KR20200121140A - 비증착 구간 발생이 없는 서셉터 - Google Patents

비증착 구간 발생이 없는 서셉터 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따르는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터는 알루미늄 재질이며 판상이며 상하 방향으로 관통된 복수의 리프트핀공이 형성된 서셉터본체와, 실리콘 재질이며 서셉터본체의 상부에 가장자리를 따라 구비되는 사각형 테두리 형태의 지지패널부을 포함하며; 피처리물이 안착되면 피처리물의 엣지는 상기 지지패널부 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터에 관한 것이다.

Description

비증착 구간 발생이 없는 서셉터{A Susceptor Without Happening Of Non-Evaporating Zone}
본 발명은 반도체 또는 액정패널 제조장치용 서셉터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 진공챔버 내에 제공되어 피처리물을 지지하는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터에 관한 것이다.
웨이퍼는 반도체 집적회로를 만들기 위한 것으로, 반도체 물질로 단결정을 성장시킨 기둥 모양의 잉곳을 얇게 잘라서 원판 모양으로 만든 것으로 증착, 식각 등 여러 가지 공정을 통하여 표면처리를 한다. 액정패널은 액정표시장치의 중요한 요소로서, 전기적 신호를 통해 화상을 디스플레이한다. 액정패널은 유리 등의 투명기판 일면에 각각 전계생성전극을 포함하는 여러 가지 전기적 소자가 설치된 상부기판과 하부기판을 포함하고, 이들 전극이 서로 마주보도록 배치되고 그 사이에 액정이 충진되어 있다. 액정패널의 상부 및 하부기판 각각의 전계 생성 전극이나 여러 가지 전기적 소자들은 통상 투명기판 상면에 박막을 증착하고 식각하여 패턴을 형성하는 과정을 수차례 반복하여 형성한다.
웨이퍼나 유리기판(이하에서 '피처리물'이라 함)상에 박막을 증착하거나 식각하는 공정은 일반적으로 진공 챔버(Chamber) 내에서 한다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버(1) 내부에 피처리물(W)이 안착 고정되는 서셉터(2)가 배치되어 있다. 서셉터(2)에는 내부에 발열 수단이 구비되며, 이 발열수단에 의해 가열된다. 피처리물(W)은 섀도우 프레임(3)에 의해 서셉터(2)상에 견고히 지지된다. 서셉터(2)의 가장자리를 따라 피처리물(W)을 상승시키는 복수의 리프트핀(2a)이 설치되어 있다. 진공챔버(1)의 상부에는 처리가스를 공급하는 디퓨져(4)가 설치되어 있다. 일반적으로 서셉터(2)는 사각형 판상이며 알루미늄 재질로 이루어진다.
서셉터(2)의 하부에는 서셉터(2)의 하면에 결합되어 하향 연장된 이송수단(5)이 구비된다. 서셉터(2) 내부에 구비된 발열수단(2b)은 이송수단(5)의 내부를 지나 외부로 연결된다.
도 2 및 도 3에서 도면부호 2-1은 리프트핀(2a)이 상하로 이동하도록 형성된 리프트핀공을 도시한 것이며, 2-3은 외향하는 턱면(2-4)을 형성하며 연장된 서셉터(2)의 연장부를 도시한 것이다. 상기 연장부(2-3)에는 가장자리를 따라 이격되어 오목한 연장홈부(2-3a)가 형성되고 상기 연장홈부(2-3a)에 고정부재(7)가 삽입되고, 고정부재(7)의 돌출된 부분이 섀도우 프레임(3)의 하부에 형성된 홈에 삽입되어 섀도우 프레임(3)이 자리를 잡고 작동시 흔들림이 발생하는 것이 억제되도록 한다.
서셉터(2)에 안착된 피처리물(W)이 증착될 때 피처리물의 가장자리에서 버닝(Burning)이 발생한다. 상기 섀도우 프레임(3)은 중공체인 사각형 형태이며 내측은 서셉터(2)에 안착된 피처리물(W)의 외측 가장자리를 덮는 구조이다.
피처리물(W)의 가장자리에는 버닝(Burning)이 발생하는 한편, 섀도우 프레임(3)에 의하여 가려진 부분은 증착되지 않아 가장자리는 제품으로 사용되지 못하는 문제점이 있었다.
대한민국 등록번호 제10-0820592호 등록특허공보 대한민국 등록번호 제10-0934403호 등록특허공보
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 피처리물의 가장자리에 버닝이 발생하는 것이 방지되고 비증착 영역의 발생이 없는 서셉터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터는 알루미늄 재질이며 판상이며 상하 방향으로 관통된 복수의 리프트핀공이 형성된 서셉터본체와, 실리콘 재질이며 서셉터본체의 상부에 가장자리를 따라 구비되는 사각형 테두리 형태의 지지패널부을 포함하며; 피처리물이 안착되면 피처리물의 엣지는 상기 지지패널부 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터를 제공한다.
상기에서, 지지패널부는 둘레 방향의 외측 단부가 섀도우프레임과 중첩되어 외측 단부가 섀도우프레임의 하부에 위치하는 크기를 가지며, 상기 피처리물의 엣지는 섀도우프레임으로부터 내향 이격된 것을 특징으로 한다.
상기에서, 서셉터본체의 상면은 본체상면과, 상기 본체상면의 외측에서 본체상면을 둘러싸며 본체상면보다 낮은 본체제1연장부와, 상기 본체제1연장부의 외측에서 본체제1연장부를 둘러싸며 본체제1연장부보다 낮은 본체제2연장부로 이루어지고;
상기 본체상면과 본체제1연장부 사이에는 외향하는 턱면이 형성되고, 상기 본체제1연장부와 본체제2연장부 사이에도 외향하는 턱면이 형성되며;
상기 본체제2연장부 상에는 사각형 테두리 형태의 지지바가 더 구비되고, 상기 지지패널부는 지지바의 내측과 본체제1연장부를 덮도록 구비되는 것을 특징으로 한다.
상기에서, 지지패널부는 길이를 가지는 박판상의 복수의 지지부재로 이루어지고, 상기 지지부재는 길이 방향 양단에 단부를 향하여 턱면을 형성하며 감소한 두께로 연장된 지지부재연장부를 구비하며; 이웃하는 지지부재는 지지부재연장부가 중첩되어 지지부재 사이에서 서셉터본체의 노출이 방지되는 것을 특징으로 한다.
상기에서, 지지패널부는 막대 형태인 제3 부재를 더 포함하고;
상기 지지바에는 코너와 인접한 위치에 오목하며 내향 개구된 제3부재홈부가 형성되고, 상기 제1 연장부에는 제3부재홈부와 마주하여 제3부재홈부에 연통되도록 오목하며 외향 개구된 제1 연장홈부가 형성되며;
상기 제3 부재는 서로 연통된 상기 제3부재홈부와 제1 연장홈부에 삽입되며; 상기 지지패널부를 이루며 코너를 형성하는 양측의 지지부재의 단부는 제3 부재의 상부에서 제3 부재와 중첩되어 코너를 형성하는 지지부재 사이에서 서셉터본체(110)의 노출이 방지되는 것을 특징으로 한다.
상기에서, 지지바의 상면에는 둘레 방향을 따라 이격되어 복수의 지지바홈이 오목하게 형성되고, 상기 지지바홈에는 지지핀이 삽입되고 지지핀의 상단은 지지바홈으로부터 상향 돌출되며;
상기 지지부재의 외측에는 측방으로 오목한 지지부재홈이 형성되고, 상기 지지핀의 돌출된 부분이 지지부재홈에 위치하여, 상기 지지부재는 본체상면과 본체제1연장부 사이에 형성된 턱면과 지지핀에 의하여 측방으로 이동이 억제되고, 지지부재홈에 위치한 지지핀에 의하여 둘레 방향으로 이동이 억제되는 것을 특징으로 한다.
상기에서, 리프트핀공은 상향하는 핀공턱부를 형성하며 핀공턱부의 내측으로 본체상면에 상하 방향으로 관통 형성된 리프트핀공부와, 오목한 핀공오목부의 내측으로 상기 리프트핀공부와 연통되어 본체제1연장부에 상하 방향으로 관통된 핀공확장부로 이루어지며;
상기 복수의 지지부재 중 일부는 판상인 복수의 제1 지지부재이고, 일부는 리프트핀공의 핀공오목부에 삽입되는 제2 부재돌출부를 가지는 제2 지지부재이며;
상기 제1 지지부재는 길이를 가지는 판상으로 상기 지지부재연장부는 제1 지지부재의 양단에 단부를 향하는 턱면을 형성하며 얇은 두께로 연장된 제1 지지부재연장부이고, 상기 지지부재홈은 제1 지지부재의 측방 외측에 오목하게 형성된 제1 지지부재홈이며;
상기 제2 지지부재는 판상이며 측방 내측에 하향 돌출된 상기 제2 부재돌출부를 가지며, 상기 지지부재홈은 제2 지지부재의 측방 외측에 오목하게 형성된 제2 지지부재홈이며, 상기 제2 부재돌출부의 하단에는 상향하는 제2 부재턱부가 형성되고, 제2 부재턱부에 측방으로 오목한 원호형의 제2 부재핀공부가 형성되며;
상기 제2 부재돌출부는 제2 부재돌출부외면이 핀공오목부의 내면에 슬라이딩 접촉하여 제2 부재돌출부가 핀공오목부에 삽입되며 상기 제2 부재핀공부는 리프트핀공부와 마주하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르는 서셉터는 피처리물의 가장자리에 버닝 발생하지 않고, 비증착 영역 없으며, 지지패널부의 연결 부분에서 노출에 의한 버닝 발생이 없고, 지지핀과 리프트핀에 의하여 지지패널부의 흔들림과 오장착이 방지되는 효과가 있다.
도 1은 화학기상증착 공정을 위한 진공 챔버 내부를 개략적으로 도시한 도면이며,
도 2는 도 1의 "A"부분을 도시한 단면도이며,
도 3은 서셉터의 일부를 도시한 사시도이며,
도 4는 본 발명에 따르는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터를 도시한 평면도 및 제2 부재의 확대 사시도이며,
도 5는 본 발명 서셉터를 이루는 서셉터본체의 일부를 도시한 사시도 및 리프트공을 확대 도시한 평면도이며,
도 6은 도 5의 일부를 확대한 사시도이며,
도 7은 서셉터의 구조를 설명하기 위하여 도시한 일부 확대 사시도 및 제3 부재의 사시도이며,
도 8은 서셉터의 조립 과정을 설명하기 위하여 도시한 일부 확대 사시도 및 제1 부재 확대 사시도이며,
도 9는 본 발명에 따르는 서셉터에 피처리물이 안착된 상태를 섀도우프레임과 함께 도시한 일부 평면도이다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따르는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터에 대하여 상세하게 설명한다.
도 4는 본 발명에 따르는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터를 도시한 평면도 및 제2 부재의 확대 사시도이며, 도 5는 본 발명 서셉터를 이루는 서셉터본체의 일부를 도시한 사시도 및 리프트공을 확대 도시한 평면도이며, 도 6은 도 5의 일부를 확대한 사시도이며, 도 7은 서셉터의 구조를 설명하기 위하여 도시한 일부 확대 사시도 및 제3 부재의 사시도이며, 도 8은 서셉터의 조립 과정을 설명하기 위하여 도시한 일부 확대 사시도 및 제1 부재 확대 사시도이며, 도 9는 본 발명에 따르는 서셉터에 피처리물이 안착된 상태를 섀도우프레임과 함께 도시한 일부 평면도이다.
본 발명의 서셉터(100)에도 도 1에 도시된 바와 같이 하부에 하향 연장된 이송수단이 결합되나, 본 발명은 이와 관련된 내용이 아니므로 이에 대한 설명은 생략하며, 본 발명의 특징을 중심으로 설명한다.
본 발명에 따르는 서셉터(100)는 서셉터본체(110)와, 지지바(120)와, 지지패널부(130)와, 고정부재(140)와, 지지핀(150)과, 섀도우프레임(170)을 포함하여 이루어진다.
상기 서셉터본체(110)는 알루미늄 재질로 구비된다. 상기 서셉터본체(110)는 사각형인 판상으로 구비된다.
상기 서셉터본체(110)에는 상면인 본체상면(112)과, 본체제1연장부(113)와, 본체제2연장부(115)로 이루어지며, 서셉터본체(110)의 가장자리를 따라 이격된 복수의 리프트핀공(111)이 형성된다.
상기 본체상면(112)은 사각형 평판 형태로 구비된다.
상기 본체제1연장부(113)는 상기 본체상면(112)의 외측에서 본체상면(112)을 둘러싸는 사각형 테두리 형태로 형성된다. 상기 본체제1연장부(113)는 상기 본체상면(112)보다 낮게 형성된다. 상기 본체제1연장부(113)와 본체상면(112) 사이에는 외향하는 턱면이 형성된다. 상기 본체제1연장부(113)에는 코너와 인접한 위치에 오목하며 외향 개구된 제1 연장홈부(113-1)가 형성된다.
상기 본체제2연장부(115)는 상기 본체제1연장부(113)의 외측에서 본체제1연장부(113)를 둘러싸는 사각형 테두리 형태로 형성된다. 상기 본체제2연장부(115)는 상기 본체제1연장부(113)보다 낮게 형성된다. 상기 본체제2연장부(115)와 본체제1연장부(113) 사이에는 외향하는 턱면에 형성된다.
상기 본체제2연장부(115)에는 본체결합부(115-1)가 형성된다.
상기 본체결합부(115-1)는 본체제2연장부(115)에 둘레 방향을 따라 이격되어 복수로 형성된다. 상기 본체결합부(115-1)는 상향 오목한 홈 또는 상하 방향으로 관통된 홀로 형성된다. 상기 본체제2연장부(115)에는 본체결합부(115-1)에 나사 등이 체결되며 지지바(120)가 설치된다.
상기 리프트핀공(111)은 본체상면(112)과 본체제1연장부(113) 사이에 형성된다. 상기 리프트핀공(111)은 상기 본체상면(112)의 둘레를 따라 이격되어 복수로 형성된다. 상기 리프트핀공(111)은 상하 방향으로 관통 형성된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 리프트핀공(111)은 본체상면(112)의 외측에서 상향하는 핀공턱부(111-5)를 형성하며 핀공턱부(111-5)의 내측으로 본체상면(112)에 상하 방향으로 관통 형성된 리프트핀공부(111-1)와, 본체제1연장부(113)의 내측에서 상향 오목한 핀공오목부(111-3)의 내측으로 상기 리프트핀공부(111-1)와 연통되어 본체제1연장부(113)에 상하 방향으로 관통된 핀공확장부(111-2)로 이루어진다. 상기 리프트핀공(111)은 리프트핀공부(111-1)와 핀공확장부(111-2)가 연통되며 형성된다.
상기 지지바(120)는 세섭터본체(110)의 상부로 구비된다. 상기 지지바(120)는 상기 본체제2연장부(115) 상에 구비된다. 상기 지지바(120)는 사각형 테두리 형태로 구비된다. 상기 지지바(120)는 4개의 막대로 이루어질 수 있다.
상기 지지바(120)에는 지지바결합공(121)과, 지지바홈(123)과, 지지부재설치부(127)와, 제3 부재홈부(125)가 형성된다.
상기 지지바결합공(121)은 지지바(120)에 둘레 방향을 따라 이격되어 복수로 형성된다. 상기 지지바결합공(121)은 상하 방향으로 관통 형성된다. 상기 지지바결합공(121)은 상기 본체제2연장부(115)의 본체결합부(115-1)가 형성된 위치에 형성된다. 상기 지지바(120)는 나사 등이 지지바결합공(121)을 지나 본체결합부(115-1)에 체결되며 본체제2연장부(115)에 설치된다.
상기 지지바홈(123)은 지지바(120)의 상면에 상향 오목하며, 지지바(120)의 둘레 방향을 따라 이격되어 복수로 형성된다. 상기 지지바홈(123)은 상기 지지바결합공(121)보다 내측으로 이격된 위치에 형성된다. 상기 지지바홈(123)은 상기 지지바결합공(121)과 어긋난 위치에 형성된다. 상기 복수의 지지바홈(123) 중 일부는 상기 리프트핀공(111)으로부터 외측으로 이격된 위치에 형성된다. 상기 지지바홈(123)에는 지지핀(150)이 삽입되고 지지핀(150)의 상단은 지지바홈(123)으로부터 상향 돌출된다.
상기 지지부재설치부(127)는 지지바(120)에 둘레 방향을 따라 이격되어 복수로 형성된다. 상기 지지부재설치부(127)는 상기 지지바결합공(121)과 지지바홈(123)으로부터 지지바(120)의 둘레 방향으로 이격되어 형성된다.
상기 지지부재설치부(127)는 상하 방향으로 관통 형성된다. 상기 지지부재설치부(127)가 형성된 위치의 본체제2연장부(115)에는 오목한 연장홈부(115-3)가 형성된다. 상기 지지부재설치부(127)에는 고정부재(140)가 구비되며, 고정부재(140)는 지지부재설치부(127)를 지나 연장홈부(115-3)에 삽입되고 상단은 지지부재설치부(127)의 상부로 돌출된다.
상기 지지부재설치부(127)는 상향으로 오목한 홈으로 형성될 수도 있다. 이 경우 상기 고정부재(140)는 지지부재설치부(127)에 삽입되고, 상단이 상부로 돌출되어 구비된다.
상기 제3 부재홈부(125)는 지지바(120)의 코너와 인접한 위치에 오목하며 내향 개구 형성된다. 상기 제3 부재홈부(125)는 상기 제1 연장부(113)에 형성된 제1 연장홈부(113-1)와 마주하여 제1 연장홈부(113-1)와 연통되도록 형성된다. 서로 연통된 제3 부재홈부(125)와 제1 연장홈부(113-1)에는 제3 부재(135)가 구비된다.
상기 지지패널부(130)는 실리콘(Si) 재질로 이루어진다. 상기 지지패널부(130)는 서셉터본체(110)의 상부에 가장자리를 따라 구비되는 사각형 테두리 형태로 형성된다. 상기 지지패널부(130)는 상기 지지바(120)의 내측과 본체제1연장부(113)를 덮도록 구비된다. 상기 지지패널부(130)의 폭은 서셉터본체(110)의 상부로 피처리물(W)이 구비될 때 지지패널부(130)상에 피처리물(W)의 엣지(WE)가 위치하며 지지패널부(130)의 외측 단부가 피처리물(W)의 엣지(WE)로부터 측방으로 돌출되는 크기를 가지도록 형성된다. 상기 지지패널부(130)는 외측 단부가 피처리물(W)의 엣지(WE)로부터 돌출되는 크기로 형성되어 지지패널부(130)의 둘레 방향 외측 단부가 섀도우프레임(170)과 중첩되어 섀도우프레임(170)의 하부에 위치하는 크기를 가진다.
상기 지지패널부(130)는 길이를 가지는 박판상의 복수의 지지부재와, 막대 형태의 제3 부재(135)로 이루어진다.
상기 지지부재는 제1 지지부재(131)와 제2 지지부재(133)로 이루어진다.
상기 제1 지지부재(131)는 길이를 가지는 박판상이며 복수로 구비된다. 상기 제1 지지부재(131)는 본체상면(112)과 본체제1연장부(113) 사이의 턱면과 지지바홈(123) 사이에 구비된다. 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제1 지지부재(131)에는 제1 지지부재연장부(131-1)와 제1 지지부재홈(131-2)이 형성된다.
상기 제1 지지부재연장부(131-1)는 상기 제1 지지부재(131)의 길이 방향 양단에 구비된다. 상기 제1 지지부재연장부(131-1)는 단부를 향하는 턱면을 형성하며 얇은 두께로 연장된다. 상기 제1 지지부재(131)의 일측 단부에 구비된 제1 지지부재연장부(131-1)는 상부에 턱면을 형성하며 하부에서 제1 지지부재(131)의 길이 방향으로 연장되고, 상기 제1 지지부재(131)의 타측 단부에 구비된 제1 지지부재연장부(131-1)는 하부에 턱면을 형성하며 상부에서 제1 지지부재(131)의 길이 방향으로 연장된다.
상기 제1 지지부재(131)의 길이 방향 양측의 제1 지지부재연장부(131-1)는 모두 상부에 턱면을 형성하며 하부에서 연장되거나, 하부에 턱면을 형성하며 상부에서 연장될 수 있다.
상기 제1 지지부재홈(131-2)은 제1 지지부재(131)의 측방 외측에 형성된다. 상기 제1 지지부재홈(131-2)은 오목하게 형성된다. 상기 제1 지지부재홈(131-2)은 제1 지지부재(131)의 길이 방향 중심부에 형성된다. 상기 제1 지지부재홈(131-2)은 길이 방향으로 이격되어 복수로 형성될 수도 있다.
상기 제2 지지부재(133)는 길이를 가지는 박판상이며 복수로 구비된다. 상기 복수의 제2 지지부재(133)는 서로 이격되어 구비된다. 상기 제2 지지부재(133)는 본체상면(112)과 본체제1연장부(113)의 턱면과 지지바홈(123) 사이에 구비된다. 제2 지지부재(133)는 측방으로 나란하게 형성된 리프트핀공(111)과 지지바홈(123) 사이에 구비된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2 지지부재(133)에는 제2 지지부재연장부(133-1)와, 제2 지지부재홈(133-2)과, 제2 부재돌출부(133-3)가 형성된다.
상기 제2 지지부재연장부(133-1)는 제2 지지부재(133)의 길이 방향 양단에 구비된다. 상기 제2 지지부재연장부(133-1)는 단부를 향하는 턱면을 형성하며 얇은 두께로 연장된다. 상기 제2 지지부재(133)의 일측 단부에 구비된 제2 지지부재연장부(133-1)는 상부에 턱면을 형성하며 하부에서 제2 지지부재(133)의 길이 방향으로 연장되고, 상기 제2 지지부재(133)의 타측 단부에 구비된 제2 지지부재연장부(133-1)는 하부에 턱면을 형성하며 상부에서 제2 지지부재(133)의 길이 방향으로 연장된다.
상기 제2 지지부재(133)의 길이 방향 양측의 제2 지지부재연장부(133-1)는 모두 상부에 턱면을 형성하며 하부에서 연장되거나, 하부에 턱면을 형성하며 상부에서 연장될 수 있다.
상기 제2 지지부재홈(133-2)은 제2 지지부재(133)의 측방 외측에 형성된다. 상기 제2 지지부재홈(133-2)은 오목하게 형성된다. 상기 제2 지지부재홈(133-2)은 제2 지지부재(133)의 길이 방향 중심부에 형성된다.
상기 제2 부재돌출부(133-3)는 제2 지지부재(133)의 측방 내측에 구비된다. 상기 제2 부재돌출부(133-3)는 하향 돌출되어 형성된다. 상기 제2 부재돌출부(133-3)의 하단에는 상향하는 제2 부재턱부(133-5)가 형성되고, 제2 부재턱부(133-5)에 측방으로 오목한 원호형의 제2 부재핀공부(133-7)가 형성된다.
상기 제2 부재돌출부(133-3)는 상기 리프트핀공(111)의 핀공오목부(111-3)에 삽입되어 구비된다. 상기 제2 부재돌출부(133-3)는 상기 제2 부재돌출부(133-3)의 외면인 제2 부재돌출부외면(133-9)이 핀공오목부(111-3)의 내면에 슬라이딩 접촉하여 제2 부재돌출부(133-3)가 핀공오목부(111-3)에 삽입되어 구비된다.
상기 제2 부재돌출부(133-3)가 핀공오목부(111-3)에 삽입되면, 상기 제2 부재핀공부(133-7)는 상기 리프트핀공부(111-1)와 마주하여 구비된다. 상기 제2 부재핀공부(133-7)는 상기 리프트핀공부(111-1)와 마주하며 리프트핀공부(111-1)와 연통되도록 형성된다. 서로 연통된 제2 부재돌출부(133-3)와 리프트핀공부(111-1)에는 리프트핀(미도시)이 피처리물(W)의 하부에서 상하 방향으로 돤통하여 구비된다.
상기 제1 지지부재(133)는 서셉터본체(110)의 둘레를 따라 서로 이격된 상기 제2 지지부재(133) 사이에 구비된다. 상기 제1 지지부재(133)는 양단이 상기 제2 지지부재(131)와 이웃하여 구비되거나, 제1 지지부재(133)의 일측 단부 또는 양측 단부는 다른 제1 지지부재(133)와 이웃하여 구비될 수 있다.
상기 제1 지지부재(131)의 제1 지지부재연장부(131-1)는 이웃하는 제1 지지부재(131)의 제1 지지부재연장부(131-1) 또는 제2 지지부재(133)의 제2 지지부재연장부(133-1)가 중첩되어 구비된다.
예를 들어, 이웃하는 지지부재의 일측 지지부재연장부가 지지부재의 하부에 턱면을 형성하며 상부에서 연장된 경우, 이웃하는 지지부재의 타측 지지부재연장부는 지지부재의 상부에 턱면을 형성하며 하부에서 연장되어 일측 지지부재연장부와 이웃하는 타측 지지부재연장부가 중첩되어 구비된다.
이웃하는 지지부재는 지지부재연장부가 중첩되어 구비됨으로써 서셉터본체(110)가 지지부재 사이에서 상부로 노출되는 것이 방지된다.
상기 제3 부재(135)는 막대 형태로 구비된다. 상기 제3 부재(135)는 코너를 형성하는 양측의 지지부재 사이에 구비된다. 상기 제3 부재(135)는 서로 연통된 상기 제3부재홈부(125)와 제1 연장홈부(113-1)에 삽입되어 구비된다.
상기 지지패널부(130)를 이루며 코너를 형성하는 양측의 지지부재의 단부는 상기 제3 부재(135)의 상부에서 제3 부재(135)와 중첩되어 코너를 형성하는 지지부재 사이에서 서셉터본체(110)의 노출이 방지된다.
상기 고정부재(140)는 지지패널부(130)의 외측에 위치한다. 상기 고정부재(140)는 막대 형태로 구비된다. 상기 고정부재(140)는 상기 지지부재설치부(127)에 삽입되어 상단이 상부로 돌출되어 구비된다. 돌출된 고정부재(140)의 단부는 섀도우프레임(170)의 하부에 형성된 홈(도시하지 않음)에 삽입되어 섀도우프레임(170)이 측방으로 흔들리는 것을 방지한다.
상기 지지핀(150)은 상기 지지바홈(123)에 구비된다. 상기 지지핀(150)은 막대 형태로 구비된다. 상기 지지핀(150)은 상기 지지바홈(123)에 삽입되어 상단이 상부로 돌출되어 구비된다. 상기 지지핀(150)의 돌출된 부분은 지지부재의 지지부재홈이 형성된 위치에 위치한다. 상기 지지부재는 본체상면(112)과 본체제1연장부(113) 사이에 형성된 턱면과 지지핀(150)에 의하여 측방으로 이동이 억제되고, 지지부재홈에 위치한 지지핀(150)에 의하여 둘레 방향으로 이동이 억제된다.
상기 섀도우프레임(170)은 서셉터본체(110)의 상부로 구비된다. 상기 섀도우프레임(170)은 예를 들어 사각틀 형태로 구비된다. 상기 섀도우프레임(170)은 4개의 막대 형태로 구비될 수도 있다. 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 섀도우프레임(170)은 지지패널부(130)의 둘레 방향 외측 단부가 중첩되도록 구비된다. 상기 지지패널부(130)의 외측 단부는 섀도우프레임(170)의 하부에 위치한다.
본 발명에 따르는 서셉터(100)에 안착되는 피처리물(W)은 엣지(WE)가 섀도우프레임(170)으로부터 내향 이격되어 구비되며, 피처리물(W)의 엣지(WE)는 상기 지지패널부(130)상에 위치한다. 즉, 피처리물(W)의 엣지(WE)가 지지패널부(130)의 외측 단부 및 섀도우프레임(170)으로부터 내향 이격되어 위치하므로, 증착을 위한 가열시 피처리물(W)의 버닝(Burning) 현상이 방지된다.
지금까지 본 발명에 따른 비증착 구간 발생이 없는 서셉터는 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당업자라면 누구든지 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100 : 서셉터
110 : 서셉터본체 120 : 지지바
130 : 지지패널부 140 : 고정부재
150 : 지지핀 170 : 섀도우프레임

Claims (7)

  1. 알루미늄 재질이며 판상이며 상하 방향으로 관통된 복수의 리프트핀공(111)이 형성된 서셉터본체(110)와, 실리콘 재질이며 서셉터본체(110)의 상부에 가장자리를 따라 구비되는 사각형 테두리 형태의 지지패널부(130)을 포함하며; 피처리물(W)이 안착되면 피처리물(W)의 엣지(WE)는 상기 지지패널부(130) 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터(100).
  2. 제1 항에 있어서, 상기 지지패널부(130)는 둘레 방향의 외측 단부가 섀도우프레임(170)과 중첩되어 외측 단부가 섀도우프레임(170)의 하부에 위치하는 크기를 가지며, 상기 피처리물(W)의 엣지(WE)는 섀도우프레임(170)으로부터 내향 이격된 것을 특징으로 하는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터(100).
  3. 제1 항에 있어서, 상기 서셉터본체(110)의 상면은 본체상면(112)과, 상기 본체상면(112)의 외측에서 본체상면(112)을 둘러싸며 본체상면(112)보다 낮은 본체제1연장부(113)와, 상기 본체제1연장부(113)의 외측에서 본체제1연장부(113)를 둘러싸며 본체제1연장부(113)보다 낮은 본체제2연장부(115)로 이루어지고;
    상기 본체상면(112)과 본체제1연장부(113) 사이에는 외향하는 턱면이 형성되고, 상기 본체제1연장부(113)와 본체제2연장부(115) 사이에도 외향하는 턱면이 형성되며;
    상기 본체제2연장부(115) 상에는 사각형 테두리 형태의 지지바(120)가 더 구비되고, 상기 지지패널부(130)는 지지바(120)의 내측과 본체제1연장부(113)를 덮도록 구비되는 것을 특징으로 하는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터(100).
  4. 제1 항에 있어서, 상기 지지패널부(130)는 길이를 가지는 박판상의 복수의 지지부재로 이루어지고, 상기 지지부재는 길이 방향 양단에 단부를 향하여 턱면을 형성하며 감소한 두께로 연장된 지지부재연장부를 구비하며; 이웃하는 지지부재는 지지부재연장부가 중첩되어 지지부재 사이에서 서셉터본체(110)의 노출이 방지되는 것을 특징으로 하는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터(100).
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 지지패널부(130)는 막대 형태인 제3 부재(135)를 더 포함하고;
    상기 지지바(120)에는 코너와 인접한 위치에 오목하며 내향 개구된 제3부재홈부(125)가 형성되고, 상기 제1 연장부(113)에는 제3부재홈부(125)와 마주하여 제3부재홈부(125)에 연통되도록 오목하며 외향 개구된 제1 연장홈부(113-1)가 형성되며;
    상기 제3 부재(135)는 서로 연통된 상기 제3부재홈부(125)와 제1 연장홈부(113-1)에 삽입되며; 상기 지지패널부(130)를 이루며 코너를 형성하는 양측의 지지부재의 단부는 제3 부재(135)의 상부에서 제3 부재(135)와 중첩되어 코너를 형성하는 지지부재 사이에서 서셉터본체(110)의 노출이 방지되는 것을 특징으로 하는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터(100).
  6. 제3 항에 있어서, 상기 지지바(120)의 상면에는 둘레 방향을 따라 이격되어 복수의 지지바홈(123)이 오목하게 형성되고, 상기 지지바홈(123)에는 지지핀(150)이 삽입되고 지지핀(150)의 상단은 지지바홈(123)으로부터 상향 돌출되며;
    상기 지지부재의 외측에는 측방으로 오목한 지지부재홈이 형성되고, 상기 지지핀(150)의 돌출된 부분이 지지부재홈에 위치하여, 상기 지지부재는 본체상면(112)과 본체제1연장부(113) 사이에 형성된 턱면과 지지핀(150)에 의하여 측방으로 이동이 억제되고, 지지부재홈에 위치한 지지핀(150)에 의하여 둘레 방향으로 이동이 억제되는 것을 특징으로 하는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터(100).
  7. 제6 항에 있어서, 상기 리프트핀공(111)은 상향하는 핀공턱부(111-5)를 형성하며 핀공턱부(111-5)의 내측으로 본체상면(112)에 상하 방향으로 관통 형성된 리프트핀공부(111-1)와, 오목한 핀공오목부(111-3)의 내측으로 상기 리프트핀공부(111-1)와 연통되어 본체제1연장부(113)에 상하 방향으로 관통된 핀공확장부(111-2)로 이루어지며;
    상기 복수의 지지부재 중 일부는 판상인 복수의 제1 지지부재(131)이고, 일부는 리프트핀공(111)의 핀공오목부(111-3)에 삽입되는 제2 부재돌출부(133-3)를 가지는 제2 지지부재(133)이며;
    상기 제1 지지부재(131)는 길이를 가지는 판상으로 상기 지지부재연장부는 제1 지지부재(131)의 양단에 단부를 향하는 턱면을 형성하며 얇은 두께로 연장된 제1 지지부재연장부(131-1)이고, 상기 지지부재홈은 제1 지지부재(131)의 측방 외측에 오목하게 형성된 제1 지지부재홈(131-2)이며;
    상기 제2 지지부재(133)는 판상이며 측방 내측에 하향 돌출된 상기 제2 부재돌출부(133-3)를 가지며, 상기 지지부재홈은 제2 지지부재(133)의 측방 외측에 오목하게 형성된 제2 지지부재홈(133-2)이며, 상기 제2 부재돌출부(133-3)의 하단에는 상향하는 제2 부재턱부(133-5)가 형성되고, 제2 부재턱부(133-5)에 측방으로 오목한 원호형의 제2 부재핀공부(133-7)가 형성되며;
    상기 제2 부재돌출부(133-3)는 제2 부재돌출부외면(133-9)이 핀공오목부(111-3)의 내면에 슬라이딩 접촉하여 제2 부재돌출부(133-3)가 핀공오목부(111-3)에 삽입되며 상기 제2 부재핀공부(133-7)는 리프트핀공부(111-1)와 마주하는 것을 특징으로 하는 비증착 구간 발생이 없는 서셉터(100).
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100820592B1 (ko) 2006-10-23 2008-04-08 (주)위지트 피처리물 수용부가 형성된 서셉터 및 그러한 서셉터를구비한 화학 기상증착 장치
KR100934403B1 (ko) 2007-11-30 2009-12-29 (주)위지트 냉각 수단을 구비한 서셉터
KR101600265B1 (ko) * 2014-09-01 2016-03-08 엘지디스플레이 주식회사 화학기상증착장치
KR20180120585A (ko) * 2017-04-27 2018-11-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100820592B1 (ko) 2006-10-23 2008-04-08 (주)위지트 피처리물 수용부가 형성된 서셉터 및 그러한 서셉터를구비한 화학 기상증착 장치
KR100934403B1 (ko) 2007-11-30 2009-12-29 (주)위지트 냉각 수단을 구비한 서셉터
KR101600265B1 (ko) * 2014-09-01 2016-03-08 엘지디스플레이 주식회사 화학기상증착장치
KR20180120585A (ko) * 2017-04-27 2018-11-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치

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