KR20200082587A - 고 개구율 전계 발광 조명장치 - Google Patents

고 개구율 전계 발광 조명장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200082587A
KR20200082587A KR1020180173306A KR20180173306A KR20200082587A KR 20200082587 A KR20200082587 A KR 20200082587A KR 1020180173306 A KR1020180173306 A KR 1020180173306A KR 20180173306 A KR20180173306 A KR 20180173306A KR 20200082587 A KR20200082587 A KR 20200082587A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
lighting device
wiring
terminal
Prior art date
Application number
KR1020180173306A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102595809B1 (ko
Inventor
이규황
김철호
송태준
이경하
김태옥
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180173306A priority Critical patent/KR102595809B1/ko
Priority to CN201911241222.1A priority patent/CN111384112B/zh
Priority to US16/729,145 priority patent/US11038131B2/en
Publication of KR20200082587A publication Critical patent/KR20200082587A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102595809B1 publication Critical patent/KR102595809B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H01L51/5203—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H01L51/5262—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/157—Hole transporting layers between the light-emitting layer and the cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • F21Y2115/15—Organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L2251/5361—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 출원은 고 개구율을 갖는 전계발광 조명장치에 관한 것이다. 본 출원에 의한 전계 발광 조명장치는, 기판, 전원 배선, 버퍼막, 전극 콘택홀, 애노드 층, 보호막, 발광층, 캐소드 층을 포함한다. 기판은, 발광 영역과 발광 영역을 둘러싸는 비 발광 영역을 구비한다. 전원 배선은, 발광 영역에 배치되어 개구 영역을 정의한다. 버퍼막은, 전원 배선이 형성된 기판의 표면을 덮는다. 전극 콘택홀은, 버퍼막 위에서 전원 배선의 일부를 노출한다. 애노드 층은, 버퍼막 위에 도포되어 전극 콘택홀을 통해 전원 배선과 접촉한다. 보호막은, 애노드 층 위에서 전극 콘택홀을 덮는다. 발광층은, 애노드 층 위에 적층된다. 캐소드 층은, 발광층 위에 적층된다.

Description

고 개구율 전계 발광 조명장치{Electroluminance Lighting Device Having High Aperture Ratio}
본 출원은 고 개구율을 갖는 전계 발광 조명장치에 관한 것이다. 특히, 본 출원은 유기발광 소자를 포함하며, 발광 효율 및 개구율이 높은 전계 발광 조명장치에 관한 것이다.
최근, 유기발광소자의 많은 장점들을 바탕으로, 유기발광소자를 조명(Lighting)이나 표시장치(Display Device)의 광원으로 사용하기 위한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 예를 들어, 면광원 및 점광원이 차량의 실내등, 또는 차량 외부의 전조등, 안개등, 후퇴등, 차폭등, 번호등, 후미등, 제동등, 방향지시등, 비상점멸표시등과 같은 차량의 조명장치에 적용되고 있다.
유기발광 소자를 조명장치에 적용하는 경우, 사용 환경에 따라 외부에서 침투하는 수분, 산소 등에 대해 강건한 구조를 가져야 할 필요성이 있다. 또한, 전반사 등에 의하여 유기 발광 소자의 내부에서 광 손실이 발생하여 발광 효율이 높지 않은 문제점 등도 있다. 따라서, 유기 발광 소자를 조명장치에 적용하기 위해서는 외부 환경으로부터 소자를 보호하면서도 발광 효율 및 개구율을 향상시키는 구조적 개발이 필요하다.
본 출원의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써, 개구율 및 발광 효율이 향상된 전계 발광 조명장치를 제공하는 데 있다. 또한, 본 출원의 다른 목적은 사용 수명 및 안정성을 향상한 고 개구율 전계 발광 조명장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 출원에 의한 전계 발광 조명장치는, 기판, 전원 배선, 버퍼막, 전극 콘택홀, 애노드 층, 보호막, 발광층, 캐소드 층을 포함한다. 기판은, 발광 영역과 발광 영역을 둘러싸는 비 발광 영역을 구비한다. 전원 배선은, 발광 영역에 배치되어 개구 영역을 정의한다. 버퍼막은, 전원 배선이 형성된 기판의 표면을 덮는다. 전극 콘택홀은, 버퍼막 위에서 전원 배선의 일부를 노출한다. 애노드 층은, 버퍼막 위에 도포되어 전극 콘택홀을 통해 전원 배선과 접촉한다. 보호막은, 애노드 층 위에서 전극 콘택홀을 덮는다. 발광층은, 애노드 층 위에 적층된다. 캐소드 층은, 발광층 위에 적층된다.
일례로, 버퍼막 아래에 적층되며, 전원 배선이 형성된 기판의 표면을 평탄하게 만드는 광 추출층을 더 포함한다.
일례로, 버퍼막 아래에서 전원 배선을 덮는 보호층을 더 포함한다.
일례로, 애노드 층은, 전극 콘택홀을 통해 전원 배선을 덮는 보호층의 표면과 접촉한다.
일례로, 보호막은, 전극 콘택홀보다는 크고, 전원 배선의 폭보다 작거나 같은 크기를 갖는다.
