KR20200095412A - 두 개의 교정부들을 구비한 자동 배기 가스 센서 - Google Patents

두 개의 교정부들을 구비한 자동 배기 가스 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR20200095412A
KR20200095412A KR1020200011053A KR20200011053A KR20200095412A KR 20200095412 A KR20200095412 A KR 20200095412A KR 1020200011053 A KR1020200011053 A KR 1020200011053A KR 20200011053 A KR20200011053 A KR 20200011053A KR 20200095412 A KR20200095412 A KR 20200095412A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
calibration
sensor
unit
correction unit
substrate
Prior art date
Application number
KR1020200011053A
Other languages
English (en)
Inventor
디미타르 키릴로프 코스토프
블라디미르 사베프 쉬호프
보리아나 리스토바 토도로바
Original Assignee
센사타 테크놀로지스, 인크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 센사타 테크놀로지스, 인크 filed Critical 센사타 테크놀로지스, 인크
Publication of KR20200095412A publication Critical patent/KR20200095412A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/416—Systems
    • G01N27/417—Systems using cells, i.e. more than one cell and probes with solid electrolytes
    • G01N27/4175—Calibrating or checking the analyser
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
    • F01N—GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINES
    • F01N11/00—Monitoring or diagnostic devices for exhaust-gas treatment apparatus, e.g. for catalytic activity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
    • G01K13/02—Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
    • G01K13/02—Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow
    • G01K13/024—Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow of moving gases
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K15/00—Testing or calibrating of thermometers
    • G01K15/005—Calibration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/183—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer characterised by the use of the resistive element
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
    • G01K7/223—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor characterised by the shape of the resistive element
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/407—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/12—Arrangements of current collectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
    • F01N—GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINES
    • F01N2560/00—Exhaust systems with means for detecting or measuring exhaust gas components or characteristics
    • F01N2560/02—Exhaust systems with means for detecting or measuring exhaust gas components or characteristics the means being an exhaust gas sensor
    • F01N2560/025—Exhaust systems with means for detecting or measuring exhaust gas components or characteristics the means being an exhaust gas sensor for measuring or detecting O2, e.g. lambda sensors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K2205/00—Application of thermometers in motors, e.g. of a vehicle
    • G01K2205/04—Application of thermometers in motors, e.g. of a vehicle for measuring exhaust gas temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

센서 제조방법이 기판 상에 금속층을 적층하는 것과, 상기 금속층 상에 교정 구조물을 제작하는 것을 포함한다. 교정 구조물은 제1 교정부 및 제2 교정부를 포함할 수 있다. 상기 방법은 제1 교정부를 수정함으로써 센서의 제1 교정을 수행하는 것을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 방법은, 제1 교정 뒤에 제1 교정부의 일부 상에 커버층을 배치하는 것과, 이후 상기 제2 교정을 수정함으로써 센서의 제2 교정을 수행하는 것을 포함할 수 있다.

Description

두 개의 교정부들을 구비한 자동 배기 가스 센서{AUTOMOTIVE EXHAUST GAS SENSOR WITH TWO CALIBRATION PORTIONS}
본 출원은 2019년 01월 30일자로 출원된 “자동 배기 가스 센서들을 위한 정확도”라는 제목의 미국 가특허출원 제62/798,522호에 대해 우선권을 주장하며, 이 가특허출원의 내용 전체가 본원에 참조로 통합된다.
본 개시는 개선된 정확도를 가진 감지 장치 및 이와 같은 감지 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시는 고온 배기 가스 센서들의 정확도 개선에 관한 것이다.
이에 한정되는 것은 아니나, 디젤 및 가솔린 엔진들과 같은 내연기관들은 배기 시스템 내에 적어도 부분적으로 배치된 하나 이상의 온도 센서를 포함할 수 있다. 이 온도 센서는 배기 가스의 온도를 감지하고, 공연비(air/fuel ratio), 상승압(boost pressure) 또는 타이밍(timing) 등 엔진의 하나 이상의 특성을 조절하기 위하여, 엔진 제어 시스템에 의해 이용될 수 있다. 이러한 온도 센서는 통상적으로 600oC 초과의 온도에서 열역학적 및 화학적으로 공격적인 주변 조건들 하에서 작동한다.
고온 센서들의 생산을 위하여, 보통 고온 센서들의 생산 동안 백금(Platinum) 저항층이 금속 산화물 세라믹 기판 상에 적용된다. 센서의 교정은 백금 굴곡로(屈曲路; meander) 저항의 조절에 의해 구현되고, 생산 공정 동안이지만 패시베이션(passivation)의 완료 및 보호막의 배치 이전에 수행된다. 센서의 셍산 완료 이후에, 백금 패시베이션층 및 보호 외피들은 유리 및/또는 세라믹 및/또는 복합층을 포함하여 정확도가 저하된 감지 요소를 초래할 수 있다.
필요한 것은 개선된 정확도를 가진 온도 센서이다.
다양한 실시예들에 따르면, 센서의 제조방법은 마련된다. 상기 방법은 기판 상에 금속층을 적층하는 것, 그리고 제1 교정부 및 제2 교정부를 가진 교정 구조물을 금속층 상에 제작하는 것을 포함할 수 있다. 상기 방법은 제1 교정부를 수정함으로써 센서의 제1 교정을 수행하는 것을 더 포함할 수 있다. 더욱이, 상기 방법은 제1 교정부의 일부 상에 커버층을 위치시키는 것, 그리고 제1 교정부 상에 커버를 위치시키는 것 이후에, 제2 교정부를 수정함으로써 센서의 제2 교정을 수행하는 것을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 교정부를 수정하는 것은 재료를 제거함으로써 굴곡로 구조물을 수정하는 것에 의해 수행될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 교정부를 수정하는 것은 재료를 제거함으로써 수행될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제2 교정부를 제작하는 것은, 금속층 상에 사각 형상을 가진 구조물, 사다리 형상을 가진 구조물 또는 구 형상을 가진 구조물 중 적어도 하나를 제작하는 것을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 센서가 마련된다. 센서는 제1 교정부 및 제2 교정부를 포함하는 교정 구조물을 가진 기판을 포함할 수 있다. 센서는 제1 교정부와 접촉하는 커버층을 더 포함할 수 있고, 제2 교정부의 적어도 일부는 커버층과 접촉하지 않으며, 제2 교정부는 제1 교정부와 접촉한 커버층의 배치에 후속하여 수정되었다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 교정부는 굴곡로 구조물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 교정부는 사각 형상을 가진 구조물, 사다리 형상을 가진 구조물 또는 구 형상을 가진 구조물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 교정부 중 적어도 하나는 재료의 제거에 의해 수정되었다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 교정부는 제2 교정부에 전기적으로 직렬 연결될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 센서가 마련된다. 센서는 기판, 기판 상에 마련된 굴곡로 구조물 및 기판 상에 마련되고 굴곡로 부분에 결합된 교정부를 포함할 수 있다. 센서는 굴곡로 부분과 접촉하되 교정부와 비접촉하는 제1 커버층을 더 포함할 수 있고, 교정부는 굴곡로 부분과 접촉하는 제1 커버층의 배치에 후속하여 수정될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 교정부는 제1 커버층의 배치에 후속한 재료의 제거에 의해 수정될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 교정부는 사각 형상을 가진 구조물, 사다리 형상을 가진 구조물 또는 구 형상을 가진 구조물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 교정부들 및 굴곡로 부분 중 적어도 하나는 재료의 제거에 의해 수정될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기판 상에 상호 인접하게 마련되고 굴곡로 부분 및 교정부와 전기적으로 직렬 연결된 제1 및 제2 접촉 패드들을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 교정부는 제1 및 제2 접촉 패드들 사이에서 기판 상에 마련될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 교정부 및 굴곡로 부분 각각은 선택적 감소를 위한 개별 저항량을 포함할 수 있고, 개별 저항량은 개별 크기, 형상, 폭 및 두께의 함수이다.
본 개시의 적어도 하나의 실시예의 다양한 양태들은 첨부한 도면들을 참조하여 아래에서 논의된다. 설명의 단순화 및 명료화를 위해, 도면들에 도시된 요소들은 반드시 정확하게 또는 축척에 따라 도시되지는 않았음을 이해할 것이다. 예를 들어, 요소들 중 일부의 치수는 명확화를 위해 다른 요소들에 비하여 과장될 수 있거나, 또는 몇가지 물리적 구성요소들이 하나의 기능적 블록 또는 요소에 포함될 수 있다. 또한, 적절한 것으로 간주되는 경우, 도면 부호들이 대응하거나 유사한 요소들을 지시하기 위해 도면들에서 반복될 수 있다. 명확성화를 위해, 부호를 모든 도면에서 모든 구성요소에 붙이지는 않을 수 있다. 도면들은 예시 및 설명의 목적으로 제공되며, 본 개시의 양태들의 제한을 정의하도록 의도된 것은 아니다.
도 1은 공지된 온도 센서를 도시.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 온도 센서의 교정 프로세스 동안의 디지털 트리밍(digital trimming)을 도시.
도 3은 도 1의 온도 센서의 저항 분포를 도시.
도 4는 도 1의 공지의 센서의 생산 공정을 도시.
도 5a 및 도 5b는 도 4에 도시된 생산 공정 동안 센서의 저항 분포를 도시.
도 6a는 본 개시의 일 양태에 따른 센서 디자인을 도시.
도 6b는 도 6에 도시된 센서의 금속 구조물의 확대도를 도시.
도 6c는 본 개시의 일 양태에 따른 도 6b에 도시된 금속 구조물의 일부를 도시.
도 6d는 본 개시의 일 양태에 따른 도 6a에 도시된 센서 디자인을 도시.
도 7은 본 개시의 양태들에 따른 센서 제조방법을 도시.
도 8a 및 도 8b는 도 7에 도시된 제조방법 동안 얻어진 센서의 저항을 나타낸 그래프들.
도 9는 도 7의 방법에 따른 센서들의 저항 분포를 나타낸 그래프.
본 출원은 2019년 1월 30일자로 출원된 “자동 배기 가스 센서들을 위한 정확도”라는 제목의 미국 가특허출원 제62/798,522호에 대해 우선권을 주장하며, 가특허출원의 내용 전체가 본원에 참조로써 통합된다.
다음의 상세한 설명에서, 다수의 구체적인 세부 사항들은 본 개시의 실시예들의 철저한 이해를 제공하기 위해 서술된다. 실시예들이 구체적인 세부 사항들 중 일부가 없어도 실시될 수 있음은 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들에 의해 이해될 것이다. 다른 경우들에서, 공지된 방법들, 절차들, 구성요소들 및 구조들은 서술된 실시예들을 모호하게 하지 않기 위하여 상세히 서술되지 않을 수 있다.
적어도 하나의 실시예를 상세히 설명함에 앞서, 실시예들이 그 적용에 있어 이하의 설명에서 서술되거나 도면들에 도시된 구성요소의 배치 및 구조의 세부 사항으로 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 또한, 본원에 사용된 어구 및 용어는 단지 설명을 위한 것이며, 한정하는 것으로 간주되어서는 안된다는 점을 이해하여야 한다.
본 개시는 그 감지 정확도를 개선하기 위한 구체적인 디자인을 가진 센서를 서술한다. 디자인는 제조 공정 동안 추가적인 교정 단계를 허용하므로, 더 정확한 감지 결과를 달성한다.
본 개시에 서술된 추가적인 교정 구역을 가진 교정 공정은 0 시간(0 h)에서 센서 정확도를 개선할 수 있고, 따라서 센서의 성능을 산업에서 이용되고 있는 공지의 상업적 센서들보다 훨씬 더 좋게 만들 수 있다. 더욱이, 본 개시들 양태들은 센서 생산 비용을 절감한다.
센서들, 특히 고온 센서들의 경우, 정확한 감지 결과를 얻기 위해 정교한 교정을 수행하는 것이 바람직하다. 도 1은 공지의 온도 센서(100)를 나타낸다. 고온 센서들, 예를 들어 센서(100)의 생산 동안, 예를 들어 금속 산화물 세라믹으로 된 기판(102)에는 백금 굴곡로(104) 및 접촉 패드들(112, 114)이 마련된다. 제1 패시베이션층(106)은 백금 굴곡로(104) 위에 적층된다.
와이어들(116), 제2 패시베이션층(108), 커버층(110) 및 커버층(118)이 기판(102) 상에 배치되기 이전에, 센서(100)의 교정이 공지된 기술들, 예를 들어 레이저 트리밍(laser trimming)에 따라 백금 굴곡로(104) 저항의 조정에 의해 실현된다. 커버층(110)은 두 개의 커버로서, 세라믹 커버 및 세라믹 커버 위에 있는 유리 커버를 포함할 수 있다. 커버층(118)은 유리 커버일 수 있다. 금속 패시베이션층(106, 108) 및 커버층(110)은 유리 및/또는 세라믹 및/또는 복합물 층을 포함할 수 있다.
공지된 바와 같이, 센서의 교정은 도전체 길이를 증가시킴으로써 백금 굴곡로(104)의 저항을 조정하는 것에 의해 실현된다. 각 감지 요소의 저항은 원하는 정확도 사양에 맞게 공칭값(nominal value)으로 조정될 수 있다. 저항 조정은 아래에서 설명하는 레이저 트리밍에 의해 이루어질 수 있다.
이제 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 백금 굴곡로(104)는 상이한 저항들을 갖는 저항 루프들을 포함한다. 루프들은 회로 브릿지(202)들에 평행하게 연결된다.
제1 조정은 디지털 트리밍에 의한 것이다. 디지털 트리밍에서, 각 감지 요소의 저항은 백금 굴곡로(104) 길이를 증가시키는 저항 루프들을 추가함으로써 공칭의 +/- 3 옴(Ohm)에 근사한 값으로 조정된다.
도 2b는, 트리밍 동안 레이저 트리머가 연결 브릿지(202)들을 절단하고 대응하는 루프 저항을 전체 감지 요소 저항으로 수정하는 것을 도시한다.
더욱이, 또한 공지된 바와 같이, 아날로그 트리밍은 +/-0.1 옴 정도의 정확도를 가지고 저항을 공칭값으로 조정하는 정교한 교정 공정이다. 이 단계는 절단에 의한 디지털 트림 이후에 수행된다. 레이저 절단은 저항값을 측정하면서 공칭값에 도달할 때까지 수행된다.
도 3은 교정 전후에서 공지의 센서(100), 즉 백금 굴곡로(104)의 저항 분포를 나타낸다. 도 3이 선(302)으로 도시한 바와 같이, 교정 공정 이전에 저항 분포는 균일하지 않다. 하지만, 교정 공정 이후에 저항 분포는 선(304)을 따라 균일하다.
위에 언급된 바와 같이, 센서의 교정, 예를 들어 레이저 트리밍에 의한 교정은 생산 공정 동안 시행된다. 도 4는 교정을 구비한 공지의 센서 생산 방법(400)을 나타낸다. 도 4가 나타낸 바와 같이, 온도 센서의 생산을 위해, 백금층이 기판 상에 적층(404)되고 소결된다. 이후, 감지 요소 구조물이 백금층 상에 제작(408)되고 패시베이션층(412)이 후속한 뒤 소결된다. 패시베이션은 그 전기적 특성들을 수정하기 위하여 얇은 필름을 마이크로 디바이스의 표면 상에 성막하는 공정이다.
다음 단계(416)는 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 공지된 상술한 레이저 트리밍을 이용한 교정 공정이다. 센서가 교정된 후, 제2 패시베이션이 수행되고 소결이 후속한다. 다음 단계에서, 세라믹층이 제2 패시베이션층 상에 배치(424)된 뒤 소결된다. 이어서, 센서의 저항은 측정(428)되고, 센서는 행들로 절단(432; dicing)된다. 센서들의 생산을 위하여, 기판, 예를 들어 실리콘 웨이퍼 상에 다수의 센서들을 제조한 다음, 기판을 절단하여 개별 센서들을 얻는 것이 일반적이다. 절단 공정에서, 기판이 행들로 절단된 후, 각 행은 단일의 센서를 얻도록 절단될 것이다. 생산의 다음 단계는 와이어 용접, 및 유리 분배의 부착 또는 고정(436)이고, 소결이 후속한다. 와이어 용접 공정에서, 와이어들(116)은 도전성 패드들(112, 114) 상에 용접되고, 감지 구조물, 예를 들어 굴곡로 구조물(104)에 연결되어, 감지 구조물에 전기적 연결을 제공한다. 와이어들은 금속 또는 금속/세라믹일 수 있다. 예를 들어, 백금, 백금 로듐(Pt Rh), 구리, 니켈 또는 다른 적절한 금속 또는 금속 합금일 수 있다. 다음 공정은 유리 페이스트를 용접된 와이어들(116) 상에 적층한 뒤 소결하는 것이다. 유리는 도전성 구조물의 기계적 강도 및 전기적 절연을 제공한다. 단계(436)에서, 균일한 구조물, 즉 센서(600)를 만들기 위하여 유리는 임의의 용접된 와이어들 및 제2 교정부(607)를 기판(602)에 밀봉 또는 고정할 수 있다. 그런 다음, 행들은 개별적으로 절단(440)될 것이며 저항은 두 번째로 점검될 것이다[R 체크2(444)].
도 5a 및 도 5b는 공지의 생산 공정의 다양한 단계들에서 센서의 저항 분포에 대한 변화를 나타낸다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 트리밍 공정(416)의 말미에서 센서 저항(R0) 분포(504)는 균일하다. 하지만, 후속하여, 단계(428) 이후의 분포(508)는 균일성을 잃었고, 단계(444) 이후, 분포(512)는 훨씬 더 변화된다. 이것은 고온 노출들(소결 단계들) 및 열팽창 계수(CTE)의 불일치들 때문이다. 도 5b는 단계(428 및 444)에서 측정된 저항 분포들을 나타낸다.
교정 루프들을 포함하는 굴곡로 구조물들에 대한 기존 디자인들은 완화, 즉, 소결 공정의 영향을 보정할 가능성을 제공하지 않는다. 공지의 R0 분포(512)는 고객 사양을 만족하기 위해 칩 수준에서의 100% 분류를 요구하여, 경제적 손실을 야기한다.
위에 설명된 바와 같이, 공지의 센서들에 있어서, 백금 굴곡로 디자인은 패시베이션층의 완성 및 보호층 또는 커버층의 배치 이전에만 교정을 허용한다. 그러므로, 제조 공정의 말미에서 저항 분포에 대한 소결 공정의 부작용이 센서 정확도에 반영된다.
유리하게는, 본 개시의 양태들에 따른 본 센서 디자인는 이러한 목표를 달성하기 위하여 센서 구조물 즉, 개선된 굴곡로 구조물에 추가적인 교정 구역을 포함한다.
도 6a 내지 도 6c에 도시된 바와 같이, 본 개시의 양태들에 따른 센서 디자인(600)은 임의의 적합한 재료 예를 들어, 금속 산화물 세라믹, 알루미나 산화물 세라믹, 지르코니아 산화물 세라믹 또는 이들 재료들의 임의의 혼합물로 이루어진 기판(602)을 포함할 수 있다. 센서(600)는 기판(602) 상에 제작된 교정 구조물(604)을 포함할 수 있다. 교정 구조물(604)은 임의의 적합한 금속, 예를 들어, 백금, 구리, 니켈, 로듐, 팔라듐 또는 백금/로듐 합금으로 만들어질 수 있다. 적합한 금속 또는 금속 합금은 온도 범위와, 장치 및 그 응용례의 정확도에 따를 수 있다. 예를 들어, 백금은 가장 넓은 온도 범위에 걸쳐 매우 안정적인 저항-온도 관계를 가진다. 교정 구조물(604)은 제1 교정부(606) 및 제2 교정부(607)을 포함한다. 도 6a 및 도 6b에 도시된 것과 같이, 제1 교정부(606)는 예를 들어, 백금으로 이루어진 굴곡로 구조물일 수 있다. 제1 교정부(606) 및 제2 교정부(607) 양자 모두 센서(606)의 감지 요소들이 될 수 있다. 센서(600)는 접촉 패드들(612)과 접촉한 와이어들(616)을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 센서(600)는 와이어들(616) 및 접촉 패드들(612)과 접촉한 접촉 패드들(614)을 더 포함할 수 있다. 센서(600)는 배기 가스에 노출될 수 있고, 이에 따라 접촉 패드들(612) 사이의 저항을 변하게 하며, 이러한 저항의 변화는 배기 가스의 온도에 비례한다. 일부 실시예들에 있어서, 교정 구조물(604), 접촉 패드들(612, 614) 및 와이어들(616)은 배기 가스에 노출된다.
센서(600)는 제1 패시베이션층(605)을 포함할 수 있다. 제1 패시베이션층(605)은 기판(602) 및 교정 구조물(604)의 적어도 일부와 접촉한다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 패시베이션층(605)은 기판(602) 및 제1 교정부(606)와 접촉한다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 패시베이션층(605)은 단지 제1 교정부(606)와 접촉한다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 패시베이션층(605)은 제2 교정부(607)와 접촉하지 않는다. 다른 실시예들에 있어서, 제1 패시베이션층(605)은 오직 제2 교정부(607)의 일부와 접촉한다.
센서(600)는 제2 패시베이션층(608)을 더 포함한다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 패시베이션층(608)은 제1 패시베이션층(605)과 접촉한다. 센서(600)는 커버층들(610, 610')을 더 포함할 수 있다. 커버층들(610, 610')은 센서(600)를 보호하기 위한 임의의 적합한 재료로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 커버층(610, 610')은 유리, 세라믹 또는 복합 재료들로 만들어질 수 있다.
도 6b는 본 개시의 양태들에 따른 교정 구조물(604)의 확대도를 나타낸다. 제2 교정부(607)는 센서의 제조에서 제2 교정 단계를 위해 이용될 수 있다. 제1 교정부(604)는 제2 교정부(607)와 전기적으로 직렬 연결된다. 위에 언급된 바와 같이, 제조 공정 동안 센서들은 한번 교정되는 것으로 알려져 있다. 유리하게는, 후술하는 바와 같이, 제2 교정부(607)는 생산 공정에서 센서(600)의 제2 교정 단계로 더 진행할 수 있게 한다.
도 6b가 도시하는 바와 같이, 교정 구조물(604)은 제1 교정부(606), 제2 교정부(607) 및 접촉 패드들(612)로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 교정 구조물(604)은 두 개의 접촉 패드들(612)을 포함한다. 일부 실시예들에 있어서, 교정 구조물(604)은 적어도 하나의 접촉 패드(612)를 포함한다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 교정부(604), 제2 교정부(607) 및 접촉 패드들(612)은 직렬로 연결된다. 상술한 바와 같이, 교정 구조물(604)은 금속, 예를 들어, 백금의 층을 적층함으로써 기판(602) 상에 제작될 수 있고, 제작 공정이 후속될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 접촉 패드들(112)은 제1 교정부(606) 및 제2 교정부(607)와 동일한 소재로 이루어진다. 일부 실시예들에 있어서, 접촉 패드(612)는 금속, 예를 들어 백금일 수 있다.
제2 교정부(607)가 제1 교정부(606)와의 전기적으로 접촉하는 한, 제2 교정부(607)는 기판(602) 상의 임의의 위치에 제작되고 위치될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 교정부(607)는 접촉패드들(612) 사이에 위치한다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 교정부(607)는 패시베이션층들(605, 608)과 접촉하지 않는다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 교정부(607)는 패시베이션층들(605, 608) 및 커버층(610)에 접촉하지 않는다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 교정부(607)의 적어도 일부는 패시베이션층들(605, 608) 및/또는 커버층(610)과 접촉하지 않는다. 제2 교정부(607)의 적어도 일부가 패시베이션층들(605, 608) 및/또는 커버층(610)과 접촉하지 않게 하는 것은, 제조 공정에서 제2 교정 단계를 더 진행할 수 있게 한다.
제2 교정부(607)는 임의의 형상으로 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 교정부(607)는 사각 형상을 갖는다. 도 6c는 제2 교정부(607)의 일부 실시예들을 나타낸다. 예를 들어, 제2 교정부(607)는 사각(A), 둥근 루프(B) 또는 사다리 디자인(C)으로 만들어질 수 있다. 제2 교정부(607)를 도 6c에 도시된 바와 같은 디자인으로 형성하는 것은, 센서(600)의 저항을 원하는 범위 내로 수정하도록 트리머(trimmer)가 제2 교정부(607)의 섹션들을 절단할 수 있게 된다.
도 6d는 조립된 배치로 있는 센서(600)를 나타낸다.
본 개시의 양태들에 따른 센서 제조 공정(방법)(700)은 도 7에 제시된다. 방법(700)은 기판 상에 금속층을 적층(704)하고 이후 소결하는 것을 포함할 수 있다. 금속은 임의의 적절한 금속 예를 들어, 백금일 수 있다. 이후, 구조물, 예를 들어, 감지 요소는 금속층 상에 제작(708)될 수 있고, 이어서 패시베이션층(605)을 적층(712)할 수 있다. 다음 단계는 소결 단계일 수 있다.
이어지는 단계는 센서(600)의 제1 교정 단계(716)일 수 있다. 교정은 상술한 바와 같은 디지털 및/또는 아날로그 교정일 수 있다. 센서(600)가 교정된 후, 제2 패시베이션(720)이 수행될 수 있고, 패시베이션층(608)은 소결될 수 있다. 다음 단계(724)에서, 커버층(610)은 제2 패시베이션층(608) 상에 위치한 뒤 소결될 수 있다. 커버층(610)은 임의의 적절한 재료, 예를 들어, 유리 또는 세라믹으로 만들어질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 방법(700)은 커버층(610)을 기판(602)의 일부 및 제2 패시베이션층(608) 상에 위치시키는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 방법(700)은 커버층(610)을 기판(602)의 일부, 제2 패시베이션층(608) 및 교정 구조물(604)의 적어도 일부 상에 위치시키는 것을 포함할 수 있다. 단계(728)에서, 센서(600; R 체크1)의 저항이 측정될 수 있고, 제2 교정 단계가 수행될 수 있다.
제2 교정 단계는 제1 패시베이션층(605) 및/또는 제2 패시베이션층(608) 및/또는 커버층(610)에 의해 덮이지 않는 교정 구조물(604)의 제2 교정부(607) 상에 수행될 수 있다. 다음 단계(732)는 센서(600)를 행들로 절단하는 것일 수 있다. 생산의 다음 단계(736)는 와이어 용접 및 유리의 부착 또는 고정일 수 있고, 소결이 이어질 수 있다. 이후, 장치는 개별로 절단될 수 있고, 저항이 두 번째로 체크될 수 있다(744; R 체크2).
위에 언급된 바와 같이, 제2 교정 단계(728)가 제1 저항 체크, 예를 들어, R 체크1의 일부로서 수행될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 저항 분포 곡선을 보상하도록 2Ω 내지 6Ω의 저항(윤곽 디자인에 따름)이 주요 구조물에 부가될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제조 방법은 공칭값에 도달하기 위해 두 개의 교정 단계들을 포함할 수 있다. 센서의 적용 및 원하는 저항에 따라 공칭값이 자체적으로 선택될 수 있다. 제1 교정 단계인 디지털 및 아날로그 트리밍에 있어서, 저항값은 공칭값에 근접하지만 부가적인 윤곽의 최대 저항보다 낮지는 않은 낮은 값으로 조정된다. 예를 들어, 195.00Ω 내지 199.00Ω 사이의 공칭값으로 조정한다. 이후 제2 교정 단계는, 제2 교정부(607)를 수정함으로써 모든 요소들을 공칭 저항으로 조정하는 것, 예를 들어, 공칭값(예를 들어, 200Ω)으로 조정하는 것일 수 있다. 부가될 저항량은 제2 교정부(607)의 디자인, 제1 교정부(606)의 폭, 굴곡로의 폭, 교정 구조물(604)의 두께 등에 따를 수 있다. 제2 교정부(607)는 도 7의 생산 공정의 와이어들 고정 단계와 함께 유리 또는 유리 세라믹 커버에 의해 보호될 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 본 개시의 양태들에 따른 생산 공정의 다양한 단계들에서, 방법(700)에 따른 결과적인 센서들의 저항 분포를 나타낸다. 도 8a가 도시한 바와 같이, 센서(600) 저항(804)은 제1 교정 단계(716) 이후에 비교적 일정하다. 센서(600)의 저항 분포(808)는 두 개의 패시베이션 공정(712, 720) 및 커버층의 배치(724) 이후에 변화한다. 제1 저항 체크(728; R 체크1)에서, 센서(600)는 다시 교정되고, 즉, 선(812)으로 도시된 바와 같은 제2 교정 단계이다. 도 8a가 도시한 바와 같이, 공정(744; R 체크2)의 말미에서 측정된 저항 분포(816)는 제2 교정 단계(728)에서 측정된 저항(812)과 비슷하다. 도 8b는 두 개의 교정 단계들(716, 728) 이후의 센서(600)의 저항 분포를 나타낸다.
도 9는 공지된 센서 및 본 개시의 양태들에 따른 센서의 저항 측정 분포의 비교를 나타낸다. 플롯(plot)(901)은 공지된 센서의 저항 측정 분포를 나타내고, 플롯(902)는 방법(700)에 따라 제조된 센서(600)의 저항 측정치를 나타낸다. 도 9가 나타내는 바와 같이, 센서(600)의 저항 분포(902)는 공지된 센서(100)의 저항 분포보다 상당히 우수하다.
명확화를 위하여 일부 특징들이 별개의 실시예들의 맥락으로 서술되었더라도, 이 특징들은 또한 하나의 실시예로 조합되어 마련될 수 있다는 것이 인정된다. 반대로, 간결성을 위하여 단일 실시예의 맥락으로 서술된 다양한 다른 특징들 또한 별개로 또는 임의의 적절한 하위 조합으로 마련될 수 있다.
상술한 설명을 읽은 후 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 개시의 많은 변경들 및 수정들이 명백해질 것임은 의심할 바 없으므로, 도면에 의해 도시되고 서술된 특정 실시예들이 제한적인 것으로 고려되도록 의도하지 않았음을 이해할 것이다. 더욱이, 대상물은 특정 실시예들을 참조하여 서술되었으나, 본 개시의 사상 및 범위 내에서의 변형들이 당해 기술분야의 통상의 기술자들에게 일어날 것이다. 앞선 예시들은 단지 설명을 위해 제공된 것이며, 결코 본 개시의 제한으로서 해석되지 않아야 한다.
비록 본 개시가 여기에 특정 실시예들을 참조하여 서술되었으나, 본 개시는 여기에 개시된 세부사항들로 제한되도록 의도된 것이 아니며; 오히려, 본 개시는 청구범위 내의 것들과 같은 모든 기능적으로 균등한 구조들, 방법들 및 용도들로 확장된다.

Claims (15)

  1. 센서 제조방법으로서,
    기판 상에 금속층을 적층하는 것;
    제1 교정부 및 제2 교정부를 가진 교정 구조물을 상기 금속층 상에 제작하는 것;
    상기 제1 교정부를 수정함으로써 상기 센서의 제1 교정을 수행하는 것;
    상기 제1 교정부의 일부 상에 커버층을 위치시키는 것; 및
    상기 제1 교정부의 일부 상에 커버를 위치시키는 것 이후에, 상기 제2 교정부를 수정함으로써 상기 센서의 제2 교정을 수행하는 것을 포함하는, 센서 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 교정부를 수정하는 것은 재료를 제거함으로써 굴곡로(meander) 구조물을 수정하는 것을 포함하는, 센서 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 교정부를 수정하는 것은 재료를 제거하는 것을 포함하는, 센서 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 교정부를 제작하는 것은, 상기 금속층 상에 사각 형상을 가진 구조물, 사다리 형상을 가진 구조물 또는 구 형상을 가진 구조물 중 적어도 하나를 제작하는 것을 포함하는, 센서 제조방법.
  5. 센서로서,
    제1 교정부 및 제2 교정부를 포함하는 교정 구조물을 가진 기판; 및
    상기 제1 교정부와 접촉하는 커버층을 포함하고,
    상기 제2 교정부의 적어도 일부는 상기 커버층과 접촉하지 않고,
    상기 제2 교정부는 상기 제1 교정부와 접촉한 상기 커버층의 배치에 후속하여 수정된, 센서.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 교정부는 굴곡로 구조물을 포함하는, 센서.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2 교정부는 사각 형상을 가진 구조물, 사다리 형상을 가진 구조물 또는 구 형상을 가진 구조물을 포함하는, 센서.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2 교정부들 중 적어도 하나는 재료를 제거함으로써 수정된, 센서.
  9. 제5항에 있어서, 상기 제1 교정부는 상기 제2 교정부에 전기적으로 직렬 연결된, 센서.
  10. 센서로서,
    기판;
    상기 기판 상에 마련된 굴곡로 부분;
    상기 기판 상에 마련되어 상기 굴곡로 부분에 결합된 교정부; 및
    상기 굴곡로 부분과 접촉하되 상기 교정부와 비접촉하는 제1 커버층을 포함하고,
    상기 교정부는 상기 굴곡로 부분과 접촉하는 상기 제1 커버층의 배치에 후속하여 수정된, 센서.
  11. 제10항에 있어서, 상기 교정부는 상기 제1 커버층의 배치에 후속한 재료의 제거에 의해 수정된, 센서.
  12. 제10항에 있어서, 상기 교정부는 사각 형상을 가진 구조물, 사다리 형상을 가진 구조물 또는 구 형상을 가진 구조물 중 적어도 하나를 포함하는, 센서.
  13. 제10항에 있어서, 상기 교정부들 및 상기 굴곡로 부분 중 적어도 하나는 재료의 제거에 의해 수정된, 센서.
  14. 제10항에 있어서, 상기 기판 상에 상호 인접하게 마련되고, 상기 굴곡로 부분 및 상기 교정부와 전기적으로 직렬 연결된 제1 및 제2 접촉 패드
    를 더 포함하고,
    상기 교정부는 상기 제1 및 제2 접촉 패드 사이에서 상기 기판 상에 마련되는, 센서.
  15. 제14항에 있어서, 상기 교정부 및 상기 굴곡로 부분 각각은 선택적 감소를 위한 개별 저항량을 포함하고,
    상기 개별 저항량은 개별 크기, 형상, 폭 및 두께의 함수인, 센서.
KR1020200011053A 2019-01-30 2020-01-30 두 개의 교정부들을 구비한 자동 배기 가스 센서 KR20200095412A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962798522P 2019-01-30 2019-01-30
US62/798,522 2019-01-30
US16/426,220 US11226244B2 (en) 2019-01-30 2019-05-30 Automotive exhaust gas sensor with two calibration portions
US16/426,220 2019-05-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200095412A true KR20200095412A (ko) 2020-08-10

Family

ID=69147541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200011053A KR20200095412A (ko) 2019-01-30 2020-01-30 두 개의 교정부들을 구비한 자동 배기 가스 센서

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11226244B2 (ko)
EP (1) EP3690413A1 (ko)
JP (1) JP2020122783A (ko)
KR (1) KR20200095412A (ko)
CN (1) CN111504492B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4312009A1 (de) * 2022-07-28 2024-01-31 Yageo Nexensos GmbH Anisotrope leitfähige klebeverbindungen für einen rtd
EP4312010A1 (de) * 2022-07-28 2024-01-31 Yageo Nexensos GmbH Herstellung von sensormodulen mit einem underfill-prozess

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3029446A1 (de) * 1980-08-02 1982-03-11 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Duennschichtanordnung
ATE44317T1 (de) * 1984-02-01 1989-07-15 Koch Elektronik Ag Verfahren zum abgleich eines temperaturfuehlers.
DE19512813C1 (de) * 1995-04-05 1996-06-20 Sensotherm Temperatursensorik Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
DE19540194C1 (de) 1995-10-30 1997-02-20 Heraeus Sensor Gmbh Widerstandsthermometer aus einem Metall der Platingruppe
EP0973020B1 (de) 1998-07-16 2009-06-03 EPIQ Sensor-Nite N.V. Elektrischer Temperatur-Sensor mit Mehrfachschicht
DE19901183C2 (de) 1999-01-14 2001-01-25 Sensotherm Temperatursensorik Platintemperatursensor und Herstellungsverfahren für denselben
WO2003023794A2 (en) * 2001-09-10 2003-03-20 Microbridge Technologies Inc. Method for trimming resistors
US7280028B2 (en) 2001-12-04 2007-10-09 Delphi Technologies, Inc. Temperature sensor and method of making the same
US6762671B2 (en) 2002-10-25 2004-07-13 Delphi Technologies, Inc. Temperature sensor and method of making and using the same
DE112005001155T5 (de) * 2004-05-18 2007-04-19 NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya Widerstandselement, sein Vorläufer, und Verfahren zur Widerstandswerteinstellung
DE102005029804A1 (de) * 2005-06-27 2007-01-04 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Abgleichen eines Schichtwiderstandes sowie ein Schichtwiderstand und ein Dehnungsmesselement
GB0814452D0 (en) 2008-08-07 2008-09-10 Melexis Nv Laminated temperature sensor
DE102008043299A1 (de) 2008-10-29 2010-05-06 Innovative Sensor Technology Ist Ag Verfahren zur Fertigung eines Sensorelements und entsprechend gefertigtes Sensorelement
US8305186B1 (en) * 2010-08-24 2012-11-06 Minco Products, Inc. Resistive temperature detector assembly
EP2492926B1 (en) * 2011-02-25 2013-07-10 Abb Ag Resistive voltage divider with high voltage ratio
ITTO20120293A1 (it) * 2012-04-03 2013-10-04 Metallux Sa Procedimento per tarare un elemento di calibrazione, e relativo dispositivo
JP5736348B2 (ja) * 2012-06-21 2015-06-17 立山科学工業株式会社 薄膜抵抗体温度センサとその製造方法
WO2017111409A1 (ko) 2015-12-24 2017-06-29 주식회사 모다이노칩 온도 센서
WO2017196540A1 (en) * 2016-05-13 2017-11-16 Applied Materials, Inc. Sensor based auto-calibration wafer
JP6821384B2 (ja) * 2016-10-17 2021-01-27 Koa株式会社 白金温度センサ素子
US10371581B2 (en) 2017-06-02 2019-08-06 Sensata Technologies, Inc. Alumina diffusion barrier for sensing elements

Also Published As

Publication number Publication date
CN111504492A (zh) 2020-08-07
US20200240852A1 (en) 2020-07-30
US11226244B2 (en) 2022-01-18
EP3690413A1 (en) 2020-08-05
CN111504492B (zh) 2024-05-17
JP2020122783A (ja) 2020-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4104605A (en) Thin film strain gauge and method of fabrication
EP2472529B1 (en) Thermistor and method for producing same
US6762671B2 (en) Temperature sensor and method of making and using the same
KR20200095412A (ko) 두 개의 교정부들을 구비한 자동 배기 가스 센서
JP6585844B2 (ja) センサ素子およびセンサ素子を製造するための方法
EP2801803A1 (en) Thin film resistor temperature sensor and method for manufacturing same
JP6326192B2 (ja) チップ抵抗器およびその製造法
JP7026697B2 (ja) ガスパラメータを決定するセンサ
US10488270B2 (en) Platinum temperature sensor element
US10504638B2 (en) Thermistor and device using thermistor
JP4871548B2 (ja) 薄膜サーミスタ
US20130270257A1 (en) Exhaust sensor heater circuit for non-calibrated replacement in existing applications
EP3450945B1 (en) Sensor substrate and sensor apparatus
US6763712B1 (en) Flow-sensing device and method for fabrication
TWI656330B (zh) Temperature sensor component
US4311982A (en) Trimmable wirewound resistance temperature transducer
US20050217889A1 (en) High temperature electrical connection
KR101848764B1 (ko) 초소형 온도센서 및 그 제조방법
JP2753494B2 (ja) サーミスタ素子の製造方法
JP2003203802A (ja) 感温性抵抗素子及びその製造方法並びに熱式流量センサ
JPS5821801B2 (ja) 高温用感温素子及びその製造方法
JP2004363264A (ja) 抵抗体素子
JP2000111379A (ja) 流量検出装置及びその製造方法
JP2925420B2 (ja) 抵抗体素子
CN117730380A (zh) 电阻器、其制造方法以及包括电阻器的装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination