KR20200069825A - Emitting Signal Generator and Light Emitting Display Device including the Emitting Signal Generator - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a light emitting signal generation circuit unit. The light emitting signal generation circuit unit comprises: a first signal output circuit unit outputting a light emitting signal of a first voltage in correspondence to a potential of a QB node; a second signal output circuit unit outputting a light emitting signal of a second voltage in correspondence to a potential of a Q node; a node control circuit unit operated based on a start signal, a first clock signal, and a second clock signal and having a Q′ node for controlling the QB node and a Q2 node for controlling the Q node; and a node compensation circuit unit controlling a potential between the Q node and the Q2 node and controlling a potential of the Q′ node based on a third voltage different from at least one of a first voltage and a second voltage. Therefore, the driving reliability may be improved.

Description

발광신호 발생회로부 및 이를 포함하는 발광표시장치{Emitting Signal Generator and Light Emitting Display Device including the Emitting Signal Generator}Light emitting signal generation circuit unit and light emitting display device including the same {Emitting Signal Generator and Light Emitting Display Device including the Emitting Signal Generator}

본 발명은 발광신호 발생회로부 및 이를 포함하는 발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting signal generating circuit unit and a light emitting display device including the same.

정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 발광표시장치(Light Emitting Display: LED), 양자점표시장치(Quantum Dot Display; QDD), 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD) 등과 같은 표시장치의 사용이 증가하고 있다.2. Description of the Related Art With the development of information technology, the market for a display device that is a connection medium between a user and information is growing. Accordingly, the use of display devices such as a light emitting display (LED), a quantum dot display (Quantum Dot Display; QDD), a liquid crystal display (Liquid Crystal Display: LCD) is increasing.

앞서 설명한 표시장치들은 서브 픽셀들을 포함하는 표시패널, 표시패널을 구동하는 구동 신호를 출력하는 구동부 및 표시패널 또는 구동부에 공급할 전원을 생성하는 전원 공급부 등이 포함된다.The above-described display devices include a display panel including sub-pixels, a driving unit outputting a driving signal driving the display panel, and a power supply unit generating power to be supplied to the display panel or driving unit.

위와 같은 표시장치들은 표시패널에 형성된 서브 픽셀들에 구동 신호 예컨대, 스캔신호 및 데이터신호 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 빛을 투과시키거나 빛을 직접 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있게 된다.In the above display devices, when a driving signal such as a scan signal and a data signal is supplied to sub-pixels formed on the display panel, the selected sub-pixel transmits light or emits light directly to display an image. .

한편, 앞서 설명한 표시장치들 중 발광표시장치는 빠른 응답속도, 고휘도 및 시야각이 넓은 전기적 그리고 광학적 특성과 더불어 유연한 형태로 구현할 수 있는 기구적 특성 등과 같이 많은 장점이 있다. 그러나 발광표시장치는 표시패널의 구성 및 구동방법 측면에서 개선점이 남아 있는바 이와 관련된 지속적인 연구가 필요하다.On the other hand, among the display devices described above, the light emitting display device has many advantages such as fast response speed, high luminance, wide electrical and optical characteristics with a wide viewing angle, and mechanical characteristics that can be implemented in a flexible form. However, the improvement of the light emitting display device in terms of the configuration and driving method of the display panel remains, and thus continuous research is needed.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 신호 발생 장치의 동작 시 특정 트랜지스터에 인가되는 바이어스 스트레스를 저감하여 시프트 레지스터의 수명 향상과 더불어 구동 신뢰성을 높여 시프트 레지스터의 이상 동작을 방지함과 더불어 표시패널 상에 번쩍임이 나타나는 현상을 방지 및 개선하는 것이다.The present invention for solving the above-described problems of the background art reduces the bias stress applied to a specific transistor during operation of the signal generating device, improves the life of the shift register, increases driving reliability, and prevents abnormal operation of the shift register. It is to prevent and improve the phenomenon of flashing on the display panel.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은 QB노드의 전위에 대응하여 제1전압의 발광신호를 출력하는 제1신호 출력 회로부, Q노드의 전위에 대응하여 제2전압의 발광신호를 출력하는 제2신호 출력 회로부, 스타트신호, 제1클록신호 및 제2클록신호를 기반으로 동작하며 QB노드를 제어하는 Q'노드와 Q노드를 제어하는 Q2노드를 갖는 노드 제어 회로부, 및 제1전압 및 제2전압 중 적어도 하나와 다른 제3전압을 기반으로 Q노드와 Q2노드 사이의 전위를 제어하고 Q'노드의 전위를 제어하는 노드 보상 회로부를 포함하는 발광신호 발생회로부를 제공한다.As the above-mentioned problem solving means, the present invention provides a first signal output circuit unit for outputting a first voltage emission signal in response to the potential of the QB node, and a second signal for outputting a second voltage emission signal in response to the potential of the Q node. A node control circuit having an output circuit, a Q'node that operates based on a start signal, a first clock signal, and a second clock signal and controls a QB node and a Q2 node that controls a Q node, and a first voltage and a second voltage It provides a light-emitting signal generation circuit unit including a node compensation circuit for controlling the potential between the Q node and the Q2 node based on at least one of the third voltage and the Q'node.

노드 보상 회로부는 제3전압을 기반으로 턴온 상태를 유지할 수 있다.The node compensation circuit unit may maintain a turn-on state based on the third voltage.

제3전압은 장치의 전원이 턴온과 동시에 로우전압을 유지할 수 있다.The third voltage may maintain a low voltage at the same time that the power of the device is turned on.

제2전압은 장치의 전원이 턴온되면 일시적으로 제1전압과 같은 레벨을 가진 후 제3전압과 같은 로우전압 레벨로 떨어질 수 있다.When the power of the device is turned on, the second voltage may temporarily have the same level as the first voltage and then drop to the low voltage level equal to the third voltage.

노드 제어 회로부는 제2클록신호를 전달하는 제2클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 스타트신호를 전달하는 스타트신호라인에 제1전극이 연결되고 Q2노드에 제2전극이 연결된 제1트랜지스터와, 제1클록신호를 전달하는 제1클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터의 제2전극과 Q2노드에 제1전극이 연결된 제2트랜지스터와, 제2트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전압을 전달하는 제1전압라인에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와, 제2클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 제2전압을 전달하는 제2전압라인에 제1전극이 연결되고 제3트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제4트랜지스터와, Q2노드에 게이트전극이 연결되고 QB노드에 제1전극이 연결되고 제1전압라인에 제2전극이 연결된 제5트랜지스터와, Q'노드에 게이트전극이 연결되고 제1클록신호라인에 제1전극이 연결된 제8트랜지스터와, 제1클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 제8트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제5트랜지스터의 제1전극과 QB노드에 제2전극이 연결된 제9트랜지스터와, Q2노드에 게이트전극이 연결되고 제2클록신호라인에 제1전극이 연결된 제10트랜지스터를 포함할 수 있다.The node control circuit unit includes a first transistor having a gate electrode connected to a second clock signal line transmitting a second clock signal, a first electrode connected to a start signal line transmitting a start signal, and a second electrode connected to a Q2 node, A gate electrode is connected to a first clock signal line transmitting a first clock signal, a second transistor connected to a second electrode of the first transistor and a first electrode to a Q2 node, and a first electrode to a second electrode of the second transistor. The first transistor is connected to the third voltage line to which the second electrode is connected to the first voltage line that transmits the first voltage, and the second electrode to which the gate electrode is connected to the second clock signal line and which transmits the second voltage. A fourth transistor connected to the gate electrode of the third transistor, a fifth transistor connected to the Q2 node, a gate electrode connected to the Q2 node, a first electrode connected to the QB node, and a second electrode connected to the first voltage line. , A gate electrode connected to the Q'node and a first electrode connected to the first clock signal line, a gate electrode connected to the first clock signal line, and a first electrode connected to the second electrode of the eighth transistor The first transistor may include a ninth transistor having a second electrode connected to the QB node and a first electrode of the fifth transistor, and a tenth transistor having a gate electrode connected to the Q2 node and a first electrode connected to the second clock signal line.

제1신호 출력 회로부는 QB노드에 게이트전극이 연결되고 발광신호를 출력하는 출력단자에 제1전극이 연결되고 제1전압을 전달하는 제1전압라인에 제2전극이 연결된 제7트랜지스터를 포함하고, 제2신호 출력 회로부는 Q노드에 게이트전극이 연결되고 제2전압을 전달하는 제2전압라인에 제1전극이 연결되고 발광신호를 출력하는 출력단자에 제2전극이 연결된 제6트랜지스터를 포함할 수 있다.The first signal output circuit part includes a seventh transistor having a gate electrode connected to a QB node, a first electrode connected to an output terminal outputting a light emission signal, and a second electrode connected to a first voltage line transmitting a first voltage. The second signal output circuit part includes a sixth transistor having a gate electrode connected to the Q node, a first electrode connected to a second voltage line transmitting a second voltage, and a second electrode connected to an output terminal outputting a light emission signal. can do.

노드 제어 회로부는 Q노드에 일단이 연결되고 제1클록신호라인에 타단이 연결된 제1커패시터와, QB노드에 일단이 연결되고 제1전압라인에 타단이 연결된 제2커패시터와, Q'노드에 일단이 연결되고 제8트랜지스터의 제2전극과 제9트랜지스터의 제1전극 사이에 타단이 연결된 제3커패시터를 포함할 수 있다.The node control circuit part has a first capacitor connected to the Q node and the other end connected to the first clock signal line, a second capacitor connected to the QB node and the other end connected to the first voltage line, and a Q'node. A third capacitor connected to the other end may be included between the second electrode of the eighth transistor and the first electrode of the ninth transistor.

노드 보상 회로부는 제3전압을 전달하는 제3전압라인에 게이트전극이 연결되고 Q2노드에 제1전극이 연결되고 Q노드에 제2전극이 연결된 제1보상 트랜지스터와, 제3전압라인에 게이트전극이 연결되고 제4트랜지스터의 제2전극과 제10트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 Q'노드에 제2전극이 연결된 제2보상 트랜지스터를 포함할 수 있다.The node compensation circuit unit includes a first compensation transistor having a gate electrode connected to a third voltage line transmitting a third voltage, a first electrode connected to a Q2 node, and a second electrode connected to a Q node, and a gate electrode connected to a third voltage line This may include a second compensation transistor in which the first electrode is connected to the second electrode of the fourth transistor and the second electrode of the fourth transistor, and the second electrode is connected to the Q'node.

다른 측면에서 본 발명은 영상을 표시하는 표시패널, 표시패널에 스캔신호를 공급하는 스캔신호 발생회로부, 및 표시패널에 발광신호를 공급하는 발광신호 발생회로부를 포함하는 발광표시장치를 제공한다. 발광신호 발생회로부는 QB노드의 전위에 대응하여 제1전압의 발광신호를 출력하는 제1신호 출력 회로부, Q노드의 전위에 대응하여 제2전압의 발광신호를 출력하는 제2신호 출력 회로부, 스타트신호, 제1클록신호 및 제2클록신호를 기반으로 동작하며 QB노드를 제어하는 Q'노드와 Q노드를 제어하는 Q2노드를 갖는 노드 제어 회로부, 및 제1전압 및 제2전압 중 적어도 하나와 다른 제3전압을 기반으로 Q노드와 Q2노드 사이의 전위를 제어하고 Q'노드의 전위를 제어하는 노드 보상 회로부를 포함할 수 있다.In another aspect, the present invention provides a light emitting display device including a display panel for displaying an image, a scan signal generation circuit unit for supplying a scan signal to the display panel, and a light emission signal generation circuit unit for supplying a light emission signal to the display panel. The light emission signal generation circuit unit is a first signal output circuit unit for outputting a light emission signal of a first voltage corresponding to the potential of the QB node, a second signal output circuit unit for outputting a light emission signal of a second voltage corresponding to the potential of the Q node, start A node control circuit unit having a Q'node that controls the QB node and a Q2 node that controls the QB node and operates based on the signal, the first clock signal, and the second clock signal, and at least one of the first voltage and the second voltage. A node compensation circuit unit may control a potential between the Q node and the Q2 node based on the other third voltage and control the potential of the Q'node.

노드 보상 회로부는 제3전압을 기반으로 턴온 상태를 유지할 수 있다.The node compensation circuit unit may maintain a turn-on state based on the third voltage.

제3전압은 장치의 전원이 턴온과 동시에 로우전압을 유지할 수 있다.The third voltage may maintain a low voltage at the same time that the power of the device is turned on.

제2전압은 장치의 전원이 턴온되면 일시적으로 제1전압과 같은 레벨을 가진 후 제3전압과 같은 로우전압 레벨로 떨어질 수 있다.When the power of the device is turned on, the second voltage may temporarily have the same level as the first voltage and then drop to the low voltage level equal to the third voltage.

제2전압은 스캔신호 발생회로부와 발광신호 발생회로부의 동작 개시를 위한 스타트신호가 발생한 후 로우전압 레벨을 가질 수 있다.The second voltage may have a low voltage level after a start signal for starting an operation of the scan signal generation circuit unit and the light emission signal generation circuit unit is generated.

제3전압은 표시패널의 화면이 턴온된 이후에도 로우전압을 유지할 수 있다.The third voltage can maintain a low voltage even after the screen of the display panel is turned on.

노드 제어 회로부는 제2클록신호를 전달하는 제2클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 스타트신호를 전달하는 스타트신호라인에 제1전극이 연결되고 Q2노드에 제2전극이 연결된 제1트랜지스터와, 제1클록신호를 전달하는 제1클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터의 제2전극과 Q2노드에 제1전극이 연결된 제2트랜지스터와, 제2트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전압을 전달하는 제1전압라인에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와, 제2클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 제2전압을 전달하는 제2전압라인에 제1전극이 연결되고 제3트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제4트랜지스터와, Q2노드에 게이트전극이 연결되고 QB노드에 제1전극이 연결되고 제1전압라인에 제2전극이 연결된 제5트랜지스터와, Q'노드에 게이트전극이 연결되고 제1클록신호라인에 제1전극이 연결된 제8트랜지스터와, 제1클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 제8트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제5트랜지스터의 제1전극과 QB노드에 제2전극이 연결된 제9트랜지스터와, Q2노드에 게이트전극이 연결되고 제2클록신호라인에 제1전극이 연결된 제10트랜지스터를 포함할 수 있다.The node control circuit unit includes a first transistor having a gate electrode connected to a second clock signal line transmitting a second clock signal, a first electrode connected to a start signal line transmitting a start signal, and a second electrode connected to a Q2 node, A gate electrode is connected to a first clock signal line transmitting a first clock signal, a second transistor connected to a second electrode of the first transistor and a first electrode to a Q2 node, and a first electrode to a second electrode of the second transistor. The first transistor is connected to the third voltage line to which the second electrode is connected to the first voltage line that transmits the first voltage, and the second electrode to which the gate electrode is connected to the second clock signal line and which transmits the second voltage. A fourth transistor connected to the gate electrode of the third transistor, a fifth transistor connected to the Q2 node, a gate electrode connected to the Q2 node, a first electrode connected to the QB node, and a second electrode connected to the first voltage line. , A gate electrode connected to the Q'node and a first electrode connected to the first clock signal line, a gate electrode connected to the first clock signal line, and a first electrode connected to the second electrode of the eighth transistor The first transistor may include a ninth transistor having a second electrode connected to the QB node and a first electrode of the fifth transistor, and a tenth transistor having a gate electrode connected to the Q2 node and a first electrode connected to the second clock signal line.

제1신호 출력 회로부는 QB노드에 게이트전극이 연결되고 발광신호를 출력하는 출력단자에 제1전극이 연결되고 제1전압을 전달하는 제1전압라인에 제2전극이 연결된 제7트랜지스터를 포함하고, 제2신호 출력 회로부는 Q노드에 게이트전극이 연결되고 제2전압을 전달하는 제2전압라인에 제1전극이 연결되고 발광신호를 출력하는 출력단자에 제2전극이 연결된 제6트랜지스터를 포함할 수 있다.The first signal output circuit part includes a seventh transistor having a gate electrode connected to a QB node, a first electrode connected to an output terminal outputting a light emission signal, and a second electrode connected to a first voltage line transmitting a first voltage. The second signal output circuit part includes a sixth transistor having a gate electrode connected to the Q node, a first electrode connected to a second voltage line transmitting a second voltage, and a second electrode connected to an output terminal outputting a light emission signal. can do.

노드 보상 회로부는 제3전압을 전달하는 제3전압라인에 게이트전극이 연결되고 Q2노드에 제1전극이 연결되고 Q노드에 제2전극이 연결된 제1보상 트랜지스터와, 제3전압라인에 게이트전극이 연결되고 제4트랜지스터의 제2전극과 제10트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 Q'노드에 제2전극이 연결된 제2보상 트랜지스터를 포함할 수 있다.The node compensation circuit unit includes a first compensation transistor having a gate electrode connected to a third voltage line transmitting a third voltage, a first electrode connected to a Q2 node, and a second electrode connected to a Q node, and a gate electrode connected to a third voltage line This may include a second compensation transistor in which the first electrode is connected to the second electrode of the fourth transistor and the second electrode of the fourth transistor, and the second electrode is connected to the Q'node.

발광신호 발생회로부는 리셋신호라인에 게이트전극이 연결되고 발광신호를 출력하는 출력단자에 제1전극이 연결되고 제1전압라인에 제2전극이 연결된 리셋 트랜지스터를 포함할 수 있다.The light emitting signal generation circuit unit may include a reset transistor having a gate electrode connected to a reset signal line, a first electrode connected to an output terminal outputting a light emission signal, and a second electrode connected to a first voltage line.

본 발명은 신호 발생 장치의 동작 시 특정 트랜지스터에 인가되는 바이어스 스트레스를 저감하여 시프트 레지스터의 수명 향상과 더불어 구동 신뢰성을 높일 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 신호 발생 장치의 초기 동작 시 특정 노드가 전기적으로 플로팅되지 않도록 제어하여 시프트 레지스터의 이상 동작을 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 신호 발생 장치의 초기 동작 시 시프트 레지스터의 이상 동작을 방지하여 표시패널 상에 번쩍임이 나타나는 현상을 방지 및 개선할 수 있는 효과가 있다.The present invention has an effect of reducing the bias stress applied to a specific transistor during operation of the signal generating device and improving the life of the shift register and driving reliability. In addition, the present invention has an effect of preventing an abnormal operation of the shift register by controlling not to electrically float a specific node during the initial operation of the signal generating device. In addition, the present invention has an effect that can prevent and improve the phenomenon of the appearance of flashing on the display panel by preventing abnormal operation of the shift register during the initial operation of the signal generator.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 보상회로를 포함하는 서브 픽셀을 나타낸 등가 회로도이다.
도 4 및 도 5는 도 3의 서브 픽셀을 기반으로 구현될 수 있는 픽셀의 예시도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 게이트인패널 방식 스캔 구동부의 배치예를 나타낸 도면이다.
도 7은 게이트인패널 방식 스캔 구동부와 관련된 장치의 제1 구성 예시도이다.
도 8은 게이트인패널 방식 스캔 구동부와 관련된 장치의 제2 구성예시도이ㄷ다.
도 9는 시프트 레지스터의 제1 구성 예시도이다.
도 10은 시프트 레지스터의 제2 구성 예시도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 발광신호 발생회로부들의 상세 블록 예시도이다.
도 12는 도 11에 도시된 제1스테이지의 발광신호 발생회로부의 상세 회로 구성을 나타낸 제1예시도이다.
도 13은 도 11에 도시된 제1스테이지의 발광신호 발생회로부의 상세 회로 구성을 나타낸 제2예시도이다.
도 14 및 도 15는 도 12 및 도 13에 도시된 제1스테이지의 발광신호 발생회로부의 동작 설명을 위한 파형 예시도들이다.
도 16은 실험예에 따른 제1스테이지의 발광신호 발생회로부의 상세 회로 구성을 나타낸 예시도이다.
도 17은 도 16에 도시된 실험예의 입출력 파형과 내부전압을 나타낸 도면이다.
도 18은 실험예와 실시예에 따른 제1스테이지의 발광신호 발생회로부의 출력 파형을 비교 설명하기 위한 도면이다.
1 is a block diagram schematically showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram of a sub-pixel shown in FIG. 1.
3 is an equivalent circuit diagram showing a sub-pixel including a compensation circuit according to an embodiment of the present invention.
4 and 5 are exemplary diagrams of pixels that may be implemented based on the sub-pixel of FIG. 3.
6 is a view showing an arrangement example of a gate-in-panel scan driver according to an embodiment of the present invention.
7 is a first configuration example of a device associated with a gate-in-panel scan driver.
8 is a second configuration example of a device associated with a gate-in-panel scan driver.
9 is a first configuration example of a shift register.
10 is a second configuration example of a shift register.
11 is a detailed block diagram of light emitting signal generation circuit units according to an embodiment of the present invention.
12 is a first exemplary view showing a detailed circuit configuration of a light emitting signal generation circuit unit of the first stage shown in FIG. 11.
13 is a second exemplary view showing a detailed circuit configuration of the light emitting signal generation circuit unit of the first stage shown in FIG. 11.
14 and 15 are example waveforms for explaining the operation of the light emitting signal generation circuit unit of the first stage shown in FIGS. 12 and 13.
16 is an exemplary view showing a detailed circuit configuration of a light emitting signal generation circuit portion of a first stage according to an experimental example.
FIG. 17 is a diagram showing input/output waveforms and internal voltages of the experimental example shown in FIG. 16.
18 is a view for comparing and explaining the output waveform of the light emitting signal generation circuit unit of the first stage according to the experimental example and the embodiment.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, specific details for the practice of the present invention will be described.

본 발명에 따른 표시장치는 텔레비전, 영상 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈시어터, 자동차 전기장치, 스마트폰 등으로 구현될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 따른 표시장치는 발광표시장치(Light Emitting Display Apparatus: LED), 양자점표시장치(Quantum Dot Display Apparatus; QDD), 액정표시장치(Liquid Crystal Display Apparatus: LCD) 등으로 구현될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 빛을 직접 발광하는 방식으로 영상을 표현하는 발광표시장치를 일례로 한다. 발광표시장치는 무기 발광다이오드를 기반으로 구현되거나 유기 발광다이오드를 기반으로 구현될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 유기 발광다이오드를 기반으로 구현된 것을 일례로 설명한다.The display device according to the present invention may be implemented as a television, a video player, a personal computer (PC), a home theater, an automobile electric device, a smart phone, and the like, but is not limited thereto. The display device according to the present invention may be implemented as a light emitting display device (LED), a quantum dot display device (Quantum Dot Display Apparatus; QDD), a liquid crystal display device (Liquid Crystal Display Apparatus: LCD), or the like. Hereinafter, for convenience of description, a light emitting display device that expresses an image by directly emitting light will be taken as an example. The light emitting display device may be implemented based on an inorganic light emitting diode or may be implemented based on an organic light emitting diode. Hereinafter, for convenience of description, an example based on an organic light emitting diode will be described.

아울러, 이하에서 설명되는 서브 픽셀은 n 타입 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 일례로 설명하지만 이는 p 타입 박막 트랜지스터 또는 n 타입과 p 타입이 함께 존재하는 형태로 구현될 수도 있다. 박막 트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 박막 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 박막 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, 박막 트랜지스터에서 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다.In addition, although the sub-pixel described below includes an n-type thin film transistor as an example, it may be implemented in a form in which a p-type thin film transistor or an n-type and p-type are present together. The thin film transistor is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. In the thin film transistor, carriers begin to flow from the source. The drain is an electrode through which the carrier is exposed in the thin film transistor. That is, the carrier flow in the thin film transistor flows from the source to the drain.

n 타입 박막 트랜지스터의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 박막 트랜지스터에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. 이와 달리, p 타입 박막 트랜지스터의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 박막 트랜지스터에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. 그러나 박막 트랜지스터의 소스와 드레인은 인가된 전압에 따라 변경될 수 있다. 이를 반영하여, 이하의 설명에서는 소스와 드레인 중 어느 하나를 제1전극, 소스와 드레인 중 나머지 하나를 제2전극으로 설명한다.In the case of the n-type thin film transistor, the source voltage has a voltage lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain because the carrier is an electron. In the n-type thin film transistor, since electrons flow from the source to the drain, the direction of the current flows from the drain to the source. In contrast, in the case of a p-type thin film transistor, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain because the carrier is a hole. In the p-type thin film transistor, current flows from the source to the drain because holes flow from the source to the drain. However, the source and drain of the thin film transistor can be changed according to the applied voltage. Reflecting this, in the following description, one of the source and the drain is described as the first electrode, and the other of the source and the drain is described as the second electrode.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도이다.1 is a block diagram schematically showing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing a sub-pixel shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에는 영상 공급부(110), 타이밍 제어부(120), 스캔 구동부(130), 데이터 구동부(140), 표시패널(150) 및 전원 공급부(180) 등이 포함된다.1 and 2, the organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes an image supply unit 110, a timing control unit 120, a scan driving unit 130, a data driving unit 140, and a display panel. 150 and the power supply unit 180 are included.

영상 공급부(110)(또는 호스트시스템)는 외부로부터 공급된 영상 데이터신호 또는 내부 메모리에 저장된 영상 데이터신호와 더불어 각종 구동신호를 출력한다. 영상 공급부(110)는 데이터신호와 각종 구동신호를 타이밍 제어부(120)에 공급할 수 있다.The image supply unit 110 (or the host system) outputs various driving signals in addition to the image data signals supplied from the outside or the image data signals stored in the internal memory. The image supply unit 110 may supply a data signal and various driving signals to the timing control unit 120.

타이밍 제어부(120)는 스캔 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC), 데이터 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC) 및 각종 동기신호(수직 동기신호인 Vsync, 수평 동기신호인 Hsync) 등을 출력한다.The timing controller 120 includes a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the scan driver 130, a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver 140, and various synchronization signals ( It outputs the vertical sync signal Vsync and the horizontal sync signal Hsync).

타이밍 제어부(120)는 데이터 타이밍 제어신호(DDC)와 함께 영상 공급부(110)로부터 공급된 데이터신호(DATA)를 데이터 구동부(140)에 공급한다. 타이밍 제어부(120)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성되어 인쇄회로기판 상에 실장될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The timing controller 120 supplies the data signal DATA supplied from the image supply unit 110 together with the data timing control signal DDC to the data driver 140. The timing control unit 120 is formed in the form of an integrated circuit (IC) and may be mounted on a printed circuit board, but is not limited thereto.

스캔 구동부(130)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC) 등에 응답하여 스캔신호(또는 스캔전압)를 출력한다. 스캔 구동부(130)는 스캔라인들(GL1~GLm)을 통해 표시패널(150)에 포함된 서브 픽셀들에 스캔신호를 공급한다. 스캔 구동부(130)는 IC 형태로 형성되거나 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 표시패널(150) 상에 직접 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The scan driver 130 outputs a scan signal (or scan voltage) in response to a gate timing control signal GDC supplied from the timing controller 120. The scan driver 130 supplies scan signals to sub-pixels included in the display panel 150 through scan lines GL1 to GLm. The scan driver 130 may be formed in the form of an IC or may be directly formed on the display panel 150 by a gate in panel method, but is not limited thereto.

데이터 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC) 등에 응답하여 데이터신호(DATA)를 샘플링 및 래치하고 감마 기준전압을 기반으로 디지털 형태의 데이터신호를 아날로그 형태의 데이터전압으로 변환하여 출력한다.The data driving unit 140 samples and latches the data signal DATA in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing control unit 120 and the digital data signal based on the gamma reference voltage. Convert to voltage and output.

데이터 구동부(140)는 데이터라인들(DL1~DLn)을 통해 표시패널(150)에 포함된 서브 픽셀들에 데이터전압을 공급한다. 데이터 구동부(140)는 IC 형태로 형성되어 표시패널(150) 상에 실장되거나 인쇄회로기판 상에 실장될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The data driver 140 supplies data voltages to sub-pixels included in the display panel 150 through the data lines DL1 to DLn. The data driver 140 may be formed in an IC form and mounted on the display panel 150 or on a printed circuit board, but is not limited thereto.

전원 공급부(180)는 외부로부터 공급되는 외부 입력전압을 기반으로 고전위의 제1패널전원(EVDD)과 저전위의 제2패널전원(EVSS)을 생성 및 출력한다. 전원 공급부(180)는 제1패널전원 및 제2패널전원(EVDD, EVSS)뿐만아니라 스캔 구동부(130)의 구동에 필요한 전압(예: 스캔하이전압, 스캔로우전압)이나 데이터 구동부(140)의 구동에 필요한 전압(드레인전압, 하프드레인전압) 등을 생성 및 출력할 수 있다.The power supply unit 180 generates and outputs a high-potential first panel power EVDD and a low-potential second panel power EVSS based on an external input voltage supplied from the outside. The power supply unit 180 may include the first panel power and the second panel power (EVDD, EVSS), as well as voltages required for driving the scan driver 130 (eg, scan high voltage, scan low voltage) or data driver 140. It is possible to generate and output voltages required for driving (drain voltage, half drain voltage).

표시패널(150)은 스캔 구동부(130)와 데이터 구동부(140)를 포함하는 구동부로부터 출력된 스캔신호와 데이터전압을 포함하는 구동신호 그리고 전원 공급부(180)로부터 출력된 제1패널전원 및 제2패널전원(EVDD, EVSS)에 대응하여 영상을 표시한다. 표시패널(150)의 서브 픽셀들은 직접 빛을 발광한다.The display panel 150 includes a scan signal output from a driver including a scan driver 130 and a data driver 140, a drive signal including a data voltage, and first and second panel power output from the power supply unit 180. Displays images in response to the panel power sources (EVDD, EVSS). The sub-pixels of the display panel 150 directly emit light.

표시패널(150)은 유리, 실리콘, 폴리이미드 등 강성 또는 연성을 갖는 기판을 기반으로 제작될 수 있다. 그리고 빛을 발광하는 서브 픽셀들은 적색, 녹색 및 청색을 포함하는 픽셀 또는 적색, 녹색, 청색 및 백색을 포함하는 픽셀로 이루어질 수 있다.The display panel 150 may be manufactured based on a substrate having rigidity or ductility such as glass, silicon, and polyimide. In addition, sub-pixels emitting light may be formed of pixels including red, green, and blue, or pixels including red, green, blue, and white.

예컨대, 하나의 서브 픽셀(SP)에는 스위칭 트랜지스터(SW)와 구동 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 유기 발광다이오드 등을 포함하는 픽셀회로(PC)가 포함된다. 유기전계발광표시장치에서 사용되는 서브 픽셀(SP)은 빛을 직접 발광하는바 회로의 구성이 복잡하다. 또한, 빛을 발광하는 유기 발광다이오드는 물론이고 유기 발광다이오드에 구동전류를 공급하는 구동 트랜지스터 등의 열화를 보상하는 보상회로 등이 다양하다. 따라서, 서브 픽셀(SP)에 포함된 픽셀회로(PC)를 블록형태로 도시하였음을 참조한다.For example, one sub-pixel SP includes a switching transistor SW and a pixel circuit PC including a driving transistor, a storage capacitor, and an organic light emitting diode. The sub-pixel SP used in the organic light emitting display device emits light directly, so the circuit configuration is complicated. In addition, there are various organic light emitting diodes that emit light, as well as compensation circuits that compensate for deterioration of driving transistors that supply driving current to the organic light emitting diode. Therefore, it is referred to that the pixel circuit PC included in the sub-pixel SP is shown in block form.

한편, 위의 설명에서는 타이밍 제어부(120), 스캔 구동부(130), 데이터 구동부(140) 등을 각각 개별적인 구성인 것처럼 설명하였다. 그러나 발광표시장치의 구현 방식에 따라 타이밍 제어부(120), 스캔 구동부(130), 데이터 구동부(140) 중 하나 이상은 하나의 IC 내에 통합될 수 있다.Meanwhile, in the above description, the timing control unit 120, the scan driving unit 130, and the data driving unit 140 are described as if they were individual components. However, one or more of the timing control unit 120, the scan driving unit 130, and the data driving unit 140 may be integrated in one IC according to the implementation method of the light emitting display device.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 보상회로를 포함하는 서브 픽셀을 나타낸 등가 회로도이고, 도 4 및 도 5는 도 3의 서브 픽셀을 기반으로 구현될 수 있는 픽셀의 예시도이다.3 is an equivalent circuit diagram illustrating a sub-pixel including a compensation circuit according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 4 and 5 are exemplary diagrams of a pixel that can be implemented based on the sub-pixel of FIG. 3.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 보상회로를 포함하는 서브 픽셀은 스위칭 트랜지스터(SW), 센싱 트랜지스터(ST), 구동 트랜지스터(DT), 커패시터(CST), 및 유기 발광다이오드(OLED)를 포함한다.As illustrated in FIG. 3, a sub-pixel including a compensation circuit according to an embodiment of the present invention includes a switching transistor SW, a sensing transistor ST, a driving transistor DT, a capacitor CST, and an organic light emitting diode. (OLED).

스위칭 트랜지스터(SW)는 제1A스캔라인(GL1a)에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인(DL1)에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극에 제2전극이 연결된다. 구동 트랜지스터(DT)는 커패시터(CST)에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인(EVDD)에 제1전극이 연결되고 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다.In the switching transistor SW, a gate electrode is connected to the 1A scan line GL1a, a first electrode is connected to the first data line DL1, and a second electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor DT. In the driving transistor DT, a gate electrode is connected to the capacitor CST, a first electrode is connected to the first power line EVDD, and a second electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED.

커패시터(CST)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극에 제1전극이 연결되고 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인(EVSS)에 캐소드전극이 연결된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 제1B스캔라인(GL1b)에 게이트전극이 연결되고 센싱라인(VREF)에 제1전극이 연결되고 센싱노드인 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다.The capacitor CST has a first electrode connected to the gate electrode of the driving transistor DT and a second electrode connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. In the organic light emitting diode OLED, the anode electrode is connected to the second electrode of the driving transistor DT, and the cathode electrode is connected to the second power line EVSS. In the sensing transistor ST, a gate electrode is connected to the first B scan line GL1b, a first electrode is connected to the sensing line VREF, and a second electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode (OLED), which is a sensing node. .

센싱 트랜지스터(ST)는 구동 트랜지스터(DT)와 유기 발광다이오드(OLED)의 열화나 문턱전압 등을 보상하기 위해 추가된 보상회로이다. 센싱 트랜지스터(ST)는 구동 트랜지스터(DT)와 유기 발광다이오드(OLED) 사이에 정의된 센싱노드를 통해 센싱값을 취득한다. 센싱 트랜지스터(ST)로부터 취득된 센싱값은 센싱라인(VREF)을 통해 서브 픽셀의 외부에 마련된 외부 보상 회로로 전달된다.The sensing transistor ST is a compensation circuit added to compensate for deterioration or threshold voltage of the driving transistor DT and the organic light emitting diode OLED. The sensing transistor ST acquires a sensing value through a sensing node defined between the driving transistor DT and the organic light emitting diode OLED. The sensing value obtained from the sensing transistor ST is transmitted to an external compensation circuit provided outside the sub-pixel through the sensing line VREF.

스위칭 트랜지스터(SW)의 게이트전극에 연결된 제1A스캔라인(GL1a)과 센싱 트랜지스터(ST)의 게이트전극에 연결된 제1B스캔라인(GL1b)은 도시된 바와 같이 분리된 구조를 취하거나 공통으로 연결된 구조를 취할 수 있다. 게이트전극 공통 접속 구조는 스캔라인의 개수를 줄일 수 있고 그 결과 보상 회로의 추가에 따른 개구율 감소를 방지할 수 있다.The first A scan line GL1a connected to the gate electrode of the switching transistor SW and the first B scan line GL1b connected to the gate electrode of the sensing transistor ST take a separate structure as shown or have a common connection structure. Can take The gate electrode common connection structure can reduce the number of scan lines, and as a result, it is possible to prevent the reduction of the aperture ratio due to the addition of the compensation circuit.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 보상회로를 포함하는 제1 내지 제4서브 픽셀(SP1 ~ SP4)은 하나의 픽셀을 구성하도록 정의될 수 있다. 이때, 제1 내지 제4서브 픽셀(SP1 ~ SP4)은 각각 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 순으로 배치될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.4 and 5, first to fourth sub-pixels SP1 to SP4 including a compensation circuit according to an embodiment of the present invention may be defined to constitute one pixel. In this case, the first to fourth sub-pixels SP1 to SP4 may be arranged in order of emitting red, green, blue, and white, respectively, but are not limited thereto.

도 4의 제1예시와 같이, 보상회로를 포함하는 제1 내지 제4서브 픽셀(SP1 ~ SP4)은 하나의 센싱라인(VREF)을 공유하도록 접속되고, 제1 내지 제4데이터라인들(DL1 ~ DL4)에 각각 구분되어 접속된 구조를 가질 수 있다.As in the first example of FIG. 4, the first to fourth sub pixels SP1 to SP4 including the compensation circuit are connected to share one sensing line VREF, and the first to fourth data lines DL1 ~ DL4) may have a structure connected to each.

도 5의 제2예시와 같이, 보상회로를 포함하는 제1 내지 제4서브 픽셀(SP1 ~ SP4)은 하나의 센싱라인(VREF)을 공유하도록 접속되고, 두 개의 서브 픽셀씩 하나의 데이터라인에 공유 접속된 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2서브 픽셀(SP1, SP2)은 제1데이터라인(DL1)을 공유하고 제3 및 제4서브 픽셀(SP3, SP4)은 제2데이터라인(DL2)을 공유할 수 있다.As in the second example of FIG. 5, the first to fourth sub-pixels SP1 to SP4 including the compensation circuit are connected to share one sensing line VREF, and two sub-pixels are connected to one data line. It may have a shared connected structure. For example, the first and second sub-pixels SP1 and SP2 may share the first data line DL1 and the third and fourth sub-pixels SP3 and SP4 may share the second data line DL2. .

그러나 도 4 및 도 5는 2가지의 예를 보여준 것일 뿐, 본 발명은 앞서 도시 및 설명되지 않은 다른 구조의 서브 픽셀들을 갖는 표시패널에도 적용 가능하다. 또한, 본 발명은 서브 픽셀 내에 보상회로가 있는 구조 또는 서브 픽셀 내에 보상회로가 없는 구조에도 적용 가능하다.However, FIGS. 4 and 5 show only two examples, and the present invention is also applicable to a display panel having sub-pixels of other structures not illustrated and described above. In addition, the present invention is also applicable to a structure having a compensation circuit in a sub-pixel or a structure without a compensation circuit in a sub-pixel.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 게이트인패널 방식 스캔 구동부의 배치예를 나타낸 도면이고, 도 7은 게이트인패널 방식 스캔 구동부와 관련된 장치의 제1 구성 예시도이고, 도 8은 게이트인패널 방식 스캔 구동부와 관련된 장치의 제2 구성예시도이고, 도 9는 시프트 레지스터의 제1 구성 예시도이고, 도 10은 시프트 레지스터의 제2 구성 예시도이다.6 is a view showing an arrangement example of a gate-in-panel type scan driver according to an embodiment of the present invention, FIG. 7 is an exemplary view of a first configuration of a device associated with a gate-in-panel type scan driver, and FIG. 8 is a gate-in panel A second configuration example of the apparatus associated with the method scan driver, FIG. 9 is a first configuration example of the shift register, and FIG. 10 is a second configuration example of the shift register.

도 6에 도시된 바와 같이, 게이트인패널 방식 스캔 구동부(130a, 130b)는 표시패널(150)의 비표시영역(NA)에 배치된다. 스캔 구동부(130a, 130b)는 도 6(a)와 같이 표시패널(150)의 좌우측 비표시영역(NA)에 배치될 수 있다. 또한, 스캔 구동부(130a, 130b)는 도 6(b)와 같이, 표시패널(150)의 상하측 비표시영역(NA)에 배치될 수도 있다.As shown in FIG. 6, the gate-in-panel scan drivers 130a and 130b are disposed in the non-display area NA of the display panel 150. The scan driving units 130a and 130b may be disposed on the left and right non-display areas NA of the display panel 150 as shown in FIG. 6(a). Also, the scan driving units 130a and 130b may be arranged in the upper and lower non-display areas NA of the display panel 150, as shown in FIG. 6(b).

스캔 구동부(130a, 130b)는 표시영역(AA)의 좌우측 또는 상하측에 위치하는 비표시영역(NA)에 쌍을 이루며 배치된 것을 일례로 도시 및 설명하였으나 좌측, 우측, 상측 또는 하측에 하나만 배치될 수 도 있으며, 이에 한정되지 않는다.Although the scan driving units 130a and 130b are illustrated and described as an example of being arranged in pairs in the non-display area NA located on the left and right or top and bottom sides of the display area AA, only one is disposed on the left, right, top, or bottom sides. It may be, but is not limited thereto.

도 7에 도시된 바와 같이, 게이트인패널 방식 스캔 구동부(130)는 시프트 레지스터(131)와 레벨 시프터부(135)를 포함할 수 있다. 레벨 시프터부(135)는 타이밍 제어부(120)로부터 출력된 신호들을 기반으로 다수의 클록신호들(Gclk, Eclk)과 스타트신호들(Gvst, Evst) 등을 생성 및 출력한다. 다수의 클록신호들(Gclk, Eclk)은 2상, 4상, 8상 등 위상이 다른 K(K는 2 이상 정수)상의 형태로 생성 및 출력될 수 있다.As shown in FIG. 7, the gate-in-panel scan driver 130 may include a shift register 131 and a level shifter 135. The level shifter unit 135 generates and outputs a plurality of clock signals Gclk and Eclk and start signals Gvst and Evst based on the signals output from the timing controller 120. A plurality of clock signals (Gclk, Eclk) may be generated and output in the form of K phases (K is an integer of 2 or more) having different phases, such as 2 phase, 4 phase, and 8 phase.

시프트 레지스터(131)는 레벨 시프터부(135)로부터 출력된 신호들(Gclk, Eclk, Gvst, Evst) 등을 기반으로 동작하며 표시패널에 형성된 트랜지스터를 턴온 또는 턴오프할 수 있는 스캔신호들(Scan[1] ~ Scan[m])과 발광신호들(Em[1] ~ Em[m])을 출력한다. 시프트 레지스터(131)는 게이트인패널 방식에 의해 표시패널 상에 박막 형태로 형성된다. 따라서, 스캔 구동부(130)에서 표시패널 상에 형성되는 부분은 시프트 레지스터(131)(즉, 도 6에서 130a와 130b는 131에 해당함)일 수 있다.The shift register 131 operates based on signals Gclk, Eclk, Gvst, Evst, etc. output from the level shifter unit 135, and scan signals (Scan) capable of turning on or off the transistor formed on the display panel [1] to Scan[m]) and emission signals (Em[1] to Em[m]) are output. The shift register 131 is formed in a thin film form on the display panel by a gate-in-panel method. Accordingly, the portion formed on the display panel in the scan driver 130 may be the shift register 131 (ie, 130a and 130b correspond to 131 in FIG. 6 ).

시프트 레지스터(131)와 달리 레벨 시프터부(135)는 IC 형태로 형성된다. 레벨 시프터부(135)는 도 7과 같이 별도의 IC 형태로 구성될 수 있으며, 도 8과 같이 전원 공급부(180)의 내부나 다른 장치의 내부에 포함될 수도 있다.Unlike the shift register 131, the level shifter 135 is formed in the form of an IC. The level shifter 135 may be configured in a separate IC form as shown in FIG. 7, or may be included inside the power supply 180 or other devices as shown in FIG. 8.

도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 시프트 레지스터(131)는 다수의 스테이지들(STG1 ~ STGm)로 구성된다. 다수의 스테이지들(STG1 ~ STGm)은 종속적으로 접속된 구조를 가지며 적어도 하나의 전단이나 후단의 출력 신호를 입력 신호로 받는다.9 and 10, the shift register 131 is composed of a plurality of stages (STG1 ~ STGm). The plurality of stages STG1 to STGm have a structure in which they are connected to each other and receive at least one front end or rear end output signal as an input signal.

도 9에 도시된 제1예시와 같이, 시프트 레지스터(131)의 스테이지들(STG1 ~ STGm)은 스캔신호 발생회로부들(SCAN[1] ~ SCAN[m])과 발광신호 발생회로부들(EM[1] ~ EM[m])을 각각 포함할 수 있다. 일례로, 제1스테이지(STG1)는 제1스캔신호(Scan[1])를 출력하는 제1스캔신호 발생회로부(SCAN[1])와 발광신호(Em[1])를 출력하는 발광신호 발생회로부(EM[1])를 갖는다.9, the stages STG1 to STGm of the shift register 131 include scan signal generation circuits SCAN[1] to SCAN[m] and light emission signal generation circuits EM[ 1] to EM[m]), respectively. For example, the first stage STG1 generates a first scan signal generation circuit unit SCAN[1] for outputting a first scan signal Scan[1] and a light emission signal for outputting a light emission signal Em[1]. It has a circuit part EM[1].

스캔신호 발생회로부들(SCAN[1] ~ SCAN[m])은 표시패널의 스캔라인들을 통해 스캔신호들(Scan[1] ~ Scan[m])을 출력한다. 발광신호 발생회로부들(EM[1] ~ EM[m])은 표시패널의 발광신호라인들을 통해 발광신호들(Em[1] ~ Em[m])을 출력한다.The scan signal generation circuits SCAN[1] to SCAN[m] output scan signals Scan[1] to Scan[m] through scan lines of the display panel. The light emission signal generation circuit units EM[1] to EM[m] output light emission signals Em[1] to Em[m] through the light emission signal lines of the display panel.

도 10에 도시된 제2예시와 같이, 시프트 레지스터(131)의 스테이지들(STG1 ~ STGm)은 제1스캔신호 발생회로부들(SCAN1[1] ~ SCAN1[m]), 제2스캔신호 발생회로부들(SCAN2[1] ~ SCAN2[m]), 및 발광신호 발생회로부들(EM[1] ~ EM[m])을 각각 포함할 수 있다. 일례로, 제1스테이지(STG1)는 제1스캔신호(Scan1[1])를 출력하는 제1스캔신호 발생회로부(SCAN1[1]), 제2스캔신호(Scan2[1])를 출력하는 제2스캔신호 발생회로부(SCAN2[1]), 및 발광신호(Em[1])를 출력하는 발광신호 발생회로부(EM[1])를 갖는다.As shown in the second example shown in FIG. 10, the stages STG1 to STGm of the shift register 131 include first scan signal generation circuits SCAN1[1] to SCAN1[m], and second scan signal generation circuitry. SCAN2[1] to SCAN2[m], and light emission signal generation circuits EM[1] to EM[m], respectively. In one example, the first stage STG1 is a first scan signal generating circuit unit SCAN1[1] for outputting the first scan signal Scan1[1], and a second for outputting the second scan signal Scan2[1]. It has a two-scan signal generation circuit section SCAN2[1] and an emission signal generation circuit section EM[1] for outputting the emission signal Em[1].

제1스캔신호 발생회로부들(SCAN1[1] ~ SCAN1[m])은 표시패널의 제1스캔라인들을 통해 제1스캔신호들(Scan1[1] ~ Scan1[m])을 출력한다. 제2스캔신호 발생회로부들(SCAN2[1] ~ SCAN2[m])은 표시패널의 제2스캔라인들을 통해 제2스캔신호들(Scan2[1] ~ Scan2[m])을 출력한다. 발광신호 발생회로부들(EM[1] ~ EM[m])은 표시패널의 발광신호라인들을 통해 발광신호들(Em[1] ~ Em[m])을 출력한다.The first scan signal generation circuit units SCAN1[1] to SCAN1[m] output first scan signals Scan1[1] to Scan1[m] through the first scan lines of the display panel. The second scan signal generation circuit units SCAN2[1] to SCAN2[m] output second scan signals Scan2[1] to Scan2[m] through the second scan lines of the display panel. The light emission signal generation circuit units EM[1] to EM[m] output light emission signals Em[1] to Em[m] through the light emission signal lines of the display panel.

제1스캔신호들(Scan1[1] ~ Scan1[m])은 서브 픽셀들 내에 포함된 제A트랜지스터(예: 스위칭 트랜지스터 등)를 구동하기 위한 신호로 사용될 수 있다. 제2스캔신호들(Scan2[1] ~ Scan2[m])은 서브 픽셀들 내에 포함된 제B트랜지스터(예: 센싱 트랜지스터 등)를 구동하기 위한 신호로 사용될 수 있다.The first scan signals Scan1[1] to Scan1[m] may be used as a signal for driving the A-th transistor (eg, switching transistor, etc.) included in the sub-pixels. The second scan signals Scan2[1] to Scan2[m] may be used as a signal for driving the B-transistor (eg, sensing transistor, etc.) included in the sub-pixels.

발광신호들(Em[1] ~ Em[m])은 서브 픽셀들 내에 포함된 제C트랜지스터(예: 발광제어 트랜지스터 등)를 구동하기 위한 신호로 사용될 수 있다. 예를 들어, 발광신호들(Em[1] ~ Em[m])을 이용하여 서브 픽셀들의 발광제어 트랜지스터를 제어하면 유기 발광다이오드의 발광시간은 가변된다.The light emission signals Em[1] to Em[m] may be used as signals for driving the C-th transistor (eg, light emission control transistor, etc.) included in the sub-pixels. For example, when the light emission control transistors of the sub-pixels are controlled using the light emission signals Em[1] to Em[m], the light emission time of the organic light emitting diode is varied.

하지만, 도 9 및 도 10의 예시들은 시프트 레지스터(131)의 이해를 돕기 위한 예시이며, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 더 다양하고 더 많은 신호를 출력하는 형태로 구현될 수도 있다.However, the examples of FIGS. 9 and 10 are examples to help understanding the shift register 131, and the present invention is not limited thereto, and may be implemented in a form of outputting more various and more signals.

도 11은 본 발명의 실시예에 따른 발광신호 발생회로부들의 상세 블록 예시도이고, 도 12는 도 11에 도시된 제1스테이지의 발광신호 발생회로부의 상세 회로 구성을 나타낸 제1예시도이고, 도 13은 도 11에 도시된 제1스테이지의 발광신호 발생회로부의 상세 회로 구성을 나타낸 제2예시도이고, 도 14 및 도 15는 도 12 및 도 13에 도시된 제1스테이지의 발광신호 발생회로부의 동작 설명을 위한 파형 예시도들이다.FIG. 11 is a detailed block diagram of light emitting signal generating circuit parts according to an embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a first exemplary view showing a detailed circuit configuration of the light emitting signal generating circuit part of the first stage shown in FIG. 11. 13 is a second exemplary view showing a detailed circuit configuration of the light emitting signal generating circuit part of the first stage shown in FIG. 11, and FIGS. 14 and 15 are light emitting signal generating circuit parts of the first stage shown in FIGS. These are waveform examples for explaining the operation.

도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 제1스테이지의 발광신호 발생회로부들(EM[1] ~ EM[m])은 제1클록신호라인(ECLK1), 제2클록신호라인(ECLK2), 스타트신호라인(EVST), 제1전압라인(VEH), 제2전압라인(VEL), 제3전압라인(VBV)에 연결된다. 그러므로 제1스테이지의 발광신호 발생회로부들(EM[1] ~ EM[m])은 제1클록신호라인(ECLK1)을 통해 인가된 제1클록신호, 제2클록신호라인(ECLK2)을 통해 인가된 제2클록신호, 스타트신호라인(EVST)을 통해 인가된 스타트신호, 제1전압라인(VEH)을 통해 인가된 제1전압, 제2전압라인(VEL)을 통해 인가된 제2전압, 제3전압라인(VBV)을 통해 인가된 제3전압을 기반으로 발광신호들을 출력한다.As illustrated in FIG. 11, the first stage light emission signal generation circuit units EM[1] to EM[m] according to an embodiment of the present invention include a first clock signal line ECLK1 and a second clock signal line. (ECLK2), the start signal line (EVST), the first voltage line (VEH), the second voltage line (VEL), and the third voltage line (VBV). Therefore, the light emitting signal generation circuit units EM[1] to EM[m] of the first stage are applied through the first clock signal applied through the first clock signal line ECLK1 and the second clock signal line ECLK2. Second clock signal, start signal applied through the start signal line (EVST), first voltage applied through the first voltage line (VEH), second voltage applied through the second voltage line (VEL), second The light emitting signals are output based on the third voltage applied through the three voltage line VBV.

한편, 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])는 스타트신호라인(EVST)에 연결되지만 제2스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[2])부터는 전단에 위치하는 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])의 출력신호를 스타트신호로 이용한다. 이 때문에, 제2스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[2])가 스타트신호라인(EVST) 대신 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])의 출력단자(EMO[1])에 연결되는 것이다.On the other hand, the light emission signal generation circuit unit EM[1] of the first stage is connected to the start signal line EVST, but the light emission of the first stage located at the front end from the light emission signal generation circuit unit EM[2] of the second stage The output signal of the signal generating circuit section EM[1] is used as a start signal. For this reason, the light emitting signal generating circuit part EM[2] of the second stage is connected to the output terminal EMO[1] of the light emitting signal generating circuit part EM[1] of the first stage instead of the start signal line EVST. Will be.

도 12에 도시된 제1예시와 같이, 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])는 제1트랜지스터(T1) 내지 제10트랜지스터(T10), 제1 내지 제3커패시터(CQ, CQB, CQ'), 제1보상 트랜지스터(Tb1) 및 제2보상 트랜지스터(Tb2)를 포함할 수 있다. 제6 및 제7트랜지스터(T6, T7)는 신호 출력 회로부에 포함될 수 있다. 그리고 제1 내지 제5트랜지스터(T1 ~ T5)와 제8 내지 제10트랜지스터(T8 ~ T10)는 노드 제어 회로부에 포함될 수 있다. 그리고 제1 및 제2보상 트랜지스터(Tb1, Tb2)는 노드 보상 회로부에 포함될 수 있다.As shown in the first example shown in FIG. 12, the light emitting signal generation circuit unit EM[1] of the first stage includes a first transistor T1 to a tenth transistor T10, and a first to third capacitors CQ and CQB. , CQ'), a first compensation transistor Tb1 and a second compensation transistor Tb2. The sixth and seventh transistors T6 and T7 may be included in the signal output circuit unit. In addition, the first to fifth transistors T1 to T5 and the eighth to tenth transistors T8 to T10 may be included in the node control circuit. In addition, the first and second compensation transistors Tb1 and Tb2 may be included in the node compensation circuit.

제1트랜지스터(T1) 내지 제10트랜지스터(T10), 제1보상 트랜지스터(Tb1) 및 제2보상 트랜지스터(Tb2)는 p 타입 박막 트랜지스터로 구현된 것을 일례로 한다. p 타입 박막 트랜지스터로 구현된 제1트랜지스터(T1) 내지 제10트랜지스터(T10), 제1보상 트랜지스터(Tb1) 및 제2보상 트랜지스터(Tb2)는 로우전압이 인가되는 조건에서 턴온되고 하이전압이 인가되는 조건에서 턴오프된다.For example, the first transistor T1 to the tenth transistor T10, the first compensation transistor Tb1, and the second compensation transistor Tb2 are implemented as p-type thin film transistors. The first transistor T1 to the tenth transistor T10, the first compensation transistor Tb1, and the second compensation transistor Tb2 implemented as a p-type thin film transistor are turned on under a condition that a low voltage is applied and a high voltage is applied. Turn off at the condition.

제1트랜지스터(T1)는 제2클록신호라인(ECLK2)에 게이트전극이 연결되고 스타트신호라인(EVST)에 제1전극이 연결되고 제2트랜지스터(T2)의 제1전극과 Q2노드(Q2N)에 제2전극이 연결된다. 제1트랜지스터(T1)는 제2클록신호라인(ECLK2)을 통해 인가된 제2클록신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다.The first transistor T1 has a gate electrode connected to the second clock signal line ECLK2, a first electrode connected to the start signal line EVST, and a first electrode and a Q2 node (Q2N) of the second transistor T2. Is connected to the second electrode. The first transistor T1 is turned on or off in response to the second clock signal applied through the second clock signal line ECLK2.

제2트랜지스터(T2)는 제1클록신호라인(ECLK1)에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터(T1)의 제2전극과 Q2노드(Q2N)에 제1전극이 연결되고 제3트랜지스터(T3)의 제1전극에 제2전극이 연결된다. 제2트랜지스터(T2)는 제1클록신호라인(ECLK1)을 통해 인가된 제1클록신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다.The second transistor T2 has a gate electrode connected to the first clock signal line ECLK1, a second electrode of the first transistor T1, and a first electrode connected to the Q2 node Q2N and a third transistor T3. The second electrode is connected to the first electrode. The second transistor T2 is turned on or off in response to the first clock signal applied through the first clock signal line ECLK1.

제3트랜지스터(T3)는 제4트랜지스터(T4)의 제2전극과 제2보상 트랜지스터(Tb2)의 제1전극에 게이트전극이 연결되고 제2트랜지스터(T2)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전압라인(VEH)에 제2전극이 연결된다. 제3트랜지스터(T3)는 제4트랜지스터(T4)가 턴온될 경우, 제2전압라인(VEL)을 통해 제2전압에 대응하여 턴온된다.In the third transistor T3, a gate electrode is connected to the second electrode of the fourth transistor T4 and the first electrode of the second compensation transistor Tb2, and the first electrode is connected to the second electrode of the second transistor T2. The second electrode is connected to the first voltage line VEH. When the fourth transistor T4 is turned on, the third transistor T3 is turned on in response to the second voltage through the second voltage line VEL.

제4트랜지스터(T4)는 제2클록신호라인(ECLK2)에 게이트전극이 연결되고 제2전압라인(VEL)에 제1전극이 연결되고 제2보상 트랜지스터(Tb2)의 제1전극과 제3트랜지스터(T3)의 게이트전극에 제2전극이 연결된다. 제4트랜지스터(T4)는 제2클록신호라인(ECLK2)을 통해 인가된 제2클록신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다. 제4트랜지스터(T4)는 제1트랜지스터(T1)와 함께 동시에 턴온 또는 턴오프된다.In the fourth transistor T4, a gate electrode is connected to the second clock signal line ECLK2, a first electrode is connected to the second voltage line VEL, and a first electrode and a third transistor of the second compensation transistor Tb2. The second electrode is connected to the gate electrode of (T3). The fourth transistor T4 is turned on or off in response to the second clock signal applied through the second clock signal line ECLK2. The fourth transistor T4 is turned on or off simultaneously with the first transistor T1.

제5트랜지스터(T5)는 Q2노드(Q2N)에 게이트전극이 연결되고 QB노드(QBN)와 제9트랜지스터(T9)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전압라인(VEH)에 제2전극이 연결된다. 제5트랜지스터(T5)는 Q2노드(Q2N)의 전위에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다.In the fifth transistor T5, a gate electrode is connected to the Q2 node Q2N, and a first electrode is connected to the second electrode of the QB node QBN and the ninth transistor T9, and the first electrode is connected to the first voltage line VEH. Two electrodes are connected. The fifth transistor T5 is turned on or off in response to the potential of the Q2 node Q2N.

제6트랜지스터(T6)는 Q노드(Q)와 제1커패시터(CQ)의 일단에 게이트전극이 연결되고 제2전압라인(VEL)에 제1전극이 연결되고 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])의 출력단자(EMO[1])에 제2전극이 연결된다. 제6트랜지스터(T6)는 Q노드(Q)의 전위에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다. 제6트랜지스터(T6)는 제2신호 출력 회로부로 정의될 수 있다.In the sixth transistor T6, a gate electrode is connected to one end of the Q node Q and the first capacitor CQ, the first electrode is connected to the second voltage line VEL, and the light emitting signal generation circuit unit of the first stage ( The second electrode is connected to the output terminal EMO[1] of EM[1]). The sixth transistor T6 is turned on or off in response to the potential of the Q node Q. The sixth transistor T6 may be defined as a second signal output circuit unit.

제7트랜지스터(T7)는 QB노드(QBN)에 게이트전극이 연결되고 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])의 출력단자(EMO[1])에 제1전극이 연결되고 제1전압라인(VEH)에 제2전극이 연결된다. 제7트랜지스터(T7)는 QB노드(QBN)의 전위에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다. 제7트랜지스터(T7)는 제1신호 출력 회로부로 정의될 수 있다.In the seventh transistor T7, the gate electrode is connected to the QB node QBN, and the first electrode is connected to the output terminal EMO[1] of the light emitting signal generation circuit unit EM[1] of the first stage and the first electrode The second electrode is connected to the voltage line VEH. The seventh transistor T7 is turned on or off in response to the potential of the QB node QBN. The seventh transistor T7 may be defined as a first signal output circuit unit.

제8트랜지스터(T8)는 제2보상 트랜지스터(Tb2)의 제2전극과 Q'노드(Q'N)에 게이트전극이 연결되고 제1클록신호라인(ECLK1)에 제1전극이 연결되고 제9트랜지스터(T9)의 제1전극에 제2전극이 연결된다. 제8트랜지스터(T8)는 Q'노드(Q'N)의 전위에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다.In the eighth transistor T8, a gate electrode is connected to the second electrode and the Q'node Q'N of the second compensation transistor Tb2, the first electrode is connected to the first clock signal line ECLK1, and the ninth The second electrode is connected to the first electrode of the transistor T9. The eighth transistor T8 is turned on or off in response to the potential of the Q'node Q'N.

제9트랜지스터(T9)는 제1클록신호라인(ECLK1)에 게이트전극이 연결되고 제8트랜지스터(T8)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제5트랜지스터(T5)의 제1전극과 QB노드(QBN)에 제2전극이 연결된다. 제9트랜지스터(T9)는 제1클록신호라인(ECLK1)을 통해 인가된 제1클록신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다. 제9트랜지스터(T9)는 제2트랜지스터(T2)와 함께 동시에 턴온 또는 턴오프된다.In the ninth transistor T9, the gate electrode is connected to the first clock signal line ECLK1, the first electrode is connected to the second electrode of the eighth transistor T8, and the first electrode and QB of the fifth transistor T5 are connected. The second electrode is connected to the node QBN. The ninth transistor T9 is turned on or off in response to the first clock signal applied through the first clock signal line ECLK1. The ninth transistor T9 is turned on or off simultaneously with the second transistor T2.

제10트랜지스터(T10)는 Q2노드(Q2N)에 게이트전극이 연결되고 제2클록신호라인(ECLK2)에 제1전극이 연결되고 제2보상 트랜지스터(Tb2)의 제1전극에 제2전극이 연결된다. 제10트랜지스터(T10)는 Q2노드(Q2N)의 전위에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다. 제10트랜지스터(T10)는 제5트랜지스터(T5)와 함께 동시에 턴온 또는 턴오프된다. 한편, 제10트랜지스터(T10)는 별도 표시된 도면을 통해 알 수 있듯이, 두 개의 게이트전극이 제2클록신호라인(ECLK2)에 공통으로 연결된 제10a트랜지스터(T10a)와 제10b트랜지스터(T10b)의 형태로 구현될 수도 있다.In the tenth transistor T10, the gate electrode is connected to the Q2 node Q2N, the first electrode is connected to the second clock signal line ECLK2, and the second electrode is connected to the first electrode of the second compensation transistor Tb2. do. The tenth transistor T10 is turned on or off in response to the potential of the Q2 node Q2N. The tenth transistor T10 is turned on or off simultaneously with the fifth transistor T5. On the other hand, the tenth transistor (T10), as can be seen from the figure shown separately, the form of the 10a transistor (T10a) and the 10b transistor (T10b) in which two gate electrodes are commonly connected to the second clock signal line (ECLK2). It may be implemented as.

제1커패시터(CQ)는 Q노드(QN)에 일단이 연결되고 제1클록신호라인(ECLK1)에 타단이 연결된다. 제2커패시터(CQB)는 QB노드(QBN)에 일단이 연결되고 제1전압라인(VEH)에 타단이 연결된다. 제3커패시터(CQ')는 Q'노드(Q'N)에 일단이 연결되고 제8트랜지스터(T8)의 제2전극과 제9트랜지스터(T9)의 제1전극 사이에 타단이 연결된다.The first capacitor CQ has one end connected to the Q node QN and the other end connected to the first clock signal line ECLK1. The second capacitor CQB has one end connected to the QB node QBN and the other end connected to the first voltage line VEH. One end of the third capacitor CQ' is connected to the Q'node Q'N, and the other end is connected between the second electrode of the eighth transistor T8 and the first electrode of the ninth transistor T9.

제1보상 트랜지스터(Tb1)는 제3전압라인(VBV)에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터(T1)의 제2전극, 제2트랜지스터(T2)의 제1전극, 제10트랜지스터(T10)의 게이트전극 및 Q2노드(Q2N)에 제1전극이 연결되고 Q노드(QN)에 제2전극이 연결된다. 제1보상 트랜지스터(Tb1)는 제1노드 보상 회로부로 정의될 수 있다.The first compensation transistor Tb1 has a gate electrode connected to a third voltage line VBV, a second electrode of the first transistor T1, a first electrode of the second transistor T2, and a tenth transistor T10. The first electrode is connected to the gate electrode and the Q2 node Q2N, and the second electrode is connected to the Q node QN. The first compensation transistor Tb1 may be defined as a first node compensation circuit unit.

제2보상 트랜지스터(Tb2)는 제3전압라인(VBV)에 게이트전극이 연결되고 제4트랜지스터(T4)의 제2전극과 제10트랜지스터(T10)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 Q'노드(Q'N) 및 제8트랜지스터(T8)의 게이트전극에 제2전극이 연결된다. 제2보상 트랜지스터(Tb2)는 제1보상 트랜지스터(Tb1)와 함께 제3전압라인(VBV)을 통해 인가된 제3전압에 의해 동시에 턴온 또는 턴오프된다. 제2보상 트랜지스터(Tb2)는 제2노드 보상 회로부로 정의될 수 있다.In the second compensation transistor Tb2, the gate electrode is connected to the third voltage line VBV, the second electrode of the fourth transistor T4 and the first electrode of the second electrode of the tenth transistor T10 are connected and Q The second electrode is connected to the'node (Q'N) and the gate electrode of the eighth transistor (T8). The second compensation transistor Tb2 is simultaneously turned on or off by the third voltage applied through the third voltage line VBV together with the first compensation transistor Tb1. The second compensation transistor Tb2 may be defined as a second node compensation circuit unit.

도 13에 도시된 제2예시와 같이, 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])는 제1트랜지스터(T1) 내지 제10트랜지스터(T10), 제1 내지 제3커패시터(CQ, CQB, CQ'), 제1보상 트랜지스터(Tb1), 제2보상 트랜지스터(Tb2) 및 리셋 트랜지스터(TR)를 포함할 수 있다.As shown in the second example illustrated in FIG. 13, the light emitting signal generation circuit unit EM[1] of the first stage includes first transistors T1 to 10 transistors T10, and first to third capacitors CQ and CQB. , CQ'), a first compensation transistor Tb1, a second compensation transistor Tb2, and a reset transistor TR.

리셋 트랜지스터(TR)는 리셋신호라인(EQRST)에 게이트전극이 연결되고 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])의 출력단자(EMO[1])에 제1전극이 연결되고 제1전압라인(VEH)에 제2전극이 연결된다. 리셋 트랜지스터(TR)는 리셋신호라인(EQRST)을 통해 인가된 리셋신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다. 리셋 트랜지스터(TR)가 턴온될 경우, 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])의 출력단자(EMO[1])는 제1전압라인(VEH)을 통해 인가된 제1전압을 기반으로 하이전압의 발광신호를 출력한다.In the reset transistor TR, a gate electrode is connected to the reset signal line EQRST, a first electrode is connected to the output terminal EMO[1] of the light emitting signal generation circuit unit EM[1] of the first stage, and the first electrode is connected to the reset signal line EQRST. The second electrode is connected to the voltage line VEH. The reset transistor TR is turned on or off in response to the reset signal applied through the reset signal line EQRST. When the reset transistor TR is turned on, the output terminal EMO[1] of the light emission signal generation circuit unit EM[1] of the first stage is based on the first voltage applied through the first voltage line VEH. A high voltage light emission signal is output.

도 12 내지 도 15에 도시된 바와 같이, 스타트신호라인(EVST)을 통해 인가되는 스타트신호(Evst)는 3수평시간(3H) 동안 하이전압을 발생하는 형태를 가질 수 있다. 제2클록신호라인(ECLK2)을 통해 인가되는 제2클록신호(Eclk2)는 스타트신호의 하이전압 시점에 동기하여 로우전압과 하이전압이 1수평시간(1H)의 주기로 교번 발생하는 형태를 가질 수 있다.12 to 15, the start signal Evst applied through the start signal line EVST may have a form of generating a high voltage for 3 horizontal hours 3H. The second clock signal Eclk2 applied through the second clock signal line ECLK2 may have a form in which the low voltage and the high voltage alternately occur at a period of 1 horizontal time (1H) in synchronization with the high voltage timing of the start signal. have.

제1클록신호라인(ECLK1)을 통해 인가되는 제1클록신호(Eclk1)는 스타트신호의 하이전압 시점에 동기하여 하이전압과 로우전압이 1수평시간(1H)의 주기로 교번 발생하는 형태를 가질 수 있다. 즉, 제2클록신호(Eclk2)와 제1클록신호(Eclk1)는 하이전압과 로우전압이 역상으로 발생될 수 있다.The first clock signal Eclk1 applied through the first clock signal line ECLK1 may have a form in which the high voltage and the low voltage alternately occur at a period of 1 horizontal time (1H) in synchronization with the high voltage timing of the start signal. have. That is, the second clock signal Eclk2 and the first clock signal Eclk1 may generate high voltage and low voltage in reverse phase.

제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])에 포함된 소자들은 스타트신호(Evst), 제1클록신호(Eclk1), 제2클록신호(Eclk2), 제1전압(Veh), 제2전압(Vel) 및 제3전압(Vbv)에 대응하여 동작한다.The elements included in the light emission signal generation circuit unit EM[1] of the first stage include a start signal Evst, a first clock signal Eclk1, a second clock signal Eclk2, a first voltage Veh, and a second voltage. It operates in response to the voltage Vel and the third voltage Vbv.

제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])에 포함된 소자들의 동작에 의해, Q노드(Q)는 하이전압으로 충전되는 기간을 갖고, Q'노드(Q') 및 QB노드(QB)는 로우전압으로 방전되는 기간을 갖는다. 이때, QB노드(QB)는 스타트신호(Evst) 대비 1수평시간(1H) 지연된 역상 형태의 로우전압을 3수평시간(3H) 동안 유지할 수 있다.By operation of the elements included in the light emission signal generation circuit unit EM[1] of the first stage, the Q node Q has a period of being charged with a high voltage, and the Q'node Q'and QB node QB ) Has a period of discharge with a low voltage. At this time, the QB node QB can maintain the low voltage of the reversed phase delayed by 1 horizontal time (1H) compared to the start signal Evst for 3 horizontal times (3H).

제6트랜지스터(T7)는 Q노드(Q)의 전위에 대응하여 턴온 또는 턴오프되고, 제7트랜지스터(T7)는 QB노드(QB)의 전위에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다. Q노드(Q)의 전위가 하이전압을 유지할 경우, QB노드(QB)의 전위는 로우전압을 유지할 수 있다.The sixth transistor T7 is turned on or off in response to the potential of the Q node Q, and the seventh transistor T7 is turned on or off in response to the potential of the QB node QB. When the potential of the Q node Q maintains a high voltage, the potential of the QB node QB can maintain a low voltage.

제7트랜지스터(T7)는 QB노드(QB)의 로우전압에 대응하여 턴온되므로, 제1전압라인(VEH)을 통해 인가된 제1전압(Veh)은 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])의 출력단자(EMO[1])을 통해 출력된다. 그 결과, 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])의 출력단자(EMO[1])는 제1전압라인(VEH)을 통해 인가된 제1전압(Veh)을 기반으로 적어도 3수평시간(3H) 동안 하이전압의 발광신호(Em[1])를 출력한 후 로우전압의 발광신호(Em[1])로 전환된다.Since the seventh transistor T7 is turned on corresponding to the low voltage of the QB node QB, the first voltage Veh applied through the first voltage line VEH is the light emission signal generating circuit part EM[ of the first stage. 1]) through the output terminal (EMO[1]). As a result, the output terminal EMO[1] of the light emission signal generation circuit unit EM[1] of the first stage is at least three horizontal based on the first voltage Veh applied through the first voltage line VEH. During the time 3H, the high voltage light emission signal Em[1] is output, and then it is converted to the low voltage light emission signal Em[1].

제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])에 포함된 소자들은 위와 같이 동작하게 됨에 따라 바이어스 스트레스(Bias Stress)를 받을 수 있다. 예를 들어, 제2트랜지스터(T2), 제3트랜지스터(T3), 제4트랜지스터(T4) 및 제7트랜지스터(T7)는 소스-드레인 전극을 통한 하이전압의 전달 동작으로 인하여 HJTS(High Junction Temperature Stress)를 받는 소자에 포함될 수 있다. 그리고 제1트랜지스터(T1)는 게이트전극을 통한 하이전압의 인가로 인하여 PBTS (Positive Bias Temperature Stress)를 받는 소자에 포함될 수 있다. 그리고 제3트랜지스터(T3), 제5트랜지스터(T5), 제8트랜지스터(T8) 및 제9트랜지스터(T9)는 게이트전극을 통한 로우전압의 인가로 인하여 NBTS (Negative Bias Temperature Stress)를 받는 소자에 포함될 수 있다.Elements included in the light emitting signal generation circuit unit EM[1] of the first stage may receive bias stress as they operate as described above. For example, the second transistor (T2), the third transistor (T3), the fourth transistor (T4) and the seventh transistor (T7) are HJTS (High Junction Temperature) due to the high voltage transfer operation through the source-drain electrode. Stress). In addition, the first transistor T1 may be included in a device subjected to PBTS (Positive Bias Temperature Stress) due to application of a high voltage through the gate electrode. In addition, the third transistor (T3), the fifth transistor (T5), the eighth transistor (T8), and the ninth transistor (T9) are applied to a device that receives NBTS (Negative Bias Temperature Stress) due to the application of a low voltage through the gate electrode. Can be included.

제1보상 트랜지스터(Tb1)와 제2보상 트랜지스터(Tb2)는 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])에 포함된 소자들의 바이어스 스트레스 저감을 위해 노드 사이에 추가된 소자이다. 제1보상 트랜지스터(Tb1)와 제2보상 트랜지스터(Tb2)는 양단의 노드 제어(양단의 전압 제어)를 통해 앞서 언급된 소자들이 받는 바이어스 스트레스를 저감할 수 있다.The first compensation transistor Tb1 and the second compensation transistor Tb2 are devices added between nodes to reduce bias stress of devices included in the light emitting signal generation circuit unit EM[1] of the first stage. The first compensation transistor Tb1 and the second compensation transistor Tb2 may reduce bias stress received by the aforementioned devices through node control at both ends (voltage control at both ends).

제1보상 트랜지스터(Tb1)와 제2보상 트랜지스터(Tb2)는 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])의 동작 중 전기적으로 플로팅되는 노드(Floating node)를 제어할 수 있다. 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])에서 전기적으로 플로팅되는 노드는 Q노드(QN), Q'노드(Q'N) 및 QB노드(QBN)를 예로 들 수 있다. 제1보상 트랜지스터(Tb1)와 제2보상 트랜지스터(Tb2)는 Q노드(QN)와 Q2노드(Q2N) 사이를 제어함과 동시에 Q'노드(Q'N)의 전위를 제어할 수 있다. Q'노드(Q'N)의 전위가 제어되면 QB노드(QBN)의 전위 또한 제어된다.The first compensation transistor Tb1 and the second compensation transistor Tb2 may control a floating node during operation of the light emitting signal generation circuit unit EM[1] of the first stage. Nodes electrically floating in the light emission signal generation circuit unit EM[1] of the first stage may include, for example, Q node QN, Q'node Q'N, and QB node QBN. The first compensation transistor Tb1 and the second compensation transistor Tb2 may control the potential of the Q'node Q'N while simultaneously controlling between the Q node QN and the Q2 node Q2N. When the potential of the Q'node Q'N is controlled, the potential of the QB node QBN is also controlled.

제1보상 트랜지스터(Tb1)와 제2보상 트랜지스터(Tb2)는 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])에 포함된 소자들의 바이어스 스트레스 저감과 전기적으로 플로팅되는 노드로 인한 이상 동작을 방지하기 위해 제3전압(Vbv)을 인가하는 별도의 제3전압라인(VBV)에 연결된다. 제1보상 트랜지스터(Tb1)와 제2보상 트랜지스터(Tb2)의 동작과 관련된 설명은 이하에서 다룬다.The first compensation transistor Tb1 and the second compensation transistor Tb2 reduce bias stress of elements included in the light emission signal generation circuit unit EM[1] of the first stage and prevent abnormal operation due to an electrically floating node. In order to do so, it is connected to a separate third voltage line VBV that applies the third voltage Vbv. Descriptions related to the operation of the first compensation transistor Tb1 and the second compensation transistor Tb2 are described below.

도 12, 도 13 및 도 15에 도시된 바와 같이, 장치의 전원이 턴온(Power On)되면, 제1전압라인(VEH)을 통해 인가되는 제1전압(Veh)은 스캔하이전압라인을 통해 인가되는 스캔하이전압(Vgh)과 같이 상승한다. 스캔하이전압(Vgh)이 상승한 이후 스캔로우전압라인을 통해 인가되는 스캔로우전압(Vgl)이 떨어진다. 스캔하이전압(Vgh)과 스캔로우전압(Vgl)은 스캔신호 발생회로부들(도 9 및 도 10의 SCAN[1] ~ SCAN[m] 등의 설명 참조)에 인가되는 전압이다.12, 13 and 15, when the power of the device is turned on, the first voltage Veh applied through the first voltage line VEH is applied through the scan high voltage line. The scan high voltage (Vgh) increases. After the scan high voltage Vgh rises, the scan low voltage Vgl applied through the scan low voltage line drops. The scan high voltage Vgh and scan low voltage Vgl are voltages applied to the scan signal generation circuits (see descriptions of SCAN[1] to SCAN[m] in FIGS. 9 and 10).

리셋신호(Qrst)가 발생한 다음 제1패널전원(Evdd)은 상승하게 되고 이후 스타트신호(Vst)가 발생한다. 스타트신호(Vst)의 발생으로 스캔 구동부(130)는 스캔신호와 발광신호를 발생하기 위한 동작을 개시하게 된다.After the reset signal Qrst occurs, the first panel power Evdd rises, and then the start signal Vst occurs. When the start signal Vst is generated, the scan driver 130 starts an operation for generating a scan signal and a light emission signal.

제2전압라인(VEL)을 통해 인가되는 제2전압(Vel)은 제3전압라인(VBV)을 통해 인가되는 제3전압(Vbv)과 같은 레벨로 바로 떨어지지 않고 스타트신호(Vst)가 발생 후 떨어진다. 제2전압(Vel)은 스캔로우전압(Vgl)보다 더 늦게 로우전압 레벨로 떨어진다. 즉, 제2전압(Vel)은 장치의 전원이 턴온(Power On)되면 일시적으로 제1전압(Veh)과 같은 레벨을 가진 후 제3전압(Vbv)과 같은 로우전압 레벨로 떨어진다.After the start signal Vst occurs, the second voltage Vel applied through the second voltage line VEL does not immediately drop to the same level as the third voltage Vbv applied through the third voltage line VBV. Falls. The second voltage Vel falls to the low voltage level later than the scan low voltage Vgl. That is, when the power of the device is turned on (Power On), the second voltage (Vel) temporarily has the same level as the first voltage (Veh) and then falls to the low voltage level such as the third voltage (Vbv).

제3전압라인(VBV)을 통해 인가되는 제3전압(Vbv)은 제2전압라인(VEL)을 통해 인가되는 제2전압(Vel)과 같은 레벨을 갖는다. 하지만, 제3전압라인(VBV)을 통해 인가되는 제3전압(Vbv)은 장치의 전원이 턴온(Power On)됨과 동시에 로우전압으로 유지된다. 그리고 제3전압라인(VBV)을 통해 인가되는 제3전압(Vbv)은 표시패널의 화면이 턴온(Display On)된 이후에도 계속 로우전압을 유지한다.The third voltage Vbv applied through the third voltage line VBV has the same level as the second voltage Vel applied through the second voltage line VEL. However, the third voltage Vbv applied through the third voltage line VBV is maintained at a low voltage while the power of the device is turned on. The third voltage Vbv applied through the third voltage line VBV continues to maintain a low voltage even after the display panel is turned on.

제1보상 트랜지스터(Tb1)와 제2보상 트랜지스터(Tb2)는 이처럼 장치의 전원이 턴온(Power On)됨과 동시에 로우전압으로 유지되는 제3전압(Vbv)을 기반으로 지속적인 턴온 상태를 유지한다.The first compensation transistor Tb1 and the second compensation transistor Tb2 maintain a continuous turn-on state based on the third voltage Vbv maintained at a low voltage at the same time that the power of the device is turned on.

도 16은 실험예에 따른 제1스테이지의 발광신호 발생회로부의 상세 회로 구성을 나타낸 예시도이고, 도 17은 도 16에 도시된 실험예의 입출력 파형과 내부전압을 나타낸 도면이고, 도 18은 실험예와 실시예에 따른 제1스테이지의 발광신호 발생회로부의 출력 파형을 비교 설명하기 위한 도면이다.16 is an exemplary view showing a detailed circuit configuration of a light emitting signal generation circuit part of a first stage according to an experimental example, FIG. 17 is a diagram showing an input/output waveform and an internal voltage of the experimental example shown in FIG. 16, and FIG. 18 is an experimental example A diagram for comparing and explaining the output waveform of the light emitting signal generation circuit portion of the first stage according to the embodiment.

도 16에 도시된 바와 같이, 실험예에 따른 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])는 본 발명의 도 12에서 설명한 실시예와 동일한 회로 구성을 갖는다. 다만, 실험예의 제1보상 트랜지스터(Tb1)와 제2보상 트랜지스터(Tb2)는 제2전압라인(VEL)에 게이트전극이 연결된다.As shown in FIG. 16, the light emitting signal generation circuit unit EM[1] of the first stage according to the experimental example has the same circuit configuration as the embodiment described in FIG. 12 of the present invention. However, the gate electrode is connected to the first compensation transistor Tb1 and the second compensation transistor Tb2 of the experimental example to the second voltage line VEL.

도 15를 참조하여 설명한 바와 같이, 제2전압라인(VEL)을 통해 인가되는 제2전압(Vel)은 스캔 구동부(130)가 동작을 개시한 시점보다 더 늦게 로우전압 레벨로 떨어진다. 실험예 또한 제1보상 트랜지스터(Tb1)와 제2보상 트랜지스터(Tb2)를 추가함에 따라 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])에 포함된 소자들의 바이어스 스트레스를 저감할 수 있다.As described with reference to FIG. 15, the second voltage Vel applied through the second voltage line VEL falls to the low voltage level later than the time when the scan driver 130 starts operation. Experimental Example Also, by adding the first compensation transistor Tb1 and the second compensation transistor Tb2, bias stress of elements included in the light emission signal generation circuit unit EM[1] of the first stage can be reduced.

그러나 제1보상 트랜지스터(Tb1)와 제2보상 트랜지스터(Tb2)는 제2전압(Vel)을 기반으로 제어되므로 장치의 전원이 턴온(Power On)된 이후의 초기 동작 구간 동안 특정 노드가 전기적으로 플로팅되는 상태를 제어할 수 없다. 예를 들어, 장치의 전원이 턴온(Power On)되는 초기 동작 구간 동안 Q노드(QN), Q'노드(Q'N) 및 QB노드(QBN) 중 적어도 하나는 전기적으로 플로팅 상태에 놓인다. 즉, 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])는 노드의 전압을 알 수 없는 상태(Un-known)로 구동을 한다.However, since the first compensation transistor Tb1 and the second compensation transistor Tb2 are controlled based on the second voltage Vel, a specific node is electrically floating during an initial operation period after the device is powered on. You cannot control the status. For example, during an initial operation period in which the device is powered on, at least one of the Q node QN, the Q'node Q'N and the QB node QBN is placed in an electrically floating state. That is, the light emitting signal generation circuit unit EM[1] of the first stage drives the voltage of the node in an unknown state (Un-known).

이 때문에, 도 17의 실험예와 같이, 제2전압(Vel)을 기반으로 제1보상 트랜지스터(Tb1)와 제2보상 트랜지스터(Tb2)를 제어할 경우, 초기 동작 구간 동안 내부전압(Q')은 비정상적인 상태로 흔들리게 된다. 도 17의 "초기 Low Fluctuation"과 "파형NG"를 통해 알 수 있듯이, 실험예와 같이 회로를 구성할 경우, 출력파형이 어떠한 형태로 왜곡될 수 있는지 알 수 있다.For this reason, as in the experimental example of FIG. 17, when controlling the first compensation transistor Tb1 and the second compensation transistor Tb2 based on the second voltage Vel, the internal voltage Q'during the initial operation period Is shaken in an abnormal state. As can be seen through "Initial Low Fluctuation" and "Waveform NG" in FIG. 17, when the circuit is configured as in the experimental example, it can be seen how the output waveform can be distorted.

도 16에 도시된 실험예에 따른 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])는 도 18(a)를 통해 알 수 있듯이, 초기 동작 구간 동안 발광신호(Emo)가 비정상적으로 출력되므로 표시패널(Pnl) 상의 화면 깜빡임이 발생할 수 있다.The light emitting signal generation circuit unit EM[1] of the first stage according to the experimental example shown in FIG. 16 is displayed because the light emission signal Emo is abnormally output during the initial operation period, as shown in FIG. 18(a). Screen flickering on the panel Pnl may occur.

반면, 도 12 및 도 13에 도시된 실시예에 따른 제1스테이지의 발광신호 발생회로부(EM[1])는 도 18(b)를 통해 알 수 있듯이, 초기 동작 구간 동안 발광신호(Emo)가 정상적으로 출력되므로 표시패널(Pnl) 상의 화면 깜빡임이 발생하지 않는다. 그 이유는 제3전압라인(VBV)을 통해 인가되는 제3전압(Vbv)이 장치의 전원이 턴온(Power On)됨과 동시에 로우전압으로 계속 유지되어 제1보상 트랜지스터(Tb1)와 제2보상 트랜지스터(Tb2)의 턴온 상태가 안정적으로 유지되기 때문이다.On the other hand, the light emitting signal generation circuit unit EM[1] of the first stage according to the embodiment shown in FIGS. 12 and 13 shows that the light emission signal Emo is generated during the initial operation period as shown in FIG. 18(b). As it is output normally, screen flicker on the display panel (Pnl) does not occur. The reason is that the third voltage Vbv applied through the third voltage line VBV is maintained at a low voltage at the same time that the power of the device is turned on and the first compensation transistor Tb1 and the second compensation transistor are maintained. This is because the turn-on state of (Tb2) is stably maintained.

이상 본 발명은 신호 발생 장치의 동작 시 특정 트랜지스터에 인가되는 바이어스 스트레스를 저감하여 시프트 레지스터의 수명 향상과 더불어 구동 신뢰성을 높일 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 신호 발생 장치의 초기 동작 시 특정 노드가 전기적으로 플로팅되지 않도록 제어하여 시프트 레지스터의 이상 동작을 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 신호 발생 장치의 초기 동작 시 시프트 레지스터의 이상 동작을 방지하여 표시패널 상에 번쩍임이 나타나는 현상을 방지 및 개선할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention has an effect of reducing bias stress applied to a specific transistor during operation of the signal generating device, improving the life of the shift register and increasing driving reliability. In addition, the present invention has an effect of preventing an abnormal operation of the shift register by controlling not to electrically float a specific node during the initial operation of the signal generating device. In addition, the present invention has an effect that can prevent and improve the phenomenon of the appearance of flashing on the display panel by preventing abnormal operation of the shift register during the initial operation of the signal generator.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the technical configuration of the present invention described above is in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention by those skilled in the art to which the present invention pertains. It will be understood that it can be practiced. Therefore, the above-described embodiments are to be understood in all respects as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. In addition, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.

130: 스캔 구동부 150: 표시패널
131: 시프트 레지스터 135: 레벨 시프터부
T1: 제1트랜지스터 T10: 제10트랜지스터
Tb1: 제1보상 트랜지스터 Tb2: 제2보상 트랜지스터
SCAN[1] ~ SCAN[m]: 스캔신호 발생회로부들
EM[1] ~ EM[m]: 발광신호 발생회로부들
130: scan driver 150: display panel
131: shift register 135: level shifter
T1: 1st transistor T10: 10th transistor
Tb1: first compensation transistor Tb2: second compensation transistor
SCAN[1] ~ SCAN[m]: scan signal generation circuits
EM[1] ~ EM[m]: Light emitting signal generation circuit parts

Claims (18)

QB노드의 전위에 대응하여 제1전압의 발광신호를 출력하는 제1신호 출력 회로부;
Q노드의 전위에 대응하여 제2전압의 발광신호를 출력하는 제2신호 출력 회로부;
스타트신호, 제1클록신호 및 제2클록신호를 기반으로 동작하며 상기 QB노드를 제어하는 Q'노드와 상기 Q노드를 제어하는 Q2노드를 갖는 노드 제어 회로부; 및
상기 제1전압 및 상기 제2전압 중 적어도 하나와 다른 제3전압을 기반으로 상기 Q노드와 상기 Q2노드 사이의 전위를 제어하고 상기 Q'노드의 전위를 제어하는 노드 보상 회로부를 포함하는 발광신호 발생회로부.
A first signal output circuit unit for outputting a light emission signal of a first voltage corresponding to the potential of the QB node;
A second signal output circuit unit for outputting a light emission signal of a second voltage corresponding to the potential of the Q node;
A node control circuit unit having a Q'node that controls the QB node and a Q2 node that controls the Q node and operates based on a start signal, a first clock signal, and a second clock signal; And
A light emitting signal including a node compensation circuit for controlling a potential between the Q node and the Q2 node and controlling the potential of the Q'node based on a third voltage different from at least one of the first voltage and the second voltage Generation circuit.
제1항에 있어서,
상기 노드 보상 회로부는
상기 제3전압을 기반으로 턴온 상태를 유지하는 발광신호 발생회로부.
According to claim 1,
The node compensation circuit unit
A light emitting signal generation circuit unit that maintains a turn-on state based on the third voltage.
제1항에 있어서,
상기 제3전압은
장치의 전원이 턴온과 동시에 로우전압을 유지하는 발광신호 발생회로부.
According to claim 1,
The third voltage
A light emitting signal generation circuit unit that maintains a low voltage at the same time that the power of the device is turned on.
제1항에 있어서,
상기 제2전압은
장치의 전원이 턴온되면 일시적으로 상기 제1전압과 같은 레벨을 가진 후 상기 제3전압과 같은 로우전압 레벨로 떨어지는 발광신호 발생회로부.
According to claim 1,
The second voltage
When the power of the device is turned on, the light emitting signal generation circuit unit temporarily has a level equal to the first voltage and then falls to a low voltage level equal to the third voltage.
제1항에 있어서,
상기 노드 제어 회로부는
상기 제2클록신호를 전달하는 제2클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 스타트신호를 전달하는 스타트신호라인에 제1전극이 연결되고 상기 Q2노드에 제2전극이 연결된 제1트랜지스터와,
상기 제1클록신호를 전달하는 제1클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제1트랜지스터의 제2전극과 상기 Q2노드에 제1전극이 연결된 제2트랜지스터와,
상기 제2트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 상기 제1전압을 전달하는 제1전압라인에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와,
상기 제2클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제2전압을 전달하는 제2전압라인에 제1전극이 연결되고 상기 제3트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제4트랜지스터와,
상기 Q2노드에 게이트전극이 연결되고 상기 QB노드에 제1전극이 연결되고 상기 제1전압라인에 제2전극이 연결된 제5트랜지스터와,
상기 Q'노드에 게이트전극이 연결되고 상기 제1클록신호라인에 제1전극이 연결된 제8트랜지스터와,
상기 제1클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제8트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 상기 제5트랜지스터의 제1전극과 상기 QB노드에 제2전극이 연결된 제9트랜지스터와,
상기 Q2노드에 게이트전극이 연결되고 상기 제2클록신호라인에 제1전극이 연결된 제10트랜지스터를 포함하는 발광신호 발생회로부.
According to claim 1,
The node control circuit part
A first transistor having a gate electrode connected to a second clock signal line transmitting the second clock signal, a first electrode connected to a start signal line transferring the start signal, and a second electrode connected to the Q2 node;
A second transistor having a gate electrode connected to a first clock signal line transmitting the first clock signal and a second electrode of the first transistor and a first electrode connected to the Q2 node;
A third transistor having a first electrode connected to a second electrode of the second transistor and a second electrode connected to a first voltage line transmitting the first voltage;
A fourth transistor having a gate electrode connected to the second clock signal line, a first electrode connected to a second voltage line transmitting the second voltage, and a second electrode connected to a gate electrode of the third transistor;
A fifth transistor having a gate electrode connected to the Q2 node, a first electrode connected to the QB node, and a second electrode connected to the first voltage line;
An eighth transistor having a gate electrode connected to the Q'node and a first electrode connected to the first clock signal line;
A ninth transistor having a gate electrode connected to the first clock signal line, a first electrode connected to a second electrode of the eighth transistor, a first electrode of the fifth transistor, and a second electrode connected to the QB node;
A light emitting signal generation circuit unit including a tenth transistor having a gate electrode connected to the Q2 node and a first electrode connected to the second clock signal line.
제5항에 있어서,
상기 제1신호 출력 회로부는
상기 QB노드에 게이트전극이 연결되고 발광신호를 출력하는 출력단자에 제1전극이 연결되고 상기 제1전압을 전달하는 제1전압라인에 제2전극이 연결된 제7트랜지스터를 포함하고,
상기 제2신호 출력 회로부는
상기 Q노드에 게이트전극이 연결되고 상기 제2전압을 전달하는 제2전압라인에 제1전극이 연결되고 상기 발광신호를 출력하는 출력단자에 제2전극이 연결된 제6트랜지스터를 포함하는 발광신호 발생회로부.
The method of claim 5,
The first signal output circuit unit
A seventh transistor having a gate electrode connected to the QB node, a first electrode connected to an output terminal outputting a light emission signal, and a second electrode connected to a first voltage line transmitting the first voltage,
The second signal output circuit unit
A light emission signal including a sixth transistor having a gate electrode connected to the Q node and a first electrode connected to a second voltage line transmitting the second voltage and a second electrode connected to an output terminal outputting the light emission signal is generated. Circuit part.
제5항에 있어서,
상기 노드 제어 회로부는
상기 Q노드에 일단이 연결되고 상기 제1클록신호라인에 타단이 연결된 제1커패시터와,
상기 QB노드에 일단이 연결되고 상기 제1전압라인에 타단이 연결된 제2커패시터와,
상기 Q'노드에 일단이 연결되고 상기 제8트랜지스터의 제2전극과 상기 제9트랜지스터의 제1전극 사이에 타단이 연결된 제3커패시터를 포함하는 발광신호 발생회로부.
The method of claim 5,
The node control circuit part
A first capacitor having one end connected to the Q node and the other end connected to the first clock signal line;
A second capacitor having one end connected to the QB node and the other end connected to the first voltage line,
And a third capacitor having one end connected to the Q'node and a second terminal connected between the second electrode of the eighth transistor and the first electrode of the ninth transistor.
제5항에 있어서,
상기 노드 보상 회로부는
상기 제3전압을 전달하는 제3전압라인에 게이트전극이 연결되고 상기 Q2노드에 제1전극이 연결되고 상기 Q노드에 제2전극이 연결된 제1보상 트랜지스터와,
상기 제3전압라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제4트랜지스터의 제2전극과 상기 제10트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 상기 Q'노드에 제2전극이 연결된 제2보상 트랜지스터를 포함하는 발광신호 발생회로부.
The method of claim 5,
The node compensation circuit unit
A first compensation transistor having a gate electrode connected to a third voltage line transferring the third voltage, a first electrode connected to the Q2 node, and a second electrode connected to the Q node;
A second compensation transistor having a gate electrode connected to the third voltage line, a first electrode connected to a second electrode of the fourth transistor and a second electrode of the ten transistor, and a second electrode connected to the Q'node. Light emitting signal generation circuit portion comprising.
영상을 표시하는 표시패널;
상기 표시패널에 스캔신호를 공급하는 스캔신호 발생회로부; 및
상기 표시패널에 발광신호를 공급하는 발광신호 발생회로부를 포함하고,
상기 발광신호 발생회로부는
QB노드의 전위에 대응하여 제1전압의 발광신호를 출력하는 제1신호 출력 회로부, Q노드의 전위에 대응하여 제2전압의 발광신호를 출력하는 제2신호 출력 회로부, 스타트신호, 제1클록신호 및 제2클록신호를 기반으로 동작하며 상기 QB노드를 제어하는 Q'노드와 상기 Q노드를 제어하는 Q2노드를 갖는 노드 제어 회로부 및 상기 제1전압 및 상기 제2전압 중 적어도 하나와 다른 제3전압을 기반으로 상기 Q노드와 상기 Q2노드 사이의 전위를 제어하고 상기 Q'노드의 전위를 제어하는 노드 보상 회로부를 포함하는 발광표시장치.
A display panel for displaying an image;
A scan signal generation circuit unit supplying a scan signal to the display panel; And
It includes a light emitting signal generating circuit for supplying a light emitting signal to the display panel,
The light emission signal generation circuit unit
A first signal output circuit section for outputting a first voltage emission signal corresponding to the potential of the QB node, and a second signal output circuit section for outputting a second voltage emission signal corresponding to the potential of the Q node, start signal, and first clock A node control circuit unit having a Q'node that controls the QB node and a Q2 node that controls the Q node, which is operated based on the signal and the second clock signal, and is different from at least one of the first voltage and the second voltage. And a node compensation circuit unit controlling a potential between the Q node and the Q2 node and controlling the potential of the Q'node based on 3 voltages.
제9항에 있어서,
상기 노드 보상 회로부는
상기 제3전압을 기반으로 턴온 상태를 유지하는 발광표시장치.
The method of claim 9,
The node compensation circuit unit
A light emitting display device that maintains a turn-on state based on the third voltage.
제9항에 있어서,
상기 제3전압은
장치의 전원이 턴온과 동시에 로우전압을 유지하는 발광표시장치.
The method of claim 9,
The third voltage
A light emitting display device that maintains a low voltage at the same time that the power of the device is turned on.
제9항에 있어서,
상기 제2전압은
장치의 전원이 턴온되면 일시적으로 상기 제1전압과 같은 레벨을 가진 후 상기 제3전압과 같은 로우전압 레벨로 떨어지는 발광표시장치.
The method of claim 9,
The second voltage
When the power of the device is turned on, the light emitting display device having a level equal to the first voltage and then falling to a low voltage level equal to the third voltage.
제12항에 있어서,
상기 제2전압은
상기 스캔신호 발생회로부와 상기 발광신호 발생회로부의 동작 개시를 위한 스타트신호가 발생한 후 상기 로우전압 레벨을 갖는 발광표시장치.
The method of claim 12,
The second voltage
A light emitting display device having the low voltage level after a start signal for starting operation of the scan signal generation circuit unit and the light emission signal generation circuit unit is generated.
제9항에 있어서,
상기 제3전압은
상기 표시패널의 화면이 턴온된 이후에도 로우전압을 유지하는 발광표시장치.
The method of claim 9,
The third voltage
A light emitting display device that maintains a low voltage even after the screen of the display panel is turned on.
제9항에 있어서,
상기 노드 제어 회로부는
상기 제2클록신호를 전달하는 제2클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 스타트신호를 전달하는 스타트신호라인에 제1전극이 연결되고 상기 Q2노드에 제2전극이 연결된 제1트랜지스터와,
상기 제1클록신호를 전달하는 제1클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제1트랜지스터의 제2전극과 상기 Q2노드에 제1전극이 연결된 제2트랜지스터와,
상기 제2트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 상기 제1전압을 전달하는 제1전압라인에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와,
상기 제2클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제2전압을 전달하는 제2전압라인에 제1전극이 연결되고 상기 제3트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제4트랜지스터와,
상기 Q2노드에 게이트전극이 연결되고 상기 QB노드에 제1전극이 연결되고 상기 제1전압라인에 제2전극이 연결된 제5트랜지스터와,
상기 Q'노드에 게이트전극이 연결되고 상기 제1클록신호라인에 제1전극이 연결된 제8트랜지스터와,
상기 제1클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제8트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 상기 제5트랜지스터의 제1전극과 상기 QB노드에 제2전극이 연결된 제9트랜지스터와,
상기 Q2노드에 게이트전극이 연결되고 상기 제2클록신호라인에 제1전극이 연결된 제10트랜지스터를 포함하는 발광표시장치.
The method of claim 9,
The node control circuit part
A first transistor having a gate electrode connected to a second clock signal line transmitting the second clock signal, a first electrode connected to a start signal line transferring the start signal, and a second electrode connected to the Q2 node;
A second transistor having a gate electrode connected to a first clock signal line transmitting the first clock signal and a second electrode of the first transistor and a first electrode connected to the Q2 node;
A third transistor having a first electrode connected to a second electrode of the second transistor and a second electrode connected to a first voltage line transmitting the first voltage;
A fourth transistor having a gate electrode connected to the second clock signal line, a first electrode connected to a second voltage line transmitting the second voltage, and a second electrode connected to a gate electrode of the third transistor;
A fifth transistor having a gate electrode connected to the Q2 node, a first electrode connected to the QB node, and a second electrode connected to the first voltage line;
An eighth transistor having a gate electrode connected to the Q'node and a first electrode connected to the first clock signal line;
A ninth transistor having a gate electrode connected to the first clock signal line, a first electrode connected to a second electrode of the eighth transistor, a first electrode of the fifth transistor, and a second electrode connected to the QB node;
And a tenth transistor having a gate electrode connected to the Q2 node and a first electrode connected to the second clock signal line.
제15항에 있어서,
상기 제1신호 출력 회로부는
상기 QB노드에 게이트전극이 연결되고 발광신호를 출력하는 출력단자에 제1전극이 연결되고 상기 제1전압을 전달하는 제1전압라인에 제2전극이 연결된 제7트랜지스터를 포함하고,
상기 제2신호 출력 회로부는
상기 Q노드에 게이트전극이 연결되고 상기 제2전압을 전달하는 제2전압라인에 제1전극이 연결되고 상기 발광신호를 출력하는 출력단자에 제2전극이 연결된 제6트랜지스터를 포함하는 발광표시장치.
The method of claim 15,
The first signal output circuit unit
A seventh transistor having a gate electrode connected to the QB node, a first electrode connected to an output terminal outputting a light emission signal, and a second electrode connected to a first voltage line transmitting the first voltage,
The second signal output circuit unit
A light emitting display device comprising a sixth transistor having a gate electrode connected to the Q node, a first electrode connected to a second voltage line transmitting the second voltage, and a second electrode connected to an output terminal outputting the light emission signal. .
제15항에 있어서,
상기 노드 보상 회로부는
상기 제3전압을 전달하는 제3전압라인에 게이트전극이 연결되고 상기 Q2노드에 제1전극이 연결되고 상기 Q노드에 제2전극이 연결된 제1보상 트랜지스터와,
상기 제3전압라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제4트랜지스터의 제2전극과 상기 제10트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 상기 Q'노드에 제2전극이 연결된 제2보상 트랜지스터를 포함하는 발광표시장치.
The method of claim 15,
The node compensation circuit unit
A first compensation transistor having a gate electrode connected to a third voltage line transferring the third voltage, a first electrode connected to the Q2 node, and a second electrode connected to the Q node;
A second compensation transistor having a gate electrode connected to the third voltage line, a first electrode connected to a second electrode of the fourth transistor and a second electrode of the ten transistor, and a second electrode connected to the Q'node. A light emitting display device comprising.
제15항에 있어서,
상기 발광신호 발생회로부는
리셋신호라인에 게이트전극이 연결되고 발광신호를 출력하는 출력단자에 제1전극이 연결되고 상기 제1전압라인에 제2전극이 연결된 리셋 트랜지스터를 포함하는 발광표시장치.
The method of claim 15,
The light emission signal generation circuit unit
A light emitting display device comprising a reset transistor having a gate electrode connected to a reset signal line, a first electrode connected to an output terminal outputting a light emission signal, and a second electrode connected to the first voltage line.
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