KR20200080940A - 디지털 엑스레이 검출기 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기는 베이스 기판과, 베이스 기판 하부에 있는 금속층과, 베이스 기판 상에 있는 소자 어레이부와, 베이스 기판 상에 있고 소자 어레이부와 전기적으로 연결된 그라운드 전극과, 소자 어레이부 상에 있는 신틸레이터층 및 신틸레이터층 상에 있는 반사판을 포함할 수 있다.
이에 따라 본 발명은 반사판에서부터 그라운드 전극을 거쳐 금속층으로 이어지도록 만들어진 정전기가 빠져나가는 경로로 인해서 그라운드 영역의 면적이 최대화될 수 있기 때문에, 디지털 엑스레이 검출기의 상부와 하부에서 발생되는 정전기를 모두 감소시키면서도, 더욱 효율적으로 빠져나가게 할 수 있다.

Description

디지털 엑스레이 검출기{DIGITAL X-RAY DETECTOR}
본 발명은 정전기 불량을 최소화하는 디지털 엑스레이 검출기에 관한 것이다.
엑스레이(X-ray)는 단파장이기 때문에 피사체를 쉽게 투과할 수 있다. 엑스레이의 투과량은 피사체 내부의 밀도에 따라 결정된다. 따라서 피사체를 투과한 엑스레이의 투과량을 검출함으로써 피사체의 내부 구조를 관측할 수 있다.
의학용으로 사용되고 있는 엑스레이 검사방법 중 하나로 필름인화방식이 있다. 하지만 필름인화방식의 경우 필름 촬영 후 인화 과정을 거쳐야 결과물을 확인할 수 있기 때문에, 결과물을 확인하기까지 많은 시간이 소요된다. 특히 필름인화방식의 경우 인화된 필름의 보관 및 보존에 있어서 많은 어려움이 있다.
이에 따라 최근에는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 이용한 디지털 엑스레이 검출기(Digital X-ray Detector; DXD)가 개발되어 의학용으로 많이 사용되고 있다.
디지털 엑스레이 검출기는 피사체를 투과한 엑스레이의 투과량을 검출하여, 물체의 내부 상태를 디스플레이를 통해 외부로 표시하는 장치를 말한다.
따라서 디지털 엑스레이 검출기는 별도의 필름과 인화지를 사용하지 않고도 피사체의 내부 구조를 표시할 수 있고, 엑스레이 촬영 즉시 실시간으로 결과를 확인할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 목적은 정전기에 의한 불량을 최소화하는 디지털 엑스레이 검출기를 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 목적은 폴리이미드 기판을 사용하는 경우 발생될 수 있는 폴리이미드의 불순물에 의한 소자 변동과 마찰성 정전기의 발생을 최소화하는 디지털 엑스레이 검출기를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기는 베이스 기판과, 베이스 기판 하부에 있는 금속층과, 베이스 기판 상에 있는 소자 어레이부와, 베이스 기판 상에 있고 소자 어레이부와 전기적으로 연결된 그라운드 전극과, 소자 어레이부 상에 있는 신틸레이터층 및 신틸레이터층 상에 있는 반사판을 포함할 수 있다.
이 경우 베이스 기판은 유리 기판일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기는 베이스 기판과, 베이스 기판 상에 있는 금속층과, 금속층 상에 있는 멀티 버퍼층과, 멀티 버퍼층 상에 있는 소자 어레이부와, 멀티 버퍼층 상에 있고 소자 어레이부와 전기적으로 연결된 그라운드 전극과, 소자 어레이부 상에 있는 신틸레이터층 및 신틸레이터층 상에 있는 반사판을 포함할 수 있다.
이 경우 베이스 기판은 폴리이미드 기판일 수 있으며, 디지털 엑스레이 검출기는 플렉서블 디지털 엑스레이 검출기일 수 있다.
이와 같이 본 발명은 반사판에서부터 그라운드 전극을 거쳐 금속층으로 이어지도록 만들어진 정전기가 빠져나가는 경로로 인해서 디지털 엑스레이 검출기의 상부와 하부에서 발생되는 정전기를 모두 감소시킬 수 있다.
또한 본 발명은 반사판에서부터 그라운드 전극을 거쳐 금속층으로 이어지도록 만들어진 정전기가 빠져나가는 경로로 인해서 그라운드 영역의 면적이 최대화될 수 있기 때문에, 디지털 엑스레이 검출기의 상부와 하부에서 발생되는 정전기를 더욱 효율적으로 빠져나가게 할 수 있다.
본 발명에 따르면 금속층, 그라운드 전극 및 반사판을 전기적으로 연결시켜 정전기가 빠져나가는 그라운드 영역을 넓게 확보함으로써, 디지털 엑스레이 검출기의 제조, 테스트 및 사용 중에 발생되고, 엑스레이 조사 시 반사판에 축적되는 전하에 의해 발생될 수 있는 정전기에 의한 불량을 최소화할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면 폴리이미드 기판을 사용하는 디지털 엑스레이 검출기의 경우 폴리이미드 기판과 소자 어레이층 사이에 금속층을 형성함으로써, 폴리이미드에 의한 불순물의 영향을 최소화하면서 정전기가 빠져나가는 그라운드 영역을 넓게 확보하여 정전기에 의한 불량을 최소화할 수 있다.
상술한 효과와 더불어 본 발명의 구체적인 효과는 이하 발명을 실시하기 위한 구체적인 사항을 설명하면서 함께 기술한다.
도 1은 디지털 엑스레이 검출기를 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 디지털 엑스레이 검출기의 소자 어레이부 영역에 대한 확대 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 단면도이다.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.
이하에서 구성요소의 "상부 (또는 하부)" 또는 구성요소의 "상 (또는 하)"에 임의의 구성이 배치된다는 것은, 임의의 구성이 상기 구성요소의 상면 (또는 하면)에 접하여 배치되는 것뿐만 아니라, 상기 구성요소와 상기 구성요소 상에 (또는 하에) 배치된 임의의 구성 사이에 다른 구성이 개재될 수 있음을 의미할 수 있다.
또한 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 상기 구성요소들은 서로 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있는 것으로 이해되어야 할 것이다.
이하에서는, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기를 설명하도록 한다.
도 1은 디지털 엑스레이 검출기를 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다. 디지털 엑스레이 검출기는 박막 트랜지스터 어레이(110), 게이트 구동부(120), 바이어스 공급부(130), 전원전압 공급부(140), 리드아웃 회로부(150) 및 타이밍 제어부(160)를 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터 어레이(110)는 일 방향으로 배열된 복수의 게이트 라인들(Gate Line, GL)과 게이트 라인들(GL)과 직교하는 일 방향으로 배열된 복수의 데이터 라인들(Data Line, DL)에 의해 정의된 복수의 셀 영역을 포함할 수 있다. 셀 영역들은 매트릭스 형태로 배열되고, 각각의 셀 영역에는 광 감지 화소들(Pixel, P)이 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터 어레이(110)는 엑스레이 소스(X-ray Source)로부터 방출된 엑스레이를 감지하고, 감지된 엑스레이를 광전 변환하여 전기적인 검출 신호로 출력할 수 있다.
각각의 광 감지 화소는 신틸레이터(Scintillator)에 의해 엑스레이로부터 변환된 가시광선 영역의 광을 전자 신호로 변환하여 출력하는 PIN 다이오드(PIN Diode)와, PIN 다이오드로부터 출력된 검출 신호를 리드아웃 회로부(150)에 전달하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)를 각각 포함할 수 있다. PIN 다이오드의 일측은 박막 트랜지스터와 연결되고 타측은 바이어스 라인(Bias Line, BL)에 연결될 수 있다.
박막 트랜지스터의 게이트 전극은 스캔 신호를 전달하는 게이트 라인(GL)에 연결되고, 소스/드레인 전극은 각각 PIN 다이오드와 PIN 다이오드로부터 출력된 검출 신호를 전달하는 데이터 라인(DL)에 연결될 수 있다. 바이어스 라인(BL)은 데이터 라인(DL)과 서로 평행하게 배열될 수 있다.
게이트 구동부(120)는 게이트 라인(GL)들을 통해 광 감지 화소들의 박막 트랜지스터에 게이트 신호들을 순차적으로 인가할 수 있다. 광 감지 화소들의 박막 트랜지스터들은 게이트 온 전압 레벨을 갖는 게이트 신호에 응답하여 턴-온(Turn-On) 될 수 있다.
바이어스 공급부(130)는 바이어스 라인들(BL)을 통해 광 감지 화소들에 구동 전압을 인가할 수 있다. 바이어스 공급부(130)는 PIN 다이오드에 리버스 바이어스(Reverse Bias) 또는 포워드 바이어스(Forward Bias)를 선택적으로 인가할 수 있다.
전원전압 공급부(140)는 전원전압 라인들(VL)을 통해 광 감지 화소들에 전원전압을 공급할 수 있다.
리드아웃 회로부(150)는 게이트 구동부의 게이트 신호에 응답하여 턴-온된 박막 트랜지스터로부터 전달되는 검출 신호를 리드아웃할 수 있다. 즉 PIN 다이오드로부터 출력된 검출 신호는 박막 트랜지스터와 데이터 라인(DL)을 통해 리드아웃 회로부(150)로 입력될 수 있다.
리드아웃 회로부(150)는 오프셋 이미지를 리드아웃하는 오프셋 리드아웃 구간과, 엑스레이 노광 후의 검출 신호를 리드아웃하는 엑스레이 리드아웃 구간에 광 감지 화소들로부터 출력되는 검출신호를 리드아웃할 수 있다.
리드아웃 회로부(150)는 신호 검출부 및 멀티플렉서 등을 포함할 수 있다. 신호 검출부에는 데이터 라인들(DL)과 일대일 대응하는 복수의 증폭 회로부를 포함하고, 각 증폭 회로부는 증폭기, 커패시터 및 리셋 소자 등이 포함될 수 있다.
타이밍 제어부(160)는 개시신호 및 클럭신호 등을 생성하여 게이트 구동부(120)에 공급함으로써, 게이트 구동부(120)의 동작을 제어할 수 있다. 또한 타이밍 제어부(160)는 리드아웃 제어신호 및 리드아웃 클럭신호 등을 생성하여 리드아웃 회로부(150)에 공급함으로써, 리드아웃 회로부(150)의 동작을 제어할 수 있다.
도 2와 도 3은 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기(100)의 평면도 및 단면도이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기(100)는 베이스 기판(300)과, 베이스 기판(300) 하부에 있는 금속층(200)과, 베이스 기판(300) 상에 있는 소자 어레이부(400)와, 베이스 기판(300) 상에 있고 소자 어레이부(400)와 전기적으로 연결된 그라운드 전극(500)과, 소자 어레이부(400) 상에 있는 신틸레이터층(420) 및 신틸레이터층(420) 상에 있는 반사판(600)을 포함할 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 베이스 기판(300)은 유리 기판을 사용할 수 있다.
베이스 기판(300)의 하부에는 금속층(200)이 있을 수 있다.
금속층(200)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), ITO와 같은 금속 물질로 이루어질 수 있으며, 증착이나 코팅과 같은 방법으로 형성될 수 있다.
금속층(200)은 베이스 기판(300)의 전면에 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며 패터닝되어 형성될 수도 있다.
금속층(200)은 디지털 엑스레이 검출기(100)에서 발생되는 정전기의 불량을 감소시키기 위한 것으로, 소자 어레이부(400) 및 소자 어레이부(400)를 덮는 반사판(600)과 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 같이 금속층(200)은 정전기를 빠지게 해주는 그라운드 역할을 할 수 있는 바, 그라운드 효과를 극대화하기 위하여 베이스 기판(300) 전면에 형성하는 것이 바람직하다.
베이스 기판(300) 상에는 박막 트랜지스터(310)와 박막 트랜지스터(310)에 연결된 PIN 다이오드(320)를 포함하는 소자 어레이부(400)가 있을 수 있다.
베이스 기판(300)과 소자 어레이부(400) 사이에는 무기막으로 이루어진 버퍼층이 있을 수 있다.
이 경우 베이스 기판(300)의 가장 자리부에는 각종 배선들을 포함하는 패드부가 배치될 수 있는 바 소자 어레이부(400)는 베이스 기판(300)의 가장 자리부의 공간을 제외한 활성 영역(Active Area) 내에 형성될 수 있다.
소자 어레이부(400)는 일 방향으로 배열된 게이트 라인들과 게이트 라인에 직교하는 일 방향으로 배열된 데이터 라인들이 교차하는 영역에 의해서 화소 영역이 정의되며, 하나의 화소 영역당 박막 트랜지스터(310)와 PIN 다이오드(320)가 서로 연결되도록 배치될 수 있다.
도 4를 참조하면 박막 트랜지스터(310)는 액티브층(311), 게이트 전극(313), 소스/드레인 전극(317, 315)을 포함하며 PIN 다이오드(320)를 구동시키는 구동 박막 트랜지스터(310)로 작용할 수 있다.
액티브층(311)은 IGZO(indium gallium zinc oxide)와 같은 산화물 반도체 물질, 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Polycrystalline Silicon: LTPS)이나 비정질 실리콘(a-Si)으로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(310)는 하부 전극(321), PIN층(323), 상부 전극(325)을 포함하는 PIN 다이오드(320)와 연결될 수 있다.
구체적으로 하부 전극(321)은 박막 트랜지스터(310)의 드레인 전극(315)과 연결될 수 있으며, PIN층(323)은 N형의 불순물이 포함된 N(Negative)형 반도체층, 불순물이 포함되지 않은 I(Intrinsic)형 반도체층, P형의 불순물이 포함된 P(Positive)형 반도체층이 적층되어 형성될 수 있다.
PIN층(323)은 에너지원으로부터 방출된 엑스레이를 전기적인 신호로 변환할 수 있는 물질을 포함하도록 이루어지며, 예를 들어 a-Se, HgI2, CdTe, PbO, PbI2, BiI3, GaAs, Ge와 같은 물질들을 포함할 수 있다.
상부 전극(325) 상에는 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)의 단일층 또는 다중층으로 이루어지는 패시베이션층이 소자 어레이부(400)를 덮도록 배치되어 소자 어레이부(400)를 보호할 수 있다.
패시베이션층 상에는 PIN 다이오드(320)의 상부 전극(325)과 연결되어 PIN 다이오드(320)에 전압을 인가해주는 바이어스 전극(330)이 형성될 수 있다.
소자 어레이부(400)의 내부 구조는 일 실시예일뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 소자 어레이부(400)에 포함되는 박막 트랜지스터(310), PIN 다이오드(320) 및 바이어스 전극(330)과 같은 소자들의 배치 형태는 다양한 변형예들을 포함할 수 있다.
소자 어레이부(400)가 배치된 활성 영역(Active Area) 이외의 비 활성 영역(Non-active Area)에 대응되는 베이스 기판(300) 상에는 그라운드 전극(500)이 있을 수 있다.
그라운드 전극(500)은 디지털 엑스레이 검출기(100)의 제조 공정, 테스트 및 사용 중에 발생될 수 있는 정전기를 그라운드 전극(500)을 통해서 그라운드(GND)로 빠져나가게 할 수 있다.
따라서 소자 어레이부(400)에서 발생될 수 있는 정전기에 의한 불량을 최소화하기 위하여, 그라운드 전극(500)은 소자 어레이부(400)와 전기적으로 연결되어 소자 어레이부(400)에서 발생되는 정전기를 그라운드로 빠져나가게 할 수 있다.
이 경우 베이스 기판(300) 상에는 그라운드 전극(500)과 소자 어레이부(400) 사이에 배치되는 정전기 방지 회로부(510)가 있어, 그라운드 전극(500)과 소자 어레이부(400)를 전기적으로 연결시킴으로써 정전기에 의한 불량을 더욱 최소화할 수 있다.
정전기 방지 회로부(510)는 소정 개수의 박막 트랜지스터를 포함하는 정전 방지 회로(Electro Static Discharge, ESD)를 포함하여 이루어질 수 있다. 이 경우 박막 트랜지스터로 기생 바이폴라 트랜지스터(Parasitic Bipolar Junction Transistor)를 이용할 수는 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로 정전기 방지 회로부(510)는 소자 어레이부(400)에 정전기가 발생되어 일정량 이상의 고전압 또는 과전류가 순간적으로 흐르는 경우, 소자 어레이부(400)와 그라운드 전극(500)을 도통시키도록 작동되어 그라운드 전극(500)을 통해서 그라운드로 정전기를 빠져나가게 해줄 수 있다.
그라운드 전극(500)은 베이스 기판(300)의 비 활성 영역의 가장자리 둘레를 따라 형성되어, 정전기가 한 점으로 몰리지 않고 최대한 넓은 영역으로 분산될 수 있도록 해줄 수 있다.
이 경우 베이스 기판(300)의 비 활성 영역의 일측 가장자리부에는 게이트 패드부(520)가 형성되고, 또 다른 일측 가장자리부에는 리드아웃구동부(530)가 형성될 수 있는 바, 그라운드 전극(500)은 게이트 패드부(520)와 리드아웃구동부(530)가 배치되지 않은 비 활성 영역에 형성될 수 있다.
소자 어레이부(400) 상에는 소자 어레이부(400)를 덮도록 유기물층(410)이 배치될 수 있다.
유기물층(410)은 소자 어레이부(400)에 포함된 소자들의 배치로 인해 발생되는 단차를 감소시켜주고, 상부에 배치되는 신틸레이터층(420)이 평탄화된 면에 형성될 수 있도록 해주는 평탄화층으로써의 역할을 할 수 있다.
또한 유기물층(410)은 신틸레이터가 유기물층(410)을 기반으로 하여 복수의 주상 결정(Columnar Crystal)으로 형성할 수 있도록 해주는 성장 기반층으로써의 역할을 할 수 있다.
따라서 신틸레이터층(420)은 유기물층(410)을 성장 기반층으로 하여 증착 방식을 통해 복수의 주상 결정상을 갖도록 수직 방향으로 성장되어, 복수의 신틸레이터 주상 결정들이 나란히 배열되는 형태로 형성될 수 있다.
예를 들어, 유기물층(410) 상에 각각의 신틸레이터 주상 결정을 형성하기 위한 씨드(seed)부를 먼저 생성하고, 씨드부 상에 성장부를 생성함으로써 신틸레이터 주상 결정들이 수직 방향으로 나란히 배열되는 형태로 신틸레이터층(420)을 형성할 수 있다.
이 때 신틸레이터는 요오드화 세슘(CsI)과 같은 물질로 이루어질 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.
다만 신틸레이터층(420)의 형성 방법은 이에 한정되는 것은 아니며, 신틸레이터들을 포함하는 별도의 필름 형태로 제작된 신틸레이터 필름을 접착하는 방식으로 형성할 수도 있다.
신틸레이터층(420) 상에는 신틸레이터층(420)과 소자 어레이부(400)를 덮는 보호층(430)이 형성되어 신틸레이터층(420)이 더욱 견고한 지지력을 갖도록 해줄 수 있다.
보호층(430)은 패릴린(Parylene)으로 형성될 수 있다. 보호층(430)은 복수의 주상 결정으로 배열된 신틸레이터들을 덮도록 형성되며, 서로 인접한 신틸레이터 주상 결정들 사이의 공간을 메꿔주도록 형성될 수도 있다.
보호층(430) 상에는 보호층(430)을 덮는 반사판(600)이 추가로 배치될 수 있다. 반사판(600)은 엑스레이가 입사되어 신틸레이터층(420)에서 변환된 가시광이 외부로 빠져나가지 않도록 내부로 다시 재반사시킴으로써 광 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
반사판(600)은 알루미늄(Al)과 같은 반사율이 높은 금속으로 형성될 수 있다.
보호층(430)과 반사판(600)은 소자 어레이부(400)의 비 활성 영역에 배치되는 패드부들을 제외한 베이스 기판(300)의 전면을 덮도록 배치될 수 있다.
반사판(600)은 그라운드 전극(500)의 적어도 일부 영역을 덮도록 형성되어 그라운드 전극(500)과 전기적으로 연결될 수 있다.
앞서 설명한 소자 어레이부(400)의 제조 공정에서 발생될 수 있는 정전기 이외에도, 신틸레이터층(420)의 형성 공정과 같은 전체 디지털 엑스레이 검출기(100) 제조 공정에서도 정전기는 발생될 수 있다.
또한 디지털 엑스레이 검출기(100)에 엑스레이가 조사되는 경우 반사판(600)에는 전하가 형성되고 축적되기 때문에, 반사판(600)에 축적되는 전하가 효과적으로 빠져나가도록 해주지 못하는 경우 반사판(600)에 의한 정전기 문제도 발생될 수 있다.
이에 따라 본 발명은 반사판(600)을 그라운드 전극(500)과 전기적으로 연결시킴으로써, 반사판(600)에 발생되는 정전기를 그라운드로 빠져나가게 할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 그라운드 전극(500)은 소자 어레이부(400) 및 반사판(600)과 전기적으로 연결됨으로써, 소자 어레이부(400)와 반사판(600)을 통해서 발생되는 정전기를 그라운드로 빠져나가게 할 수 있다.
아울러 그라운드 전극(500)은 베이스 기판(300)의 하부에 있는 금속층(200)과 전기적으로 연결되어 정전기를 더욱 효과적으로 그라운드로 빠져나가게 할 수 있다.
정전기가 효율적으로 빠져나가게 하기 위해서는 그라운드 역할을 하는 전극이 최대한 넓은 면적을 갖도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 경우 그라운드 전극(500)은 정전기를 빠져나가게 하는 1차적인 그라운드 역할을 한다.
다만 그라운드 전극(500)은 활성 영역이 있는 베이스 기판(300) 상에 형성되기 때문에 활성 영역을 제외한 비활성 영역만으로는 그라운드를 형성하기 위한 충분한 영역이 확보되기 어려울 수도 있다.
이에 따라 본 발명의 경우 베이스 기판(300) 하부에 금속층(200)을 형성하고, 금속층(200)을 그라운드 전극(500)에 전기적으로 연결함으로써, 그라운드 영역의 면적을 최대화할 수 있어 정전기 불량을 더욱 최소화시킬 수 있다.
즉 본 발명의 경우 반사판(600)에서부터 그라운드 전극(500)을 거쳐 금속층(200)으로 이어지도록 만들어진 정전기가 빠져나가는 경로로 인해서 디지털 엑스레이 검출기(100)의 상부와 하부에서 발생되는 정전기를 모두 감소시킬 수 있다.
또한 본 발명의 경우 반사판(600)에서부터 그라운드 전극(500)을 거쳐 금속층(200)으로 이어지도록 만들어진 정전기가 빠져나가는 경로로 인해서 그라운드 영역의 면적이 최대화될 수 있기 때문에, 디지털 엑스레이 검출기(100)의 상부와 하부에서 발생되는 정전기를 더욱 효율적으로 빠져나가게 할 수 있다.
그라운드 전극(500)은 도전층(700)에 의해서 금속층(200)과 전기적으로 연결될 수 있다.
구체적으로 도전층(700)은 은(Ag) 페이스트 또는 은(Ag) 필름으로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기(100)는 다음과 같이 작동한다.
디지털 엑스레이 검출기(100)에 조사된 엑스레이는 신틸레이터층(420)에서 가시광선 영역의 광으로 변환된다. 가시광선 영역의 광은 PIN 다이오드(320)의 PIN층(323)에서 전자 신호로 변환이 된다.
구체적으로는 PIN층(323)에 가시광선 영역의 광이 조사되면 I형 반도체층이 P형 반도체층과 N형 반도체층에 의해 공핍(Depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 된다. 그리고 광에 의해 생성되는 정공과 전자가 전기장에 의해 드리프트(Drift)되어 각각 P형 반도체층과 N형 반도체층에서 수집된다.
PIN 다이오드(320)는 가시광선 영역의 광을 전자 신호로 변환하여 박막 트랜지스터(310)에 전달하게 된다. 이렇게 전달된 전자 신호는 박막 트랜지스터(310)와 연결된 데이터 라인을 거쳐서 영상 신호로 표시되게 된다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기(100)의 단면도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기(100)는 베이스 기판(300)과, 베이스 기판(300) 상에 있는 금속층(200)과, 금속층(200) 상에 있는 멀티 버퍼층(302)과, 멀티 버퍼층(302) 상에 있는 소자 어레이부(400)와, 멀티 버퍼층(302) 상에 있고 소자 어레이부(400)와 전기적으로 연결된 그라운드 전극(500)과, 소자 어레이부(400) 상에 있는 신틸레이터층(420) 및 신틸레이터층(420) 상에 있는 반사판(600)을 포함할 수 있다.
제2 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기(100)는 앞서 설명한 제1 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기(100)와 차이점이 있는 구성을 중심으로 자세히 설명하도록 하며, 생략된 설명의 경우 제1 실시예에서 설명된 내용이 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기(100)는 플렉서블 디지털 엑스레이 검출기(100)일 수 있다.
따라서 본 발명의 제2 실시예에 따른 베이스 기판(300)은 유연한 성질을 갖는 유기물로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 폴리이미드(PI) 기판을 사용할 수 있다.
베이스 기판(300) 하부에는 유기물로 이루어진 폴리이미드 기판의 보호 및 지지력 강화를 위하여 백 플레이트(301)(Back Plate)가 추가적으로 형성될 수 있다.
백 플레이트(301)는 폴리에틸렌 테레프타레이트(Polyethylene Terephthalate, PET)와 같은 재질로 형성될 수 있다.
베이스 기판(300) 상에는 금속층(200)이 있을 수 있다.
금속층(200)은 디지털 엑스레이 검출기(100)에서 발생되는 정전기의 불량을 감소시키기 위한 것으로, 소자 어레이부(400) 및 소자 어레이부(400)를 덮는 반사판(600)과 전기적으로 연결될 수 있다.
특히 유기물인 폴리이미드 기판의 경우 폴리이미드에 의한 마찰성 정전기가 많이 발생할 수 있는 바 소자 어레이부(400)와 금속층(200)을 전기적으로 연결시켜 정전기가 빠져나가도록 할 수 있다.
이와 같이 금속층(200)은 정전기를 빠지게 해주는 그라운드 역할을 할 수 있는 바, 그라운드 효과를 극대화하기 위하여 베이스 기판(300) 전면에 형성하는 것이 바람직하다.
또한 금속층(200)은 폴리이미드 기판 상에 형성됨으로써, 유기물인 폴리이미드의 불순물이 소자 어레이부(400)로 침투하는 것을 최소화해주는 불순물 확산 방지층으로써의 역할을 할 수 있다.
금속층(200) 상에는 멀티 버퍼층(302)이 형성될 수 있다.
멀티 버퍼층(302)은 실리콘 산화물층(SiOx)과 실리콘 질화물층(SiNx)이 최소한 3층 이상으로 교대로 적층되도록 배치될 수 있다.
예를 들어 SiOx/SiNx/SiOx, SiNx/SiOx/SiNx, SiOx/SiNx/SiOx/SiNx, SiNx/SiOx/SiNx/SiOx와 같이 다양한 버퍼층의 적층 형태를 가질 수 있다.
3층 이상의 실리콘 산화물층(SiOx)과 실리콘 질화물층(SiNx)이 교대로 적층된 멀티 버퍼층(302)은 어레이 소자부의 소자들이 외부의 수분과 산소의 침투에 영향 받는 것을 더욱 최소화해 줄 수 있다.
멀티 버퍼층(302) 상에는 박막 트랜지스터(310)와 박막 트랜지스터(310)에 연결된 PIN 다이오드(320)를 포함하는 소자 어레이부(400)가 있을 수 있다.
이 경우 베이스 기판(300)의 가장 자리부에는 각종 배선들을 포함하는 패드부가 배치될 수 있는 바 소자 어레이부(400)는 베이스 기판(300)의 가장 자리부의 공간을 제외한 활성 영역(Active Area) 내에 형성될 수 있다.
소자 어레이부(400)는 일 방향으로 배열된 게이트 라인들과 게이트 라인에 직교하는 일 방향으로 배열된 데이터 라인들이 교차하는 영역에 의해서 화소 영역이 정의되며, 하나의 화소 영역당 박막 트랜지스터(310)와 PIN 다이오드(320)가 서로 연결되도록 배치될 수 있다.
소자 어레이부(400)가 배치된 활성 영역(Active Area) 이외의 비 활성 영역(Non-active Area)에 대응되는 멀티 버퍼층(302) 상에는 그라운드 전극(500)이 있을 수 있다.
그라운드 전극(500)은 디지털 엑스레이 검출기(100)의 제조 공정, 테스트 및 사용 중에 발생될 수 있는 정전기를 그라운드 전극(500)을 통해서 그라운드(GND)로 빠져나가게 할 수 있다.
따라서 소자 어레이부(400)에서 발생될 수 있는 정전기에 의한 불량을 최소화하기 위하여, 그라운드 전극(500)은 소자 어레이부(400)와 전기적으로 연결되어 소자 어레이부(400)에서 발생되는 정전기를 그라운드로 빠져나가게 할 수 있다.
이 경우 멀티 버퍼층(302) 상에는 그라운드 전극(500)과 소자 어레이부(400) 사이에 배치되는 정전기 방지 회로부(510)가 있어, 그라운드 전극(500)과 소자 어레이부(400)를 전기적으로 연결시킴으로써 정전기에 의한 불량을 더욱 최소화할 수 있다.
그라운드 전극(500)은 멀티 버퍼층(302)의 비 활성 영역의 가장자리 둘레를 따라 형성되어, 정전기가 한 점으로 몰리지 않고 최대한 넓은 영역으로 분산될 수 있도록 해줄 수 있다.
이 경우 멀티 버퍼층(302)의 비 활성 영역의 일측 가장자리부에는 게이트 패드부(520)가 형성되고, 또 다른 일측 가장자리부에는 리드아웃구동부(530)가 형성될 수 있는 바, 그라운드 전극(500)은 게이트 패드부(520)와 리드아웃구동부(530)가 배치되지 않은 비 활성 영역에 형성될 수 있다.
소자 어레이부(400) 상에는 소자 어레이부(400)를 덮도록 유기물층(410)이 배치될 수 있다.
유기물층(410) 상에는 신틸레이터층(420)이 있을 수 있다.
신틸레이터층(420)은 유기물층(410)을 성장 기반층으로 하여 증착 방식을 통해 복수의 주상 결정상을 갖도록 수직 방향으로 성장되어, 복수의 신틸레이터 주상 결정들이 나란히 배열되는 형태로 형성될 수 있다.
신틸레이터층(420) 상에는 신틸레이터층(420)과 소자 어레이부(400)를 덮는 보호층(430)이 형성되어 신틸레이터층(420)이 더욱 견고한 지지력을 갖도록 해줄 수 있다.
보호층(430) 상에는 보호층(430)을 덮는 반사판(600)이 추가로 배치될 수 있다. 반사판(600)은 엑스레이가 입사되어 신틸레이터층(420)에서 변환된 가시광이 외부로 빠져나가지 않도록 내부로 다시 재반사시킴으로써 광 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
반사판(600)은 알루미늄(Al)과 같은 반사율이 높은 금속으로 형성될 수 있다.
보호층(430)과 반사판(600)은 소자 어레이부(400)의 비 활성 영역에 배치되는 패드부들을 제외한 멀티 버퍼층(302)의 전면을 덮도록 배치될 수 있다.
반사판(600)은 그라운드 전극(500)의 적어도 일부 영역을 덮도록 형성되어 그라운드 전극(500)과 전기적으로 연결될 수 있다.
이에 따라 본 발명은 반사판(600)을 그라운드 전극(500)과 전기적으로 연결시킴으로써, 반사판(600)에 발생되는 정전기를 그라운드로 빠져나가게 할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 그라운드 전극(500)은 소자 어레이부(400) 및 반사판(600)과 전기적으로 연결됨으로써, 소자 어레이부(400)와 반사판(600)을 통해서 발생되는 정전기를 그라운드로 빠져나가게 할 수 있다.
아울러 그라운드 전극(500)은 멀티 버퍼층(302)의 하부에 있는 금속층(200)과 전기적으로 연결되어 정전기를 더욱 효과적으로 그라운드로 빠져나가게 할 수 있다.
정전기가 효율적으로 빠져나가게 하기 위해서는 그라운드 역할을 하는 전극이 최대한 넓은 면적을 갖도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 경우 그라운드 전극(500)은 정전기를 빠져나가게 하는 1차적인 그라운드 역할을 한다.
다만 그라운드 전극(500)은 활성 영역이 있는 멀티 버퍼층(302) 상에 형성되기 때문에 활성 영역을 제외한 비활성 영역만으로는 그라운드를 형성하기 위한 충분한 영역이 확보되기 어려울 수도 있다.
이에 따라 본 발명의 경우 멀티 버퍼층(302) 하부에 금속층(200)을 형성하고, 금속층(200)을 그라운드 전극(500)에 전기적으로 연결함으로써, 그라운드 영역의 면적을 최대화할 수 있어 정전기 불량을 더욱 최소화시킬 수 있다.
즉 본 발명의 경우 반사판(600)에서부터 그라운드 전극(500)을 거쳐 금속층(200)으로 이어지도록 만들어진 정전기가 빠져나가는 경로로 인해서 디지털 엑스레이 검출기(100)의 상부와 하부에서 발생되는 정전기를 모두 감소시킬 수 있다.
또한 본 발명의 경우 반사판(600)에서부터 그라운드 전극(500)을 거쳐 금속층(200)으로 이어지도록 만들어진 정전기가 빠져나가는 경로로 인해서 그라운드 영역의 면적이 최대화될 수 있기 때문에, 디지털 엑스레이 검출기(100)의 상부와 하부에서 발생되는 정전기를 더욱 효율적으로 빠져나가게 할 수 있다.
그라운드 전극(500)은 도전층(700)에 의해서 금속층(200)과 전기적으로 연결될 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 실시예를 설명하면서 본 발명의 구성에 따른 작용 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을 지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 함은 당연하다.
100: 디지털 엑스레이 검출기
110: 박막 트랜지스터 어레이 120: 게이트 구동부
130: 바이어스 공급부 140: 전원전압 공급부
150: 리드아웃 회로부 160: 타이밍 제어부
200: 금속층 300: 베이스 기판
301: 백 플레이트 302: 멀티 버퍼층
310: 박막 트랜지스터 311: 액티브층
313: 게이트 전극 315: 드레인 전극
317: 소스 전극 320: PIN 다이오드
321: 하부 전극 323: PIN층
325: 상부 전극 330: 바이어스 전극
400: 소자 어레이부 410: 유기물층
420: 신틸레이터층 430: 보호층
500: 그라운드 전극 510: 정전기 방지 회로부
520: 게이트 패드부 530: 리드아웃구동부
600: 반사판 700: 도전층

Claims (11)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 하부에 있는 금속층;
    상기 베이스 기판 상에 있고, 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 PIN 다이오드를 포함하는 소자 어레이부;
    상기 베이스 기판 상에 있고, 상기 소자 어레이부와 전기적으로 연결된 그라운드 전극;
    상기 소자 어레이부 상에 있는 신틸레이터층; 및
    상기 신틸레이터층 상에 있는 반사판을 포함하고,
    상기 반사판은 상기 그라운드 전극과 전기적으로 연결되며,
    상기 그라운드 전극은 상기 금속층과 전기적으로 연결된 디지털 엑스레이 검출기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 유리 기판인 디지털 엑스레이 검출기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판 상에 정전기 방지 회로부가 더 포함되고,
    상기 소자 어레이부와 상기 그라운드 전극은 상기 정전기 방지 회로부에 의해서 전기적으로 연결된 디지털 엑스레이 검출기.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 그라운드 전극과 상기 금속층은 도전층에 의해서 전기적으로 연결된 디지털 엑스레이 검출기.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 도전층은 은(Ag) 페이스트 또는 은(Ag) 필름인 디지털 엑스레이 검출기.
  6. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 있는 금속층;
    상기 금속층 상에 있는 멀티 버퍼층;
    상기 멀티 버퍼층 상에 있고, 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 PIN 다이오드를 포함하는 소자 어레이부;
    상기 멀티 버퍼층 상에 있고, 상기 소자 어레이층과 전기적으로 연결된 그라운드 전극;
    상기 소자 어레이부 상에 있는 신틸레이터층; 및
    상기 신틸레이터층 상에 있는 반사판을 포함하고,
    상기 반사판은 상기 그라운드 전극과 전기적으로 연결되며,
    상기 그라운드 전극은 상기 금속층과 전기적으로 연결된 디지털 엑스레이 검출기.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 폴리이미드(PI) 기판인 디지털 엑스레이 검출기.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 멀티 버퍼층은 실리콘 산화물층(SiOx)과 실리콘 질화물층(SiNx)층이 교대로 적층된 디지털 엑스레이 검출기.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 멀티 버퍼층 상에 정전기 방지 회로부가 더 포함되고,
    상기 소자 어레이부와 상기 그라운드 전극은 상기 정전기 방지 회로부에 의해서 전기적으로 연결된 디지털 엑스레이 검출기.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 그라운드 전극과 상기 금속층은 도전층에 의해서 전기적으로 연결된 디지털 엑스레이 검출기.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 도전층은 은(Ag) 페이스트 또는 은(Ag) 필름인 디지털 엑스레이 검출기.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7450486B2 (ja) 2020-07-27 2024-03-15 キヤノン株式会社 放射線撮像パネル、放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像パネルの製造方法、および、シンチレータプレート
CN116806370A (zh) * 2022-01-25 2023-09-26 京东方科技集团股份有限公司 探测基板及射线探测器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080078938A1 (en) * 2006-10-02 2008-04-03 General Electric Company X-ray detector
JP2012112726A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Canon Inc 放射線検出装置及び放射線検出システム
WO2014051118A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 富士フイルム株式会社 放射線検出素子及び放射線画像検出装置
KR20170040287A (ko) * 2014-07-25 2017-04-12 제네럴 일렉트릭 컴퍼니 주위 금속 배리어를 가지는 기판 상에 지지된 엑스레이 검출기

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5466893A (en) * 1989-02-21 1995-11-14 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Printed circuit board having enhanced EMI suppression
US5736732A (en) * 1996-12-23 1998-04-07 General Electric Company Induced charge prevention in semiconductor imaging devices
US7126356B2 (en) * 2004-04-30 2006-10-24 Intel Corporation Radiation detector for electrostatic discharge
US7315026B2 (en) * 2005-02-22 2008-01-01 General Electric Company System, method and apparatus for improving stabilization in solid state x-ray detectors
JP2010210590A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Fujifilm Corp 放射線検出器
KR101553943B1 (ko) * 2009-05-04 2015-09-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101388294B1 (ko) 2011-01-14 2014-04-23 엘지디스플레이 주식회사 연성 표시장치 및 이의 제조방법
JP5788738B2 (ja) * 2011-08-26 2015-10-07 富士フイルム株式会社 放射線検出器の製造方法
KR102281329B1 (ko) 2014-12-19 2021-07-26 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2017135182A (ja) * 2016-01-26 2017-08-03 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器用アレイ基板、および放射線検出器の製造方法
US10341581B2 (en) * 2017-02-14 2019-07-02 Carestream Health, Inc. Radiographic detector with heat sink
KR102432252B1 (ko) * 2017-06-13 2022-08-16 삼성전자주식회사 엑스선 검출기, 이를 포함한 엑스선 촬영 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080078938A1 (en) * 2006-10-02 2008-04-03 General Electric Company X-ray detector
JP2012112726A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Canon Inc 放射線検出装置及び放射線検出システム
WO2014051118A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 富士フイルム株式会社 放射線検出素子及び放射線画像検出装置
KR20170040287A (ko) * 2014-07-25 2017-04-12 제네럴 일렉트릭 컴퍼니 주위 금속 배리어를 가지는 기판 상에 지지된 엑스레이 검출기

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