중은 상기 제2재질의 비중보다 작은 지지 유닛.The method according to any one of claims 1 to 6,
The support unit having a specific gravity of the first material smaller than that of the second material. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 베이스 바디에는 유로가 형성되고,
상기 유닛은,
상기 유로로 온도 조절 유체를 공급하는 유체 공급 부재를 더 포함하는 지지 유닛.The method of claim 5 or 6,
A flow path is formed in the base body,
The unit,
A support unit further comprising a fluid supply member supplying a temperature control fluid to the flow path. 제9항에 있어서,
상기 유로는 인접하는 상기 홀들 사이의 영역을 경유하도록 형성되는 지지 유닛.The method of claim 9,
The flow path is a support unit formed to pass through a region between the adjacent holes. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도 조절 플레이트에는,
상기 베이스 바디의 표면에 제공되는 금속층과;
상기 금속층을 감싸며 상기 금속층의 확산을 방지하는 확산 방지층이 제공되는 지지 유닛.The method according to any one of claims 1 to 6,
In the temperature control plate,
A metal layer provided on the surface of the base body;
A support unit that surrounds the metal layer and is provided with a diffusion barrier layer for preventing diffusion of the metal layer. 제11항에 있어서,
상기 금속층은 구리(Cu)를 포함하는 재질로 제공되고,
상기 확산 방지층은 니켈(Ni)을 포함하는 재질로 제공되는 지지 유닛.The method of claim 11,
The metal layer is provided with a material containing copper (Cu),
The diffusion prevention layer is a support unit provided with a material containing nickel (Ni). 기판의 온도를 조절하는 플레이트에 있어서,
상부에서 바라볼 때 제1방향, 그리고 제1방향과 수직한 제2방향으로 연장되며 제1재질을 포함하는 베이스 바디와;
상기 베이스 바디에 제공되며, 제2재질을 포함하는 열 전달 부재를 포함하되,
상기 제1재질은 상기 제1방향 및 상기 제2방향으로의 열 전달률이 상기 제1방향 및 상기 제2방향에 수직한 제3방향으로의 열 전달률보다 크고,
상기 제3방향으로의 열 전달률은 상기 제2재질이 상기 제1재질보다 큰 온도 조절 플레이트.In the plate for controlling the temperature of the substrate,
A base body extending in a first direction and in a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above and including a first material;
It is provided on the base body and includes a heat transfer member including a second material,
The first material has a heat transfer rate in the first direction and the second direction greater than a heat transfer rate in a third direction perpendicular to the first direction and the second direction,
The temperature control plate in which the second material has a higher heat transfer rate in the third direction than the first material. 제13항에 있어서,
상기 열 전달 부재는 상기 베이스 바디에 형성된 홀에 제공되는 온도 조절 플레이트.The method of claim 13,
The heat transfer member is a temperature control plate provided in a hole formed in the base body. 제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 베이스 바디에는 온도 조절 유체가 흐르는 유로가 형성되는 온도 조절 플레이트.The method of claim 13 or 14,
A temperature control plate in which a flow path through which a temperature control fluid flows is formed in the base body. 제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 제1재질은 탄소계 복합 소재이고,
상기 제2재질은 금속 소재인 온도 조절 플레이트.The method of claim 13 or 14,
The first material is a carbon-based composite material,
The second material is a temperature control plate of a metal material. 제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 베이스 바디의 표면에 제공되는 금속층과;
상기 금속층을 감싸며 상기 금속층의 확산을 방지하는 확산 방지층이 제공되는 온도 조절 플레이트.The method of claim 13 or 14,
A metal layer provided on the surface of the base body;
A temperature control plate that surrounds the metal layer and is provided with a diffusion prevention layer that prevents diffusion of the metal layer. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판이 수납된 용기가 놓이는 로드 포트가 제공되는 인덱스 모듈과;
상기 인덱스 모듈로부터 반송되는 기판을 처리하는 처리 모듈을 포함하고,
상기 처리 모듈은,
기판을 처리하는 공정 챔버와;
기판을 일시적으로 보관하는 버퍼 챔버를 포함하고,
상기 버퍼 챔버는,
내부에 공간을 가지는 하우징과;
상기 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하되,
상기 지지 유닛은,
상부에서 바라볼 때 제1방향, 그리고 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 연장되는 온도 조절 플레이트를 포함하고,
상기 온도 조절 플레이트는,
제1재질을 포함하는 베이스 바디와;
상기 베이스 바디에 제공되며, 제2재질을 포함하는 열 전달 부재를 포함하되,
상기 제1재질은 상기 제1방향 및 상기 제2방향으로의 열 전달률이 상기 제1방향 및 상기 제2방향에 수직한 제3방향으로의 열 전달률보다 크고,
상기 제3방향으로의 열 전달률은 상기 제2재질이 상기 제1재질보다 큰 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
An index module provided with a load port on which a container in which a substrate is accommodated is provided;
And a processing module for processing a substrate conveyed from the index module,
The processing module,
A process chamber for processing a substrate;
It includes a buffer chamber for temporarily storing the substrate,
The buffer chamber,
A housing having a space therein;
Including a support unit for supporting the substrate in the space,
The support unit,
A temperature control plate extending in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction when viewed from the top,
The temperature control plate,
A base body including a first material;
It is provided on the base body and includes a heat transfer member including a second material,
The first material has a heat transfer rate in the first direction and the second direction greater than a heat transfer rate in a third direction perpendicular to the first direction and the second direction,
A substrate processing apparatus in which the second material has a higher heat transfer rate in the third direction than the first material. 제18항에 있어서,
상기 열 전달 부재는 상기 베이스 바디에 상하 방향으로 형성된 홀에 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 18,
The heat transfer member is provided in a hole formed in the base body in a vertical direction. 제19항에 있어서,
상기 홀은 상기 베이스 바디의 상단부터 하단까지 연장되어 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 19,
The hole is formed to extend from the top to the bottom of the base body. 제19항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1재질은 탄소계 복합 소재이고,
상기 제2재질은 금속 소재인 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 19 to 21,
The first material is a carbon-based composite material,
The second material is a substrate processing apparatus of a metal material. 제19항 내지 제21항 중 어느 한 항에,
상기 베이스 바디에는 유로가 형성되고,
상기 유닛은,
상기 유로로 온도 조절 유체를 공급하는 유체 공급 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to any one of claims 19 to 21,
A flow path is formed in the base body,
The unit,
A substrate processing apparatus further comprising a fluid supply member supplying a temperature control fluid to the flow path. 제19항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도 조절 플레이트에는,
상기 베이스 바디의 표면에 제공되는 금속층과;
상기 금속층을 감싸며 상기 금속층의 확산을 방지하는 확산 방지층이 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 19 to 21,
In the temperature control plate,
A metal layer provided on the surface of the base body;
A substrate processing apparatus comprising a diffusion barrier layer surrounding the metal layer and preventing diffusion of the metal layer. 제11항에 있어서,
상기 금속층은 구리(Cu)를 포함하는 재질로 제공되고,
상기 확산 방지층은 니켈(Ni)을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.


