KR20210053654A - Display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 영상을 표시하는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device that displays an image.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP, Plasma Display Panel), 유기발광 표시장치(OLED, Organic Light Emitting Display)와 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, demands for display devices for displaying images are increasing in various forms. Accordingly, in recent years, various display devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting display (OLED) have been used.
유기발광 표시장치는 서브 화소 별로 상이한 색의 발광층을 정밀하게 패턴 형성하는데 어려움이 있다. 이를 해결하기 위하여, 유기발광 표시장치는 서로 상이한 색상의 광을 발광하는 복수의 스택들로 이루어진 백색 발광층을 공통층으로 형성하고, 서브 화소 별로 컬러필터를 배치하여 상이한 색을 구현할 수 있다. 이러한 경우, 유기발광 표시장치는 정밀한 마스크 제작이나 정밀한 마스크 얼라인 공정이 필요하지 않다는 장점이 있으나, 복수의 스택들로 인하여 전력이 많이 소비된다는 문제가 있다.In the organic light emitting display device, it is difficult to precisely pattern light emitting layers of different colors for each sub-pixel. To solve this problem, the organic light emitting display device may implement a different color by forming a white emission layer consisting of a plurality of stacks emitting light of different colors as a common layer, and disposing a color filter for each sub-pixel. In this case, the organic light emitting display device has an advantage that a precise mask fabrication or a precise mask alignment process is not required, but there is a problem in that a large amount of power is consumed due to a plurality of stacks.
본 발명은 소비 전력을 감소시킬 수 있는 표시장치를 제공한다.The present invention provides a display device capable of reducing power consumption.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소가 배치된 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 기판 상에서 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소 각각에 구비된 제1 전극, 제1 전극 상에 구비되어 제1 색의 광을 발광하는 제1 발광층, 제1 발광층 상에 구비된 제2 전극, 제2 전극 상에 구비되어 제2 색의 광을 발광하는 제2 발광층, 제2 발광층 상에 구비된 제3 전극, 기판과 제1 전극 사이에 구비되고 제2 전극 및 제3 전극을 전기적으로 연결하거나 제1 전극 및 제2 전극을 전기적으로 연결하는 연결전극, 연결전극 상에 구비되고 연결전극의 일부를 노출시키는 개구 영역을 포함하는 제1 층, 및 제1 층 상에 구비되고 개구 영역의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부를 포함하는 제2 층을 포함한다. 연결전극은 개구 영역에서 단차를 가진다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate including a display area in which a first sub-pixel and a second sub-pixel are disposed, and a non-display area surrounding the display area, and a first sub-pixel and a second sub-pixel on the substrate. A first electrode provided on each, a first emission layer provided on the first electrode to emit light of a first color, a second electrode provided on the first emission layer, and a second color light provided on the second electrode A second light emitting layer emitting light, a third electrode provided on the second light emitting layer, provided between the substrate and the first electrode, and electrically connecting the second electrode and the third electrode, or electrically connecting the first electrode and the second electrode A first layer provided on the connection electrode and including an opening region exposing a portion of the connection electrode, and a second layer provided on the first layer and including a protrusion protruding to cover a part of the opening region Includes. The connecting electrode has a step difference in the open area.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는 기판 상에 구비된 금속 패턴, 금속 패턴 상에 구비되고 금속 패턴의 일부를 노출시키는 개구 영역이 형성된 제1 층, 및 제1 층 상에 구비되고 개구 영역의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부를 포함하는 제2 층을 포함한다. 금속 패턴은 개구 영역에서 단차를 가진다.A display device according to another exemplary embodiment of the present invention includes a metal pattern provided on a substrate, a first layer provided on the metal pattern and having an opening area exposing a part of the metal pattern, and an opening area provided on the first layer. And a second layer including a protruding portion protruding to cover a portion of the. The metal pattern has a step difference in the opening area.
본 발명에 따르면, 서브 화소들에 제1 발광층 및 제2 발광층을 마스크 없이 전면에 형성함으로써, 마스크를 이용하여 서브 화소 별로 상이한 발광층들을 패턴 형성함에 따른 문제점을 해결할 수 있다. 즉, 본 발명은 정밀한 마스크 제작이나 정밀한 마스크 얼라인 공정이 필요하지 않으며, 조밀한 화소 간격을 가지는 고해상도의 표시장치에도 적용이 가능하다.According to the present invention, by forming the first emission layer and the second emission layer on the sub-pixels without a mask on the entire surface, it is possible to solve the problem of forming patterns of different emission layers for each sub-pixel using a mask. That is, the present invention does not require a precise mask fabrication or a precise mask alignment process, and can be applied to a high-resolution display device having a dense pixel gap.
또한, 본 발명은 제1 발광층 및 제2 발광층을 전면에 형성함에도 불구하고, 서브 화소들 각각에서 제1 발광층 및 제2 발광층 중 어느 하나만 발광시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제1 발광층 및 제2 발광층을 모두 발광시키는 것과 비교하여 전력 소비를 현저하게 줄일 수 있다.In addition, although the first emission layer and the second emission layer are formed on the entire surface of the present invention, only one of the first emission layer and the second emission layer may emit light in each of the sub-pixels. Accordingly, the present invention can significantly reduce power consumption compared to emitting light of both the first and second emission layers.
또한, 본 발명은 언더컷 구조를 이용하여 제2 전극이 서브 화소들 사이에서 단절되고, 서브 화소들 각각의 제2 전극이 제1 연결전극, 제1 연결전극 및 제2 연결전극 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 본 발명은 별도의 마스크를 제작할 필요가 없다.In addition, according to the present invention, the second electrode is disconnected between the sub-pixels using the undercut structure, and the second electrode of each of the sub-pixels is connected to any one of the first connection electrode, the first connection electrode, and the second connection electrode. Can be. In the present invention, there is no need to manufacture a separate mask.
또한, 본 발명은 연결전극이 단차를 가지도록 형성하고 연결전극의 단차를 조절함으로써, 제1 발광층, 제2 전극, 제2 발광층 및 제3 전극의 연결 여부를 제2 절연막의 두께 제한 없이 자유롭게 조절할 수 있다.In addition, in the present invention, by forming the connecting electrode to have a step and adjusting the step of the connecting electrode, whether the first light-emitting layer, the second electrode, the second light-emitting layer, and the third electrode are connected can be freely controlled without limiting the thickness of the second insulating layer. I can.
특히, 본 발명은 언더컷 구조를 이루는 층들 중 아래에 구비된 제2 절연막의 두께를 감소시키지 않더라도, 연결전극이 단차를 가짐으로써 제2 절연막의 두께를 감소시키는 효과를 구현할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제2 발광층과 제3 전극 각각이 언더컷 구조가 배치된 서브 화소들 사이에서도 끊어지지 않고 연결되는 것을 보장할 수 있다. In particular, the present invention can implement the effect of reducing the thickness of the second insulating film by having a step difference in the connection electrode even if the thickness of the second insulating film provided below is not reduced among the layers constituting the undercut structure. Accordingly, according to the present invention, it is possible to ensure that each of the second emission layer and the third electrode is connected without being disconnected even between sub-pixels on which the undercut structure is disposed.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects obtainable in the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the following description. .
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 제1 기판, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 3의 II-II의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 6은 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 변형된 예를 보여주는 평면도이다.
도 8은 제3 서브 화소의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 8의 변형된 예를 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 4의 A 영역의 일 예를 보여주는 확대도이다.
도 11은 도 4의 A 영역의 다른 예를 보여주는 확대도이다.
도 12는 도 4의 A 영역의 또 다른 예를 보여주는 확대도이다.
도 13은 도 10의 변형된 예를 보여주는 확대도이다.
도 14은 도 10의 변형된 다른 예를 보여주는 확대도이다.
도 15는 도 3의 III-III의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 16은 도 3의 Ⅳ-Ⅳ의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 17a내지 도 17c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다.1 is a perspective view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a first substrate, a source drive IC, a flexible film, a circuit board, and a timing controller of FIG. 1.
3 is a schematic plan view of a first substrate of a display panel according to an exemplary embodiment.
4 is a cross-sectional view illustrating an example of II of FIG. 3.
5 is a cross-sectional view illustrating an example of II-II of FIG. 3.
6 is a plan view schematically illustrating an example of a first sub-pixel and a second sub-pixel.
7 is a plan view showing a modified example of FIG. 6.
8 is a plan view schematically illustrating an example of a third sub-pixel.
9 is a plan view showing a modified example of FIG. 8.
10 is an enlarged view showing an example of area A of FIG. 4.
11 is an enlarged view showing another example of area A of FIG. 4.
12 is an enlarged view showing another example of area A of FIG. 4.
13 is an enlarged view showing a modified example of FIG. 10.
14 is an enlarged view showing another modified example of FIG. 10.
15 is a cross-sectional view illustrating an example of III-III of FIG. 3.
16 is a cross-sectional view showing an example of IV-IV of FIG. 3.
17A to 17C relate to a display device according to another embodiment of the present invention, which relates to a head mounted display (HMD) device.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only these embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains It is provided to fully inform the person of the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are exemplary, and the present invention is not limited to the illustrated matters. The same reference numerals refer to the same elements throughout the specification. In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. When'include','have','consists of' and the like mentioned in the present specification are used, other parts may be added unless'only' is used. In the case of expressing the constituent elements in the singular, it includes the case of including the plural unless specifically stated otherwise.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is interpreted as including an error range even if there is no explicit description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as'upper','upper of','lower of','next to','right' Or, unless'direct' is used, one or more other parts may be located between the two parts.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, when a temporal predecessor relationship is described as'after','following','after','before', etc.,'right' or'direct' It may also include cases that are not continuous unless this is used.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.First, second, etc. are used to describe various elements, but these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another component. Accordingly, the first component mentioned below may be a second component within the technical idea of the present invention.
"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다. "X-axis direction", "Y-axis direction" and "Z-axis direction" should not be interpreted only as a geometrical relationship in which the relationship between each other is vertical, and is wider than within the range in which the configuration of the present invention can function functionally. It can mean having directionality.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. The term “at least one” is to be understood as including all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of “at least one of the first item, the second item, and the third item” means that each of the first item, the second item, or the third item, as well as the first item, the second item, and the third item, It may mean a combination of all items that can be presented from more than one.
본 발명의 여러 실시 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each of the features of the various embodiments of the present invention can be partially or entirely combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments can be implemented independently of each other or can be implemented together in a related relationship. May be.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다. 도 2는 도 1의 제1 기판, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.1 is a perspective view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing a first substrate, a source drive IC, a flexible film, a circuit board, and a timing controller of FIG. 1.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 표시패널(110), 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)(140), 연성필름(150), 회로보드(160), 및 타이밍 제어부(170)를 포함한다.1 and 2, a
표시패널(110)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 포함한다. 제2 기판(112)은 봉지 기판일 수 있다. 제1 기판(111)은 플라스틱 필름(plastic film), 유리 기판(glass substrate), 또는 반도체 공정을 이용하여 형성된 실리콘 웨이퍼 기판일 수 있다. 제2 기판(112)은 플라스틱 필름, 유리 기판, 또는 봉지 필름일 수 있다.The
표시장치(100)는 발광된 광이 하부쪽으로 방출되는 소위 하부 발광(bottom emission) 방식으로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 기판(111)은 투명한 재료가 이용되고, 제2 기판(112)은 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)가 발광된 광이 상부쪽으로 방출되는 상부 발광(top emission) 방식으로 이루어지는 경우, 제1 기판(111)은 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수 있고, 제2 기판(112)은 투명한 재료가 이용될 수 있다.The
제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 서브 화소들이 형성된다. 서브 화소들은 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의되는 영역에 마련된다.Gate lines, data lines, and sub-pixels are formed on one surface of the
서브 화소들 각각은 박막 트랜지스터와 애노드 전극, 발광층, 및 캐소드 전극을 구비하는 발광소자를 포함할 수 있다. 서브 화소들 각각은 박막 트랜지스터를 이용하여 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 발광소자에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인하여 애노드 전극에 고전위 전압이 인가되고 캐소드 전극에 저전위 전압이 인가되면, 서브 화소들 각각의 발광층은 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다.Each of the sub-pixels may include a light emitting device including a thin film transistor, an anode electrode, a light emitting layer, and a cathode electrode. Each of the sub-pixels supplies a predetermined current to the light emitting device according to the data voltage of the data line when a gate signal is input from the gate line using the thin film transistor. Accordingly, when a high potential voltage is applied to the anode electrode and a low potential voltage is applied to the cathode electrode, the light emitting layers of each of the sub-pixels can emit light with a predetermined brightness according to a predetermined current.
표시패널(110)은 서브 화소들이 형성되어 화상을 표시하는 표시 영역(DA)과 화상을 표시하지 않는 비표시 영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(DA)에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 서브 화소들이 형성될 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 게이트 구동부 및 패드들이 형성될 수 있다.The
게이트 구동부는 타이밍 제어부(170)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인들에 게이트 신호들을 공급한다. 게이트 구동부는 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시 영역(DA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. 또는, 게이트 구동부는 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시영역(DA)에 부착될 수도 있다.The gate driver supplies gate signals to the gate lines according to the gate control signal input from the
소스 드라이브 IC(140)는 타이밍 제어부(170)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 소스 드라이브 IC(140)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(140)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(150)에 실장될 수 있다.The source drive
표시패널(110)의 비표시 영역(NDA)에는 데이터 패드들과 같은 패드들이 형성될 수 있다. 연성필름(150)에는 패드들과 소스 드라이브 IC(140)를 연결하는 배선들, 패드들과 회로보드(160)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성필름(150)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 패드들과 연성필름(150)의 배선들이 연결될 수 있다.Pads such as data pads may be formed in the non-display area NDA of the
회로보드(160)는 연성필름(150)들에 부착될 수 있다. 회로보드(160)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(160)에는 타이밍 제어부(170)가 실장될 수 있다. 회로보드(160)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.The
타이밍 제어부(170)는 회로보드(160)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력 받는다. 타이밍 제어부(170)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 IC(140)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(170)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 IC(140)들에 공급한다.The
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 4는 도 3의 I-I의 일 예를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 3의 II-II의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 6은 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 변형된 예를 보여주는 평면도이다. 도 8은 제3 서브 화소의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 9는 도 8의 변형된 예를 보여주는 평면도이다. 도 10은 도 4의 A 영역의 일 예를 보여주는 확대도이고, 도 11은 도 4의 A 영역의 다른 예를 보여주는 확대도이며, 도 12는 도 4의 A 영역의 또 다른 예를 보여주는 확대도이다. 도 13은 도 10의 변형된 예를 보여주는 확대도이고, 도 14은 도 10의 변형된 다른 예를 보여주는 확대도이다. 도 15는 도 3의 III-III의 일 예를 보여주는 단면도이고, 도 16은 도 3의 Ⅳ-Ⅳ의 일 예를 보여주는 단면도이다.FIG. 3 is a plan view schematically illustrating a first substrate of a display panel according to an exemplary embodiment, FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an example of II of FIG. 3, and FIG. 5 is a diagram of II-II of FIG. 3. It is a cross-sectional view showing an example. 6 is a plan view schematically illustrating an example of a first sub-pixel and a second sub-pixel, and FIG. 7 is a plan view illustrating a modified example of FIG. 6. 8 is a plan view schematically illustrating an example of a third sub-pixel, and FIG. 9 is a plan view illustrating a modified example of FIG. 8. FIG. 10 is an enlarged view showing an example of area A of FIG. 4, FIG. 11 is an enlarged view showing another example of area A of FIG. 4, and FIG. 12 is an enlarged view showing another example of area A of FIG. 4 to be. 13 is an enlarged view showing a modified example of FIG. 10, and FIG. 14 is an enlarged view showing another modified example of FIG. 10. 15 is a cross-sectional view showing an example of III-III of FIG. 3, and FIG. 16 is a cross-sectional view showing an example of IV-IV of FIG. 3.
도 3 내지 도 16을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(110)은 제1 기판(111), 단차층(200), 차광층(210), 제1 절연막(220), 구동 박막 트랜지스터(230), 연결전극(240, 250), 보조 전원 라인(360), 평탄화막(270), 제2 절연막(260), 가림 패턴(280), 제1 전극(310), 뱅크(315), 제1 발광층(320), 제2 전극(330), 제2 발광층(340), 및 제3 전극(350)을 포함한다.3 to 16, the
제1 기판(111)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 제1 기판(111)은 투명한 재료로 이루어질 수도 있고 불투명한 재료로 이루어질 수도 있다.The
제1 기판(111)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)으로 구분된다. 제1 기판(111)의 표시 영역(DA)에는 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2), 및 제3 서브 화소(P3)가 구비될 수 있다. 제1 서브 화소(P1)는 적색 광을 방출하고, 제2 서브 화소(P2)는 녹색 광을 방출하고, 제3 서브 화소(P3)는 청색 광을 방출하도록 구비될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 기판(111)의 표시 영역(DA)에는 백색(W)의 광을 발광하는 제4 서브 화소가 더 구비될 수 있다. 또한, 각각의 서브 화소(P1, P2, P3)의 배열 순서는 다양하게 변경될 수 있다.The
이하에서는 설명의 편의를 위하여, 제1 서브 화소(P1)는 적색 광을 방출하는 적색 화소이고, 제2 서브 화소(P2)는 녹색 광을 방출하는 녹색 화소이고, 제3 서브 화소(P3)는 청색 광을 방출하는 청색 화소인 것으로 설명한다.Hereinafter, for convenience of description, the first sub-pixel P1 is a red pixel emitting red light, the second sub-pixel P2 is a green pixel emitting green light, and the third sub-pixel P3 is It will be described as being a blue pixel emitting blue light.
제1 기판(111) 상에는 각종 신호 라인들, 박막 트랜지스터(230), 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 구비된다. 신호 라인들은 게이트 라인, 데이터 라인, 전원 라인, 및 기준 라인을 포함하여 이루어질 수 있다. Circuit elements including various signal lines,
박막 트랜지스터(230)는 게이트 라인에 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 제1 전극(310)에 소정의 전압을 공급한다. 도 4 및 도 5에서는 구동 박막 트랜지스터(230)를 하나의 층으로 간략하게 도시하고 있다. 그러나, 이것은 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 구동 박막 트랜지스터(230)는 복수의 층들로 구성된다. 박막 트랜지스터(230)는 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.When a gate signal is input to the gate line, the
구체적으로, 제1 기판(111) 상에는 액티브층이 형성된다. 액티브층은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 제1 기판(111)과 액티브층 사이에는 도 4에 도시된 바와 같이 액티브층으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층(210)이 형성될 수 있다. 차광층(210)이 금속 물질로 형성되는 경우, 액티브층과 차광층(210) 사이에는 버퍼층이 형성될 수 있다.Specifically, an active layer is formed on the
액티브층 상에는 게이트 절연막이 형성될 수 있다. 게이트 절연막은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.A gate insulating layer may be formed on the active layer. The gate insulating layer may be formed of an inorganic layer, for example, a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, or multiple layers thereof.
게이트 절연막 상에는 게이트 전극이 형성될 수 있다. 게이트 전극은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.A gate electrode may be formed on the gate insulating layer. The gate electrode is made of any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu), or an alloy thereof. It may be made of a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.
게이트 전극 상에는 층간 절연막이 형성될 수 있다. 층간 절연막은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.An interlayer insulating film may be formed on the gate electrode. The interlayer insulating film may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple films thereof.
층간 절연막 상에는 소스 전극과 드레인 전극이 형성될 수 있다. 소스 전극과 드레인 전극 각각은 게이트 절연막과 층간 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층에 접속될 수 있다. 소스 전극과 드레인 전극 각각은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.A source electrode and a drain electrode may be formed on the interlayer insulating layer. Each of the source electrode and the drain electrode may be connected to the active layer through a contact hole penetrating through the gate insulating layer and the interlayer insulating layer. Each of the source electrode and the drain electrode is any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu), or It may be a single layer or multiple layers made of an alloy thereof, but is not limited thereto.
연결전극(240, 250)은 제1 기판(111) 상에 형성된다. 구체적으로, 연결전극(240, 250)은 박막 트랜지스터(230)의 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.The
연결전극(240, 250)은 서브 화소들(P1, P2, P3) 각각의 일측에 배치되어 제2 전극(330)과 제3 전극(350)을 전기적으로 연결하거나, 제1 전극(310)과 제2 (330)을 전기적으로 연결한다.The
구체적으로, 연결전극(240)은 제2 전극(330)과 제3 전극(350)을 전기적으로 연결시키는 제1 연결전극(240), 및 제1 전극(310)과 제2 전극(330)을 전기적으로 연결시키는 제2 연결전극(250)을 포함한다. Specifically, the
제1 연결전극(240)은 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 각각의 일측에 배치된다. 예컨대, 제1 서브 화소(P1)의 일측에 하나의 제1 연결전극(241)이 형성되고, 제2 서브 화소(P2)의 일측에 다른 하나의 제1 연결전극(242)이 형성될 수 있다. 백색(W)의 광을 발광하는 제4 서브 화소가 더 구비되는 경우, 제4 서브 화소의 일측에 또 다른 하나의 제1 연결전극(240)이 배치될 수도 있다. The
제1 연결전극(241, 242)은 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 각각의 제2 전극(331, 332)과 제3 전극(350)을 전기적으로 연결한다. 제1 연결전극(241, 242)은 비표시 영역(NDA)에 구비된 보조 전원 라인(360)을 통해 제2 전극(331, 332)과 제3 전극(350)을 전기적으로 연결할 수 있다.The
보조 전원 라인(360)은 비표시 영역(NDA)에서 제1 방향(X축 방향)으로 연장 형성된다. 보조 전원 라인(360)은 도 15 및 도 16에 도시된 바와 같이 일부가 제1 절연막(220), 제2 절연막(260), 평탄화막(270)에 의하여 덮이지 않고 노출되고, 노출된 영역에서 제3 전극(350)과 접속할 수 있다.The
이러한 보조 전원 라인(360)은 차광층(210)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 보조 전원 라인(360)은 박막 트랜지스터(230)의 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수도 있다.The
하나의 제1 연결전극(241)은 표시 영역(DA)에서 제1 서브 화소(P1)의 일 측에 배치되어, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)과 접속한다. 도 4 및 도 5에서는 제1 연결전극(241)이 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제1 연결전극(241)은 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 배치될 수도 있다.One
제1 연결전극(241)은 표시 영역(DA)에서 제2 방향(Y축 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 복수의 제1 서브 화소(P1)들은 제1 연결전극(241)과 나란하게 제2 방향을 따라 배치될 수 있다. 이러한 경우, 제1 연결전극(241)은 나란하게 배치된 복수의 제1 서브 화소(P1)들 모두의 제2 전극(331)과 접속하거나, 복수의 제1 서브 화소(P1)들 중 일부의 제2 전극(331)과 접속할 수 있다.The
한편, 복수의 제1 서브 화소(P1)들은 제2 방향을 따라 복수의 제2 서브 화소(P2)들과 교대로 배치될 수도 있다. 이러한 경우, 제1 연결전극(241)은 복수의 제1 서브 화소(P1)들 모두의 제2 전극(331)과 접속하거나, 복수의 제1 서브 화소(P1)들 중 일부의 제2 전극(331)과 접속할 수 있다. 또는 제1 연결전극(241)은 복수의 제1 서브 화소(P1)들 및 복수의 제2 화소(P2)들 모두의 제2 전극(331, 332)과 접속하거나, 복수의 제1 서브 화소(P1)들 및 복수의 제2 화소(P2)들 중 일부의 제2 전극(331, 332)과 접속할 수 있다.Meanwhile, the plurality of first sub-pixels P1 may be alternately disposed with the plurality of second sub-pixels P2 along the second direction. In this case, the
제1 연결전극(241)은 일단이 보조 전원 라인(360)에 접속된다. 제1 연결전극(241)은 도 15에 도시된 바와 같이 콘택홀을 통해 보조 전원 라인(360)에 접속될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다.One end of the
이러한 제1 연결전극(241)은 박막 트랜지스터(230)의 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.The
상술한 바에 따라, 제1 서브 화소(P1)는 제1 연결전극(241) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(331)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결된다. 즉, 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가된다.As described above, in the first sub-pixel P1, the
다른 하나의 제1 연결전극(242)은 표시 영역(DA)에서 제2 서브 화소(P2)의 일 측에 배치되어, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)과 접속한다. 도 4 및 도 5에서는 제1 연결전극(242)이 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 배치되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제1 연결전극(242)은 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치될 수도 있다.The other
제1 연결전극(242)은 표시 영역(DA)에 배치되고, 제2 방향(Y축 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 복수의 제2 서브 화소(P2)들은 제1 연결전극(242)과 나란하게 제2 방향을 따라 배치될 수 있다. 이러한 경우, 제1 연결전극(242)은 나란하게 배치된 복수의 제2 서브 화소(P2)들 모두의 제2 전극(332)과 접속하거나, 복수의 제2 서브 화소(P2)들 중 일부의 제2 전극(332)과 접속할 수 있다.The
한편, 복수의 제2 서브 화소(P2)들은 제2 방향을 따라 복수의 제1 서브 화소(P1)들과 교대로 배치될 수도 있다. 이러한 경우, 제1 연결전극(242)은 복수의 제2 서브 화소(P2)들 모두의 제2 전극(332)과 접속하거나, 복수의 제2 서브 화소(P2)들 중 일부의 제2 전극(332)과 접속할 수 있다. 또는 제1 연결전극(242)은 복수의 제1 서브 화소(P1)들 및 복수의 제2 화소(P2)들 모두의 제2 전극(331, 332)과 접속하거나, 복수의 제1 서브 화소(P1)들 및 복수의 제2 화소(P2)들 중 일부의 제2 전극(331, 332)과 접속할 수 있다Meanwhile, the plurality of second sub-pixels P2 may be alternately disposed with the plurality of first sub-pixels P1 along the second direction. In this case, the
제1 연결전극(242)은 일단이 보조 전원 라인(360)에 접속된다. 제1 연결전극(242)은 도 15에 도시된 바와 같이 콘택홀을 통해 보조 전원 라인(360)에 접속될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다.One end of the
이러한 제1 연결전극(242)은 박막 트랜지스터(230)의 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.The
상술한 바에 따라, 제2 서브 화소(P2)는 제1 연결전극(242) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(332)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결된다. 즉, 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가된다.As described above, in the second sub-pixel P2, the
제2 연결전극(250)은 제3 서브 화소(P3)의 일측에 배치된다. 제2 연결전극(250)은 표시 영역(DA)에서 제3 서브 화소(P3)의 일 측에 배치되어, 제3 서브 화소(P3)의 제1 전극(313) 및 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)과 접속한다.The
도 4 및 도 5에서는 제2 연결전극(250)이 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 연결전극(250)은 제3 서브 화소(P3)와 제1 서브 화소(P1) 사이에 배치될 수도 있다.4 and 5 illustrate that the
또한, 도 4, 도 5 및 도 8에서는 제2 연결전극(250)이 제3 서브 화소(P3)의 일 측에만 배치되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 연결전극(250)은 제3 서브 화소(P3)의 복수의 측에 배치될 수도 있다. 예컨대, 제3 서브 화소(P3)가 평면상에서 4개의 측을 포함하는 경우, 제2 연결전극(250)은 도 9에 도시된 바와 같이 제3 서브 화소(P3)의 4개의 측 모두에 배치될 수도 있다. 결과적으로, 제2 연결전극(250)은 제3 서브 화소(P3)의 4개의 측들 중 적어도 하나에 배치될 수 있다.4, 5, and 8 illustrate that the
제2 연결전극(250)은 복수의 제3 서브 화소(P3)들 각각에 대응되도록 패턴 형성될 수 있다. 이때, 복수의 제3 서브 화소(P3)들 각각에 대응되도록 형성된 제2 연결전극(250)들은 서로 전기적으로 연결되지 않도록 도 3에 도시된 바와 같이 이격 배치된다. 하나의 제3 서브 화소(P3)는 하나의 제2 연결전극(251)과 연결될 수 있고, 다른 하나의 제3 서브 화소(P3)는 다른 하나의 제2 연결전극(252)과 연결될 수 있다. 이때, 하나의 제2 연결전극(251) 및 다른 하나의 제2 연결전극(252)은 패턴 형성되고, 서로 전기적으로 연결되지 않도록 이격 배치될 수 있다.The
이러한 제2 연결전극(250)은 박막 트랜지스터(230)의 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.The
상술한 바에 따라, 제3 서브 화소(P3)는 제2 연결전극(250)을 통하여 제1 전극(313)과 제2 전극(333)이 전기적으로 연결된다. 즉, 제3 서브 화소(P3)의 제1 전극(313)에 제3 고전위 전압이 인가되면, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제3 서브 화소(P3)의 제1 전극(313)과 동일한 제3 고전위 전압이 인가된다.As described above, in the third sub-pixel P3, the
제2 절연막(260)은 박막 트랜지스터(230), 제1 연결전극(240) 및 제2 연결전극(250) 상에 형성되어 박막 트랜지스터(230)를 보호한다. 제2 절연막(260)은 박막 트랜지스터(230)를 덮는 동시에 제1 연결전극(240) 및 제2 연결전극(250)의 일부를 노출시킨다.The second
보다 구체적으로, 제2 절연막(260)은 제1 연결전극(240) 및 제2 연결전극(250)의 일부를 노출시키는 복수의 개구 영역(OA1, OA2, OA3)들을 포함한다.More specifically, the second insulating
제2 절연막(260)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(P1)의 일측에 배치된 제1 연결전극(241)의 일부를 노출시키는 제1 개구 영역(OA1)를 포함할 수 있다. 제1 개구 영역(OA1)는 제1 연결전극(241)을 따라 형성될 수 있다. 이때, 제1 개구 영역(OA1)는 제1 연결전극(241) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 소정의 길이를 가진 하나 또는 복수개의 패턴으로 형성될 수 있다.The second
또한, 제2 절연막(260)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 제2 서브 화소(P2)의 일측에 배치된 제1 연결전극(242)의 일부를 노출시키는 제2 개구 영역(OA2)를 포함할 수 있다. 제2 개구 영역(OA2)는 제1 연결전극(242)을 따라 형성될 수 있다. 이때, 제2 개구 영역(OA2)는 제1 연결전극(242) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 소정의 길이를 가진 하나 또는 복수개의 패턴으로 형성될 수 있다.In addition, the second insulating
또한, 제2 절연막(260)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 제3 서브 화소(P3)의 일측에 배치된 제2 연결전극(250)의 일부를 노출시키는 제3 개구 영역(OA3)를 포함할 수 있다. 제3 개구 영역(OA3)는 제3 서브 화소(P3)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제3 개구 영역(OA3)은 제2 연결전극(250)이 형성된 영역에서 제2 연결전극(250)의 일부를 노출시키고, 제2 연결전극(250)이 형성되지 않은 영역에서 제1 절연막(220)을 노출시킨다.In addition, the second insulating
이러한 제2 절연막(260)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.The second
평탄화막(270)은 제2 절연막(260) 상에 형성되어 박막 트랜지스터(230)로 인한 단차를 평탄화시킨다. 이때, 평탄화막(270)은 제2 절연막(260)의 개구 영역(OA1, OA2, OA3)들 상에 형성되지 않는다. 이에 따라, 제1 연결전극(240) 및 제2 연결전극(250)의 일부가 여전히 노출될 수 있다.The
평탄화막(270)은 제2 절연막(260) 보다 작은 형성 면적을 가질 수 있다. 이에 따라, 평탄화막(270)은 제2 절연막(260)의 일부를 노출시킬 수 있다. 이때, 제2 절연막(260)은 개구 영역(OA1, OA2, OA3)들과 인접한 영역에서 평탄화막(270)에 의하여 덮이지 않고 노출될 수 있다.The
이러한 평탄화막(270)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.The
제1 전극(310)은 평탄화막(270) 상에서 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성된다. 제1 서브 화소(P1)에 하나의 제1 전극(311)이 형성되고, 제2 서브 화소(P2)에 다른 하나의 제1 전극(312)이 형성되고, 제3 서브 화소(P3)에 또 다른 하나의 제1 전극(313)이 형성된다.The
제1 전극(311, 312, 313)은 제2 절연막(260)과 평탄화막(270)을 관통하는 콘택홀(CH1, CH2, CH3)을 통해 박막 트랜지스터(230)의 소스 전극 또는 드레인 전극에 접속된다. 제1 서브 화소(P1)의 제1 전극(311)은 콘택홀(CH1)을 통해 박막 트랜지스터(230)의 소스 전극 또는 드레인 전극에 접속되어, 제1 고전위 전압이 인가된다. 제2 서브 화소(P2)의 제1 전극(312)은 콘택홀(CH2)을 통해 박막 트랜지스터(230)의 소스 전극 또는 드레인 전극에 접속되어, 제2 고전위 전압이 인가된다. 제3 서브 화소(P3)의 제1 전극(313)은 콘택홀(CH3)을 통해 박막 트랜지스터(230)의 소스 전극 또는 드레인 전극에 접속되어, 제3 고전위 전압이 인가된다.The
한편, 제3 서브 화소(P3)의 제1 전극(313)은 제2 절연막(260)을 관통하는 콘택홀(CH4)을 통해 제2 연결전극(250)에 접속된다.Meanwhile, the
제1 전극(311, 312, 313)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 전극(311, 312, 313)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 표시장치(100)가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 전극(311, 312, 313)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다. 이러한 제1 전극(311, 312, 313)은 애노드 전극일 수 있다.The
가림 패턴(281, 282, 283)은 제2 절연막(260) 상에서 제2 절연막(260)의 개구 영역(OA1, OA2, OA3)들의 일부를 가리도록 형성된다. 가림 패턴(281, 282, 283)은 제1 가림 패턴(281), 제2 가림 패턴(282) 및 제3 가림 패턴(283)을 포함한다.The shielding
제1 가림 패턴(281)은 평탄화막(270)에 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260) 상에 형성될 수 있다. 제1 가림 패턴(281)은 제1 개구 영역(OA1)의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부(281a)를 포함한다. 이때, 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a)는 제1 서브 화소(P1)의 일측에 배치된 제1 연결전극(241)과 이격되어, 제1 연결전극(241)과의 사이에 공간을 형성한다.The
제1 가림 패턴(281)은 제1 개구 영역(OA1)를 사이에 두고 제1 서브 화소(P1)와 인접하게 배치된 서브 화소에 가깝게 형성된다. 제1 서브 화소(P1)의 일측에 배치된 제1 연결전극(241)을 노출시키는 제1 개구 영역(OA1)는 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The
제2 절연막(260)의 제1 개구 영역(OA1)이 제3 서브 화소(P3)와 제1 서브 화소(P1) 사이에 배치되는 경우, 제1 가림 패턴(281)은 돌출부(281a)가 제3 서브 화소(P3)에서 제1 개구 영역(OA1)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 제1 개구 영역(OA1) 중 제3 서브 화소(P3)에 인접한 일부 영역이 제1 가림 패턴(281)에 의하여 가려지면서, 제1 개구 영역(OA1)에서 노출된 제1 연결전극(241)의 일부가 제1 가림 패턴(281)에 의하여 가려질 수 있다. 제1 개구 영역(OA1) 중 제1 서브 화소(P1)에 인접한 나머지 영역에서는 여전히 제1 연결전극(241)이 노출될 있다.When the first opening area OA1 of the second insulating
제1 가림 패턴(281)은 제1 개구 영역(OA1)과 마찬가지로 제1 연결전극(241)을 따라 형성될 수 있다. 이때, 제1 가림 패턴(281)은 도 6에 도시된 바와 같이 하나의 제1 연결전극(241) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 소정의 길이를 가진 복수개의 패턴으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제1 가림 패턴(281)은 도 7에 도시된 바와 같이 하나의 제1 연결전극(241) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 연장된 하나의 라인 패턴으로 형성될 수도 있다.The
한편, 제1 가림 패턴(281)은 제1 전극(311, 312, 313)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 이때, 제1 가림 패턴(281)은 제1 전극(311, 312, 313)과 이격 형성되어, 제1 전극(311, 312, 313)과 전기적으로 연결되지 않는다.Meanwhile, the
제1 가림 패턴(281)이 제1 전극(311, 312, 313)과 동일한 층에 형성되면, 제1 가림 패턴(281)은 평탄화막(270) 및 평탄화막(270)에 의하여 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260) 상에 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 표시장치(100)는 제1 가림 패턴(281)을 제1 전극(311, 312, 313)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성함으로써, 별도의 공정을 추가하지 않고 제1 가림 패턴(281)이 형성된다.When the
그러나 반드시 이에 한정되지 않으며, 제1 가림 패턴(281)은 제1 전극(311, 312, 313)과 다른 층에 형성될 수도 있다. 제1 가림 패턴(281)은 제2 절연막(260)과 평탄화막(270) 사이에 형성될 수 있다.However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the
제2 가림 패턴(282)은 평탄화막(270)에 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260) 상에 형성될 수 있다. 제2 가림 패턴(282)은 제2 개구 영역(OA2)의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부(282a)를 포함한다. 이때, 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)는 제2 서브 화소(P2)의 일측에 배치된 제1 연결전극(242)과 이격되어, 제1 연결전극(242)과의 사이에 공간을 형성한다.The
제2 가림 패턴(282)은 제2 개구 영역(OA2)를 사이에 두고 제2 서브 화소(P2)와 인접하게 배치된 서브 화소에 가깝게 형성된다. 제2 서브 화소(P2)의 일측에 배치된 제1 연결전극(242)을 노출시키는 제2 개구 영역(OA2)는 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 배치될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The
제2 절연막(260)의 제2 개구 영역(OA2)이 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에 배치되는 경우, 제2 가림 패턴(282)은 돌출부(282a)가 제1 서브 화소(P1)에서 제2 개구 영역(OA2)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 제2 개구 영역(OA2) 중 제1 서브 화소(P1)에 인접한 일부 영역이 제2 가림 패턴(282)에 의하여 가려지면서, 제2 개구 영역(OA2)에서 노출된 제1 연결전극(242)의 일부가 제2 가림 패턴(282)에 의하여 가려진다. 제2 개구 영역(OA2) 중 제2 서브 화소(P2)에 인접한 나머지 영역에서는 여전히 제1 연결전극(242)이 노출될 수 있다.When the second opening area OA2 of the second insulating
제2 가림 패턴(282)은 제2 개구 영역(OA2)과 마찬가지로 제1 연결전극(242)을 따라 형성될 수 있다. 이때, 제2 가림 패턴(282)은 도 6에 도시된 바와 같이 하나의 제1 연결전극(242) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 소정의 길이를 가진 복수개의 패턴으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 가림 패턴(282)은 도 7에 도시된 바와 같이 하나의 제1 연결전극(242) 상에서 제2 방향(Y축 방향)으로 연장된 하나의 라인 패턴으로 형성될 수도 있다.The
한편, 제2 가림 패턴(282)은 제1 전극(311, 312, 313)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 이때, 제2 가림 패턴(282)은 제1 전극(311, 312, 313)과 이격 형성되어, 제1 전극(311, 312, 313)과 전기적으로 연결되지 않는다.Meanwhile, the
제2 가림 패턴(282)이 제1 전극(311, 312, 313)과 동일한 층에 형성되면, 제2 가림 패턴(282)은 평탄화막(270) 및 평탄화막(270)에 의하여 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260) 상에 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 표시장치(100)는 제2 가림 패턴(282)을 제1 전극(311, 312, 313)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성함으로써, 별도의 공정을 추가하지 않고 제2 가림 패턴(282)이 형성된다.When the
그러나 반드시 이에 한정되지 않으며, 제2 가림 패턴(282)은 제1 전극(311, 312, 313)과 다른 층에 형성될 수도 있다. 제2 가림 패턴(282)은 제2 절연막(260)과 평탄화막(270) 사이에 형성될 수 있다.However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the
제3 가림 패턴(283)은 평탄화막(270)에 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260) 상에 형성될 수 있다. 제3 가림 패턴(283)은 제3 개구 영역(OA3)의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부(283a)를 포함한다. 이때, 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)는 제3 서브 화소(P3)의 적어도 일측에 배치된 제2 연결전극(250)과 이격되어, 제2 연결전극(250)과의 사이에 공간을 형성한다.The
제3 가림 패턴(283)은 제3 개구 영역(OA3)을 사이에 두고 제3 서브 화소(P3)와 인접하게 배치된 서브 화소에 가깝게 형성된다. 제2 연결전극(250)을 노출시키는 제3 개구 영역(OA3)은 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이 및 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The
제2 절연막(260)의 제3 개구 영역(OA3)이 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치되는 경우, 제3 가림 패턴(283)은 돌출부(283a)가 제1 서브 화소(P1)에서 제3 개구 영역(OA3)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 제3 개구 영역(OA3) 중 제1 서브 화소(P1)에 인접한 일부 영역이 제3 가림 패턴(283)에 의하여 가려지면서, 제3 개구 영역(OA3)에서 노출된 제2 연결전극(250) 또는 제1 절연막(220)의 일부가 제3 가림 패턴(283)에 의하여 가려진다. 제3 개구 영역(OA2) 중 제3 서브 화소(P3)에 인접한 나머지 영역에서는 여전히 제2 연결전극(250) 또는 제1 절연막(220)이 노출될 수 있다.When the third opening area OA3 of the second insulating
또한, 제2 절연막(260)의 제3 개구 영역(OA3)이 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 배치되는 경우, 제3 가림 패턴(283)은 돌출부(283a)가 제2 서브 화소(P2)에서 제3 개구 영역(OA3)을 향하는 방향으로 돌출될 수 있다. 이에 따라, 제3 개구 영역(OA3) 중 제2 서브 화소(P2)에 인접한 일부 영역이 제3 가림 패턴(283)에 의하여 가려지면서, 제3 개구 영역(OA3)에서 노출된 제2 연결전극(250) 또는 제1 절연막(220)의 일부가 제3 가림 패턴(283)에 의하여 가려진다. 제3 개구 영역(OA2) 중 제3 서브 화소(P3)에 인접한 나머지 영역에서는 여전히 제2 연결전극(250) 또는 제1 절연막(220)이 노출될 수 있다.In addition, when the third opening area OA3 of the second insulating
제3 가림 패턴(283)은 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이 제3 개구 영역(OA3)과 마찬가지로 제3 서브 화소(P3)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제3 가림 패턴(283)에 의하여 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331) 및 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)과 단절될 수 있다. The
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제3 가림 패턴(283)이 제3 서브 화소(P3)를 둘러싸도록 형성함으로써 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)이 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331) 및 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)이 서로 전기적으로 연결되지 않도록 한다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 동일한 층에 구비된 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)과 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331) 및 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)이 서로 다른 전압이 인가될 수 있다. 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 애노드 전극으로서 고전위 전압이 인가되는 반면, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331) 및 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 캐소드 전극으로서 저전위 전압이 인가될 수 있다.In the
한편, 제3 가림 패턴(283)은 제1 전극(311, 312, 313)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 이때, 제3 가림 패턴(283)은 제1 전극(311, 312, 313)과 이격 형성되어, 제1 전극(311, 312, 313)과 전기적으로 연결되지 않는다.Meanwhile, the
제3 가림 패턴(283)이 제1 전극(311, 312, 313)과 동일한 층에 형성되면, 제3 가림 패턴(283)은 평탄화막(270) 및 평탄화막(270)에 의하여 덮이지 않고 노출된 제2 절연막(260) 상에 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 표시장치(100)는 제3 가림 패턴(283)을 제1 전극(311, 312, 313)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성함으로써, 별도의 공정을 추가하지 않고 제3 가림 패턴(283)이 형성된다.When the
그러나 반드시 이에 한정되지 않으며, 제3 가림 패턴(283)은 제1 전극(311, 312, 313)과 다른 층에 형성될 수도 있다. 제3 가림 패턴(283)은 제2 절연막(260)과 평탄화막(270) 사이에 형성될 수 있다.However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the
뱅크(315)는 평탄화막(270) 상에서 제1 전극(311, 312, 313)의 끝단을 덮도록 형성될 수 있다. 그에 따라, 제1 전극(311, 312, 313)의 끝단에 전류가 집중되어 발광효율이 저하되는 문제가 방지될 수 있다. The
또한, 뱅크(315)는 가림 패턴(281, 282, 283)들의 적어도 일부 상에 형성될 수 있다. 이때, 뱅크(315)는 도 4, 도 5 및 도 10에 도시된 바와 같이 가림 패턴(281, 282, 283)들 각각의 돌출부(281a, 282a, 283a)가 덮이지 않고 노출될 수 있도록 형성될 수 있다. 즉, 뱅크(315)는 제2 절연막(260)의 개구 영역(OA1, OA2, OA3)들 상에 형성되지 않을 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. Also, the
다른 일 실시예에 있어서, 표시장치(100)는 가림 패턴(281, 282, 283)들이 생략될 수 있다. 이러한 경우, 뱅크(315)는 도 13에 도시된 바와 같이 제2 절연막(260)의 개구 영역(OA1, OA2, OA3)들 각각의 일부를 가리도록 형성될 수 있다. 즉, 뱅크(315)는 개구 영역(OA1, OA2, OA3)들 각각의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부를 포함할 수 있다. 이때, 뱅크(315)는 제2 절연막(260)의 개구 영역(OA1, OA2, OA3)들 상에 형성되어, 가림 패턴(281, 282, 283)들과 같은 역할을 할 수 있다. In another embodiment, in the
또 다른 일 실시예에 있어서, 뱅크(315)는 도 14에 도시된 바와 가림 패턴(281, 282, 283)들 각각의 돌출부(281a, 282a, 283a) 상에 형성될 수 있다. 이와 같이 뱅크(315) 아래에 가림 패턴(281, 282, 283)들을 형성하게 되면, 가림 패턴(281, 282, 283)들이 뱅크(315)의 돌출부가 처지는 것을 방지할 수 있다.In another embodiment, the
뱅크(315)는 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 각각에 발광 영역을 정의한다. 즉, 각각의 서브 화소(P1, P2, P3)에서 뱅크(315)가 형성되지 않고 노출된 제1 전극(311, 312, 313)의 노출 영역이 발광 영역이 된다. 뱅크(315)는 상대적으로 얇은 두께의 무기 절연막으로 이루어질 수 있지만, 상대적으로 두꺼운 두께의 유기 절연막으로 이루어질 수도 있다.The
제1 발광층(320)은 제1 전극(310) 상에 형성된다. 제1 발광층(320)은 뱅크(315) 상에 형성될 수 있다. 제1 발광층(320)은 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 발광층(321, 322, 323)은 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되며, 발광층에서 서로 결합하여 소정의 색으로 발광하게 된다.The
제1 발광층(320)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 청색 광을 발광하는 청색 발광층 및 황색 광을 발광하는 황색 발광층 중 어느 하나 일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The
제1 발광층(321, 322, 323)은 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 각각에 구비되며, 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에서 연속적으로 연결되지 않고 끊어질 수 있다. 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에는 가림 패턴(281, 282, 283)들이 구비된다. 제1 발광층(321, 322, 323)은 가림 패턴(281, 282, 283)들에 의하여 단절될 수 있다. The first emission layers 321, 322, 323 are provided on each of the first sub-pixel P1, the second sub-pixel P2, and the third sub-pixel P3, and the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P1 The pixel P2 and the third sub-pixel P3 may be disconnected without being continuously connected.
보다 구체적으로, 제1 발광층(321, 322)은 제2 가림 패턴(282)에 의하여 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에서 연속적으로 연결되지 않고 끊어질 수 있다. 제1 발광층(321, 322, 323)을 마스크 없이 전면 증착하게 되면, 제1 서브 화소(P1)에 증착되는 제1 발광층(321)은 도 4 및 도 10에 도시된 바와 같이 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)와 제1 연결전극(242) 간의 단차로 인하여 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a) 상에서 끊어질 수 있다. More specifically, the first emission layers 321 and 322 may be disconnected without being continuously connected between the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 by the
한편, 제2 서브 화소(P2)에 증착되는 제1 발광층(322)은 도 4 및 도 10에 도시된 바와 같이 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)와 제1 연결전극(242) 사이의 공간으로 유입되어, 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a) 아래에 형성될 수 있다.Meanwhile, the
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제1 서브 화소(P1)의 제1 발광층(321)과 제2 서브 화소(P2)의 제1 발광층(322)이 서로 접하지 않고 단절되는 것이 바람직하다. 이로 인하여, 제1 발광층(321, 322, 323) 상에 제2 전극(331, 332, 333)을 전면 증착하는 경우, 제2 서브 화소(P2)에 증착되는 제2 전극(332)이 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)와 제2 서브 화소(P2)의 제1 발광층(322) 사이로 유입될 수 있는 공간을 확보할 수 있다.In the
또한, 제1 발광층(322, 323)은 제3 가림 패턴(283)에 의하여 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에서 연속적으로 연결되지 않고 끊어질 수 있다. 제1 발광층(321, 322, 323)을 마스크 없이 전면 증착하게 되면, 제2 서브 화소(P2)에 증착되는 제1 발광층(322)은 도 4 및 도 10에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)과 제2 연결전극(250) 간의 단차로 인하여 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 상에서 끊어질 수 있다. Also, the first emission layers 322 and 323 may be disconnected without being continuously connected between the second sub-pixel P2 and the third sub-pixel P3 by the
한편, 제3 서브 화소(P3)에 증착되는 제1 발광층(323)은 도 4 및 도 10에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)과 제2 연결전극(250) 사이의 공간으로 유입되어, 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 아래에 형성될 수 있다.Meanwhile, the
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제2 서브 화소(P2)의 제1 발광층(322)과 제3 서브 화소(P3)의 제1 발광층(323)이 서로 접하지 않고 단절되는 것이 바람직하다. 이로 인하여, 제1 발광층(321, 322, 323) 상에 제2 전극(331, 332, 333)을 전면 증착하는 경우, 제3 서브 화소(P3)에 증착되는 제2 전극(333)이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)와 제3 서브 화소(P3)의 제1 발광층(323) 사이로 유입될 수 있는 공간을 확보할 수 있다.In the
또한, 제1 발광층(321, 323)은 제3 가림 패턴(283) 및 제1 가림 패턴(281)에 의하여 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에서 단절될 수 있다. 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에는 도 5에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283) 및 제1 가림 패턴(281)이 이격하여 형성될 수 있다. 이때, 제1 가림 패턴(281)은 제3 서브 화소(P3)에서 제1 서브 화소(P1) 방향으로 돌출되어 제1 개구 영역(OA1)의 일부를 가리는 돌출부(281a)를 포함한다. 제3 가림 패턴(283)은 제1 서브 화소(P1)에서 제3 서브 화소(P3) 방향으로 돌출되어 제3 개구 영역(OA3)의 일부를 가리는 돌출부(283a)를 포함한다.Also, the first emission layers 321 and 323 may be disconnected between the first sub-pixel P1 and the third sub-pixel P3 by the
제1 발광층(321, 322, 323)을 마스크 없이 전면 증착하게 되면, 제3 서브 화소(P3)에 증착되는 제1 발광층(323)은 도 5 및 도 10에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)과 제1 절연막(220) 사이의 공간으로 유입되어, 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 아래에 형성될 수 있다. 제1 서브 화소(P1)에 증착되는 제1 발광층(321)은 도 5 및 도 10에 도시된 바와 같이 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a)과 제1 연결전극(241) 사이의 공간으로 유입되어, 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a) 아래에 형성될 수 있다.When the first emission layers 321, 322, and 323 are completely deposited without a mask, the
제2 전극(330)은 제1 발광층(320) 상에 형성된다. 제2 전극(331, 332, 333)은 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 각각에 구비되며, 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에서 연속적으로 연결되지 않고 끊어질 수 있다. 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에는 가림 패턴(281, 282, 283)들이 구비된다. 제2 전극(331, 332, 333)은 가림 패턴(281, 282, 283)들에 의하여 단절될 수 있다. The
보다 구체적으로, 제2 전극(331, 332)은 제2 가림 패턴(282)에 의하여 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2) 사이에서 연속적으로 연결되지 않고 끊어질 수 있다. 제2 전극(331, 332, 333)을 전면 증착하게 되면, 제1 서브 화소(P1)에 증착되는 제2 전극(331)은 도 4 및 도 10에 도시된 바와 같이 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)와 제1 연결전극(242) 간의 단차로 인하여 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a) 상에서 끊어질 수 있다.More specifically, the
제2 서브 화소(P2)에 증착되는 제2 전극(332)은 도 4 및 도 10에 도시된 바와 같이 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)와 제1 발광층(322) 사이의 공간으로 유입되어, 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a) 아래에 형성될 수 있다. 이때, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 제2 가림 패턴(282)의 돌출부(282a) 아래에서 제1 발광층(322) 보다 넓은 면적으로 증착될 수 있다. 이에 따라, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 제1 연결전극(242)에 접속될 수 있다.The
제2 서브 화소(P2)는 제2 전극(332)이 제1 연결전극(242)에 접속되므로, 제1 연결전극(242) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(332)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이로 인하여, 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가될 수 있다. 이때, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 캐소드 전극일 수 있다.In the second sub-pixel P2, since the
도 4 및 도 10에서는 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)과 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)이 서로 접하지 않고 단절되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 각각의 제2 전극(331, 332)은 모두 캐소드 전극으로서, 공통 전압이 인가될 수 있다. 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2) 각각의 제2 전극(331, 332)은 서로 접하도록 형성되어 전기적으로 서로 연결될 수 있다.4 and 10 show that the
또한, 제2 전극(332, 333)은 제3 가림 패턴(283)에 의하여 제2 서브 화소(P2)와 제3 서브 화소(P3) 사이에서 연속적으로 연결되지 않고 끊어질 수 있다. 제2 전극(331, 332, 333)을 전면 증착하게 되면, 제2 서브 화소(P2)에 증착되는 제2 전극(332)은 도 4 및 도 10에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)와 제1 발광층(323) 간의 단차로 인하여 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 상에서 끊어질 수 있다.Also, the
제3 서브 화소(P3)에 증착되는 제2 전극(333)은 도 4 및 도 10에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)와 제1 발광층(323) 사이의 공간으로 유입되어, 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 아래에 형성될 수 있다. 이때, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 아래에서 제1 발광층(323) 보다 넓은 면적으로 증착될 수 있다. 이에 따라, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제2 연결전극(250)에 접속될 수 있다.The
제3 서브 화소(P3)는 제2 전극(333)이 제2 연결전극(250)에 접속되므로, 제2 연결전극(250)을 통하여 제2 전극(333)과 제1 전극(313)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이로 인하여, 제1 전극(313)에 제3 고전위 전압이 인가되면, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제1 전극(313)과 동일한 제3 고전위 전압이 인가될 수 있다. 이때, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 애노드 전극일 수 있다.In the third sub-pixel P3, since the
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)과 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)이 서로 접하지 않고 단절되는 것이 바람직하다. 앞서 설명한 바와 같이, 제2 서브 화소(P2)는 제2 전극(332)이 캐소드 전극이고, 제3 서브 화소(P3)는 제2 전극(333)이 애노드 전극이다. 이러한 경우, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)과 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)이 접하게 되면, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)과 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333) 간에 단락이 발생하여 표시장치가 정상적으로 구동하지 못하게 된다.In the
또한, 제2 전극(331, 333)은 제3 가림 패턴(283) 및 제1 가림 패턴(281)에 의하여 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에서 연속적으로 연결되지 않고 끊어질 수 있다. 제2 전극(331, 332, 333)을 전면 증착하게 되면, 제3 서브 화소(P3)에 증착되는 제2 전극(333)은 도 5 및 도 10에 도시된 바와 같이 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a)와 제1 발광층(323) 사이의 공간으로 유입되어, 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 아래에 형성될 수 있다.In addition, the
이때, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제3 가림 패턴(283)의 돌출부(283a) 아래에서 제1 발광층(323) 보다 넓은 면적으로 증착될 수 있다. 도 5에서는 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 제2 연결전극(250)이 형성되지 않는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 도 9에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에 제2 연결전극(250)이 형성될 수 있다. 이러한 경우, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제1 서브 화소(P1)와 제3 서브 화소(P3) 사이에서 제2 연결전극(250)에 접속될 수 있다.In this case, the
제1 서브 화소(P1)에 증착되는 제2 전극(331)은 도 5 및 도 10에 도시된 바와 같이 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a)과 제1 발광층(321) 사이의 공간으로 유입되어, 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a) 아래에 형성될 수 있다. 이때, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 제1 가림 패턴(281)의 돌출부(281a) 아래에서 제1 발광층(321) 보다 넓은 면적으로 증착될 수 있다. 이에 따라, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 제1 연결전극(241)에 접속될 수 있다.The
제1 서브 화소(P1)는 제2 전극(331)이 제1 연결전극(241)에 접속되므로, 제1 연결전극(241) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(331)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이로 인하여, 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가될 수 있다. 이때, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 캐소드 전극일 수 있다.In the first sub-pixel P1, since the
제2 전극(331, 332, 333)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다.The
제2 발광층(340)은 제2 전극(330) 상에 형성된다. 제2 발광층(340)은 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제2 발광층(340)은 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되며, 발광층에서 서로 결합하여 소정의 색으로 발광하게 된다.The
제2 발광층(340)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 청색 광을 발광하는 청색 발광층 및 황색 광을 발광하는 황색 발광층 중 어느 하나 일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.The
다만, 제2 발광층(340)은 제1 발광층(320)과 상이한 색의 광을 발광할 수 있다. 제1 발광층(320)이 제1 색의 광을 발광하는 발광층일 경우, 제2 발광층(340)은 제1 색과 다른 제2 색의 광을 발광하는 발광층일 수 있다. 예컨대, 제1 발광층(320)은 황색 광을 발광하는 황색 발광층이고, 제2 발광층(340)은 청색 광을 발광하는 청색 발광층일 수 있다.However, the
제2 발광층(340)은 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 각각에 구비되며, 제1 발광층(320)과 달리 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3) 사이에서 서로 연결된다. 제2 발광층(340)은 가림 패턴(281, 282, 283)과 제2 전극(331, 332, 333) 사이의 공간을 일부 채우면서 형성될 수 있다. 이때, 가림 패턴(281, 282, 283)과 제2 전극(331, 332, 333) 사이에 제2 발광층(340)이 채워지지 않은 공간에는 에어 갭(AG)이 형성될 수 있다.The
제3 전극(350)은 제2 발광층(340) 상에 형성된다. 제3 전극(350)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제3 전극(350)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다. 표시장치(100)가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제3 전극(350)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 이러한 제3 전극(350)은 캐소드 전극일 수 있다.The
상술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제1 기판(111) 상에 금속 패턴, 예컨대, 연결전극(240, 250)이 구비될 수 있다. 그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 금속 패턴 상에 금속 패턴의 일부를 노출시키는 개구 영역을 포함하는 제1 층, 예컨대, 제2 절연막(260)이 구비될 수 있다. 그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 상기 제1 층 상에는 상기 제1 층의 개구 영역의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부를 포함하는 제2 층, 예컨대, 가림 패턴(280)이 구비될 수 있다. 이때, 상기 제1 층 및 상기 제2 층은 언더컷 구조를 가질 수 있다.As described above, in the
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제1 층 및 제2 층으로 이루어진 언더컷 구조를 이용하여 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 제1 발광층(320) 및 제2 전극(330)이 서로 연결되지 않고 끊어질 수 있도록 한다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제1 층 및 제2 층으로 이루어진 언더컷 구조가 배치된 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 제2 발광층(330) 및 제3 전극(340)이 서로 연결될 수 있도록 한다.The
이와 같은 구조를 가지기 위하여, 상기 제1 층은 제1 발광층(320), 제2 전극(330), 제2 발광층(330) 및 제3 전극(340) 각각의 두께를 고려하여 두께가 설정될 수 있다. 상기 제1 층의 두께가 크면, 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 제1 발광층(320) 및 제2 전극(330) 이외에 제2 발광층(330)도 연결되지 않고 끊어질 수 있다. 이러한 경우, 제3 전극(350)이 제2 층 아래에서 제2 전극(330) 또는 연결전극(240, 250)과 접하여 합선이 발생할 수 있다.In order to have such a structure, the thickness of the first layer may be set in consideration of the thickness of each of the
이를 방지하기 위하여, 제1 층은 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 제2 발광층(330)이 연결될 수 있는 두께, 예컨대, 3500이하의 두께를 가질 필요가 있다. 그러나, 제1 층은 제품에 따라 3500이하의 두께로 줄이는데 한계가 있을 수 있다.To prevent this, the first layer has a thickness at which the
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 연결전극(240, 250)이 단차를 가지도록 형성함으로써, 제1 층의 두께를 줄이는 효과를 가질 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 연결전극(240, 250)이 제2 절연막(260)의 개구 영역(OA1, OA2, OA3)에서 단차를 가질 수 있다. The
상기 제1 층은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)에 구비된 제2 절연막(260)일 수 있으며, 상기 제2 층은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 구비된 가림 패턴(280)일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 상기 제2 층은 가림 패턴(280)을 포함하는 단일 층이거나, 가림 패턴(280) 및 뱅크(315)를 포함하는 복수의 층일 수도 있다. 또는, 상기 제2 층은 뱅크(315)만을 포함하는 단일 층일 수도 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 제2 절연막(260)이 상기 제1 층이고, 가림 패턴(280)이 상기 제2 층인 것으로 설명하나, 이에 한정되지는 않는다.The first layer may be a second insulating
한편, 도 10 내지 도 14에서는 제2 서브 화소(P2)의 일측에 배치된 제1 연결전극(242) 및 제2 가림 패턴(282)을 도시하고 있으나, 후술하는 내용은 제1 서브 화소(P1)의 일측에 배치된 제1 연결전극(241) 및 제1 가림 패턴(281)에도 동일하게 적용될 수 있다. 또한, 아래에서 제1 연결전극(242) 및 제2 가림 패턴(282)에 대하여 설명하는 내용은 제3 서브 화소(P3)의 적어도 일측에 배치된 제2 연결전극(250) 및 제3 가림 패턴(283)에도 동일하게 적용될 수 있다. 이하에서는 중복되는 설명을 생략하도록 한다.Meanwhile, in FIGS. 10 to 14, the
제1 연결전극(240)은 도 10에 도시된 바와 같이 제2 절연막(260)의 제1 및 제2 개구 영역(OA1, OA2)들에서 상면의 일부가 노출된다. 제1 연결전극(240)의 노출된 상면은 제1 면(240a), 제2 면(240b) 및 제3 면(240c)을 포함한다. 이때, 제1 연결전극(240)의 제1 면(240a)은 제1 높이를 가지며, 제1 연결전극(240)의 제2 면(240b)은 제1 높이 보다 큰 제2 높이를 가진다. 여기서, 높이는 제1 기판(111)의 상면으로부터의 수직 거리일 수 있다. 제1 연결전극(240)의 제3 면(240c)은 제1 면(240a)과 제2 면(240b)을 연결하는 경사면일 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 제1 연결전극(240)의 제3 면(240c)은 도 12에 도시된 바와 같이 제1 면(240a)과 제2 면(240b)을 연결하는 오목면일 수도 있다.As illustrated in FIG. 10, a portion of the upper surface of the
제1 연결전극(240)의 제1 면(240a)은 가림 패턴(280)의 돌출부(280a)의 적어도 일부와 중첩된다. 일 실시예에 있어서, 제1 연결전극(240)의 제1 면(240a)은 가림 패턴(280)의 돌출부(280a)의 일부와 중첩될 수 있다. 이때, 제1 연결전극(240)의 제1 면(240a)은 가림 패턴(280)의 돌출부(280a) 보다 작은 면적을 가질 수 있다. 이러한 경우, 제1 연결전극(240)의 제2 면(240b)은 가림 패턴(282)의 돌출부(282a)의 나머지 일부와 중첩될 수 있다.The
다른 실시예에 있어서, 제1 연결전극(240)의 제1 면(240a)은 가림 패턴(280)의 돌출부(280a)의 전부와 중첩될 수 있다. 제1 연결전극(240)의 제1 면(240a)은 가림 패턴(280)의 돌출부(280a)와 동일한 면적을 가지거나 가림 패턴(280)의 돌출부(280a) 보다 큰 면적을 가질 수도 있다. 이러한 경우, 제1 연결전극(240)의 제2 면(240b)은 가림 패턴(280)의 돌출부(280a)와 중첩되지 않을 수 있다.In another embodiment, the
이와 같은 제1 연결전극(240)의 제1 면(240a)은 가림 패턴(280)의 돌출부(280a) 아래에 구비된다. 이때, 제1 연결전극(240)의 제1 면(240a)과 가림 패턴(280)의 돌출부(280a)의 하면 간의 높이 차이는 제2 절연막(260)의 두께와 동일하다. The
한편, 제1 연결전극(240)의 제2 면(240b)은 가림 패턴(280)의 돌출부(280a) 아래에 구비될 수도 있으며, 구비되지 않을 수도 있다. 이때, 가림 패턴(280)의 돌출부(280a)의 하면은 제1 연결전극(240)의 제2 면(240b)의 제2 높이 보다 큰 제3 높이를 가져야 한다. 즉, 제1 연결전극(240)은 가림 패턴(280)의 돌출부(280a)의 하면 보다 낮은 높이에 제2 면(240b)이 형성된다. 이것은 제1 발광층(320) 및 제2 전극(330)이 가림 패턴(280)의 돌출부(280a)와 제1 연결전극(240) 사이의 공간으로 유입되기 위함이다.Meanwhile, the
한편, 제1 연결전극(240)의 제2 면(240b)은 높이가 제1 연결전극(240)의 제1 면(240a) 보다 크므로, 제1 연결전극(240)의 제2 면(240b)과 가림 패턴(280)의 돌출부(280a)의 하면 간의 높이 차이는 제2 절연막(260)의 두께 보다 작아질 수 있다. Meanwhile, since the height of the
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제1 연결전극(240)의 제2 면(240b)의 높이를 조절함으로써, 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 제1 발광층(320), 제2 전극(330), 제2 발광층(330) 및 제3 전극(340)의 연결 여부를 제품에 따라 조절할 수 있다. In the
구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 제1 발광층(320) 및 제2 전극(330)이 연결되지 않고 끊어지고, 제2 발광층(330) 및 제3 전극(340)이 서로 연결될 수 있도록 제1 연결전극(240)의 제2 면(240b)의 높이를 조절할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제2 절연막(260)의 두께를 줄이지 않고도 제1 연결전극(240)과 가림 패턴(280)의 돌출부(280a) 사이의 이격거리를 조절할 수 있다. Specifically, in the
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 언더컷 구조 상에서 제1 발광층(320), 제2 전극(330), 제2 발광층(330) 및 제3 전극(340)의 연결 여부를 제2 절연막(260)의 두께 제한 없이 자유롭게 조절할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제2 절연막(260)의 두께에 제한이 있는 다양한 제품에도 적용될 수 있다.Accordingly, in the
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 단차층(200)을 이용하여 제1 연결전극(240) 및 제2 연결전극(250)에 단차를 형성할 수 있다. 예컨대, 단차층(200)은 제1 기판(111)과 제1 절연막(220) 사이에서 패턴 형성될 수 있다. 이러한 단차층(200)은 제1 단차층(201), 제2 단차층(202) 및 제3 단차층(203)을 포함한다.Meanwhile, in the
제1 단차층(201)은 제1 서브 화소(P1)의 일측에 배치된 제1 연결전극(241)과 중첩되어, 제1 연결전극(241)을 따라 형성될 수 있다. 제1 단차층(201)은 도 6에 도시된 바와 같이 제1 가림 패턴(281)과 중첩되지 않을 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 제1 단차층(201)은 제1 가림 패턴(281)의 일부와 중첩될 수도 있다.The first stepped
제1 단차층(201)은 도 6에 도시된 바와 같이 제1 연결전극(241) 아래에서 제2 방향(Y축 방향)으로 소정의 길이를 가진 복수개의 패턴으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제1 단차층(201)은 도 7에 도시된 바와 같이 하나의 제1 연결전극(241) 아래에서 제2 방향(Y축 방향)으로 연장된 하나의 라인 패턴으로 형성될 수도 있다.The first stepped
제2 단차층(202)은 제2 서브 화소(P2)의 일측에 배치된 제1 연결전극(242)과 중첩되어, 제1 연결전극(242)을 따라 형성될 수 있다. 제2 단차층(202)은 도 6에 도시된 바와 같이 제2 가림 패턴(282)과 중첩되지 않을 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 제2 단차층(202)은 제2 가림 패턴(282)의 일부와 중첩될 수도 있다.The second stepped
제2 단차층(202)은 도 6에 도시된 바와 같이 제1 연결전극(242) 아래에서 제2 방향(Y축 방향)으로 소정의 길이를 가진 복수개의 패턴으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 단차층(202)은 도 7에 도시된 바와 같이 제1 연결전극(242) 아래에서 제2 방향(Y축 방향)으로 연장된 하나의 라인 패턴으로 형성될 수도 있다.The second stepped
제3 단차층(203)은 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이 제3 서브 화소(P3)의 적어도 일측에 배치된 제2 연결전극(250)과 중첩되어, 제3 서브 화소(P3)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 제3 단차층(203)은 제3 가림 패턴(283)과 중첩되지 않을 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 제3 단차층(203)은 제3 가림 패턴(283)의 일부와 중첩될 수도 있다.The third stepped
이러한 단차층(200) 상에는 도 10에 도시된 바와 같이 버퍼막(222) 및 층간 절연막(224)으로 이루어진 제2 절연막(220)이 차례로 형성될 수 있다. 이때, 버퍼막(222) 및 층간 절연막(224)은 단차층(200) 상에 일정한 두께로 형성될 수 있다. 단차층(200)에 의하여 발생한 단차로 인하여, 층간 절연막(224) 역시 단차층(200)의 두께(T1)만큼의 단차를 가지게 될 수 있다. On the stepped
연결전극(240, 250)은 층간 절연막(224) 상에 형성된다. 연결전극(240, 250)은 층간 절연막(224)의 단차를 따라 형성되므로, 연결전극(240, 250) 역시 단차를 가지게 된다.The
상술한 바와 같이, 연결전극(240, 250)은 제2 절연막(260)의 개구 영역(OA1, OA2, OA3)에서 단차를 가지며, 상면이 제1 높이를 가지는 제1 면(240a), 제1 높이 보다 큰 제2 높이를 가지는 제2 면(240b), 및 제1 면(240a)과 제2 면(240b)을 연결하는 제3 면(240c)을 포함한다. 연결전극(240, 250)은 단차층(200)과 중첩되는 영역에 제1 면(240a)의 높이 보다 큰 높이를 가지는 제2 면(240b)이 구비될 수 있다.As described above, the
도 4, 도 5 및 도 10에서는 연결전극(240, 250)이 단차층(200)의 전면 상에 구비되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.4, 5, and 10 illustrate that the
연결전극(240, 250)은 도 11에 도시된 바와 같이 단차층(200)의 일부 상에 구비될 수도 있다. 연결전극(240, 250)은 단차층(200)의 일부만 중첩되더라도 단차층(200)에 의하여 단차를 가질 수 있다. The
한편, 도 4, 도 5 및 도 10에서는 버퍼막(222) 및 층간 절연막(224) 모두가 단차층(200)을 덮도록 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, in FIGS. 4, 5, and 10, it is shown that both the
버퍼막(222) 및 층간 절연막(224) 중 적어도 하나는 도 12에 도시된 바와 같이 단차층(200) 상에 형성되지 않을 수도 있다. 도 12에 도시된 단차층(200)의 두께(T2)는 도 10 및 도 11에 도시된 단차층(200)의 두께(T1) 보다 두꺼울 수 있다. 예컨대, 단차층(200)의 두께(T2)가 3500 보다 큰 경우에는 버퍼막(222) 및 층간 절연막(224) 중 적어도 하나가 단차층(200) 상에 형성되지 않을 수 있다. 연결전극(240, 250)은 단차층(200)의 두께(T2)가 충분히 두껍기 때문에 버퍼막(222) 및 층간 절연막(224) 중 적어도 하나가 형성되지 않더라도 개구 영역(OA1, OA2, OA3)에서 단차를 가질 수 있다.At least one of the
예컨대, 층간 절연막(224)은 단차층(200) 상에 형성되지 않을 수 있다. 이때, 연결전극(240, 250)은 층간 절연막(224) 및 단차층(200) 각각에 의하여 단차가 발생할 수 있다. 연결전극(240, 250)은 층간 절연막(224)과 중첩되는 제1 면(240a)과 단차층(200)과 중첩되는 제2 면(240b) 사이에 오목한 제3 면(240c)이 형성될 수 있다.For example, the
한편, 단차층(200)은 차광층(210)과 동일한 층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.Meanwhile, the stepped
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 서브 화소(P1, P2, P3)들 각각에서 제1 발광층(320) 및 제2 발광층(340) 중 하나만 발광하는 것을 특징으로 한다.The
보다 구체적으로, 제1 서브 화소(P1)는 제1 발광층(321) 및 제2 발광층(340) 중 제1 발광층(321)만이 발광할 수 있다. 제1 서브 화소(P1)는 제2 전극(331)이 제1 연결전극(241)에 접속되므로, 제1 연결전극(241) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(331)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제1 서브 화소(P1)의 제2 전극(331)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가될 수 있다. 이에 따라, 제1 서브 화소(P1)는 제2 전극(331)과 제3 전극(350) 사이에 구비된 제2 발광층(340)이 발광하지 않을 수 있다.More specifically, in the first sub-pixel P1, only the
한편, 제1 서브 화소(P1)는 제1 전극(311)에 제1 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극(331)에 저전위 전압이 인가되면, 제1 전극(311)과 제2 전극(331) 사이에 구비된 제1 발광층(321)이 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다.Meanwhile, in the first sub-pixel P1, when a first high potential voltage is applied to the
제2 서브 화소(P2)는 제1 발광층(322) 및 제2 발광층(340) 중 제1 발광층(322)만이 발광할 수 있다. 제2 서브 화소(P2)는 제2 전극(332)이 제1 연결전극(242)에 접속되므로, 제1 연결전극(242) 및 보조 전원 라인(360)을 통하여 제2 전극(332)과 제3 전극(350)이 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제2 서브 화소(P2)의 제2 전극(332)은 제3 전극(350)과 동일한 저전위 전압이 인가될 수 있다. 이에 따라, 제2 서브 화소(P2)는 제2 전극(332)과 제3 전극(350) 사이에 구비된 제2 발광층(340)이 발광하지 않을 수 있다.Only the
한편, 제2 서브 화소(P2)는 제1 전극(312)에 제2 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극(332)에 저전위 전압이 인가되면, 제1 전극(312)과 제2 전극(332) 사이에 구비된 제1 발광층(322)이 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다.Meanwhile, in the second sub-pixel P2, when a second high potential voltage is applied to the
즉, 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2)는 둘다 제1 발광층(321, 322)에서 동일한 색의 광이 발광될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제1 서브 화소(P1)와 제2 서브 화소(P2)에서 서로 다른 색의 광이 방출되도록 하기 위하여 컬러필터(미도시)가 더 구비될 수 있다.That is, the first sub-pixel P1 and the second sub-pixel P2 may both emit light of the same color from the first emission layers 321 and 322. The
컬러필터(미도시)는 제1 서브 화소(P1)에 대응되도록 배치된 제1 컬러필터와 제2 서브 화소(P2)에 대응되도록 배치된 제2 컬러필터를 포함할 수 있다. 제1 컬러필터와 제2 컬러필터는 서로 다른 색의 광을 투과시킬 수 있다.The color filter (not shown) may include a first color filter disposed to correspond to the first sub-pixel P1 and a second color filter disposed to correspond to the second sub-pixel P2. The first color filter and the second color filter may transmit light of different colors.
예컨대, 제1 발광층(321, 322, 323)은 황색 광을 발광하는 황색 발광층일 수 있다. 제1 컬러필터는 적색 광을 투과시키는 적색 컬러필터일 수 있으며, 제2 컬러필터는 녹색 광을 투과시키는 녹색 컬러필터일 수 있다. 이에 따라, 제1 서브 화소(P1)는 적색 광을 방출하고, 제2 서브 화소(P2)는 녹색 광을 방출할 수 있다.For example, the first emission layers 321, 322, and 323 may be yellow emission layers that emit yellow light. The first color filter may be a red color filter that transmits red light, and the second color filter may be a green color filter that transmits green light. Accordingly, the first sub-pixel P1 may emit red light, and the second sub-pixel P2 may emit green light.
이러한 컬러필터는 표시장치(100)의 발광 방식에 따라 제1 전극(311, 312, 313) 아래에 또는 제3 전극(350) 위에 배치될 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식인 경우, 컬러필터는 제1 전극(311, 312, 313) 하에 구비될 수 있다. 표시장치(100)가 상부 발광 방식인 경우, 컬러필터는 제3 전극(350) 상에 구비될 수 있다.The color filter may be disposed under the
제3 서브 화소(P3)는 제1 발광층(323) 및 제2 발광층(340) 중 제2 발광층(340)만이 발광할 수 있다. 제3 서브 화소(P3)는 제2 전극(333)이 제2 연결전극(250)에 접속되므로, 제2 연결전극(250)을 통하여 제1 전극(313)과 제2 전극(333)이 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(313)에 제3 고전위 전압이 인가되면, 제3 서브 화소(P3)의 제2 전극(333)은 제1 전극(313)과 동일한 제3 고전위 전압이 인가될 수 있다. 이에 따라, 제3 서브 화소(P3)는 제1 전극(313)과 제2 전극(333) 사이에 구비된 제1 발광층(323)이 발광하지 않을 수 있다.Only the
한편, 제3 서브 화소(P3)는 제2 전극(333)에 제3 고전위 전압이 인가되고, 제3 전극(350)에 저전위 전압이 인가되면, 제2 전극(333)과 제3 전극(350) 사이에 구비된 제2 발광층(340)이 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다.Meanwhile, in the third sub-pixel P3, when a third high potential voltage is applied to the
예컨대, 제3 서브 화소(P3)는 청색 광을 발광하는 청색 발광층일 수 있다. 이러한 경우, 표시장치(100)는 제3 서브 화소(P3)에 대응되는 위치에 별도의 컬러필터를 구비하지 않고, 청색 서브 화소를 구현할 수 있다.For example, the third sub-pixel P3 may be a blue emission layer emitting blue light. In this case, the
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제1 서브 화소(P1) 및 제2 서브 화소(P2)에서 제1 발광층(321, 322)만 발광시키고, 제3 서브 화소(P3)에서 제2 발광층(340)만 발광시킬 수 있다. 이로 인하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 모든 서브 화소에서 제1 발광층(321, 322, 323) 및 제2 발광층(340)을 모두 발광시키는 것과 비교하여 전력 소비를 현저하게 줄일 수 있다.As described above, in the
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 서브 화소(P1, P2, P3)들에 제1 발광층(321, 322, 323) 및 제2 발광층(340)을 마스크 없이 전면에 형성한다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 마스크를 이용하여 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 상이한 발광층들을 패턴 형성함에 따른 문제점을 해결할 수 있다.In addition, in the
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 언더컷 구조를 가진 제1 층 및 제2 층을 이용하여 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 제1 발광층(320) 및 제2 전극(330)이 연결되지 않고 끊어지도록 한다. 예컨대, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제2 절연막(260) 및 가림 패턴(280)이 언더컷 구조를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 언더컷 구조를 가진 제2 절연막(260) 및 가림 패턴(280)이 형성된 제1 기판(111) 상에 제1 발광층(320) 및 제2 전극(330)이 마스크 없이 전면에 형성될 수 있다. 제1 발광층(320) 및 제2 전극(330)은 언더컷 구조에 의하여 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 단절될 수 있다. In addition, the
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 연결전극(240, 250)이 제2 절연막(260)의 개구 영역(OA1, OA2, OA3)에서 단차를 가지도록 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 연결전극(240, 250)의 단차를 이용하여 언더컷 구조 상에서 제1 발광층(320), 제2 전극(330), 제2 발광층(330) 및 제3 전극(340)의 연결 여부를 제2 절연막(260)의 두께 제한 없이 자유롭게 조절할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제2 절연막(260)의 두께에 제한이 있는 다양한 제품에도 적용될 수 있다. In the
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 제1 기판(111)과 연결전극(240, 250) 사이에 단차층(200)을 형성할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 단차층(200)의 두께를 이용하여 연결전극(240, 250)의 단차를 쉽게 조절할 수 있다.Meanwhile, in the
도 17a내지 도 17c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다. 도 17a는 개략적인 사시도이고, 도 17b는 VR(Virtual Reality) 구조의 개략적인 평면도이고, 도 17c는 AR(Augmented Reality) 구조의 개략적인 단면도이다. 17A to 17C relate to a display device according to another embodiment of the present invention, which relates to a head mounted display (HMD) device. 17A is a schematic perspective view, FIG. 17B is a schematic plan view of a virtual reality (VR) structure, and FIG. 17C is a schematic cross-sectional view of an Augmented Reality (AR) structure.
도 17a에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 헤드 장착형 표시 장치는 수납 케이스(10), 및 헤드 장착 밴드(30)를 포함하여 이루어진다. As can be seen from FIG. 17A, the head mounted display device according to the present invention includes a
수납 케이스(10)는 그 내부에 표시 장치, 렌즈 어레이, 및 접안 렌즈 등의 구성을 수납하고 있다. The
헤드 장착 밴드(30)는 수납 케이스(10)에 고정된다. 헤드 장착밴드(30)는 사용자의 머리 상면과 양 측면들을 둘러쌀 수 있도록 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 헤드 장착 밴드(30)는 사용자의 머리에 헤드 장착형 디스플레이를 고정하기 위한 것으로, 안경테 형태 또는 헬멧 형태의 구조물로 대체될 수 있다.The
도 17b에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 VR(Virtual Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11), 렌즈 어레이(13), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)를 포함하여 이루어진다. As can be seen from FIG. 17B, the head-mounted display device having a virtual reality (VR) structure according to the present invention includes a left-
좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11), 렌즈 어레이(13), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)는 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다. The left-
좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11)는 동일한 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 2D 영상을 시청할 수 있다. 또는, 좌안용 표시 장치(12)는 좌안 영상을 표시하고 우안용 표시장치(11)는 우안 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 입체 영상을 시청할 수 있다. 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11) 각각은 전술한 도 1 내지 도 16에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 16에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 컬러 필터층(미도시)이 상기 렌즈 어레이(13)와 마주하게 된다. The left-
렌즈 어레이(13)는 좌안 접안 렌즈(20a)와 좌안용 표시 장치(12) 각각과 이격되면서 좌안 접안 렌즈(20a)와 좌안용 표시 장치(12) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 렌즈 어레이(13)는 좌안 접안 렌즈(20a)의 전방 및 좌안용 표시 장치(12)의 후방에 위치할 수 있다. 또한, 렌즈 어레이(13)는 우안 접안 렌즈(20b)와 우안용 표시 장치(11) 각각과 이격되면서 우안 접안 렌즈(20b)와 우안용 표시 장치(11) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 렌즈 어레이(13)는 우안 접안 렌즈(20b)의 전방 및 우안용 표시 장치(11)의 후방에 위치할 수 있다.The
렌즈 어레이(13)는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)일 수 있다. 렌즈 어레이(13)는 핀홀 어레이(Pin Hole Array)로 대체될 수 있다. 렌즈 어레이(13)로 인해 좌안용 표시장치(12) 또는 우안용 표시장치(11)에 표시되는 영상은 사용자에게 확대되어 보일 수 있다. The
좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안(LE)이 위치하고, 우안 접안 렌즈(20b)에는 사용자의 우안(RE)이 위치할 수 있다. The user's left eye LE may be positioned on the
도 17c에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 AR(Augmented Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(12), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)을 포함하여 이루어진다. 도 17c에는 편의상 좌안쪽 구성만을 도시하였으며, 우안쪽 구성도 좌안쪽 구성과 동일하다. As can be seen from FIG. 17C, the head mounted display device having an Augmented Reality (AR) structure according to the present invention includes a left-
좌안용 표시 장치(12), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)은 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다. The left-
좌안용 표시 장치(12)는 투과창(15)을 가리지 않으면서 투과 반사부(14)의 일측, 예로서 상측에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 좌안용 표시 장치(12)가 투과창(15)을 통해 보이는 외부 배경을 가리지 않으면서 투과 반사부(14)에 영상을 제공할 수 있다. The left
좌안용 표시 장치(12)는 전술한 도 1 내지 도 16에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 16에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 컬러필터(미도시)가 투과 반사부(14)와 마주하게 된다. The left
렌즈 어레이(13)는 좌안 접안 렌즈(20a)와 투과반사부(14) 사이에 구비될 수 있다. The
좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안이 위치한다. The user's left eye is located in the
투과 반사부(14)는 렌즈 어레이(13)와 투과창(15) 사이에 배치된다. 투과 반사부(14)는 광의 일부를 투과시키고, 광의 다른 일부를 반사시키는 반사면(14a)을 포함할 수 있다. 반사면(14a)은 좌안용 표시 장치(12)에 표시된 영상이 렌즈 어레이(13)로 진행하도록 형성된다. 따라서, 사용자는 투과층(15)을 통해서 외부의 배경과 좌안용 표시 장치(12)에 의해 표시되는 영상을 모두 볼 수 있다. 즉, 사용자는 현실의 배경과 가상의 영상을 겹쳐 하나의 영상으로 볼수 있으므로, 증강현실(Augmented Reality, AR)이 구현될 수 있다.The
투과층(15)은 투과 반사부(14)의 전방에 배치되어 있다.The
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and are not limiting. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
100: 표시장치
110: 표시패널
111: 제1 기판
112: 제2 기판
140: 소스 드라이브 IC
150: 연성필름
160: 회로보드
170: 타이밍 제어부
200: 단차층
210: 차광층
220: 제1 절연막
230: 박막 트랜지스터
240: 제1 연결전극
250: 제2 연결전극
260: 제2 절연막
270: 평탄화막
281, 282, 283: 가림 패턴
311, 312, 313: 제1 전극
321, 322, 323: 제1 발광층
331, 332, 333: 제2 전극
340: 제2 발광층
350: 제3 전극100: display device 110: display panel
111: first substrate 112: second substrate
140: source drive IC 150: flexible film
160: circuit board 170: timing control unit
200: stepped layer 210: light-shielding layer
220: first insulating layer 230: thin film transistor
240: first connecting electrode 250: second connecting electrode
260: second insulating film 270: planarization film
281, 282, 283: shielding
321, 322, 323:
340: second emission layer 350: third electrode
Claims (18)
상기 기판 상에서 상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소 각각에 구비된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 구비되어 제1 색의 광을 발광하는 제1 발광층;
상기 제1 발광층 상에 구비된 제2 전극;
상기 제2 전극 상에 구비되어 제2 색의 광을 발광하는 제2 발광층;
상기 제2 발광층 상에 구비된 제3 전극;
상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 구비되고, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극을 전기적으로 연결하거나 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 전기적으로 연결하는 연결전극;
상기 연결전극 상에 구비되고, 상기 연결전극의 일부를 노출시키는 개구 영역을 포함하는 제1 층; 및
상기 제1 층 상에 구비되고, 상기 개구 영역의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부를 포함하는 제2 층을 포함하고,
상기 연결전극은 상기 개구 영역에서 단차를 가지는 표시장치.A substrate including a display area in which first and second sub-pixels are disposed, and a non-display area surrounding the display area;
A first electrode provided in each of the first sub-pixel and the second sub-pixel on the substrate;
A first emission layer provided on the first electrode to emit light of a first color;
A second electrode provided on the first emission layer;
A second emission layer provided on the second electrode to emit light of a second color;
A third electrode provided on the second emission layer;
A connection electrode provided between the substrate and the first electrode and electrically connecting the second electrode and the third electrode or electrically connecting the first electrode and the second electrode;
A first layer provided on the connection electrode and including an opening region exposing a portion of the connection electrode; And
A second layer provided on the first layer and including a protruding portion protruding to cover a part of the opening area,
The connection electrode has a step difference in the opening area.
상기 연결전극은 상기 개구 영역에서 상면의 일부가 노출되고, 상기 노출된 상면은 제1 면 및 상기 제1 면 보다 높이가 큰 제2 면을 포함하는 표시장치.The method of claim 1,
The connection electrode has a portion of an upper surface exposed in the opening area, and the exposed upper surface includes a first surface and a second surface having a height greater than that of the first surface.
상기 연결전극의 노출된 상면은 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하는 제3 면을 포함하고, 상기 제3 면은 경사지거나 오목한 표시장치.The method of claim 2,
The exposed upper surface of the connection electrode includes a third surface connecting the first surface and the second surface, and the third surface is inclined or concave.
상기 연결전극의 제2 면은 상기 제2 층의 하면 보다 높이가 작은 표시장치.The method of claim 2,
The second surface of the connection electrode is smaller in height than the lower surface of the second layer.
상기 연결전극과 상기 기판 사이에 구비된 단차층을 더 포함하고,
상기 연결전극은 상기 단차층에 의하여 상기 개구 영역에서 단차를 가지는 표시장치.The method of claim 1,
Further comprising a stepped layer provided between the connection electrode and the substrate,
The connection electrode has a level difference in the opening area by the level difference layer.
상기 단차층은 일단이 상기 개구 영역에서 노출된 연결전극 아래에 배치되는 표시장치.The method of claim 5,
One end of the stepped layer is disposed under the connection electrode exposed in the opening area.
상기 연결전극은 상기 제1 서브 화소의 일측에 배치된 제1 연결전극을 포함하고,
상기 제1 서브 화소에 구비된 제2 전극은 상기 제1 연결전극을 통하여 상기 제3 전극과 전기적으로 연결되는 표시장치.The method of claim 1,
The connection electrode includes a first connection electrode disposed on one side of the first sub-pixel,
A display device in which a second electrode provided in the first sub-pixel is electrically connected to the third electrode through the first connection electrode.
상기 제1 서브 화소의 제2 전극은 상기 제2 층 아래에서 상기 제1 연결전극에 접속하는 표시장치.The method of claim 7,
The second electrode of the first sub-pixel is connected to the first connection electrode under the second layer.
상기 비표시 영역에 배치되어 상기 제3 전극과 접속하는 보조 전원 라인을 더 포함하고,
상기 제1 연결전극은 상기 표시 영역에 배치된 상기 제1 서브 화소의 제2 전극과 접속하고, 상기 표시 영역으로부터 상기 비표시 영역에 배치된 상기 보조 전원 라인까지 연장되어 상기 보조 전원 라인에 접속하는 표시장치.The method of claim 7,
Further comprising an auxiliary power line disposed in the non-display area and connected to the third electrode,
The first connection electrode is connected to the second electrode of the first sub-pixel disposed in the display area, extends from the display area to the auxiliary power line disposed in the non-display area, and is connected to the auxiliary power line. Display device.
상기 연결전극은 상기 제2 서브 화소의 일측에 배치된 제2 연결전극을 포함하고,
상기 제2 서브 화소에 구비된 제2 전극은 상기 제2 연결전극을 통하여 상기 제2 서브 화소에 구비된 제1 전극과 전기적으로 연결되는 표시장치.The method of claim 1,
The connection electrode includes a second connection electrode disposed on one side of the second sub-pixel,
A display device in which a second electrode provided in the second sub-pixel is electrically connected to a first electrode provided in the second sub-pixel through the second connection electrode.
상기 제2 서브 화소의 제2 전극은 상기 제2 층 아래에서 상기 제2 연결전극에 접속하는 표시장치.The method of claim 10,
The second electrode of the second sub-pixel is connected to the second connection electrode under the second layer.
상기 제1 층은 상기 제2 서브 화소를 둘러싸도록 개구 영역이 형성되는 표시장치.The method of claim 10,
An opening area is formed in the first layer to surround the second sub-pixel.
상기 제2 층은 상기 제1 전극과 동일한 층에 형성되고, 상기 제1 전극과 이격된 금속층을 포함하는 표시장치.The method of claim 1,
The second layer is formed on the same layer as the first electrode and includes a metal layer spaced apart from the first electrode.
상기 제1 전극의 끝단을 덮는 뱅크를 더 포함하고,
상기 제2 층은 상기 뱅크로부터 연장된 유기층을 포함하는 표시장치.The method of claim 1,
Further comprising a bank covering the end of the first electrode,
The second layer includes an organic layer extending from the bank.
상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소 각각에 구비되고, 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 구동 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 연결전극은 상기 액티브층, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 하나와 동일한 층에 형성되는 표시장치.The method of claim 1,
A driving transistor provided in each of the first and second sub-pixels and including an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode,
The connection electrode is formed on the same layer as one of the active layer, the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode.
상기 제1 서브 화소는 상기 제1 발광층만 발광하고, 상기 제2 서브 화소는 상기 제2 발광층만 발광하는 표시장치.The method of claim 1,
The first sub-pixel emits only the first emission layer, and the second sub-pixel emits only the second emission layer.
상기 연결전극 상에 구비된 제2 발광층은 상기 제2 층 상에 구비된 제2 발광층과 연결되는 표시장치.The method of claim 1,
A display device in which a second emission layer provided on the connection electrode is connected to a second emission layer provided on the second layer.
상기 금속 패턴 상에 구비되고, 상기 금속 패턴의 일부를 노출시키는 개구 영역이 형성된 제1 층; 및
상기 제1 층 상에 구비되고, 상기 개구 영역의 일부를 가리도록 돌출된 돌출부를 포함하는 제2 층을 포함하고,
상기 금속 패턴은 상기 개구 영역에서 단차를 가지는 표시장치.A metal pattern provided on the substrate;
A first layer provided on the metal pattern and having an opening region exposing a portion of the metal pattern; And
A second layer provided on the first layer and including a protruding portion protruding to cover a part of the opening area,
The metal pattern has a step difference in the opening area.
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