KR20200042847A - Processing method of a wafer - Google Patents

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KR20200042847A
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하야토 기우치
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

Provided is a method of processing a wafer, which does not degrade the quality of a device even when the wafer is supported by a substrate to process a rear surface of the wafer. According to the present invention, the method of processing a wafer at least includes: a wafer arrangement and formation step of arranging and forming a release layer (16) having a smaller diameter than a wafer (10) on a top surface of a substrate (18) that has a diameter greater than or equal to a diameter of the wafer (18) while placing one sheet (14) of a polyolefin-based sheet or a polyester-based sheet, which has a diameter greater than or equal to the diameter of the wafer (10), on the top surface of the substrate (18) with the release layer (16) interposed therebetween, and positioning, arranging, and forming a surface (10a) of the wafer (10) on a top surface of the sheet (14); a sheet thermal compression step of decompressing the wafer (10) arranged and formed on the substrate (18) with the sheet (14) interposed therebetween in a sealed environment to heat the sheet (14) while pressurizing the wafer (10) so as to thermally compress the wafer (10) to the substrate (18) with the sheet (14) interposed therebetween; a processing step of processing a rear surface (10b) of the wafer (10); and a separation step of separating the wafer (10) from the sheet (14).

Description

웨이퍼의 가공 방법{PROCESSING METHOD OF A WAFER}Wafer processing method {PROCESSING METHOD OF A WAFER}

본 발명은, 웨이퍼의 이면을 가공하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing method for processing the back surface of a wafer.

IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되고 표면에 형성된 웨이퍼는, 연삭 장치에 의해 이면이 연삭되고 소정의 두께로 가공된 후, 다이싱 장치에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할되고 휴대 전화, PC 등의 전기 기기에 이용된다.A plurality of devices, such as ICs and LSIs, are divided by lines to be divided, and the wafer formed on the surface is divided into individual device chips by a dicing apparatus after the back side is ground by a grinding device and processed to a predetermined thickness. It is used in electric devices such as mobile phones and PCs.

최근, 전기 기기의 소형화, 경량화를 도모하기 위해, 웨이퍼는, 50 ㎛, 30 ㎛ 로 얇게 가공되는 경향이 있다. 이와 같이 얇게 연삭된 웨이퍼가 다음 공정으로 반송될 때에 파손되지 않도록, 웨이퍼를 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 유리 등을 소재로 하여 강성이 얻어질 정도의 두께를 갖게 한 서브스트레이트로 지지하여 웨이퍼의 이면을 연삭하는 기술이 본 출원인에 의해 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 을 참조).In recent years, in order to reduce the size and weight of electrical equipment, wafers tend to be thinly processed into 50 μm and 30 μm. To prevent the thinly ground wafer from being damaged when transported in the next step, the wafer is supported with a substrate made of polyethylene terephthalate (PET), glass, or the like to have a thickness sufficient to obtain stiffness. A technique for grinding a has been proposed by the applicant (for example, see Patent Document 1).

일본 공개특허공보 2004-296839호Japanese Patent Application Publication No. 2004-296839

웨이퍼를 서브스트레이트에 의해 지지할 때, 웨이퍼와 서브스트레이트의 맞댐면에 액상 수지, 왁스 등을 도포하거나, 양면 테이프를 사용하여 첩착 (貼着) 하거나 하는 방법이 취해지고 있다. 그러나, 액상 수지, 왁스, 양면 테이프 등에 의해 웨이퍼를 서브스트레이트로 지지한 경우, 서브스트레이트에 의한 유지력이 충분하다고는 할 수 없고, 웨이퍼의 이면을 연삭할 때에 웨이퍼가 서브스트레이트 상에서 움직여 버려, 연삭 중에 웨이퍼가 파손된다는 문제가 있다. 특히, 디바이스의 표면에 범프라고 칭하는 돌기 전극이 복수 형성되어 있는 경우에는, 돌기 전극에 연삭시의 응력이 집중되어 파손된다는 문제가 있다.When a wafer is supported by a substrate, a method of applying a liquid resin, wax, or the like to the mating surface of the wafer and the substrate, or sticking it using a double-sided tape has been taken. However, when the wafer is supported by a substrate with a liquid resin, wax, double-sided tape, etc., the holding force by the substrate cannot be said to be sufficient, and when grinding the back surface of the wafer, the wafer moves on the substrate, during grinding. There is a problem that the wafer is broken. In particular, in the case where a plurality of projection electrodes called bumps are formed on the surface of the device, there is a problem that the stress at the time of grinding is concentrated on the projection electrode and is damaged.

또한, 연삭이 종료되어 웨이퍼의 표면으로부터 서브스트레이트를 박리하면, 액상 수지, 왁스, 양면 테이프의 풀제 등의 일부가 전극에 부착되어 잔존하여, 웨이퍼로부터 개개로 분할된 후의 디바이스 칩의 품질을 저하시킨다는 문제가 있다.In addition, when the substrate is peeled off from the surface of the wafer after grinding is finished, a part of liquid resin, wax, or double-sided tape glue is adhered to the electrode and remains, deteriorating the quality of the device chip after being individually divided from the wafer. there is a problem.

본 발명은, 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 서브스트레이트에 의해 웨이퍼를 지지하여 웨이퍼의 이면을 가공해도, 디바이스의 품질을 저하시키지 않는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것에 있다.The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical problem is to provide a method for processing a wafer that does not degrade device quality even when the wafer is supported by a substrate to process the back surface of the wafer.

상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면, 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되고 표면에 형성된 웨이퍼의 이면을 가공하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼와 동 직경 이상의 서브스트레이트의 상면에 웨이퍼보다 소직경 (小徑) 의 박리층을 배치 형성함과 함께, 웨이퍼와 동 직경 이상의 폴리올레핀계 시트 또는 폴리에스테르계 시트의 어느 시트를, 그 박리층을 개재하여 서브스트레이트의 상면에 부설하고, 그 시트의 상면에 웨이퍼의 표면을 위치 부여하여 배치 형성하는 웨이퍼 배치 형성 공정과, 그 시트를 개재하여 그 서브스트레이트에 배치 형성된 웨이퍼를 밀폐 환경 내에서 감압하여 그 시트를 가열함과 함께 웨이퍼를 가압하여 그 시트를 개재하여 웨이퍼를 그 서브스트레이트에 열압착하는 시트 열압착 공정과, 웨이퍼의 이면에 가공을 실시하는 가공 공정과, 웨이퍼를 그 시트로부터 박리하는 박리 공정으로 적어도 구성되는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a plurality of devices are divided by a line to be divided, and a wafer processing method for processing the back surface of a wafer formed on a surface, comprising: While forming a release layer having a smaller diameter than the wafer in batch, a sheet of a polyolefin-based sheet or a polyester-based sheet having a diameter equal to or larger than the wafer is placed on the upper surface of the substrate via the release layer, A wafer batch forming step of positioning and placing a wafer surface on an upper surface of the sheet, and a wafer formed on the substrate via the sheet is depressurized in a closed environment to heat the sheet and pressurize the wafer. A sheet thermocompression process in which the wafer is thermocompressed to the substrate via the sheet. , A method of processing a wafer is provided that is configured at least the processing step of the wafer to perform the processing on the back surface of the wafer by the peeling step of peeling from the sheet.

그 박리층은, 종이, 천, 오블라토, 폴리이미드 시트의 적어도 어느 것을 포함할 수 있다. 또, 그 가공 공정에서는, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 가공을 실시할 수 있다.The release layer can include at least any of paper, cloth, oblato, and polyimide sheets. Further, in the processing step, grinding processing for grinding the back surface of the wafer can be performed.

그 폴리올레핀계 시트는, 폴리에틸렌 시트, 폴리프로필렌 시트, 폴리스티렌 시트의 어느 것에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 그 시트 열압착 공정에 있어서, 그 폴리에틸렌 시트가 선택된 경우의 가열 온도는 120 ∼ 140 ℃, 그 폴리프로필렌 시트가 선택된 경우의 가열 온도는 160 ∼ 180 ℃, 그 폴리스티렌 시트가 선택된 경우의 가열 온도는 220 ∼ 240 ℃ 인 것이 바람직하다.It is preferable that the polyolefin-based sheet is made of any one of a polyethylene sheet, a polypropylene sheet, and a polystyrene sheet. In the sheet thermocompression bonding process, the heating temperature when the polyethylene sheet is selected is 120 to 140 ° C, the heating temperature when the polypropylene sheet is selected, 160 to 180 ° C, and the heating temperature when the polystyrene sheet is selected is 220 It is preferable that it is -240 degreeC.

그 폴리에스테르계 시트는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트, 폴리에틸렌나프탈레이트 시트의 어느 것에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 그 시트 열압착 공정에 있어서, 그 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트가 선택된 경우의 가열 온도는 250 ∼ 270 ℃, 그 폴리에틸렌나프탈레이트 시트가 선택된 경우의 가열 온도는 160 ∼ 180 ℃ 인 것이 바람직하다.It is preferable that the polyester sheet is composed of either a polyethylene terephthalate sheet or a polyethylene naphthalate sheet. In the sheet thermocompression bonding step, the heating temperature when the polyethylene terephthalate sheet is selected is preferably 250 to 270 ° C, and the heating temperature when the polyethylene naphthalate sheet is selected is 160 to 180 ° C.

그 시트 열압착 공정에 있어서, 그 시트가 웨이퍼를 둘러싸서 솟아오르도록 웨이퍼를 가압하는 것이 바람직하다.In the sheet thermocompression bonding step, it is preferable to press the wafer so that the sheet rises around the wafer.

본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되고 표면에 형성된 웨이퍼의 이면을 가공하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼와 동 직경 이상의 서브스트레이트의 상면에 웨이퍼보다 소직경의 박리층을 배치 형성함과 함께, 웨이퍼와 동 직경 이상의 폴리올레핀계 시트 또는 폴리에스테르계 시트의 어느 시트를, 그 박리층을 개재하여 서브스트레이트의 상면에 부설하고, 그 시트의 상면에 웨이퍼의 표면을 위치 부여하여 배치 형성하는 웨이퍼 배치 형성 공정과, 그 시트를 개재하여 그 서브스트레이트에 배치 형성된 웨이퍼를 밀폐 환경 내에서 감압하여 그 시트를 가열함과 함께 웨이퍼를 가압하여 그 시트를 개재하여 웨이퍼를 그 서브스트레이트에 열압착하는 시트 열압착 공정과, 웨이퍼의 이면에 가공을 실시하는 가공 공정과, 웨이퍼를 그 시트로부터 박리하는 박리 공정으로 적어도 구성된다. 이로써, 웨이퍼는, 서브스트레이트에 대하여 충분한 유지력으로 지지되어, 웨이퍼의 이면에 연삭 가공이 실시되어도 웨이퍼가 파손되지 않는다. 또, 디바이스의 표면에 돌기 전극 (범프) 이 복수 형성되어 있는 경우에도, 돌기 전극이 시트에 의해 확실하게 유지되어, 연삭시의 응력이 분산되어 파손된다는 문제가 해소된다. 또한, 액상 수지, 왁스, 양면 테이프 등을 사용하지 않고, 시트를 개재하여 열압착에 의해 웨이퍼를 서브스트레이트에 지지시키기 때문에, 액상 수지, 왁스, 양면 테이프의 풀제 등이 디바이스에 부착되어 잔존하지 않아, 디바이스의 품질이 저하된다는 문제도 발생하지 않는다. 또한, 웨이퍼보다 소직경의 박리층을 시트와 서브스트레이트 사이에 배치 형성하고 있으므로, 서브스트레이트로부터 시트를 용이하게 박리할 수 있다.The wafer processing method of the present invention is a wafer processing method in which a plurality of devices are divided by lines to be divided and processed on the back surface of the wafer formed on the surface, and the wafer has a smaller diameter than the wafer on the upper surface of the substrate having the same diameter as the wafer. While forming the release layer, a sheet of a polyolefin-based sheet or a polyester-based sheet having a diameter equal to or greater than that of the wafer is placed on the upper surface of the substrate via the release layer, and the surface of the wafer is placed on the upper surface of the sheet. The wafer batch forming process of positioning and batch-forming, and the wafer formed on the substrate via the sheet are depressurized in a closed environment to heat the sheet, pressurize the wafer, and press the wafer to interpose the wafer. Sheet heat-pressing process to heat-press the substrate and processing on the back side of the wafer It comprises at least a processing step to be performed, and a peeling step to peel the wafer from the sheet. Thereby, the wafer is supported with a sufficient holding force with respect to the substrate, so that the wafer is not damaged even if grinding is performed on the back surface of the wafer. Further, even when a plurality of projection electrodes (bumps) are formed on the surface of the device, the problem that the projection electrodes are reliably held by the sheet and the stress during grinding is dispersed and broken is solved. In addition, since no liquid resin, wax, double-sided tape, or the like is used, and the wafer is supported on the substrate by thermal compression through a sheet, liquid resin, wax, and double-sided tape glue are not attached to the device and do not remain. However, there is no problem that the device quality is deteriorated. In addition, since the release layer having a smaller diameter than the wafer is disposed between the sheet and the substrate, the sheet can be easily peeled from the substrate.

도 1 은 웨이퍼 배치 형성 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 2(a) 는 시트 열압착 공정을 실시하는 열압착 장치의 측면도, (b) 는 시트 열압착 공정에 의해 형성되는 일체화 웨이퍼의 단면도이다.
도 3 은 가공 공정을 실시하는 연삭 장치의 척 테이블에 일체화 웨이퍼를 재치 (載置) 하는 양태를 나타내는 사시도이다.
도 4 는 연삭 장치를 사용한 연삭 가공의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 5(a) 는 박리용의 유지 수단에 일체화 웨이퍼를 재치하는 양태를 나타내는 사시도, (b) 는 웨이퍼로부터 서브스트레이트를 박리하는 박리 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing an embodiment of a wafer batch forming process.
Fig. 2 (a) is a side view of a thermocompression bonding device that performs a sheet thermocompression bonding process, and (b) is a cross-sectional view of an integrated wafer formed by a sheet thermocompression bonding process.
3 is a perspective view showing an embodiment of placing an integrated wafer on a chuck table of a grinding device that performs a processing step.
4 is a perspective view showing an embodiment of a grinding process using a grinding device.
Fig. 5 (a) is a perspective view showing an embodiment in which the integrated wafer is placed on the holding means for peeling, and (b) is a perspective view showing an embodiment of a peeling process for peeling the substrate from the wafer.

이하, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법에 관련된 실시형태에 대해 첨부 도면을 참조하여, 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment concerning the wafer processing method of this invention is demonstrated in detail, referring an accompanying drawing.

도 1(a) 에는, 복수의 디바이스 (11) 가 분할 예정 라인 (12) 에 의해 구획되고 표면 (10a) 에 형성된 웨이퍼 (10) 가 나타나 있다. 본 실시형태에 있어서, 웨이퍼 (10) 는, 그 이면 (10b) 이 가공된다.In Fig. 1 (a), a wafer 10 in which a plurality of devices 11 are divided by a division scheduled line 12 and formed on the surface 10a is shown. In this embodiment, the back surface 10b of the wafer 10 is processed.

본 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법을 실행할 때, 먼저, 상기한 웨이퍼 (10) 와, 시트 (14) 와, 박리층 (16) 과, 서브스트레이트 (18) 를 준비한다. 시트 (14) 는, 웨이퍼 (10) 와 동 직경 이상의 시트이고, 폴리올레핀계 시트, 또는 폴리에스테르계 시트 중 어느 것에서 선택되고, 본 실시형태에서는, 폴리에틸렌 (PE) 시트가 선택된다. 박리층 (16) 은, 웨이퍼 (10) 보다 소직경의 원형상의 시트이고, 점착성을 갖지 않는 박막의 소재, 예를 들어 종이가 선택된다. 서브스트레이트 (18) 는, 웨이퍼 (10) 에 대하여 동 직경 이상의 원형상을 이루고, 예를 들어, 유리판이 선택된다. 또한, 박리층 (16) 은, 종이로 한정되지 않고, 천, 오블라토, 폴리이미드 시트에서 선택되어도 된다. 또, 서브스트레이트 (18) 는 유리로 한정되지 않고, 후술하는 열압착 공정에 있어서도 열 영향을 받지 않고 연화되지 않는 합성 수지, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 로 형성되어도 된다.When performing the wafer processing method of the present embodiment, first, the above-described wafer 10, sheet 14, release layer 16, and substrate 18 are prepared. The sheet 14 is a sheet having a diameter equal to or larger than that of the wafer 10, and is selected from either a polyolefin sheet or a polyester sheet, and in this embodiment, a polyethylene (PE) sheet is selected. The release layer 16 is a circular sheet having a smaller diameter than the wafer 10, and a thin film material having no tackiness, for example, paper, is selected. The substrate 18 forms a circular shape with a diameter equal to or greater than that of the wafer 10, and, for example, a glass plate is selected. Further, the release layer 16 is not limited to paper, and may be selected from cloth, oblato, and polyimide sheets. Further, the substrate 18 is not limited to glass, and may be formed of a synthetic resin that is not affected by heat and softened, for example, polyethylene terephthalate (PET) in the thermocompression bonding process described later.

(웨이퍼 배치 형성 공정)(Wafer batch forming process)

웨이퍼 배치 형성 공정을 실시할 때, 먼저, 후술하는 열압착 공정을 실시하는 열압착 장치 (30) (도 2 를 참조) 의 유지 수단이 되는 히터 테이블 (20) 의 테이블 표면 (22) 에 서브스트레이트 (18) 를 재치한다. 테이블 표면 (22) 은, 평탄면이며, 히터 테이블 (20) 의 내부에는, 도시되지 않은 전기 히터와 온도 센서가 내장되어 있다. 히터 테이블 (20) 의 표면 (22) 에 재치된 서브스트레이트 (18) 상에 박리층 (16) 을 배치 형성한다. 박리층 (16) 을 배치 형성할 때에는, 서브스트레이트 (18) 의 중심과 박리층 (16) 의 중심을 합치시키는 것이 바람직하다. 상기한 바와 같이, 서브스트레이트 (18) 는 웨이퍼 (10) 에 대하여 동 직경 이상으로 형성되고, 박리층 (16) 은 웨이퍼 (10) 보다 소직경으로 형성되어 있으므로, 박리층 (16) 의 외측에는, 서브스트레이트 (18) 가 노출되는 상태가 된다.When performing the wafer batch forming process, first, the substrate surface 22 of the heater table 20 serving as a holding means of the thermocompression device 30 (refer to FIG. 2), which performs a thermocompression bonding process described later, is subjected to a substrate. (18) is mounted. The table surface 22 is a flat surface, and an electric heater and a temperature sensor (not shown) are incorporated inside the heater table 20. The release layer 16 is disposed on the substrate 18 placed on the surface 22 of the heater table 20. When the release layer 16 is arranged, it is preferable to match the center of the substrate 18 and the center of the release layer 16. As described above, since the substrate 18 is formed with a diameter equal to or greater than that of the wafer 10, and the release layer 16 is formed with a smaller diameter than the wafer 10, outside the release layer 16 , The substrate 18 is exposed.

서브스트레이트 (18) 상에 박리층 (16) 을 배치 형성했으면, 또한 그 위에, 시트 (14) (폴리에틸렌 시트) 를 부설한다. 시트 (14) 를 서브스트레이트 (18) 상에 부설할 때에도, 쌍방의 중심을 일치시킨다. 상기한 바와 같이, 박리층 (16) 은 웨이퍼 (10) 보다 소직경으로 형성되고, 시트 (14) 는, 웨이퍼 (10) 에 대하여 동 직경 이상의 원형상으로 형성되어 있다. 따라서, 서브스트레이트 (18) 상에 시트 (14) 를 부설할 때에는, 그 중심 영역에 박리층 (16) 이 개재하여, 시트 (14) 의 외주가 서브스트레이트 (18) 의 외주에 직접 접촉하는 상태가 된다. 그리고, 시트 (14) 의 상면에, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 을 위치 부여하여 이면 (10b) 이 상방에 노출되도록 배치 형성한다. 이상에 의해, 웨이퍼 배치 형성 공정이 완료된다.When the release layer 16 is disposed on the substrate 18, a sheet 14 (polyethylene sheet) is also laid thereon. Even when the sheet 14 is laid on the substrate 18, the centers of both sides are aligned. As described above, the release layer 16 is formed with a smaller diameter than the wafer 10, and the sheet 14 is formed in a circular shape with a diameter equal to or greater than that of the wafer 10. Therefore, when the sheet 14 is laid on the substrate 18, the release layer 16 is interposed in the center region thereof, so that the outer circumference of the sheet 14 directly contacts the outer circumference of the substrate 18. Becomes Then, the top surface of the sheet 14 is placed on the top surface 10a of the wafer 10 to be disposed so that the back surface 10b is exposed upward. The wafer batch forming process is completed by the above.

(열압착 공정)(Thermal compression process)

상기한 웨이퍼 배치 형성 공정이 완료되었으면, 이어서 열압착 공정을 실시한다. 열압착 공정은, 시트 (14) 를 개재하여 서브스트레이트 (18) 에 배치 형성된 웨이퍼 (10) 를 밀폐 환경 내에서 감압하여 시트 (14) 를 가열함과 함께 웨이퍼 (10) 를 가압하여 시트 (14) 를 개재하여 웨이퍼 (10) 를 서브스트레이트 (18) 에 열압착하는 공정이다. 도 2 를 참조하면서, 그 시트 열압착 공정을 실시하는 열압착 장치 (30) 의 기능, 작용에 대해 설명한다.When the above-described wafer batch forming process is completed, a thermocompression bonding process is then performed. In the thermocompression bonding step, the wafer 10 placed on the substrate 18 is interposed under the pressure of the sheet 14 to reduce the pressure in the sealed environment, and the sheet 14 is heated, and the wafer 10 is pressed against the sheet 14. ) Is a process of thermocompression bonding the wafer 10 to the substrate 18. Referring to Fig. 2, the function and operation of the thermocompression bonding device 30 that performs the sheet thermocompression bonding process will be described.

열압착 장치 (30) 는, 상기한 전기 히터, 및 온도 센서 (모두 도시는 생략한다) 를 내장하는 히터 테이블 (20) 과, 히터 테이블 (20) 이 재치 고정되는 지지 기대 (32) 와, 지지 기대 (32) 에 형성되는 흡인공 (34) 과, 히터 테이블 (20) 을 포함하는 지지 기대 (32) 상의 공간 (S) 을 밀폐 공간으로 하기 위한 밀폐 커버 부재 (36) 를 구비한다. 또한, 밀폐 커버 부재 (36) 는, 지지 기대 (32) 의 상면 전체를 덮는 박스형 부재이지만, 열압착 장치 (30) 의 측면도를 나타내는 도 2(a) 에서는, 내부의 구성을 설명하는 형편상, 밀폐 커버 부재 (36) 만 단면을 나타내고 있다.The thermocompression device 30 includes a heater table 20 incorporating the above-described electric heater and a temperature sensor (both not shown), a support base 32 to which the heater table 20 is fixed, and a support. The suction cover 34 formed in the base 32 and the sealing cover member 36 for making the space S on the support base 32 including the heater table 20 into a closed space are provided. In addition, although the sealing cover member 36 is a box-shaped member which covers the entire upper surface of the support base 32, in FIG. 2 (a) showing a side view of the thermocompression bonding device 30, for convenience of explaining the internal structure, Only the sealing cover member 36 has a cross section.

밀폐 커버 부재 (36) 의 상벽 (36a) 의 중앙에는, 가압 부재 (38) 의 지지축 (38a) 이 관통하고, 화살표 Z 로 나타내는 상하 방향으로 진퇴시키기 위한 개구 (36b) 가 형성되어 있다. 개구 (36b) 의 주위에는, 지지축 (38a) 을 상하로 진퇴시키면서, 밀폐 커버 부재 (36) 의 공간 (S) 을 외부와 차단하여 밀폐 환경으로 하기 위해, 시일 구조 (36c) 가 형성된다. 지지축 (38a) 의 하단에는, 가압 플레이트 (38b) 가 배치 형성되어 있다. 가압 플레이트 (38b) 는, 적어도 웨이퍼 (10) 보다 대직경 (大徑) 의 원반 형상으로 형성되고, 바람직하게는 히터 테이블 (20) 과 동 직경 정도의 치수로 설정된다. 밀폐 커버 부재 (36) 의 하단면에는, 전체 둘레에 걸쳐서 적절히 탄성 시일 부재가 배치 형성되면 된다 (도시는 생략한다). 또, 가압 부재 (38) 의 상방에는, 가압 부재 (38) 를 상하 방향으로 진퇴시키기 위한 도시되지 않은 구동 수단이 배치 형성된다.In the center of the upper wall 36a of the sealing cover member 36, a support shaft 38a of the pressing member 38 penetrates, and an opening 36b for advancing and retreating in the vertical direction indicated by the arrow Z is formed. A seal structure 36c is formed around the opening 36b so as to move the support shaft 38a up and down and block the space S of the hermetic cover member 36 from the outside to form a sealed environment. The pressure plate 38b is arrange | positioned at the lower end of the support shaft 38a. The pressure plate 38b is formed in a disc shape having a larger diameter than at least the wafer 10, and is preferably set to a dimension of about the same diameter as the heater table 20. An elastic seal member may be appropriately disposed on the lower end surface of the hermetic cover member 36 over the entire circumference (not shown). Further, on the upper side of the pressing member 38, driving means (not shown) for moving the pressing member 38 up and down is provided.

상기한 웨이퍼 배치 형성 공정에 의해 웨이퍼 (10) 가 재치된 히터 테이블 (20) 을 포함하는 지지 기대 (32) 상에, 밀폐 커버 부재 (36) 를 하강시켜, 공간 (S) 을 밀폐 환경으로 한다. 이 때, 가압 플레이트 (38b) 는, 도 2(a) 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (10) 의 상면에 접촉하지 않는 상방 위치로 끌어 올려져 있다.The sealing cover member 36 is lowered on the support base 32 including the heater table 20 on which the wafer 10 is placed by the above-described wafer batch forming process, thereby making the space S a closed environment. . At this time, as shown in Fig. 2 (a), the pressure plate 38b is pulled up to an upper position not in contact with the upper surface of the wafer 10.

밀폐 커버 부재 (36) 의 내부에 형성되는 공간 (S) 이 밀폐 환경이 되었으면, 도시되지 않은 흡인 수단을 작동하여, 흡인공 (34) 을 통하여 공간 (S) 의 공기를 흡인하고, 웨이퍼 (10) 를 포함하는 영역을 진공에 가까운 상태까지 감압한다. 이것과 동시에, 히터 테이블 (20) 에 내장된 도시되지 않은 전기 히터, 및 온도 센서를 작동하여, 히터 테이블 (20) 의 표면 (22) 의 온도를 제어한다. 구체적으로는, 시트 (14) 를 구성하는 폴리에틸렌 시트를 용융 온도 근방의 120 ∼ 140 ℃ 가 되도록 가열한다. 또한, 도시되지 않은 구동 수단을 작동하여 가압 플레이트 (38b) 를 화살표 Z 로 나타내는 방향으로 하강시켜 웨이퍼 (10) 의 상면 전체를 균등한 힘으로 가압한다. 웨이퍼 (10) 를 수용하고 있는 공간 (S) 은 진공에 가까운 상태까지 감압되어 있고, 웨이퍼 (10), 시트 (14), 박리층 (16), 및 서브스트레이트 (18) 의 각 맞댐면으로부터 적절히 공기가 흡인되어 제거된다. 그리고, 시트 (14) 는, 상기한 시트 (14) 의 용융 온도 근방 (120 ∼ 140 ℃) 까지 가열됨으로써 연화되면서, 점착성을 발휘하고, 웨이퍼 (10), 시트 (14), 박리층 (16), 및 서브스트레이트 (18) 가, 도 2(b) 에 단면도로 나타내는 상태에서 열압착된다. 박리층 (16) 은 가열되어도 점착성을 발휘하지 않는 소재 (종이) 가 선택되어 있고, 박리층 (16) 의 배치 형성 위치는 대략 진공 상태가 되어, 시트 (14) 와 서브스트레이트 (18) 는, 외주 영역에서 열압착된다. 또한, 이 때, 가압 플레이트 (38b) 에 의해 웨이퍼 (10) 가 가압됨으로써, 도 2(b) 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (10) 의 바로 아래에 배치 형성되고 연화된 시트 (14) 의 외주가 솟아오르고, 웨이퍼 (10) 의 외주를 둘러싸는 솟아오름부 (14a) 가 형성되어, 웨이퍼 (10) 가 보다 강고히 고정된다. 이와 같이 하여 열압착 공정이 완료되고, 웨이퍼 (10), 시트 (14), 박리층 (16), 서브스트레이트 (18) 가 일체로 된 일체화 웨이퍼 (W) 가 형성된다.When the space S formed inside the sealing cover member 36 becomes a closed environment, suction means (not shown) are operated to suck air in the space S through the suction hole 34, and the wafer 10 ) Is depressurized to a state close to vacuum. At the same time, an electric heater (not shown) and a temperature sensor built in the heater table 20 are operated to control the temperature of the surface 22 of the heater table 20. Specifically, the polyethylene sheet constituting the sheet 14 is heated to be 120 to 140 ° C near the melting temperature. In addition, the driving means (not shown) is operated to lower the pressing plate 38b in the direction indicated by the arrow Z to press the entire upper surface of the wafer 10 with equal force. The space S accommodating the wafer 10 is depressurized to a state close to vacuum, and is appropriately applied from each abutting surface of the wafer 10, sheet 14, release layer 16, and substrate 18. Air is sucked and removed. Then, the sheet 14 is softened by heating to the vicinity of the melting temperature of the above-mentioned sheet 14 (120 to 140 ° C), while exhibiting tackiness, and the wafer 10, the sheet 14, and the release layer 16 , And the substrate 18 are thermocompressed in the state shown in sectional view in Fig. 2 (b). The release layer 16 is selected from a material (paper) that does not exhibit tackiness even when heated, and the position where the release layer 16 is disposed is approximately vacuum, so that the sheet 14 and the substrate 18 are, It is thermocompressed in the outer peripheral area. At this time, the wafer 10 is pressed by the pressing plate 38b, and as shown in Fig. 2 (b), the outer periphery of the sheet 14 formed and softened under the wafer 10 is softened. It rises and the raised part 14a surrounding the outer periphery of the wafer 10 is formed, and the wafer 10 is fixed more firmly. Thus, the thermocompression bonding process is completed, and the integrated wafer W in which the wafer 10, the sheet 14, the release layer 16, and the substrate 18 are integrated is formed.

(가공 공정)(Manufacturing process)

상기한 열압착 공정이 완료되고, 일체화 웨이퍼 (W) 가 형성되었으면, 웨이퍼 (10) 의 이면을 가공하는 가공 공정을 실시한다. 본 실시형태의 가공 공정은, 이면 (10b) 을 연삭하는 연삭 가공을 실시하는 것이고, 도 3, 도 4 를 참조하면서 보다 구체적으로 설명한다.When the above-described thermocompression bonding process is completed and the integrated wafer W is formed, a processing step for processing the back surface of the wafer 10 is performed. The machining step of the present embodiment is to perform grinding processing for grinding the back surface 10b, and will be described in more detail with reference to FIGS. 3 and 4.

도 3 에는, 연삭 장치 (50) (일부만 나타내고 있다) 의 척 테이블 (52) 이 나타나 있고, 척 테이블 (52) 의 상면은, 통기성을 갖는 포러스 세라믹스로 이루어지는 흡착 척 (54) 으로 구성되어 있다. 이 흡착 척 (54) 상에, 일체화 웨이퍼 (W) 의 서브스트레이트 (18) 측을 아래로 하여 재치한다. 흡착 척 (54) 상에 일체화 웨이퍼 (W) 를 재치했으면, 척 테이블 (52) 에 접속된 도시되지 않은 흡인 수단을 작동하여, 일체화 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다.In Fig. 3, the chuck table 52 of the grinding device 50 (only a part is shown) is shown, and the upper surface of the chuck table 52 is composed of an adsorption chuck 54 made of porous ceramics having breathability. On the adsorption chuck 54, the substrate 18 side of the integrated wafer W is placed face down. When the integrated wafer W is placed on the adsorption chuck 54, the unillustrated suction means connected to the chuck table 52 is operated to hold and hold the integrated wafer W.

도 4 에 나타내는 바와 같이, 연삭 장치 (50) 는, 척 테이블 (52) 상에 흡인 유지되는 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 연삭하여 박화 (薄化) 하기 위한 연삭 수단 (60) 을 구비하고 있다. 연삭 수단 (60) 은, 도시되지 않은 회전 구동 기구에 의해 회전되는 회전 스핀들 (62) 과, 회전 스핀들 (62) 의 하단에 장착된 마운터 (64) 와, 마운터 (64) 의 하면에 장착되는 연삭휠 (66) 을 구비하고, 연삭휠 (66) 의 하면에는 복수의 연삭 지석 (68) 이 환상으로 배치 형성되어 있다.As shown in FIG. 4, the grinding device 50 is provided with grinding means 60 for grinding and thinning the back surface 10b of the wafer 10 held by suction on the chuck table 52. Doing. The grinding means 60 includes a rotating spindle 62 rotated by a rotation drive mechanism (not shown), a mounter 64 mounted on the lower end of the rotating spindle 62, and a grinding wheel mounted on the lower surface of the mounter 64. A wheel 66 is provided, and a plurality of grinding wheels 68 are arranged in an annular shape on the lower surface of the grinding wheel 66.

일체화 웨이퍼 (W) 를 척 테이블 (52) 상에 흡인 유지했으면, 연삭 수단 (60) 의 회전 스핀들 (62) 을 도 4 에 있어서 화살표 R1 로 나타내는 방향으로, 예를 들어 6000 rpm 으로 회전시키면서, 척 테이블 (52) 을 도 4 에 있어서 화살표 R2 로 나타내는 방향으로, 예를 들어 300 rpm 으로 회전시킨다. 그리고, 도시되지 않은 연삭수 공급 수단에 의해, 연삭수를 일체화 웨이퍼 (W) 의 상면에 노출된 웨이퍼 (10) 에 공급하면서, 연삭 지석 (68) 을 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 에 접촉시키고, 연삭 지석 (68) 을 지지하는 연삭휠 (66) 을, 예를 들어 1 ㎛/초의 연삭 이송 속도로 하방을 향하여 연삭 이송한다. 이 때, 도시되지 않은 두께 검출 장치에 의해 웨이퍼 (10) 의 두께를 측정하면서 연삭을 진행할 수 있고, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 소정량 연삭하고, 웨이퍼 (10) 를 소정의 두께 (예를 들어, 50 ㎛) 로 하여, 연삭 수단 (60) 을 정지한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 연삭하는 가공 공정이 완료된다. 상기한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 웨이퍼 (10) 를 폴리에틸렌 시트로 이루어지는 시트 (14) 를 개재하여 열압착에 의해 서브스트레이트 (18) 에 지지시키고 있다. 이로써 충분한 유지력이 발휘되어, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 에 대하여 연삭 가공을 실시해도 웨이퍼 (10) 가 움직이지 않기 때문에, 파손되는 것이 방지된다. 특히, 본 실시형태에서는, 시트 (14) 를 개재하여 웨이퍼 (10) 를 서브스트레이트 (18) 에 열압착할 때에, 시트 (14) 의 외주에 웨이퍼 (10) 를 둘러싸는 솟아오름부 (14a) 를 형성하고 있고, 이로써 웨이퍼 (10) 를 유지하는 유지력을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼 (10) 를, 서브스트레이트 (18) 에 대하여, 시트 (14) 를 개재하여 지지시키고 있으므로, 디바이스 (11) 의 표면에 돌기 전극이 복수 형성되어 있는 경우라도, 그 돌기 전극이 시트 (14) 에 의해 확실하게 유지되어, 연삭시의 응력이 분산되어 돌기 전극이 파손된다는 문제가 해소된다.If the integrated wafer W is sucked and held on the chuck table 52, the rotating spindle 62 of the grinding means 60 is rotated in the direction indicated by arrow R1 in Fig. 4, for example, at 6000 rpm. The table 52 is rotated in the direction indicated by arrow R2 in Fig. 4, for example, at 300 rpm. Then, the grinding wheel 68 is brought into contact with the back surface 10b of the wafer 10 while supplying the grinding water to the wafer 10 exposed on the upper surface of the integrated wafer W by the grinding water supply means (not shown). Then, the grinding wheel 66 supporting the grinding wheel 68 is grinded and conveyed downward at a grinding feed rate of 1 µm / sec, for example. At this time, grinding can be performed while measuring the thickness of the wafer 10 by a thickness detecting device (not shown), the back surface 10b of the wafer 10 is ground by a predetermined amount, and the wafer 10 has a predetermined thickness ( For example, 50 µm) is used to stop the grinding means 60. In this way, a processing step for grinding the back surface 10b of the wafer 10 is completed. As described above, in the present embodiment, the wafer 10 is supported on the substrate 18 by thermocompression bonding through a sheet 14 made of a polyethylene sheet. Thereby, sufficient holding force is exhibited, and even if grinding is performed on the back surface 10b of the wafer 10, the wafer 10 does not move, so that damage is prevented. In particular, in the present embodiment, when the wafer 10 is heat-pressed to the substrate 18 via the sheet 14, the raised portion 14a surrounding the wafer 10 on the outer circumference of the sheet 14 Is formed, whereby the holding force for holding the wafer 10 can be further improved. In addition, since the wafer 10 is supported with respect to the substrate 18 via the sheet 14, even when a plurality of projection electrodes are formed on the surface of the device 11, the projection electrode is provided with the sheet ( By 14), the problem that the projection electrode is broken due to dispersion of stress during grinding is solved.

(박리 공정)(Peeling process)

상기한 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 가공하는 가공 공정이 완료되었으면, 연삭 장치 (50) 로부터 일체화 웨이퍼 (W) 를 반출하여, 도 5(a) 에 나타내는 박리 공정을 실시하기 위한 유지 수단 (70) 에 반송한다. 유지 수단 (70) 의 상면은 상기한 척 테이블 (52) 과 동일하게, 통기성을 갖는 흡착 척 (72) 에 의해 형성되어 있고, 도시되지 않은 흡인 수단이 접속되어 있다.When the processing step of processing the back surface 10b of the wafer 10 is completed, the holding means for carrying out the peeling process shown in Fig. 5 (a) by taking out the integrated wafer W from the grinding device 50 (70). The upper surface of the holding means 70 is formed by the adsorption chuck 72 having air permeability similar to the chuck table 52 described above, and suction means (not shown) are connected.

유지 수단 (70) 에 반송된 일체화 웨이퍼 (W) 는, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 측을 아래로 하고, 서브스트레이트 (18) 를 상방을 향하게 하여 흡착 척 (72) 상에 재치된다. 흡착 척 (72) 에 일체화 웨이퍼 (W) 가 재치되었으면, 도시되지 않은 흡인 수단을 작동하여, 일체화 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다.The integrated wafer W conveyed to the holding means 70 is placed on the adsorption chuck 72 with the substrate 18 facing downward and the substrate 18 facing upward. When the integrated wafer W is placed on the adsorption chuck 72, suction means (not shown) are operated to hold and hold the integrated wafer W.

유지 수단 (70) 에 일체화 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지했으면, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 일체화 웨이퍼 (W) 중, 웨이퍼 (10) 를 유지 수단 (70) 에 남긴 상태에서, 서브스트레이트 (18), 박리층 (16), 시트 (14) 를 박리한다. 이 때, 일체화 웨이퍼 (W) 를 가열하거나, 또는 냉각시키는 것이 바람직하다. 시트 (14) 는, 상기한 바와 같이 가열함으로써 연화되므로, 점착력이 있어도 웨이퍼 (10) 로부터 박리되기 쉬운 상태가 된다. 또, 냉각시킴으로써, 시트 (14) 가 경화되어 점착력이 저하되므로, 냉각시킴으로써도, 박리되기 쉬운 상태가 된다. 박리 공정을 실시할 때에, 가열, 냉각 중 어느 것을 실시해야 하는지에 대해서는, 시트 (14) 를 구성하는 소재나 시트 (14) 의 점착력 등을 고려하여 선택할 수 있다. 또한, 도 5(b) 에서는, 일체화 웨이퍼 (W) 중, 서브스트레이트 (18), 박리층 (16), 시트 (14) 가 일체로 된 상태에서 박리되는 상태를 나타내고 있지만, 반드시 일체적으로 박리하는 것에 한정되지 않고, 먼저 서브스트레이트 (18) 만을 박리하고, 그 후, 박리층 (16) 과 시트 (14) 를 함께 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 으로부터 박리하도록 해도 된다. 이상에 의해, 박리 공정이 완료된다.If the integrated wafer W is sucked and held by the holding means 70, as shown in Fig. 5 (b), in the state where the wafer 10 is left in the holding means 70 of the integrated wafer W, the substrate (18), the release layer 16 and the sheet 14 are peeled off. At this time, it is preferable to heat or cool the integrated wafer W. Since the sheet 14 is softened by heating as described above, it is in a state in which it is easy to peel off from the wafer 10 even if there is adhesive strength. In addition, since the sheet 14 is cured by cooling, and the adhesive strength is lowered, the sheet 14 is easily peeled even by cooling. When performing the peeling process, which of heating and cooling should be performed can be selected in consideration of the material constituting the sheet 14, the adhesive force of the sheet 14, and the like. 5 (b) shows the state in which the substrate 18, the release layer 16, and the sheet 14 are separated in an integral state among the integrated wafers W, but must be integrally separated. It is not limited to that, and only the substrate 18 may be peeled off first, and then the peeling layer 16 and the sheet 14 may be peeled off from the surface 10a of the wafer 10 together. The peeling process is completed by the above.

본 실시형태에 있어서는, 액상 수지, 왁스, 양면 테이프 등을 사용하지 않고, 가열함으로써 점착력을 발휘하는 시트 (14) 를 개재하여 웨이퍼 (10) 를 서브스트레이트 (18) 에 지지시키고 있다. 이로써, 웨이퍼 (10) 로부터, 시트 (14) 를 박리해도, 돌기 전극을 구성하는 범프 주변에 액상 수지, 왁스, 양면 테이프의 풀제 등이 부착되어 잔존하는 문제가 발생하지 않아, 디바이스의 품질을 저하시키지 않는다. 또한, 시트 (14) 와 서브스트레이트 (18) 사이에, 웨이퍼 (10) 보다 소직경의 박리층 (16) 을 진공 상태에서 개재시켜 외주만 열압착했으므로, 서브스트레이트 (18) 로부터 시트 (14) 를 박리하는 과정에서 박리층 (16) 의 영역에 공기가 들어가고, 열압착된 시트 (14) 를 용이하게 박리시킬 수 있어, 작업성이 향상된다.In the present embodiment, the wafer 10 is supported on the substrate 18 via a sheet 14 that exhibits adhesive force by heating without using a liquid resin, wax, double-sided tape, or the like. In this way, even if the sheet 14 is peeled from the wafer 10, liquid resin, wax, or a double-sided tape glue, etc., adhere to the bumps constituting the protruding electrode, and the problem of remaining does not occur, deteriorating the device quality. Do not order. In addition, between the sheet 14 and the substrate 18, the release layer 16 of a smaller diameter than the wafer 10 was interposed in a vacuum state, and only the outer circumference was thermally compressed, so that the sheet 14 was transferred from the substrate 18. In the process of peeling off, air enters the area of the peeling layer 16, and the heat-pressed sheet 14 can be easily peeled off, thereby improving workability.

또한, 상기한 실시형태에서는, 시트 (14) 를 폴리에틸렌 시트에 의해 구성했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 액상 수지, 양면 테이프, 왁스 등을 사용하지 않고 웨이퍼 (10) 를 서브스트레이트 (18) 에 지지 가능한 시트 (14) 로서, 폴리올레핀계 시트, 폴리에스테르계 시트 중에서 적절히 선택할 수 있다. 폴리올레핀계 시트로는, 상기한 폴리에틸렌 시트 외에, 예를 들어, 폴리프로필렌 (PP) 시트, 폴리스티렌 (PS) 시트를 선택할 수 있다. 또, 폴리에스테르계 시트로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 시트, 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 시트를 선택할 수 있다.In the above-described embodiment, the sheet 14 is composed of a polyethylene sheet, but the present invention is not limited to this. As the sheet 14 capable of supporting the wafer 10 on the substrate 18 without using liquid resin, double-sided tape, wax, or the like, it can be appropriately selected from polyolefin-based sheets and polyester-based sheets. As the polyolefin-based sheet, in addition to the above-mentioned polyethylene sheet, for example, a polypropylene (PP) sheet or a polystyrene (PS) sheet can be selected. Moreover, as a polyester type sheet, a polyethylene terephthalate (PET) sheet and a polyethylene naphthalate (PEN) sheet can be selected, for example.

상기한 실시형태에서는, 시트 열압착 공정에 있어서 시트 (14) 를 가열할 때의 온도를, 폴리에틸렌 시트의 융점 근방의 온도 (120 ∼ 140 ℃) 로 설정했지만, 상기한 바와 같이, 시트 (14) 로서 다른 시트를 선택하여 구성하는 경우에는, 선택한 시트의 소재의 융점 근방의 온도가 되도록 가열하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 시트 (14) 를 폴리프로필렌 시트로 구성하는 경우에는, 가열할 때의 온도 설정을 160 ∼ 180 ℃ 로 하고, 시트 (14) 를 폴리스티렌 시트로 구성하는 경우에는, 가열할 때의 온도를 220 ∼ 240 ℃ 로 하는 것이 바람직하다. 또, 시트 (14) 를 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트로 구성하는 경우에는, 가열할 때의 온도를 250 ∼ 270 ℃ 로 하고, 시트 (14) 를 폴리에틸렌나프탈레이트 시트로 구성하는 경우에는, 가열할 때의 온도를 160 ∼ 180 ℃ 로 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 상기한 바와 같이 서브스트레이트 (18) 를 합성 수지로 구성하는 경우에는, 열압착시에 열 영향을 받지 않을 것이 요구된다. 따라서, 시트 (14) 를 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트로 구성하는 경우에는, 서브스트레이트 (18) 를 유리로 구성하는 것이 바람직하다.In the above-described embodiment, the temperature at the time of heating the sheet 14 in the sheet thermocompression bonding step was set to a temperature (120 to 140 ° C) near the melting point of the polyethylene sheet, but as described above, the sheet 14 In the case of selecting and configuring another sheet, it is preferable to heat it to a temperature near the melting point of the material of the selected sheet. For example, in the case where the sheet 14 is made of a polypropylene sheet, the temperature setting during heating is set to 160 to 180 ° C., and when the sheet 14 is made of a polystyrene sheet, the temperature for heating. It is preferable to make 220-240 degreeC. In addition, when the sheet 14 is composed of a polyethylene terephthalate sheet, the temperature at the time of heating is 250 to 270 ° C, and when the sheet 14 is composed of a polyethylene naphthalate sheet, the temperature at the time of heating It is preferable to set to 160-180 degreeC. In addition, when the substrate 18 is made of synthetic resin as described above, it is required not to be affected by heat during thermal compression. Therefore, when the sheet 14 is composed of a polyethylene terephthalate sheet, the substrate 18 is preferably made of glass.

상기한 실시형태에서는, 박리층 (16) 을 원형상으로 형성했지만, 반드시 원형일 필요는 없고, 웨이퍼 (10) 보다 소직경이고, 시트 (14) 와 서브스트레이트 (18) 가 외주 영역에서 접착 가능한 형상이면 그 형상은 특별히 한정되지 않는다.In the above-mentioned embodiment, although the release layer 16 was formed in a circular shape, it is not necessarily circular, it is smaller in diameter than the wafer 10, and the sheet 14 and the substrate 18 can be adhered in the outer circumferential region. If it is a shape, the shape is not particularly limited.

상기한 실시형태에서는, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 가공하는 가공 공정으로서, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 연삭하는 연삭 가공을 실시하는 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 연마하는 연마 공정을 실시하는 것, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 으로부터 절삭 블레이드에 의해 절삭 가공을 실시하는 것, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 으로부터 레이저 광선을 조사하는 레이저 가공을 실시하는 것 등에 적용해도 된다.In the above-described embodiment, as the processing step for processing the back surface 10b of the wafer 10, a case has been described in which the grinding process for grinding the back surface 10b of the wafer 10 is performed. Without being limited, a polishing process for polishing the back surface 10b of the wafer 10 is performed, a cutting process is performed with a cutting blade from the back surface 10b of the wafer 10, and a back surface of the wafer 10 (10b) may be applied to, for example, laser processing for irradiating a laser beam.

또, 상기한 실시형태에서는, 도 2(a) 에 나타낸 장치에 의해 열압착을 실시했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고, 도시되지 않은 가열 수단을 구비한 롤러를 사용하여, 웨이퍼 (10) 측의 전체면을 가압하면서, 시트 (14) 를 원하는 온도로 가열하여, 시트 (14) 를 개재하여 웨이퍼 (10), 및 서브스트레이트 (18) 를 열압착하는 시트 열압착 공정을 실시하는 것도 가능하다.Moreover, in the above-described embodiment, thermocompression bonding was performed by the apparatus shown in Fig. 2 (a), but the present invention is not limited to this, and the wafer 10 is provided using a roller provided with heating means not shown. It is also possible to perform a sheet heat-pressing step of heating the sheet 14 to a desired temperature while pressing the entire surface of the side, and heat-pressing the wafer 10 and the substrate 18 via the sheet 14. Do.

10 : 웨이퍼
11 : 디바이스
12 : 분할 예정 라인
14 : 시트
16 : 박리층
18 : 서브스트레이트
20 : 히터 테이블
30 : 열압착 장치
32 : 지지 기대
34 : 흡인공
36 : 밀폐 커버 부재
38 : 가압 부재
38b : 가압 플레이트
50 : 연삭 장치
52 : 척 테이블
60 : 연삭 수단
66 : 연삭휠
68 : 연삭 지석
70 : 유지 수단10: wafer
11: Device
12: Line to be divided
14: sheet
16: release layer
18: substrate
20: heater table
30: thermocompression device
32: expectation of support
34: suction hole
36: sealing cover member
38: pressing member
38b: pressure plate
50: grinding device
52: chuck table
60: grinding means
66: grinding wheel
68: grinding wheel
70: retaining means

Claims (8)

복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되고 표면에 형성된 웨이퍼의 이면을 가공하는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
웨이퍼와 동 직경 이상의 서브스트레이트의 상면에 웨이퍼보다 소직경의 박리층을 배치 형성함과 함께, 웨이퍼와 동 직경 이상의 폴리올레핀계 시트 또는 폴리에스테르계 시트의 어느 시트를, 그 박리층을 개재하여 서브스트레이트의 상면에 부설하고, 그 시트의 상면에 웨이퍼의 표면을 위치 부여하여 배치 형성하는 웨이퍼 배치 형성 공정과,
그 시트를 개재하여 그 서브스트레이트에 배치 형성된 웨이퍼를 밀폐 환경 내에서 감압하여 그 시트를 가열함과 함께 웨이퍼를 가압하여 그 시트를 개재하여 웨이퍼를 그 서브스트레이트에 열압착하는 시트 열압착 공정과,
웨이퍼의 이면에 가공을 실시하는 가공 공정과,
웨이퍼를 그 시트로부터 박리하는 박리 공정으로 적어도 구성되는, 웨이퍼의 가공 방법.A wafer processing method in which a plurality of devices are divided by a line to be divided and a back surface of the wafer formed on the surface is processed,
A release layer having a smaller diameter than the wafer is disposed on the upper surface of the substrate having a diameter equal to or greater than the wafer, and any sheet of a polyolefin-based sheet or a polyester-based sheet having a diameter equal to or larger than the wafer is disposed through the release layer. A wafer batch forming step of laying on the upper surface of the sheet and positioning the wafer surface on the upper surface of the sheet to form a batch;
A sheet thermocompression process in which a wafer formed on the substrate via the sheet is pressure-reduced in a closed environment to heat the sheet and pressurize the wafer to thermally compress the wafer to the substrate via the sheet;
A processing step for processing the back surface of the wafer,
A wafer processing method comprising at least a peeling step of peeling a wafer from the sheet. 제 1 항에 있어서,
그 박리층은, 종이, 천, 오블라토, 폴리이미드 시트의 적어도 어느 것을 포함하는, 웨이퍼의 가공 방법.According to claim 1,
The release layer includes at least any one of paper, cloth, oblato, and polyimide sheets, and the wafer is processed. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
그 가공 공정에 있어서, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 가공을 실시하는, 웨이퍼의 가공 방법.The method of claim 1 or 2,
In the processing step, a wafer processing method in which a grinding process is performed to grind the back surface of the wafer. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
폴리올레핀계 시트는, 폴리에틸렌 시트, 폴리프로필렌 시트, 폴리스티렌 시트의 어느 것에 의해 구성되는, 웨이퍼의 가공 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
The polyolefin sheet is a polyethylene sheet, a polypropylene sheet, or a polystyrene sheet. 제 4 항에 있어서,
그 시트 열압착 공정에 있어서, 그 폴리에틸렌 시트의 가열 온도는 120 ∼ 140 ℃ 이고, 그 폴리프로필렌 시트의 가열 온도는 160 ∼ 180 ℃ 이고, 그 폴리스티렌 시트의 가열 온도는 220 ∼ 240 ℃ 인, 웨이퍼의 가공 방법.The method of claim 4,
In the sheet thermocompression bonding step, the heating temperature of the polyethylene sheet is 120 to 140 ° C, the heating temperature of the polypropylene sheet is 160 to 180 ° C, and the heating temperature of the polystyrene sheet is 220 to 240 ° C. Processing method. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 폴리에스테르계 시트는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트, 폴리에틸렌나프탈레이트 시트의 어느 것에 의해 구성되는, 웨이퍼의 가공 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
The polyester sheet is made of either a polyethylene terephthalate sheet or a polyethylene naphthalate sheet, and the wafer is processed. 제 6 항에 있어서,
그 시트 열압착 공정에 있어서, 그 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트의 가열 온도는 250 ∼ 270 ℃ 이고, 그 폴리에틸렌나프탈레이트 시트의 가열 온도는 160 ∼ 180 ℃ 인, 웨이퍼의 가공 방법.The method of claim 6,
In the sheet thermocompression bonding step, the heating temperature of the polyethylene terephthalate sheet is 250 to 270 ° C, and the heating temperature of the polyethylene naphthalate sheet is 160 to 180 ° C. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 시트 열압착 공정에 있어서, 그 시트가 웨이퍼를 둘러싸서 솟아오르도록 웨이퍼를 가압하는, 웨이퍼의 가공 방법.The method according to any one of claims 1 to 7,
In the sheet thermocompression bonding step, the wafer is pressed so that the sheet surrounds the wafer and rises.
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