KR20200045076A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

An embodiment of the present invention provides a device and a method for liquid processing a substrate. The method for processing a substrate comprises: a processing step of supplying a processing liquid to the substrate positioned in a processing space formed in a chamber to process the substrate; a rinsing step of supplying an organic solvent to the substrate positioned in the processing space to substitute the remaining liquid on the substrate; and a drying step of removing the organic solvent on the substrate. A pressure of the processing space in the rinsing step is higher than a pressure of the processing space in the processing step. Accordingly, during a process of removing the remaining liquid by a second solvent, frequency occurrence of pattern leaning can be reduced.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Apparatus and method for treating substrate

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for processing a substrate by liquid.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온 주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성된다. 각각의 공정은 시간이 지남에 따라 다양해지고 복잡해져 오염물 및 파티클이 생성된다. 이 때문에 각각의 공정들은 진행 전후단계에서 기판을 세정하는 세정 공정이 실시된다. In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on a substrate through various processes such as photo, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition. Each process varies and becomes complex over time, producing contaminants and particles. For this reason, each process is subjected to a cleaning process in which the substrate is cleaned before and after the process.

일반적으로 식각 공정이나 세정 공정은 케미칼을 공급하고, 이를 린스한 후에 건조한다. 린스에 사용되는 액은 순수 및 유기 용제를 포함하며, 표면장력이 낮은 순서대로 공급된다. 그러나 기술의 발전으로 인해 패턴들 간의 간격이 미세화됨에 따라 린스액이 건조되는 과정에서 패턴의 리닝(Leaning) 현상이 발생된다.In general, an etching process or a cleaning process supplies chemicals, rinses them, and then drying them. The liquid used for the rinse contains pure and organic solvents, and is supplied in the order of low surface tension. However, due to advances in technology, as the spacing between patterns becomes fine, the pattern leans in the process of drying the rinse liquid.

이러한 리닝 현상은 패턴 붕괴 등 다양한 공정 불량이 일으키며, 이를 방지하기 위해 초임계 공정을 추가적으로 실시하는 등, 그 공정이 복잡화되어 가고 있다. Such a lining phenomenon causes various process defects such as pattern collapse, and the process is becoming complicated, such as additionally performing a supercritical process to prevent this.

현재에는 기판을 액 처리하고, 그 잔류 액을 제거하는데에 다양한 공정과 많은 시간이 소요되며, 이를 감축시킬 수 있는 대안을 필요로 한다.Nowadays, it takes a variety of processes and a lot of time to process the substrate and remove the residual liquid, and an alternative to reduce it is required.

한국 공개 특허 번호 2011-0116467Korean published patent number 2011-0116467

본 발명은 기판 상에 잔류 액을 제거하는 과정에서 발생되는 리닝 현상을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of preventing a lining phenomenon that occurs in the process of removing residual liquid on a substrate.

또한 본 발명은 기판 상에 잔류 액을 제거하는 과정에서 수행되는 공정을 감축시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide an apparatus and method capable of reducing a process performed in the process of removing residual liquid on a substrate.

또한 본 발명은 기판 상에 잔류 액을 제거하는 과정에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of shortening the time required to remove residual liquid on a substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for liquid processing a substrate.

기판을 처리하는 방법으로는 챔버 내에 형성된 처리 공간에 위치된 상기 기판으로 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 처리 단계, 상기 처리 공간에 위치된 상기 기판으로 유기 용제를 공급하여 상기 기판 상의 잔류액을 치환하는 린스 단계, 그리고 상기 기판 상의 유기 용제를 제거하는 건조 단계를 포함하되, 상기 린스 단계에서 상기 처리 공간의 압력은 상기 처리 단계에서 상기 처리 공간의 압력보다 높다. As a method of processing a substrate, a processing step of processing the substrate by supplying a processing liquid to the substrate located in a processing space formed in a chamber, and a residual liquid on the substrate by supplying an organic solvent to the substrate located in the processing space And a drying step of removing the organic solvent on the substrate, wherein the pressure of the processing space in the rinsing step is higher than the pressure of the processing space in the processing step.

상기 처리 단계와 상기 린스 단계 사이에는, 상기 기판 상에 유기 용제를 공급하여 상기 처리액을 치환하는 치환 단계를 더 포함하되, 상기 린스 단계에서 상기 처리 공간의 압력은 상기 치환 단계에서 상기 처리 공간의 압력보다 높을 수 있다. Between the treatment step and the rinsing step, further comprising a replacement step of displacing the treatment solution by supplying an organic solvent on the substrate, the pressure of the treatment space in the rinsing step is the pressure of the treatment space in the replacement step It can be higher than the pressure.

상기 치환 단계에서 사용되는 유기 용제와 상기 린스 단계에서 사용되는 유기 용제는 동일한 용제일 수 있다.The organic solvent used in the substitution step and the organic solvent used in the rinse step may be the same solvent.

상기 린스 단계에서 사용되는 유기 용제는 가열된 상태로 상기 기판 상에 공급될 수 있다. 상기 처리 단계와 상기 린스 단계 사이에는, 상기 기판 상에 유기 용제를 공급하여 상기 처리액을 치환하는 치환 단계를 더 포함하되, 상기 린스 단계에서 사용되는 유기 용제는 상기 치환 단계에서 사용되는 유기 용제보다 높은 온도로 제공될 수 있다. 상기 치환 단계에서 사용되는 유기 용제와 상기 린스 단계에서 사용되는 유기 용제는 동일한 용제일 수 있다.The organic solvent used in the rinsing step may be supplied on the substrate in a heated state. Between the treatment step and the rinsing step, further comprising a substitution step for supplying an organic solvent on the substrate to replace the treatment solution, the organic solvent used in the rinsing step than the organic solvent used in the substitution step It can be provided at a high temperature. The organic solvent used in the substitution step and the organic solvent used in the rinse step may be the same solvent.

상기 린스 단계에서 상기 처리 공간의 압력은 상기 처리 공간에 공급되는 가열된 가스에 의해 조절될 수 있다. 상기 린스 단계에서 유기 용제의 공급은 상기 가열된 가스에 의해 상기 처리 공간이 가압된 후에 이루어질 수 있다. 상기 린스 단계에서 상기 처리 공간에 상기 가열된 가스가 공급될 때에는, 상기 린스 단계에서 사용될 유기 용제가 수용된 수용 공간이 상기 린스 단계의 처리 공간의 압력으로 가압되고 상기 린스 단계의 처리 공간의 온도로 가열될 수 있다. 상기 린스 단계에서 상기 처리 공간은 상기 가열된 가스의 공급에 의해 압력이 10 바(bar) 이상이고, 온도가 150 도(℃) 이상으로 제공될 수 있다.In the rinsing step, the pressure of the processing space may be adjusted by the heated gas supplied to the processing space. In the rinsing step, supply of the organic solvent may be performed after the processing space is pressurized by the heated gas. When the heated gas is supplied to the treatment space in the rinsing step, the receiving space containing the organic solvent to be used in the rinsing step is pressurized to the pressure in the treatment space in the rinsing step and heated to the temperature in the treatment space in the rinsing step. Can be. In the rinsing step, the treatment space may have a pressure of 10 bar or more and a temperature of 150 degrees (° C) or more by supplying the heated gas.

또한 기판을 처리하는 방법으로는 챔버 내에 형성된 처리 공간에 위치된 상기 기판으로 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 처리 단계, 상기 기판으로 제1용제를 공급하여 상기 기판 상의 처리액을 치환하는 제1용제 공급 단계, 상기 기판으로 제2용제를 공급하여 상기 기판 상의 제1용제를 치환하는 제2용제 공급 단계, 그리고 상기 기판 상의 제2용제를 제거하는 건조 단계를 포함하되, 상기 제2용제 공급 단계에서 상기 처리 공간의 압력은 상기 처리 단계 및 상기 제1용제 공급 단계 각각의 상기 처리 공간의 압력보다 높다. In addition, as a method of processing a substrate, a processing step of supplying a processing liquid to the substrate located in a processing space formed in a chamber to process the substrate, and supplying a first solvent to the substrate to replace the processing liquid on the substrate A first solvent supply step, a second solvent supply step of supplying a second solvent to the substrate to replace the first solvent on the substrate, and a drying step of removing the second solvent on the substrate, wherein the second solvent is supplied The pressure of the treatment space in the step is higher than the pressure of the treatment space in each of the treatment step and the first solvent supply step.

상기 제2용제 공급 단계에서 상기 처리 공간의 온도는 상기 처리 단계 및 상기 제1용제 공급 단계 각각에서 상기 처리 공간의 온도보다 높을 수 있다.The temperature of the processing space in the second solvent supply step may be higher than the temperature of the processing space in each of the processing step and the first solvent supply step.

상기 제1용제와 상기 제2용제는 동일한 용제이며, 상기 용제는 이소프로필알코올(IPA)를 포함할 수 있다.The first solvent and the second solvent are the same solvent, and the solvent may include isopropyl alcohol (IPA).

상기 제1용제 공급 단계와 상기 제2용제 공급 단계의 사이에는, 상기 처리 공간을 가압하는 가압 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 가압 단계에는 상기 처리 공간에 가열된 가스를 공급할 수 있다. Between the first solvent supply step and the second solvent supply step, a pressing step of pressing the processing space may be further included. In the pressurizing step, heated gas may be supplied to the processing space.

또한 처리 공간에 위치된 기판을 처리하는 방법은 상기 처리 공간에 위치된 상기 기판 상에 처리액을 공급하고, 상기 기판 상의 잔류액을 치환액으로 치환하고, 상기 기판으로부터 상기 치환액을 제거하되, 상기 치환액을 공급할 때에는 상기 처리액을 공급할 때보다 상기 처리 공간의 압력을 더 높게 가압하여 상기 치환액의 표면 장력을 낮춘다. In addition, a method of processing a substrate positioned in a processing space includes supplying a processing liquid on the substrate located in the processing space, replacing the residual liquid on the substrate with a substitution liquid, and removing the substitution liquid from the substrate, When supplying the substitution liquid, the pressure in the processing space is higher than when the treatment liquid is supplied, thereby lowering the surface tension of the substitution liquid.

상기 치환액은 유기 용제를 포함할 수 있다. 상기 치환액을 공급할 때에는 상기 처리 공간의 압력이 10 바(bar) 이상이고, 온도가 150 도(℃) 이상으로 제공될 수 있다. 상기 치환액은 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. The substitution liquid may include an organic solvent. When supplying the replacement liquid, the pressure of the treatment space is 10 bar or more, and the temperature may be provided at 150 ° C or more. The substitution liquid may be isopropyl alcohol (IPA).

또한 기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 처리 공간을 가압하는 가압 유닛, 그리고 상기 액 공급 유닛 및 상기 가압 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은, 기판이 놓여지는 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트를 회전시키는 회전 구동 부재를 포함하고, 상기 액 공급 유닛은 상기 지지 플레이트에 놓인 기판 상에 처리액을 공급하는 처리 노즐 및 상기 지지 플레이트에 놓인 기판 상에 유기 용제를 공급하는 린스 노즐을 포함하되, 상기 제어기는 처리액이 공급될 때보다 유기 용제가 공급될 때에 상기 처리 공간의 압력이 높도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 가압 유닛을 제어한다. In addition, the apparatus for processing a substrate includes a chamber in which a processing space is formed, a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space, a liquid supply unit for supplying liquid on a substrate supported by the substrate support unit, and the processing space. A pressing unit for pressing, and a controller for controlling the liquid supplying unit and the pressing unit, wherein the substrate supporting unit includes a supporting plate on which the substrate is placed and a rotation driving member for rotating the supporting plate, and the liquid The supply unit includes a processing nozzle for supplying a processing liquid on the substrate placed on the support plate and a rinse nozzle for supplying an organic solvent on the substrate placed on the support plate, wherein the controller is configured to provide an organic solvent rather than when the processing liquid is supplied. The liquid supply unit and the pressurization unit are controlled so that the pressure in the processing space is high when is supplied. All.

상기 액 공급 유닛은 상기 지지 플레이트에 놓인 기판 상에 치환액을 공급하는 치환 노즐을 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 지지 플레이트에 놓인 기판 상에 처리액, 치환액, 그리고 유기 용제가 순차적으로 공급되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하고, 상기 제어기는 치환액이 공급될 때보다 유기 용제가 공급될 때에 상기 처리 공간의 압력이 높도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 가압 유닛을 제어할 수 있다. The liquid supply unit further includes a displacement nozzle for supplying a displacement liquid on the substrate placed on the support plate, wherein the controller sequentially supplies the treatment liquid, the displacement liquid, and the organic solvent on the substrate placed on the support plate. The liquid supply unit may be controlled, and the controller may control the liquid supply unit and the pressurization unit such that the pressure in the processing space is higher when the organic solvent is supplied than when the replacement liquid is supplied.

상기 가압 유닛은 상기 챔버에 연결되어 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 유기 용제가 공급될 때의 상기 처리 공간의 압력은 상기 가스 공급 라인으로부터 공급된 가스에 의해 가압될 수 있다.The pressurizing unit further includes a gas supply line connected to the chamber to supply gas to the processing space, wherein the controller is configured such that the pressure of the processing space when the organic solvent is supplied is gas supplied from the gas supply line. Can be pressurized by.

상기 액 공급 유닛은, 내부에 수용 공간이 형성되며, 상기 린스 노즐과 연결되는 수용 탱크를 더 포함하고, 상기 가압 유닛은 상기 가스 공급 라인으로부터 분기되어 상기 수용 공간에 가스를 공급하는 분기 라인을 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 처리 공간 및 상기 수용 공간이 함께 가압되도록 상가 가압 유닛을 제어할 수 있다.The liquid supply unit, the receiving space is formed therein, further comprising a receiving tank connected to the rinse nozzle, the pressurizing unit is branched from the gas supply line further comprises a branch line for supplying gas to the receiving space Including, the controller may control the mall pressing unit so that the processing space and the receiving space are pressed together.

상기 액 공급 유닛은 상기 지지 플레이트에 놓인 기판 상에 제1온도의 치환액을 공급하는 치환 노즐과 상기 린스 노즐에 공급되는 유기 용제를 제2온도로 가열하는 가열 부재를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 지지 플레이트에 놓인 기판 상에 처리액, 치환액, 그리고 유기 용제가 순차적으로 공급되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하고, 상기 제2온도는 상기 제1온도보다 높을 수 있다. The liquid supply unit further includes a displacement member for supplying a displacement liquid of a first temperature on a substrate placed on the support plate, and a heating member for heating the organic solvent supplied to the rinse nozzle to a second temperature, wherein the controller The liquid supply unit is controlled such that the processing liquid, the substitution liquid, and the organic solvent are sequentially supplied on the substrate placed on the support plate, and the second temperature may be higher than the first temperature.

상기 장치는, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 공급된 액을 배출하는 배출관과 상기 처리 공간을 배기하는 배기관을 더 포함하되, 상기 제어기는 치환액을 공급한 이후, 그리고 유기 용제를 공급하기 전에 상기 배출관 및 상기 배기관을 닫을 수 있다.The apparatus further includes a discharge pipe for discharging the liquid supplied on the substrate supported by the substrate support unit and an exhaust pipe for discharging the processing space, the controller after supplying the replacement liquid, and then supplying an organic solvent. The discharge pipe and the exhaust pipe can be closed before.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제2용제의 표면 장력은 낮춘다. 이로 인해 제2용제에 의해 잔류 액이 제거되는 과정에서 패턴의 리닝 발생의 빈도를 줄일 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the surface tension of the second solvent is lowered. Due to this, the frequency of lining of the pattern can be reduced in the process of removing the residual liquid by the second solvent.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제2용제는 제1용제가 공급된 때보다 높은 압력 분위기에서 공급된다. 이로 인해 제2용제의 표면 장력을 제1용제보다 낮출 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the second solvent is supplied in a pressure atmosphere higher than when the first solvent is supplied. For this reason, the surface tension of the second solvent can be lower than that of the first solvent.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 제2용제는 제1용제가 공급된 때보다 높은 온도 분위기에서 공급된다. 이로 인해 제2용제의 표면 장력을 제1용제보다 낮출 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the second solvent is supplied in a higher temperature atmosphere than when the first solvent is supplied. For this reason, the surface tension of the second solvent can be lower than that of the first solvent.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 액 공급 유닛을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 용제의 온도, 압력, 그리고 표면 장력 간의 관계를 보여주는 그래프들이다.
도 5는 도 2의 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 6 내지 도 11은 도 2의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 12는 도 4의 플로우 차트의 다른 실시예이다.
도 13은 도 4의 플로우 차트의 또 다른 실시예이다.1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1.
FIG. 3 is a view showing the liquid supply unit of FIG. 2.
4 is a graph showing the relationship between the temperature, pressure, and surface tension of the solvent of FIG. 3.
5 is a flow chart showing a process of processing the substrate of FIG. 2.
6 to 11 are views showing a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 2.
FIG. 12 is another embodiment of the flow chart of FIG. 4.
FIG. 13 is another embodiment of the flow chart of FIG. 4.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the examples described below. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

본 발명은 도 1 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.The present invention will be described in detail an example of the present invention with reference to FIGS. 1 to 13.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing facility 1 has an index module 10 and a process processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12, and when viewed from the top, perpendicular to the first direction 12 The direction is called the second direction 14 and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 18 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. A plurality of slots are provided in the third direction 16, and the substrates are positioned in the carrier so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 배치된다. 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 A X B(A와 B는 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 양측 각각에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. The process processing module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed in the longitudinal direction parallel to the first direction (12). Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240 along the second direction 14. The process chambers 260 may be provided to be symmetric with each other with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked with each other. That is, process chambers 260 may be disposed on both sides of the transfer chamber 240 in an array of A X B (A and B are each a natural number of 1 or more). Where A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on each side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease.

상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. 또한 공정 챔버들(260) 중 이송 챔버(240)의 일측에는 기판을 액 처리 공정을 수행하고, 타측에는 액 처리 공정이 수행된 기판을 건조 처리하는 공정을 수행할 수 있다. 건조 처리 공정은 초임계 처리 공정일 수 있다.Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and the other side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided in various arrangements as described above. In addition, a process of performing a liquid treatment process on a substrate on one side of the transfer chamber 240 among the process chambers 260 and a process of drying a substrate on which the liquid treatment process is performed may be performed on the other side. The drying treatment process may be a supercritical treatment process.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space where the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are spaced apart from each other along the third direction 16. In the buffer unit 220, a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 are opened.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 18 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided with its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142, and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Further, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b, and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transport the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 18, and some of the index arms 144 from the carrier 18 to the process processing module 20 It can be used to transport. This can prevent particles generated from the substrate W prior to the process processing from being attached to the substrate W after the process processing in the process of the index robot 144 carrying in and out of the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220) 및 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chambers 260. A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242, and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242.

아래에서는 공정 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 본 실시예에는 기판 처리 장치(300)이 기판에 대해 액 처리 공정을 수행하는 것을 일 예로 설명한다. 액 처리 공정은 기판을 세정 처리하는 공정을 포함한다. Hereinafter, the substrate processing apparatus 300 provided in the process chamber 260 will be described. In this embodiment, it will be described as an example that the substrate processing apparatus 300 performs a liquid processing process on the substrate. The liquid treatment process includes a process of cleaning the substrate.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 챔버(310), 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 액 공급 유닛(400), 가압 유닛(500), 그리고 제어기(600)를 포함한다. 챔버(310)는 내부에 기판(W)을 처리하는 공정이 수행되는 처리 공간(312)을 제공한다. 챔버(310)의 바닥면에는 배기관(314)이 설치된다. 배기관(314)은 처리 공간(312)을 배기하는 관으로 제공된다. 배기관(314)에는 감압 부재(미도시)가 설치될 수 있다. 2 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 includes a chamber 310, a processing container 320, a spin head 340, a lifting unit 360, a liquid supply unit 400, a pressing unit 500, and It includes a controller 600. The chamber 310 provides a processing space 312 in which a process for processing the substrate W is performed. An exhaust pipe 314 is installed on the bottom surface of the chamber 310. The exhaust pipe 314 is provided as a pipe that exhausts the processing space 312. A pressure reducing member (not shown) may be installed in the exhaust pipe 314.

처리 용기(320)는 처리 공간(312)에 위치되며, 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 처리 용기(320) 배기관과 중첩되도록 위치된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출하는 배출관으로 기능한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The processing container 320 is located in the processing space 312 and is provided in an open cup shape. When viewed from the top, the processing vessel 320 is positioned to overlap the exhaust pipe. The processing container 320 has an inner recovery container 322 and an outer recovery container 326. Each of the collection bins 322 and 326 recovers different treatment liquids from the treatment liquids used in the process. The inner collection container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340, and the outer collection container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner collection container 322. The inner space 322a of the inner recovery container 322 and the space 326a between the outer recovery container 326 and the inner recovery container 322 are treated as an inner recovery container 322 and an outer recovery container 326, respectively. It functions as an inlet. The collection lines 322b and 326b vertically extending in the downward direction of the bottom surface are connected to the respective collection cylinders 322 and 326. Each of the recovery lines 322b and 326b functions as a discharge pipe for discharging the treatment liquid introduced through each of the recovery cylinders 322 and 326. The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

스핀 헤드(340)는 기판(W)을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛(340)으로 제공된다. 스핀 헤드(340)는 처리 용기(320)의 내에 배치된다. 스핀 헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is provided as a substrate support unit 340 for supporting and rotating the substrate W. Spin head 340 is disposed within processing vessel 320. The spin head 340 supports the substrate W during the process and rotates the substrate W. The spin head 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has an upper surface provided in a substantially circular shape when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are arranged to be spaced apart at predetermined intervals on the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 334 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate such that the substrate W is spaced a predetermined distance from the upper surface of the body 342. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther than the support pin 344 from the center of the body 342. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from the fixed position when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to be able to move linearly between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a position away from the center of the body 342 compared to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded on the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned at the standby position, and when the process is performed on the substrate W, the chuck pin 346 is positioned at the support position. In the support position, the chuck pin 346 is in contact with the side of the substrate W.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)와 스핀 헤드(340) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. The lifting unit 360 adjusts the relative height between the processing vessel 320 and the spin head 340. The lifting unit 360 linearly moves the processing container 320 in the vertical direction. As the processing container 320 is moved up and down, the relative height of the processing container 320 with respect to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 320, and the moving shaft 364 moved in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The processing container 320 is lowered such that the spin head 340 protrudes to the top of the processing container 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or is lifted from the spin head 340. In addition, when the process is in progress, the height of the processing container 320 is adjusted so that the processing liquid may be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W.

상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.Unlike the above, the lifting unit 360 may move the spin head 340 in the vertical direction instead of the processing container 320.

액 공급 유닛(400)은 기판(W) 상에 다양한 종류의 액들을 공급한다. 도 3은 도 2의 액 공급 유닛을 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 액 공급 유닛(400)은 케미칼 노즐(410), 처리액 노즐(420), 제1용제 노즐(430), 그리고 제2용제 노즐(440)을 포함한다. 케미칼 노즐(410), 처리액 노즐(420), 제1용제 노즐(430), 그리고 제2용제 노즐(440) 각각(이하, 노즐들)은 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 여기서 공정 위치는 노즐들((410 내지 440)이 처리 용기(320) 내에 위치된 기판(W) 상에 액을 토출 가능한 위치이고, 대기 위치는 노즐들(410 내지 440)이 공정 위치를 벗어나 대기되는 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 노즐들(410 내지 440)이 기판(W)의 중심으로 액을 공급할 수 있는 위치일 수 있다. 예컨대, 상부에서 바라볼 때 노즐들(410 내지 440)은 직선 이동 또는 축 이동되어 공정 위치와 대기 위치 간에 이동될 수 있다.The liquid supply unit 400 supplies various kinds of liquids on the substrate W. FIG. 3 is a view showing the liquid supply unit of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the liquid supply unit 400 includes a chemical nozzle 410, a treatment liquid nozzle 420, a first solvent nozzle 430, and a second solvent nozzle 440. Each of the chemical nozzle 410, the processing liquid nozzle 420, the first solvent nozzle 430, and the second solvent nozzle 440 (hereinafter, nozzles) is moved to a process position and a standby position. Here, the process position is a position where the nozzles 410 to 440 can eject liquid on the substrate W located in the processing vessel 320, and the standby position is the nozzles 410 to 440 out of the process position and waiting In one example, the process location may be a location where the nozzles 410 to 440 can supply liquid to the center of the substrate W. For example, when viewed from the top, the nozzles 410 440) may be moved linearly or axially to move between the process position and the standby position.

케미칼 노즐(410), 처리액 노즐(420), 제1용제 노즐(430), 그리고 제2용제 노즐(440)은 서로 다른 종류의 액을 토출한다. 케미칼 노즐(410)은 케미칼을 토출한다. 케미칼은 기판(W) 상의 형성된 막을 식각 처리하거나, 기판(W) 상에 잔류된 파티클을 제거할 수 있는 액으로 제공된다. 예컨대, 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산, 불산, 또는 암모니아를 포함할 수 있다.The chemical nozzle 410, the processing liquid nozzle 420, the first solvent nozzle 430, and the second solvent nozzle 440 discharge different kinds of liquid. The chemical nozzle 410 discharges the chemical. Chemicals are provided as a solution capable of etching the formed film on the substrate W or removing particles remaining on the substrate W. For example, the chemical may be a liquid having strong acid or strong base properties. Chemicals can include sulfuric acid, hydrofluoric acid, or ammonia.

처리액 노즐(420)은 처리액을 토출한다. 처리액은 기판(W) 상에 잔류된 케미칼을 제거할 수 있는 액일 수 있다. 예컨대, 처리액은 순수일 수 있다. The processing liquid nozzle 420 discharges the processing liquid. The treatment liquid may be a liquid capable of removing chemicals remaining on the substrate W. For example, the treatment liquid may be pure water.

제1용제 노즐(430)는 제1용제를 토출하고, 제2용제 노즐(440)은 제2용제를 토출한다. 선택적으로, 제1용제 및 제2용제는 하나의 노즐로부터 토출될 수 있다. 제1용제는 기판(W) 상에 잔류된 액을 치환할 수 있는 치환액으로 제공되고, 제2용제는 기판(W) 상에 잔류된 액을 린스 처리하는 린스액으로 제공될 수 있다.된다. 일 예에 의하면, 제1용제와 제2용제는 각각 유기 용제일 수 있다. 제1용제 및 제2용제 각각은 동일한 종류의 액일 수 있다. 제1용제와 제2용제는 서로 다른 상태로 제공될 수 있다. 제2용제는 제1용제에 비해 표면 장력이 낮은 상태로 제공된다. 제2용제는 온도가 높아질수록 표면 장력이 낮아진다. 따라서 제2용제는 제1용제에 비해 높은 온도로 제공될 수 있다. 제2용제는 제1용제보다 압력이 높은 상태에서 공급될 수 있다. 압력이 높아질수록 제2용제의 끓는점은 함께 높아지며, 제2용제는 액상 상태에서 제1용제보다 높은 온도로 공급될 수 있다.The first solvent nozzle 430 discharges the first solvent, and the second solvent nozzle 440 discharges the second solvent. Optionally, the first solvent and the second solvent can be discharged from one nozzle. The first solvent may be provided as a replacement liquid capable of displacing the liquid remaining on the substrate W, and the second solvent may be provided as a rinse liquid for rinsing the liquid remaining on the substrate W. . According to an example, the first solvent and the second solvent may be organic solvents, respectively. Each of the first solvent and the second solvent may be the same kind of liquid. The first solvent and the second solvent may be provided in different states. The second solvent is provided with a lower surface tension than the first solvent. The second solvent has a lower surface tension as the temperature increases. Therefore, the second solvent may be provided at a higher temperature than the first solvent. The second solvent may be supplied under a higher pressure than the first solvent. As the pressure increases, the boiling point of the second solvent increases together, and the second solvent may be supplied at a higher temperature than the first solvent in a liquid state.

제1용제 노즐(430)에는 제1용제 공급 라인(432)이 연결된다. 제1용제 공급 라인(432)은 제1탱크(438)에 수용된 제1용제를 제1용제 노즐(430)에 공급한다. 제2용제 노즐(440)에는 제2용제 공급 라인(442)이 연결된다. 제2용제 공급 라인(442)은 제2탱크(450)에 수용된 제2용제를 제2용제 노즐(440)에 공급한다. 제2탱크(450)에는 히터(454)가 설치된다. 히터(454)는 제2탱크(450) 내에 수용된 제2용제의 표면 장력이 낮아지도록 제2탱크(450)를 가열한다. The first solvent supply line 432 is connected to the first solvent nozzle 430. The first solvent supply line 432 supplies the first solvent accommodated in the first tank 438 to the first solvent nozzle 430. The second solvent supply line 442 is connected to the second solvent nozzle 440. The second solvent supply line 442 supplies the second solvent accommodated in the second tank 450 to the second solvent nozzle 440. A heater 454 is installed in the second tank 450. The heater 454 heats the second tank 450 so that the surface tension of the second solvent contained in the second tank 450 is lowered.

가압 유닛(500)은 제2용제의 끓는점이 높아지도록 제2용제를 가압한다. 가압 유닛(500)은 처리 공간(312) 및 제2탱크(450)의 수용 공간(452)을 가압한다. 가압 유닛(500)은 가스 공급 라인(510), 가열 부재(530), 그리고 분기 라인(520)을 포함한다. 가스 공급 라인(510)은 챔버(310)에 연결되어 처리 공간(312)에 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(510) 상에는 가열 부재(530)가 설치되며, 가열 부재(530)는 가스 공급 라인(510)에 흐르는 가스를 가열한다. 이에 따라 공정 챔버(310) 내에는 가열된 가스가 공급되며, 공정 챔버(310)의 내부 공간의 온도 및 압력은 높아질 수 있다. 분기 라인(520)은 가스 공급 라인(510)으로부터 분기되어 제2탱크(450)에 연결된다. 분기 라인(520)은 제2탱크(450)의 내부에 가스를 공급한다. 이에 따라 제2탱크(450) 내에 공급된 가스는 제2탱크(450)의 수용 공간(452)은 가압될 수 있다. 예컨대, 가스 공급 라인(510)에 흐르는 가스는 비활성 가스일 수 있다. 가스는 질소 가스(N2)일 수 있다.The pressurization unit 500 presses the second solvent so that the boiling point of the second solvent is increased. The pressing unit 500 presses the processing space 312 and the receiving space 452 of the second tank 450. The pressurization unit 500 includes a gas supply line 510, a heating member 530, and a branch line 520. The gas supply line 510 is connected to the chamber 310 to supply gas to the processing space 312. The heating member 530 is installed on the gas supply line 510, and the heating member 530 heats the gas flowing in the gas supply line 510. Accordingly, heated gas is supplied into the process chamber 310, and the temperature and pressure of the internal space of the process chamber 310 may be increased. The branch line 520 is branched from the gas supply line 510 and is connected to the second tank 450. The branch line 520 supplies gas to the interior of the second tank 450. Accordingly, the gas supplied into the second tank 450 may pressurize the receiving space 452 of the second tank 450. For example, the gas flowing in the gas supply line 510 may be an inert gas. The gas may be nitrogen gas (N 2 ).

제어기(600)는 액 공급 유닛(400) 및 가압 유닛(500)을 제어한다. 제어기(600)는 케미칼, 처리액, 제1용제, 그리고 제2용제가 순차적으로 공급되도록 액 공급 유닛(400)을 제어할 수 있다. 또한 제어기(600)는 제2탱크(450)의 수용 공간(452) 및 처리 공간(312)을 가압하여 제2용제의 끓는점이 높아지도록 가압 유닛(500)을 제어할 수 있다. 또한 제어기(600)는 처리 공간(312)을 가압할 때 또는 가압하기 직전에 처리 공간(312)의 가압 효율을 높이고자, 배출관(322b,326b) 및 배기관(314)을 닫는다. 이는 처리 공간(312)에 공급된 가스가 배출관(322b,326b) 또는 배기관(314)을 통해 유실되는 것을 방지하기 위함이다.The controller 600 controls the liquid supply unit 400 and the pressurization unit 500. The controller 600 may control the liquid supply unit 400 such that the chemical, processing liquid, first solvent, and second solvent are sequentially supplied. In addition, the controller 600 may control the pressing unit 500 to press the receiving space 452 and the processing space 312 of the second tank 450 to increase the boiling point of the second solvent. In addition, the controller 600 closes the discharge pipes 322b and 326b and the exhaust pipe 314 to increase the pressurization efficiency of the processing space 312 when the processing space 312 is pressurized or just before pressurization. This is to prevent the gas supplied to the treatment space 312 from being lost through the discharge pipes 322b and 326b or the exhaust pipe 314.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. 도 5는 도 2의 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이고, 도 6 내지 도 11은 도 2의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다. 도 5 내지 도 11을 참조하면, 기판(W)을 처리하는 방법으로는, 케미칼 공급 단계(S100), 처리액 공급 단계(S200), 제1용제 공급 단계(S300), 가압 단계(S400), 제2용제 공급 단계(S500), 그리고 건조 단계(S600)를 포함한다. 케미칼 공급 단계(S100), 처리액 공급 단계(S200), 제1용제 공급 단계(S300), 가압 단계(S400), 제2용제 공급 단계(S500), 그리고 건조 단계(S600)는 순차적으로 진행된다. 각 단계가 진행되는 중에 기판(W)은 회전된다. 케미칼 공급 단계(S100)에는 기판(W) 상에 케미칼을 공급한다. 케미칼은 기판(W) 상에 형성된 막 또는 잔류 파티클을 제거한다. 막 또는 파티클이 제거되면, 처리액 공급 단계(S200)를 진행하여 기판(W) 상에 잔류된 케미칼을 제거한다. 처리액 공급 단계(S200)에는 처리액을 공급하여 기판(W) 상에 케미칼을 제거한다. 처리액에 의해 잔류 케미칼이 제거되면, 제1용제 공급 단계(S300)를 수행한다. 제1용제 공급 단계(S300)에는 기판(W) 상에 제1온도(T1)의 제1용제를 공급하여 기판(W) 상에 잔류된 처리액을 치환한다. 여기서 제1온도(T1)는 상온을 포함할 수 있다. 기판(W) 상의 잔류 처리액은 제1용제로 치환된다. 제1용제의 치환이 완료되면, 가압 단계(S400)를 수행한다.Next, a process of processing the substrate W using the above-described substrate processing apparatus will be described. FIG. 5 is a flow chart showing a process of processing the substrate of FIG. 2, and FIGS. 6 to 11 are views showing a process of processing the substrate using the apparatus of FIG. 2. 5 to 11, as a method of processing the substrate W, the chemical supply step (S100), the processing liquid supply step (S200), the first solvent supply step (S300), the pressing step (S400), It includes a second solvent supply step (S500), and a drying step (S600). The chemical supply step (S100), the treatment liquid supply step (S200), the first solvent supply step (S300), the pressurization step (S400), the second solvent supply step (S500), and the drying step (S600) are sequentially performed. . During each step, the substrate W is rotated. In the chemical supply step (S100), the chemical is supplied on the substrate W. The chemical removes the film or residual particles formed on the substrate W. When the film or particle is removed, the processing liquid supply step (S200) proceeds to remove the chemical remaining on the substrate (W). The processing liquid supply step (S200) to supply the processing liquid to remove the chemical on the substrate (W). When the residual chemical is removed by the treatment liquid, the first solvent supply step (S300) is performed. In the first solvent supply step (S300), the first solvent at the first temperature T 1 is supplied onto the substrate W to replace the processing liquid remaining on the substrate W. Here, the first temperature T 1 may include room temperature. The residual treatment liquid on the substrate W is replaced with a first solvent. When the substitution of the first solvent is completed, a pressing step (S400) is performed.

가압 단계(S400)에는 처리 공간(312) 및 수용 공간(452) 각각을 가압 및 가열한다. 처리 공간(312) 및 수용 공간(452) 각각은 가압되어 제2용제의 끓는점이 높아진다. 예컨대, 처리 공간(312) 및 수용 공간(452) 각각의 압력은 10 바(bar) 일 수 있다. 이와 동시에 처리 공간(312) 및 수용 공간(452) 각각이 가열되어 제2용제가 제2온도(T2)로 가열된다. 제2온도는 상압에서 제1용제의 끓는점보다 높은 온도일 수 있다. 제2온도(T2)는 150도(℃)를 포함할 수 있다. 처리 공간(312) 및 수용 공간(452) 각각이 제2용제를 제2온도(T2)에 도달 및 유지할 수 있는 조건이 완성되면, 제2용제 공급 단계(S500)가 진행된다.In the pressing step S400, each of the processing space 312 and the receiving space 452 is pressurized and heated. Each of the processing space 312 and the receiving space 452 is pressurized to increase the boiling point of the second solvent. For example, the pressure of each of the processing space 312 and the receiving space 452 may be 10 bar. At the same time, each of the processing space 312 and the receiving space 452 is heated, and the second solvent is heated to the second temperature T 2 . The second temperature may be a temperature higher than the boiling point of the first solvent at normal pressure. The second temperature T 2 may include 150 degrees (° C). When the processing space 312 and the receiving space 452 each reach and maintain the second solvent at the second temperature T 2 , the second solvent supply step S500 proceeds.

제2용제 공급 단계(S500)에는 기판(W) 상에 제2용제를 공급하여 기판(W) 상에 잔류된 제1용제를 치환한다. 제2용제 공급 단계(S500)에는 제2용제가 제2온도(T2)를 가지며, 처리 공간(312)은 처리액 공급 단계(S200) 및 제1용제 공급 단계(S300)에 비해 높은 압력으로 제공된다. 제2용제 공급 단계(S500)가 완료되면, 기판(W)의 액 공급을 중지하고, 건조 단계(S600)를 수행한다. 건조 단계(S600)에는 기판(W) 상의 제2용제가 충분히 건조되도록 기판(W)을 케미칼 공급 단계(S100), 처리액 공급 단계(S200), 제1용제 공급 단계(S300), 가압 단계(S400), 그리고 제2용제 공급 단계(S500)에서 보다 높은 속도로 회전시킨다. 제2용제는 제1용제보다 낮은 표면 장력을 가지며, 건조되는 과정에서 패턴의 리닝(Leaning)을 최소화한다. 이러한 제2용제를 건조시키는 과정에서 발생되는 리닝의 빈도는 제1용제를 건조시킬 때보다 줄어들 수 있으며, 리닝에 의한 공정 불량을 최소화할 수 있다.In the second solvent supply step (S500), the second solvent is supplied on the substrate W to replace the first solvent remaining on the substrate W. In the second solvent supply step (S500), the second solvent has a second temperature (T 2 ), and the treatment space 312 is at a higher pressure than the treatment liquid supply step (S200) and the first solvent supply step (S300). Is provided. When the second solvent supply step (S500) is completed, the liquid supply of the substrate W is stopped, and the drying step (S600) is performed. In the drying step (S600), the substrate W is subjected to a chemical supply step (S100), a processing liquid supply step (S200), a first solvent supply step (S300), and a pressing step (so that the second solvent on the substrate W is sufficiently dried) S400), and rotates at a higher speed in the second solvent supply step (S500). The second solvent has a lower surface tension than the first solvent and minimizes the patterning in the process of drying. The frequency of lining generated in the process of drying the second solvent may be reduced than when drying the first solvent, and process defects due to lining may be minimized.

따라서 제1용제를 건조하기 위해 기판(W)을 처리 공간(312)의 외부로 반송하여 추가 실시하여야 하는 건조 공정을 생략할 수 있다. 예컨대, 추가 실시되는 건조 공정은초임계 공정일 수 있다.Therefore, in order to dry the first solvent, the drying process that needs to be additionally carried out by transferring the substrate W to the outside of the processing space 312 can be omitted. For example, the additional drying process may be a supercritical process.

또한 본 발명의 실시예는 기판(W)의 액 공급 공정에서 액 건조 공정까지의 과정을 동일 공간에서 수행되므로, 기판(W)의 반송에 대한 소요 시간이 단축시킬 수 있으며, 기판(W)을 반송하는 과정에서 발생되는 기판(W) 손상 등의 문제를 방지할 수 있다.In addition, in the embodiment of the present invention, since the process from the liquid supply process of the substrate W to the liquid drying process is performed in the same space, the time required for the transfer of the substrate W can be shortened, and the substrate W is It is possible to prevent problems such as damage to the substrate W generated during the conveying process.

또한 상술한 실시예에는 케미칼 공급 단계(S100), 처리액 공급 단계(S200), 제1용제 공급 단계(S300), 가압 단계(S400), 제2용제 공급 단계(S500), 그리고 건조 단계(S600)가 순차적으로 진행되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 12와 같이, 제1용제 공급 단계(S300)는 생략되고, 기판(W) 상에 잔류된 처리액을 제2온도(T2)의 제2용제로 치환할 수 있다.In addition, in the above-described embodiment, the chemical supply step (S100), the processing liquid supply step (S200), the first solvent supply step (S300), the pressing step (S400), the second solvent supply step (S500), and the drying step (S600) ) Was described as proceeding sequentially. However, as shown in FIG. 12, the first solvent supply step (S300) is omitted, and the treatment liquid remaining on the substrate W may be replaced with the second solvent at the second temperature T 2 .

또한 제1용제 공급 단계(S300)와 제2용제 공급 단계(S500)는 생략되고, 가압 단계(S400b)는 케미칼 공급 단계(S100b)와 처리액 공급 단계(S200b) 사이에 수행될 수 있다. 즉, 케미칼 공급 단계(S100b), 가압 단계(S400b), 처리액 공급 단계(S200b), 그리고 건조 단계(S600b)가 순차적으로 진행될 수 있다. 가압 단계(S400)는 처리액을 제2온도(T2)로 조절하여 처리액의 표면 장력을 낮출 수 있다.In addition, the first solvent supply step (S300) and the second solvent supply step (S500) is omitted, the pressing step (S400b) may be performed between the chemical supply step (S100b) and the processing liquid supply step (S200b). That is, the chemical supply step (S100b), the pressing step (S400b), the processing liquid supply step (S200b), and the drying step (S600b) may be sequentially performed. The pressing step (S400) may lower the surface tension of the treatment liquid by adjusting the treatment liquid to a second temperature (T 2 ).

312: 처리 공간 400: 액 공급 유닛
410: 케미칼 노즐 420: 처리액 노즐
430: 제1용제 노즐 440: 제2용제 노즐
500: 가압 유닛 600: 제어기312: processing space 400: liquid supply unit
410: chemical nozzle 420: treatment liquid nozzle
430: first solvent nozzle 440: second solvent nozzle
500: pressurization unit 600: controller

Claims (25)

기판을 처리하는 방법에 있어서,
챔버 내에 형성된 처리 공간에 위치된 상기 기판으로 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 처리 단계와;
상기 처리 공간에 위치된 상기 기판으로 유기 용제를 공급하여 상기 기판 상의 잔류액을 치환하는 린스 단계와;
상기 기판 상의 유기 용제를 제거하는 건조 단계를 포함하되,
상기 린스 단계에서 상기 처리 공간의 압력은 상기 처리 단계에서 상기 처리 공간의 압력보다 높은 기판 처리 방법.In the method of processing the substrate,
A processing step of processing the substrate by supplying a processing liquid to the substrate located in a processing space formed in the chamber;
A rinsing step of displacing the residual liquid on the substrate by supplying an organic solvent to the substrate located in the processing space;
And a drying step of removing the organic solvent on the substrate,
In the rinsing step, the pressure of the processing space is higher than the pressure of the processing space in the processing step. 제1항에 있어서,
상기 처리 단계와 상기 린스 단계 사이에는, 상기 기판 상에 유기 용제를 공급하여 상기 처리액을 치환하는 치환 단계를 더 포함하되,
상기 린스 단계에서 상기 처리 공간의 압력은 상기 치환 단계에서 상기 처리 공간의 압력보다 높은 기판 처리 방법.According to claim 1,
Between the treatment step and the rinse step, further comprising a substitution step of displacing the treatment solution by supplying an organic solvent on the substrate,
In the rinsing step, the pressure of the processing space is higher than the pressure of the processing space in the substitution step. 제2항에 있어서,
상기 치환 단계에서 사용되는 유기 용제와 상기 린스 단계에서 사용되는 유기 용제는 동일한 용제인 기판 처리 방법.According to claim 2,
The organic solvent used in the substitution step and the organic solvent used in the rinse step are the same solvent. 제1항에 있어서,
상기 린스 단계에서 사용되는 유기 용제는 가열된 상태로 상기 기판 상에 공급되는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The organic solvent used in the rinsing step is a substrate processing method that is supplied on the substrate in a heated state. 제4항에 있어서,
상기 처리 단계와 상기 린스 단계 사이에는, 상기 기판 상에 유기 용제를 공급하여 상기 처리액을 치환하는 치환 단계를 더 포함하되,
상기 린스 단계에서 사용되는 유기 용제는 상기 치환 단계에서 사용되는 유기 용제보다 높은 온도로 제공되는 기판 처리 방법.According to claim 4,
Between the treatment step and the rinse step, further comprising a substitution step of displacing the treatment solution by supplying an organic solvent on the substrate,
The organic solvent used in the rinse step is a substrate processing method provided at a higher temperature than the organic solvent used in the substitution step. 제5항에 있어서,
상기 치환 단계에서 사용되는 유기 용제와 상기 린스 단계에서 사용되는 유기 용제는 동일한 용제인 기판 처리 방법.The method of claim 5,
The organic solvent used in the substitution step and the organic solvent used in the rinse step are the same solvent. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 린스 단계에서 상기 처리 공간의 압력은 상기 처리 공간에 공급되는 가열된 가스에 의해 조절되는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 6,
In the rinsing step, the pressure of the processing space is controlled by a heated gas supplied to the processing space. 제7항에 있어서,
상기 린스 단계에서 유기 용제의 공급은 상기 가열된 가스에 의해 상기 처리 공간이 가압된 후에 이루어지는 기판 처리 방법.The method of claim 7,
In the rinsing step, the supply of the organic solvent is performed after the processing space is pressed by the heated gas. 제8항에 있어서,
상기 린스 단계에서 상기 처리 공간에 상기 가열된 가스가 공급될 때에는,
상기 린스 단계에서 사용될 유기 용제가 수용된 수용 공간이 상기 린스 단계의 처리 공간의 압력으로 가압되고 상기 린스 단계의 처리 공간의 온도로 가열되는 기판 처리 방법.The method of claim 8,
When the heated gas is supplied to the processing space in the rinsing step,
The substrate processing method in which the receiving space in which the organic solvent to be used in the rinsing step is accommodated is pressurized by the pressure of the processing space in the rinsing step and heated to the temperature of the processing space in the rinsing step. 제9항에 있어서,
상기 린스 단계에서 상기 처리 공간은 상기 가열된 가스의 공급에 의해 압력이 10 바(bar) 이상이고, 온도가 150 도(℃) 이상으로 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 9,
In the rinsing step, the processing space is a substrate processing method in which a pressure of 10 bar or more and a temperature of 150 degrees (C) or more are provided by the supply of the heated gas. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
챔버 내에 형성된 처리 공간에 위치된 상기 기판으로 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 처리 단계와;
상기 기판으로 제1용제를 공급하여 상기 기판 상의 처리액을 치환하는 제1용제 공급 단계와;
상기 기판으로 제2용제를 공급하여 상기 기판 상의 제1용제를 치환하는 제2용제 공급 단계와;
상기 기판 상의 제2용제를 제거하는 건조 단계를 포함하되,
상기 제2용제 공급 단계에서 상기 처리 공간의 압력은 상기 처리 단계 및 상기 제1용제 공급 단계 각각의 상기 처리 공간의 압력보다 높은 기판 처리 방법.In the method of processing the substrate,
A processing step of processing the substrate by supplying a processing liquid to the substrate located in a processing space formed in the chamber;
A first solvent supply step of supplying a first solvent to the substrate to replace the processing liquid on the substrate;
A second solvent supply step of supplying a second solvent to the substrate to replace the first solvent on the substrate;
And a drying step of removing the second solvent on the substrate,
In the second solvent supply step, the pressure in the processing space is higher than the pressure in the processing space in each of the processing step and the first solvent supply step. 제11항에 있어서,
상기 제2용제 공급 단계에서 상기 처리 공간의 온도는 상기 처리 단계 및 상기 제1용제 공급 단계 각각에서 상기 처리 공간의 온도보다 높은 기판 처리 방법.The method of claim 11,
In the second solvent supply step, the temperature of the processing space is higher than the temperature of the processing space in each of the processing step and the first solvent supply step. 제11항에 있어서,
상기 제1용제와 상기 제2용제는 동일한 용제이며,
상기 용제는 이소프로필알코올(IPA)를 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 11,
The first solvent and the second solvent are the same solvent,
The solvent is isopropyl alcohol (IPA) substrate processing method. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1용제 공급 단계와 상기 제2용제 공급 단계의 사이에는,
상기 처리 공간을 가압하는 가압 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 11 to 13,
Between the first solvent supply step and the second solvent supply step,
And a pressing step of pressing the processing space. 제14항에 있어서,
상기 가압 단계에는 상기 처리 공간에 가열된 가스를 공급하는 기판 처리 방법.The method of claim 14,
In the pressing step, a substrate processing method for supplying heated gas to the processing space. 처리 공간에 위치된 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 처리 공간에 위치된 상기 기판 상에 처리액을 공급하고,
상기 기판 상의 잔류액을 치환액으로 치환하고,
상기 기판으로부터 상기 치환액을 제거하되,
상기 치환액을 공급할 때에는 상기 처리액을 공급할 때보다 상기 처리 공간의 압력을 더 높게 가압하여 상기 치환액의 표면 장력을 낮추는 기판 처리 방법.A method for processing a substrate positioned in a processing space,
Supplying a processing liquid on the substrate located in the processing space,
The residual liquid on the substrate is replaced with a replacement liquid,
Remove the substitution liquid from the substrate,
When supplying the substitution liquid, the substrate processing method of lowering the surface tension of the substitution liquid by pressing the pressure of the processing space higher than when the treatment liquid is supplied. 제16항에 있어서,
상기 치환액은 유기 용제를 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 16,
The substitution solution is a substrate processing method comprising an organic solvent. 제17항에 있어서,
상기 치환액을 공급할 때에는 상기 처리 공간의 압력이 10 바(bar) 이상이고, 온도가 150 도(℃) 이상으로 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 17,
When the substitution liquid is supplied, the pressure in the processing space is 10 bar or more, and the substrate is processed at a temperature of 150 degrees (° C) or more. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 치환액은 이소프로필알코올(IPA)인 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 17 to 19,
The substitution solution is isopropyl alcohol (IPA) substrate processing method. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간이 형성되는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 처리 공간을 가압하는 가압 유닛과;
상기 액 공급 유닛 및 상기 가압 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
기판이 놓여지는 지지 플레이트와;
상기 지지 플레이트를 회전시키는 회전 구동 부재를 포함하고,
상기 액 공급 유닛은,
상기 지지 플레이트에 놓인 기판 상에 처리액을 공급하는 처리 노즐과;
상기 지지 플레이트에 놓인 기판 상에 유기 용제를 공급하는 린스 노즐을 포함하되,
상기 제어기는 처리액이 공급될 때보다 유기 용제가 공급될 때에 상기 처리 공간의 압력이 높도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 가압 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A chamber in which a processing space is formed;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
A liquid supply unit supplying a liquid on the substrate supported on the substrate support unit;
A pressing unit that pressurizes the processing space;
It includes a controller for controlling the liquid supply unit and the pressure unit,
The substrate support unit,
A support plate on which the substrate is placed;
It includes a rotation drive member for rotating the support plate,
The liquid supply unit,
A processing nozzle for supplying a processing liquid on the substrate placed on the support plate;
A rinse nozzle for supplying an organic solvent on the substrate placed on the support plate,
The controller is a substrate processing apparatus for controlling the liquid supply unit and the pressing unit so that the pressure in the processing space is higher when the organic solvent is supplied than when the processing liquid is supplied. 제20항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 지지 플레이트에 놓인 기판 상에 치환액을 공급하는 치환 노즐을 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 지지 플레이트에 놓인 기판 상에 처리액, 치환액, 그리고 유기 용제가 순차적으로 공급되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하고,
상기 제어기는 치환액이 공급될 때보다 유기 용제가 공급될 때에 상기 처리 공간의 압력이 높도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 가압 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 20,
The liquid supply unit,
Further comprising a displacement nozzle for supplying a displacement liquid on the substrate placed on the support plate,
The controller controls the liquid supply unit so that the processing liquid, the substitution liquid, and the organic solvent are sequentially supplied on the substrate placed on the support plate,
The controller is a substrate processing apparatus for controlling the liquid supply unit and the pressing unit so that the pressure in the processing space is higher when the organic solvent is supplied than when the replacement liquid is supplied. 제21항에 있어서,
상기 가압 유닛은,
상기 챔버에 연결되어 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 유기 용제가 공급될 때의 상기 처리 공간의 압력은 상기 가스 공급 라인으로부터 공급된 가스에 의해 가압되는 기판 처리 장치.The method of claim 21,
The pressing unit,
A gas supply line connected to the chamber to supply gas to the processing space further comprises:
The controller is a substrate processing apparatus wherein the pressure of the processing space when the organic solvent is supplied is pressurized by the gas supplied from the gas supply line. 제22항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
내부에 수용 공간이 형성되며, 상기 린스 노즐과 연결되는 수용 탱크를 더 포함하고,
상기 가압 유닛은,
상기 가스 공급 라인으로부터 분기되어 상기 수용 공간에 가스를 공급하는 분기 라인을 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 처리 공간 및 상기 수용 공간이 함께 가압되도록 상기 가압 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 22,
The liquid supply unit,
An accommodation space is formed inside, and further includes an accommodation tank connected to the rinse nozzle,
The pressing unit,
Further comprising a branch line for branching from the gas supply line for supplying gas to the receiving space,
The controller is a substrate processing apparatus for controlling the pressing unit so that the processing space and the receiving space are pressed together. 제20항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 지지 플레이트에 놓인 기판 상에 제1온도의 치환액을 공급하는 치환 노즐과;
상기 린스 노즐에 공급되는 유기 용제를 제2온도로 가열하는 가열 부재를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 지지 플레이트에 놓인 기판 상에 처리액, 치환액, 그리고 유기 용제가 순차적으로 공급되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하고,
상기 제2온도는 상기 제1온도보다 높은 기판 처리 장치.The method of claim 20,
The liquid supply unit,
A substitution nozzle for supplying a substitution liquid at a first temperature on the substrate placed on the support plate;
Further comprising a heating member for heating the organic solvent supplied to the rinse nozzle to a second temperature,
The controller controls the liquid supply unit so that the processing liquid, the substitution liquid, and the organic solvent are sequentially supplied on the substrate placed on the support plate,
Wherein the second temperature is higher than the first temperature. 제21항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는,
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 공급된 액을 배출하는 배출관과;
상기 처리 공간을 배기하는 배기관을 더 포함하되,
상기 제어기는 치환액을 공급한 이후, 그리고 유기 용제를 공급하기 전에 상기 배출관 및 상기 배기관을 닫는 기판 처리 장치.



The method of any one of claims 21 to 24,
The device,
A discharge pipe for discharging the liquid supplied on the substrate supported by the substrate support unit;
Further comprising an exhaust pipe for exhausting the processing space,
The controller is a substrate processing apparatus that closes the discharge pipe and the exhaust pipe after supplying a replacement liquid and before supplying an organic solvent.



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