The method of claim 11,
The metal layer is provided with a material containing copper (Cu),
The diffusion barrier layer is a substrate processing apparatus provided with a material containing nickel (Ni).
KR1020190087038A 2019-07-18 2019-07-18 A temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus KR102277548B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190087038A KR102277548B1 (en) 2019-07-18 2019-07-18 A temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190087038A KR102277548B1 (en) 2019-07-18 2019-07-18 A temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210009892A true KR20210009892A (en) 2021-01-27
KR102277548B1 KR102277548B1 (en) 2021-07-15

Family

ID=74238698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190087038A KR102277548B1 (en) 2019-07-18 2019-07-18 A temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102277548B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184790A (en) * 2000-12-15 2002-06-28 Matsushita Battery Industrial Co Ltd Plate material for heating substrate, and method of manufacturing cadmium telluride film
JP2003217799A (en) * 2002-01-25 2003-07-31 Nippon Dennetsu Co Ltd Heating element and manufacturing method of the same
JP2011025645A (en) * 2009-07-29 2011-02-10 Nagano Prefecture Multilayer heat transfer plate and manufacturing method of the same
JP2012238733A (en) * 2011-05-12 2012-12-06 Thermo Graphitics Co Ltd Anisotropic thermally-conductive element and manufacturing method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184790A (en) * 2000-12-15 2002-06-28 Matsushita Battery Industrial Co Ltd Plate material for heating substrate, and method of manufacturing cadmium telluride film
JP2003217799A (en) * 2002-01-25 2003-07-31 Nippon Dennetsu Co Ltd Heating element and manufacturing method of the same
JP2011025645A (en) * 2009-07-29 2011-02-10 Nagano Prefecture Multilayer heat transfer plate and manufacturing method of the same
JP2012238733A (en) * 2011-05-12 2012-12-06 Thermo Graphitics Co Ltd Anisotropic thermally-conductive element and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR102277548B1 (en) 2021-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7661894B2 (en) Coating and developing apparatus, and coating and developing method
KR102263713B1 (en) Supporting unit, and a substrate processing apparatus including the same
CN111048444B (en) Heating plate cooling method and substrate processing apparatus and method
KR102319199B1 (en) A transfer unit, a substrate processing apparatus including the same, and a substrate processing method
KR102168380B1 (en) A cooling unit, and a substrate processing apparatus including the same
KR20210009892A (en) A temperature control plate, a support unit, and a substrate processing apparatus
KR102282145B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102282146B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102119686B1 (en) Substrate supporting unit, heat treatment unit and substrate treating apparatus including the same
KR20220024313A (en) Apparatus for treating a substrate
KR20220094021A (en) Transfer unit and substrate treating apparatus including the same
KR20220014475A (en) Apparatus for treating substrate
KR20220094020A (en) Transfer unit and substrate treating apparatus including the same
US20220130710A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102319198B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
US20230195001A1 (en) Buffer unit and substrate treating apparatus including the same
KR20190082029A (en) Apparatus and method for treating substrates
KR102264292B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102277549B1 (en) Apparatus and Method for treating a substrate
KR102255278B1 (en) Apparatus and Method for treating a substrate
KR20230064401A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102324409B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20230099544A (en) A substrate processing method and a substrate processing apparatus
KR20240056227A (en) Apparatus for treating a substrate and method for improving cooling efficiency thereof
KR20220094018A (en) Transfer unit and substrate treating apparatus including the same

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right