KR20200050520A - 양극 산화 피막 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 양극 산화 피막 제조 방법에 관한 것으로서, 피처리 대상물의 표면에 함유된 이종금속을 순차적으로 제거하고, 피처리 대상물의 표면에 아노다이징을 통해 양극산화 배리어층을 종래보다 더 두껍게 형성하는 양극 산화 피막 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위해 이종금속이 포함된 피처리 대상물의 표면에 서로 다른 표면 조도를 복수회에 걸쳐 순차적으로 형성하는 표면조도 형성 단계, 서로 다른 용액을 사용하여 피처리 대상물의 표면에 포함된 이종금속을 순차적으로 제거하는 전처리 단계, 및 양극산화 처리시 전해액을 사용하고, 양극산화 처리 온도, 양극산화 처리 시간 및 양극산화 처리 전압을 기 설정된 조건으로 설정하여 피처리 대상물의 표면을 양극산화시켜 피처리 대상물의 표면에 기공이 형성되지 않는 양극산화 피막층 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화 피막 제조 방법이 개시된다.

Description

양극 산화 피막 제조 방법{Method of manufacturing anodizing film}

본 발명은 양극 산화 피막 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 피처리 대상물의 표면에 함유된 이종금속을 순차적으로 제거하고, 피처리 대상물의 표면에 아노다이징을 통해 양극산화 배리어층을 종래보다 더 두껍게 형성하는 양극 산화 피막 제조 방법에 관한 것이다.

선행문헌 제10-2018-0007237에 개시된 바와 같이 종래에는 모재 표면에 얇은 양극산화 배리어층을 성장시키고, 양극산화 배리어층 표면에 양극산화 배리어층 보다 더 두꺼운 기공을 가지는 양극산화 다공질층을 성장시켰다. 이때, 양극산화 다공질층은 크랙이 발생되거나 박리되는 문제가 발생되며, 더 나아가 양극산화 다공질층에 형성된 기공에 의해 아웃개싱이 유발되어 디스플레이와 반도체 기판의 공정 불량을 야기한다.

이러한 종래의 문제점을 해결하기 위해 선행문헌 제10-2018-0007237에서는 는 양극산화 다공질층이 없는 양극산화 배리어층을 모재 표면에 종래보다 더 두껍게 기공없이 성장시키는 기술이 개시되어 있다. 이때, 알루미늄 합금 모재의 경우에는 알루미늄 이외의 이종금속이 모재의 표면에 존재하며 선행문헌에서는 불산처리를 통해 한번에 알루미늄 합금에 포함된 이종금속을 제거하도록 한다. 그러나 불산처리에 의해 한번에 이종금속이 제거되지 않을 뿐만아니라 선행문헌 또는 종래기술에서 제시하는 아노다이징 조건은 양극산화 피막층을 원하는 두께까지 잘 성장시키기도 어렵고 설사 성장시킨다 하더라도 성장시킨 양극산화 피막층의 표면 강도가 약하여 제품 불량을 초래하는 문제점이 있다.

대한민국 공개특허공보 제10-2018-0007237(발명의 명칭 : 금속부품 및 그 제조 방법 및 금속부품을 구비한 공정챔버)

따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 에칭 단계, 1,2차 디스멋 단계에 의해 모재에 포함된 이종금속을 순차적으로 제거함으로써 이종금속을 원하는 수준까지 확실히 제거할 수 있고, 아노다이징 전해액 및 설정 조건에 의해 원하는 피막층 두께를 성장시킬 수 있는 발명을 제공하는데 그 목적이 있다.

그러나, 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

전술한 본 발명의 목적은, 이종금속이 포함된 피처리 대상물의 표면에 서로 다른 표면 조도를 복수회에 걸쳐 순차적으로 형성하는 표면조도 형성 단계, 서로 다른 용액을 사용하여 피처리 대상물의 표면에 포함된 이종금속을 순차적으로 제거하는 전처리 단계, 및 양극산화 처리시 전해액을 사용하고, 양극산화 처리 온도, 양극산화 처리 시간 및 양극산화 처리 전압을 기 설정된 조건으로 설정하여 피처리 대상물의 표면을 양극산화시켜 피처리 대상물의 표면에 기공이 형성되지 않는 양극산화 피막층 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화 피막 제조 방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.

또한, 순차적인 표면조도 형성 단계는 제1 조도값의 범위에 들도록 피처리 대상물의 외곽영역의 표면에 1차 표면조도를 형성하는 단계, 피처리 대상물의 외곽영역을 마스킹하는 단계, 및 제2 조도값의 범위에 들도록 피처리 대상물의 중앙영역의 표면에 2차 표면조도를 순차적으로 형성하는 단계를 포함한다.

또한, 마스킹하는 단계는 피처리 대상물의 외곽에 형성된 1차 표면조도가 2차 표면조도 형성시에 조도값이 변하지 않도록 마스킹하는 단계이며, 선택된 제1 조도값에 비해 제2 조도값이 더 크며, 표면조도 형성에 의해 피처리 대상물의 크랙을 방지하고 공정시에 아킹을 방지한다.

또한, 전처리 단계는 탈지액을 사용하여 오염물을 제거하는 탈지 단계, 제1 산성용액을 사용하여 자연 산화막과 제1 이종금속을 제거하는 에칭 단계, 및 제2 산성용액을 사용하여 에칭으로 제거할 수 없는 제2 이종금속을 순차적으로 제거하는 복수의 디스멋 단계를 포함한다.

또한, 복수의 디스멋 단계는 산성용액을 사용하여 에칭에 의해 생성된 스멋(smut)을 제거하는 1차 디스멋 단계, 1차 디스멋의 산성용액과는 다른 산성용액을 사용하여 제2 이종금속 또는 스멋을 최종적으로 제거하는 2차 디스멋 단계를 포함한다.

또한, 탈지 단계는 40 ~ 60도씨에서 5 ~ 30분간 피처리 대상물을 처리하며, 에칭 단계는 40 ~ 70도씨에서 20 ~ 30분간 피처리 대상물을 처리하며, 1차 디스멋 단계는 40 ~ 60도씨에서 10 ~ 30분간 피처리 대상물을 처리하며, 2차 디스멋 단계는 30 ~ 50도씨에서 10 ~ 30분간 피처리 대상물을 처리한다.

또한, 양극산화 처리 온도는 20 ~ 50[℃]이고, 양극산화 처리 시간은 200 ~ 300[min]이고, 양극산화 처리 전압은 50 ~ 100[v]이다.

또한, 전처리 단계와 양극산화 피막층 형성 단계 사이에 피처리 대상물의 평면도를 교정하는 평면도 교정 단계, 및 표면조도 형성 단계에서 형성된 표면조도의 피크를 연마하는 단계를 더 포함한다.

전술한 바와 같은 본 발명에 의하면 에칭 단계, 1,2차 디스멋 단계에 의해 모재에 포함된 이종금속을 순차적으로 제거함으로써 이종금속을 원하는 수준까지 확실히 제거할 수 있고, 아노다이징 전해액 및 설정 조건에 의해 원하는 피막층 두께를 성장시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 표면조도 값이 다르도록 모재의 서로 다른 영역에 복수회에 걸쳐 형성시키고, 포면조도의 피크 연마를 수행함으로써 크랙 및 아킹을 방지할 수 있는 효과가 있다.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 양극산화 피막층을 형성시키는 단계를 순차적으로 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 복수회에 걸쳐 표면조도를 모재의 서로 다른 영역에 서로 다른 조도 값으로 형성시키는 단계를 순차적으로 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 서셉터로서 표면조도를 형성하는 영역을 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 전처리 단계를 순차적으로 나타낸 도면이고,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 에칭 단계, 1차 디스멋 단계, 2차 디스멋 단계를 순차적으로 수행함으로써 이종금속이 순차적으로 제거되는 것을 도시한 도면이고,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 전처리 단계 후의 공정을 나타낸 도면이고,
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 전해액, 처리 시간, 처리 전압, 처리 온도에 따른 피막 두꼐를 나타낸 도면이고,
도 8은 본 발명의 일실시예에 따라 표면조도 값에 따른 모재의 크랙 수를 도시한 도면이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 일실시예는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 내용을 부당하게 한정하지 않으며, 본 실시 형태에서 설명되는 구성 전체가 본 발명의 해결 수단으로서 필수적이라고는 할 수 없다. 또한, 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.

본 발명의 일실시예에 따른 양극 산화 피막 제조 방법은 피처리 대상물의 표면에서부터 기공이 없는 양극산화 배리어층(또는 양극산화 피막층)을 성장시키는 방법에 관한 것이다. 피처리 대상물은 알루미늄 또는 알루미늄 합금일 수 있다. 이때, 알루미늄 합금의 경우에는 알루미늄을 포함하여 Si, Fe, Cu, Mg, Cr, Zn, Ti 중 적어도 어느 하나의 이종금속이 포함될 수 있다. 알루미늄 합금의 경우에는 피처리 대상물의 표면에 양극산화 배리어층을 성장시킬 때 피처리 대상물의 표면에 파티클 형태로 존재하는 이종금속으로 인해 양극산화가 제대로 이루어지지 않아 CVD 공정시에 불순물로 작용하거나 아킹의 우려가 있다(선행문헌 KR 10-2018-0007237). 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 선행문헌과 차별점으로 이종금속을 순차적으로 제거하고 선행문헌 대비 아노다이징 전압을 저전압으로 하고, 아노다이징 시간을 더 길게 함으로써 양극산화 피막층을 대략 1um까지 성장시킬 수 있다. 이하에서는 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 일실시예에 따른 양극산화 피막 제조 방법에 대해 자세히 설명하기로 한다.

피처리 대상물의 표면에 양극산화 피막층을 성장시키 위해 본 발명에서는 도 1에 도시된 바와 같이 대략적으로 표면조도 형성 단계, 전처리 단계, 피크 연마 단계, 및 양극산화 피막층을 형성하는 아노다이징 단계를 수행한다. 피처리 대상물이 입고되면 피처리 대상물을 세정한다.

다음으로, 순차적으로 표면조도를 형성하는 단계를 수행한다. 순차적으로 표면조도를 형성하는 단계를 도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면 먼저, 피처리 대상물(10)의 표면 외곽영역(또는 테두리영역,11)에 비드를 이용하여 Ra 1 ~ 1.5um의 표면조도를 1차적으로 형성한다. 1차 표면조도 형성 후에 고압 세정으로 피처리 대상물에 박힌 비드를 제거하는 단계를 수행한다. 다음으로, 피처리 대상물의 표면 중앙영역(12)에 표면조도를 형성하기 위해 1차 표면조도가 형성된 피처리 대상물의 외곽영역(11)을 마스킹하는 단계를 수행한다. 피처리 대상물에 서로 다른 표면조도를 형성하기 위해 먼저 외곽 테두리영역(11)에 기 설정된 표면조도를 형성하고, 2차 표면조도 형성시에 1차 표면조도의 조도값이 비드의 분사에 의해서도 바뀌지 않도록 먼저, 표면조도가 형성된 외곽 테두리영역(11)에 전용 테이프 등을 이용하여 테이프를 붙이는 마스킹 공정을 수행한다. 다음으로, 피처리 대상물을 건조한 후에 피처리 대상물의 표면 중앙영역(12)에 비드를 이용하여 Ra 15 ~ 17um의 표면조도를 2차적으로 형성한다. 2차 표면조도 형성 후에 고압 세정으로 피처리 대상물에 박힌 비드를 제거하는 단계를 수행한다. 이때는 피처리 대상물에 부착된 1차 오염물 또는 불순물을 제거하고 박힌 비드까지 제거하게 된다. 상술한 표면조도 형성시의 피처리 대상물은 일예로서 서셉터일 수 있다. 디퓨저의 경우에는 필요에 따라 조도를 형성하지 않을 수 있다. 표면조도 값을 외곽영역(11)과 중앙영역(12)에 서로 달리 형성함으로써 피처리 대상물의 크랙을 방지하고 공정시에 아킹을 방지할 수 있다. 상술한 제1,2 표면조도 값은 피처리 대상물의 종류 및 공정 환경에 따라 조금씩 값이 바뀔 수 있으나 선택된 제1,2 표면조도 값의 차이를 두는 것이 중요하다. 외곽영역에 형성되는 제1 조도값에 비해 중앙영역에 형성되는 제2 조도값이 더 크다. 본 발명에서와 같은 표면조도 값을 유지함으로써 도 8에 도시된 바와 같이 피처리 대상물의 크랙 수를 현저히 낮출 수 있는 장점이 있다.

다음으로, 도 4와 같이 아노다이징 공정 전에 전처리 단계를 수행한다. 전처리 단계는 먼저, 가공절삭유 등의 2차 오염물을 제거하는 탈지 단계를 수행한다. 탈지 단계는 40 ~ 60도씨에서 5 ~ 30분간 탈지액으로 절삭유 등을 제거한다. 탈지 단계 후에 피처리 대상물을 세정한다. 세정 후에 pH 2~3의 제1 산성용액으로 피처리 대상물을 에칭한다. 피처리 대상물의 표면에 존재하는 이종금속을 에칭에 의해 1차적으로 제거한다. 이와 같이 본 발명은 선행문헌과 달리 에칭시에 피처리 대상물의 이종금속을 제거하나 선행문헌에서는 알칼리 성분으로 에칭 공정을 수행하는 차이점이 있다. 제1 산성용액을 사용하여 에칭하면 피처리 대상물에 생성된 자연 산화막이 제거되고, 피처리 대상물의 평탄화가 이루어진다. 제1 산성용액인 약산성의 애칭용액을 사용하면 피처리 대상물(알루미늄 합금의 경우)의 표면에 있는 Al과 제1 이종금속인 Mg, Si 등이 제거되며, 이때 Al이 제거됨으로써 피처리 대상물이 평탄화된다. 이에 비해 선행문헌에서는 수산화나트륨으로 에칭하기 때문에 이종금속과는 반응이 안 돼 이종금속을 제거하지 못한다. 에칭 단계 후에 피처리 대상물을 세정한다. 대부분의 이종금속이 에칭 단계에서 제거된다.

다음으로, 에칭 후에 제2 산성용액을 사용하여 에칭으로 제거할 수 없는 제2 이종금속을 순차적으로 제거하는 복수의 디스멋 단계를 수행한다. 복수의 디스멋 단계는 산성용액(일예로서 pH 2 ~ 3의 질산)을 사용하여 에칭에 의해 생성된 스멋(smut)을 제거하는 1차 디스멋 단계와, 1차 디스멋의 산성용액과는 다른 산성용액(일예로서 ph 2 ~ 3의 황산)을 사용하여 제2 이종금속 또는 스멋을 최종적으로 제거하는 2차 디스멋 단계를 포함한다. 1차 디스멋 단계에서는 pH 2 ~ 3의 질산을 사용하여 에칭시에 미처 제거되지 않은 제1 이종금속을 추가적으로 제거한다. 이때, 에칭 단계와 다른 것은 에칭시에는 에칭용액을 사용함으로써 피처리 대상물의 표면에 존재하는 Al까지 일부 제거되나 1차 디스멋 단계에서는 1차 디스멋 용액인 질산에 의해 Al은 제거되지 않고 제1 이종금속이 추가적으로 제거된다. 2차 디스멋 단계에서는 2차 디스멋 용액인 황산에 의해 제2 이종금속인 Cu를 제거한다. 따라서 본 발명에서는 피처리 대상물의 표면에 존재하는 제1,2 이종금속을 순차적으로 제거한다. 이에 비해 선행문헌에서는 불산처리 공정을 통해 모든 이종금속을 일시에 제거하는 차이점이 있다. 상술한 에칭시에 사용되는 에칭 용액은 복수의 디스멋 단계에서 사용하는 디스멋 용액보다 약산성에 가까운 용액이다. 2차 디스멋 단계를 수행한 후에는 피처리 대상물을 세정한다. 전처리 단계는 양극산화 피막층 형성 전에 피처리 대상물의 불순물을 최대한 없애고 금속간 화합물(이종금속)을 제거하기 위한 공정이다.

한편, 탈지 단계는 탈지액으로 40 ~ 60도씨에서 5 ~ 30분간 피처리 대상물을 처리하며, 에칭 단계는 에칭 용액으로 40 ~ 70도씨에서 20 ~ 30분간 피처리 대상물을 처리하며, 1차 디스멋 단계는 1차 디스멋 용액으로 40 ~ 60도씨에서 10 ~ 30분간 피처리 대상물을 처리하며, 2차 디스멋 단계는 2차 디스멋 용액으로 30 ~ 50도씨에서 10 ~ 30분간 피처리 대상물을 처리한다.

한편, 도 5에 도시된 바와 같이 에칭 단계, 1차 디스멋 단계, 2차 디스멋 단계를 순차적으로 수행함으로써 점차적으로 이종금속이 제거된 것을 볼 수 있다. 여기서 에칭 단계, 1차 디스멋 단계, 2차 디스멋 단계의 공정 순서를 바꾸는 경우에는 즉 2차 디스멋 단계를 맨 마지막에 수행하지 않는 경우에는 "Cu"를 제거할 수 없는 문제점이 있어 공정 순서를 순차적으로 수행하는 것이 바람직하다.

다음으로, 피처리 대상물의 평면도를 교정하는 평면도 교정 단계를 수행한다. 평면도를 교정하는 이유는 피처리 대상물의 크기가 가로 길이에 비해 높이가 얇아 피처리 대상물의 중앙영역 또는 외곽영역이 처지기 때문에 처진 제품을 다시 편평하게 하는 공정이 추가된다. 평면도 교정은 고객사 사용 후에 리페어 하거나 또는 신제품 생산 공정시에 추가될 수 있다.

다음으로, 표면조도 형성 단계에서 형성된 표면조도의 피크를 연마하는 단계를 수행한다. 표면조도 형성에 의해 아킹이 일어나기 쉬운 피크가 생성되며, 기 설정된 값 이상의 피크를 연마하여 피크 평탄화를 해줌으로써 모재의 아킹을 방지한다.

다음으로, 양극산화 처리시 산성 전해액을 사용하고, 양극산화 처리 온도, 양극산화 처리 시간 및 양극산화 처리 전압을 기 설정된 조건으로 설정하여 모재(피처리 대상물)를 양극산화시켜 모재의 표면에 기공이 형성되지 않는 양극산화 피막층을 형성하는 단계를 수행한다. 산성 전해액은 pH 2 ~ 3의 범위를 가지는 용액이다. 이에 비해 선행문헌에는 pH 5.1의 붕산을 사용한다. 따라서 본 발명에서 사용하는 산성 전해액이 선행문헌의 붕산 대비 더 강산성이다. 양극산화 처리 온도는 20 ~ 50도씨이고, 양극산화 처리 시간은 200 ~ 300[min]이고, 양극산화 처리 전압은 50 ~ 100[v]이다. 이와 같이 본 발명에서는 피처리 대상물에 양극산화 피막층을 형성하기 위한 아노다이징 조건을 산성 전해액, 처리 온도, 처리 시간, 처리 전압과 같은 조건들로 구성 설정되도록 함으로써 도 7과 같이 양극산화 피막층을 대략 1um 까지 성장시킬 수 있다. 이때, 선행문헌 대비 강산성 전해액과, 저전압으로 긴 시간 동안 양극산화 피막층을 성장시킬 수 있으며, 이렇게 성장시킨 양극산화 피막층은 더 단단한 피막층이 형성되어 표면 강도가 좋아져 스크래치 등에 강한 제품이 된다.

본 발명을 설명함에 있어 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.

상술한 각부의 구성 및 기능에 대한 설명은 설명의 편의를 위하여 서로 분리하여 설명하였을 뿐 필요에 따라 어느 한 구성 및 기능이 다른 구성요소로 통합되어 구현되거나, 또는 더 세분화되어 구현될 수도 있다.

이상, 본 발명의 일실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명이 이것에 한정되지는 않으며, 다양한 변형 및 응용이 가능하다. 즉, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 많은 변형이 가능한 것을 당업자는 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명과 관련된 공지 기능 및 그 구성 또는 본 발명의 각 구성에 대한 결합관계에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.

10 : 피처리 대상물
11 : 1차 표면조도 형성영역
12 : 2차 표면조도 형성영역

Claims (8)

1. 서로 다른 용액을 사용하여 피처리 대상물의 표면에 포함된 이종금속을 순차적으로 제거하는 전처리 단계, 및
   양극산화 처리시 전해액을 사용하고, 양극산화 처리 온도, 양극산화 처리 시간 및 양극산화 처리 전압을 기 설정된 조건으로 설정하여 피처리 대상물의 표면을 양극산화시켜 피처리 대상물의 표면에 기공이 형성되지 않는 양극산화 피막층 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화 피막 제조 방법.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 전처리 단계 전에,
   이종금속이 포함된 피처리 대상물의 표면에 서로 다른 표면 조도를 복수회에 걸쳐 순차적으로 형성하는 표면조도 형성 단계를 더 포함하고,
   순차적인 표면조도 형성 단계는,
   제1 조도값의 범위에 들도록 피처리 대상물의 외곽영역의 표면에 1차 표면조도를 형성하는 단계,
   상기 피처리 대상물의 외곽영역을 마스킹하는 단계, 및
   제2 조도값의 범위에 들도록 상기 피처리 대상물의 중앙영역의 표면에 2차 표면조도를 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화 피막 제조 방법.,
   
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 마스킹하는 단계는 피처리 대상물의 외곽에 형성된 상기 1차 표면조도가 상기 2차 표면조도 형성시에 조도값이 변하지 않도록 마스킹하는 단계이며,
   선택된 상기 제1 조도값에 비해 상기 제2 조도값이 더 크며,
   상기 표면조도 형성에 의해 피처리 대상물의 크랙을 방지하고 공정시에 아킹을 방지하는 것을 특징으로 하는 양극 산화 피막 제조 방법.
   
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 전처리 단계는,
   탈지액을 사용하여 오염물을 제거하는 탈지 단계,
   제1 산성용액을 사용하여 자연 산화막과 제1 이종금속을 제거하는 에칭 단계, 및
   제2 산성용액을 사용하여 상기 에칭으로 제거할 수 없는 제2 이종금속을 순차적으로 제거하는 복수의 디스멋 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화 피막 제조 방법.
   
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 복수의 디스멋 단계는,
   산성용액을 사용하여 상기 에칭에 의해 생성된 스멋(smut)을 제거하는 1차 디스멋 단계,
   상기 1차 디스멋의 산성용액과는 다른 산성용액을 사용하여 제2 이종금속 또는 상기 스멋을 최종적으로 제거하는 2차 디스멋 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화 피막 제조 방법.
   
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 탈지 단계는 40 ~ 60도씨에서 5 ~ 30분간 피처리 대상물을 처리하며,
   상기 에칭 단계는 40 ~ 70도씨에서 20 ~ 30분간 피처리 대상물을 처리하며,
   상기 1차 디스멋 단계는 40 ~ 60도씨에서 10 ~ 30분간 피처리 대상물을 처리하며,
   상기 2차 디스멋 단계는 30 ~ 50도씨에서 10 ~ 30분간 피처리 대상물을 처리하는 것을 특징으로 하는 양극 산화 피막 제조 방법.
   
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 양극산화 처리 온도는 20 ~ 50[℃]이고, 상기 양극산화 처리 시간은 200 ~ 300[min]이고, 상기 양극산화 처리 전압은 50 ~ 100[v]인 것을 특징으로 하는 양극 산화 피막 제조 방법.
   
8. 제 2 항에 있어서,
   전처리 단계와 양극산화 피막층 형성 단계 사이에,
   피처리 대상물의 평면도를 교정하는 평면도 교정 단계, 및
   상기 표면조도 형성 단계에서 형성된 표면조도의 피크를 연마하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화 피막 제조 방법.

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