CN111384112B - 具有高开口率的电致发光照明装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 15
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 13
- 239000013039 cover film Substances 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 211
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 ti/Al/Ti) Chemical compound 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
- H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/157—Hole transporting layers between the light-emitting layer and the cathode
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
- F21Y2115/15—Organic light-emitting diodes [OLED]
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
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Abstract
本公开涉及具有高开口率的电致发光照明装置。本公开提供了电致发光照明装置,其包括:基板,其具有发光区域和围绕发光区域的非发光区域;设置在发光区域中的电源线,该电源线限定开口区域;覆盖具有电源线的基板的缓冲层;形成在缓冲层处的电源接触孔,该电源接触孔用于使电源线中的一些电源线露出;设置在缓冲层上的阳极层,所述阳极层通过电源接触孔接触电源线;在阳极层上的覆盖电源接触孔的钝化层;在阳极层上的发光层;以及在发光层上的阴极层。
Description
技术领域
本公开涉及具有高开口率的电致发光照明装置。特别地,本公开涉及包括有机发光元件并且具有优异的发光效率和开口率的电致发光照明装置。
背景技术
近来,基于有机发光装置的许多优势和/或优点,已经积极地进行了一系列研究以使用有机发光元件作为照明装置或显示装置的光源。例如,将应用有机发光元件的表面光源和/或点光源应用于车辆的照明系统,诸如内部气氛灯、前照灯、雾灯、回缩灯、车灯、牌照灯、尾灯、致动灯、转向信号灯等。
当将有机发光元件应用于照明装置时,必须具有稳健的结构以抵抗根据其应用环境可能从外部渗透的异物诸如水分和氧气。另外,由于有机发光元件自身中发生的光量损失,发光效率可能降低。因此,为了将有机发光元件应用于照明装置,必须开发保护元件免受外部环境影响并且改善发光效率和开口率的结构。
发明内容
为了解决上述问题,本公开的目的是提供一种具有增强的开口率和改善的发光效率的电致发光照明装置。本公开的另一目的是提供一种具有增强的稳定性和延长的寿命的高孔径电致发光照明装置。
出于上面提及的目的,本公开提供了一种电致发光照明装置,其包括:基板,其具有发光区域和围绕发光区域的非发光区域;电源线,其设置在发光区域中并且限定开口区域;缓冲层,其覆盖具有电源线的基板;电源接触孔,其形成在缓冲层处,用于使电源线中的一些电源线露出;阳极层,其设置在缓冲层上并且通过电源接触孔接触电源线;钝化层,其在阳极层上覆盖电源接触孔;发光层,其在阳极层上;以及阴极层,其在发光层上。
在一个实施例中,电致发光照明装置还包括:光提取层,其设置在缓冲层下方,用于使具有电源线的基板的顶表面平坦化。
在一个实施例中,电致发光照明装置还包括:盖层,其设置在缓冲层下方并且覆盖电源线。
在一个实施例中,阳极层通过电源接触孔接触覆盖电源线的盖层。
在一个实施例中,钝化层的面积大于电源接触孔的面积并且宽度小于电源线的宽度。
在一个实施例中,在发光区域的除了钝化层之外的整个区域上,通过阳极层、发光层以及阴极层的堆叠结构来构造发光元件。
在一个实施例中,电致发光照明装置还包括:布线,其设置在非发光区域中,用于连接电源线和围绕发光区域;第一焊盘,其设置在非发光区域的一侧并且连接至布线;以及第二焊盘,其设置在非发光区域的另一侧,与布线隔开,并且连接至阴极层。
在一个实施例中,第一焊盘包括:第一层,其从布线延伸;第二层,其从阳极层延伸并且覆盖第一层;以及第三层,其与阴极层隔开,具有岛状并且覆盖第二层。
在一个实施例中,第二焊盘包括:第一层,其与布线隔开并且具有岛状;第二层,其与阳极层隔开并且覆盖第一层;以及第三层,其从阴极层延伸并且覆盖第二层。
在一个实施例中,电致发光照明装置还包括:封装层,其覆盖具有发光元件的发光区域;覆盖膜,其设置在封装层上;以及粘结剂,其使封装层和覆盖膜附接。
根据本公开的电致发光照明装置具有下述新结构:在该新结构中辅助电源线与阳极电极交叠,不是直接接触,而是在辅助电源线与阳极电极之间堆叠有绝缘缓冲层。另外,在其中阳极电极通过接触孔连接至辅助电源线的点接触结构的情况下,阳极电极的整个区域可以被限定为发光区域,从而可以使开口率最大化。此外,可以通过阳极电极与辅助电源线之间通过接触孔的点接触结构建立短路保护结构。无需特定的硬件元件即可获得短路保护,从而可以增强柔性照明装置的稳定性。
附图说明
包含附图以提供对本公开的进一步理解,附图被并入本申请中并且构成本申请的一部分,附图示出了本公开的实施例,并且附图与描述一起用于说明本公开的原理。在附图中:
图1是示出根据本公开的一个实施例的电致发光照明装置的平面图。
图2是示出根据本公开的一个实施例的电致发光照明装置的结构的、沿图1的切割线I-I'截取的截面图。
图3是示出用于增强根据本公开的电致发光照明装置的发光效率的结构特性的放大截面图。
具体实施方式
现在将详细地参照本公开的示例性实施例,在附图中示出了这些示例性实施例的示例。在可能的情况下,贯穿附图将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。在说明书中,应当注意,在可能的情况下,对于元件使用在其他附图中已经用于表示相似元件的相似附图标记。在以下描述中,当本领域技术人员已知的功能和配置对于本公开的必要配置无关时,将省略其详细描述。说明书中所描述的术语应当如下理解。将通过以下参照附图而描述的实施例来阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而,本公开可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。而是,提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。此外,本公开仅由权利要求的范围所限定。
用于描述本公开的实施例的附图中所公开的形状、尺寸、比率、角度和数目仅是示例,因此本公开不限于所示出的细节。相似的附图标记始终指代相似的元件。在以下描述中,当相关已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊了本公开的重点时,将省略详细描述。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下,除非使用“仅”,否则也可以存在另外部分。除非相反地指出,否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在对元件进行解释时,尽管没有明确描述,但是元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时,例如,当位置顺序被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“紧接着”时,除非使用“仅”或“直接”,否则可以包括在其间没有接触的情况。如果提到第一元件位于第二元件“上”,则这不意味着在附图中第一元件基本上位于第二元件上方。所关注的对象的上部和下部可以根据对象的取向而改变。因此,第一元件位于第二元件“上”的情况包括:在图中或者在实际配置中,其中第一元件位于第二元件“下方”的情况、以及其中第一元件位于第二元件“上方”的情况。
在描述时间关系时,例如,当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“紧接着”和“在……之前”时,除非使用“仅”或“直接”,否则可以包括不连续的情况。
应当理解,尽管在本文中术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种各样的元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件进行区分。例如,在没有脱离本公开的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
术语“第一水平(或X)轴方向”、“第二水平(或Y)轴方向”和“垂直(或Z)轴方向”不应仅基于各个方向彼此垂直的几何关系来解释,并且可以意指在本公开的部件可以在功能上操作的范围内具有更宽泛的方向性的方向。
应当理解,术语“至少一个”包括与任一项相关的所有组合。例如,“第一元件、第二元件和第三元件中至少之一”可以包括选自第一元件、第二元件和第三元件的两个或更多个元件的所有组合以及第一元件、第二元件和第三元件中的每个元件。
如本领域技术人员可以充分理解的,本公开的各种实施例的特征可以部分地或全部地彼此耦合或组合,并且可以以各种方式彼此协作并在技术上被驱动。本公开的实施例可以彼此独立地实施或者可以以相互依赖的关系一起实施。
在下文中,参照图1和图2,将说明根据本公开的第一实施例的电致发光照明装置。图1是示出根据本公开的一个实施例的电致发光照明装置的平面图。图2是示出根据本公开的一个实施例的电致发光照明装置的结构的、沿图1的切割线I-I'截取的截面图。在该实施例中,照明装置是有机发光照明装置,但是不限于此。
参照图1和图2,根据本公开的电致发光照明装置包括基板SUB、布线RT、电源线PL、光提取层LL、缓冲层MB、阳极层ANO、发光层EL、阴极层CAT、第一焊盘AP和第二焊盘CP。
作为基础基板(或基础层)的基板SUB包括塑料材料或玻璃材料。照明装置可以具有适合于功能目的的各种各样的形状和性能。因此,优选的是基板SUB具有适合于其功能和目的的特性。例如,基板SUB可以由不透明材料形成以在基板SUB的仅一个方向上提供光,或者可以由透明材料形成以在基板SUB的两个方向上提供光。在一个示例中,对于底部发光型或双向发光型的情况,优选的是基板SUB由透明材料制成。在另一示例中,对于顶部发光型的情况,优选的是基板SUB可以由不透明材料制成。
在一个示例中,基板SUB在平面图中可以具有矩形形状、其中每个角都以一定的曲率半径圆化的圆化矩形形状、具有至少5个边的非方形形状、圆形形状或椭圆形形状。
基板SUB可以包括发光区域AA和非发光区域IA(例如IA1、IA2、IA3、IA4)。发光区域AA设置在基板SUB的最中间部分,其可以被限定为用于发射光的区域。在一个示例中,发光区域AA在平面图中可以具有矩形形状、圆化矩形形状和具有至少5个边的非矩形形状。
非发光区域IA设置在基板SUB的周向区域中以围绕发光区域AA,非发光区域IA可以被限定为不从其提供光的区域。在一个示例中,非发光区域IA可以包括设置在基板SUB的第一侧的第一非发光区域IA1、设置在与第一非发光区域IA1平行的第二侧的第二非发光区域IA2、设置在与第一非发光区域IA1垂直的第三侧的第三非发光区域IA3以及设置在与第三非发光区域IA3平行的第四侧的第四非发光区域IA4。详细地,第一非发光区域IA1可以设置在基板SUB的上侧(或下侧),第二非发光区域IA2可以设置在基板SUB的下侧(或上侧),第三非发光区域IA3可以设置在基板SUB的左侧(或右侧),并且第四非发光区域IA4可以设置在基板SUB的右侧(或左侧)。但其不限于此。
作为基础基板(或基础层)的基板SUB包括塑料材料或玻璃材料。例如,基板SUB可以包括不透明材料或着色的聚酰亚胺材料。基板SUB可以包括柔性基板或刚性基板。例如,柔性基板SUB可以由玻璃材料制成,可以是具有100微米或更小的厚度的薄玻璃基板,或者可以是被蚀刻为具有100微米或更小的厚度的玻璃基板。
在基板SUB的上表面上,第一焊盘AP的第一层M1、布线RT、电源线PL和第二焊盘CP的第一层M1由金属材料形成。第一焊盘AP的第一层M1、布线RT和电源线PL被制成彼此连接的一体。第二焊盘CP的第一层M1可以被图案化以相对于第一焊盘AP的第一层M1、布线RT和电源线PL隔开。第一焊盘AP的第一层M1和第二焊盘CP的第一层M1可以以间隔开预定距离分别设置在第一非发光区域IA1的一侧和另一侧。
布线RT可以布置为围绕基板SUB的边缘/周向。布线RT设置在非发光区域IA处,并且可以具有围绕发光区域AA的闭合曲线形状,例如矩形的带形状。布线RT是用于将电力供应至发光区域AA的电布线。因此,布线RT可以与接收用于发光元件的驱动电源电压的第一焊盘AP的第一层M1形成为具有一体。例如,如图1所示,第一焊盘AP的第一层M1可以形成为延伸至第一非发光区域IA1的挤压形状。
另外,第二焊盘CP的第一层M1可以由与布线RT相同的材料形成在相同层。第二焊盘CP可以是用于供应(-)电压、接地电压或基础电压的电布线。因此,优选的是第二焊盘CP的第一层M1不物理地连接至和/或电连接至第一焊盘AP的第一层M1。例如,在第一非发光区域IA1中,第二焊盘CP的第一层M1可以形成为岛状,从而相对于布线RT和第一焊盘AP的第一层M1隔开预定距离。
电源线PL在发光区域AA中设置为具有网格图案或条带图案。在发光区域AA中,电源线PL连接至布线RT,使得电源线PL可以形成为具有网格形状或网孔形状的开口区域OP。图1示出了其中电源线PL形成为包括具有开口区域的多个网孔的情况,但是不限于此。电源线PL是从设置在非发光区域IA中的布线RT至发光区域AA的分支线,并且均匀地分布在基板SUB的整个表面上。由电源线PL的网格图案形成的开口可以被限定为开口区域OP。
第一焊盘AP的第一层M1、布线RT、电源线PL以及第二焊盘CP的第一层M1被盖层CL覆盖。盖层CL可以包括用于防止第一焊盘AP的第一层M1、布线RT、电源线PL以及第二焊盘CP的第一层M1的金属材料被氧化的保护金属材料。例如,使用镀覆法或溶液涂覆法,可以使用金属材料诸如镍来形成覆盖第一焊盘AP的第一层M1、布线RT、电源线PL以及第二焊盘CP的第一层M1的盖层CL。
第一焊盘AP的第一层M1、布线RT、电源线PL和第二焊盘CP的第一层M1还可以包括低电阻材料诸如铜和铝。铜可能在后处理中被氧化,因此可能导致导电性能或者与基板SUB的粘附性能的极度降低。盖层CL形成为覆盖第一焊盘AP的第一层M1、布线RT、电源线PL以及第二焊盘CP的第一层M1的上表面和蚀刻侧壁表面,盖层CL可以防止后处理中的氧化。
在基板SUB的具有由盖层CL覆盖的第一焊盘AP的第一层M1、布线RT、电源线PL和第二焊盘CP的第一层M1的表面上,可以堆叠有光提取层LL。光提取层LL可以通过将光散射颗粒分散至具有高电阻的有机材料中而制成。另外,光提取层LL可以包括折射率非常高的多个颗粒,以将从发光层EL生成的光有效地辐射至照明装置之外。
通过将光提取层LL堆叠在具有电源线PL的基板SUB的表面上,可以使基板SUB的上表面平坦化。当在平坦化的基板SUB上形成发光元件时,可以提高光效率。相比之下,当在顶表面具有严重的许多水平差的基板上形成发光元件时,电流可能集中在水平改变的点处,这导致燃烧现象。在这种情况下,发光可能集中在电流累积的地方,从而可能使光效率降低或者可能由燃烧现象而使发光元件故障。用光提取层LL覆盖电源线LL,可以使基板SUB的顶表面平坦化,并且然后可以形成发光元件以确保照明装置的优异品质。
在光提取层LL上,可以沉积有缓冲层MB。在一个示例中,缓冲层MB可以包括彼此交替堆叠的多个无机层。例如,缓冲层MB可以形成为其中交替地堆叠有硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiON)中的至少一个无机层的多层结构。在另一示例中,缓冲层MB可以形成为堆叠有机层和无机层中的至少两者。
缓冲层MB和光提取层LL可以具有使电源线PL中的一些电源线露出的电源接触孔PH。电源接触孔PH可以形成在网孔型电源线PL的每个交叉点上。在沉积阳极层ANO之前的条件下,优选的是电源接触孔PH使覆盖电源线PL的盖层CL的上表面露出。盖层CL可以包括具有比电源线PL的电阻高的电阻的金属材料,并且可以通过电源接触孔PH与阳极层ANO连接。通过选择盖层CL的材料和控制电源接触孔PH的面积,可以使盖层CL与阳极层ANO之间的接触电阻的性能得到优化。
光提取层LL和缓冲层MB可以覆盖发光区域AA的整个表面。另外,它可以以预定距离延伸至非发光区域IA。然而,优选的是第一焊盘AP和第二焊盘CP的一些部分未被光提取层LL和缓冲层MB覆盖而是露出于光提取层LL和缓冲层MB。第一焊盘AP和第二焊盘CP的露出部分是用于接收来自外部装置的电信号或电压的焊盘部分。
通过在缓冲层MB上沉积导电材料,形成阳极层ANO。此处,导电材料可以包括能够透过光的透明导电材料或半透明导电材料。在一个示例中,透明导电材料可以包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。在另外的示例中,半透明导电材料还可以包括镁(Mg)、银(Ag)或者镁(Mg)和银(Ag)的合金。
阳极层ANO被沉积为覆盖发光区域AA。覆盖发光区域AA的阳极层ANO的整个区域可以是发光元件ED的第一电极AE。本公开的一个特征是其中多个发光元件ED形成和排列在发光区域AA的整个表面上方的表面发光照明装置。为此,在本公开的一个示例中,多个第一电极AE中的全部第一电极AE可以在发光区域AA上方彼此连接,从而形成片状电极。
在此期间,阳极层ANO可以从发光区域AA延伸至第一非发光区域IA1,以形成覆盖第一焊盘AP的第一层M1的第二层M2。此外,它可以形成覆盖第二焊盘CP的第一层M1的第二层M2。此处,第一焊盘AP的第二层M2连接至形成在发光区域AA中的阳极层ANO,而第二焊盘CP的第二层M2应当相对于其他阳极层ANO隔开。
在发光区域AA中,阳极层ANO通过电源接触孔PH连接至电源线PL。每个电源接触孔PH可以形成在具有网孔结构的电源线PL的每个交叉点处。因此,具有片状电极结构的阳极层ANO可以通过均匀分布在发光区域AA的整个表面上方的多个电源接触孔PH连接至电源线PL。
在电源接触孔PH的上部,沉积有钝化层PAS。优选的是作为绝缘材料的钝化层PAS仅形成在电源接触孔PH上方。当钝化层PAS过大时,与第一电极AE接触的发光层EL的面积将随着覆盖阳极层ANO的钝化层的面积增大而减小。因此,可能降低开口率。
当钝化层PAS的面积太小而使电源接触孔PH的一些电源接触孔PH露出时,发光层EL可能直接形成在电源接触孔PH上。在这种情况下,电源接触孔PH是电源线PL接触阳极层ANO的部分,使得驱动电流可能集中,从而在这一点处可能集中发光。因此,光可能不会均匀地辐射在发光区域AA的整个表面上方,电源接触孔PH可能过载然后被损坏。因此,优选的是钝化层PAS以最小面积完全覆盖电源接触孔PH。
发光层EL沉积在钝化层PAS和第一电极AE上。优选的是发光层EL形成为具有覆盖发光区域AA的整个表面的薄层的一体。对于一个示例,发光层EL可以包括垂直堆叠的用于辐射白色光的至少两个发光部分。对于另一示例,发光层EL可以包括用于通过混合第一颜色光和第二颜色光来辐射白光的第一发光部分和第二发光部分。此处,第一发光部分可以包括蓝光发光部分、绿光发光部分、红光发光部分、黄光发光部分和黄绿光发光部分中的任何一个以发射第一颜色光。在此期间,第二发光部分可以包括蓝光发光部分、绿光发光部分、红光发光部分、黄光发光部分和黄绿光发光部分中的任何一个以发射与第一颜色光具有互补关系的第二颜色光。
在发光层EL上沉积有阴极层CAT。阴极层CAT可以沉积在基板SUB上以用于覆盖发光区域AA。阴极层CAT可以沉积在非发光区域IA中的一些非发光区域IA上以及发光区域AA上。阴极层CAT可以具有与覆盖发光区域AA相同的面积或比发光区域AA大的面积。例如,阴极层CAT中的一些阴极层CAT可以延伸至第二焊盘CP,因此它可以覆盖未被缓冲层MB和光提取层LL覆盖的第二焊盘CP以与第二焊盘CP连接。
阴极层CAT可以由具有优异反射性能的金属材料制成。例如,阴极层CAT可以包括多层结构,诸如铝和钛的堆叠结构(即,Ti/Al/Ti)、铝和ITO(铟锡氧化物)的堆叠结构(即,ITO/Al/ITO)、APC合金(Ag/Pd/Cu)、以及APC合金和ITO的堆叠结构(即ITO/APC/ITO)。另外,阴极层CAT可以包括具有银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)或钡(Ba)中的任何一种材料或者两种或更多种的合金材料的单层结构。
阴极层CAT的与发光区域AA中的发光层EL接触的部分可以被限定为第二电极CE。发光元件ED可以由包括由阳极层ANO配置的第一电极AE、发光层EL以及由阴极层CAT配置的第二电极CE的堆叠结构形成。在发光区域AA的除了电源接触孔PH之外的整个区域内,根据本公开的电致发光照明装置堆叠有第一电极AE、发光层EL和第二电极CE。也就是说,发光区域AA的所有部分中的大部分形成为发光元件ED,使得其被配置成表面辐射结构。
第一焊盘AP可以设置在非发光区域IA的一部分处。例如,第一焊盘AP可以设置在第一非发光区域IA1的一侧。在一个示例中,第一焊盘AP可以包括与布线RT形成为一体的第一层M1以及与阳极层ANO形成为一体的第二层M2。在这种情况下,第一焊盘AP的第二层M2未被缓冲层MB和光提取层LL覆盖而是被露出,并且具有其中第二层M2覆盖盖层CL的结构,其中盖层CL覆盖第一层M1。在另一示例中,即使未在图中示出,也可以在第二层M2上进一步包括由阴极层CAT制成的第三层。在这种情况下,优选的是第一焊盘AP的第三层具有相对于阴极层CAT隔开的岛状。第一焊盘AP可以是用于将驱动电源供应至布线RT和电源线PL的电端子焊盘。
第二焊盘CP可以形成在非发光区域IA的另外的部分处。例如,第二焊盘CP可以设置在与第一非发光区域IA1的具有第一焊盘AP相反的一侧。第二焊盘CP可以包括第一层M1、第二层M2和第三层M3,其中第一层M1形成为与布线RT物理地隔离且电隔离的岛状,其中第二层M2由与阳极层ANO相同的材料形成但是与另外的阳极层ANO隔开,其中第三层M3由阴极层CAT形成。与布线RT隔开的第二焊盘CP可以是用于将公共电压供应至阴极层CAT的电端子焊盘。
可以在具有发光元件ED的基板SUB上沉积有封装层EN。封装层EN可以包括单层材料或多层材料。在一个示例中,封装层EN可以包括第一无机层、第一无机层上的有机层以及有机层上的第二无机层。无机层用于防止异物诸如水分和氧气侵入至发光元件ED中。在一个示例中,无机层可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物等中的至少任一种。无机层可以通过化学气相沉积法或原子层沉积法形成。
在一个示例中,有机层可以由有机树脂材料诸如碳氧化硅(SiOC)、亚克力(acryl)或环氧树脂形成。有机层可以通过涂布法诸如喷墨法或狭缝涂布法形成。有机层可以通过覆盖或吸收可能在制造过程中形成的颗粒来防止元件被损坏。因此,有机层可以比第一无机层和第二无机层厚得多。
封装层EN可以覆盖所有发光区域AA、以及一些非发光区域IA。然而,优选的是封装层EN不覆盖第一焊盘AP和第二焊盘CP以露出它们。
在封装层EN上,可以设置或附接有覆盖膜CF。覆盖膜CF可以是包含金属材料的厚膜。为了将覆盖膜CF附接至封装层EN,可以使用粘结剂FS。优选的是覆盖膜CF使第一焊盘AP和第二焊盘CP露出。
在根据本公开的电致发光照明装置的示例中,照明装置具有其中将从发光层EL生成的光辐射至阳极层ANO的底部发光型。对于底部发光型,由于电源线PL设置在阳极层ANO下方,设置有电源线PL的部分可以是非发光区域,因为即使这些部分实际上辐射光,光也不会辐射至底部方向。也就是说,开口区域(或孔径区域)OP由电源线PL限定。相比之下,对于顶部发光型,从发光层EL生成的光辐射至阴极层CAT,使得在设置有电源线PL处生成的光可以辐射至上方向。因此,由于电源线PL,底部发光型的开口率可以比顶部发光型的开口率低。
在下文中,参照图3,将关于根据本公开的一个示例的其中底部发光型的发光效率得到增强的电致发光照明装置的结构进行说明。图3是示出用于加强根据本公开的电致发光照明装置的发光效率的结构特性的放大截面图。
电源线PL可以包括具有相对低的电阻性能的金属材料,诸如铜(Cu)。另外,为了防止被氧化,由防腐蚀金属材料诸如镍(Ni)制成的盖层CL可以覆盖电源线PL的上表面和被蚀刻侧壁表面。电源线PL可以具有网孔结构,由电源线PL包围的区域可以被限定为开口区域OP。设置有电源线PL的区域可以被限定为非开口区域NP。
在这种情况下,底部发光型的开口率(开口区域OP相对发光区域AA的比)可以略低于顶部发光型的开口率。然而,底部发光型的光效率可能与顶部发光型的光效率差别不大。
参照图3,发光元件形成在电源线PL上方的区域处。也就是说,阳极层ANO、发光层EL和阴极层CAT堆叠在电源线PL上方。因此,光从电源线PL上方的非开口区域NP生成。这些光不能直接辐射至电源线PL的底部方向。这些光被电源线PL反射并且到达上侧,并且然后反射光再次被阴极层CAT反射。然后,这些再反射的光可以到达开口区域OP,然后辐射至底部方向。
详细地,在电源线PL的上部区域处生成的光可以辐射至所有方向。辐射至非开口区域NP的上部区域的这些光被阴极层CAT反射。一些反射光可以到达开口区域OP,使得光的这些部分可以辐射至底部方向。其他光可以被电源线PL再次反射。这些再反射的光可以被阴极层CAT再次反射。通过这些反射和再反射过程,光可以离开非开口区域NP并且到达开口区域OP。因此,在电源线PL的上部区域处生成的所有光中的大部分可以辐射至底部方向。
在非开口区域NP处生成并且辐射至底部方向的光可以被盖层和电源线PL直接反射。此处,通过盖层CL与电源线PL之间的折射率的差异,光可以在漫射条件下反射。也就是说,被电源线PL漫射反射的光可以被阴极层CAT再次反射。通过这些反射和再反射过程,光可以离开非开口区域NP并且到达开口区域OP。因此,在电源线PL的上部区域处生成的所有光中的大部分可以辐射至底部方向。因此,即使底部发光型的开口率低于顶部发光型,底部发光型的发光效率也可以具有与顶部发光型的发光效率相似的等级。
对于本领域技术人员而言将明显的是,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可以在本公开中进行各种修改和变型。因此,本公开旨在覆盖本公开的修改和变型,只要它们落入所附权利要求及其等同内容的范围内即可。可以根据以上详细描述对本实施例进行这些和其他改变。通常,在所附权利要求中,所使用的术语不应被解释为将权利要求限于说明书和权利要求书中公开的具体实施例,而应被解释为包括所有可能的实施例以及这样的权利要求所属于的等同内容的全部范围。因此,权利要求不受公开的限制。
Claims (9)
1.一种电致发光照明装置,包括:
基板,其具有发光区域和围绕所述发光区域的非发光区域;
电源线,其设置在所述发光区域中并且限定开口区域;
缓冲层,其覆盖具有所述电源线的所述基板;
电源接触孔,其形成在所述缓冲层处,用于使所述电源线中的一些电源线露出;
阳极层,其设置在所述缓冲层上并且通过所述电源接触孔接触所述电源线;
钝化层,其在所述阳极层上覆盖所述电源接触孔;
发光层,其在所述阳极层上;
阴极层,其在所述发光层上;以及
其中所述钝化层的面积大于所述电源接触孔的面积并且宽度小于所述电源线的宽度。
2.根据权利要求1所述的装置,还包括:
光提取层,其设置在所述缓冲层下方,用于使具有所述电源线的所述基板的顶表面平坦化。
3.根据权利要求1所述的装置,还包括:
盖层,其设置在所述缓冲层下方并且覆盖所述电源线。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述阳极层通过所述电源接触孔接触覆盖所述电源线的所述盖层。
5.根据权利要求1所述的装置,其中在所述发光区域的除了所述钝化层之外的整个区域上,通过所述阳极层、所述发光层和所述阴极层的堆叠结构来构造发光元件。
6.根据权利要求1所述的装置,还包括:
布线,其设置在所述非发光区域中,用于连接所述电源线和围绕所述发光区域;
第一焊盘,其设置在所述非发光区域的一侧并且连接至所述布线;以及
第二焊盘,其设置在所述非发光区域的另一侧,与所述布线隔开,并且连接至所述阴极层。
7.根据权利要求6所述的装置,其中所述第一焊盘包括:
第一层,其从所述布线延伸;
第二层,其从所述阳极层延伸并且覆盖所述第一层;以及
第三层,其与所述阴极层隔开,具有岛状并且覆盖所述第二层。
8.根据权利要求6所述的装置,其中所述第二焊盘包括:
第一层,其与所述布线隔开并且具有岛状;
第二层,其与所述阳极层隔开并且覆盖所述第一层;以及
第三层,其从所述阴极层延伸并且覆盖所述第二层。
9.根据权利要求1所述的装置,还包括:
封装层,其覆盖具有发光元件的所述发光区域;
覆盖膜,其设置在所述封装层上;以及
粘结剂,其使所述封装层和所述覆盖膜附接。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0173306 | 2018-12-31 | ||
KR1020180173306A KR102595809B1 (ko) | 2018-12-31 | 2018-12-31 | 고 개구율 전계 발광 조명장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111384112A CN111384112A (zh) | 2020-07-07 |
CN111384112B true CN111384112B (zh) | 2023-09-29 |
Family
ID=71121847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911241222.1A Active CN111384112B (zh) | 2018-12-31 | 2019-12-06 | 具有高开口率的电致发光照明装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11038131B2 (zh) |
KR (1) | KR102595809B1 (zh) |
CN (1) | CN111384112B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105261633A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-01-20 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
CN106935594A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN107369698A (zh) * | 2016-05-12 | 2017-11-21 | 乐金显示有限公司 | 连接结构的制造方法及使用该连接结构的有机发光二极管显示装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012018895A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機el照明装置 |
JP6136890B2 (ja) * | 2013-11-26 | 2017-05-31 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
-
2018
- 2018-12-31 KR KR1020180173306A patent/KR102595809B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-12-06 CN CN201911241222.1A patent/CN111384112B/zh active Active
- 2019-12-27 US US16/729,145 patent/US11038131B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105261633A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-01-20 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
CN106935594A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN107369698A (zh) * | 2016-05-12 | 2017-11-21 | 乐金显示有限公司 | 连接结构的制造方法及使用该连接结构的有机发光二极管显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200082587A (ko) | 2020-07-08 |
US11038131B2 (en) | 2021-06-15 |
US20200212335A1 (en) | 2020-07-02 |
KR102595809B1 (ko) | 2023-10-27 |
CN111384112A (zh) | 2020-07-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |