KR20200119278A - 클록 분배 시스템 - Google Patents
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Abstract
일 실시예는 클록 분배 시스템을 포함한다. 상기 시스템은 클록 신호를 전파하는 적어도 하나의 공진기 스파인 및 적어도 하나의 공진기 스파인에 전도성으로 커플링되고 정상파 공진기로서 배치되는 적어도 하나의 공진기 리브를 포함한다. 적어도 하나의 공진기 리브 중 적어도 하나는 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브의 길이를 따라서 가변하는 두께를 가진다. 상기 시스템은 또한 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인을 포함한다. 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인의 각각의 라인은 연관된 회로로 전도성으로 커플링되고 연관된 회로에 대한 함수들을 제공하기 위해 클록 신호에 대응하는 클록 전류를 유도성으로 생성하도록 적어도 하나의 공진기 리브로 유도성으로 커플링될 수 있다.
Description
본 발명은 일반적으로 컴퓨터 시스템들에 관한 것이며, 구체적으로 클록 분배 시스템에 관한 것이다.
본 출원은 출원번호가 15/913,471이고, 출원일이 2018년 3월 6일인 미국특허출원에 대한 우선권을 주장하며, 상기 미국특허출원은 전체로서 여기에 통합된다.
논리 함수(logic function)들을 구현하는 전형적인 회로들은 데이터를 동기화시키고 그리고/또는 논리 함수들의 시간-기반 플로우를 제공하기 위해 클록에 기반하여 동작할 수 있다. 상보형 금속-산화물-반도체(CMOS) 기술에 기반하는 회로들은 주어진 논리 회로 또는 게이트가 데이터를 처리하거나 또는 데이터를 다른 논리 함수들로 전달하기 위해 하나 이상의 입력들에서 데이터를 캡처해야할 때를 표시하도록 클록을 구현할 수 있다. 그리하여 주어진 클록은 필요한 타이밍 정보를 제공하기 위해 그리고 그리하여 데이터 전달 및 타이밍 함수들을 실질적으로 동기화하기 위해 회로에 있는 다양한 디바이스들로 클록 신호를 제공할 수 있다. 상호 양자 논리(RQL) 회로들과 같은 다른 타입들의 회로들은 클록 신호들을 구현할 수 있다. RQL 회로들은, 예를 들어, 실질적으로 안정적-주파수를 가지는 신호로서 제공되는 클록에 기반하는 타이밍 정보를 구현할 수 있다.
하나의 예는 클록 분배 시스템을 포함한다. 상기 시스템은 클록 신호를 전파하는 적어도 하나의 공진기 스파인(spine) 및 상기 적어도 하나의 공진기 스파인에 전도성으로(conductively) 커플링되고 정상파(standing wave) 공진기로서 배치되는 적어도 하나의 공진기 리브(rib)를 포함한다. 상기 적어도 하나의 공진기 리브 중 적어도 하나는 상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브의 길이를 따라서 가변하는 두께를 가진다. 상기 시스템은 또한 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인을 포함한다. 상기 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인의 각각의 라인은 연관된 회로로 전도성으로 커플링되고 상기 연관된 회로에 대한 함수들을 제공하기 위해 상기 클록 신호에 대응하는 클록 전류를 유도성으로(inductively) 생성하도록 상기 적어도 하나의 공진기 리브로 유도성으로 커플링될 수 있다.
다른 예는 클록 분배 시스템을 포함한다. 상기 시스템은 클록 신호를 전파하는 적어도 하나의 공진기 스파인 및 상기 적어도 하나의 공진기 스파인에 전도성으로 커플링되고 정상파 공진기로서 배치되는 적어도 하나의 공진기 리브를 포함한다. 상기 적어도 하나의 공진기 리브 중 적어도 하나는 상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브의 길이를 따라서 테이퍼되는(tapered) 방식으로 가변하는 두께를 가진다. 상기 시스템은 또한 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인을 포함한다. 상기 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인의 각각의 라인은 연관된 회로로 전도성으로 커플링되고 상기 연관된 회로에 대한 함수들을 제공하기 위해 상기 클록 신호에 대응하는 클록 전류를 유도성으로 생성하도록 상기 적어도 하나의 공진기 리브로 유도성으로 커플링될 수 있다.
또다른 예는 클록 분배 시스템을 포함한다. 상기 시스템은 클록 신호를 전파하는 적어도 하나의 공진기 스파인 및 상기 적어도 하나의 공진기 스파인에 전도성으로 커플링되고 정상파 공진기로서 배치되는 적어도 하나의 공진기 리브를 포함한다. 상기 적어도 하나의 공진기 리브 중 적어도 하나는 상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브의 길이를 따라서 스텝-와이즈(step-wise) 방식으로 가변하는 두께를 가진다. 상기 시스템은 또한 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인을 포함한다. 상기 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인의 각각의 라인은 연관된 회로로 전도성으로 커플링되고 상기 연관된 회로에 대한 함수들을 제공하기 위해 상기 클록 신호에 대응하는 클록 전류를 유도성으로 생성하도록 상기 적어도 하나의 공진기 리브로 유도성으로 커플링될 수 있다.
도 1은 클록 분배 시스템의 일례를 도시한다.
도 2는 공진기 시스템의 일례를 도시한다.
도 3은 공진기 시스템 및 전류 그래프의 일례를 도시한다.
도 4는 공진기 시스템 및 전류 그래프의 다른 예를 도시한다.
도 5는 공진기 시스템 및 전류 그래프의 다른 예를 도시한다.
도 6은 공진기 시스템 및 전류 그래프의 다른 예를 도시한다.
도 7은 공진기 시스템 및 전류 그래프의 다른 예를 도시한다.
도 8은 공진기 시스템 및 전류 그래프의 다른 예를 도시한다.
도 9는 공진기 시스템 및 전류 그래프의 다른 예를 도시한다.
도 2는 공진기 시스템의 일례를 도시한다.
도 3은 공진기 시스템 및 전류 그래프의 일례를 도시한다.
도 4는 공진기 시스템 및 전류 그래프의 다른 예를 도시한다.
도 5는 공진기 시스템 및 전류 그래프의 다른 예를 도시한다.
도 6은 공진기 시스템 및 전류 그래프의 다른 예를 도시한다.
도 7은 공진기 시스템 및 전류 그래프의 다른 예를 도시한다.
도 8은 공진기 시스템 및 전류 그래프의 다른 예를 도시한다.
도 9는 공진기 시스템 및 전류 그래프의 다른 예를 도시한다.
본 발명은 일반적으로 컴퓨터 시스템들에 관한 것이며, 구체적으로 클록 분배 시스템에 관한 것이다. 여기에서 설명되는 바와 같이, 클록 분배 시스템은 공진기 "스파인(spine)" 및 "리브(rib)" 구성으로서 배치된다. 여기에서 설명되는 바와 같이, 공진기와 관련되는, 용어 "스파인"은 클록 신호(예를 들어, 정현파 클록 신호)를 전파(propagate)하도록 구성되는 전도체를 설명한다. 공진기와 관련되는, 용어 "리브"는 스파인에 전도성으로 커플링되고 클록 신호를 전파하는 정상파 공진기로서 배치되는 전도체를 설명한다. 클록 분배 시스템은 복수의 공진기 리브들을 포함할 수 있으며, 공진기 리브들 각각은 동일한 공진기 스파인에 전도성으로 커플링되고 그리하여 각각은 개별적으로 공진기 스파인으로부터 클록 신호를 전파할 수 있다.
추가적으로, 클록 분배 시스템은 연관된 회로로 전도성으로 연결되는 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인(들)을 포함한다. 트랜스포머-커플링 라인(들)은 연관된 회로에 대한 함수들을 제공하기 위해 클록 신호에 대응하는 클록 전류를 유도성으로 생성하도록 복수의 유도성 커플링들을 통해 공진기 리브(들)로 유도성으로 커플링된다. 여기에서 설명되는 바와 같이, 공진기 리브(들)로의 트랜스포머-커플링 라인(들)의 유도성 커플링들을 제공하기 위해 공진기 리브 및 스파인의 다수의 상이한 구성들 및 그리하여 다수의 상이한 방식들이 존재한다.
공진기 리브(들)의 각각의 리브는 각각의 공진기 리브의 길이를 따라서 가변하는 두께를 가질 수 있다. 여기에서 설명되는 바와 같이, 공진기 리브(들)와 관련되는, 용어 "두께(thickness)"는 각각의 공진기 리브의 단면의 적어도 하나의 치수(예를 들어, 폭(width))를 설명한다. 트랜스포머 커플링 라인(들) 및 공진기 리브(들)의 유도성 커플링은 각각의 공진기 리브(들)의 주어진 부분에서 각각의 공진기 리브(들)의 두께에 기반할 수 있기 때문에, 트랜스포머 커플링 라인(들) 및 공진기 리브(들)의 유도성 커플링은 공진기 리브(들)의 상대적인 두께에 기반하여 제어될 수 있다. 그에 따라, 각각의 공진기 리브(들)의 길이를 따른 공진기 리브(들)의 두께의 변동은 동일한 공진기 리브(들)로 유도성으로 커플링되는 상이한 트랜스포머-커플링 라인과 관련하여 주어진 트랜스포머-커플링 라인에서 유도된 클록 전류의 진폭에 영향을 주는 방식을 제공할 수 있다.
도 1은 클록 분배 시스템(10)의 일례를 도시한다. 클록 분배 시스템(10)은 상호 양자 논리(RQL) 회로 설계와 같은 다양한 애플리케이션들로 구현될 수 있다. 예를 들어, 클록 분배 시스템(10)은 집적 회로(IC) 칩으로 또는 IC 칩의 일부로서 구현될 수 있다.
클록 분배 시스템(10)은 적어도 하나의 공진기 시스템(12)을 포함한다. 여기에서 설명되는 바와 같이, 공진기 시스템(들)(12)은 클록 분배 시스템(10)이 구현되는 IC 칩에 걸쳐 분포될 수 있는 하나 이상의 회로들(14) 각각으로 클록 신호 CLK를 제공하도록 구성될 수 있다. 일례로서, 클록 신호 CLK는 정현파 클록 신호로서 제공될 수 있고, 동위상(in-phase) 및 직교위상(quadrature phase) 클록 신호 중 하나일 수 있다. 도 1의 예에서, 공진기 시스템(들)(12) 각각은 적어도 하나의 공진기 스파인(16) 및 적어도 하나의 공진기 리브(18)를 포함한다. 공진기 리브(들)(18)는 각각 공진기 스파인(들)(16) 중 주어진 하나의 스파인으로 전도성으로 커플링된다. 그리하여, (예를 들어, 로컬 오실레이터로부터) 공진기 스파인(들)(16)으로 제공되는 클록 신호 CLK는 개개의 공진기 리브(들)(18)의 각각으로 전파되도록 제공될 수 있다. 일례로서, 클록 분배 시스템(10)은, 여기에 전체로서 참조로 통합되는, 출원번호가 15/816,518이고 출원일이 2017년 11월 17일이고 어토니 도켓 번호가 NG(ES)027022 US PRI인 특허 출원에서 설명되는 바와 같이, 클록 신호 CLK를 회로들(14)로 분배하기 위해 다양한 상이한 방식들로 배치될 수 있다. 그러므로, 클록 분배 시스템(10)은 위에서 언급된 특허 출원에서 설명되는 다양한 상이한 클록 분배 아키텍처들 중 임의의 아키텍처에 대응될 수 있다. 그러나, 여기에서 설명되는 바와 같이, 공진기 리브(들)(18)는 개개의 길이를 따라서 가변하는 두께를 가질 수 있다.
도 1의 예에서, 공진기 시스템(12)은 또한 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인(20)을 포함한다. 트랜스포머-커플링 라인(들)(20) 각각은 회로(들)(14) 중 연관된 회로로 클록 전류 ICLK를 유도성으로 제공하도록 공진기 리브(들)(18) 중 하나 이상의 리브로 유도성으로 커플링될 수 있다. 특히, 트랜스포머-커플링 라인(들)(20)은 연관된 회로(들)(14)에 대한 함수들(예를 들어, 타이밍 함수들 및/또는 전력 분배 함수들)을 제공하기 위해 클록 신호에 대응하는 클록 전류 ICLK를 유도성으로 생성하도록 복수의 유도성 커플링들을 통하여 각각의 공진기 리브(들)(18)로 유도성으로 커플링된다. 여기에서 설명되는 바와 같이, 공진기 리브(들)(18) 및 스파인(들)(16)의 다수의 상이한 구성들이 존재할 수 있으며, 그리하여 트랜스포머-커플링 라인(들)(20)의 공진기 리브(들)(18)로의 유도성 커플링들을 제공하기 위한 다수의 상이한 방식들이 존재할 수 있다. 여기에서 설명되는 상이한 구성들 각각에서, 공진기 리브(들)(18)로의 트랜스포머-커플링 라인(들)(20) 중 주어진 라인의 유도성 커플링들은 트랜스포머-커플링 라인(들)(20) 중 주어진 라인에서 유도된 클록 전류 ICLK의 진폭에 영향을 주는 방식으로 제공된다. 일례로서, 공진기 리브(들)(18)의 테이퍼되는 두께는 마찬가지로 동일한 공진기 리브(들)(18)로 유도성으로 커플링되는 트랜스포머-커플링 라인(들)(20) 중 다른 라인과 관련하여 트랜스포머-커플링 라인(들)(20) 중 주어진 라인에서 유도된 클록 전류 ICLK의 비-균일성(non-uniformity)을 경감시키도록 변경될 수 있다. 다른 예로서, 공진기 리브(들)(18)의 테이퍼되는 두께는 마찬가지로 동일한 공진기 리브(들)(18)로 유도성으로 커플링되는 트랜스포머-커플링 라인(들)(20) 중 다른 라인과 관련하여 트랜스포머-커플링 라인(들)(20) 중 주어진 라인에서 유도된 클록 전류 ICLK의 변화 또는 비-균일성을 도입하도록 변경될 수 있다.
일례로서, 공진기 리브(들)(18)의 각각의 리브는 각각의 공진기 리브(18)의 길이를 따라서 가변하는 두께를 가질 수 있다. 트랜스포머-커플링 라인(들)(20) 및 공진기 리브(들)(18)의 유도성 커플링은 각각의 공진기 리브(들)(18)의 주어진 부분에서의 각각의 공진기 리브(들)(18)의 두께에 기반할 수 있기 때문에, 트랜스포머-커플링 라인(들)(20) 및 공진기 리브(들)(18)의 유도성 커플링은 공진기 리브(들)(18)의 상대적인 두께에 기반하여 제어될 수 있다. 그에 따라, 각각의 공진기 리브(들)(18)의 길이를 따른 공진기 리브(들)(18)의 두께의 변화는 동일한 공진기 리브(들)(18)로 유도성으로 커플링되는 상이한 트랜스포머-커플링 라인과 관련하여 주어진 트랜스포머-커플링 라인에서 유도된 클록 전류의 비-균일성을 경감시키는 방식을 제공할 수 있다.
제 1 예로서, 두께는 각각의 공진기 리브(들)(18)의 길이를 따라서 테이퍼된 방식으로 변할 수 있다. 여기에서 설명되는 바와 같이, 두께와 관련하여 용어 "테이퍼된(tapered)"은 공진기 리브(들)(18)의 길이를 따라서 두께의 점진적인 변화를 지칭하며, 각각의 공진기 리브(들)(18)의 길이를 따라서 두께의 선형 또는 비-선형(예를 들어, 지수적(exponential), 근적(root) 또는 정현파적(sinusoidal)) 변화에 대응될 수 있다. 제 2 예로서, 두께는 각각의 공진기 리브(들)(18)의 길이를 따라서 스텝-와이즈 방식으로 변할 수 있다. 여기에서 설명되는 바와 같이, 두께가 각각의 공진기 리브(들)(18)의 길이를 따라서 다수의 상이하고 불균등한 두께 부분들을 따라 일정하게 유지되도록, 두께와 관련하여 용어 "스텝-와이즈(step-wise)"는 공진기 리브(들)(18)의 길이를 따라서 두께의 이산 스텝(discrete step) 변화들을 지칭한다.
도 2는 공진기 시스템(50)의 일례를 도시한다. 공진기 시스템(50)은 도 1의 예에서 공진기 시스템(들)(12) 중 하나에 대응할 수 있다. 그러므로, 도 2의 예에 대한 다음의 설명에서 도 1의 예에 대한 참조가 이루어진다.
공진기 시스템(50)은 클록 신호 CLK를 제공하도록 구성되는 신호 소스(52)를 포함한다. 신호 소스(52)는 클록 신호 CLK를 전파하기 위한 전도체로서 배치되는 공진기 스파인(54)으로 커플링된다. 도 2의 예에서, 공진기 시스템(50)은 마찬가지로 클록 신호 CLK를 전파하기 위해 공진기 스파인(54)으로 전도성으로 커플링되는 복수의 공진기 리브들(56)을 포함한다. 일례로서, 공진기 리브들(56) 각각은 정상파 공진기들로서 구성될 수 있으며, 그 결과 공진기 리브들(56) 각각은 클록 신호 CLK의 파장과 연관되는 미리결정된 길이와 대략적으로 동일한 물리적 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 공진기 리브들(56) 각각은 제 1 단부에서의 공진기 스파인(54)으로의 전도성 커플링으로부터 클록 신호 CLK의 파장 λ의 4분의 1(즉, λ/4)과 대략적으로 동일한 저-전압 레일(rail)(예를 들어, 그라운드)로 커플링되는 제 2 단부까지 전체 길이 "L"을 가질 수 있다. 그러므로, 공진기 리브들(56)의 정상파 공진기 구성에 기초하여, 클록 신호 CLK는 제 2 단부에서 최대이고 제 1 단부에서 최소인 크기를 가질 수 있다. 추가적으로, 도 2의 예에서, 공진기 리브들(56) 각각은 제 1 단부에서의 공진기 스파인(54)으로부터 제 2 단부에서의 저-전압 레일로의 선형 익스텐션(linear extension)(예를 들어, 일직선)으로서 도시된다. 추가적으로, 공진기 리브들(56) 각각은 제 2 단부로부터 제 1 단부까지 테이퍼되는 것으로 도시된다.
도 2의 예에서, 복수(N)의 회로들(58)은 각각 개개의 트랜스포머-커플링 라인(60)을 통하여 공진기 리브들(56) 중 하나로 유도성으로 커플링되는 것으로 도시된다. 각각의 회로들(58)의 공진기 리브(56)로의 유도성 커플링은 각각의 트랜스포머-커플링 라인(60)과 연관되는 유도성 커플링(62)을 통해서 제공된다. 유도성 커플링(62)은 트랜스포머-커플링 라인(60)의 각각의 유도성-커플링 부분 및 공진기 리브(56)의 일부 사이에 있다. 그러므로, 트랜스포머-커플링 라인(60)은 유도성 커플링(62)에서 트랜스포머를 형성하도록 공진기 리브(62)와 협력하며, 그 결과 유도성 커플링(62)은 각각의 회로들(58)로 제공되는 각각의 클록 전류들 ICLK1 내지 ICLKN의 일부로서 유도될 클록 신호 CLK의 일부를 제공한다. 그리하여, 유도성 커플링(62)은 유도성으로 클록 신호 CLK에 대응하는 클록 전류 ICLK를 각각의 회로(58)로 제공한다.
여기에서 설명되는 바와 같이, 트랜스포머 커플링 라인(60) 및 공진기 리브(56)의 유도성 커플링(62)은 각각의 공진기 리브(56)의 주어진 부분에서의 각각의 공진기 리브(56)의 두께에 기반할 수 있다. 예를 들어, 유도성 커플링(62)은 더 두꺼운 공진기 리브(56)의 부분들에 대하여 보다 더 얇은 공진기 리브(56)의 부분들에 대하여 더 클 수 있다. 추가적으로, 이전에 설명된 바와 같이, 클록 신호 CLK는 제 2 단부에서 최대이고 제 1 단부에서 최소인 진폭을 가질 수 있다. 그러므로, 도 2의 예에서, 공진기 리브(56)의 테이퍼된 두께는 유도성 커플링(62)이 클록 신호 CLK의 진폭의 변화와 역으로 변화하도록 이루어질 수 있다. 다시 말하면, 유도성 커플링(62)은 클록 신호 CLK의 진폭이 가장 큰 공진기 리브(56)의 제 2 단부에서 최소일 수 있고, 유도성 커플링(62)은 클록 신호 CLK의 진폭이 가장 작은 공진기 리브(56)의 제 1 단부에서 최대일 수 있다. 이에 따라, 각각의 공진기 리브(56)의 길이를 따라서 공진기 리브(56)의 두께의 변화는 동일한 공진기 리브(56)를 따라서 유도된 클록 전류들 ICLK1 내지 ICLKN의 비-균일성을 경감시키는 방식을 제공할 수 있다.
도 3은 공진 시스템(100) 및 클록 전류 ICLK의 그래프(102)의 다른 예를 도시한다. 공진기 시스템(100)은 도 2의 예에서 공진기 스파인(54)의 일부 및 공진기 리브들(56) 중 하나와 대응될 수 있다. 특히, 도 3의 예에서, 공진기 시스템(100)은 제 1 단부에서 공진기 스파인(106)으로 유도성으로 커플링되고 제 1 단부 반대편의 제 2 단부에서 그라운드되는 공진기 리브(104)를 포함한다. 공진기 리브(104)는 제 1 단부 및 제 2 단부 사이에서 길이 "L"을 가지도록 도시되어 있다. 도 3의 예에서, 공진기 리브(104)는 제 1 단부에서의 공진기 스파인(106)으로부터 제 2 단부에서의 저-전압 레일까지 선형 익스텐션(예를 들어, 일직선)으로서 도시된다. 추가적으로, 공진기 리브(104)는 제 2 단부로부터 제 1 단부까지 테이퍼되는 두께를 가지는 것으로 도시된다. 도 3의 예에서, 두께는 선형 방식으로 테이퍼되는 것으로 도시된다.
그래프(102)는 공진기 리브(104)의 길이 "L"의 함수로서 (예를 들어, 트랜스포머-커플링 라인(60)에서 제공되는 바와 같은) 유도된 클록 전류 ICLK의 진폭을 도시한다. 도 3의 예에서 도시된 바와 같이, 클록 전류 ICLK는 좌측으로부터 우측으로, 그리하여 제 1 단부(예를 들어, 공진기 스파인(106)으로의 공진기 리브(104)의 전도성 커플링)로부터 공진기 리브(104)의 길이를 따라서 그라운드되는 제 2 단부까지 길이 "L"을 따라서 증가한다. 특히, 클록 전류 ICLK는 좌측에서의 진폭 IMIN으로부터 그라운드되는 단부에서의 진폭 IPK로 증가하며, 그리하여 (예를 들어, 길이 "L"의 하나의 단부로부터 길이 "L"의 반대편 단부로 증가하는 클록 전류 ICLK에 기반하여) 경사진 방식으로 증가하는 것으로 도 3의 예에서 도시되고 구부러진다(예를 들어, 길이 "L"을 따라서 비-선형적이다). 도 3의 예에서, 전류 ICLK는 길이를 따라서 일정한 두께를 가지는 정상파 공진기 리브보다 공진기 리브(104)의 길이를 따라서 상당하게 덜 변화할 수 있도록, 진폭 IMIN은 진폭 IPK과 진폭에 있어 비슷할 수 있다. 그 결과, 길이를 따른 공진기 리브(104)의 두께의 변화는 공진기 리브(104)를 따라서 유도성으로-커플링되는 회로들(예를 들어, 도 2의 예에서의 회로들(58))의 유도된 클록 전류들의 비-균일성을 경감시키는 방식을 제공할 수 있다.
도 4는 공진기 시스템(150) 및 클록 전류 ICLK의 그래프(152)의 또다른 예를 도시한다. 공진기 시스템(150)은 도 2의 예에서 공진기 스파인(54)의 일부 및 공진기 리브들(56) 중 하나와 대응될 수 있다. 특히, 도 4의 예에서, 공진기 시스템(100)은 공진기 스파인(156)으로 전도성으로 커플링되고 공진기 스파인(156)으로의 전도성 커플링 반대편에 그라운드된 단부를 포함하는 공진기 리브(154)를 포함한다. 공진기 리브(154)는 제 1 평행 부분(parallel portion)(158) 및 제 2 평행 부분(160)을 포함하는 것으로 배치되도록 벤드(bend)들을 포함하는 것으로 도시된다. 제 1 평행 부분(158)은 공진기 스파인(156)으로 전도성으로 커플링되는 제 1 단부 및 제 2 평행 부분(160)의 제 1 단부로 커플링되는 제 2 단부를 가지며, 제 2 평행 부분(160)의 제 2 단부는 그라운드되는 제 2 단부를 가진다.
그래프(152)는 공진기 리브(154)의 길이 "L/2"의 함수로서 (예를 들어, 트랜스포머-커플링 라인(60)에서 제공되는) 유도된 클록 전류 ICLK의 진폭을 도시한다. 완전히 연장되는 경우에 그래프(152)의 길이 "L/2"는 공진기 리브(154)의 길이 "L"의 대략적으로 절반에 직접 대응되며, 그리하여 평행 부분들(158 및 160) 각각의 대략적인 길이에 대응된다. 그러므로, 그래프(152)에서 길이 "L/2"는 공진기 스파인(156)으로의 공진기 리브(154)의 전도성 커플링으로부터 공진기 리브(154)의 대략 길이 절반을 따라서, 대략적으로 벤드들에서, 그리고 다시 대략적으로 벤드들로부터 공진기 리브(154)의 길이를 따라서 그라운드된 단부로(즉, 우측에서 좌측으로) 연장된다.
도 4의 예에서, 평행 부분들(158 및 160) 각각은 평행 부분들(158 및 160)의 각각의 길이들을 따라서 가변하는 두께를 가진다. 특히, 평행 부분들(158 및 160) 각각은 평행 부분들(158 및 160) 각각의 제 1 단부에서의 최대 두께로부터 평행 부분들(158 및 160) 각각의 제 2 단부에서의 최소 두께로 테이퍼되는 두께를 가진다. 도 4의 예에서, 평행 부분들(158 및 160) 각각의 길이를 따라서 테이퍼되는 두께는 선형적으로 도시된다. 그러므로, 이전에 설명된 바와 유사하게, 테이퍼되는 두께는 공진기 리브(154) 및 공진기 리브(154)로 유도성으로 커플링되는 트랜스포머 커플링 라인(미도시) 사이의 유도성 커플링을 가변시킬 수 있다(예를 들어, 상호 인덕턴스의 강도를 가변시킬 수 있다).
도 4의 예에서, 클록 전류 ICLK는 좌측으로부터 우측으로 길이 "L/2"를 따라서 도시된다. 클록 전류 ICLK는 평행 부분들(158 및 160) 양쪽 모두와의 단일 트랜스포머 커플링 라인의 유도성 커플링과 연관되는 총 클록 전류 ICLK에 대응될 수 있으며, 그 결과 클록 전류 ICLK는 (예를 들어, 특허 출원 번호 15/816,518에서 보여진 것과 유사하게) 개개의 유도성 커플링들 각각으로부터 부가되는 클록 전류에 대응된다. 그러므로, 클록 전류 ICLK는 개개의 평행 부분들(158 및 160)의 길이를 따른 클록 전류들 ICLK의 합을 나타내는 합산 전류이다. 특히, 클록 전류 ICLK는 대략적으로 진폭 IMIN으로부터 길이 "L/2"의 대략적으로 절반 길이(즉, 공진기 리브(154)의 전체 길이 "L"의 대략적으로 4분의 1)에 있는 최대 진폭 IPK로 진폭이 변화한다. 그러나, 클록 전류 ICLK는 평행 부분들(158 및 160) 각각의 길이 "L/2"에 걸쳐 변화하기 때문에, 그리고 이러한 변화는 평행 부분들(158 및 160)과 관련하여 반대 방향들로 증가하기 때문에, 클록 전류 ICLK는 진폭 IMIN 및 진폭 IPK 사이에서 작은 진폭 변화를 가질 수 있다. 특히, 클록 전류 ICLK는 (예를 들어, 특허 출원 번호 15/816,518에서 설명되는 바와 같이) 대략적으로 일정한 두께의 2개의 평행 부분들을 가지는 공진기 리브보다 더 적은 진폭 변화를 가질 수 있다. 그 결과, 길이를 따라서 공진기 리브(154)의 두께 변화는 공진기 리브(154)를 따라서 평행 부분들(158 및 160) 양쪽 모두로 유도성으로 커플링되는 회로들(예를 들어, 도 2의 예에서의 회로들(58))의 유도된 클록 전류들의 비-균일성을 경감시키는 방식을 제공할 수 있다.
도 5는 공진기 시스템(200) 및 클록 전류 ICLK의 그래프(202)의 또다른 예를 도시한다. 공진기 시스템(200)은 도 2의 예에서의 공진기 리브(54)의 일부 및 공진기 리브들(56) 중 하나에 대응될 수 있다. 특히, 도 5의 예에서, 공진기 시스템(200)은 공진기 스파인(206)으로 유도성으로 커플링되며 공진기 스파인(206)으로의 유도성 커플링 반대편에 그라운드된 단부를 포함하는 공진기 리브(204)를 포함한다. 공진기 리브(204)는 제 1 평행 부분(208) 및 제 2 평행 부분(210)을 포함하는 것으로 배치되도록 벤드들을 포함하게 도시된다. 제 1 평행 부분(208)은 공진기 스파인(206)으로 전도성으로 커플링되는 제 1 단부 및 제 2 평행 부분(210)의 제 1 단부로 커플링되는 제 2 단부를 가지며, 제 2 평행 부분(210)의 제 2 단부는 그라운드되는 제 2 단부를 가진다.
그래프(202)는 공진기 리브(204)의 길이 "L/2"의 함수로서 (예를 들어, 트랜스포머-커플링 라인(60)에서 제공되는) 유도된 클록 전류 ICLK의 진폭을 도시한다. 완전히 연장되는 경우에 그래프(202)의 길이 "L/2"는 공진기 리브(204)의 길이 "L"의 대략적으로 절반에 직접 대응되며, 그리하여 평행 부분들(208 및 210) 각각의 대략적인 길이에 대응된다. 그러므로, 그래프(202)에서 길이 "L/2"는 공진기 스파인(206)으로의 공진기 리브(204)의 전도성 커플링으로부터 공진기 리브(204)의 대략 길이 절반을 따라서, 대략적으로 벤드들에서, 그리고 다시 대략적으로 벤드들로부터 공진기 리브(204)의 길이를 따라서 그라운드된 단부로(즉, 우측에서 좌측으로) 연장된다.
도 5의 예에서, 평행 부분들(208 및 210) 각각은 평행 부분들(208 및 210)의 각각의 길이들을 따라서 가변하는 두께를 가진다. 특히, 평행 부분들(208 및 210) 각각은 평행 부분들(208 및 210) 각각의 제 1 단부에서의 최대 두께로부터 평행 부분들(208 및 210) 각각의 제 2 단부에서의 최소 두께로 테이퍼되는 두께를 가진다. 도 5의 예에서, 평행 부분들(208 및 210) 각각의 길이를 따라서 테이퍼되는 두께는 정현파적 또는 지수적과 같은 비-선형적으로 도시된다. 그러므로, 이전에 설명된 바와 유사하게, 테이퍼되는 두께는 공진기 리브(204) 및 공진기 리브(204)로 유도성으로 커플링되는 트랜스포머 커플링 라인(미도시) 사이의 유도성 커플링을 가변시킬 수 있다(예를 들어, 상호 인덕턴스의 강도를 가변시킬 수 있다). 추가적으로, 도 5의 예가 평행 부분들(208 및 210) 각각에 대한 비-선형적 가변 두께를 도시하더라도, 가변적인 두께의 추가적인 변화들이 가능하다는 것을 이해해야 할 것이다. 예를 들어, 평행 부분들(208 및 210) 중 하나가 선형적 가변 두께를 가질 수 있는 반면에, 평행 부분들(208 및 210)의 다른 하나는 비-선형적 가변 두께를 가질 수 있다. 또다른 예로서, 평행 부분들(208 및 210) 중 하나는 비-가변적 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 공진기 리브(204)는 다양한 상이한 방식들 중 임의의 방식으로 배치될 수 있다.
도 5의 예에서, 클록 전류 ICLK는 좌측으로부터 우측으로 길이 "L/2"를 따라서 도시된다. 클록 전류 ICLK는 평행 부분들(208 및 210) 양쪽 모두와의 단일 트랜스포머 커플링 라인의 유도성 커플링과 연관되는 총 클록 전류 ICLK에 대응될 수 있으며, 그 결과 클록 전류 ICLK는 (예를 들어, 특허 출원 번호 15/816,518에서 보여진 것과 유사하게) 개개의 유도성 커플링들 각각으로부터 부가되는 클록 전류에 대응된다. 그러므로, 클록 전류 ICLK는 개개의 평행 부분들(208 및 210)의 길이를 따른 클록 전류들 ICLK의 합을 나타내는 합산 전류이다. 특히, 클록 전류 ICLK는 길이 "L/2"를 따라서 대략적으로 일정한 진폭 IPK를 가지는 것으로 도 5의 예에서 도시된다. 일례로서, 클록 전류 ICLK는 평행 부분들(208 및 210) 각각의 길이 "L/2"에 걸쳐 변화하기 때문에, 그리고 평행 부분들(208 및 210)의 비-선형적으로 테이퍼되는 두께로 인하여, 이러한 변화는 "L/2"의 길이를 따라서 대략적으로 일정한 합산 클록 전류 ICLK를 야기할 수 있다. 그 결과, 길이를 따라서 공진기 리브(204)의 두께 변화는 공진기 리브(204)를 따라서 평행 부분들(208 및 210) 양쪽 모두로 유도성으로 커플링되는 회로들(예를 들어, 도 2의 예에서의 회로들(58))의 유도된 클록 전류들의 비-균일성을 경감시키는 방식을 제공할 수 있다.
도 6은 공진기 시스템(250) 및 클록 전류 ICLK의 그래프(252)의 또다른 예를 도시한다. 공진기 시스템(250)은 도 2의 예에서의 공진기 리브(54)의 일부 및 공진기 리브들(56) 중 하나에 대응될 수 있다. 특히, 도 6의 예에서, 공진기 시스템(250)은 공진기 스파인(256)으로 유도성으로 커플링되며 공진기 스파인(256)으로의 유도성 커플링 반대편에 그라운드된 단부를 포함하는 공진기 리브(254)를 포함한다. 공진기 리브(254)는 제 1 평행 부분(258) 및 제 2 평행 부분(260)을 포함하는 것으로 배치되도록 벤드들을 포함하게 도시된다. 제 1 평행 부분(258)은 공진기 스파인(256)으로 전도성으로 커플링되는 제 1 단부 및 제 2 평행 부분(260)의 제 1 단부로 커플링되는 제 2 단부를 가지며, 제 2 평행 부분(260)의 제 2 단부는 그라운드되는 제 2 단부를 가진다.
그래프(252)는 공진기 리브(254)의 길이 "L/2"의 함수로서 (예를 들어, 트랜스포머-커플링 라인(60)에서 제공되는) 유도된 클록 전류 ICLK의 진폭을 도시한다. 완전히 연장되는 경우에 그래프(252)의 길이 "L/2"는 공진기 리브(254)의 길이 "L"의 대략적으로 절반에 직접 대응되며, 그리하여 평행 부분들(258 및 260) 각각의 대략적인 길이에 대응된다. 그러므로, 그래프(252)에서 길이 "L/2"는 공진기 스파인(256)으로의 공진기 리브(254)의 전도성 커플링으로부터 공진기 리브(254)의 대략 길이 절반을 따라서, 대략적으로 벤드들에서, 그리고 다시 대략적으로 벤드들로부터 공진기 리브(254)의 길이를 따라서 그라운드된 단부로(즉, 우측에서 좌측으로) 연장된다.
도 6의 예에서, 평행 부분들(258 및 260) 각각은 평행 부분들(258 및 260)의 각각의 길이들을 따라서 가변하는 두께를 가진다. 특히, 평행 부분들(258 및 260) 각각은 최대 두께로부터 평행 부분들(258 및 260) 각각의 제 1 단부에서의 제 1 최소 두께로 그리고 평행 부분들(258 및 260) 각각의 제 2 단부에서의 제 2 최소 두께로 테이퍼되는 두께를 가진다. 일례로서, 개개의 평행 부분들(258 및 260) 각각의 제 1 및 제 2 단부들 각각의 제 1 및 제 2 최소 두께들은 대략적으로 동일할 수 있다. 다른 예로서, 평행 부분들(258 및 260) 각각의 최대 두께는 제 1 및 제 2 평행 부분들(258 및 260) 각각의 제 1 및 제 2 단부들 사이에서 대략적으로 길이 절반에 있을 수 있다. 도 6의 예에서, 테이퍼되는 두께는 대략적으로 중심에 있는 최대치로부터 각각의 단부에서의 최소치로 비-선형적으로(예를 들어, 정현파적으로 또는 지수적으로) 도시된다. 그러나, 또다른 예로서, 테이퍼되는 두께는 대략적으로 선형적일 수 있다. 그러므로, 이전에 설명된 바와 유사하게, 테이퍼되는 두께는 공진기 리브(254) 및 공진기 리브(254)에 유도성으로 커플링되는 트랜스포머 커플링 라인(미도시) 간의 유도성 커플링을 가변시킬 수 있다(예를 들어, 상호 인덕턴스의 강도를 가변시킬 수 있다).
도 6의 예에서, 클록 전류 ICLK는 좌측으로부터 우측으로 길이 "L/2"를 따라서 도시된다. 클록 전류 ICLK는 평행 부분들(258 및 260) 양쪽 모두와의 단일 트랜스포머 커플링 라인의 유도성 커플링과 연관되는 총 클록 전류 ICLK에 대응될 수 있으며, 그 결과 클록 전류 ICLK는 (예를 들어, 특허 출원 번호 15/816,518에서 보여진 것과 유사하게) 개개의 유도성 커플링들 각각으로부터 부가되는 클록 전류에 대응된다. 그러므로, 클록 전류 ICLK는 개개의 평행 부분들(258 및 260)의 길이를 따른 클록 전류들 ICLK의 합을 나타내는 합산 전류이다. 특히, 클록 전류 ICLK는 길이 "L/2"를 따라서 좌측에서의 진폭 IMIN으로부터 진폭 IPK로 증가하며, 그리하여 대략적으로 선형 방식으로 (예를 들어, 길이 "L/2"의 하나의 단부로부터 길이 "L/2"의 반대쪽 단부까지 증가하는 클록 전류 ICLK에 기반하여) 경사진 방식으로 증가하는 것으로 도 6의 예에서 도시된다(예를 들어, 길이 "L/2"를 따라서 구부러지지 않는다). 특히, 클록 전류 ICLK는 대략적으로 진폭 IMIN으로부터 대략적으로 길이 "L/2"(즉, 공진기 리브(254)의 전체 길이 "L"의 대략적으로 2분의 1)에 있는 최대 진폭 IPK로 진폭이 변화한다. 그러나, 클록 전류 ICLK는 평행 부분들(258 및 260) 각각의 길이 "L/2"에 걸쳐 변화하기 때문에, 그리고 이러한 변화는 평행 부분들(258 및 260)과 관련하여 반대 방향들로 증가하기 때문에, 클록 전류 ICLK는 진폭 IMIN 및 진폭 IPK 사이에서 진폭 변화를 가질 수 있다. 그러나, 클록 전류 ICLK는 (예를 들어, 특허 출원 번호 15/816,518에서 설명되는 바와 같이) 대략적으로 일정한 두께의 2개의 평행 부분들을 가지는 공진기 리브보다 더 적은 진폭 변화를 가질 수 있다. 그 결과, 길이를 따라서 공진기 리브(254)의 두께 변화는 공진기 리브(254)를 따라서 평행 부분들(258 및 260) 양쪽 모두로 유도성으로 커플링되는 회로들(예를 들어, 도 2의 예에서의 회로들(58))의 유도된 클록 전류들의 비-균일성을 경감시키는 방식을 제공할 수 있다.
도 7은 공진기 시스템(300) 및 클록 전류 ICLK의 그래프(302)의 또다른 예를 도시한다. 공진기 시스템(300)은 도 2의 예에서의 공진기 리브(54)의 일부 및 공진기 리브들(56) 중 하나에 대응될 수 있다. 특히, 도 7의 예에서, 공진기 시스템(300)은 제 1 공진기 스파인(306)으로 유도성으로 커플링되며 제 1 공진기 스파인(306)으로의 유도성 커플링 반대편에 그라운드된 단부를 포함하는 제 1 공진기 리브(304)를 포함하고, 제 2 공진기 스파인(310)으로 유도성으로 커플링되며 마찬가지로 제 2 공진기 스파인(310)으로의 유도성 커플링 반대편에 그라운드된 단부를 포함하는 제 2 공진기 리브(308)를 더 포함한다. 제 1 및 제 2 공진기 스파인들(306 및 310) 각각은 개개의 신호 소스들(312)로부터의 클록 신호 CLK를 전파하는 것으로 도시된다. 일례로서, 신호 소스들(312)은 동일한 신호 소스에 대응될 수 있거나, 또는 각각이 클록 신호 CLK를 제공하는 상이한 신호 소스들일 수 있다. 다른 예로서, 제 1 및 제 2 공진기 스파인들(306 및 310)은 클록 신호 CLK를 전파하는 동일한 공진기 스파인에 대응될 수 있다.
제 1 공진기 리브(304)는 공진기 스파인(306)에 전도성으로 커플링되는 제 1 평행 부분(314) 및 그라운드된 단부를 가지는 제 2 평행 부분(316)을 포함하는 것으로 배치되도록 벤드들을 포함하게 도시된다. 유사하게, 제 2 공진기 리브(308)는 공진기 스파인(310)에 전도성으로 커플링되는 제 1 평행 부분(318) 및 그라운드된 단부를 가지는 제 2 평행 부분(320)을 포함하는 것으로 배치되도록 벤드들을 포함하게 도시된다. 그러므로, 제 1 및 제 2 공진기 리브들(304 및 308)은 대략적으로 서로에 대하여 동일하게 배치된다. 그러나, 도 7의 예에서, 제 1 및 제 2 공진기 리브들(304 및 308)이 공진기 스파인들(306 및 310)의 개개의 스파인으로의 커플링으로부터 개개의 그라운드된 단부들로의 배향(orientation)과 관련하여 서로에 대하여 맞은편에 배치된다는 점에서, 제 1 및 제 2 공진기 리브들(304 및 308)은 서로에 대하여 역-평행(anti-parallel) 배치로서 배치되는 것으로 도시된다.
그래프(302)는 공진기 리브들(304 및 308) 각각의 길이 "L/2"의 함수로서 (예를 들어, 트랜스포머-커플링 라인(60)에서 제공되는) 유도된 클록 전류 ICLK의 진폭을 도시한다. 완전히 연장되는 경우에 그래프(302)의 길이 "L/2"는 공진기 리브들(304 및 308) 각각의 길이 "L"의 대략적으로 절반에 직접 대응되며, 그리하여 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 각각의 대략적인 길이에 대응된다.
도 7의 예에서, 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 각각은 평행 부분들(314, 316, 318 및 320)의 각각의 길이들을 따라서 가변하는 두께를 가진다. 특히, 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 각각은 최대 두께로부터 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 각각의 제 1 단부에서의 제 1 최소 두께로 그리고 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 각각의 제 2 단부에서의 제 2 최소 두께로 테이퍼되는 두께를 가진다. 일례로서, 개개의 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 각각의 제 1 및 제 2 단부들 각각의 제 1 및 제 2 최소 두께들은 대략적으로 동일할 수 있다. 다른 예로서, 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 각각의 최대 두께는 제 1 및 제 2 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 각각의 제 1 및 제 2 단부들 사이에서 대략적으로 길이 절반에 있을 수 있다. 도 7의 예에서, 테이퍼되는 두께는 대략적으로 중심에 있는 최대치로부터 각각의 단부에서의 최소치로 비-선형적으로(예를 들어, 정현파적으로 또는 지수적으로) 도시된다. 그러나, 또다른 예로서, 테이퍼되는 두께는 대략적으로 선형적일 수 있다. 그러므로, 이전에 설명된 바와 유사하게, 테이퍼되는 두께는 공진기 리브들(304 및 308) 및 공진기 리브들(304 및 308) 각각에 유도성으로 커플링되는 트랜스포머 커플링 라인(미도시) 간의 유도성 커플링을 가변시킬 수 있다(예를 들어, 상호 인덕턴스의 강도를 가변시킬 수 있다).
도 7의 예에서, 클록 전류 ICLK는 좌측으로부터 우측으로 길이 "L/2"를 따라서 도시된다. 클록 전류 ICLK는 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 모두와의 단일 트랜스포머 커플링 라인의 유도성 커플링과 연관되는 총 클록 전류 ICLK에 대응될 수 있으며, 그 결과 클록 전류 ICLK는 (예를 들어, 특허 출원 번호 15/816,518에서 보여진 것과 유사하게) 개개의 유도성 커플링들 각각으로부터 부가되는 클록 전류에 대응된다. 그러므로, 클록 전류 ICLK는 개개의 평행 부분들(314, 316, 318 및 320)의 길이를 따른 클록 전류들 ICLK의 합을 나타내는 합산 전류이다. 특히, 클록 전류 ICLK는 길이 "L/2"를 따라서 대략적으로 일정한 진폭 IPK를 가지는 것으로 도 7의 예에서 도시된다. 일례로서, 클록 전류 ICLK는 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 각각의 길이 "L/2"에 걸쳐 변화하기 때문에, 그리고 평행 부분들(314, 316, 318 및 320)의 비-선형적으로 테이퍼되는 두께로 인하여, 이러한 변화는 "L/2"의 길이를 따라서 대략적으로 일정한 합산 클록 전류 ICLK를 야기할 수 있다. 그 결과, 길이를 따라서 공진기 리브들(304 및 308)의 두께 변화는 개개의 공진기 리브들(304 및 308)를 따라서 평행 부분들(314, 316, 318 및 320)로 유도성으로 커플링되는 회로들(예를 들어, 도 2의 예에서의 회로들(58))의 유도된 클록 전류들의 비-균일성을 경감시키는 방식을 제공할 수 있다.
도 7의 예에서 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 모두가 가변적인 두께를 가지는 것으로 도시되고 가변적인 두께가 개개의 평행 부분들(314, 316, 318 및 320)의 길이의 대략 절반으로부터 개개의 단부들까지 비-선형적으로 테이퍼되는 두께이더라도, 다른 변화들이 가능하다는 것을 이해해야 할 것이다. 예를 들어, 테이퍼되는 두께는 선형적일 수 있으며, 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 중 하나의 제 1 단부에서의 최대 두께로부터 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 중 개개의 제 2 단부에서의 최소 두께로 이루어질 수 있다. 다른 예로서, 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 중 전부는 아닌 평행 부분들은 가변적인 두께를 가질 수 있다. 다른 예로서, 제 1 공진기 리브(304)의 평행 부분들(314 및 316) 중 하나 및 제 2 공진기 리브(308)의 평행 부분들(318 및 320) 중 하나는 개개의 길이를 따라서 비-가변적인 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 평행 부분들(314, 316, 318 및 320) 중 적어도 하나의 평행 부분의 가변적인 두께들의 다양한 변화들 중 임의의 변화가 가능하다.
도 8은 공진 시스템(350) 및 클록 전류 ICLK의 그래프(352)의 다른 예를 도시한다. 공진기 시스템(350)은 도 2의 예에서 공진기 스파인(54)의 일부 및 공진기 리브들(56) 중 하나와 대응될 수 있다. 특히, 도 8의 예에서, 공진기 시스템(350)은 제 1 단부에서 공진기 스파인(356)으로 유도성으로 커플링되고 제 1 단부 반대편의 제 2 단부에서 그라운드되는 공진기 리브(354)를 포함한다. 공진기 리브(354)는 제 1 단부 및 제 2 단부 사이에서 길이 "L"을 가지도록 도시되어 있다.
도 8의 예에서, 공진기 리브(354)는 제 1 단부에서의 공진기 스파인(356)으로부터 제 2 단부에서의 저-전압 레일까지 선형 익스텐션(예를 들어, 일직선)으로서 도시된다. 추가적으로, 공진기 리브(354)는 제 1 단부로부터 제 2 단부까지 스텝-와이즈 방식으로 증가하는 두께를 가지는 것으로 도시된다. 특히, 도 8의 예에서, 공진기 리브(354)는 각각이 대략적으로 일정한 두께를 가지지만 제 1 단부로부터 제 2 단부까지 점진적으로 더 큰 두께들을 가지는 4개의 이산 부분들을 포함한다. 공진기 리브(354)가 대략적으로 일정한 두께의 4개의 이산 부분들을 포함하는 것으로 도시되어 있어라도, 대신에 공진기 리브(354)는 스텝-와이즈 방식으로 두께를 가변시키기 위해 대략적으로 일정한 두께의 4개보다 많거나 또는 적은 이산 부분들을 포함할 수 있다는 것을 이해해야 할 것이다. 다른 예로서, 공진기 리브(354)는 대략적으로 일정한 두께의 이산 부분들로 한정되지 않으며, 대신에 대략적으로 선형적으로 테이퍼되는 두께의 이산 부분들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제조 프로세싱에 기인하여 이산 부분들 각각은 이산 부분들 각각과 관련하여 상이한 테이퍼된 두께(예를 들어, 선형적인 또는 비선형적인)를 가질 수 있다.
그래프(352)는 공진기 리브(354)의 길이 "L"의 함수로서 (예를 들어, 트랜스포머-커플링 라인(60)에서 제공되는 바와 같은) 유도된 클록 전류 ICLK의 진폭을 도시한다. 도 8의 예에서 도시된 바와 같이, 클록 전류 ICLK는 좌측으로부터 우측으로, 그리하여 제 1 단부(예를 들어, 공진기 스파인(356)으로의 공진기 리브(354)의 전도성 커플링)로부터 공진기 리브(354)의 길이를 따라서 그라운드되는 제 2 단부까지 길이 "L"을 따라서 증가한다. 특히, 클록 전류 ICLK는 좌측에서의 진폭 IMIN으로부터 그라운드되는 단부에서의 진폭 IPK로 증가한다. 도 8의 예에서, 전류 ICLK는 길이를 따라서 일정한 두께를 가지는 정상파 공진기 리브보다 공진기 리브(354)의 길이를 따라서 상당하게 덜 변화할 수 있도록, 진폭 IMIN은 진폭 IPK보다 단지 조금 더 작을 수 있다. 추가적으로, 공진기 리브(354)의 하나의 이산 부분으로부터 공진기 리브의 다음 이산 부분으로의 각각의 트랜지션(transition)에서, 클록 전류 ICLK는 스텝-와이즈 방식의 공진기 리브(354)의 두께 변화에 기인하는 인덕턴스 변화에 기반하여 조금 감소할 수 있다. 그러므로, 클록 전류 ICLK의 진폭은 공진기 리브(354)의 길이에 걸쳐 대략적으로 균일성을 유지할 수 있다. 그 결과, 길이를 따른 공진기 리브(354)의 두께의 변화는 공진기 리브(354)를 따라서 유도성으로-커플링되는 회로들(예를 들어, 도 2의 예에서의 회로들(58))의 유도된 클록 전류들의 비-균일성을 경감시키는 방식을 제공할 수 있다.
도 9는 공진 시스템(400) 및 클록 전류 ICLK의 그래프(402)의 또다른 예를 도시한다. 공진기 시스템(400)은 도 2의 예에서 공진기 스파인(54)의 일부 및 공진기 리브들(56) 중 하나와 대응될 수 있다. 특히, 도 9의 예에서, 공진기 시스템(400)은 공진기 스파인(406)으로 유도성으로 커플링되고 공진기 스파인(406)으로의 전도성 커플링 반대편의 그라운드되는 단부를 포함하는 공진기 리브(404)를 포함한다. 공진기 리브(404)는 제 1 평행 부분(408) 및 제 2 평행 부분(410)을 포함하는 것으로 배치되도록 벤드들을 포함하게 도시된다. 제 1 평행 부분(408)은 공진기 스파인(406)으로 전도성으로 커플링되는 제 1 단부 및 제 2 평행 부분(410)의 제 1 단부와 커플링되는 제 2 단부를 가지며, 제 2 평행 부분(410)의 제 2 단부는 그라운드되는 제 2 단부를 가진다.
그래프(402)는 공진기 리브(404)의 길이 "L/2"의 함수로서 (예를 들어, 트랜스포머-커플링 라인(60)에서 제공되는) 유도된 클록 전류 ICLK의 진폭을 도시한다. 완전히 연장되는 경우에 그래프(402)의 길이 "L/2"는 공진기 리브(404)의 길이 "L"의 대략적으로 절반에 직접 대응되며, 그리하여 평행 부분들(408 및 410) 각각의 대략적인 길이에 대응된다. 그러므로, 그래프(402)에서 길이 "L/2"는 공진기 스파인(406)으로의 공진기 리브(404)의 전도성 커플링으로부터 공진기 리브(404)의 대략 길이 절반을 따라서, 대략적으로 벤드들에서, 그리고 다시 대략적으로 벤드들로부터 공진기 리브(404)의 길이를 따라서 그라운드된 단부로(즉, 우측에서 좌측으로) 연장된다.
도 9의 예에서, 평행 부분들(408 및 410) 각각은 평행 부분들(408 및 410)의 각각의 길이들을 따라서 가변하는 두께를 가진다. 특히, 평행 부분들(408 및 410) 각각은 평행 부분들(408 및 410) 각각의 제 1 단부에서의 제 1 최소 두께로부터 그리고 평행 부분들(408 및 410) 각각의 제 2 단부에서의 제 2 최소 두께로부터 제 1 및 제 2 평행 부분들(408 및 410) 사이의 최대 두께로 스텝-와이즈 방식으로 증가하는 두께를 가진다. 도 9의 예에서, 평행 부분들(408 및 410) 각각은 대략적으로 일정한 두께의 5개의 이산 부분들을 포함한다. 도 9의 예에서 평행 부분들(408 및 410)의 양쪽 모두(예를 들어, 각각)가 개개의 평행 부분들(408 및 410)의 길이를 따라서 가변적인 두께를 가지더라도, 평행 부분들의 모두보다는 적은(예를 들어, 도 9의 예에서 오직 하나의) 평행 부분들이 가변적인 두께를 가질 수 있고 남아있는 평행 부분들이 다양한 다른 치수적 배치들(예를 들어, 길이를 따라서 고정된 두께)을 가질 수 있다는 것을 이해해야 할 것이다. 추가적으로, 이전에 설명된 바와 유사하게, 가변적인 두께의 다른 변화들이 구현될 수 있다. 예를 들어, 이산 스텝-와이즈 부분들은 각각 개개의 길이들을 따라서 가변적인 두께를 가질 수 있다. 다른 예로서, (도 7의 예에서 이전에 설명된 바와 유사하게) 추가적인 공진기 리브가 구현될 수 있으며, 추가적인 공진기 리브는 비-가변적인 두께를 포함하는 하나 이상의 평행 부분들을 가질 수 있거나 또는 비-스텝와이즈인 가변적인 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 여기에서 설명되는 바와 같이 다양한 가변 두께 공진기 리브 배치들이 가능하다.
일례로서, 개개의 평행 부분들(408 및 410) 각각의 제 1 및 제 2 단부들 각각의 제 1 및 제 2 최소 두께들은 대략적으로 동일할 수 있으며, 그 결과 제 1 및 제 2 단부들 각각에서의 이산 부분들은 대략적으로 동일한 두께를 가진다. 다른 예로서, 평행 부분들(408 및 410) 각각의 최대 두께는 제 1 및 제 2 평행 부분들(408 및 410) 각각의 제 1 및 제 2 단부들 사이의 길이의 대략 절반에 있을 수 있으며, 그 결과 가장 중심의 이산 부분은 대략적으로 일정한 최대 두께를 가진다. 또다른 예로서, 평행 부분들(408 및 410)은 각각의 길이를 따라서 반-정도 대칭적이도록 한정되지 않음을 이해해야 할 것이다. 그러므로, 이전에 설명된 바와 유사하게, 테이퍼되는 두께는 공진기 리브(404) 및 공진기 리브(404)로 유도성으로 커플링되는 트랜스포머 커플링 라인(미도시) 간의 유도성 커플링을 변화시킬 수 있다(예를 들어, 상호 인덕턴스의 강도를 변화시킬 수 있다).
도 9의 예에서, 클록 전류 ICLK는 좌측으로부터 우측으로 길이 "L/2"를 따라서 도시된다. 클록 전류 ICLK는 평행 부분들(408 및 410) 양쪽 모두와의 단일 트랜스포머 커플링 라인의 유도성 커플링과 연관되는 총 클록 전류 ICLK에 대응될 수 있으며, 그 결과 클록 전류 ICLK는 (예를 들어, 특허 출원 번호 15/816,518에서 보여진 것과 유사하게) 개개의 유도성 커플링들 각각으로부터 부가되는 클록 전류에 대응된다. 그러므로, 클록 전류 ICLK는 개개의 평행 부분들(408 및 410)의 길이를 따른 클록 전류들 ICLK의 합을 나타내는 합산 전류이다. 특히, 클록 전류 ICLK는 대략적으로 진폭 IMIN으로부터 길이 "L/2"의 대략적으로 절반 길이(즉, 공진기 리브(404)의 전체 길이 "L"의 대략적으로 4분의 1)에 있는 최대 진폭 IPK로 진폭이 변화한다. 특히, 클록 전류 ICLK는 길이 "L/2"를 따라서 좌측에서의 진폭 IMIN으로부터 진폭 IPK로 증가하며, 그리하여 (예를 들어, 길이 "L/2"의 하나의 단부로부터 길이 "L/2"의 반대편 단부로 증가하는 클록 전류 ICLK에 기반하여) 경사진 방식으로 증가하는 것으로 도 9의 예에서 도시되고 구부러진다(예를 들어, 길이 "L/2"을 따라서 공진기 리브(404)의 대칭적인 부분들과 관련하여 가변적인 슬로프(slope)를 가진다).
그러나, 클록 전류 ICLK는 평행 부분들(408 및 410) 각각의 길이 "L/2"에 걸쳐 변화하기 때문에, 그리고 이러한 변화는 평행 부분들(408 및 410)과 관련하여 반대 방향들로 증가하기 때문에, 클록 전류 ICLK는 진폭 IMIN 및 진폭 IPK 사이에서 작은 진폭 변화를 가질 수 있다. 특히, 클록 전류 ICLK는 (예를 들어, 특허 출원 번호 15/816,518에서 설명되는 바와 같이) 대략적으로 일정한 두께의 2개의 평행 부분들을 가지는 공진기 리브보다 더 적은 진폭 변화를 가질 수 있다. 추가적으로, 제 1 및 제 2 단부들 중 하나로부터 개개의 평행 부분들(408 및 410)의 대략적으로 중간 부분까지 개개의 평행 부분들(408 및 410)의 하나의 이산 부분으로부터 개개의 평행 부분들(408 및 410)의 다음 이산 부분으로의 각각의 트랜지션에서, 클록 전류 ICLK는 스텝-와이즈 방식의 공진기 리브(404)의 두께 변화에 기인하는 인덕턴스 변화에 기반하여 조금 감소할 수 있다. 그러므로, 클록 전류 ICLK의 진폭은 개개의 평행 부분들(408 및 410)의 길이에 걸쳐 대략적으로 균일성을 유지할 수 있다. 그 결과, 길이를 따른 공진기 리브(404)의 두께의 변화는 공진기 리브(404)를 따라서 평행 부분들(408 및 410) 양쪽 모두로 유도성으로 커플링되는 회로들(예를 들어, 도 2의 예에서의 회로들(58))의 유도된 클록 전류들의 비-균일성을 경감시키는 방식을 제공할 수 있다.
위에서 설명된 내용들은 본 발명의 예시들이다. 물론, 본 발명을 설명하기 위한 목적으로 컴포넌트들 또는 방법들의 모든 착안가능한 조합을 설명하는 것은 가능하지 않지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 많은 추가적인 조합들 및 치환들이 가능하다는 것을 이해할 것이다. 이에 따라, 본 발명은 첨부된 청구항들을 포함하여 본 출원의 범위 내에 있는 모든 이러한 변형들, 수정들 및 변경들을 포함하도록 의도된다. 추가적으로, 본 개시 내용 또는 청구항들이 "하나(a)", "하나(an)", "제 1(a first)" 또는 "다른(another)" 엘리먼트 또는 이의 동등물(equivalent)을 인용할 때, 둘 이상의 이러한 엘리먼트들을 요구하지 않고 배제하지도 않게, 하나 또는 하나보다 많은 이러한 엘리먼트를 포함하도록 해석되어야 한다. 여기에서 사용되는 바와 같이, 용어 "포함하다(include)"는 포함하지만 이에 한정되지 않는다는 의미이며, 용어 "포함하는(including)"은 포함하지만 이에 한정되지 않는다는 의미이다. 용어 "기반하는(based on)"은 적어도 부분적으로 기반한다는 의미이다.
Claims (20)
- 클록 분배 시스템으로서,
클록 신호를 전파하는 적어도 하나의 공진기 스파인(spine);
상기 적어도 하나의 공진기 스파인에 전도성으로 커플링되고 정상파(standing wave) 공진기로서 배치되는 적어도 하나의 공진기 리브(rib); 및
적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인을 포함하고
상기 적어도 하나의 공진기 리브 중 적어도 하나는 상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브의 길이를 따라서 가변하는 두께를 가지며,
상기 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인의 각각의 라인은 연관된 회로로 전도성으로 커플링되고, 상기 연관된 회로에 대한 함수들을 제공하기 위해 상기 클록 신호에 대응하는 클록 전류를 유도성으로 생성하도록 상기 적어도 하나의 공진기 리브로 유도성으로 커플링되는,
클록 분배 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브는 상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브의 복수의 평행 부분(parallel portion)들을 제공하기 위해 적어도 하나의 벤드(bend)를 포함하고, 상기 복수의 평행 부분들의 각각의 평행 부분은 제 1 단부 및 제 2 단부를 포함하고, 상기 복수의 평행 부분들의 각각의 평행 부분의 제 2 단부는 각각의 적어도 하나의 벤드 중 하나를 통하여 상기 복수의 평행 부분들의 다음 평행 부분의 제 1 단부와 전도성으로 커플링되고, 각각의 적어도 하나의 공진기 리브의 복수의 평행 부분들의 적어도 하나의 평행 부분의 두께는 상기 평행 부분들의 각각의 평행 부분의 길이를 따라서 가변하는,
클록 분배 시스템. - 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 벤드는 2개보다 많은 평행 부분들로서 상기 복수의 평행 부분들을 제공하도록 배치되는 복수인 벤드들인,
클록 분배 시스템. - 제 2 항에 있어서,
각각의 적어도 하나의 공진기 리브의 복수의 평행 부분들의 적어도 하나의 평행 부분의 두께는 상기 제 1 단부에서의 제 1 최소 두께로부터 그리고 상기 제 2 단부에서의 제 2 최소 두께로부터 상기 제 1 단부 및 상기 제 2 단부 사이의 최대 두께로 증가하는,
클록 분배 시스템. - 제 4 항에 있어서,
상기 최대 두께는 상기 복수의 평행 부분들의 각각의 평행 부분의 상기 제 1 단부 및 상기 제 2 단부 사이의 길이의 대략 절반에 위치되는,
클록 분배 시스템. - 제 4 항에 있어서,
각각의 적어도 하나의 공진기 리브의 복수의 평행 부분들의 적어도 하나의 평행 부분의 두께는 상기 제 1 최소 두께 및 상기 제 2 최소 두께 각각으로부터 상기 최대 두께로 스텝-와이즈(step-wise) 방식으로 증가하는,
클록 분배 시스템. - 제 4 항에 있어서,
각각의 적어도 하나의 공진기 리브의 복수의 평행 부분들의 적어도 하나의 평행 부분의 두께는 상기 최대 두께로부터 상기 제 1 최소 두께 및 상기 제 2 최소 두께 각각으로 테이퍼되는(tapered),
클록 분배 시스템. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 최소 두께들은 대략적으로 동일한,
클록 분배 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브는 상기 적어도 하나의 공진기 스파인에 근위적인(proximal) 제 1 단부 및 저-전압 레일(rail)에 커플링되는 제 2 단부 사이의 선형 익스텐션(linear extension)으로서 구성되는,
클록 분배 시스템. - 제 9 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 공진기 리브의 두께는 상기 제 2 단부로부터 상기 제 1 단부로 테이퍼되는,
클록 분배 시스템. - 제 9 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 공진기 리브의 두께는 상기 제 1 단부로부터 상기 제 2 단부로 스텝-와이즈 방식으로 증가하는,
클록 분배 시스템. - 클록 분배 시스템으로서,
클록 신호를 전파하는 적어도 하나의 공진기 스파인;
상기 적어도 하나의 공진기 스파인에 전도성으로 커플링되고 정상파 공진기로서 배치되는 적어도 하나의 공진기 리브; 및
적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인을 포함하고
상기 적어도 하나의 공진기 리브 중 적어도 하나는 상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브의 길이를 따라서 테이퍼되는 방식으로 가변하는 두께를 가지며,
상기 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인의 각각의 라인은 연관된 회로로 전도성으로 커플링되고, 상기 연관된 회로에 대한 함수들을 제공하기 위해 상기 클록 신호에 대응하는 클록 전류를 유도성으로 생성하도록 상기 적어도 하나의 공진기 리브로 유도성으로 커플링되는,
클록 분배 시스템. - 제 12 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브는 상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브의 복수의 평행 부분들을 제공하기 위해 적어도 하나의 벤드를 포함하고, 상기 복수의 평행 부분들의 각각의 평행 부분은 제 1 단부 및 제 2 단부를 포함하고, 상기 복수의 평행 부분들의 각각의 평행 부분의 제 2 단부는 각각의 적어도 하나의 벤드 중 하나를 통하여 상기 복수의 평행 부분들의 다음 평행 부분의 제 1 단부와 전도성으로 커플링되고, 각각의 적어도 하나의 공진기 리브의 복수의 평행 부분들의 적어도 하나의 평행 부분의 두께는 상기 평행 부분들의 각각의 평행 부분의 길이를 따라서 테이퍼되는 방식으로 가변하는,
클록 분배 시스템. - 제 13 항에 있어서,
각각의 적어도 하나의 공진기 리브의 복수의 평행 부분들의 적어도 하나의 평행 부분의 두께는 상기 제 1 단부 및 상기 제 2 단부 사이의 최대 두께로부터 상기 제 1 단부에서의 제 1 최소 두께 및 상기 제 2 단부에서의 제 2 최소 두께 각각으로 테이퍼되는 방식으로 감소하는,
클록 분배 시스템. - 제 14 항에 있어서,
상기 최대 두께는 상기 복수의 평행 부분들의 각각의 평행 부분의 상기 제 1 단부 및 상기 제 2 단부 사이의 길이의 대략 절반에 위치되는,
클록 분배 시스템. - 제 12 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브는 상기 적어도 하나의 공진기 스파인에 근위적인 제 1 단부 및 저-전압 레일에 커플링되는 제 2 단부 사이의 선형 익스텐션으로서 구성되며, 상기 적어도 하나의 공진기 리브 중 적어도 하나는 상기 제 1 단부로부터 상기 제 2 단부로 스텝-와이즈 방식으로 증가하는 두께를 가지는,
클록 분배 시스템. - 클록 분배 시스템으로서,
클록 신호를 전파하는 적어도 하나의 공진기 스파인;
상기 적어도 하나의 공진기 스파인에 전도성으로 커플링되고 정상파 공진기로서 배치되는 적어도 하나의 공진기 리브; 및
적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인을 포함하고
상기 적어도 하나의 공진기 리브 중 적어도 하나는 상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브의 길이를 따라서 스텝-와이즈 방식으로 가변하는 두께를 가지며,
상기 적어도 하나의 트랜스포머-커플링 라인의 각각의 라인은 연관된 회로로 전도성으로 커플링되고, 상기 연관된 회로에 대한 함수들을 제공하기 위해 상기 클록 신호에 대응하는 클록 전류를 유도성으로 생성하도록 상기 적어도 하나의 공진기 리브로 유도성으로 커플링되는,
클록 분배 시스템. - 제 17 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브는 상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브의 복수의 평행 부분들을 제공하기 위해 적어도 하나의 벤드를 포함하고, 상기 복수의 평행 부분들의 각각의 평행 부분은 제 1 단부 및 제 2 단부를 포함하고, 상기 복수의 평행 부분들의 각각의 평행 부분의 제 2 단부는 각각의 적어도 하나의 벤드 중 하나를 통하여 상기 복수의 평행 부분들의 다음 평행 부분의 제 1 단부와 전도성으로 커플링되고, 각각의 적어도 하나의 공진기 리브의 복수의 평행 부분들의 적어도 하나의 평행 부분의 두께는 상기 평행 부분들의 각각의 평행 부분의 길이를 따라서 스텝-와이즈 방식으로 가변하는,
클록 분배 시스템. - 제 18 항에 있어서,
각각의 적어도 하나의 공진기 리브의 복수의 평행 부분들의 적어도 하나의 평행 부분의 두께는 상기 제 1 단부에서의 제 1 최소 두께로부터 그리고 상기 제 2 단부에서의 제 2 최소 두께로부터 상기 제 1 단부 및 상기 제 2 단부 사이의 최대 두께로 스텝-와이즈 방식으로 증가하는,
클록 분배 시스템. - 제 17 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 공진기 리브의 각각의 리브는 상기 적어도 하나의 공진기 스파인에 근위적인 제 1 단부 및 저-전압 레일에 커플링되는 제 2 단부 사이의 선형 익스텐션으로서 구성되며, 상기 적어도 하나의 공진기 리브 중 적어도 하나는 상기 제 1 단부로부터 상기 제 2 단부로 스텝-와이즈 방식으로 증가하는 두께를 가지는,
클록 분배 시스템.
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