KR20200098664A - Electrode substrate material for organic devices - Google Patents

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유기 디바이스용 전극 기판 재료는, 패터닝된 금속박으로 이루어지는 도체층(101)과, 도체층(101) 주위에 형성된 평탄화층(102)을 구비한다. 제 1 면(111)에서, 도체층(101)의 표면은 평탄화층(102)으로부터 노출되며, 또한 도체층(101)의 표면과 평탄화층(102)의 표면은, 연속된 평탄면을 형성한다.The electrode substrate material for an organic device includes a conductor layer 101 made of a patterned metal foil and a planarization layer 102 formed around the conductor layer 101. In the first surface 111, the surface of the conductor layer 101 is exposed from the planarization layer 102, and the surface of the conductor layer 101 and the surface of the planarization layer 102 form a continuous flat surface. .

Description

유기 디바이스용 전극 기판 재료Electrode substrate material for organic devices

본 개시는 유기 디바이스용 전극 기판 재료에 관한 것이다.The present disclosure relates to an electrode substrate material for an organic device.

근년, 차세대 조명기구의 광원으로서, 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)가 주목 받고 있다. OLED는 양극과 음극 사이에 유기발광층을 구비하고, 유기발광층에서 정공과 전자를 재결합시키고, 그 때 발생하는 에너지에 의해 발광시킨다. 또한, 차세대 태양전지 디바이스로서 페로브스카이트형이나 색소증감형 등의 유기태양전지가 주목 받고 있다. 유기태양전지는, 양극과 음극 사이에 광전변환층을 구비하고, 입사된 태양광에 의해 여기된 전자 및 정공을 양극과 음극으로부터 방출함으로써 발전한다.In recent years, organic light emitting diodes are attracting attention as light sources of next-generation lighting equipment. OLED has an organic light emitting layer between the anode and the cathode, recombines holes and electrons in the organic light emitting layer, and emits light by energy generated at that time. In addition, organic solar cells such as perovskite type and dye-sensitized type are attracting attention as next-generation solar cell devices. An organic solar cell generates power by providing a photoelectric conversion layer between an anode and a cathode, and discharging electrons and holes excited by incident sunlight from the anode and cathode.

이들 디바이스에서는, 유기발광층 및 광전변환층 등의 유기기능층을 제막할 수 있음과 더불어, 광을 추출하거나 도입시킬 수 있는 전극 기판 재료가 요구되고 있다.In these devices, in addition to being able to form organic functional layers such as an organic light emitting layer and a photoelectric conversion layer, there is a demand for an electrode substrate material capable of extracting or introducing light.

전극 기판 재료에는, 핀홀 등이 발생하지 않도록 유기기능층을 제막할 수 있는 평활성, 특히 단차나 돌기가 없는 것이 요구되고 있다. 근년, OLED 및 유기태양전지는 대면적화가 요구되고 있다. 대면적의 OLED를 균일하게 발광시키기 위해서는, 디바이스 전체면에 전력을 공급할 수 있도록 하는 것이 중요하다. 대면적화된 유기태양전지에서는, 디바이스 내에서 여기된 전자 및 정공을 효율적으로 수송하는 것이 중요하다. 따라서, 전극 기판 재료에는 낮은 표면 저항이 요구된다. 또한, OLED 및 유기태양전지는, 생산성을 높이기 위해 롤투롤 공정으로 생산됨과 더불어, 곡면으로 성형하여 사용 가능함이 요구되므로, 전극 기판 재료에는 높은 유연성도 요구된다.The electrode substrate material is required to have a smoothness capable of forming an organic functional layer so as not to generate pinholes or the like, particularly without steps or protrusions. In recent years, OLEDs and organic solar cells are required to have a large area. In order to uniformly emit light of a large area OLED, it is important to be able to supply power to the entire surface of the device. In a large-area organic solar cell, it is important to efficiently transport excited electrons and holes in the device. Therefore, a low surface resistance is required for the electrode substrate material. In addition, since OLEDs and organic solar cells are produced in a roll-to-roll process to increase productivity, they are required to be molded into curved surfaces and used, so that high flexibility is also required for electrode substrate materials.

이들 요구를 만족시키는, 유기 디바이스용 전극 기판 재료의 개발이 진행되고 있다. 예를 들어, 유리 기판에 인듐 주석 산화물(ITO)을 적층시킨 유기 디바이스용 전극 기판 재료나 가스배리어필름에 인듐 주석 산화물(ITO)을 적층시킨 유기 디바이스용 전극 기판 재료가 검토되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1을 참조).Development of electrode substrate materials for organic devices that satisfy these demands is underway. For example, an electrode substrate material for an organic device in which indium tin oxide (ITO) is laminated on a glass substrate, or an electrode substrate material for an organic device in which indium tin oxide (ITO) is laminated on a gas barrier film is being studied (for example, , See Patent Document 1).

또한, 가스배리어필름 등의 위에 메쉬 형상의 금속증착막을 적층시킴으로써 형성한 유기 디바이스용 전극 기판 재료도 검토되고 있다(예를 들어, 특허문헌 2를 참조).Further, an electrode substrate material for organic devices formed by laminating a mesh-like metal vapor deposition film on a gas barrier film or the like is also being studied (see, for example, Patent Document 2).

일본 특허공개공보 2008-031496호Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2008-031496 일본 특허공개공보 2001-0110574호Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2001-0110574

그러나, 유리 기판에 인듐 주석 산화물(ITO)을 적층시킨 유기 디바이스용 전극 기판 재료는, 유연성이 없으므로 굽혀지지 않아 롤투롤로 제조가 불가능하다. 또한 도포 공정에 적응하기 위해서는 습윤성을 담보하기 위한 전처리에 시간이 소요된다.However, the electrode substrate material for an organic device in which indium tin oxide (ITO) is laminated on a glass substrate is not flexible, so it is not bent and thus cannot be manufactured roll-to-roll. In addition, in order to adapt to the application process, it takes time for pretreatment to ensure wettability.

가스배리어필름 등의 위에 인듐 주석 산화물(ITO)을 적층한 유기 디바이스용 전극 기판 재료는, 은, 알루미늄 또는 구리 등의 금속과 비교하여 표면 저항이 상당히 높다. 또한 굽힐 수는 있으나, 굽힘 곡률 반경을 작게 하면 ITO층에 크랙이 생겨 표면 저항이 증대된다.The electrode substrate material for organic devices in which indium tin oxide (ITO) is laminated on a gas barrier film or the like has a considerably higher surface resistance compared to metals such as silver, aluminum or copper. In addition, it can be bent, but if the bending radius of curvature is decreased, cracks are formed in the ITO layer, thereby increasing the surface resistance.

한편, 가스배리어필름 등의 위에 금속증착막으로 유기 디바이스용 전극 기판 재료를 형성하면, 메쉬 형상의 배선 부분에 단차가 생겨버린다. 또한, 굽힐 수는 있으나 굽힘 곡률 반경이 작으면, 금속증착막에 크랙이 생겨 표면 저항이 증대되므로 충분한 유연성을 얻을 수 없다.On the other hand, when an electrode substrate material for organic devices is formed with a metal vapor deposition film on a gas barrier film or the like, a level difference occurs in the mesh-shaped wiring portion. In addition, although it can be bent, if the bending radius of curvature is small, cracks are generated in the metal deposition film and surface resistance is increased, so sufficient flexibility cannot be obtained.

본 개시의 과제는, 평활성이 높고, 표면 저항이 낮으며, 유연성이 높은 유기 디바이스용 전극 기판 재료를 실현할 수 있도록 하는 것이다.An object of the present disclosure is to provide an electrode substrate material for organic devices with high smoothness, low surface resistance, and high flexibility.

본 개시의 유기 디바이스용 전극 기판 재료의 일양태는, 패터닝된 금속박으로 이루어지는 도체층과, 도체층 주위에 형성된 평탄화층을 구비하고, 제 1 면에서, 도체층의 표면은 평탄화층으로부터 노출되며, 또 도체층의 표면과 평탄화층의 표면은, 연속된 평탄면을 형성한다.One aspect of the electrode substrate material for an organic device of the present disclosure includes a conductor layer made of a patterned metal foil and a planarization layer formed around the conductor layer, and in the first surface, the surface of the conductor layer is exposed from the planarization layer, Further, the surface of the conductor layer and the surface of the planarization layer form a continuous flat surface.

유기 디바이스용 전극 기판 재료의 일양태에 있어서, 도체층은, 선폭이 20㎛ 이상, 200㎛ 이하의 패턴을 형성하고, 제 1 면의 단위면적당 도체층 밀도는 15% 이하로 할 수 있다.In one aspect of the electrode substrate material for organic devices, the conductor layer may form a pattern having a line width of 20 µm or more and 200 µm or less, and the density of the conductor layer per unit area of the first surface may be 15% or less.

유기 디바이스용 전극 기판 재료의 일양태에 있어서, 평탄화층은 가스배리어층과 투명수지층을 포함하고, 가스배리어층의 표면과 도체층의 노출된 표면은 연속된 평활면을 형성하도록 할 수 있다.In one aspect of the electrode substrate material for an organic device, the planarization layer includes a gas barrier layer and a transparent resin layer, and the surface of the gas barrier layer and the exposed surface of the conductor layer can be made to form a continuous smooth surface.

유기 디바이스용 전극 기판 재료의 일양태에 있어서, 가스배리어층은, 알루미늄 및 산소를 주성분으로 하는 층, 그리고 실리콘과, 질소, 산소 및 탄소 중 적어도 하나를 주성분으로 하는 층 중 적어도 한쪽을 포함하며, 두께가 20㎚ 이상으로 할 수 있다.In one aspect of the electrode substrate material for an organic device, the gas barrier layer comprises at least one of a layer containing aluminum and oxygen as main components, and a layer containing silicon and at least one of nitrogen, oxygen and carbon as a main component, The thickness can be 20 nm or more.

유기 디바이스용 전극 기판 재료의 일양태에 있어서, 평탄화층은, 파장 400㎚~800㎚의 광 투과율이 85% 이상으로 할 수 있다.In one aspect of the electrode substrate material for organic devices, the planarization layer can have a light transmittance of 85% or more at a wavelength of 400 nm to 800 nm.

유기 디바이스용 전극 기판 재료의 일양태에 있어서, 평탄화층은, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 아크릴, 폴리염화비닐(PVC), 플루오로 수지, 인듐 주석 산화물(ITO), 및 폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술폰산(PEDOT/PSS) 중 1종 또는 2종 이상으로 할 수 있다.In one embodiment of the electrode substrate material for organic devices, the planarization layer is polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP), polyethylene (PE), polystyrene (PS), polycarbonate (PC), acrylic, polyvinyl chloride. (PVC), fluororesin, indium tin oxide (ITO), and polyethylenedioxythiophene/polystyrenesulfonic acid (PEDOT/PSS) can be used as one or two or more.

유기 디바이스용 전극 기판 재료의 일양태에 있어서, 도체층은, 두께 6㎛ 이상, 30㎛ 이하의 알루미늄박으로 할 수 있다.In one aspect of the electrode substrate material for organic devices, the conductor layer can be an aluminum foil having a thickness of 6 µm or more and 30 µm or less.

유기 디바이스용 전극 기판 재료의 일양태에 있어서, 도체층은, 기반패턴과, 기반패턴 바깥쪽에 형성되고, 외부장치와 접속 가능한 주변패턴을 포함하여도 된다.In one aspect of the electrode substrate material for organic devices, the conductor layer may include a base pattern and a peripheral pattern formed outside the base pattern and connectable to an external device.

유기 디바이스용 전극 기판 재료의 일양태에 있어서, 제 1 면과는 반대쪽의 제 2 면에서, 도체층의 표면은 평탄화층으로부터 노출되어도 되고, 제 2 면에서, 도체층의 표면은 평탄화층에 의해 피복되어도 된다.In one aspect of the electrode substrate material for an organic device, on the second side opposite to the first side, the surface of the conductor layer may be exposed from the planarization layer, and on the second side, the surface of the conductor layer is by the planarization layer. It may be covered.

본 개시의 유기 디바이스용 전극 기판 재료에 의하면, 높은 평활성, 낮은 표면 저항 및 높은 유연성을 실현할 수 있다.According to the electrode substrate material for organic devices of the present disclosure, high smoothness, low surface resistance, and high flexibility can be realized.

도 1은, 일실시형태의 OLED용 표면전극 재료를 이용한 OLED를 나타내는 단면도이다.
도 2는, 일실시형태에 따른 OLED용 표면전극 재료를 나타내는 사시도이다.
도 3은, 도 2의 III-III 선 단면도이다.
도 4는, 도체층 패턴의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 5는, OLED용 표면전극 재료의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 6은, OLED용 표면전극 재료의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 7은, OLED용 표면전극 재료의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 8은, OLED용 표면전극 재료의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 9a는, OLED용 표면전극 재료의 제조 방법의 일공정을 나타내는 사시도이다.
도 9b는, OLED용 표면전극 재료의 제조 방법의 일공정을 나타내는 사시도이다.
도 9c는, OLED용 표면전극 재료의 제조 방법의 일공정을 나타내는 사시도이다.
도 9d는, OLED용 표면전극 재료의 제조 방법의 일공정을 나타내는 사시도이다.
도 10a는, OLED용 표면전극 재료의 제조 방법의 일공정을 나타내는 단면도이다.
도 10b는, OLED용 표면전극 재료의 제조 방법의 일공정을 나타내는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing an OLED using a surface electrode material for OLED according to an embodiment.
2 is a perspective view showing a surface electrode material for an OLED according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 2.
4 is a plan view showing a modified example of a conductor layer pattern.
5 is a cross-sectional view showing a modified example of a surface electrode material for OLED.
6 is a cross-sectional view showing a modified example of a surface electrode material for OLED.
7 is a cross-sectional view showing a modified example of a surface electrode material for OLED.
8 is a cross-sectional view showing a modified example of a surface electrode material for OLED.
9A is a perspective view showing one step of a method of manufacturing a surface electrode material for OLED.
9B is a perspective view showing one step of a method of manufacturing a surface electrode material for OLED.
9C is a perspective view showing one step of a method of manufacturing a surface electrode material for OLED.
9D is a perspective view showing one step of a method of manufacturing a surface electrode material for OLED.
10A is a cross-sectional view showing one step of a method of manufacturing a surface electrode material for OLED.
10B is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a surface electrode material for OLED.

본 실시형태의 유기 디바이스용 전극 기판 재료는, 도체층(101)과 평탄화층(102)을 구비하며, 도 1에 나타내는 바와 같은, OLED(200)의 양극(표면전극)(202)으로서 이용할 수 있다. OLED(200)는, 발광층(201)이 양극(202)과 음극(203) 사이에 형성된다. 발광층(201)에서 발생한 광은, 양극(202)쪽으로부터 출력된다.The electrode substrate material for an organic device of this embodiment includes a conductor layer 101 and a planarization layer 102, and can be used as the anode (surface electrode) 202 of the OLED 200 as shown in FIG. 1. have. In the OLED 200, a light emitting layer 201 is formed between the anode 202 and the cathode 203. Light generated by the light emitting layer 201 is output from the anode 202 side.

본 실시형태에서 발광층(201)은, 유기발광층과 더불어, 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층, 전자수송층, 전하축적층 등을 포함한, 음극(203)과 양극(202) 사이에 증착 또는 도포 등으로 형성된 층 전체를 의미한다.In this embodiment, the light emitting layer 201 is deposited or applied between the cathode 203 and the anode 202, including a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a charge storage layer, etc., in addition to the organic light emitting layer. It means the whole layer formed by etc.

도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 유기 디바이스용 전극 기판 재료(100)는, 패터닝된 금속박으로 이루어지는 도체층(101)과, 도체층(101) 주위에 형성된 평탄화층(102)을 구비한다. 제 1 면(111)에서, 도체층(101)의 표면은 평탄화층(102)으로부터 노출되며, 또 도체층(101)의 표면과 평탄화층(102)의 표면은, 연속된 평탄면을 형성한다. 이로써, 제 1 면에 유기기능층 등을 용이하게 성막할 수 있다.2 and 3, the electrode substrate material 100 for an organic device according to the present embodiment includes a conductor layer 101 made of a patterned metal foil, and a planarization layer 102 formed around the conductor layer 101. It is equipped with. On the first surface 111, the surface of the conductor layer 101 is exposed from the planarization layer 102, and the surface of the conductor layer 101 and the surface of the planarization layer 102 form a continuous flat surface. . Thereby, an organic functional layer or the like can be easily formed on the first surface.

본 실시형태의 유기 디바이스용 전극 기판 재료는 표면이 금속박으로 이루어지는 도체층(101)과 평탄화층(102)으로 이루어지고, ITO층이 존재하지 않으므로, 도포성을 용이하게 향상시킬 수 있다. 따라서, 도포법에 의해 유기 디바이스를 제조할 때, 자외선 오존 세정 등의 전처리 시간을 단축시킬 수 있다는 이점도 얻을 수 있다.The electrode substrate material for an organic device of the present embodiment comprises a conductor layer 101 and a planarization layer 102 made of a metal foil, and does not have an ITO layer, so that the coating property can be easily improved. Therefore, when manufacturing an organic device by a coating method, it is also possible to obtain an advantage that the pretreatment time such as ultraviolet ozone washing can be shortened.

<도체층><Conductor layer>

본 실시형태의 도체층(101)은, 소정 형상으로 패터닝된 금속박으로 이루어진다. 금속박으로 이루어지는 도체층(101)은, 금속증착막 등으로 이루어지는 도체층과는 달리, 굽혀도 단선되기 어렵기 때문에 충분한 유연성을 실현할 수 있다. 도체층(101)은, 유기 디바이스용 전극 기판 재료(100)가 유기 디바이스의 전극(202)으로서 이용됐을 때, OLED의 발광층(201)과 접촉하여, 발광층(201)에 전압을 인가한다.The conductor layer 101 of this embodiment is made of a metal foil patterned into a predetermined shape. The conductor layer 101 made of a metal foil, unlike a conductor layer made of a metal vapor deposition film or the like, is difficult to break even when bent, so that sufficient flexibility can be realized. When the electrode substrate material 100 for an organic device is used as the electrode 202 of an organic device, the conductor layer 101 contacts the light emitting layer 201 of an OLED, and applies a voltage to the light emitting layer 201.

도체층(101)으로서 이용하는 금속박은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 알루미늄박, 구리박, 금박, 또는 은박 등으로 할 수 있다. 그 중에서도, 경량이며, 심층부의 산화가 발생하기 어려우면서 광반사성이 높은 알루미늄박이 바람직하다.The metal foil used as the conductor layer 101 is not particularly limited, and can be, for example, an aluminum foil, a copper foil, a gold foil, or a silver foil. Among them, an aluminum foil that is lightweight and hardly oxidizes in the deep layer and has high light reflectivity is preferred.

또한, 도체층(101)으로서 이용하는 금속박은, 표면에 도금 또는 증착 등으로 형성된, 니켈, 구리, 은, 백금, 및 금 등의 적어도 1종으로 이루어지는 금속박막을 구비해도 된다.Further, the metal foil used as the conductor layer 101 may be provided with a metal thin film formed on the surface of at least one of nickel, copper, silver, platinum, gold, etc. formed by plating or vapor deposition.

도체층(101)의 패턴은, 유기 디바이스용 전극 기판 재료(100)에 필요한 특성에 따라 설계할 수 있다. 예를 들어, 격자형, 그물망형, 나선형, 원호형, 사행형, 및 그 밖의 부정형상 등, 유기 디바이스의 전극으로서 채용되는 공지의 표면전극 패턴을 채용할 수 있다.The pattern of the conductor layer 101 can be designed according to characteristics required for the electrode substrate material 100 for organic devices. For example, a known surface electrode pattern employed as an electrode of an organic device, such as a lattice shape, a mesh shape, a spiral shape, an arc shape, a meander shape, and other irregular shapes, can be employed.

도체층(101)의 패턴은, 도 4에 나타내는 바와 같이, 유기 디바이스의 한쪽 전극이 되는 기반패턴(121)뿐만 아니라, 기반패턴(121) 바깥쪽에 형성된 주변패턴(122)을 포함할 수 있다. 주변패턴(122)은, 기반패턴과 단자(124)를 접속하는 제 1 주변패턴(122A)과, 유기 디바이스의 기반패턴(121)과는 반대쪽 면에 형성된 전극(123)과 단자(124)를 접속하는 제 2 주변패턴(122B)을 포함할 수 있다. 단자(124)는, 외부장치 등과 접속할 수 있다. 또한, 단자(124)를 개재하지 않고, 주변패턴(122)을 직접 외부장치 등과 접속할 수도 있다. 외부장치는, 예를 들어 유기 디바이스에 전력을 공급하는 전력공급부 등으로 할 수 있다.As shown in FIG. 4, the pattern of the conductor layer 101 may include not only the base pattern 121 serving as one electrode of the organic device, but also the peripheral pattern 122 formed outside the base pattern 121. The peripheral pattern 122 includes a first peripheral pattern 122A connecting the base pattern and the terminal 124, and an electrode 123 and a terminal 124 formed on a surface opposite to the base pattern 121 of the organic device. It may include a second peripheral pattern 122B to be connected. The terminal 124 can be connected to an external device or the like. Further, the peripheral pattern 122 may be directly connected to an external device or the like without interposing the terminal 124. The external device can be, for example, a power supply unit that supplies electric power to an organic device.

도체층(101)의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 유연성을 확보하는 관점 및 표면 저항을 저감시키는 관점에서 6㎛ 이상이 바람직하다. 또한, 광투과율을 향상시키는 관점에서, 30㎛ 이하가 바람직하다.The thickness of the conductor layer 101 is not particularly limited, but it is preferably 6 μm or more from the viewpoint of securing flexibility and reducing surface resistance. Further, from the viewpoint of improving the light transmittance, 30 µm or less is preferable.

도체층(101)의 선폭은 특별히 한정되지 않으나, 표면 저항을 저감시키는 관점에서 20㎛ 이상이 바람직하고, 발광 불균일을 저감시키는 관점에서 200㎛ 이하가 바람직하다. 광투과성을 확보하는 관점에서, 제 1 면(111)의 단위면적당 도체층의 밀도는 15% 이하인 것이 바람직하다.The line width of the conductor layer 101 is not particularly limited, but it is preferably 20 µm or more from the viewpoint of reducing the surface resistance, and 200 µm or less from the viewpoint of reducing the light emission unevenness. From the viewpoint of securing light transmittance, the density of the conductor layer per unit area of the first surface 111 is preferably 15% or less.

<평탄화층><Planning layer>

평탄화층(102)은, 패터닝된 도체층(101)의 개구부를 메우도록, 도체층(101) 주위에 형성된다. 적어도 제 1 면(111)에서, 평탄화층(102)은 도체층(101)을 피복하지 않고 도체층(101)의 표면이 노출된다.The planarization layer 102 is formed around the conductor layer 101 so as to fill the openings of the patterned conductor layer 101. At least on the first surface 111, the planarization layer 102 does not cover the conductor layer 101 and the surface of the conductor layer 101 is exposed.

적어도 제 1 면(111)에서, 도체층(101)의 표면과 평탄화층(102)의 표면은, 연속된 평탄면을 형성한다. 구체적으로는, 도체층(101)의 표면과 평탄화층(102)의 표면이, 그 경계부분에 단차가 없는 연속면으로 됨과 더불어, 제 1 면(111) 전체적으로 평탄면이 된다. 제 1 면(111)이 이와 같은 연속된 평탄면으로 되므로, 본 실시형태의 유기 디바이스용 전극 기판 재료의 표면에는, 균일한 발광층(201)을 성막할 수 있다. 여기서, 제 1 면(111)은, 발광층(201)의 전체면과 밀착되면 되나, 도체층(101) 표면과 평탄화층(102) 표면과의 경계의 레벨 차이는, 바람직하게 300㎚ 이하이다.At least in the first surface 111, the surface of the conductor layer 101 and the surface of the planarization layer 102 form a continuous flat surface. Specifically, the surface of the conductor layer 101 and the surface of the planarization layer 102 become a continuous surface without a step at the boundary thereof, and the first surface 111 as a whole becomes a flat surface. Since the first surface 111 becomes such a continuous flat surface, a uniform light emitting layer 201 can be formed on the surface of the electrode substrate material for an organic device of the present embodiment. Here, the first surface 111 may be in close contact with the entire surface of the light-emitting layer 201, but the difference in level between the surface of the conductor layer 101 and the surface of the planarization layer 102 is preferably 300 nm or less.

평탄화층(102)은 육안으로 보아 투명하면 되나, 파장 400㎚~800㎚의 투과율이 85% 이상인 것이 바람직하다. 평탄화층의 투과율을 이 범위로 함으로써, 발광 효율을 향상시키는 것도 가능하다.The planarization layer 102 may be transparent to the naked eye, but it is preferable that the transmittance at a wavelength of 400 nm to 800 nm is 85% or more. It is also possible to improve the luminous efficiency by setting the transmittance of the planarization layer into this range.

평탄화층(102)은 투명하게 할 수 있으면 그 조성은 한정되지 않는다. 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 아크릴, 폴리염화비닐(PVC) 및 플루오로 수지 등의 투명한 수지를 사용할 수 있다. 이들 수지는 단독으로 사용하거나 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술폰산(PEDOT/PSS) 등의 투명한 도전성 재료를 사용할 수도 있다.The composition of the planarization layer 102 is not limited as long as it can be made transparent. For example, transparent resins such as polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP), polyethylene (PE), polystyrene (PS), polycarbonate (PC), acrylic, polyvinyl chloride (PVC), and fluoro resins are used. Can be used. These resins may be used alone or in combination of two or more. Further, a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or polyethylenedioxythiophene/polystyrenesulfonic acid (PEDOT/PSS) can also be used.

평탄화층(102)은 1층이어도 되고 복수 층이어도 된다. 평탄화층(102)을 굴절률이 상이한 복수 층으로 함으로써, 광의 확산을 제어하고, 전반사를 적게 하여, 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.The planarization layer 102 may be one layer or a plurality of layers. By forming the planarization layer 102 into a plurality of layers having different refractive indices, diffusion of light is controlled, total reflection is reduced, and light extraction efficiency can be improved.

도 3에 나타내는 바와 같이, 제 1 면(111)과는 반대쪽의 제 2 면(112)에서도 도체층(101)이 평탄화층(102)에 의해 피복되어 있지 않을 경우는, 급전 부분의 자유도가 커진다는 이점을 얻을 수 있다. 그러나, 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 2 면(112)에 있어서는, 평탄화층(102)이 도체층(101)을 피복하여도 된다. 또한, 제 2 면(112)은, 광추출 관점에서는 평탄면인 것이 바람직하나, 요철이 존재하여도 된다. 예를 들어, 도 6에 나타내는 바와 같이, 도체층(101)의 패턴에 대응한 요철이 제 2 면(112)에 존재하는 구성으로 할 수 있다.As shown in Fig. 3, when the conductor layer 101 is not covered by the planarization layer 102 even on the second surface 112 opposite to the first surface 111, the degree of freedom of the power feeding portion increases. Can get an advantage. However, as shown in FIG. 5, on the second surface 112, the planarization layer 102 may cover the conductor layer 101. In addition, the second surface 112 is preferably a flat surface from the viewpoint of light extraction, but irregularities may be present. For example, as shown in FIG. 6, it is possible to have a configuration in which irregularities corresponding to the pattern of the conductor layer 101 are present on the second surface 112.

평탄화층(102)의 두께는, 제 2 면(112)에서도 도체층(101)이 노출되도록 하는 경우에는, 도체층(101)의 두께와 동일한 두께가 된다. 제 2 면에 있어서 도체층(101)을 피복하도록 하는 경우에는, 도체층(101)보다 두껍게 하면 되나, 유연성의 관점 및 광투과성의 관점에서 60㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.The thickness of the planarization layer 102 is the same as the thickness of the conductor layer 101 when the conductor layer 101 is exposed also on the second surface 112. In the case of covering the conductor layer 101 on the second surface, it is sufficient to make it thicker than the conductor layer 101, but from the viewpoint of flexibility and light transmittance, it is preferably set to 60 µm or less.

도 7에 나타내는 바와 같이, 제 2 면(112)쪽에 투명지지체(105)를 접합시킬 수도 있다. 투명지지체(105)를 접합시킴으로써, OLED용 표면전극 재료(100)의 강도를 높일 수 있다. 투명지지체(105)는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 아크릴, 폴리염화비닐(PVC) 및 유리 등으로 할 수 있다. 투명지지체는, 반사 방지 기능을 갖는 층으로 할 수도 있다.As shown in FIG. 7, the transparent support 105 may be bonded to the second surface 112 side. By bonding the transparent support 105, the strength of the surface electrode material 100 for OLED can be increased. The transparent support 105 is not particularly limited, but, for example, polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP), polyethylene (PE), polystyrene (PS), polycarbonate (PC), acrylic, polyvinyl chloride ( PVC) and glass. The transparent support can also be made into a layer having an antireflection function.

또한, 도 8에 나타내는 바와 같이, 제 2 면(112)쪽에, 도체층(101)을 가리도록 흑색의 보호층(106)을 형성할 수도 있다. 도체층(101)의 뒷면에, 흑색의 보호층(106)을 형성함으로써, 유기 디바이스를 표면쪽에서 봤을 때에 도체층(101)의 패턴이 잘 안보이게 되어, 디자인성이 향상된다. 또한, 투명지지체(105)와 보호층(106) 양쪽을 형성할 수도 있다.In addition, as shown in FIG. 8, a black protective layer 106 may be formed on the second surface 112 side to cover the conductor layer 101. By forming the black protective layer 106 on the back side of the conductor layer 101, the pattern of the conductor layer 101 becomes invisible when the organic device is viewed from the front side, thereby improving design. In addition, both the transparent support 105 and the protective layer 106 may be formed.

보호층(106)은, 예를 들어 후술하는 에칭공정에서 사용하는 흑색의 드라이필름 레지스트를 사용하여, 노광, 현상하고 남은 드라이필름 레지스트를 에칭 후에 박리하지 않고 그대로 사용함으로써 형성할 수 있다.The protective layer 106 can be formed, for example, by using a black dry film resist used in an etching step described later, and using the dry film resist remaining after exposure and development without peeling off after etching.

유기 디바이스용 전극 기판 재료(100)가 이상과 같은 구성을 구비함으로써, 종래의 유기 디바이스용 전극 기판 재료보다 표면 저항을 낮게 할 수 있음과 더불어 유연성을 높일 수 있다. 또한, 디바이스에 이용했을 때의 발광 효율을 향상시킬 수도 있다.When the organic device electrode substrate material 100 has the above configuration, the surface resistance can be lower than that of the conventional electrode substrate material for organic devices, and flexibility can be improved. In addition, the luminous efficiency when used in a device can also be improved.

평탄화층(102)을, 가스배리어층(103)과 투명수지층(104)을 포함하는 구성으로 할 수도 있다. 유기 디바이스의 유기발광층이나 광전변환층은 수증기에 약하여, 약간의 수증기로도 열화되어버린다. 따라서, 유기발광층이나 광전변환층은, 유리, 금속, 또는 가스배리어필름 등에 의해 밀봉된다. 그러나, 전극 기판쪽의 수증기는 충분히 저지되지 않을 경우가 있다. 전극 기판 재료가 수증기 배리어성을 가짐으로써, 전극 기판쪽으로부터 수증기가 침입하기 어렵게 하여, 유기기능층의 열화를 억제할 수 있다.The planarization layer 102 may be configured to include a gas barrier layer 103 and a transparent resin layer 104. The organic light emitting layer and the photoelectric conversion layer of the organic device are weak to water vapor and deteriorate even with a little water vapor. Accordingly, the organic light emitting layer or the photoelectric conversion layer is sealed with glass, metal, or gas barrier film. However, there are cases where water vapor on the electrode substrate side is not sufficiently blocked. When the electrode substrate material has a water vapor barrier property, it is difficult for water vapor to enter from the electrode substrate side, and deterioration of the organic functional layer can be suppressed.

가스배리어층(103)은, 투명도가 높고 수증기 배리어성을 갖는다면 어떠한 재료로 형성하여도 된다. 예를 들어, 원자층 증착법에 의해 알루미늄 및 산소를 주성분으로 하는 층을 형성할 수 있다. 또한, 화학기상증착(CVD)법에 의해, 실리콘, 질소, 산소 및 탄소를 주성분으로 하는 층을 형성할 수도 있다. 가스배리어층(103)은 1층으로 한정되지 않고, 복수 층의 적층체로 할 수도 있다. 가스배리어층(103)의 두께는, 수증기를 저지하는 관점에서 바람직하게는 20㎚ 이상이다.The gas barrier layer 103 may be formed of any material as long as it has high transparency and moisture vapor barrier properties. For example, a layer containing aluminum and oxygen as main components can be formed by an atomic layer deposition method. In addition, a layer containing silicon, nitrogen, oxygen and carbon as main components can also be formed by chemical vapor deposition (CVD). The gas barrier layer 103 is not limited to one layer, and may be a multilayer laminate. The thickness of the gas barrier layer 103 is preferably 20 nm or more from the viewpoint of blocking water vapor.

가스배리어층(103)을 형성하는 경우는, 도체층(101)의 표면과 가스배리어층(103)의 표면이, 연속된 평탄면을 형성하도록 할 수 있다. 도체층(101) 표면과, 가스배리어층(103) 표면과의 경계의 레벨 차이는, 바람직하게 300㎚ 이하이다. 여기서, 투명수지층(104)의 두께는, 도체층(101)의 두께보다 얇게 할 수 있다.In the case of forming the gas barrier layer 103, the surface of the conductor layer 101 and the surface of the gas barrier layer 103 can form a continuous flat surface. The difference in the level of the boundary between the surface of the conductor layer 101 and the surface of the gas barrier layer 103 is preferably 300 nm or less. Here, the thickness of the transparent resin layer 104 can be made thinner than the thickness of the conductor layer 101.

<제조 방법><Production method>

본 실시형태의 유기 디바이스용 전극 기판 재료(100)는, 예를 들어 다음과 같이 하여 형성할 수 있다.The electrode substrate material 100 for organic devices of the present embodiment can be formed, for example, as follows.

먼저, 도 9a에 나타내는 바와 같이, 표면이 평활하고, 수지 및 금속에 대하여 난부착성을 갖는 기재(301)에, 도체층이 될 금속박(302)을 적층한다. 난부착성을 갖는 기재란, 수지나 금속이 접촉하여도 용이하게 박리시킬 수 있는 성능을 가진 기재를 말한다. 기재는 그 자체가 난부착성을 갖는 재료로 형성할 수도 있고, 표면에 난부착성 코팅층이 형성된 것으로 할 수도 있다. 예를 들어, 기재로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 아크릴 및 폴리염화비닐(PVC) 등의 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.First, as shown in FIG. 9A, a metal foil 302 to be a conductor layer is laminated on a substrate 301 having a smooth surface and having non-adhesion properties to resin and metal. A substrate having non-adhesive property refers to a substrate having the ability to be easily peeled even when a resin or metal is in contact. The base material itself may be formed of a material having non-adhesive properties, or a non-adhesive coating layer may be formed on the surface thereof. For example, as a substrate, one or two of polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP), polyethylene (PE), polystyrene (PS), polycarbonate (PC), acrylic and polyvinyl chloride (PVC), etc. You can use more than one species.

금속박(302)에는 전술한 도체층(101)을 형성할 수 있는 재질 및 두께의 것을 사용한다. 금속박(302)에 의해 형성하는 도체층(101)과 발광층(201)과의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 금속박(302)의 기재(301)와 접합시키는 면은 평활한 것이 바람직하고, 구체적으로는 산술평균조도(Ra)가 50㎚ 이하인 것이 바람직하다. 기재(301)에 금속박(302)을 적층할 때에, 기재(301) 및 금속박(302) 중 적어도 한쪽 표면에 난부착성 또는 부착성이 약한 접착제 등을 도포할 수도 있다. 이와 같이 하면, 적층이 용이해진다.For the metal foil 302, a material and thickness capable of forming the above-described conductor layer 101 are used. From the viewpoint of improving the adhesion between the conductor layer 101 formed of the metal foil 302 and the light emitting layer 201, the surface of the metal foil 302 to be bonded to the substrate 301 is preferably smooth, and specifically It is preferable that the arithmetic mean roughness (Ra) is 50 nm or less. When laminating the metal foil 302 on the substrate 301, an adhesive or the like having poor adhesion or weak adhesion may be applied to at least one surface of the substrate 301 and the metal foil 302. In this way, lamination becomes easy.

다음으로, 도 9b에 나타내는 바와 같이, 기재(301) 표면에 적층한 금속박(302)을 패터닝하여 도체층(101)을 형성한다. 금속박(302)의 패터닝은 예를 들어, 습식에칭 또는 건식에칭 등 공지의 방법으로 실시할 수 있다. 에칭으로 형성하는 패턴은, 전술한 바와 같이, 유기 디바이스의 전극으로서 채용되는 공지의 전극 패턴을 채용할 수 있다. 또한, 도 4에 나타내는 바와 같은 기반패턴(121)과 주변패턴(122)을 갖는 패턴으로 할 수도 있다.Next, as shown in FIG. 9B, the metal foil 302 laminated on the surface of the substrate 301 is patterned to form a conductor layer 101. Patterning of the metal foil 302 can be performed by a known method such as wet etching or dry etching. As the pattern formed by etching, as described above, a known electrode pattern employed as an electrode of an organic device can be employed. In addition, it may be a pattern having a base pattern 121 and a peripheral pattern 122 as shown in FIG. 4.

다음으로, 도 9c에 나타내는 바와 같이, 투명재료를 도공 처리하여 평탄화층(102)을 형성한다. 투명재료는, 전술한 바와 같은 재료를 사용할 수 있고, 상온에서 유동성을 갖는 재료인 경우, 예를 들어 코팅기를 이용하여 도공 처리할 수 있다. 상온에서 유동성을 갖는 재료는, 예를 들어, 용제에 용해됨으로써 유동성을 갖는 수지, 특정 온도 조건에서 유동성을 갖는 수지, 상온에서 유동성을 가지며 열 또는 광 등에 의해 경화 가능한 수지 등으로 할 수 있다.Next, as shown in Fig. 9C, a transparent material is applied to form a planarization layer 102. As the transparent material, a material as described above can be used, and in the case of a material having fluidity at room temperature, coating treatment can be performed using, for example, a coating machine. The material having fluidity at room temperature may be, for example, a resin having fluidity by being dissolved in a solvent, a resin having fluidity in a specific temperature condition, a resin having fluidity at room temperature and curable by heat or light, or the like.

다음으로, 도 9d에 나타내는 바와 같이, 기재(301)를 박리한다. 기재를 난부착성으로 함으로써, 용이하게 박리될 수 있게 된다. 기재(301)를 박리하여 형성한 제 1 면에서, 도체층(101)은 평탄화층(102)에 피복되지 않고 노출된다. 또한, 제 1 면은, 기재(301)의 표면 상태가 전사된 면이 된다. 평활한 표면을 갖는 기재(301)를 이용함으로써, 평활한 제 1 면이 얻어진다.Next, as shown in FIG. 9D, the base material 301 is peeled. By making the substrate non-adhesive, it can be easily peeled off. On the first surface formed by peeling off the substrate 301, the conductor layer 101 is exposed without being coated on the planarization layer 102. Further, the first surface is a surface to which the surface state of the substrate 301 is transferred. By using the substrate 301 having a smooth surface, a smooth first surface is obtained.

그리고, 평탄화층(102)을 형성한 후, 기재(301)를 박리하기 전에, 투명지지체(105)를 접합시키는 공정을 구비하여도 된다. 투명지지체(105)를 형성함으로써, 평탄화층(102)의 두께가 얇은 경우에도, 기재(301)의 박리가 용이해진다. 그리고, 기재(301)를 박리한 후에, 투명지지체(105)를 접합시킬 수도 있다.And, after forming the planarization layer 102, before peeling off the base material 301, a process of bonding the transparent support body 105 may be provided. By forming the transparent support 105, even when the thickness of the planarization layer 102 is thin, peeling of the substrate 301 becomes easy. And, after peeling the base material 301, the transparent support body 105 may be bonded.

평탄화층(102)을 가스배리어층(103)과 투명수지층(104)을 포함하는 구성으로 할 수도 있다. 이 경우, 도 10a에 나타내는 바와 같이 도체층(101)을 형성한 후의 기재(301) 표면에, 금속박(302)이 제거된 부분 및 금속박(302)이 잔존하는 부분의 양쪽을 피복하도록, 가스배리어층(103)을 형성한다. 가스배리어층(103)은, 수증기 배리어성이 높은 재료로 형성할 수 있다. 예를 들어 원자층 증착법 등을 이용하여, 알루미늄 및 산소를 주성분으로 하는 층(예를 들어, Al2O3 등으로 이루어지는 층)을 형성하거나, 화학기상증착(CVD)법을 이용하여, 실리콘과, 질소, 산소 및 탄소의 적어도 하나와를 주성분으로 하는 층(예를 들어, SiOx, SiN, SiON, 또는 SiONC 등으로 이루어지는 층)을 형성하면 된다. 또한, 이들 층을 조합시킨 적층체를 형성할 수도 있다. 도 10b에 나타내는 바와 같이, 가스배리어층(103)을 형성한 후, 가스배리어층(103) 표면에 투명재료를 도공 처리하여 투명수지층(104)을 형성한다. 도 10b에서, 투명수지층(104)이 오목부를 완전히 메우고 있는 예를 나타내었으나, 오목부가 완전히 메워지지 않아도 된다. 또한, 투명수지층(104)이 가스배리어층(103)을 완전히 피복하도록 할 수도 있다. 기재(301)를 박리하면, 도체층(101)의 표면과 가스배리어층(103)의 표면이 연속된 평탄면인 제 1 면이 노출된다.The planarization layer 102 may be configured to include a gas barrier layer 103 and a transparent resin layer 104. In this case, as shown in Fig. 10A, a gas barrier is applied to cover both the portion from which the metal foil 302 is removed and the portion where the metal foil 302 remains on the surface of the substrate 301 after the conductor layer 101 is formed. A layer 103 is formed. The gas barrier layer 103 can be formed of a material having high water vapor barrier properties. For example, by using an atomic layer deposition method or the like, a layer containing aluminum and oxygen as main components (e.g., a layer composed of Al 2 O 3 etc.) is formed, or by using a chemical vapor deposition (CVD) method, silicon and , Nitrogen, oxygen, and at least one of carbon as a main component layer (for example, SiO x , SiN, SiON, SiONC, or the like). Further, a laminate in which these layers are combined can also be formed. As shown in FIG. 10B, after the gas barrier layer 103 is formed, a transparent material is applied on the surface of the gas barrier layer 103 to form a transparent resin layer 104. In FIG. 10B, an example in which the transparent resin layer 104 completely fills the concave portion is shown, but the concave portion does not need to be completely filled. In addition, the transparent resin layer 104 may completely cover the gas barrier layer 103. When the substrate 301 is peeled off, the first surface, which is a flat surface in which the surface of the conductor layer 101 and the surface of the gas barrier layer 103 are continuous, is exposed.

유기 디바이스용 전극 기판 재료의 제조 방법은, 이와 같은 방법에 한정되지 않고, 제 1 면을 평탄하게 할 수 있다면 그 밖의 방법으로 형성할 수도 있다.The manufacturing method of the electrode substrate material for organic devices is not limited to such a method, and may be formed by other methods as long as the first surface can be made flat.

실시예Example

본 개시의 유기 디바이스용 전극 기판 재료에 대하여, 실시예를 이용하여 보다 상세하게 설명한다. 이하의 실시예는 예시이며, 본 발명의 한정을 의도하는 것은 아니다.The electrode substrate material for an organic device of the present disclosure will be described in more detail using examples. The following examples are illustrative and are not intended to limit the present invention.

<평활성 평가><Smoothness evaluation>

유기 디바이스용 전극 기판 재료의 평활성 평가는, NIKON CORP.제 초고분해능 비접촉 3차원 표면형상 계측시스템 BW-D500을 이용하여 2.2㎜×2.2㎜의 시야로 표면의 요철 형상을 관찰하고, 면 내의 최대 크기 Sz를 측정하였다. JIS-B0601-2001로 정의되는 최대 크기 Rz를, 관찰된 표면 전체에 대해 적용할 수 있도록 3차원으로 확장하여 산출된 값이다. 평활성이 Sz 200㎚ 이하인 것을 양호(○), 200㎚를 초과하는 것을 불량(×)으로 하였다.To evaluate the smoothness of the electrode substrate material for organic devices, use the ultra-high resolution non-contact three-dimensional surface shape measurement system BW-D500 manufactured by NIKON CORP. Sz was measured. It is a value calculated by expanding the maximum size Rz defined by JIS-B0601-2001 in three dimensions so that it can be applied to the entire observed surface. Those having a smoothness of 200 nm or less in Sz were regarded as good (circle), and those having a smoothness exceeding 200 nm were regarded as poor (x).

<수증기 배리어성 평가><Water vapor barrier evaluation>

유기 디바이스용 전극 기판 재료의 수증기 배리어성 평가는, JIS K 7129-7:2016로 정의되는 수증기 투과도이다. 증착된 금속 칼슘 상에 시료를 설치하고, 40℃ 90% 환경 하에서 100시간 경과 후, 부식된 칼슘 면적으로 계산함으로써 산출하였다.The water vapor barrier property evaluation of the electrode substrate material for organic devices is the water vapor transmission rate defined in JIS K 7129-7:2016. A sample was placed on the deposited metal calcium, and after 100 hours elapsed in a 40°C 90% environment, it was calculated by calculating the corroded calcium area.

<표면 저항 평가><surface resistance evaluation>

유기 디바이스용 전극 기판 재료의 표면 저항은, 50㎜×50㎜ 시료의 대각선 상에 있는 2개의 점 사이의 저항값을 저항계(SANWA ELECTRIC INSTRUMENT사제, RD701 DIGITALMULTIMETER)를 이용한 측정으로 구하였다. 표면 저항이 10Ω/㎠ 이하인 것을 양호(○), 10Ω/㎠를 초과하는 것을 불량(×)으로 하였다.The surface resistance of the electrode substrate material for organic devices was determined by measuring the resistance value between two points on a diagonal of a 50 mm x 50 mm sample using an ohmmeter (manufactured by SANWA ELECTRIC INSTRUMENT, RD701 DIGITALMULTIMETER). Those having a surface resistance of 10 Ω/cm 2 or less were regarded as good ((circle)), and those having a surface resistance exceeding 10 Ω/cm 2 were regarded as bad (x).

<유연성 평가><Flexibility evaluation>

대상 시료의 굴곡 시험 전후의 표면 저항을 측정하여, 표면 저항의 저하율을 구하였다. 굴곡 시험은, 도막 굴곡 시험기를 이용하여, 10mmφ 맨드릴(mandrel)로 50회 실시하였다. 표면 저항의 저하율이 5% 이하인 것을 유연성이 양호(○), 5%를 초과하는 것을 불량(×)으로 하였다.The surface resistance before and after the bending test of the target sample was measured, and the reduction rate of the surface resistance was determined. The bending test was carried out 50 times with a 10 mmφ mandrel using a coating film bending tester. When the reduction rate of the surface resistance was 5% or less, the flexibility was good ((circle)), and the thing exceeding 5% was made into defect (x).

(실시예 1)(Example 1)

3㎝×3㎝, 두께 15㎛(산술 평균조도(Ra) : 7㎚)의 알루미늄박(Toyo Aluminium K.K.제, 1N30)의 한쪽 표면(주면)에 난부착성 접착제를 도포하고, 100℃에서 건조시킨 후, 이 접착제쪽 도포면에 기재를 접합시키고, 50℃에서 4일간 에이징 처리하였다. 기재는 두께 38㎛의 PET 필름(TEIJIN Film Solution사제)으로 하였다.A non-adhesive adhesive was applied to one surface (main surface) of an aluminum foil (manufactured by Toyo Aluminum KK, 1N30) of 3cm×3cm, thickness 15㎛ (arithmetic mean roughness (Ra): 7nm), and dried at 100℃ After that, the substrate was bonded to the coated surface on the adhesive side, followed by aging treatment at 50°C for 4 days. The substrate was a PET film (manufactured by TEIJIN Film Solution) having a thickness of 38 μm.

다음으로, 알루미늄박 뒷면에, 두께 15㎛의 알칼리 현상형 드라이필름 레지스트를 접합시키고, 메쉬 형상 포토마스크를 이용하여 자외선(UV)으로 노광, 현상하고, 드라이필름 레지스트가 남아 있지 않은 부분을 염화철(II)수용액으로 에칭하여, 도체층을 형성하였다. 도체층의 선폭은 75㎛이고, 피치가 1500㎛인 격자형으로 하며, 배선 밀도는 10%로 하였다.Next, on the back side of the aluminum foil, an alkali developing dry film resist with a thickness of 15 μm was bonded, exposed and developed with ultraviolet rays (UV) using a mesh-shaped photomask, and iron chloride ( II) By etching with an aqueous solution, a conductor layer was formed. The conductor layer had a line width of 75 µm and a grid shape with a pitch of 1500 µm, and a wiring density of 10%.

다음으로, 알루미늄박이 에칭에 의해 제거된 부분 및 잔존하는 부분 양쪽에, 플라즈마CVD법을 이용하여 SiN막을 150㎚ 제막한 후, 원자층 증착법에 의해 Al2O3막을 20㎚ 제막하여 가스배리어층을 형성하였다.Next, a 150 nm SiN film was formed on both the portion where the aluminum foil was removed by etching and the portion remaining by the plasma CVD method, and then an Al 2 O 3 film of 20 nm was formed by the atomic layer deposition method to form a gas barrier layer. Formed.

다음으로, 형성한 가스배리어층 표면에 파장 400~800㎚에서의 투과율 평균값이 90%인 에폭시 수지를, 접착제 상에 가스배리어층이 형성된 면으로부터의 막 두께가 20㎛가 되면서 도체층의 요철이 매립되도록 도공 처리하여, 평탄화층을 형성하였다. 평탄화층 표면에는, 투명지지체로서 두께 30㎛의, 시판되는 반사 방지 필름을 접합시켜, 100℃에서 건조시켰다. 그 후, 기재를 박리하여, 유기 디바이스용 전극 기판 재료로 하였다.Next, apply an epoxy resin having an average transmittance of 90% at a wavelength of 400 to 800 nm on the surface of the formed gas barrier layer, and the film thickness from the surface on which the gas barrier layer is formed on the adhesive becomes 20 µm. Coating treatment was performed so as to be buried, and a planarization layer was formed. On the surface of the planarization layer, a commercially available antireflection film having a thickness of 30 μm was bonded as a transparent support, and dried at 100°C. Thereafter, the substrate was peeled off to obtain an electrode substrate material for organic devices.

얻어진 유기 디바이스용 전극 기판 재료의 평활성은 Rz 127㎚이고, 수증기 배리어성은 10-5g/㎡/day 이하이고, 표면 저항은 0.02Ω/㎠이며, 굴곡 시험 후의 표면 저항은 변화하지 않았다.The obtained electrode substrate material for organic devices had a smoothness of Rz of 127 nm, a water vapor barrier property of 10 -5 g/m 2 /day or less, a surface resistance of 0.02 Ω/cm 2, and the surface resistance after the bending test did not change.

대상 시료를 양극으로 하는 OLED를 형성하였다. 소자는 다음과 같이 하여 형성하였다. 먼저, 대상 시료에 폴리에틸렌디옥시티오펜-폴리스티렌술포네이트(PEDOT/PSS, sigma aldrich사제)를 스핀코터(MIKASA사제, SpinCoater MS-A150)를 이용하여 3000rpm으로 스핀 코팅하고, 대기 중에서 건조시켰다. 이어서, 폴리[(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일)-co-(4,4'-(N-(4-sec-부틸페닐))디페닐아민)](Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)]:TFB, sigma aldrich사제)를 톨루엔에 용해시킨 것을 3000rpm으로 스핀 코팅하고, 질소 분위기에서 건조시켰다. 그 후, 폴리(9,9-디옥틸플루오린-alt-벤조티아디아졸)(F8BT, sigma aldrich사제)를 톨루엔에 용해시킨 것을 2000rpm으로 스핀 코팅하였다. 다음으로, 플루오린화 리튬을 진공 증착 장치(JEOL사제, JEE-4X)를 이용하여 진공 증착하고, 추가로 양극으로서 알루미늄을 진공 증착하였다.An OLED using the target sample as an anode was formed. The device was formed as follows. First, polyethylenedioxythiophene-polystyrenesulfonate (PEDOT/PSS, manufactured by Sigma Aldrich) was spin-coated at 3000 rpm using a spin coater (manufactured by MIKASA, SpinCoater MS-A150), and dried in the air. Then, poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl))diphenylamine)](Poly[ (9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)]:TFB, manufactured by sigma aldrich) was dissolved in toluene at 3000 rpm. After spin-coating and drying in a nitrogen atmosphere, poly(9,9-dioctylfluorine-alt-benzothiadiazole) (F8BT, manufactured by Sigma Aldrich) was dissolved in toluene and spin-coated at 2000 rpm. Next, lithium fluoride was vacuum vapor-deposited using a vacuum vapor deposition apparatus (JEOL, JEE-4X), and further aluminum was vacuum vapor-deposited as an anode.

얻어진 소자에 7V의 전압을 인가하여 발광시키고, 전류·전압에 대한 휘도를 휘도계(KONICA MINOLTA사제, 색채휘도계 CS-200)를 이용하여 측정하여, 1A당 휘도를 발광 효율로서 구한 바, 0.9cd/A였다.A voltage of 7V was applied to the obtained device to emit light, and the luminance against current and voltage was measured using a luminance meter (manufactured by KONICA MINOLTA, color luminance meter CS-200), and the luminance per 1A was obtained as luminous efficiency. It was cd/A.

SUNENERGY CORP.제 UV/O3 세정개질장치 SKB401Y-02를 이용하여 파장 254㎚, 조도 10.0mW/㎠로 1분, 5분, 10분의 3가지 수준으로 유기 디바이스용 전극 기판 재료에 대해 자외선 오존 세정을 실시하고, 각각에 대해 JIS-K-6768-1999에서 정의되는 습윤장력시험방법(wetting tension test)으로 평가한 바, 1분에서는 63mN/m, 5분에서는 73mN/m, 10분에서는 73mN/m였다.Ultraviolet ozone for electrode substrate materials for organic devices at three levels of 1 minute, 5 minutes, and 10 minutes at wavelength 254 nm and illuminance 10.0 mW/cm 2 using SUNENERGY CORP's UV/O 3 cleaning and reforming device SKB401Y-02. Washing was performed, and each was evaluated by the wetting tension test method defined in JIS-K-6768-1999. 63 mN/m for 1 minute, 73 mN/m for 5 minutes, and 73 mN for 10 minutes. It was /m.

(실시예 2)(Example 2)

알루미늄박을 두께가 15㎛의 구리박(순도 99.96%)으로 하고, 에폭시 수지를 아크릴 수지로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하였다.It was carried out in the same manner as in Example 1 except that the aluminum foil was used as a copper foil having a thickness of 15 μm (purity 99.96%) and the epoxy resin was used as an acrylic resin.

얻어진 유기 디바이스용 전극 기판 재료의 평활성은 Rz 72㎚이고, 수증기 배리어성은 10-5g/㎡/day 이하이고, 표면 저항은 0.01Ω/㎠이며, 굴곡 시험 후의 표면 저항은 변화하지 않았다.The obtained electrode substrate material for organic devices had a smoothness of Rz of 72 nm, a water vapor barrier property of 10 -5 g/m 2 /day or less, a surface resistance of 0.01 Ω/cm 2, and the surface resistance after the bending test did not change.

또한, 실시예 1과 마찬가지로 대상 시료를 양극으로 하는 OLED를 형성하고, 발광 효율을 측정한 바, 1.4cd/A였다. 실시예 1과 마찬가지로 자외선 오존 세정 후의 습윤장력을 평가한 바, 1분에서는 67mN/m, 5분에서는 73mN/m, 10분에서는 73mN/m였다.In the same manner as in Example 1, an OLED using the target sample as an anode was formed, and the luminous efficiency was measured, and it was 1.4 cd/A. In the same manner as in Example 1, the wetting tension after ultraviolet ozone washing was evaluated, and it was 67 mN/m in 1 minute, 73 mN/m in 5 minutes, and 73 mN/m in 10 minutes.

(실시예 3)(Example 3)

도전층의 선폭을 100㎛로 하고, 피치가 2000㎛이며 배선 밀도를 9%로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하였다.It was carried out in the same manner as in Example 1 except that the line width of the conductive layer was set to 100 µm, the pitch was set to 2000 µm, and the wiring density was set to 9%.

얻어진 유기 디바이스용 전극 기판 재료의 평활성은 Rz 158㎚이고, 수증기 배리어성은 10-5g/㎡/day 이하이고, 표면 저항은 0.01Ω/㎠이며, 굴곡 시험 후의 표면 저항은 변화하지 않았다.The obtained electrode substrate material for organic devices had a smoothness of Rz 158 nm, a water vapor barrier property of 10 -5 g/m 2 /day or less, a surface resistance of 0.01 Ω/cm 2, and the surface resistance after the bending test did not change.

또한, 실시예 1과 마찬가지로 대상 시료를 양극으로 하는 OLED를 형성하고, 발광 효율을 측정한 바, 1.0cd/A였다. 실시예 1과 마찬가지로 자외선 오존 세정 후의 습윤장력을 평가한 바, 1분에서는 63mN/m, 5분에서는 73mN/m, 10분에서는 73mN/m였다.Further, in the same manner as in Example 1, when an OLED using the target sample as an anode was formed, and the luminous efficiency was measured, it was 1.0 cd/A. In the same manner as in Example 1, the wet tension after ultraviolet ozone washing was evaluated, and it was 63 mN/m in 1 minute, 73 mN/m in 5 minutes, and 73 mN/m in 10 minutes.

(실시예 4)(Example 4)

가스배리어층을 형성하지 않고, 즉 알루미늄박이 에칭에 의해 제거된 부분 및 도체층이 있는 면에 직접 에폭시 수지를 충전한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 유기 디바이스용 전극 기판 재료를 얻었다.An electrode substrate material for an organic device was obtained in the same manner as in Example 1, except that the gas barrier layer was not formed, that is, the portion where the aluminum foil was removed by etching and the surface with the conductor layer was directly filled with an epoxy resin.

얻어진 유기 디바이스용 전극 기판 재료의 평활성은 Rz 127㎚이고, 표면 저항은 0.02Ω/㎠이며, 굴곡 시험 후의 표면 저항은 변화하지 않았다. 수증기 배리어성은 5.68g/㎡/day였다.The obtained electrode substrate material for organic devices had a smoothness of Rz of 127 nm, a surface resistance of 0.02 Ω/cm 2, and the surface resistance after the bending test did not change. The water vapor barrier property was 5.68 g/m 2 /day.

실시예 1과 마찬가지로 대상 시료를 양극으로 하는 OLED를 형성하고, 발광 효율을 측정한 바, 0.9cd/A였다. 실시예 1과 마찬가지로 자외선 오존 세정 후의 습윤장력을 평가한 바, 1분에서는 68mN/m, 5분에서는 68mN/m, 10분에서는 73mN/m였다.In the same manner as in Example 1, an OLED using the target sample as an anode was formed, and the luminous efficiency was measured, and it was 0.9 cd/A. In the same manner as in Example 1, the wet tension after ultraviolet ozone washing was evaluated, and it was 68 mN/m in 1 minute, 68 mN/m in 5 minutes, and 73 mN/m in 10 minutes.

(실시예 5)(Example 5)

가스배리어층을 형성하지 않고, 즉 알루미늄박이 에칭에 의해 제거된 부분 및 도체층이 있는 면에 직접 에폭시 수지를 충전하고, 투명지지체를 두께 75㎛로 수증기 투과율이 4×10-4g/㎡/day인 시판의 가스배리어필름으로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 유기 디바이스용 전극 기판 재료를 얻었다.Without forming a gas barrier layer, i.e., the part where the aluminum foil was removed by etching and the surface with the conductor layer, the epoxy resin was directly filled, and the transparent support had a thickness of 75 µm and a water vapor transmission rate of 4×10 -4 g/m 2 / An electrode substrate material for an organic device was obtained in the same manner as in Example 1, except for using a daily commercial gas barrier film.

얻어진 유기 디바이스용 전극 기판 재료의 평활성은 Rz 142㎚이고, 표면 저항은 0.02Ω/㎠이며, 굴곡 시험 후의 표면 저항은 변화하지 않았다. 수증기 배리어성은 3×10-2g/㎡/day였다.The smoothness of the obtained electrode substrate material for organic devices was Rz 142 nm, the surface resistance was 0.02 Ω/cm 2, and the surface resistance after the bending test did not change. The water vapor barrier property was 3×10 -2 g/m 2 /day.

실시예 1과 마찬가지로 대상 시료를 양극으로 하는 OLED를 형성하고, 발광 효율을 측정한 바, 0.5cd/A였다. 실시예 1과 마찬가지로 자외선 오존 세정 후의 습윤장력을 평가한 바, 1분에서는 66mN/m, 5분에서는 73mN/m, 10분에서는 73mN/m였다.In the same manner as in Example 1, an OLED using the target sample as an anode was formed, and the luminous efficiency was measured, and it was 0.5 cd/A. In the same manner as in Example 1, the wet tension after ultraviolet ozone washing was evaluated, and it was 66 mN/m in 1 minute, 73 mN/m in 5 minutes, and 73 mN/m in 10 minutes.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

유리 기판 상에 인듐 주석 산화물(ITO)을 스퍼터링법으로 155㎚의 막 두께로 적층시킴으로써, 유기 디바이스용 전극 기판 재료를 얻었다.An electrode substrate material for organic devices was obtained by laminating indium tin oxide (ITO) to a film thickness of 155 nm by sputtering on a glass substrate.

얻어진 유기 디바이스용 전극 기판 재료의 평활성은 Rz : 17㎚이고, 수증기 배리어성은 10-5g/㎡/day 이하였으나, 표면 저항은 0.68Ω/㎠이고, 약간만 구부려도 유리 기판이 깨졌다.The obtained electrode substrate material for organic devices had a smoothness of Rz: 17 nm and a water vapor barrier property of 10 -5 g/m 2 /day or less, but the surface resistance was 0.68 Ω/cm 2 and the glass substrate was broken even when slightly bent.

또한, 실시예 1과 마찬가지로 대상 시료를 양극으로 하는 OLED를 형성하고, 발광 효율을 측정한 바, 5.2cd/A였다. 실시예 1과 마찬가지로 자외선 오존 세정 후의 습윤장력을 평가한 바, 1분에서는 48mN/m, 5분에서는 61mN/m, 10분에서는 67mN/m였다.In the same manner as in Example 1, an OLED using the target sample as an anode was formed, and the luminous efficiency was measured, and it was 5.2 cd/A. In the same manner as in Example 1, the wet tension after ultraviolet ozone washing was evaluated, and it was 48 mN/m in 1 minute, 61 mN/m in 5 minutes, and 67 mN/m in 10 minutes.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

두께 75㎛이며 수증기 투과율이 4×10-4g/㎡/day인 시판되는 가스배리어필름에 인듐 주석 산화물(ITO)을 스퍼터링법으로 120㎚의 막 두께로 적층시킴으로써, 유기 디바이스용 전극 기판 재료를 얻었다.Indium tin oxide (ITO) was laminated to a film thickness of 120 nm by sputtering on a commercially available gas barrier film having a thickness of 75 μm and a water vapor transmittance of 4×10 -4 g/m 2 /day, thereby forming an electrode substrate material for an organic device. Got it.

얻어진 유기 디바이스용 전극 기판 재료의 평활성은 Rz : 58㎚이고, 수증기 배리어성은 1×10-4g/㎡/day였으나, 표면 저항은 9.40Ω/㎠이고, 굴곡 시험 후의 저항값은 2296.00Ω/㎠으로, 급격히 증가하였다.The obtained electrode substrate material for organic devices had a smoothness of Rz: 58 nm and a water vapor barrier property of 1×10 -4 g/m 2 /day, but the surface resistance was 9.40 Ω/cm 2, and the resistance value after the bending test was 2296.00 Ω/cm 2 As, it increased rapidly.

또한, 실시예 1과 마찬가지로 대상 시료를 양극으로 하는 OLED를 형성하였으나 발광하지 않았다. 실시예 1과 마찬가지로 자외선 오존 세정 후의 습윤장력을 평가한 바, 1분에서는 52mN/m, 5분에서는 58mN/m, 10분에서는 62mN/m였다.In addition, as in Example 1, an OLED using the target sample as an anode was formed, but did not emit light. In the same manner as in Example 1, the wet tension after ultraviolet ozone washing was evaluated, and it was 52 mN/m in 1 minute, 58 mN/m in 5 minutes, and 62 mN/m in 10 minutes.

필름 상에서 제막한 ITO막의 결정성이 나쁘고, 표면 저항이 커졌다. 필름이므로 굽힐 수는 있으나, 작은 곡률 반경으로 굽히면 ITO막에 크랙이 발생하고 저항이 증대되었다. 또한, 습윤장력을 향상시키기 위해, 긴 전처리 시간이 필요하였다.The crystallinity of the ITO film formed on the film was poor, and the surface resistance increased. Since it is a film, it can be bent, but when it is bent with a small radius of curvature, cracks occur in the ITO film and resistance is increased. In addition, in order to improve the wet tension, a long pretreatment time was required.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

3㎝×3㎝, 두께 15㎛(Ra : 7㎚)의 알루미늄박(Toyo Aluminium K.K.제, 1N30)의 한쪽 표면(주면)에 시판되는 아크릴계 접착제를 도포하고, 이 접착제쪽의 도포면에 두께 75㎛이며 수증기 투과율이 4×10-4g/㎡/day인 시판되는 가스배리어필름을 접합시켰다.Apply a commercially available acrylic adhesive to one surface (main surface) of an aluminum foil (manufactured by Toyo Aluminum KK, 1N30) with a thickness of 3 cm x 3 cm and a thickness of 15 μm (Ra: 7 nm), and a thickness of 75 μm on the coated surface of the adhesive side And a commercially available gas barrier film having a water vapor transmittance of 4×10 -4 g/m 2 /day was bonded.

다음으로, 알루미늄박 뒷면에, 시판되는 드라이필름을 접합시키고, 메쉬 형상 포토마스크를 이용하여 자외선 조건 하에서 노광, 현상하고, 드라이필름이 남아 있지 않은 부분을 염화철(II)수용액으로 에칭함으로써 세선을 형성하고, 수산화나트륨 수용액으로 드라이필름을 박리함으로써 OLED용 표면전극 재료를 얻었다.Next, a commercially available dry film is bonded to the back side of the aluminum foil, exposed and developed under ultraviolet conditions using a mesh-shaped photomask, and the portion where the dry film is not left is etched with an aqueous iron (II) chloride solution to form a fine wire. Then, the dry film was peeled off with an aqueous sodium hydroxide solution to obtain a surface electrode material for OLED.

얻어진 유기 디바이스용 전극 기판 재료의 수증기 배리어성은 4×10-4g/㎡/day였으나, 표면 저항은 0.04Ω/㎠이며, 굴곡 시험 후의 저항값은 변화하지 않았으나, 평활성은 Rz : 1621㎚였다.The water vapor barrier property of the obtained electrode substrate material for organic devices was 4×10 -4 g/m 2 /day, the surface resistance was 0.04 Ω/cm 2, and the resistance value after the bending test did not change, but the smoothness was Rz:1621 nm.

실시예 1과 마찬가지로 대상 시료를 양극으로 하는 OLED를 형성하였으나 발광하지 않았다. 실시예 1과 마찬가지로 자외선 오존 세정 후의 습윤장력을 평가한 바, 1분에서는 70mN/m, 5분에서는 73mN/m, 10분에서는 73mN/m였다.As in Example 1, an OLED using the target sample as an anode was formed, but it did not emit light. In the same manner as in Example 1, the wet tension after ultraviolet ozone washing was evaluated, and it was 70 mN/m in 1 minute, 73 mN/m in 5 minutes, and 73 mN/m in 10 minutes.

알루미늄박으로 도체층을 형성하였으므로, 표면 저항 및 유연성 등에 문제는 없었으나, 평탄화층을 형성하지 않았기 때문에 단차가 발생하여, 평활성이 좋지 않았다.Since the conductor layer was formed of aluminum foil, there were no problems such as surface resistance and flexibility, but since the planarization layer was not formed, a step was generated and the smoothness was not good.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

두께 75㎛이며 수증기 투과율이 4×10-4g/㎡/day의 시판되는 가스배리어 필름에 알루미늄을 증착시켜, 두께 300㎚의 알루미늄 증착막을 형성하였다. 다음으로, 알루미늄 증착막 표면에 시판되는 드라이필름을 접합시키고, 메쉬 형상 포토마스크를 이용하여 자외선으로 노광, 현상하고, 드라이필름이 남아 있지 않은 부분을 염화철(II)수용액으로 에칭하고, 패터닝하였다. 그 후, 수산화나트륨 수용액을 이용하여 드라이필름을 박리함으로써, 유기 디바이스용 전극 기판 재료를 얻었다.Aluminum was deposited on a commercially available gas barrier film having a thickness of 75 µm and a water vapor transmittance of 4×10 -4 g/m 2 /day to form an aluminum vapor deposition film having a thickness of 300 nm. Next, a commercially available dry film was bonded to the surface of the aluminum deposition film, exposed and developed with ultraviolet rays using a mesh-shaped photomask, and the portion where the dry film was not left was etched with an aqueous iron (II) chloride solution, followed by patterning. Thereafter, the dry film was peeled off using an aqueous sodium hydroxide solution to obtain an electrode substrate material for organic devices.

얻어진 유기 디바이스용 전극 기판 재료의 수증기 배리어성은 4×10-4g/㎡/day이며, 표면 저항은 0.42Ω/㎠였으나, 굴곡 시험 후의 저항값은 12.6Ω/㎠로 증가해버렸을 뿐만아니라, 평활성은 Rz : 343㎚였다.The water vapor barrier property of the obtained electrode substrate material for organic devices was 4×10 -4 g/m 2 /day, and the surface resistance was 0.42 Ω/cm 2, but the resistance value after the bending test increased to 12.6 Ω/cm 2 and smoothness. Was Rz: 343 nm.

실시예 1과 마찬가지로 대상 시료를 양극으로 하는 OLED를 형성하였으나 발광하지 않았다. 실시예 1과 마찬가지로 자외선 오존 세정 후의 습윤장력을 평가한 바, 1분에서는 50mN/m, 5분에서는 73mN/m, 10분에서는 73mN/m였다.As in Example 1, an OLED using the target sample as an anode was formed, but it did not emit light. In the same manner as in Example 1, the wet tension after ultraviolet ozone washing was evaluated, and it was 50 mN/m in 1 minute, 73 mN/m in 5 minutes, and 73 mN/m in 10 minutes.

도체층을 알루미늄 증착막에 의해 형성하였기 때문에, 50회 굴곡 시험 후에 도체층에 크랙이 발생하였고, 표면 저항이 증대되었다. 또한, 도체층에 의한 단차가 발생했기 때문에 평활성이 좋지 않았다.Since the conductor layer was formed by an aluminum vapor deposition film, cracks occurred in the conductor layer after 50 bending tests, and surface resistance increased. In addition, the smoothness was not good because a level difference occurred due to the conductor layer.

표 1에 각 실시예 및 비교예의 결과를 정리하여 나타낸다.Table 1 summarizes the results of each Example and Comparative Example.

[표 1][Table 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

본 개시의 유기 디바이스용 전극 기판 재료는, 높은 평활성, 가스배리어성, 광선투과율, 낮은 표면 저항 및 높은 유연성과, 도포 공정에서의 전처리의 단시간화를 실현시킬 수 있어, 유기 디바이스용 전극 재료로서 유용하다.The electrode substrate material for organic devices of the present disclosure can realize high smoothness, gas barrier properties, light transmittance, low surface resistance and high flexibility, and shorten the pretreatment in the coating process, and is useful as an electrode material for organic devices. Do.

100 : 유기 디바이스용 전극 기판 재료 101 : 도체층
102 : 평탄화층 103 : 가스배리어층
104 : 투명수지층 105 : 투명지지체
106 : 보호층 111 : 제 1 면
112 : 제 2 면 121 : 기반패턴
122 : 주변패턴 122A : 제 1 주변패턴
122B : 제 2 주변패턴 123 : 전극
124 : 단자 200 : OLED
201 : 발광층 202 : 전극
203 : 전극 301 : 기재
302 : 금속박
100: electrode substrate material for organic devices 101: conductor layer
102: planarization layer 103: gas barrier layer
104: transparent resin layer 105: transparent support
106: protective layer 111: first surface
112: second side 121: base pattern
122: peripheral pattern 122A: first peripheral pattern
122B: second peripheral pattern 123: electrode
124: terminal 200: OLED
201: light-emitting layer 202: electrode
203: electrode 301: substrate
302: metal foil

Claims (10)

패터닝된 금속박으로 이루어지는 도체층과,
상기 도체층 주위에 형성된 평탄화층을 구비하고,
제 1 면에서, 상기 도체층의 표면은 상기 평탄화층으로부터 노출되며, 또 상기 도체층의 표면과 상기 평탄화층의 표면은, 연속된 평탄면을 형성하는, 유기 디바이스용 전극 기판 재료.
A conductor layer made of patterned metal foil,
It has a planarization layer formed around the conductor layer,
In the first surface, the surface of the conductor layer is exposed from the planarization layer, and the surface of the conductor layer and the surface of the planarization layer form a continuous flat surface.
제 1 항에 있어서,
상기 도체층은, 선폭이 20㎛ 이상, 200㎛ 이하인 패턴을 형성하고, 상기 제 1 면의 단위면적당 상기 도체층의 밀도는 15% 이하인, 유기 디바이스용 전극 기판 재료.
The method of claim 1,
An electrode substrate material for an organic device, wherein the conductor layer forms a pattern having a line width of 20 µm or more and 200 µm or less, and the density of the conductor layer per unit area of the first surface is 15% or less.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 평탄화층은, 가스배리어층과 투명수지층을 포함하고,
상기 가스배리어층의 표면과 상기 도체층의 노출된 표면은 연속된 평활면을 형성하는, 유기 디바이스용 전극 기판 재료.
The method according to claim 1 or 2,
The planarization layer includes a gas barrier layer and a transparent resin layer,
The electrode substrate material for an organic device, wherein the surface of the gas barrier layer and the exposed surface of the conductor layer form a continuous smooth surface.
제 3 항에 있어서,
상기 가스배리어층은, 알루미늄 및 산소를 주성분으로 하는 층, 그리고 실리콘과, 질소, 산소 및 탄소 중 적어도 하나를 주성분으로 하는 층 중 적어도 한쪽을 포함하며, 두께가 20㎚ 이상인, 유기 디바이스용 전극 기판 재료.
The method of claim 3,
The gas barrier layer includes at least one of a layer mainly containing aluminum and oxygen, and a layer containing at least one of silicon, nitrogen, oxygen, and carbon as a main component, and having a thickness of 20 nm or more, an electrode substrate for an organic device material.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 평탄화층은, 파장 400㎚~800㎚의 광 투과율이 85% 이상인, 유기 디바이스용 전극 기판 재료.
The method according to any one of claims 1 to 4,
The planarization layer is an electrode substrate material for an organic device having a light transmittance of 85% or more at a wavelength of 400 nm to 800 nm.
제 5 항에 있어서,
상기 평탄화층은, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 아크릴, 폴리염화비닐(PVC), 플루오로 수지, 인듐 주석 산화물(ITO), 및 폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술폰산(PEDOT/PSS) 중 1종 또는 2종 이상인, 유기 디바이스용 전극 기판 재료.
The method of claim 5,
The planarization layer is polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP), polyethylene (PE), polystyrene (PS), polycarbonate (PC), acrylic, polyvinyl chloride (PVC), fluoro resin, indium tin oxide. (ITO), and one or two or more of polyethylenedioxythiophene/polystyrenesulfonic acid (PEDOT/PSS), an electrode substrate material for organic devices.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도체층은, 기반패턴과, 기반패턴 바깥쪽에 형성되고, 외부장치와 접속 가능한 주변패턴을 포함하는, 유기 디바이스용 전극 기판 재료.
The method according to any one of claims 1 to 6,
The conductor layer includes a base pattern and a peripheral pattern formed outside the base pattern and connectable to an external device.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도체층은, 두께 6㎛ 이상, 30㎛ 이하의 알루미늄박인, 유기 디바이스용 전극 기판 재료.
The method according to any one of claims 1 to 7,
The said conductor layer is an aluminum foil of 6 micrometers or more and 30 micrometers or less in thickness, The electrode substrate material for organic devices.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 면과는 반대쪽의 제 2 면에서, 상기 도체층의 표면은 상기 평탄화층으로부터 노출되는, 유기 디바이스용 전극 기판 재료.
The method according to any one of claims 1 to 8,
An electrode substrate material for an organic device, wherein on a second surface opposite to the first surface, the surface of the conductor layer is exposed from the planarization layer.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 면과는 반대쪽의 제 2 면에서, 상기 도체층의 표면은 상기 평탄화층에 의해 피복되는, 유기 디바이스용 전극 기판 재료.
The method according to any one of claims 1 to 9,
An electrode substrate material for an organic device, wherein on a second surface opposite to the first surface, the surface of the conductor layer is covered by the planarization layer.
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