JPWO2019138863A1 - Electrode substrate material for organic devices - Google Patents
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Abstract
有機デバイス用電極基板材料は、パターン化された金属箔からなる導体層101と、導体層101の周囲に設けられた平坦化層102とを備えている。第1の面111において、導体層101の表面は平坦化層102から露出し、且つ導体層101の表面と、平坦化層102の表面とは、連続した平坦面を形成している。The electrode substrate material for an organic device includes a conductor layer 101 made of a patterned metal foil, and a flattening layer 102 provided around the conductor layer 101. In the first surface 111, the surface of the conductor layer 101 is exposed from the flattening layer 102, and the surface of the conductor layer 101 and the surface of the flattening layer 102 form a continuous flat surface.
Description
本開示は、有機デバイス用電極基板材料に関する。 The present disclosure relates to electrode substrate materials for organic devices.
近年、次世代照明器具の光源として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子が注目されている。有機EL素子は陽極と陰極の間に有機発光層を備え、有機発光層において正孔と電子とを再結合させ、この際に生じるエネルギーにより発光させる。また、次世代太陽電池デバイスとしてペロブスカイト型や色素増感型などの有機太陽電池が注目されている。有機太陽電池は陽極と陰極の間に光電変換層を備え、入射した太陽光によって励起された電子及び正孔を陽極と陰極から取り出すことによって発電する。 In recent years, organic electroluminescence (EL) elements have been attracting attention as a light source for next-generation lighting equipment. The organic EL element is provided with an organic light emitting layer between the anode and the cathode, holes and electrons are recombined in the organic light emitting layer, and light is emitted by the energy generated at this time. In addition, organic solar cells such as perovskite type and dye-sensitized type are attracting attention as next-generation solar cell devices. An organic solar cell has a photoelectric conversion layer between the anode and the cathode, and generates electricity by extracting electrons and holes excited by incident sunlight from the anode and the cathode.
これらのデバイスにおいては、有機発光層及び光電変換層等の有機機能層を製膜することができると共に、光を取り出したり、取り込んだりすることができる電極基板材料が求められている。 In these devices, there is a demand for an electrode substrate material capable of forming an organic functional layer such as an organic light emitting layer and a photoelectric conversion layer, and capable of taking out and taking in light.
電極基板材料には、有機機能層をピンホール等が生じないように製膜することができる平滑性、特に段差や突起が無いことが求められる。近年、有機EL素子及び有機太陽電池は大面積化が求められている。大面積の有機EL素子を均一に発光させるためには、デバイス全面に電力を供給できるようにすることが重要となる。大面積化した有機太陽電池においては、デバイス内で励起された電子及び正孔を効率よく輸送することが重要となる。このため、電極基板材料には低い表面抵抗が求められる。さらに、有機EL素子及び有機太陽電池は生産性を高めるためにロールツゥロールプロセスで生産されると共に、曲面に成型して使用できることが求められているため、電極基板材料には高いフレキシブル性も求められる。 The electrode substrate material is required to have smoothness that allows the organic functional layer to be formed so as not to cause pinholes, and particularly to have no steps or protrusions. In recent years, organic EL elements and organic solar cells are required to have a large area. In order to make a large-area organic EL element emit light uniformly, it is important to be able to supply electric power to the entire surface of the device. In an organic solar cell having a large area, it is important to efficiently transport the excited electrons and holes in the device. Therefore, the electrode substrate material is required to have a low surface resistance. Furthermore, since organic EL elements and organic solar cells are required to be produced by a roll-to-roll process in order to increase productivity and to be molded into a curved surface and used, high flexibility is also required for the electrode substrate material. Be done.
これらの要求を満たす、有機デバイス用電極基板材料の開発が進められている。例えば、ガラス基板にインジウムスズオキサイト(ITO)を積層させた有機デバイス用電極基板材料やガスバリアフィルムにインジウムスズオキサイト(ITO)を積層させた有機デバイス用電極基板材料が検討されている(例えば、特許文献1を参照。)。 Development of electrode substrate materials for organic devices that meet these requirements is underway. For example, an electrode substrate material for an organic device in which indium tin oxide (ITO) is laminated on a glass substrate and an electrode substrate material for an organic device in which indium tin oxide (ITO) is laminated on a gas barrier film are being studied (for example). , Patent Document 1).
さらに、ガスバリアフィルム等の上にメッシュ形状の金属蒸着膜を積層することにより形成した有機デバイス用電極基板材料も検討されている(例えば、特許文献2を参照。)。 Further, an electrode substrate material for an organic device formed by laminating a mesh-shaped metal vapor deposition film on a gas barrier film or the like has also been studied (see, for example, Patent Document 2).
しかしながら、ガラス基板にインジウムスズオキサイト(ITO)を積層させた有機デバイス用電極基板材料は、フレキシブル性が無いため曲げられずロールツーロールでの製造ができない。さらに塗布プロセスに適応するにはぬれ性を担保するための前処理に時間がかかる。 However, the electrode substrate material for an organic device in which indium tin oxide (ITO) is laminated on a glass substrate is not flexible and cannot be bent and cannot be manufactured by roll-to-roll. Furthermore, it takes time for pretreatment to ensure wettability in order to adapt to the coating process.
ガスバリアフィルム等の上にインジウムスズオキサイト(ITO)を積層した有機デバイス用電極基板材料は銀、アルミニウム又は銅等の金属と比べて表面抵抗がかなり高い。さらに曲げることはできるものの、曲げの曲率半径を小さくするとITO層にクラックが入り表面抵抗が増大する。 The electrode substrate material for organic devices in which indium tin oxide (ITO) is laminated on a gas barrier film or the like has considerably higher surface resistance than metals such as silver, aluminum or copper. Although it can be further bent, if the radius of curvature of the bend is reduced, the ITO layer is cracked and the surface resistance is increased.
一方、ガスバリアフィルム等の上に金属蒸着膜により有機デバイス用電極基板材料を形成すると、メッシュ形状の配線部分が段差となってしまう。また、曲げることはできるものの曲げの曲率半径が小さいと金属蒸着膜にクラックが入り表面抵抗が増大するので十分なフレキシブル性を得ることができない。 On the other hand, when the electrode substrate material for an organic device is formed on a gas barrier film or the like with a metal vapor deposition film, the mesh-shaped wiring portion becomes a step. Further, although it can be bent, if the radius of curvature of the bending is small, the metal vapor deposition film is cracked and the surface resistance is increased, so that sufficient flexibility cannot be obtained.
本開示の課題は、平滑性が高く、表面抵抗が低く、フレキシブル性が高い有機デバイス用電極基板材料を実現できるようにすることである。 An object of the present disclosure is to make it possible to realize an electrode substrate material for an organic device having high smoothness, low surface resistance, and high flexibility.
本開示の有機デバイス用電極基板材料の一態様は、パターン化された金属箔からなる導体層と、導体層の周囲に設けられた平坦化層とを備え、第1の面において、導体層の表面は平坦化層から露出し、且つ導体層の表面と、平坦化層の表面とは、連続した平坦面を形成している。 One aspect of the electrode substrate material for an organic device of the present disclosure includes a conductor layer made of a patterned metal foil and a flattening layer provided around the conductor layer, and in the first surface, the conductor layer The surface is exposed from the flattening layer, and the surface of the conductor layer and the surface of the flattening layer form a continuous flat surface.
有機デバイス用電極基板材料の一態様において、導体層は、線幅が20μm以上、200μm以下のパターンを形成し、第1の面における単位面積当たりの導体層の密度は15%以下とすることができる。 In one aspect of the electrode substrate material for an organic device, the conductor layer may form a pattern having a line width of 20 μm or more and 200 μm or less, and the density of the conductor layer per unit area on the first surface may be 15% or less. it can.
有機デバイス用電極基板材料の一態様において、平坦化層はガスバリア層と透明樹脂層とを含みさ、ガスバリア層の表面と導電層の露出した表面とは連続した平滑面を形成するようにできる。 In one aspect of the electrode substrate material for an organic device, the flattening layer includes a gas barrier layer and a transparent resin layer, and the surface of the gas barrier layer and the exposed surface of the conductive layer can form a continuous smooth surface.
有機デバイス用電極基板材料の一態様において、ガスバリア層は、アルミニウム及び酸素を主成分とする層並びにシリコンと、窒素、酸素及び炭素の少なくとも1つとを主成分とする層の少なくとも一方を含み、厚さが20nm以上とすることができる。 In one aspect of the electrode substrate material for an organic device, the gas barrier layer comprises at least one of a layer containing aluminum and oxygen as main components and a layer containing silicon and at least one of nitrogen, oxygen and carbon as main components, and the thickness thereof. The diameter can be 20 nm or more.
有機デバイス用電極基板材料の一態様において、平坦化層は、波長400nm〜800nmの光の透過率が85%以上とすることができる。 In one aspect of the electrode substrate material for an organic device, the flattening layer can have a light transmittance of 85% or more at a wavelength of 400 nm to 800 nm.
有機デバイス用電極基板材料の一態様において、透明樹脂層は、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、ポリスチレン(PS)、ポリカーボネート(PC)、アクリル、ポリ塩化ビニル(PVC)、フッ素樹脂、インジウムスズオキサイド(ITO)、及びポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(PEDOT/PSS)のうちの1種又は2種以上とすることができる。 In one aspect of the electrode substrate material for organic devices, the transparent resin layer is polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP), polyethylene (PE), polystyrene (PS), polycarbonate (PC), acrylic, polyvinyl chloride (PVC). , Fluororesin, indium tin oxide (ITO), and polyethylene dioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS), which may be one or more.
有機デバイス用電極基板材料の一態様において、導体層は、厚さ6μm以上、30μm以下のアルミニウム箔とすることができる。 In one aspect of the electrode substrate material for an organic device, the conductor layer can be an aluminum foil having a thickness of 6 μm or more and 30 μm or less.
有機デバイス用電極基板材料の一態様において、導体層は、基盤パターンと、基盤パターンの外側に設けられ、外部装置と接続可能な周辺パターンとを含んでいてもよい。 In one aspect of the electrode substrate material for organic devices, the conductor layer may include a substrate pattern and a peripheral pattern that is provided outside the substrate pattern and can be connected to an external device.
有機エレクトロルミネッセンス素子用表電極材料の一態様において、第1の面と反対側の第2の面において、導体層の表面は平坦化層から露出していてもよく、第2の面において、導体層の表面は平坦化層に覆われていてもよい。 In one aspect of the surface electrode material for an organic electroluminescence device, the surface of the conductor layer may be exposed from the flattening layer on the second surface opposite to the first surface, and on the second surface, the conductor. The surface of the layer may be covered with a flattening layer.
本開示の有機デバイス用電極基板材料によれば、高い平滑性、低い表面抵抗及び高いフレキシブル性を実現できる。 According to the electrode substrate material for an organic device of the present disclosure, high smoothness, low surface resistance and high flexibility can be realized.
本実施形態の有機デバイス用電極基板材料は、導体層101と平坦化層104とを有し、図1に示すような、有機EL素子200の陽極(表電極)202として用いることができる。有機EL素子200は、発光層201が陽極202と、陰極203との間に設けられている。発光層201において生じた光は、陽極202側から出力される。
The electrode substrate material for an organic device of the present embodiment has a
本実施形態において発光層201は、有機発光層に加えて、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、電荷閉込め層等を含めた、陰極203と陽極202との間に蒸着又は塗布等によって形成された層全体を意味する。
In the present embodiment, the
図2及び図3に示すように、本実施形態の有機デバイス用電極基板材料100は、パターン化された金属箔からなる導体層101と、導体層101の周囲に設けられた平坦化層104とを備えている。第1の面111において、導体層101の表面は平坦化層104から露出し、且つ導体層101の表面と、平坦化層104の表面とは、連続した平坦面を形成している。このため、第1の面に有機機能層等を容易に成膜することができる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
本実施形態の有機デバイス用電極基板材料は表面が金属箔からなる導体層101と平坦化層102とからなり、ITO層が存在しないため、塗れ性を容易に向上できる。従って、塗布法によって有機デバイスを製造する際、UVオゾン洗浄などの前処理の時間を短縮できるという利点も得られる。
The electrode substrate material for an organic device of the present embodiment is composed of a
<導体層>
本実施形態の導体層101は、所定形状にパターン化された金属箔からなる。金属箔からなる導体層101は、金属蒸着膜等からなる導体層と異なり、折り曲げても断線しにくいために、十分なフレキシブル性を実現することができる。導体層101は、有機デバイス用電極基板材料100が有機デバイスの電極202として用いられた際に、有機EL素子の発光層201と当接し、発光層201に電圧を印加する。<Conductor layer>
The
導体層101として用いる金属箔は特に限定されず、例えばアルミニウム箔、銅箔、金箔、又は銀箔等とすることができる。中でも、軽量で、深部の酸化が生じにくく、且つ光反射性が高いアルミニウム箔が好ましい。
The metal foil used as the
また、導体層101として用いる金属箔は、表面にめっき又は蒸着等により形成された、ニッケル、銅、銀、白金、及び金等の少なくとも1種からなる金属薄膜を有していてもよい。
Further, the metal foil used as the
導体層101のパターンは、有機デバイス用電極基板材料100に必要な特性に応じて設計することができる。例えば、格子状、網目状、螺旋状、縞状、蛇行形状、及びその他の不定形状等、有機デバイスの電極として採用されている既知の表電極パターンを採用することができる。
The pattern of the
導体層101のパターンは、図4に示すように、有機デバイスの一方の電極となる基盤パターン121だけでなく、基盤パターン121の外側に設けられた周辺パターン122を含むことができる。周辺パターン122は、基盤パターンと端子124とを接続する第1の周辺パターン122Aと有機デバイスの基盤パターン121と反対側の面に設けられた電極123と端子124とを接続する第2の周辺パターン122Bとを含むことができる。端子124は、外部装置等と接続することができる。また、端子124を介さずに、周辺パターン122を直接外部装置等と接続することもできる。外部装置は、例えば有機デバイスに電力を供給する電力供給部等とすることができる。
As shown in FIG. 4, the pattern of the
導体層101の厚さは特に限定されないが、フレキシブル性を確保する観点及び表面抵抗を低減する観点から6μm以上が好ましい。また、光透過率を向上させる観点から、30μm以下が好ましい。
The thickness of the
導体層101の線幅は特に限定されないが、表面抵抗を低減する観点から20μm以上が好ましく、発光ムラを低減する観点から200μm以下が好ましい。光透過性を確保する観点から、第1の面111における単位面積当たりの導体層の密度は15%以下であることが好ましい。
The line width of the
<平坦化層>
平坦化層102は、パターン化された導体層101の開口部を埋めるように、導体層101の周囲に設けられている。少なくとも第1の面111において、平坦化層102は導体層101を覆っておらず、導体層101の表面が露出している。<Flat layer>
The
少なくとも第1の面111において、導体層101の表面と、平坦化層102の表面とは、連続した平坦面を形成している。具体的には、導体層101の表面と、平坦化層102の表面とが、その境界部分に段差が無い連続面となっていると共に、第1の面111全体として平坦面になっている。第1の面111がこのような連続した平坦面となっているため、本実施形態の有機デバイス用電極基板材料の表面には、均一な発光層201を成膜することができる。なお、第1の面111は、発光層201の全面と密着すればよいが、導体層101の表面と、平坦化層102の表面との境界におけるレベルの差は、好ましくは300nm以下である。
At least on the
平坦化層102は目視において透明であればよいが、波長400nm〜800nmの透過率が85%以上であることが好ましい。平坦化層の透過率をこの範囲とすることにより、発光効率を向上させることもできる。
The
平坦化層102は透明にできれば、その組成は限定されない。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、ポリスチレン(PS)、ポリカーボネート(PC)、アクリル、ポリ塩化ビニル(PVC)及びフッ素樹脂等の透明な樹脂を用いることができる。これらの樹脂は単独又は2種以上を混合して用いることができる。また、インジウムスズオキサイト(ITO)又はポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(PEDOT/PSS)等の透明な導電性材料を用いることもできる。
If the
平坦化層102は一層であっても複数の層であってもよい。平坦化層102を屈折率が異なる複数の層とすることにより、光の拡散を制御し、全反射を少なくして、光取り出し効率を向上させることができる。
The
図3に示すように、第1の面111と反対側の第2の面112においても導体層101が平坦化層102に覆われていない場合は、給電箇所の自由度が大きくなるという利点が得られる。しかし、図5に示すように、第2の面112においては、平坦化層102が導体層101を覆っていてもよい。また、第2の面112は光取り出しの観点からは平坦面であることが好ましいが、凹凸が存在していてもよい。例えば、図6に示すように、導体層101のパターンに対応した凹凸が第2の面112に存在している構成とすることができる。
As shown in FIG. 3, when the
平坦化層102の厚さは、第2の面112においても導体層101が露出するようにする場合には、導体層101の厚さと同じ厚さとなる。第2の面において導体層101を覆うようにする場合には、導体層101よりも厚くすればよいが、フレキシブル性の観点及び光透過性の観点から60μm以下とすることが好ましい。
The thickness of the
図7に示すように、第2の面112側に透明支持体105を貼り合わせることもできる。透明支持体105を貼り合わせることにより、有機EL素子用表電極材料100の強度を高くすることができる。透明支持体105は、特に限定されないが、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、ポリスチレン(PS)、ポリカーボネート(PC)、アクリル、ポリ塩化ビニル(PVC)及びガラス等とすることができる。透明支持体は、反射防止機能を有する層とすることもできる。
As shown in FIG. 7, the
また、図8に示すように、第2の面112側に、導体層101を隠すように黒色の保護層106を設けることもできる。導体層101の裏面に、黒色の保護層106を設けることにより、有機デバイスを表面側から見たときに導体層101のパターンが見えにくくなり、意匠性が向上する。なお、透明支持体105と保護層106との両方を設けることもできる。
Further, as shown in FIG. 8, a black
保護層106は、例えば後述のエッチング工程で使用するドライフィルムレジストに黒色のものを使用し、露光、現像して残ったドライフィルムレジストをエッチング後に剥離せずにそのまま使用することで形成できる。
The
有機デバイス用電極基板材料100が以上のような構成を備えることにより、従来の有機デバイス用電極基板材料よりも表面抵抗を低くできると共にフレキシブル性を高くできる。また、デバイス化したときの発光効率を向上させることもできる。
When the
平坦化層102をガスバリア層103と透明樹脂層104とを含む構成とすることもできる。有機デバイスの有機発光層や光電変換層は水蒸気に弱く、わずかな水蒸気でも劣化してしまう。このため、有機発光層や光電変換層はガラス、金属又はガスバリアフィルム等により封止される。しかし、電極基板側における水蒸気の阻止は十分ではない場合がある。電極基板材料が水蒸気バリア性103を有することにより、電極基板側から水蒸気が侵入しにくくして、有機機能層の劣化を抑えることがきる。
The
ガスバリア層103は、透明度が高く水蒸気バリア性を有していればどのような材料により形成してもよい。例えば、原子堆積法によってアルミニウム及び酸素を主成分とする層を形成することができる。また、化学気相堆積(CVD)法によってシリコン、窒素、酸素及び炭素を主成分とする層を形成することもできる。ガスバリア層103は1層に限らず、複数の層の積層体とすることもできる。ガスバリア層103の厚さは、水蒸気を阻止する観点から好ましくは20nm以上である。
The
ガスバリア層103を設ける場合は、導体層101の表面とガスバリア層103の表面とが、連続した平坦面を形成するようにできる。導体層101の表面と、ガスバリア層103の表面との境界におけるレベルの差は、好ましくは300nm以下である。なお、透明樹脂層104の厚さは、導体層101の厚さよりも薄くすることができる。
When the
<製造方法>
本実施形態の有機デバイス用電極基板材料100は、例えば以下のようにして形成することができる。<Manufacturing method>
The
まず、図9Aに示すように、表面が平滑で、樹脂及び金属に対して難付着性を有する基材301に、導体層となる金属箔302を積層する。難付着性を有する基材とは、樹脂や金属が接触しても容易に引き離し可能な性能を有する基材をいう。基材はそのものが難付着性を有している材料により形成することも、表面に難付着性のコート層が設けられているものとすることもできる。例えば、基材として、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、ポリスチレン(PS)、ポリカーボネート(PC)、アクリル及びポリ塩化ビニル(PVC)等の1種又は2種以上を用いることができる。
First, as shown in FIG. 9A, a
金属箔302には先に述べた導体層101を形成できる材質及び厚さのものを用いる。金属箔302により形成する導体層101と発光層201との密着性を向上させる観点から、金属箔302の基材301と貼り合わせる面は平滑であることが好ましく、具体的には算術平均粗さ(Ra)が50nm以下であることが好ましい。基材301に金属箔302を積層する際に、基材301及び金属箔302の少なくとも一方の表面に難付着性又は微付着性の接着剤等を塗布することもできる。このようにすれば、積層を容易となる。
As the
次に、図9Bに示すように、基材301の表面に積層した金属箔302をパターン化して導体層101を形成する。金属箔302のパターン化は例えば、ウエットエッチング又はドライエッチング等の既知の方法により行うことができる。エッチングにより形成するパターンは、先に述べたように有機デバイスの電極として採用されている既知の電極パターンを採用することができる。また、図4に示すような基盤パターン121と周辺パターン122とを有しているようなパターンとすることもできる。
Next, as shown in FIG. 9B, the
次に、図9Cに示すように、透明材料を塗工して平坦化層102を形成する。透明材料は、先に述べたような材料を用いることができ、常温で流動性を有する材料の場合、例えばコーターを用いて塗工を行うことができる。常温で流動性を有する材料は、例えば、溶剤に溶解することにより流動性を有する樹脂、特定の温度条件において流動性を有する樹脂、常温で流動性を有し熱又は光等により硬化可能な樹脂等とすることができる。
Next, as shown in FIG. 9C, a transparent material is applied to form the
次に、図9Dに示すように、基材301を剥離する。基材を難付着性とすることにより、容易に剥離することが可能となる。基材301を剥離して形成した第1の面において、導体層101は平坦化層102に覆われず露出する。また、第1の面は、基材301の表面状態が転写された面となる。平滑な表面を有する基材301を用いることにより、平滑な第1の面が得られる。
Next, as shown in FIG. 9D, the
なお、平坦化層102を形成した後、基材301を剥離する前に、透明支持体105を貼り合わせる工程を設けてもよい。透明支持体105を設けることにより、平坦化層102の厚さが薄い場合にも、基材301の剥離が容易となる。なお、基材301を剥離した後で、透明支持体105を貼り合わせることもできる。
After forming the
平坦化層102をガスバリア層103と透明樹脂層104と含む構成とすることもできる。この場合、図10Aに示すように導体層101を形成した後の基材301の表面に、金属箔302が除去された部分及び金属箔302が残存する部分の両方を覆うように、ガスバリア層103を形成する。ガスバリア層103は、水蒸気バリア性の高い材料により形成することができる。例えば原子堆積法等を用いて、アルミニウム及び酸素を主成分とする層(例えば、Al2O3等からなる層)を形成したり、化学気相堆積法(CVD)法を用いてシリコンと、窒素、酸素及び炭素の少なくとも1つとを主成分とする層(例えば、SiOx、SiN、SiON、又はSiONC等からなる層)を形成したりすればよい。また、これらの層を組み合わせた積層体を形成することもできる。図10Bに示すように、ガスバリア層103を形成した後、ガスバリア層103の表面に透明材料を塗工して透明樹脂層104を形成する。図10Bにおいて、透明樹脂層104が凹部を完全に埋めている例を示したが、凹部が完全に埋まっていなくてもよい。また、透明樹脂層104がガスバリア層103を完全に覆うようにすることもできる。基材301を剥離すると、導体層101の表面とガスバリア層103の表面とが連続した平坦面である第1の面が露出する。The
有機デバイス用電極基板材料の製造方法は、このような方法に限らず、第1の面を平坦にできれば他の方法により形成することもできる。 The method for producing the electrode substrate material for an organic device is not limited to such a method, and can be formed by another method as long as the first surface can be made flat.
本開示の有機デバイス用電極基板材料について実施例を用いてさらに詳細に説明する。以下の実施例は例示であり、本発明を限定することを意図するものではない。 The electrode substrate material for an organic device of the present disclosure will be described in more detail with reference to Examples. The following examples are exemplary and are not intended to limit the invention.
<平滑性の評価>
有機デバイス用電極基板材料の平滑性の評価は株式会社ニコン製超高分解能非接触三次元表面形状計測システムBW−D500を用いて2.2mm×2.2mmの視野で表面の凹凸形状を観察し、面内の最大高さSzを測定した。JIS−B0601−2001で定義されている最大高さRzを、観察された表面全体に対して適用できるように三次元に拡張して算出された値である。平滑性がSz200nm以下のものを良好(〇)、200nmを超えるものを不良(×)とした。<Evaluation of smoothness>
To evaluate the smoothness of the electrode substrate material for organic devices, observe the uneven shape of the surface with a field of view of 2.2 mm x 2.2 mm using the ultra-high resolution non-contact three-dimensional surface shape measurement system BW-D500 manufactured by Nikon Corporation. , The maximum in-plane height Sz was measured. It is a value calculated by expanding the maximum height Rz defined in JIS-B0601-2001 to three dimensions so that it can be applied to the entire observed surface. Those having a smoothness of Sz of 200 nm or less were regarded as good (◯), and those having a smoothness of more than 200 nm were regarded as poor (x).
<水蒸気バリア性の評価>
有機デバイス用電極基板材料の水蒸気バリア性の評価は、JIS K 7129−7:2016で定義される水蒸気透過度である。蒸着した金属カルシウム上に試料を設置し、40℃90%の環境下で100時間経過後、腐食したカルシウムの面積から計算することによって算出した。<Evaluation of water vapor barrier property>
The evaluation of the water vapor barrier property of the electrode substrate material for organic devices is the water vapor permeability defined in JIS K 7129-7: 2016. The sample was placed on the vapor-deposited metallic calcium, and after 100 hours had passed in an environment of 40 ° C. and 90%, it was calculated from the area of corroded calcium.
<表面抵抗の評価>
有機デバイス用電極基板材料の表面抵抗は、50mm×50mmの試料の対角線上にある2つの角点の間の抵抗値を抵抗計(三和電気計器株式会社製、RD701 DIGITALMULTIMETER)を用いて測定して求めた。表面抵抗が10Ω/cm以下のものを良好(〇)、10Ω/cm2を超えるものを不良(×)とした。<Evaluation of surface resistance>
The surface resistance of the electrode substrate material for organic devices is measured by measuring the resistance value between two diagonal points of a 50 mm × 50 mm sample using an ohmmeter (RD701 DIGITAL MULTIMETER, manufactured by Sanwa Electric Instrument Co., Ltd.). I asked for it. Those having a surface resistance of 10 Ω / cm or less were regarded as good (◯), and those having a surface resistance of more than 10 Ω / cm 2 were regarded as defective (x).
<フレキシブル性の評価>
対象試料の屈曲試験前後の表面抵抗を測定し、表面抵抗の低下率を求めた。屈曲試験は、塗膜屈曲試験機を用いて、10mmφのマンドレルで50回行った。表面抵抗の低下率が5%以下のものをフレキシブル性が良好(〇)、5%を超えるものを不良(×)とした。<Evaluation of flexibility>
The surface resistance of the target sample before and after the bending test was measured, and the rate of decrease in surface resistance was determined. The bending test was performed 50 times with a 10 mmφ mandrel using a coating film bending tester. Those having a reduction rate of surface resistance of 5% or less were regarded as having good flexibility (◯), and those having a reduction rate of more than 5% were regarded as defective (x).
(実施例1)
3cm×3cmで厚さ15μm(算術平均粗さRa:7nm)のアルミニウム箔(東洋アルミニウム株式会社製、1N30)の一方の表面(主面)に難付着性の接着剤を塗布し、100℃で乾燥させた後、この接着剤側の塗布面に基材を貼り合わせ、50℃で4日間エージングした。基材は厚さ38μmのPETフィルム(帝人フィルムソリューションズ株式会社製)とした。(Example 1)
A hard-to-adhere adhesive is applied to one surface (main surface) of an aluminum foil (manufactured by Toyo Aluminum Co., Ltd., 1N30) measuring 3 cm x 3 cm and having a thickness of 15 μm (arithmetic mean roughness Ra: 7 nm), and at 100 ° C. After drying, the base material was attached to the coated surface on the adhesive side and aged at 50 ° C. for 4 days. The base material was a 38 μm-thick PET film (manufactured by Teijin Film Solutions Co., Ltd.).
次に、アルミニウム箔の裏面に、厚さ15μmのアルカリ現像型ドライフィルムレジストを貼り合わせ、メッシュ形状フォトマスクを用いて紫外線(UV)により露光、現像し、ドライフィルムレジストが残っていない部分を塩化鉄(II)水溶液を用いてエッチングを行い、導体層を形成した。導体層の線幅は75μmで、ピッチが1500μmの格子状とし、配線密度は10%とした。 Next, an alkali-developed dry film resist having a thickness of 15 μm was attached to the back surface of the aluminum foil, exposed and developed by ultraviolet rays (UV) using a mesh-shaped photomask, and the portion where the dry film resist did not remain was chloride. Etching was performed using an aqueous iron (II) solution to form a conductor layer. The line width of the conductor layer was 75 μm, the pitch was 1500 μm, and the wiring density was 10%.
次に、アルミニウム箔がエッチングにより除去された部分及び残存する部分の両方に、プラズマCVD法を用いてSiN膜を150nm製膜した後、原子堆積法によってAl2O3膜を20nm製膜してガスバリア層を形成した。Next, a SiN film was formed at 150 nm by the plasma CVD method on both the portion where the aluminum foil was removed by etching and the remaining portion, and then an Al 2 O 3 film was formed at 20 nm by the atomic deposition method. A gas barrier layer was formed.
次に、形成したガスバリア層の表面に波長400〜800nmにおける透過率の平均値が90%のエポキシ樹脂を接着剤上にガスバリア層が形成されている面からの膜厚が20μmとなるように且つ導体層の凹凸が埋め込まれるように塗工し、平坦化層を形成した。平坦化層の表面には、透明支持体として厚さ30μmの市販の反射防止フィルムを貼り合わせ、100℃で乾燥させた。この後、基材を剥離し、有機デバイス用電極基板材料とした。 Next, an epoxy resin having an average transmittance of 90% at a wavelength of 400 to 800 nm is applied to the surface of the formed gas barrier layer so that the film thickness from the surface on which the gas barrier layer is formed on the adhesive is 20 μm. A flattening layer was formed by coating so that the unevenness of the conductor layer was embedded. A commercially available antireflection film having a thickness of 30 μm was attached to the surface of the flattening layer as a transparent support and dried at 100 ° C. After that, the base material was peeled off to obtain an electrode substrate material for an organic device.
得られた有機デバイス用電極基板材料の平滑性はRz127nmであり、水蒸気バリア性は10−5g/m2/day以下であり、表面抵抗は、0.02Ω/cm2であり、屈曲試験後の表面抵抗は変化しなかった。The smoothness of the obtained electrode substrate material for organic devices is Rz 127 nm, the water vapor barrier property is 10-5 g / m 2 / day or less, the surface resistance is 0.02 Ω / cm 2, and after the bending test. The surface resistance did not change.
対象試料を陽極とする有機EL発光素子を形成した。素子の形成は以下のようにして行った。まず、対象試料にポリエチレンジキシチオフェン―ポリスチレンスルホナート(PEDOT/PSS、sigma aldrich社製)をスピンコータ(ミカサ株式会社製、SpinCoater MS-A150)を用いて3000rpmでスピンコートし、大気中で乾燥させた。続いて、Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4′-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)](TFB、sigma aldrich社製)をトルエンに溶解させたものを3000rpmでスピンコートし、窒素雰囲気で乾燥させた。この後、ポリ(9,9-ジオクチルフルオレン-alt-ベンゾチアジアゾール))F8BT、sigma aldrich社製)をトルエンに溶解させたものを2000rpmでスピンコートした。次に、フッ化リチウムを真空蒸着装置(日本電子株式会社製、JEE-4X)を用いて真空蒸着し、さらに陽極としてアルミニウムを真空蒸着した。 An organic EL light emitting device having the target sample as an anode was formed. The element was formed as follows. First, polyethylene dixithiophene-polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, manufactured by sigma aldrich) was spin-coated on the target sample using a spin coater (Mikasa Co., Ltd., SpinCoater MS-A150) at 3000 rpm, and dried in the air. It was. Subsequently, Poly [(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) -co- (4,4'-(N- (4-sec-butylphenyl) diphenylamine)]] (TFB, manufactured by sigma aldrich) was added to toluene. It was spin-coated at 3000 rpm and dried in a nitrogen atmosphere. After that, poly (9,9-dioctylfluorene-alt-benzothiadiazole) F8BT, manufactured by sigma aldrich) was dissolved in toluene. The one was spin coated at 2000 rpm. Next, lithium fluoride was vacuum-deposited using a vacuum vapor deposition apparatus (JEE-4X, manufactured by JEOL Ltd.), and aluminum was vacuum-deposited as an anode.
得られた素子に7Vの電圧を印加して発光させ、電流・電圧に対する輝度を輝度計(コニカミノルタ製、色彩輝度計CS-200)を用いて測定し、1Aあたりの輝度を発光効率として求めたところ、0.9cd/Aであった。 A voltage of 7V is applied to the obtained element to emit light, and the brightness with respect to the current and voltage is measured using a luminance meter (Konica Minolta, color luminance meter CS-200), and the brightness per 1A is obtained as the luminous efficiency. As a result, it was 0.9 cd / A.
サンエナジー株式会社製UV/O3洗浄改質装置SKB401Y−02を用いて波長254nm、照度10.0mW/cm2で1分、5分、10分の3水準で有機デバイス用電極基板材料に対してUVオゾン洗浄を行い、それぞれについてJIS−K−6768−1999で定義されるぬれ張力試験方法で評価したところ、1分では63mN/m、5分では73mN/m、10分では73mN/mであった。Using the UV / O 3 cleaning and reforming device SKB401Y-02 manufactured by Sun Energy Co., Ltd., for the electrode substrate material for organic devices at a wavelength of 254 nm and an illuminance of 10.0 mW / cm 2 for 1 minute, 5 minutes, and 3/10 levels. UV ozone cleaning was performed, and each was evaluated by the wetting tension test method defined in JIS-K-6768-1999. As a result, it was 63 mN / m in 1 minute, 73 mN / m in 5 minutes, and 73 mN / m in 10 minutes. there were.
(実施例2)
アルミニウム箔を厚さが15μmの銅箔(純度99.96%)とし、エポキシ樹脂をアクリル樹脂とした以外は実施例1と同様にした。(Example 2)
The same as in Example 1 was carried out except that the aluminum foil was a copper foil (purity 99.96%) having a thickness of 15 μm and the epoxy resin was an acrylic resin.
得られた有機デバイス用電極基板材料の平滑性はRz72nmであり、水蒸気バリア性は10-5g/m2/day以下であり、表面抵抗は、0.01Ω/cm2であり、屈曲試験後の表面抵抗は変化しなかった。The smoothness of the obtained electrode substrate material for organic devices is Rz 72 nm, the water vapor barrier property is 10 -5 g / m 2 / day or less, the surface resistance is 0.01 Ω / cm 2 , and after the bending test. The surface resistance of was not changed.
また、実施例1と同様に対象試料を陽極とする有機EL発光素子を形成し、発光効率を測定したところ、1.4cd/Aであった。実施例1と同様にUVオゾン洗浄後のぬれ張力を評価したところ、1分では67mN/m、5分では73mN/m、10分では73mN/mであった。 Further, as in Example 1, an organic EL light emitting device having the target sample as an anode was formed, and the luminous efficiency was measured and found to be 1.4 cd / A. When the wetting tension after UV ozone cleaning was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 67 mN / m at 1 minute, 73 mN / m at 5 minutes, and 73 mN / m at 10 minutes.
(実施例3)
導電層の線幅を100μmとし、ピッチが2000μmで配線密度を9%とした以外は実施例1と同様にした。(Example 3)
The same as in Example 1 except that the line width of the conductive layer was 100 μm, the pitch was 2000 μm, and the wiring density was 9%.
得られた有機デバイス用電極基板材料の平滑性はRz158nmであり、水蒸気バリア性は10-5g/m2/day以下であり、表面抵抗は、0.01Ω/cm2であり、屈曲試験後の表面抵抗は変化しなかった。
また、実施例1と同様に対象試料を陽極とする有機EL発光素子を形成し、発光効率を測定したところ、1.0cd/Aであった。実施例1と同様にUVオゾン洗浄後のぬれ張力を評価したところ、1分では63mN/m、5分では73mN/m、10分では73mN/mであった。The smoothness of the obtained electrode substrate material for organic devices is Rz 158 nm, the water vapor barrier property is 10 -5 g / m 2 / day or less, the surface resistance is 0.01 Ω / cm 2 , and after the bending test. The surface resistance of was not changed.
Further, as in Example 1, an organic EL light emitting device having the target sample as an anode was formed, and the luminous efficiency was measured and found to be 1.0 cd / A. When the wetting tension after UV ozone cleaning was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 63 mN / m at 1 minute, 73 mN / m at 5 minutes, and 73 mN / m at 10 minutes.
(実施例4)
ガスバリア層を形成せず、すなわちアルミニウム箔がエッチングにより除去された部分及び導体層のある面に直接エポキシ樹脂を充填した以外は実施例1と同様にして有機デバイス用電極基板材料を得た。(Example 4)
An electrode substrate material for an organic device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the gas barrier layer was not formed, that is, the portion where the aluminum foil was removed by etching and the surface with the conductor layer were directly filled with the epoxy resin.
得られた有機デバイス用電極基板材料の平滑性はRz127nmであり、表面抵抗は、0.02Ω/cm2であり、屈曲試験後の表面抵抗は変化しなかった。水蒸気バリア性は5.68g/m2/dayであった。The smoothness of the obtained electrode substrate material for organic devices was Rz 127 nm, the surface resistance was 0.02 Ω / cm 2 , and the surface resistance after the bending test did not change. The water vapor barrier property was 5.68 g / m 2 / day.
実施例1と同様に対象試料を陽極とする有機EL発光素子を形成し、発光効率を測定したところ、0.9cd/Aであった。実施例1と同様にUVオゾン洗浄後のぬれ張力を評価したところ、1分では68mN/m、5分では68mN/m、10分では73mN/mであった。 An organic EL light emitting device having the target sample as an anode was formed in the same manner as in Example 1, and the luminous efficiency was measured and found to be 0.9 cd / A. When the wetting tension after UV ozone cleaning was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 68 mN / m at 1 minute, 68 mN / m at 5 minutes, and 73 mN / m at 10 minutes.
(実施例5)
ガスバリア層を形成せず、すなわちアルミニウム箔がエッチングにより除去された部分及び導体層のある面に直接エポキシ樹脂を充填し、透明支持体を厚さ75μmで水蒸気透過率が4×10-4g/m2/dayの市販のガスバリアフィルムとした以外は実施例1と同様にして有機デバイス用電極基板材料を得た。(Example 5)
The part where the gas barrier layer was not formed, that is, the part where the aluminum foil was removed by etching and the surface with the conductor layer were directly filled with epoxy resin, and the transparent support was 75 μm thick and the water vapor transmission rate was 4 × 10 -4 g /. An electrode substrate material for an organic device was obtained in the same manner as in Example 1 except that a commercially available gas barrier film of m 2 / day was used.
得られた有機デバイス用電極基板材料の平滑性はRz142nmであり、表面抵抗は、0.02Ω/cm2であり、屈曲試験後の表面抵抗は変化しなかった。水蒸気バリア性は3×10-2g/m2/dayであった。The smoothness of the obtained electrode substrate material for organic devices was Rz 142 nm, the surface resistance was 0.02 Ω / cm 2 , and the surface resistance after the bending test did not change. The water vapor barrier property was 3 × 10-2 g / m 2 / day.
実施例1と同様に対象試料を陽極とする有機EL発光素子を形成し、発光効率を測定したところ、0.5cd/Aであった。実施例1と同様にUVオゾン洗浄後のぬれ張力を評価したところ、1分では66mN/m、5分では73mN/m、10分では73mN/mであった。 An organic EL light emitting device having the target sample as an anode was formed in the same manner as in Example 1, and the luminous efficiency was measured and found to be 0.5 cd / A. When the wetting tension after UV ozone cleaning was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 66 mN / m at 1 minute, 73 mN / m at 5 minutes, and 73 mN / m at 10 minutes.
(比較例1)
ガラス基板上にインジウムスズオキサイト(ITO)をスパッタ法で155nmの膜厚で積層させることによって有機デバイス用電極基板材料を得た。(Comparative Example 1)
An electrode substrate material for an organic device was obtained by laminating indium tin oxide (ITO) on a glass substrate with a film thickness of 155 nm by a sputtering method.
得られた有機デバイス用電極基板材料の平滑性はRz:17nmであり、水蒸気バリア性は10-5g/m2/day以下であったが、表面抵抗は0.68Ω/cm2であり、わずかでも曲げるとガラス基板が割れてしまった。The smoothness of the obtained electrode substrate material for organic devices was Rz: 17 nm, the water vapor barrier property was 10 -5 g / m 2 / day or less, but the surface resistance was 0.68 Ω / cm 2 . The glass substrate broke when bent even slightly.
また、実施例1と同様に対象試料を陽極とする有機EL発光素子を形成し、発光効率を測定したところ、5.2cd/Aであった。実施例1と同様にUVオゾン洗浄後のぬれ張力を評価したところ、1分では48mN/m、5分では61mN/m、10分では67mN/mであった。 Further, as in Example 1, an organic EL light emitting device having the target sample as an anode was formed, and the luminous efficiency was measured and found to be 5.2 cd / A. When the wetting tension after UV ozone cleaning was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 48 mN / m at 1 minute, 61 mN / m at 5 minutes, and 67 mN / m at 10 minutes.
(比較例2)
厚さ75μmで水蒸気透過率が4×10-4g/m2/dayの市販のガスバリアフィルムにインジウムスズオキサイト(ITO)をスパッタ法により120nmの膜厚で積層させることによって有機デバイス用電極基板材料を得た。(Comparative Example 2)
An electrode substrate for organic devices by laminating indium tin oxide (ITO) at a film thickness of 120 nm on a commercially available gas barrier film having a thickness of 75 μm and a water vapor transmittance of 4 × 10 -4 g / m 2 / day by a sputtering method. Obtained the material.
得られた有機デバイス用電極基板材料の平滑性はRz:58nmであり、水蒸気バリア性は1×10-4g/m2/dayであったが、表面抵抗は9.40Ω/cm2であり、屈曲試験後の抵抗値は2296.00Ω/cm2と、急激に増加した。The smoothness of the obtained electrode substrate material for organic devices was Rz: 58 nm, the water vapor barrier property was 1 × 10 -4 g / m 2 / day, but the surface resistance was 9.40 Ω / cm 2 . The resistance value after the bending test increased sharply to 2296.00Ω / cm 2 .
また、実施例1と同様に対象試料を陽極とする有機EL発光素子を形成したが発光しなかった。実施例1と同様にUVオゾン洗浄後のぬれ張力を評価したところ、1分では52mN/m、5分では58mN/m、10分では62mN/mであった。 Further, as in Example 1, an organic EL light emitting device having the target sample as an anode was formed, but no light was emitted. When the wetting tension after UV ozone cleaning was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 52 mN / m at 1 minute, 58 mN / m at 5 minutes, and 62 mN / m at 10 minutes.
フィルム上で製膜したITO膜の結晶性が悪く、表面抵抗が大きくなった。フィルムなので曲げることはできるが、小さい曲率半径で曲げるとITO膜にクラックが発生し抵抗が増大した。また、ぬれ張力が向上させるために、長い前処理時間が必要であった。 The crystallinity of the ITO film formed on the film was poor, and the surface resistance was increased. Since it is a film, it can be bent, but when it is bent with a small radius of curvature, cracks occur in the ITO film and resistance increases. In addition, a long pretreatment time was required to improve the wetting tension.
(比較例3)
3cm×3cmで厚さ15μm(Ra:7nm)のアルミニウム箔(東洋アルミニウム株式会社製、1N30)の一方の表面(主面)に市販のアクリル系接着剤を塗布し、この接着剤側の塗布面に厚さ75μmで水蒸気透過率が4×10-4g/m2/dayの市販のガスバリアフィルムを貼り合せた。(Comparative Example 3)
A commercially available acrylic adhesive is applied to one surface (main surface) of an aluminum foil (manufactured by Toyo Aluminum Co., Ltd., 1N30) having a thickness of 15 μm (Ra: 7 nm) of 3 cm × 3 cm, and the coated surface on the adhesive side. A commercially available gas barrier film having a thickness of 75 μm and a water vapor transmission rate of 4 × 10 -4 g / m 2 / day was attached to the film.
次に、アルミニウム箔の裏面に、市販のドライフィルムを貼り合わせ、メッシュ形状フォトマスクを用いてUV条件下で露光、現像し、ドライフィルムが残っていない部分を塩化鉄(II)水溶液を用いてエッチングを行うことで細線を形成し、水酸化ナトリウム水溶液でドライフィルムを剥離することによって有機EL素子用表電極材料を得た。 Next, a commercially available dry film was attached to the back surface of the aluminum foil, exposed and developed under UV conditions using a mesh-shaped photomask, and the portion where the dry film did not remain was exposed to an aqueous iron (II) chloride solution. A fine wire was formed by etching, and a dry film was peeled off with an aqueous sodium hydroxide solution to obtain a surface electrode material for an organic EL element.
得られた有機デバイス用電極基板材料の水蒸気バリア性は4×10-4g/m2/dayであったが、表面抵抗は0.04Ω/cm2であり、屈曲試験後の抵抗値は変化しなかったが、平滑性はRz:1621nmであった。The water vapor barrier property of the obtained electrode substrate material for organic devices was 4 × 10 -4 g / m 2 / day, but the surface resistance was 0.04 Ω / cm 2 , and the resistance value changed after the bending test. Although not, the smoothness was Rz: 1621 nm.
実施例1と同様に対象試料を陽極とする有機EL発光素子を形成したが発光しなかった。実施例1と同様にUVオゾン洗浄後のぬれ張力を評価したところ、1分では70mN/m、5分では73mN/m、10分では73mN/mであった。 An organic EL light emitting device having the target sample as an anode was formed in the same manner as in Example 1, but no light was emitted. When the wetting tension after UV ozone cleaning was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 70 mN / m at 1 minute, 73 mN / m at 5 minutes, and 73 mN / m at 10 minutes.
アルミニウム箔により導体層を形成しているため、表面抵抗及びフレキシブル性等に問題は無かったが、平坦化層を形成していないため段差が生じ、平滑性が悪かった。 Since the conductor layer was formed of aluminum foil, there was no problem in surface resistance and flexibility, but since the flattening layer was not formed, a step was generated and the smoothness was poor.
(比較例4)
厚さ75μmで水蒸気透過率が4×10-4g/m2/dayの市販のガスバリアフィルムにアルミニウムを蒸着して、厚さが300nmのアルミニウム蒸着膜を形成した。次に、アルミニウム蒸着膜の表面に市販のドライフィルムを貼り合わせ、メッシュ形状フォトマスクを用いてUVにより露光、現像し、ドライフィルムが残っていない部分を塩化鉄(II)水溶液を用いてエッチングを行い、パターン化した。この後、水酸化ナトリウム水溶液を用いてドライフィルムを剥離することによって有機デバイス用電極基板材料を得た。(Comparative Example 4)
Aluminum was vapor-deposited on a commercially available gas barrier film having a thickness of 75 μm and a water vapor transmittance of 4 × 10 -4 g / m 2 / day to form an aluminum-deposited film having a thickness of 300 nm. Next, a commercially available dry film is attached to the surface of the aluminum vapor-deposited film, exposed and developed by UV using a mesh-shaped photomask, and the portion where the dry film does not remain is etched with an aqueous iron (II) chloride solution. And patterned. Then, the dry film was peeled off with an aqueous sodium hydroxide solution to obtain an electrode substrate material for an organic device.
得られた有機デバイス用電極基板材料の水蒸気バリア性は4×10-4g/m2/dayで、表面抵抗は0.42Ω/cm2であったが、屈曲試験後の抵抗値は12.6Ω/cm2と増加してしまったうえ、平滑性はRz:343nmであった。The obtained electrode substrate material for organic devices had a water vapor barrier property of 4 × 10 -4 g / m 2 / day and a surface resistance of 0.42 Ω / cm 2, but the resistance value after the bending test was 12.6 Ω. In addition to increasing to / cm 2 , the smoothness was Rz: 343 nm.
実施例1と同様に対象試料を陽極とする有機EL発光素子を形成したが発光しなかった。実施例1と同様にUVオゾン洗浄後のぬれ張力を評価したところ、1分では50mN/m、5分では73mN/m、10分では73mN/mであった。 An organic EL light emitting device having the target sample as an anode was formed in the same manner as in Example 1, but no light was emitted. When the wetting tension after UV ozone cleaning was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 50 mN / m at 1 minute, 73 mN / m at 5 minutes, and 73 mN / m at 10 minutes.
導体層をアルミニウム蒸着膜により形成しているため、50回の屈曲試験後に導体層にクラックが入っており、表面抵抗が増大した。また、導体層による段差が生じているため、平滑性が悪かった。 Since the conductor layer is formed of an aluminum-deposited film, the conductor layer is cracked after 50 bending tests, and the surface resistance is increased. In addition, the smoothness was poor due to the step caused by the conductor layer.
表1に各実施例及び比較例の結果をまとめて示す。 Table 1 summarizes the results of each example and comparative example.
本開示の有機デバイス用電極基板材料は、高い平滑性、ガスバリア性、光線透過率、低い表面抵抗及び高いフレキシブル性と、塗布プロセスにおける前処理の短時間化を実現でき、有機デバイス用の電極の材料として有用である。 The electrode substrate material for organic devices of the present disclosure can realize high smoothness, gas barrier property, light transmittance, low surface resistance and high flexibility, and shorten the pretreatment in the coating process, and can realize the electrode substrate material for organic devices. It is useful as a material.
100 有機デバイス用電極基板材料
101 導体層
102 平坦化層
103 ガスバリア層
104 透明樹脂層
105 透明支持体
106 保護層
111 第1の面
112 第2の面
121 基盤パターン
122 周辺パターン
122A 第1の周辺パターン
122B 第2の周辺パターン
123 電極
124 端子
200 有機EL素子
201 発光層
202 電極
203 電極
301 基材
302 金属箔100 Electrode substrate material for
Claims (10)
前記導体層の周囲に設けられた平坦化層とを備え、
第1の面において、前記導体層の表面は前記平坦化層から露出し、且つ前記導体層の表面と、前記平坦化層の表面とは、連続した平坦面を形成している、有機デバイス用電極基板材料。A conductor layer made of patterned metal leaf and
A flattening layer provided around the conductor layer is provided.
In the first surface, the surface of the conductor layer is exposed from the flattening layer, and the surface of the conductor layer and the surface of the flattening layer form a continuous flat surface for an organic device. Electrode substrate material.
前記ガスバリア層の表面と前記導体層の露出した表面とは連続した平滑面を形成している、請求項1又は2に記載の有機デバイス用電極基板材料。The flattening layer includes a gas barrier layer and a transparent resin layer.
The electrode substrate material for an organic device according to claim 1 or 2, wherein the surface of the gas barrier layer and the exposed surface of the conductor layer form a continuous smooth surface.
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