KR20200090393A - Light emitting device package and light module having the same - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many advantages such as having a wide and easily adjustable band gap energy, and thus can be used in various ways as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using a group 3-5 or 2-6 compound semiconductor material are red, green, and green due to the development of thin film growth technology and device materials. There is an advantage that can realize light in various wavelength bands such as blue and ultraviolet light. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group 3-5 or 2-6 compound semiconductor material can use a fluorescent material or combine colors to implement a white light source with high efficiency. Such a light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light-receiving device such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a group 3-5 or 2-6 compound semiconductor material, the development of the device material absorbs light in various wavelength regions to generate a photocurrent. By doing so, it is possible to use light in various wavelength ranges from gamma rays to radio wavelength ranges. In addition, such a light-receiving device has the advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness, and easy adjustment of device materials, and thus can be easily used in power control or ultra-high-frequency circuits or communication modules.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device can replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp or an incandescent light bulb that replaces a cold cathode tube (CCFL) constituting a backlight of a transmission module of an optical communication means and a liquid crystal display (LCD) display device. Its application is expanding to white light emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, and sensors for detecting gas or fire. In addition, the application of the semiconductor device can be expanded to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
또한, 발광소자는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 자외선(UV) 발광소자, 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 노란색(Yellow) 발광소자, 적색(Red) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.In addition, the light emitting device has been receiving great attention in the field of optical device and high power electronic device development due to its high thermal stability and wide band gap energy. In particular, ultraviolet (UV) light-emitting elements using nitride semiconductors, blue (Blue) light-emitting elements, green (Green) light-emitting elements, yellow (Yellow) light-emitting elements, red (Red) light-emitting elements, and the like are commercialized and widely used.
종래 발광소자 패키지는 몸체의 캐비티 내에 솔더를 이용하여 발광소자를 장착하고, 발광소자를 고정시키기 위해 발광소자 주변에 언더필 부재를 배치시키고 있다.In a conventional light emitting device package, a light emitting device is mounted using solder in a cavity of a body, and an underfill member is disposed around the light emitting device to fix the light emitting device.
하지만, 발광소자 패키지를 메인 기판에 연결하기 위한 리플로우 공정 시 고온에 의해 솔더의 팽창 및 솔더의 플럭스(Flux) 성분이 몸체와 언더필 부재 사이로 확산되어 언더필 부재가 박리되는 문제점이 발생된다.However, during the reflow process for connecting the light emitting device package to the main substrate, the expansion of the solder and the flux component of the solder are diffused between the body and the underfill member due to high temperature, thereby causing the underfill member to peel off.
실시예는 고온에 의한 솔더의 팽창으로 언더필 부재가 박리되는 것을 방지하기 위한 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 광원 부재를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.An object of the embodiment is to provide a light emitting device package and a light source member including the light emitting device package for preventing the underfill member from being peeled off due to the expansion of solder due to high temperature.
또한, 실시예는 고온에 의한 솔더의 플럭스 성분에 의해 언더필 부재가 박리되는 것을 방지하기 위한 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 광원 모듈을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a light emitting device package and a light source module including the light emitting device package for preventing the underfill member from being peeled off due to the flux component of the solder due to high temperature.
실시예의 발광소자 패키지는 몸체와, 상기 몸체 상에 배치된 발광 소자와, 상기 발광 소자와 상기 몸체 사이에 배치된 솔더와, 상기 발광 소자의 외곽을 둘러싸도록 배치되어 측면에 적어도 하나 이상의 개구부를 포함하는 솔더 흐름 방지턱과, 상기 몸체 상에 배치되어 상기 발광 소자의 측면 및 상기 솔더 흐름 방지턱을 덮도록 배치된 언더필 부재를 포함할 수 있다.The light emitting device package of the embodiment includes a body, a light emitting device disposed on the body, a solder disposed between the light emitting device and the body, and disposed to surround an outer periphery of the light emitting device, and includes at least one opening on a side surface. It may include a solder flow prevention jaw, and an underfill member disposed on the body to cover the side surface of the light emitting device and the solder flow prevention jaw.
상기 솔더 흐름 방지턱은 제1 길이를 갖는 상기 발광 소자의 제1 측면 및 상기 제1 측면과 대향하는 제2 측면과 이격 배치된 제1 방지턱과 상기 제1 길이보다 작은 제2 길이를 갖는 상기 발광 소자의 제3 측면 및 상기 제3 측면과 대향하는 제4 측면과 이격 배치된 제2 방지턱을 포함할 수 있다.The solder flow prevention jaw has a first side of the light emitting device having a first length and a second side facing the first side and a second side of the light emitting device having a second length smaller than the first length. The third side and the fourth side facing the third side may include a second protruding jaw spaced apart.
상기 개구부는 상기 제1 방지턱에 형성되고, 상기 발광 소자의 제1 측면과 상기 제1 방지턱 사이의 거리는 상기 발광 소자의 제2 측면과 상기 제2 방지턱 사이의 거리보다 작게 형성될 수 있다.The opening may be formed in the first protruding jaw, and a distance between the first side of the light emitting device and the first protruding jaw may be formed smaller than a distance between the second side of the light emitting device and the second prohibiting jaw.
상기 개구부는 상기 제2 방지턱에 형성되고, 상기 발광 소자의 제1 측면과 상기 제1 방지턱 사이의 거리는 상기 발광 소자의 제2 측면과 상기 제2 방지턱 사이의 거리보다 크게 형성될 수 있다.The opening is formed in the second protruding jaw, and a distance between the first side of the light emitting device and the first protruding jaw may be formed to be larger than a distance between the second side of the light emitting device and the second prohibiting jaw.
상기 개구부는 상기 제1 방지턱 및 상기 제2 방지턱에 형성되고, 상기 발광 소자의 제1 측면과 상기 제1 방지턱 사이의 거리는 상기 발광 소자의 제2 측면과 상기 제2 방지턱 사이의 거리와 동일하게 형성될 수 있다.The opening is formed in the first protruding jaw and the second protruding jaw, and a distance between the first side of the light emitting device and the first protruding jaw is formed to be the same as the distance between the second side of the light emitting device and the second prohibiting jaw. Can be.
상기 개구부는 상기 제1 방지턱의 측면과 상기 제2 방지턱의 측면 사이에 형성되고, 상기 발광 소자의 제1 측면과 상기 제1 방지턱 사이의 거리는 상기 발광 소자의 제2 측면과 상기 제2 방지턱 사이의 거리와 동일하게 형성될 수 있다.The opening is formed between a side surface of the first protruding jaw and a side surface of the second protruding jaw, and a distance between the first side of the light emitting device and the first protruding jaw is between the second side of the light emitting device and the second protruding jaw. It can be formed equal to the distance.
상기 개구부는 상기 솔더 흐름 방지턱의 측면을 관통하도록 형성될 수 있다.The opening may be formed to penetrate the side surface of the solder flow prevention jaw.
상기 개구부의 하부에는 상기 솔더 흐름 방지턱이 배치되고, 상기 개구부 아래에 배치된 상기 솔더 흐름 방지턱의 높이는 상기 개구부 높이의 1/2 이하로 형성될 수 있다.The solder flow prevention jaw is disposed under the opening, and the height of the solder flow prevention jaw disposed below the opening may be formed to be 1/2 or less of the height of the opening.
상기 개구부의 상부에는 상기 솔더 흐름 방지턱이 배치될 수 있다.The solder flow prevention jaw may be disposed on the upper portion of the opening.
상기 솔더 흐름 방지턱의 높이는 상기 발광 소자와 상기 몸체 사이의 거리 보다 크게 형성될 수 있다. The height of the solder flow prevention jaw may be formed larger than the distance between the light emitting element and the body.
상기 발광소자의 측면과 상기 솔더 흐름 방지턱 사이의 거리는 100㎛ 내지 200㎛를 포함할 수 있다.The distance between the side surface of the light emitting device and the solder flow prevention jaw may include 100 μm to 200 μm.
또한, 실시예의 광원 모듈은 회로 기판과, 상기 회로 기판 상에 배치된 발광 소자 패키지를 포함하고, 상기 발광소자 패키지는 몸체와, 상기 몸체 상에 배치된 발광 소자와, 상기 발광 소자와 상기 몸체 사이에 배치된 솔더와, 상기 발광 소자의 외곽을 둘러싸도록 배치되어 측면에 적어도 하나 이상의 개구부를 포함하는 솔더 흐름 방지턱과, 상기 몸체 상에 배치되어 상기 발광 소자의 측면 및 상기 솔더 흐름 방지턱을 덮도록 배치된 언더필 부재를 포함할 수 있다.In addition, the light source module of the embodiment includes a circuit board and a light emitting device package disposed on the circuit board, wherein the light emitting device package includes a body, a light emitting device disposed on the body, and between the light emitting device and the body Solder disposed on the solder flow prevention jaw disposed to surround the outer periphery of the light emitting element and includes at least one opening on the side, and disposed on the body to cover the side and the solder flow prevention jaw of the light emitting element It may include an underfill member.
실시예는 솔더 흐름 방지턱을 형성함으로써, 솔더가 발광 소자의 외부로 확산되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.The embodiment has an effect of preventing the solder from being diffused to the outside of the light emitting device by forming a solder flow prevention jaw.
또한, 실시예는 솔더 흐름 방지턱에 개구부를 형성함으로써, 솔더의 플럭스 성분이 언더필 부재의 하부로 확산되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있게 된다.In addition, in the embodiment, by forming an opening in the solder flow prevention jaw, it is possible to more effectively prevent the flux component of the solder from being diffused to the lower portion of the underfill member.
또한, 실시예는 개구부의 아래에 솔더 흐름 방지턱을 더 형성함으로써, 솔더의 확산을 보다 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, the solder flow prevention jaw is further formed under the opening, thereby effectively preventing diffusion of solder.
또한, 실시예는 개구부의 상부에 솔더 흐름 방지턱을 더 형성함으로써, 솔더 흐름 방지턱의 보다 견고하게 형성할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, the solder flow prevention jaw is further formed on the upper portion of the opening, so that the solder flow prevention jaw can be more firmly formed.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 2는 발광소자와 솔더 흐름 방지턱을 중심으로 나타낸 평면도이다.
도 3은 발광소자와 솔더 흐름 방지턱을 중심으로 나타낸 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 솔더 흐름 방지턱을 측면에서 바라본 모습의 다양한 실시예들을 나타낸 도면이다.
도 7은 제2 실시예에 따른 솔더 흐름 방지턱을 나타낸 평면도이다.
도 8은 제3 실시예에 따른 솔더 흐름 방지턱을 나타낸 평면도이다.
도 9는 제4 실시예에 따른 솔더 흐름 방지턱을 나타낸 평면도이다.
도 10은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 광원 모듈을 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to a first embodiment.
2 is a plan view showing the light emitting device and the solder flow prevention chin as a center.
3 is a cross-sectional view showing the light emitting element and the solder flow prevention jaw as a center.
4 to 6 are views showing various embodiments of a state in which the solder flow prevention jaw is viewed from the side.
7 is a plan view showing a solder flow prevention jaw according to the second embodiment.
8 is a plan view showing a solder flow prevention jaw according to the third embodiment.
9 is a plan view showing a solder flow prevention jaw according to the fourth embodiment.
10 is a cross-sectional view showing a light source module including a light emitting device package according to an embodiment.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시 예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.However, the technical spirit of the present invention is not limited to some embodiments described, but may be implemented in various different forms, and within the technical spirit scope of the present invention, one or more of its components between embodiments may be selectively selected. It can be used by bonding and substitution.
또한, 본 발명의 실시예에 사용된 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.In addition, terms (including technical and scientific terms) used in the embodiments of the present invention, unless specifically defined and explicitly described, can be generally understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. It can be interpreted as a meaning, and terms that are commonly used, such as terms defined in the dictionary, may be interpreted by considering the meaning in the relevant context.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.In addition, the terms used in the embodiments of the present invention are for describing the embodiments and are not intended to limit the present invention.
본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, "A 및(와) B,C 중 적어도 하나(또는 한개이상)"로 기재되는 경우, A,B,C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.In the present specification, a singular form may also include a plural form unless specifically stated in the phrase, and when described as "at least one (or more than one) of A and B and C", combinations of A, B, and C It can contain one or more of all possible combinations.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A,B,(a),(b) 등의 용어를 사용할 수 있다.In addition, in describing the components of the embodiments of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used.
이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다.These terms are only for distinguishing the component from other components, and the term is not limited to the nature, order, or order of the component.
그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 '연결','결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우 뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성 요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결','결합' 또는 '접속'되는 경우도 포함할 수 있다.And, when a component is described as being'connected','coupled' or'connected' to another component, the component is directly connected to, coupled to, or connected to the other component, as well as the component. It may also include the case of'connected','coupled' or'connected' due to another component between the other components.
또한, 각 구성 요소의 "상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우 뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한, "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.Further, when described as being formed or disposed in the "top (top) or bottom (bottom)" of each component, the top (top) or bottom (bottom) is one as well as when the two components are in direct contact with each other. It also includes a case in which another component described above is formed or disposed between two components. In addition, when expressed as "up (up) or down (down)", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one component.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 2는 발광소자와 솔더 흐름 방지턱을 중심으로 나타낸 평면도이고, 도 3은 발광소자와 솔더 흐름 방지턱을 중심으로 나타낸 단면도이고, 도 4 내지 도 6은 솔더 흐름 방지턱을 측면에서 바라본 모습의 다양한 실시예들을 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to a first embodiment, FIG. 2 is a plan view mainly showing a light emitting device and a solder flow prevention jaw, and FIG. 3 is a cross section showing a light emitting device and a solder flow prevention jaw as a center, FIG. 4 to 6 are views showing various embodiments of a state in which the solder flow prevention jaw is viewed from the side.
도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 캐비티(c)가 형성된 몸체(100)와, 상기 몸체(100) 상에 배치된 발광 소자(200)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light
상기 몸체(100)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체(100)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(100)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. The
상기 몸체(100)는 열 가소성 수지로 형성될 수 있으며, 상기 열 가소성 수지는 가열하면 물러지고 냉각하면 다시 굳어지는 물질이므로, 후술할 프레임 및 이와 접촉하는 물질들이 열에 의해 팽창 또는 수축할 때 상기 몸체(100)가 완충 작용을 할 수 있다. 이때 상기 몸체(100)가 상기 완충 작용을 할 경우, 솔더계 페이스트, Ag계 페이스트, SAC(Sn-Ag-Cu)계 페이스트와 같은 도전부가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 상기 패키지에서 열 팽창 및 수축에 따른 열팽창 계수(CTE: coefficient of Thermal expansion)은 상기 제 1 방향이 상기 제 2 방향보다 클 수 있다. 실시예에 따른 몸체(100)는 바람직하게 융점이 높은 열가소성 수지인 PCT 또는 PPA 재질을 포함할 수 있다.The
상기 몸체(100)의 상단부 네 모서리 중 적어도 한 곳에는 전극위치 표시부(미도시)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 전극위치 표시부는 음극 또는 양극 중 적어도 하나의 극성을 표시해주기 위해 형성될 수 있고, 상기 몸체(100)의 한 모서리를 계단 형상으로 절삭하여 형성할 수 있다.An electrode position indicator (not shown) may be formed in at least one of the four corners of the upper end of the
상기 몸체(100)는 제1 몸체(110) 및 제2 몸체(120)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체(100)는 제1 몸체(110) 및 상기 제1 몸체(110) 상에 배치되는 제2 몸체(120)를 포함할 수 있다. The
제1 몸체(110)는 정방형 또는 장방형 형상을 포함할 수 있다. 제1 몸체(110)는 하부 몸체로 지칭될 수 있다. 제1 몸체(110) 상에는 반사 부재(미도시)가 더 배치될 수 있다. 반사 부재는 기재에 반사 입자가 분산된 구조일 수 있다. 기재는 광 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 및 아크릴 수지 중 어느 하나 이상일 수 있다. 일 예로, 고분자 수지는 실리콘 수지일 수 있다. 반사 입자는 TiO2 또는 SiO2와 같은 입자를 포함할 수 있다. 반사 부재는 화이트 실리콘일 수 있다.The
반사 부재는 제1 몸체(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 캐비티(c)의 하부로 출사된 광이 상측으로 반사될 수 있다. 따라서, 광 추출 효율이 향상될 수 있다.The reflective member may be entirely disposed on the
상기 제2 몸체(120)는 상기 제1 몸체(110)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 몸체(120)는 상기 제1 몸체(110) 상에 경사면을 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 몸체(120)는 상기 제1 몸체(110) 상면 상에 캐비티(c)를 제공할 수 있다. 여기서, 상기 제2 몸체(120)는 상부 몸체로 지칭될 수 있다. 즉, 상기 제2 몸체(120)는 캐비티(c)를 제공하는 측벽일 수 있다. The
제1 몸체(110) 및 상기 제2 몸체(120)는 일체로 형성되거나 별도로 형성될 수 있다. 상기 제1 몸체(110) 및 상기 제2 몸체(120)가 별도로 형성될 경우, 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(120) 사이에 접착성 물질이 도포되어 서로 결합할 수 있다. 상기 캐비티(c)에 의해 상기 제1 몸체(110)의 상면 일부는 노출될 수 있다.The
제2 몸체(120)는 경사면 및 상면을 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(120)의 경사면은 상기 제2 몸체(120)의 내측면일 수 있다. 자세하게, 상기 제2 몸체(120)는 상기 캐비티(c)의 둘레에 경사진 내측면들과 상기 내측면들과 연결된 상면을 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(120)의 내측면은 상기 발광 소자(200)와 마주하는 면일 수 있다. 상기 제2 몸체(120)의 내측면은 상기 발광 소자(200)를 향하는 면일 수 있다. The
상기 제1 몸체(110)의 두께는 약 400㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제1 몸체(110)의 두께는 약 80㎛ 내지 약 400㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제1 몸체(110)의 두께는 약 100㎛ 내지 약 300㎛일 수 있다.The
또한, 상기 몸체(100)의 전체 두께는 약 100㎛ 이상일 수 있다. 자세하게, 상기 몸체(100)의 두께는 약 100㎛ 내지 약 800㎛일 수 있다. 상기 몸체(100)의 두께는 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(120)의 두께 합을 의미할 수 있다. 상기 제2 몸체(120)의 두께는 상기 발광 소자(200)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 상기 제2 몸체(120)의 상면은 광의 지향각 분포를 위해 상기 발광 소자(200)의 상면과 같거나 더 높은 위치에 배치될 수 있다. In addition, the total thickness of the
상기 제2 몸체(120)는 상기 제1 몸체(110)로부터 제거될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자 패키지(1000)는 130도 이상의 광 지향각 분포를 가질 수 있다.The
도면에서는 도시하지 않았으나, 제1 몸체(110)에는 제1 프레임 및 제2 프레임을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임 및 상기 제2 프레임은 상기 캐비티(c)의 바닥면에서 좌우 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 프레임 및 제2 프레임은 제1 몸체(110)를 상하로 관통하도록 배치될 수 있다. 이로부터 제1 몸체(110)의 상면과 제1 몸체(110)의 하면에 노출되도록 배치될 수 있다.Although not illustrated in the drawing, the
상기 제1 프레임 및 상기 제2 프레임은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 도전성 프레임은 금속 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. The first frame and the second frame may be provided as conductive frames. The conductive frame is a metal such as copper (Cu), titanium (Ti), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver ( Ag), and may be formed in a single layer or multiple layers.
상기 제1 프레임 및 상기 제2 프레임은 방열 특성 및 전기 전도 특성을 고려한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 프레임 각각의 두께는 약 100㎛ 내지 약 300㎛ 일 수 있다. The first frame and the second frame may have a thickness in consideration of heat dissipation characteristics and electrical conduction characteristics. For example, the thickness of each of the first and second frames may be about 100 μm to about 300 μm.
상기 제1 및 제2 프레임은 서로 다른 극성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 프레임은 상기 발광 소자(200)의 P형 전극과 연결될 수 있고, 상기 제2 프레임은 상기 발광 소자(200)의 N형 전극과 연결될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제1 프레임은 상기 발광 소자(200)의 N형 전극과 연결될 수 연결될 수 있고, 상기 제2 프레임은 상기 발광 소자(200)의 P형 전극과 연결될 수 있다.The first and second frames may have different polarities. For example, the first frame may be connected to the P-type electrode of the light-emitting
발광 소자(200)는 상기 몸체(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(200)는 상기 제1 몸체(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(200)는 상기 캐비티(c) 내에 배치될 수 있다. The
상기 발광 소자(200)는 발광 구조물(미도시), 제1 전극(미도시) 및 제2 전극(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극은 상기 발광 구조물의 상면 상에 배치될 수 있고, 상기 제2 전극은 상기 발광 구조물의 바닥면 상에 배치될 수 있다.The
상기 발광 구조물은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예를 들어, 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층과, 활성층과, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The light emitting structure may include a compound semiconductor. For example, the light emitting structure may be provided as, for example, a group 2-6 group or a group 3-5 compound semiconductor. For example, the light emitting structure may include a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer.
상기 발광 소자(200)는 내부에 하나 또는 복수의 발광 셀을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀은 하나의 발광소자 내에서 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(200)는 하나 또는 복수의 발광 셀을 가질 수 있다.The
상기 발광 구조물의 상면에는 제1 전극이 배치될 수 있고, 상기 발광 구조물의 바닥면에는 제2 전극이 배치될 수 있다. 상기 제1 전극은 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극은 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극은 제1 프레임과 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 전극은 제2 프레임과 전기적으로 연결될 수 있다. A first electrode may be disposed on the top surface of the light emitting structure, and a second electrode may be disposed on the bottom surface of the light emitting structure. The first electrode may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer. Further, the second electrode may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer. The first electrode may be electrically connected to the first frame, and the second electrode may be electrically connected to the second frame.
제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 발광 소자(100)를 몸체 상에 배치시키기 위해 솔더(300)를 더 포함할 수 있다. 솔더(300)는 발광 소자(200)를 안정적으로 몸체(100)에 고정시킬 수 있다.The light emitting
솔더(300)는 발광 소자(200)의 제1 전극과 제1 몸체(110)의 제1 프레임 사이에 배치되는 제1 솔더(310)와 발광 소자(200)의 제2 전극과 몸체(110)의 제2 프레임 사이에 배치되는 제2 솔더(320)를 포함할 수 있다.The
솔더(300)는 융점이 220℃~230℃일 수 있다. 솔더(300)는 메탈(Metal) 성분과 플럭스(Flux) 성분을 포함할 수 있다. 솔더(300)의 메탈 성분은 Au, Ag, Sn, Pb, Sb, In, AuSn, AgSn, SnSb, SnAgSb, PbIn, PbSn, PbSnAg, PbInAg, PbAg 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The
솔더(300)의 플럭스 성분은 특별히 한정하지는 않지만 접착 성분을 갖는 다양한 기재가 선택될 수 있다. 예를 들어, 송진, 수지, 또는 무기산, 아민, 유기산 등의 환원제를 들 수 있다. 플럭스 성분은 RMA 플럭스일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 플럭스 성분은 용융된 도전성 성분의 표면이나 상하 전극의 표면의 산화물 등의 표면 이물질을 환원시켜 가용성 및 가융성의 화합물로 변화시켜 제거하는 기능을 수행할 수 있다.Although the flux component of the
제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 솔더(300)의 플럭스 성분이 확산되는 것을 방지하기 위한 솔더 흐름 방지턱(400)을 포함할 수 있다.The light emitting
솔더 흐름 방지턱(400)은 솔더(300)의 외측에 배치될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 제1 몸체(110) 상에 형성될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 솔더(300)와 제2 몸체(120)의 내측면 사이에 배치될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 몸체(100)의 재질과 동일하게 형성될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 몸체(110)와 일체로 형성될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 이후 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.The solder
제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 언더필 부재(500)를 더 포함할 수 있다. The light emitting
언더필 부재(500)는 발광 소자(200)의 외측에 배치될 수 있다. 언더필 부재(500)는 발광 소자(200)를 안정적으로 언더필하는 기능을 수행할 수 있다. 언더필 부재(500)는 절연성 재질로 이루어지며 몰딩부(600)와 친화력이 높은 에폭시 계열의 수지 또는 화이트 실리콘을 포함할 수 있다. 에폭시 계열의 수지는 실리콘에 비하여 경화시 접착력이 매우 높고 용융 시 흐름성이 좋아서 침투력이 우수하고, 금속 성분과는 배척하려는 성질 즉, 소수성이 있는 재질일 수 있다. 언더필 부재(500)는 내부에 형광체 또는 반사 물질을 포함할 수 있다.The
언더필 부재(500)는 용융 시 흐름성이 좋기 때문에 발광 소자(200)의 가장 자리 영역에 효과적으로 침투하여 발광 소자(200)를 효과적으로 언더필 할 수 있게 된다.Since the
이러한 언더필 부재(500)는 제1 몸체(110) 상에 형성되어 솔더 흐름 방지턱(400)을 덮도록 형성될 수 있으며, 발광 소자(200)의 측면 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 언더필 부재(500)는 제1 몸체(110)의 상부면과 솔더 흐름 방지턱(400)의 측면 및 상면과 접촉될 수 있다. The
제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 몰딩부(600)를 포함할 수 있다. The light emitting
상기 몰딩부(600)는 상기 몸체(100) 및 상기 발광소자(200) 상에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(600)는 상기 제 2 몸체(120)에 의하여 제공된 상기 캐비티(c) 내에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(600)는 상기 발광 소자(200)를 감싸며 배치될 수 있다.The
상기 몰딩부(600)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(600)는 상기 발광 소자(200)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(600)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광 소자(200)는 황색, 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(600)는 형성하지 않을 수 있다.The
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 솔더 흐름 방지턱(400)은 상기 발광 소자(200)의 외곽에 배치될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 발광 소자(200)의 외곽을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 제1 방지턱(410)과 제2 방지턱(420)을 포함할 수 있다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 2, the solder
발광 소자(200)는 제1 측면 내지 제4 측면(210,220,230,240)을 포함할 수 있다. 제1 측면(210) 및 제2 측면(220)은 제1 방향으로 배치될 수 있다. 제1 측면(210)과 제2 측면(220)은 발광 소자(200)의 대향 면일 수 있다. 제1 측면(210) 및 제2 측면(220)은 제1 길이를 가질 수 있다.The
제3 측면(230) 및 제4 측면(240)은 제2 방향으로 배치될 수 있다. 제2 방향은 제1 방향과 수직인 방향일 수 있다. 제3 측면(230)과 제4 측면(240)은 발광 소자(200)의 대향 면일 수 있다. 제3 측면(230) 및 제4 측면(240)은 제2 길이를 가질 수 있다. 제2 길이는 제1 길이보다 작을 수 있다.The
제1 방지턱(410)은 발광 소자(200)의 제1 측면(210) 및 제2 측면(220)과 이격되도록 배치될 수 있다. 제1 방지턱(410)은 제1 측면(210)과 이격 배치된 제1-1 방지턱(410a)과, 제2 측면(220)과 이격 배치된 제1-2 방지턱(410b)을 포함할 수 있다. 제1-1 방지턱(410a)은 발광 소자(200)의 제1 측면(210)과 평행을 이루도록 형성될 수 있다. 제1-1 방지턱(410a)과 발광 소자(200)의 제1 측면(210) 사이는 제1 이격 거리(L1)를 가질 수 있다. 제1-2 방지턱(410b)과 발광 소자(200)의 제2 측면(220)과 평행을 이루도록 형성될 수 있다. 제1-2 방지턱(410b)과 발광 소자(200)의 제2 측면(220) 사이는 제1 이격 거리(L1)를 가질 수 있다. 제1 이격 거리(L1)는 100㎛ 내지 200㎛를 포함할 수 있다.The first
솔더(300)를 제1 몸체(110) 상에 도팅(Dotting)한 후 발광 소자(200)를 올려놓으면 시간이 경과함에 따라 발광 소자(200)의 중량에 의해 솔더(300)의 퍼짐 현상이 발생되고 이로 인해 솔더(300)가 발광 소자(200)의 측면까지 번지게 되어 전기적인 쇼트 및 변색을 유발할 수 있게 된다. 이에 실시예는 방지턱(400)과 발광 소자(200)의 측면 사이에 일정 거리를 두어 솔더(300)의 퍼짐 현상을 방지하게 된다.When the
제1 이격 거리(L1)를 100㎛ 미만으로 형성할 경우, 솔더(300)의 퍼짐 현상에 따라 제1 방지턱(410)은 솔더에 의해 가해지는 힘을 견디지 못하고 무너질 수 있게 된다. 또한, 제1 이격 거리(L1)를 200㎛ 를 초과하여 형성할 경우, 솔더(300)의 퍼짐 방지 기능이 저하될 수 있으며, 솔더(300)가 퍼지는 영역이 넓어지게 되어 변색되는 영역이 증가되어 외부에서 인지되는 문제점이 발생될 수 있다.When the first separation distance (L1) is formed to less than 100㎛, the
제2 방지턱(420)은 발광 소자(200)의 제3 측면(230) 및 제4 측면(240)과 이격되도록 배치될 수 있다. 제2 방지턱(420)은 발광 소자(200)의 제3 측면(230)과 이격 배치된 제2-1 방지턱(420a)과, 발광 소자(200)의 제4 측면(240)과 이격 배치된 제2-2 방지턱(420b)을 포함할 수 있다. 제2-1 방지턱(420a)과 발광 소자(200)의 제3 측면(230)은 평행을 이루도록 형성될 수 있다. 제2-1 방지턱(420a)과 발광 소자(200)의 제3 측면(230) 사이는 제2 이격 거리(L2)를 가질 수 있다. 제2-2 방지턱(420b)과 발광 소자(200)의 제4 측면(240)은 평행을 이루도록 배치될 수 있다. 제2-2 방지턱(420b)과 발광 소자(200)의 제4 측면(240) 사이는 제2 이격 거리(L2)를 가질 수 있다. 제2 이격 거리(L2)는 100㎛ 내지 200㎛를 포함할 수 있다.The second
제2 이격 거리(L2)를 100㎛ 미만으로 형성할 경우, 솔더(300)의 퍼짐 현상에 따라 제2 방지턱(420)은 솔더에 의해 가해지는 힘을 견디지 못하고 무너질 수 있게 된다. 또한, 제2 이격 거리(L2)를 200㎛ 를 초과하여 형성할 경우, 솔더(300)의 퍼짐 방지 기능이 저하될 수 있으며, 솔더(300)가 퍼지는 영역이 넓어지게 되어 변색되는 영역이 증가되어 외부에서 인지되는 문제점이 발생될 수 있다.When the second separation distance (L2) is less than 100㎛, the
도 3에 도시된 바와 같이, 방지턱(400)의 높이(h1)는 솔더(300)의 높이보다 높게 형성될 수 있다. 방지턱(400)의 높이(h1)는 발광 소자(200)와 제1 몸체(110) 사이의 거리(L3)보다 크게 형성될 수 있다. As shown in FIG. 3, the height h1 of the
방지턱(400)의 높이(h1)는 발광 소자(200)와 제1 몸체(110) 사이의 거리(L3)보다 작게 형성될 경우, 솔더(300)는 방지턱(400)을 쉽게 넘어설 수 있게 된다.When the height h1 of the
따라서, 방지턱(400)은 솔더(300)의 높이보다 높게 형성함으로써, 솔더(300)의 퍼짐 현상 시 솔더(300)가 방지턱(400)을 넘는 것을 방지할 수 있게 된다. 방지턱(400)의 높이(h1)는 솔더(300)의 높이보다 30㎛ 내지 40㎛ 보다 높게 형성될 수 있다. 방지턱(400)의 높이(h1)는 발광 소자(200)와 제1 몸체(110) 사이의 거리(L3) 보다 30㎛ 내지 40㎛ 높게 형성될 수 있다. 방지턱(400)의 높이(h1)는 50㎛ 이상으로 형성될 수 있다.Therefore, the anti-jaw 400 is formed to be higher than the height of the
방지턱(400)의 높이(h1)는 솔더(300)의 높이보다 30㎛ 미만으로 형성될 경우, 앞서 설명한 바와 같이, 솔더(300)가 방지턱(400)을 쉽게 넘게 되어 언더필 부재(500)의 박리를 발생시킬 수 있다. 또한, 방지턱(400)의 높이(h1)는 솔더(300)의 높이보다 40㎛ 를 초과하여 형성하게 되면 언더필 부재(500)가 발광 소자(200)의 측면을 덮는 영역이 필요이상 증가하게 되며, 이로 인해 발광 소자(200)로부터 출사된 광의 효율이 저하된다.When the height h1 of the
도 2로 돌아가서, 제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 측면 사이의 제1 이격 거리(L1)는 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 측면 사이의 제2 이격 거리(L2) 보다 작을 수 있다. 제1 방지턱(410)에는 솔더 리플로우 공정 시 일부 플럭스 성분을 외부로 방출시키기 위한 개구부(430)가 형성되기 때문에 솔더(300)의 팽창 정도가 작아지게 된다. 따라서, 제1 이격 거리(L1)는 제2 이격 거리(L2)보다 작게 형성할 수 있게 된다. 제1 이격 거리(L1)가 제2 이격 거리(L2)보다 동일하거나 크게 형성될 경우, 팽창에 의해 플럭스 성분을 외부로 방출시키는 양이 적어지게 되어 솔더(300)의 퍼짐 현상이 증가될 수 있다.Returning to FIG. 2, the first separation distance L1 between the
개구부(430)는 발광 소자(200)의 장변에 해당하는 제1 측면(210) 및 제2 측면(220)에 대향되는 제1 방지턱(410)에 형성될 수 있다. 개구부(430)는 제1 방지턱(410)의 일부를 제거한 형태로 형성될 수 있다. The
도 4에 도시된 바와 같이, 개구부(430)는 제1 방지턱(410)의 일부 영역에 형성될 수 있다. 개구부(430)는 제1 방지턱(410)의 측면을 관통하도록 형성될 수 있다. 개구부(430)의 폭(w1)은 제1 방지턱(410) 전체 폭의 20% 내지 40% 범위로 형성될 수 있다.As illustrated in FIG. 4, the
개구부(430)의 폭(w1)이 제1 방지턱(410) 전체 폭의 20% 미만으로 형성될 경우, 솔더(300)의 플럭스 성분을 용이하게 방출시킬 수 없게 된다. 또한, 개구부(430)의 폭(w1)이 제1 방지턱(410) 전체 폭의 40%를 초과하게 되면 플럭스 성분이 필요 이상으로 방출되어 언더필 부재(500)가 박리될 수 있다.When the width w1 of the
개구부(430)의 높이(h2)는 제1 방지턱(410)의 높이(h1)와 동일할 수 있다. 이로 인해 개구부(400)는 제1 방지턱(410)을 다수개로 분리할 수 있다. 다수의 제1 방지턱(410)은 서로 이격된 구조를 가질 수 있다. The height h2 of the
리플로우 공정 시 솔더(300)의 플럭스 성분의 일부는 제1 방지턱(410)의 개구부를 통해 외부로 방출될 수 있다. During the reflow process, a part of the flux component of the
이와 다르게, 도 5에 도시된 바와 같이, 개구부(430)는 제1 방지턱(410)의 일부 영역에 형성될 수 있다. 개구부(430)는 제1 방지턱(410)의 측면을 관통하도록 형성될 수 있다. 개구부(430)의 폭(w1)은 제1 방지턱 전체 폭의 20% 내지 40% 범위로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. Alternatively, as illustrated in FIG. 5, the
개구부(430)의 높이(h2)는 제1 방지턱(410)의 높이(h1)보다 작을 수 있다. 개구부(430)의 아래에는 제1 방지턱(410-1)이 배치될 수 있다. 개구부(430)의 아래에 배치된 제1 방지턱(410-1)의 높이(h3)는 개구부(430)가 형성되지 않은 제1 방지턱(410)의 높이(h2)보다 낮게 형성될 수 있다. 개구부(430)의 아래에 배치된 제1 방지턱(410-1)의 높이(h3)는 개구부(430)가 형성되지 않은 제1 방지턱(410)의 높이(h1)의 1/2 이하일 수 있다. 제1 방지턱(410-1)의 높이(h3)는 개구부(430)가 형성되지 않은 제1 방지턱(410)의 높이(h1)의 1/2 보다 높게 되면, 플럭스 성분이 방출되는 양이 적어지게 되어 제1 방지턱(410)이 버티는 힘이 저하될 수 있게 된다.The height h2 of the
이와 다르게, 도 6에 도시된 바와 같이, 개구부(430)는 제1 방지턱(410)의 일부 영역에 형성될 수 있다. 개구부(430)는 제1 방지턱(410)의 측면을 관통하도록 형성될 수 있다. 개구부(430)의 폭(w1)은 제1 방지턱(410) 전체 폭의 20% 내지 40% 범위로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. Alternatively, as illustrated in FIG. 6, the
개구부(430)의 높이(h2)는 제1 방지턱(410)의 높이(h1)보다 작을 수 있다. 개구부(430)의 아래에는 제1 방지턱(410-1)이 배치될 수 있다. 개구부(430)의 아래에 배치된 제1 방지턱(410-1)의 높이(h2)는 개구부(430)가 형성되지 않은 제1 방지턱(410)의 높이(h1)보다 낮게 형성될 수 있다. 개구부(430)의 아래에 배치된 제1 방지턱(410-1)의 높이(h3)는 개구부(430)가 형성되지 않은 제1 방지턱(410)의 높이(h1)의 1/2 이하일 수 있다.The height h2 of the
개구부(430)의 상부에는 제1 방지턱(410-2)이 배치될 수 있다. 개구부(430)의 상부에 배치된 제1 방지턱(410-2)의 높이(h4)는 개구부(430) 아래에 배치된 제1 방지턱(410-1)의 높이(h3)와 동일할 수 있다. 이와 다르게, 개구부(430)의 상부에 배치된 제1 방지턱(410-2)의 높이(h4)는 개구부(430) 아래에 배치된 제1 방지턱(410-1)의 높이(h3) 보다 작게 형성될 수 있다. A first preventive jaw 410-2 may be disposed on the
개구부(430)의 아래에 배치된 제1 방지턱(410-1)은 솔더(300)의 플럭스 성분이 언더필 부재(500)의 하부로 확산을 방지하는 역할을 하기 때문에 그 높이가 더 크게 형성될 수 있다. The height of the first preventive jaw 410-1 disposed under the
개구부(430)의 상부에 배치된 제1 방지턱(410-2)의 높이(h4)는 개구부(430) 아래에 배치된 제1 방지턱(410-1)의 높이(h3) 보다 크게 형성될 경우, 솔더(300)의 플럭스 성분이 하부로 집중되어 몸체(100)와 언더필 부재(500) 사이까지 확산될 수 있다.When the height h4 of the first preventive jaw 410-2 disposed above the
상기와 같은 개구부(430)는 제1 방지턱(410)에 하나 또는 그 이상의 개수로 형성될 수 있다. 이로 인해 솔더(300)의 플럭스 성분을 적절하게 배출하여 솔더(300)의 플럭스 성분이 언더필 부재(500)의 하부로 확산되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있게 된다.The
도 7은 제2 실시예에 따른 솔더 흐름 방지턱을 나타낸 평면도이다.7 is a plan view showing a solder flow prevention jaw according to the second embodiment.
도 7에 도시된 바와 같이, 솔더 흐름 방지턱(400)은 상기 발광 소자(200)의 외곽에 배치될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 발광 소자(200)의 외곽을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 제1 방지턱(410)과 제2 방지턱(420)을 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 7, the solder
제1 방지턱(410)은 발광 소자(200)의 제1 측면(210) 및 제2 측면(220)과 이격되도록 배치될 수 있다. 제1 방지턱(410)은 발광 소자(200)의 제1 측면(210)과 평행을 이루도록 형성될 수 있다. 제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 제1 측면(210) 사이는 제1 이격 거리(L1)를 가질 수 있다. 제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 제2 측면(220)과 평행을 이루도록 형성될 수 있다. 제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 제2 측면(220) 사이는 제1 이격 거리(L1)를 가질 수 있다. 제1 이격 거리(L1)는 100㎛ 내지 200㎛를 포함할 수 있다.The first
솔더(300)를 제1 몸체(110) 상에 도팅(Dotting)한 후 발광 소자(200)를 올려놓으면 시간이 경과함에 따라 발광 소자(200)의 중량에 의해 솔더(300)의 퍼짐 현상이 발생되고 이로 인해 솔더(300)가 발광 소자(200)의 측면까지 번지게 되어 전기적인 쇼트 및 변색을 유발할 수 있게 된다. 이에 실시예는 방지턱(400)과 발광 소자(200)의 측면 사이에 일정 거리를 두어 솔더(300)의 퍼짐 현상을 방지하게 된다.When the
제2 방지턱(420)은 발광 소자(200)의 제3 측면(230) 및 제4 측면(240)과 이격되도록 배치될 수 있다. 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 제3 측면(230)은 평행을 이루도록 형성될 수 있다. 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 제3 측면(230) 사이는 제2 이격 거리(L2)를 가질 수 있다. 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 제4 측면(240)은 평행을 이루도록 배치될 수 있다. 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 제4 측면(240) 사이는 제2 이격 거리(L2)를 가질 수 있다. 제2 이격 거리(L2)는 100㎛ 내지 200㎛를 포함할 수 있다.The second
방지턱(400)의 높이(h1)는 솔더(300)의 높이보다 높게 형성될 수 있다. 방지턱(400)은 솔더(300)의 높이보다 높게 형성함으로써, 솔더(300)의 퍼짐 현상 시 솔더(300)가 방지턱(400)을 넘는 것을 방지할 수 있게 된다. 방지턱(400)의 높이(h1)는 솔더(300)의 높이보다 30㎛ 내지 40㎛ 보다 높게 형성될 수 있다. The height h1 of the
제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 측면 사이의 제1 이격 거리(L1)는 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 측면 사이의 제2 이격 거리(L2) 보다 크게 형성될 수 있다. 제2 방지턱(420)에는 솔더 리플로우 공정 시 일부 플럭스 성분을 외부로 방출시키기 위한 개구부(430)가 형성되기 때문에 솔더(300)의 팽창 정도가 작아지게 된다. 따라서, 제1 이격 거리(L1)는 제2 이격 거리(L2)보다 크게 형성할 수 있게 된다.The first separation distance L1 between the
개구부(430)는 발광 소자(200)의 단변에 해당하는 제3 측면(230) 및 제2 측면(220)에 대향되는 제2 방지턱(420)에 형성될 수 있다. 개구부(430)는 제2 방지턱(420)의 일부를 제거한 형태로 형성될 수 있다. The
제2 이격 거리(L2)는 제1 이격 거리(L1)와 동일하거나 작게 형성될 경우, 개구부(430)가 발광 소자(200)의 단면에 해당하는 측면에 형성되었기 때문에 개구부(430)의 폭이 작게 되어 플럭스 성분을 용이하게 방출시킬 수 없게 된다.When the second separation distance L2 is formed equal to or smaller than the first separation distance L1, the width of the
개구부(430)의 구조는 도 4 내지 도 6의 구조를 채용할 수 있다. The structure of the
예컨대, 개구부(430)는 제2 방지턱(420)의 측면을 관통하도록 형성될 수 있다. 개구부(430)의 폭(w1)은 제2 방지턱(420) 전체 폭의 20% 내지 40% 범위로 형성될 수 있다. 개구부(430)의 높이는 제2 방지턱(420)의 높이와 동일할 수 있다.For example, the
이와 다르게, 개구부(430)는 제2 방지턱(420)의 측면을 관통하도록 형성될 수 있다. 개구부(430)의 폭(w1)은 제2 방지턱(420) 전체 폭의 20% 내지 40% 범위로 형성될 수 있다. 개구부(430)의 높이는 제2 방지턱(420)의 높이보다 작게 형성될 수 있다. 개구부(430)의 아래에는 제2 방지턱(420)이 배치될 수 있다.Alternatively, the
이와 다르게, 개구부(430)는 제2 방지턱(420)의 측면을 관통하도록 형성될 수 있다. 개구부(430)의 폭(w1)은 제2 방지턱(420) 전체 폭의 20% 내지 40% 범위로 형성될 수 있다. 개구부(430)의 높이는 제2 방지턱(420)의 높이보다 작게 형성될 수 있다. 개구부(430)의 아래에는 제2 방지턱(420)이 배치될 수 있다. 개구부(430)의 상부에는 제2 방지턱(420)이 배치될 수 있다.Alternatively, the
도 8은 제3 실시예에 따른 솔더 흐름 방지턱을 나타낸 평면도이다.8 is a plan view showing a solder flow prevention jaw according to the third embodiment.
도 8에 도시된 바와 같이, 솔더 흐름 방지턱(400)은 상기 발광 소자(200)의 외곽에 배치될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 발광 소자(200)의 외곽을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 제1 방지턱(410)과 제2 방지턱(420)을 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 8, the solder
제1 방지턱(410)은 발광 소자(200)의 제1 측면(210) 및 제2 측면(220)과 이격되도록 배치될 수 있다. 제1 방지턱(410)은 발광 소자(200)의 제1 측면(210)과 평행을 이루도록 형성될 수 있다. 제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 제1 측면(210) 사이는 제1 이격 거리(L1)를 가질 수 있다. 제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 제2 측면(220)과 평행을 이루도록 형성될 수 있다. 제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 제2 측면(220) 사이는 제1 이격 거리(L1)를 가질 수 있다. 제1 이격 거리(L1)는 100㎛ 내지 200㎛를 포함할 수 있다.The first
솔더(300)를 제1 몸체(110) 상에 도팅(Dotting)한 후 발광 소자(200)를 올려놓으면 시간이 경과함에 따라 발광 소자(200)의 중량에 의해 솔더(300)의 퍼짐 현상이 발생되고 이로 인해 솔더(300)가 발광 소자(200)의 측면까지 번지게 되어 전기적인 쇼트 및 변색을 유발할 수 있게 된다. 이에 실시예는 방지턱(400)과 발광 소자(200)의 측면 사이에 일정 거리를 두어 솔더(300)의 퍼짐 현상을 방지하게 된다.When the
제2 방지턱(420)은 발광 소자(200)의 제3 측면(230) 및 제4 측면(240)과 이격되도록 배치될 수 있다. 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 제3 측면(230)은 평행을 이루도록 형성될 수 있다. 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 제3 측면(230) 사이는 제2 이격 거리(L2)를 가질 수 있다. 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 제4 측면(240)은 평행을 이루도록 배치될 수 있다. 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 제4 측면(240) 사이는 제2 이격 거리(L2)를 가질 수 있다. 제2 이격 거리(L2)는 100㎛ 내지 200㎛를 포함할 수 있다.The second
방지턱(400)의 높이(h1)는 솔더(300)의 높이보다 높게 형성될 수 있다. 방지턱(400)은 솔더(300)의 높이보다 높게 형성함으로써, 솔더(300)의 퍼짐 현상 시 솔더(300)가 방지턱(400)을 넘는 것을 방지할 수 있게 된다. 방지턱(400)의 높이(h1)는 솔더(300)의 높이보다 30㎛ 내지 40㎛ 보다 높게 형성될 수 있다. The height h1 of the
제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 측면 사이의 제1 이격 거리(L1)는 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 측면 사이의 제2 이격 거리(L2)와 동일하게 형성될 수 있다. 제1 방지턱(410)과 제2 방지턱(420) 모두에 개구부가 형성될 수 있다.The first separation distance L1 between the
제1 이격 거리(L1)와 제2 이격 거리(L2)가 다르게 형성될 경우, 솔더(300)의 플럭스 성분이 어느 하나의 방지턱(400)에 가해지는 힘이 크게 되어 방지턱(400)이 견디는 힘이 저하될 수 있다. 이에, 제1 이격 거리(L1)와 제2 이격 거리(L2)를 동일하게 형성하게 되면 플럭스 성분이 방지턱(400)에 고르게 힘을 가하게 되어 방지턱(400)의 파손을 방지할 수 있게 된다.When the first separation distance (L1) and the second separation distance (L2) are formed differently, the force exerted by the flux component of the
개구부(430)의 구조는 도 4 내지 도 6의 구조를 채용할 수 있다. 일 예로, 개구부가 제1 방지턱에 형성된 구조를 설명한다.The structure of the
예컨대, 개구부(430)는 제2 방지턱(410)의 측면을 관통하도록 형성될 수 있다. 개구부(430)의 폭(w1)은 제1 방지턱(410) 전체 폭의 20% 내지 40% 범위로 형성될 수 있다. 개구부(430)의 높이는 제1 방지턱(410)의 높이와 동일할 수 있다.For example, the
이와 다르게, 개구부(430)는 제1 방지턱(410)의 측면을 관통하도록 형성될 수 있다. 개구부(430)의 폭(w1)은 제1 방지턱(410) 전체 폭의 20% 내지 40% 범위로 형성될 수 있다. 개구부(430)의 높이는 제1 방지턱(410)의 높이보다 작게 형성될 수 있다. 개구부(430)의 아래에는 제1 방지턱(410)이 배치될 수 있다.Alternatively, the
이와 다르게, 개구부(430)는 제1 방지턱(410)의 측면을 관통하도록 형성될 수 있다. 개구부(430)의 폭(w1)은 제1 방지턱(410) 전체 폭의 20% 내지 40% 범위로 형성될 수 있다. 개구부(430)의 높이는 제1 방지턱(410)의 높이보다 작게 형성될 수 있다. 개구부(430)의 아래에는 제1 방지턱(410)이 배치될 수 있다. 개구부(430)의 상부에는 제1 방지턱(410)이 배치될 수 있다.Alternatively, the
실시예는 개구부(430)를 제1 방지턱(410)과 제2 방지턱(420)에 동시에 형성함으로써, 플럭스 성분을 균일하게 외부로 방출할 수 있는 효과가 있다.According to the embodiment, the
도 9는 제4 실시예에 따른 솔더 흐름 방지턱을 나타낸 평면도이다.9 is a plan view showing a solder flow prevention jaw according to the fourth embodiment.
도 9에 도시된 바와 같이, 솔더 흐름 방지턱(400)은 상기 발광 소자(200)의 외곽에 배치될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 발광 소자(200)의 외곽을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 솔더 흐름 방지턱(400)은 제1 방지턱(410)과 제2 방지턱(420)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 9, the solder
제1 방지턱(410)은 발광 소자(200)의 제1 측면(210) 및 제2 측면(220)과 이격되도록 배치될 수 있다. 제1 방지턱(410)은 발광 소자(200)의 제1 측면(210)과 평행을 이루도록 형성될 수 있다. 제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 제1 측면(210) 사이는 제1 이격 거리(L1)를 가질 수 있다. 제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 제2 측면(220)과 평행을 이루도록 형성될 수 있다. 제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 제2 측면(220) 사이는 제1 이격 거리(L1)를 가질 수 있다. 제1 이격 거리(L1)는 100㎛ 내지 200㎛를 포함할 수 있다.The first
솔더(300)를 제1 몸체(110) 상에 도팅(Dotting)한 후 발광 소자(200)를 올려놓으면 시간이 경과함에 따라 발광 소자(200)의 중량에 의해 솔더(300)의 퍼짐 현상이 발생되고 이로 인해 솔더(300)가 발광 소자(200)의 측면까지 번지게 되어 전기적인 쇼트 및 변색을 유발할 수 있게 된다. 이에 실시예는 방지턱(400)과 발광 소자(200)의 측면 사이에 일정 거리를 두어 솔더(300)의 퍼짐 현상을 방지하게 된다.When the
제2 방지턱(420)은 발광 소자(200)의 제3 측면(230) 및 제4 측면(240)과 이격되도록 배치될 수 있다. 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 제3 측면(230)은 평행을 이루도록 형성될 수 있다. 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 제3 측면(230) 사이는 제2 이격 거리(L2)를 가질 수 있다. 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 제4 측면(240)은 평행을 이루도록 배치될 수 있다. 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 제4 측면(240) 사이는 제2 이격 거리(L2)를 가질 수 있다. 제2 이격 거리(L2)는 100㎛ 내지 200㎛를 포함할 수 있다.The second
방지턱(400)의 높이(h1)는 솔더(300)의 높이보다 높게 형성될 수 있다. 방지턱(400)은 솔더(300)의 높이보다 높게 형성함으로써, 솔더(300)의 퍼짐 현상 시 솔더(300)가 방지턱(400)을 넘는 것을 방지할 수 있게 된다. 방지턱(400)의 높이(h1)는 솔더(300)의 높이보다 30㎛ 내지 40㎛ 보다 높게 형성될 수 있다. The height h1 of the
제1 방지턱(410)과 발광 소자(200)의 측면 사이의 제1 이격 거리(L1)는 제2 방지턱(420)과 발광 소자(200)의 측면 사이의 제2 이격 거리(L2)와 동일하게 형성될 수 있다. 제1 방지턱(410)과 제2 방지턱(420) 사이에 개구부가 형성될 수 있다.The first separation distance L1 between the
개구부는 제1 방지턱의 측면과 제2 방지턱의 측면 사이에 배치될 수 있다. 개구부는 발광 소자의 모서리 영역에 대향되는 솔더 흐름 방지턱의 일부 영역에 형성될 수 있다. 개구부는 발광 소자의 네 모시리 영역에 대향되도록 4개가 형성될 수 있다. The opening may be disposed between the side of the first preventive jaw and the side of the second preventive jaw. The opening may be formed in a portion of the solder flow prevention jaw facing the edge region of the light emitting device. Four openings may be formed to face the four corners of the light emitting device.
실시예는 개구부(300)을 발광 소자의 모서리 영역에 대응되는 솔더 흐름 방지턱(400)에 형성함으로써, 솔더 흐름 방지턱(400)을 용이하게 형성할 수 있는 효과가 있다. 또한, 실시예는 개구부(300)를 대칭성을 가지도록 형성함으로써, 솔더 흐름 방지턱(400)에 가해지는 힘을 고르게 하여 솔더 흐름 방지턱(400)을 보다 견고하게 형성할 수 있게 된다.According to an embodiment, the solder
개구부는 도 4 내지 도 6의 구조를 변형하여 채용할 수 있다.The opening can be employed by modifying the structure of FIGS. 4 to 6.
예컨대, 개구부(430)의 폭(w1)은 솔더 흐름 방지턱(400) 전체 폭의 20% 내지 40% 범위로 형성될 수 있다. 개구부(430)의 높이는 솔더 흐름 방지턱(410)의 높이와 동일할 수 있다.For example, the width w1 of the
이와 다르게, 개구부(430)의 폭(w1)은 솔더 흐름 방지턱(400) 전체 폭의 20% 내지 40% 범위로 형성될 수 있다. 개구부(430)의 높이는 솔더 흐름 방지턱(400)의 높이보다 작게 형성될 수 있다. 개구부(430)의 아래에는 솔더 흐름 방지턱(400)이 배치될 수 있다. 개구부(430)의 아래에 배치된 솔더 흐름 방지턱(400)은 절곡된 형상 예컨대, 곡면, 직각 구조를 포함할 수 있다.Alternatively, the width w1 of the
이와 다르게, 개구부(430)의 폭(w1)은 솔더 흐름 방지턱(400) 전체 폭의 20% 내지 40% 범위로 형성될 수 있다. 개구부(430)의 높이는 솔더 흐름 방지턱(400)의 높이보다 작게 형성될 수 있다. 개구부(430)의 아래에는 솔더 흐름 방지턱(400)이 배치될 수 있다. 개구부(430)의 상부에는 솔더 흐름 방지턱(400)이 배치될 수 있다. 개구부(430)의 아래 및 개구부(430)의 상부에 배치된 솔더 흐름 방지턱(400)은 절곡된 형상 예컨대, 곡면, 직각 구조를 포함할 수 있다.Alternatively, the width w1 of the
도 10은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 광원 모듈을 나타낸 단면도이다.10 is a cross-sectional view showing a light source module including a light emitting device package according to an embodiment.
도 10에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 광원 모듈(2000)은 하나 또는 복수 개의 발광소자 패키지(1000)가 회로기판(700) 상에 배치될 수 있다. 상기 회로기판(700)에는 상기 발광소자 패키지(1000)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. 여기서, 발광소자 패키지(1000) 구조는 도 1의 구조와 동일하므로 그 설명은 생략한다.10, in the
상기 발광소자 패키지(1000)는 상기 회로기판(700) 상에 배치될 수 있다. 상기 회로기판(700)은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 상기 회로기판(700)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 리지드 PCB(rigid PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. The light emitting
회로기판(700) 상에는 패드(710,720)가 노출될 수 있다. 패드(710,720)는 제1 패드(710) 및 제2 패드(720)를 포함할 수 있다. 제1 패드(710) 및 제2 패드(720)는 하나 또는 복수의 발광소자 패키지(1000)를 회로기판(700)과 전기적으로 연결시켜줄 수 있다.
상기 발광소자 패키지(1000)는 상기 회로기판(700)의 상면과 대면하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자 패키지(1000)의 바닥면은 상기 회로기판(700)의 상면과 대면하도록 배치될 수 있다. 자세하게, 몸체(100)에 형성된 제1 및 제2 프레임의 바닥면이 상기 회로기판(700)의 상면과 대면하도록 배치될 수 있다.The light emitting
상기 제1 패드(710) 및 제2 패드(720)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.The
제1 패드(710) 및 제2 패드(720)는 서로 이격 배치될 수 있다. 상기 제1 패드(710)는 상기 제1 프레임과 수직 방향(제3 방향)으로 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2 패드(720)는 상기 제2 프레임과 수직 방향으로 대응되는 위치에 배치될 수 있다.The
상기 제1 패드(710)는 상기 제1 프레임과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제2 패드(720)는 상기 제2 프레임과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 패드(710)와 제1 프레임 사이에는 도전부가 더 배치될 수 있다.The
발광소자 패키지(1000)는 제2 솔더(800)에 의해 회로 기판(700)에 고정될 수 있다. 제2 솔더(800)는 제1 패드(710)와 발광소자 패키지(1000) 사이 제2 패드(720)와 발광소자 패키지(1000) 사이에 배치될 수 있다.The light emitting
실시예에 따른 광원 모듈(2000)은 발광소자 패키지(1000)에 솔더 흐름 방지턱(4000)을 형성함으로써, 발광소자 패키지(1000)를 회로기판(700)에 실장하기 위한 리플로우 공정 시 언더필 부재(500)가 몸체(100)로부터 박리되는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.The
100: 몸체
200: 발광소자
300: 솔더
400: 솔더 흐름 방지턱
500: 언더필 부재100: body
200: light emitting element
300: solder
400: solder flow prevention jaw
500: no underfill
Claims (12)
상기 몸체 상에 배치된 발광 소자;
상기 발광 소자와 상기 몸체 사이에 배치된 솔더;
상기 발광 소자의 외곽을 둘러싸도록 배치되어 측면에 적어도 하나 이상의 개구부를 포함하는 솔더 흐름 방지턱; 및
상기 몸체 상에 배치되어 상기 발광 소자의 측면 및 상기 솔더 흐름 방지턱을 덮도록 배치된 언더필 부재;를 포함하는 발광소자 패키지.Body;
A light emitting element disposed on the body;
A solder disposed between the light emitting element and the body;
A solder flow prevention jaw disposed to surround the outer periphery of the light emitting element and including at least one opening on a side surface; And
And an underfill member disposed on the body and covering the side surface of the light emitting device and the solder flow prevention jaw.
상기 솔더 흐름 방지턱은 제1 길이를 갖는 상기 발광 소자의 제1 측면 및 상기 제1 측면과 대향하는 제2 측면과 이격 배치된 제1 방지턱과 상기 제1 길이보다 작은 제2 길이를 갖는 상기 발광 소자의 제3 측면 및 상기 제3 측면과 대향하는 제4 측면과 이격 배치된 제2 방지턱을 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The solder flow prevention jaw has a first side of the light emitting device having a first length and a second side facing the second side facing the first side, and the light emitting device having a second length smaller than the first length. A light emitting device package including a third side of the third and the second side of the fourth side opposite to the third side is disposed to be spaced apart.
상기 개구부는 상기 제1 방지턱에 형성되고, 상기 발광 소자의 제1 측면과 상기 제1 방지턱 사이의 거리는 상기 발광 소자의 제2 측면과 상기 제2 방지턱 사이의 거리보다 작은 발광소자 패키지.According to claim 2,
The opening is formed in the first protruding jaw, and the distance between the first side of the light emitting device and the first protruding jaw is less than the distance between the second side of the light emitting device and the second prohibiting jaw.
상기 개구부는 상기 제2 방지턱에 형성되고, 상기 발광 소자의 제1 측면과 상기 제1 방지턱 사이의 거리는 상기 발광 소자의 제2 측면과 상기 제2 방지턱 사이의 거리보다 큰 발광소자 패키지.According to claim 2,
The opening is formed in the second protruding jaw, and the distance between the first side of the light emitting device and the first protruding jaw is greater than the distance between the second side of the light emitting device and the second prohibiting jaw.
상기 개구부는 상기 제1 방지턱 및 상기 제2 방지턱에 형성되고, 상기 발광 소자의 제1 측면과 상기 제1 방지턱 사이의 거리는 상기 발광 소자의 제2 측면과 상기 제2 방지턱 사이의 거리와 동일한 발광소자 패키지.According to claim 2,
The opening is formed in the first protruding jaw and the second protruding jaw, and a distance between the first side of the light emitting device and the first protruding jaw is the same as the distance between the second side of the light emitting device and the second prohibiting jaw. package.
상기 개구부는 상기 제1 방지턱의 측면과 상기 제2 방지턱의 측면 사이에 형성되고, 상기 발광 소자의 제1 측면과 상기 제1 방지턱 사이의 거리는 상기 발광 소자의 제2 측면과 상기 제2 방지턱 사이의 거리와 동일한 발광소자 패키지.According to claim 2,
The opening is formed between a side surface of the first protruding jaw and a side surface of the second protruding jaw, and a distance between the first side of the light emitting device and the first protruding jaw is between the second side of the light emitting device and the second protruding jaw. Light emitting device package equal to distance.
상기 개구부는 상기 솔더 흐름 방지턱의 측면을 관통하도록 형성된 발광소자 패키지.According to claim 1,
The opening is a light emitting device package formed to penetrate the side of the solder flow prevention jaw.
상기 개구부의 하부에는 상기 솔더 흐름 방지턱이 배치되고, 상기 개구부 아래에 배치된 상기 솔더 흐름 방지턱의 높이는 상기 개구부 높이의 1/2 이하인 발광소자 패키지.The method of claim 7,
The solder flow prevention jaw is disposed under the opening, and the height of the solder flow prevention jaw disposed below the opening is less than 1/2 of the height of the opening.
상기 개구부의 상부에는 상기 솔더 흐름 방지턱이 배치되는 발광소자 패키지.The method of claim 8,
A light emitting device package in which the solder flow prevention jaw is disposed on an upper portion of the opening.
상기 솔더 흐름 방지턱의 높이는 상기 발광 소자와 상기 몸체 사이의 거리 보다 큰 발광소자 패키지.According to claim 1,
The height of the solder flow prevention jaw is greater than the distance between the light emitting device and the body light emitting device package.
상기 발광소자의 측면과 상기 솔더 흐름 방지턱 사이의 거리는 100㎛ 내지 200㎛를 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The distance between the side surface of the light emitting device and the solder flow prevention jaw includes a light emitting device package comprising 100㎛ to 200㎛.
상기 회로 기판 상에 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 하나의 발광소자 패키지를 포함하는 광원 모듈.Circuit board; And
A light source module including the light emitting device package of any one of claims 1 to 11 on the circuit board.
Priority Applications (1)
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KR1020190007356A KR20200090393A (en) | 2019-01-21 | 2019-01-21 | Light emitting device package and light module having the same |
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