KR20200088914A - 하전 입자 빔 소스 및 하전 입자 빔 소스를 조립하기 위한 방법 - Google Patents
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Abstract
하전 입자 빔 소스는, 하전 입자들을 방출하기 위한 팁을 갖는 방출기; 소켓; 전극들; 전극들 및 방출기에 연결되는 필라멘트 ― 전극들은, 필라멘트에 전기 신호들을 제공하기 위한 것임 ―; 방출기에 연결되는 지지 요소; 및 지지 구조를 포함할 수 있으며, 지지 구조는, 지지 요소를 지지하는 동안 지지 요소의 일부와만 접촉하기 위한 하나 이상의 인터페이스를 포함한다.
Description
관련 출원들에 대한 상호 참조
본 출원은, 2017년 12월 13일자로 출원된 미국 특허 출원 제62/598,385호를 우선권으로 주장하며, 상기 특허 출원의 전체 내용들은 모든 목적들을 위해 인용에 의해 본원에 포함된다.
본 발명은 전자 소스들에 관한 것으로, 특히, 방출기 팁의 진폭 진동의 감소에 관한 것이고, 더 상세하게는, 집속 전자 빔 시스템들에서의 응용을 위한 냉전계(cold field) 방출 전자 소스에 관한 것이다.
전자 빔 장치들은, 고분해능 계측 및 검사 시스템들, 리소그래피를 위한 노광 시스템들, 검출 장치, 테스팅 디바이스들 및 다른 것들을 포함하지만 이에 제한되지 않는 많은 산업 분야들에서 사용된다.
전자 빔의 생성은, 이러한 전자 빔 장치들에서의 제1 단계이다.
전자 빔 장치에서는 다양한 유형들의 전자 소스들이 일반적으로 사용된다. 열이온 캐소드들, 쇼트키 방출기들, 및 냉전계 방출기(CFE)들이 존재한다.
CFE 전자 소스들은 다른 기법들에 비해 몇몇 장점들을 제공한다. CFE 전자 소스들의 낮은 에너지 확산은 전자 빔 장치들의 분해능을 개선할 수 있게 한다. 더욱이, CFE 전자 소스들의 밝기는, 더 작은 가상 소스 크기로 인해 다른 전자 소스들보다 훨씬 더 높다.
CFE 전자 소스들의 밝기는, 열이온보다 세 자릿수 더 높고 쇼트키 방출기보다 한 자릿수 더 높다. 게다가, CFE 전자 소스들은 매우 긴 수명을 갖는다.
도 1에서, 종래 기술 CFE 전자 소스(10)의 등각도가 도시된다.
CFE 전자 소스(10)는, 전자들이 방출되는 팁(4)을 갖는 방출기(3)를 지지하고 가열하는 필라멘트(2)를 포함한다. 팁(4)은 작은(나노미터 규모) 반경을 갖는다.
절연된(세라믹 물질) 소켓 상에 장착되는 전극들(5)을 통해 가열 전류가 필라멘트(2)에 공급될 수 있다.
가열 전류는, 정상 동작을 위해, 세정을 위해, 처리를 위해, 또는 다른 이유들로 인해 전자 방출기가 열을 요구하는 경우들에 사용되는 가열 프로세스 동안 공급된다. 예컨대, 방출기(3)는 주기적으로 가열되며, 이는, 전자 방출 프로세스의 안정화를 위한 팁 표면의 세정(플래싱)을 제공한다. 방출기(3)는 일반적으로 단결정의 텅스텐, 탄탈럼, 레늄, 몰리브데넘, 이리듐, 다른 유사한 금속들, 또는 이러한 금속들의 합금들로 만들어진다.
CFE 전자 소스들의 단점들 중 하나는, 방출기(3)의 기계적 진동들이다. 그러한 진동들은, 전자 빔 장치들의 달성가능한 분해능을 현저하게 제한한다. 이러한 진동들의 주파수들은 kHz 범위에 있으며, 그 결과, 수 나노미터의 진폭들을 갖는 전자 빔의 편향들이 발생할 수 있게 된다.
CFE 전자 소스의 공진 주파수는 수 킬로헤르츠(예컨대, 2845 킬로헤르츠)인 것으로 밝혀졌으며, 이는, 주변 음파들이 CFE 전자 소스가 진동하는 것을 야기한다는 것을 의미한다.
특히 나노미터 미만의 성능을 갖는 시스템들에 매우 안정한 CFE 전자 소스를 제공할 필요성이 커지고 있다.
냉전계 방출기 및 냉전계 방출기를 조립하기 위한 방법이 제공될 수 있다.
본 발명으로 여겨지는 주제는 본 명세서의 결론 부분에서 상세히 언급되고 명료하게 청구된다. 그러나, 본 발명은, 본 발명의 목표들, 특징들, 및 장점들과 함께, 동작의 방법 및 구성 둘 모두에 관하여, 첨부된 도면들과 함께 읽을 때 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다.
도 1은 종래 기술 CFE 전자 소스의 등각도를 도시한다.
도 2는 예시적인 CFE 전자 소스의 등각도를 도시한다.
도 3은 예시적인 CFE 전자 소스의 부분 단면을 도시한다.
도 4는 예시적인 CFE 전자 소스의 부분 단면도를 도시한다.
도 5는 예시적인 CFE 전자 소스의 부분 단면도를 도시한다.
도 6은 CFE 전자 소스를 조립하기 위한 지그의 예의 단면도를 도시한다.
도 7은 방법의 예를 예시한다.
예시의 간략화 및 명확화를 위해, 도면들에 도시된 요소들이 반드시 실측으로 도시된 것은 아니라는 것이 인식될 것이다. 예컨대, 요소들 중 일부의 치수들은, 명확화를 위해, 다른 요소들에 비해 과장될 수 있다. 추가로, 적절한 것으로 고려되는 경우, 대응하는 또는 유사한 요소들을 표시하기 위해, 참조 번호들이 도면들 사이에서 반복될 수 있다.
도 1은 종래 기술 CFE 전자 소스의 등각도를 도시한다.
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도 3은 예시적인 CFE 전자 소스의 부분 단면을 도시한다.
도 4는 예시적인 CFE 전자 소스의 부분 단면도를 도시한다.
도 5는 예시적인 CFE 전자 소스의 부분 단면도를 도시한다.
도 6은 CFE 전자 소스를 조립하기 위한 지그의 예의 단면도를 도시한다.
도 7은 방법의 예를 예시한다.
예시의 간략화 및 명확화를 위해, 도면들에 도시된 요소들이 반드시 실측으로 도시된 것은 아니라는 것이 인식될 것이다. 예컨대, 요소들 중 일부의 치수들은, 명확화를 위해, 다른 요소들에 비해 과장될 수 있다. 추가로, 적절한 것으로 고려되는 경우, 대응하는 또는 유사한 요소들을 표시하기 위해, 참조 번호들이 도면들 사이에서 반복될 수 있다.
다음의 상세한 설명에서는, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 많은 특정 세부사항들이 기재된다. 그러나, 본 발명은 이러한 특정 세부사항들 없이도 실시될 수 있다는 것이 관련 기술분야의 통상의 기술자들에 의해 이해될 것이다. 다른 예시들에서, 잘 알려진 방법들, 절차들, 및 구성요소들은, 본 발명을 불명료하게 하지 않기 위해 상세히 설명되지 않는다.
본 발명으로 여겨지는 주제는 본 명세서의 결론 부분에서 상세히 언급되고 명료하게 청구된다. 그러나, 본 발명은, 본 발명의 목표들, 특징들, 및 장점들과 함께, 동작의 방법 및 구성 둘 모두에 관하여, 첨부된 도면들과 함께 읽을 때 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다.
본 발명의 예시된 실시예들은 대개 관련 기술분야의 통상의 기술자들에게 알려져 있는 전자 부품들 및 모듈들을 사용하여 구현될 수 있기 때문에, 그 세부사항들은, 본 발명의 기본 개념들의 이해 및 인식을 위해 그리고 본 발명의 교시들을 모호하게 하거나 혼란스럽게 하지 않기 위해, 위에 예시된 바와 같이 필요한 것으로 여겨지는 것을 어느 정도 초과하여 설명되지는 않을 것이다. 다양한 구성요소들에 대한 동일한 참조 번호들의 배정은 이러한 구성요소들이 서로 유사하다는 것을 나타낼 수 있다.
도 2는, 전자 방출기의 부가적인 지지부를 포함하는 하전 입자 빔 소스, 이를테면 CFE 전자 소스(100)의 예의 등각도를 예시한다. CFE 전자 소스(100)는, 세라믹 소켓(101), 전자들이 방출되는 팁(104)을 갖는 방출기(103)를 지지하고 가열하는 필라멘트(102)를 포함한다.
팁(104)은 가능한 가장 작은 반경을 가질 수 있지만, 반드시 그러한 것은 아니다.
절연된 소켓, 이를테면 세라믹 소켓(101) 상에 장착되는 전극들(105)을 통해 가열 전류가 필라멘트(102)에 공급될 수 있다.
가열 프로세스는, 정상 동작을 위해, 세정을 위해, 처리를 위해, 또는 다른 이유들로 인해 전자 방출기가 열을 요구하는 경우들에 사용된다.
세라믹 소켓(101)은, 세라믹 소켓(101)의 일체형 부분인 세라믹 팁 지지부(106)를 갖는다. 방출기(103)는, 점 용접에 의해 연결될 수 있는 지지 요소, 이를테면 방출기 빔(107)에 연결된다. 방출기 빔(107)은 지지 요소의 비-제한적인 예이다.
방출기 빔(107)은, 세라믹 팁 지지부(106) 상의 2개의 단부에 의해 지지된다. 필라멘트(102)는, 예컨대 점 용접에 의해, 전극들(105)에 접합된다. 방출기(103)의 부가적인 지지부는, 구조의 강성을 증가시키는 것, 공진 주파수의 증가, 및 공진 진동들의 진폭의 감소를 허용한다.
도 3은, 전자 방출기(203)의 지지부(208) 및 지지부(209)를 갖는 CFE 전자 소스(100)의 예의 부분 단면도를 예시한다. 지지부(208) 및 지지부(209)는 팁 지지부(206)의 통합된 부분이다. 지지부(208) 및 지지부(209)는 원통형 지지부들일 수 있다.
방출기 빔(207)은, 예컨대 점 용접에 의해 전자 방출기(203)에 연결된다.
필라멘트는 세정 프로세스 동안 팁을 가열한다. 필라멘트는 방출기 및 방출기 빔을 가열한다. 방출기 및 방출기 빔은, 가열될 때 팽창되고, 그런 다음, 가열 프로세스가 종료된 후에 수축된다. 방출기 빔의 팽창 및 수축은, 방출기 빔이 지지부(208) 및 지지부(209)에 관하여 이동하는 것을 야기한다. 이러한 이동들은 지지부(208) 및 지지부(209)에 의해 방해받지 않아야 한다. 따라서, 방출기 빔(207), 지지부(208), 및 지지부(209) 사이의 마찰력을 최소화하는 것(또는 그렇지 않으면, 감소시키는 것)이 유익할 수 있다.
마찰은, 다이아몬드형 탄소(DLC)에 의해 지지부(208) 및 지지부(209)의 표면을 코팅함으로써 그리고/또는 임의의 다른 방식에 의해 감소될 수 있다. DLC 코팅은, 높은 표면 경도, 낮은 마찰 계수, 높은 내마모성, 및 초고진공(UHV) 환경에 대한 호환성을 제공한다. 그러나, 그러한 코팅은, 500 ℃의 온도까지 사용될 수 있다. 고온 응용들을 위해, 예컨대, 질화티타늄(TiN) 또는 질화크로뮴(CrN) 코팅들이 사용될 수 있다.
표 1은, 지지부(208) 및 지지부(209)를 갖는 CFE 전자 소스(100)의 모드 분석(ANSYS 모의 툴에 의한 유한 요소 분석)의 결과들을 나타낸다.
1차 모드의 고유 주파수는 약 6.5 배 증가하며, 이는, 공진 진동들의 진폭을 거의 40 배 감소시킨다.
도 4는, 방출기(303)의 구체형 지지부(이를테면, 구체형 지지부(308) 및 구체형 지지부(309))를 갖는 예시적인 CFE 전자 소스(100)의 부분 단면도를 예시한다. 구체형 지지부(308) 및 구체형 지지부(309)는 예컨대 사파이어로 만들어지며, 이는, UHV 환경 및 고온에서 낮은 마찰력, 높은 내마모성으로 동작하는 능력을 제공한다.
구체형 지지부(308) 및 구체형 지지부(309)는, 팁 지지부(306) 상의 원뿔형 포켓 내에 장착된다. 그러한 설계는, 방출기 빔(307)으로부터 팁 지지부(306)로의 열 전달이 최소가 될 수 있게 하며(그 이유는, 이러한 경우에서, 구체형 지지부들(308 및 309)과 팁 지지부(306) 사이의 이론적인 접촉이 일 점이기 때문임), 이는, 방출기(303)의 온도를 안정화시킨다. 방출기 빔(307)은, 예컨대 점 용접에 의해 방출기(303)에 연결된다.
방출기(303)를 지지하고 가열하는 필라멘트는 설명의 간결성을 위해 도시되지 않는다. 방출기(303)의 고유 주파수들은 표 1에 표시된 결과들에 가깝다.
CFE 전자 소스(100)의 예의 다른 개략적인 부분 단면도가 도 5에 도시된다. 여기서, 방출기(403)는, 용접에 의해 방출기(403)에 연결되는 구체형 지지부(410)를 갖는다. 방출기(403)의 지지 표면은 구체형 만곡부로서 형상화될 수 있다.
방출기(403)는 (구체형 지지부(410)를 통해) 방출기 빔(407)을 자유롭게 지지할 수 있다. 방출기 빔(407)은 일 단부에서 팁 지지부(406)에 (예컨대, 경납땜 또는 납땜함으로써) 단단히 연결되는 한편, 방출기 빔(407)의 다른 단부는 구체형 지지부(409)에 의해 지지되고, 구체형 지지부(409)는 팁 지지부(406)의 원뿔형 포켓 내에 장착된다.
구체형 지지부(409)는 사파이어로 만들어질 수 있으며, 이는, UHV 환경 및 고온에서 낮은 마찰력, 높은 내마모성으로 동작하는 능력을 제공한다.
이러한 설계는, 방출기(403)와 방출기 빔(407) 사이에 매우 작은 접촉 면적을 가지며, 이는, 이러한 부분들 사이의 열 전달을 최소화한다. 방출기(403)를 지지하고 가열하는 필라멘트는 설명의 간결성을 위해 도시되지 않는다.
전자 방출기(403)의 고유 주파수들은 표 1에 표시된 결과들에 가깝다.
도 6은, CFE 전자 소스(100)를 조립하기 위한 조정 지그의 예의 부분 단면도의 개략도를 도시한다.
조정 지그는, 중앙 홀(511)을 갖는 조정가능 플런저(510), 나선형 스프링(512), 스프링 플런저(513), 하우징(514), 및 조정 스크류(515)를 포함한다.
하우징(514)은 세라믹 소켓(도 6에 도시되지 않음) 상에 장착되고, 방출기(503)는 조정가능 플런저(510)의 중앙 홀(511) 내에 위치된다.
조정 스크류(515)는 스프링 플런저(513)를 이동시키고 나선형 스프링(512)을 압축하며, 이는, 예컨대, 팁 지지부(506)의 원통형 지지부들에 의해 지지되는 방출기 빔(507) 상으로 조정가능 플런저(510)를 누르는 힘을 변화시킨다.
따라서, 필요한 변위(Δ)의 양이 조절된다. 변위(Δ)는, 광학, 전자, 또는 기계적 계기들에 의한 측정치일 수 있다. 변위(Δ)의 값은, 시스템의 기하학적 파라미터들(예컨대, 방출기, 방출기 빔, 및 필라멘트)에 의존할 수 있다. 방출기 빔의 변위(Δ)는, 정상 동작 조건들 하에서 뿐만 아니라 그에 따라 방출기의 가열 동안 시스템 구성요소들이 팽창될 때, 방출기 빔과 그의 지지부들 사이의 일정한 접촉을 보장할 수 있다.
다음의 절차에 따라 냉전계 방출기 전자 소스의 조정 및 조립을 수행한다.
a. 조정 지그 상에 방출기 빔을 갖는 방출기를 장착함(방출기는 지그 중앙 홀 내에 위치되고, 방출기 빔은 조정가능 플런저와 접촉됨).
b. 소켓 상에 방출기 및 방출기 빔을 갖는 지그를 장착함.
c. 소켓 상에 전체 구조를 단단히 고정시킴.
d. 필요한 변형(Δ)의 양을 설정함.
e. 필라멘트를 전극들에 용접함.
f. 소켓으로부터 지그를 장착해제함.
도 7은 방법(700)의 예를 예시한다.
방법(700)은, 하전 입자 빔 소스를 조립하는 것에 대한 것이다.
방법(700)은, 위치결정 디바이스에 의해, 지지 구조의 하나 이상의 인터페이스 상에 지지 요소를 위치시키는 단계(710)로 시작할 수 있다. 지지 요소는 하전 입자 빔 소스에 속하며, 하전 입자들을 방출하기 위한 팁을 갖는 방출기에 연결된다. 하전 입자 빔 소스는 또한, 소켓, 전극들, 필라멘트를 포함할 수 있으며, 필라멘트는 방출기, 및 필라멘트에 전기 신호들을 제공하기 위한 전극들에 연결된다.
단계(710) 이후에, 필라멘트를 전극들에 연결하는 단계(720)가 후속될 수 있다.
단계(720) 이후에, 위치결정 디바이스로부터 지지 요소를 해제하는 단계(730)가 후속될 수 있다.
단계(710)는 다음 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다:
g. 지지 요소를 지지 구조를 향해 굽힘.
h. 지지 요소를 지지 구조의 단일 점에만 연결함.
단계(710)는, 지지 요소를 지지 구조에 연결하는 것을 배제할 수 있다.
단계(720)는, 필라멘트를 전극들에 용접하는 것을 포함할 수 있다.
"포함"이라는 용어는 "구비", "함유", 또는 "갖는"과 동의어이고(동일한 것을 의미함), 포괄적이거나 제한을 두지 않으며, 부가적인 언급되지 않은 요소들 또는 방법 단계들을 배제하지 않는다.
"이루어진"이라는 용어는 제한을 두며(정확히 언급된 것만을 포함함), 임의의 부가적인 언급되지 않은 요소들 또는 방법 단계들을 배제한다.
"본질적으로 ~로 이루어진"이라는 용어는, 명시된 물질들 또는 단계들, 및 기본 특성과 신규한 특성에 실질적으로 영향을 미치지 않는 것들로 범위를 제한한다.
청구항들 및 명세서에서, "포함"(또는 "구비" 또는 "함유")이라는 용어에 대한 임의의 참조는, "이루어진"이라는 용어를 준용하여 적용되어야 하며, "본질적으로 ~로 이루어진"이라는 문구를 준용하여 적용되어야 한다.
전술한 명세서에서, 본 발명은 본 발명의 실시예들의 특정 예들을 참조하여 설명되었다. 그러나, 첨부된 청구항들에 기재된 바와 같은 본 발명의 더 넓은 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서, 그 특정 예들에서 다양한 수정들 및 변경들이 이루어질 수 있다는 것이 명백할 것이다.
더욱이, 설명에서의 그리고 청구항들에서의 "앞", "뒤", "상단", "하단", "위", "아래" 등의 용어들은, 존재한다면, 설명의 목적들을 위해 사용되고, 반드시 불변의 상대적인 위치들을 설명하기 위해 사용되는 것은 아니다. 그렇게 사용되는 용어들은, 본원에서 설명된 본 발명의 실시예들이, 예컨대, 본원에서 예시되거나 다른 방식으로 설명된 것들과 다른 배향들로 동작할 수 있도록, 적절한 환경들 하에서 상호교환가능하다는 것이 이해된다.
관련 기술분야의 통상의 기술자들은, 논리 블록들 사이의 경계들은 단지 예시적이며, 대안적인 실시예들이, 논리 블록들 또는 회로 소자들을 병합할 수 있거나 다양한 논리 블록들 또는 회로 소자들에 대한 기능성의 대안적인 해체를 도입할 수 있다는 것을 인지할 것이다. 따라서, 본원에 도시된 아키텍쳐들은 단지 예시적이며, 실제로, 동일한 기능성을 달성하는 많은 다른 아키텍쳐들이 구현될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
동일한 기능성을 달성하기 위한 구성요소들의 임의의 배열은, 원하는 기능성이 달성되도록 효과적으로 "연관된다". 그러므로, 특정한 기능성을 달성하도록 조합된 본원에서의 임의의 2개의 구성요소는, 아키텍쳐들 또는 중간 구성요소들과 무관하게, 원하는 기능성이 달성되도록 서로 "연관된" 것으로 볼 수 있다. 마찬가지로, 그렇게 연관된 임의의 2개의 구성요소는 또한, 원하는 기능성을 달성하도록 서로에 대해 "동작가능하게 연결된" 또는 "동작가능하게 결합된" 것으로 볼 수 있다.
또한, 위에서 설명된 동작들 사이의 경계들은 단지 예시적이라는 것을 관련 기술분야의 통상의 기술자들은 인지할 것이다. 다수의 동작들은 단일 동작으로 조합될 수 있고, 단일 동작은 부가적인 동작들로 분배될 수 있고, 동작들은 시간상 적어도 부분적으로 겹쳐서 실행될 수 있다. 더욱이, 대안적인 실시예들은, 특정 동작의 다수의 예시들을 포함할 수 있고, 동작들의 순서는 다양한 다른 실시예들에서 변경될 수 있다.
그러나, 다른 수정들, 변형들, 및 대안들이 또한 가능하다. 따라서, 본 명세서들 및 도면들은, 제한적인 의미보다는 예시적인 것으로 간주되어야 한다.
청구항들에서, 괄호들 사이에 배치된 임의의 참조 기호들은 청구항을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. '포함'이라는 단어는, 청구항에서 열거된 것들 이외의 다른 요소들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않는다. 또한, 본원에서 사용되는 바와 같은 본원의 국제 출원 명세서에서의 부정 관사 용어들("a" 또는 "an")은 하나 또는 하나 초과로서 정의된다. 또한, 청구항들에서의 "적어도 하나" 및 "하나 이상"과 같은 서두의 문구들의 사용은, 본원의 국제 출원 명세서에서의 "a" 또는 "an"의 부정 관사들에 의한 다른 청구항 요소의 서두가, 심지어 동일한 청구항이 "하나 이상" 또는 "적어도 하나"의 서두의 문구들 및 본원의 국제 출원 명세서에서의 "a" 또는 "an"과 같은 부정 관사들을 포함하는 경우에도, 그러한 서두가 있는 청구항 요소를 포함하는 임의의 특정 청구항을, 그러한 요소를 오직 하나만 포함하는 발명들로 제한한다는 것을 암시하는 것으로 해석되어서는 안된다. 이는 정관사들의 사용에 대해서도 마찬가지이다. 달리 언급되지 않는 한, "제1" 및 "제2"와 같은 용어들은, 그러한 용어들이 설명하는 요소들을 임의로 구별하기 위해 사용된다. 따라서, 이러한 용어들은, 반드시, 그러한 요소들의 시간적인, 또는 다른 우선순위화를 나타내도록 의도된 것은 아니다. 특정 측정치들이 서로 상이한 청구항들에서 언급된다는 단순한 사실은, 이러한 측정치들의 조합이, 유리하게 하는 데에 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다.
본 발명의 특정 특징들이 본원에서 예시되고 설명되었지만, 많은 수정들, 치환들, 변경들, 및 등가물들이 이제 관련 기술분야의 통상의 기술자들에게 떠오를 것이다. 따라서, 첨부된 청구항들은 본 발명의 실제 사상 내에 속하는 모든 그러한 수정들 및 변경들을 망라하도록 의도된다는 것이 이해되어야 한다.
Claims (18)
- 하전 입자 빔 소스로서,
하전 입자들을 방출하기 위한 팁을 갖는 방출기;
소켓;
전극들;
상기 전극들 및 상기 방출기에 연결되는 필라멘트 ― 상기 전극들은, 상기 필라멘트에 전기 신호들을 제공하도록 구성됨 ―;
상기 방출기에 연결되는 지지 요소; 및
지지 구조를 포함하며, 상기 지지 구조는, 상기 지지 요소를 지지하는 동안 상기 지지 요소의 일부와만 접촉하기 위한 하나 이상의 인터페이스를 포함하는, 하전 입자 빔 소스. - 제1항에 있어서,
상기 전극들은 상기 소켓에 형성된 애퍼쳐들을 통해 연장되는, 하전 입자 빔 소스. - 제1항에 있어서,
상기 필라멘트는, 상기 전극들 중 제1 전극에 연결되는 제1 필라멘트 요소, 및 상기 전극들 중 제2 전극에 연결되는 제2 필라멘트 요소를 포함하며, 상기 지지 구조는, 상기 제1 필라멘트 요소와 상기 제2 필라멘트 요소 사이에 위치되는, 하전 입자 빔 소스. - 제1항에 있어서,
상기 지지 구조의 길이방향 축은 상기 팁의 길이방향 축과 평행한, 하전 입자 빔 소스. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 요소는 상기 지지 구조에 느슨하게 결합되는, 하전 입자 빔 소스. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 요소는 상기 지지 구조의 일 점에만 연결되는, 하전 입자 빔 소스. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 인터페이스는, 상기 지지 구조의 몸체에 이동가능하게 결합되는 하나 이상의 이동가능 요소를 포함하는, 하전 입자 빔 소스. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 인터페이스는, 상기 지지 구조의 몸체에 이동가능하게 결합되는 하나 이상의 이동가능 구체를 포함하는, 하전 입자 빔 소스. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 인터페이스는 하나 이상의 열 격리기를 포함하는, 하전 입자 빔 소스. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 인터페이스가 상기 지지 구조의 중간 부분을 넘어 연장됨으로써, 상기 지지 요소가 상기 지지 구조에 의해 지지될 때 상기 중간 부분과 상기 지지 요소 사이에 갭이 정의되는, 하전 입자 빔 소스. - 제1항에 있어서,
상기 소켓 및 상기 지지 구조는 세라믹인, 하전 입자 빔 소스. - 제1항에 있어서,
상기 방출기의 공진 주파수는 10000 헤르츠를 초과하는, 하전 입자 빔 소스. - 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 요소는, 상기 필라멘트에 의해 정의되는 가상 평면에 직교하는 길이방향 축을 갖는 빔인, 하전 입자 빔 소스. - 하전 입자 빔 소스를 조립하기 위한 방법으로서,
위치결정 디바이스에 의해, 지지 구조의 하나 이상의 인터페이스 상에 지지 요소를 위치시키는 단계 ― 상기 지지 요소는 하전 입자 빔 소스에 속하고, 하전 입자들을 방출하기 위한 팁을 갖는 방출기에 연결되며, 상기 하전 입자 빔 소스는, 소켓, 전극들, 필라멘트를 더 포함하고, 상기 필라멘트는, 상기 방출기, 및 상기 필라멘트에 전기 신호들을 제공하기 위한 상기 전극들에 연결됨 ―;
상기 필라멘트를 상기 전극들에 연결하는 단계; 및
상기 위치결정 디바이스로부터 상기 지지 요소를 해제하는 단계를 포함하는, 하전 입자 빔 소스를 조립하기 위한 방법. - 제14항에 있어서,
상기 연결하는 단계는, 상기 필라멘트를 상기 전극들에 용접하는 단계를 포함하는, 하전 입자 빔 소스를 조립하기 위한 방법. - 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 위치시키는 단계는, 상기 지지 요소를 상기 지지 구조를 향해 굽히는 단계를 포함하는, 하전 입자 빔 소스를 조립하기 위한 방법. - 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 위치시키는 단계는, 상기 지지 요소를 상기 지지 구조에 연결하는 단계를 배제하는, 하전 입자 빔 소스를 조립하기 위한 방법. - 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 위치시키는 단계는, 상기 지지 요소를 상기 지지 구조의 단일 점에만 연결하는 단계를 포함하는, 하전 입자 빔 소스를 조립하기 위한 방법.
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