KR20200105447A - 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 화학식 1의 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 {COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 2019년 2월 28일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2019-0024135 호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
미국 특허 출원 공개 제2004-0251816호
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
L은 직접결합, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
a 및 b는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CR이고,
R은 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
R1 내지 R6 및 R11 내지 R14는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 니트릴기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
R7 내지 R10 중 적어도 하나는 하기 화학식 A이고, 나머지는 수소이며,
[화학식 A]
Figure pat00002
상기 화학식 A에 있어서,
Figure pat00003
는 R7 내지 R10과의 결합을 의미하고,
R15는 수소, 니트릴기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 기끼리 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
r15은 0 내지 8의 정수이고, r15이 2 이상일 때, R15는 서로 같거나 상이하다.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 또는 2층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있고, 이를 사용함으로써 유기 발광 소자에서 높은 색 순도 및/또는 수명 특성의 향상이 가능하다.
도 1 및 도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 유기 발광 소자를 도시한 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
상기 화학식 1의 화합물은 R이 아릴기 또는 헤테로아릴기이고, R7 내지 R10 중 적어도 하나는 화학식 A구조를 치환기로 가지고, R1 내지 R6 및 R11 내지 R14가 추가의 고리를 형성하지 않는 것이 특징이다.
본 명세서에 있어서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치, 즉 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 아릴기로 치환된 아릴기, 헤테로아릴기로 치환된 아릴기, 아릴기로 치환된 헤테로고리기, 알킬기로 치환된 아릴기 등일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 더 구체적으로는 탄소수 1 내지 10인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기; 에틸기; 프로필기; n-프로필기; 이소프로필기; 부틸기; n-부틸기; 이소부틸기; tert-부틸기; sec-부틸기; 1-메틸부틸기; 1-에틸부틸기; 펜틸기; n-펜틸기; 이소펜틸기; 네오펜틸기; tert-펜틸기; 헥실기; n-헥실기; 1-메틸펜틸기; 2-메틸펜틸기; 4-메틸-2-펜틸기; 3,3-디메틸부틸기; 2-에틸부틸기; 헵틸기; n-헵틸기; 1-메틸헥실기; 시클로펜틸메틸기; 시클로헥실메틸기; 옥틸기; n-옥틸기; tert-옥틸기; 1-메틸헵틸기; 2-에틸헥실기; 2-프로필펜틸기; n-노닐기; 2,2-디메틸헵틸기; 1-에틸프로필기; 1,1-디메틸프로필기; 이소헥실기; 2-메틸펜틸기; 4-메틸헥실기; 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 탄소수 3 내지 20인 것이 더 바람직하다. 구체적으로 시클로프로필기; 시클로부틸기; 시클로펜틸기; 3-메틸시클로펜틸기; 2,3-디메틸시클로펜틸기; 시클로헥실기; 3-메틸시클로헥실기; 4-메틸시클로헥실기; 2,3-디메틸시클로헥실기; 3,4,5-트리메틸시클로헥실기; 4-tert-부틸시클로헥실기; 시클로헵틸기; 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 더 구체적으로 탄소수 1 내지 10인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시기; 에톡시기; n-프로폭시기; 이소프로폭시기; i-프로필옥시기; n-부톡시기; 이소부톡시기; tert-부톡시기; sec-부톡시기; n-펜틸옥시기; 네오펜틸옥시기; 이소펜틸옥시기; n-헥실옥시기; 3,3-디메틸부틸옥시기; 2-에틸부틸옥시기; n-옥틸옥시기; n-노닐옥시기; n-데실옥시기; 벤질옥시기; p-메틸벤질옥시기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기; 디메틸아민기; 에틸아민기; 디에틸아민기; 페닐아민기; 나프틸아민기; 바이페닐아민기; 안트라세닐아민기; 9-메틸안트라세닐아민기; 디페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; 디톨릴아민기; N-페닐톨릴아민기; 트리페닐아민기; N-페닐바이페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기; N-페닐페난트레닐아민기; N-바이페닐페난트레닐아민기; N-페닐플루오레닐아민기; N-페닐터페닐아민기; N-페난트레닐플루오레닐아민기; N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 ―SiRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기; 트리에틸실릴기; t-부틸디메틸실릴기; 비닐디메틸실릴기; 프로필디메틸실릴기; 트리페닐실릴기; 디페닐실릴기; 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하며, 탄소수 6 내지 20인 것이 더 바람직하다. 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하다. 더 구체적으로는 탄소수 6 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 30인 것이 바람직하고 더 구체적으로 탄소수 10 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기; 안트라세닐기; 페난트릴기; 트리페닐기; 파이레닐기; 페날레닐기; 페릴레닐기; 크라이세닐기; 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 탄소가 아닌 원자, 즉 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하며, 탄소수 2 내지 20인 것이 더 바람직하고, 상기 헤테로아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기; 퓨라닐기; 피롤기; 이미다졸릴기; 티아졸릴기; 옥사졸릴기; 옥사디아졸릴기; 피리딜기; 바이피리딜기; 피리미딜기; 트리아지닐기; 트리아졸릴기; 아크리딜기; 피리다지닐기; 피라지닐기; 퀴놀리닐기; 퀴나졸리닐기; 퀴녹살리닐기; 프탈라지닐기; 피리도 피리미딜기; 피리도 피라지닐기; 피라지노 피라지닐기; 이소퀴놀리닐기; 인돌릴기; 카바졸릴기; 벤즈옥사졸릴기; 벤즈이미다졸릴기; 벤조티아졸릴기; 벤조카바졸릴기; 벤조티오펜기; 디벤조티오펜기; 벤조퓨라닐기; 페난쓰롤리닐기(phenanthroline); 이소옥사졸릴기; 티아디아졸릴기; 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 2가인 것은 제외하고, 상기 아릴기의 정의와 동일하다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 2가인 것을 제외하고, 상기 헤테로아릴기의 정의와 동일한다.
본 명세서에 있어서, 인접한 치환기와 서로 결합하여 고리를 형성할 때의 고리는 탄화수소고리, 방향족 고리, 또는 헤테로고리일 수 있다. 이 때 탄화수소고리는 1가기가 아닌 것을 제외하고 상기 시클로알킬기의 정의와 같고, 방향족 고리를 1가기가 아닌 것을 제외하고, 상기 아릴기의 정의와 같으며, 헤테로고리는 1가기가 아닌 것을 제외하고, 상기 헤테로아릴기의 정의와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R6 및 R11 내지 R14는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R15는 수소, 니트릴기, 할로겐기, 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기이거나, 인접한 기끼리 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R15는 수소, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 또는 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이거나, 인접한 기끼리 결합하여 치환 또는 비치환된 방향족 고리, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R15는 수소이거나, 인접한 기끼리 결합하여 방향족 고리, 또는 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R15는 수소이거나, 인접한 기끼리 결합하여 방향족 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R15는 수소이거나, 인접한 기끼리 결합하여 벤젠 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R7 내지 R10 중 하나는 화학식 A이고, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R7 내지 R10 중 R7은 상기 화학식 A이고, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R7 내지 R10 중 R8은 상기 화학식 A이고, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R7 내지 R10 중 R9는 상기 화학식 A이고, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R7 내지 R10 중 R10은 상기 화학식 A이고, 나머지는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a 및 b는 N이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a 및 b는 CR이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a는 N이고, b는 CR이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a는 CR이고, b는 N이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 또는 터부틸기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라센기, 페난트렌기, 터페닐기 및 트리페닐기 중 선택되는 어느 하나이상으로 치환 또는 비치환되는 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 페난트렌기, 플루오렌기, 트리페닐렌기, 파이렌기이고,
상기 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 페난트렌기, 플루오렌기, 트리페닐렌기, 파이렌기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 터부틸기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라센기, 페난트렌기, 터페닐기 및 트리페닐기 중 선택되는 어느 하나 이상으로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 페닐기, 비페닐기, 터페닐기,나프틸기, 페난트렌기, 또는 플루오렌기이고,
상기 페닐기, 비페닐기, 터페닐기,나프틸기, 페난트렌기, 또는 플루오렌기는 페닐기, 나프틸기, 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 페닐기; 나프틸기로 치환된 페닐기; 나프틸기; 페닐기로 치환된 나프틸기; 비페닐기; 터페닐기; 페난트렌기; 또는 메틸기로 치환된 플루오렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 N, O 및 S 중 어느 하나 이상을 포함하는 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 N, O 및 S 중 어느 하나 이상을 포함하는 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 또는 카바졸기이고,
상기 피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 또는 카바졸기는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 또는 카바졸기이고,
상기 피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 또는 카바졸기는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 페난트렌기, 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 페닐기; 나프틸기로 치환된 페닐기; 나프틸기; 페닐기로 치환된 나프틸기; 비페닐기; 터페닐기; 페난트렌기; 메틸기로 치환된 플루오렌기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합, 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합, 페닐렌기, 2가의 비페닐기, 또는 2가의 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
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Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 발명의 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 또는 2층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 전술한 화합물을 포함할 수 있다.
예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(1) 위에 제1 전극(2), 발광층(3), 및 제2 전극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다.
상기 도 1은 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되지 않는다.
도 2에는 기판(1) 위에 제1 전극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 정공수송보조층(7), 전자저지층(8), 발광층(3), 정공저지층(9), 전자주입 및 수송층(10) 및 제2 전극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 본 발명의 화합물은 바람직하게는 발광층(3)에 포함될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 도 1 및 도 2에서 사용된 적층구조 외에 추가의 층을 더 포함할 수도 있고, 일부 층을 제외하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서 제1 전극은 양극이고, 제2 전극은 음극이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서 제1 전극은 음극이고, 제2 전극은 양극이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 99:1 내지 70:30의 질량비로 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 호스트로 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 적색 호스트로 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 도펀트를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 도펀트 물질로 금속착체화합물을 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 도펀트 물질로 이리듐계 착체화합물을 포함한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 도펀트 물질로 하기 구조식 중 선택되는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층, 전자수송층, 또는 전자 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 전자주입층, 전자수송층, 또는 전자 주입 및 수송층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자저지층, 또는 정공저지층을 포함하고, 상기 전자저지층, 또는 정공저지층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층을 포함하는 유기물층 및 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공수송물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화합물을 이용하여 형성되는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
본 명세서는 또한, 상기 화합물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
도펀트 재료로는 방향족 화합물, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자 수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3을 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자 주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공저지층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
본 발명의 화합물들의 제조 및 이를 이용한 유기발광소자의 제조는 후술하도록 한다. 이는 통상의 기술자의 이해를 돕기 위한 것이며, 이에 한정하는 것이 아니다. 출발물질 및 치환기, 치환위치의 종류를 달리하여, 본 발명에 기재되어 있는 모든 화합물을 제조할 수 있다.
합성예 및 실시예
본 발명의 화합물은 대표적인 반응으로 Buchwald-Hartwig coupling reaction, Heck coupling reaction, Suzuki coupling reaction 등을 이용하여 제조되었다.
제조예 1.
Figure pat00019
1) 화학식 a-1의 제조
질소 분위기에서 나프탈렌-1-일보론산 (100g, 581.2mmol)와 1-브로모-4-클로로-2-니트로벤젠 (150.2g, 639.3mmol)를 THF 2000ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(321.3g, 2324.6mmol)를 물 964ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (3g, 5.8mmol)을 투입하였다. 2시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여과액 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화학식 a-1를 111.9g 제조하였다. (수율 68%, MS: [M+H]+= 284)
2) 화학식 a의 제조
화학식 a-1 111.9 g (1.0 eq) 을 P(OEt)3 500mL에 넣고 환류하여 교반했다. 3시간 후 반응물을 물에 부어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 여과한 고체를 클로로포름에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 생성물이 녹아있는 용액을 감압 농축하여 결정을 떨어트려 식힌 후 여과했다. 이를 컬럼크로마토그래피로 정제하여 화학식 a을 50.6 g (수율 51 %) 얻었다. [M+H]+=252
제조예 2.
Figure pat00020
제조예 1에서 사용한 1-브로모-4-클로로-2-니트로벤젠 대신 2-브로모-4-클로로-1-니트로벤젠을 사용해서 화학식 b-1을 합성하고 화학식 b를 이어서 합성했다.
합성예 1
Figure pat00021
a [중간체 1] [화합물 1]
중간체 1 합성
질소 분위기에서 화학식a (20 g, 79.7mmol), 2-클로로-3-페닐퀴녹살린 (19.1g, 79.7 mmol), 트리포타슘 포스페이트 (15.3 g, 159.3 mmol) 을 톨루엔400 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.8 g, 1.6 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 중간체 1을 21.8g 얻었다. (수율 60%, MS: [M+H]+= 456)
화합물 1 합성
질소 분위기에서 중간체 1 (20 g, 43.9mmol), 9H-카바졸 (7.3g, 43.9 mmol), 소듐 터부톡사이드 (8.4 g, 87.9 mmol) 을 자일렌400 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.4 g, 0.9 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 1을 15.2g 얻었다. (수율 59%, MS: [M+H]+= 587)
하기 합성예 2 내지 18에 있어서, 중간체 2 내지 18은 상기 중간체 1의 합성에서 출발물질 및 치환기를 달리하는 것으로 제조하였다.
합성예 2
Figure pat00022
[중간체 2] [화합물 2]
질소 분위기에서 중간체 2 (10 g, 19.8mmol), 9H-카바졸 (3.5g, 20.8 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.8 g, 39.6 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물2를 8.2g 얻었다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 637)
합성예 3
Figure pat00023
[중간체 3] [화합물 3]
질소 분위기에서 중간체 3 (10 g, 18.3mmol), 5H-벤조[b]카바졸 (4.2g, 19.3 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.5 g, 36.7 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물3을 7.3g 얻었다. (수율 55%, MS: [M+H]+= 727)
합성예 4
Figure pat00024
[중간체 4] [화합물 4]
질소 분위기에서 중간체4 (10 g, 17.8mmol), 11H-벤조[a]카바졸 (4.1g, 18.7 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.4 g, 35.6 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물4를 8.9g 얻었다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 743)
합성예 5
Figure pat00025
[중간체 5] [화합물 5]
질소 분위기에서 중간체5 (10 g, 18.3mmol), 11H-벤조[a]카바졸 (4.2g, 19.3 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.5 g, 36.7 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물5를 9.3g 얻었다. (수율 70%, MS: [M+H]+= 727)
합성예 6
Figure pat00026
[중간체 6] [화합물 6]
질소 분위기에서 중간체6 (10 g, 16.1mmol), 5H-벤조[b]카바졸 (3.7g, 16.9 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.1 g, 32.2 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물6을 8.1g 얻었다. (수율 63%, MS: [M+H]+= 802)
합성예 7
Figure pat00027
[중간체 7] [화합물 7]
질소 분위기에서 중간체7 (10 g, 17.5mmol), 7H-벤조[c]카바졸 (4g, 18.4 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.4 g, 35 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물7을 7.6g 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 753)
합성예 8
Figure pat00028
[중간체 8] [화합물 8]
질소 분위기에서 중간체8 (10 g, 18.8mmol), 9H-카바졸 (3.3g, 19.8 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.6 g, 37.7 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물8을 6.5g 얻었다. (수율 52%, MS: [M+H]+= 663)
합성예 9
Figure pat00029
[중간체 9] [화합물 9]
질소 분위기에서 중간체9 (10 g, 16.5mmol), 9H-카바졸 (2.9g, 17.3 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.2 g, 32.9 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물9를 6.9g 얻었다. (수율 57%, MS: [M+H]+= 739)
합성예 10
Figure pat00030
[중간체 10] [화합물 10]
질소 분위기에서 중간체 10 (10 g, 18mmol), 11H-벤조[a]카바졸 (4.1g, 18.9 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.5 g, 36 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 10을 8.2g 얻었다. (수율 62%, MS: [M+H]+= 737)
합성예 11
Figure pat00031
[중간체 11] [화합물 11]
질소 분위기에서 중간체 11 (10 g, 17.2mmol), 5H-벤조[b]카바졸 (3.9g, 18.1 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.3 g, 34.4 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 11을 8.3g 얻었다. (수율 63%, MS: [M+H]+= 763)
합성예 12
Figure pat00032
[중간체 12] [화합물 12]
질소 분위기에서 중간체 12 (10 g, 17.2mmol), 7H-벤조[c]카바졸 (3.9g, 18.1 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.3 g, 34.4 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 12를 8g 얻었다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 763)
합성예 13
Figure pat00033
[중간체 13] [화합물 13]
질소 분위기에서 중간체 13 (10 g, 18.8mmol), 9H-카바졸 (3.3g, 19.8 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.6 g, 37.7 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 13을 7.9g 얻었다. (수율 63%, MS: [M+H]+= 663)
합성예 14
Figure pat00034
[중간체 14] [화합물 14]
질소 분위기에서 중간체 14 (10 g, 17.8mmol), 9H-카바졸 (3.1g, 18.7 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.4 g, 35.6 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 14를 7.3g 얻었다. (수율 59%, MS: [M+H]+= 693)
합성예 15
Figure pat00035
[중간체 15] [화합물 15]
질소 분위기에서 중간체 15 (10 g, 16.1mmol), 9H-카바졸 (2.8g, 16.9 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.1 g, 32.2 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 15를 7.1g 얻었다. (수율 59%, MS: [M+H]+= 752)
합성예 16
Figure pat00036
[중간체 16] [화합물 16]
질소 분위기에서 중간체 16 (10 g, 18mmol), 7H-벤조[c]카바졸 (4.1g, 18.9 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.5 g, 36 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 16을 8.9g 얻었다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 737)
합성예 17
Figure pat00037
[중간체 17] [화합물 17]
질소 분위기에서 중간체 17 (10 g, 17.8mmol), 5H-벤조[b]카바졸 (4.1g, 18.7 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.4 g, 35.6 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 17을 7g 얻었다. (수율 53%, MS: [M+H]+= 743)
합성예 18
Figure pat00038
[중간체 18] [화합물 18]
질소 분위기에서 중간체 18 (10 g, 16.5mmol), 11H-벤조[a]카바졸 (3.8g, 17.3 mmol), 소듐 터부톡사이드 (3.2 g, 32.9 mmol) 을 자일렌 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 비스(트리-터-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여과액 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 18을 7.5g 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 789)
비교예 1
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 정공주입층으로 하기 HI-1 화합물을 1150Å의 두께로 형성하되 하기 A-1 화합물을 1.5% 농도로 p-doping 하였다. 상기 정공주입층 위에 하기 HT-1 화합물을 진공 증착하여 막 두께 1000Å 의 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 500Å으로 하기 HT-2 화합물을 진공 증착하여 정공 수송 보조층을 형성하였다. 정공 수송 보조층 위에 막 두께 150Å으로 하기 EB-1 화합물을 진공 증착하여 전자 차단층을 형성하였다. 이어서, 상기 EB-1 증착막 위에 하기 RH-1 화합물과 하기 Dp-8 화합물을 98:2의 중량비로 진공 증착하여 400Å 두께의 적색 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 막 두께 30Å으로 하기 HB-1 화합물을 진공 증착하여 정공저지층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공저지층 위에 하기 ET-1 화합물과 하기 LiQ 화합물을 2:1의 중량비로 진공 증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께로 리튬플로라이드(LiF)와 1,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2ⅹ10-7 ~ 5ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00039
Figure pat00040
실험예 1 내지 실험예 18
비교예 1의 유기 발광 소자에서 RH-1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 2 내지 비교예 14
비교예 1의 유기 발광 소자에서 RH-1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기 실험예 1 내지 실험예 18 및 비교예 1 내지 비교예 14에서 제조한 유기 발광 소자에 10 mA/cm2의 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율, 수명을 측정하고 그 결과를 하기 표 1 에 나타내었다. T95은 휘도가 초기 휘도(5000 nit)에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
발광층 구동전압(V) 효율(cd/A) 수명(T95)
비교예1 RH-1 4.8 33 221
실시예 1 화합물 1 4.1 43 292
실시예 2 화합물 2 4.4 40 347
실시예 3 화합물 3 4.0 44 271
실시예 4 화합물 4 4.1 42 283
실시예 5 화합물 5 4.3 39 301
실시예 6 화합물 6 4.1 43 284
실시예 7 화합물 7 4.1 44 257
실시예 8 화합물 8 4.2 41 291
실시예 9 화합물 9 4.1 45 278
실시예 10 화합물 10 4.0 40 283
실시예 11 화합물 11 4.2 44 261
실시예 12 화합물 12 4.1 42 252
실시예 13 화합물 13 4.3 38 310
실시예 14 화합물 14 4.4 36 297
실시예 15 화합물 15 4.2 39 307
실시예 16 화합물 16 4.3 36 311
실시예 17 화합물 17 4.2 37 302
실시예 18 화합물 18 4.4 38 291
비교예 2 RH-2 4.7 34 231
비교예 3 RH-3 4.4 37 173
비교예 4 RH-4 4.9 28 78
비교예 5 RH-5 4.9 30 31
비교예 6 RH-6 5.0 24 57
비교예 7 RH-7 5.4 31 56
비교예 8 RH-8 4.9 29 34
비교예 9 RH-9 4.8 33 208
비교예 10 RH-10 5.2 14 31
비교예 11 RH-11 5.1 17 38
비교예 12 RH-12 5.1 19 34
비교예 13 RH-13 4.9 28 135
비교예 14 RH-14 5.2 13 11
상기 실험들의 결과를 나타낸 표1를 살펴 봤을 때 본 발명의 화합물이 적색 발광 소자를 구동하는데 있어서 발광 효율, 구동전압, 수명 특성을 개선할 수 있다는 것을 확인 할 수 있다.
구체적으로 비교예 2, 3, 9의 경우, 본 발명의 치환기 R7 내지 R10에 해당하는 치환기 중 수소가 아닌 치환기가 카바졸이나, 카바졸의 결합형태가 상이하다. 본 발명의 화학식 A는 카바졸의 N이 코어에 직접결합하는 것에 반해, 화합물 RH-2, RH-3 및 RH-9의 경우 카바졸의 벤젠과 코어구조가 결합하는 형태이다. 비교예 7의 경우, 치환기 R7 내지 R10에 해당하는 치환기 중 수소가 아닌 치환기가 아민기이다.
실시예 1 내지 18은 비교예 2, 3, 7 및 9와 비교하여 저전압, 고효율, 장수명의 특성을 보이는 것을 알 수 있다.
비교예 4, 5, 6, 8에서 사용된 RH-4, RH-5, RH-6 및 RH-8 본 발명의 화학식 1의 R에 해당하는 치환기가 수소 또는 알킬기이다. 이에 반해 본 발명의 경우 R이 아릴기 또는 헤테로아릴기이다. 실시예 1 내지 18은 비교예 4, 5, 6, 8 와 비교하여 저전압, 고효율, 장수명의 특성을 보이는 것을 알 수 있다.
비교예 10 내지 14는 R1 내지 R6이 추가의 방향족 또는 헤테로고리를 형성하는 화합물 RH-10 내지 RH-14를 사용하였다. 본 발명의 경우, R1 내지 R6이 추가의 고리를 형성하지 않는다. 실시예 1 내지 18은 비교예 10 내지 14와 비교하여 저전압, 고효율, 장수명의 특성을 보이는 것을 알 수 있다.
본 발명의 화합물과 비교예 화합물의 실험 결과와 비교 했을 때 본 발명의 화합물이 적색 소자 구조내에서 전자와 정공의 균형이 잘 맞아서 엑시톤 형성을 이롭게 하고 도판트로 에너지 전달이 잘 되어 구동 전압, 효율, 수명 특성 모두 개선시켰다고 볼 수 있다.
1: 기판
2: 제1 전극
3: 발광층
4: 제2 전극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 정공수송보조층
8: 전자저지층
9: 정공저지층
10: 전자주입 및 수송층

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00041

    상기 화학식 1에서,
    L은 직접결합, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
    a 및 b는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CR이고,
    R은 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    R1 내지 R6 및 R11 내지 R14는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 니트릴기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    R7 내지 R10 중 적어도 하나는 하기 화학식 A이고, 나머지는 수소이며,
    [화학식 A]
    Figure pat00042

    상기 화학식 A에 있어서,
    Figure pat00043
    는 R7 내지 R10과의 결합을 의미하고,
    R15는 수소, 니트릴기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 기끼리 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
    r15은 0 내지 8의 정수이고, r15이 2 이상일 때, R15는 서로 같거나 상이하다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 a는 CR이고, b는 N인 것인 화합물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 a는 N이고, b는 CR인 것인 화합물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 R은 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기인 것인 화합물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 R1 내지 R6 및 R11 내지 R14는 수소인 것인 화합물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 L은 직접결합인 것인 화합물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
    Figure pat00044

    Figure pat00045

    Figure pat00046

    Figure pat00047

    Figure pat00048

    Figure pat00049

    Figure pat00050

    Figure pat00051

    Figure pat00052

    Figure pat00053

    Figure pat00054

    Figure pat00055
  8. 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 또는 2층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040251816A1 (en) 2001-07-20 2004-12-16 Karl Leo Light emitting component with organic layers
KR20100023783A (ko) * 2008-08-22 2010-03-04 주식회사 엘지화학 유기 전자 소자 재료 및 이를 이용한 유기 전자 소자
KR20160022764A (ko) * 2014-08-20 2016-03-02 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR20180053121A (ko) * 2016-11-11 2018-05-21 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR20180125369A (ko) * 2017-05-15 2018-11-23 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150060833A1 (en) * 2008-08-22 2015-03-05 Lg Chem, Ltd. Material for organic electronic device, and organic electronic device using the same
KR102008134B1 (ko) * 2011-05-30 2019-08-09 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102102580B1 (ko) * 2012-07-20 2020-04-22 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 소자
WO2015142036A1 (en) * 2014-03-17 2015-09-24 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Electron buffering material and organic electroluminescent device comprising the same
KR20150108330A (ko) * 2014-03-17 2015-09-25 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 전자 버퍼 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101884173B1 (ko) 2014-05-23 2018-08-02 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
US9698358B2 (en) * 2014-11-18 2017-07-04 Lg Chem, Ltd. Nitrogen-containing polycyclic compound and organic electroluminescent device using the same
WO2018212435A1 (ko) * 2017-05-15 2018-11-22 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR102434046B1 (ko) 2017-08-31 2022-08-19 현대모비스 주식회사 에어백 장치
KR102508374B1 (ko) 2018-04-17 2023-03-10 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
TWI805901B (zh) 2019-02-28 2023-06-21 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 有機發光裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040251816A1 (en) 2001-07-20 2004-12-16 Karl Leo Light emitting component with organic layers
KR20100023783A (ko) * 2008-08-22 2010-03-04 주식회사 엘지화학 유기 전자 소자 재료 및 이를 이용한 유기 전자 소자
KR20160022764A (ko) * 2014-08-20 2016-03-02 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR20180053121A (ko) * 2016-11-11 2018-05-21 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR20180125369A (ko) * 2017-05-15 2018-11-23 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자

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