JP2020202180A - 荷電粒子源モジュール - Google Patents
荷電粒子源モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020202180A JP2020202180A JP2020126312A JP2020126312A JP2020202180A JP 2020202180 A JP2020202180 A JP 2020202180A JP 2020126312 A JP2020126312 A JP 2020126312A JP 2020126312 A JP2020126312 A JP 2020126312A JP 2020202180 A JP2020202180 A JP 2020202180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- particle source
- arrangement
- source module
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/065—Construction of guns or parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70016—Production of exposure light, i.e. light sources by discharge lamps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/88—Mounting, supporting, spacing, or insulating of electrodes or of electrode assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/027—Construction of the gun or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/029—Schematic arrangements for beam forming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/067—Replacing parts of guns; Mutual adjustment of electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/07—Eliminating deleterious effects due to thermal effects or electric or magnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3175—Projection methods, i.e. transfer substantially complete pattern to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/03—Mounting, supporting, spacing or insulating electrodes
- H01J2237/032—Mounting or supporting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/061—Construction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/063—Electron sources
- H01J2237/06308—Thermionic sources
Abstract
Description
第1の剛性枠部と、第2の剛性枠部と、第1の枠部と第2の枠部との間に配置されこれらに剛的に接続された1つ以上の剛性支持部材とを含む枠と、
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子源配置であって第2の枠部に配置された荷電粒子源配置と、
第1の枠部に配置された電源接続アセンブリと、
を備えており、
荷電粒子源配置は電気配線を介して電源接続アセンブリに電気的に接続されている。
第1の枠部と、第2の枠部と、第1の枠部と第2の枠部との間に配置された1つ以上の剛性支持部材とを含む枠と、
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子源配置であって第2の枠部に配置された荷電粒子源配置と、
第1の枠部に配置された電源接続アセンブリと、
を備えており、
荷電粒子源配置は電気配線を介して電源接続アセンブリに電気的に接続されており、
電気配線はサービスループを有する1つ以上の線を備えている。
本発明の第1の態様又は本発明の第2の態様による、荷電粒子ビームを生成及び放出する荷電粒子源モジュールと、
荷電粒子源モジュールによって生成及び放出された荷電粒子ビームを受け取って、荷電粒子ビームを表面又はターゲットの方に向けるように構成された、荷電粒子光学配置と、
を備えており、
枠の第2の枠部は荷電粒子光学配置に配置されている。
荷電粒子を放出するように構成されたエミッタ配置と、
エミッタ配置によって放出された荷電粒子から荷電粒子ビームを形成する電極と、
エミッタ配置及び電極によって定義される光軸に実質的に平行に配向された1つ以上の非導電性のサポートであって、1つ以上のサポートの各々はエミッタ配置の外周及び電極の外周と接続されており、1つ以上のサポートはエミッタ配置及び電極の互いに対する配向及び/又は位置を維持する、サポートと、
を備えており、
電極は、フレクシャ接続によって1つ以上のサポートと接続されており、
電極及び/又はエミッタ配置は、電気配線の接続のために1つ以上の電線接続を備えており、
1つ以上の電線接続のうち少なくとも1つは、フレクシャ接続に配置されている。
荷電粒子源モジュール又は荷電粒子源配置の下流にウェーハを設置するステップと、
荷電粒子源モジュール又は荷電粒子源配置によって生成及び放出された荷電粒子ビームによってウェーハ上に画像又はパターンを投影することを含む、ウェーハを処理するステップと、
処理されたウェーハによって半導体デバイスを生成するために後続のステップを実施するステップと、
を備える。
荷電粒子源モジュール又は荷電粒子源配置の下流にターゲットを位置決めするステップと、
荷電粒子源モジュール又は荷電粒子源配置によって生成及び放出された荷電粒子ビームをターゲットの方に向けるステップと、
ターゲットの方に向けられた荷電粒子ビームに応答してターゲットによって伝達され、放出され、及び/又は反射された荷電粒子を検出するステップと、
荷電粒子を検出するステップからのデータによってターゲットを検査するために後続のステップを実施するステップと、
を備える。
Claims (30)
- 荷電粒子ビームを生成及び放出する荷電粒子源モジュールであって、
第1の剛性枠部と、第2の剛性枠部と、前記第1の枠部と前記第2の枠部との間に配置されこれらに剛的に接続された1つ以上の剛性支持部材とを含む枠と、
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子源配置であって前記第2の枠部に配置された荷電粒子源配置と、
前記第1の枠部に配置された電源接続アセンブリと、
を備えており、
前記荷電粒子源配置は電気配線を介して前記電源接続アセンブリに電気的に接続されている、荷電粒子源モジュール。 - 荷電粒子ビームを生成及び放出する荷電粒子源モジュールであって、
第1の枠部と、第2の枠部と、前記第1の枠部と前記第2の枠部との間に配置された1つ以上の剛性支持部材とを含む枠と、
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子源配置であって前記第2の枠部に配置された荷電粒子源配置と、
前記第1の枠部に配置された電源接続アセンブリと、
を備えており、
前記荷電粒子源配置は電気配線を介して前記電源接続アセンブリに電気的に接続されており、
前記電気配線はサービスループを有する1つ以上の線を備えている、荷電粒子源モジュール。 - 前記枠はフレクシャ接続によって前記第2の枠部に接続された据付部材を備えており、好適には、前記第2の枠部は据付板を備え、前記フレクシャ接続の各々は前記据付板の外周に設けられた接続リップを備え、各接続リップは前記据付板と前記接続リップとの間にスリットを定義する、請求項1又は請求項2に記載の荷電粒子源モジュール。
- 前記第1の枠部、前記第2の枠部、及び/又は前記1つ以上の剛性支持部材は非鉄材料で作られる、請求項1から3のいずれか一項に記載の荷電粒子源モジュール。
- 前記電源接続アセンブリは前記第1の枠部に剛的に接続され、前記荷電粒子源配置は前記第2の枠部に剛的に接続される、請求項1から4のいずれか一項に記載の荷電粒子源モジュール。
- 前記電源接続アセンブリは前記枠の前記第1の枠部に配置された非導電性の接続板を備えており、前記電源接続アセンブリは1つ以上のコネクタを備えている、請求項1から5のいずれか一項に記載の荷電粒子源モジュール。
- 前記1つ以上のコネクタは、前記非導電性の接続板を通って、前記枠の前記支持部材に実質的に平行な方向に延びる、請求項6に記載の荷電粒子源モジュール。
- 前記第1の枠部は2つの実質的に平行な板を備えており、前記電源接続アセンブリは固定され、好適には前記2つの板の間に挟まれる、請求項6又は請求項7に記載の荷電粒子源モジュール。
- 前記荷電粒子源配置は、荷電粒子を放出するように構成されたエミッタ配置と、前記エミッタ配置によって放出された前記荷電粒子から荷電粒子ビームを形成する電極とを備えており、好適には、前記荷電粒子源配置は前記エミッタ配置によって放出された前記荷電粒子から荷電粒子ビームを形成する2つ以上の電極を備えており、前記2つ以上の電極のうち最も下流の電極は好適には前記枠の前記第2の枠部に配置されており、前記最も下流の電極及び前記第2の枠部は好適には単一の部品として形成されている、請求項1から8のいずれか一項に記載の荷電粒子源モジュール。
- 前記エミッタ配置及び前記電極は、前記エミッタ配置及び前記電極によって定義される光軸に実質的に平行に配向された1つ以上の非導電性のサポートに接続され、前記1つ以上のサポートの各々は、前記エミッタ配置の外周及び前記電極の外周と接続され、前記1つ以上のサポートは前記エミッタ配置及び前記電極の互いに対する配向及び/又は位置を維持し、好適には、前記エミッタ配置と前記電極とのうち少なくとも一方がフレクシャ接続によって前記1つ以上のサポートと接続される、請求項9に記載の荷電粒子源モジュール。
- 前記エミッタ配置と前記電極とのうち少なくとも一方は前記1つ以上のサポートに剛的に接続され、好適には、前記最も下流の電極は前記1つ以上のサポートに剛的に接続される、請求項10に記載の荷電粒子源モジュール。
- 前記エミッタ配置及び前記電極は板状の電極体を備えており、前記フレクシャ接続は前記板状の電極体の外周に設けられた接続リップを備え、前記接続リップは前記接続リップと前記板状の電極体との間にスリットを定義する、請求項10又は請求項11に記載の荷電粒子源モジュール。
- 請求項6に従属するとき、前記電気配線は、前記電極に周状に接続されるとともに前記1つ以上のコネクタに接続され、前記電気配線は、前記枠の前記支持部材に実質的に平行な方向に延びる、請求項9から13のいずれか一項に記載の荷電粒子源モジュール。
- 前記電気配線は可撓性の電気配線である、請求項1から13のいずれか一項に記載の荷電粒子源モジュール。
- 請求項1に従属するとき、前記電気配線はサービスループを有する1つ以上の線を備えている、請求項1から14のいずれか一項に記載の荷電粒子源モジュール。
- 表面又はターゲットに向かって荷電粒子ビームを放出する露光システムであって、
請求項1から15のいずれか一項に記載の、荷電粒子ビームを生成及び放出する荷電粒子源モジュールと、
前記荷電粒子源モジュールによって生成及び放出された前記荷電粒子ビームを受け取って、前記荷電粒子ビームを前記表面又は前記ターゲットの方に向けるように構成された、荷電粒子光学配置と、
を備えており、
前記枠の前記第2の枠部は前記荷電粒子光学配置に配置されている、露光システム。 - 前記荷電粒子光学配置はコリメータを備えており、前記荷電粒子源モジュールは前記コリメータに配置されている、請求項16に記載の露光システム。
- 前記露光システムは、リソグラフィシステム、検査システム、又は顕微鏡システムを含む一群から選択される、請求項16又は請求項17に記載の露光システム。
- 荷電粒子ビームを生成する荷電粒子源配置であって、
荷電粒子を放出するように構成されたエミッタ配置と、
前記エミッタ配置によって放出された前記荷電粒子から荷電粒子ビームを形成する電極と、
前記エミッタ配置及び前記電極によって定義される光軸に実質的に平行に配向された1つ以上の非導電性のサポートであって、前記1つ以上のサポートの各々は前記エミッタ配置の外周及び前記電極の外周と接続されており、前記1つ以上のサポートは前記エミッタ配置及び前記電極の互いに対する配向及び/又は位置を維持する、サポートと、
を備えており、
前記電極は、フレクシャ接続によって前記1つ以上のサポートと接続されており、
前記電極及び/又は前記エミッタ配置は、電気配線の接続のために1つ以上の電線接続を備えており、前記1つ以上の電線接続のうち少なくとも1つは、前記フレクシャ接続に配置されている、荷電粒子源配置。 - 前記1つ以上の電線接続は、前記フレクシャ接続の、前記サポートに対して前記フレクシャ接続の位置及び/又は配向が実質的に固定される部分に位置している、請求項19に記載の荷電粒子源配置。
- 前記1つ以上の電線接続のうち前記少なくとも1つは、前記フレクシャ接続の前記接続リップの先端に配置されている、請求項19又は請求項20に記載の荷電粒子源配置。
- 前記電極は、ビーム開口を備えた板状の電極体を備えており、前記ビーム開口は前記光軸に対してセンタリングされる、請求項19から21のいずれか一項に記載の荷電粒子源配置。
- 前記フレクシャ接続は前記板状の電極体の外周に設けられた接続リップを備え、前記接続リップは前記接続リップと前記板状の電極体との間にスリットを定義する、請求項22に記載の荷電粒子源配置。
- 前記荷電粒子源配置は、前記エミッタ配置によって放出された前記荷電粒子から荷電粒子ビームを形成する2つ以上の電極を備えており、前記2つ以上の電極のうち少なくとも1つは前記1つ以上のサポートに剛的に接続されており、好適には、前記2つ以上の電極のうち最も下流の電極が前記1つ以上のサポートに剛的に接続されている、請求項19から23のいずれか一項に記載の荷電粒子源配置。
- 前記エミッタ配置は前記荷電粒子を放出するカソードを備えており、前記カソードは、フレクシャ接続によって前記1つ以上のサポートに接続されたカソード搬送要素内に収容される、請求項19から24のいずれか一項に記載の荷電粒子源配置。
- 前記カソード搬送要素は、前記カソードの少なくとも一部を収容するカソード開口を備えた板状の搬送体を備えており、好適には、前記フレクシャ接続は前記板状の搬送体の外周に設けられた接続リップを備え、前記接続リップは前記接続リップと前記板状の搬送体との間にスリットを定義する、請求項25に記載の荷電粒子源配置。
- 第1の枠部と、第2の枠部と、前記第1の枠部と前記第2の枠部との間に配置された1つ以上の剛性支持部材とを含む枠と、前記第1の枠部に配置された電源接続アセンブリと、を更に備えており、前記荷電粒子源配置は、前記第2の枠部に配置されるとともに、電気配線を介して前記電源接続アセンブリに電気的に接続されている、請求項19から26のいずれか一項に記載の荷電粒子源配置。
- 前記荷電粒子源配置は請求項19から27のいずれか一項に記載の荷電粒子源配置である、請求項1から15のいずれか一項に記載の荷電粒子源モジュール。
- 請求項1から15のいずれか一項に記載の荷電粒子源モジュール又は請求項19から27のいずれか一項に記載の荷電粒子源配置によって半導体デバイスを製造する方法であって、
前記荷電粒子源モジュール又は前記荷電粒子源配置の下流にウェーハを設置するステップと、
前記荷電粒子源モジュール又は前記荷電粒子源配置によって生成及び放出された荷電粒子ビームによって前記ウェーハ上に画像又はパターンを投影することを含む、前記ウェーハを処理するステップと、
前記処理されたウェーハによって半導体デバイスを生成するために後続のステップを実施するステップと、
を備える、方法。 - 請求項1から15のいずれか一項に記載の荷電粒子源モジュール又は請求項19から27のいずれか一項に記載の荷電粒子源配置によってターゲットを検査する方法であって、
前記荷電粒子源モジュール又は前記荷電粒子源配置の下流に前記ターゲットを位置決めするステップと、
前記荷電粒子源モジュール又は前記荷電粒子源配置によって生成及び放出された荷電粒子ビームを前記ターゲットの方に向けるステップと、
前記ターゲットの方に向けられた前記荷電粒子ビームに応答して前記ターゲットによって伝達され、放出され、及び/又は反射された荷電粒子を検出するステップと、
前記荷電粒子を検出するステップからのデータによって前記ターゲットを検査するために後続のステップを実施するステップと、
を備える、方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022036913A JP7303342B2 (ja) | 2017-04-11 | 2022-03-10 | 荷電粒子源モジュール |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201715484974A | 2017-04-11 | 2017-04-11 | |
US15/484,974 | 2017-04-11 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019555242A Division JP6741879B2 (ja) | 2017-04-11 | 2018-04-10 | 荷電粒子源モジュール、荷電粒子源モジュールを備えた露光システム、荷電粒子源配置、半導体デバイスを製造する方法、及びターゲットを検査する方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022036913A Division JP7303342B2 (ja) | 2017-04-11 | 2022-03-10 | 荷電粒子源モジュール |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020202180A true JP2020202180A (ja) | 2020-12-17 |
JP2020202180A5 JP2020202180A5 (ja) | 2021-05-13 |
JP7041208B2 JP7041208B2 (ja) | 2022-03-23 |
Family
ID=62817045
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019555242A Active JP6741879B2 (ja) | 2017-04-11 | 2018-04-10 | 荷電粒子源モジュール、荷電粒子源モジュールを備えた露光システム、荷電粒子源配置、半導体デバイスを製造する方法、及びターゲットを検査する方法 |
JP2020126312A Active JP7041208B2 (ja) | 2017-04-11 | 2020-07-27 | 荷電粒子源モジュール、荷電粒子源モジュールを備えた露光システム、荷電粒子源配置、半導体デバイスを製造する方法、及びターゲットを検査する方法 |
JP2022036913A Active JP7303342B2 (ja) | 2017-04-11 | 2022-03-10 | 荷電粒子源モジュール |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019555242A Active JP6741879B2 (ja) | 2017-04-11 | 2018-04-10 | 荷電粒子源モジュール、荷電粒子源モジュールを備えた露光システム、荷電粒子源配置、半導体デバイスを製造する方法、及びターゲットを検査する方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022036913A Active JP7303342B2 (ja) | 2017-04-11 | 2022-03-10 | 荷電粒子源モジュール |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11557455B2 (ja) |
EP (1) | EP3610493A4 (ja) |
JP (3) | JP6741879B2 (ja) |
CN (2) | CN110622276B (ja) |
NL (2) | NL2020748B1 (ja) |
TW (2) | TWI793114B (ja) |
WO (1) | WO2018190436A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110988003B (zh) | 2019-11-27 | 2021-08-13 | 中科晶源微电子技术(北京)有限公司 | 用于半导体器件的电子束检测设备、和电子束检测组件 |
US11380511B2 (en) * | 2020-03-24 | 2022-07-05 | Fei Company | Charged particle beam source |
WO2023197131A1 (zh) * | 2022-04-12 | 2023-10-19 | 华为技术有限公司 | 一种可调整的多电极准直装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2914692A (en) * | 1958-01-02 | 1959-11-24 | Gen Electric | Cathode assembly |
JPS5580849U (ja) * | 1978-11-29 | 1980-06-04 | ||
CN204230202U (zh) * | 2014-10-20 | 2015-03-25 | 大连交通大学 | 一种低能量电子枪 |
US20150136995A1 (en) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | Mapper Lithography Ip B.V. | Multi-electrode electron optics |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4817890Y1 (ja) * | 1968-09-13 | 1973-05-22 | ||
JPS5433512B2 (ja) * | 1972-05-22 | 1979-10-20 | ||
JPS4929969A (ja) * | 1972-07-20 | 1974-03-16 | ||
US4096408A (en) * | 1976-01-28 | 1978-06-20 | Zenith Radio Corporation | Unitized in-line electron gun having stress-absorbing electrode supports |
JPS5580849A (en) * | 1978-12-08 | 1980-06-18 | Pioneer Electronic Corp | Record player |
US4486685A (en) * | 1982-05-14 | 1984-12-04 | Rca Corporation | Electron gun assembly with bead strap having an angulated grasping member |
NL8701212A (nl) * | 1987-05-21 | 1988-12-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het bevestigen van elektroden van een elektronenkanon aan dragers. |
FR2702593B1 (fr) * | 1993-03-09 | 1995-04-28 | Commissariat Energie Atomique | Structure de guidage de particules chargées en électricité. |
US5483074A (en) * | 1995-01-11 | 1996-01-09 | Litton Systems, Inc. | Flood beam electron gun |
JPH09219169A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-19 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源 |
JP3834495B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2006-10-18 | 株式会社東芝 | 微細パターン検査装置、cd−sem装置の管理装置、微細パターン検査方法、cd−sem装置の管理方法、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
WO2006093076A1 (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-08 | Kyoto Institute Of Technology | イオン源 |
EP1982346A4 (en) * | 2006-02-02 | 2014-05-07 | Cebt Co Ltd | DEVICE FOR MAINTAINING DIFFERENTIAL PRESSURE GRADES FOR AN ELECTRONIC COLUMN |
EP2399270B1 (en) * | 2009-02-22 | 2013-06-12 | Mapper Lithography IP B.V. | Charged particle lithography apparatus |
US8586949B2 (en) * | 2010-11-13 | 2013-11-19 | Mapper Lithography Ip B.V. | Charged particle lithography system with intermediate chamber |
JP5580849B2 (ja) | 2012-05-16 | 2014-08-27 | 住友ゴム工業株式会社 | ビードエーペックスゴム形成方法、及びそれに用いるビードエーペックスゴム形成装置 |
-
2018
- 2018-04-10 JP JP2019555242A patent/JP6741879B2/ja active Active
- 2018-04-10 WO PCT/JP2018/015632 patent/WO2018190436A1/en unknown
- 2018-04-10 TW TW107112278A patent/TWI793114B/zh active
- 2018-04-10 CN CN201880031355.3A patent/CN110622276B/zh active Active
- 2018-04-10 CN CN202210698168.9A patent/CN114937585A/zh active Pending
- 2018-04-10 TW TW112112612A patent/TW202331763A/zh unknown
- 2018-04-10 EP EP18784630.8A patent/EP3610493A4/en active Pending
- 2018-04-11 NL NL2020748A patent/NL2020748B1/en active
- 2018-04-11 NL NL2020747A patent/NL2020747B1/en active
-
2019
- 2019-10-11 US US16/600,364 patent/US11557455B2/en active Active
-
2020
- 2020-07-27 JP JP2020126312A patent/JP7041208B2/ja active Active
-
2022
- 2022-03-10 JP JP2022036913A patent/JP7303342B2/ja active Active
-
2023
- 2023-01-17 US US18/155,684 patent/US20230154719A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2914692A (en) * | 1958-01-02 | 1959-11-24 | Gen Electric | Cathode assembly |
JPS5580849U (ja) * | 1978-11-29 | 1980-06-04 | ||
US20150136995A1 (en) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | Mapper Lithography Ip B.V. | Multi-electrode electron optics |
CN204230202U (zh) * | 2014-10-20 | 2015-03-25 | 大连交通大学 | 一种低能量电子枪 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110622276A (zh) | 2019-12-27 |
NL2020747A (en) | 2018-10-17 |
JP7041208B2 (ja) | 2022-03-23 |
EP3610493A1 (en) | 2020-02-19 |
NL2020748A (en) | 2018-10-17 |
TW202331763A (zh) | 2023-08-01 |
US20230154719A1 (en) | 2023-05-18 |
TW201903806A (zh) | 2019-01-16 |
EP3610493A4 (en) | 2021-07-07 |
JP6741879B2 (ja) | 2020-08-19 |
US11557455B2 (en) | 2023-01-17 |
JP2020517058A (ja) | 2020-06-11 |
US20200043693A1 (en) | 2020-02-06 |
CN114937585A (zh) | 2022-08-23 |
TWI793114B (zh) | 2023-02-21 |
NL2020748B1 (en) | 2019-02-25 |
JP2022066532A (ja) | 2022-04-28 |
NL2020747B1 (en) | 2019-02-18 |
CN110622276B (zh) | 2022-07-08 |
JP7303342B2 (ja) | 2023-07-04 |
WO2018190436A1 (en) | 2018-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7303342B2 (ja) | 荷電粒子源モジュール | |
JP5663722B2 (ja) | 粒子光学部品 | |
US10109451B2 (en) | Apparatus configured for enhanced vacuum ultraviolet (VUV) spectral radiant flux and system having the apparatus | |
US11929231B2 (en) | Charged particle beam device | |
CN113678225A (zh) | 具有集成电流测量的孔径阵列 | |
JP2013236053A (ja) | 荷電粒子光学系、描画装置及び物品の製造方法 | |
US20110294071A1 (en) | Electron gun, lithography apparatus, method of manufacturing article, and electron beam apparatus | |
US11276546B2 (en) | Charged particle beam optical system, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method | |
US20080135786A1 (en) | Adjustable aperture element for particle beam device, method of operating and manufacturing thereof | |
JP6979107B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
CN212587450U (zh) | 用于带电粒子束装置的磁性透镜部件、透镜和带电粒子束装置 | |
JP7353473B2 (ja) | 荷電粒子銃および荷電粒子ビームシステム | |
TWI712864B (zh) | 帶電粒子束照射裝置 | |
WO2023083545A1 (en) | Charged particle assessment system and method | |
TW202401481A (zh) | 具有改善對準的多束粒子顯微鏡以及對準多束粒子顯微鏡的方法與電腦程式產品 | |
JP5430703B2 (ja) | 描画装置、および物品の製造方法 | |
JP2007053128A (ja) | 電子銃及び電子線露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210405 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220310 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7041208 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |