KR20210002801A - 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템 및 방법 - Google Patents

곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템 및 방법 Download PDF

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    • A23B—PRESERVING, e.g. BY CANNING, MEAT, FISH, EGGS, FRUIT, VEGETABLES, EDIBLE SEEDS; CHEMICAL RIPENING OF FRUIT OR VEGETABLES; THE PRESERVED, RIPENED, OR CANNED PRODUCTS
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    • A23B9/18—Preserving with chemicals in the form of gases, e.g. fumigation; Compositions or apparatus therefor
    • A23B9/22—Preserving with chemicals in the form of gases, e.g. fumigation; Compositions or apparatus therefor in a controlled atmosphere comprising other gases in addition to CO2, N2, O2 or H2O

Abstract

본 발명은 곡물의 사전공정이 이루어지는 사전공정부(100); 상기 사전공정부(100)에서 이송된 곡물이 유입되어 낙하되는 반응탱크(210)와, 상기 반응탱크(210)에 유입된 곡물에 플라즈마에 의하여 생성된 플라즈마 오존가스를 공급하여 상기 곡물의 위해 요소를 저감하는 플라즈마 오존가스 발생장치(220)를 포함하는 플라즈마 오존가스 처리부(200); 상기 반응탱크(210)에서 이송된 곡물이 유입되어 낙하되는 탈취탱크(310)와, 상기 탈취탱크(310)에 유입된 곡물에 공기를 송풍하여 상기 곡물에 잔존하는 플라즈마 오존가스를 외부로 배출시키는 탈취팬(320)을 포함하는 탈취부(300); 및 상기 탈취탱크(310)에서 이송된 곡물의 후속공정이 이루어지는 후속공정부(400);를 포함하는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템에 관한 것이다.

Description

곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템 및 방법{Plasma ozon gas processing system and method for hazards removal of grain}
본 발명은 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템 및 방법에 관한 것이다.
2019년 1월 1일부터 국내에서도 식재료의 농약 사용에 대한 PLS (Positive List System) 제도가 도입되어 시행되고 있다. 식재료는 여러 종류가 있으나, 국내에서는 곡물이 주로 소비되고 있다.
곡물은 식용으로 하는 농작물의 입상 열매의 총칭이다. 농작물의 용도를 중심으로 하는 농업상의 분류에 따르면, 보통작물, 즉 식용작물은 곡숙류로 분류되고, 곡숙류는 화곡류와 숙곡 또는 두류로 나뉘는데, 여기에서 말하는 곡류는 화곡류를 말하는 것으로 그 열매를 식용 또는 사료용으로 이용하기 위해 재배한다.
곡물 중에서 쌀은 미곡으로, 보리, 밀, 호밀, 귀리 등은 맥류로, 그리고 조, 옥수수, 기장, 피, 메밀, 율무 등은 잡곡으로 구분된다.
그런데 잡곡 중에서 메밀과 율무는 벼과에 속하지 않지만 그 특성과 용도가 비슷하기 때문에 편의상 잡곡에 포함시켜 취급한다.
곡물은 주로 녹말(당질)로 구성되어 있으며 맛이 담백하여 상식으로 하기에 알맞다. 또한, 재배시기가 한정되어 있으나 널리 재배될 수 있고 수량이 많으며 수분함량이 적고 외부가 단단한 껍질로 덮여 있어 손쉽게 취급 및 장기저장이 가능하고, 유통이 간편하여 모든 식품 중에서 가장 중요한 식량으로서 예로부터 널리 이용되어 왔다. 그리하여 서양의 여러 나라와 오스트레일리아 등지에서는 밀이, 동남아시아 및 극동지역에서는 쌀이, 그리고 라틴아메리카에서는 옥수수가 주로 주식량으로 이용된다.
한편, 곡물 저장시 발생하는 곰팡이 생장 및 독소 형성으로 인해 곡물의 상품성이 저하되거나 곡물이 폐기 처분됨에 따라, 농민들에게 큰 어려움으로 작용하고 있다.
또한, 곡물 도정후에 잔류 농약이 검출된 경우, 곡물의 출하를 못하게 된다.
특히, 맥류와 잡곡류에서 상술한 문제의 심각성이 높아서 곡물 자원의 낭비가 심각한 실정이다. 따라서 상술한 문제점을 해결하기 위한 다양한 기술의 개발이 필요한 실정이다.
관련 기술로는, 한국공개특허 제10-2012-0018235호의 개별 곡물의 미각을 제거하는 미각유닛 및 개별 곡물을 석발하는 제거하는 석발유닛을 가진 하나 이상의 전처리가공부; 상기 전처리가공부에 의해 전처리가공된 여러종류의 개별 곡물들을 자연낙하방식으로 혼합하여 혼합곡을 형성하는 혼합챔버; 상기 혼합곡을 석발하는 석발유닛 및 상기 혼합곡을 살균하는 살균유닛을 가진 후처리가공부; 과열수증기에 의해 상기 혼합곡에 잔류하는 농약을 제거하는 농약제거부; 및 상기 농약이 제거된 혼합곡을 냉각시키는 냉각부;를 포함하며, 상기 농약제거부는 상기 혼합곡이 수용되는 가열케이스, 상기 가열케이스 내에 회전가능하게 설치된 회전날개, 상기 가열케이스 내로 과열수증기를 공급하는 하나이상의 과열수증기 공급관, 상기 가열케이스 내의 수증기를 배기하는 배기관, 및 과열수증기를 발생시키는 과열수증기 발생유닛을 가지고, 상기 과열수증기 공급관은 상기 과열수증기 발생유닛측에 소통가능하게 연결되고, 상기 과열수증기 발생유닛에 의해 발생된 과열수증기가 과열수증기 공급관을 통해 상기 가열케이스 내로 공급되는 것을 특징으로 하는 농약제거 및 살균살균기능을 가진 혼합곡 가공장치가 공개된 적이 있었다.
종래기술은 과열수증기를 발생시키는 공정에 있어서, 보일러에서 물을 가열하여 포화수증기를 발생시킨 후, 가열부에서 포화수증기를 가열하여 과열수증기를 발생시키는데, 과열수증기의 열전달계수가 포화수증기의 열전달계수보다 작게 형성됨에 따라, 과열수증기 제조 시설(가열부)의 규모가 비대해지고 작동 비용 및 유지보수 비용이 증가하는 문제점이 있다.
한국공개특허 제10-2012-0018235호(2012.03.02)
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 작동 비용 및 유지보수 비용을 저감할 수 있는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템을 제공하려는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 곡물의 위해 요소 저감율을 향상시킬 수 있는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템을 제공하려는 것이다.
본 발명에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템은 곡물의 사전공정이 이루어지는 사전공정부(100); 상기 사전공정부(100)에서 이송된 곡물이 유입되어 낙하되는 반응탱크(210)와, 상기 반응탱크(210)에 유입된 곡물에 플라즈마에 의하여 생성된 플라즈마 오존가스를 공급하여 상기 곡물의 위해 요소를 저감하는 플라즈마 오존가스 발생장치(220)를 포함하는 플라즈마 오존가스 처리부(200); 상기 반응탱크(210)에서 이송된 곡물이 유입되어 낙하되는 탈취탱크(310)와, 상기 탈취탱크(310)에 유입된 곡물에 공기를 송풍하여 상기 곡물에 잔존하는 플라즈마 오존가스를 외부로 배출시키는 탈취팬(320)을 포함하는 탈취부(300); 및 상기 탈취탱크(310)에서 이송된 곡물의 후속공정이 이루어지는 후속공정부(400);를 포함한다.
또한, 상기 플라즈마 오존가스 처리부(200)는 상기 반응탱크(210)의 내부에 설치되어 상기 반응탱크(210)에 유입된 곡물을 지지하고 상기 플라즈마 오존가스 발생장치(220)에서 생성된 플라즈마 오존가스가 통과되는 다수의 제1 다공이 형성되는 제1 지지판(230)을 포함한다.
또한, 상기 제1 지지판(230)이 수평방향과 이루는 제1 내각이 상기 제1 지지판(230)에 위치한 곡물의 안식각과, 상기 제1 지지판(230)이 상기 곡물과 맞닿는 면적이 최대가 되는 최대각 사이로 구성된다.
또한, 상기 플라즈마 오존가스 처리부(200)는 상기 반응탱크(210)의 내부에 상하방향으로 설치되며 구동모터에 의해 회동되는 회동축(240); 및 상기 회동축(240)을 기준으로 나선으로 연장되는 가이드(250);를 포함한다.
또한, 상기 가이드(250)가 수평방향과 이루는 제2 내각 및 상기 가이드(250)에 위치한 곡물의 안식각이 하기 수학식 1을 만족한다.
[수학식 1]
Figure pat00001
단,
Figure pat00002
는 중력,
Figure pat00003
는 상기 제2 내각,
Figure pat00004
은 상기 곡물의 회전 반지름,
Figure pat00005
는 상기 회동축(240)의 회전속도, z는 상기 가이드(250)에 위치한 곡물의 안식각.
또한, 상기 회동축(240)은 내부에 상기 플라즈마 오존가스 발생장치(220)에서 생성된 플라즈마 오존가스가 유입되는 중공홀이 형성되며, 외주면에 상기 중공홀에서 유입된 플라즈마 오존가스가 방사상으로 배출되는 다수의 분사홀(241)이 형성된다.
또한, 상기 회동축(240)은 상기 분사홀(241)이 상기 가이드(250)의 나선 1피치마다 적어도 1개 이상 형성된다.
또한, 상기 탈취부(300)는 상기 탈취탱크(310)의 내부에 설치되어 상기 탈취탱크(310)에 유입된 곡물을 지지하고 상기 송풍팬(710)에서 송풍된 공기가 통과되는 다수의 제2 다공이 형성되는 제2 지지판(330)을 포함한다.
또한, 상기 제1 지지판(230)의 상측에 설치되어 상기 제1 지지판(230)에 머무르는 곡물의 양 및 상기 곡물의 낙하속도를 각각 측정하는 높이센서(500); 및 상기 플라즈마 오존가스 처리부(200)의 상측으로 배출되는 플라즈마 오존가스를 제거하는 오존제거부(600);를 더 포함한다.
또한, 공기를 송풍하는 송풍팬(710); 상기 송풍팬(710)에서 송풍된 공기를 가열하는 히터(720); 상기 히터(720)에서 이송된 공기에 습기를 공급하여 상기 플라즈마 오존가스 발생장치(220)로 안내하는 가습기(730); 상기 송풍팬(710)에서 송풍된 공기의 풍속, 상기 히터(720)에서 가열된 공기의 온도 및 상기 가습기(730)에서 가습된 공기의 습도를 센싱하는 센서부; 상기 센서부에서 센싱된 공기의 풍속이 설정 수치 이상이면 상기 송풍팬(710)의 송풍속도를 감소시키는 제1 콘트롤러(770); 상기 센서부에서 센싱된 공기의 온도가 설정 수치 이상이면 상기 히터(720)의 작동을 중단시키는 제2 콘트롤러(780); 상기 센서부에서 센싱된 공기의 습도가 설정 수치 이상이면 상기 가습기(730)의 작동을 중단시키는 제3 콘트롤러(790); 및 상기 플라즈마 오존가스 발생장치(220)에 공급되는 전원의 주파수 및 인가신호를 제어하는 제4 콘트롤러(800);를 더 포함한다.
이에 따라, 본 발명은 곡물을 플라즈마 오존가스 처리하여 곡물의 위해 요소를 저감함으로써, 작동 비용 및 유지보수 비용을 저감할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 반응탱크에 유입된 곡물이 제1 지지판의 경사면에 분포되어 슬라이딩되면서 곡물의 낙하속도가 저하됨과 동시에 그 곡물이 제1 다공들을 통과한 플라즈마 오존가스에 순차적으로 접촉됨으로써, 곡물의 플라즈마 오존가스 처리 시간이 증가됨과 동시에 곡물의 플라즈마 오존가스에 대한 접촉면적이 증가되어 곡물의 위해 요소 저감율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템을 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템의 플라즈마 오존가스 처리부를 나타낸 개략도.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템의 제1 내각과 제2 내각을 나타낸 개략도.
도 4는 본 발명의 실시예 1에 따른 가이드에 위치한 곡물의 중력에 따른 경사방향 힘 및 가이드에 위치한 곡물의 원심력에 따른 경사방향 힘을 각각 나타낸 개략도.
도 5는 본 발명의 실시예 2에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템의 플라즈마 오존가스 처리부를 나타낸 개략도.
도 6은 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템을 나타낸 블록구성도.
이하, 본 발명의 기술적 사상을 첨부된 도면을 사용하여 더욱 구체적으로 설명한다.
첨부된 도면은 본 발명의 기술적 사상을 더욱 구체적으로 설명하기 위하여 도시한 일예에 불과하므로 본 발명의 기술적 사상이 첨부된 도면의 형태에 한정되는 것은 아니다.
이하에서는 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템에 대하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템을 나타낸 개략도, 도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템의 플라즈마 오존가스 처리부를 나타낸 개략도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템은 사전공정부(100), 플라즈마 오존가스 처리부(200), 탈취부(300) 및 후속공정부(400)를 포함한다.
사전공정부(100)는 곡물의 사전공정이 이루어지는 것이다.
이 때, 사전공정은 건조기(미도시)로 곡물의 습기를 제거하는 건조공정, 선별기(미도시)로 곡물에 혼합된 이물질을 제거하는 선별공정 및 도정기(미도시)로 곡물에 껍질을 벗기는 도정공정 중 적어도 하나 이상의 공정일 수 있다.
도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이, 플라즈마 오존가스 처리부(200)는 곡물을 플라즈마 오존가스 처리하여 곡물의 위해 요소를 저감하는 것으로, 반응탱크(210) 및 플라즈마 오존가스 발생장치(220)를 포함한다.
여기서, 위해 요소는 생물학적 인자, 화학적 인자 및 물리적 인자를 의미하며, 생물학적 인자는 바이러스, 세균, 미생물 등을 포함하며, 화학적 인자는 천연독소(곰팡이독), 잔류농약 등을 포함하며, 물리적 인자는 유리, 금속, 돌, 잔가지, 나뭇잎, 해충 등과 같은 이물질을 포함한다.
반응탱크(210)는 내부에 공간을 갖는 탱크로서, 사전공정부(100)에서 이송된 곡물이 상부로 유입되어 하부로 낙하된다.
반응탱크(210)의 하부에는 곡물을 정량으로 배출하기 위한 제1 로터리밸브(910)가 설치될 수 있다. 제1 로터리밸브(910)는 밸브체를 회전시켜서 개폐되는 밸브이다.
사전공정부(100)와 반응탱크(210) 사이에 제1 버킷엘리베이터(930)가 설치될 수 있으며, 제1 버킷엘리베이터(930)는 무한벨트에 설치된 다수의 버킷에 의해 곡물을 상측으로 이송시키는 장치로서, 제1 버킷엘리베이터(930)에 의해 사전공정부(100)에서 배출된 곡물이 반응탱크(210)로 이송될 수 있다.
플라즈마 오존가스 발생장치(220)는 반응탱크(210)에 유입된 곡물에 플라즈마에 의해 생성된 오존가스를 공급하여 곡물의 위해 요소를 저감한다. 본 발명에서는 플라즈마에 의해 생성된 오존가스를 플라즈마 오존가스로 통칭하기로 한다.
여기서 플라즈마 오존가스는 수산화기에 의해 분해가 시작되어 중간생성물질로 OH 라디컬을 생성하게 된다. 이러한 OH 라디컬은 플라즈마 오존가스보다 높은 전위차를 가지며 위해 요소의 생물학적 인자(바이러스, 세균, 미생물)를 살균하거나 위해 요소의 화학적 인자(천연독소(곰팡이독), 잔류농약)를 저감하는 역할을 할 수 있으며, 플라즈마 오존가스도 OH 라디컬과 같은 역할을 할 수 있으며, 플라즈마 오존 가스의 조성이 라디컬 생성에 중요한 역할을 할 수 있다.
한편, 플라즈마 오존가스 발생장치(220)는 마이크로플라즈마를 이용하여 플라즈마 오존가스를 생성할 수 있다. 그리고, 마이크로플라즈마는 대기 중의 공기를 이용하여 플라즈마 오존가스를 생성함으로써, 별도의 산소발생기가 불필요하므로, 작동 비용 및 유지보수 비용을 저감할 수 있다. 특히, 마이크로플라즈마는 오존 발생율이 종래의 오존발생장치보다 월등하고, 오존과 OH 라디컬을 포함하는 다양한 라디컬의 조성을 최적화하여 곡물의 위해요소 저감율을 극대화할 수 있다.
반면, 종래의 오존발생장치는 산소 발생기 및 코로나방전을 이용하여 플라즈마 오존가스를 생성함으로써, 별도의 방전가스 공급이 필요하므로, 작동 비용 및 유지보수 비용을 증가한다. 또한, 코로나 방전에 사용되는 전극 수명이 짧아서 전극을 수시로 교체해 주어야 됨으로써, 경제성과 생산효율성이 저하된다.
탈취부(300)는 곡물에 잔존하는 플라즈마 오존가스를 제거하려는 것으로, 탈취탱크(310) 및 탈취팬(320)을 포함한다.
탈취탱크(310)는 반응탱크(210)에서 이송된 곡물이 상부로 유입되어 하부로 낙하된다.
이 때, 탈취탱크(310)는 곡물이 유입되어 낙하될 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다.
탈취팬(320)은 반응탱크(210)에서 이송된 곡물에 공기를 송풍하여 곡물에 잔존하는 플라즈마 오존가스를 외부로 배출시킨다.
한편, 탈취탱크(310)의 하부에는 곡물을 정량으로 배출하기 위한 제2 로터리밸브(920)가 설치될 수 있다. 이 때, 제2 로터리밸브(920)는 밸브체를 회전시켜서 개폐되는 밸브이다.
또한, 반응탱크(210)와 탈취탱크(310) 사이에 제2 버킷엘리베이터(940)가 설치될 수 있으며, 제2 버킷엘리베이터(940)는 무한벨트에 설치된 다수의 버킷에 의해 곡물을 상측으로 이송시키는 장치로서, 제2 버킷엘리베이터(940)에 의해 반응탱크(210)에서 배출된 곡물이 탈취탱크(310)로 이송되어 유입될 수 있다.
후속공정부(400)는 탈취탱크(310)에서 이송된 곡물의 후속공정이 이루어진다.
이 때, 후속공정은 선별기(미도시)로 곡물에 혼합된 이물질을 제거하는 선별공정 및 포장기(미도시)로 곡물을 설정 분량으로 포장하는 포장공정 중 적어도 하나의 공정일 수 있다.
또한, 탈취탱크(310)와 후속공정부(400) 사이에 제3 버킷엘리베이터(950)가 설치될 수 있으며, 제3 버킷엘리베이터(950)는 무한벨트에 설치된 다수의 버킷에 의해 곡물을 상측으로 이송시키는 장치로서, 제3 버킷엘리베이터(950)에 의해 탈취탱크(310)에서 배출된 곡물이 후속공정부(400)로 이송되어 유입될 수 있다.
이에 따라, 본 발명은 곡물을 플라즈마 오존가스 처리하여 곡물의 위해 요소를 저감함으로써, 작동 비용 및 유지보수 비용을 저감할 수 있는 장점이 있다.
한편, 곡물을 플라즈마 오존가스 처리할 때, 곡물의 플라즈마 오존가스 처리 시간과, 곡물과 플라즈마 오존가스의 접촉 면적이 모두 증가되어야 곡물의 위해 요소 저감율을 향상시킬 수 있다.
그러나 곡물의 모든 표면에 플라즈마 오존가스를 접촉시키는 것이 현실적으로 쉽지 않으므로, 본 발명에서는 곡물과 플라즈마 오존가스의 접촉 면적을 증가시키는 것에 중점을 두었다.
이에 따라, 본 발명은 곡물 표면의 최대한 넓은 면적에 플라즈마 오존가스를 접촉되도록 하기 위한 제1 지지판(230)이 더 구성된다.
제1 지지판(230)은 반응탱크(210)의 내부에 설치되어 반응탱크(210)에서 유입되는 곡물을 지지하고 플라즈마 오존가스 발생장치(220)에서 생성된 플라즈마 오존가스가 통과되는 다수의 제1 다공이 형성된다.
좀 더 상세하게, 제1 지지판(230)은 하측으로 갈수록 점점 좁아지는 경사면이 형성되며, 경사면에 다수의 제1 다공이 배열 형성되며, 제1 지지판(230)의 중앙에 곡물이 배출되는 중공홀이 형성된다.
그리고, 반응탱크(210)에 유입된 곡물이 제1 지지판(230)의 경사면에 슬라이딩되어 곡물의 낙하속도가 저하된 상태에서 제1 다공들에서 공급된 플라즈마 오존가스에 순차적으로 접촉됨으로써, 곡물과 플라즈마 오존가스의 접촉면적이 증가됨과 동시에 곡물이 반응탱크(210)에서 체류하는 시간이 증가된다.
이에 따라, 본 발명은 반응탱크에 유입된 곡물이 제1 지지판의 경사면에 분포되어 슬라이딩되면서 곡물의 낙하속도가 저하됨과 동시에 그 곡물이 제1 다공들을 통과한 플라즈마 오존가스에 순차적으로 접촉됨으로써, 곡물의 플라즈마 오존가스 처리 시간이 증가됨과 동시에 곡물의 플라즈마 오존가스에 대한 접촉면적이 증가되어 곡물의 위해 요소 저감율을 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템의 제1 내각과 제2 내각을 나타낸 개략도, 도 4는 본 발명의 실시예 1에 따른 가이드에 위치한 곡물의 중력에 따른 경사방향 힘 및 가이드에 위치한 곡물의 원심력에 따른 경사방향 힘을 각각 나타낸 개략도이다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 지지판(230)이 수평방향과 이루는 제1 내각이 제1 지지판(230)에 위치한 곡물의 안식각 내지 제1 지지판(230)이 곡물과 맞닿는 면적이 최대가 되는 최대각 사이로 구성될 수 있다.
이때, 제1 지지판(230)에 위치한 곡물의 안식각이란, 곡물이 제1 지지판(230)과의 마찰력에 의해 제1 지지판(230) 위에 머무를 수 있는 최대 각도를 의미하는 것으로, 곡물의 종류에 따라, 고유상수를 가지게 된다.
즉, 제1 내각은 곡물이 제1 지지판(230)에 머무르지 않고 슬라이딩되도록 안식각보다 큰 각을 가져야 되며, 제1 지지판(230)이 곡물과 맞닿는 면적이 최대가 되면 곡물이 제1 지지판(230)에서 슬라이딩 되는 시간이 극대화 되어 플라즈마 오존가스 처리 시간이 증가하여 곡물의 위해 요소 저감율을 향상시킬 수 있다.
도 2 내지 도 4를 다시 참조하면, 플라즈마 오존가스 처리부(200)는 회동축(240) 및 가이드(250)를 포함할 수 있다.
회동축(240)은 반응탱크(210)의 내부에 상하방향으로 설치되며 구동모터의 구동축에 연결되어 상하방향을 중심으로 회동된다.
가이드(250)는 회동축(240)을 기준으로 나선 구조로 연장되며, 반응탱크(210)에 유입된 곡물이 가이드(250)의 나선 구조에 고르게 분포된다.
또한, 가이드(250)는 제1 지지판(230)의 상측에 설치되며, 가이드(250)에서 낙하된 곡물이 제1 지지판(230)으로 전달된다.
이 때, 가이드(250)의 회전속도를 조절하여, 가이드(250)에서 제1 지지판(230)으로 전달되는 곡물의 양을 조절함으로써, 제1 지지판(230)의 경사면에 분포되는 곡물의 층의 두께를 조절할 수 있다.
따라서, 가이드(250)에서 제1 지지판(230)로 낙하된 곡물이 제1 지지판(230)의 경사면에 소정 두께 이내로만 분포되도록 조절할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 제1 지지판(230)의 경사면에 소정 두께 이내로만 분포되면, 곡물의 위해 요소 저감율을 향상시킬 수 있다.
한편, 가이드(250)가 수평방향과 이루는 제2 내각 및 가이드(250)에 위치한 곡물의 안식각이 하기 수학식 1을 만족할 수 있다.
[수학식 1]
Figure pat00006
단,
Figure pat00007
는 중력,
Figure pat00008
는 제2 내각,
Figure pat00009
은 곡물의 회전 반지름,
Figure pat00010
는 회동축(240)의 회전속도, z는 가이드(250)에 위치한 곡물의 안식각.
이 때, 수학식 1은 하기 수학식 2에서 유도된 것이다.
[수학식 2]
Figure pat00011
단,
Figure pat00012
은 곡물의 질량,
Figure pat00013
는 가이드(250)에 위치한 곡물의 중력에 따른 경사방향 힘,
Figure pat00014
는 가이드(250)에 위치한 곡물의 원심력에 따른 경사방향 힘,
Figure pat00015
는 가이드(250)에 위치한 곡물의 마찰력에 따른 경사방향 힘.
도 4를 참조하면, 가이드(250)에 위치한 곡물이 받는 중력은 가이드(250)가 경사방향으로 배치됨에 따라, 가이드(250)에 위치한 곡물의 중력에 따른 경사방향 힘과 가이드(250)에 위치한 곡물의 중력에 따른 수직방향 (경사방향에 수직) 힘으로 분해된다.
이 때, 가이드(250)에 위치한 곡물의 중력에 따른 경사방향 힘은
Figure pat00016
이 되며, 가이드(250)에 위치한 곡물의 중력에 따른 수직방향 힘은
Figure pat00017
이 되는데, 가이드(250)에 위치한 곡물의 중력에 따른 수직방향 힘 및 수직항력이 서로 평형을 이뤄서 상쇄되므로, 가이드(250)에 위치한 곡물이 받는 중력은 가이드(250)에 위치한 곡물의 중력에 따른 경사방향 힘만 작용하게 된다.
또한, 가이드(250)에 위치한 곡물이 받는 원심력은 가이드(250)가 경사방향으로 배치됨에 따라, 가이드(250)에 위치한 곡물의 원심력에 따른 경사방향 힘과 가이드(250)에 위치한 곡물의 원심력에 따른 수직방향 (경사방향에 수직) 힘으로 분해된다.
이 때, 가이드(250)에 위치한 곡물의 원심력에 따른 경사방향 힘은
Figure pat00018
이 되며, 가이드(250)에 위치한 곡물의 원심력에 따른 경사방향 힘은
Figure pat00019
이 되는데, 가이드(250)에 위치한 곡물의 원심력에 따른 수직방향 힘 및 수직항력이 서로 평형을 이뤄서 상쇄되므로, 가이드(250)에 위치한 곡물이 받는 원심력은 가이드(250)에 위치한 곡물의 원심력에 따른 경사방향 힘만 작용하게 된다.
또한, 가이드(250)에 위치한 곡물이 받는 마찰력은 가이드(250)가 경사방향으로 배치됨에 따라, 가이드(250)에 위치한 곡물의 마찰력에 따른 경사방향 힘과 가이드(250)에 위치한 곡물의 마찰력에 따른 경사방향 힘로 분해된다.
이 때, 가이드(250)에 위치한 곡물의 마찰력에 따른 경사방향 힘은
Figure pat00020
이 되며, 가이드(250)에 위치한 곡물의 마찰력에 따른 경사방향 힘은
Figure pat00021
이 되는데, 가이드(250)에 위치한 곡물의 마찰력에 따른 수직방향 힘 및 수직항력이 서로 평형을 이뤄서 상쇄되므로, 가이드(250)에 위치한 곡물이 받는 마찰력은 가이드(250)에 위치한 곡물의 원심력에 따른 경사방향 힘만 작용하게 된다.
다시 수학식 2를 해석하자면, 가이드(250)에 위치한 곡물의 중력에 따른 경사방향 힘
Figure pat00022
과, 가이드(250)에 위치한 곡물의 원심력에 따른 경사방향 힘
Figure pat00023
의 합력이 가이드(250)에 위치한 곡물의 마찰력에 따른 경사방향 힘
Figure pat00024
(즉, 곡물이 가이드(250)에 머무를 수 있는 최대 마찰력)보다 커야, 곡물이 가이드(250)를 타고 슬라이딩 될 수 있다.
수학식 1은 수학식 2에서 질량을 제거한 것이다.
이하에서는 본 발명의 실시예 2에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템에 대하여 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 실시예 2에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템의 플라즈마 오존가스 처리부(200)를 나타낸 개략도이다,
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예 2에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템은 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템에 있어서, 회동축(240)에 중공홀과 분사홀(241)이 더 형성된다.
좀 더 상세하게, 회동축(240)은 내부에 플라즈마 오존가스 발생장치(220)에서 생성된 플라즈마 오존가스가 유입되는 중공홀이 형성되며, 외주면에 중공홀에서 유입된 플라즈마 오존가스가 방사상으로 배출되는 다수의 분사홀(241)이 형성된다.
이에 따라, 곡물이 가이드(250)에 슬라이딩되는 동안, 분사홀(241)에서 플라즈마 오존가스가 배출됨으로써, 플라즈마 오존가스 처리 시간이 증가하여 곡물의 위해 요소 저감율을 향상시킬 수 있다.
특히, 회동축(240)에는 분사홀(241)이 가이드(250)의 나선 1피치마다 적어도 1개 이상 형성될 수 있다.
이에 따라, 곡물이 가이드(250)에 슬라이딩되는 소정 구간 마다 분사홀(241)에서 플라즈마 오존가스가 배출됨으로써, 곡물과 플라즈마 오존가스의 접촉이 소정 구간 마다 이루어져서 곡물의 위해요소 저감율을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템에 대하여 설명하기로 한다.
도 1을 다시 참조하면, 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템은 제2 지지판(330)을 더 포함할 수 있다.
제2 지지판(330)은 탈취탱크(310)의 내부에 설치되어 탈취탱크(310)에서 낙하되는 곡물을 지지하고 탈취팬(320)에서 이송된 공기가 통과되는 다수의 제2 다공이 형성된다.
또한, 제2 지지판(330)은 하측으로 호퍼 형상으로 형성되며, 중앙에 곡물이 배출되는 중공홀이 형성된다.
좀 더 상세하게, 제2 지지판(330)은 하측으로 갈수록 점점 좁아지는 경사면이 형성되며, 경사면에 다수의 제2 다공이 형성되며, 제2 지지판(330)의 중앙에 곡물이 배출되는 중공홀이 형성된다.
이 때, 탈취탱크(310)에 유입된 곡물이 탈취탱크(310)의 바닥면으로 바로 낙하되지 않고 제2 지지판(330)의 경사면을 따라 슬라이딩됨에 따라, 곡물의 낙하속도가 저하되어 곡물의 체류 시간이 증가되고, 곡물에 잔존하는 플라즈마 오존가스가 탈취팬(320)에서 이송된 공기에 의해 제거되는 시간도 증가된다.
이에 따라, 본 발명은 제1 지지판(230)에 의해 곡물에 잔존하는 플라즈마 오존가스가 제거되는 시간이 증가됨으로써, 곡물에 잔존하는 플라즈마 오존가스의 제거율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템은 높이센서(500) 및 오존제거부(600)를 더 포함할 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 높이센서(500)는 제1 지지판(230)의 상측에 설치되어 제1 지지판(230)에 머무르는 곡물의 양 및 곡물의 낙하속도를 각각 측정한다.
이 때, 높이센서(500)는 제1 지지판(230)에 머무르는 곡물의 양이 설정 수치 이상이 되면 사전공정부(100)의 작동을 일시적으로 중단시킨 후, 설정 수치 이상이 되면 다시 작동시킨다.
또한, 제1 지지판(230)에 머무르는 곡물의 낙하속도가 설정 수치 이상이 되면 사전공정부(100)의 작동을 일시적으로 중단시킨 후, 설정 수치 이하가 되면 다시 작동시킨다.
또한, 높이센서(500)는 제2 지지판(330)의 상측에 설치될 수 있다.
오존제거부(600)는 플라즈마 오존가스 처리부(200)의 상측으로 배출되는 플라즈마 오존가스를 제거한다.
이 때, 오존제거부(600)는 플라즈마 오존가스를 활성탄 및 촉매에 의하여 제거할 수 있으며, 공지된 기술이므로 자세한 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템을 나타낸 블록구성도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예 1에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템은 공기가 플라즈마 오존가스 발생장치(220)로 공급되기 전 사전공정이 이루어지는 것으로, 송풍팬(710), 히터(720), 가습기(730), 센서부, 제1 콘트롤러(770), 제2 콘트롤러(780), 제3 콘트롤러(790), 제4 콘트롤러(800)를 포함할 수 있다.
이 때, 송풍팬(710)은 공기를 송풍한다.
히터(720)는 송풍팬(710)에서 송풍된 공기를 가열한다.
가습기(730)는 히터(720)에서 이송된 공기에 습기를 공급하여 플라즈마 오존가스 발생장치(220)로 안내한다.
센서부는 송풍팬(710)에서 송풍된 공기의 풍속을 센싱하는 압력센서(740), 히터(720)에서 가열된 공기의 온도를 센싱하는 온도센서(750) 및 가습기(730)에서 가습된 공기의 습도를 센싱하는 습도센서(760)를 포함한다.
제1 콘트롤러(770)는 센서부에서 센싱된 공기의 풍속이 설정 수치 이상이면 송풍팬(710)의 송풍속도를 감소시키며, 설정 수치 미만이면 송풍팬(710)의 송풍속도를 감소전 속도로 리턴시킨다.
제2 콘트롤러(780)는 센서부에서 센싱된 공기의 온도가 설정 수치 이상이면 히터(720)의 작동을 중단시키며, 설정 수치 미만이면 히터(720)를 다시 작동시킨다.
제3 콘트롤러(790)는 센서부에서 센싱된 공기의 습도가 설정 수치 이상이면 가습기(730)의 작동을 중단시키며, 설정 수치 미만이면 히터(720)를 다시 작동시킨다.
제4 콘트롤러(800)는 플라즈마 오존가스 발생장치(220)에 공급되는 전원의 주파수 및 인가신호를 제어한다.
이에 따라, 플라즈마 오존가스 발생장치(220)는 제4 콘트롤러(800)의 제어에 의해 플라즈마 오존가스 발생량이 제어된다.
본 발명에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템은 사전공정부(100)에서 곡물의 건조, 선별 및 도정 중 적어도 하나 이상이 이루어지는 사전공정이 이루어진 후, 플라즈마 오존가스 처리부(200)에서 곡물의 플라즈마 오존가스에 의한 곡물의 위해요소가 저감된 후, 탈취부(300)에서 곡물에 잔존하는 플라즈마 오존가스를 제거하는 탈취공정이 이루어진 후, 후속공정부(400)에서 곡물의 선별 및 포장 중 적어도 하나 이상이 이루어지는 후속공정이 이루어지며, 이러한 공정이 연속적으로 이루어지게 된다.
이하에서는 본 발명에 따른 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 방법을 설명하기로 한다.
우선, 제1단계에서는 곡물의 사전공정이 이루어진다.
여기서, 사전공정은 건조기(미도시)로 곡물의 습기를 제거하는 건조공정, 선별기(미도시)로 곡물에 혼합된 이물질을 제거하는 선별공정 및 도정기(미도시)로 곡물에 껍질을 벗기는 도정공정 중 적어도 하나 이상의 공정일 수 있다.
다음으로, 제2단계에서는 제1단계에서 사전공정이 이루어진 곡물이 반응탱크에 유입된다.
여기서, 반응탱크는 내부에 공간을 갖는 탱크로서, 사전공정이 이루어진 곡물이 상부로 유입되어 하부로 낙하된다.
다음으로, 제3단계에서는 반응탱크에 유입된 곡물에 플라즈마 오존가스 발생장치에서 플라즈마에 의해 생성된 플라즈마 오존가스가 공급되어 곡물의 위해 요소가 저감된다.
여기서, 플라즈마 오존가스 발생장치는 마이크로플라즈마를 이용하여 플라즈마 오존가스를 생성할 수 있다. 그리고, 마이크로플라즈마는 대기 중의 공기를 이용하여 플라즈마 오존가스를 생성할 수 있다.
다음으로, 제4단계에서는 반응탱크에서 배출된 곡물이 탈취탱크에 유입된다.
여기서, 탈취탱크는 내부에 공간을 갖는 탱크로서, 반응탱크에서 이송된 곡물이 상부로 유입되어 하부로 낙하된다.
다음으로, 제5단계에서는 탈취탱크에 유입된 곡물에 탈취팬에서 송풍된 공기가 송풍되어 곡물에 잔존하는 플라즈마 오존가스가 탈취탱크의 외부로 배출된다.
여기서 탈취팬은 공기를 송풍할수 있는 송풍팬이나 시로코팬을 사용할 수 있으며, 이에 한정되지 아니한다.
다음으로, 탈취탱크에서 배출된 곡물의 후속공정이 이루어진다.
이 때, 후속공정은 선별기(미도시)로 곡물에 혼합된 이물질을 제거하는 선별공정 및 포장기(미도시)로 곡물을 설정 분량으로 포장하는 포장공정 중 적어도 하나의 공정일 수 있다.
플라즈마 오존 가스를 이용한 곡물의 위해요소(특히, 곰팡이 및 병원성 미생물 등) 저감 효과는 여러 연구자들의 논문 등을 통하여 입증되었으며 농약 분해에 대한 논문도 다수 보고되고 있다.
또한, 구기자, 딸기, 블루베리 등 여러 식재료에서 잔류농약 분해효과가 검증되었으나, 본 발명의 주요 관점은 식재료 처리시 플라즈마 오존 가스가 표면에 고루 접촉하여 위해요소 저감율을 극대화하는 것이며 플라즈마 전극의 내구성이 보장하여 경제성 및 생산성을 높여서 실제 산업현장에 활용하는 것이다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.
100 : 사전공정부
200 : 플라즈마 오존가스 처리부
210 : 반응탱크
220 : 플라즈마 오존가스 발생장치
230 : 제1 지지판
240 : 회동축
241 : 분사홀
250 : 가이드
300 : 탈취부
310 : 탈취탱크
320 : 탈취팬
330 : 제2 지지판
400 : 후속공정부
500 : 높이센서
600 : 오존제거부
710 : 송풍팬
720 : 히터
730 : 가습기
740 : 압력센서
750 : 온도센서
760 : 습도센서
770 : 제1 콘트롤러
780 : 제2 콘트롤러
790 : 제3 콘트롤러
800 : 제4 콘트롤러
910 : 제1 로터리밸브
920 : 제2 로터리밸브
930 : 제1 버킷엘리베이터
940 : 제2 버킷엘리베이터
950 : 제3 버킷엘리베이터

Claims (11)

  1. 곡물의 사전공정이 이루어지는 사전공정부(100);
    상기 사전공정부(100)에서 이송된 곡물이 유입되어 낙하되는 반응탱크(210)와, 상기 반응탱크(210)에 유입된 곡물에 플라즈마에 의하여 생성된 플라즈마 오존가스를 공급하여 상기 곡물의 위해 요소를 저감하는 플라즈마 오존가스 발생장치(220)를 포함하는 플라즈마 오존가스 처리부(200);
    상기 반응탱크(210)에서 이송된 곡물이 유입되어 낙하되는 탈취탱크(310)와, 상기 탈취탱크(310)에 유입된 곡물에 공기를 송풍하여 상기 곡물에 잔존하는 플라즈마 오존가스를 외부로 배출시키는 탈취팬(320)을 포함하는 탈취부(300); 및
    상기 탈취탱크(310)에서 이송된 곡물의 후속공정이 이루어지는 후속공정부(400);를 포함하는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 오존가스 처리부(200)는,
    상기 반응탱크(210)의 내부에 설치되어 상기 반응탱크(210)에 유입된 곡물을 지지하고 상기 플라즈마 오존가스 발생장치(220)에서 생성된 플라즈마 오존가스가 통과되는 다수의 제1 다공이 형성되는 제1 지지판(230)을 포함하는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 지지판(230)이 수평방향과 이루는 제1 내각이 상기 제1 지지판(230)에 위치한 곡물의 안식각과, 상기 제1 지지판(230)이 상기 곡물과 맞닿는 면적이 최대가 되는 최대각 사이로 구성되는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 오존가스 처리부(200)는,
    상기 반응탱크(210)의 내부에 상하방향으로 설치되며 구동모터에 의해 회동되는 회동축(240); 및
    상기 회동축(240)을 기준으로 나선으로 연장되는 가이드(250);를 포함하는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 가이드(250)가 수평방향과 이루는 제2 내각 및 상기 가이드(250)에 위치한 곡물의 안식각이 하기 수학식 1을 만족하는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템.
    [수학식 1]
    Figure pat00025

    단,
    Figure pat00026
    는 중력,
    Figure pat00027
    는 상기 제2 내각,
    Figure pat00028
    은 상기 곡물의 회전 반지름,
    Figure pat00029
    는 상기 회동축(240)의 회전속도, z는 상기 가이드(250)에 위치한 곡물의 안식각.
  6. 제4 항에 있어서, 상기 회동축(240)은,
    내부에 상기 플라즈마 오존가스 발생장치(220)에서 생성된 플라즈마 오존가스가 유입되는 중공홀이 형성되며, 외주면에 상기 중공홀에서 유입된 플라즈마 오존가스가 방사상으로 배출되는 다수의 분사홀(241)이 형성되는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 회동축(240)은,
    상기 분사홀(241)이 상기 가이드(250)의 나선 1피치마다 적어도 1개 이상 형성되는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 탈취부(300)는,
    상기 탈취탱크(310)의 내부에 설치되어 상기 탈취탱크(310)에 유입된 곡물을 지지하고 상기 송풍팬(710)에서 송풍된 공기가 통과되는 다수의 제2 다공이 형성되는 제2 지지판(330)을 포함하는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템.
  9. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 지지판(230)의 상측에 설치되어 상기 제1 지지판(230)에 머무르는 곡물의 양 및 상기 곡물의 낙하속도를 각각 측정하는 높이센서(500); 및
    상기 플라즈마 오존가스 처리부(200)의 상측으로 배출되는 플라즈마 오존가스를 제거하는 오존제거부(600);를 더 포함하는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템.
  10. 제1 항에 있어서,
    공기를 송풍하는 송풍팬(710);
    상기 송풍팬(710)에서 송풍된 공기를 가열하는 히터(720);
    상기 히터(720)에서 이송된 공기에 습기를 공급하여 상기 플라즈마 오존가스 발생장치(220)로 안내하는 가습기(730);
    상기 송풍팬(710)에서 송풍된 공기의 풍속, 상기 히터(720)에서 가열된 공기의 온도 및 상기 가습기(730)에서 가습된 공기의 습도를 센싱하는 센서부;
    상기 센서부에서 센싱된 공기의 풍속이 설정 수치 이상이면 상기 송풍팬(710)의 송풍속도를 감소시키는 제1 콘트롤러(770);
    상기 센서부에서 센싱된 공기의 온도가 설정 수치 이상이면 상기 히터(720)의 작동을 중단시키는 제2 콘트롤러(780);
    상기 센서부에서 센싱된 공기의 습도가 설정 수치 이상이면 상기 가습기(730)의 작동을 중단시키는 제3 콘트롤러(790); 및
    상기 플라즈마 오존가스 발생장치(220)에 공급되는 전원의 주파수 및 인가신호를 제어하는 제4 콘트롤러(800);를 더 포함하는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 시스템.
  11. 곡물의 사전공정이 이루어지는 제1단계;
    상기 사전공정이 이루어진 상기 곡물이 반응탱크(210)에 유입되는 제2단계;
    상기 반응탱크(210)에 유입된 상기 곡물에 플라즈마 오존가스 발생장치(220)에서 플라즈마에 의해 생성된 플라즈마 오존가스가 공급되어 상기 곡물의 위해 요소를 저감하는 제3단계;
    상기 반응탱크(210)에서 배출된 상기 곡물이 탈취탱크(310)에 유입되는 제4단계;
    상기 탈취탱크(310)에 유입된 상기 곡물에 탈취팬(320)에서 송풍된 공기가 송풍되어 상기 곡물에 잔존하는 플라즈마 오존가스를 상기 탈취탱크(310)의 외부로 배출시키는 제5단계; 및
    상기 탈취탱크(310)에서 배출된 상기 곡물의 후속공정이 이루어지는 제6단계;를 포함하는 곡물의 위해 요소를 저감하기 위한 플라즈마 오존가스 처리 방법.
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