KR20200037695A - 송수신 스위치, 송수신기, 그리고 송수신 스위치의 동작 방법 - Google Patents

송수신 스위치, 송수신기, 그리고 송수신 스위치의 동작 방법 Download PDF

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김광선
박지훈
이희동
이광천
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Abstract

송수신 스위치, 송수신기, 그리고 송수신 스위치의 동작 방법이 개시된다. 송수신 스위치는, 송신 전치단과 안테나 사이에 연결되는 제1 스위치, 수신 전치단과 그라운드 사이에 연결되는 제2 스위치, 제2 스위치와 안테나 사이에 연결되는 제1 인덕터, 안테나와 그라운드 사이에 연결되는 제2 인덕터, 그리고 안테나와 그라운드 사이에 연결되는 가변 커패시터를 포함할 수 있다.

Description

송수신 스위치, 송수신기, 그리고 송수신 스위치의 동작 방법{TRANSMITTING AND RECEIVING SWITCH, TRANSMITTING AND RECEIVING APPARTUS, AND OPERATING METHOD OF TRANSMITTING AND RECEIVING SWITCH}
본 발명은 송수신 스위치, 송수신기, 그리고 송수신 스위치의 동작 방법에 관한 것이다.
국제표준화기구인 ITU-R(International Telecommunications Union Radiocommunications Sector)는 5세대 이동통신 시스템의 최초 권고안을 2020년에 고시하기 위하여, IMT-2020 개발 프로세서를 진행 중에 있다. IMT-2020은 최고 전송 속도 20 Gbps, 이용자 체감 전송속도 최소 100 Mbps 이상, 전송 지연 시간(latency) 1ms 이하, 그리고 4세대 이동통신 시스템 대비 약 100배 이상의 에너지 효율 증가를 성능 목표로 하고 있다. 이러한 5세대 이동통신 시스템은 몰입형 통신, 초실시간 서비스, 증강 현실, 사물 인터넷, 그리고 빅데이터 기반 서비스를 제공할 수 있을 것으로 예상된다. 그러나, 기존의 6 GHz 주파수 대역 이하를 사용하는 이동 통신 시스템은 IMT-2020에서 정의하는 전송 속도 대비 사용 가능한 신호 대역폭이 넓지 않다는 한계점을 가지고 있는 있다. 따라서, 더 넓은 주파수 대역을 확보하고 있는 밀리미터파 주파수 대역을 사용하는 5세대 무선 이동통신 기술 개발이 세계적으로 활발하게 진행되고 있다.
무선 이동통신 시스템은 가입자에게 더 넓은 통신 커버리지(Coverage) 및 더 빠른 전송 속도를 제공하기 위해, 기지국과 단말에서 충분히 큰 파워로 신호를 증폭한 후 송신할 필요가 있다.
무선 이동통신 시스템에서 송수신기(즉, 기지국 또는 단말)는 무선 신호를 송신하고 수신하기 위해 전치단(Front-End Moudule)을 포함하고 있다. 일반적으로 전치단은 송신 전치단, 송수신 스위치, 그리고 수신 전치단을 포함하고 있다. 송신 전치단은 큰 송신 파워를 출력하기 위해 통신 신호를 전력 증폭한 후 송수신 스위치로 전달한다. 송수신 스위치는 송신 전치모듈의 출력 신호를 전달 받은 후에 안테나 단자로 신호를 전달하고 수신 전치단으로는 신호가 전달되지 않도록 한다. 송수신 스위치는 송신 전치단의 고출력 신호를 다룰 수 있도록 고출력 설계가 필요하다.
한편, 송수신 스위치에는 정전기 방지 회로가 필요하다. 정전기 방전(Electrostatic Discharge, ESD)은 서로 다른 전위를 가지고 있는 물체 사이의 전하 이동을 말한다. 정전기 방전 시 발생하는 임펄스(impulse) 형상의 전압과 전류는 전자 회로를 손상시키거나 오작동을 유발한다. 특히, 최근 반도체 공정의 미세화에 따른 트랜지스터의 크기 축소로 인하여, 전자 회로가 정전기 방전에 대해서 더욱 민감하게 반등하게 된다. 이에 따라, 송수신 스위치는 고출력 신호를 전달할 수 있으면서 정전기 방지 회로가 필요하다.
하지만, 차세대 이동통신용으로 사용될 것으로 예상되는 높은 주파수 대역(예를 들면, 밀리미터파 주파수 대역)에서는 아주 작은 커패시턴스를 가지는 커패시터도 큰 임피던스를 가진다. 이에 따라 다이오드로 구성된 일반적인 정전기 방지 회로를 적용하기 쉽지 않다. 최근에는 다이오드가 아닌 인덕터를 사용한 정전기 방지 회로가 연구되고 있다. 정전기 방지를 위한 인덕터를 추가하는 방법은 다음의 단점을 가진다. 송수신 스위치에 추가적으로 인덕터가 연결되는 경우, 신호의 삽입 손실이 더욱 커지게 되고, 커진 삽입 손실로 인해 송신기의 송신 전력 효율이 나빠질 수 있다. 그리고 추가되는 정전기 방지용 인덕터로 인해서 칩의 크기가 더 커지게 되고, 커진 칩 면적으로 인해 칩 제작 비용이 증가하게 된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 고출력 신호에서 동작하는 송수신 스위치, 송수신기, 그리고 송수신 스위치의 동작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 임피던스 매칭용으로 사용되는 인덕터가 정전기 방지 기능으로도 동시에 수행할 수 있는 송수신 스위치, 그리고 송수신기, 그리고 송수신 스위치의 동작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 송신 전치단으로부터 전달 받은 송신 신호를 안테나로 전달하고 안테나로부터 수신되는 수신 신호를 수신 전치단으로 전달하는 송수신 스위치가 제공된다. 상기 송수신 스위치는, 상기 송신 전치단과 상기 안테나 사이에 연결되는 제1 스위치, 상기 수신 전치단과 그라운드 사이에 연결되는 제2 스위치, 상기 제2 스위치와 상기 안테나 사이에 연결되는 제1 인덕터, 상기 안테나와 상기 그라운드 사이에 연결되는 제2 인덕터, 그리고 상기 안테나와 상기 그라운드 사이에 연결되는 가변 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 송수신 스위치가 송신 모드로 동작하는 경우, 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치는 턴온될 수 있다.
상기 송수신 스위치가 수신 모드로 동작하는 경우, 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치는 턴오프될 수 있다.
상기 가변 커패시터는 상기 송수신 스위치가 수신 모드로 동작하는 경우보다 상기 송수신 스위치가 송신 모드로 동작하는 경우 더욱 높은 커패시턴스 값으로 설정될 수 있다.
상기 제1 인덕터, 상기 제2 인덕터, 그리고 상기 가변 커패시터는 임피던스 매칭 기능을 수행할 수 있다. 상기 제2 인덕터는 상기 임피던스 매칭 기능과 함께 정전기 방지 회로 기능을 수행할 수 있다.
상기 안테나에 인가되는 정전기는 상기 제2 인덕터, 그리고 상기 그라운드를 통해 흐를 수 있다.
상기 가변 커패시터는, 상기 안테나와 상기 그라운드 사이에 연결되는 제1 커패시터, 상기 안테나에 일단에 연결되는 제2 커패시터, 그리고 상기 제2 커패시터의 타단과 상기 그라운드 사이에 연결되는 제3 스위치를 포함할 수 있다.
상기 송수신 스위치가 송신 모드로 동작하는 경우, 상기 제3 스위치는 턴온될 수 있으며, 상기 송수신 스위치가 수신 모드로 동작하는 경우, 상기 제3 스위치는 턴오프될 수 있다.
상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치는 각각 트랜지스터일 수 있고, 상기 각각의 트랜지스터의 게이트에는 게이트 저항이 연결될 수 있으며, 상기 각각의 트랜지스터의 바디단자에는 바디 저항이 연결될 수 있다.
상기 송수신 스위치가 송신 모드로 동작하는 경우, 상기 송신 신호는 상기 제1 인덕터의 양단에 걸릴 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 송수신기가 제공된다. 상기 송수신기는, 안테나, 송신 신호를 출력하는 송신 전치단, 상기 안테나로부터 수신 신호를 전달 받는 수신 전치단, 상기 안테나와 상기 송신 전치단 사이에 연결되며, 상기 송신 신호의 송신 시에 턴온되는 제1 스위치, 상기 수신 전치단과 그라운드 사이에 연결되며, 상기 송신 신호의 송신 시에 턴온되는 제2 스위치, 상기 제2 스위치와 상기 안테나 사이에 연결되는 제1 인덕터, 상기 안테나와 상기 그라운드 사이에 연결되는 제2 인덕터, 그리고 상기 제2 인덕터와 병렬로 연결되는 가변 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 수신 신호의 수신 시에 상기 제1 및 제2 스위치는 턴오프될 수 있다.
상기 가변 커패시터는 상기 송신 신호의 수신 시 보다 상기 수신 신호의 수신 시에 더욱 높은 커패시턴스 값을 가질 수 있다.
상기 제2 인덕터는 임피던스 매칭 기능과 함께 정전기 방진 회로 기능을 수행할 수 있다.
상기 제2 인덕터가 상기 정전기 방지 회로 기능을 수행할 시에, 상기 안테나에 인가되는 정전기는 상기 제2 인덕터, 그리고 상기 그라운드로 통해 흐를 수 있다.
상기 가변 커패시터는, 상기 안테나와 상기 그라운드 사이에 연결되는 제1 커패시터, 상기 안테나에 일단에 연결되는 제2 커패시터, 그리고 상기 제2 커패시터의 타단과 상기 그라운드 사이에 연결되는 제3 스위치를 포함할 수 있다.
상기 송수신 스위치가 송신 모드로 동작하는 경우, 상기 제3 스위치는 턴온될 수 있으며, 상기 송수신 스위치가 수신 모드로 동작하는 경우, 상기 제3 스위치는 턴오프될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 송신 전치단으로부터 수신되는 송신 신호를 안테나로 전달하고 안테나로부터 수신되는 수신 신호를 수신 전치단으로 전달하는 송수신 스위치의 동작 방법이 제공된다. 상기 동작 방법은, 송신 모드에서, 상기 송신 전치단과 상기 안테나 사이에 연결되는 제1 스위치를 턴온하며 상기 수신 전치단과 그라운드 사이에 연결되는 제2 스위치를 턴온하여, 상기 송신 신호를 상기 안테나로 전달하는 단계, 상기 송신 모드에서, 상기 제2 스위치와 상기 안테나 사이에 연결되는 제1 인덕터, 상기 안테나와 상기 그라운드 사이에 연결되는 제2 인덕터, 그리고 상기 안테나와 그라운드 사이에 연결되는 가변 커패시터를 이용하여, 임피던스 매칭을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 동작 방법은, 수신 모드에서, 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치를 턴오프하여, 상기 수신 신호를 상기 수신 전치단으로 전달하는 단계, 그리고 상기 수신모드에서, 상기 제1 인덕터, 상기 제2 인덕터, 그리고 상기 가변 커패시터를 이용하여, 임피던스 매칭을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 가변 커패시터의 커패시턴스 값은 상기 수신모드보다 상기 송신 모드에서 더욱 높은 값으로 설정될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 송수신 스위치의 송신 모드 동작 시에 고출력 신호의 대부분이 수동 소자의 양단에 걸리므로, 높은 송신 신호 출력에서 안정적인 스위칭 기능을 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 송수신 스위치의 내부 매칭 회로 중 일부가 정전기 방지 회로로 동작하므로, 추가적인 정전기 방지 회로가 필요하지 않다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 송수신기를 나타내는 도면이다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치의 송신 모드 동작 시에 대한 등가 회로를 나타내는 도면이며, 도 2b는 도 2a의 임피던스 매칭에 대한 스미스 차트(Smith Chart)를 나타내는 도면이다.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치의 수신 모드 동작 시에 대한 등가 회로를 나타내는 도면이며, 도 3b는 도 3a의 임피던스 매칭에 대한 스미스 차트(Smith Chart)를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1의 제1 스위치 및 제2 스위치가 트랜지스터로 구현된 경우를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터에 각각 바디 저항이 연결되는 경우를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 1의 가변 커패시터의 내부 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6의 제3 스위치가 트랜지스터로 구현된 경우를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7의 제3 트랜지스터에 게이트 저항과 바디 저항이 연결되는 경우를 나타내는 도면이다.
도 9는 도 5와 도 8을 병합한 경우를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치의 송신 모드 동작 시 주파수 특성에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치의 송신 모드 동작 시 P1dB 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치의 수신 모드 동작 시 주파수 특성에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 송수신기는 단말(terminal), 이동 단말(mobile terminal, MT), 이동국(mobile station, MS), 진보된 이동국(advanced mobile station, AMS), 고신뢰성 이동국(high reliability mobile station, HR-MS), 가입자국(subscriber station, SS), 휴대 가입자국(portable subscriber station, PSS), 접근 단말(access terminal, AT), 사용자 장비(user equipment, UE) 등을 지칭할 수도 있고, 단말, MT, AMS, HR-MS, SS, PSS, AT, UE 등의 전부 또는 일부의 기능을 포함할 수도 있다.
또한, 송수신기는 기지국(base station, BS), 진보된 기지국(advanced base station, ABS), 고신뢰성 기지국(high reliability base station, HR-BS), 노드B(node B), 고도화 노드B(evolved node B, eNodeB), 접근점(access point, AP), 무선 접근국(radio access station, RAS), 송수신 기지국(base transceiver station, BTS), MMR(mobile multihop relay)-BS, 기지국 역할을 수행하는 중계기(relay station, RS), 기지국 역할을 수행하는 고신뢰성 중계기(high reliability relay station, HR-RS) 등을 지칭할 수도 있고, BS, ABS, 노드B, eNodeB, AP, RAS, BTS, MMR-BS, RS, HR-RS 등의 전부 또는 일부의 기능을 포함할 수도 있다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 송수신기(1000)를 나타내는 도면이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 송수신기(1000)는 송신 전치단(100), 송수신 스위치(200), 안테나(300), 그리고 수신 전치단(400)를 포함한다.
송신 전치단(100)(Front End Module)은 송신 신호를 생성하고 송신 신호의 파워를 증폭한다. 송신 전치단(100)에서 증폭된 송신 신호는 송수신 스위치(200)로 전달된다. 송신 전치단(100)은 오실레이터, 필터, 파워 증폭기 등을 포함할 수 있다.
송수신 스위치(200)는 송신 전치단(100)으로부터 전달 받은(수신되는) 송신 신호를 안테나(300)로 전달한다. 여기서, 송수신 스위치(200)는 송신 신호가 수신 전치단(400)으로 전달되지 않도록 한다. 그리고 송수신 스위치(200)는 안테나(300)로부터 전달 받은(수신되는) 수신 신호를 수신 전치단(400)으로 전달한다. 여기서, 송수신 스위치(200)는 수신 신호가 송신 전치단(100)으로 전달되지 않도록 한다. 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치(200)는 임피던스 매칭 뿐만 아니라 정전기 방지 회로 기능을 수행하는바 이에 대해서는 아래에서 구체적으로 설명한다.
안테나(300)는 송수신 스위치(200)로부터 전달 받은 송신 신호를 송출하고, 외부로부터 수신되는 수신 신호를 송수신 스위치(200)로 전달한다. 안테나(300)는 송신과 수신을 동시에 수행하는 송수신 안테나로 구현될 수도 있고 송신 안테나나 수신 안테나가 별도로 구현될 수 있다.
수신 전치단(400)은 송수신 스위치(200)로부터 전달 받은 수신 신호를 증폭하며 복조를 수행한다. 수신 전치단(400)은 LNA(Low Noise Amplifier), 필터, 오실레이터 등을 포함할 수 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치(200)는 제1 스위치(210), 제2 스위치(220), 제1 인덕터(230), 제2 인덕터(240), 그리고 가변 커패시터(250)를 포함한다.
제1 스위치(210)는 송신 전치단(100)과 안테나(300) 사이에 연결되어 스위칭 기능을 수행한다. 제2 스위치(220)는 수신 전치단(400)과 그라운드 사이에 연결되어 스위칭 기능을 수행한다. 송수신기(1000)가 송신 모드 동작 시에는 제1 스위치(210) 및 제2 스위치(220)는 턴온된다. 그리고 송수신기(1000)가 수신 모드 동작 시에는 제1 스위치(210) 및 제2 스위치(220)는 턴오프된다.
제1 인덕터(230)는 제2 스위치(220)와 안테나(300) 사이에 연결되어 임피던스 매칭 기능을 수행한다.
제2 인덕터(240)는 안테나(300)와 그라운드 사이에 연결되어 임피던스 매칭 기능을 수행할 뿐만 아니라 정전기 방지 회로 기능을 수행한다.
가변 커패시터(250)는 안테나(300)와 그라운드 사이에 연결되어 제2 인덕터(240)와 병렬로 연결되며, 커패시턴스 값이 외부 제어 신호에 의해 조절된다. 가변 커패시터(250)는 임피던스 매칭 기능을 수행한다. 아래에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 가변 커패시터(250)는 수신 모드 동작 시보다 송신 모드 동작 시에 더욱 높은 커패시턴스 값으로 설정된다.
도 1에서 나타낸 그라운드는 DC(Direct Current) 그라운드 또는 AC(Alternating Current) 그라운드일 수 있다.
송수신 스위치(200)의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 2a 및 도 2b를 참조하여, 송수신기(1000)가 송신 모드로 동작하는 경우 즉, 송수신 스위치(200)가 송신 모드로 동작하는 경우에 대해서 설명한다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치(200)의 송신 모드 동작 시에 대한 등가 회로를 나타내는 도면이며, 도 2b는 도 2a의 임피던스 매칭에 대한 스미스 차트(Smith Chart)를 나타내는 도면이다.
송수신 스위치(200)의 송신 모드 동작 시에는 제1 스위치(210)는 턴온되며, 송신 전치단(100)의 출력 신호는 안테나(300)로 전달된다. 그리고 송수신 스위치(200)의 송신 모드 동작 시에는 제2 스위치(220)도 턴온되며, 이로 인해 제1 인덕터(230)의 일단이 그라운드로 연결된다.
제1 스위치(210)를 통해 안테나(300)로 전달되는 송신 신호의 삽입 손실이 최소가 되기 위해서, 안테나(300)에서 수신 전치단(400)으로 바라보는 임피던스(ZRX)가 가능한 한 크게 보일수록 유리하다. 이러한 효과를 얻기 위한 임피던스(ZRX) 매칭에 대해서 도 2b를 참조하여 설명한다.
도 2b를 참조하면, 수신 전치단(400)의 입력 노드(N1)에서의 임피던스는 제2 스위치(220)로 인해 그라운드로 연결되므로 아주 낮은 임피던스로 보이게 되어, 스미스 차트 상에 쇼트(short)에 해당하는 지점(S210)에 표시된다. 그리고 노드(N2)에서의 임피던스는 제1 인덕터(230)로 인해 스미스 차트 상의 경로(S220)를 따라 이동한다. 최종적으로, 서로 병렬로 연결되는 제2 인덕터(240)와 가변 커패시터(250)로 인해, 임피던스(ZRX)는 스미스 차트 상의 경로(S230)를 따라 이동하여, 높은 임피던스 지점(S240)에 도달한다. 여기서, 제2 인덕터(240)의 인덕티브(inductive) 성질이 상쇄하고 임피던스(ZRX)가 스미스 차트 상의 경로(S230)를 따라 움직이기 위해서, 가변 커피새터(250)는 큰 커패시턴스 값을 가지도록 제어된다. 그리고, 송수신 스위치(200)의 송신 모드에서, 가변 커패시터(250)의 커패시턴스 값은 임피던스 매칭을 구성하는 다른 회로들의 임피던스를 감안하여 결정될 수 있다.
한편, 도 2b에서 표시된 스미스 차트상의 임피던스 지점 및 임피던스 변환 경로는 송수신 스위치(200)의 실제 구현 시 고려되는 기생 저항, 기생 인덕터 및 기생 커패시턴스 등의 성분, 그리고 안테나(300), 송신 전치단(100) 및 수신 전치단(400)의 실제 임피던스에 의해 달라질 수 있다.
송수신 스위치(200)의 송신 모드 동작 시에, 송신 전치단(100)의 고출력 신호는 제1 스위치(210)를 통과하여 안테나(300)로 전달된다. 이때, 송신 전치단(100)의 고출력 신호의 대부분은 제1 인덕터(230)의 양단에 걸리게 되고, 제2 스위치(220) 및 수신 전치단(400)으로 인가되는 신호는 매우 작아지게 된다. 이를 통해, 송신 모드에서 송신 전치단(100)의 고출력 신호가 송신될 수 있다. 다시 말하면, 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치(200)는 송신 모드 동작 시에 고출력 신호의 대부분이 수동 소자(예를 들면, 제1 인덕터(230))의 양단에 걸리게 되므로, 높은 송신 신호 출력에서도 안정적인 스위칭 기능을 제공할 수 있다.
도 2a를 참조하면, 안테나(300)에 인가되는 정전기는 제2 인덕터(240)로 구성된 경로(S200)를 통해 흐르게 되며, 이로 인해 다른 회로들이 보호될 수 있다. 즉, 송수신 스위치(200)의 정전기 방지 회로로서 별도의 인덕터를 사용하지 않더라도, 송수신 스위치(200)에서 임피던스 매칭용으로 사용되는 제2 인덕터(240)가 정전기 방지 기능으로 사용되므로, 추가적인 정전기 방지용 인덕터 또는 회로가 필요하지 않다.
다음으로, 송수신기(1000)가 수신 모드로 동작하는 경우 즉, 송수신 스위치(200)가 수신 모드로 동작하는 경우에 대해서 도 3a 및 도 3b를 참조하여, 설명한다.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치(200)의 수신 모드 동작 시에 대한 등가 회로를 나타내는 도면이며, 도 3b는 도 3a의 임피던스 매칭에 대한 스미스 차트(Smith Chart)를 나타내는 도면이다.
송수신 스위치(200)의 수신 모드 동작 시에는 제1 스위치(210)는 턴오프되며, 안테나(300)로부터 수신되는 수신 신호는 송신 전치단(100)으로 전달되지 않는다. 그리고 송수신 스위치(200)의 수신 모드 동작 시에는 제2 스위치(220)도 턴오프되며, 안테나(300)로부터 수신되는 수신 신호는 수신 전치단(400)으로 전달된다.
안테나(300)로부터 수신되는 수신 신호의 삽입 손실이 최소화 되기 위해서는 안테나(300)에서 송신 전치단(100)으로 바라보는 임피던스(ZTX)가 가능한 한 크게 보일수록 유리하다. 이러한 효과를 얻기 위한 임피던스(ZTX) 매칭에 대해서 도 3b를 참조하여 설명한다.
도 3b를 참조하면, 송신 전치단(100)의 출력 임피던스가 50옴에 매칭되어 있다고 가정하면, 스미스 차트 상에서 50옴 지점(S310)에 표시된다. 그리고, 제1 스위치(210)의 양단에서 발생하는 기생 커패시터로 인해 제1 스위치(210)가 직렬 커패시터처럼 보이게 되어, 노드(N3)의 임피던스는 스미스 차트 상의 경로(S320)를 따라 이동한다. 최종적으로, 서로 병렬로 연결되는 제2 인덕터(240)와 가변 커패시터(250)로 인해, 임피던스(ZRX)는 스미스 차트 상의 경로(S330)를 따라 이동하여, 높은 임피던스 지점(S340)에 도달한다. 여기서, 제2 인덕터(240)의 인덕티브(inductive) 성질이 크게 보여야 하므로, 가변 커패시터(250)는 작은 커패시턴스 값을 가지도록 제어된다. 그리고, 송수신 스위치(200)의 수신 모드에서는 가변 커패시터(250)의 커패시턴스 값은 임피던스 매칭을 구성하는 다른 회로들의 임피던스를 감안하여 결정될 수 있다.
한편, 도 3b에서 표시된 스미스 차트상의 임피던스 지점 및 임피던스 변환 경로는 송수신 스위치(200)의 실제 구현 시 고려되는 기생 저항, 기생 인덕터 및 기생 커패시턴스 등의 성분, 그리고 안테나(300), 송신 전치단(100) 및 수신 전치단(400)의 실제 임피던스에 의해 달라질 수 있다.
도 3a를 참조하면, 안테나(300)에 인가되는 정전기는 제2 인덕터(240)로 구성된 경로(S300)를 통해 흐르게 되며, 이로 인해 다른 회로들이 보호될 수 있다. 즉, 송수신 스위치(200)의 정전기 방지 회로로서 별도의 인덕터를 사용하지 않더라도 송수신 스위치(200)에서 임피던스 매칭용으로 사용되는 제2 인덕터(240)가 정전기 방지 기능으로 사용되므로, 추가적인 정전기 방지용 인덕터 또는 회로가 필요하지 않다.
도 4는 도 1의 제1 스위치(210) 및 제2 스위치(220)가 트랜지스터로 구현된 경우를 나타내는 도면이다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 제1 스위치(210)은 외부 제어 신호에 의해 턴온 또는 턴오프되는 제1 트랜지스터(211)로 구현될 수 있다. 그리고, 제2 스위치(220)도 외부 제어 신호에 의해 턴온 또는 턴오프되는 제2 트랜지스터(221)로 구현될 수 있다.
제1 트랜지스터(211) 및 제2 트랜지스터(221)는 deep N-well 공정을 사용하는 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 소자일 수 있다.
제1 트랜지스터(211)의 게이트에는 제1 게이트 저항(212)이 연결되며, 제1 게이트 저항(212)를 통해 외부 제어 신호(Vcontrol)가 인가될 수 있다. 그리고 제2 트랜지스터(221)의 게이트에도 제2 게이트 저항(222)이 연결되며, 제2 게이트 저항(222)를 통해 외부 제어 신호(Vcontrol)가 인가될 수 있다.
도 5는 도 4의 제1 트랜지스터(211) 및 제2 트랜지스터(221)에 각각 바디 저항이 연결되는 경우를 나타내는 도면이다.
제1 트랜지스터(211)의 바디 단자 및 제2 트랜지스터(221)의 바디 단자와 관련된 기생 커패시터의 영향을 줄이기 위해, 바디플로팅(body floating) 기술이 적용될 수 있다. 이 바디플로팅 기술이 적용되기 위해, 제1 트랜지스터(211)의 바디 단자에 제1 바디 저항(213)이 연결되며, 제2 트랜지스터(221)의 바디 단자에 제2 바디 저항(223)이 연결된다.
도 6은 도 1의 가변 커패시터(250)의 내부 구성을 나타내는 도면이다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 가변 커패시터(250)는 제1 커패시터(251), 제2 커패시터(252), 그리고 제3 스위치(253)을 포함한다.
제1 커패시터(251)는 안테나(300)와 그라운드 사이에 연결된다. 제2 커패시터(252)의 일단은 안테나(300)에 연결되며, 제3 스위치(253)는 제2 커패시터(252)의 타단과 그라운드 사이에 연결된다.
송수신 스위치(200)가 송신 모드로 동작할 시, 제3 스위치(253)는 턴온되어, 가변 커패시터(250)의 커패시턴스 값이 크게 된다. 이를 통해 도 2a 및 도 2b에서 설명한 바와 같이 임피던스(ZRX)가 커지게 되고, 송수신 스위치(200)의 삽입 손실이 감소한다.
한편, 송수신 스위치(200)가 수신 모드로 동작할 시, 제3 스위치(253)는 턴오프되어, 가변 커패시터(250)의 커패시턴스 값이 작게 된다. 이를 통해 도 3a 및 도 3b에서 설명한 바와 같이 임피던스(ZTX)가 커지게 되고, 송수신 스위치(200)의 삽입 손실이 감소한다.
도 7은 도 6의 제3 스위치(253)가 트랜지스터로 구현된 경우를 나타내는 도면이다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 제3 스위치(253)은 외부 제어 신호에 의해 턴온 또는 턴오프되는 제3 트랜지스터(254)로 구현될 수 있다. 제3 트랜지스터(254)는 deep N-well 공정을 사용하는 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 소자일 수 있다.
도 8은 도 7의 제3 트랜지스터(254)에 게이트 저항과 바디 저항이 연결되는 경우를 나타내는 도면이다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 제3 트랜지스터(254)의 게이트에 제3 게이트 저항(255)이 연결되며, 제3 게이트 저항(255)을 통해 외부 제어 신호(VCAP)가 인가될 수 있다.
그리고, 제3 트랜지스터(254)의 바디 단자와 관련된 기생 커패시터 영향을 줄이기 위해, 바디플로팅(body floating) 기술이 적용될 수 있다. 이 바디플로팅 기술이 적용되기 위해, 제3 트랜지스터(254)의 바디 단자에 제3 바디 저항(256)이 연결된다.
도 9는 도 5와 도 8을 병합한 경우를 나타내는 도면이다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 제1 내지 제3 스위치(210, 220, 253)는 트랜지스터로 구현될 수 있다. 그리고 제1 내지 제3 트랜지스터(211, 221, 254) 각각에는 게이트 저항과 바디 저항이 연결될 수 있다.
아래에서는 도 10 내지 도 12를 참조하여, 본 발명의 실시예가 적용된 경우에 대한 시뮬레이션 결과에 대해서 설명한다. 도 10 내지 도 12의 시뮬레이션은 송수신 스위치(200)를 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 기반의 반도체 파운드리 PDK(Process Kit)와 회로 레이아웃에 따른 EM(Electromagnetic) 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 그리고 송수신 스위치(200)의 목표 주파수 대역은 28 GHz 대역이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치(200)의 송신 모드 동작 시 주파수 특성에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
도 10에서, 삽입 손실은 송신 전치단(100)에서 안테나(300)까지 경로를 통과하는 신호의 삽입 손실을 의미한다. 도 10에 나타낸 바와 같이, 삽입 손실은 28 GHz 대역에서 약 1.5 dB를 나타내고 있다. 이 삽입 손실은 정전기 방지 회로를 포함하는 삽입손실로서 28 GHz 주파수 대역에서 충분히 좋은 성능을 보여준다.
한편, 도 10에서, 입력 반사계수는 송신 전치단(100)에서 측정된 반사계수를 의미하고, 출력 반사계수는 안테나(300)에서 측정된 반사계수를 의미한다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치(200)의 송신 모드 동작 시 P1dB 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치(200)가 송신 모드로 동작 시에, 고출력 파워가 대부분 수동 소자에 인가되므로, 고출력 성능을 얻을 수 있다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 시뮬레이션 결과를 보면 입력P1dB가 약 34 dBM(~2.5W)으로, 고출력 신호를 구동할 수 있음을 확인할 수 있다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치(200)의 수신 모드 동작 시 주파수 특성에 대한 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
도 12에서, 삽입 손실은 안테나(300)에서 수신 전치단(400)까지 경로를 통과하는 신호의 삽입 손실을 의미한다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 삽입 손실은 28 GHz 주파수 대역에서 약 2.7dB를 나타내고 있다. 이 삽입 손실은 정전기 방지 회로를 포함하는 삽입 손실 값이다. 한편, 공정 미세화에 따라 스위치들의 기생 커패시터의 크기가 작아지므로, 수신 모드의 삽입 손실은 더 작아질 수 있다.
도 10에서, 입력 반사계수는 수신 전치단(400)에서 측정된 반사계수를 의미하고, 출력 반사계수는 안테나(300)에서 측정된 반사계수를 의미한다.
상기에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치(200)는 송신 모드 동작 시에 고출력 신호의 대부분이 수동 소자의 양단에 걸리게 되므로, 높은 송신 신호 출력에서도 안정적인 스위칭 기능을 제공할 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치(200)는 저출력 단말용 무선통신 기기뿐만 아니라 고출력의 옥외용 무선통신 기기에도 적용 가능하다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 송수신 스위치(200)는 내부 매칭 회로 중 일부가 정전기 방지 회로로도 동작하므로, 추가적인 정전기 방지 회로가 필요하지 않다. 이와 같이 별도의 정전기 방지 회로를 사용하지 않으므로, 칩의 크기를 줄일 수 있다. 그리고 별도의 정전기 방지 회로로 인한 추가적인 삽입 손실이 발생하지 않으므로, 삽입 손실 성능이 좋아질 수 있다. 별도의 정전기 방지 회로로 인한 추가적인 매칭 부품을 사용하지 않아도 되므로, 임피던스 매칭이 더욱 용이해질 수 있다. 별도의 정전기 방지 회로로 인한 추가적인 주파수 특성 제한이 없으므로, 광대역 송수신 스위치를 구현할 수 있는 이점이 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (20)

  1. 송신 전치단으로부터 전달 받은 송신 신호를 안테나로 전달하고 안테나로부터 수신되는 수신 신호를 수신 전치단으로 전달하는 송수신 스위치로서,
    상기 송신 전치단과 상기 안테나 사이에 연결되는 제1 스위치,
    상기 수신 전치단과 그라운드 사이에 연결되는 제2 스위치,
    상기 제2 스위치와 상기 안테나 사이에 연결되는 제1 인덕터,
    상기 안테나와 상기 그라운드 사이에 연결되는 제2 인덕터, 그리고
    상기 안테나와 상기 그라운드 사이에 연결되는 가변 커패시터를 포함하는 송수신 스위치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 송수신 스위치가 송신 모드로 동작하는 경우, 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치는 턴온되는 송수신 스위치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 송수신 스위치가 수신 모드로 동작하는 경우, 상기 제1 스위치와 상기 제2 스위치는 턴오프되는 송수신 스위치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 가변 커패시터는 상기 송수신 스위치가 수신 모드로 동작하는 경우보다 상기 송수신 스위치가 송신 모드로 동작하는 경우 더욱 높은 커패시턴스 값으로 설정되는 송수신 스위치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 인덕터, 상기 제2 인덕터, 그리고 상기 가변 커패시터는 임피던스 매칭 기능을 수행하고,
    상기 제2 인덕터는 상기 임피던스 매칭 기능과 함께 정전기 방지 회로 기능을 수행하는 송수신 스위치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 안테나에 인가되는 정전기는 상기 제2 인덕터, 그리고 상기 그라운드를 통해 흐르는 송수신 스위치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 가변 커패시터는,
    상기 안테나와 상기 그라운드 사이에 연결되는 제1 커패시터,
    상기 안테나에 일단에 연결되는 제2 커패시터, 그리고
    상기 제2 커패시터의 타단과 상기 그라운드 사이에 연결되는 제3 스위치를 포함하는 송수신 스위치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 송수신 스위치가 송신 모드로 동작하는 경우, 상기 제3 스위치는 턴온되며,
    상기 송수신 스위치가 수신 모드로 동작하는 경우, 상기 제3 스위치는 턴오프되는 송수신 스위치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치는 각각 트랜지스터이고,
    상기 각각의 트랜지스터의 게이트에는 게이트 저항이 연결되며,
    상기 각각의 트랜지스터의 바디단자에는 바디 저항이 연결되는 송수신 스위치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 송수신 스위치가 송신 모드로 동작하는 경우, 상기 송신 신호는 상기 제1 인덕터의 양단에 걸리는 송수신 스위치.
  11. 안테나,
    송신 신호를 출력하는 송신 전치단,
    상기 안테나로부터 수신 신호를 전달 받는 수신 전치단,
    상기 안테나와 상기 송신 전치단 사이에 연결되며, 상기 송신 신호의 송신 시에 턴온되는 제1 스위치,
    상기 수신 전치단과 그라운드 사이에 연결되며, 상기 송신 신호의 송신 시에 턴온되는 제2 스위치,
    상기 제2 스위치와 상기 안테나 사이에 연결되는 제1 인덕터,
    상기 안테나와 상기 그라운드 사이에 연결되는 제2 인덕터, 그리고
    상기 제2 인덕터와 병렬로 연결되는 가변 커패시터를 포함하는 송수신기.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 수신 신호의 수신 시에 상기 제1 및 제2 스위치는 턴오프되는 송수신기.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 가변 커패시터는 상기 송신 신호의 수신 시 보다 상기 수신 신호의 수신 시에 더욱 높은 커패시턴스 값을 가지는 송수신기.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제2 인덕터는 임피던스 매칭 기능과 함께 정전기 방진 회로 기능을 수행하는 송수신기.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 인덕터가 상기 정전기 방지 회로 기능을 수행할 시에, 상기 안테나에 인가되는 정전기는 상기 제2 인덕터, 그리고 상기 그라운드로 통해 흐르는 송수신기.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 가변 커패시터는,
    상기 안테나와 상기 그라운드 사이에 연결되는 제1 커패시터,
    상기 안테나에 일단에 연결되는 제2 커패시터, 그리고
    상기 제2 커패시터의 타단과 상기 그라운드 사이에 연결되는 제3 스위치를 포함하는 송수신기.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 송수신 스위치가 송신 모드로 동작하는 경우, 상기 제3 스위치는 턴온되며,
    상기 송수신 스위치가 수신 모드로 동작하는 경우, 상기 제3 스위치는 턴오프되는 송수신기.
  18. 송신 전치단으로부터 수신되는 송신 신호를 안테나로 전달하고 안테나로부터 수신되는 수신 신호를 수신 전치단으로 전달하는 송수신 스위치의 동작 방법으로서,
    송신 모드에서, 상기 송신 전치단과 상기 안테나 사이에 연결되는 제1 스위치를 턴온하며 상기 수신 전치단과 그라운드 사이에 연결되는 제2 스위치를 턴온하여, 상기 송신 신호를 상기 안테나로 전달하는 단계, 그리고
    상기 송신 모드에서, 상기 제2 스위치와 상기 안테나 사이에 연결되는 제1 인덕터, 상기 안테나와 상기 그라운드 사이에 연결되는 제2 인덕터, 그리고 상기 안테나와 그라운드 사이에 연결되는 가변 커패시터를 이용하여, 임피던스 매칭을 제공하는 단계를 포함하는 동작 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    수신 모드에서, 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치를 턴오프하여, 상기 수신 신호를 상기 수신 전치단으로 전달하는 단계, 그리고
    상기 수신모드에서, 상기 제1 인덕터, 상기 제2 인덕터, 그리고 상기 가변 커패시터를 이용하여, 임피던스 매칭을 제공하는 단계를 더 포함하는 동작 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 가변 커패시터의 커패시턴스 값은 상기 수신모드보다 상기 송신 모드에서 더욱 높은 값으로 설정되는 동작 방법.
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KR20220012368A (ko) * 2020-06-05 2022-02-03 영남대학교 산학협력단 비대칭 스위치를 이용한 밀리미터파 송수신단
US11569102B2 (en) 2020-02-14 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Oxidation inhibiting gas in a manufacturing system
WO2023195606A1 (ko) * 2022-04-06 2023-10-12 삼성전자 주식회사 안테나를 포함하는 전자 장치
US11990358B2 (en) 2007-10-27 2024-05-21 Applied Materials, Inc. Sealed substrate carriers and systems and methods for transporting substrates

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI756702B (zh) * 2020-06-02 2022-03-01 立積電子股份有限公司 切換電路

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150140937A1 (en) * 2013-11-19 2015-05-21 Cambridge Silicon Radio Limited On-chip transmit and receive filtering
US20160126618A1 (en) * 2014-10-29 2016-05-05 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Integrated circuit, wireless communication unit, and method for antenna matching
US10581478B1 (en) * 2018-02-15 2020-03-03 Marvell International Ltd. Radio-frequency front end with power amplifier detuning to reduce output degradation

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11990358B2 (en) 2007-10-27 2024-05-21 Applied Materials, Inc. Sealed substrate carriers and systems and methods for transporting substrates
US11569102B2 (en) 2020-02-14 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Oxidation inhibiting gas in a manufacturing system
KR20220012368A (ko) * 2020-06-05 2022-02-03 영남대학교 산학협력단 비대칭 스위치를 이용한 밀리미터파 송수신단
WO2023195606A1 (ko) * 2022-04-06 2023-10-12 삼성전자 주식회사 안테나를 포함하는 전자 장치

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