KR20200068497A - 미세 먼지 필터 및 그 제조 방법 - Google Patents

미세 먼지 필터 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20200068497A
KR20200068497A KR1020180155548A KR20180155548A KR20200068497A KR 20200068497 A KR20200068497 A KR 20200068497A KR 1020180155548 A KR1020180155548 A KR 1020180155548A KR 20180155548 A KR20180155548 A KR 20180155548A KR 20200068497 A KR20200068497 A KR 20200068497A
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윤두협
윤선진
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한국전자통신연구원
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Abstract

미세 먼지 필터 및 그 제조 방법이 개시된다. 미세 먼지 필터는 복수의 섬유층 지지대, 복수의 섬유층 지지대 위에 형성되어 있으며 굴곡 구조를 가지는 섬유층, 그리고 섬유층에 형성되는 반도체 시트를 포함할 수 있다.

Description

미세 먼지 필터 및 그 제조 방법{FINE DUST FILTER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 미세 먼지 필터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근에 자동차 배기 가스, 난방 가스, 황사 등에 의해 발생되는 미세 먼지로 인해 대기 오염이 날로 심해지고 있다. 이러한 대기 중의 미세 먼지는 전자 제품, 기계 장치 등에 악영향을 미칠 뿐만 아니라 인간의 신체 특히, 호흡기 질환을 야기하는 중요한 인자이다.
이에 따라 2005년 악취방지법 제정과 2006년 1월 다중 이용 시설 등의 공기 오염 관리법 시행과 함께 공기오염에 대한 관심도가 높아지고 있다. 한편, 대부분의 사람들이 건물 내에서 생활하는 시간이 길어짐에 따라 실내 공기질의 중요성이 부각되고 있으며 쾌적한 실내 공기의 환경이 요구된다.
미세 먼지에 의한 실내 공기 오염을 방지하기 위해 방진망 형태의 필터가 사용되고 있는데, 기존의 방진망은 대기 먼지, 미세먼지, 황사 등에 대한 포집 효율이 낮다. 그리고 이러한 방진망은 외부로부터 유입되는 미세먼지를 차단하기 위해 두꺼운 섬유 코팅층의 필터를 사용하므로, 투명도가 떨어져 창호 고유의 뷰(view) 기능이 낮아진다. 한편, 기존의 방진망은 두꺼운 섬유 코팅층으로 인해 통기성이 떨어져 주기적으로 창호를 개방하여야 하는 불편함이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 미세 먼지의 포집 효율이 높은 미세 먼지 필터 및 그 제작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 통기 저항이 작은 미세 먼지 필터 및 그 제작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 투명성이 높은 미세 먼지 필터 및 그 제작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 미세 먼지 필터가 제공된다. 상기 미세 먼지 필터는, 복수의 섬유층 지지대, 상기 복수의 섬유층 지지대 위에 형성되어 있으며, 굴곡 구조를 가지는 섬유층, 그리고 상기 섬유층에 형성되는 반도체 시트를 포함할 수 있다.
상기 섬유층은 상기 복수의 섬유층 지지대로부터 멀리 위치할수록 아래로 더욱 처질 수 있다.
상기 굴곡 구조는 상하 굴곡 구조일 수 있다.
상기 반도체 시트는 몰리브덴 다이설파이드(MoS2), 텅스텐 다이설파이드(WS2), 몰리브덴 다이텔루라이드(MoTe2), 텅스텐 다이텔루라이드(WTe2), 타이타늄 다이설파이드(TiS2), 타이타늄 다이설파이드(TiS2), 타이타늄 다이텔루라이드(TiTe2), 지르코늄 다이설파이드(ZrS2), 지르코늄 다이셀레나이드(ZrSe2), 지르코늄 다이텔루라이드(ZrTe2), 하프늄 다이설파이드(HfS2), 하프늄 다이셀레나이드(HfSe2), 하프늄 다이텔루라이드(HfTe2), 틴 다이설파이드(SnS2), 틴 다이셀레나이드(SnSe2), 그리고 틴 다이텔루라이드(SnTe2) 중 적어도 하나의 물질일 수 있다.
상기 반도체 시트는 시트 모양 또는 플레이크 모양일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 미세 먼지 필터의 제작 방법이 제공된다. 상기 제작 방법은, 고분자 용액과 반도체 시트 전구체를 썩어, 전기 방사 용액을 준비하는 단계, 상기 전기 방사 용액을 복수 개의 섬유층 지지대 위에 전기 방사하는 단계, 그리고 상기 전기 방사된 섬유를 환원 분위기에서 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 고분자 용액은 폴리비닐 알코올일 수 있다.
상기 반도체 시트 전구체는 암모니움 테트라티오텅스테이트일 수 있다.
상기 전기 방사하는 단계는, 상기 복수 개의 섬유층 지지대를 전도성 기판 위에 놓은 후 상기 전기 방사 용액을 전기 방사하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 열처리 공정을 수행하는 단계를 통해 상기 반도체 시트 전구체가 반도체 시트로 환원될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 미세 먼지 필터가 제공된다. 상기 미세 먼지 필터는, 반도체 시트를 포함하고 있는 섬유층, 그리고 상기 섬유층의 내부에서 상기 섬유층을 지지하고 있는 복수의 섬유층 지지대를 포함하며, 상기 섬유층은 상기 복수의 섬유층 지지대에서 멀어질수록 더욱 아래로 처질 수 있다.
상기 반도체 시트는 금속칼코게나이드 물질 또는 그래핀(graphene) 물질일 수 있다.
상기 반도체 시트는 몰리브덴 다이설파이드(MoS2), 텅스텐 다이설파이드(WS2), 몰리브덴 다이텔루라이드(MoTe2), 텅스텐 다이텔루라이드(WTe2), 타이타늄 다이설파이드(TiS2), 타이타늄 다이설파이드(TiS2), 타이타늄 다이텔루라이드(TiTe2), 지르코늄 다이설파이드(ZrS2), 지르코늄 다이셀레나이드(ZrSe2), 지르코늄 다이텔루라이드(ZrTe2), 하프늄 다이설파이드(HfS2), 하프늄 다이셀레나이드(HfSe2), 하프늄 다이텔루라이드(HfTe2), 틴 다이설파이드(SnS2), 틴 다이셀레나이드(SnSe2), 그리고 틴 다이텔루라이드(SnTe2) 중 적어도 하나의 물질일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 섬유층에 반도체 시트를 형성시켜, 미세 먼지 포집 효율을 더욱 높일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 섬유층을 상하 굴곡 구조를 가지게 함으로써, 통기성 저항을 낮출 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 얇고 투명도 높은 미세 먼지 필터를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 미세먼지 필터를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 섬유층에 형성되어 있는 반도체 시트를 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 4는 굴곡 구조를 가지는 섬유층에 의해 통기 저항을 줄어드는 원리를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 섬유층에 형성된 반도체 시트의 실제 현미경 사진을 나타내는 도면이다
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 미세 먼지 필터를 제조하는 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 전기 방사 공정에 사용되는 전기 방사 시스템을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 고온 열처리 공정을 통해 형성된 복합 구조체의 현미경 사진을 나타내는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 미세먼지 필터를 나타내는 도면이며, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 섬유층에 형성되어 있는 반도체 시트를 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 미세 먼지 필터(100)는 섬유층 지지대(110), 섬유층(120), 그리고 반도체 시트(130)을 포함한다.
섬유층 지지대(110)는 섬유층(120)을 지지하도록 복수 개 형성되어 있다. 섬유층 지지대(110)는 섬유층(120) 내부에 형성되어 섬유층(120)을 지지할 수 있다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 섬유층 지지대(110)가 4개인 경우를 나타내었으며, 섬유층 지지대(110)는 섬유층(120) 아래에 복 수개 형성될 수 있다. 섬유층 지지대(110)는 전기 방사 공정으로 섬유층(120)이 형성될 때 섬유층이 아래로 쳐지도록 한다. 즉, 섬유층 지지대(110)는 섬유층(120)이 상하 굴곡 구조를 가지도록 섬유층(120a, 120b)를 지지하는 역할을 수행한다. 전기 방사 공정 시 섬유층(120)은 섬유층 지지대(110)로부터 멀수록 아래로 쳐지게 된다. 섬유층 지지대(110)는 알루미늄 등 금속으로 구성될 수 있다.
섬유층(120)는 섬유층 지지대(110) 상에 형성되며 전기 방사 공정을 통해 격자 구조를 가질 수 있다. 섬유층(120)은 굵은 섬유인 스캐폴더(Scaffold) 섬유(120a)와 얇은 섬유(120b)를 포함하며, 스캔폴터 섬유(120a)와 얇은 섬유(120b)는 서로 격자 형태로 형성될 수 있다. 섬유층(120)은 외부로부터 공기 흐름이 섬유층(120)에 유입될 시에 미세 먼지를 포집한다.
그리고 본 발명의 실시예에 따른 섬유층(120)은 섬유층 지지대(110)로 인해 섬유층 지지대(110)로부터 멀어질수록 밑(아래)으로 더욱 처친 상하 굴곡 구조를 가진다. 이와 같이 섬유층(120)는 굴곡 구조를 가짐으로 인해 통기 저항을 줄일 수 있다.
도 3 및 도 4는 굴곡 구조를 가지는 섬유층(120)에 의해 통기 저항을 줄어드는 원리를 나타내는 도면이다.
도 3에서 310은 일반적인 평면 구조의 섬유층을 나타내며 320은 본 발명의 실시예에 따른 굴곡 구조의 섬유층을 나타낸다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 굴곡 구조의 섬유층(320)에서 섬유가 교차하는 면적은 평면 구조의 섬유층(310)에서 섬유가 교차하는 면적이 크므로, 통기 저항이 줄어든다.
한편, 도 4에서 410은 일반적인 직선 섬유(straight fiber)를 나타내며 본 발명의 실시예에 따른 경사진 섬유(inclined fiber)를 나타낸다. 도 4의 410에 나타낸 바와 같이, 미세먼지 필터가 장시간 사용으로 인해 섬유 층 표면에 미세 먼지 의 부착이 누적되므로, 일반적인 섬유는 수직방향으로 흐르는 공기의 통로가 좁아져 통기 저항이 높아진다. 이에 반해, 도 4의 420에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 경사진 섬유는 섬유의 휘어진 각도와 휘어진 높이에 따라 미세 먼지 간의 간격이 벌어지므로(즉, 휘어지기 전 d에서 휘어진 후 D로 벌어짐) 통기 저항이 낮아진다.
도 2를 참조하면, 반도체 시트(130)는 섬유층(120)에 형성되어 있다. 반도체 시트(130)는 미세 먼지의 부착율을 높이는 역할을 수행한다.
미세 먼지의 주요 성분은 카본(carbon) 및 산소 화합물로 구성되어 있다. 미세 먼지의 부착율을 높이기 위해, 반도체 시트(130)는 카본 및 산소 화합물과 결합력이 강한 몰리브덴 다이설파이드(MoS2), 텅스텐 다이설파이드(WS2), 몰리브덴 다이텔루라이드(MoTe2), 텅스텐 다이텔루라이드(WTe2), 타이타늄 다이설파이드(TiS2), 타이타늄 다이설파이드(TiS2), 타이타늄 다이텔루라이드(TiTe2), 지르코늄 다이설파이드(ZrS2), 지르코늄 다이셀레나이드(ZrSe2), 지르코늄 다이텔루라이드(ZrTe2), 하프늄 다이설파이드(HfS2), 하프늄 다이셀레나이드(HfSe2), 하프늄 다이텔루라이드(HfTe2), 틴 다이설파이드(SnS2), 틴 다이셀레나이드(SnSe2), 그리고 틴 다이텔루라이드(SnTe2) 등의 금속칼코게나이드나 그래핀(graphene) 물질일 수 있다. 이러한 반도체 시트(130)는 시트 모양(예를 들면, 육면체 시트), 플레이크(flake) 모양(예를 들면, 육면체 플레이크), 또는 이들이 복수 개 형태로 연결된 형태일 수 있으며, 섬유층(120) 표면에 균일하게 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 섬유층(120)에 형성된 반도체 시트(130)의 실제 현미경 사진을 나타내는 도면이다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 반도체 시트(130)는 이차원 반도체 시트 또는 이차원 반도체 플레이크 모양일 수 있으며, 반도체시트(130)는 섬유층(120)에 형성되어 있는 섬유(즉, 전기 방사 섬유)에 결합되어 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 미세 먼지 필터를 제조하는 방법을 나타내는 플로우차트이다.
먼저, 전기 방사 용액을 제조한다(S610). 폴리비닐 알코올(polyvinyl alcohol, PVA) 등의 유기물을 용매에 용해한 고분자 용액을 반도체 시트 전구체(precursor)와 썩는다. 이와 같이 썩인 용액을 가열 평판(hot plate) 위에 올려서 자석 교반-바(magnetic stirrer)의 고속 회전을 통해 섞는다. 이때, 90℃에서 하루 밤 썩어서 균일한 용액이 준비될 수 있다. 고분자 용액에서 폴리비닐 알코올의 농도는 10%일 수 있으며, 반도체 시트 전구체는 암모니움 테트라티오텅스테이트(ammonium tetrathiotungstate, (NH4)2WS4; ATTS)와 같은 이차원 반도체 전구체일 수 있다.
다음으로, S610 단계에서 제조한 전기 방사 용액을 사용하여 전기 방사 공정을 수행하여 섬유를 제작한다(S620). 전기 방사 용액을 시린지(syringe)에 넣은 후, 시린지 펌프를 이용한 일정한 속도로 시린지에 압력을 가한다. 이와 같은 압력을 통해 일정한 용액이 시린지 노즐로 토출된다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 전기 방사 공정에 사용되는 전기 방사 시스템을 나타내는 도면이다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전기 방사 시스템(700)은 전압기(710), 전도성 기판(720), 시린지(730), 그리고 시린지 노즐(740)을 포함한다.
전도성 기판(720)은 접지되어 있으며, 전도성 기판(720) 위에는 도 1에서 설명한 섬유층 지지대(110)가 놓여진다. 전압기(710)의 양(+) 단자는 시린지(730)와 연결되고 전압기(710)의 음(-) 단자는 전도성 기판(720)에 연결된다. 시린지 (730)에는 S610 단계에서 제작된 용액이 채워져 있다. 시린지(730)의 아래 단에는 용액이 토출되는 시린지 노즐(740)이 위치한다.
전압기(710)는 시린지(730)에 채워진 용액과 전도성 기판(720) 사이에 5 kV 내지 30 kV 사이의 고전압을 인가한다. 이와 같이 인가된 고전압에 의해 전기장이 형성되며, 형성된 전기장으로 인해 시린지 노즐(740)을 통해 방사 용액이 1차원 섬유 형태로 길게 뿜어져 나온다. 1차원 형태로 길게 뿜어져 나오는 섬유는 정렬 블록(도시 하지 않음)을 통해 서로 일정한 간격으로 평행하게 정렬되며 그물망 구조로 형성된다. 이와 같은 방법으로 제작되는 섬유는 투과 효율이 균일하며 미세 먼지 포집 효율이 향상될 수 있다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 시린지 노즐(740)과 전도성 기판(720) 사이에 인가된 전압(노즐과 전도성 기판은 서로 반대 극성을 가짐)으로 인해, 시린지 노즐(740)로부터 토출된 섬유는 전도성 기판(720) 위에 정렬되면서 형성된다. 한편, 본 발명의 실시예에서는 섬유층 지지대(110) 위에 섬유가 토출되어 형성되므로 상하 굴곡 구조를 가진다.
S620 단계에서 제작된 섬유에 대해서 열처리 공정이 수행된다(S630). 즉, S620 단계에서 전기 방사 공정을 통해 제작된 섬유를 전기로에 넣어 환원 분위기 (수소 또는 질소 분위기)에서 열처리 과정을 거친다.
환원 분위기에서 고온 열처리 과정을 수행할 시에, 복합 섬유 내에 있는 고분자는 탄소화되어 탄소섬유를 형성한다. 그리고 반도체 시트(130)(즉, 이차원 반도체)를 구성하는 금속이온은 금속으로 환원됨과 동시에 용융되어 탄소의 기공을 통해 용출되어 탐소 섬유 표면에 홀(hole)을 형성한다. 이때, 열처리 공정시의 열처리 온도는 400℃ 내지 800℃ 범위일 수 있다. 한편, 고온 열처리 과정에서, 전기 방사 용액에 포함되어 있던 반도체 시트(이차원 반도체), 산화물 반도체 시트(sheet), 또는 산화물 반도체 플레이크(flake) 등은 이들의 외부에 싸고 있던 폴리머 성분이 제거되면서 시트나 플레이트 본연의 형태로 점점 뚜렷해진다. 즉, 1 차원 섬유 표면 위에 3차원 구조체인 반도체 시트나 반도체 플레이크 등이 올려 있는 3차원 복합 구조제가 형성된다. 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 고온 열처리 공정을 통해 형성된 복합 구조체의 현미경 사진을 나타내는 도면이다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 고온 열처리 공정을 통해, 1차원 섬유 표면에 3차원 구조체가 생성되어 있다.
상기에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 미세 먼지 필터는 섬유층(120)이 수 나노미터(nm) 이하로 얇게 제작될 수 있으므로 가시 광선에 대한 투과율이 높다. 이에 따라 본 발명의 실시예에 따른 미세 먼지 필터는 창호 고유의 뷰(view) 기능의 손상이 없는 투명한 필터 제작이 가능하다.
그리고 본 발명의 실시예에 따른 미세 먼지 필터는 반도체 시트를 포함하고 있으므로, 합성 섬유로 구성된 블라인드 및 커튼 표면에 잘 부착될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시예에 따른 미세 먼지 필터는 다양한 디자인과 대면적을 가지는 블라인드 및 커튼 형태로 제작될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (14)

  1. 복수의 섬유층 지지대,
    상기 복수의 섬유층 지지대 위에 형성되어 있으며, 굴곡 구조를 가지는 섬유층, 그리고
    상기 섬유층에 형성되는 반도체 시트를 포함하는 미세 먼지 필터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 섬유층은 상기 복수의 섬유층 지지대로부터 멀리 위치할수록 아래로 더욱 처진 미세 먼지 필터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 굴곡 구조는 상하 굴곡 구조인 미세 먼지 필터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 시트는 금속칼코게나이드 물질 또는 그래핀(graphene) 물질인 미세 먼지 필터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 시트는 몰리브덴 다이설파이드(MoS2), 텅스텐 다이설파이드(WS2), 몰리브덴 다이텔루라이드(MoTe2), 텅스텐 다이텔루라이드(WTe2), 타이타늄 다이설파이드(TiS2), 타이타늄 다이설파이드(TiS2), 타이타늄 다이텔루라이드(TiTe2), 지르코늄 다이설파이드(ZrS2), 지르코늄 다이셀레나이드(ZrSe2), 지르코늄 다이텔루라이드(ZrTe2), 하프늄 다이설파이드(HfS2), 하프늄 다이셀레나이드(HfSe2), 하프늄 다이텔루라이드(HfTe2), 틴 다이설파이드(SnS2), 틴 다이셀레나이드(SnSe2), 그리고 틴 다이텔루라이드(SnTe2) 중 적어도 하나의 물질인 미세 먼지 필터.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 시트는 시트 모양 또는 플레이크 모양인 미세 먼지 필터.
  7. 미세 먼지 필터의 제작 방법으로서,
    고분자 용액과 반도체 시트 전구체를 썩어, 전기 방사 용액을 준비하는 단계,
    상기 전기 방사 용액을 복수 개의 섬유층 지지대 위에 전기 방사하는 단계, 그리고
    상기 전기 방사된 섬유를 환원 분위기에서 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함하는 제작 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 고분자 용액은 폴리비닐 알코올인 제작 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 반도체 시트 전구체는 암모니움 테트라티오텅스테이트인 제작 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 전기 방사하는 단계는, 상기 복수 개의 섬유층 지지대를 전도성 기판 위에 놓은 후 상기 전기 방사 용액을 전기 방사하는 단계를 포함하는 제작 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 열처리 공정을 수행하는 단계를 통해 상기 반도체 시트 전구체가 반도체 시트로 환원되는 제작 방법.
  12. 반도체 시트를 포함하고 있는 섬유층, 그리고
    상기 섬유층의 내부에서 상기 섬유층을 지지하고 있는 복수의 섬유층 지지대를 포함하며,
    상기 섬유층은 상기 복수의 섬유층 지지대에서 멀어질수록 더욱 아래로 처진 미세 먼지 필터.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 반도체 시트는 금속칼코게나이드 물질 또는 그래핀(graphene) 물질인 미세 먼지 필터.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 반도체 시트는 몰리브덴 다이설파이드(MoS2), 텅스텐 다이설파이드(WS2), 몰리브덴 다이텔루라이드(MoTe2), 텅스텐 다이텔루라이드(WTe2), 타이타늄 다이설파이드(TiS2), 타이타늄 다이설파이드(TiS2), 타이타늄 다이텔루라이드(TiTe2), 지르코늄 다이설파이드(ZrS2), 지르코늄 다이셀레나이드(ZrSe2), 지르코늄 다이텔루라이드(ZrTe2), 하프늄 다이설파이드(HfS2), 하프늄 다이셀레나이드(HfSe2), 하프늄 다이텔루라이드(HfTe2), 틴 다이설파이드(SnS2), 틴 다이셀레나이드(SnSe2), 그리고 틴 다이텔루라이드(SnTe2) 중 적어도 하나의 물질인 미세 먼지 필터.
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