일례로, 보호막이 형성된 부분을 제외한 발광 영역 전체에서, 애노드 층, 발광층 및 캐소드 층의 적층 구조로 발광 소자를 형성한다.
일례로, 라우팅 배선, 제1 단자 및 제2 단자를 더 포함한다. 라우팅 배선은, 전원 배선에 연결되며 발광 영역을 둘러싸도록 비 발광 영역에 배치된다. 제1 단자는, 비 발광 영역의 일측에 배치되며 라우팅 배선과 연결된다. 제2 단자는, 비 발광 영역의 타측에 배치되며 라우팅 배선과 이격되어 배치되되, 캐소드 층과 연결된다.
일례로, 제1 단자는, 라우팅 배선에서 연장되는 제1층, 애노드 층에서 연장되어 제1층을 덮는 제2층, 그리고 캐소드 층에서 분리되되 동일한 층에서 섬 모양으로 제2층을 덮는 제3층을 포함한다.
일례로, 제2 단자는, 라우팅 배선과 분리되되 동일한 층에 섬 모양으로 형성된 제1층, 애노드 층과 분리되되 동일한 층에 섬 모양으로 제1층을 덮는 제2층, 그리고 캐소드 층에서 연장되어 제2 층을 덮는 제3층을 포함한다.
일례로, 발광 소자가 형성된 발광 영역을 덮는 봉지층, 봉지층 위에 합착된 커버 필름, 그리고 봉지층과 커버 필름을 합착하는 접착층을 더 포함한다.
본 출원에 의한 전계 발광 조명장치는, 전원 보조 배선과 애노드 전극층을 직접 접촉하지 않고 절연막 기능을 갖는 버퍼막을 사이에 두고 중첩하는 새로운 구조를 갖는다. 또한, 애노드 전극층과 전원 보조 배선과의 연결을 콘택홀을 통한 점 연결 구조로써, 애노드 층 전체를 발광 영역으로 사용할 수 있어, 개구율을 극대화할 수 있다. 또한, 콘택홀을 통한 애노드 전극층과 전원 보조 배선의 점 연결 구조로 단락 방지 구조를 형성함으로써, 별도의 구조물 없이 단락 방지 기능을 구비함으로써, 플렉서블 조명장치의 안전성이 향상된다.
도 1은 본 출원의 일 실시 예에 따른 전계 발광 조명장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 출원의 일 실시 예에 따른 전계 발광 조명장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시 예에 따른 전계 발광 조명장치에서 발광 효율이 증가하는 구조적 특징을 설명하는 확대 단면도이다.
본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 출원의 일 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원의 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원의 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 설계 상의 오차 범위 및/또는 제조 공정상의 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 출원의 실시 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도 1 및 2를 참조하여, 본 출원에 의한 전계 발광 조명장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 출원의 일 실시 예에 따른 전계 발광 조명장치를 보여주는 평면도이다. 도 2는 본 출원의 일 실시 예에 따른 전계 발광 조명장치의 구조를 나타내는 것으로 도 1의 절취선 I-I'을 따라 자른 단면도이다. 이하에서는, 본 출원의 일 실시 예에 따른 조명장치가 유기발광 조명장치(Organic Luminance Lighting Device)인 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다.
도 1 및 2를 참조하면, 본 출원에 의한 전계 발광 조명장치는 기판(SUB), 라우팅 배선(RT), 전원 배선(PL), 광 추출층(LL), 버퍼막(MB), 애노드 층(ANO), 발광층(EL), 캐소드 층(CAT), 제1 단자(AP) 및 제2 단자(CP)를 포함한다.
기판(SUB)은 베이스 기판(또는 베이스 층)으로서, 플라스틱 재질 또는 유리 재질을 포함한다. 조명장치는 다양한 형태와 기능상의 목적에 적합한 특성을 가질 수 있다. 따라서, 기판(SUB)은 기능에 적합한 특성을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기판(SUB)을 불투명 재질로 형성하여 한쪽 방향으로만 빛을 제공하거나 투명 재질로 형성하여 양쪽 방향으로 빛을 제공할 수 있다. 예를 들어, 하부 발광형 및 양면 발광형의 경우, 기판(SUB)은 투명한 것이 바람직하다. 다른 예로, 상부 발광형의 경우 기판(SUB)은 불 투명할 수 있다.
일 예에 따른 기판(SUB)은 평면적으로 사각 형태, 각 모서리 부분이 일정한 곡률반경으로 라운딩된 사각 형태, 적어도 6개의 변을 갖는 비 사각 형태 또는 둥근 원 형상을 가질 수 있다.
기판(SUB)은 발광 영역(AA)과 비 발광 영역(IA)으로 구분될 수 있다. 발광 영역(AA)은 기판(SUB)의 중간 대부분에 마련되는 것으로, 조명용 빛을 출광하는 영역으로 정의될 수 있다. 일 예에 따른 발광 영역(AA)은 평면적으로 사각 형태, 각 모서리 부분이 일정한 곡률 반경을 가지도록 라운딩된 사각 형태, 또는 적어도 6개의 변을 갖는 비 사각 형태를 가질 수 있다.
비 발광 영역(IA)은 발광 영역(AA)을 둘러싸도록 기판(SUB)의 가장자리 영역에 마련되는 것으로, 빛이 표시되는 않는 영역 또는 주변 영역으로 정의될 수 있다. 일 예에 따른 비 발광 영역(IA)은 기판(SUB)의 제1 가장자리에 마련된 제1 비 발광 영역(IA1), 제1 비 발광 영역(IA1)과 나란한 기판(SUB)의 제2 가장자리에 마련된 제2 비 발광 영역(IA2), 기판(SUB)의 제3 가장자리에 마련된 제3 비 발광 영역(IA3), 및 제3 비 발광 영역과 나란한 기판(SUB)의 제4 가장자리에 마련된 제4 비 발광 영역(IA4)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 비 발광 영역(IA1)은 기판(SUB)의 상측(또는 하측) 가장자리 영역, 제2 비 발광 영역(IA2)은 기판(SUB)의 하측(또는 상측) 가장자리 영역, 제3 비 발광 영역(IA3)은 기판(SUB)의 좌측(또는 우측) 가장자리 영역, 그리고 제4 비 발광 영역(IA4)은 기판(SUB)의 우측(또는 좌측) 가장자리 영역일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.
기판(SUB)은 발광 영역(AA)과 발광 영역(AA)을 둘러싸는 비 발광 영역(IA)을 포함할 수 있다. 기판(SUB)은 베이스 층으로서, 플라스틱 재질 또는 유리 재질을 포함한다. 일 예에 따른 기판(SUB)은 불투명 또는 유색 폴리이미드(polyimide) 재질을 포함할 수 있다. 기판(SUB)은 플렉서블(flexible) 기판 혹은 강성(rigid) 기판일 수 있다. 예를 들어, 유리 재질의 플렉서블 기판(SUB)은 100마이크로미터 이하의 두께를 갖는 박형 유리 기판이거나, 기판 식각 공정에 의해 100마이크로미터 이하의 두께를 가지도록 식각된 유리 기판일 수 있다.
기판(SUB)의 상부 표면 상에는 금속 물질로 형성한 제1 단자(AP)의 제1층(M1), 라우팅 배선(RT), 전원 배선(PL) 및 제2 단자(CP)의 제1층(M1)이 형성되어 있다. 제1 단자(AP)의 제1층(M1), 라우팅 배선(RT) 및 전원 배선(PL)은 모두 연결된 하나의 몸체로 이루어질 수 있다. 제2 단자(CP)의 제1층(M1)는 제1 단자(AP)의 제1층(M1), 라우팅 배선(RT) 및 전원 배선(PL)과 분리된 형상을 갖도록 패턴될 수 있다. 제1 단자(AP)의 제1층(M1)과 제2 단자(CP)의 제1층(M1)은 제1 비 발광 영역(IA1)의 일측변과 타측변에 각각 일정 거리 이격하여 배치된다.
라우팅 배선(RT)은 기판(SUB)의 가장자리를 둘러싸듯이 배치된다. 라우팅 배선(RT)은 비 발광 영역(IA)에 배치되며 발광 영역(AA)을 둘러싸는 폐곡선, 예를 들어 사각 띠와 같은 형상을 가질 수 있다. 라우팅 배선(RT)은 발광 영역(AA)에 전원을 공급하는 배선이다. 예를 들어, (+) 전압을 제공하는 배선일 수 있다. 따라서, 라우팅 배선(RT)은 발광 소자의 구동 전원 전압을 인가 받는 제1 단자(AP)의 제1층(M1)과 일체형을 이루도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 1에서처럼, 제1 비 발광 영역(IA1)으로 연장된 돌출 형상으로 제1 단자(AP)의 제1층(M1)을 형성할 수 있다.
또한, 제2 단자(CP)의 제1층(M1)도 라우팅 배선(RT)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성할 수 있다. 제2 단자(CP)는 (-) 전압을 제공하는 배선일 수 있다. 따라서, 제2 단자(CP)의 제1층(M1)은 라우팅 배선(RT) 및 제1 단자(AP)의 제1층(M1)과는 물리적 및 전기적을 연결되지 않아야 한다. 예를 들어, 제1 비 발광 영역(IA1)에서 라우팅 배선(RT) 및 제1 단자(AP)의 제1층(M1)과 일정 거리 이격된 섬 모양으로 제2 단자(CP)의 제1층(M1)이 형성될 수 있다.
전원 배선(PL)은 발광 영역(AA) 내부에서 격자 모양 혹은 스트라이프(Strip) 형태로 배치된다. 전원 배선(PL)은 라우팅 배선(RT)에 연결되어 발광 영역(AA) 내에서 격자 형태의 개구 영역(OP)을 갖는 그물망(혹은 메쉬, Mesh) 형상을 갖는다. 도 1에서는 일정한 개구 면적을 갖는 그물망 형상을 갖는 경우로 도시하였으나, 이에 국한되지는 않는다. 전원 배선(PL)은 비 발광 영역(IA)에 배치된 라우팅 배선(RT)에서 발광 영역(AA)으로 분기된 배선들로서 기판(SUB) 전체 면적에 걸쳐 균일하게 배치된다. 전원 배선(PL)의 격자 형태에 의해 결정된 개구부를 개구 영역(OP)로 정의할 수 있다.
