KR20200136120A - 입체적 도포가 가능한 바코터 및 그 제조방법, 그를 이용한 노광 패턴 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 바코터 및 그 제조방법, 그를 이용한 노광 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 감광제를 입체적으로 도포할 수 있는 바코터와 그 제조방법, 그리고 이를 이용하여 노광 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
이에 따라, 본 발명에 따른 바코터는, 바(bar); 및 상기 바에 감긴 패턴필름을 포함하고, 상기 패턴필름은 패턴의 밀도가 일정하지 않은 것을 특징으로 한다.

Description

입체적 도포가 가능한 바코터 및 그 제조방법, 그를 이용한 노광 패턴 형성방법{Bar coater and its manufacturing method, thin film forming method using bar coater}
본 발명은 바코터 및 그 제조방법, 그를 이용한 노광 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 감광제를 도포할 수 있는 바코터와 그 제조방법, 그리고 그를 이용하여 노광 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 전자 제품의 외장 고급화를 위해서 제품의 표면에 미세 패턴을 형성시키는데, 이 과정에는 포토리소그래피 (Photo Lithography) 및 전주 도금 공정에 의해 제작되는 나노 또는 마이크로 패턴의 몰드를 이용하여 기판 또는 필름에 미세 패턴을 성형하는 방법이 널리 이용된다.
포토리소그래피 공정에는 노광용 기판 위에 빛에 민감한 물질인 감광제(PR, Photo Resist)를 도포한 후 그 위에 일정 패턴의 포토마스크를 위치시키고 빛을 조사하여 미세 패턴을 형성하는 노광 과정이 포함된다.
양성 감광제(Positive Resist)를 사용할 경우에는 자외선이 조사된 부분만 선택적으로 제거되어 미세 패턴이 형성되도록 할 수 있으며, 음성 감광제(Negative Resist)를 사용할 경우에는 자외선이 조사된 부분만 선택적으로 경화되도록 하여 미세 패턴을 구현할 수 있다.
감광제를 도포하는 방법으로는 스프레이(spray), 딥핑(dipping), 스핀 코팅(spin coating), 바코팅(bar coating) 방식 등이 개시되어 있다. 이 중 바코팅 방식은 패턴이 형성된 바(bar), 즉 바코터(bar coater)를 이용하여 기판에 감광제를 도포하는 방법을 사용하며, 이는 다른 방식들에 비해 제조비용이 저렴하다는 장점이 있다.
종래의 바코터는 균일한 간격의 와이어 패턴이 바(bar)에 감겨 있는 구조를 취하고 있어 전 영역에서의 감광제 두께가 동일하였다. 이러한 경우, 노광 패턴의 선폭은 포토마스크의 패턴에 따라 변화시킬 수 있으나, 노광 패턴의 부분별 두께를 자유롭게 제어하기에는 어려운 점이 있다.
특히, 최근에는 다양한 형태의 노광 패턴이 개발되고 있으나, 대부분 2차원 형태의 패턴에 그치고 있는 실정이다.
대한민국특허청 등록특허공보 제10-0781390호 대한민국특허청 등록특허공보 제10-0866323호
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, 바코터 패턴의 밀도를 위치별로 조정하여 감광제의 두께를 제어함에 따라 3차원 형태의 노광 패턴을 제조할 수 있는 바코터 및 그 제조방법, 그를 이용한 노광 패턴 형성방법의 제공을 과제로 한다.
전술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 바(bar); 및 상기 바에 감긴 패턴필름을 포함하고, 상기 패턴필름은 패턴의 밀도가 일정하지 않은 것을 특징으로 하는 바코터를 제공한다.
바람직하게는, 상기 패턴은 소정의 폭을 가지는 직선형 돌출부로 이루어지며, 상기 패턴의 간격이 밀도에 따라 조정된다.
전술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 패턴의 밀도가 일정하지 않은 패턴필름을 형성하는 단계; 및 상기 패턴필름을 바(bar)에 감아서 바코터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바코터 제조방법을 제공한다.
바람직하게는, 상기 패턴필름을 형성하는 단계는: 패턴의 밀도가 일정하지 않은 패턴필름용 포토마스크를 형성하는 단계; 감광제가 도포된 기판에 상기 패턴필름용 포토마스크를 통해 감광제 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광제 패턴 위에 금속층 또는 고분자층을 형성시켜 패턴필름 성형용 몰드를 형성하는 단계; 및 상기 패턴필름 성형용 몰드로 상기 패턴필름을 형성하는 단계를 포함한다.
전술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 패턴의 밀도가 일정하지 않은 바코터로 기판 위에 감광제를 도포하여 상기 바코터의 패턴이 반영된 감광제층을 형성하는 단계; 상기 감광제층 위에 노광공정용 포토마스크를 위치시키는 단계; 및 상기 감광제층을 노광 및 현상하여 상기 감광제층에 상기 노광공정용 포토마스크의 패턴에 의한 노광 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바코터를 이용한 노광 패턴 형성방법을 제공한다.
바람직하게는, 상기 감광제층을 형성하는 단계는: 상기 기판 위에 상기 바코터로 일 방향을 따라 감광제를 도포하는 단계; 및 상기 기판 위에서 상기 바코터와 패턴이 동일 또는 상이한 바코터를 상기 일 방향과는 상이한 방향을 따라 이동시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 부분별로 높이가 다른 3차원 형태의 노광 패턴을 한 번의 노광 공정으로 제작할 수 있다.
또한, 패턴이 동일 또는 상이한 바코터의 이동 방향을 서로 달리하여, 보다 다양한 형태로 감광제를 도포할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 바코터의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 바코터 제조방법의 순서도이다.
도 3은 도 2의 감광제 패턴 형성 단계의 설명도이다.
도 4는 도 2의 패턴필름 성형용 몰드 형성 단계의 설명도이다.
도 5는 도 2의 패턴필름 형성 단계의 설명도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 패턴 형성방법의 순서도이다.
도 7은 도 6의 감광제층 형성 단계의 설명도이다.
도 8은 도 6의 노광공정용 포토마스크 위치 단계 및 노광 패턴 형성 단계의 설명도이다.
도 9는 도 6의 노광공정용 포토마스크 위치 단계 및 노광 패턴 형성 단계의 다른 설명도이다.
도 10은 도 6의 감광제층 형성 단계가 바코터의 이동 방향을 달리하여 수행되는 실시예이다.
도 11은 도 10에 따른 감광제층 형성과정을 설명하는 평면도이다.
도 12는 도 10에 따라 형성되어 평탄화된 감광제층의 사시도이다.
도 13은 도 6의 감광제층 형성 단계가 바코터의 이동 방향을 달리하여 수행되는 다른 실시예에 따라 형성되어 평탄화된 감광제층의 사시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 방향을 지시하는 용어들은 당업자가 본 발명을 명확하게 이해할 수 있도록 기재된 것들로서, 상대적인 방향을 지시하는 것이므로, 이로 인해 권리범위가 제한되지는 않는다고 할 것이다.
이하 설명에서는 양성 감광제를 사용하는 경우를 기준으로 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 바코터의 사시도이다.
도 1을 참조하여, 본 발명에 따른 바코터는 바(100) 및 바(100)에 감긴 패턴필름(200)을 포함하고, 패턴필름(200)은 패턴(210)의 밀도가 일정하지 않은 것을 특징으로 한다.
이때, 패턴(210)의 밀도는 단위 길이당 패턴(210)이 포함되는 개수를 의미할 수 있다. 즉, 패턴(210)의 밀도가 높을수록 패턴(210) 간의 거리는 좁아지고, 반대로 패턴(210)의 밀도가 낮을수록 패턴 간의 거리는 넓어질 수 있다.
패턴필름(200)은 그 패턴(210)의 밀도가 일정하지 않게 형성되므로, 패턴(210)이 분포된 위치에 따라 패턴(210)의 밀도가 상이할 수 있다.
예를 들어, 패턴(210)의 밀도는 바(100)의 길이방향을 따라 점차 커지거나 작아질 수 있고, 커지고 작아지는 것이 번갈아 반복될 수도 있다.
다른 예로, 패턴필름(200)을 2개 이상의 영역으로 구분하고, 패턴(210)의 밀도가 각 영역에 따라 다르도록 할 수 있다. 만약 영역이 3개 이상이면, 일부 이웃하지 않은 영역의 밀도는 동일할 수 있다.
즉, 도 1에서와 같이, A 영역과 C 영역에서는 패턴(210)의 밀도가 동일하나 B 영역의 경우에는 A 또는 C 영역에 비하여 그 패턴(210)의 밀도가 낮을 수 있다.
한편, 바코터를 이용하여 감광제를 도포하는 원리는 일반적으로 뿌려진 감광제 위로 바코터를 이동시켜 감광제가 바코터 표면의 패턴 형태를 반영하여 기판 위에 고루 도포되도록 함에 있다.
이러한 원리를 따라, 본 발명에 따른 바코터를 이용하면 일정하지 않은 패턴(210)의 밀도가 감광제에 반영되어 도포되므로, 이후 감광제가 평탄화 과정을 거치면 패턴의 밀도가 높아 패턴 간의 간격이 좁은 영역에서는 도포되는 감광제의 양이 적어 패턴의 밀도가 낮은 영역에 비해 상대적으로 낮은 두께로 형성된다.
따라서 본 발명에 따른 바코터를 사용하여 도포되는 감광제의 양을 부분별로 조절함에 따라 평탄화된 감광제층의 두께를 제어할 수 있다.
구체적으로, 패턴(210)은 소정의 폭을 가지는 직선형 돌출부로 이루어지며, 패턴(210)의 간격이 밀도에 따라 조정될 수 있다.
직선형 돌출부의 선폭과 높이는 500nm 내지 50μm로 형성될 수 있다. 이때, 패턴(210)의 밀도를 나노미터 단위로 조정하여 평탄화된 감광제층의 두께를 보다 섬세히 조정할 수 있다.
그리고 패턴필름(200)은 바(100)의 길이방향과 직선형 돌출부의 길이방향이 직교하도록 감길 수 있다.
이러한 구성으로, 직선형 돌출부의 길이방향을 따라 바코터를 이동시킴으로써 도포되는 감광제의 형태가 패턴(210)을 보다 정확하고 안정적으로 반영하도록 할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 바코터 제조방법의 순서도이다.
도 3은 도 2의 감광제 패턴 형성 단계의 설명도이고, 도 4는 도 2의 패턴필름 성형용 몰드 형성 단계의 설명도이며, 도 5는 도 2의 패턴필름 형성 단계의 설명도이다.
도 2 내지 5를 참조하여, 본 발명에 따른 바코터 제조방법은 패턴의 밀도가 일정하지 않은 패턴필름을 형성하는 단계(S10); 및 패턴필름(200)을 바(100)에 감아서 바코터를 형성하는 단계(S20)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
구체적으로, 패턴필름을 형성하는 단계(S10)는: 패턴의 밀도가 일정하지 않은 패턴필름용 포토마스크(10)를 형성하는 단계(S11); 감광제(3)가 도포된 기판(5)에 패턴필름용 포토마스크(10)를 통해 감광제 패턴(20)을 형성하는 단계(S12); 감광제 패턴(20) 위에 금속층 또는 고분자층(7)을 성장시켜 패턴필름 성형용 몰드(30)를 형성하는 단계(S13); 및 패턴필름 성형용 몰드(30)로 패턴필름(200)을 형성하는 단계(S14)를 포함할 수 있다.
먼저, 패턴필름용 포토마스크(10)를 형성하는 단계(S11)에서는 바코터에 부착할 패턴필름 제조 과정에서 사용되는 패턴필름용 포토마스크(10)를 설계 및 제작한다.
패턴필름용 포토마스크(10)는 전술한 바와 같이 패턴의 밀도가 일정하지 않으며, 이를 반영하여 차후 제작될 패턴필름(200)의 패턴이 결정된다.
다음으로, 도 3의 (a)과 같이, 감광제(3)가 도포된 기판(5)에 패턴필름용 포토마스크(10)를 통해 감광제 패턴(20)을 형성하는 단계(S12)가 진행된다.
이때, 기판(5) 위에 감광제(3)를 도포하는 방법으로는 바코팅, 스핀 코팅, 스프레이 코팅 등이 있으며, 이외에도 다양한 공정의 적용이 가능하다.
감광제(3)는 일정한 두께로 균일 도포될 수 있으며, 감광제(3)의 두께는 500nm 내지 50μm 범위로 형성될 수 있다.
한편, 감광제(3)가 도포된 기판(5) 위에 패턴필름용 포토마스크(10)를 위치시킨 다음, 패턴필름용 포토마스크(10)의 상부에서 감광제(3) 방향으로 빛을 조사하고 현상 하는 공정을 거치면, 도 3의 (b)와 같은 감광제 패턴(20)이 형성될 수 있다.
이렇게 형성되는 감광제 패턴(20)은 100 내지 170℃ 의 열처리(Reflow) 공정을 거쳐 사각 단면 형상에서 도 3의 (c)와 같은 반원 단면 형상으로 변화될 수 있다.
다음으로, 패턴필름 성형용 몰드(30)를 형성하는 단계(S13)에서는 전주 도금 또는 고분자 경화 공정을 이용하여 도 4의 (a)와 같이 감광제 패턴(20) 위에 금속층을 성장시키거나 패턴필름 성형이 가능한 고분자층을 경화시킬 수 있다.
이때, 금속층은 니켈 또는 니켈 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다. 그리고 고분자층은 자외선 또는 열 경화가 가능하고 패턴필름 성형에 적합한 모든 재료를 적용할 수 있다.
전주 도금 또는 고분자 경화 공정이 완료되면 기판(5)과 감광제 패턴(20)을 금속층 또는 고분자층(7)으로부터 분리해내는데, 이 과정을 통해 분리된 금속층 또는 고분자층(7)이 도 4의 (b)와 같은 패턴필름 성형용 몰드(30)로 형성될 수 있다.
다음으로, 패턴필름 성형용 몰드(30)로 패턴필름(200)을 형성하는 단계(S14)가 진행된다.
여기서, 패턴필름(200)은 PET 필름 위에 형성된 고분자 또는 패턴필름 성형용 몰드(30)와 동일한 금속 재료로 형성될 수 있다. 만약 패턴필름(200)이 금속 또는 합금으로 이루어지는 경우에는 그 두께가 10 내지 200μm가 될 수 있다.
그리고 패턴필름(200)은 자외선 또는 열 경화 수지인 폴리에스터 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 비닐에스터 수지, 폴리우레탄 수지, PMMA 수지 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 재료를 패턴필름 성형용 몰드(30)의 표면에 붓고, 기판용 필름 소재를 덮은 후, 자외선 또는 열성형 공정을 통하여 패턴필름 성형용 몰드(30) 표면에 있는 패턴을 전사하는 방법으로 형성될 수 있다.
이 방법을 사용할 경우, 도 5의 (a)와 같이, 음각형태의 패턴필름 성형용 몰드(30)를 이용하여 양각형태의 패턴을 갖는 패턴필름(200)을 형성하는 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다.
마지막으로, 도 5의 (b)와 같이 형성된 패턴필름(200)을 바(100)에 감아서 바코터를 형성한다(S20).
패턴필름(200)을 바(100)에 감을 때에는 돌출된 양각형태의 패턴이 외부로 노출되도록 하는 것이 바람직하다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 패턴 형성방법의 순서도이다.
도 6을 참조하여, 본 발명에 따른 노광 패턴 형성방법은 패턴의 밀도가 일정하지 않은 바코터로 기판 위에 감광제를 도포하여 바코터의 패턴이 반영된 감광제층을 형성하는 단계(S100); 감광제층 위에 노광공정용 포토마스크를 위치시키는 단계(S200); 및 감광제층을 노광 및 현상하여 감광제층에 노광공정용 포토마스크의 패턴에 의한 노광 패턴을 형성하는 단계(S300)를 포함한다.
도 7은 도 6의 감광제층 형성 단계의 설명도이다.
도 7을 참조하여, 패턴의 밀도가 일정하지 않은 바코터(1)로 기판(5) 위에 감광제(3)를 도포함에 따라 감광제층(50)을 형성하는 단계(S100)에 대하여 살펴본다.
도 7의 (a)와 같이, 바코터(1)가 기판(5) 위를 이동하면서 감광제(3)를 퍼뜨리면, 도 7의 (b)와 같은 바코터(1)의 패턴이 반영된 감광제층(50)이 형성된다.
이후에는 감광제층(50)을 90 내지 130℃의 온도로 건조시키는 과정을 거칠 수 있으며, 이 경우 감광제층(50)이 건조되면서 감광제의 구성 성분 중 용매는 휘발되고 고형분만 남게 되어 감광제층(50)의 표면이 도 7의 (c)와 같이 평탄화된다.
그러므로 감광제층(50)을 건조시키는 경우에는 감광제의 점도 또는 용매 대비 고형분이 차지하는 비율이 감광제층(50)의 두께를 결정하는 큰 요인 중 하나가 될 수 있다.
도 8은 도 6의 노광공정용 포토마스크 위치 단계 및 노광 패턴 형성 단계의 설명도이고, 도 9는 도 6의 노광공정용 포토마스크 위치 단계 및 노광 패턴 형성 단계의 다른 설명도이다.
도 8과 9를 참조하여, 감광제층(50) 위에 노광공정용 포토마스크(60)를 위치시키고(S200), 감광제층(50)을 노광 및 현상하여 감광제층(50)에 노광공정용 포토마스크(60)의 패턴에 의한 노광 패턴(70)을 형성한다(S300).
감광제층(50)은 부분별 높이가 다르게 형성될 수 있어 그 위에 위치되는 노광공정용 포토마스크(60)는 유연한 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.
노광공정용 포토마스크(60)는 필름마스크 또는 위상마스크 등을 사용할 수 있다.
필름마스크를 노광공정용 포토마스크(60)로 사용하는 경우, 도 8과 같이 노광 및 현상 공정을 거치면서 필름 마스크에 의해 빛이 차단된 감광제층(50)의 일부만 남아 노광 패턴(70)이 형성된다.
위상마스크를 노광공정용 포토마스크(60)로 사용하는 경우에는, 도 9와 같이 위상마스크의 양각과 음각 패턴이 교차되는 영역의 빛이 차단되어 필름마스크를 사용한 경우와는 다른 형태의 노광 패턴(70)이 형성될 수 있다.
한편, 감광제층(50)의 두께가 두꺼운 영역에서 노광 패턴(70)의 높이가 상대적으로 더 크게 형성될 수 있다.
이러한 단계를 거쳐, 부분별로 높이가 다른 노광 패턴을 한 번의 노광 공정으로 제작할 수 있다.
한편, 도 6의 감광제층 형성 단계(S100)는 단수 또는 복수의 바코터를 서로 다른 방향으로 이동시킴으로써 감광제층을 형성하도록 할 수 있다.
도 10은 도 6의 감광제층 형성 단계가 바코터의 이동 방향을 달리하여 수행되는 실시예이고, 도 11은 도 10에 따른 감광제층 형성과정을 설명하는 평면도이다. 도 12는 도 10에 따라 형성되어 평탄화된 감광제층의 사시도이다.
도 10 내지 12를 참조하여, 감광제층을 형성하는 단계(S100)는: 기판(5) 위에 패턴의 밀도가 일정하지 않은 바코터(1-1)로 일 방향(①)을 따라 감광제를 도포하는 단계; 및 기판(5) 위에서 전술한 바코터(1-1)와 패턴이 동일 또는 상이한 바코터(1-2)를 일 방향(①)과는 상이한 방향(②)을 따라 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.
패턴의 밀도가 일정하지 않은 바코터(1-1)를 x축 방향인 일 방향(①)으로 이동시켜 감광제를 도포하면, 도 11의 (a)와 같이 바코터(1-1)의 패턴이 반영된 감광제층(51)이 형성될 수 있다.
다음으로, 전술한 바코터(1-1)와 패턴이 동일 또는 상이한 바코터(1-2)를 y축 방향인 일 방향(①)과는 상이한 방향(②)으로 이동시켜 감광제를 도포하면, 도 11의 (b)와 같이 두 바코터(1-1, 1-2)의 패턴이 모두 반영된 감광제층(52)이 형성될 수 있다.
이후, 두 바코터(1-1, 1-2)의 패턴이 모두 반영된 감광제층(52)을 평탄화시키면 도 12와 같이 형성될 수 있다.
전술한 실시예 외에도, 동일 또는 복수의 바코터가 서로 다양한 각도를 이루도록 이동 방향을 설정할 수 있다.
이와 같이, 단수의 바코터 또는 각각의 패턴이 동일 또는 상이한 복수의 바코터를 제작하고, 바코터의 이동방향을 다양화하여 감광제층을 입체화할 수 있다.
도 13은 도 6의 감광제층 형성 단계가 바코터의 이동 방향을 달리하여 수행되는 다른 실시예에 따라 형성되어 평탄화된 감광제층의 사시도이다. 도 13을 참조하여, 제작되는 감광제층의 형태는 원형, 타원형, 다각형, 다층형 등으로 다양할 수 있다.
이러한 본 발명의 기본적인 기술적 사상 범주 내에서 당업계의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형이 가능함은 물론이며, 따라서 본 발명의 범주는 다양한 변형 예들을 포함하도록 작성된 특허청구범위 내에서 해석되어야 할 것이다.
100 : 바
200 : 패턴필름
210 : 패턴
10 : 패턴필름용 포토마스크
20 : 패턴필름용 포토마스크에 의한 감광제 패턴
30 : 패턴필름 성형용 몰드
50 : 바코터의 패턴이 반영된 감광제층
51 : 바코터(1-1)에 의한 감광제층
52 : 단수 또는 복수의 바코터(1-1, 1-2)에 의한 감광제층
60 : 노광공정용 포토마스크
70 : 노광공정용 포토마스크에 의한 노광 패턴
1, 1-1, 1-2 : 본 발명에 따른 바코터
3 : 감광제
5 : 기판
7 : 금속층 또는 고분자층
A, B, C : 패턴의 위치
① : 일 방향
② : 일 방향(①)과는 상이한 방향

Claims (6)

  1. 바(bar); 및
    상기 바에 감긴 패턴필름을 포함하고,
    상기 패턴필름은 패턴의 밀도가 일정하지 않은 것을 특징으로 하는 바코터.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 패턴은 소정의 폭을 가지는 직선형 돌출부로 이루어지며, 상기 패턴의 간격이 밀도에 따라 조정되는 것을 특징으로 하는 바코터.
  3. 패턴의 밀도가 일정하지 않은 패턴필름을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴필름을 바(bar)에 감아서 바코터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바코터 제조방법.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 패턴필름을 형성하는 단계는:
    패턴의 밀도가 일정하지 않은 패턴필름용 포토마스크를 형성하는 단계;
    감광제가 도포된 기판에 상기 패턴필름용 포토마스크를 통해 감광제 패턴을 형성하는 단계;
    상기 감광제 패턴 위에 금속층 또는 고분자층을 형성시켜 패턴필름 성형용 몰드를 형성하는 단계; 및
    상기 패턴필름 성형용 몰드로 상기 패턴필름을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바코터 제조방법.
  5. 패턴의 밀도가 일정하지 않은 바코터로 기판 위에 감광제를 도포하여 상기 바코터의 패턴이 반영된 감광제층을 형성하는 단계;
    상기 감광제층 위에 노광공정용 포토마스크를 위치시키는 단계; 및
    상기 감광제층을 노광 및 현상하여 상기 감광제층에 상기 노광공정용 포토마스크의 패턴에 의한 노광 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바코터를 이용한 노광 패턴 형성방법.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 감광제층을 형성하는 단계는:
    상기 기판 위에 상기 바코터로 일 방향을 따라 감광제를 도포하는 단계; 및
    상기 기판 위에서 상기 바코터와 패턴이 동일 또는 상이한 바코터를 상기 일 방향과는 상이한 방향을 따라 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이용한 노광 패턴 형성방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100781390B1 (ko) 2006-11-03 2007-11-30 (주) 지스트 도포기용 코팅바
KR100866323B1 (ko) 2007-02-05 2008-10-31 한국기계연구원 대면적 박막 코팅방법 및 그 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100781390B1 (ko) 2006-11-03 2007-11-30 (주) 지스트 도포기용 코팅바
KR100866323B1 (ko) 2007-02-05 2008-10-31 한국기계연구원 대면적 박막 코팅방법 및 그 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220147403A (ko) * 2021-04-27 2022-11-03 그린산업 주식회사 미세 패턴을 갖는 데코필름 제작 방법 및 데코필름 제작용 소프트 몰드 제작 장치

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