KR20200069805A - Display device - Google Patents

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KR20200069805A
KR20200069805A KR1020180157292A KR20180157292A KR20200069805A KR 20200069805 A KR20200069805 A KR 20200069805A KR 1020180157292 A KR1020180157292 A KR 1020180157292A KR 20180157292 A KR20180157292 A KR 20180157292A KR 20200069805 A KR20200069805 A KR 20200069805A
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Abstract

The present invention provides a display device capable of reducing power consumption. According to an embodiment of the present invention, the display device comprises: a substrate having a first sub-pixel and a second sub-pixel; a first light emission layer provided on the substrate to emit light of a first color; a second light emission layer provided on the first light emission layer to emit light of a second color; a first electrode provided between the substrate and the first light emission layer in the first sub-pixel; a second electrode provided between the first light emission layer and the second light emission layer in each of the first sub-pixel and the second sub-pixel; and a third electrode provided on the second light emission layer. The second electrode of the first sub-pixel is electrically connected to the third electrode.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 영상을 표시하는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device for displaying an image.

정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP, Plasma Display Panel), 유기발광 표시장치(OLED, Organic Light Emitting Display)와 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Accordingly, recently, various display devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting display (OLED) have been used.

최근에는 이와 같은 표시장치를 포함한 헤드 장착형 디스플레이(Head Mounted Display, HMD)가 개발되고 있다. 헤드 장착형 디스플레이(HMD)는 안경이나 헬멧 형태로 착용하여 사용자의 눈앞 가까운 거리에 초점이 형성되는 가상현실(Virtual Reality, VR) 또는 증강현실(Augmented Reality)의 안경형 모니터 장치이다.Recently, a head mounted display (HMD) including such a display device has been developed. A head-mounted display (HMD) is a virtual reality (VR) or augmented reality (Augmented Reality) eyeglass-type monitor device in which focus is formed at a distance close to the user's eyes by wearing glasses or a helmet.

이러한 헤드 장착형 디스플레이는 고해상도의 조밀한 화소 간격으로 인해 서브 화소 별로 상이한 색의 발광층을 정밀하게 패턴 형성하는데 어려움이 있다. 이를 해결하기 위하여, 헤드 장착형 디스플레이는 서로 상이한 색상의 광을 발광하는 복수의 스택들로 이루어진 백색 발광층을 공통층으로 형성하고, 서브 화소 별로 컬러필터를 배치하여 상이한 색을 구현할 수 있다. 이러한 경우, 헤드 장착형 디스플레이는 정밀한 마스크 제작이나 정밀한 마스크 얼라인 공정이 필요하지 않다는 장점이 있으나, 복수의 스택들로 인하여 전력이 많이 소비된다는 문제가 있다.Such a head-mounted display has difficulty in precisely patterning light emitting layers of different colors for each sub-pixel due to high-resolution and dense pixel spacing. To solve this, the head-mounted display may implement a different color by forming a white light-emitting layer composed of a plurality of stacks emitting light of different colors as a common layer, and arranging color filters for each sub-pixel. In this case, the head-mounted display has an advantage in that a precise mask fabrication process or a precise mask alignment process is not required, but there is a problem that power is consumed by a plurality of stacks.

본 발명은 소비 전력을 감소시킬 수 있는 표시장치를 제공한다.The present invention provides a display device capable of reducing power consumption.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소를 구비한 기판, 기판 상에 구비되어 제1 색의 광을 발광하는 제1 발광층, 제1 발광층 상에 구비되어 제2 색의 광을 발광하는 제2 발광층, 제1 서브 화소에서 기판과 제1 발광층 사이에 구비된 제1 전극, 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소 각각에서 제1 발광층과 제2 발광층 사이에 구비된 제2 전극, 및 제2 발광층 상에 구비된 제3 전극을 포함한다. 제1 서브 화소의 제2 전극은 제3 전극과 전기적으로 연결된다.A display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate having a first sub-pixel and a second sub-pixel, a first light-emitting layer provided on the substrate to emit light of a first color, and a first light-emitting layer provided on the substrate. A second emission layer that emits light of two colors, a first electrode provided between the substrate and the first emission layer in the first sub-pixel, and a first emission layer and a second emission layer in each of the first sub-pixel and the second sub-pixel, respectively. It includes a second electrode, and a third electrode provided on the second light emitting layer. The second electrode of the first sub-pixel is electrically connected to the third electrode.

본 발명에 따르면, 서브 화소들에 제1 발광층 및 제2 발광층을 마스크 없이 전면에 형성함으로써, 마스크를 이용하여 서브 화소 별로 상이한 발광층들을 패턴 형성함에 따른 문제점을 해결할 수 있다. 즉, 본 발명은 정밀한 마스크 제작이나 정밀한 마스크 얼라인 공정이 필요하지 않으며, 조밀한 화소 간격을 가지는 고해상도의 표시장치에도 적용이 가능하다.According to the present invention, by forming the first emission layer and the second emission layer on the entire surface of the sub-pixels without a mask, it is possible to solve the problem of forming different emission layers for each sub-pixel by using a mask. That is, the present invention does not require a precise mask fabrication or precise mask alignment process, and can be applied to a high-resolution display device having a dense pixel spacing.

또한, 본 발명은 제1 발광층 및 제2 발광층을 전면에 형성함에도 불구하고, 서브 화소들 각각에서 제1 발광층 및 제2 발광층 중 어느 하나만 발광시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제1 발광층 및 제2 발광층을 모두 발광시키는 것과 비교하여 전력 소비를 현저하게 줄일 수 있다.In addition, although the first light emitting layer and the second light emitting layer are formed on the entire surface of the present invention, only one of the first light emitting layer and the second light emitting layer can be emitted from each of the sub pixels. Accordingly, the present invention can significantly reduce power consumption as compared to emitting both the first light emitting layer and the second light emitting layer.

또한, 본 발명은 가림 패턴을 이용하여 제2 전극이 서브 화소들 사이에서 단절되고, 서브 화소들 각각의 제2 전극이 제1 전원 라인, 제2 전원 라인 및 제2 연결 전극 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 본 발명은 별도의 마스크를 제작할 필요가 없으며, 가림 패턴을 제1 전극과 동시에 형성함으로써 별도의 공정이 추가되지 않는다.In addition, according to the present invention, the second electrode is disconnected between the sub-pixels using the occlusion pattern, and the second electrode of each of the sub-pixels is connected to any one of the first power line, the second power line, and the second connection electrode. Can be. In the present invention, there is no need to manufacture a separate mask, and a separate process is not added by forming a masking pattern simultaneously with the first electrode.

또한, 본 발명은 일부 서브 화소에 제1 전극을 형성하지 않는다. 이에 따라, 본 발명은 제1 전극을 형성하지 않은 서브 화소에서 투과율을 향상시킬 수 있으며, 특히, 표시장치가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 발광층에서 발광한 광이 제1 전극을 통과하지 않아도 되므로, 광 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention does not form the first electrode in some sub-pixels. Accordingly, the present invention can improve the transmittance in the sub-pixel without the first electrode, and in particular, when the display device is made of the lower emission method, the light emitted from the emission layer does not have to pass through the first electrode. Light efficiency can be improved.

또한, 본 발명은 일부 서브 화소에 뱅크를 형성하지 않는다. 이에 따라, 본 발명은 뱅크를 형성하지 않은 서브 화소에서 큰 발광 면적을 가질 수 있고, 개구율을 극대화시킬 수 있다.Further, the present invention does not form banks in some sub-pixels. Accordingly, the present invention can have a large emission area in a sub-pixel without a bank, and maximize the aperture ratio.

본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects obtainable in the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description. .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 제1 기판, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 3의 II-II의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 6은 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 변형된 예를 보여주는 평면도이다.
도 8은 제3 서브 화소의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 4의 A 영역의 일 예를 보여주는 확대도이다.
도 10은 도 3의 III-III의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 3의 Ⅳ-Ⅳ의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 4의 변형된 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 4의 다른 변형된 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 패널의 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 15는 도 14의 Ⅴ-Ⅴ의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 16는 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 17은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 18a 내지 도 18j는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 19a내지 도 19c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다.
1 is a perspective view showing a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing the first substrate of FIG. 1, a source drive IC, a flexible film, a circuit board, and a timing control unit.
3 is a plan view schematically showing a first substrate according to a first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing an example of II of FIG. 3.
5 is a cross-sectional view showing an example of II-II of FIG. 3.
6 is a plan view schematically showing an example of a first sub-pixel and a second sub-pixel.
7 is a plan view showing a modified example of FIG. 6.
8 is a plan view schematically showing an example of a third sub-pixel.
9 is an enlarged view showing an example of area A of FIG. 4.
10 is a cross-sectional view showing an example of III-III of FIG. 3.
11 is a cross-sectional view showing an example of IV-IV of FIG. 3.
12 is a cross-sectional view showing a modified embodiment of FIG. 4.
13 is a cross-sectional view showing another modified embodiment of FIG. 4.
14 is a plan view schematically illustrating a first substrate of a display panel according to a second exemplary embodiment of the present invention.
15 is a cross-sectional view showing an example of V-V of FIG. 14.
16 is a plan view schematically showing an example of a first sub-pixel and a second sub-pixel.
17 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention.
18A to 18J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention.
19A to 19C relate to a display device according to another exemplary embodiment of the present invention, which relates to a head mounted display (HMD) device.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be clarified with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and have ordinary knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person of the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are exemplary, and the present invention is not limited to the illustrated matters. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification. In addition, in the description of the present invention, when it is determined that detailed descriptions of related known technologies may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, detailed descriptions thereof will be omitted.

본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. When'include','have','consist of' and the like mentioned in this specification are used, other parts may be added unless'~man' is used. When a component is expressed as a singular number, the plural number is included unless otherwise specified.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including the error range even if there is no explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of the description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as'~top','~upper','~bottom','~side', etc.,'right' Alternatively, one or more other parts may be located between the two parts unless'direct' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a time relationship, for example,'after','following','~after','~before', etc. When a temporal sequential relationship is described,'right' or'direct' It may also include cases that are not continuous unless it is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another component. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다. "X-axis direction", "Y-axis direction" and "Z-axis direction" should not be interpreted only as a geometric relationship in which the relationship between each other is vertical, and is wider within a range in which the configuration of the present invention can function functionally. It can mean having directionality.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. It should be understood that the term “at least one” includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item, and the third item" means 2 of the first item, the second item, or the third item, as well as the first item, the second item, and the third item, respectively. It can mean any combination of items that can be presented from more than one dog.

본 발명의 여러 실시 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each of the features of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving may be possible, and each of the embodiments may be independently implemented with respect to each other or may be implemented together in an association relationship. It might be.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다. 도 2는 도 1의 제1 기판, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.1 is a perspective view showing a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing the first substrate of FIG. 1, a source drive IC, a flexible film, a circuit board, and a timing control unit.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 표시패널(110), 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)(140), 연성필름(150), 회로보드(160), 및 타이밍 제어부(170)를 포함한다.1 and 2, the display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 110, a source drive integrated circuit (hereinafter referred to as “IC”) 140, and a flexible film 150, a circuit board 160, and a timing control unit 170.

표시패널(110)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 포함한다. 제2 기판(112)은 봉지 기판일 수 있다. 제1 기판(111)은 플라스틱 필름(plastic film), 유리 기판(glass substrate), 또는 반도체 공정을 이용하여 형성된 실리콘 웨이퍼 기판일 수 있다. 제2 기판(112)은 플라스틱 필름, 유리 기판, 또는 봉지 필름일 수 있다.The display panel 110 includes a first substrate 111 and a second substrate 112. The second substrate 112 may be an encapsulation substrate. The first substrate 111 may be a plastic film, a glass substrate, or a silicon wafer substrate formed using a semiconductor process. The second substrate 112 may be a plastic film, a glass substrate, or an encapsulation film.

제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 서브 화소들이 형성된다. 서브 화소들은 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의되는 영역에 마련된다.Gate lines, data lines, and sub-pixels are formed on one surface of the first substrate 111 facing the second substrate 112. The sub-pixels are provided in an area defined by an intersection structure of gate lines and data lines.

서브 화소들 각각은 박막 트랜지스터와 애노드 전극, 발광층, 및 캐소드 전극을 구비하는 발광소자를 포함할 수 있다. 서브 화소들 각각은 박막 트랜지스터를 이용하여 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 발광소자에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인하여 애노드 전극에 고전위 전압이 인가되고 캐소드 전극에 저전위 전압이 인가되면, 서브 화소들 각각의 발광층은 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다.Each of the sub-pixels may include a thin film transistor, a light emitting device having an anode electrode, a light emitting layer, and a cathode electrode. Each of the sub-pixels supplies a predetermined current to the light emitting device according to the data voltage of the data line when a gate signal is input from the gate line using a thin film transistor. Accordingly, when a high potential voltage is applied to the anode electrode and a low potential voltage is applied to the cathode electrode, each of the sub-pixels may emit light with a predetermined brightness according to a predetermined current.

표시패널(110)은 서브 화소들이 형성되어 화상을 표시하는 표시 영역(DA)과 화상을 표시하지 않는 비표시 영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(DA)에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 서브 화소들이 형성될 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 게이트 구동부 및 패드들이 형성될 수 있다.The display panel 110 may be divided into a display area DA displaying an image by forming sub-pixels and a non-display area NDA displaying an image. Gate lines, data lines, and sub-pixels may be formed in the display area DA. Gate drivers and pads may be formed in the non-display area NDA.

게이트 구동부는 타이밍 제어부(170)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인들에 게이트 신호들을 공급한다. 게이트 구동부는 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시 영역(DA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. 또는, 게이트 구동부는 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시영역(DA)에 부착될 수도 있다.The gate driver supplies gate signals to gate lines according to the gate control signal input from the timing controller 170. The gate driver may be formed in a non-display area DA on one side or both sides of the display area DA of the display panel 110 by a gate driver in panel (GIP) method. Alternatively, the gate driver is made of a driving chip, mounted on a flexible film, and attached to a non-display area DA on one side or both sides of the display area DA of the display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method. It might be.

소스 드라이브 IC(140)는 타이밍 제어부(170)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 소스 드라이브 IC(140)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(140)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(150)에 실장될 수 있다.The source drive IC 140 receives digital video data and a source control signal from the timing controller 170. The source drive IC 140 converts digital video data into analog data voltages according to the source control signal and supplies the data to the data lines. When the source drive IC 140 is manufactured as a driving chip, it may be mounted on the flexible film 150 in a chip on film (COF) or chip on plastic (COP) method.

표시패널(110)의 비표시 영역(NDA)에는 데이터 패드들과 같은 패드들이 형성될 수 있다. 연성필름(150)에는 패드들과 소스 드라이브 IC(140)를 연결하는 배선들, 패드들과 회로보드(160)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성필름(150)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 패드들과 연성필름(150)의 배선들이 연결될 수 있다.Pads such as data pads may be formed in the non-display area NDA of the display panel 110. Wires connecting the pads and the source drive IC 140 may be formed on the flexible film 150, and wirings connecting the pads and the wirings of the circuit board 160 may be formed. The flexible film 150 is attached on the pads using an anisotropic conducting film, and thereby the pads and wirings of the flexible film 150 can be connected.

회로보드(160)는 연성필름(150)들에 부착될 수 있다. 회로보드(160)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(160)에는 타이밍 제어부(170)가 실장될 수 있다. 회로보드(160)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.The circuit board 160 may be attached to the flexible films 150. The circuit board 160 may be mounted with a plurality of circuits implemented with driving chips. For example, the timing control unit 170 may be mounted on the circuit board 160. The circuit board 160 may be a printed circuit board or a flexible printed circuit board.

타이밍 제어부(170)는 회로보드(160)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력 받는다. 타이밍 제어부(170)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 IC(140)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(170)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 IC(140)들에 공급한다.The timing controller 170 receives digital video data and timing signals from an external system board through a cable of the circuit board 160. The timing controller 170 generates a gate control signal for controlling the operation timing of the gate driver and a source control signal for controlling the source drive ICs 140 based on the timing signal. The timing controller 170 supplies the gate control signal to the gate driver, and supplies the source control signal to the source drive ICs 140.

제1 실시예Example 1

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 패널의 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 4는 도 3의 I-I의 일 예를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 3의 II-II의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 6은 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 변형된 예를 보여주는 평면도이며, 도 8은 제3 서브 화소의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 9는 도 4의 A 영역의 일 예를 보여주는 확대도이다. 도 10은 도 3의 III-III의 일 예를 보여주는 단면도이고, 도 11은 도 3의 Ⅳ-Ⅳ의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 12는 도 4의 변형된 실시예를 보여주는 단면도이고, 도 13은 도 4의 다른 변형된 실시예를 보여주는 단면도이다.3 is a plan view schematically showing a first substrate of a display panel according to a first embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of II of FIG. 3, and FIG. 5 is a view of II-II of FIG. 3 It is a cross-sectional view showing an example. 6 is a plan view schematically showing an example of a first sub-pixel and a second sub-pixel, FIG. 7 is a plan view showing a modified example of FIG. 6, and FIG. 8 is a schematic view showing an example of a third sub-pixel It is a top view. 9 is an enlarged view showing an example of area A of FIG. 4. 10 is a cross-sectional view showing an example of III-III of FIG. 3, and FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of IV-IV of FIG. 3. FIG. 12 is a cross-sectional view showing a modified embodiment of FIG. 4, and FIG. 13 is a cross-sectional view showing another modified embodiment of FIG. 4.

도 3 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 패널(110)은 제1 기판(111), 차광층(210), 제1 절연막(220), 박막 트랜지스터(230), 제1 연결 전극(241, 242, 360), 제2 연결 전극(250), 제2 절연막(260), 평탄화막(270), 가림 패턴(281, 282, 283), 제1 전극(311, 312), 뱅크(315), 제1 발광층(321, 322, 323), 제2 전극(331, 332, 333), 제2 발광층(340), 및 제3 전극(350)을 포함한다.3 to 13, the display panel 110 according to the first exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 111, a light blocking layer 210, a first insulating layer 220, a thin film transistor 230, The first connection electrode 241, 242, 360, the second connection electrode 250, the second insulating film 260, the planarization film 270, the obscuring patterns 281, 282, 283, the first electrodes 311, 312 ), the bank 315, the first emission layers 321, 322, and 323, the second electrodes 331, 332, and 333, the second emission layer 340, and the third electrode 350.

제1 기판(111)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 제1 기판(111)은 투명한 재료로 이루어질 수도 있고 불투명한 재료로 이루어질 수도 있다.The first substrate 111 may be made of glass or plastic, but is not limited thereto, and may be made of a semiconductor material such as a silicon wafer. The first substrate 111 may be made of a transparent material or an opaque material.

제1 기판(111)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)으로 구분된다. 제1 기판(111)의 표시 영역(DA)에는 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2), 및 제3 서브 화소(P3)가 구비될 수 있다. 제1 서브 화소(P1)는 적색 광을 방출하고, 제2 서브 화소(P2)는 녹색 광을 방출하고, 제3 서브 화소(P3)는 청색 광을 방출하도록 구비될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 기판(111)의 표시 영역(DA)에는 백색(W)의 광을 발광하는 제4 서브 화소가 더 구비될 수 있다. 또한, 각각의 서브 화소(P1, P2, P3)의 배열 순서는 다양하게 변경될 수 있다.The first substrate 111 is divided into a display area DA and a non-display area NDA. A first sub-pixel P1, a second sub-pixel P2, and a third sub-pixel P3 may be provided in the display area DA of the first substrate 111. The first sub-pixel P1 emits red light, the second sub-pixel P2 emits green light, and the third sub-pixel P3 may be provided to emit blue light, but is not limited thereto. It is not. A fourth sub-pixel emitting light of white (W) may be further provided in the display area DA of the substrate 111. In addition, the arrangement order of each sub-pixel P1, P2, P3 may be variously changed.

본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 발광된 광이 하부쪽으로 방출되는 소위 하부 발광(bottom emission) 방식으로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 기판(111)은 투명한 재료가 이용될 수 있다. 한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치가 발광된 광이 상부쪽으로 방출되는 상부 발광(top emission) 방식으로 이루어지는 경우, 제1 기판(111)은 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수도 있다.The display device according to the first exemplary embodiment of the present invention may be formed in a so-called bottom emission method in which emitted light is emitted downward, but is not limited thereto. When the display device according to the first embodiment of the present invention is made of a lower emission method, a transparent material may be used for the first substrate 111. On the other hand, when the display device according to the first embodiment of the present invention is made of a top emission method in which emitted light is emitted upward, the first substrate 111 may be made of an opaque material as well as a transparent material. It might be.

제1 기판(111) 상에는 각종 신호 라인들, 박막 트랜지스터(230), 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 구비된다. 신호 라인들은 게이트 라인, 데이터 라인, 전원 라인, 및 기준 라인을 포함하여 이루어질 수 있다.On the first substrate 111, circuit elements including various signal lines, a thin film transistor 230, and a capacitor are provided for each sub-pixel P1, P2, and P3. The signal lines may include gate lines, data lines, power lines, and reference lines.

박막 트랜지스터(230)는 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 구비된다. 제1 서브 화소(P1)에 하나의 제1 박막 트랜지스터(232)이 구비되고, 제2 서브 화소(P2)에 다른 하나의 제2 박막 트랜지스터(234)이 구비되고, 제3 서브 화소(P3)에 또 다른 하나의 제3 박막 트랜지스터가 구비될 수 있다.The thin film transistor 230 is provided for each of the sub-pixels P1, P2, and P3. One first thin film transistor 232 is provided in the first sub-pixel P1, the second second thin film transistor 234 is provided in the second sub-pixel P2, and the third sub-pixel P3 is provided. Another third thin film transistor may be provided.

박막 트랜지스터(230)는 게이트 라인에 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 제1 전극(311, 312)에 소정의 전압을 공급한다. 이러한 박막 트랜지스터(230)는 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.When the gate signal is input to the gate line, the thin film transistor 230 supplies a predetermined voltage to the first electrodes 311 and 312 according to the data voltage of the data line. The thin film transistor 230 includes an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode.

제1 기판(111) 상에는 액티브층이 형성된다. 액티브층은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 제1 기판(111)과 액티브층 사이에는 도 4에 도시된 바와 같이 액티브층으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층(210)이 형성될 수 있다. 차광층(210)이 금속 물질로 형성되는 경우, 액티브층과 차광층(210) 사이에 제1 절연막(220)이 형성될 수 있다.An active layer is formed on the first substrate 111. The active layer may be formed of a silicon-based semiconductor material or an oxide-based semiconductor material. A light blocking layer 210 for blocking external light incident on the active layer may be formed between the first substrate 111 and the active layer as illustrated in FIG. 4. When the light blocking layer 210 is formed of a metal material, the first insulating layer 220 may be formed between the active layer and the light blocking layer 210.

액티브층 상에는 게이트 절연막이 형성될 수 있다. 게이트 절연막은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.A gate insulating film may be formed on the active layer. The gate insulating film may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple films thereof.

게이트 절연막 상에는 게이트 전극이 형성될 수 있다. 게이트 전극은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.A gate electrode may be formed on the gate insulating layer. The gate electrode may be any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu), or alloys thereof. It may be made of a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

게이트 전극 상에는 층간 절연막이 형성될 수 있다. 층간 절연막은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.An interlayer insulating film may be formed on the gate electrode. The interlayer insulating film may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple films thereof.

층간 절연막 상에는 소스 전극과 드레인 전극이 형성될 수 있다. 소스 전극과 드레인 전극 각각은 게이트 절연막과 층간 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층에 접속될 수 있다. 소스 전극과 드레인 전극 각각은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.A source electrode and a drain electrode may be formed on the interlayer insulating film. Each of the source electrode and the drain electrode may be connected to the active layer through a contact hole passing through the gate insulating layer and the interlayer insulating layer. Each of the source electrode and the drain electrode is one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu), or It may be a single layer or multiple layers made of these alloys, but is not limited thereto.

제1 연결 전극(241, 242, 360) 및 제2 연결 전극(250)은 제1 기판(111) 상에 형성된다.The first connection electrodes 241, 242 and 360 and the second connection electrodes 250 are formed on the first substrate 111.

제1 연결 전극(241, 242, 360)은 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 각각의 제2 전극(331, 332)과 제3 전극(350)을 전기적으로 연결한다. 보다 구체적으로, 제1 연결 전극(241, 242, 360)은 제1 전원 라인(241), 제2 전원 라인(242) 및 보조 전원 라인(360)을 포함할 수 있다.The first connection electrodes 241, 242, and 360 electrically connect the second electrodes 331, 332 and the third electrode 350 of the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2, respectively. More specifically, the first connection electrodes 241, 242, and 360 may include a first power line 241, a second power line 242, and an auxiliary power line 360.

보조 전원 라인(360)은 비표시 영역(NDA)에서 제1 방향(X축 방향)으로 연장 형성된다. 보조 전원 라인(360)은 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이 일부가 제1 절연막(220), 제2 절연막(260), 평탄화막(270)에 의하여 덮이지 않고 노출되고, 노출된 영역에서 제3 전극(350)과 접속할 수 있다.The auxiliary power line 360 is formed to extend in the first direction (X-axis direction) in the non-display area NDA. The auxiliary power line 360 is partially exposed without being covered by the first insulating layer 220, the second insulating layer 260, and the planarization layer 270, as shown in FIGS. 10 and 11, and in the exposed region The third electrode 350 can be connected.

이러한 보조 전원 라인(360)은 차광층(210)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 보조 전원 라인(360)은 박막 트랜지스터(230)의 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수도 있다.The auxiliary power line 360 may be formed of the same material in the same layer as the light blocking layer 210, but is not limited thereto. The auxiliary power line 360 may be formed of the same material in the same layer as any one of the active layer, gate electrode, source electrode, and drain electrode of the thin film transistor 230.

제1 전원 라인(241)은 표시 영역(DA)에서 제1 서브 화소(P1)의 일 측에 배치되어, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)과 접속한다. 도 4 내지 도 7에서는 제1 전원 라인(241)이 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제1 전원 라인(241)은 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 배치될 수도 있다.The first power line 241 is disposed on one side of the first sub-pixel P1 in the display area DA, and is connected to the second electrode 331 of the first sub-pixel P1. 4 to 7, the first power line 241 is illustrated as being disposed between the first sub-pixel P1 and the third sub-pixel P3, but is not limited thereto. The first power line 241 may be disposed between the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2.

제1 전원 라인(241)은 표시 영역(DA)에서 제2 방향(Y축 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 복수의 제1 서브 화소(P1)들은 제1 전원 라인(241)과 나란하게 제2 방향을 따라 배치될 수 있다. 이러한 경우, 제1 전원 라인(241)은 나란하게 배치된 복수의 제1 서브 화소(P1)들 모두의 제2 전극(331)과 접속하거나, 복수의 제1 서브 화소(P1)들 중 일부의 제2 전극(331)과 접속할 수 있다.The first power line 241 may extend in the second direction (Y-axis direction) in the display area DA. The plurality of first sub-pixels P1 may be arranged along the second direction in parallel with the first power line 241. In this case, the first power line 241 is connected to the second electrode 331 of all of the plurality of first sub-pixels P1 arranged side by side, or some of the plurality of first sub-pixels P1. The second electrode 331 can be connected.

한편, 복수의 제1 서브 화소(P1)들은 제2 방향을 따라 복수의 제2 서브 화소(P2)들과 교대로 배치될 수도 있다. 이러한 경우, 제1 전원 라인(241)은 복수의 제1 서브 화소(P1)들 모두의 제2 전극(331)과 접속하거나, 복수의 제1 서브 화소(P1)들 중 일부의 제2 전극(331)과 접속할 수 있다. 또는 제1 전원 라인(241)은 복수의 제1 서브 화소(P1)들 및 복수의 제2 화소(P2)들 모두의 제2 전극(331, 332)과 접속하거나, 복수의 제1 서브 화소(P1)들 및 복수의 제2 화소(P2)들 중 일부의 제2 전극(331, 332)과 접속할 수 있다.Meanwhile, the plurality of first sub-pixels P1 may be alternately arranged with the plurality of second sub-pixels P2 along the second direction. In this case, the first power line 241 is connected to the second electrode 331 of all of the plurality of first sub-pixels P1, or the second electrode of some of the plurality of first sub-pixels P1 ( 331). Alternatively, the first power line 241 is connected to the second electrodes 331 and 332 of both the plurality of first sub-pixels P1 and the plurality of second pixels P2, or the plurality of first sub-pixels ( The second electrodes 331 and 332 of P1) and some of the plurality of second pixels P2 may be connected.

제1 전원 라인(241)은 일단이 보조 전원 라인(360)에 접속된다. 제1 전원 라인(241)은 도 10에 도시된 바와 같이 콘택홀을 통해 보조 전원 라인(360)에 접속될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다.One end of the first power line 241 is connected to the auxiliary power line 360. The first power line 241 may be connected to the auxiliary power line 360 through a contact hole as illustrated in FIG. 10, but is not limited thereto.

이러한 제1 전원 라인(241)은 제1 박막 트랜지스터(232)의 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.The first power line 241 may be formed of the same material in the same layer as any one of the active layer, gate electrode, source electrode, and drain electrode of the first thin film transistor 232.

상술한 바에 따라, 제1 서브 화소(P1)는 제1 전원 라인(241) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(331)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결된다. 즉, 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가된다.As described above, in the first sub-pixel P1, the second electrode 331 and the third electrode 350 are electrically connected through the first power line 241 and the auxiliary power line 360. That is, when a low potential voltage is applied to the third electrode 350, the second electrode 331 of the first sub-pixel P1 is applied with the same low potential voltage as the third electrode 350.

제2 전원 라인(242)은 표시 영역(DA)에서 제2 서브 화소(P2)의 일 측에 배치되어, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)과 접속한다. 도 4 내지 도 7에서는 제2 전원 라인(242)이 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 배치되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 전원 라인(242)은 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치될 수도 있다.The second power line 242 is disposed on one side of the second sub-pixel P2 in the display area DA, and is connected to the second electrode 332 of the second sub-pixel P2. 4 to 7, the second power line 242 is illustrated as being disposed between the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2, but is not limited thereto. The second power line 242 may be disposed between the second sub-pixel P2 and the third sub-pixel P3.

제2 전원 라인(242)은 표시 영역(DA)에 배치되고, 제2 방향(Y축 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 복수의 제2 서브 화소(P2)들은 제2 전원 라인(242)과 나란하게 제2 방향을 따라 배치될 수 있다. 이러한 경우, 제2 전원 라인(242)은 나란하게 배치된 복수의 제2 서브 화소(P2)들 모두의 제2 전극(332)과 접속하거나, 복수의 제2 서브 화소(P2)들 중 일부의 제2 전극(332)과 접속할 수 있다.The second power line 242 is disposed in the display area DA and may be formed to extend in the second direction (Y-axis direction). The plurality of second sub-pixels P2 may be arranged along the second direction in parallel with the second power line 242. In this case, the second power line 242 is connected to the second electrode 332 of all of the plurality of second sub-pixels P2 arranged side by side, or some of the plurality of second sub-pixels P2 It can be connected to the second electrode 332.

한편, 복수의 제2 서브 화소(P2)들은 제2 방향을 따라 복수의 제1 서브 화소(P1)들과 교대로 배치될 수도 있다. 이러한 경우, 제2 전원 라인(242)은 복수의 제2 서브 화소(P2)들 모두의 제2 전극(332)과 접속하거나, 복수의 제2 서브 화소(P2)들 중 일부의 제2 전극(332)과 접속할 수 있다. 또는 제2 전원 라인(242)은 복수의 제1 서브 화소(P1)들 및 복수의 제2 화소(P2)들 모두의 제2 전극(331, 332)과 접속하거나, 복수의 제1 서브 화소(P1)들 및 복수의 제2 화소(P2)들 중 일부의 제2 전극(331, 332)과 접속할 수 있다Meanwhile, the plurality of second sub-pixels P2 may be alternately arranged with the plurality of first sub-pixels P1 along the second direction. In this case, the second power line 242 is connected to the second electrode 332 of all of the plurality of second sub-pixels P2, or the second electrode of some of the plurality of second sub-pixels P2 ( 332). Alternatively, the second power line 242 is connected to the second electrodes 331 and 332 of both the plurality of first sub-pixels P1 and the plurality of second pixels P2, or the plurality of first sub-pixels ( The second electrodes 331 and 332 of P1) and some of the plurality of second pixels P2 may be connected.

제2 전원 라인(242)은 일단이 보조 전원 라인(360)에 접속된다. 제2 전원 라인(242)은 도 11에 도시된 바와 같이 콘택홀을 통해 보조 전원 라인(360)에 접속될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다.One end of the second power line 242 is connected to the auxiliary power line 360. The second power line 242 may be connected to the auxiliary power line 360 through a contact hole as illustrated in FIG. 11, but is not limited thereto.

이러한 제2 전원 라인(242)은 제2 박막 트랜지스터(234)의 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.The second power line 242 may be formed of the same material in the same layer as any one of the active layer, gate electrode, source electrode, and drain electrode of the second thin film transistor 234.

상술한 바에 따라, 제2 서브 화소(P2)는 제2 전원 라인(242) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(332)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결된다. 즉, 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가된다.As described above, the second sub-pixel P2 is electrically connected to the second electrode 332 and the third electrode 350 through the second power line 242 and the auxiliary power line 360. That is, when a low potential voltage is applied to the third electrode 350, the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 is applied with the same low potential voltage as the third electrode 350.

제2 연결 전극(250)은 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)에 전기적으로 연결된다.The second connection electrode 250 is electrically connected to the second electrode 333 of the third sub-pixel P3.

제2 연결 전극(250)은 표시 영역(DA)에서 제3 서브 화소(P3)의 일 측에 배치되어, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)과 접속한다.The second connection electrode 250 is disposed on one side of the third sub-pixel P3 in the display area DA, and is connected to the second electrode 333 of the third sub-pixel P3.

도 4, 도 5, 도 8에서는 제2 연결 전극(250)이 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 연결 전극(250)은 제3 서브 화소(P3)와 제1 서브 화소(P1) 사이에 배치될 수도 있다.4, 5, and 8, the second connection electrode 250 is illustrated as being disposed between the second sub-pixel P2 and the third sub-pixel P3, but is not limited thereto. The second connection electrode 250 may be disposed between the third sub-pixel P3 and the first sub-pixel P1.

제2 연결 전극(250)은 복수의 제3 서브 화소(P3)들 각각에 대응되도록 패턴 형성될 수 있다. 이때, 복수의 제3 서브 화소(P3)들 각각에 대응되도록 형성된 제2 연결 전극(250)들은 서로 전기적으로 연결되지 않도록 도 3에 도시된 바와 같이 이격 배치된다. 하나의 제3 서브 화소(P3)는 하나의 제2 연결 전극(251)과 연결될 수 있고, 다른 하나의 제3 서브 화소(P3)는 다른 하나의 제2 연결 전극(252)과 연결될 수 있다. 이때, 하나의 제2 연결 전극(251) 및 다른 하나의 제2 연결 전극(252)은 패턴 형성되고, 서로 전기적으로 연결되지 않도록 이격 배치될 수 있다.The second connection electrode 250 may be patterned to correspond to each of the plurality of third sub-pixels P3. At this time, the second connection electrodes 250 formed to correspond to each of the plurality of third sub-pixels P3 are spaced apart as illustrated in FIG. 3 so as not to be electrically connected to each other. One third sub-pixel P3 may be connected to one second connection electrode 251, and the other third sub-pixel P3 may be connected to another second connection electrode 252. In this case, one second connection electrode 251 and the other second connection electrode 252 may be patterned and spaced apart so as not to be electrically connected to each other.

이러한 제2 연결 전극(250)은 제3 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나일 수 있다.The second connection electrode 250 may be any one of a source electrode and a drain electrode of the third thin film transistor.

제2 절연막(260)은 제1 및 제2 박막 트랜지스터(232, 234), 제1 연결 전극(241, 242, 360) 및 제2 연결 전극(250) 상에 형성된다. 제2 절연막(260)은 제1 및 제2 박막 트랜지스터(232, 234)를 덮어 보호하는 동시에 제1 연결 전극(241, 242, 360) 및 제2 연결 전극(250)의 일부를 노출시킨다.The second insulating layer 260 is formed on the first and second thin film transistors 232 and 234, the first connecting electrodes 241, 242 and 360 and the second connecting electrode 250. The second insulating layer 260 covers and protects the first and second thin film transistors 232 and 234 while exposing a portion of the first connecting electrodes 241, 242 and 360 and the second connecting electrode 250.

보다 구체적으로, 제2 절연막(260)은 제1 연결 전극(241, 242, 360) 및 제2 연결 전극(250)의 일부를 노출시키는 개구 영역(OA1, OA2, OA3, OA4)들을 포함한다.More specifically, the second insulating layer 260 includes opening regions OA1, OA2, OA3, and OA4 exposing portions of the first connection electrodes 241, 242, and 360.

제2 절연막(260)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 제1 전원 라인(241)의 일부를 노출시키는 제1 개구 영역(OA1)를 포함할 수 있다. 제1 개구 영역(OA1)는 제1 전원 라인(241)을 따라 형성될 수 있다. 이때, 제1 개구 영역(OA1)는 하나의 제1 전원 라인(241) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 소정의 길이를 가진 하나 또는 복수개의 패턴으로 형성될 수 있다.The second insulating layer 260 may include a first opening region OA1 exposing a portion of the first power line 241 as illustrated in FIGS. 4 and 5. The first opening area OA1 may be formed along the first power line 241. At this time, the first opening area OA1 may be formed in one or a plurality of patterns having a predetermined length in the second direction (Y-axis direction) on one first power line 241.

또한, 제2 절연막(260)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 제2 전원 라인(242)의 일부를 노출시키는 제2 개구 영역(OA2)를 포함할 수 있다. 제2 개구 영역(OA2)는 제2 전원 라인(242)을 따라 형성될 수 있다. 이때, 제2 개구 영역(OA2)는 하나의 제2 전원 라인(242) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 소정의 길이를 가진 하나 또는 복수개의 패턴으로 형성될 수 있다.In addition, the second insulating layer 260 may include a second opening area OA2 exposing a portion of the second power line 242 as illustrated in FIGS. 4 and 5. The second opening area OA2 may be formed along the second power line 242. At this time, the second opening area OA2 may be formed in one or a plurality of patterns having a predetermined length in a second direction (Y-axis direction) on one second power line 242.

또한, 제2 절연막(260)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 제2 연결 전극(250)의 일부를 노출시키는 제3 개구 영역(OA3)를 포함할 수 있다. 제3 개구 영역(OA3)는 제3 서브 화소(P3)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제3 개구 영역(OA3)은 제2 연결 전극(250)이 형성된 영역에서 제2 연결 전극(250)의 일부를 노출시키고, 제2 연결 전극(250)이 형성되지 않은 영역에서 제1 절연막(220)을 노출시킨다.Also, the second insulating layer 260 may include a third opening region OA3 exposing a portion of the second connection electrode 250 as illustrated in FIGS. 4 and 5. The third opening area OA3 may be formed to surround the third sub-pixel P3. Accordingly, the third opening region OA3 exposes a portion of the second connection electrode 250 in the region where the second connection electrode 250 is formed, and the first in the region where the second connection electrode 250 is not formed. The insulating film 220 is exposed.

또한, 제2 절연막(260)은 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이 보조 전원 라인(360)의 일부를 노출시키는 제4 개구 영역(OA4)를 포함할 수 있다. 보조 전원 라인(360)은 제1 절연막(220)에 의하여 일부가 노출되어 있으며, 제4 개구 영역(OA4)는 노출된 보조 전원 라인(360) 상에 형성될 수 있다.In addition, the second insulating layer 260 may include a fourth opening area OA4 exposing a portion of the auxiliary power line 360 as illustrated in FIGS. 10 and 11. The auxiliary power line 360 is partially exposed by the first insulating layer 220, and the fourth opening area OA4 may be formed on the exposed auxiliary power line 360.

이러한 제2 절연막(260)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.The second insulating film 260 may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple films thereof.

평탄화막(270)은 제2 절연막(260) 상에 형성되어 박막 트랜지스터(230)로 인한 단차를 평탄화시킨다. 이때, 평탄화막(270)은 제2 절연막(260)의 개구 영역(OA1, OA2, OA3, OA4)들에 형성되지 않는다. 이에 따라, 제1 연결 전극(241, 242, 360) 및 제2 연결 전극(250)의 일부가 여전히 노출될 수 있다.The planarization layer 270 is formed on the second insulating layer 260 to planarize the step due to the thin film transistor 230. At this time, the planarization film 270 is not formed in the opening regions OA1, OA2, OA3, and OA4 of the second insulating film 260. Accordingly, a portion of the first connection electrodes 241, 242 and 360 and the second connection electrodes 250 may still be exposed.

평탄화막(270)은 제2 절연막(260) 보다 작은 형성 면적을 가질 수 있다. 이에 따라, 평탄화막(270)은 제2 절연막(260)의 일부를 노출시킬 수 있다. 이때, 제2 절연막(260)은 개구 영역(OA1, OA2, OA3, OA4)들과 인접한 영역에서 평탄화막(270)에 의하여 덮이지 않고 노출될 수 있다.The planarization layer 270 may have a smaller formation area than the second insulating layer 260. Accordingly, the planarization layer 270 may expose a portion of the second insulating layer 260. At this time, the second insulating layer 260 may be exposed without being covered by the planarization layer 270 in an area adjacent to the opening regions OA1, OA2, OA3, and OA4.

이러한 평탄화막(270)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.The planarization film 270 may be formed of an organic film such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin. Can be.

제1 전극(311, 312)은 평탄화막(270) 상에서 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 각각에 패턴 형성된다. 제1 서브 화소(P1)에 하나의 제1 전극(311)이 형성되고, 제2 서브 화소(P2)에 다른 하나의 제1 전극(312)이 형성된다.The first electrodes 311 and 312 are patterned on each of the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 on the planarization layer 270. One first electrode 311 is formed in the first sub-pixel P1, and another first electrode 312 is formed in the second sub-pixel P2.

본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)에 제1 전극(311, 312)을 형성하지 않는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)에서 투과율을 향상시킬 수 있다. 특히, 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제3 서브 화소(P3)는 제2 발광층(340)에서 발광한 광이 제1 전극(311, 312)을 통과하지 않아도 되므로, 광 효율을 향상시킬 수 있다.The display device 100 according to the first embodiment of the present invention is characterized in that the first electrodes 311 and 312 are not formed in the third sub-pixel P3. Accordingly, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention can improve transmittance in the third sub-pixel P3. Particularly, when the display device 100 is made of a lower emission method, since the light emitted from the second emission layer 340 does not need to pass through the first electrodes 311 and 312 in the third sub-pixel P3, the light efficiency is improved. Improve it.

제1 전극(311, 312)은 제2 절연막(260)과 평탄화막(270)을 관통하는 콘택홀(CH1, CH2)을 통해 제1 및 제2 박막 트랜지스터(232, 234) 각각의 소스 전극 또는 드레인 전극에 접속된다. 제1 서브 화소(P1)의 제1 전극(311)은 콘택홀(CH1)을 통해 제1 박막 트랜지스터(232)의 소스 전극 또는 드레인 전극에 접속되어, 제1 고전위 전압이 인가된다. 제2 서브 화소(P2)의 제1 전극(312)은 콘택홀(CH2)을 통해 제2 박막 트랜지스터(234)의 소스 전극 또는 드레인 전극에 접속되어, 제2 고전위 전압이 인가된다.The first electrodes 311 and 312 may be source electrodes of the first and second thin film transistors 232 and 234 through the contact holes CH1 and CH2 passing through the second insulating layer 260 and the planarization layer 270, or It is connected to the drain electrode. The first electrode 311 of the first sub-pixel P1 is connected to the source electrode or the drain electrode of the first thin film transistor 232 through the contact hole CH1, and a first high potential voltage is applied. The first electrode 312 of the second sub-pixel P2 is connected to the source electrode or the drain electrode of the second thin film transistor 234 through the contact hole CH2, and a second high potential voltage is applied.

제1 전극(311, 312)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 전극(311, 312)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 표시장치(100)가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 전극(311, 312)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다. 이러한 제1 전극(311, 312)은 애노드 전극일 수 있다.The first electrodes 311 and 312 may be made of a transparent metal material, a semi-transmissive metal material, or a metal material having high reflectance. When the display device 100 is made of a lower emission method, the first electrodes 311 and 312 are transparent metal materials such as ITO and IZO that can transmit light (TCO, Transparent Conductive Material), or magnesium (Mg), It may be formed of a semi-transmissive conductive material such as silver (Ag) or an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag). When the display device 100 is made of an upper emission method, the first electrodes 311 and 312 are a stacked structure of aluminum and titanium (Ti/Al/Ti), a stacked structure of aluminum and ITO (ITO/Al/ITO), Ag alloy, and Ag alloy and ITO laminated structure (ITO / Ag alloy / ITO) can be formed of a high reflectivity metal material. The Ag alloy may be an alloy such as silver (Ag), palladium (Pd), and copper (Cu). The first electrodes 311 and 312 may be anode electrodes.

가림 패턴(281, 282, 283)은 제2 절연막(260) 상에서 제2 절연막(260)의 개구 영역(OA1, OA2, OA3)들의 일부를 가리도록 형성된다. 가림 패턴(281, 282, 283)은 제1 가림 패턴(281), 제2 가림 패턴(282) 및 제3 가림 패턴(283)을 포함한다.The obstruction patterns 281, 282, and 283 are formed to cover a part of the opening regions OA1, OA2, and OA3 of the second insulating layer 260 on the second insulating layer 260. The occlusion patterns 281, 282, and 283 include a first occlusion pattern 281, a second occlusion pattern 282, and a third occlusion pattern 283.

제1 가림 패턴(281)은 평탄화막(270)에 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260) 상에 형성되고, 제1 전원 라인(241)의 일부를 노출시키는 제1 개구 영역(OA1)의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부(281a)를 포함한다. 이때, 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a)는 제1 전원 라인(241)과 이격되어, 제1 전원 라인(241)과의 사이에 공간을 형성한다.The first obstruction pattern 281 is formed on the second insulating layer 260 exposed without being covered by the planarization layer 270, and the first opening region OA1 exposing a portion of the first power line 241 is exposed. It includes a protrusion 281a protruding to cover a part. At this time, the protrusion 281a of the first obstruction pattern 281 is spaced apart from the first power line 241 to form a space between the first power line 241.

제1 가림 패턴(281)은 제1 개구 영역(OA1)를 사이에 두고 제1 서브 화소(P1)와 인접하게 배치된 서브 화소에 가깝게 형성된다. 제1 전원 라인(241)을 노출시키는 제1 개구 영역(OA1)는 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The first occlusion pattern 281 is formed close to the sub-pixel disposed adjacent to the first sub-pixel P1 with the first opening area OA1 therebetween. The first opening area OA1 exposing the first power line 241 may be disposed between the first sub-pixel P1 and the third sub-pixel P3, but is not limited thereto.

제2 절연막(260)의 제1 개구 영역(OA1)이 제3 서브 화소(P3)와 제1 서브 화소(P1) 사이에 배치되는 경우, 제1 가림 패턴(281)은 돌출부(281a)가 제3 서브 화소(P3)에서 제1 개구 영역(OA1)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 제1 개구 영역(OA1) 중 제3 서브 화소(P3)에 인접한 일부 영역이 제1 가림 패턴(281)에 의하여 가려지고, 제1 전원 라인(241) 역시 제1 가림 패턴(281)에 의하여 가려진다. 제1 개구 영역(OA1) 중 제1 서브 화소(P1)에 인접한 나머지 영역은 여전히 제1 전원 라인(241)을 노출시킨다.When the first opening region OA1 of the second insulating layer 260 is disposed between the third sub-pixel P3 and the first sub-pixel P1, the first obstruction pattern 281 has a protrusion 281a. The third sub-pixel P3 may protrude in a direction toward the first opening area OA1. Accordingly, a portion of the first opening area OA1 adjacent to the third sub-pixel P3 is covered by the first blocking pattern 281, and the first power line 241 is also the first blocking pattern 281. It is covered. The remaining area of the first opening area OA1 adjacent to the first sub-pixel P1 still exposes the first power line 241.

제1 가림 패턴(281)은 제1 개구 영역(OA1)과 마찬가지로 제1 전원 라인(241)을 따라 형성될 수 있다. 이때, 제1 가림 패턴(281)은 도 6에 도시된 바와 같이 하나의 제1 전원 라인(241) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 소정의 길이를 가진 복수개의 패턴으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제1 가림 패턴(281)은 도 7에 도시된 바와 같이 하나의 제1 전원 라인(241) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 연장된 하나의 라인 패턴으로 형성될 수도 있다.The first obstruction pattern 281 may be formed along the first power line 241 like the first opening area OA1. At this time, the first cover pattern 281 may be formed of a plurality of patterns having a predetermined length in the second direction (Y-axis direction) on one first power line 241, as shown in FIG. 6, It is not necessarily limited to this. The first obstruction pattern 281 may be formed as one line pattern extending in the second direction (Y-axis direction) on one first power supply line 241 as illustrated in FIG. 7.

한편, 제1 가림 패턴(281)은 제1 전극(311, 312)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.Meanwhile, the first covering pattern 281 may be formed of the same material in the same layer as the first electrodes 311 and 312, but is not limited thereto.

제1 가림 패턴(281)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 제1 전극(311, 312)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 이때, 제1 가림 패턴(281)은 제1 전극(311, 312)과 이격 형성될 수 있다.The first obstruction pattern 281 may be formed of the same material in the same layer as the first electrodes 311 and 312 as illustrated in FIGS. 4 and 5. In this case, the first obstruction pattern 281 may be formed to be spaced apart from the first electrodes 311 and 312.

이와 같은 경우, 표시장치는 제1 가림 패턴(281)을 제1 전극(311, 312)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성함으로써, 별도의 공정을 추가하지 않고 제1 가림 패턴(281)이 형성된다.In this case, the display device is formed of the same material in the same layer as the first electrodes 311 and 312 by forming the first cover pattern 281, so that the first cover pattern 281 is formed without adding a separate process. .

그러나 반드시 이에 한정되지 않으며, 제1 가림 패턴(281)은 제1 전극(311, 312)과 다른 층에 형성될 수도 있다. 제1 가림 패턴(281)은 제2 절연막(260)과 평탄화막(270) 사이에 형성될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the first obstruction pattern 281 may be formed on a different layer from the first electrodes 311 and 312. The first obstruction pattern 281 may be formed between the second insulating layer 260 and the planarization layer 270.

제2 가림 패턴(282)은 평탄화막(270)에 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260) 상에 형성되고, 제2 전원 라인(242)의 일부를 노출시키는 제2 개구 영역(OA2)의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부(282a)를 포함한다. 이때, 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)는 제2 전원 라인(242)과 이격되어, 제2 전원 라인(242)과의 사이에 공간을 형성한다.The second obstruction pattern 282 is formed on the exposed second insulating layer 260 without being covered by the planarization layer 270, and the second opening pattern OA2 exposes a portion of the second power line 242. It includes a protrusion 282a protruding to cover a part. At this time, the protrusion 282a of the second obstruction pattern 282 is spaced apart from the second power line 242 to form a space between the second power line 242.

제2 가림 패턴(282)은 제2 개구 영역(OA2)를 사이에 두고 제2 서브 화소(P2)와 인접하게 배치된 서브 화소에 가깝게 형성된다. 제2 전원 라인(242)을 노출시키는 제2 개구 영역(OA2)는 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 배치될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The second occlusion pattern 282 is formed close to the sub-pixel disposed adjacent to the second sub-pixel P2 with the second opening area OA2 therebetween. The second opening area OA2 exposing the second power line 242 may be disposed between the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2, but is not limited thereto.

제2 절연막(260)의 제2 개구 영역(OA2)이 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 배치되는 경우, 제2 가림 패턴(282)은 돌출부(282a)가 제1 서브 화소(P1)에서 제2 개구 영역(OA2)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 제2 개구 영역(OA2) 중 제1 서브 화소(P1)에 인접한 일부 영역이 제2 가림 패턴(282)에 의하여 가려지고, 제2 전원 라인(242) 역시 제2 가림 패턴(282)에 의하여 가려진다. 제2 개구 영역(OA2) 중 제2 서브 화소(P12에 인접한 나머지 영역은 여전히 제2 전원 라인(242)을 노출시킨다.When the second opening region OA2 of the second insulating layer 260 is disposed between the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2, the second obstruction pattern 282 has a protrusion 282a. A sub-pixel P1 may protrude in a direction toward the second opening area OA2. Accordingly, a portion of the second opening area OA2 adjacent to the first sub-pixel P1 is covered by the second blocking pattern 282, and the second power line 242 is also the second blocking pattern 282. It is covered. The remaining area adjacent to the second sub-pixel P12 of the second opening area OA2 still exposes the second power line 242.

제2 가림 패턴(282)은 제2 개구 영역(OA2)과 마찬가지로 제2 전원 라인(242)을 따라 형성될 수 있다. 이때, 제2 가림 패턴(282)은 도 6에 도시된 바와 같이 하나의 제2 전원 라인(242) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 소정의 길이를 가진 복수개의 패턴으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 가림 패턴(282)은 도 7에 도시된 바와 같이 하나의 제2 전원 라인(242) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 연장된 하나의 라인 패턴으로 형성될 수도 있다.The second obstruction pattern 282 may be formed along the second power line 242 like the second opening area OA2. At this time, the second obstruction pattern 282 may be formed as a plurality of patterns having a predetermined length in the second direction (Y-axis direction) on one second power line 242 as shown in FIG. 6, It is not necessarily limited to this. The second obstruction pattern 282 may be formed as one line pattern extending in the second direction (Y-axis direction) on one second power supply line 242 as illustrated in FIG. 7.

한편, 제2 가림 패턴(282)은 제1 전극(311, 312)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.Meanwhile, the second covering pattern 282 may be formed of the same material in the same layer as the first electrodes 311 and 312, but is not limited thereto.

제2 가림 패턴(282)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 제1 전극(311, 312)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 이때, 제2 가림 패턴(282)은 제1 전극(311, 312)과 이격 형성될 수 있다.The second obstruction pattern 282 may be formed of the same material in the same layer as the first electrodes 311 and 312 as illustrated in FIGS. 4 and 5. In this case, the second obstruction pattern 282 may be formed to be spaced apart from the first electrodes 311 and 312.

제2 절연막(260)의 제2 개구 영역(OA2)이 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 배치되는 경우, 제2 가림 패턴(282)은 제1 서브 화소(P1)의 제1 전극(311)과 이격 배치되어, 제1 서브 화소(P1)의 제1 전극(311)과 서로 전기적으로 연결되지 않도록 한다. 제2 가림 패턴(282)은 평탄화막(270)에 의하여 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260)은 물론 평탄화막(270) 상에도 형성될 수 있다.When the second opening area OA2 of the second insulating layer 260 is disposed between the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2, the second occlusion pattern 282 is the first sub-pixel P1 ) Are spaced apart from the first electrode 311 so that the first electrode 311 of the first sub-pixel P1 is not electrically connected to each other. The second obstruction pattern 282 may be formed on the planarization layer 270 as well as the second insulating layer 260 exposed without being covered by the planarization layer 270.

이와 같은 경우, 표시장치는 제2 가림 패턴(282)을 제1 전극(311, 312)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성함으로써, 별도의 공정을 추가하지 않고 제2 가림 패턴(282)이 형성된다.In this case, the display device forms the second masking pattern 282 with the same material in the same layer as the first electrodes 311 and 312, thereby forming a second masking pattern 282 without adding a separate process. .

그러나 반드시 이에 한정되지 않으며, 제2 가림 패턴(282)은 제1 전극(311, 312)과 다른 층에 형성될 수도 있다. 제2 가림 패턴(282)은 제2 절연막(260)과 평탄화막(270) 사이에 형성될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the second obstruction pattern 282 may be formed on a different layer from the first electrodes 311 and 312. The second obstruction pattern 282 may be formed between the second insulating layer 260 and the planarization layer 270.

제3 가림 패턴(283)은 평탄화막(270)에 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260) 상에 형성되고, 제2 연결 전극(250)의 일부를 노출시키는 제3 개구 영역(OA3)의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부(283a)를 포함한다. 이때, 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)는 제2 연결 전극(250)과 이격되어, 제2 연결 전극(250)과의 사이에 공간을 형성한다.The third obstruction pattern 283 is formed on the exposed second insulating layer 260 without being covered by the planarization layer 270, and the third opening region OA3 exposing a portion of the second connection electrode 250 is exposed. It includes a protrusion 283a protruding to cover a part. At this time, the protrusion 283a of the third obstruction pattern 283 is spaced apart from the second connection electrode 250 to form a space between the second connection electrode 250.

제3 가림 패턴(283)은 제3 개구 영역(OA3)을 사이에 두고 제3 서브 화소(P3)와 인접하게 배치된 서브 화소에 가깝게 형성된다. 제2 연결 전극(250)을 노출시키는 제3 개구 영역(OA3)은 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이 및 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The third occlusion pattern 283 is formed close to the sub-pixel disposed adjacent to the third sub-pixel P3 with the third opening area OA3 therebetween. The third opening area OA3 exposing the second connection electrode 250 is between the first sub-pixel P1 and the third sub-pixel P3 and the second sub-pixel P2 and the third sub-pixel P3. It may be disposed between, but is not necessarily limited to this.

제2 절연막(260)의 제3 개구 영역(OA3)이 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치되는 경우, 제3 가림 패턴(283)은 돌출부(283a)가 제1 서브 화소(P1)에서 제3 개구 영역(OA3)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 제3 개구 영역(OA3) 중 제1 서브 화소(P1)에 인접한 일부 영역이 제3 가림 패턴(283)에 의하여 가려지고, 제2 연결 전극(250) 또는 제1 절연막(220) 역시 제3 가림 패턴(283)에 의하여 가려진다. 제3 개구 영역(OA2) 중 제3 서브 화소(P3)에 인접한 나머지 영역은 여전히 제2 연결 전극(250) 또는 제1 절연막(220)을 노출시킨다.When the third opening region OA3 of the second insulating layer 260 is disposed between the first sub-pixel P1 and the third sub-pixel P3, the third obstruction pattern 283 has a protrusion 283a. A sub-pixel P1 may protrude in a direction toward the third opening area OA3. Accordingly, a portion of the third opening area OA3 adjacent to the first sub-pixel P1 is covered by the third blocking pattern 283, and the second connection electrode 250 or the first insulating layer 220 is also It is obscured by the third obscuring pattern 283. The remaining area adjacent to the third sub-pixel P3 of the third opening area OA2 still exposes the second connection electrode 250 or the first insulating layer 220.

또한, 제2 절연막(260)의 제3 개구 영역(OA3)이 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치되는 경우, 제3 가림 패턴(283)은 돌출부(283a)가 제2 서브 화소(P2)에서 제3 개구 영역(OA3)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 제3 개구 영역(OA3) 중 제2 서브 화소(P2)에 인접한 일부 영역이 제3 가림 패턴(283)에 의하여 가려지고, 제2 연결 전극(250) 또는 제1 절연막(220) 역시 제3 가림 패턴(283)에 의하여 가려진다. 제3 개구 영역(OA2) 중 제3 서브 화소(P3)에 인접한 나머지 영역은 여전히 제2 연결 전극(250) 또는 제1 절연막(220)을 노출시킨다.In addition, when the third opening region OA3 of the second insulating layer 260 is disposed between the second sub-pixel P2 and the third sub-pixel P3, the third obstruction pattern 283 is a protrusion 283a. May protrude in the direction from the second sub-pixel P2 toward the third opening area OA3. Accordingly, a part of the third opening area OA3 adjacent to the second sub-pixel P2 is covered by the third blocking pattern 283, and the second connection electrode 250 or the first insulating layer 220 is also It is obscured by the third obscuring pattern 283. The remaining area adjacent to the third sub-pixel P3 of the third opening area OA2 still exposes the second connection electrode 250 or the first insulating layer 220.

제3 가림 패턴(283)은 도 8에 도시된 바와 같이 제3 개구 영역(OA3)과 마찬가지로 제3 서브 화소(P3)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제3 가림 패턴(283)에 의하여 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331) 및 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)과 단절될 수 있다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 제3 가림 패턴(283)이 제3 서브 화소(P3)를 둘러싸도록 형성함으로써 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)이 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331) 및 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)이 서로 전기적으로 연결되지 않도록 한다.As illustrated in FIG. 8, the third occlusion pattern 283 may be formed to surround the third sub-pixel P3 as in the third opening area OA3. The second electrode 333 of the third sub-pixel P3 is the second electrode 331 of the first sub-pixel P1 and the second electrode of the second sub-pixel P2 by the third occlusion pattern 283. (332). In the display device according to the first exemplary embodiment of the present invention, the third blocking pattern 283 is formed to surround the third sub-pixel P3, so that the second electrode 333 of the third sub-pixel P3 is the first sub The second electrode 331 of the pixel P1 and the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 are not electrically connected to each other.

한편, 제3 가림 패턴(283)은 제1 전극(311, 312)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.Meanwhile, the third masking pattern 283 may be formed of the same material in the same layer as the first electrodes 311 and 312, but is not limited thereto.

제3 가림 패턴(283)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 제1 전극(311, 312)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 이때, 제3 가림 패턴(283)은 제1 전극(311, 312)과 이격 형성될 수 있다.The third obstruction pattern 283 may be formed of the same material in the same layer as the first electrodes 311 and 312 as illustrated in FIGS. 4 and 5. In this case, the third obstruction pattern 283 may be formed to be spaced apart from the first electrodes 311 and 312.

제2 절연막(260)의 제3 개구 영역(OA3)이 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치되는 경우, 제3 가림 패턴(283)은 제1 서브 화소(P1)의 제1 전극(311)과 이격 배치되어, 제1 서브 화소(P1)의 제1 전극(311)과 서로 전기적으로 연결되지 않도록 한다. 제3 가림 패턴(283)은 평탄화막(270)에 의하여 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260)은 물론 평탄화막(270) 상에도 형성될 수 있다.When the third opening area OA3 of the second insulating layer 260 is disposed between the first sub-pixel P1 and the third sub-pixel P3, the third occlusion pattern 283 is the first sub-pixel P1 ) Are spaced apart from the first electrode 311 so that the first electrode 311 of the first sub-pixel P1 is not electrically connected to each other. The third obstruction pattern 283 may be formed on the planarization layer 270 as well as the second insulating layer 260 exposed without being covered by the planarization layer 270.

또한, 제2 절연막(260)의 제3 개구 영역(OA3)이 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치되는 경우, 제3 가림 패턴(283)은 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(312)과 이격 배치되어, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(312)과 서로 전기적으로 연결되지 않도록 한다. 제3 가림 패턴(283)은 평탄화막(270)에 의하여 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260)은 물론 평탄화막(270) 상에도 형성될 수 있다.In addition, when the third opening area OA3 of the second insulating layer 260 is disposed between the second sub-pixel P2 and the third sub-pixel P3, the third occlusion pattern 283 is the second sub-pixel The second electrode 312 of (P2) is spaced apart from each other so that the second electrode 312 of the second sub-pixel (P2) is not electrically connected to each other. The third obstruction pattern 283 may be formed on the planarization layer 270 as well as the second insulating layer 260 exposed without being covered by the planarization layer 270.

이와 같은 경우, 표시장치는 제3 가림 패턴(283)을 제1 전극(311, 312)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성함으로써, 별도의 공정을 추가하지 않고 제3 가림 패턴(283)이 형성된다.In this case, the display device is formed of the same material in the same layer as the first electrodes 311 and 312 by forming the third masking pattern 283, so that the third masking pattern 283 is formed without adding a separate process. .

그러나 반드시 이에 한정되지 않으며, 제3 가림 패턴(283)은 제1 전극(311, 312)과 다른 층에 형성될 수도 있다. 제3 가림 패턴(283)은 제2 절연막(260)과 평탄화막(270) 사이에 형성될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the third obstruction pattern 283 may be formed on a different layer from the first electrodes 311 and 312. The third obstruction pattern 283 may be formed between the second insulating layer 260 and the planarization layer 270.

뱅크(315)는 평탄화막(270) 상에서 제1 전극(311, 312)의 끝단을 덮도록 형성될 수 있다. 그에 따라, 제1 전극(311, 312)의 끝단에 전류가 집중되어 발광효율이 저하되는 문제가 방지될 수 있다.The bank 315 may be formed on the planarization layer 270 to cover the ends of the first electrodes 311 and 312. Accordingly, a problem in which the light emission efficiency is lowered due to the concentration of current at the ends of the first electrodes 311 and 312 can be prevented.

한편, 뱅크(315)는 제2 절연막(260)의 개구 영역(OA1, OA2, OA3, OA4)들에는 형성되지 않는다. 이에 따라, 제1 연결 전극(241, 242, 360) 및 제2 연결 전극(250)의 일부가 여전히 노출될 수 있다.Meanwhile, the bank 315 is not formed in the opening regions OA1, OA2, OA3, and OA4 of the second insulating layer 260. Accordingly, a portion of the first connection electrodes 241, 242 and 360 and the second connection electrodes 250 may still be exposed.

또한, 뱅크(315)는 가림 패턴(281, 282, 283)들 상에도 형성될 수 있다. 이때, 뱅크(315)는 가림 패턴(281, 282, 283)들 각각의 돌출부(281a, 282a, 283a)가 덮이지 않고 노출될 수 있도록 형성될 수 있다. Further, the bank 315 may also be formed on the obstruction patterns 281, 282, and 283. At this time, the bank 315 may be formed so that the protrusions 281a, 282a, and 283a of the obstruction patterns 281, 282, and 283 are exposed without being covered.

뱅크(315)가 가림 패턴(281, 282, 283)들 각각의 돌출부(281a, 282a, 283a)를 덮도록 형성하게 되면, 서브 화소(P1, P2, P3)들 각각의 제1 발광층(321, 322, 323)이 단절되지 않고 서로 연결될 수 있다. 또한, 서브 화소(P1, P2, P3)들 각각의 제2 전극(331, 332, 333)이 단절되지 않고 서로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)이 제1 전원 라인(241)에 접속되지 못하고, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)이 제2 전원 라인(242)에 접속되지 못하며, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)이 제2 연결 전극(250)에 접속되지 못하는 문제가 발생할 수 있다.When the bank 315 is formed to cover the protrusions 281a, 282a, and 283a of each of the obstruction patterns 281, 282, and 283a, the first light emitting layer 321 of each of the sub-pixels P1, P2, P3, 322, 323) can be connected to each other without being disconnected. Also, the second electrodes 331, 332, and 333 of each of the sub-pixels P1, P2, and P3 may be connected to each other without being disconnected. Accordingly, the second electrode 331 of the first sub-pixel P1 is not connected to the first power line 241, and the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 is connected to the second power line ( 242, the second electrode 333 of the third sub-pixel P3 cannot be connected to the second connection electrode 250.

본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 이러한 문제가 발생하지 않도록 뱅크(315)가 가림 패턴(281, 282, 283)들 각각의 돌출부(281a, 282a, 283a)를 덮지 않고 노출시키도록 형성되어야 한다.In the display device according to the first exemplary embodiment of the present invention, the bank 315 is formed so as not to cover the protruding portions 281a, 282a, and 283a of the covering patterns 281, 282, and 283a so as not to cause this problem. Should be.

뱅크(315)는 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 각각에 발광 영역(EA1, EA2)을 정의한다. 즉, 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 각각에서 뱅크(315)가 형성되지 않고 노출된 제1 전극(311, 312)의 노출 영역이 발광 영역(EA1, EA2)이 된다.The bank 315 defines light emitting regions EA1 and EA2 in each of the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2. That is, the exposed areas of the first electrodes 311 and 312 exposed without the bank 315 formed in each of the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 become light-emitting areas EA1 and EA2. .

한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P1)에 뱅크(315)를 형성하지 않는 것을 특징으로 한다. 제3 서브 화소(P1)에는 제1 전극(310)이 형성되지 않으므로, 제1 전극(310)의 끝단을 덮는 뱅크(315) 역시 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)의 발광 영역(EA3)이 제1 서브 화소(P1)의 발광 영역(EA1) 및 제2 서브 화소(P2)의 발광 영역(EA2) 보다 크다. 즉, 제3 서브 화소(P3)는 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 보다 큰 발광 면적 및 개구율을 가질 수 있다.Meanwhile, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention is characterized in that the bank 315 is not formed in the third sub-pixel P1. Since the first electrode 310 is not formed in the third sub-pixel P1, the bank 315 covering the end of the first electrode 310 may also not be formed. Accordingly, in the display device 100 according to the first embodiment of the present invention, the emission area EA3 of the third sub-pixel P3 includes the emission area EA1 and the second sub-pixel of the first sub-pixel P1. It is larger than the light emission area EA2 of (P2). That is, the third sub-pixel P3 may have a larger emission area and aperture ratio than the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2.

제3 서브 화소(P3)는 제3 서브 화소(P3)에 인접하게 배치된 제3 가림 패턴(283)에 의하여 발광 영역(EA3)이 정의될 수 있다. 제3 서브 화소(P3)에서 제3 가림 패턴(283)에 의하여 가려지지 않고 노출된 제2 전극(333)의 노출 영역이 발광 영역(EA3)이 될 수 있다.In the third sub-pixel P3, the emission area EA3 may be defined by the third occlusion pattern 283 disposed adjacent to the third sub-pixel P3. In the third sub-pixel P3, the exposed area of the second electrode 333 exposed by the third occlusion pattern 283 may be the emission area EA3.

뱅크(315)는 상대적으로 얇은 두께의 무기 절연막으로 이루어질 수 있지만, 상대적으로 두꺼운 두께의 유기 절연막으로 이루어질 수도 있다.The bank 315 may be made of an inorganic insulating film having a relatively thin thickness, but may also be made of an organic insulating film having a relatively thick thickness.

제1 발광층(320)은 제1 전극(310) 상에 형성된다. 보다 구체적으로, 제1 발광층(321, 322)은 제1 및 제2 서브 화소(P1, P2)에서 제1 전극(311, 312) 상에 형성된다. 제1 발광층(321, 322)은 뱅크(315) 상에도 형성될 수 있다. 그리고, 제1 발광층(323)은 제3 서브 화소(P3)에서 평탄화막(270) 상에 형성된다.The first emission layer 320 is formed on the first electrode 310. More specifically, the first light emitting layers 321 and 322 are formed on the first electrodes 311 and 312 in the first and second sub pixels P1 and P2. The first light emitting layers 321 and 322 may also be formed on the bank 315. In addition, the first emission layer 323 is formed on the planarization layer 270 in the third sub-pixel P3.

이러한 제1 발광층(321, 322, 323)은 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 발광층(321, 322, 323)은 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되며, 발광층에서 서로 결합하여 소정의 색으로 발광하게 된다.The first light emitting layers 321, 322, and 323 may include a hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer. In this case, holes and electrons in the first light emitting layers 321, 322, and 323 are moved to the light emitting layer through the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and are combined with each other in the light emitting layer to emit light in a predetermined color.

제1 발광층(321, 322, 323)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 청색 광을 발광하는 청색 발광층 및 황색 광을 발광하는 황색 발광층 중 어느 하나 일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The first emission layers 321, 322, and 323 may be any one of a red emission layer that emits red light, a green emission layer that emits green light, a blue emission layer that emits blue light, and a yellow emission layer that emits yellow light. It is not limited to this.

제1 발광층(321, 322, 323)은 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에서 단절된다. 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에는 가림 패턴(281, 282, 283)들이 구비되어 있다. 제1 발광층(321, 322, 323)은 가림 패턴(281, 282, 283)들에 의하여 서로 단절될 수 있다.The first light emitting layers 321, 322, and 323 are disconnected between the first subpixel P1, the second subpixel P2, and the third subpixel P3. The obstruction patterns 281, 282, and 283 are provided between the first sub-pixel P1, the second sub-pixel P2, and the third sub-pixel P3. The first light emitting layers 321, 322, and 323 may be cut off from each other by the blocking patterns 281, 282, 283.

보다 구체적으로, 제1 발광층(321, 322, 323)은 제2 가림 패턴(282)에 의하여 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에서 단절될 수 있다. 제1 발광층(321, 322, 323)을 마스크 없이 전면 증착하게 되면, 제1 서브 화소(P1)에 증착되는 제1 발광층(321)은 도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)와 제2 전원 라인(242) 간의 단차로 인하여 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a) 상에서 끊어질 수 있다. 제2 서브 화소(P2)에 증착되는 제1 발광층(322)은 도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)와 제2 전원 라인(242) 사이의 공간으로 유입되어, 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a) 아래에 형성될 수 있다.More specifically, the first emission layers 321, 322, and 323 may be cut off between the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 by the second occlusion pattern 282. When the first emission layers 321, 322, and 323 are entirely deposited without a mask, the first emission layer 321 deposited on the first sub-pixel P1 may have a second occlusion pattern (as illustrated in FIGS. 4 and 9). Due to the step between the protrusion 282a of the 282 and the second power line 242, it may be cut on the protrusion 282a of the second obscuring pattern 282. The first emission layer 322 deposited on the second sub-pixel P2 is a space between the protrusion 282a of the second obstruction pattern 282 and the second power line 242 as illustrated in FIGS. 4 and 9. It is introduced into the, may be formed under the protrusion 282a of the second cover pattern 282.

본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광층(321)과 제2 서브 화소(P2)의 제1 발광층(322)이 서로 접하지 않고 단절되는 것이 바람직하다. 이로 인하여, 제1 발광층(321, 322, 323) 상에 제2 전극(331, 332, 333)을 전면 증착하는 경우, 제2 서브 화소(P2)에 증착되는 제2 전극(332)이 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)와 제2 서브 화소(P2)의 제1 발광층(322) 사이로 유입될 수 있는 공간을 확보할 수 있다.In the display device according to the first exemplary embodiment of the present invention, it is preferable that the first emission layer 321 of the first sub-pixel P1 and the first emission layer 322 of the second sub-pixel P2 are disconnected from each other. Do. Accordingly, when the second electrodes 331, 332, and 333 are entirely deposited on the first light emitting layers 321, 322, and 323, the second electrode 332 deposited on the second sub-pixel P2 is second. A space that can be introduced between the protrusion 282a of the obstruction pattern 282 and the first emission layer 322 of the second sub-pixel P2 may be secured.

또한, 제1 발광층(321, 322, 323)은 제3 가림 패턴(283)에 의하여 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에서 단절될 수 있다. 제1 발광층(321, 322, 323)을 마스크 없이 전면 증착하게 되면, 제2 서브 화소(P2)에 증착되는 제1 발광층(322)은 도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)와 제2 연결 전극(250) 간의 단차로 인하여 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 상에서 끊어질 수 있다. 제3 서브 화소(P3)에 증착되는 제1 발광층(323)은 도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)와 제2 연결 전극(250) 사이의 공간으로 유입되어, 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 아래에 형성될 수 있다.Also, the first emission layers 321, 322, and 323 may be cut between the second sub-pixel P2 and the third sub-pixel P3 by the third occlusion pattern 283. When the first emission layers 321, 322, and 323 are entirely deposited without a mask, the first emission layer 322 deposited on the second sub-pixel P2 may have a third occlusion pattern (as shown in FIGS. 4 and 9). Due to the step between the protrusion 283a of the 283 and the second connection electrode 250, it may be cut on the protrusion 283a of the third occlusion pattern 283. The first emission layer 323 deposited on the third sub-pixel P3 is a space between the protrusion 283a and the second connection electrode 250 of the third obstruction pattern 283 as illustrated in FIGS. 4 and 9. It is introduced into the, may be formed under the protrusion 283a of the third cover pattern 283.

본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 제2 서브 화소(P2)의 제1 발광층(322)과 제3 서브 화소(P3)의 제1 발광층(323)이 서로 접하지 않고 단절되는 것이 바람직하다. 이로 인하여, 제1 발광층(321, 322, 323) 상에 제2 전극(331, 332, 333)을 전면 증착하는 경우, 제3 서브 화소(P3)에 증착되는 제2 전극(333)이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)와 제3 서브 화소(P3)의 제1 발광층(323) 사이로 유입될 수 있는 공간을 확보할 수 있다.In the display device according to the first embodiment of the present invention, it is preferable that the first emission layer 322 of the second sub-pixel P2 and the first emission layer 323 of the third sub-pixel P3 are disconnected from each other. Do. Accordingly, when the second electrodes 331, 332, and 333 are entirely deposited on the first light emitting layers 321, 322, and 323, the second electrode 333 deposited on the third sub-pixel P3 is third. A space that can be introduced between the protrusion 283a of the obstruction pattern 283 and the first emission layer 323 of the third sub-pixel P3 may be secured.

또한, 제1 발광층(321, 322, 323)은 제3 가림 패턴(283) 및 제1 가림 패턴(281)에 의하여 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에서 단절될 수 있다. 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에는 도 5에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283) 및 제1 가림 패턴(281)이 이격하여 형성될 수 있다. 이때, 제1 가림 패턴(281)은 제3 서브 화소(P3)에서 제1 서브 화소(P1) 방향으로 돌출되어 제1 개구 영역(OA1)의 일부를 가리는 돌출부(281a)를 포함한다. 제3 가림 패턴(283)은 제1 서브 화소(P1)에서 제3 서브 화소(P3) 방향으로 돌출되어 제3 개구 영역(OA3)의 일부를 가리는 돌출부(283a)를 포함한다.Also, the first emission layers 321, 322, and 323 may be disconnected between the first sub-pixel P1 and the third sub-pixel P3 by the third occlusion pattern 283 and the first occlusion pattern 281. have. As illustrated in FIG. 5, a third occlusion pattern 283 and a first occlusion pattern 281 may be formed between the first sub-pixel P1 and the third sub-pixel P3. In this case, the first obstruction pattern 281 includes a protrusion 281a protruding from the third sub-pixel P3 in the direction of the first sub-pixel P1 to cover a part of the first opening area OA1. The third obstruction pattern 283 includes a protrusion 283a protruding from the first sub-pixel P1 toward the third sub-pixel P3 and covering a part of the third opening area OA3.

제1 발광층(321, 322, 323)을 마스크 없이 전면 증착하게 되면, 제3 서브 화소(P3)에 증착되는 제1 발광층(323)은 도 5 및 도 9에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)과 제1 절연막(220) 사이의 공간으로 유입되어, 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 아래에 형성될 수 있다. 제1 서브 화소(P1)에 증착되는 제1 발광층(321)은 도 5 및 도 9에 도시된 바와 같이 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a)과 제1 전원 라인(241) 사이의 공간으로 유입되어, 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a) 아래에 형성될 수 있다.When the first emission layers 321, 322, and 323 are entirely deposited without a mask, the first emission layer 323 deposited on the third sub-pixel P3 may have a third masking pattern (as shown in FIGS. 5 and 9). 283) may be introduced into the space between the protrusion 283a and the first insulating layer 220, and be formed under the protrusion 283a of the third obscuring pattern 283. The first emission layer 321 deposited on the first sub-pixel P1 is a space between the protrusion 281a of the first obstruction pattern 281 and the first power line 241 as illustrated in FIGS. 5 and 9. It is introduced into the, may be formed under the protrusion 281a of the first cover pattern 281.

제2 전극(331, 332, 333)은 제1 발광층(321, 322, 323) 상에 형성된다. 제2 전극(331, 332, 333)은 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에서 단절된다. 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에는 가림 패턴(281, 282, 283)들이 구비되어 있다. 제1 발광층(321, 322, 323)은 가림 패턴(281, 282, 283)들에 의하여 서로 단절될 수 있다.The second electrodes 331, 332, and 333 are formed on the first light emitting layers 321, 322, and 323. The second electrodes 331, 332, and 333 are disconnected between the first sub-pixel P1, the second sub-pixel P2, and the third sub-pixel P3. The obstruction patterns 281, 282, and 283 are provided between the first sub-pixel P1, the second sub-pixel P2, and the third sub-pixel P3. The first light emitting layers 321, 322, and 323 may be cut off from each other by the blocking patterns 281, 282, 283.

보다 구체적으로, 제2 전극(331, 332, 333)은 제2 가림 패턴(282)에 의하여 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에서 단절될 수 있다. 제2 전극(331, 332, 333)을 전면 증착하게 되면, 제1 서브 화소(P1)에 증착되는 제2 전극(331)은 도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)와 제2 전원 라인(242) 간의 단차로 인하여 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a) 상에서 끊어질 수 있다.More specifically, the second electrodes 331, 332, and 333 may be disconnected between the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 by the second occlusion pattern 282. When the second electrodes 331, 332, and 333 are deposited on the entire surface, the second electrode 331 deposited on the first sub-pixel P1 has a second masking pattern 282 as shown in FIGS. 4 and 9. Due to the step between the protrusion 282a of the second power line 242, the second shielding pattern 282 may be cut off on the protrusion 282a.

제2 서브 화소(P2)에 증착되는 제2 전극(332)은 도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)와 제1 발광층(322) 사이의 공간으로 유입되어, 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a) 아래에 형성될 수 있다. 이때, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a) 아래에서 제1 발광층(322) 보다 넓은 면적으로 증착될 수 있다. 이에 따라, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 제2 전원 라인(242)에 접속될 수 있다.The second electrode 332 deposited on the second sub-pixel P2 is a space between the protrusions 282a and the first light emitting layer 322 of the second obstruction pattern 282 as illustrated in FIGS. 4 and 9. Inflow, it may be formed under the protrusion 282a of the second cover pattern 282. In this case, the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 may be deposited under a protrusion 282a of the second obstruction pattern 282 with a larger area than the first emission layer 322. Accordingly, the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 may be connected to the second power line 242.

제2 서브 화소(P2)는 제2 전극(332)이 제2 전원 라인(242)에 접속되므로, 제2 전원 라인(242) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(332)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이로 인하여, 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가될 수 있다. 이때, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 캐소드 전극일 수 있다.In the second sub-pixel P2, since the second electrode 332 is connected to the second power line 242, the second electrode 332 and the second power line 242 and the second power line 360 are connected to the second sub-pixel P332. The three electrodes 350 may be electrically connected. Accordingly, when a low potential voltage is applied to the third electrode 350, the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 may be applied with the same low potential voltage as the third electrode 350. In this case, the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 may be a cathode electrode.

도 4 및 도 9에서는 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)과 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)이 서로 접하지 않고 단절되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 각각의 제2 전극(331, 332)은 모두 캐소드 전극으로서, 공통 전압이 인가될 수 있다. 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 각각의 제2 전극(331, 332)은 서로 접하도록 형성되어 전기적으로 서로 연결될 수 있다.4 and 9 illustrate that the second electrode 331 of the first sub-pixel P1 and the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 are disconnected without contacting each other, but are necessarily limited to this. Does not work. The second electrodes 331 and 332 of each of the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 are both cathode electrodes, and a common voltage may be applied. The second electrodes 331 and 332 of each of the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 are formed to be in contact with each other and can be electrically connected to each other.

또한, 제2 전극(331, 332, 333)은 제3 가림 패턴(283)에 의하여 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에서 단절될 수 있다. 제2 전극(331, 332, 333)을 전면 증착하게 되면, 제2 서브 화소(P2)에 증착되는 제2 전극(332)은 도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)와 제1 발광층(323) 간의 단차로 인하여 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 상에서 끊어질 수 있다.Also, the second electrodes 331, 332, and 333 may be disconnected between the second sub-pixel P2 and the third sub-pixel P3 by the third occlusion pattern 283. When the second electrodes 331, 332, and 333 are entirely deposited, the second electrode 332 deposited on the second sub-pixel P2 is a third masking pattern 283 as illustrated in FIGS. 4 and 9. Due to the step between the protrusion 283a and the first light emitting layer 323, the third cover pattern 283 may be cut off on the protrusion 283a.

제3 서브 화소(P3)에 증착되는 제2 전극(333)은 도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)와 제1 발광층(323) 사이의 공간으로 유입되어, 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 아래에 형성될 수 있다. 이때, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 아래에서 제1 발광층(323) 보다 넓은 면적으로 증착될 수 있다. 이에 따라, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제2 연결 전극(250)에 접속될 수 있다.The second electrode 333 deposited on the third sub-pixel P3 is a space between the protrusion 283a and the first light emitting layer 323 of the third obstruction pattern 283 as illustrated in FIGS. 4 and 9. Inflow, it may be formed under the protrusion 283a of the third cover pattern 283. At this time, the second electrode 333 of the third sub-pixel P3 may be deposited with a larger area than the first emission layer 323 under the protrusion 283a of the third occlusion pattern 283. Accordingly, the second electrode 333 of the third sub-pixel P3 may be connected to the second connection electrode 250.

제3 서브 화소(P3)는 제2 전극(333)이 제2 연결 전극(250)에 접속된다. 제2 연결 전극(250)은 제3 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극일 수 있다. 이러한 경우, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제2 연결 전극(250)에 직접 접속되어, 제3 고전위 전압이 인가된다. 이때, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 애노드 전극일 수 있다.In the third sub-pixel P3, the second electrode 333 is connected to the second connection electrode 250. The second connection electrode 250 may be a source electrode or a drain electrode of the third thin film transistor. In this case, the second electrode 333 of the third sub-pixel P3 is directly connected to the second connection electrode 250, and a third high potential voltage is applied. In this case, the second electrode 333 of the third sub-pixel P3 may be an anode electrode.

본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)과 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)이 서로 접하지 않고 단절되는 것이 바람직하다. 앞서 설명한 바와 같이, 제2 서브 화소(P2)는 제2 전극(332)이 캐소드 전극이고, 제3 서브 화소(P3)는 제2 전극(333)이 애노드 전극일 수 있다. 이러한 경우, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)과 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)이 접하게 되면, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)과 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333) 간에 단락이 발생하여 표시장치(100)가 정상적으로 구동하지 못하게 된다.In the display device 100 according to the first exemplary embodiment of the present invention, the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 and the second electrode 333 of the third sub-pixel P3 do not contact each other and are disconnected. It is desirable to be. As described above, in the second sub-pixel P2, the second electrode 332 may be a cathode electrode, and in the third sub-pixel P3, the second electrode 333 may be an anode electrode. In this case, when the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 and the second electrode 333 of the third sub-pixel P3 come into contact, the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 A short circuit occurs between the second electrode 333 of the third sub-pixel P3 and the display device 100 cannot be driven normally.

또한, 제2 전극(331, 332, 333)은 제3 가림 패턴(283) 및 제1 가림 패턴(281)에 의하여 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에서 단절될 수 있다.In addition, the second electrodes 331, 332, and 333 may be disconnected between the first sub-pixel P1 and the third sub-pixel P3 by the third occlusion pattern 283 and the first occlusion pattern 281. have.

제2 전극(331, 332, 333)을 전면 증착하게 되면, 제3 서브 화소(P3)에 증착되는 제2 전극(333)은 도 5 및 도 9에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)과 제1 발광층(323) 사이의 공간으로 유입되어, 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 아래에 형성될 수 있다.When the second electrodes 331, 332, and 333 are deposited on the entire surface, the second electrode 333 deposited on the third sub-pixel P3 is a third masking pattern 283 as shown in FIGS. 5 and 9. May be introduced into the space between the protrusion 283a and the first emission layer 323, and be formed under the protrusion 283a of the third obscuring pattern 283.

이때, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 아래에서 제1 발광층(323) 보다 넓은 면적으로 증착될 수 있다. 제1 서브 화소(P1)에 증착되는 제2 전극(331)은 도 5 및 도 10에 도시된 바와 같이 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a)과 제1 발광층(321) 사이의 공간으로 유입되어, 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a) 아래에 형성될 수 있다.At this time, the second electrode 333 of the third sub-pixel P3 may be deposited with a larger area than the first emission layer 323 under the protrusion 283a of the third occlusion pattern 283. The second electrode 331 deposited on the first sub-pixel P1 is a space between the protrusions 281a and the first light emitting layer 321 of the first obstruction pattern 281 as shown in FIGS. 5 and 10. Inflow, it may be formed under the protrusion 281a of the first cover pattern 281.

이때, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a) 아래에서 제1 발광층(321) 보다 넓은 면적으로 증착될 수 있다. 이에 따라, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 제1 전원 라인(241)에 접속될 수 있다.At this time, the second electrode 331 of the first sub-pixel P1 may be deposited with a larger area than the first light-emitting layer 321 under the protrusion 281a of the first obstruction pattern 281. Accordingly, the second electrode 331 of the first sub-pixel P1 may be connected to the first power line 241.

제1 서브 화소(P1)는 제2 전극(331)이 제1 전원 라인(241)에 접속되므로, 제1 전원 라인(241) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(331)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이로 인하여, 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가될 수 있다. 이때, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 캐소드 전극일 수 있다.In the first sub-pixel P1, since the second electrode 331 is connected to the first power line 241, the second electrode 331 and the second electrode 331 are formed through the first power line 241 and the auxiliary power line 360. The three electrodes 350 may be electrically connected. Accordingly, when a low potential voltage is applied to the third electrode 350, the second electrode 331 of the first sub-pixel P1 may be applied with the same low potential voltage as the third electrode 350. In this case, the second electrode 331 of the first sub-pixel P1 may be a cathode electrode.

제2 전극(331, 332, 333)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다.The second electrode (331, 332, 333) is a transparent metal material (TCO, Transparent Conductive Material), such as ITO, IZO that can transmit light, or magnesium (Mg), silver (Ag), or magnesium (Mg) and It may be formed of a semi-transmissive conductive material, such as an alloy of silver (Ag).

제2 발광층(340)은 제2 전극(331, 332, 333) 상에 형성된다. 제2 발광층(340)은 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제2 발광층(340)은 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되며, 발광층에서 서로 결합하여 소정의 색으로 발광하게 된다.The second emission layer 340 is formed on the second electrodes 331, 332, and 333. The second emission layer 340 may include a hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer. In this case, in the second light emitting layer 340, holes and electrons move to the light emitting layer through the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and are combined with each other in the light emitting layer to emit light in a predetermined color.

제2 발광층(340)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 청색 광을 발광하는 청색 발광층 및 황색 광을 발광하는 황색 발광층 중 어느 하나 일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The second emission layer 340 may be any one of a red emission layer that emits red light, a green emission layer that emits green light, a blue emission layer that emits blue light, and a yellow emission layer that emits yellow light, but is not limited thereto. .

다만, 제2 발광층(340)은 제1 발광층(321, 322, 323)과 상이한 색의 광을 발광할 수 있다. 제1 발광층(321, 322, 323)이 제1 색의 광을 발광하는 발광층일 경우, 제2 발광층(340)은 제1 색과 다른 제2 색의 광을 발광하는 발광층일 수 있다. 예컨대, 제1 발광층(321, 322, 323)은 황색 광을 발광하는 황색 발광층이고, 제2 발광층(340)은 청색 광을 발광하는 청색 발광층일 수 있다.However, the second emission layer 340 may emit light having a different color from the first emission layers 321, 322, and 323. When the first light emitting layers 321, 322, and 323 are light emitting layers that emit light of a first color, the second light emitting layer 340 may be light emitting layers that emit light of a second color different from the first color. For example, the first emission layers 321, 322, and 323 may be yellow emission layers that emit yellow light, and the second emission layers 340 may be blue emission layers that emit blue light.

제2 발광층(340)은 제1 발광층(321, 322, 323)과 달리 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에서 서로 연결된다. 제2 발광층(340)은 가림 패턴(281, 282, 283)과 제2 전극(331, 332, 333) 사이의 공간을 일부 채우면서 형성될 수 있다. 이때, 가림 패턴(281, 282, 283)과 제2 전극(331, 332, 333) 사이에 제2 발광층(340)이 채워지지 않은 공간에는 에어 갭(AG)이 형성될 수 있다.Unlike the first emission layers 321, 322, and 323, the second emission layer 340 is connected to each other between the first sub-pixel P1, the second sub-pixel P2, and the third sub-pixel P3. The second emission layer 340 may be formed while partially filling the space between the occlusion patterns 281, 282, and 283 and the second electrodes 331, 332, and 333. At this time, an air gap AG may be formed in a space where the second emission layer 340 is not filled between the occlusion patterns 281, 282, 283 and the second electrodes 331, 332, 333.

제3 전극(350)은 제2 발광층(340) 상에 형성된다. 제3 전극(350)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제3 전극(350)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다. 표시장치(100)가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제3 전극(350)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 이러한 제3 전극(350)은 캐소드 전극일 수 있다.The third electrode 350 is formed on the second emission layer 340. The third electrode 350 may be made of a transparent metal material, a semi-transmissive metal material, or a metal material having high reflectance. When the display device 100 is made of a lower emission method, the third electrode 350 is a stacked structure of aluminum and titanium (Ti/Al/Ti), a stacked structure of aluminum and ITO (ITO/Al/ITO), and an Ag alloy. And, it may be formed of a metal material having a high reflectance, such as a laminated structure of ITO and Ag alloy (ITO / Ag alloy / ITO). The Ag alloy may be an alloy such as silver (Ag), palladium (Pd), and copper (Cu). When the display device 100 is made of an upper emission method, the third electrode 350 is a transparent conductive material (TCO, transparent conductive material) such as ITO, IZO, or magnesium (Mg), silver ( Ag), or a semi-transmissive conductive material, such as an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag). The third electrode 350 may be a cathode electrode.

본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 서브 화소(P1, P2, P3) 각각에서 제1 발광층(321, 322, 323) 및 제2 발광층(340) 중 하나만 발광하는 것을 특징으로 한다.The display device 100 according to the first exemplary embodiment of the present invention is characterized in that only one of the first light emitting layers 321, 322, and 323 and the second light emitting layer 340 is emitted from each of the sub pixels P1, P2, and P3. do.

보다 구체적으로, 제1 서브 화소(P1)는 제1 발광층(321)이 발광한다. 제1 서브 화소(P1)는 제2 전극(331)이 제1 전원 라인(241)에 접속되므로, 제1 전원 라인(241) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(331)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결된다. 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가된다. 이에 따라, 제1 서브 화소(P1)는 제2 전극(331)과 제3 전극(350) 사이에 구비된 제2 발광층(340)이 발광하지 않는다.More specifically, the first light emitting layer 321 emits light in the first sub-pixel P1. In the first sub-pixel P1, since the second electrode 331 is connected to the first power line 241, the second electrode 331 and the second electrode 331 are formed through the first power line 241 and the auxiliary power line 360. The three electrodes 350 are electrically connected. When a low potential voltage is applied to the third electrode 350, the second electrode 331 of the first sub-pixel P1 is applied with the same low potential voltage as the third electrode 350. Accordingly, in the first sub-pixel P1, the second emission layer 340 provided between the second electrode 331 and the third electrode 350 does not emit light.

한편, 제1 서브 화소(P1)는 제1 전극(311)에 제1 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극(331)에 저전위 전압이 인가되면, 제1 전극(311)과 제2 전극(331) 사이에 구비된 제1 발광층(321)이 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광한다.Meanwhile, when the first high potential voltage is applied to the first electrode 311 and the low potential voltage is applied to the second electrode 331 of the first sub-pixel P1, the first electrode 311 and the second electrode The first light emitting layer 321 provided between 331 emits light at a predetermined brightness according to a predetermined current.

제2 서브 화소(P2)는 제1 발광층(322)이 발광한다. 제2 서브 화소(P2)는 제2 전극(332)이 제2 전원 라인(242)에 접속되므로, 제2 전원 라인(242) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(332)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결된다. 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가된다. 이에 따라, 제2 서브 화소(P2)는 제2 전극(332)과 제3 전극(350) 사이에 구비된 제2 발광층(340)이 발광하지 않는다.The first emission layer 322 emits light in the second sub-pixel P2. In the second sub-pixel P2, since the second electrode 332 is connected to the second power line 242, the second electrode 332 and the second power line 242 and the second power line 360 are connected to the second sub-pixel P332. The three electrodes 350 are electrically connected. When a low potential voltage is applied to the third electrode 350, the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 is applied with the same low potential voltage as the third electrode 350. Accordingly, in the second sub-pixel P2, the second emission layer 340 provided between the second electrode 332 and the third electrode 350 does not emit light.

한편, 제2 서브 화소(P2)는 제1 전극(312)에 제2 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극(332)에 저전위 전압이 인가되면, 제1 전극(312)과 제2 전극(332) 사이에 구비된 제1 발광층(322)이 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광한다.Meanwhile, when the second high potential voltage is applied to the first electrode 312 and the low potential voltage is applied to the second electrode 332 of the second sub-pixel P2, the first electrode 312 and the second electrode The first light emitting layer 322 provided between 332 emits light at a predetermined brightness according to a predetermined current.

즉, 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2)는 둘다 제1 발광층(321, 322)에서 동일한 색의 광이 발광된다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2)에서 서로 다른 색의 광이 방출되도록 하기 위하여 컬러필터(미도시)가 더 구비될 수 있다.That is, both of the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 emit light of the same color in the first emission layers 321 and 322. The display device according to the first exemplary embodiment of the present invention may further include a color filter (not shown) to emit light of different colors from the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2. .

컬러필터(미도시)는 제1 서브 화소(P1)에 대응되도록 배치된 제1 컬러필터와 제2 서브 화소(P2)에 대응되도록 배치된 제2 컬러필터를 포함할 수 있다. 제1 컬러필터와 제2 컬러필터는 서로 다른 색의 광을 투과시킬 수 있다.The color filter (not shown) may include a first color filter disposed to correspond to the first sub-pixel P1 and a second color filter disposed to correspond to the second sub-pixel P2. The first color filter and the second color filter can transmit light of different colors.

예컨대, 제1 발광층(321, 322, 323)은 황색 광을 발광하는 황색 발광층일 수 있다. 제1 컬러필터는 적색 광을 투과시키는 적색 컬러필터일 수 있으며, 제2 컬러필터는 녹색 광을 투과시키는 녹색 컬러필터일 수 있다. 이에 따라, 제1 서브 화소(P1)는 적색 광을 방출하고, 제2 서브 화소(P2)는 녹색 광을 방출할 수 있다.For example, the first emission layers 321, 322, and 323 may be yellow emission layers that emit yellow light. The first color filter may be a red color filter that transmits red light, and the second color filter may be a green color filter that transmits green light. Accordingly, the first sub-pixel P1 may emit red light, and the second sub-pixel P2 may emit green light.

이러한 컬러필터는 표시장치(100)의 발광 방식에 따라 제1 전극(311, 312) 아래에 또는 제3 전극(350) 위에 배치될 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식인 경우, 컬러필터는 제1 전극(311, 312) 하에 구비될 수 있다. 표시장치(100)가 상부 발광 방식인 경우, 컬러필터는 제3 전극(350) 상에 구비될 수 있다.The color filter may be disposed under the first electrodes 311 and 312 or on the third electrode 350 according to the light emission method of the display device 100. When the display device 100 is a lower emission type, a color filter may be provided under the first electrodes 311 and 312. When the display device 100 is an upper emission type, a color filter may be provided on the third electrode 350.

제3 서브 화소(P3)는 제2 발광층(340)이 발광한다. 제3 서브 화소(P3)는 제1 전극(310)이 형성되지 않으므로, 제1 발광층(323)이 발광하지 않는다.The second emission layer 340 emits light in the third sub-pixel P3. Since the first electrode 310 is not formed in the third sub-pixel P3, the first emission layer 323 does not emit light.

한편, 제3 서브 화소(P3)는 제2 전극(333)이 제2 연결 전극(250)에 접속되어 제3 고전위 전압을 인가 받는다. 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제2 전극(333)과 제3 전극(350) 사이에 구비된 제2 발광층(340)이 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광한다.Meanwhile, in the third sub-pixel P3, the second electrode 333 is connected to the second connection electrode 250 to receive a third high potential voltage. When a low potential voltage is applied to the third electrode 350, the second light emitting layer 340 provided between the second electrode 333 and the third electrode 350 emits light at a predetermined brightness according to a predetermined current.

예컨대, 제3 서브 화소(P3)는 청색 광을 발광하는 청색 발광층일 수 있다. 이러한 경우, 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)에 대응되는 위치에 별도의 컬러필터를 구비하지 않고, 청색 서브 화소를 구현할 수 있다.For example, the third sub-pixel P3 may be a blue light emitting layer that emits blue light. In this case, the display device 100 may implement a blue sub-pixel without having a separate color filter at a position corresponding to the third sub-pixel P3.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2)에서 제1 발광층(321, 322, 323)만 발광시키고, 제3 서브 화소(P3)에서 제2 발광층(340)만 발광시킬 수 있다. 이로 인하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 모든 서브 화소에서 제1 발광층(321, 322, 323) 및 제2 발광층(340)을 모두 발광시키는 것과 비교하여 전력 소비를 현저하게 줄일 수 있다.As described above, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention emits only the first emission layers 321, 322, and 323 from the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2, Only the second emission layer 340 may emit light in the third sub-pixel P3. For this reason, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention significantly reduces power consumption compared to emitting all of the first emission layers 321, 322 and 323 and the second emission layers 340 in all sub-pixels. Can be reduced.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 서브 화소(P1, P2, P3)들에 제1 발광층(321, 322, 323) 및 제2 발광층(340)을 마스크 없이 전면에 형성한다. 이에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 마스크를 이용하여 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 상이한 발광층들을 패턴 형성함에 따른 문제점을 해결할 수 있다.In addition, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention, the first light emitting layer (321, 322, 323) and the second light emitting layer 340 on the sub-pixels (P1, P2, P3) on the front without a mask To form. Accordingly, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention can solve a problem of forming different emission layers for each sub-pixel P1, P2, P3 by using a mask.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 가림 패턴(281, 282, 283)을 이용하여 제2 전극(331, 332, 333)이 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 단절될 수 있도록 한다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 가림 패턴(281, 282, 283)을 형성하고, 가림 패턴(281, 282, 283)이 형성된 제1 기판(111) 상에 제1 발광층(321, 322, 323) 및 제2 전극(331, 332, 333)이 마스크 없이 전면에 형성된다. 제1 발광층(321, 322, 323) 및 제2 전극(331, 332, 333)은 가림 패턴(281, 282, 283)에 의하여 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 단절된다. 특히, 제2 전극(331, 332, 333)은 가림 패턴(281, 282, 283)의 돌출부(281a, 282a, 283a) 아래에서 제1 전원 라인(241), 제2 전원 라인(242) 및 제2 연결 전극(250) 중 어느 하나에 접속된다.In addition, in the display device 100 according to the first embodiment of the present invention, the second electrodes 331, 332, and 333 include sub-pixels P1, P2, and P3 using occlusion patterns 281, 282, and 283. It can be cut off between. The display device 100 according to the first embodiment of the present invention forms the occlusion patterns 281, 282, 283, and the first emission layer on the first substrate 111 on which the occlusion patterns 281, 282, 283 are formed. (321, 322, 323) and the second electrode (331, 332, 333) is formed on the front surface without a mask. The first emission layers 321, 322, and 323 and the second electrodes 331, 332, and 333 are cut off between the sub-pixels P1, P2, and P3 by the blocking patterns 281, 282, 283. Particularly, the second electrodes 331, 332, and 333 have a first power line 241, a second power line 242, and a second under the protrusions 281a, 282a, and 283a of the obstruction patterns 281, 282, and 283a. 2 It is connected to any one of the connection electrodes 250.

도 9를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제2 전극(331, 332, 333)이 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 단절되고, 제2 발광층(340)이 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 단절되지 않고 연결될 수 있도록 제2 절연막(260)의 두께(T1)가 설계될 수 있다. 이때, 제2 절연막(260)의 두께(T1)는 가림 패턴(281, 282, 283)의 돌출부(281a, 282a, 283a)와 제1 전원 라인(241), 제2 전원 라인(242) 및 제2 연결 전극(250) 중 어느 하나와의 이격 거리에 상응할 수 있다. Referring to FIG. 9, in the display device 100 according to the first exemplary embodiment of the present invention, the second electrodes 331, 332, and 333 are disconnected between the sub-pixels P1, P2, and P3, and the second emission layer The thickness T1 of the second insulating layer 260 may be designed so that the 340 can be connected without being disconnected between the sub-pixels P1, P2, and P3. At this time, the thickness T1 of the second insulating layer 260 includes the protrusions 281a, 282a, and 283a of the obstruction patterns 281, 282, and 283, the first power line 241, the second power line 242, and the second 2 may correspond to a separation distance from any one of the connection electrodes 250.

제2 절연막(260)의 두께(T1)는 제1 발광층(321, 322, 323)의 두께(T3)와 제2 전극(331, 332, 333)의 두께(T2)를 합한 것 보다 크게 설계될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제2 전극(331, 332, 333)이 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 서로 연결되는 것을 방지할 수 있다.The thickness T1 of the second insulating layer 260 may be designed to be larger than the thickness T3 of the first light emitting layers 321, 322, and 323 and the thickness T2 of the second electrodes 331, 332, 333. Can be. Accordingly, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention can prevent the second electrodes 331, 332, and 333 from being connected to each other between the sub-pixels P1, P2, and P3.

제2 절연막(260)의 두께(T1)는 제1 발광층(321, 322, 323)의 두께(T3), 제2 전극(331, 332, 333)의 두께(T2), 및 제2 발광층(340)의 두께(T4)를 합한 것 보다 작게 설계될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제2 발광층(340)이 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 단절되는 것을 방지할 수 있다. The thickness T1 of the second insulating layer 260 is the thickness T3 of the first light emitting layers 321, 322, and 323, the thickness T2 of the second electrodes 331, 332, 333, and the second light emitting layer 340 ) Can be designed to be smaller than the combined thickness (T4). Accordingly, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention can prevent the second light emitting layer 340 from being disconnected between the sub-pixels P1, P2, and P3.

한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 가림 패턴(281, 282, 283)의 돌출부(281a, 282a, 283a)의 길이(L1)가 적절하게 설계될 수 있다. 가림 패턴(281, 282, 283)의 돌출부(281a, 282a, 283a)의 길이(L1)가 너무 길어지면 무게로 인하여 아래로 쳐질 수 있다. 이러한 경우, 가림 패턴(281, 282, 283)의 돌출부(281a, 282a, 283a) 아래에 제1 발광층(321, 322, 323)과 제2 전극(331, 332, 333)이 형성되기에 충분한 공간이 확보되지 않을 수 있다.Meanwhile, in the display device 100 according to the first embodiment of the present invention, the length L1 of the protrusions 281a, 282a, and 283a of the obstruction patterns 281, 282, and 283a may be appropriately designed. If the length L1 of the protrusions 281a, 282a, and 283a of the obstruction patterns 281, 282, 283 is too long, it may be struck down due to the weight. In this case, a space sufficient to form the first light emitting layers 321, 322, 323 and the second electrodes 331, 332, 333 under the protrusions 281a, 282a, 283a of the obstruction patterns 281, 282, 283. This may not be secured.

한편, 가림 패턴(281, 282, 283)의 돌출부(281a, 282a, 283a)의 길이(L1)가 너무 짧아지면, 제2 전극(331, 332, 333)과 제1 전원 라인(241), 제2 전원 라인(242) 및 제2 연결 전극(250) 중 어느 하나와의 접촉 면적이 줄어들 수 있다. 이러한 경우, 제2 전극(331, 332, 333)과 제1 전원 라인(241), 제2 전원 라인(242) 및 제2 연결 전극(250) 중 어느 하나 간에 저항이 커질 수 있다.On the other hand, if the length L1 of the protrusions 281a, 282a, 283a of the obstruction patterns 281, 282, 283 is too short, the second electrodes 331, 332, 333, the first power line 241, the first The contact area with any one of the 2 power lines 242 and the second connection electrode 250 may be reduced. In this case, a resistance may increase between any one of the second electrodes 331, 332, and 333 and the first power line 241, the second power line 242, and the second connection electrode 250.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)에 제1 전극(310)을 형성하지 않는다. 이에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)에서 투과율을 향상시킬 수 있다. 특히, 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제3 서브 화소(P3)는 제2 발광층(340)에서 발광한 광이 제1 전극(311, 312)을 통과하지 않아도 되므로, 광 효율을 향상시킬 수 있다.Also, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention does not form the first electrode 310 in the third sub-pixel P3. Accordingly, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention can improve transmittance in the third sub-pixel P3. Particularly, when the display device 100 is made of a lower emission method, since the light emitted from the second emission layer 340 does not need to pass through the first electrodes 311 and 312 in the third sub-pixel P3, the light efficiency is improved. Improve it.

한편, 도 4에서는 제1 내지 제3 서브 화소(P1, P2, P3) 모두에 평탄화막(270)이 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 다른 일 실시예에 있어서, 평탄화막(270)은 도 12에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 서브 화소(P1, P2)에만 형성될 수도 있다. 즉, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)에 평탄화막(270)을 형성하지 않을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)에서 투과율을 더욱 향상시킬 수 있다. 특히, 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제3 서브 화소(P3)는 제2 발광층(340)에서 발광한 광이 제1 전극(311, 312) 및 평탄화막(270)을 통과하지 않아도 되므로, 광이 손실되는 것을 줄이고 광 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.Meanwhile, FIG. 4 illustrates that the planarization layer 270 is formed on all of the first to third sub-pixels P1, P2, and P3, but is not limited thereto. In another embodiment, the planarization layer 270 may be formed only on the first and second sub-pixels P1 and P2 as illustrated in FIG. 12. That is, the display device 100 according to the modified embodiment of the present invention may not form the planarization layer 270 in the third sub-pixel P3. Accordingly, the display device 100 according to the modified embodiment of the present invention can further improve the transmittance in the third sub-pixel P3. Particularly, when the display device 100 is formed in a lower emission method, light emitted from the second emission layer 340 passes through the first electrodes 311 and 312 and the planarization layer 270 in the third sub-pixel P3. Since it is not necessary, light loss can be reduced and light efficiency can be further improved.

더 나아가, 도 4에서는 제1 내지 제3 서브 화소(P1, P2, P3) 모두에 제2 절연막(260)이 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 또 다른 일 실시예에 있어서, 절연막(260) 및 평탄화막(270)은 도 13에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 서브 화소(P1, P2)에만 형성될 수도 있다. 즉, 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)에 절연막(260) 및 평탄화막(270)을 형성하지 않을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 변형된 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)에서 투과율을 극대화시킬 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제3 서브 화소(P3)는 제2 발광층(340)에서 발광한 광이 제1 전극(311, 312), 절연막(260) 및 평탄화막(270)을 통과하지 않아도 되므로, 광이 손실되는 것을 최소화시키고 광 효율을 극대화시킬 수 있다.Furthermore, in FIG. 4, the second insulating layer 260 is formed on all of the first to third sub-pixels P1, P2, and P3, but is not limited thereto. In another embodiment, the insulating layer 260 and the planarization layer 270 may be formed only in the first and second sub-pixels P1 and P2 as illustrated in FIG. 13. That is, the display device 100 according to another modified embodiment of the present invention may not form the insulating layer 260 and the planarization layer 270 in the third sub-pixel P3. Accordingly, the display device 100 according to another modified embodiment of the present invention may maximize transmittance in the third sub-pixel P3. When the display device 100 is made of a lower emission method, the light emitted from the second emission layer 340 may include first electrodes 311 and 312, an insulating layer 260, and a planarization layer 270 in the third sub-pixel P3. ), it is possible to minimize light loss and maximize light efficiency.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)에 뱅크(315)를 형성하지 않는다. 제3 서브 화소(P1)에는 제1 전극(310)이 형성되지 않으므로, 제1 전극(310)의 끝단을 덮는 뱅크(315) 역시 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)에서 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 보다 큰 발광 영역(EA)을 가질 수 있다. 즉, 제3 서브 화소(P3)는 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 보다 큰 발광 면적 및 개구율을 가질 수 있다.In addition, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention does not form the bank 315 in the third sub-pixel P3. Since the first electrode 310 is not formed in the third sub-pixel P1, the bank 315 covering the end of the first electrode 310 may also not be formed. Accordingly, the display device 100 according to the first exemplary embodiment of the present invention has a light emission area EA larger than the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 in the third sub-pixel P3. Can be. That is, the third sub-pixel P3 may have a larger emission area and aperture ratio than the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2.

제2 실시예Example 2

도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 패널의 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 15는 도 14의 Ⅴ-Ⅴ의 일 예를 보여주는 단면도이고, 도 16는 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.14 is a plan view schematically showing a first substrate of a display panel according to a second embodiment of the present invention, FIG. 15 is a cross-sectional view showing an example of V-V of FIG. 14, FIG. 16 is a first sub-pixel, and This is a plan view schematically showing an example of the second sub-pixel.

도 14 내지 도 16을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 패널(110)은 제1 기판(111), 차광층(210), 제1 절연막(220), 박막 트랜지스터(230), 제1 연결 전극(241, 242, 360), 제2 연결 전극(250), 제2 절연막(260), 평탄화막(270), 가림 패턴(281, 282, 283), 제1 전극(311, 312), 뱅크(315), 제1 발광층(321, 322, 323), 제2 전극(331, 332, 333), 제2 발광층(340), 및 제3 전극(350)을 포함한다.14 to 16, the display panel 110 according to the second exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 111, a light blocking layer 210, a first insulating layer 220, a thin film transistor 230, The first connection electrode 241, 242, 360, the second connection electrode 250, the second insulating film 260, the planarization film 270, the obscuring patterns 281, 282, 283, the first electrodes 311, 312 ), the bank 315, the first emission layers 321, 322, and 323, the second electrodes 331, 332, and 333, the second emission layer 340, and the third electrode 350.

본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 패널(110)은 제1 연결 전극의 제1 전원 라인(241) 및 제2 전원 라인(242)이 일체로 형성된다는 점에서 도 3 내지 도 11에 도시된 본 발명의 제1 실시에에 따른 표시 패널(110)과 차이가 있다. 이에 따라, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 패널(110)은 제1 연결 전극(241, 242, 360) 및 가림 패턴(281, 282, 283)을 제외한 구성들이 도 3 내지 도 11에 도시된 본 발명의 제1 실시에에 따른 표시 패널(110)의 구성들과 실질적으로 동일하다. 이하에서는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 패널(110)의 제1 기판(111), 차광층(210), 제1 절연막(220), 박막 트랜지스터(230), 제2 절연막(260), 평탄화막(270), 제2 연결 전극(250), 제1 전극(311, 312), 뱅크(315), 제1 발광층(321, 322, 323), 제2 전극(331, 332, 333), 제2 발광층(340), 및 제3 전극(350)에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.The display panel 110 according to the second embodiment of the present invention is illustrated in FIGS. 3 to 11 in that the first power line 241 and the second power line 242 of the first connection electrode are integrally formed. There is a difference from the display panel 110 according to the first embodiment of the present invention. Accordingly, the display panel 110 according to the second embodiment of the present invention is shown in FIGS. 3 to 11 except for the first connection electrodes 241, 242 and 360 and the occlusion patterns 281, 282 and 283. It is substantially the same as the components of the display panel 110 according to the first embodiment of the present invention. Hereinafter, the first substrate 111, the light blocking layer 210, the first insulating film 220, the thin film transistor 230, the second insulating film 260 of the display panel 110 according to the second embodiment of the present invention, Planarization film 270, second connection electrode 250, first electrodes 311, 312, bank 315, first light emitting layers 321, 322, 323, second electrodes 331, 332, 333, A detailed description of the second light emitting layer 340 and the third electrode 350 will be omitted.

제1 연결 전극(241, 242, 360)은 제1 기판(111) 상에 형성된다.The first connection electrodes 241, 242, and 360 are formed on the first substrate 111.

제1 연결 전극(241, 242, 360)은 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 각각에서 제2 전극(331, 332)과 제3 전극(350)을 전기적으로 연결한다. 보다 구체적으로, 제1 연결 전극(241, 242, 360)은 제1 전원 라인(241), 제2 전원 라인(242) 및 보조 전원 라인(360)을 포함할 수 있다.The first connection electrodes 241, 242, and 360 electrically connect the second electrodes 331, 332 and the third electrode 350 in each of the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2. More specifically, the first connection electrodes 241, 242, and 360 may include a first power line 241, a second power line 242, and an auxiliary power line 360.

보조 전원 라인(360)은 비표시 영역(NDA)에서 제1 방향(X축 방향)으로 연장 형성된다. 보조 전원 라인(360)은 일부가 제1 절연막(220), 제2 절연막(260), 평탄화막(270)에 의하여 덮이지 않고 노출되고, 노출된 영역에서 제3 전극(350)과 접속할 수 있다.The auxiliary power line 360 is formed to extend in the first direction (X-axis direction) in the non-display area NDA. A portion of the auxiliary power line 360 is exposed without being covered by the first insulating layer 220, the second insulating layer 260, and the planarization layer 270, and may be connected to the third electrode 350 in the exposed region. .

제1 전원 라인(241)은 표시 영역(DA)에서 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 배치되어, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)과 접속된다. 제2 전원 라인(242)은 표시 영역(DA)에서 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 배치되어, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)과 접속한다. 이때, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치(100)는 제1 전원 라인(241) 및 제2 전원 라인(242)가 일체로 형성되는 것을 특징으로 한다.The first power line 241 is disposed between the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 in the display area DA, and is connected to the second electrode 331 of the first sub-pixel P1. do. The second power line 242 is disposed between the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 in the display area DA, and is connected to the second electrode 332 of the second sub-pixel P2. do. In this case, the display device 100 according to the second embodiment of the present invention is characterized in that the first power line 241 and the second power line 242 are integrally formed.

제1 전원 라인(241) 및 제2 전원 라인(242)은 표시 영역(DA)에서 제2 방향(Y축 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제1 전원 라인(241) 및 제2 전원 라인(242)은 일단이 보조 전원 라인(360)에 접속된다. 이때, 제1 전원 라인(241) 및 제2 전원 라인(242)은 콘택홀을 통해 보조 전원 라인(360)에 접속될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다.The first power line 241 and the second power line 242 may be formed to extend in the second direction (Y-axis direction) in the display area DA. One end of the first power line 241 and the second power line 242 is connected to the auxiliary power line 360. In this case, the first power line 241 and the second power line 242 may be connected to the auxiliary power line 360 through a contact hole, but are not limited thereto.

이러한 제1 전원 라인(241) 및 제2 전원 라인(242)은 박막 트랜지스터(230)의 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.The first power line 241 and the second power line 242 may be formed of the same material in the same layer as any one of the active layer, gate electrode, source electrode, and drain electrode of the thin film transistor 230.

상술한 바에 따라, 제1 서브 화소(P1)는 제1 전원 라인(241), 제2 전원 라인(242) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(331)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결된다. 즉, 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가된다.As described above, the first sub-pixel P1 includes the second electrode 331 and the third electrode 350 through the first power line 241, the second power line 242, and the auxiliary power line 360. It is electrically connected. That is, when a low potential voltage is applied to the third electrode 350, the second electrode 331 of the first sub-pixel P1 is applied with the same low potential voltage as the third electrode 350.

제2 서브 화소(P2)는 제1 전원 라인(241), 제2 전원 라인(242) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(332)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결된다. 즉, 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가된다.The second sub-pixel P2 is electrically connected to the second electrode 332 and the third electrode 350 through the first power line 241, the second power line 242, and the auxiliary power line 360. . That is, when a low potential voltage is applied to the third electrode 350, the second electrode 332 of the second sub-pixel P2 is applied with the same low potential voltage as the third electrode 350.

가림 패턴(281, 282, 283)은 제2 절연막(260) 상에서 제2 절연막(260)의 개구 영역(OA1, OA2, OA3)들의 일부를 가리도록 형성된다. 가림 패턴(281, 282, 283)은 제1 가림 패턴(281), 제2 가림 패턴(282) 및 제3 가림 패턴(283)을 포함한다. 제3 가림 패턴(283)은 도 3 내지 도 11에 도시된 본 발명의 제1 실시에에 따른 표시 패널(110)의 제3 가림 패턴(283)과 실질적으로 동일하므로, 구체적인 설명을 생략하도록 한다.The obstruction patterns 281, 282, and 283 are formed to cover a part of the opening regions OA1, OA2, and OA3 of the second insulating layer 260 on the second insulating layer 260. The occlusion patterns 281, 282, and 283 include a first occlusion pattern 281, a second occlusion pattern 282, and a third occlusion pattern 283. Since the third obstruction pattern 283 is substantially the same as the third obstruction pattern 283 of the display panel 110 according to the first embodiment of the present invention illustrated in FIGS. 3 to 11, a detailed description thereof will be omitted. .

제1 가림 패턴(281)은 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 구비된다. 특히, 제1 가림 패턴(281)은 제1 전원 라인(241)의 일부를 노출시키는 제1 개구 영역(OA1)과 제2 전원 라인(242)의 일부를 노출시키는 제2 개구 영역(OA2) 사이에 형성된 제2 절연막(260) 상에 형성된다.The first occlusion pattern 281 is provided between the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2. In particular, the first obstruction pattern 281 is between the first opening area OA1 exposing a portion of the first power line 241 and the second opening area OA2 exposing a portion of the second power line 242. It is formed on the second insulating film 260 formed in.

제1 가림패턴(281)은 제1 개구 영역(OA1)의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부(281a)를 포함한다. 이때, 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a)는 제1 전원 라인(241)과 이격되어, 제1 전원 라인(241)과의 사이에 공간을 형성한다.The first obstruction pattern 281 includes a protrusion 281a protruding to cover a part of the first opening area OA1. At this time, the protrusion 281a of the first obstruction pattern 281 is spaced apart from the first power line 241 to form a space between the first power line 241.

제1 가림 패턴(281)은 돌출부(281a)가 제2 서브 화소(P2)에서 제1 서브 화소(P1)를 향하는 방향으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 제1 개구 영역(OA1) 중 제2 서브 화소(P2)에 인접한 일부 영역이 제1 가림 패턴(281)에 의하여 가려지고, 제1 전원 라인(241) 역시 제1 가림 패턴(281)에 의하여 가려진다. 제1 개구 영역(OA1) 중 제1 서브 화소(P1)에 인접한 나머지 영역은 여전히 제1 전원 라인(241)을 노출시킨다.In the first obstruction pattern 281, the protrusion 281a may protrude in a direction from the second sub-pixel P2 toward the first sub-pixel P1. Accordingly, a portion of the first opening area OA1 adjacent to the second sub-pixel P2 is covered by the first blocking pattern 281, and the first power line 241 is also the first blocking pattern 281. It is covered. The remaining area of the first opening area OA1 adjacent to the first sub-pixel P1 still exposes the first power line 241.

제1 가림 패턴(281)은 제1 개구 영역(OA1)과 마찬가지로 제1 전원 라인(241)을 따라 형성될 수 있다. 이때, 제1 가림 패턴(281)은 제1 전원 라인(241) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 소정의 길이를 가진 복수개의 패턴으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제1 가림 패턴(281)은 하나의 제1 전원 라인(241) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 연장된 하나의 라인 패턴으로 형성될 수도 있다.The first obstruction pattern 281 may be formed along the first power line 241 like the first opening area OA1. In this case, the first obstruction pattern 281 may be formed as a plurality of patterns having a predetermined length in the second direction (Y-axis direction) on the first power line 241, but is not limited thereto. The first obstruction pattern 281 may be formed as one line pattern extending in the second direction (Y-axis direction) on one first power line 241.

한편, 제1 가림 패턴(281)은 제1 전극(311, 312)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.Meanwhile, the first covering pattern 281 may be formed of the same material in the same layer as the first electrodes 311 and 312, but is not limited thereto.

제2 가림 패턴(282)은 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 구비된다. 특히, 제2 가림 패턴(282)은 제1 전원 라인(241)의 일부를 노출시키는 제1 개구 영역(OA1)과 제2 전원 라인(242)의 일부를 노출시키는 제2 개구 영역(OA2) 사이에 형성된 제2 절연막(260) 상에 형성된다. 이때, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치(100)는 제1 가림 패턴(281) 및 제2 가림 패턴(282)이 일체로 형성될 수 있다.The second occlusion pattern 282 is provided between the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2. In particular, the second obstruction pattern 282 is between the first opening area OA1 exposing a portion of the first power line 241 and the second opening area OA2 exposing a portion of the second power line 242. It is formed on the second insulating film 260 formed in. In this case, in the display device 100 according to the second embodiment of the present invention, the first obstruction pattern 281 and the second obstruction pattern 282 may be integrally formed.

제2 가림 패턴(282)은 제2 개구 영역(OA2)의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부(282a)를 포함한다. 이때, 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)는 제2 전원 라인(242)과 이격되어, 제2 전원 라인(242)과의 사이에 공간을 형성한다.The second obstruction pattern 282 includes a protrusion 282a protruding to cover a portion of the second opening area OA2. At this time, the protrusion 282a of the second obstruction pattern 282 is spaced apart from the second power line 242 to form a space between the second power line 242.

제2 가림 패턴(282)은 돌출부(282a)가 제1 서브 화소(P1)에서 제2 서브 화소(P2)를 향하는 방향으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 제2 개구 영역(OA2) 중 제1 서브 화소(P1)에 인접한 일부 영역이 제2 가림 패턴(282)에 의하여 가려지고, 제2 전원 라인(242) 역시 제2 가림 패턴(282)에 의하여 가려진다. 제2 개구 영역(OA2) 중 제2 서브 화소(P2)에 인접한 나머지 영역은 여전히 제2 전원 라인(242)을 노출시킨다.The second obstruction pattern 282 may protrude in a direction in which the protrusion 282a is directed from the first sub-pixel P1 to the second sub-pixel P2. Accordingly, a portion of the second opening area OA2 adjacent to the first sub-pixel P1 is covered by the second blocking pattern 282, and the second power line 242 is also the second blocking pattern 282. It is covered. The remaining area of the second opening area OA2 adjacent to the second sub-pixel P2 still exposes the second power line 242.

제2 가림 패턴(282)은 제2 개구 영역(OA2)과 마찬가지로 제2 전원 라인(242)을 따라 형성될 수 있다. 이때, 제2 가림 패턴(282)은 제2 전원 라인(242) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 소정의 길이를 가진 복수개의 패턴으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 가림 패턴(282)은 하나의 제2 전원 라인(242) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 연장된 하나의 라인 패턴으로 형성될 수도 있다.The second obstruction pattern 282 may be formed along the second power line 242 like the second opening area OA2. At this time, the second obstruction pattern 282 may be formed as a plurality of patterns having a predetermined length in the second direction (Y-axis direction) on the second power line 242, but is not limited thereto. The second obstruction pattern 282 may be formed as one line pattern extending in the second direction (Y-axis direction) on one second power line 242.

한편, 제2 가림 패턴(282)은 제1 전극(311, 312)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.Meanwhile, the second covering pattern 282 may be formed of the same material in the same layer as the first electrodes 311 and 312, but is not limited thereto.

도 17은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 18a 내지 도 18j는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.17 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 18A to 18J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention. .

먼저, 도 18a과 같이 제1 기판(111) 상에 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(230), 제1 연결 전극(241, 242, 360) 및 제2 연결 전극(250)을 형성한다(S1701).First, as shown in FIG. 18A, first to third thin film transistors 230, first connection electrodes 241, 242 and 360 and second connection electrodes 250 are formed on the first substrate 111 (S1701 ). .

보다 구체적으로, 제1 기판(111) 상에 차광층(210)을 형성한다. 차광층(210)은 제1 내지 제3 서브 화소(P1, P2, P3) 각각에 대응되는 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(230)의 액티브층으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 것이므로, 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(230)의 액티브층과 대응되는 위치에 형성된다. 차광층(210)은 금속 물질로 형성될 수 있다. 차광층(210)이 금속 물질로 형성되는 경우, 제1 기판(111) 상에 보조 전원 라인(360)을 차광층(210)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성할 수도 있다.More specifically, the light blocking layer 210 is formed on the first substrate 111. The light blocking layer 210 is for blocking external light incident on the active layers of the first to third thin film transistors 230 corresponding to the first to third sub pixels P1, P2, and P3, respectively. The third to third thin film transistors 230 are formed at positions corresponding to the active layers. The light blocking layer 210 may be formed of a metal material. When the light blocking layer 210 is formed of a metal material, the auxiliary power line 360 may be formed of the same material on the same layer as the light blocking layer 210 on the first substrate 111.

그리고 나서, 차광층(210) 상에 제1 절연막(220)을 형성한다. 제1 절연막(220)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.Then, the first insulating film 220 is formed on the light blocking layer 210. The first insulating film 220 may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or multiple films thereof.

그리고 나서, 제1 절연막(220) 상에 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(230), 제1 전원 라인(241), 제2 전원 라인(242) 및 제2 연결 전극(250)을 형성한다.Then, the first to third thin film transistors 230, the first power line 241, the second power line 242, and the second connection electrode 250 are formed on the first insulating layer 220.

제1 절연막(220) 상에 액티브층을 형성한다. 액티브층은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다.An active layer is formed on the first insulating layer 220. The active layer may be formed of a silicon-based semiconductor material or an oxide-based semiconductor material.

액티브층 상에는 게이트 절연막이 형성될 수 있다. 게이트 절연막은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.A gate insulating film may be formed on the active layer. The gate insulating film may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple films thereof.

게이트 절연막 상에는 게이트 전극이 형성될 수 있다. 게이트 전극은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.A gate electrode may be formed on the gate insulating layer. The gate electrode may be any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu), or alloys thereof. It may be made of a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

게이트 전극 상에는 층간 절연막이 형성될 수 있다. 층간 절연막은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.An interlayer insulating film may be formed on the gate electrode. The interlayer insulating film may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple films thereof.

층간 절연막 상에는 소스 전극과 드레인 전극이 형성될 수 있다. 소스 전극과 드레인 전극 각각은 게이트 절연막과 층간 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층에 접속될 수 있다. 소스 전극과 드레인 전극 각각은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.A source electrode and a drain electrode may be formed on the interlayer insulating film. Each of the source electrode and the drain electrode may be connected to the active layer through a contact hole passing through the gate insulating layer and the interlayer insulating layer. Each of the source electrode and the drain electrode is one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu), or It may be a single layer or multiple layers made of these alloys, but is not limited thereto.

한편, 제1 전원 라인(241) 및 제2 전원 라인(242)은 소스 전극과 드레인 전극과 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다.Meanwhile, the first power line 241 and the second power line 242 may be formed of the same material on the same layer as the source electrode and the drain electrode.

또한, 제2 연결 전극(250)은 제3 박막 트랜지스터(230)의 소스 전극 또는 드레인 전극일 수 있다. Also, the second connection electrode 250 may be a source electrode or a drain electrode of the third thin film transistor 230.

다음, 도 18b와 같이 제2 절연막(260)을 형성한다(S1702).Next, a second insulating layer 260 is formed as shown in FIG. 18B (S1702).

보다 구체적으로, 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(230), 제1 연결 전극(241, 242, 360) 및 제2 연결 전극(250) 상에 제2 절연막(260)을 형성한다.More specifically, the second insulating layer 260 is formed on the first to third thin film transistors 230, the first connection electrodes 241, 242 and 360 and the second connection electrodes 250.

제2 절연막(260)은 제1 및 제2 박막 트랜지스터(230)의 소스 전극 또는 드레인 전극의 일부를 노출시키는 콘택홀이 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 콘택홀은 이후 공정을 통하여 형성될 수도 있다. The second insulating layer 260 may be formed with a contact hole exposing a portion of the source electrode or the drain electrode of the first and second thin film transistors 230, but is not limited thereto. The contact hole may be formed through a subsequent process.

제2 절연막(260)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The second insulating film 260 may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or multiple films thereof, but is not limited thereto.

다음, 도 18c와 같이 평탄화막(270)을 형성한다(S1703).Next, a planarization film 270 is formed as shown in FIG. 18C (S1703).

보다 구체적으로, 제2 절연막(260) 상에 평탄화막(270)을 형성한다. 평탄화막(270)은 제2 절연막(260) 상에 형성되어 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(230)로 인한 단차를 평탄화시킨다. 평탄화막(270)은 제1 전원 라인(241), 제2 전원 라인(242) 및 제2 연결 전극(250)이 형성된 영역에 배치된 제2 절연막(260)의 일부가 노출될 수 있도록 패턴 형성될 수 있다.More specifically, a planarization layer 270 is formed on the second insulating layer 260. The planarization layer 270 is formed on the second insulating layer 260 to planarize the step due to the first to third thin film transistors 230. The planarization layer 270 is patterned so that a portion of the second insulating layer 260 disposed in the region where the first power line 241, the second power line 242 and the second connection electrode 250 are formed is exposed. Can be.

평탄화막(270)은 제1 및 제2 박막 트랜지스터(230)의 소스 전극 또는 드레인 전극의 일부를 노출시키는 콘택홀이 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 콘택홀은 이후 공정을 통하여 형성될 수도 있다. The planarization layer 270 may be formed with a contact hole exposing a portion of the source electrode or the drain electrode of the first and second thin film transistors 230, but is not limited thereto. The contact hole may be formed through a subsequent process.

평탄화막(270)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.The planarization film 270 may be formed of an organic film such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin. have.

다음, 도 18d와 같이 제1 전극(311, 312) 및 가림 패턴(281, 282, 283)을 형성한다(S1704).Next, as illustrated in FIG. 18D, first electrodes 311 and 312 and occlusion patterns 281, 282 and 283 are formed (S1704 ).

보다 구체적으로, 평탄화막(270) 상에서 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 각각에 제1 전극(311, 312)을 형성한다. 제1 전극(311, 312)은 콘택홀을 통해 제1 및 제2 박막 트랜지스터(230)의 소스 전극 또는 드레인 전극에 접속된다.More specifically, the first electrodes 311 and 312 are formed on each of the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 on the planarization layer 270. The first electrodes 311 and 312 are connected to the source electrode or the drain electrode of the first and second thin film transistors 230 through contact holes.

제1 전극(311, 312)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 전극(311, 312)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 표시장치(100)가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 전극(311, 312)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다. 이러한 제1 전극(311, 312)은 애노드 전극일 수 있다.The first electrodes 311 and 312 may be made of a transparent metal material, a semi-transmissive metal material, or a metal material having high reflectance. When the display device 100 is made of a lower emission method, the first electrodes 311 and 312 are transparent metal materials such as ITO and IZO that can transmit light (TCO, Transparent Conductive Material), or magnesium (Mg), It may be formed of a semi-transmissive conductive material such as silver (Ag) or an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag). When the display device 100 is made of an upper emission method, the first electrodes 311 and 312 are a stacked structure of aluminum and titanium (Ti/Al/Ti), a stacked structure of aluminum and ITO (ITO/Al/ITO), Ag alloy, and Ag alloy and ITO laminated structure (ITO / Ag alloy / ITO) can be formed of a high reflectivity metal material. The Ag alloy may be an alloy such as silver (Ag), palladium (Pd), and copper (Cu). The first electrodes 311 and 312 may be anode electrodes.

평탄화막(270) 상에서 제1 전극(311, 312)과 이격되도록 가림 패턴(281, 282, 283)을 형성한다. 가림 패턴(281, 282, 283)은 평탄화막(270)에 의하여 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260)의 일부 상에도 형성된다.The obstruction patterns 281, 282 and 283 are formed on the planarization layer 270 to be spaced apart from the first electrodes 311 and 312. The obstruction patterns 281, 282, and 283 are also formed on a portion of the second insulating layer 260 exposed without being covered by the planarization layer 270.

가림 패턴(281, 282, 283)은 제1 전극(311, 312)과 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.The obstruction patterns 281, 282, and 283 may be simultaneously formed of the same material as the first electrodes 311 and 312.

다음, 도 18e와 같이 뱅크(315)를 형성한다(S1705).Next, a bank 315 is formed as shown in FIG. 18E (S1705).

보다 구체적으로, 제1 전극(311, 312) 각각의 끝단을 가리도록 뱅크(315)를 형성한다. 뱅크(315)는 제1 전원 라인(241), 제2 전원 라인(242) 및 제2 연결 전극(250)이 형성된 영역에 배치된 제2 절연막(260) 및 가림 패턴(281, 282, 283)의 일부가 노출될 수 있도록 패턴 형성될 수 있다. 또한, 뱅크(315)는 제3 서브 화소(P3)에 형성되지 않는다.More specifically, the banks 315 are formed to cover the ends of each of the first electrodes 311 and 312. The bank 315 includes the second insulating layer 260 and the covering patterns 281, 282, and 283 disposed in the region where the first power line 241, the second power line 242, and the second connection electrode 250 are formed. A pattern may be formed so that a portion of the can be exposed. Further, the bank 315 is not formed in the third sub-pixel P3.

다음, 도 18f와 같이 제2 절연막(260)에 개구 영역(OA1, OA2, OA3)을 형성한다(S1706).Next, as shown in FIG. 18F, opening regions OA1, OA2, and OA3 are formed in the second insulating layer 260 (S1706).

보다 구체적으로, 식각 공정을 실시하여 제2 절연막(260)에 개구 영역(OA1, OA2, OA3)을 형성한다. 이때, 식각 공정은 습식 식각(wet etch) 공정일 수 있으며, 제2 절연막(260)을 식각할 수 있으나, 가림 패턴(281, 282, 283)을 식각할 수 없는 식각액을 이용할 수 있다. 이에 따라, 가림 패턴(281, 282, 283)은 식각되지 않고, 노출되는 제2 절연막(260)만 식각되면서 언더컷 구조가 형성될 수 있다.More specifically, the etching regions are performed to form the opening regions OA1, OA2, and OA3 in the second insulating layer 260. At this time, the etching process may be a wet etch process, and the second insulating layer 260 may be etched, but an etchant that may not etch the masking patterns 281, 282, and 283 may be used. Accordingly, the undercut structure may be formed while the cover patterns 281, 282, and 283 are not etched, but only the exposed second insulating layer 260 is etched.

제2 절연막(260)은 식각 공정을 통하여 제1 전원 라인(241)의 일부를 노출시키는 제1 개구 영역(OA1), 제2 전원 라인(242)의 일부를 노출시키는 제2 개구 영역(OA2), 및 제2 연결 전극(250)의 일부를 노출시키는 제3 개구 영역(OA3)이 형성될 수 있다.The second insulating layer 260 includes a first opening region OA1 exposing a portion of the first power line 241 through an etching process, and a second opening region OA2 exposing a portion of the second power line 242. , And a third opening area OA3 exposing a portion of the second connection electrode 250 may be formed.

다음, 18g와 같이 제1 발광층(321, 322, 323)을 형성한다(S1707).Next, as shown in 18g, the first light emitting layers 321, 322, and 323 are formed (S1707).

보다 구체적으로, 제1 전극(311, 312) 및 가림 패턴(281, 282, 283) 상에 제1 발광층(321, 322, 323)을 형성한다. 제1 발광층(321, 322, 323)은 증착 공정 또는 용액 공정으로 형성될 수 있다. 제1 발광층(321, 322, 323)이 증착 공정으로 형성되는 경우, 증발 증착법(Evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다.More specifically, the first light emitting layers 321, 322, and 323 are formed on the first electrodes 311, 312 and the blocking patterns 281, 282, 283. The first light emitting layers 321, 322, and 323 may be formed by a deposition process or a solution process. When the first emission layers 321, 322, and 323 are formed by a deposition process, they may be formed using evaporation.

제1 발광층(321, 322, 323)은 가림 패턴(281, 282, 283)들에 의하여 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에서 단절된다. 제1 발광층(321, 322, 323)은 가림 패턴(281, 282, 283) 상에서 끊어질 수 있다. 또한, 제1 발광층(321, 322, 323)은 가림 패턴(281, 282, 283) 아래에 형성된 공간에 유입되어 가림 패턴(281, 282, 283) 아래에 형성될 수도 있다.The first emission layers 321, 322, and 323 are cut off between the first sub-pixel P1, the second sub-pixel P2, and the third sub-pixel P3 by the occlusion patterns 281, 282, 283. . The first light emitting layers 321, 322, and 323 may be cut off on the blocking patterns 281, 282, 283. Also, the first light emitting layers 321, 322, and 323 may be introduced into the space formed under the obstruction patterns 281, 282, 283 and be formed under the obstruction patterns 281, 282, 283.

제1 발광층(321, 322, 323)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 청색 광을 발광하는 청색 발광층 및 황색 광을 발광하는 황색 발광층 중 어느 하나 일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The first emission layers 321, 322, and 323 may be any one of a red emission layer that emits red light, a green emission layer that emits green light, a blue emission layer that emits blue light, and a yellow emission layer that emits yellow light. It is not limited to this.

다음, 도 18h와 같이 제2 전극(331, 332, 333)을 형성한다(S1708).Next, as shown in FIG. 18H, second electrodes 331, 332, and 333 are formed (S1708).

보다 구체적으로, 제1 발광층(321, 322, 323) 상에 제2 전극(331, 332, 333)을 형성한다. 제2 전극(331, 332, 333)은 가림 패턴(281, 282, 283)들에 의하여 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에서 단절된다. 제2 전극(331, 332, 333)은 가림 패턴(281, 282, 283) 상에서 끊어질 수 있다. 또한, 제2 전극(331, 332, 333)은 가림 패턴(281, 282, 283) 아래에 형성된 공간에 유입되어 가림 패턴(281, 282, 283) 아래에 형성될 수도 있다.More specifically, the second electrodes 331, 332, and 333 are formed on the first light emitting layers 321, 322, and 323. The second electrodes 331, 332, and 333 are disconnected between the first sub-pixel P1, the second sub-pixel P2, and the third sub-pixel P3 by the occlusion patterns 281, 282, 283. . The second electrodes 331, 332, and 333 may be cut off on the obstruction patterns 281, 282, and 283. Also, the second electrodes 331, 332, and 333 may be introduced into the space formed under the obstruction patterns 281, 282, and 283 to be formed under the obstruction patterns 281, 282, and 283.

제2 전극(331, 332, 333)은 스퍼터링법(sputtering)과 같은 물리적 기상 증착법(physics vapor deposition)으로 형성될 수 있다. 스퍼터링법과 같은 물리적 기상 증착법으로 형성된 막은 스텝 커버리지(step coverage) 특성이 우수하다. 따라서, 제2 전극(331, 332, 333)은 증발 증착법(Evaporation)을 이용하여 형성되는 제1 발광층(321, 322, 323) 보다 넓은 면적으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 전극(331, 332, 333)은 가림 패턴(281, 282, 283) 아래에서 제1 전원 라인(241), 제2 전원 라인(242) 및 제2 연결 전극(250) 중 어느 하나에 접속될 수 있다.The second electrodes 331, 332, and 333 may be formed by physical vapor deposition, such as sputtering. A film formed by a physical vapor deposition method such as sputtering has excellent step coverage characteristics. Therefore, the second electrodes 331, 332, and 333 may be formed with a larger area than the first light emitting layers 321, 322, and 323 formed by using evaporation. Accordingly, the second electrodes 331, 332, and 333 may have any one of the first power line 241, the second power line 242, and the second connection electrode 250 under the obstruction patterns 281, 282, and 283. It can be connected to one.

제2 전극(331, 332, 333)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다.The second electrode (331, 332, 333) is a transparent metal material (TCO, Transparent Conductive Material), such as ITO, IZO that can transmit light, or magnesium (Mg), silver (Ag), or magnesium (Mg) and It may be formed of a semi-transmissive conductive material, such as an alloy of silver (Ag).

다음, 도 18i와 같이 제2 발광층(340)을 형성한다(S1709).Next, as shown in Figure 18i, to form a second light emitting layer 340 (S1709).

보다 구체적으로, 제2 전극(331, 332, 333) 상에 제2 발광층(340)을 형성한다. 제2 발광층(340)은 증착 공정 또는 용액 공정으로 형성될 수 있다. 제2 발광층(340)이 증착 공정으로 형성되는 경우, 증발 증착법(Evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다.More specifically, the second light emitting layer 340 is formed on the second electrodes 331, 332, and 333. The second emission layer 340 may be formed by a deposition process or a solution process. When the second emission layer 340 is formed by a deposition process, it may be formed using an evaporation method.

제2 발광층(340)은 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에서 서로 연결된다. 제2 발광층(340)은 가림 패턴(281, 282, 283)과 제2 전극(331, 332, 333) 사이의 공간을 일부 채우면서 형성될 수 있다. 이때, 가림 패턴(281, 282, 283)과 제2 전극(331, 332, 333) 사이에 제2 발광층(340)이 채워지지 않은 공간에는 에어 갭(AG)이 형성될 수 있다.The second emission layer 340 is connected to each other between the first sub-pixel P1, the second sub-pixel P2, and the third sub-pixel P3. The second emission layer 340 may be formed while partially filling the space between the occlusion patterns 281, 282, and 283 and the second electrodes 331, 332, and 333. At this time, an air gap AG may be formed in a space where the second emission layer 340 is not filled between the occlusion patterns 281, 282, 283 and the second electrodes 331, 332, 333.

제2 발광층(340)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 청색 광을 발광하는 청색 발광층 및 황색 광을 발광하는 황색 발광층 중 어느 하나 일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The second emission layer 340 may be any one of a red emission layer that emits red light, a green emission layer that emits green light, a blue emission layer that emits blue light, and a yellow emission layer that emits yellow light, but is not limited thereto. .

다만, 제2 발광층(340)은 제1 발광층(321, 322, 323)과 상이한 색의 광을 발광할 수 있다. 제1 발광층(321, 322, 323)이 제1 색의 광을 발광하는 발광층일 경우, 제2 발광층(340)은 제1 색과 다른 제2 색의 광을 발광하는 발광층일 수 있다. 예컨대, 제1 발광층(321, 322, 323)은 황색 광을 발광하는 황색 발광층이고, 제2 발광층(340)은 청색 광을 발광하는 청색 발광층일 수 있다.However, the second emission layer 340 may emit light having a different color from the first emission layers 321, 322, and 323. When the first light emitting layers 321, 322, and 323 are light emitting layers that emit light of a first color, the second light emitting layer 340 may be light emitting layers that emit light of a second color different from the first color. For example, the first emission layers 321, 322, and 323 may be yellow emission layers that emit yellow light, and the second emission layers 340 may be blue emission layers that emit blue light.

다음, 도 18j와 같이 제3 전극(350)을 형성한다(S1710).Next, a third electrode 350 is formed as shown in FIG. 18J (S1710).

보다 구체적으로 제2 발광층(340) 상에 제3 전극(350)을 형성한다. 제3 전극(350)은 스퍼터링법(sputtering)과 같은 물리적 기상 증착법(physics vapor deposition)으로 형성될 수 있다. 또는 제3 전극(350)은 증발 증착법(Evaporation)을 이용하여 형성될 수도 있다.More specifically, the third electrode 350 is formed on the second emission layer 340. The third electrode 350 may be formed by physical vapor deposition, such as sputtering. Alternatively, the third electrode 350 may be formed using evaporation.

제3 전극(350)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제3 전극(350)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다. 표시장치(100)가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제3 전극(350)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 이러한 제3 전극(350)은 캐소드 전극일 수 있다.The third electrode 350 may be made of a transparent metal material, a semi-transmissive metal material, or a metal material having high reflectance. When the display device 100 is made of a lower emission method, the third electrode 350 is a stacked structure of aluminum and titanium (Ti/Al/Ti), a stacked structure of aluminum and ITO (ITO/Al/ITO), and an Ag alloy. And, it may be formed of a metal material having a high reflectance, such as a laminated structure of ITO and Ag alloy (ITO / Ag alloy / ITO). The Ag alloy may be an alloy such as silver (Ag), palladium (Pd), and copper (Cu). When the display device 100 is made of an upper emission method, the third electrode 350 is a transparent conductive material (TCO, transparent conductive material) such as ITO, IZO, or magnesium (Mg), silver ( Ag), or a semi-transmissive conductive material, such as an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag). The third electrode 350 may be a cathode electrode.

도 19a내지 도 19c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다. 도 19a는 개략적인 사시도이고, 도 19b는 VR(Virtual Reality) 구조의 개략적인 평면도이고, 도 19c는 AR(Augmented Reality) 구조의 개략적인 단면도이다. 19A to 19C relate to a display device according to another exemplary embodiment of the present invention, which relates to a head mounted display (HMD) device. 19A is a schematic perspective view, FIG. 19B is a schematic plan view of a VR (Virtual Reality) structure, and FIG. 19C is a schematic cross-sectional view of an Augmented Reality (AR) structure.

도 19a에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 헤드 장착형 표시 장치는 수납 케이스(10), 및 헤드 장착 밴드(30)를 포함하여 이루어진다. 19A, the head mounted display device according to the present invention includes a storage case 10 and a head mounting band 30.

수납 케이스(10)는 그 내부에 표시 장치, 렌즈 어레이, 및 접안 렌즈 등의 구성을 수납하고 있다. The storage case 10 houses components such as a display device, a lens array, and an eyepiece therein.

헤드 장착 밴드(30)는 수납 케이스(10)에 고정된다. 헤드 장착밴드(30)는 사용자의 머리 상면과 양 측면들을 둘러쌀 수 있도록 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 헤드 장착 밴드(30)는 사용자의 머리에 헤드 장착형 디스플레이를 고정하기 위한 것으로, 안경테 형태 또는 헬멧 형태의 구조물로 대체될 수 있다.The head mounting band 30 is fixed to the storage case 10. The head mounting band 30 is illustrated to be formed so as to surround the top and both sides of the user's head, but is not limited thereto. The head mounting band 30 is for fixing the head mounted display to the user's head, and may be replaced with a frame or a helmet-shaped structure.

도 19b에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 VR(Virtual Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11), 렌즈 어레이(13), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)를 포함하여 이루어진다. As can be seen in FIG. 19B, a head mounted display device having a VR (Virtual Reality) structure according to the present invention includes a left eye display 12 and a right eye display 11, a lens array 13, and a left eye eyepiece ( 20a) and the right-eye eyepiece 20b.

좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11), 렌즈 어레이(13), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)는 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다. The left-eye display device 12, the right-eye display device 11, the lens array 13, and the left-eye eyepiece 20a and the right-eye eyepiece 20b are housed in the aforementioned storage case 10.

좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11)는 동일한 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 2D 영상을 시청할 수 있다. 또는, 좌안용 표시 장치(12)는 좌안 영상을 표시하고 우안용 표시장치(11)는 우안 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 입체 영상을 시청할 수 있다. 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11) 각각은 전술한 도 1 내지 도 16에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 16에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 컬러 필터층(미도시)이 상기 렌즈 어레이(13)와 마주하게 된다. The display device 12 for the left eye and the display device 11 for the right eye can display the same image, in which case the user can watch the 2D image. Alternatively, the left-eye display device 12 may display a left-eye image and the right-eye display device 11 may display a right-eye image, in which case the user can view a stereoscopic image. Each of the display device 12 for the left eye and the display device 11 for the right eye may be formed of the display devices according to FIGS. 1 to 16 described above. At this time, in FIG. 1 to FIG. 16, an upper portion corresponding to a surface on which an image is displayed, for example, a color filter layer (not shown) faces the lens array 13.

렌즈 어레이(13)는 좌안 접안 렌즈(20a)와 좌안용 표시 장치(12) 각각과 이격되면서 좌안 접안 렌즈(20a)와 좌안용 표시 장치(12) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 렌즈 어레이(13)는 좌안 접안 렌즈(20a)의 전방 및 좌안용 표시 장치(12)의 후방에 위치할 수 있다. 또한, 렌즈 어레이(13)는 우안 접안 렌즈(20b)와 우안용 표시 장치(11) 각각과 이격되면서 우안 접안 렌즈(20b)와 우안용 표시 장치(11) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 렌즈 어레이(13)는 우안 접안 렌즈(20b)의 전방 및 우안용 표시 장치(11)의 후방에 위치할 수 있다.The lens array 13 may be provided between the left eyepiece lens 20a and the left eye display device 12 while being spaced apart from each of the left eyepiece lens 20a and the left eye display device 12. That is, the lens array 13 may be positioned in front of the left eyepiece lens 20a and behind the left eye display device 12. Further, the lens array 13 may be provided between the right-eye eye lens 20b and the right-eye display device 11 while being spaced apart from each of the right-eye eye lens 20b and the right-eye display device 11. That is, the lens array 13 may be positioned in front of the right-eye eyepiece lens 20b and behind the right-eye display device 11.

렌즈 어레이(13)는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)일 수 있다. 렌즈 어레이(13)는 핀홀 어레이(Pin Hole Array)로 대체될 수 있다. 렌즈 어레이(13)로 인해 좌안용 표시장치(12) 또는 우안용 표시장치(11)에 표시되는 영상은 사용자에게 확대되어 보일 수 있다. The lens array 13 may be a micro lens array. The lens array 13 may be replaced with a pin hole array. The image displayed on the display device 12 for the left eye or the display device 11 for the right eye due to the lens array 13 may be enlarged to the user.

좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안(LE)이 위치하고, 우안 접안 렌즈(20b)에는 사용자의 우안(RE)이 위치할 수 있다. The left eye LE of the user may be located in the left eyepiece 20a, and the right eye RE of the user may be located in the right eyepiece 20b.

도 19c에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 AR(Augmented Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(12), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)을 포함하여 이루어진다. 도 19c에는 편의상 좌안쪽 구성만을 도시하였으며, 우안쪽 구성도 좌안쪽 구성과 동일하다. As can be seen in FIG. 19C, the head mounted display device of the AR (Augmented Reality) structure according to the present invention includes a left eye display device 12, a lens array 13, a left eye lens 20a, and a transmissive reflector 14 , And a transmission window (15). For convenience, only the left eye configuration is illustrated in FIG. 19C, and the right eye configuration is the same as the left eye configuration.

좌안용 표시 장치(12), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)은 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다. The left-eye display device 12, the lens array 13, the left-eye eyepiece 20a, the transmissive reflecting portion 14, and the transmissive window 15 are housed in the aforementioned storage case 10.

좌안용 표시 장치(12)는 투과창(15)을 가리지 않으면서 투과 반사부(14)의 일측, 예로서 상측에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 좌안용 표시 장치(12)가 투과창(15)을 통해 보이는 외부 배경을 가리지 않으면서 투과 반사부(14)에 영상을 제공할 수 있다. The display device 12 for the left eye may be disposed on one side, for example, the upper side of the transmissive reflector 14 without covering the transmissive window 15. Accordingly, the left eye display device 12 may provide an image to the transmissive reflector 14 without obscuring the external background seen through the transmissive window 15.

좌안용 표시 장치(12)는 전술한 도 1 내지 도 16에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 16에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 컬러필터(미도시)가 투과 반사부(14)와 마주하게 된다. The left eye display device 12 may be formed of the display devices according to FIGS. 1 to 16 described above. At this time, in FIG. 1 to FIG. 16, an upper portion corresponding to a surface on which an image is displayed, for example, a color filter (not shown) faces the transmissive reflector 14.

렌즈 어레이(13)는 좌안 접안 렌즈(20a)와 투과반사부(14) 사이에 구비될 수 있다. The lens array 13 may be provided between the left eyepiece lens 20a and the transmissive reflector 14.

좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안이 위치한다. The left eye of the user is located in the left eye eyepiece 20a.

투과 반사부(14)는 렌즈 어레이(13)와 투과창(15) 사이에 배치된다. 투과 반사부(14)는 광의 일부를 투과시키고, 광의 다른 일부를 반사시키는 반사면(14a)을 포함할 수 있다. 반사면(14a)은 좌안용 표시 장치(12)에 표시된 영상이 렌즈 어레이(13)로 진행하도록 형성된다. 따라서, 사용자는 투과층(15)을 통해서 외부의 배경과 좌안용 표시 장치(12)에 의해 표시되는 영상을 모두 볼 수 있다. 즉, 사용자는 현실의 배경과 가상의 영상을 겹쳐 하나의 영상으로 볼수 있으므로, 증강현실(Augmented Reality, AR)이 구현될 수 있다.The transmissive reflector 14 is disposed between the lens array 13 and the transmissive window 15. The transmissive reflector 14 may include a reflective surface 14a that transmits a portion of light and reflects another portion of light. The reflective surface 14a is formed such that an image displayed on the left eye display device 12 proceeds to the lens array 13. Accordingly, the user can view both the external background and the image displayed by the left eye display device 12 through the transparent layer 15. That is, since the user can view the virtual image and the background of the reality as a single image, augmented reality (AR) can be implemented.

투과층(15)은 투과 반사부(14)의 전방에 배치되어 있다.The transmissive layer 15 is disposed in front of the transmissive reflector 14.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and may be variously modified without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the claims, and all technical spirits within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100: 표시장치 110: 표시패널
111: 제1 기판 112: 제2 기판
140: 소스 드라이브 IC 150: 연성필름
160: 회로보드 170: 타이밍 제어부
210: 차광층 220: 제1 절연막
230: 박막 트랜지스터 241: 제1 전원 라인
242: 제2 전원 라인 250: 제2 연결 전극
260: 제2 절연막 270: 평탄화막
281, 282, 283: 가림 패턴 311, 312, 313: 제1 전극
321, 322, 323: 제1 발광층 331, 332, 333: 제2 전극
340: 제2 발광층 350: 제3 전극
100: display device 110: display panel
111: first substrate 112: second substrate
140: source drive IC 150: flexible film
160: circuit board 170: timing control
210: light shielding layer 220: first insulating film
230: thin film transistor 241: first power line
242: second power line 250: second connection electrode
260: second insulating film 270: planarization film
281, 282, 283: occlusion pattern 311, 312, 313: first electrode
321, 322, 323: first light emitting layer 331, 332, 333: second electrode
340: second light emitting layer 350: third electrode

Claims (32)

제1 서브 화소 및 제2 서브 화소를 구비한 기판;
상기 기판 상에 구비되어, 제1 색의 광을 발광하는 제1 발광층;
상기 제1 발광층 상에 구비되어, 제2 색의 광을 발광하는 제2 발광층;
상기 제1 서브 화소에서 상기 기판과 상기 제1 발광층 사이에 구비된 제1 전극;
상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소 각각에서 상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층 사이에 구비된 제2 전극; 및
상기 제2 발광층 상에 구비된 제3 전극을 포함하고,
상기 제1 서브 화소의 제2 전극은 상기 제3 전극과 전기적으로 연결되는 표시장치.
A substrate having a first sub-pixel and a second sub-pixel;
A first emission layer provided on the substrate to emit light of a first color;
A second emission layer provided on the first emission layer to emit light of a second color;
A first electrode provided between the substrate and the first emission layer in the first sub-pixel;
A second electrode provided between the first emission layer and the second emission layer in each of the first sub-pixel and the second sub-pixel; And
It includes a third electrode provided on the second light emitting layer,
The second electrode of the first sub-pixel is a display device that is electrically connected to the third electrode.
제1항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이에서 단절되는 표시장치.
According to claim 1,
The second electrode is a display device that is disconnected between the first sub-pixel and the second sub-pixel.
제1항에 있어서,
상기 제1 서브 화소는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 상기 제1 발광층이 발광하고, 상기 제2 서브 화소는 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극 사이에 구비된 제2 발광층이 발광하는 표시장치.
According to claim 1,
In the first sub-pixel, the first light-emitting layer provided between the first electrode and the second electrode emits light, and in the second sub-pixel, a second light-emitting layer provided between the second electrode and the third electrode is provided. A light emitting display device.
제3항에 있어서,
상기 제2 발광층은 청색의 광을 발광하는 표시장치.
According to claim 3,
The second emission layer is a display device that emits blue light.
제1항에 있어서,
상기 기판 상에서 상기 제1 서브 화소에 구비된 제1 박막 트랜지스터; 및
상기 기판 상에서 상기 제2 서브 화소에 구비된 제2 박막 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 제1 서브 화소에 구비된 제1 전극은 상기 제1 박막 트랜지스터에 접속되어 제1 전압을 공급받고,
상기 제2 서브 화소에 구비된 제2 전극은 상기 제2 박막 트랜지스터에 접속되어 제2 전압을 공급받는 표시장치.
According to claim 1,
A first thin film transistor provided in the first sub-pixel on the substrate; And
Further comprising a second thin film transistor provided on the second sub-pixel on the substrate,
The first electrode provided in the first sub-pixel is connected to the first thin film transistor to receive a first voltage,
A second electrode provided in the second sub-pixel is connected to the second thin film transistor to receive a second voltage.
제1항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소 중 상기 제1 서브 화소에만 형성되는 표시장치.
According to claim 1,
The first electrode is a display device formed only on the first sub-pixel among the first sub-pixel and the second sub-pixel.
제1항에 있어서,
상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소 중 상기 제1 서브 화소에만 구비되고, 상기 제1 전극의 끝단을 가리도록 패턴 형성된 뱅크를 더 포함하는 표시장치.
According to claim 1,
A display device provided only on the first sub-pixel among the first sub-pixel and the second sub-pixel, and further comprising a patterned bank covering an end of the first electrode.
제1항에 있어서,
상기 제1 발광층은 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이에서 단절되는 표시장치.
According to claim 1,
The first light emitting layer is a display device that is disconnected between the first sub-pixel and the second sub-pixel.
제1항에 있어서,
상기 제2 발광층은 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이에서 연결되는 표시장치.
According to claim 1,
The second emission layer is a display device connected between the first sub-pixel and the second sub-pixel.
제1항에 있어서,
상기 제3 전극은 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이에서 연결되는 표시장치.
According to claim 1,
The third electrode is a display device connected between the first sub-pixel and the second sub-pixel.
제1항에 있어서,
상기 제1 서브 화소의 제2 전극과 상기 제1 서브 화소의 제3 전극을 전기적으로 연결하는 제1 연결 전극을 더 포함하는 표시장치.
According to claim 1,
And a first connection electrode electrically connecting the second electrode of the first sub-pixel and the third electrode of the first sub-pixel.
제11항에 있어서, 상기 제1 연결 전극은,
상기 제1 서브 화소의 제2 전극과 접속하는 제1 전원 라인; 및
상기 제1 전원 라인 및 상기 제1 서브 화소의 제3 전극 각각과 접속하는 보조 전원 라인을 포함하는 표시장치.
The method of claim 11, wherein the first connection electrode,
A first power line connected to a second electrode of the first sub-pixel; And
And an auxiliary power line connected to each of the first power line and the third electrode of the first sub-pixel.
제12항에 있어서,
상기 기판은 상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소가 배치된 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하고,
상기 보조 전원 라인은 상기 비표시 영역에 배치되고,
상기 제1 전원 라인은 상기 표시 영역에 배치되어 상기 제1 서브 화소의 제2 전극과 접속하고, 상기 표시 영역으로부터 상기 비표시 영역에 배치된 상기 보조전원 라인까지 연장되어 일단이 상기 보조 전원 라인에 접속하는 표시장치.
The method of claim 12,
The substrate includes a display area in which the first sub-pixel and the second sub-pixel are disposed and a non-display area surrounding the display area,
The auxiliary power line is disposed in the non-display area,
The first power line is disposed in the display area to connect to the second electrode of the first sub-pixel, and extends from the display area to the auxiliary power line disposed in the non-display area, one end of which is connected to the auxiliary power line. Display device to be connected.
제13항에 있어서,
액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 제1 서브 화소에 제1 전압을 공급하는 제1 박막 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 제1 전원 라인은 상기 제1 박막 트랜지스터를 구성하는 상기 액티브층, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 하나와 동일한 층에 이격하여 형성되는 표시장치.
The method of claim 13,
An active layer, a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, and further comprising a first thin film transistor that supplies a first voltage to the first sub-pixel,
The first power line is a display device formed apart from the same layer as one of the active layer, the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode constituting the first thin film transistor.
제14항에 있어서,
상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제1 전원 라인 상에 구비되고, 상기 제1 전원 라인의 일부를 노출시키는 제1 개구 영역이 형성된 제1 절연막을 더 포함하고,
상기 제1 서브 화소의 제2 전극은 상기 제1 개구 영역에서 상기 제1 전원 라인과 접속하는 표시장치.
The method of claim 14,
The first thin film transistor and a first insulating layer provided on the first power line, and further including a first opening region exposing a portion of the first power line, are further included,
The second electrode of the first sub-pixel is connected to the first power line in the first opening area.
제15항에 있어서,
상기 제1 절연막 상에 구비되고, 상기 제1 개구 영역의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부가 형성된 제1 가림 패턴을 더 포함하는 표시장치.
The method of claim 15,
The display device further includes a first masking pattern provided on the first insulating layer and having a protrusion formed to cover a portion of the first opening region.
제16항에 있어서,
상기 제1 가림 패턴은 상기 제1 전극과 동일한 물질로 동시에 형성되는 표시장치.
The method of claim 16,
The first obscuration pattern is a display device formed of the same material as the first electrode at the same time.
제17항에 있어서,
상기 제1 가림 패턴은 상기 제1 전극과 이격되는 표시장치.
The method of claim 17,
The first obstruction pattern is a display device spaced apart from the first electrode.
제16항에 있어서,
상기 제1 가림 패턴은 상기 표시 영역에서 상기 제1 전원 라인을 따라 형성되는 표시장치.
The method of claim 16,
The first obstruction pattern is a display device formed along the first power line in the display area.
제16항에 있어서,
상기 제1 서브 화소의 제2 전극은 상기 제1 가림 패턴 아래에서 상기 제1 전원 라인에 접속하는 표시장치.
The method of claim 16,
A display device that connects the second electrode of the first sub-pixel to the first power line under the first occlusion pattern.
제1항에 있어서,
상기 제2 서브 화소의 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 연결 전극을 더 포함하는 표시장치.
According to claim 1,
And a second connection electrode electrically connected to the second electrode of the second sub-pixel.
제21항에 있어서,
상기 제2 연결 전극은 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이에 구비되는 표시장치.
The method of claim 21,
The second connection electrode is a display device provided between the first sub-pixel and the second sub-pixel.
제21항에 있어서,
액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 제2 서브 화소에 제2 전압을 공급하는 제2 박막 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 제2 연결 전극은 상기 제2 박막 트랜지스터의 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 하나인 표시장치.
The method of claim 21,
An active layer, a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, and further comprising a second thin film transistor that supplies a second voltage to the second sub-pixel,
The second connection electrode is any one of the source electrode and the drain electrode of the second thin film transistor.
제23항에 있어서,
상기 제2 연결 전극 상에 구비되고, 상기 제2 연결 전극의 일부를 노출시키는 제2 개구 영역이 형성된 제1 절연막을 더 포함하고,
상기 제2 서브 화소의 제2 전극은 상기 제2 개구 영역에서 상기 제2 연결 전극과 접속하는 표시장치.
The method of claim 23,
The first insulating film is provided on the second connection electrode and has a second opening region exposing a part of the second connection electrode.
A display device that connects the second electrode of the second sub-pixel to the second connection electrode in the second opening area.
제24항에 있어서,
상기 제1 절연막 상에 구비되고, 상기 제2 개구 영역의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부가 형성된 제2 가림 패턴을 더 포함하는 표시장치.
The method of claim 24,
The display device further includes a second cover pattern provided on the first insulating layer and having a protruding portion formed to cover a portion of the second opening region.
제25항에 있어서,
상기 제2 가림 패턴은 상기 제1 전극과 동일한 물질로 동시에 형성되는 표시장치.
The method of claim 25,
The second obscuration pattern is formed of the same material as the first electrode at the same time.
제25항에 있어서,
상기 제2 가림 패턴은 상기 제2 서브 화소를 둘러싸도록 형성되는 표시장치.
The method of claim 25,
The second obscuration pattern is formed to surround the second sub-pixel.
제25항에 있어서,
상기 제1 발광층은 상기 제2 가림 패턴에 의하여 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이에서 단절되는 표시장치.
The method of claim 25,
The first emission layer is a display device that is disconnected between the first sub-pixel and the second sub-pixel by the second occlusion pattern.
제25항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 제2 가림 패턴에 의하여 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이에서 단절되는 표시장치.
The method of claim 25,
The second electrode is a display device that is disconnected between the first sub-pixel and the second sub-pixel by the second occlusion pattern.
제29항에 있어서,
상기 제2 서브 화소의 제2 전극은 상기 제2 가림 패턴 아래에서 상기 제2 연결 전극에 접속하는 표시장치.
The method of claim 29,
A display device that connects the second electrode of the second sub-pixel to the second connection electrode under the second occlusion pattern.
제1항에 있어서,
상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소는 발광 면적이 서로 다른 표시장치.
According to claim 1,
The first sub-pixel and the second sub-pixel have different display areas.
제31항에 있어서,
상기 제2 서브 화소가 상기 제1 서브 화소 보다 큰 발광 면적을 가지는 표시장치.
The method of claim 31,
A display device in which the second sub-pixel has a larger emission area than the first sub-pixel.
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