제1 단자(AP)의 제1층(M1), 라우팅 배선(RT), 전원 배선(PL) 및 제2 단자(CP)의 제1층(M1)은 각각 보호층(CL)에 의해 덮여 있다. 보호층(CL)은 제1 단자(AP)의 제1층(M1), 라우팅 배선(RT), 전원 배선(PL) 및 제2 단자(CP)의 제1층(M1)의 금속 물질이 산화되는 것을 방지하기 위한 보호 금속 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도금법 혹은 용액 코팅법을 이용하여 니켈(nickel)과 같은 금속 물질로 제1 단자(AP)의 제1층(M1), 라우팅 배선(RT), 전원 배선(PL) 및 제2 단자(CP)의 제1층(M1)을 덮는 보호층(CL)을 형성할 수 있다.
제1 단자(AP)의 제1층(M1), 라우팅 배선(RT), 전원 배선(PL) 및 제2 단자(CP)의 제1층(M1)은 저항이 낮은 구리(Cu)와 같은 물질을 포함할 수 있다. 구리는 이후 공정에서 산화될 경우, 도전 성능 및 기판(SUB)과의 결합성이 현저히 저하되어 손상될 수 있다. 보호층(CL)은 제1 단자(AP)의 제1층(M1), 라우팅 배선(RT), 전원 배선(PL) 및 제2 단자(CP)의 제1층(M1)의 상부 표면 및 식각된 측면등을 모두 감싸도록 도포함으로써, 이후 공정에서 산화를 방지한다.
보호층(CL)이 덮고 있는 제1 단자(AP)의 제1층(M1), 라우팅 배선(RT), 전원 배선(PL) 및 제2 단자(CP)의 제1층(M1)이 배치된 기판(SUB)의 표면 위에는 광 추출층(LL)이 적층되어 있다. 광 추출층(LL)은 저항이 높은 유기 물질에 산란 입자를 산포하여 형성할 수 있다. 또한, 광 추출층(LL)은 발광층(EL)에서 발생한 빛이 조명장치 외부로 원활하게 방출할 수 있도록 굴절율이 높은 입자들을 포함할 수 있다.
광 추출층(LL)은 전원 배선(PL)이 형성된 기판(SUB)의 표면 위에 적층됨으로써, 기판(SUB)의 표면을 평탄화 할 수 있다. 평탄화된 기판(SUB)의 표면 위에 발광 소자가 형성되면, 광 효율이 향상될 수 있다. 예를 들어, 평탄하지 않고 단차가 있는 표면 위에 발광 소자가 형성될 경우, 단차 부분에서 전류가 집중되어 열화(Burning) 현상이 발생할 수 있다. 이 경우, 전류 집중부에서 발광이 집중되어 균일하지 않은 발광 효율을 갖거나, 열화에 의해 소자가 손상될 수 있다. 광 추출층(LL)으로 전원 배선(PL)을 덮음으로써, 기판(SUB)의 표면을 평탄화 하고, 이 후에 발광 소자를 형성하는 것이 바람직하다.
광 추출층(LL) 위에는 버퍼막(MB)이 도포되어 있을 수 있다. 일 예에 따른 버퍼막(MB)은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼막은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 및 실리콘 산질화막(SiON) 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 버퍼막(MB)은 유기 버퍼막과 무기 버퍼막이 적어도 2개 이상 적층된 구조를 가질 수도 있다.
버퍼막(MB) 및 광 추출층(LL)은 전원 배선(PL)의 일부를 노출시키는 전극 콘택홀(PH)을 포함할 수 있다. 전극 콘택홀(PH)은 그물망 형상의 전원 배선(PL)에서 교차부에 하나씩 배치될 수 있다. 애노드 층(ANO)을 도포하기 이전 상태에서는, 전극 콘택홀(PH)은 전원 배선(PL)을 덮는 보호층(CL)의 상부 표면을 노출하도록 형성하는 것이 바람직하다. 보호층(CL)은 전원 배선(PL)보다 저항이 높은 금속 물질이고, 전극 콘택홀(PH)을 통해 애노드 층(ANO)이 접촉된다. 보호층(CL)의 물질과 전극 콘택홀(PH)의 면적을 조절함으로써, 접촉 저항의 정도를 조절할 수 있다.
광 추출층(LL)과 버퍼막(MB)은 발광 영역(AA) 전체를 덮는다. 또한, 비 발광 영역(IA)으로 일정 거리 연장될 수 있다. 하지만, 제1 단자(AP) 및 제2 단자(CP)의 일정 면적은 덮지 않고 개방하는 것이 바람직하다. 제1 단자(AP) 및 제2 단자(CP)의 개방된 부분이 외부로부터 신호를 인가받기 위한 패드 부분이 된다.
버퍼막(MB) 위에는 도전 물질을 증착하여 애노드 층(ANO)을 형성한다. 여기서 도전 물질은, 광을 투과시킬 수 있는 투명 전도성 물질 또는 반투과 전도성 물질을 포함할 수 있다. 일 예로 투명 도전 물질은, 인듐-주석 산화물(Indium Tin Oxide) 혹은 인듐-아연 산화물(Indium Zinc Oxide)을 포함할 수 있다. 일 예에 따른 반투과 전도성 물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금 등을 포함할 수 있다.
애노드 층(ANO)은 발광 영역(AA)을 덮도록 도포되어 있다. 애노드 층(ANO)에서 발광 영역(AA)에 도포된 전체 면적이 발광 소자(ED)의 제1 전극(AE)이 된다. 본 출원의 특징 중 하나가, 발광 소자(ED)가 발광 영역(AA) 전체에 걸쳐 형성하여, 면 발광 조명장치를 구현하는 데 있다. 이를 위해, 본 출원에 의한 일 실시 예에서 제1 전극(AE)은 발광 영역(AA) 전체에서 모두 연결된 면 전극 구조를 갖는다.
한편, 애노드 층(ANO)은 발광 영역(AA)에서 제1 비 발광 영역(IA1)으로 연장되어 제1 단자(AP)의 제1층(M1)을 덮는 제2층(M2)을 형성할 수 있다. 또한, 제2 단자(CP)의 제1층(M1)을 덮는 제2층(M2)를 형성할 수 있다. 이 때, 제1 단자(AP)의 제2층(M2)은 발광 영역(AA)의 애노드 층(ANO)과 연결된 구조를 갖지만, 제2 단자(CP)의 제2층(M2)은 다른 부분의 애노드 층(ANO)과 분리되는 것이 바람직하다.
애노드 층(ANO)은 발광 영역(AA) 내에서 전극 콘택홀(PH)을 통해 전원 배선(PL)과 연결되어 있다. 전극 콘택홀(PH)은 그물망 구조를 갖는 전원 배선(PL)의 교차점마다 형성되어 있다. 따라서, 면 전극 구조를 갖는 애노드 층(ANO)은 발광 영역(AA) 전체 면적에서 고르게 분포된 다수 개의 전극 콘택홀(PH)들을 통해 전원 배선(PL)과 연결된 구조를 갖는다.
전극 콘택홀(PH)이 형성된 부분의 상부에는 보호막(PAS)이 덮고 있다. 보호막(PAS)은 절연물질로서, 전극 콘택홀(PH)이 형성된 부분에만 형성되는 것이 바람직하다. 보호막(PAS)의 크기가 너무 커서 애노드 층(ANO)을 덮는 면적이 커지면, 발광층(EL)이 제1 전극(AE)과 접촉하는 면적이 줄어들어, 개구율이 저하될 수 있다.
보호막(PAS)의 크기가 너무 작아 전극 콘택홀(PH)이 노출되면, 노출된 전극 콘택홀(PH) 위에도 발광부가 형성될 수 있다. 전극 콘택홀(PH)은 전류 배선(PL)이 애노드 층(ANO)과 접촉하는 부분이므로, 구동 전류가 집중되어, 다른 부분보다 발광이 집중될 수 있다. 이 경우, 발광 영역(AA)에 걸쳐 균일하게 발광을 이루지 못하며, 전극 콘택홀(PH)에 과 부하가 걸려 손상이 발생할 수 있다. 따라서, 보호막(PAS)은 전극 콘택홀(PH)을 완전히 덮는 구조를 갖는 것이 바람직하다.
보호막(PAS)과 제1 전극(AE) 위에는 발광층(EL)이 적층되어 있다. 발광층(EL)은 발광 영역(AA) 전체에 걸쳐 일체형인 박막층으로 형성하는 것이 바람직하다. 일 예에 따른 발광층(EL)은 백색 광을 방출하기 위해 수직 적층된 2 이상의 발광부를 포함할 수 있다. 일 예에 따른 발광층(EL)은 제1 광과 제2 광의 혼합에 의해 백색 광을 방출하기 위한 제1 발광부와 제2 발광부를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 발광부는 제1 광을 방출하는 것으로 청색 발광부, 녹색 발광부, 적색 발광부, 황색 발광부, 및 황록색 발광부 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 제2 발광부는 청색 발광부, 녹색 발광부, 적색 발광부, 황색 발광부, 및 황록색 중 제1 광의 보색 관계를 갖는 제2 광을 방출하는 발광부를 포함할 수 있다.
발광층(EL) 위에는 캐소드 층(CAT)이 적층되어 있다. 캐소드 층(CAT)은 기판(SUB) 위에서 발광 영역(AA)을 덮도록 적층된다. 캐소드 층(CAT)은 발광 영역(AA)뿐 아니라 비 발광 영역(IA)의 일부 위에도 적층될 수 있다. 캐소드 층(CAT)은 발광 영역(AA)과 동일한 면적을 덮도록 형성되거나, 조금 더 큰 면적을 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 캐소드 층(CAT)의 일부는 제2 단자(CP) 쪽으로 연장되어 버퍼막(MB) 및 광 추출층(LL)이 덮고 있지 않는 제2 단자(CP)를 덮음으로써 제2 단자(CP)와 연결될 수 있다.
캐소드 층(CAT)은 반사율이 높은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 캐소드 층(CAT)은 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti)의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄(Al)과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC(Ag/Pd/Cu) 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 다층 구조로 형성되거나, 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 바륨(Ba) 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금 물질로 이루어진 단층 구조를 포함할 수 있다.
캐소드 층(CAT) 중에서 발광 영역(AA)에서 발광층(EL)과 면 접촉하며 중첩하는 영역은 제2 전극(CE)으로 정의된다. 애노드 층(ANO)으로 이루어진 제1 전극(AE), 발광층(EL) 및 캐소드 층(CAT)으로 이루어진 제2 전극(CE)의 적층 구조가 발광 소자(ED)를 형성한다. 본 출원에 의한 전계 발광 조명장치는 발광 영역(AA) 전체에서, 전극 콘택홀(PH)이 형성된 부분을 제외하고는, 제1 전극(AE), 발광층(EL) 및 제2 전극(CE)이 적층된 구조를 갖는다. 즉, 발광 영역(AA)의 대부분이 발광 소자(ED)를 형성하는 면 발광 구조를 갖는다.
제1 단자(AP)는 비 발광 영역(IA)의 일부에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 비 발광 영역(IA1)의 일측변에 배치될 수 있다. 일례로, 제1 단자(AP)는 라우팅 배선(RT)과 일체형으로 형성된 제1층(M1), 그리고 애노드 층(ANO)과 일체로 형성된 제2층(M2)을 구비할 수 있다. 이 경우, 제1 단자(AP)의 제2층(M2)은, 버퍼막(MB) 및 광 추출층(LL)이 덮지 않고 노출되며, 제1층(M1)을 덮는 보호층(CL)을 다시 덮는 형상을 가질 수 있다. 다른 예로, 도면으로 도시하지 않았으나, 제2층(M2) 위에 캐소드 층(CAT)으로 적층된 제3층을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 단자(AP)의 제3층은 다른 캐소드 층(CAT)과는 분리된 섬 모양을 갖는 것이 바람직하다. 제1 단자(AP)는 라우팅 배선(RT)과 전원 배선(PL)에 구동 전압을 공급하는 단자이다.
제2 단자(CP)는 비 발광 영역(IA)의 다른 일부에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 비 발광 영역(IA1)에 배치된 제1 단자(AP)와 대향하는 타측변에 배치될 수 있다. 제2 단자(CP)는 라우팅 배선(RT)과 물리적 전기적으로 이격된 섬 모양으로 형성된 제1층(M1), 애노드 층(ANO)으로 형성되되 다른 애노드 층(ANO)과 분리된 제2층(M2), 그리고 캐소드 층(CAT)으로 형성된 제3층(CAT)을 구비할 수 있다. 제2 단자(CP)는 라우팅 배선(RT)과는 분리된 것으로 캐소드 층(CAT)에 공통 전압을 공급하는 단자이다.
발광 소자(ED)가 형성된 기판(SUB) 위에 봉지층(EN)이 적층되어 있다. 봉지층(EN)은 단일 물질층으로 형성할 수도 있고, 복수의 층으로 형성될 수 있다. 일 예에 따른 봉지층(EN)은 제1 무기 봉지층, 제1 무기 봉지층 상의 유기 봉지층 및 유기 봉지층 상의 제2 무기 봉지층을 포함할 수 있다. 봉지층(EN)은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 한다. 일 예에 따른 봉지층(EN)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물 등의 무기물로 이루어질 수 있다. 이러한 봉지층(EN)은 화학 기상 증착 공정 또는 원자층 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
일 예에 따른 유기 봉지층은, 실리콘옥시카본(SiOCz) 아크릴 또는 에폭시 계열의 레진(Resin) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 유기 봉지층은 코팅 공정, 예를 들어 잉크젯 코팅 공정 또는 슬릿 코팅 공정에 의해 형성될 수 있다. 유기 봉지층은 공정 중에 발생한 먼지나 미세 입자들을 덮어 소자에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 유기 봉지층은 제1 무기 봉지층 및 제2 무기 봉지층보다 현저히 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
봉지층(EN)은 발광 영역(AA)을 모두 덮고, 비 발광 영역(IA)의 일부도 덮을 수 있다. 하지만, 봉지층(EN)은 제1 단자(AP)와 제2 단자(CP)는 덮지 않고 노출시키도록 도포하는 것이 바람직하다.
봉지층(EN) 위에는 커버 필름(CF)이 합착된다. 커버 필름(CF)은 금속 물질을 포함하는 두꺼운 필름일 수 있다. 커버 필름(CF)과 봉지층을 합착하기 위해 접착제(FS)를 이용할 수 있다. 커버 필름(CF)도 제1 단자(AP)와 제2 단자(CP)는 덮지 않고 노출시키도록 합착하는 것이 바람직하다.
본 출원에 의한 전계 발광 조명장치는 발광층(EL)에서 발생한 빛이 애노드 층(ANO)을 향해 출광되는 하부 발광형을 중심으로 설명하였다. 하부 발광형의 경우, 전원 배선(PL)이 애노드 층(ANO) 하부에 배치되어 있으므로, 전원 배선(PL)이 배치된 부분은 비록 발광 소자(ED)가 형성되어 실제로는 발광하지만, 그 빛이 직접적으로 하부로 방출되지 않는 비 발광부가 된다. 즉, 전원 배선(PL)에 의해 개구 영역(OP)이 정의된다. 반면에, 상부 발광형의 경우, 즉 발광층(EL)에서 발생한 빛이 캐소드 층(CAT)을 향해 출광되는 경우, 전원 배선(PL)이 배치되는 영역에서도 발광된 빛이 상부로 제공된다. 따라서, 하부 발광형의 경우 전원 배선(PL)에 의해 개구율이 상부 발광형보다 낮다.
이하, 도 3을 더 참조하여, 본 출원의 일 실시 예에 의한 전계 발광 조명장치에서, 하부 발광형의 경우에도 발광 효율이 증가하는 구조적 특징에 대해 상세힐 설명한다. 도 3은 본 출원의 일 실시 예에 따른 전계 발광 조명장치에서 발광 효율이 증가하는 구조적 특징을 설명하는 확대 단면도이다.
전원 배선(PL)은 구리와 같은 저 저항 금속 물질을 포함한다. 또한, 산화를 방지하기 위해 전원 배선(PL)의 상부 표면 및 측벽면에는 니켈(Ni)과 같은 금속 물질로 형성한 보호층(CL)이 덮고 있다. 전원 배선(PL)은 그물망 구조를 가지며, 전원 배선(PL)이 둘러싸는 영역이 개구 영역(OP)으로 정의되며, 전원 배선(PL)이 배치된 영역은 비 개구부(NP)가 된다.
이와 같은 구조에서, 발광 영역(AA) 대비 개구 영역(OP)의 비율인 개구율을 보면, 하부 발광형의 개구율이 상부 발광형보다 조금 낮다. 하지만, 발광 효율은 하부 발광형의 경우도 상부 발광형과 거의 차이가 없을 수 있다. 이에 대해 설명한다.
도 3을 보면, 전원 배선(PL)이 배치된 상부에도 발광 소자(ED)가 형성된다. 즉, 애노드 층(ANO), 발광층(EL) 및 캐소드 층(CAT)가 적층되어 있다. 그 결과, 전원 배선(PL)의 상부인 비 개구부(NP)에서도 빛이 발생한다. 이 빛은 직접적으로 전원 배선(PL) 하부로 출광되지는 않는다. 하지만, 전원 배선(PL)에서 반사되어 상부 방향으로 진행하고, 이 빛은 다시 캐소드 층(CAT)에 반사되어 비 개구부(NP)를 벗어나 개구 영역(OP)에 도달하면 하부 방향으로 출광된다.
예를 들어, 전원 배선(PL)의 상부 영역에서 발생한 빛은 사방으로 방출된다. 비 개구부(NP)에서 상부로 방출된 빛은 캐소드 층(CAT)에서 반사된다. 반사된 빛 중 일부는 개구 영역(OP)으로 반사되어 전원 배선(PL)을 피해 하부 방향으로 출광될 수 있다. 또한, 일부는 전원 배선(PL)에 의해 다시 반사될 수 있다. 하지만, 전원 배선(PL)에 의해 반사된 빛은 다시 캐소드 층(CAT)에서 재 반사되는 과정을 통해 개구 영역(OP)으로 도달하여 전원 배선(PL)을 벗어나 하면으로 방출될 수 있다.
비 개구부(NP)에서 하부로 방출된 빛은 바로 전원 배선(PL)에 의해 반사된다. 이때, 보호층(CL) 및 전원 배선(PL)의 물질에 의한 굴절율의 차이로 인해 난반사가 발생할 수 있다. 즉, 전원 배선(PL)에서 반사된 빛은 캐소드 층(CAT)으로 난반사되고, 다시 캐소드 층(CAT)에 의해 재 반사된다. 이러한 반사 및 재 반사를 통해, 비 개구부(NP)에서 발생한 빛은 개구 영역(OP)에 도달하고, 하부 방향으로 출광된다. 이와 같이 전원 배선(PL) 위의 공간에서 발생한 빛들도 거의 모두 손실 없이 하면으로 출광되므로, 개구율은 상부 발광형보다 작은 값을 가지지만, 발광 효율은 거의 동일한 수준을 유지할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
SUB: 기판 AP: 제1 단자
CP: 제2 단자 RT: 라우팅 배선
PL: 전원 배선 CL: 보호층
MB: 버퍼막 PAS: 보호막
CAT:캐소드 층 ANO: 애노드 층
ED: 발광 소자 AE: 제1 전극
EL: 발광층 CE: 제2 전극
EN: 봉지층 PH: 전극 콘택홀
LL: 광 추출층 CF: 커버 필름

Claims (10)

  1. 발광 영역과 상기 발광 영역을 둘러싸는 비 발광 영역을 구비한 기판;
    상기 발광 영역에 배치되어 개구 영역을 정의하는 전원 배선;
    상기 전원 배선이 형성된 상기 기판의 표면을 덮는 버퍼막;
    상기 버퍼막 위에서 상기 전원 배선의 일부를 노출하는 전극 콘택홀
    상기 버퍼막 위에 도포되어 상기 전극 콘택홀을 통해 상기 전원 배선과 접촉하는 애노드 층;
    상기 애노드 층 위에서 상기 전극 콘택홀을 덮는 보호막;
    상기 애노드 층 위에 적층된 발광층;
    상기 발광층 위에 적층된 캐소드 층을 포함하는 전계 발광 조명장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼막 아래에 적층되며, 상기 전원 배선이 형성된 상기 기판의 표면을 평탄하게 만드는 광 추출층을 더 포함하는 전계 발광 조명 장치.

  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼막 아래에서 상기 전원 배선을 덮는 보호층을 더 포함하는 전계 발광 조명장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 애노드 층은,
    상기 전극 콘택홀을 통해 상기 전원 배선을 덮는 상기 보호층의 표면과 접촉하는 전계발광 조명장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막은,
    상기 전극 콘택홀보다는 크고, 상기 전원 배선의 폭보다 작거나 같은 크기를 갖는 전계발광 조명장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막이 형성된 부분을 제외한 상기 발광 영역 전체에서,
    상기 애노드 층, 상기 발광층 및 상기 캐소드 층의 적층 구조로 발광 소자를 형성하는 전계발광 조명장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원 배선에 연결되며 상기 발광 영역을 둘러싸도록 상기 비 발광 영역에 배치된 라우팅 배선;
    상기 비 발광 영역의 일측에 배치되며 상기 라우팅 배선과 연결된 제1 단자; 그리고
    상기 비 발광 영역의 타측에 배치되며 상기 라우팅 배선과 이격되어 배치되되, 상기 캐소드 층과 연결된 제2 단자를 더 포함하는 전계 발광 조명장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 단자는,
    상기 라우팅 배선에서 연장되는 제1층;
    상기 애노드 층에서 연장되어 상기 제1층을 덮는 제2층; 그리고
    상기 캐소드 층에서 분리되되 동일한 층에서 섬 모양으로 상기 제2층을 덮는 제3층을 포함하는 전계 발광 조명장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2 단자는,
    상기 라우팅 배선과 분리되되 동일한 층에 섬 모양으로 형성된 제1층;
    상기 애노드 층과 분리되되 동일한 층에 섬 모양으로 상기 제1층을 덮는 제2층; 그리고
    상기 캐소드 층에서 연장되어 상기 제2 층을 덮는 제3층을 포함하는 전계발광 조명장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 소자가 형성된 상기 발광 영역을 덮는 봉지층;
    상기 봉지층 위에 합착된 커버 필름; 그리고
    상기 봉지층과 상기 커버 필름을 합착하는 접착층을 더 포함하는 전계발광 조명장치.
KR1020180173306A 2018-12-31 2018-12-31 고 개구율 전계 발광 조명장치 KR102595809B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180173306A KR102595809B1 (ko) 2018-12-31 2018-12-31 고 개구율 전계 발광 조명장치
CN201911241222.1A CN111384112B (zh) 2018-12-31 2019-12-06 具有高开口率的电致发光照明装置
US16/729,145 US11038131B2 (en) 2018-12-31 2019-12-27 Electroluminescent lighting device having high aperture ratio

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180173306A KR102595809B1 (ko) 2018-12-31 2018-12-31 고 개구율 전계 발광 조명장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200082587A true KR20200082587A (ko) 2020-07-08
KR102595809B1 KR102595809B1 (ko) 2023-10-27

Family

ID=71121847

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180173306A KR102595809B1 (ko) 2018-12-31 2018-12-31 고 개구율 전계 발광 조명장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11038131B2 (ko)
KR (1) KR102595809B1 (ko)
CN (1) CN111384112B (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150144906A1 (en) * 2013-11-26 2015-05-28 Sony Corporation Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
US20160013436A1 (en) * 2014-07-11 2016-01-14 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012018895A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機ｅｌ照明装置
KR102483229B1 (ko) * 2015-12-31 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102627284B1 (ko) * 2016-05-12 2024-01-22 엘지디스플레이 주식회사 캐소드 전극과 보조 캐소드 전극의 접속구조 형성 방법과 그를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150144906A1 (en) * 2013-11-26 2015-05-28 Sony Corporation Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
US20160013436A1 (en) * 2014-07-11 2016-01-14 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN111384112A (zh) 2020-07-07
US11038131B2 (en) 2021-06-15
US20200212335A1 (en) 2020-07-02
CN111384112B (zh) 2023-09-29
KR102595809B1 (ko) 2023-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI616004B (zh) 半導體發光元件
US9461210B2 (en) Light emitting element and light emitting device using the same
EP3131130A1 (en) Semiconductor light emitting structure
WO2016000458A1 (zh) 发光二极管
TWI572054B (zh) 高亮度發光二極體結構與其製造方法
CN111416064B (zh) 显示面板、其制作方法及显示装置
TW201608737A (zh) 發光二極體結構
US20220406969A1 (en) Light-emitting diode chip
EP3428990A1 (en) Lighting panel and method of fabricating the same, lighting module, lighting device, and lighting system
CN111384099B (zh) 窄边框电致发光照明装置
CN111384292B (zh) 嵌入有触摸功能的电致发光照明装置
KR102607781B1 (ko) 고 개구율 전계 발광 조명장치
KR102595809B1 (ko) 고 개구율 전계 발광 조명장치
KR102631177B1 (ko) 전계 발광 조명장치
KR102631169B1 (ko) 전계 발광 조명장치
TWI672837B (zh) 半導體發光元件
KR20200078831A (ko) 전계 발광 조명장치
KR20200141761A (ko) 조명 장치
KR20200082664A (ko) 발광 효율이 향상된 조명장치
KR20200082502A (ko) 조명 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant