KR20200126347A

KR20200126347A - 전류센서 및 그의 제조방법

Info

Publication number: KR20200126347A
Application number: KR1020200126681A
Authority: KR
Inventors: 이대성; 홍성민; 신광호
Original assignee: 한국전자기술연구원; 경성대학교 산학협력단
Priority date: 2016-12-20
Filing date: 2020-09-29
Publication date: 2020-11-06
Also published as: KR102445270B1

Abstract

외부 노이즈나 온도에 영향받지 않는 신뢰성 높은 전류센서 및 그의 제조방법이 제안된다. 본 발명에 따른 전류센서는 센싱신호처리부; 센싱신호처리부 상의 제1절연층; 제1절연층 상의 노이즈 차단부; 노이즈 차단부 상의 제2절연층; 및 제2절연층 상의 센싱전극부;를 포함하고, 노이즈 차단부는 센싱신호처리부로부터 발생하는 전류를 센싱전극부에 도달하지 않도록 차단한다.

Description

전류센서 및 그의 제조방법{Current sensor and manufacturing method thereof}

본 발명은 전류센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 외부 노이즈나 온도에 영향받지 않는 신뢰성 높은 전류센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

최근에 전력 사용량이 급증하고 대전력을 사용하는 수용가가 증가함에 따라, 정확한 전류의 측정은 전력 시스템의 보호와 전력 사용 효율의 극대화 측면에서 필수 불가결한 요소가 되었다. 수용가의 측면에서는 정확한 전류의 측정을 통해 전력 수요를 예측 및 분석하면 효율을 높일 수 있으며, 전력 시스템의 측면에서는 정격전류뿐만 아니라 이상 및 고장 전류의 정확한 측정을 통해 사고전류를 검출하고 사고계통을 신속히 분리함으로써 전원 계통(power system)을 보호할 수 있다.

이를 위해 현재 사용되고 있는 전류센서로는 변류기(current transformer), 분류기(shunt), 로고스키 센서(rogowski sensor), 및 홀 센서(hall sensor) 등이 있으며, 국내외적으로 변류기(CT) 형태의 전류센서가 가장 많이 사용되고 있다.

그러나, 변류기는 CT 철심의 자기포화로 인하여 오차가 발생하는 한계로 인하여 하나의 변류기로 일정 오차범위 내에서 측정할 수 있는 전류 범위는 극히 제한적이며, 정격전류의 수십 ~ 수백 배에 이르는 사고전류를 정확히 검출하는 것은 거의 불가능하다. 또한, 현재의 전력기기는 전력전자와 펄스파워 기술의 발달로 수 십 KHz에 이르는 주파수 범위를 갖는 전원을 사용하는 예가 많으나, 변류기는 상용 주파수 전류 이외의 주파수 전류를 측정하는데 한계가 있다.

홀 센서(hall sensor)는 홀 소자(Hall Element)를 이용한 센서로서, 홀 효과(Hall Effect)를 이용한 자기전기 변환기(Magneto-Electro Transducer)이다. 반도체 물질에 제어전류를 인가하고, 수직한 방향으로 자계가 가해지면 Hall 출력 전압인 전위차가 발생하게 된다. 따라서, 제어전류와 자계의 자속밀도의 곱에 비례하는 전압을 출력하게 되므로 전류값의 측정이 가능하다.

이러한 홀 센서는 주변 환경의 노이즈, 온도 변화 등에 따라 민감한 반응을 보이므로 이러한 문제를 해결하기 위하여 별도의 보상회로를 구비하여 측정값의 정확도를 높이고 있는데 이에 따라 회로가 복잡해지고, 공정비용이 증가하며 불량률이 높아지는 문제가 있다.

도 1은 종래의 홀 센서를 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 종래 홀 센서는 센싱전극과 신호처리회로가 동일평면에 위치하여 센서의 면적이 증가하고, 특히 보상회로 등이 부가되어 회로가 복잡해지는 경우 더욱 면적이 증가하는 문제가 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 외부 노이즈나 온도에 영향받지 않는 신뢰성 높은 전류센서 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전류센서는 센싱신호처리부; 센싱신호처리부 상의 제1절연층; 제1절연층 상의 노이즈 차단부; 노이즈 차단부 상의 제2절연층; 및 제2절연층 상의 센싱전극부;를 포함하고, 노이즈 차단부는 센싱신호처리부로부터 발생하는 전류를 센싱전극부에 도달하지 않도록 차단한다.

노이즈 차단부는 알루미늄, 구리, 티타늄 및 이들의 합금 중 어느 하나일 수 있다.

제1절연층 및 제2절연층은 질화실리콘(SiN)계 화합물일 수 있다.

센싱신호처리부로부터 발생하는 열을 센싱전극부에 도달하지 않도록 열을 방출하는 방열부;를 더 포함할 수 있다.

방열부는 노이즈 차단부와 연결될 수 있다.

센싱전극부는 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부를 포함하고, 제1센싱전극부에는 센싱대상전류가 제1방향으로 흐르고, 제2센싱전극부에는 센싱대상전류가 제2방향으로 흐를 수 있다. 이 때, 센싱신호처리부는 제1센싱전극부에서 측정된 제1신호값 및 제2센싱전극부에서 측정된 제2신호값의 차이값에 기초하여 전류값을 획득할 수 있다.

획득된 전류값은 외부 노이즈 및 외부 온도변화에 따른 변화가 제거된 것일 수 있다.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판에 센싱신호처리부를 형성하는 단계; 센싱신호처리부가 형성된 기판에 제1절연층을 형성하는 단계; 제1절연층 상에 노이즈 차단부를 형성하는 단계; 노이즈 차단부 상에 제2절연층을 형성하는 단계; 및 제2절연층 상에 센싱전극부를 형성하는 단계;를 포함하는 전류센서 제조방법이 제공된다.

센싱전극부는 서로 이격되어 각각 센싱이 가능한 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부를 포함하도록 형성될 수 있다.

본 발명의 또다른 측면에 따르면, 제1센싱전극부 및 제1센싱전극부와 이격되어 형성되는 제2센싱전극부를 포함하는 센싱전극부; 및 센싱전극부로부터 획득한 센싱신호를 처리하여 전류값을 산출하는 센싱신호처리부;를 전류센서로서, 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부는 1개의 회선을 흐르는 전류를 센싱하되, 회선은 제1센싱전극부에서의 전류방향과 제2센싱전극부에서의 전류방향이 상이하도록 위치하는 것을 특징으로 하는 전류센서가 제공된다.

본 발명의 또다른 측면에 따르면, 센싱신호처리부; 센싱신호처리부 상의 제1절연층; 제1절연층 상의 열차단부; 열차단부 상의 제2절연층; 및 제2절연층 상의 센싱전극부;를 포함하고, 열차단부는 센싱신호처리부로부터 발생하는 열을 센싱전극부에 도달하지 않도록 외부로 방출하는 전류센서가 제공된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 센싱전극과 신호처리부를 별개의 층에 구비하여 센서의 면적을 최소화하여 초소형 전류센서 구현이 가능하다.

또한, 신호처리부로부터의 노이즈나 외부 온도 변화 등에 대하여 센서로의 영향을 최소화하여 보다 정확한 전류값 측정이 가능한 전류센서 구현이 가능하다.

도 1은 종래의 홀 센서를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전류센서의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전류센서의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전류센서의 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따라 제작한 전류센서에 외부 전류인가시 제1센싱전극부에서 획득한 제1신호를 도시한 도면이고, 도 6은 제2센싱전극부에서 획득한 제2신호이며, 도 7은 제1신호 및 제2신호의 차이값에 기반한 신호값을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따라 제작한 전류센서에 노이즈 인가시 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부로부터 획득한 제1신호, 제2신호 및 제1신호와 제2신호의 차이값에 기반한 신호값을 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명에 따라 제작한 전류센서의 온도변화에 따른 저항특성을 도시한 도면이고, 도 10은 온도변화에 따른 제1신호 및 제2신호의 차이값에 기반한 신호값을 도시한 도면이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전류센서의 단면도이다. 본 발명에 따른 전류센서(100)는 센싱신호처리부(110); 센싱신호처리부(110) 상의 제1절연층(120); 제1절연층(120) 상의 노이즈 차단부(130); 노이즈 차단부(130) 상의 제2절연층(140) 및 제2절연층(140) 상의 센싱전극부(150);를 포함하고, 노이즈 차단부(130)는 센싱신호처리부(110)로부터 발생하는 전류를 센싱전극부(150)에 도달하지 않도록 차단한다. 도 1에서는 전류센서(100)가 가장 하부에 센싱신호처리부(110)가 위치하고, 가장 상부에 센싱전극부(150)가 위치하나, 측정대상이 되는 센싱대상전류의 위치에 따라 가장 하부에 센싱전극부(150)가 위치하고, 가장 상부에 센싱신호처리부(110)가 위치할 수 있다.

센싱신호처리부(110)는 센싱전극부(150)로부터 획득한 신호값을 처리하여 측정하고자 하는 센싱대상전류의 전류값을 산출한다. 센싱신호처리부(110)는 CMOS 기판 등을 이용하여 상부의 센싱전극부(150)로부터 획득한 신호에 기반하여 전류값을 산출한다.

본 실시예에 따른 전류센서(100)는 센싱대상전류의 전류를 감지하기 위한 센싱전극부(150)와 센싱신호처리부(110)가 동일한 평면에 위치하는 것이 아니라, 도 2에서와 같이 서로 다른 평면에 위치하고, 서로 전기적으로 연결되어 있어 면적이 최소화될 수 있다. 또한, 센싱전극부(150) 및 센싱신호처리부(110)가 동일한 평면에 위치하고 있는 경우, 센싱신호처리부(110)의 동작에 따라 발생하는 미세전류나 열 등에 의해 직접 영향을 미치게 되는데, 본 발명에 따르면 센싱신호처리부(110)의 영향을 최소화할 수 있다.

센싱신호처리부(110)의 일면에는 제1절연층(120)이 형성된다. 또한, 노이즈 차단부(130) 상부에도 제2절연층(140)이 형성된다. 제1절연층(120) 및 제2절연층(140)은 절연물질을 포함하는 층으로, 센싱신호처리부(110), 노이즈 차단부(130) 및 센싱전극부(150)의 전기적 절연을 위한 층들이다. 제1절연층(120) 및 제2절연층(140)에 사용될 수 있는 절연물질로는 질화실리콘(SiN)계 화합물이 사용될 수 있다.

제1절연층(120) 및 제2절연층(140)은 특히 노이즈 차단부(130)의 물성에 영향을 미치지 않는 절연물질을 사용하는 것이 바람직하다. 제1절연층(120)의 상부에는 노이즈 차단부(130)가 형성된다. 노이즈 차단부(130)는 센싱신호처리부(110)로부터 발생하는 전류를 센싱전극부(150)에 도달하지 않도록 차단한다. 또한, 노이즈 차단부(130)는 센싱신호처리부(110)에서 발생하는 열이 센싱전극부(150)에 도달하지 않도록 차단한다.

노이즈 차단부(130)는 센싱신호처리부(110)의 동작시 발생할 수 있는 미세전류의 전류패스로서 동작할 수 있으며, 이에 따라 금속을 포함할 수 있다. 노이즈 차단부(130)는 알루미늄, 구리, 티타늄 및 이들의 합금 중 어느 하나의 금속을 포함할 수 있다. 또한, 노이즈 차단부(130)는 센싱전극부(150)의 전류센싱에 영향을 미치지 않아야 하므로 금속 중 니켈과 같은 강자성체와 같이 센싱전극부(150)에 영향을 미치지 않는 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 노이즈 차단부(130)가 금속으로 구현되기 때문에 제1절연층(120) 및 제2절연층(140)은 실리콘산화물과 같이 절연물질이면서도 금속을 산화시킬 수 있는 물질은 사용되지 않는 것이 바람직하다.

제2절연층(140) 상에는 센싱전극부(150)가 형성된다. 본 발명에서 센싱전극부(150)는 홀센서를 의미한다. 특히 본 발명에서 센싱전극부(150)는 평면홀저항(planar Hall Resistance, PHR) 센서일 수 있다. PHR 센서는 자기저항센서 중 홀효과를 이용한 자기저항센서이다. 자기 저항이란 자성체에 자기장을 걸어주면 변화하는 전기 비저항을 지칭한다. 이러한 자기 저항은 종류에 따라 이방성자기 저항, 거대자기 저항, 터널링 자기 저항, 초거대 자기 저항으로 분류된다.

이러한 자기저항을 이용한 자기저항센서 중 홀효과(Hall effect)를 이용한 평면홀저항(planar Hall Resistance)자기센서를 이용하여 전류측정이 가능하다. 일반적인 자기 센서에서는 전압 측정 방향과 흐르는 전류의 방향은 서로 평행이 되지만, 평면홀저항(PHR) 자기 센서에서는 이들의 방향이 서로 수직이 된다. 즉, 흐르는 계측용 전류가 외부자기장에 의해 영향받은 홀 효과에 의해 발생한 전압을 이용하여 계측할 수 있다. 센싱전극부(150)의 센싱대상전류 계측에 대하여는 이하 도 4를 참조하여 더 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전류센서의 단면도이다. 본 실시예의 전류센서(100)는 방열부(160)를 더 포함한다. 방열부(160)는 센싱신호처리부(110)로부터 발생하는 열을 센싱전극부(150)에 도달하지 않도록 열을 방출한다. 즉, 방열부(160)는 센싱신호처리부(110)로부터 발생하는 열의 열전달패스로 동작한다.

방열부(160)는 열방출을 위하여 열전도율이 높은 물질로 구현될 수 있다. 방열부(160)는 금속을 포함할 수 있다. 방열부(160)는 노이즈 차단부(130)와 연결될 수 있는데, 노이즈 차단부(130)가 금속으로 구현되는 경우, 방열부(160)는 노이즈 차단부(130)가 방열연결부(161)로 연장되어 센싱신호처리부(110)의 하부에 형성되는 형태로 구현될 수 있다. 즉, 방열부(160)는 노이즈 차단부(130)와 일체로 구현되어 노이즈 차단부(130)의 위치에서는 센싱신호처리부(110)에서 발생한 열을 센싱전극부(150)에 도달하지 않도록 차단하게 하고, 센싱신호처리부(110)의 하부에서는 센싱신호처리부(110)에서 발생한 열을 외부로 방출하여 전류센서(100) 전체의 열을 외부로 방출하는 기능을 수행한다.

본 발명에 따른 전류센서 제조방법에서는, 먼저 CMOS기판과 같은 회로기판에 절연물질을 이용하여 제1절연층을 형성한다. 제1절연층 상에는 노이즈 차단부가 형성되는데, 노이즈 차단부는 금속을 증착하여 형성할 수 있다. 금속층이 형성되면 다시 절연물질을 이용하여 제2절연층을 형성한다. 제2절연층 상에 센싱전극부를 형성하고, 최종적으로 센싱전극부를 보호할 수 있는 보호층을 형성하여 전류센서를 제조한다. 보호층은 폴리머 계열을 물질로 형성할 수 있다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전류센서의 평면도이다. 본 실시예에 따르면, 센싱전극부(150)는 제1센싱전극부(151) 및 제2센싱전극부(152)를 포함한다. 제1센싱전극부(151) 및 제2센싱전극부(152)는 각각 센싱대상전류의 신호값을 측정할 수 있다.

제1센싱전극부(151) 및 제2센싱전극부(152)는 도 4에서와 같이 하나의 센싱대상전류(170)를 센싱할 수 있다. 즉, 센싱대상전류(170)는 제1방향으로 흘러 제1센싱전극부(151)를 통과하고, 다시 제2방향으로 흐르게 되어 제2센싱전극부(152)를 통과한다. 다시말하면, 제1센싱전극부(151)를 통과하는 센싱대상전류(170)의 방향과 제2센싱전극부(152)를 통과하는 센싱대상전류(170)의 방향은 서로 상이하다. 따라서, 제1센싱전극부(151)를 통과하는 센싱대상전류(170)에 의해 형성되는 자계의 방향과 제2센싱전극부(152)를 통과하는 센싱대상전류(170)에 의해 형성되는 자계의 방향이 상이하게 되므로 발생되는 신호값도 상이하게 된다.

이에 따라 제1센싱전극부(151)에서 획득하는 신호값과 제2센싱전극부(152)에서 획득하는 신호값은 서로 상이하다. 이 때, 제1센싱전극부(151)에서 획득한 신호값을 제1신호라 하고, 제2센싱전극부(152)에서 획득한 신호값을 제2신호라 하면, 제1신호와 제2신호는 서로 상이한 값이고, 각각에는 센싱신호처리부(110)로부터의 미세전류노이즈가 부가되어 있다. 따라서, 제1신호 및 제2신호의 차이값을 이용하여 전류값을 얻는다면, 노이즈값을 제거할 수 있어 정확한 전류값 획득이 가능하다. 즉, 본 실시예에 따르면, 노이즈 차단부(130)에 의해 물리적으로 센싱신호처리부(110)로부터의 노이즈 등이 제거된 후, 동일한 측정대상전류에 대하여 두개의 서로 다른 신호값을 얻어 차이값으로 전류값을 얻게 되므로 더욱 정확한 전류값 획득이 가능하다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1센싱전극부 및 제1센싱전극부와 이격되어 형성되는 제2센싱전극부를 포함하는 센싱전극부; 및 센싱전극부로부터 획득한 센싱신호를 처리하여 전류값을 산출하는 센싱신호처리부;를 전류센서로서, 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부는 1개의 회선을 흐르는 전류를 센싱하되, 회선은 제1센싱전극부에서의 전류방향과 제2센싱전극부에서의 전류방향이 상이하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전류센서가 제공된다. 이상 전술한 바와 동일한 내용의 설명은 생략하기로 한다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 센싱신호처리부; 센싱신호처리부 상의 제1절연층; 제1절연층 상의 열차단부; 열차단부 상의 제2절연층; 및 제2절연층 상의 센싱전극부;를 포함하고, 열차단부는 센싱신호처리부로부터 발생하는 열을 센싱전극부에 도달하지 않도록 외부로 방출하는 전류센서가 제공된다. 본 실시예에서는 노이즈 차단부가 센싱신호처리부로부터의 노이즈가 아닌 열을 차단하는 열차단부로 기능한다. 이상 전술한 바와 동일한 내용의 설명은 생략하기로 한다.

도 5는 본 발명에 따라 제작한 전류센서에 외부 전류인가시 제1센싱전극부에서 획득한 제1신호를 도시한 도면이고, 도 6은 제2센싱전극부에서 획득한 제2신호이며, 도 7은 제1신호 및 제2신호의 차이값에 기반한 신호값을 도시한 도면이며, 도 8은 본 발명에 따라 제작한 전류센서에 노이즈 인가시 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부로부터 획득한 제1신호, 제2신호 및 제1신호와 제2신호의 차이값에 기반한 신호값을 도시한 도면이다.

2이상의 센싱전극부를 포함하는 구조의 전류센서에서 노이즈 제거를 확인하기 위하여 3-layer, 5-Ring 형태의 PHR 센서를 제작하였다. PHR센서의 bias 전류는 1mA를 인가하였으며, PCB는 7층 형태로 제작하였다. 노이즈는 2G였다. 노이즈를 입력하고 최종 센서의 출력변화를 도 8에 도시하였다.

외부에서 입력된 전류를 측정하기 위한 실시예인 도 5 및 도 6에서 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부의 신호값이 각각 획득되고, 이들 신호값의 차이는 A-B=k-(-k)=2k로 도 7에서와 같이 전체 감도는 증가하는 것으로 나타났다.

도 8에서는 노이즈가 인가될 때 제1센싱전극부와 제2센싱전극부가 노이즈에 의하여 신호값이 출력되고, 그 신호값은 k1과 k2로 나타나며 전체 신호는 감소된 k1과 증가된 k2로 결국 노이즈는 제거된 신호값이 츨력되는 것을 확인할 수 있다.

도 9는 본 발명에 따라 제작한 전류센서의 온도변화에 따른 저항특성을 도시한 도면이고, 도 10은 온도변화에 따른 제1신호 및 제2신호의 차이값에 기반한 신호값을 도시한 도면이다. 도 9를 참조하면, 센싱전극부를 1개 포함하는 전류센서의 경우, 온도변화에 따라 저항변화가 나타나는 것을 알 수 있다. 그러나, 2개의 센싱전극부를 포함하는 전류센서의 경우, 온도 변화에 따른 오차값이 두개의 센싱전극부에서 서로 상쇄되어 외부출력값이 0이 되는 것을 확인할 수 있다.

이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.

100 전류센서
110 센싱신호처리부
120 제1절연층
130 노이즈 차단부
140 제2절연층
150 센싱전극부
160 방열부
161 방열연결부
170 센싱대상전류

Claims

측정대상전류에 의해 발생하는 자계를 측정하는 제1 센서;
측정대상전류에 의해 발생하는 자계를 측정하는 제2 센서; 및
제1 센서의 측정결과와 제2 센서의 측정결과를 이용하여, 측정대상전류를 산출하는 신호처리부;를 포함하고,
제1 센서와 제2 센서는,
동일 평면 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 전류센서.
청구항 1에 있어서,
측정대상전류는,
제1 센서에 대해서는 제1 방향으로 흐르고, 제2 센서에 대해서는 제2 방향으로 흐르는 것을 특징으로 하는 전류센서.
청구항 2에 있어서,
제1 방향과 제2 방향은,
서로 반대 방향인 것을 특징으로 하는 전류센서.
청구항 3에 있어서,
측정대상전류는,
제1 방향으로 제1 센서를 지난 후, 'U' 자형으로 턴하여, 제2 방향으로 제2 센서를 지나는 것을 특징으로 하는 전류센서.
청구항 1에 있어서,
신호처리부는,
제1 센서 및 제2 센서와 다른 평면 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 전류센서.
청구항 5에 있어서,
신호처리부는,
제1 센서의 측정결과와 제2 센서의 측정결과의 차를 이용하여, 측정대상전류를 산출하는 것을 특징으로 하는 전류센서.
청구항 1에 있어서,
제1 센서와 제2 센서는,
자기저항센서인 것을 특징으로 하는 전류센서.
제1 센서가, 측정대상전류에 의해 발생하는 자계를 측정하는 제1 측정단계;
제2 센서가, 측정대상전류에 의해 발생하는 자계를 측정하는 제2 측정단계; 및
신호처리부가, 제1 센서의 측정결과와 제2 센서의 측정결과를 이용하여, 측정대상전류를 산출하는 단계;를 포함하고,
제1 센서와 제2 센서는,
동일 평면 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 전류센싱방법.