KR20200049251A - A display conmprising a shift register - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a display device including a shift register and, more specifically, to a display device including a shift register capable of implementing an ultra-narrow bezel by reducing the number of transistors (TFT) of a gate in panel (GIP). The display device comprises: a start circuit unit; a reset circuit unit; a Q1 node and a Q2 node; an inverter circuit unit; a first output circuit unit; and a second output circuit unit.

Description

쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치 {A display conmprising a shift register}Display device including shift register {A display conmprising a shift register}

본 발명은 쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, GIP(Gate in Panel)의 트랜지스터(TFT)의 개수를 줄여 초소형 내로우 베젤(narrow bezel)을 구현할 수 있는 쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device including a shift register, and more specifically, to reduce the number of transistors (TFT) of a gate in panel (GIP), and includes a shift register capable of realizing a very small narrow bezel. It relates to a display device.

일반적인 표시장치는 화소마다 형성된 화소 회로를 포함하고, 화소 회로는 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터의 스위칭을 이용하여 발광소자로 흐르는 전류의 크기를 제어하여 발광 소자를 발광시킨다.A typical display device includes a pixel circuit formed for each pixel, and the pixel circuit emits light by controlling a magnitude of a current flowing through the light emitting element by switching a driving transistor according to a data voltage.

이러한 표시장치의 게이트 구동 회로는 복수의 게이트 라인에 게이트 펄스를 순차적으로 공급하기 위한 쉬프트 레지스터를 포함한다. 쉬프트 레지스터는 다수의 트랜지스터를 포함하는 복수의 스테이지를 포함하고, 각각의 스테이지들은 서로 종속적으로(cascade)로 접속되어 게이트 펄스를 순차적으로 출력한다.The gate driving circuit of such a display device includes a shift register for sequentially supplying gate pulses to a plurality of gate lines. The shift register includes a plurality of stages including a plurality of transistors, and the stages are connected cascade to each other to sequentially output gate pulses.

최근에는 게이트 구동 회로의 쉬프트 레지스터를 구성하는 트랜지스터를 박막 트랜지스터 형태로 표시 패널의 기판에 내장하는 GIP(Gate in Panel) 구조가 적용되고 있다.Recently, a gate in panel (GIP) structure in which a transistor constituting a shift resistor of a gate driving circuit is embedded in a substrate of a display panel in the form of a thin film transistor has been applied.

각 스테이지는 Q 노드와 QB 노드를 포함하며, Q 노드 및 QB 노드를 충전 및 방전시키기 위해서는, 이전 스테이지로부터 수신되는 스타트 펄스에 연결되는 스타트 회로부, 다음 스테이지로부터 수신되는 리셋 펄스에 연결되는 리셋 회로부, Q 노드 및 QB 노드의 반전을 위한 인버터 회로부, Q 노드에 의해 제어되어 출력 전압을 출력하는 출력 회로부 등이 필요하다. 또한, 각각의 회로부 내에는 여러 개의 트랜지스터가 필요하며, 특히 Oxide GIP인 경우에는 누설 전류를 방지하기 위해서 추가적인 트랜지스터가 필요하다. Each stage includes a Q node and a QB node, and in order to charge and discharge the Q node and the QB node, a start circuit portion connected to a start pulse received from a previous stage, a reset circuit portion connected to a reset pulse received from a next stage, An inverter circuit portion for inverting the Q node and the QB node, an output circuit portion controlled by the Q node and outputting an output voltage is required. In addition, several transistors are required in each circuit, and in the case of oxide GIP, additional transistors are needed to prevent leakage current.

결국, 각 스테이지마다 많은 개수의 트랜지스터가 필요하며, 표시장치 전체의 관점에서는 무수히 많은 스테이지가 요구되어, 베젤의 크기가 증가할 수 밖에 없는 문제가 있다.As a result, a large number of transistors are required for each stage, and a myriad of stages are required from the viewpoint of the entire display device, which increases the size of the bezel.

본 출원은 전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, GIP의 트랜지스터의 개수를 줄여 초소형 내로우 베젤을 구현할 수 있는 쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.An object of the present application is to provide a display device including a shift register capable of implementing an ultra-small narrow bezel by reducing the number of transistors of the GIP.

본 발명은 쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치로서, 스타트 펄스를 입력받는 스타트 회로부; 리셋 펄스를 입력받는 리셋 회로부; 상기 스타트 회로부에 의해 전압이 인가되고, 상기 리셋 회로부에 의해 전압이 방전되는 Q1 노드 및 Q2 노드; 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드에 인가된 전압을 반전시켜 QB 노드에 출력하는 인버터 회로부; 상기 Q1 노드에 의해 제 1 출력을 출력하는 제 1 출력 회로부; 및 상기 Q2 노드에 의해 제 2 출력을 출력하는 제 2 출력 회로부;를 포함하는 쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치가 제공된다. The present invention is a display device including a shift register, a start circuit unit for receiving a start pulse; A reset circuit unit receiving a reset pulse; A Q1 node and a Q2 node to which a voltage is applied by the start circuit unit and a voltage is discharged by the reset circuit unit; An inverter circuit unit that inverts voltages applied to the Q1 node and the Q2 node and outputs the QB node; A first output circuit unit outputting a first output by the Q1 node; And a second output circuit part outputting a second output by the Q2 node. A display device including a shift register is provided.

상기 스타트 펄스에 의해 제어되고, 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드 사이에 연결되는 스타트 싱크 TFT를 더 포함한다.It further includes a start sink TFT controlled by the start pulse and connected between the Q1 node and the Q2 node.

상기 스타트 펄스가 게이트 온 전압 레벨인 경우, 상기 스타트 싱크 TFT가 턴-온되고 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드는 동기화되어 상기 스타트 회로부에 의해 전압이 충전된다.When the start pulse is at the gate-on voltage level, the start sink TFT is turned on and the Q1 node and the Q2 node are synchronized to charge the voltage by the start circuit section.

상기 리셋 펄스에 의해 제어되고, 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드 사이에 연결되는 리셋 싱크 TFT를 더 포함한다.And a reset sink TFT controlled by the reset pulse and connected between the Q1 node and the Q2 node.

상기 리셋 펄스가 게이트 온 전압 레벨인 경우, 상기 리셋 싱크 TFT가 턴-온되고 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드는 동기화되어 상기 리셋 회로부에 의해 전압이 방전된다.When the reset pulse is at the gate-on voltage level, the reset sink TFT is turned on and the Q1 node and the Q2 node are synchronized to discharge the voltage by the reset circuit portion.

상기 QB 노드에 의해 제어되고, 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드 사이에 연결되는 QB 싱크 TFT를 더 포함한다. It further includes a QB sink TFT controlled by the QB node and connected between the Q1 node and the Q2 node.

상기 인버터 회로부에 의해 상기 QB 노드에 게이트 온 전압 레벨이 인가되는 경우, 상기 QB 싱크 TFT가 턴-온되고 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드는 동기화되어 상기 리셋 회로부에 의해 로우 전압 상태가 유지된다.When a gate-on voltage level is applied to the QB node by the inverter circuit unit, the QB sink TFT is turned on and the Q1 node and the Q2 node are synchronized to maintain a low voltage state by the reset circuit unit.

상기 스타트 회로부는: 상기 스타트 펄스에 의해 제어되고 상기 Q1 노드에 연결되는 제 1 스타트 TFT; 상기 스타트 펄스에 의해 제어되고 상기 스타트 펄스 및 상기 제 1 스타트 TFT 사이에 연결되는 제 2 스타트 TFT; 및 상기 Q1 노드에 의해 제어되고 하이 전압 및 상기 제 1 스타트 TFT 사이에 연결되는 제 3 스타트 TFT;를 포함한다.The start circuit portion includes: a first start TFT controlled by the start pulse and connected to the Q1 node; A second start TFT controlled by the start pulse and connected between the start pulse and the first start TFT; And a third start TFT controlled by the Q1 node and connected between the high voltage and the first start TFT.

상기 리셋 회로부는: 상기 리셋 펄스에 의해 제어되고 상기 Q1 노드에 연결되는 제 1 리셋 TFT; 상기 리셋 펄스에 의해 제어되고 상기 제 1 리셋 TFT 및 로우 전압 사이에 연결되는 제 2 리셋 TFT; 상기 QB 노드에 의해 제어되고 상기 Q1 노드에 연결되는 제 3 리셋 TFT; 및 상기 QB 노드에 의해 제어되고 상기 제 3 리셋 TFT 및 상기 로우 전압 사이에 연결되는 제 4 리셋 TFT;를 포함한다.The reset circuit portion may include: a first reset TFT controlled by the reset pulse and connected to the Q1 node; A second reset TFT controlled by the reset pulse and connected between the first reset TFT and a low voltage; A third reset TFT controlled by the QB node and connected to the Q1 node; And a fourth reset TFT controlled by the QB node and connected between the third reset TFT and the low voltage.

상기 인버터 회로부는: 하이 전압에 의해 제어되고 상기 하이 전압에 연결되는 제 1 인버터 TFT; 상기 Q1 노드에 의해 제어되고 상기 제 1 인버터 및 상기 Q1 노드 사이에 연결되는 제 2 인버터 TFT; 상기 제 1 인버터 TFT의 출력에 의해 제어되고 상기 하이 전압 및 상기 QB 노드 사이에 연결되는 제 3 인버터 TFT; 및 상기 Q1 노드에 의해 제어되고 상기 QB 노드 및 로우 전압 사이에 연결되는 제 4 인버터 TFT;를 포함한다.The inverter circuit portion includes: a first inverter TFT controlled by a high voltage and connected to the high voltage; A second inverter TFT controlled by the Q1 node and connected between the first inverter and the Q1 node; A third inverter TFT controlled by the output of the first inverter TFT and connected between the high voltage and the QB node; And a fourth inverter TFT controlled by the Q1 node and connected between the QB node and a low voltage.

상기 제 1 출력 회로부는: 상기 Q1 노드에 의해 제어되고 제 1 클록 및 제 1 출력 사이에 연결되는 제 1 풀업 TFT; 상기 제 1 풀업 TFT의 게이트 전극 및 소스 전극 사이에 연결되는 제 1 캐패시터; 및 상기 QB 노드에 의해 제어되고 로우 전압 및 상기 제 1 출력 사이에 연결되는 제 1 풀다운 TFT를 포함하고, 상기 제 2 출력 회로부는: 상기 Q2 노드에 의해 제어되고 제 2 클록 및 제 2 출력 사이에 연결되는 제 2 풀업 TFT; 상기 제 2 풀업 TFT의 게이트 전극 및 소스 전극 사이에 연결되는 제 2 캐패시터; 및 상기 QB 노드에 의해 제어되고 상기 로우 전압 및 상기 제 2 출력 사이에 연결되는 제 2 풀다운 TFT를 포함한다.The first output circuit portion includes: a first pull-up TFT controlled by the Q1 node and connected between a first clock and a first output; A first capacitor connected between a gate electrode and a source electrode of the first pull-up TFT; And a first pull-down TFT controlled by the QB node and connected between a low voltage and the first output, wherein the second output circuitry is: controlled by the Q2 node and between the second clock and the second output. A second pull-up TFT connected; A second capacitor connected between a gate electrode and a source electrode of the second pull-up TFT; And a second pull-down TFT controlled by the QB node and connected between the low voltage and the second output.

상기 제 1 캐패시터의 용량은 상기 제 2 캐패시터의 용량보다 더 크다.The capacity of the first capacitor is larger than that of the second capacitor.

상기 Q2 노드에 추가 캐패시터가 연결된다.An additional capacitor is connected to the Q2 node.

본 발명에 따르면, GIP의 트랜지스터의 개수를 줄일 수 있다.According to the present invention, the number of transistors of the GIP can be reduced.

또한, 본 발명에 따르면 초소형 내로우 베젤을 구현할 수 있다.In addition, according to the present invention, an ultra-small narrow bezel can be implemented.

또한, 본 발명에 따르면 표시장치의 해상도가 높아지더라도 세로 설계 공간의 제약을 벗어날 수 있다.In addition, according to the present invention, even if the resolution of the display device is high, it is possible to escape the limitation of the vertical design space.

또한, 본 발명에 따르면, GIP 회로의 복잡도를 낮출 수 있고 그 면적을 저감시킬 수 있다.Further, according to the present invention, the complexity of the GIP circuit can be lowered and the area can be reduced.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 게이트 드라이버를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터와 종래의 쉬프트 레지스터를 비교하기 한 도면이다.
도 4는 도 3의 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터를 크게 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 내의 스타트 회로부를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 내의 리셋 회로부를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 내의 인버터 회로부를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 내의 3개의 싱크 TFT 및 출력 회로부를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 11은 본 발명에 따른 Q1 노드와 Q2 노드의 전압을 설명하기 위한 도면이다.
1 is a view showing a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a view showing a gate driver according to the present invention.
3 is a view comparing a shift register according to the present invention with a conventional shift register.
4 is a view showing a large shift register according to the present invention in FIG.
5 is a view for explaining a start circuit part in a shift register according to the present invention.
6 is a view for explaining a reset circuit unit in the shift register according to the present invention.
7 is a view for explaining an inverter circuit portion in the shift register according to the present invention.
8 is a view for explaining three sink TFTs and output circuits in a shift register according to the present invention.
9 is a view for explaining a shift register according to the present invention.
10 is a timing diagram for explaining the operation of the shift register according to the present invention.
11 is a view for explaining the voltage of the Q1 node and the Q2 node according to the present invention.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, specific details for the practice of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 나타내는 도면이다. 1 is a view showing a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는, 표시패널(PANEL), 데이터 드라이버(DD), 게이트 드라이버(GD) 및 타이밍 컨트롤러(TC)를 포함한다. Referring to FIG. 1, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel (PANEL), a data driver (DD), a gate driver (GD), and a timing controller (TC).

표시패널(PANEL)은 가로 i개 및 세로 j개의 복수개의 픽셀(PXL)들을 포함한다. 표시패널(PANEL)은 i개의 데이터 라인들(DL1 내지 DLi)을 통해 데이터 드라이버(DD)와 연결된다. 표시패널(PANEL)은 j개의 게이트 라인들(GL1 내지 GLj)을 통해 게이트 드라이버(GD)와 연결된다. 즉, 하나의 수직 라인을 따라 배열된 j개의 픽셀(PXL)들은 하나의 데이터 라인(DL1, DL2 등)에 공통으로 접속된다. 또한, 하나의 수평 라인을 따라 배열된 i개의 픽셀(PXL)들은 하나의 게이트 라인(GL1, GL2 등)에 공통으로 접속된다. 복수개의 픽셀(PXL)들은 적색 화상을 표시하기 위한 복수개의 적색 픽셀(R)들, 녹색 화상을 표시하기 위한 복수개의 녹색 픽셀(G)들 및 청색 화상을 표시하기 위한 복수개의 청색 픽셀(B)들을 포함한다. 이러한 복수개의 픽셀(PXL)들은 표시패널(PANEL)의 표시부에 매트릭스 형태로 배열된다. 복수개의 픽셀(PXL)들 각각은 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 및 픽셀전극을 포함한다. 이러한 박막트랜지스터의 게이트 전극은 픽셀이 연결된 게이트 라인에 연결되고, 박막트랜지스터의 드레인 전극은 픽셀이 연결된 데이터 라인에 연결되고, 박막트랜지스터의 소스 전극은 픽셀 전극에 연결된다. The display panel PANEL includes a plurality of pixels PXL, i horizontally and j vertically. The display panel PANEL is connected to the data driver DD through i data lines DL1 to DLi. The display panel PANEL is connected to the gate driver GD through j gate lines GL1 to GLj. That is, j pixels PXL arranged along one vertical line are commonly connected to one data line DL1, DL2, and the like. Further, i pixels PXL arranged along one horizontal line are commonly connected to one gate line GL1, GL2, and the like. The plurality of pixels PXL includes a plurality of red pixels R for displaying a red image, a plurality of green pixels G for displaying a green image, and a plurality of blue pixels B for displaying a blue image. Includes The plurality of pixels PXL are arranged in a matrix form on the display unit of the display panel PANEL. Each of the plurality of pixels PXL includes a thin film transistor (TFT) and a pixel electrode. The gate electrode of the thin film transistor is connected to the gate line to which the pixel is connected, the drain electrode of the thin film transistor is connected to the data line to which the pixel is connected, and the source electrode of the thin film transistor is connected to the pixel electrode.

표시패널(PANEL)은 픽셀(PXL)의 픽셀회로의 구성에 따라 액정 표시패널로 구현되거나 유기 발광 표시패널 등으로 구현된다. 예를 들어, 표시패널(PANEL)이 액정 표시패널로 구현되는 경우 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드 또는 ECB(Electrically Controlled Birefringence) 모드로 동작하게 된다. 다른 예를 들어, 표시패널(PANEL)이 유기 발광 표시패널로 구현되는 경우 전면 발광(Top-Emission) 방식 또는 배면 발광(Bottom-Emission) 방식으로 동작하게 된다. 표시장치의 표시패널(PANEL)은 액정 표시패널, 유기 발광 표시패널, 전기 영동 표시패널, 플라즈마 표시패널 등이 선택될 수 있다. 그러나 본 발명은 어느 하나에 한정되는 것이 아님이 이해되어야 한다.The display panel PANEL is implemented as a liquid crystal display panel or an organic light emitting display panel according to the configuration of the pixel circuit of the pixel PXL. For example, when the display panel (PANEL) is implemented as a liquid crystal display panel, a TN (Twisted Nematic) mode, a VA (Vertical Alignment) mode, an IPS (In Plane Switching) mode, a FFS (Fringe Field Switching) mode, or an ECB (Electrically) Controlled Birefringence) mode. As another example, when the display panel (PANEL) is implemented as an organic light emitting display panel, the display panel (PANEL) is operated in a top-emission method or a bottom-emission method. A liquid crystal display panel, an organic light emitting display panel, an electrophoretic display panel, or a plasma display panel may be selected as the display panel (PANEL) of the display device. However, it should be understood that the present invention is not limited to any one.

하나의 실시예에 따르면, 픽셀(PXL)들은 표시패널(PANEL) 상에 스트라이프(stripe) 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 하나의 픽셀(PXL)은 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 및 청색 서브 픽셀을 포함할 수 있고, 나아가 백색 서브 픽셀을 더 포함할 수 있다. According to one embodiment, the pixels PXL may be formed in a stripe structure on the display panel PANEL. In this case, one pixel PXL may include a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, and further may include a white sub-pixel.

다른 실시예에 따르면, 픽셀(PXL)들은 표시패널(PANEL) 상에 펜타일(pentile) 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 하나의 픽셀(PXL)은 평면적으로 다각 형태로 배치된 하나의 적색 서브 픽셀, 2개의 녹색 서브 픽셀, 및 하나의 청색 서브 픽셀들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 펜타일 구조를 갖는 픽셀(PXL)들은 하나의 적색 서브 픽셀, 2개의 녹색 픽셀, 및 하나의 청색 서브 픽셀들이 평면적으로 팔각 형태를 가지도록 배치될 수 있고, 이 경우 청색 서브 픽셀이 가장 큰 크기를 가지며 녹색 서브 픽셀이 가장 작은 크기를 가질 수 있다.According to another embodiment, the pixels PXL may be formed in a pentile structure on the display panel PANEL. In this case, one pixel PXL may include one red sub-pixel, two green sub-pixels, and one blue sub-pixel arranged in a planar polygonal shape. For example, the pixels PXL having a pentile structure may be arranged such that one red sub-pixel, two green pixels, and one blue sub-pixel have a flat octagonal shape, in which case the blue sub-pixel is It has the largest size and the green sub-pixel may have the smallest size.

각각의 픽셀은 초기화 구간, 샘플링 구간, 오프셋 전압 형성 구간, 데이터 라이팅 구간, 및 발광 구간의 순서로 동작하여 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압에 대응하는 데이터 전류에 의해 발광한다.Each pixel operates in the order of an initialization section, a sampling section, an offset voltage forming section, a data writing section, and a light emitting section, and emits light by a data current corresponding to the data voltage supplied to the data line DL.

데이터 드라이버(DD)는 화상을 표시하기 위한 i개의 화상 데이터들을 i개의 데이터 라인들(DL1 내지 DLi)로 전송한다. 데이터 드라이버(DD)는 타이밍 컨트롤러(TC)로부터 화상 데이터들을 수신하여 데이터 라인들(DL1 내지 DLi)로 전송한다. 즉, 데이터 드라이버(DD)는 게이트 드라이버(GD)에 의해 구동되는 하나의 수평 라인(GL1, GL2 등)의 i개의 화소들에 해당하는 적색, 녹색 및 청색 화상 데이터들을 데이터 라인들(DL1 내지 DLi)을 통해 표시패널(PANEL)에 전송한다. 이 때, 데이터 드라이버(DD)는 i개의 화상 데이터들을 하나의 수평기간(1H) 동안 두 번에 나누어 순차적으로 출력할 수 있다. 즉, i개의 화상 데이터들 중 일부의 화상 데이터들을 하나의 수평 기간의 전반 기간(1/2H) 동안 동시에 출력하고, 하나의 수평 기간의 후반 기간(2/2H) 동안 동시에 출력한다.The data driver DD transmits i image data for displaying an image to i data lines DL1 to DLi. The data driver DD receives image data from the timing controller TC and transmits the image data to the data lines DL1 to DLi. That is, the data driver DD displays red, green, and blue image data corresponding to i pixels of one horizontal line (GL1, GL2, etc.) driven by the gate driver GD data lines DL1 to DLi. ) To the display panel (PANEL). At this time, the data driver DD may divide the i image data twice in one horizontal period 1H and sequentially output the data. That is, some of the i image data are simultaneously output for the first half period (1 / 2H) of one horizontal period, and simultaneously for the second half period (2 / 2H) of one horizontal period.

게이트 드라이버(GD)는 하나의 프레임 기간 동인 j개의 게이트 라인들(GL1 내지 GLj)을 순차적으로 구동하여 각 게이트 라인이 구동되는 매 수평기간마다 해당하는 게이트 라인에 공통으로 접속된 i개의 픽셀(PXL)들을 구동한다. 게이트 드라이버(GD)는 각 게이트 라인(GL1 내지 GLi)에 순차적으로 게이트 신호를 공급한다. 또한, 게이트 드라이버(GD)는 각 픽셀(PXL)의 초기화 구간, 샘플링 구간, 오프셋 전압 형성 구간, 데이터 라이팅 구간, 및 발광 구간 각각마다 결정된 전압 레벨을 갖는 제어 신호를 각 픽셀(PXL)에 공급할 수 있다. 이러한 제어 신호는 초기화 신호, 샘플링 신호, 스캔 신호, 발광 신호를 포함할 수 있다. The gate driver GD sequentially drives j gate lines GL1 to GLj during one frame period, i pixels PXL commonly connected to a corresponding gate line for each horizontal period in which each gate line is driven. ). The gate driver GD sequentially supplies gate signals to each of the gate lines GL1 to GLi. In addition, the gate driver GD may supply a control signal having a voltage level determined for each of the initialization period, sampling period, offset voltage formation period, data writing period, and emission period of each pixel PXL to each pixel PXL. have. The control signal may include an initialization signal, a sampling signal, a scan signal, and a light emission signal.

하나의 실시예에 따르면, 게이트 드라이버(GD)는 동일한 주기를 가지면서 위상이 순차적으로 쉬프트되는 스캔 신호를 생성하여 게이트 라인에 공급한다. 또한, 게이트 드라이버(GD)는 동일한 주기를 가지면서 위상이 순차적으로 쉬프트되는 초기화 신호를 생성하여 센싱 라인에 공급한다. 또한, 게이트 드라이버(GD)는 동일한 주기를 가지면서 위상이 순차적으로 쉬프트되는 샘플링 제어 신호를 생성하여 레퍼런스 라인에 공급한다. 또한, 게이트 드라이버(GD)는 동일한 주기를 가지면서 위상이 순차적으로 쉬프트되는 캐리 신호를 생성하고, 서로 다른 적어도 2개의 캐리 신호를 기초로 서로 위상 차이를 갖는 제 1게이트 오프 전압 레벨과 제 2게이트 오프 전압 레벨을 포함하는 발광 신호를 생성하여 발광 라인에 공급한다. According to one embodiment, the gate driver GD generates a scan signal whose phase is sequentially shifted while having the same period and supplies it to the gate line. In addition, the gate driver GD generates an initialization signal whose phases are sequentially shifted while having the same period and supplies them to the sensing line. Further, the gate driver GD generates a sampling control signal whose phase is sequentially shifted while having the same period and supplies it to the reference line. In addition, the gate driver GD generates a carry signal in which phases are sequentially shifted while having the same period, and the first gate off voltage level and the second gate having phase differences from each other based on at least two different carry signals. A light emission signal including an off voltage level is generated and supplied to the light emission line.

이와 같은 게이트 드라이버(GD)는 픽셀(PXL)의 박막 트랜지스터의 제조 공정과 함께 기판의 좌측 및/또는 우측의 비표시 영역에 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 드라이버(GD)는 기판의 좌측 비표시 영역에 형성되고 싱글 피딩(single feeding) 방식에 따라 동작하여 복수의 게이트 라인(GL)에 스캔 제어 신호를 공급할 수 있다. 다른 예를 들면, 게이트 드라이버(GD)는 기판의 좌측 및 우측의 비표시 영역에 형성되고, 더블 피딩(double feeding) 방식에 따라 동작하여 복수의 게이트 라인(GL) 각각에 스캔 제어 신호를 공급할 수 있다. 다른 예를 들면, 게이트 드라이버(GD)는 기판의 좌측 및 우측의 비표시 영역에 형성되고, 더블 피딩 방식의 인터레이싱(interlacing) 방식에 따라 동작하는 복수의 게이트 라인(GL) 각각에 스캔 제어 신호를 공급할 수 있다.The gate driver GD may be formed in the non-display areas on the left side and / or the right side of the substrate along with the manufacturing process of the thin film transistor of the pixel PXL. For example, the gate driver GD is formed in the left non-display area of the substrate and operates according to a single feeding method to supply scan control signals to the plurality of gate lines GL. For another example, the gate driver GD is formed in the non-display areas on the left and right sides of the substrate, and operates according to a double feeding method to supply scan control signals to each of the plurality of gate lines GL. have. For another example, the gate driver GD is formed in the non-display areas on the left and right sides of the substrate, and the scan control signal is applied to each of the plurality of gate lines GL operating in accordance with the double-feeding interlacing method. Can supply.

타이밍 컨트롤러(TC)는 호스트 시스템으로부터 화상 데이터를 수신한다. 호스트 시스템으로부터 입력되는 수직 동기신호(V_Sync), 수평 동기신호(H_Sync), 데이터 인에이블 신호(DE), 메인 클록신호(Pixel Clock) 등의 타이밍 신호를 기반으로 데이터 드라이버(DD)와 게이트 드라이버(GD)의 동작 타이밍을 제어한다. The timing controller TC receives image data from the host system. Data driver (DD) and gate driver (based on timing signals such as vertical sync signal (V_Sync), horizontal sync signal (H_Sync), data enable signal (DE), and main clock signal (Pixel Clock) input from the host system) GD) to control the operation timing.

또한, 본 발명에 따른 표시장치는 텔레비전, 셋톱박스, 네비게이션, 영상 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터, 웨어러블 디바이스, 홈시어터, 모바일폰 및 가상현실 표시장치(Virtual Reality: VR) 등과 같이 소형, 중형 또는 대형으로 구현 가능하다.In addition, the display device according to the present invention is small, medium-sized, such as television, set-top box, navigation, video player, Blu-ray player, personal computer, wearable device, home theater, mobile phone and virtual reality display (VR) Or it can be implemented in large format.

도 2는 본 발명에 따른 게이트 드라이버를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a gate driver according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 게이트 드라이버는 쉬프트 레지스터부(SR), 클럭 라인부(CLKs), 및 전원 라인부(VDD, VSS)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the gate driver according to the present invention includes a shift register unit SR, clock line units CLKs, and power line units VDD and VSS.

쉬프트 레지스터부(SR)는 복수개의 스테이지들(ST1 내지 STn)을 포함하고, 각각의 스테이지(ST1 내지 STn)는 적어도 2개의 게이트 라인에 연결된다. 예를 들어, 스테이지(ST1)은 2개의 게이트 라인(GL1, GL2)에 연결되고, 스테이지(STn)는 2개의 게이트 라인(GL2n-1, GL2n)에 연결된다. 설명의 편의를 위해 하나의 스테이지가 2개의 게이트 라인에 연결되는 것으로 예시하기로 하며, 하나의 스테이지에 3개 이상의 게이트 라인이 연결되는 실시예 역시도 본 발명의 기술적 사상 내에 포함되는 것으로 이해하여야 한다.The shift register unit SR includes a plurality of stages ST1 to STn, and each stage ST1 to STn is connected to at least two gate lines. For example, stage ST1 is connected to two gate lines GL1 and GL2, and stage STn is connected to two gate lines GL2n-1 and GL2n. For convenience of description, one stage is illustrated as being connected to two gate lines, and an embodiment in which three or more gate lines are connected to one stage is also to be understood as being included in the technical spirit of the present invention.

복수의 스테이지(ST1 내지 STn) 각각은 이전의 스테이지로부터 전단 출력 신호(게이트 스타트 펄스)(Vst)에 응답하여 인에이블되고, 이후의 스테이지로부터 후단 출력 신호(또는 게이트 리셋 펄스)(Vrst)에 응답하여 리셋된다. 이를 위해, 복수의 스테이지(ST1 내지 STn) 각각은 산화물 반도체층을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터를 포함한다. 여기서, 산화물 반도체층은 아연 산화물(ZnO), 인듐 아연 산화물(InZnO) 또는 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO4) 등으로 이루어질 수 있다.Each of the plurality of stages ST1 to STn is enabled in response to the front end output signal (gate start pulse) Vst from the previous stage, and responds to the rear end output signal (or gate reset pulse) Vrst from the subsequent stage. Is reset. To this end, each of the plurality of stages ST1 to STn includes a plurality of thin film transistors including an oxide semiconductor layer. Here, the oxide semiconductor layer may be made of zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (InZnO), or indium gallium zinc oxide (InGaZnO 4 ).

클럭 라인부(CLKs)는 타이밍 컨트롤러(TC)로부터 순차적으로 위상이 지연되는 복수의 클럭 신호가 공급되는 복수의 클럭 신호 라인을 포함한다. 복수의 클럭 신호 라인은 복수의 스테이지(ST1 내지 STn) 각각에 선택적으로 연결되어 복수의 스테이지(ST1 내지 STn) 각각에 적어도 하나의 클럭 신호를 공급한다.The clock line unit CLKs includes a plurality of clock signal lines to which a plurality of clock signals whose phases are sequentially delayed is supplied from the timing controller TC. The plurality of clock signal lines are selectively connected to each of the plurality of stages ST1 to STn to supply at least one clock signal to each of the plurality of stages ST1 to STn.

도 3은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터와 종래의 쉬프트 레지스터를 비교하기 한 도면이다.3 is a view comparing a shift register according to the present invention with a conventional shift register.

도 3의 좌측은 종래의 쉬프트 레지스터를 나타내고, 우측은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸다.The left side of Fig. 3 shows a conventional shift register, and the right side shows a shift register according to the present invention.

종래의 쉬프트 레지스터는 1개의 출력(Vout1 또는 Vout2)을 출력시키기 위해 1개의 스테이지(ST1 또는 ST2)가 구비된다. 구체적으로, 종래의 쉬프트 레지스터는 복수개의 스테이지들(ST1, ST2 등)을 포함하고, 각각의 스테이지는 Q 노드와 QB 노드를 포함하며, Q 노드 및 QB 노드의 충전 및 방전을 위해, 스타트 회로부(Ts), 리셋 회로부(Tr), 인버터 회로부(INV), 출력 회로부(OC)를 포함한다. 결과적으로, 종래의 쉬프트 레지스터는 1개의 출력(Vout1 또는 Vout2)를 출력시키기 위해 1개의 스테이지가 필요하고, 2개의 출력(Vout2 및 Vout2)를 출력시키기 위해서는 2개의 스테이지가 필요하다.In the conventional shift register, one stage ST1 or ST2 is provided to output one output Vout1 or Vout2. Specifically, the conventional shift register includes a plurality of stages (ST1, ST2, etc.), each stage includes a Q node and a QB node, and for charging and discharging the Q node and the QB node, a start circuit unit ( Ts), a reset circuit portion Tr, an inverter circuit portion INV, and an output circuit portion OC. Consequently, a conventional shift register requires one stage to output one output (Vout1 or Vout2), and two stages to output two outputs (Vout2 and Vout2).

이에 반해, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 2개의 출력(Vout1 및 Vout2)을 출력시키기 위해 1개의 스테이지(ST1)가 구비된다. 구체적으로, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 복수개의 스테이지들(ST1 등)을 포함하고, 각각의 스테이지는 2개의 Q 노드(Q1, Q2)와 1개의 QB 노드를 포함하며, Q 노드(Q1, Q2) 및 QB 노드의 충전 및 방전을 위해 1개의 스타트 회로부(Ts), 1개의 리셋 회로부(Tr), 1개의 인버터 회로부(INV), 2개의 출력 회로부(OC1, OC2)를 포함한다. 구체적으로, 스타트 회로부(Ts)는 이전의 스테이지로부터 수신되는 스타트 펄스(Vst)를 입력받아 Q 노드(Q1, Q2)를 충전시킨다. 이 때, QB 노드는 인버터 회로부(INV)에 의해 로우 전압으로 유지 된다. 또한, 리셋 회로부(Tr)는 이후의 스테이지로부터 수신되는 리셋 펄스(Vrst)를 입력받아 Q 노드를 방전시키면서 동시에 Q 노드의 로우 전압을 유지시킨다. 인버터 회로부(INV)는 Q 노드(Q1, Q2)와 QB 노드 사이에 연결되어 Q 노드(Q1, Q2)에 인가된 전압을 반전시켜 QB 노드에 인가한다. 출력 회로부(OC1, OC2)는 Q 노드(Q1, Q2)에 의해 제어되며 인가되는 클록 전압을 출력(Vout1 및 Vout2)으로 출력시킨다.In contrast, the shift register according to the present invention is provided with one stage ST1 to output two outputs Vout1 and Vout2. Specifically, the shift register according to the present invention includes a plurality of stages (ST1, etc.), each stage includes two Q nodes (Q1, Q2) and one QB node, and the Q nodes (Q1, Q2) ) And a QB node for charging and discharging, including one start circuit part Ts, one reset circuit part Tr, one inverter circuit part INV, and two output circuit parts OC1 and OC2. Specifically, the start circuit unit Ts receives the start pulse Vst received from the previous stage to charge the Q nodes Q1 and Q2. At this time, the QB node is maintained at a low voltage by the inverter circuit portion INV. In addition, the reset circuit unit Tr receives the reset pulse Vrst received from the subsequent stage and discharges the Q node while simultaneously maintaining the low voltage of the Q node. The inverter circuit unit INV is connected between the Q nodes Q1 and Q2 and the QB node, and inverts the voltage applied to the Q nodes Q1 and Q2 and applies them to the QB node. The output circuit units OC1 and OC2 are controlled by the Q nodes Q1 and Q2 and output the applied clock voltages to the outputs Vout1 and Vout2.

또한, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 Q1 노드와 Q2 노드 사이에서 3개의 TFT를 구비한다. 이러한 3개의 TFT는 스타트 펄스를 Q1 노드와 Q2 노드 사이에 스위칭하기 위한 스타트 싱크 TFT(Tssync), 리셋 펄스를 Q1 노드와 Q2 노드 사이에 스위칭하기 위한 리셋 싱크 TFT(Trsync), QB 노드를 Q1 노드와 Q2 노드 사이에 스위칭하기 위한 QB 싱크 TFT(Tqbsync)를 포함한다. 구체적으로, 스타트 싱크 TFT(Tssync)는 스타트 펄스(Vst)에 의해 제어되고 Q1 노드와 Q2 노드 사이에 연결된다. 리셋 싱크 TFT(Trsync)는 리셋 펄스(Vrst)에 의해 제어되고, Q1 노드와 Q2 노드 사이에 연결된다. QB 싱크 TFT(Tqbsync)는 QB 노드에 의해 제어되고 Q1 노드와 Q2 노드 사이에 연결된다. 이러한 3개의 TFT에 대한 구체적인 동작은 후술하기로 한다. 결과적으로, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 2개의 출력(Vout1 및 Vout2)를 출력시키기 위해 1개의 스테이지만 필요하다.Further, the shift register according to the present invention has three TFTs between the Q1 node and the Q2 node. These three TFTs are start sync TFT (Tssync) for switching the start pulse between Q1 node and Q2 node, reset sync TFT (Trsync) for switching the reset pulse between Q1 node and Q2 node, and QB node as Q1 node And a QB sink TFT (Tqbsync) for switching between and Q2 nodes. Specifically, the start sink TFT (Tssync) is controlled by the start pulse Vst and is connected between the Q1 node and the Q2 node. The reset sink TFT (Trsync) is controlled by a reset pulse (Vrst), and is connected between the Q1 node and the Q2 node. The QB sink TFT (Tqbsync) is controlled by the QB node and connected between the Q1 node and the Q2 node. The detailed operation of these three TFTs will be described later. Consequently, the shift register according to the present invention requires only one stage to output two outputs (Vout1 and Vout2).

즉, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 1개의 스테이지는 종래에 따른 쉬프트 레지스터의 2개의 스테이지에서의 스타트 회로부(Ts), 리셋 회로부(Tr), 인버터 회로부(INV), 및 QB 노드가 공유되는 구조이다. 예를 들어, 스타트 회로부(Ts)가 3개의 TFT를 포함하고, 리셋 회로부(Tr)가 4개의 TFT를 포함하고, 인버터 회로부(INV)가 4개의 TFT를 포함하는 것으로 가정하는 경우, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 총 11개의 TFT를 감소시키는 대신에 3개의 TFT(Tssync, Trsync, Tqbsync)를 추가하였으므로, 총합 8개의 TFT를 감소시킬 수 있게 된다. 이에 따라서, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터를 포함하는 표시 장치는 GIP의 트랜지스터의 개수를 줄임으로써 초소형 내로우 베젤을 구현할 수 있고, 표시장치의 해상도가 높아지더라도 세로 설계 공간의 제약에서 벗어날 수 있다. 또한, GIP 회로의 복잡도가 낮아지게 되며, GIP 회로의 면적을 저감시킬 수 있다.That is, one stage of the shift register according to the present invention is a structure in which the start circuit unit Ts, the reset circuit unit Tr, the inverter circuit unit INV, and the QB node are shared in two stages of the conventional shift register. . For example, if it is assumed that the start circuit portion Ts includes three TFTs, the reset circuit portion Tr includes four TFTs, and the inverter circuit portion INV includes four TFTs, the present invention In the shift register, three TFTs (Tssync, Trsync, Tqbsync) are added instead of a total of 11 TFTs, so that a total of 8 TFTs can be reduced. Accordingly, the display device including the shift register according to the present invention can realize an ultra-small narrow bezel by reducing the number of transistors of the GIP, and may escape from the limitations of the vertical design space even when the resolution of the display device is increased. In addition, the complexity of the GIP circuit is lowered, and the area of the GIP circuit can be reduced.

도 4는 도 3의 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터를 크게 보여주는 도면이다.4 is a view showing a large shift register according to the present invention in FIG.

본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 복수개의 스테이지들(ST1 내지 STn)을 포함한다. The shift register according to the present invention includes a plurality of stages ST1 to STn.

본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 2개의 출력(Vout1 및 Vout2)을 출력시키기 위해 1개의 스테이지(ST1)가 구비된다. 각각의 스테이지는 2개의 Q 노드(Q1, Q2)와 1개의 QB 노드를 포함하며, Q 노드(Q1, Q2) 및 QB 노드의 충전 및 방전을 위해 1개의 스타트 회로부(Ts), 1개의 리셋 회로부(Tr), 1개의 인버터 회로부(INV), 2개의 출력 회로부(OC1, OC2)를 포함한다. 구체적으로, 스타트 회로부(Ts)는 이전의 스테이지로부터 수신되는 스타트 펄스(Vst)를 입력받아 Q 노드(Q1, Q2)를 충전시킨다. 이 때, QB 노드는 인버터 회로부(INV)에 의해 로우 전압으로 유지 된다. 또한, 리셋 회로부(Tr)는 이후의 스테이지로부터 수신되는 리셋 펄스(Vrst)를 입력받아 Q 노드(Q1, Q2)를 방전시키면서 동시에 Q 노드(Q1, Q2)의 로우 전압을 유지시킨다. 인버터 회로부(INV)는 Q 노드(Q1, Q2)와 QB 노드 사이에 연결되어 Q 노드(Q1, Q2)에 인가된 전압을 반전시켜 QB 노드에 인가한다. 출력 회로부(OC1, OC2)는 Q 노드(Q1, Q2)에 의해 제어되며 인가되는 클록 전압을 출력(Vout1 및 Vout2)으로 출력시킨다.The shift register according to the present invention is provided with one stage ST1 to output two outputs Vout1 and Vout2. Each stage includes two Q nodes (Q1, Q2) and one QB node, and one start circuit (Ts) and one reset circuit for charging and discharging the Q nodes (Q1, Q2) and QB nodes (Tr), one inverter circuit portion INV, and two output circuit portions OC1 and OC2. Specifically, the start circuit unit Ts receives the start pulse Vst received from the previous stage to charge the Q nodes Q1 and Q2. At this time, the QB node is maintained at a low voltage by the inverter circuit portion INV. In addition, the reset circuit unit Tr receives the reset pulse Vrst received from the subsequent stage and discharges the Q nodes Q1 and Q2 while simultaneously maintaining the low voltages of the Q nodes Q1 and Q2. The inverter circuit unit INV is connected between the Q nodes Q1 and Q2 and the QB node, and inverts the voltage applied to the Q nodes Q1 and Q2 and applies them to the QB node. The output circuit units OC1 and OC2 are controlled by the Q nodes Q1 and Q2 and output the applied clock voltages to the outputs Vout1 and Vout2.

또한, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 Q1 노드와 Q2 노드 사이에서 3개의 TFT를 구비한다. 이러한 3개의 TFT는 스타트 펄스에 의해 제어되고 Q1 노드와 Q2 노드를 연결하는 스타트 싱크 TFT(Tssync)를 포함한다. 즉, 스타트 싱크 TFT(Tssync)는 게이트 전극이 스타트 펄스(Vst)에 연결되고 드레인 전극이 Q1 노드에 연결되고, 소스 전극이 Q2 노드에 연결된다. 또한, 3개의 TFT는 리셋 펄스에 의해 제어되고 Q1 노드와 Q2 노드를 연결하는 리셋 싱크 TFT(Trsync)를 포함한다. 즉, 리셋 싱크 TFT(Trsync)는 게이트 전극이 리셋 펄스(Vrst)에 연결되고 드레인 전극이 Q1 노드에 연결되고, 소스 전극이 Q2 노드에 연결된다. 또한, 3개의 TFT는 QB 노드에 의해 제어되고 Q1 노드와 Q2 노드를 연결하는 QB 싱크 TFT(Tqbsync)를 포함한다. 즉, QB 싱크 TFT(Tqbsync)는 게이트 전극이 QB 노드에 연결되고 드레인 전극이 Q1 노드에 연결되고 소스 전극이 Q2 노드에 연결된다. 이와 같은 3개의 싱크 TFT에 대한 구체적인 동작은 후술하기로 한다. Further, the shift register according to the present invention has three TFTs between the Q1 node and the Q2 node. These three TFTs are controlled by a start pulse and include a start sync TFT (Tssync) connecting the Q1 node and the Q2 node. That is, in the start sink TFT (Tssync), the gate electrode is connected to the start pulse Vst, the drain electrode is connected to the Q1 node, and the source electrode is connected to the Q2 node. In addition, the three TFTs are controlled by a reset pulse and include a reset sync TFT (Trsync) connecting the Q1 node and the Q2 node. That is, in the reset sink TFT (Trsync), the gate electrode is connected to the reset pulse Vrst, the drain electrode is connected to the Q1 node, and the source electrode is connected to the Q2 node. In addition, the three TFTs are controlled by the QB node and include a QB sink TFT (Tqbsync) connecting the Q1 node and the Q2 node. That is, the QB sink TFT (Tqbsync) has a gate electrode connected to the QB node, a drain electrode connected to the Q1 node, and a source electrode connected to the Q2 node. The detailed operation of these three sink TFTs will be described later.

도 5는 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 내의 스타트 회로부를 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a start circuit part in a shift register according to the present invention.

본 발명에 따른 스타트 회로부(Ts)는 3개의 TFT(Ts1, Ts2, Ts3) 를 포함하고, 스타트 펄스(Vst)를 수신해 Q1 노드에 전압을 충전시키고 하이 전압(VDD)을 수신해 Q1 노드의 전압을 유지시킨다.The start circuit unit Ts according to the present invention includes three TFTs (Ts1, Ts2, Ts3), receives a start pulse Vst to charge a voltage to the Q1 node, and receives a high voltage (VDD) to receive the Q1 node. Maintain voltage.

제 1 스타트 TFT(Ts1)는 스타트 펄스(Vst)에 의해 제어되고, 제 2 스타트 TFT(Ts2)와 Q1 노드 사이에 연결된다.The first start TFT Ts1 is controlled by the start pulse Vst, and is connected between the second start TFT Ts2 and the Q1 node.

제 2 스타트 TFT(Ts2)는 스타트 펄스(Vst)에 의해 제어되고, 스타트 펄스(Vst)와 제 1 스타트 TFT(Ts1) 사이에 연결된다.The second start TFT Ts2 is controlled by the start pulse Vst, and is connected between the start pulse Vst and the first start TFT Ts1.

제 3 스타트 TFT(Ts3)는 Q1 노드에 의해 제어되고, 하이 전압(VDD)와 제 1 스타트 TFT(Ts1) 사이에 연결된다.The third start TFT Ts3 is controlled by the Q1 node, and is connected between the high voltage VDD and the first start TFT Ts1.

스타트 회로부(Ts)의 동작을 설명하기로 한다. 스타트 펄스(Vst)가 게이트 온 전압 레벨인 경우, 제 1 스타트 TFT(Ts1)과 제 2 스타트 TFT(Ts2)는 턴-온된다. 이에 따라 Q1 노드에는 스타트 펄스(Vst)가 인가된다. 즉, Q1 노드는 스타트 펄스(Vst)에 의해 충전된다. 또한, 제 3 스타트 TFT(Ts3)가 턴-온되며 이에 따라 하이 전압(VDD)가 Q1 노드에 연결됨으로써 다른 TFT에 의해 누설이 발생하더라도 하이 전압(VDD)에 의해 Q1 노드의 전압이 유지될 수 있다.The operation of the start circuit section Ts will be described. When the start pulse Vst is a gate-on voltage level, the first start TFT Ts1 and the second start TFT Ts2 are turned on. Accordingly, a start pulse Vst is applied to the Q1 node. That is, the Q1 node is charged by the start pulse Vst. In addition, the third start TFT (Ts3) is turned on and accordingly the high voltage (VDD) is connected to the Q1 node, so that even if leakage occurs by another TFT, the voltage of the Q1 node can be maintained by the high voltage (VDD). have.

결과적으로, 스타트 회로부(Ts)의 동작에 의해 스타트 펄스(Vst)가 인가되는 경우 Q1 노드는 충전된다.As a result, when the start pulse Vst is applied by the operation of the start circuit unit Ts, the Q1 node is charged.

도 6은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 내의 리셋 회로부를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining a reset circuit unit in the shift register according to the present invention.

본 발명에 따른 리셋 회로부(Tr)는 4개의 TFT(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4)를 포함하고, Q1 노드에 충전된 전압을 로우 전압(VSS)로 방전시키고, Q1 노드의 전압을 로우 상태로 유지시킨다.The reset circuit unit Tr according to the present invention includes four TFTs Tr1, Tr2, Tr3, Tr4, discharges the voltage charged in the Q1 node to a low voltage VSS, and sets the voltage of the Q1 node to a low state. Keep it.

제 1 리셋 TFT(Tr1)는 리셋 펄스(Vrst)에 의해 제어되고 Q1 노드와 제 2 리셋 TFT(Tr2) 사이에 연결된다.The first reset TFT Tr1 is controlled by a reset pulse Vrst and is connected between the Q1 node and the second reset TFT Tr2.

제 2 리셋 TFT(Tr2)는 리셋 펄스(Vrst)에 의해 제어되고 제 1 리셋 TFT(Tr1)와 로우 전압(VSS) 사이에 연결된다.The second reset TFT Tr2 is controlled by the reset pulse Vrst and is connected between the first reset TFT Tr1 and the low voltage VSS.

제 3 리셋 TFT(Tr3)는 QB 노드에 의해 제어되고 Q1 노드와 제 4 리셋 TFT(Tr4) 사이에 연결된다.The third reset TFT (Tr3) is controlled by the QB node and is connected between the Q1 node and the fourth reset TFT (Tr4).

제 4 리셋 TFT(Tr4)는 QB 노드에 의해 제어되고 제 3 리셋 TFT(Tr3)와 로우 전압(VSS) 사이에 연결된다.The fourth reset TFT Tr4 is controlled by the QB node and is connected between the third reset TFT Tr3 and the low voltage VSS.

리셋 회로부(Tr)의 동작을 설명하기로 한다. 리셋 펄스(Vrst)가 게이트 온 전압 레벨인 경우, 제 1 리셋 TFT(Tr1)와 제 2 리셋 TFT(Tr2)가 턴-온된다. 이에 따라, Q1 노드는 제 1 리셋 TFT(Tr1)과 제 2 리셋 TFT(Tr2)를 통해 로우 전압(VSS)과 연결되고 Q1 노드에 충전된 전압은 방전된다. Q1 노드가 로우 전압 레벨인 경우, 인버터에 의해 QB 노드에는 하이 전압이 인가되고 이에 따라 제 3 리셋 TFT(Tr3)와 제 4 리셋 TFT(Tr4)가 턴-온된다. 이에 따라, Q1 노드는 제 3 리셋 TFT(Tr3)와 제 4 리셋 TFT(Tr4)를 통해 로우 전압(VSS)과 연결되므로, Q1 노드의 로우 전압 상태가 유지된다.The operation of the reset circuit portion Tr will be described. When the reset pulse Vrst is at the gate-on voltage level, the first reset TFT Tr1 and the second reset TFT Tr2 are turned on. Accordingly, the Q1 node is connected to the low voltage VSS through the first reset TFT Tr1 and the second reset TFT Tr2, and the voltage charged in the Q1 node is discharged. When the Q1 node is at a low voltage level, a high voltage is applied to the QB node by the inverter, and accordingly, the third reset TFT Tr3 and the fourth reset TFT Tr4 are turned on. Accordingly, since the Q1 node is connected to the low voltage VSS through the third reset TFT Tr3 and the fourth reset TFT Tr4, the low voltage state of the Q1 node is maintained.

결과적으로, 리셋 회로부(Tr)의 동작에 의해 리셋 펄스(Vrst)가 인가되는 경우 Q1 노드는 충전된 전압이 방전되고 로우 상태가 유지된다.As a result, when the reset pulse Vrst is applied by the operation of the reset circuit unit Tr, the Q1 node discharges the charged voltage and maintains the low state.

도 7은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 내의 인버터 회로부를 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining an inverter circuit portion in the shift register according to the present invention.

본 발명에 따른 인버터 회로부(INV)는 4개의 TFT(Ti1, Ti2, Ti3, Ti4)를 포함하고, Q1 노드와 QB 노드 사이의 전압 상태를 서로 반전시킨다.The inverter circuit part INV according to the present invention includes four TFTs (Ti1, Ti2, Ti3, Ti4), and inverts the voltage state between the Q1 node and the QB node.

제 1 인버터 TFT(Ti1)는 하이 전압(VDD)에 의해 제어되고 하이 전압(VDD)과 제 2 인버터 TFT(Ti2) 사이에 연결된다.The first inverter TFT Ti1 is controlled by the high voltage VDD and is connected between the high voltage VDD and the second inverter TFT Ti2.

제 2 인버터 TFT(Ti2)는 Q1 노드에 의해 제어되고 제 1 인버터 TFT(Ti1)와 Q1 노드 사이에 연결된다.The second inverter TFT (Ti2) is controlled by the Q1 node and is connected between the first inverter TFT (Ti1) and the Q1 node.

제 3 인버터 TFT(Ti3)는 제 1 인버터 TFT(Ti1)의 출력(소스 노드)에 의해 제어되고, 하이 전압(VDD)과 QB 노드 사이에 연결된다.The third inverter TFT Ti3 is controlled by the output (source node) of the first inverter TFT Ti1 and is connected between the high voltage VDD and the QB node.

제 4 인버터 TFT(Ti4)는 Q1 노드에 의해 제어되고, QB 노드와 로우 전압(VSS) 사이에 연결된다.The fourth inverter TFT (Ti4) is controlled by the Q1 node, and is connected between the QB node and the low voltage (VSS).

인버터 회로부(INV)의 동작을 설명하기로 한다. Q1 노드에 하이 전압이 인가되는 경우, 제 4 인버터 TFT(Ti4)는 턴-온된다. 이에 따라, QB 노드는 로우 전압(VSS)에 연결되므로 로우 전압이 인가된다. Q1 노드에 로우 전압이 인가되는 경우, 제 4 인버터 TFT(Ti4)는 턴-오프되고, 제 2 인버터 TFT(Ti2)도 턴-오프된다. 제 1 인버터 TFT(Ti1)은 턴-온되고 이에 의해 제 3 인버터 TFT(Ti3)가 턴-온되어 QB 노드는 하이 전압(VDD)에 연결되므로, 하이 전압이 인가된다.The operation of the inverter circuit portion INV will be described. When a high voltage is applied to the Q1 node, the fourth inverter TFT (Ti4) is turned on. Accordingly, since the QB node is connected to the low voltage VSS, a low voltage is applied. When a low voltage is applied to the Q1 node, the fourth inverter TFT (Ti4) is turned off, and the second inverter TFT (Ti2) is also turned off. The first inverter TFT (Ti1) is turned on and thereby the third inverter TFT (Ti3) is turned on so that the QB node is connected to the high voltage (VDD), so a high voltage is applied.

결과적으로, 인버터 회로부(INV)는 Q1 노드와 QB 사이의 전압 상태를 서로 반전시킨다.As a result, the inverter circuit portion INV inverts the voltage state between the Q1 node and QB.

도 8은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 내의 3개의 싱크 TFT 및 출력 회로부를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining three sink TFTs and output circuits in a shift register according to the present invention.

본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 내의 3개의 TFT는 스타트 싱크 TFT(Tssync), 리셋 싱크 TFT(Trsync), QB 싱크 TFT(Tqbsync)를 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 내의 출력 회로부는 제 1 출력 회로부(OC1), 제 2 출력 회로부(OC2)를 포함한다.The three TFTs in the shift register according to the present invention include a start sync TFT (Tssync), a reset sync TFT (Trsync), and a QB sync TFT (Tqbsync). Further, the output circuit portion in the shift register according to the present invention includes a first output circuit portion OC1 and a second output circuit portion OC2.

3개의 싱크 TFT(Tssync, Trsync, Tqbsync)의 동작을 설명하기로 한다.The operation of the three sink TFTs (Tssync, Trsync, Tqbsync) will be described.

스타트 싱크 TFT(Tssync)는 스타트 펄스(Vst)에 의해 제어되고 Q1 노드와 Q2 노드 사이에 연결된다.The start sync TFT (Tssync) is controlled by the start pulse Vst and is connected between the Q1 node and the Q2 node.

리셋 싱크 TFT(Trsync)는 리셋 펄스(Vrst)에 의해 제어되고 Q1 노드와 Q2 노드 사이에 연결된다.The reset sink TFT (Trsync) is controlled by the reset pulse Vrst and is connected between the Q1 node and the Q2 node.

QB 싱크 TFT(Tqbsync)는 QB 노드에 의해 제어되고 Q1 노드와 Q2 노드 사이에 연결된다.The QB sink TFT (Tqbsync) is controlled by the QB node and connected between the Q1 node and the Q2 node.

스타트 펄스(Vst)가 게이트 온 전압 레벨인 경우 스타트 싱크 TFT(Tssync)는 턴온된다. 전술한 바와 같이, 스타트 펄스(Vst)가 게이트 온 전압 레벨인 경우 Q1 노드는 스타트 펄스(Vst)에 의해 충전되는데, 스타트 싱크 TFT(Tssync)가 턴-온되었으므로, Q1 노드에 연결된 Q2 노드는 Q1 노드와 동기화되어 충전된다.When the start pulse Vst is a gate-on voltage level, the start sink TFT Tssync is turned on. As described above, when the start pulse Vst is at the gate-on voltage level, the Q1 node is charged by the start pulse Vst. Since the start sync TFT (Tssync) is turned on, the Q2 node connected to the Q1 node is Q1 It is charged in synchronization with the node.

리셋 펄스(Vrst)가 게이트 온 전압 레벨인 경우 리셋 싱크 TFT(Trsync)는 턴-온된다. 전술한 바와 같이, 리셋 펄스(Vrst)가 게이트 온 전압 레벨인 경우 Q1 노드에 충전된 전압은 방전되는데, 리셋 싱크 TFT(Trsync)가 턴-온되었으므로, Q1 노드에 연결된 Q2 노드는 Q1 노드와 동기화되어 방전된다.When the reset pulse Vrst is at the gate-on voltage level, the reset sink TFT Trsync is turned on. As described above, when the reset pulse Vrst is at the gate-on voltage level, the voltage charged in the Q1 node is discharged. Since the reset sink TFT (Trsync) is turned on, the Q2 node connected to the Q1 node is synchronized with the Q1 node. Is discharged.

QB 노드가 하이 전압인 경우 QB 싱크 TFT(Tqbsync)는 턴-온된다. 전술한 바와 같이, 리셋 펄스(Vrst)가 게이트 온 전압 레벨인 경우 리셋 싱크 TFT(Trsync)가 턴-온됨으로 인해 Q1 노드 및 Q2 노드는 방전된다. 한편, 리셋 펄스(Vrst)가 게이트 오프 전압 레벨인 경우에도 Q1 노드 및 Q2 노드의 방전을 유지시켜야 하는 시간 구간이 있으며, 이는 QB 싱크 TFT(Tqbsync)에 의해 구현된다. 구체적으로, 리셋 펄스(Vrst)가 인가되면 Q1 노드와 Q2 노드는 방전되어 로우 전압이 되고 인버터 회로부(INV)에 의해 QB 노드에는 하이 전압이 인가된다. QB 싱크 TFT(Tqbsync)의 게이트 전극은 QB 노드에 연결됨으로써 QB 싱크 TFT(Tqbsync)는 턴-온된된다. 이에 따라, Q1 노드와 Q2 노드는 QB 싱크 TFT(Tqbsync)에 의해 서로 연결되어 로우 전압이 유지될 수 있다. 즉, 리셋 싱크 TFT(Trsync)가 턴 온된 이후 턴-오프되는 구간(예컨대, 리셋 펄스(Vrst)가 게이트 온 전압 레벨로 된 이후 게이트 오프 전압 레벨로 된 구간)에서도 Q1 노드 및 Q2 노드의 연결이 유지된다. 즉, 리셋 펄스(Vrst)가 게이트 온 전압 레벨인 구간에서는 리셋 싱크 TFT(Trsync)가 턴-온되는 것에 의해 Q1 노드와 Q2 노드가 연결되고, 이후 리셋 펄스(Vrst)가 게이트 오프 전압 레벨로 변화된 구간에서는 QB 싱크 TFT(Tqbsync)가 턴-온되는 것에 의해 Q1 노드와 Q2 노드의 연결이 유지되어 Q1 노드와 Q2 노드는 동기화되어 로우 전압이 유지된다.When the QB node is at a high voltage, the QB sink TFT (Tqbsync) is turned on. As described above, when the reset pulse Vrst is at the gate-on voltage level, the Q1 node and the Q2 node are discharged because the reset sink TFT (Trsync) is turned on. On the other hand, even when the reset pulse Vrst is at the gate-off voltage level, there is a time period in which the discharge of the Q1 node and the Q2 node must be maintained, which is implemented by the QB sink TFT (Tqbsync). Specifically, when the reset pulse Vrst is applied, the Q1 node and the Q2 node are discharged to become a low voltage, and a high voltage is applied to the QB node by the inverter circuit unit INV. The gate electrode of the QB sink TFT (Tqbsync) is connected to the QB node, so that the QB sink TFT (Tqbsync) is turned on. Accordingly, the Q1 node and the Q2 node may be connected to each other by a QB sink TFT (Tqbsync) to maintain a low voltage. That is, the connection of the Q1 node and the Q2 node is also performed in a section in which the reset sink TFT (Trsync) is turned on and then turned off (for example, a section in which the reset pulse Vrst becomes the gate-on voltage level and then becomes the gate-off voltage level). maintain. That is, in the section where the reset pulse Vrst is the gate-on voltage level, the Q1 node and the Q2 node are connected by the reset sink TFT (Trsync) being turned on, and then the reset pulse Vrst is changed to the gate-off voltage level. In the period, the Q1 sync TFT (Tqbsync) is turned on, so that the connection between the Q1 node and the Q2 node is maintained, and the Q1 node and the Q2 node are synchronized to maintain a low voltage.

출력 회로부(OC1, OC2)의 동작을 설명하기로 한다.The operation of the output circuit units OC1 and OC2 will be described.

제 1 출력 회로부(OC1)는 제 1 풀업 TFT(Tu1), 제 1 캐패시터(Cu1), 제 1 풀다운 TFT(Td1)를 포함한다. 제 1 풀업 TFT(Tu1)은 Q1 노드에 의해 제어되고, 제 1 클록(CLK1)과 제 1 출력(Vout1) 사이에 연결된다. 제 1 캐패시터(Cu1)은 제 1 풀업 TFT(Tu1)의 게이트 전극 및 소스 전극 사이에 연결된다. 제 1 풀다운 TFT(Td1)는 QB 노드에 의해 제어되고 로우 전압(VSS) 및 제 1 출력(Vout1) 사이에 연결된다. Q1 노드가 충전된 상태에서 제 1 풀업 TFT(Tu1)의 드레인 전극에 연결된 제 1 클록(CLK1)에 하이 전압이 인가되는 경우 제 1 출력(Vout1)에서는 출력이 발생한다. 이 경우, 제 1 클록(CLK1)이 하이 전압인 구간 동안에는 부트스트래핑 (Bootstrapping)이 일어나므로 Q1 노드에 충전된 전압이 상승한다. QB 노드에 하이 전압이 인가되는 경우 제 1 풀 다운 TFT(Td1)는 턴-온되고 이에 따라 출력(Vout1)에는 로우 전압(VSS)이 출력된다. The first output circuit part OC1 includes a first pull-up TFT Tu1, a first capacitor Cu1, and a first pull-down TFT Td1. The first pull-up TFT Tu1 is controlled by the Q1 node, and is connected between the first clock CLK1 and the first output Vout1. The first capacitor Cu1 is connected between the gate electrode and the source electrode of the first pull-up TFT Tu1. The first pull-down TFT Td1 is controlled by the QB node and is connected between the low voltage VSS and the first output Vout1. When a high voltage is applied to the first clock CLK1 connected to the drain electrode of the first pull-up TFT Tu1 while the Q1 node is charged, an output is generated at the first output Vout1. In this case, during the period in which the first clock CLK1 is at a high voltage, bootstrapping occurs, so the voltage charged in the Q1 node rises. When a high voltage is applied to the QB node, the first pull-down TFT Td1 is turned on, and accordingly, a low voltage VSS is output to the output Vout1.

제 2 출력 회로부(OC2)는 제 2 풀업 TFT(Tu2), 제 2 캐패시터(Cu2), 제 2 풀다운 TFT(Td2)를 포함한다. 제 2 풀업 TFT(Tu2)은 Q2 노드에 의해 제어되고, 제 2 클록(CLK2)과 제 2 출력(Vout2) 사이에 연결된다. 제 2 캐패시터(Cu2)은 제 2 풀업 TFT(Tu2)의 게이트 전극 및 소스 전극 사이에 연결된다. 제 2 풀다운 TFT(Td2)는 QB 노드에 의해 제어되고 로우 전압(VSS) 및 제 2 출력(Vout2) 사이에 연결된다. Q2 노드가 충전된 상태에서 제 2 풀업 TFT(Tu2)의 드레인 전극에 연결된 제 2 클록(CLK2)에 하이 전압이 인가되는 경우 제 2 출력(Vout2)에서는 출력이 발생한다. 이 경우, 제 2 클록(CLK2)이 하이 전압인 구간 동안에는 부트스트래핑 (Boosttrapping)이 일어나므로 Q2 노드에 충전된 전압이 상승한다. QB 노드에 하이 전압이 인가되는 경우 제 2 풀 다운 TFT(Td2)는 턴-온되고 이에 따라 제 2 출력(Vout2)에는 로우 전압(VSS)이 출력된다.The second output circuit unit OC2 includes a second pull-up TFT (Tu2), a second capacitor (Cu2), and a second pull-down TFT (Td2). The second pull-up TFT Tu2 is controlled by the Q2 node, and is connected between the second clock CLK2 and the second output Vout2. The second capacitor Cu2 is connected between the gate electrode and the source electrode of the second pull-up TFT Tu2. The second pull-down TFT Td2 is controlled by the QB node and is connected between the low voltage VSS and the second output Vout2. When a high voltage is applied to the second clock CLK2 connected to the drain electrode of the second pull-up TFT Tu2 while the Q2 node is charged, an output is generated at the second output Vout2. In this case, during the period in which the second clock CLK2 is at a high voltage, bootstrapping occurs, so the voltage charged in the Q2 node rises. When the high voltage is applied to the QB node, the second pull-down TFT Td2 is turned on, and accordingly, the low voltage VSS is output to the second output Vout2.

도 9는 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터를 설명하기 위한 도면이다.9 is a view for explaining a shift register according to the present invention.

도 10은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.10 is a timing diagram for explaining the operation of the shift register according to the present invention.

도 9 및 도 10을 참조하여 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 동작을 설명하기로 한다.The operation of the shift register according to the present invention will be described with reference to FIGS. 9 and 10.

제 1 클록(CLK1)은 게이트 온 전압 레벨과 게이트 오프 전압 레벨의 신호가 주기적으로 반복되는 신호이다. 예를 들어, 제 1 클록(CLK1)은 구간(1)과 구간(2)에서 게이트 오프 전압 레벨이고, 구간(3)에서 게이트 온 전압 레벨이다. 이후의 구간에서는 이와 같은 패턴이 반복된다.The first clock CLK1 is a signal in which the signals of the gate-on voltage level and the gate-off voltage level are periodically repeated. For example, the first clock CLK1 is a gate-off voltage level in periods 1 and 2 and a gate-on voltage level in period 3. In the subsequent section, this pattern is repeated.

제 2 클록(CLK2)은 게이트 온 전압 레벨과 게이트 오프 전압 레벨의 신호가 주기적으로 반복되는 신호이다. 예를 들어, 제 2 클록(CLK2)은 구간(2) 및 구간(3)에서 게이트 오프 전압 레벨이고, 구간(4)에서 게이트 온 전압 레벨이다. 이후의 구간에서는 이와 같은 패턴이 반복된다.The second clock CLK2 is a signal in which the signals of the gate-on voltage level and the gate-off voltage level are periodically repeated. For example, the second clock CLK2 is a gate-off voltage level in periods 2 and 3 and a gate-on voltage level in period 4. In the subsequent section, this pattern is repeated.

구간(1)에서 스타트 펄스(Vst)가 게이트 온 전압 레벨이다. 제 1 스타트 TFT(Ts1)과 제 2 스타트 TFT(Ts2)는 턴-온되고 이에 따라 Q1 노드에는 스타트 펄스(Vst)가 인가되며, 제 3 스타트 TFT(Ts3)는 턴-온된다. 또한, 스타트 싱크 TFT(Tssync)는 턴-온된다.In section 1, the start pulse Vst is a gate-on voltage level. The first start TFT Ts1 and the second start TFT Ts2 are turned on, and accordingly a start pulse Vst is applied to the Q1 node, and the third start TFT Ts3 is turned on. Also, the start sync TFT (Tssync) is turned on.

구간(2)에서 스타트 펄스(Vst)는 제 2 스타트 TFT(Ts2) 및 제 1 스타트 TFT(Ts2)을 통해 Q1 노드에 인가된다. 즉, 스타트 펄스(Vst)가 인가됨으로 인해 Q1 노드는 충전된다. 또한, 스타트 싱크 TFT(Tssync)는 턴-온됨으로 인해 Q1 노드에 연결된 Q2 노드는 Q1 노드와 동기화되어 충전된다.In the period 2, the start pulse Vst is applied to the Q1 node through the second start TFT Ts2 and the first start TFT Ts2. That is, the Q1 node is charged due to the application of the start pulse Vst. In addition, because the start sink TFT (Tssync) is turned on, the Q2 node connected to the Q1 node is charged in synchronization with the Q1 node.

구간(3)에서 제 1 클록(CLK1)은 게이트 온 전압 레벨이다. 구간(2)에서 Q1 노드는 충전된 상태이고 풀업 TFT(Tu1)의 드레인 전극에 연결된 제 1 클록(CLK1)에 게이트 온 레벨의 전압이 인가되었으므로 부트스트래핑이 일어나 Q1 노드에 충전된 전압은 상승하며 출력(Vout1)에서는 출력이 발생한다.In the period 3, the first clock CLK1 is a gate-on voltage level. In the period (2), the Q1 node is in a charged state, and since a gate-on voltage is applied to the first clock CLK1 connected to the drain electrode of the pull-up TFT (Tu1), bootstrapping occurs and the voltage charged in the Q1 node rises. An output is generated at the output Vout1.

구간(4)에서 제 2 클록(CLK2)은 게이트 온 전압 레벨이다. 구간(3)에서 Q2 노드는 충전된 상태이고 풀업 TFT(Tu2)의 드레인 전극에 연결된 제 2 클록(CLK12)에 게이트 온 레벨의 전압이 인가되었으므로 부트스트래핑이 일어나 Q2 노드에 충전된 전압은 상승하며 출력(Vout2)에서는 출력이 발생한다.In the period 4, the second clock CLK2 is a gate-on voltage level. In the period 3, the Q2 node is in the charged state, and since the gate-on voltage is applied to the second clock CLK12 connected to the drain electrode of the pull-up TFT Tu2, bootstrapping occurs and the voltage charged in the Q2 node rises. An output is generated at the output Vout2.

구간(2) 내지 구간(4)에서 Q1 노드 및 Q2 노드는 하이 전압이므로, 인버터에 의해 QB 노드는 로우 전압이 된다.Since the Q1 node and the Q2 node are high voltages in the periods 2 to 4, the QB node becomes a low voltage by the inverter.

구간(5)에서 리셋 펄스(Vrst)가 게이트 온 전압 레벨이다. 이에 따라 제 1 리셋 TFT(Tr1)와 제 2 TFT(Tr2)가 턴-온되고, Q1 노드는 제 1 리셋 TFT(Tr1)와 제 2 리셋 TFT(Tr2)를 통해 로우 전압(VSS)와 연결되며, Q1 노드에 충전된 전압은 방전된다. 한편, 인버터에 의해 QB 노드에는 하이 전압이 인가되고 이에 따라 제 3 리셋 TFT(Tr3)와 제 4 리셋 TFT(T4)가 턴-온되며, 이에 따라 Q1 노드는 제 3 TFT(Tr3)와 제 4 리셋 TFT(Tr4)를 통해 로우 전압(VSS)과 연결되므로 Q1 노드의 로우 전압 상태가 유지된다. 또한, 리셋 싱크 TFT(Trsync)는 턴-온되어 Q1 노드와 Q2 노드는 동기화되므로 Q2 노드도 역시 충전된 전압이 방전된다.In section 5, the reset pulse Vrst is the gate-on voltage level. Accordingly, the first reset TFT (Tr1) and the second TFT (Tr2) are turned on, and the Q1 node is connected to the low voltage (VSS) through the first reset TFT (Tr1) and the second reset TFT (Tr2). , The voltage charged in the Q1 node is discharged. Meanwhile, a high voltage is applied to the QB node by the inverter, and accordingly, the third reset TFT (Tr3) and the fourth reset TFT (T4) are turned on, so that the Q1 node is the third TFT (Tr3) and the fourth Since it is connected to the low voltage VSS through the reset TFT Tr4, the low voltage state of the Q1 node is maintained. In addition, since the reset sink TFT (Trsync) is turned on and the Q1 node and the Q2 node are synchronized, the charged voltage of the Q2 node is also discharged.

구간(6), 구간(7)에서 QB 노드는 하이 전압이 유지된다. QB 싱크 TFT(Tqbsync)는 턴-온되어 있고 Q1 노드와 Q2 노드의 연결이 유지된다. 이에 따라, Q1 노드와 Q2 노드는 제 3 리셋 TFT(Tr3)와 제 4 리셋 TFT(T4)를 통해 로우 전압(VSS)와 연결이 유지되므로 그 전압 상태는 안정적으로 로우 전압 상태를 유지할 수 있다.In intervals 6 and 7, the high voltage is maintained at the QB node. The QB sink TFT (Tqbsync) is turned on and the connection between the Q1 node and the Q2 node is maintained. Accordingly, since the Q1 node and the Q2 node are connected to the low voltage VSS through the third reset TFT Tr3 and the fourth reset TFT T4, the voltage state can stably maintain the low voltage state.

스타트 싱크 TFT(Tssync)의 온/오프 동작 특성은, 스타트 펄스(Vst)가 게이트 온 전압 레벨인 구간(1)에서 턴-온되고, 스타트 펄스(Vst)가 게이트 오프 전압 레벨인 구간(2) 내지 구간(7)에서는 턴-오프된다. 구간(1)에서 스타트 싱크 TFT(Tssync)에 의해 Q1 노드와 Q2 노드가 동기화되므로 구간(2)에서 Q1 노드와 Q2 노드는 동기화되어 전압이 충전된다.The on / off operation characteristics of the start sink TFT (Tssync) are turned on in the section 1 where the start pulse Vst is the gate-on voltage level, and the section 2 where the start pulse Vst is the gate-off voltage level. In the section 7 is turned off. Since the Q1 node and the Q2 node are synchronized by the start sink TFT (Tssync) in the period 1, the Q1 node and the Q2 node are synchronized and the voltage is charged in the period 2.

리셋 싱크 TFT(Trsync)의 온/오프 동작 특성은, 리셋 펄스(Vrst)가 게이트 온 전압 레벨인 구간(5)에서 턴-온되고, 리셋 펄스(Vrst)가 게이트 오프 전압 레벨인 구간(1),(2),(3),(4),(6),(7)에서 턴-오프된다. 구간(5)에서 리셋 싱크 TFT(Trsync)에 의해 Q1 노드와 Q2 노드가 동기화되므로 Q 1 노드와 Q2 노드는 충전된 전압이 동기화되어 방전된다.The on / off operation characteristics of the reset sink TFT (Trsync) are turned on in a section 5 where the reset pulse Vrst is a gate-on voltage level, and a section 1 where the reset pulse Vrst is a gate-off voltage level. It is turned off at, (2), (3), (4), (6), (7). In the section 5, the Q1 node and the Q2 node are synchronized by the reset sink TFT (Trsync), so the Q The 1 node and the Q2 node are discharged in synchronization with the charged voltage.

QB 싱크 TFT(Tqbsync)의 온-오프 동작 특성은, QB 노드가 하이 전압인 구간(5),(6),(7)에서 턴-온되고, QB 노드가 로우 전압인 구간(1),(2),(3),(4)에서 턴-오프된다. 구간(6),(7)에서 QB 싱크 TFT(Tqbsync)에 의해 Q1 노드와 Q2 노드가 동기화되므로 Q1 노드와 Q2 노드는 로우 전압으로 방전된 상태가 안정적으로 유지된다.The on-off operation characteristics of the QB sink TFT (Tqbsync) are turned on in sections 5, 6, and 7 where the QB node is a high voltage, and in the section 1 where the QB node is a low voltage, ( 2), (3), (4) is turned off. Since the Q1 node and the Q2 node are synchronized by the QB sink TFT (Tqbsync) in the periods 6 and 7, the Q1 node and the Q2 node are stably maintained in a discharged state with a low voltage.

도 11은 본 발명에 따른 Q1 노드와 Q2 노드의 전압을 설명하기 위한 도면이다.11 is a view for explaining the voltage of the Q1 node and the Q2 node according to the present invention.

도 11을 참조하면, Q1 노드의 전압은 구간(2)에서 상승하고 구간(3)에서 부트스트래핑된다. Q2 노드의 전압은 구간(2)에서 상승하고 구간(4)에서 부트스트래핑된다. 이는 도 9 및 도 10을 참조한 바와 같다. Referring to FIG. 11, the voltage of the Q1 node rises in the section 2 and bootstraps in the section 3. The voltage of the Q2 node rises in section 2 and bootstraps in section 4. This is the same as referring to FIGS. 9 and 10.

경우에 따라서, 부트스트래핑에 의해 Q1 노드 전압이 상승하는 크기(d1)는 부트스트래핑에 의해 Q2 노드 전압이 상승하는 크기(d2)보다 작을 수 있다. 이는 도 9에 도시된 바와 같이 Q1 노드를 중심으로 스타트 회로부(Ts), 리셋 회로부(Tr), 인버터 회로부(INV)를 구성하고, Q2 노드를 Q1 노드에 연결하는 방식으로 구현하였기 때문이다. 즉, 컴포넌트들과 직접적으로 연결된 Q1 노드의 캐패시턴스와 컴포넌트들과 간접적으로 연결된 Q2 노드의 캐패시턴스가 상이하기 때문에 부트스트래핑의 수준이 다르기 때문이다.In some cases, the magnitude d1 of the Q1 node voltage rising by bootstrapping may be smaller than the magnitude d2 of the Q2 node voltage rising by bootstrapping. This is because, as illustrated in FIG. 9, the start circuit unit Ts, the reset circuit unit Tr, and the inverter circuit unit INV are configured around the Q1 node, and the Q2 node is connected to the Q1 node. That is, the level of bootstrapping is different because the capacitance of the Q1 node directly connected to the components and that of the Q2 node indirectly connected to the components are different.

이러한 점을 보완하기 위해 본 발명의 실시예에 따르면 출력회로부(OC)에 연결된 캐패시터(Cu1, Cu2)의 용량을 다르게 설정할 수 있다. 예를 들면, 부트스트래핑 수준이 낮은 Q1 노드에 연결된 출력회로부(OC1)의 제 1 캐패시터(Cu1)의 용량을 부트스트래핑 수준이 높은 Q2 노드에 연결된 출력회로부(OC2)의 제 2 캐패시터(Cu2)의 용량 보다 더 크게 설정할 수 있다. 이 실시예에 따르면, 도 11에서 발생하는 Q1 및 Q2의 부트스트래핑 수준 차이를 감소시킬 수 있다.In order to compensate for this, according to an embodiment of the present invention, the capacity of the capacitors Cu1 and Cu2 connected to the output circuit unit OC may be set differently. For example, the capacity of the first capacitor Cu1 of the output circuit unit OC1 connected to the Q1 node having a low bootstrapping level is equal to that of the second capacitor Cu2 of the output circuit unit OC2 connected to the Q2 node having a high bootstrapping level. It can be set larger than the capacity. According to this embodiment, it is possible to reduce the difference in bootstrapping levels of Q1 and Q2 occurring in FIG. 11.

이러한 점을 보완하기 위해 본 발명의 다른 실시에에 따르면 부트스트래핑 수준이 높은 Q2 노드에 캐패시터를 추가할 수 있다. 즉, 컴포넌트들에 간접적으로만 연결되어 잇는 Q2 노드에 직접적으로 연결된 캐패시터를 추가할 수 있다. 이 실시예에 따르면, 도 11에서 발생하는 Q1 및 Q2의 부트스트래핑 수준 차이를 감소시킬 수 있다.To compensate for this, according to another embodiment of the present invention, a capacitor can be added to a Q2 node having a high bootstrapping level. That is, a capacitor directly connected to the Q2 node that is only indirectly connected to the components can be added. According to this embodiment, it is possible to reduce the difference in bootstrapping levels of Q1 and Q2 occurring in FIG. 11.

TC: 타이밍 컨트롤러
DD: 데이터 드라이버
GD: 게이트 드라이버
PANEL: 표시패널
PXL: 픽셀
Tssync: 스타트 싱크 TFT
Trsync: 리셋 싱크 TFT
Tqbsync: QB 싱크 TFT
TC: Timing controller
DD: Data driver
GD: Gate driver
PANEL: Display panel
PXL: Pixel
Tssync: Start sync TFT
Trsync: Reset sync TFT
Tqbsync: QB sync TFT

Claims (13)

쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치로서,
스타트 펄스를 입력받는 스타트 회로부;
리셋 펄스를 입력받는 리셋 회로부;
상기 스타트 회로부에 의해 전압이 인가되고, 상기 리셋 회로부에 의해 전압이 방전되는 Q1 노드 및 Q2 노드;
상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드에 인가된 전압을 반전시켜 QB 노드에 출력하는 인버터 회로부;
상기 Q1 노드에 의해 제 1 출력을 출력하는 제 1 출력 회로부; 및
상기 Q2 노드에 의해 제 2 출력을 출력하는 제 2 출력 회로부;를 포함하는,
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.
A display device comprising a shift register,
A start circuit unit that receives a start pulse;
A reset circuit unit receiving a reset pulse;
A Q1 node and a Q2 node to which a voltage is applied by the start circuit unit and a voltage is discharged by the reset circuit unit;
An inverter circuit unit for inverting voltages applied to the Q1 node and the Q2 node and outputting the QB node;
A first output circuit part outputting a first output by the Q1 node; And
Including; a second output circuit for outputting a second output by the Q2 node;
Display device including a shift register.
제 1 항에 있어서,
상기 스타트 펄스에 의해 제어되고, 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드 사이에 연결되는 스타트 싱크 TFT를 더 포함하는,
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.
According to claim 1,
And a start sync TFT controlled by the start pulse and connected between the Q1 node and the Q2 node,
Display device including a shift register.
제 2 항에 있어서,
상기 스타트 펄스가 게이트 온 전압 레벨인 경우, 상기 스타트 싱크 TFT가 턴-온되고 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드는 동기화되어 상기 스타트 회로부에 의해 전압이 충전되는,
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.
According to claim 2,
When the start pulse is a gate-on voltage level, the start sink TFT is turned on and the Q1 node and the Q2 node are synchronized to charge a voltage by the start circuit unit,
Display device including a shift register.
제 1 항에 있어서,
상기 리셋 펄스에 의해 제어되고, 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드 사이에 연결되는 리셋 싱크 TFT를 더 포함하는,
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.
According to claim 1,
Further comprising a reset sink TFT controlled by the reset pulse and connected between the Q1 node and the Q2 node,
Display device including a shift register.
제 4 항에 있어서,
상기 리셋 펄스가 게이트 온 전압 레벨인 경우, 상기 리셋 싱크 TFT가 턴-온되고 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드는 동기화되어 상기 리셋 회로부에 의해 전압이 방전되는,
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.
The method of claim 4,
When the reset pulse is at the gate-on voltage level, the reset sink TFT is turned on and the Q1 node and the Q2 node are synchronized to discharge voltage by the reset circuit portion,
Display device including a shift register.
제 1 항에 있어서,
상기 QB 노드에 의해 제어되고, 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드 사이에 연결되는 QB 싱크 TFT를 더 포함하는,
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.
According to claim 1,
Further comprising a QB sink TFT controlled by the QB node and connected between the Q1 node and the Q2 node,
Display device including a shift register.
제 6 항에 있어서,
상기 인버터 회로부에 의해 상기 QB 노드에 게이트 온 전압 레벨이 인가되는 경우, 상기 QB 싱크 TFT가 턴-온되고 상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드는 동기화되어 상기 리셋 회로부에 의해 로우 전압 상태가 유지되는,
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.
The method of claim 6,
When a gate-on voltage level is applied to the QB node by the inverter circuit unit, the QB sink TFT is turned on and the Q1 node and the Q2 node are synchronized to maintain a low voltage state by the reset circuit unit,
Display device including a shift register.
제 1 항에 있어서,
상기 스타트 회로부는:
상기 스타트 펄스에 의해 제어되고 상기 Q1 노드에 연결되는 제 1 스타트 TFT;
상기 스타트 펄스에 의해 제어되고 상기 스타트 펄스 및 상기 제 1 스타트 TFT 사이에 연결되는 제 2 스타트 TFT; 및
상기 Q1 노드에 의해 제어되고 하이 전압 및 상기 제 1 스타트 TFT 사이에 연결되는 제 3 스타트 TFT;를 포함하는,
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.
According to claim 1,
The start circuit part:
A first start TFT controlled by the start pulse and connected to the Q1 node;
A second start TFT controlled by the start pulse and connected between the start pulse and the first start TFT; And
Including a third start TFT controlled by the Q1 node and connected between the high voltage and the first start TFT;
Display device including a shift register.
제 1 항에 있어서,
상기 리셋 회로부는:
상기 리셋 펄스에 의해 제어되고 상기 Q1 노드에 연결되는 제 1 리셋 TFT;
상기 리셋 펄스에 의해 제어되고 상기 제 1 리셋 TFT 및 로우 전압 사이에 연결되는 제 2 리셋 TFT;
상기 QB 노드에 의해 제어되고 상기 Q1 노드에 연결되는 제 3 리셋 TFT; 및
상기 QB 노드에 의해 제어되고 상기 제 3 리셋 TFT 및 상기 로우 전압 사이에 연결되는 제 4 리셋 TFT;를 포함하는
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.
According to claim 1,
The reset circuit portion:
A first reset TFT controlled by the reset pulse and connected to the Q1 node;
A second reset TFT controlled by the reset pulse and connected between the first reset TFT and a low voltage;
A third reset TFT controlled by the QB node and connected to the Q1 node; And
And a fourth reset TFT controlled by the QB node and connected between the third reset TFT and the low voltage.
Display device including a shift register.
제 1 항에 있어서,
상기 인버터 회로부는:
하이 전압에 의해 제어되고 상기 하이 전압에 연결되는 제 1 인버터 TFT;
상기 Q1 노드에 의해 제어되고 상기 제 1 인버터 및 상기 Q1 노드 사이에 연결되는 제 2 인버터 TFT;
상기 제 1 인버터 TFT의 출력에 의해 제어되고 상기 하이 전압 및 상기 QB 노드 사이에 연결되는 제 3 인버터 TFT; 및
상기 Q1 노드에 의해 제어되고 상기 QB 노드 및 로우 전압 사이에 연결되는 제 4 인버터 TFT;를 포함하는,
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.
According to claim 1,
The inverter circuit portion:
A first inverter TFT controlled by the high voltage and connected to the high voltage;
A second inverter TFT controlled by the Q1 node and connected between the first inverter and the Q1 node;
A third inverter TFT controlled by the output of the first inverter TFT and connected between the high voltage and the QB node; And
Including; a fourth inverter TFT controlled by the Q1 node and connected between the QB node and a low voltage;
Display device including a shift register.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 출력 회로부는: 상기 Q1 노드에 의해 제어되고 제 1 클록 및 제 1 출력 사이에 연결되는 제 1 풀업 TFT; 상기 제 1 풀업 TFT의 게이트 전극 및 소스 전극 사이에 연결되는 제 1 캐패시터; 및 상기 QB 노드에 의해 제어되고 로우 전압 및 상기 제 1 출력 사이에 연결되는 제 1 풀다운 TFT를 포함하고,
상기 제 2 출력 회로부는: 상기 Q2 노드에 의해 제어되고 제 2 클록 및 제 2 출력 사이에 연결되는 제 2 풀업 TFT; 상기 제 2 풀업 TFT의 게이트 전극 및 소스 전극 사이에 연결되는 제 2 캐패시터; 및 상기 QB 노드에 의해 제어되고 상기 로우 전압 및 상기 제 2 출력 사이에 연결되는 제 2 풀다운 TFT를 포함하는,
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.
According to claim 1,
The first output circuit portion includes: a first pull-up TFT controlled by the Q1 node and connected between a first clock and a first output; A first capacitor connected between a gate electrode and a source electrode of the first pull-up TFT; And a first pull-down TFT controlled by the QB node and connected between a low voltage and the first output,
The second output circuit portion includes: a second pull-up TFT controlled by the Q2 node and connected between a second clock and a second output; A second capacitor connected between a gate electrode and a source electrode of the second pull-up TFT; And a second pull-down TFT controlled by the QB node and connected between the low voltage and the second output,
Display device including a shift register.
제 11 항에 있어서,
상기 제 1 캐패시터의 용량은 상기 제 2 캐패시터의 용량보다 더 큰,
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.
The method of claim 11,
The capacity of the first capacitor is larger than the capacity of the second capacitor,
Display device including a shift register.
제 11 항에 있어서,
상기 Q2 노드에 추가 캐패시터가 연결되는,
쉬프트 레지스터를 포함하는 표시장치.


The method of claim 11,
An additional capacitor is connected to the Q2 node,
Display device including a shift register.


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